KR20200098484A - Transparent conductive film - Google Patents

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KR20200098484A
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transparent
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KR1020207011404A
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후미히코 고노
게이스케 마츠모토
히데히코 안도
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

투명 도전성 필름은, 투명 수지 기재와, 하드 코트층과, 광학 조정층과, 밀착층과, 투명 도전층을 이 순으로 구비한다. 밀착층은, 나노 실리카 입자를 함유하는 수지층이고, 밀착층의 투명 도전층 측의 표면에 있어서, 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비가, 0.50 이상이다.The transparent conductive film is provided with a transparent resin base material, a hard coat layer, an optical adjustment layer, an adhesive layer, and a transparent conductive layer in this order. The adhesion layer is a resin layer containing nano silica particles, and the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 0.50 or more on the surface of the adhesion layer on the transparent conductive layer side.

Description

투명 도전성 필름Transparent conductive film

본 발명은, 투명 도전성 필름, 상세하게는, 광학 용도에 바람직하게 사용되는 투명 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent conductive film, specifically, a transparent conductive film preferably used for an optical application.

종래, 인듐주석 복합 산화물로 이루어지는 투명 도전층을 원하는 전극 패턴으로 형성한 투명 도전성 필름이, 터치 패널 등의 광학 용도에 사용된다.Conventionally, a transparent conductive film in which a transparent conductive layer made of an indium tin composite oxide is formed in a desired electrode pattern is used for optical applications such as touch panels.

예를 들어, 특허문헌 1 에는, 투명 수지 필름과, 하드 코트층과, 중간층과, 투명 도전층을 순서대로 구비하고, 중간층이, 금속 산화물 미립자와 활성 에너지선 경화형 수지로 이루어지고, 굴절률이 1.65 ∼ 1.90 인 투명 도전성 필름이 개시되어 있다. 하기 특허문헌 1 의 투명 도전성 필름에서는, 투과광의 착색과 필름의 컬성이 억제되고, 투명 도전층에 있어서의 패턴부와 비패턴부의 식별을 할 수 없게 하여, 표시 소자로서의 외관을 양호하게 하고 있다.For example, in Patent Document 1, a transparent resin film, a hard coat layer, an intermediate layer, and a transparent conductive layer are sequentially provided, and the intermediate layer is made of metal oxide fine particles and an active energy ray-curable resin, and the refractive index is 1.65. A transparent conductive film of-1.90 is disclosed. In the transparent conductive film of Patent Literature 1 below, the coloration of transmitted light and the curling property of the film are suppressed, the patterned portion and the non-patterned portion in the transparent conductive layer cannot be identified, and the appearance as a display element is improved.

일본 공개특허공보 2017-62609호Japanese Patent Application Publication No. 2017-62609

그러나, 상기 특허문헌 1 의 투명 도전성 필름에서는, 내찰상성이 낮다. 즉, 투명 도전층의 표면이 스치면, 투명 도전층이 깨져, 그 일부가, 중간층으로부터 박리 및 탈락한다. 그 결과, 도전 성능이 현저하게 떨어진다.However, in the transparent conductive film of the said patent document 1, the scratch resistance is low. That is, when the surface of the transparent conductive layer is rubbed, the transparent conductive layer is broken, and a part of the transparent conductive layer is peeled off and removed from the intermediate layer. As a result, the conductive performance is remarkably inferior.

그래서, 투명 도전층의 박리를 억제하기 위하여, 중간층과 투명 도전층 사이에 (즉, 투명 도전층의 하면에), 수지로 이루어지는 밀착층을 형성하는 것이 검토된다.Therefore, in order to suppress the peeling of the transparent conductive layer, it is considered to form an adhesive layer made of a resin between the intermediate layer and the transparent conductive layer (that is, on the lower surface of the transparent conductive layer).

그러나, 투명 도전층의 하면에 밀착층을 형성한 경우, 투명 도전층을 에칭액 등으로 원하는 패턴 (예를 들어, 전극 패턴) 으로 에칭할 때에, 에칭액이, 밀착층을 과도하게 에칭한다. 보다 구체적으로는, 투명 도전층의 패턴부의 하면과 접촉하는 밀착층 부분을 에칭한다. 그 결과, 패턴부가 밀착층에 의해 지지되지 않게 되어, 패턴부에 크랙이 발생하는 문제가 생긴다. 즉, 패터닝 특성이 떨어진다.However, when the adhesion layer is formed on the lower surface of the transparent conductive layer, when etching the transparent conductive layer with a desired pattern (eg, electrode pattern) with an etching solution or the like, the etching solution excessively etch the adhesion layer. More specifically, a portion of the adhesion layer that contacts the lower surface of the pattern portion of the transparent conductive layer is etched. As a result, the pattern portion is not supported by the adhesion layer, and a problem arises that a crack occurs in the pattern portion. That is, the patterning characteristics are inferior.

본 발명은, 내찰상성 및 패터닝 특성이 양호한 투명 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.The present invention is to provide a transparent conductive film excellent in scratch resistance and patterning properties.

본 발명 [1] 은, 투명 수지 기재와, 하드 코트층과, 광학 조정층과, 밀착층과, 투명 도전층을 이 순으로 구비하고, 상기 밀착층은, 나노 실리카 입자를 함유하는 수지층이고, 상기 밀착층의 상기 투명 도전층 측의 표면에 있어서, 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비가, 0.50 이상인, 투명 도전성 필름을 포함한다.In the present invention [1], a transparent resin substrate, a hard coat layer, an optical adjustment layer, an adhesion layer, and a transparent conductive layer are provided in this order, and the adhesion layer is a resin layer containing nano silica particles. And a transparent conductive film in which the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 0.50 or more on the surface of the adhesion layer on the side of the transparent conductive layer.

본 발명 [2] 는, 상기 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비가, 1.00 이상인, [1] 에 기재된 투명 도전성 필름을 포함한다.The present invention [2] includes the transparent conductive film according to [1], wherein the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 1.00 or more.

본 발명 [3] 은, 상기 밀착층의 두께가, 10 ㎚ 이상, 100 ㎚ 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 투명 도전성 필름을 포함한다.The present invention [3] includes the transparent conductive film according to [1] or [2], in which the thickness of the adhesion layer is 10 nm or more and 100 nm or less.

본 발명 [4] 는, 상기 투명 수지 기재가, 시클로올레핀 폴리머 필름인, [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 필름을 포함한다.The present invention [4] includes the transparent conductive film according to any one of [1] to [3], in which the transparent resin substrate is a cycloolefin polymer film.

본 발명의 투명 도전성 필름에 의하면, 투명 수지 기재와, 하드 코트층과, 광학 조정층과, 밀착층과, 투명 도전층을 이 순으로 구비하고, 밀착층은, 나노 실리카 입자를 함유하는 수지층이다. 그 때문에, 광학 조정층과 투명 도전층의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 투명 도전층의 박리 및 탈락을 억제할 수 있다. 따라서, 내찰상성이 우수하다.According to the transparent conductive film of the present invention, a transparent resin substrate, a hard coat layer, an optical adjustment layer, an adhesion layer, and a transparent conductive layer are provided in this order, and the adhesion layer is a resin layer containing nano silica particles. to be. Therefore, the adhesion between the optical adjustment layer and the transparent conductive layer can be improved, and peeling and dropping of the transparent conductive layer can be suppressed. Therefore, it is excellent in scratch resistance.

또, 밀착층의 투명 도전층 측의 표면에 있어서, 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비가, 0.50 이상이다. 그 때문에, 투명 도전층을 에칭할 때에, 밀착층에 대한 과도한 에칭을 억제할 수 있고, 투명 도전층의 크랙을 억제할 수 있다. 따라서, 투명 도전층에 대한 패터닝 특성이 양호하다.Moreover, the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 0.50 or more on the surface of the adhesion layer on the transparent conductive layer side. Therefore, when etching the transparent conductive layer, excessive etching to the adhesion layer can be suppressed, and cracks in the transparent conductive layer can be suppressed. Therefore, the patterning property of the transparent conductive layer is good.

도 1 은, 본 발명의 투명 도전성 필름의 일 실시형태의 단면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 투명 도전성 필름이 패터닝되어 있는 양태의 단면도를 나타낸다.
도 3 은, 실시예에 있어서의 내굴곡성 시험의 모식도를 나타낸다.
1 shows a cross-sectional view of an embodiment of the transparent conductive film of the present invention.
Fig. 2 shows a cross-sectional view of an aspect in which the transparent conductive film shown in Fig. 1 is patterned.
3 shows a schematic diagram of a bending resistance test in Examples.

<일 실시형태><one embodiment>

도 1 ∼ 도 2 를 참조하여, 본 발명의 투명 도전성 필름의 일 실시형태를 설명한다.An embodiment of the transparent conductive film of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 2.

도 1 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이, 상측 (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 하측이, 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 또, 지면 좌우 방향 및 안길이 방향은, 상하 방향에 직교하는 면 방향이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.In Fig. 1, the vertical direction of the paper is the vertical direction (thickness direction, the first direction), the upper side of the paper is the upper side (thickness direction one side, the first direction one side), the paper lower side, the lower side (thickness direction the other side) , The other side in the first direction). In addition, the left-right direction and the depth direction of the paper are plane directions orthogonal to the vertical direction. Specifically, it is based on the direction arrows in each drawing.

1. 투명 도전성 필름 1. Transparent conductive film

투명 도전성 필름 (1) 은, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (면 방향) 으로 연장되고, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다. 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등의 일 부품이고, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 투명 도전성 필름 (1) 은, 화상 표시 장치 등을 제조하기 위한 부품으로, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 후술하는 안티 블로킹층 (2) 과 투명 수지 기재 (3) 와 하드 코트층 (4) 과 광학 조정층 (5) 과 밀착층 (6) 과 투명 도전층 (7) 을 포함하고, 부품 단독으로 유통하고, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.The transparent conductive film 1 has a film shape (including a sheet shape) having a predetermined thickness, extends in a predetermined direction (surface direction) orthogonal to the thickness direction, and has a flat upper surface and a flat lower surface. The transparent conductive film 1 is, for example, a component such as a substrate for a touch panel provided in an image display device, and in other words, it is not an image display device. That is, the transparent conductive film 1 is a component for manufacturing an image display device and the like, and does not include an image display element such as an LCD module, and includes an anti-blocking layer 2, a transparent resin substrate 3, and a hard material. It includes a coating layer 4, an optical adjustment layer 5, an adhesion layer 6, and a transparent conductive layer 7, and distributes as a component alone, and is an industrially available device.

구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 수지 기재 (3) 와, 투명 수지 기재 (3) 의 하면 (두께 방향 타방면) 에 배치되는 안티 블로킹층 (2) 과, 투명 수지 기재 (3) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 하드 코트층 (4) 과, 하드 코트층 (4) 의 상면에 배치되는 광학 조정층 (5) 과, 광학 조정층 (5) 의 상면에 배치되는 밀착층 (6) 과, 밀착층 (6) 의 상면에 배치되는 투명 도전층 (7) 을 구비한다. 보다 구체적으로는, 투명 도전성 필름 (1) 은, 안티 블로킹층 (2) 과, 투명 수지 기재 (3) 와, 하드 코트층 (4) 과, 광학 조정층 (5) 과, 밀착층 (6) 과, 투명 도전층 (7) 을 이 순으로 구비한다. 투명 도전성 필름 (1) 은, 바람직하게는, 안티 블로킹층 (2) 과 투명 수지 기재 (3) 와 하드 코트층 (4) 과 광학 조정층 (5) 과 밀착층 (6) 과 투명 도전층 (7) 으로 이루어진다.Specifically, as shown in FIG. 1, the transparent conductive film 1 includes a transparent resin substrate 3, an anti-blocking layer 2 disposed on the lower surface (the other side in the thickness direction) of the transparent resin substrate 3, and , A hard coat layer 4 disposed on the upper surface (one side in the thickness direction) of the transparent resin substrate 3, an optical adjusting layer 5 disposed on the upper surface of the hard coat layer 4, and an optical adjusting layer 5 ), and an adhesion layer 6 disposed on the upper surface of the adhesion layer 6, and a transparent conductive layer 7 disposed on the upper surface of the adhesion layer 6. More specifically, the transparent conductive film (1) is an anti-blocking layer (2), a transparent resin substrate (3), a hard coat layer (4), an optical adjustment layer (5), and an adhesion layer (6). And, the transparent conductive layer 7 is provided in this order. The transparent conductive film (1) is preferably an anti-blocking layer (2), a transparent resin substrate (3), a hard coat layer (4), an optical adjustment layer (5), an adhesion layer (6), and a transparent conductive layer ( 7).

2. 안티 블로킹층 2. Anti-blocking layer

안티 블로킹층 (2) 은, 복수의 투명 도전성 필름 (1) 을 적층한 경우 등에, 하나의 투명 도전성 필름 (1) 의 상면과, 그 상면에 배치되는 다른 투명 도전성 필름 (1) 의 하면이 밀착되고, 이것들을 떼어낼 때에 어느 일방의 투명 도전성 필름의 일부가 박리되는 블로킹 현상을 억제하기 위한 내블로킹층이다. 또, 투명 도전성 필름 (1) 의 상면 (즉, 투명 도전층 (7) 의 상면) 에 찰상을 잘 발생하지 않게 하기 위한 찰상 보호층이기도 하다.The anti-blocking layer 2 is in close contact with the upper surface of one transparent conductive film 1 and the lower surface of the other transparent conductive film 1 disposed on the upper surface when a plurality of transparent conductive films 1 are laminated. It is a blocking-resistant layer for suppressing a blocking phenomenon in which a part of the transparent conductive film is peeled off when removing these. Moreover, it is also a scratch protective layer for preventing scratches from easily occurring on the upper surface of the transparent conductive film 1 (that is, the upper surface of the transparent conductive layer 7).

안티 블로킹층 (2) 은, 투명 도전성 필름 (1) 의 최하층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있다. 안티 블로킹층 (2) 은, 투명 수지 기재 (3) 의 하면 전체면에, 투명 수지 기재 (3) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The anti-blocking layer 2 is the lowermost layer of the transparent conductive film 1 and has a film shape (including a sheet shape). The anti-blocking layer 2 is disposed on the entire lower surface of the transparent resin substrate 3 so as to contact the lower surface of the transparent resin substrate 3.

안티 블로킹층 (2) 은, 안티 블로킹 조성물로 형성되어 있다. 안티 블로킹층 (2) 은 수지 및 입자를 함유한다. 즉, 안티 블로킹층 (2) 은, 입자를 함유하는 수지층이다.The anti-blocking layer 2 is formed of an anti-blocking composition. The anti-blocking layer 2 contains resin and particles. That is, the anti-blocking layer 2 is a resin layer containing particles.

수지로는, 예를 들어, 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the resin include a curable resin, a thermoplastic resin (eg, a polyolefin resin), and a curable resin is preferably used.

경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the curable resin include active energy ray-curable resins cured by irradiation with active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), for example, thermosetting resins that are cured by heating. , Preferably, an active energy ray-curable resin is used.

활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.The active energy ray-curable resin includes, for example, a polymer having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule. As such a functional group, a vinyl group, a (meth)acryloyl group (methacryloyl group and/or acryloyl group), etc. are mentioned, for example.

활성 에너지선 경화성 수지로는, 구체적으로는, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.As an active energy ray-curable resin, specifically, (meth)acrylic ultraviolet-curable resins, such as a urethane acrylate and an epoxy acrylate, are mentioned.

또, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 경화성 수지로는, 예를 들어, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다.Moreover, as a curable resin other than an active energy ray-curable resin, a urethane resin, a melamine resin, an alkyd resin, a siloxane-based polymer, an organosilane condensate, etc. are mentioned, for example.

이들 수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.These resins can be used alone or in combination of two or more.

입자로는, 유기 입자, 무기 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴·스티렌 수지 입자 등의 가교 아크릴계 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Examples of the particles include organic particles and inorganic particles. Examples of the organic particles include crosslinked acrylic particles such as crosslinked acrylic/styrene resin particles. Examples of the inorganic particles include silica particles, for example, metal oxide particles made of zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, and the like, and carbonate particles such as calcium carbonate. Particles can be used alone or in combination of two or more.

바람직하게는, 유기 입자를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 가교 아크릴계 입자를 들 수 있다.Preferably, organic particles are used, and more preferably, crosslinked acrylic particles are used.

입자의 평균 입자경 (일차 입자경) 은, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는, 100 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 5 ㎛ 이하, 바람직하게는, 3 ㎛ 이하이다.The average particle diameter (primary particle diameter) of the particles is, for example, 10 nm or more, preferably 100 nm or more, and, for example, 5 µm or less, preferably 3 µm or less.

입자의 평균 입자경은, 체적 기준에 의한 입도 분포의 평균 입자경 (D50) 을 나타내고, 예를 들어, 입자를 수중에 분산시킨 용액을, 광회절·산란법에 의해 측정할 수 있다.The average particle diameter of the particles represents the average particle diameter (D 50 ) of the particle size distribution on a volume basis, and for example, a solution in which particles are dispersed in water can be measured by a light diffraction/scattering method.

입자의 함유 비율은, 수지 100 질량부에 대해, 예를 들어, 0.1 질량부 이상, 바람직하게는, 0.2 질량부 이상이고, 또, 예를 들어, 10 질량부 이하, 바람직하게는, 5 질량부 이하이다.The content ratio of the particles is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.2 parts by mass or more, and, for example, 10 parts by mass or less, preferably 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the resin. Below.

안티 블로킹 조성물에는, 추가로 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The anti-blocking composition may further contain known additives such as leveling agents, thixotropic agents, and antistatic agents.

안티 블로킹층 (2) 의 두께는, 내찰상성, 안티 블로킹성, 박리성의 관점에서, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게는, 0.5 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 3 ㎛ 이하이다. 안티 블로킹층 (2) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템 (예를 들어, 오츠카 전자사 제조,「MCPD2000」) 을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다.The thickness of the anti-blocking layer 2 is, for example, 0.1 µm or more, preferably 0.5 µm or more, and, for example, 10 µm or less, preferably from the viewpoint of scratch resistance, anti-blocking property and peelability. Preferably, it is 3 μm or less. The thickness of the anti-blocking layer 2 can be calculated, for example, based on the wavelength of the interference spectrum observed using an instantaneous multi-photometric system (for example, "MCPD2000" manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.).

3. 투명 수지 기재3. Transparent resin substrate

투명 수지 기재 (3) 는, 투명 도전성 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하기 위한 투명한 기재이다. 즉, 투명 수지 기재 (3) 는, 투명 도전층 (7) 을, 하드 코트층 (4), 광학 조정층 (5) 및 밀착층 (6) 과 함께 지지하고 있다.The transparent resin substrate 3 is a transparent substrate for securing the mechanical strength of the transparent conductive film 1. That is, the transparent resin base material 3 is supporting the transparent conductive layer 7 together with the hard coat layer 4, the optical adjustment layer 5, and the adhesive layer 6.

투명 수지 기재 (3) 는, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있다. 투명 수지 기재 (3) 는, 안티 블로킹층 (2) 의 상면 전체면에, 안티 블로킹층 (2) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 투명 수지 기재 (3) 는, 안티 블로킹층 (2) 과 하드 코트층 (4) 사이에, 안티 블로킹층 (2) 의 상면 및 하드 코트층 (4) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.The transparent resin substrate 3 has a film shape (including a sheet shape). The transparent resin substrate 3 is disposed on the entire upper surface of the anti-blocking layer 2 so as to contact the upper surface of the anti-blocking layer 2. More specifically, the transparent resin substrate 3 is disposed between the anti-blocking layer 2 and the hard coat layer 4 so as to contact the upper surface of the anti-blocking layer 2 and the lower surface of the hard coat layer 4 Has been.

투명 수지 기재 (3) 는, 예를 들어, 투명성을 갖는 고분자 필름이다. 투명 수지 기재 (3) 의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀폴리머 (예를 들어, 노르보르넨계, 시클로펜타디엔계) 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지 등을 들 수 있다. 투명 수지 기재 (3) 는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.The transparent resin substrate 3 is, for example, a polymer film having transparency. As the material of the transparent resin substrate 3, for example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, for example (meth) such as polymethacrylate Olefin resins such as acrylic resins (acrylic resins and/or methacrylic resins), for example polyethylene, polypropylene, cycloolefin polymers (for example, norbornene-based, cyclopentadiene-based), such as polycarbonate Resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, and the like. The transparent resin substrate (3) can be used alone or in combination of two or more.

투명 수지 기재 (3) 는, 투명성이 높고, 복굴절률이 낮은 관점에서, 바람직하게는, 시클로올레핀 폴리머 필름 (COP 필름) 을 들 수 있다.From the viewpoint of high transparency and low birefringence, the transparent resin substrate 3 is preferably a cycloolefin polymer film (COP film).

투명 수지 기재 (3) 의 인장 파단 강도는, 예를 들어, 10 ㎫ 이상, 바람직하게는, 30 ㎫ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎫ 이하, 바람직하게는, 85 ㎫ 이하이다. 인장 파단 강도가 상기 범위 내이면, 롤 투 롤 방식에 의해 투명 도전성 필름 (1) 을 채용할 때에, 투명 수지 기재 (3) 를 양호하게 반송할 수 있고, 투명 수지 기재 (3) 에 있어서 크랙 등의 파손을 억제할 수 있다.The tensile breaking strength of the transparent resin substrate 3 is, for example, 10 MPa or more, preferably 30 MPa or more, and, for example, 100 MPa or less, and preferably 85 MPa or less. When the tensile breaking strength is within the above range, when adopting the transparent conductive film 1 by a roll-to-roll method, the transparent resin substrate 3 can be conveyed satisfactorily, and cracks etc. in the transparent resin substrate 3 Can be suppressed.

인장 파단 강도는, ISO 527 에 준거하여 측정할 수 있다.Tensile breaking strength can be measured based on ISO 527.

투명 수지 기재 (3) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어, 80 % 이상, 바람직하게는, 85 % 이상이다.The total light transmittance (JIS K 7375-2008) of the transparent resin substrate 3 is, for example, 80% or more, and preferably 85% or more.

투명 수지 기재 (3) 의 두께는, 기계적 강도, 투명 도전성 필름 (1) 을 터치 패널용 필름으로 했을 때의 타점 특성 등의 관점에서, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 20 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는, 150 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는, 50 ㎛ 이하이다. 투명 수지 기재 (3) 의 두께는, 예를 들어, 마이크로 게이지식 측후계를 사용하여 측정할 수 있다.The thickness of the transparent resin substrate 3 is, for example, 2 µm or more, preferably 20 µm or more, from the viewpoints of mechanical strength and spot characteristics when the transparent conductive film 1 is used as a film for a touch panel. And, for example, it is 300 µm or less, preferably 150 µm or less, and more preferably 50 µm or less. The thickness of the transparent resin substrate 3 can be measured using, for example, a micro-gauge type side thickness meter.

4. 하드 코트층4. Hard coat layer

하드 코트층 (4) 은, 투명 도전성 필름 (1) 을 제조할 때에, 투명 수지 기재 (3) 에 흠집이 발생하는 것을 억제하기 위한 보호층이다. 또, 복수의 투명 도전성 필름 (1) 을 적층한 경우에, 투명 도전층 (7) 에 찰상이 발생하는 것을 억제하기 위한 내찰상층이다. 또한, 내굴곡성을 부여하기 위한 층이기도 하다.The hard coat layer 4 is a protective layer for suppressing the occurrence of scratches on the transparent resin substrate 3 when manufacturing the transparent conductive film 1. Moreover, when a plurality of transparent conductive films 1 are laminated, it is an abrasion resistant layer for suppressing the occurrence of scratches on the transparent conductive layer 7. It is also a layer for imparting bending resistance.

하드 코트층 (4) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있다. 하드 코트층 (4) 은, 투명 수지 기재 (3) 의 상면 전체면에, 투명 수지 기재 (3) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 하드 코트층 (4) 은, 투명 수지 기재 (3) 와 광학 조정층 (5) 사이에, 투명 수지 기재 (3) 의 상면 및 광학 조정층 (5) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.The hard coat layer 4 has a film shape (including a sheet shape). The hard coat layer 4 is disposed on the entire upper surface of the transparent resin substrate 3 so as to contact the upper surface of the transparent resin substrate 3. More specifically, the hard coat layer 4 is disposed between the transparent resin substrate 3 and the optical adjustment layer 5 so as to contact the upper surface of the transparent resin substrate 3 and the lower surface of the optical adjustment layer 5 Has been.

하드 코트층 (4) 은, 하드 코트 조성물로 형성되어 있다. 하드 코트 조성물은 수지를 함유하고 있다. 즉, 하드 코트층 (4) 은 수지층이다.The hard coat layer 4 is formed from a hard coat composition. The hard coat composition contains resin. That is, the hard coat layer 4 is a resin layer.

수지로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 안티 블로킹 조성물로 예시 한 수지를 들 수 있다. 바람직하게는, 경화성 수지, 보다 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지, 더욱 바람직하게는, (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a resin, For example, resin exemplified by an anti-blocking composition is mentioned. Preferably, a curable resin, more preferably an active energy ray curable resin, and still more preferably a (meth)acrylic ultraviolet curable resin is used.

하드 코트 조성물은, 입자를 함유할 수도 있다. 이로써, 하드 코트층 (4) 을, 내블로킹 특성을 갖는 안티 블로킹층으로 할 수 있다. 입자로는 특별히 한정되지 않지만, 안티 블로킹 조성물로 예시한 입자를 들 수 있다.The hard coat composition may contain particles. Thereby, the hard coat layer 4 can be made into an anti-blocking layer having anti-blocking properties. Although it does not specifically limit as a particle, The particle|grains illustrated by an anti-blocking composition are mentioned.

하드 코트 조성물에는, 추가로 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The hard coat composition may further contain known additives such as a leveling agent, a thixotropic agent, and an antistatic agent.

하드 코트층 (4) 의 두께는, 내찰상성의 관점에서, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게는, 0.5 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는, 3 ㎛ 이하이다. 하드 코트층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다.From the viewpoint of scratch resistance, the thickness of the hard coat layer 4 is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, and, for example, 10 μm or less, preferably 3 μm or less. to be. The thickness of the hard coat layer 4 can be calculated based on the wavelength of the interference spectrum observed using, for example, an instantaneous multi-photometric system.

5. 광학 조정층 5. Optical adjustment layer

광학 조정층 (5) 은, 투명 도전층 (7) 에 있어서의 배선 패턴의 시인을 억제하면서, 투명 도전성 필름 (1) 이 우수한 투명성을 확보하기 위하여, 투명 도전성 필름 (1) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.The optical adjustment layer 5 suppresses the visibility of the wiring pattern in the transparent conductive layer 7, and in order to ensure the excellent transparency of the transparent conductive film 1, the optical properties of the transparent conductive film 1 (example For example, it is a layer to adjust the refractive index).

광학 조정층 (5) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 하드 코트층 (4) 의 상면 전체면에, 하드 코트층 (4) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 광학 조정층 (5) 은, 하드 코트층 (4) 과 밀착층 (6) 사이에, 하드 코트층 (4) 의 상면 및 밀착층 (6) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.The optical adjustment layer 5 has a film shape (including a sheet shape), and is disposed on the entire upper surface of the hard coat layer 4 so as to contact the upper surface of the hard coat layer 4. More specifically, the optical adjustment layer 5 is disposed between the hard coat layer 4 and the adhesion layer 6 so as to contact the upper surface of the hard coat layer 4 and the lower surface of the adhesion layer 6 .

광학 조정층 (5) 은, 광학 조정 조성물로 형성되어 있다. 광학 조정 조성물은 수지를 함유하고, 바람직하게는, 수지 및 입자를 함유한다. 즉, 광학 조정층 (5) 은, 바람직하게는, 입자를 함유하는 수지층이다.The optical adjustment layer 5 is formed of an optical adjustment composition. The optical adjustment composition contains a resin, and preferably contains a resin and a particle. That is, the optical adjustment layer 5 is preferably a resin layer containing particles.

수지로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 안티 블로킹 조성물로 예시한 수지를 들 수 있다. 바람직하게는, 경화성 수지, 보다 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지, 더욱 바람직하게는, (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a resin, For example, the resin illustrated with an anti-blocking composition is mentioned. Preferably, a curable resin, more preferably an active energy ray curable resin, and still more preferably a (meth)acrylic ultraviolet curable resin is used.

수지의 함유 비율은, 광학 조정 조성물에 대해, 예를 들어, 10 질량% 이상, 바람직하게는, 25 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 95 질량% 이하, 바람직하게는, 60 질량% 이하이다.The content ratio of the resin is, for example, 10 mass% or more, preferably 25 mass% or more, and, for example, 95 mass% or less, preferably 60 mass% or less with respect to the optical adjustment composition. to be.

입자로는, 광학 조정층이 요구하는 굴절률에 따라 바람직한 재료를 선택할 수 있고, 예를 들어, 안티 블로킹 조성물로 예시한 입자를 들 수 있다. 굴절률의 관점에서, 바람직하게는, 무기 입자, 보다 바람직하게는, 금속 산화물 입자, 더욱 바람직하게는, 산화지르코늄 입자 (ZnO2) 를 들 수 있다.As the particles, a preferable material can be selected according to the refractive index required by the optical adjustment layer, and for example, particles exemplified by the anti-blocking composition may be mentioned. From the viewpoint of the refractive index, preferably, inorganic particles, more preferably metal oxide particles, and still more preferably zirconium oxide particles (ZnO 2 ) are exemplified.

입자의 함유 비율은, 광학 조정 조성물에 대해, 예를 들어, 5 질량% 이상, 바람직하게는, 40 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 90 질량% 이하, 바람직하게는, 75 질량% 이하이다.The content ratio of the particles is, for example, 5 mass% or more, preferably 40 mass% or more, and, for example, 90 mass% or less, preferably 75 mass% or less with respect to the optical adjustment composition. to be.

광학 조정 조성물에는, 추가로 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The optical adjustment composition may further contain known additives such as leveling agents, thixotropic agents, and antistatic agents.

광학 조정층 (5) 의 굴절률은, 예를 들어, 1.40 이상, 바람직하게는, 1.55 이상이고, 또, 예를 들어, 1.80 이하, 바람직하게는, 1.70 이하이다. 굴절률은, 예를 들어, 아베 굴절률계에 의해 측정할 수 있다.The refractive index of the optical adjustment layer 5 is, for example, 1.40 or more, preferably 1.55 or more, and, for example, 1.80 or less, preferably 1.70 or less. The refractive index can be measured with an Abbe refractometer, for example.

광학 조정층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 5 ㎚ 이상, 바람직하게는, 10 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는, 50 ㎚ 이하이다. 광학 조정층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다.The thickness of the optical adjustment layer 5 is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and, for example, 100 nm or less, preferably 50 nm or less. The thickness of the optical adjustment layer 5 can be calculated based on the wavelength of the interference spectrum observed using, for example, an instantaneous multi-photometric system.

6. 밀착층6. Adhesion layer

밀착층 (6) 은, 투명 도전층 (7) 이 찰상되었을 때에, 투명 도전층 (7) 의 일부가 투명 도전성 필름 (1) 으로부터 박리 및 탈락하는 것을 억제하기 위하여, 투명 도전층 (7) 과 광학 조정층 (5) 의 밀착성을 조정 (향상) 하는 층이다.The adhesion layer 6 is the transparent conductive layer 7 and the transparent conductive layer 7 in order to suppress a part of the transparent conductive layer 7 from peeling and falling off from the transparent conductive film 1 when the transparent conductive layer 7 is scratched. It is a layer which adjusts (improves) the adhesiveness of the optical adjustment layer 5.

밀착층 (6) 은, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있고, 광학 조정층 (5) 의 상면 전체면에, 광학 조정층 (5) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 밀착층 (6) 은, 광학 조정층 (5) 과 투명 도전층 (7) 사이에, 광학 조정층 (5) 의 상면 및 투명 도전층 (7) 의 하면에 접촉하도록 배치되어 있다.The adhesion layer 6 has a film shape (including a sheet shape), and is disposed on the entire upper surface of the optical adjustment layer 5 so as to contact the upper surface of the optical adjustment layer 5. More specifically, the adhesion layer 6 is disposed between the optical adjustment layer 5 and the transparent conductive layer 7 so as to contact the upper surface of the optical adjustment layer 5 and the lower surface of the transparent conductive layer 7 have.

밀착층 (6) 은 밀착 조성물로 형성되어 있다. 밀착 조성물은 수지 및 나노 실리카 입자를 함유한다. 즉, 밀착층 (6) 은, 나노 실리카 입자를 함유하는 수지층이다. 이로써, 광학 조정층 (5) 과 투명 도전층 (7) 의 양방에 밀착층 (6) 이 확실하게 밀착되어, 이들의 탈락을 억제할 수 있다.The adhesion layer 6 is formed from the adhesion composition. The adhesion composition contains a resin and nano silica particles. That is, the adhesion layer 6 is a resin layer containing nano silica particles. Thereby, the adhesion layer 6 is reliably adhered to both of the optical adjustment layer 5 and the transparent conductive layer 7, and dropping of these can be suppressed.

수지로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 안티 블로킹 조성물로 예시한 수지를 들 수 있다. 바람직하게는, 경화성 수지, 보다 바람직하게는, 활성 에너지선 경화성 수지, 더욱 바람직하게는, (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a resin, For example, the resin illustrated with an anti-blocking composition is mentioned. Preferably, a curable resin, more preferably an active energy ray curable resin, and still more preferably a (meth)acrylic ultraviolet curable resin is used.

수지의 함유 비율은, 밀착 조성물에 대해, 예를 들어, 10 질량% 이상, 바람직하게는, 25 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 50 질량% 이하, 바람직하게는, 40 질량% 이하이다. 수지의 함유 비율이 상기 범위이면, 밀착층 (6) 과 투명 도전층 (7) 의 과도한 밀착성 때문에 투명 도전층 (7) 의 에칭 속도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.The content ratio of the resin is, for example, 10 mass% or more, preferably 25 mass% or more, and, for example, 50 mass% or less, preferably 40 mass% or less with respect to the adhesion composition. . When the content ratio of the resin is within the above range, it is possible to suppress a decrease in the etching rate of the transparent conductive layer 7 due to excessive adhesion between the adhesion layer 6 and the transparent conductive layer 7.

나노 실리카 입자의 평균 입자경 (일차 입자경) 은, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는, 5 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는, 30 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는, 20 ㎚ 이하이다.The average particle diameter (primary particle diameter) of the nano silica particles is, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and, for example, 100 nm or less, preferably 30 nm or less, more preferably Is 20 nm or less.

나노 실리카 입자의 평균 입자경은, 체적 기준에 의한 입도 분포의 평균 입자경 (D50) 을 나타내고, 예를 들어, 입자를 수중에 분산시킨 용액을, 광회절·산란법에 의해 측정할 수 있다.The average particle diameter of the nano silica particles represents the average particle diameter (D 50 ) of the particle size distribution on a volume basis, and, for example, a solution in which the particles are dispersed in water can be measured by a light diffraction/scattering method.

나노 실리카 입자의 함유 비율은, 밀착 조성물에 대해, 예를 들어, 50 질량% 이상, 바람직하게는, 60 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 90 질량% 이하, 바람직하게는, 75 질량% 이하이다. 나노 실리카 입자의 함유 비율이 상기 하한 이상이면, 밀착층 (6) 의 상면에 있어서의 규소 원자수의 비를 원하는 범위로 할 수 있고, 패터닝 특성을 향상시킬 수 있다. 또, 나노 실리카 입자의 함유 비율이 상기 상한 이하이면, 밀착층 (6) 과 투명 도전층 (7) 의 과도한 밀착성 때문에 투명 도전층 (7) 의 에칭 속도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.The content ratio of the nano silica particles is, for example, 50 mass% or more, preferably 60 mass% or more, and, for example, 90 mass% or less, preferably 75 mass% with respect to the adhesion composition. Below. When the content ratio of the nano silica particles is more than the above lower limit, the ratio of the number of silicon atoms in the upper surface of the adhesion layer 6 can be set to a desired range, and patterning characteristics can be improved. Moreover, if the content ratio of the nano silica particles is less than or equal to the above upper limit, it is possible to suppress a decrease in the etching rate of the transparent conductive layer 7 due to excessive adhesion between the adhesion layer 6 and the transparent conductive layer 7.

밀착 조성물에는, 추가로 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The adhesion composition may further contain known additives such as a leveling agent, a thixotropic agent, and an antistatic agent.

밀착층 (6) 의 상면 (투명 도전층 (7) 측의 표면) 에 있어서, 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비 (Si/C) 가, 0.50 이상, 바람직하게는, 1.00 이상이고, 또, 예를 들어, 2.00 이하이다. 상기 비가 상기 하한 이상이면, 투명 도전층 (7) 의 에칭시에 있어서, 에칭액에 의한 밀착층 (6) (특히, 투명 도전층 (7) 의 하면에 접촉하는 밀착층 (6)) 의 침식을 억제할 수 있고, 패터닝된 투명 도전층 (7) 의 크랙을 억제할 수 있다. 그 결과, 패터닝 특성이 우수하다.In the upper surface of the adhesion layer 6 (the surface on the transparent conductive layer 7 side), the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms (Si/C) is 0.50 or more, preferably 1.00 or more, and , For example, 2.00 or less. If the ratio is more than the above lower limit, erosion of the adhesion layer 6 (in particular, the adhesion layer 6 in contact with the lower surface of the transparent conductive layer 7) by the etching solution at the time of etching the transparent conductive layer 7 It can suppress, and cracks of the patterned transparent conductive layer 7 can be suppressed. As a result, the patterning property is excellent.

상기 비 (Si/C) 는, X 선 광전자 분광법 (화학 분석용 전자 분광법, ESCA) 에 의해 측정할 수 있다. 구체적인 조건은, 실시예에서 후술한다.The ratio (Si/C) can be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (electron spectroscopy for chemical analysis, ESCA). Specific conditions will be described later in Examples.

밀착층 (6) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는, 20 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는, 50 ㎚ 이하이다. 밀착층 (6) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다.The thickness of the adhesion layer 6 is, for example, 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and, for example, 100 nm or less, preferably 50 nm or less. The thickness of the adhesion layer 6 can be calculated, for example, based on the wavelength of the interference spectrum observed using an instantaneous multi-photometric system.

7. 투명 도전층 7. Transparent conductive layer

투명 도전층 (7) 은, 필요에 따라 결정화되고, 후공정에서 원하는 패턴으로 형성하여, 투명한 패턴부 (8) (후술) 를 형성하기 위한 도전층이다.The transparent conductive layer 7 is a conductive layer for forming a transparent pattern portion 8 (to be described later) by crystallization as necessary and forming in a desired pattern in a post process.

투명 도전층 (7) 은, 투명 도전성 필름 (1) 의 최상층으로서, 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖고 있다. 투명 도전층 (7) 은, 밀착층 (6) 의 상면 전체면에, 밀착층 (6) 의 상면에 접촉하도록 배치되어 있다.The transparent conductive layer 7 is an uppermost layer of the transparent conductive film 1 and has a film shape (including a sheet shape). The transparent conductive layer 7 is disposed on the entire upper surface of the adhesion layer 6 so as to contact the upper surface of the adhesion layer 6.

투명 도전층 (7) 의 재료로는, 예를 들어, In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 함유하는 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물에는, 필요에 따라, 추가로 상기 군에 나타내어진 금속 원자를 도프하고 있어도 된다.As a material of the transparent conductive layer 7, for example, selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W And metal oxides containing at least one type of metal. The metal oxide may be further doped with a metal atom shown in the group as necessary.

투명 도전층 (7) 으로는, 구체적으로는, 예를 들어, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등의 인듐 함유 산화물, 예를 들어, 안티몬주석 복합 산화물 (ATO) 등의 안티몬 함유 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는, ITO 를 들 수 있다.Specific examples of the transparent conductive layer 7 include indium-containing oxides such as indium tin composite oxide (ITO), and antimony-containing oxides such as antimony tin composite oxide (ATO). In addition, preferably, an indium-containing oxide, more preferably, ITO is used.

투명 도전층 (7) 이 ITO 층 등의 인듐주석 복합 산화물층인 경우, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대해, 예를 들어, 0.5 질량% 이상, 바람직하게는, 3 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 15 질량% 이하, 바람직하게는, 13 질량% 이하이다. 산화주석의 함유량이 상기 하한 이상이면, 투명 도전층 (7) 의 내구성을 한층 더 양호하게 할 수 있다. 산화주석의 함유량이 상기 상한 이하이면, 투명 도전층 (7) 의 결정 전화를 용이하게 하고, 투명성이나 표면 저항의 안정성을 향상시킬 수 있다.When the transparent conductive layer 7 is an indium tin composite oxide layer such as an ITO layer, the tin oxide (SnO 2 ) content is, for example, 0.5 mass with respect to the total amount of tin oxide and indium oxide (In 2 O 3 ). % Or more, preferably 3% by mass or more, and, for example, 15% by mass or less, preferably 13% by mass or less. When the content of tin oxide is more than the above lower limit, the durability of the transparent conductive layer 7 can be further improved. When the content of tin oxide is less than or equal to the above upper limit, crystal conversion of the transparent conductive layer 7 can be facilitated, and stability of transparency and surface resistance can be improved.

본 명세서 중에 있어서의「ITO」란, 적어도 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 함유하는 복합 산화물이면 되고, 이들 이외의 추가 성분을 함유해도 된다. 추가 성분으로는, 예를 들어, In, Sn 이외의 금속 원소를 들 수 있고, 구체적으로는, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등을 들 수 있다.In the present specification, "ITO" may be a composite oxide containing at least indium (In) and tin (Sn), and may contain additional components other than these. As the additional component, for example, metal elements other than In and Sn may be mentioned, specifically, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W , Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga, and the like.

투명 도전층 (7) 의 표면 저항은, 예를 들어, 200 Ω/□ 이상, 바람직하게는, 250 Ω/□ 이상이고, 또, 예를 들어, 500 Ω/□ 이하이다. 표면 저항은, 4 단자법에 의해 측정할 수 있다.The surface resistance of the transparent conductive layer 7 is, for example, 200 Ω/□ or more, preferably 250 Ω/□ or more, and, for example, 500 Ω/□ or less. Surface resistance can be measured by a four-terminal method.

투명 도전층 (7) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는, 15 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 50 ㎚ 이하, 바람직하게는, 30 ㎚ 이하이다. 투명 도전층 (7) 의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 측정할 수 있다.The thickness of the transparent conductive layer 7 is, for example, 10 nm or more, preferably 15 nm or more, and, for example, 50 nm or less, preferably 30 nm or less. The thickness of the transparent conductive layer 7 can be measured using, for example, an instantaneous multi-photometric system.

투명 도전층 (7) 은, 비정질 또는 결정질 중 어느 것이어도 된다.The transparent conductive layer 7 may be either amorphous or crystalline.

투명 도전층이 비결정질인지 결정질인지는, 예를 들어, 투명 도전층이 ITO 층인 경우는, 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량%) 에 15 분간 침지시킨 후, 수세·건조시키고, 15 ㎜ 정도의 사이의 단자간 저항을 측정함으로써 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 염산 (20 ℃, 농도 : 5 질량%) 으로의 침지·수세·건조 후에, 15 ㎜ 사이의 단자간 저항이 10 kΩ 을 초과하는 경우, ITO 층이 비정질로 되고, 15 ㎜ 사이의 단자간 저항이 10 kΩ 이하인 경우, ITO 층이 결정질로 된다.Whether the transparent conductive layer is amorphous or crystalline, for example, when the transparent conductive layer is an ITO layer, is immersed in hydrochloric acid at 20°C (concentration 5% by mass) for 15 minutes, then washed with water and dried, for about 15 mm It can be determined by measuring the resistance between the terminals of. In this specification, after immersion, washing and drying in hydrochloric acid (20°C, concentration: 5% by mass), when the resistance between terminals between 15 mm exceeds 10 kΩ, the ITO layer becomes amorphous, and between 15 mm When the resistance between terminals of is 10 kΩ or less, the ITO layer becomes crystalline.

7. 투명 도전성 필름의 제조 방법 7. Manufacturing method of transparent conductive film

이어서, 투명 도전성 필름 (1) 을 제조하는 방법을 설명한다. 투명 도전성 필름 (1) 을 제조하려면, 예를 들어, 투명 수지 기재 (3) 의 하면 (두께 방향 타방면) 에, 안티 블로킹층 (2) 을 형성하는 한편, 투명 수지 기재 (3) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에, 하드 코트층 (4) 을 형성한다. 이어서, 하드 코트층 (4) 의 상면에, 광학 조정층 (5), 밀착층 (6) 및 투명 도전층 (7) 을 이 순으로 형성한다. 이하, 상세히 서술한다.Next, the method of manufacturing the transparent conductive film 1 is demonstrated. In order to manufacture the transparent conductive film 1, for example, while forming the anti-blocking layer 2 on the lower surface (the other side in the thickness direction) of the transparent resin substrate 3, the upper surface (thickness) of the transparent resin substrate 3 In one direction), the hard coat layer 4 is formed. Next, on the upper surface of the hard coat layer 4, the optical adjustment layer 5, the adhesion layer 6, and the transparent conductive layer 7 are formed in this order. It will be described in detail below.

먼저, 공지 또는 시판되는 투명 수지 기재 (3) 를 준비한다.First, a known or commercially available transparent resin substrate 3 is prepared.

그 후, 필요에 따라, 투명 수지 기재 (3) 와 안티 블로킹층 (2) 또는 하드 코트층 (4) 의 밀착성의 관점에서, 투명 수지 기재 (3) 의 하면 또는 상면에, 예를 들어, 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성, 산화 등의 에칭 처리나 하도 처리를 실시할 수 있다. 또, 용제 세정, 초음파 세정 등에 의해 투명 수지 기재 (3) 를 제진, 청정화할 수 있다.Then, if necessary, from the viewpoint of adhesion between the transparent resin substrate 3 and the anti-blocking layer 2 or the hard coat layer 4, on the lower surface or upper surface of the transparent resin substrate 3, for example, sputtering , Corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion, etching treatment, such as oxidation, and a primer treatment can be performed. Further, the transparent resin substrate 3 can be vibration-removed and cleaned by solvent cleaning, ultrasonic cleaning, or the like.

이어서, 투명 수지 기재 (3) 의 하면에, 안티 블로킹층 (2) 을 형성한다. 예를 들어, 투명 수지 기재 (3) 의 하면에 안티 블로킹 조성물을 습식 도공함으로써, 투명 수지 기재 (3) 의 하면에 안티 블로킹층 (2) 을 형성한다.Next, the anti-blocking layer 2 is formed on the lower surface of the transparent resin substrate 3. For example, by wet-coating the anti-blocking composition on the lower surface of the transparent resin substrate 3, the anti-blocking layer 2 is formed on the lower surface of the transparent resin substrate 3.

구체적으로는, 예를 들어, 안티 블로킹 조성물을 용매로 희석한 용액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 안티 블로킹 조성물 용액을 투명 수지 기재 (3) 의 하면에 도포하고, 건조시킨다.Specifically, for example, a solution (varnish) obtained by diluting an anti-blocking composition with a solvent is prepared, and then, the anti-blocking composition solution is applied to the lower surface of the transparent resin substrate 3 and dried.

용매로는, 예를 들어, 유기 용매, 수계 용매 (구체적으로는, 물) 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 유기 용매를 들 수 있다. 유기 용매로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올 화합물, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 화합물, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르 화합물, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 등의 에테르 화합물, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.As a solvent, an organic solvent, an aqueous solvent (specifically, water), etc. are mentioned, for example, Preferably, an organic solvent is mentioned. Examples of the organic solvent include alcohol compounds such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol, such as ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, such as ethyl acetate and butyl acetate. And ether compounds such as propylene glycol monomethyl ether (PGME), and aromatic compounds such as toluene and xylene. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

조성물 용액에 있어서의 고형분 농도는, 예를 들어, 1 질량% 이상, 바람직하게는, 10 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 30 질량% 이하, 바람직하게는, 20 질량% 이하이다.The solid content concentration in the composition solution is, for example, 1 mass% or more, preferably 10 mass% or more, and, for example, 30 mass% or less, preferably 20 mass% or less.

도포 방법은, 안티 블로킹 조성물 용액 및 투명 수지 기재 (3) 에 따라 적절히 선택할 수 있다. 도포 방법으로는, 예를 들어, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법 등을 들 수 있다.The application method can be appropriately selected according to the anti-blocking composition solution and the transparent resin substrate (3). Examples of the coating method include a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a roller coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, and an extrusion coating method.

건조 온도는, 예를 들어, 50 ℃ 이상, 바람직하게는, 70 ℃ 이상이고, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는, 100 ℃ 이하이다.The drying temperature is, for example, 50°C or more, preferably 70°C or more, and for example, 200°C or less, preferably 100°C or less.

건조 시간은, 예를 들어, 0.5 분 이상, 바람직하게는, 1 분 이상이고, 예를 들어, 60 분 이하, 바람직하게는, 20 분 이하이다.The drying time is, for example, 0.5 minutes or more, preferably 1 minute or more, and for example, 60 minutes or less, preferably 20 minutes or less.

그 후, 안티 블로킹 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 안티 블로킹 조성물 용액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Thereafter, when the anti-blocking composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying the anti-blocking composition solution.

또한, 안티 블로킹 조성물이 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화시킬 수 있다.In addition, when the anti-blocking composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermosetted together with drying of the solvent by this drying step.

한편, 투명 수지 기재 (3) 의 상면에, 하드 코트층 (4) 을 형성한다. 예를 들어, 투명 수지 기재 (3) 의 상면에 하드 코트 조성물을 습식 도공함으로써, 투명 수지 기재 (3) 의 상면에 하드 코트층 (4) 을 형성한다.On the other hand, the hard coat layer 4 is formed on the upper surface of the transparent resin substrate 3. For example, the hard coat layer 4 is formed on the upper surface of the transparent resin base material 3 by wet-coating the hard coat composition on the upper surface of the transparent resin base material 3.

구체적으로는, 예를 들어, 하드 코트 조성물을 용매로 희석한 용액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 하드 코트 조성물 용액을 투명 수지 기재 (3) 의 상면에 도포하고, 건조시킨다.Specifically, for example, a solution (varnish) obtained by diluting the hard coat composition with a solvent is prepared, and then, the hard coat composition solution is applied to the upper surface of the transparent resin substrate 3 and dried.

하드 코트 조성물의 조제, 도포, 건조 등의 조건은, 안티 블로킹 조성물에서 예시한 조제, 도포, 건조 등의 조건과 동일하게 할 수 있다.Conditions such as preparation, application, and drying of the hard coat composition can be the same as the conditions such as preparation, application, and drying exemplified in the anti-blocking composition.

또, 하드 코트 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 하드 코트 조성물 용액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Moreover, when the hard coat composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying of the hard coat composition solution.

또한, 하드 코트 조성물이 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화시킬 수 있다.In addition, when the hard coat composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermosetted together with drying of the solvent by this drying step.

이어서, 하드 코트층 (4) 의 상면에, 광학 조정층 (5) 을 형성한다. 예를 들어, 하드 코트층 (4) 의 상면에 광학 조정 조성물을 습식 도공함으로써, 하드 코트층 (4) 의 상면에 광학 조정층 (5) 을 형성한다.Next, the optical adjustment layer 5 is formed on the upper surface of the hard coat layer 4. For example, the optical adjustment layer 5 is formed on the upper surface of the hard coat layer 4 by wet-coating the optical adjustment composition on the upper surface of the hard coat layer 4.

구체적으로는, 예를 들어, 광학 조정 조성물을 용매로 희석한 용액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 광학 조정 조성물 용액을 하드 코트층 (4) 의 상면에 도포하고, 건조시킨다.Specifically, for example, a solution (varnish) obtained by diluting the optical adjustment composition with a solvent is prepared, and then, the optical adjustment composition solution is applied to the upper surface of the hard coat layer 4 and dried.

광학 조정 조성물의 조제, 도포, 건조 등의 조건은, 안티 블로킹 조성물에서 예시한 조제, 도포, 건조 등의 조건과 동일하게 할 수 있다.Conditions such as preparation, application, and drying of the optical adjustment composition can be the same as the conditions such as preparation, application, and drying exemplified in the anti-blocking composition.

또, 광학 조정 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 광학 조정 조성물 용액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Moreover, when the optical adjustment composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying the optical adjustment composition solution.

또한, 광학 조정 조성물이 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화시킬 수 있다.In addition, when the optical adjustment composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermosetted together with drying of the solvent by this drying step.

이어서, 광학 조정층 (5) 의 상면에, 밀착층 (6) 을 형성한다. 예를 들어, 광학 조정층 (5) 의 상면에 밀착 조성물을 습식 도공함으로써, 광학 조정층 (5) 의 상면에 밀착층 (6) 을 형성한다.Subsequently, an adhesion layer 6 is formed on the upper surface of the optical adjustment layer 5. For example, the adhesive layer 6 is formed on the upper surface of the optical adjustment layer 5 by wet-coating an adhesive composition on the upper surface of the optical adjustment layer 5.

구체적으로는, 예를 들어, 밀착 조성물을 용매로 희석한 용액 (바니시) 을 조제하고, 계속해서, 밀착 조성물 용액을 광학 조정층 (5) 의 상면에 도포하고, 건조시킨다.Specifically, for example, a solution (varnish) obtained by diluting an adhesive composition with a solvent is prepared, and then the adhesive composition solution is applied to the upper surface of the optical adjustment layer 5 and dried.

밀착 조성물의 조제, 도포, 건조 등의 조건은, 안티 블로킹 조성물에서 예시한 조제, 도포, 건조 등의 조건과 동일하게 할 수 있다.Conditions such as preparation, application, and drying of the adhesion composition can be the same as the conditions such as preparation, application, and drying exemplified in the anti-blocking composition.

또, 밀착 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 밀착 조성물 용액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Moreover, when the adhesive composition contains an active energy ray-curable resin, after drying of an adhesive composition solution, an active energy ray-curable resin is hardened by irradiating an active energy ray.

또한, 밀착 조성물이 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화시킬 수 있다.In addition, when the adhesive composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermosetted together with drying of the solvent by this drying process.

이어서, 밀착층 (6) 의 상면에, 투명 도전층 (7) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 밀착층 (6) 의 상면에 투명 도전층 (7) 을 형성한다.Next, a transparent conductive layer 7 is formed on the upper surface of the adhesion layer 6. For example, the transparent conductive layer 7 is formed on the upper surface of the adhesion layer 6 by a dry method.

건식 방법으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해 박막의 투명 도전층 (7) 을 형성할 수 있다.As a dry method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, etc. are mentioned, for example. Preferably, a sputtering method is used. By this method, a thin transparent conductive layer 7 can be formed.

스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃재로는, 투명 도전층 (7) 을 구성하는 상기 서술한 무기물을 들 수 있고, 바람직하게는, ITO 를 들 수 있다. ITO 의 산화주석 농도는, ITO 층의 내구성, 결정화 등의 관점에서, 예를 들어, 0.5 질량% 이상, 바람직하게는, 3 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 15 질량% 이하, 바람직하게는, 13 질량% 이하이다.In the case of employing the sputtering method, the above-described inorganic material constituting the transparent conductive layer 7 is exemplified as a target material, and ITO is preferably used. The tin oxide concentration of ITO is, for example, 0.5% by mass or more, preferably 3% by mass or more, and, for example, 15% by mass or less, preferably from the viewpoint of durability and crystallization of the ITO layer. Is 13 mass% or less.

스퍼터 가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비는 특별히 한정하지 않지만, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 합계 유량비에 대해, 예를 들어, 0.1 유량% 이상 5 유량% 이하이다.As the sputtering gas, an inert gas, such as Ar, is mentioned, for example. Further, if necessary, a reactive gas such as oxygen gas can be used in combination. When a reactive gas is used together, the flow rate ratio of the reactive gas is not particularly limited, but is, for example, 0.1 flow% or more and 5 flow% or less with respect to the total flow rate ratio of the sputter gas and the reactive gas.

스퍼터링법은, 진공하에서 실시된다. 구체적으로는, 스퍼터링시의 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 ㎩ 이하, 바람직하게는, 0.7 ㎩ 이하이다.The sputtering method is carried out under vacuum. Specifically, the atmospheric pressure at the time of sputtering is, for example, 1 Pa or less, preferably 0.7 Pa or less from the viewpoints of suppression of a decrease in sputtering rate and discharge stability.

스퍼터링법에 이용하는 전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또, 이들의 조합이어도 된다.The power source used for the sputtering method may be, for example, any of a DC power source, an AC power source, an MF power source, and an RF power source, or a combination thereof.

또, 원하는 두께의 투명 도전층 (7) 을 형성하기 위하여, 타깃재나 스퍼터링의 조건 등을 적절히 설정하여 복수 회 스퍼터링을 실시해도 된다.Further, in order to form the transparent conductive layer 7 having a desired thickness, sputtering may be performed a plurality of times by appropriately setting a target material and sputtering conditions.

또, 상기 제조 방법에서는, 롤 투 롤 방식으로, 투명 수지 기재 (3) 를 반송시키면서, 그 투명 수지 기재 (3) 에, 안티 블로킹층 (2), 하드 코트층 (4), 광학 조정층 (5), 밀착층 (6) 및 투명 도전층 (7) 을 형성해도 되고, 또, 이들 층의 일부 또는 전부를 배치 방식 (매엽 방식) 으로 형성해도 된다. 생산성의 관점에서, 바람직하게는, 롤 투 롤 방식으로, 투명 수지 기재 (3) 를 반송시키면서, 투명 수지 기재 (3) 에 각 층을 형성한다.Moreover, in the said manufacturing method, while conveying the transparent resin base material 3 by a roll-to-roll system, to the transparent resin base material 3, the anti-blocking layer 2, the hard coat layer 4, the optical adjustment layer ( 5), the adhesion layer 6 and the transparent conductive layer 7 may be formed, and some or all of these layers may be formed by a batch method (single sheet method). From the viewpoint of productivity, preferably, each layer is formed on the transparent resin substrate 3 while conveying the transparent resin substrate 3 in a roll-to-roll system.

이로써, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 안티 블로킹층 (2), 투명 수지 기재 (3), 하드 코트층 (4), 광학 조정층 (5), 밀착층 (6) 및 투명 도전층 (7) 을 순서대로 구비하는 투명 도전성 필름 (1) 이 얻어진다. 도 1 에 나타내는 투명 도전성 필름 (1) 은, 패터닝 처리가 되어 있지 않은 비패터닝 투명 도전성 필름이다.Thereby, as shown in FIG. 1, the anti-blocking layer (2), the transparent resin base material (3), the hard coat layer (4), the optical adjustment layer (5), the adhesion layer (6), and the transparent conductive layer (7) The transparent conductive film 1 provided in order is obtained. The transparent conductive film 1 shown in FIG. 1 is a non-patterned transparent conductive film which has not been subjected to patterning treatment.

얻어지는 투명 도전성 필름 (1) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 20 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는, 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는, 50 ㎛ 이하이다.The thickness of the obtained transparent conductive film (1) is, for example, 2 µm or more, preferably 20 µm or more, and, for example, 300 µm or less, preferably 100 µm or less, more preferably , 50 μm or less.

이어서, 필요에 따라, 비패터닝 투명 도전성 필름을, 공지된 에칭에 의해, 투명 도전층 (7) 을 패터닝한다.Subsequently, if necessary, the transparent conductive layer 7 is patterned on the non-patterned transparent conductive film by known etching.

투명 도전층 (7) 의 패턴은, 투명 도전성 필름 (1) 이 적용되는 용도에 따라 적절히 결정되지만, 예를 들어, 스트라이프상 등의 전극 패턴이나 배선 패턴을 들 수 있다.The pattern of the transparent conductive layer 7 is appropriately determined depending on the application to which the transparent conductive film 1 is applied, but, for example, an electrode pattern such as a stripe or a wiring pattern is mentioned.

에칭은, 예를 들어, 패턴부 (8) 및 비패턴부 (9) 에 대응하도록, 피복부 (마스킹 테이프 등) 를 투명 도전층 (7) 위에 배치하고, 피복부로부터 노출되는 투명 도전층 (7) (비패턴부 (9)) 을, 에칭액을 사용하여 에칭한다. 에칭액으로는, 예를 들어, 염산, 황산, 질산, 아세트산, 옥살산, 인산 및 이들의 혼산 등의 산을 들 수 있다. 그 후, 피복부를, 투명 도전층 (7) 의 상면으로부터, 예를 들어, 박리 등에 의해 제거한다.Etching, for example, so as to correspond to the pattern portion 8 and the non-pattern portion 9, a covering portion (masking tape, etc.) is disposed on the transparent conductive layer 7, and the transparent conductive layer exposed from the covering portion ( 7) The (non-pattern part 9) is etched using an etching solution. Examples of the etching solution include acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, oxalic acid, phosphoric acid, and mixed acids thereof. After that, the covering portion is removed from the upper surface of the transparent conductive layer 7 by, for example, peeling.

이로써, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전층 (7) 이 패터닝된 패터닝 투명 도전성 필름 (1a) 을 들 수 있다.Thereby, as shown in FIG. 2, the patterned transparent conductive film 1a in which the transparent conductive layer 7 was patterned is mentioned.

또한, 필요에 따라, 에칭의 전 또는 후에, 투명 도전성 필름 (1) 의 투명 도전층 (7) 에 대해, 결정 전화 처리를 실시한다.Further, if necessary, before or after etching, a crystal conversion treatment is performed on the transparent conductive layer 7 of the transparent conductive film 1.

구체적으로는, 투명 도전성 필름 (1) 에 대기하에서 가열 처리를 실시한다.Specifically, heat treatment is performed on the transparent conductive film 1 in the atmosphere.

가열 처리는, 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 실시할 수 있다.The heat treatment can be performed using, for example, an infrared heater or an oven.

가열 온도는, 예를 들어, 100 ℃ 이상, 바람직하게는, 120 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는, 160 ℃ 이하이다. 가열 온도가 상기 범위 내이면, 투명 수지 기재 (3) 의 열손상 및 투명 수지 기재 (3) 로부터 발생하는 불순물을 억제하면서, 결정 전화를 확실하게 할 수 있다.The heating temperature is, for example, 100°C or more, preferably 120°C or more, and, for example, 200°C or less, preferably 160°C or less. When the heating temperature is within the above range, it is possible to ensure crystal conversion while suppressing thermal damage to the transparent resin substrate 3 and impurities generated from the transparent resin substrate 3.

가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 결정되지만, 예를 들어, 10 분 이상, 바람직하게는, 30 분 이상이고, 또, 예를 들어, 5 시간 이하, 바람직하게는, 3 시간 이하이다.The heating time is appropriately determined depending on the heating temperature, but is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, and, for example, 5 hours or less, preferably 3 hours or less.

이로써, 투명 도전층 (7) 이 결정화된 투명 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.Thereby, the transparent conductive film 1 in which the transparent conductive layer 7 is crystallized is obtained.

투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 광학 장치에 구비된다. 광학 장치로는, 예를 들어, 화상 표시 장치 등을 들 수 있다. 투명 도전성 필름 (1) 을 화상 표시 장치 (구체적으로는, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 갖는 화상 표시 장치) 에 구비하는 경우에는, 투명 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 터치 패널용 기재로서 사용된다. 터치 패널의 형식으로는, 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 각종 방식을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다.The transparent conductive film 1 is provided in an optical device, for example. As an optical device, an image display device etc. are mentioned, for example. When the transparent conductive film 1 is provided in an image display device (specifically, an image display device having an image display element such as an LCD module), the transparent conductive film 1 is, for example, a substrate for a touch panel. Is used as As the form of the touch panel, various methods such as an optical method, an ultrasonic method, a capacitive method, and a resistive film method may be mentioned, and in particular, it is preferably used for a capacitive touch panel.

그리고, 이 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 수지 기재 (3) 와, 하드 코트층 (4) 과, 광학 조정층 (5) 과, 밀착층 (6) 과, 투명 도전층 (7) 을 이 순으로 구비한다. 밀착층 (6) 은, 나노 실리카 입자를 함유하는 수지층이다. 그 때문에, 광학 조정층 (5) 과 투명 도전층 (7) 의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 투명 도전성 필름 (1) 의 상면이 스쳐져, 투명 도전층 (7) 이 깨진 경우여도, 투명 도전층 (7) 은, 밀착층 (6) 의 존재에 의해 투명 도전성 필름 (1) 표면에 유지할 수 있다. 즉, 투명 도전층 (7) 의 박리 및 탈락을 억제할 수 있다. 그 결과, 투명 도전층 (7) 의 결손에 의한 도전 성능의 현저한 저하 (구체적으로는, 표면 저항치의 과도의 상승) 를 억제할 수 있다. 따라서, 내찰상성이 우수하다.And this transparent conductive film (1) is a transparent resin substrate (3), a hard coat layer (4), an optical adjustment layer (5), an adhesion layer (6), and a transparent conductive layer (7). It is provided in order. The adhesion layer 6 is a resin layer containing nano silica particles. Therefore, the adhesion between the optical adjustment layer 5 and the transparent conductive layer 7 can be improved. Therefore, even if the upper surface of the transparent conductive film 1 is rubbed and the transparent conductive layer 7 is broken, the transparent conductive layer 7 is formed on the surface of the transparent conductive film 1 due to the presence of the adhesion layer 6. Can be maintained. That is, peeling and falling off of the transparent conductive layer 7 can be suppressed. As a result, it is possible to suppress a remarkable decrease in the conductive performance due to a defect in the transparent conductive layer 7 (specifically, an excessive increase in the surface resistance value). Therefore, it is excellent in scratch resistance.

또, 밀착층 (6) 의 상면에 있어서, 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비 (Si/C) 가, 0.50 이상이다. 그 때문에, 규소 원자 (나노 실리카 입자) 가 밀착층 (6) 의 상면에 충분히 존재하기 때문에, 투명 도전층 (7) 을 에칭액으로 에칭할 때에, 에칭액이, 밀착층 (6) 의 에칭 (특히, 투명 도전층 (7) 의 하면과 접촉하는 밀착층 부분의 에칭) 을 억제할 수 있다. 그 결과, 투명 도전층 (7) 을 지지하는 밀착층 (6) 의 결손에서 기인되는 투명 도전층 (7) 의 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 투명 도전층 (7) 에 대한 패터닝 특성이 양호하다.Moreover, in the upper surface of the adhesion layer 6, the ratio (Si/C) of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 0.50 or more. Therefore, since silicon atoms (nano silica particles) are sufficiently present on the upper surface of the adhesion layer 6, when etching the transparent conductive layer 7 with the etching solution, the etching solution is used for etching the adhesion layer 6 (in particular, Etching of the adhesive layer portion that contacts the lower surface of the transparent conductive layer 7) can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the transparent conductive layer 7 resulting from a defect in the adhesion layer 6 supporting the transparent conductive layer 7. Therefore, the patterning property of the transparent conductive layer 7 is good.

또, 이 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 수지 기재 (3) 와, 그 상면에 배치되는 하드 코트층 (4) 을 구비한다. 이 때문에, 투명 수지 기재 (3) 는, 하드 코트층 (4) 에 의해 확실하게 보호되어 있다. 그 때문에, 투명 수지 기재 (3) (특히, 연한 기재인 COP 필름) 의 상측에, 투명 도전층 (7) 을 건식법 (특히 스퍼터링법) 에 의해 형성했을 때에, 투명 수지 기재 (3) 에 대한 흠집의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, 투명 도전성 필름 (1) 의 외관을 양호하게 할 수 있다. 또한, 하드 코트층 (4) 을 구비하기 때문에 절곡시의 파손이나 파단을 억제할 수 있고, 내굴곡성이 우수하다.Moreover, this transparent electroconductive film 1 is equipped with the transparent resin base material 3 and the hard coat layer 4 arrange|positioned on the upper surface. For this reason, the transparent resin substrate 3 is reliably protected by the hard coat layer 4. Therefore, when the transparent conductive layer 7 is formed on the upper side of the transparent resin substrate 3 (especially a soft substrate COP film) by a dry method (especially a sputtering method), scratches on the transparent resin substrate 3 Can be suppressed. Therefore, the appearance of the transparent conductive film 1 can be improved. Further, since the hard coat layer 4 is provided, breakage and breakage at the time of bending can be suppressed, and the bending resistance is excellent.

또, 이 투명 도전성 필름 (1) 에서는, 바람직하게는, 투명 수지 기재 (3) 가, COP 필름이다. COP 필름은, PET 필름 등의 다른 수지 필름보다 복굴절률이 낮고, 위상차가 실질적으로 제로이기 때문에, 편광판과 터치 패널용 필름의 편광 해소를 방지하는 점에서 유용하다. 그러나, COP 필름은, 연하기 때문에, PET 필름 등의 다른 수지 필름보다, 특히, 찰상에 의한 투명 도전층 (7) 의 결손 등이 발생하기 쉽다. 그리고, 이 투명 도전성 필름 (1) 에 의하면, 특히, 이와 같은 투명 수지 기재 (3) 가 COP 필름인 경우에 대해, 찰상 및 패터닝에 의한 상기 과제를 해결하고, 나아가서는, 투명 수지 기재 (3) 의 흠집에 의한 외관 불량의 과제도 해결할 수 있다.Moreover, in this transparent conductive film 1, Preferably, the transparent resin base material 3 is a COP film. Since the COP film has a lower birefringence than other resin films such as PET films and has a phase difference of substantially zero, it is useful in terms of preventing the polarization of the polarizing plate and the film for a touch panel from being resolved. However, since the COP film is soft, defects of the transparent conductive layer 7 due to scratches are more likely to occur than other resin films such as PET films. And, according to this transparent conductive film (1), especially in the case where such a transparent resin base material (3) is a COP film, it solves the said subject by abrasion and patterning, and furthermore, transparent resin base material (3) It is also possible to solve the problem of appearance defects due to scratches of.

<변형예><modification example>

일 실시형태에서는, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 수지 기재 (3) 의 하면에 배치되는 안티 블로킹층 (2) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 안티 블로킹층 (2) 대신에, 다른 기능층을 구비하고 있어도 된다. 기능층으로는, 예를 들어, 상기한 하드 코트층 (4) 등을 들 수 있다.In one embodiment, the transparent conductive film 1 is provided with the anti-blocking layer 2 disposed on the lower surface of the transparent resin substrate 3, but, for example, not shown, instead of the anti-blocking layer 2 In addition, other functional layers may be provided. As a functional layer, the hard coat layer 4 etc. mentioned above are mentioned, for example.

또, 일 실시형태에서는, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 수지 기재 (3) 의 하면에 배치되는 안티 블로킹층 (2) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 안티 블로킹층 (2) 을 구비하지 않아도 된다. 즉, 투명 도전성 필름 (1) 은, 투명 수지 기재 (3) 와 하드 코트층 (4) 과 광학 조정층 (5) 과 밀착층 (6) 과 투명 도전층 (7) 만을 구비하고 있어도 된다.In addition, in one embodiment, the transparent conductive film 1 is provided with the anti-blocking layer 2 disposed on the lower surface of the transparent resin substrate 3, but for example, although not shown, the anti-blocking layer 2 ) Do not have to be provided. That is, the transparent conductive film 1 may be provided with only the transparent resin substrate 3, the hard coat layer 4, the optical adjustment layer 5, the adhesion layer 6, and the transparent conductive layer 7.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. 또, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재된 상한치 (「이하」,「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치 (「이상」,「초과」로서 정의되어 있는 수치) 로 대체할 수 있다.Examples and comparative examples are shown below, and the present invention will be described in more detail. In addition, the present invention is not limited to Examples and Comparative Examples at all. In addition, specific values such as the mixing ratio (containing ratio), physical properties, and parameters used in the following description are described in the above ``Specific Contents for Carrying out the Invention'', and the corresponding mixing ratio (containing Ratio), physical properties, parameters, etc., the upper limit (a value defined as ``below'' or ``less than'') or a lower limit (a value defined as ``above'' or ``excess'') can be substituted.

실시예 1Example 1

투명 수지 기재로서, 노르보르넨계 수지 필름 (COP 필름, 두께 40 ㎛, 닛폰 제온사 제조,「제오노아 필름」, 인장 파단 강도 76 ㎫) 을 준비하였다.As a transparent resin base material, a norbornene resin film (COP film, thickness 40 micrometers, Nippon Xeon company make, "Zeonoa film", tensile breaking strength 76 MPa) was prepared.

자외선 경화성을 갖는 수지 조성물 용액 (우레탄아크릴레이트계 수지 조성물, DIC 사 제조의「유니딕 ELS-888」80 질량% 및「유니딕 RS-605」20 질량% 의 혼합) 100 질량부, 및, 가교 아크릴 입자 (평균 입자경 1.8 ㎛, 소켄 화학사 제조,「MX-180TA」) 0.4 질량부를 혼합하여, 안티 블로킹 조성물 용액을 조제하였다. 투명 수지 기재의 하면에, 안티 블로킹 조성물 용액을 도포하고, 80 ℃ 에서 1 분간 건조시켰다. 그 후, 오존 타입 고압 수은 램프로 자외선을 조사하여, 안티 블로킹 조성물을 경화시켰다. 이로써, 두께 1.0 ㎛ 의 안티 블로킹층을 형성하였다.100 parts by mass of a resin composition solution having ultraviolet curing properties (a urethane acrylate resin composition, a mixture of 80% by mass of “Unidic ELS-888” and 20% by mass of “Unidic RS-605” manufactured by DIC), and crosslinking 0.4 parts by mass of acrylic particles (average particle diameter of 1.8 µm, manufactured by Soken Chemical Corporation, "MX-180TA") were mixed to prepare an anti-blocking composition solution. The anti-blocking composition solution was applied to the lower surface of the transparent resin substrate, and dried at 80°C for 1 minute. Thereafter, ultraviolet rays were irradiated with an ozone type high pressure mercury lamp to cure the anti-blocking composition. As a result, an anti-blocking layer having a thickness of 1.0 µm was formed.

한편, 투명 수지 기재의 상면에, 자외선 경화성을 갖는 하드 코트 조성물 용액 (아크릴계 수지 조성물, 아이카 공업사 제조,「Z-850-6L」) 을 도포하고, 80 ℃ 에서 1 분간 건조시켰다. 그 후, 오존 타입 고압 수은 램프로 자외선을 조사하여, 하드 코트 조성물을 경화시켰다. 이로써, 두께 1.0 ㎛ 의 하드 코트층을 형성하였다.On the other hand, on the upper surface of the transparent resin substrate, a hard coat composition solution (acrylic resin composition, manufactured by Ica Industrial Co., Ltd., "Z-850-6L") was applied and dried at 80°C for 1 minute. After that, ultraviolet rays were irradiated with an ozone type high pressure mercury lamp to cure the hard coat composition. As a result, a hard coat layer having a thickness of 1.0 µm was formed.

이어서, 하드 코트층의 상면에, 자외선 경화성을 갖는 광학 조정 조성물 용액 (산화지르코니아 입자 함유, 아라카와 화학 공업사 제조,「옵스타 KZ6955」) 을 하드 코트층의 상면에 도포하고, 60 ℃ 에서 1 분간 건조시켰다. 그 후, 오존 타입 고압 수은 램프로 자외선을 조사하여, 광학 조정 조성물을 경화시켰다. 이로써, 두께 25 ㎚, 굴절률 1.68 의 광학 조정층을 형성하였다.Next, on the upper surface of the hard coat layer, a solution of an optical adjustment composition having ultraviolet curing properties (containing zirconia particles, manufactured by Arakawa Chemical Industries, "Opstar KZ6955") was applied to the upper surface of the hard coat layer, and dried at 60°C for 1 minute. Made it. Then, ultraviolet rays were irradiated with an ozone type high pressure mercury lamp, and the optical adjustment composition was cured. Thereby, an optical adjustment layer having a thickness of 25 nm and a refractive index of 1.68 was formed.

이어서, 자외선 경화성을 갖는 밀착 조성물로서, 나노 실리카 입자 (평균 일차 입자경 10 ㎚) 60 질량부, 아크릴계 수지 40 질량부, 및, 용매 (PGME) 를 함유하는 조성물 용액 (아라카와 화학 공업사 제조의「옵스타 Z7549」) 을 준비하였다. 광학 조정층의 상면에, 밀착 조성물 용액을 도포하고, 60 ℃ 에서 1 분간 건조시켰다. 그 후, 오존 타입 고압 수은 램프로 자외선을 조사하여, 밀착 조성물을 경화시켰다. 이로써, 두께 40 ㎚ 의 밀착층을 형성하였다.Subsequently, as an adhesive composition having ultraviolet curing properties, a composition solution containing 60 parts by mass of nano silica particles (average primary particle diameter of 10 nm), 40 parts by mass of acrylic resin, and a solvent (PGME) ("Opstar" manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd. Z7549") was prepared. The adhesive composition solution was applied to the upper surface of the optical adjustment layer, and dried at 60°C for 1 minute. Thereafter, ultraviolet rays were irradiated with an ozone type high pressure mercury lamp to cure the adhesive composition. Thereby, an adhesion layer having a thickness of 40 nm was formed.

이어서, 밀착층의 상면에, DC 스퍼터링에 의해, 두께가 26 ㎚ 인 비정질의 ITO 층 (투명 도전층) 을 형성하였다. 구체적으로는, 아르곤 가스 98 % 및 산소 가스 2 % 를 도입한 기압 0.4 ㎩ 의 진공 분위기하에서, 80 질량% 의 산화인듐 및 20 질량% 의 산화주석의 소결체로 이루어지는 ITO 타깃을 스퍼터링하였다. 또한, 투명 도전층의 표면 저항치는, 340 Ω/□ 이었다.Next, on the upper surface of the adhesion layer, an amorphous ITO layer (transparent conductive layer) having a thickness of 26 nm was formed by DC sputtering. Specifically, an ITO target composed of a sintered body of 80 mass% indium oxide and 20 mass% tin oxide was sputtered in a vacuum atmosphere at an atmospheric pressure of 0.4 Pa into which 98% of argon gas and 2% of oxygen gas were introduced. In addition, the surface resistance value of the transparent conductive layer was 340 Ω/□.

이로써, 안티 블로킹층/투명 수지 기재/하드 코트층/광학 조정층/밀착층/투명 도전층으로 이루어지는 투명 도전성 필름을 제조하였다.Thereby, a transparent conductive film composed of an anti-blocking layer/transparent resin substrate/hard coat layer/optical adjustment layer/adhesion layer/transparent conductive layer was produced.

실시예 2 Example 2

밀착 조성물의 조성을 표 1 에 기재된 조성으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제조하였다.Except having changed the composition of the adhesive composition to the composition shown in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and produced the transparent conductive film.

비교예 1 ∼ 3 Comparative Examples 1 to 3

밀착 조성물의 조성을 표 1 에 기재된 조성으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제조하였다.Except having changed the composition of the adhesive composition to the composition shown in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and produced the transparent conductive film.

비교예 4 Comparative Example 4

밀착층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the adhesion layer was not formed.

비교예 5Comparative Example 5

하드 코트층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전성 필름을 제조하였다.Except having not formed the hard coat layer, it carried out similarly to Example 1, and produced the transparent conductive film.

(밀착층의 원소 비율의 측정) (Measurement of the element ratio of the adhesion layer)

밀착층을 형성한 시점의 중간 필름 (안티 블로킹층/투명 수지 기재/하드 코트층/광학 조정층/밀착층) 의 밀착층 표면에 대해, X 선 광전자 분광법 (ESCA) 에 의해, 표면 원소 분석을 실시하였다.With respect to the surface of the adhesion layer of the intermediate film (anti-blocking layer/transparent resin substrate/hard coat layer/optical adjustment layer/adhesion layer) at the time of forming the adhesion layer, surface element analysis was performed by X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA). Implemented.

구체적으로는, 중간 필름의 밀착층에, Ar 이온 에칭에 의한 클리닝 (SiO2 환산 약 : 1 ㎚) 을 실시한 후, 와이드 스캔에 의해 측정함으로써, 정성 분석을 실시하였다. 이어서, C, N, O, Si 원소에 대해 네로 스캔 측정을 실시하고, 원소 비율 (atomic%) 을 산출하였다. 측정 조건은, 하기와 같이 하였다.Specifically, after performing cleaning by Ar ion etching (about 1 nm in terms of SiO 2 ) on the adhesion layer of the intermediate film, qualitative analysis was performed by measuring by wide scan. Next, Nero scan measurement was performed for C, N, O, and Si elements, and the element ratio (atomic%) was calculated. Measurement conditions were carried out as follows.

장치 : ULVAC-PHI 사 제조,「Quantum 2000」 Device: manufactured by ULVAC-PHI, 「Quantum 2000」

X 선원 : 모노크롬 Al Kα X-ray source: Monochrome Al Kα

X 선 설정 : 100 ㎛φ (15 ㎸, 25 W) X-ray setting: 100 ㎛φ (15 ㎸, 25 W)

광전자 취출각 : 45 도 Photoelectron extraction angle: 45 degrees

중화 조건 : 중화총과 Ar 이온총 (중화 모드) 의 병용 Neutralization condition: Combination of neutralization gun and Ar ion gun (neutralization mode)

Ar 이온총의 가속 전압 : 1 ㎸ Acceleration voltage of Ar ion gun: 1 kV

Ar 이온총의 래스터 사이즈 : 2 ㎜ × 2 ㎜Raster size of Ar ion gun: 2 ㎜ × 2 ㎜

Ar 이온총의 에칭 속도 : SiO2 환산으로 약 2 ㎚/분Ar ion gun etching rate: about 2 nm/min in terms of SiO 2

C 원소 및 Si 원소의 함유 비율 (atomic%), 이들의 비를 표 1 에 나타낸다.Table 1 shows the content ratio (atomic%) of the C element and the Si element, and their ratio.

(내찰상성) (Scratch resistance)

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전성 필름의 투명 도전층 표면에, 산업용 와이퍼 (CONTEC 사 제조,「Anticon, Gold Sorb」) 를, φ11 ㎜ 의 범위에서 400 g 의 하중이 되도록 가압하여 길이 10 ㎝ 사이를 20 회 슬라이딩시켰다. 그 후, 슬라이딩 방향과 직교하는 직교 방향을 측정하도록, 4 탐침식 프로브를 투명 도전층에 배치하고, 슬라이딩 후의 투명 도전성 필름의 표면 저항치 R20 을 측정하였다. 또, 슬라이딩 전의 당해 장소의 표면 저항치를 R0 으로 하였다.An industrial wiper (manufactured by CONTEC, ``Anticon, Gold Sorb'') was applied to the surface of the transparent conductive layer of the transparent conductive film of each Example and Comparative Example to a load of 400 g in the range of φ 11 mm, and the length was 10 cm. Was slid 20 times. Thereafter, in order to measure the direction orthogonal to the sliding direction, a four-probe type probe was placed on the transparent conductive layer, and the surface resistance R 20 of the transparent conductive film after sliding was measured. In addition, and the surface resistance value of that place before sliding to R 0.

표면 저항치의 변화율 R20/R0 이, 1.20 미만인 경우를 ○ 로 평가하고, 1.20 이상인 경우를 × 로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The case where the rate of change R 20 /R 0 of the surface resistance value was less than 1.20 was evaluated as ?, and the case was 1.20 or more was evaluated as x. Table 1 shows the results.

(패터닝 특성) (Patterning characteristics)

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전성 필름의 투명 도전층 표면에, 1 ㎝ 의 간격으로 시판되는 점착 테이프 (폭 1 ㎝) 를 스트라이프상으로 첩착 (貼着) 시키고, 50 ℃ 의 10 wt% 염산을 사용하여, 투명 도전층 (ITO 층) 을 에칭하였다. 이어서, 점착 테이프를 투명 도전층으로부터 박리하여, 그 노출된 투명 도전층 (패턴부) 의 표면을 현미경 (배율 : 20 배) 으로 관찰하였다.On the surface of the transparent conductive layer of the transparent conductive film of each Example and each comparative example, a commercially available adhesive tape (1 cm in width) at intervals of 1 cm was adhered in a stripe shape, and 10 wt% hydrochloric acid at 50°C was Using, the transparent conductive layer (ITO layer) was etched. Then, the adhesive tape was peeled from the transparent conductive layer, and the surface of the exposed transparent conductive layer (pattern part) was observed under a microscope (magnification: 20 times).

투명 도전층의 표면에 있어서 크랙의 발생이 확인되지 않은 경우를 ○ 로 평가하고, 크랙의 발생이 확인된 경우를 × 로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The case where the occurrence of cracks was not confirmed on the surface of the transparent conductive layer was evaluated as ◯, and the case where the occurrence of cracks was confirmed was evaluated as ×. Table 1 shows the results.

(외관) (Exterior)

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전성 필름을 육안으로 관찰하였다.The transparent conductive films of each Example and each Comparative Example were observed visually.

투명 도전성 필름에 있어서, 제조시에 의한 흠집이 확인되지 않은 경우를 ○로 평가하고, 흠집이 확인된 경우를 × 로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.In the transparent electroconductive film, the case where a flaw at the time of manufacture was not confirmed was evaluated as ○, and the case where a flaw was confirmed was evaluated as x. Table 1 shows the results.

(내굴곡성) (Flexibility resistance)

투명 도전성 필름을 폭 50 ㎜ × 길이 100 ㎜ 로 절단하고, 안티 블로킹층이 내측이 되도록 둘로 접고, 필름의 길이 방향 양단부를 점착 테이프로 첩합 (貼合) 시켜, 샘플 (10) 로 하였다.The transparent conductive film was cut into a width of 50 mm x a length of 100 mm, folded in two so that the anti-blocking layer was inside, and both ends in the longitudinal direction of the film were bonded together with an adhesive tape to obtain a sample 10.

샘플 (10) 의 상면 (폭 50 ㎜ × 길이 50 ㎜) 에, 원반상 추 (11) (직경 50 ㎜, 무게 500 g) 를 10 초간 정치 (靜置) 한 후, 샘플 (10) 의 절곡부 (12) 를 관찰하였다 (도 3 참조).On the upper surface of the sample 10 (50 mm in width x 50 mm in length), the disc-shaped weight 11 (diameter 50 mm, weight 500 g) was allowed to stand for 10 seconds, and then the bent portion of the sample 10 (12) was observed (see Fig. 3).

절곡부에 파단이 발생하지 않은 경우를 ○ 로 평가하고, 절곡부에 파단이 발생하여, 필름이 분열된 경우를 × 로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The case where no fracture occurred in the bent portion was evaluated as ?, and the case where the fracture occurred in the bent portion and the film was broken was evaluated as x. Table 1 shows the results.

Figure pct00001
Figure pct00001

또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당사자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.In addition, although the said invention was provided as an exemplary embodiment of this invention, this is only a mere illustration and should not be interpreted limitedly. Modification examples of the present invention that are evident by a person in the art are included in the later claims.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 투명 도전성 필름은, 각종의 공업 제품에 적용할 수 있고, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등에 바람직하게 사용된다.The transparent conductive film of the present invention can be applied to various industrial products, and is preferably used, for example, as a substrate for a touch panel provided in an image display device.

1 : 투명 도전성 필름
3 : 투명 수지 기재
4 : 하드 코트층
5 : 광학 조정층
6 : 밀착층
7 : 투명 도전층
1: transparent conductive film
3: transparent resin substrate
4: hard coat layer
5: optical adjustment layer
6: adhesion layer
7: transparent conductive layer

Claims (4)

투명 수지 기재와, 하드 코트층과, 광학 조정층과, 밀착층과, 투명 도전층을 이 순으로 구비하고,
상기 밀착층은, 나노 실리카 입자를 함유하는 수지층이고,
상기 밀착층의 상기 투명 도전층 측의 표면에 있어서, 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비가, 0.50 이상인 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
A transparent resin substrate, a hard coat layer, an optical adjustment layer, an adhesion layer, and a transparent conductive layer are provided in this order,
The adhesion layer is a resin layer containing nano silica particles,
A transparent conductive film, characterized in that the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 0.50 or more on the surface of the adhesion layer on the side of the transparent conductive layer.
제 1 항에 있어서,
상기 탄소 원자수에 대한 규소 원자수의 비가, 1.00 이상인 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
The method of claim 1,
The transparent conductive film, wherein the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms is 1.00 or more.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 밀착층의 두께가, 10 ㎚ 이상, 100 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
The method according to claim 1 or 2,
The transparent conductive film, characterized in that the thickness of the adhesion layer is 10 nm or more and 100 nm or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 투명 수지 기재가, 시클로올레핀 폴리머 필름인 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
The method according to claim 1 or 2,
The transparent conductive film, wherein the transparent resin substrate is a cycloolefin polymer film.
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