KR20200100449A - Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern - Google Patents

Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern Download PDF

Info

Publication number
KR20200100449A
KR20200100449A KR1020190018756A KR20190018756A KR20200100449A KR 20200100449 A KR20200100449 A KR 20200100449A KR 1020190018756 A KR1020190018756 A KR 1020190018756A KR 20190018756 A KR20190018756 A KR 20190018756A KR 20200100449 A KR20200100449 A KR 20200100449A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent substrate
light
pattern
etching
forming
Prior art date
Application number
KR1020190018756A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이영진
최영환
Original Assignee
주식회사 뉴실리카
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴실리카 filed Critical 주식회사 뉴실리카
Priority to KR1020190018756A priority Critical patent/KR20200100449A/en
Publication of KR20200100449A publication Critical patent/KR20200100449A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

Abstract

The present invention relates to a method of forming a light-emitting pattern on a transparent substrate and a light-emitting pattern display device capable of forming light-emitting patterns of various patterns and shapes on the surface of a transparent substrate. The method comprises: a photosensitive film forming step of forming a photosensitive film made of a photosensitive resin material on a transparent substrate; a mask pattern development step of etching at least a portion of the photosensitive film formed on the transparent substrate by a photo etching process to develop the photosensitive film into a mask pattern having a pattern portion etched into a predetermined shape; an etching step of applying a sol-type etching paste to the inside of the pattern portion of the mask pattern by a silkscreen printing process and etching the transparent substrate with a light-emitting pattern having a shape corresponding to the shape of the pattern portion; and a cleaning step of removing the etching paste by cleaning the etched transparent substrate.

Description

투명 기판의 발광 패턴 형성 방법 및 발광 패턴 디스플레이 장치{Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern}TECHNICAL FIELD [Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern]

본 발명은 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법 및 발광 패턴 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 투명 기판의 표면에 다양한 무늬와 형태의 발광 패턴을 형성할 수 있는 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법 및 발광 패턴 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a light-emitting pattern on a transparent substrate and a light-emitting pattern display device, and more particularly, a method for forming a light-emitting pattern and a light-emitting pattern on a transparent substrate capable of forming light-emitting patterns of various patterns and shapes on the surface of a transparent substrate. It relates to a display device.

유리는 특유의 투광성, 다양하고 임의로운 색채의 발현성, 용이한 성형성, 비교적 큰 경도와 불투수성, 재생성 등으로 인하여 일상생활에서 다양한 용도로 사용되고 있다. 이러한 유리는 그 사용용도에 따라 장식용 유리로 사용될 경우 표면에 도안, 문자, 기호 등의 발광 패턴이 새겨지고, 발광 패턴은 별도의 발광부로부터 광을 조사받아 발광 상태로 표시될 수 있다.Glass is used for various purposes in everyday life due to its unique transmissivity, expression of various and arbitrary colors, easy moldability, relatively large hardness and impermeability, and regeneration. When such glass is used as a decorative glass according to its intended use, light-emitting patterns, such as patterns, letters, and symbols, are engraved on the surface, and the light-emitting pattern may be displayed in a light-emitting state by irradiating light from a separate light-emitting unit.

일반적으로, 위와 같은 발광 패턴은, 샌드블라스트(Sandblast) 공정을 이용하여 유리로 이루어진 투명 기판의 표면을 가공하는 방법으로 형성되고 있다. 그러나, 이러한 종래의 샌드블라스트 공정을 이용한 발광 패턴의 형성 방법 및 발광 패턴 디스플레이 장치는, 투명 기판에 정교한 가공을 하는 것이 매우 어렵기 때문에 고 해상도를 가지는 발광 패턴을 표시할 수 없다는 문제점이 있었다. 또한, 샌드블라스트 공정은 물리적인 힘으로 대상물을 타격하여 발광 패턴을 형성하는 방법이기 때문에, 최근에 투명 기판의 소재로 널리 사용되고 있는 강화 유리에 적용하기 어렵다는 문제점이 있었다.In general, the light-emitting pattern as described above is formed by processing the surface of a transparent substrate made of glass using a sandblast process. However, in the conventional method of forming a light emitting pattern and a light emitting pattern display device using a sandblasting process, it is very difficult to perform elaborate processing on a transparent substrate, and thus, there is a problem in that a light emitting pattern having a high resolution cannot be displayed. In addition, since the sandblasting process is a method of forming a light emitting pattern by hitting an object with a physical force, there is a problem that it is difficult to apply to tempered glass, which is widely used as a material for a transparent substrate in recent years.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 경도가 높은 강화 유리로 이루어진 투명 기판에 발광 패턴을 가공 시 투명 기판의 파손을 방지하고, 고 해상도의 발광 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법 및 발광 패턴 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve a number of problems including the above problems, and when processing a light emitting pattern on a transparent substrate made of a tempered glass having high hardness, the transparent substrate is prevented from being damaged, and a high resolution light emitting pattern is easily formed. It is an object of the present invention to provide a method for forming a light emitting pattern of a transparent substrate and a device for displaying a light emitting pattern. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법이 제공된다. 상기 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법은, 투명 기판 상에 감광성수지 재질로 이루어지는 감광막을 형성하는 감광막 형성 단계; 포토 에칭 공정으로 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 감광막의 적어도 일부분을 식각하여, 상기 감광막을 소정의 형상으로 식각된 패턴부를 가지는 마스크 패턴으로 현상하는 마스크 패턴 현상 단계; 실크 스크린 인쇄 공정으로 상기 마스크 패턴의 상기 패턴부의 내부에 졸(Sol) 형태의 식각 페이스트를 도포하여, 상기 패턴부의 형상과 대응되는 형상의 발광 패턴으로 상기 투명 기판을 식각하는 식각 단계; 및 식각된 상기 투명 기판을 세척하여 상기 식각 페이스트를 제거하는 세정 단계;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a method of forming a light emitting pattern on a transparent substrate is provided. The method of forming a light emitting pattern on the transparent substrate may include: forming a photosensitive film formed of a photosensitive resin material on the transparent substrate; A mask pattern developing step of etching at least a portion of the photosensitive layer formed on the transparent substrate by a photo etching process to develop the photosensitive layer into a mask pattern having a pattern portion etched into a predetermined shape; An etching step of applying a sol-type etch paste to the inside of the pattern portion of the mask pattern by a silk screen printing process, and etching the transparent substrate with a light emitting pattern having a shape corresponding to the shape of the pattern portion; And a cleaning step of removing the etching paste by cleaning the etched transparent substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 단계에서, 상기 실크 스크린 인쇄 공정 시, 50목 내지 150목의 스크린 메쉬(Mesh)를 이용하고, 상기 식각 페이스트의 도포 두께는 20㎛ 내지 50㎛이며, 스퀴지 압력은 0.3MPa 이상일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the etching step, in the silk screen printing process, a screen mesh of 50 to 150 necks is used, and the thickness of the etching paste is 20 μm to 50 μm, The squeegee pressure may be 0.3 MPa or more.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 단계에서, 상기 실크 스크린 인쇄 공정 시, 스퀴지의 횟수는 적어도 2회 이상일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the etching step, in the silk screen printing process, the number of squeegees may be at least two or more.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 단계에서, 상기 식각 페이스트는, 상기 투명 기판을 소정의 깊이로 식각할 수 있도록 인산(H3O4P), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 에칭액 및 상기 투명 기판의 식각부가 소정의 표면 거칠기를 가질 수 있도록 불화암모늄(NH4F)을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the etching step, the etching paste is phosphoric acid (H 3 O 4 P), nitric acid (HNO 3 ), and acetic acid (CH 3 ) so that the transparent substrate can be etched to a predetermined depth. COOH) may include ammonium fluoride (NH 4 F) so that the etching solution including at least one of the above and the etched portion of the transparent substrate may have a predetermined surface roughness.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 단계에서, 상기 투명 기판은, 30초 내지 60초 동안 상기 식각 페이스트에 의해 식각될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the etching step, the transparent substrate may be etched by the etching paste for 30 seconds to 60 seconds.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 단계에서, 상기 식각부는 1㎛ 내지 10㎛의 깊이로 식각되고, 0.01㎛ 내지 0.1㎛의 표면 거칠기로 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the etching step, the etched portion may be etched to a depth of 1 μm to 10 μm, and may be formed to have a surface roughness of 0.01 μm to 0.1 μm.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 페이스트는, 계면활성제 및 점도조절제를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the etching paste may further include a surfactant and a viscosity modifier.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 식각 페이스트는, 25ps 내지 35ps의 점도로 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the etching paste may have a viscosity of 25 ps to 35 ps.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 세정 단계에서, 식각이 완료된 상기 투명 기판을 복수개의 세정 노즐이 형성된 세정실로 이송하고, 복수개의 상기 세정 노즐을 통해서 세정액을 스프레이 방식으로 동시에 분사하여 상기 투명 기판을 세정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the cleaning step, the transparent substrate, which has been etched, is transferred to a cleaning chamber in which a plurality of cleaning nozzles are formed, and a cleaning solution is simultaneously sprayed through the plurality of cleaning nozzles in a spray manner to the transparent substrate. Can be washed.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 세정 단계에서, 상기 세정 노즐은, 상기 투명 기판의 면적 보다 더 큰 면적으로 복수개가 일정 간격으로 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the cleaning step, a plurality of cleaning nozzles may be disposed at regular intervals with an area larger than that of the transparent substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 감광막 형성 단계에서, 광 투과율 90% 이상인 저철분 강화 유리인 상기 투명 기판에 5㎛ 내지 30㎛ 두께로 상기 감광막을 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the step of forming the photosensitive film, the photosensitive film may be formed in a thickness of 5 µm to 30 µm on the transparent substrate, which is a low-iron tempered glass having a light transmittance of 90% or more.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 발광 패턴 디스플레이 장치가 제공된다. 상기 발광 패턴 디스플레이 장치는, 일면에 소정 형상의 상기 발광 패턴이 형성된 상기 투명 기판; 및 상기 투명 기판에 광을 조사하는 발광부;를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting pattern display device is provided. The light emitting pattern display device includes: the transparent substrate on which the light emitting pattern having a predetermined shape is formed on one surface; And a light emitting unit that irradiates light onto the transparent substrate.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 발광 패턴 디스플레이 장치는, 상기 발광부는, 적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 투명 기판의 측면에 배치되어 제 1 방향으로 상기 투명 기판에 광을 입사시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, in the light emitting pattern display device, the light emitting unit includes at least one light emitting device, and the light emitting device is disposed on a side surface of the transparent substrate to transmit light to the transparent substrate in a first direction. Can enter.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 발광 패턴 디스플레이 장치는, 상기 투명 기판의 상기 발광 패턴은, 상기 제 1 방향으로 상기 투명 기판에 입사된 광을 산란시켜, 산란된 광의 적어도 일부를 상기 제 1 방향의 수직한 방향인 제 2 방향으로 반사시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, in the light emitting pattern display device, the light emitting pattern of the transparent substrate scatters light incident on the transparent substrate in the first direction, so that at least a portion of the scattered light is converted into the first It can be reflected in a second direction, which is a direction perpendicular to the direction.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 강화 유리로 이루어지는 투명 기판에 고 해상도의 발광 패턴을 용이하게 구현할 수 있으며, 샌드블라스트 공정과 같은 물리적인 식각이 아닌 식각 페이스트를 이용한 화학적인 방법으로 식각하기 때문에 발광 패턴 형성 시 강화 유리가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 투명 기판의 식각 시, 졸 형태의 전용 식각 페이스트를 사용함으로써, 액상 식각 방식으로는 구현할 수 없는 품질의 제품을 대면적으로 양산할 수 있는 효과를 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention made as described above, it is possible to easily implement a high-resolution light emission pattern on a transparent substrate made of tempered glass, and a chemical method using an etching paste rather than a physical etching such as a sandblasting process. Because it is etched with, it is possible to prevent the tempered glass from being damaged when forming the light emitting pattern. In addition, when etching the transparent substrate, by using a dedicated etch paste in the form of a sol, it is possible to have an effect of mass-producing a quality product that cannot be realized by a liquid etching method on a large area.

더불어, 고 해상도의 발광 패턴이 형성된 투명 기판에 광을 조사하는 발광부를 장착하여, 유리 특유의 빛 산란의 아름다움을 나타낼 수 있어 웨딩 사진, 개인 사진 등에 적용이 가능하며, 가정용으로는 빛의 은은함을 이용하여 소형의 무드등으로 활용 가능하고 대형의 창호 및 외벽 장식재로도 적용이 가능하여 인테리어용으로도 활용 가능한 효과를 가지는 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법 및 발광 패턴 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.In addition, a light-emitting unit that irradiates light is mounted on a transparent substrate on which a high-resolution light-emitting pattern is formed, so that the beauty of light scattering peculiar to glass can be displayed, so it can be applied to wedding photos and personal photos. By using it, it is possible to implement a method of forming a light-emitting pattern of a transparent substrate and a light-emitting pattern display device having an effect that can be used for interior use as it can be used as a small mood light and can be applied as a large-sized window and exterior wall decoration material. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법을 단계별로 나타내는 순서도이다.
도 2 내지 도 6은 도 1의 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법을 단계별로 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 패턴 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 7의 발광 패턴 디스플레이 장치의 투명 기판의 발광 패턴을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 7의 발광 패턴 디스플레이 장치의 실제품을 나타내는 이미지이다.1 is a flowchart illustrating a step-by-step method of forming a light emitting pattern on a transparent substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 to 6 are cross-sectional views schematically illustrating a method of forming a light emitting pattern on the transparent substrate of FIG. 1 step by step.
7 is a schematic cross-sectional view of a light emitting pattern display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view illustrating a light emission pattern of a transparent substrate of the light emission pattern display device of FIG. 7.
9 is an image showing an actual product of the light emitting pattern display device of FIG. 7.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to completely convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on manufacturing techniques and/or tolerances, variations of the illustrated shape can be expected. Accordingly, the embodiments of the inventive concept should not be construed as being limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, a change in shape caused by manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법을 단계별로 나타내는 순서도이고, 도 2 내지 도 6은 도 1의 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법을 단계별로 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a flow chart showing step-by-step a method of forming a light emitting pattern on a transparent substrate according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are cross-sectional views schematically showing a method of forming a light emitting pattern on the transparent substrate of FIG. 1 step by step.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법은, 감광막 형성 단계(S10)와, 마스크 패턴 현상 단계(S20)와, 식각 단계(S30) 및 세정 단계(S40)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, a method of forming a light emitting pattern of a transparent substrate according to an embodiment of the present invention includes a photoresist film forming step (S10), a mask pattern developing step (S20), an etching step (S30), and It may include a cleaning step (S40).

도 2에 도시된 바와 같이, 감광막 형성 단계(S10)에서, 투명 기판(10) 상에 감광성수지 재질로 이루어지는 감광막(30)을 형성할 수 있다. 더욱 구체적으로, 투명 기판(10)은, 우수한 경도를 가지는 강화 유리일 수 있으며, 예를 들어, 철분을 소량 함유하는 저철분 강화 유리일 수 있다. 이에 따라, 투명 기판(10)은, 90%대의 광 투과율을 가짐으로써 후술될 발광부(20)로부터 입사되는 광의 손실을 최소화할 수 있으며, 휨 현상 및 표면에 흠집이 쉽게 발생하지 않을 수 있다.As shown in FIG. 2, in the photosensitive film forming step (S10 ), a photosensitive film 30 made of a photosensitive resin material may be formed on the transparent substrate 10. More specifically, the transparent substrate 10 may be a tempered glass having excellent hardness, for example, a low iron content tempered glass containing a small amount of iron. Accordingly, since the transparent substrate 10 has a light transmittance of about 90%, loss of light incident from the light emitting unit 20 to be described later can be minimized, and warpage and scratches on the surface may not easily occur.

또한, 감광막 형성 단계(S10)에서, 감광막(30)은, 광 투과율 90% 이상인 저철분 강화 유리인 투명 기판(10)에 5㎛ 내지 30㎛ 두께로 형성될 수 있다. 이때, 감광막(30)은, 네거티브 포토레지스트(Negative photoresist)일 수 있다.In addition, in the photosensitive film forming step (S10), the photosensitive film 30 may be formed in a thickness of 5 μm to 30 μm on the transparent substrate 10, which is a low-iron tempered glass having a light transmittance of 90% or more. In this case, the photoresist layer 30 may be a negative photoresist.

도 3에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴 현상 단계(S20)는, 포토 에칭 공정으로 투명 기판(10) 상에 형성된 감광막(30)의 적어도 일부분을 식각하여, 감광막(30)을 소정의 형성으로 식각된 패턴부(31)를 가지는 마스크 패턴으로 현상할 수 있다.As shown in FIG. 3, in the mask pattern development step (S20), at least a portion of the photosensitive film 30 formed on the transparent substrate 10 is etched by a photoetching process, and the photosensitive film 30 is etched to a predetermined formation. It can be developed as a mask pattern having the patterned portion 31.

더욱 구체적으로, 미세 패턴 형성용 마스크(미도시)를 통과한 자외선이 감광막(30)에 조사되도록 하여 감광막(30)을 선택적으로 노광할 수 있다. 이러한 과정에 의하여 감광막(30)의 노광된 부분이 활성화되고 용해 특성의 변화를 가지게 될 수 있으며, 이에 따라, 감광막(30) 내에서 노광된 영역과 노광되지 않은 영역 사이의 용해 특성의 변화가 발생할 수 있다.More specifically, the photosensitive layer 30 may be selectively exposed by irradiating the photosensitive layer 30 with ultraviolet rays that have passed through a fine pattern forming mask (not shown). Through this process, the exposed portion of the photosensitive film 30 may be activated and a change in dissolution characteristics may occur, and accordingly, a change in dissolution characteristics between the exposed and unexposed regions in the photosensitive film 30 occurs. I can.

이어서, 노광된 감광막(30)을 고온에서 열처리하는 PEB(Post Exposure Bake) 공정을 실시할 수 있다. 이와 같은 상기 PEB 공정은, 자외선에 의해서 노광된 감광막(30)이 현상액에 의해서 반응하지 않도록 가교결합(Cross-linking) 반응을 촉진시켜 감광막(30)의 분해능(Resolution)을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 여기서, 상기 PEB 공정은 반드시 실시되지는 않으며, 경우에 따라서 생략될 수도 있다.Subsequently, a post exposure bake (PEB) process of heat-treating the exposed photosensitive film 30 at a high temperature may be performed. The PEB process can serve to improve the resolution of the photosensitive film 30 by promoting a cross-linking reaction so that the photosensitive film 30 exposed by ultraviolet rays does not react by the developer. have. Here, the PEB process is not necessarily performed, and may be omitted in some cases.

이어서, 공지의 현상액으로 감광막(30)을 현상하여 자외선에 노광되지 않은 영역의 감광막(30)을 제거함으로써, 감광막(30)을 소정의 형상으로 식각된 패턴부(31)를 가지는 마스크 패턴으로 현상할 수 있다.Subsequently, the photosensitive film 30 is developed with a known developer to remove the photosensitive film 30 in an area not exposed to ultraviolet rays, so that the photosensitive film 30 is developed into a mask pattern having a pattern portion 31 etched into a predetermined shape. can do.

이와 같이, 마스크 패턴 현상 단계(S20)를 통해서, 감광막(30)을 의도된 메시지를 외부로 표시하기 위한 특정한 도안, 문자, 기호 및 이미지 등의 형태로 식각된 패턴부(31)를 가지는 마스크 패턴으로 형성함으로써, 감광막(30)의 마스크 패턴을 포토 에칭 공정으로 보다 정밀하게 형성할 수 있다. 이에 따라, 후술될 식각 단계(S30)에서 고 해상도의 발광 패턴(11)을 투명 기판(10)에 용이하게 형성할 수 있는 효과를 가질 수 있다.In this way, through the mask pattern development step (S20), the photoresist layer 30 is a mask pattern having a pattern portion 31 etched in the form of a specific pattern, text, symbol, image, etc. for displaying an intended message to the outside. By forming the photosensitive film 30, the mask pattern of the photosensitive film 30 can be formed more precisely by a photo etching process. Accordingly, it is possible to have an effect of easily forming the high-resolution light emitting pattern 11 on the transparent substrate 10 in the etching step S30 to be described later.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 식각 단계(S30)는, 실크 스크린 인쇄 공정으로 감광막(30) 마스크 패턴의 패턴부(31)의 내부에 졸(Sol) 형태의 식각 페이스트(P)를 도포하여, 패턴부(31)의 형상과 대응되는 형상의 발광 패턴(11)으로 투명 기판(10)을 식각할 수 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, in the etching step S30, an etching paste P in the form of a sol is applied to the inside of the pattern portion 31 of the mask pattern of the photoresist layer 30 by a silk screen printing process. After application, the transparent substrate 10 may be etched with a light emitting pattern 11 having a shape corresponding to the shape of the pattern part 31.

더욱 구체적으로, 식각 단계(S30)에서, 50목 내지 150목의 스크린 메쉬(Mesh)를 이용하여 감광막(30) 마스트 패턴의 패턴부(31)의 내부에 식각 페이스트(P)를 도포할 수 있다. 이때, 미세 패턴으로 형성되는 패턴부(31)의 내부에 균일한 도포를 위하여 스퀴지(S)의 압력은 0.3MPa 이상이고, 스퀴지(S)의 왕복 횟수는 적어도 2회 이상일 수 있다. 이와 같이, 도포된 식각 페이스트(P)의 도포 두께는 20㎛ 내지 50㎛으로 형성될 수 있다.More specifically, in the etching step (S30), the etching paste P may be applied to the inside of the pattern portion 31 of the mast pattern of the photoresist layer 30 using a screen mesh of 50 to 150 necks. . In this case, the pressure of the squeegee S may be 0.3 MPa or more, and the number of reciprocations of the squeegee S may be at least two or more in order to uniformly apply the inside of the pattern portion 31 formed in a fine pattern. In this way, the applied etching paste P may have a thickness of 20 μm to 50 μm.

이때, 식각 페이스트(P)의 점도는 25ps 내지 35ps의 점도로 형성되고, 더욱 바람직하게는, 30ps으로 형성되어 대면적 실크 스크린 인쇄 방식으로 도포될 수 있다. 또한, 식각 페이스트(P)는, 100㎛ 대의 미세 패턴으로 형성되는 패턴부(31)에 균일하게 도포될 수 있도록, 미립자가 포함된 형태가 아닌 크림형태의 고운 입자로 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 더불어, 도포하는 스퀴지(S)의 횟수는 2회 이상하여 식각 페이스트(P)의 미도포 현상을 방지할 수 있으며, 투명 기판(10)을 고 해상도의 발광 패턴(11)을 가지는 이미지 글라스로 제작할 수 있다.At this time, the viscosity of the etching paste P is formed to a viscosity of 25 ps to 35 ps, more preferably, it is formed to 30 ps, and can be applied by a large area silk screen printing method. In addition, it may be desirable that the etching paste P be formed of fine particles in a cream form, not in a form containing fine particles, so that the etching paste P can be uniformly applied to the pattern portion 31 formed in a fine pattern of 100 μm. . In addition, the number of applied squeegees (S) is 2 or more times to prevent the etch paste (P) from being uncoated, and the transparent substrate 10 can be made of an image glass having a high-resolution light-emitting pattern 11. I can.

이어서, 실크 스크린 인쇄 공정으로 감광막(30) 마스크 패턴의 패턴부(31)의 내부에 졸(Sol) 형태의 식각 페이스트(P)를 도포한 후, 감광막(30)의 패턴부(31)의 형상과 대응되는 형상의 발광 패턴(11)으로 투명 기판(10)이 식각될 수 있도록 소정의 반응 시간 동안 식각 페이스트(P)가 도포된 상태를 유지할 수 있다.Subsequently, after applying the etching paste P in the form of a sol inside the pattern portion 31 of the mask pattern of the photosensitive layer 30 by a silk screen printing process, the shape of the pattern portion 31 of the photosensitive layer 30 The etching paste P may be applied for a predetermined reaction time so that the transparent substrate 10 may be etched with the light emitting pattern 11 having a shape corresponding to that.

이때, 투명 기판(10)의 식각부인 발광 패턴(11)은 1㎛ 내지 10㎛의 소정의 깊이(h)로 식각되는 것이 바람직할 수 있다. 식각 깊이가 상술한 범위 이상으로 클 경우, 발광 패턴(11)으로 광조사 시 난반사의 범위가 커서 발광 패턴(11)이 이루는 이미지의 선명도가 떨어질 수 있으며 명암이 불확실하기 때문에 식각 깊이가 상술된 범위로 형성되어야 한다. 이에 따라, 발광 패턴(11)이 1㎛ 내지 10㎛의 깊이로 식각될 수 있도록, 도포된 식각 페이스트(P)와 투명 기판(10)의 상기 반응 시간은 30초 내지 60초 인 것이 가장 바람직할 수 있다.In this case, it may be preferable that the light emitting pattern 11, which is an etching part of the transparent substrate 10, be etched to a predetermined depth h of 1 μm to 10 μm. If the etch depth is greater than the above-described range, the range of diffuse reflection when irradiated with the light-emitting pattern 11 is large, so that the clarity of the image formed by the light-emitting pattern 11 may be deteriorated, and since the contrast is uncertain, the etch depth is in the above-described range. Should be formed as Accordingly, the reaction time between the applied etching paste P and the transparent substrate 10 is most preferably 30 seconds to 60 seconds so that the light emitting pattern 11 can be etched to a depth of 1 μm to 10 μm. I can.

또한, 투명 기판(10)의 발광 패턴(11)으로 광조사 시 원활한 이미지 발광을 위해서, 식각 페이스트(P)에 의해 식각되는 발광 패턴(11)의 표면이 거칠게 형성되어야 한다. 발광 패턴(11)의 표면에 90㎛ 내지 110㎛ 수준의 도트, 더욱 바람직하게는 100㎛ 수준의 도트가 생성되지 않으면 이미지의 품질이 떨어지고, 이에 따라 상품화가 어려울 수 있다.In addition, in order to emit light when light is irradiated to the light emitting pattern 11 of the transparent substrate 10, the surface of the light emitting pattern 11 etched by the etching paste P must be roughly formed. If a dot having a level of 90 μm to 110 μm, more preferably a dot level of 100 μm is not generated on the surface of the light emitting pattern 11, the quality of the image is degraded, and thus commercialization may be difficult.

이에 따라, 식각 단계(S30)에서, 식각 페이스트(P)가 투명 기판(10)을 소정의 깊이(h)로 식각하면서 식각부가 소정의 표면 거칠기를 가질 수 있도록, 인산(H3O4P), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 에칭액 및 거칠기를 형성하는 불화암모늄(NH4F)을 포함하는 졸 형태로 형성될 수 있다. 또한, 식각 페이스트(P)는 계면활성제 및 점도조절제를 함께 포함할 수 있다.Accordingly, in the etching step (S30), phosphoric acid (H3O4P) and nitric acid (HNO3) so that the etching portion may have a predetermined surface roughness while etching the transparent substrate 10 to a predetermined depth h. ), acetic acid (CH3COOH), an etching solution containing at least one of, and ammonium fluoride (NH4F) forming a roughness may be formed in the form of a sol. In addition, the etching paste (P) may contain a surfactant and a viscosity modifier together.

따라서, 식각 단계(S30)를 통해서, 감광막(30)의 패턴부(31)의 내부에 실크 스크린 인쇄 공정으로 졸 형태의 식각 페이스트(P)를 도포하여, 패턴부(31)의 형상과 대응되는 형상의 발광 패턴(11)으로 투명 기판(10)을 식각할 수 있으며, 이때, 소정의 깊이로 식각된 투명 기판(10)의 식각부는 그 표면에 거칠기가 형성될 수 있다.Accordingly, through the etching step (S30), a sol-type etching paste P is applied to the inside of the pattern part 31 of the photosensitive film 30 by a silk screen printing process, and the shape corresponding to the shape of the pattern part 31 is applied. The transparent substrate 10 may be etched with the light emitting pattern 11 having a shape, and in this case, a roughness may be formed on the surface of the etched portion of the transparent substrate 10 etched to a predetermined depth.

도 6에 도시된 바와 같이, 세정 단계(40)는, 식각 단계(S30)에서 식각된 투명 기판(10)을 세척하여 식각 페이스트(P)를 제거할 수 있다. 더욱 구체적으로, 세정 단계(40)에서, 식각이 완료된 투명 기판(10)을 복수개의 세정 노즐이 형성된 세정실로 이송하고, 복수개의 상기 세정 노즐을 통해서 세정액을 스프레이 방식으로 동시에 분사하여 투명 기판(10)을 세정할 수 있다.As illustrated in FIG. 6, in the cleaning step 40, the transparent substrate 10 etched in the etching step S30 may be cleaned to remove the etching paste P. More specifically, in the cleaning step 40, the transparent substrate 10, which has been etched, is transferred to a cleaning chamber in which a plurality of cleaning nozzles are formed, and a cleaning solution is simultaneously sprayed through the plurality of cleaning nozzles in a spray method to form the transparent substrate 10. ) Can be washed.

예컨대, 투명 기판(10)의 세정 시, 투명 기판(10)을 순차적으로 세정 할 경우 순차적으로 세정되는 투명 기판(10)의 경계면 상에 얼룩이 발생할 수 있다. 이에 따라, 투명 기판(10)의 식각 후 투명 기판(10) 전체가 상기 세정실로 이송되고, 전체적으로 한번에 복수개의 상기 세정 노즐을 통해서 상기 세정액을 스프레이 방식으로 분사함으로써, 투명 기판(10)의 전 면적을 동시에 세정할 수 있다.For example, when cleaning the transparent substrate 10, when the transparent substrate 10 is sequentially cleaned, stains may occur on the interface of the transparent substrate 10 that is sequentially cleaned. Accordingly, after the transparent substrate 10 is etched, the entire transparent substrate 10 is transferred to the cleaning chamber, and the cleaning solution is sprayed through a plurality of cleaning nozzles at a time by spraying the entire area of the transparent substrate 10 Can be washed at the same time.

이때, 투명 기판(10)의 효과적인 세정을 위해서, 상기 세정 노즐을 통해서 분사되는 상기 세정액의 분사 압력은 1kgf/㎠ 이상으로 분사할 수 있다. 이와 같은, 식각 단계(S30) 및 세정 단계(S40)는, 연속적으로 수행될 수 있으며, 동일한 장비에서 인라인 방식으로 이루어지는 것이 가장 바람직할 수 있다.In this case, for effective cleaning of the transparent substrate 10, the spraying pressure of the cleaning liquid sprayed through the cleaning nozzle may be sprayed at 1 kgf/cm 2 or more. The etching step (S30) and the cleaning step (S40) may be performed continuously, and it may be most preferably performed in an in-line manner in the same equipment.

그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법은, 강화 유리로 이루어지는 투명 기판(10)에 고 해상도의 발광 패턴(11)을 용이하게 구현할 수 있으며, 샌드블라스트 공정과 같은 물리적인 식각이 아닌 식각 페이스트(P)를 이용한 화학적인 방법으로 식각하기 때문에 발광 패턴(11) 형성 시 강화 유리가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 투명 기판(10)의 식각 시, 졸 형태의 전용 식각 페이스트(P)를 사용함으로써, 액상 식각 방식으로는 구현할 수 없는 품질의 제품을 대면적으로 양산할 수 있는 효과를 가질 수 있다.Therefore, in the method of forming a light emitting pattern on a transparent substrate according to an embodiment of the present invention, the light emitting pattern 11 of high resolution can be easily implemented on the transparent substrate 10 made of tempered glass, such as a sandblasting process. Since etching is performed by a chemical method using the etching paste (P) rather than physical etching, damage to the tempered glass can be prevented when the light emitting pattern 11 is formed. In addition, when etching the transparent substrate 10, by using the exclusive etching paste P in the form of a sol, it is possible to have an effect of mass-producing a quality product that cannot be implemented by a liquid etching method on a large area.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 패턴 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 8은 도 7의 발광 패턴 디스플레이 장치의 투명 기판(10)의 발광 패턴(11)을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 9는 도 7의 발광 패턴 디스플레이 장치의 실제품을 나타내는 이미지이다.7 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting pattern display device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting pattern 11 of a transparent substrate 10 of the light emitting pattern display device of FIG. 7. , FIG. 9 is an image showing an actual product of the light emitting pattern display device of FIG. 7.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 패턴 디스플레이 장치는, 일면에 소정 형상의 발광 패턴(11)이 형성된 투명 기판(10) 및 투명 기판(10)에 광을 조사하는 발광부(20)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 7, a light emitting pattern display device according to another embodiment of the present invention irradiates light to a transparent substrate 10 and a transparent substrate 10 on which a light emitting pattern 11 of a predetermined shape is formed on one surface. It may include a light-emitting unit 20.

더욱 구체적으로, 발광부(20)는, 적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 상기 발광 소자는 투명 기판(10)의 측면에 배치되어 제 1 방향(d1)으로 투명 기판(10)에 광을 입사시킬 수 있다. 예컨대, 발광부(20)는, 투명 기판(10)의 여러 측면 중 적어도 어느 한 측면 이상에 배치될 수 있으며, 발광부(20)를 구성하는 상기 발광 소자는 LED 모듈이 적용되어 다양한 색상의 광을 발광할 수 있다.More specifically, the light-emitting unit 20 includes at least one light-emitting element, and the light-emitting element is disposed on the side of the transparent substrate 10 to inject light onto the transparent substrate 10 in the first direction d1 I can make it. For example, the light-emitting unit 20 may be disposed on at least one or more of the various side surfaces of the transparent substrate 10, and the light-emitting element constituting the light-emitting unit 20 is applied to light of various colors. Can emit light.

또한, 도시되진 않았지만, 상기 발광 패턴 디스플레이 장치는, 발광부(20)의 과열을 방지할 수 있는 방열부와, 발광부(20)를 통해서 투명 기판(10)으로 조사되는 광의 강도와 시간 및 색상을 조절할 수 있는 컨트롤부 및 220V의 가정용 교류 전압을 직류로 변환하여 발광부(20)로 공급할 수 있는 어뎁터를 포함할 수 있다. 더불어, 상기 발광 패턴 디스플레이 장치를 휴대용으로 사용할 수 있도록, 상기 어뎁터를 대신하여 배터리를 포함할 수도 있다.In addition, although not shown, the light emitting pattern display device includes a heat dissipation unit capable of preventing overheating of the light emitting unit 20, and intensity, time, and color of light irradiated to the transparent substrate 10 through the light emitting unit 20. It may include a control unit capable of adjusting the and an adapter capable of supplying the light emitting unit 20 by converting a household AC voltage of 220V into DC. In addition, a battery may be included in place of the adapter so that the light emitting pattern display device can be used in a portable manner.

따라서, 발광부(20)는, 투명 기판(10)에 광을 조사하는 기능을 수행할 수 있으며, 이와 같이, 투명 기판(10)으로 조사된 광은 투명 기판(10) 내부를 거쳐서 외부로 방출될 수 있다. 이때, 투명 기판(10)에 형성된 발광 패턴(11)은 발광 상태로 외부에 표시될 수 있다.Accordingly, the light emitting unit 20 may perform a function of irradiating light to the transparent substrate 10, and in this way, the light irradiated to the transparent substrate 10 is emitted to the outside through the inside of the transparent substrate 10 Can be. In this case, the light emitting pattern 11 formed on the transparent substrate 10 may be displayed outside in a light emitting state.

발광부(20)로부터 투명 기판(10)에 조사되는 광에 의하여, 투명 기판(10)에 형성된 발광 패턴(11)이 발광 상태로 표시되는 원리를 설명하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 투명 기판(10)의 발광 패턴(11)은, 제 1 방향(d1)으로 투명 기판(10)에 입사된 광을 산란시켜, 산란된 광의 적어도 일부를 제 1 방향(d1)의 수직한 방향인 제 2 방향(d2)으로 반사시킬 수 있다.When explaining the principle that the light emitting pattern 11 formed on the transparent substrate 10 is displayed in a light emitting state by light irradiated from the light emitting unit 20 to the transparent substrate 10, as shown in FIG. The light-emitting pattern 11 of the substrate 10 scatters the light incident on the transparent substrate 10 in the first direction d1, so that at least a portion of the scattered light is a first direction perpendicular to the first direction d1. It can be reflected in two directions (d2).

더욱 구체적으로, 투명 기판(10)의 내부로 조사된 광이 거칠기를 가지는 요철 패턴으로 형성되는 발광 패턴(11)에 의하여 산란될 수 있다. 이와 같이, 산란된 광 중에서 일부의 광은 투명 기판(10)의 전면, 즉, 발광 패턴(11)이 형성된 투명 기판(10) 면의 반대면으로 발광하게 될 수 있다. 이때, 투명 기판(10)의 전면을 응시하고 있는 시청자는 발광 패턴(11)을 발광 상태로 볼 수 있다.More specifically, light irradiated into the transparent substrate 10 may be scattered by the light emitting pattern 11 formed in an uneven pattern having roughness. In this way, some of the scattered light may emit light to the entire surface of the transparent substrate 10, that is, the opposite surface of the transparent substrate 10 on which the light emitting pattern 11 is formed. At this time, a viewer staring at the front surface of the transparent substrate 10 can see the light emitting pattern 11 in a light emitting state.

이에 따라, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 발광부(20)가 투명 기판(10)으로 광을 조사하지 않을 경우, 투명 기판(10)의 발광 패턴(11)의 식각 부분(a)은 거칠기가 형성되어 뿌옇게 형성되고, 투명 기판(10)의 비식각 부분(b)은 투명하게 형성됨으로써, 발광부(20)의 OFF시에도 시청자가 투명 기판(10)에 형성된 발광 패턴(11)의 이미지를 시청할 수 있다.Accordingly, as shown in FIGS. 8 and 9, when the light-emitting unit 20 does not irradiate light to the transparent substrate 10, the etched portion (a) of the light-emitting pattern 11 of the transparent substrate 10 Silver roughness is formed to form hazy, and the non-etched portion (b) of the transparent substrate 10 is formed to be transparent, so that even when the light emitting unit 20 is turned off, the light emitting pattern 11 formed on the transparent substrate 10 You can watch images of.

또한, 발광부(20)가 투명 기판(10)에 제 1 방향(d1)으로 광을 조사할 경우, 식각 부분(a)은 발광 패턴(11)에 의해 산란된 광 중에서 일부의 광이 제 2 방향(d2)로 산란되어 투명 기판(10)의 전면으로 발광하고, 미식각 부분(b)은 광이 산란되지 않고 그대로 제 1 방향(d1)으로 계속해서 통과하여, 식각 부분(a)은 발광 된 상태로 비식각 부분(b)은 발광 되지 않은 상태로 나타남으로써, 발광부(20)의 ON시에는 시청자가 투명 기판(10)에 형성된 발광 패턴(11)의 이미지를 발광된 상태로 시청할 수 있다.In addition, when the light emitting part 20 irradiates the transparent substrate 10 with light in the first direction d1, some of the light scattered by the light emitting pattern 11 in the etched part a is second It is scattered in the direction (d2) to emit light to the entire surface of the transparent substrate 10, and the unscattered portion (b) continues to pass in the first direction (d1) without being scattered, and the etched portion (a) emits light. As the non-etched portion (b) appears in a state that does not emit light, the viewer can view the image of the light emission pattern 11 formed on the transparent substrate 10 in a lighted state when the light emitting unit 20 is turned on. have.

그러므로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 패턴 디스플레이 장치는, 고 해상도의 발광 패턴(11)이 형성된 투명 기판(10)에 광을 조사하는 발광부(20)를 장착하여, 유리 특유의 빛 산란의 아름다움을 나타낼 수 있어 웨딩 사진, 개인 사진 등에 적용이 가능하며, 가정용으로는 빛의 은은함을 이용하여 소형의 무드등으로 활용 가능하고 대형의 창호 및 외벽 장식재로도 적용이 가능하여 인테리어용으로도 활용 가능한 효과를 가질 수 있다.Therefore, in the light-emitting pattern display device according to another embodiment of the present invention, by mounting the light-emitting unit 20 to irradiate light on the transparent substrate 10 on which the light-emitting pattern 11 of high resolution is formed, light scattering peculiar to glass It can be applied to wedding photos, personal photos, etc. as it can show the beauty of the house.It can be used as a small mood lamp by using the subtleness of light for home use, and it can also be applied as a decorative material for large windows and exterior walls. It can have a usable effect.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 투명 기판
11: 발광 패턴
20: 발광부
30: 감광막
31: 패턴부
P: 식각 페이스트
S: 스퀴지10: transparent substrate
11: light emission pattern
20: light emitting unit
30: photoresist film
31: pattern part
P: etching paste
S: squeegee

Claims (14)

투명 기판 상에 감광성수지 재질로 이루어지는 감광막을 형성하는 감광막 형성 단계;
포토 에칭 공정으로 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 감광막의 적어도 일부분을 식각하여, 상기 감광막을 소정의 형상으로 식각된 패턴부를 가지는 마스크 패턴으로 현상하는 마스크 패턴 현상 단계;
실크 스크린 인쇄 공정으로 상기 마스크 패턴의 상기 패턴부의 내부에 졸(Sol) 형태의 식각 페이스트를 도포하여, 상기 패턴부의 형상과 대응되는 형상의 발광 패턴으로 상기 투명 기판을 식각하는 식각 단계; 및
식각된 상기 투명 기판을 세척하여 상기 식각 페이스트를 제거하는 세정 단계;
를 포함하는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.A photosensitive film forming step of forming a photosensitive film made of a photosensitive resin material on a transparent substrate;
A mask pattern development step of etching at least a portion of the photosensitive layer formed on the transparent substrate by a photo etching process to develop the photosensitive layer into a mask pattern having a pattern portion etched into a predetermined shape;
An etching step of applying a sol-type etch paste to the inside of the pattern portion of the mask pattern by a silk screen printing process, and etching the transparent substrate with a light emitting pattern having a shape corresponding to the shape of the pattern portion; And
A cleaning step of removing the etching paste by cleaning the etched transparent substrate;
Containing, a method of forming a light emitting pattern on a transparent substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 식각 단계에서,
상기 실크 스크린 인쇄 공정 시, 50목 내지 150목의 스크린 메쉬(Mesh)를 이용하고, 상기 식각 페이스트의 도포 두께는 20㎛ 내지 50㎛이며, 스퀴지 압력은 0.3MPa 이상인, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 1,
In the etching step,
In the silk screen printing process, a screen mesh of 50 to 150 is used, the coating thickness of the etching paste is 20 μm to 50 μm, and the squeegee pressure is 0.3 MPa or more. . 제 2 항에 있어서,
상기 식각 단계에서,
상기 실크 스크린 인쇄 공정 시, 스퀴지의 횟수는 적어도 2회 이상인, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 2,
In the etching step,
In the silk screen printing process, the number of squeegees is at least two or more, the method of forming a light emitting pattern on a transparent substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 식각 단계에서,
상기 식각 페이스트는, 상기 투명 기판을 소정의 깊이로 식각할 수 있도록 인산(H3O4P), 질산(HNO3), 초산(CH3COOH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 에칭액 및 상기 투명 기판의 식각부가 소정의 표면 거칠기를 가질 수 있도록 불화암모늄(NH4F)을 포함하는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 1,
In the etching step,
The etching paste includes an etching solution including at least one of phosphoric acid (H 3 O 4 P), nitric acid (HNO 3 ), and acetic acid (CH 3 COOH) so that the transparent substrate can be etched to a predetermined depth, and the transparent substrate A method of forming a light-emitting pattern of a transparent substrate, including ammonium fluoride (NH 4 F) so that the etched portion of may have a predetermined surface roughness. 제 4 항에 있어서,
상기 식각 단계에서,
상기 투명 기판은, 30초 내지 60초 동안 상기 식각 페이스트에 의해 식각되는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 4,
In the etching step,
The transparent substrate is etched by the etching paste for 30 seconds to 60 seconds, a method of forming a light emitting pattern of a transparent substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 식각 단계에서,
상기 식각부는 1㎛ 내지 10㎛의 깊이로 식각되고, 0.01㎛ 내지 0.1㎛의 표면 거칠기로 형성되는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 5,
In the etching step,
The etched portion is etched to a depth of 1 μm to 10 μm and formed with a surface roughness of 0.01 μm to 0.1 μm. 제 4 항에 있어서,
상기 식각 페이스트는,
계면활성제 및 점도조절제를 더 포함하는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 4,
The etching paste,
A method for forming a light-emitting pattern of a transparent substrate, further comprising a surfactant and a viscosity modifier. 제 4 항에 있어서,
상기 식각 페이스트는,
25ps 내지 35ps의 점도로 형성되는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 4,
The etching paste,
A method of forming a light emitting pattern of a transparent substrate, which is formed with a viscosity of 25 ps to 35 ps. 제 1 항에 있어서,
상기 세정 단계에서,
식각이 완료된 상기 투명 기판을 복수개의 세정 노즐이 형성된 세정실로 이송하고, 복수개의 상기 세정 노즐을 통해서 세정액을 스프레이 방식으로 동시에 분사하여 상기 투명 기판을 세정하는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 1,
In the washing step,
A method of forming a light-emitting pattern of a transparent substrate, wherein the transparent substrate on which the etching has been completed is transferred to a cleaning chamber in which a plurality of cleaning nozzles are formed, and a cleaning liquid is simultaneously sprayed through the plurality of cleaning nozzles in a spray manner to clean the transparent substrate. 제 9 항에 있어서,
상기 세정 단계에서,
상기 세정 노즐은, 상기 투명 기판의 면적 보다 더 큰 면적으로 복수개가 일정 간격으로 배치되는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 9,
In the washing step,
A method of forming a light emitting pattern of a transparent substrate, wherein a plurality of the cleaning nozzles are disposed at regular intervals with an area larger than that of the transparent substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 감광막 형성 단계에서,
광 투과율 90% 이상인 저철분 강화 유리인 상기 투명 기판에 5㎛ 내지 20㎛ 두께로 상기 감광막을 형성하는, 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법.The method of claim 1,
In the photosensitive film forming step,
A method of forming a light-emitting pattern of a transparent substrate, wherein the photosensitive film is formed in a thickness of 5 μm to 20 μm on the transparent substrate, which is a low-iron tempered glass having a light transmittance of 90% or more. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 투명 기판의 발광 패턴 형성 방법을 이용하여, 일면에 소정 형상의 상기 발광 패턴이 형성된 상기 투명 기판; 및
상기 투명 기판에 광을 조사하는 발광부;
를 포함하는, 발광 패턴 디스플레이 장치.The transparent substrate on which the light-emitting pattern of a predetermined shape is formed on one surface by using the method of forming a light-emitting pattern of a transparent substrate according to any one of claims 1 to 11; And
A light emitting unit irradiating light onto the transparent substrate;
Containing, a light-emitting pattern display device. 제 12 항에 있어서,
상기 발광부는,
적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 투명 기판의 측면에 배치되어 제 1 방향으로 상기 투명 기판에 광을 입사시키는, 발광 패턴 디스플레이 장치.The method of claim 12,
The light emitting unit,
A light-emitting pattern display apparatus comprising at least one light-emitting device, wherein the light-emitting device is disposed on a side surface of the transparent substrate to inject light onto the transparent substrate in a first direction. 제 13 항에 있어서,
상기 투명 기판의 상기 발광 패턴은,
상기 제 1 방향으로 상기 투명 기판에 입사된 광을 산란시켜, 산란된 광의 적어도 일부를 상기 제 1 방향의 수직한 방향인 제 2 방향으로 반사시키는, 발광 패턴 디스플레이 장치.The method of claim 13,
The light emitting pattern of the transparent substrate,
The light-emitting pattern display device, wherein the light incident on the transparent substrate is scattered in the first direction, and at least a part of the scattered light is reflected in a second direction, which is a direction perpendicular to the first direction.
KR1020190018756A 2019-02-18 2019-02-18 Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern KR20200100449A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190018756A KR20200100449A (en) 2019-02-18 2019-02-18 Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190018756A KR20200100449A (en) 2019-02-18 2019-02-18 Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200100449A true KR20200100449A (en) 2020-08-26

Family

ID=72293367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190018756A KR20200100449A (en) 2019-02-18 2019-02-18 Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200100449A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7145131B2 (en) Contoured surface for display applications
TWI543949B (en) Electronic device, glass cover and method of manufacturing glass cover
US20200064535A1 (en) Backlight unit with one dimensional dimming
KR100790866B1 (en) Black matrix of color filter and method of fabricating the black matrix
TWI766947B (en) Methods of making a glass article with a structured surface
KR101295251B1 (en) Transparent display part image multi deposition method transparent display part image multi deposition method
US11186518B2 (en) Methods of making a glass article with a structured surface
CN109413882A (en) The anti-welding manufacturing process of pcb board of LED display application
CN105676342A (en) Glass light guide plate and manufacturing method thereof
JP5111870B2 (en) Black matrix manufacturing method for color filter
JP4832341B2 (en) Printing plate manufacturing method
JP2007058179A (en) Method for manufacturing printing plate
KR20090033813A (en) Method for manufacturing glass cliche using laser etching and apparatus for laser irradiation thereof
KR102492720B1 (en) Anti-glare glass using silk screen mesh patterns and manufacturing method thereof
KR20200100449A (en) Method for forming light emission pattern of transparent substrate and display device for light emission pattern
KR101910903B1 (en) Transparent substrate with pattern
KR101904061B1 (en) Method for manufacturing light diffusing and transmitting mirror
JP2006019750A (en) Substrate treatment device
JP6688296B2 (en) Light diffusing member and method for manufacturing light diffusing member
KR101224995B1 (en) A lighting pattern glass, fabricating method for the same, and an appartus for displaying the lighting pattern including the same
KR100989408B1 (en) Method of make diffusion pattern on light guide plate for surface light source
TWI274911B (en) Manufacturing device and method for color filter
KR20080065479A (en) Method of manufacturing color filter
JP2009025764A (en) Method for manufacturing color filter substrate, and method for manufacturing color filter
US20050019701A1 (en) Method for manufacturing a light guide plate mold

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application