KR20200094415A - Ultrasonic sensor - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910011131 Li2B4O7 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015667 MoO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 210000002615 epidermis Anatomy 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
- G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
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Abstract
Description
본 발명은 초음파 센서에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상이한 압전 소재로 형성된 각각의 압전성 기둥부의 신호 간섭이 최소화된 초음파 센서에 관한 것이다.The present invention relates to an ultrasonic sensor, and more particularly, to an ultrasonic sensor in which signal interference of each piezoelectric pillar formed of different piezoelectric materials is minimized.
지문 센서는 사람의 지문을 감지하는 센서로서, 기존에 널리 적용되던 도어락 등의 장치는 물론, 최근에는 전자 기기 전원의 온/오프 또는 슬립(sleep) 모드의 해제 여부를 결정하는 데에도 널리 이용되고 있다. The fingerprint sensor is a sensor that detects a human fingerprint, and is widely used to determine whether to turn on/off or sleep mode of electronic devices power, as well as devices such as door locks that have been widely applied in the past. have.
지문 센서는 그 동작 원리에 따라 광학 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식 등으로 구분할 수 있다. 구체적으로, 광학 방식은 가시광선에 반사된 지문 영상을 획득하는 방식이고, 정전용량 방식은 전기 용량의 차이를 이용하여 지문 영상을 획득하는 방식이다. 이때, 광학 방식 및 정전용량 방식은 지문의 표피층만을 감지하는 것으로서, 손가락의 오염에 의해 생성된 오류에 취약한 단점이 있다. The fingerprint sensor can be classified into an optical method, a capacitive method, and an ultrasonic method according to its operating principle. Specifically, the optical method is a method of acquiring a fingerprint image reflected by visible light, and the capacitive method is a method of acquiring a fingerprint image by using a difference in electric capacity. At this time, the optical method and the capacitive method detect only the epidermal layer of the fingerprint, which is vulnerable to errors generated by contamination of the finger.
최근에는 이러한 광학 방식 및 정전용량 방식의 오류를 방지하기 위하여 초음파 방식이 많이 이용되고 있다. 초음파 방식 센서는 압전물질을 이용한 전자장치로서, 복수의 압전 센서에서 방출되는 일정 주파수의 초음파 신호가 지문의 골(valley)과 마루(ridge)에서 반사되는 경우 각각의 골과 마루에서의 음향 임피던스(Acoustic Impedance) 차이를 초음파 발생원인 해당 복수의 압전 센서를 이용해 측정하여 지문을 감지하는 것이다. 이러한 초음파 방식은 진피층을 감지함으로써, 손가락의 오염에 의해 오류가 생성되는 것을 방지할 수 있다. Recently, an ultrasonic method has been widely used to prevent errors in the optical method and the capacitive method. The ultrasonic sensor is an electronic device using a piezoelectric material, and when ultrasonic signals of a certain frequency emitted from a plurality of piezoelectric sensors are reflected from the valleys and ridges of a fingerprint, the acoustic impedances of each valley and the floor ( Acoustic Impedance) The difference is measured using a plurality of piezoelectric sensors, which are ultrasonic sources, to detect fingerprints. By detecting the dermal layer, such an ultrasonic method can prevent an error from being generated by contamination of a finger.
압전물질을 이용한 전자장치는, 압전물질로 구성되는 압전성 기둥부의 상, 하면에 마련되는 전극에 전압을 인가하여 압전성 기둥부를 상하로 진동시켜 신호를 생성하고, 3차원 물체에 반사되어 되돌아오는 신호에 의해 압전성 기둥부가 변형하면서 발생시키는 전위차를 토대로 3차원 물체의 형상 이미지를 측정하는 장치이다.The electronic device using the piezoelectric material generates a signal by vibrating the piezoelectric pillar part up and down by applying a voltage to the electrodes provided on the upper and lower surfaces of the piezoelectric pillar part made of the piezoelectric material, and reflecting the signal back to the 3D object. This is a device that measures the shape image of a three-dimensional object based on the potential difference generated by deformation of the piezoelectric pillar portion.
압전성 기둥부는 일반적으로 횡방향을 포함하는 모든 방향으로 초음파를 송수신하게 되는데, 압전성 기둥부의 측면에서 발사된 초음파는 인접한 압전성 기둥부에 의해 직접 검출되어 인접한 압전성 기둥부의 노이즈로 작용하게 된다. 이러한 노이즈를 제거하기 위해서는 압전성 기둥부를 감싸는 주변부의 특성이 중요하다. 다시 말해, 압전성 기둥부를 감싸는 주변부는 압전성 기둥부의 측면으로부터 전파되는 음파를 감쇠시킴으로써 노이즈를 효과적으로 제거하여야만 한다. 이에 압전성 기둥부를 감싸는 주변부는 합성수지, 고분자 재료(폴리머), 에폭시 등이 제안되었지만, 이러한 재질들은 압전성 기둥부를 측면에서 지지하는 기능을 하면서 동시에 인접한 압전성 기둥부의 측면으로부터 전파되는 음파(특히, 초음파)를 감쇠시키는 효율을 높이는데에는 한계가 있다.The piezoelectric pillar portion generally transmits and receives ultrasonic waves in all directions including the transverse direction, and the ultrasonic waves emitted from the side of the piezoelectric pillar portion are directly detected by the adjacent piezoelectric pillar portion and act as noise of the adjacent piezoelectric pillar portion. In order to remove such noise, the characteristics of the peripheral portion surrounding the piezoelectric pillar portion are important. In other words, the peripheral portion surrounding the piezoelectric pillar portion must effectively remove noise by attenuating sound waves propagating from the side surfaces of the piezoelectric pillar portion. Accordingly, synthetic resins, polymer materials (polymers), and epoxy have been proposed for the peripheral portion surrounding the piezoelectric pillars, but these materials function to support the piezoelectric pillars on the side while simultaneously transmitting sound waves (especially ultrasonic waves) propagating from the sides of the adjacent piezoelectric pillars. There is a limit to increasing the damping efficiency.
한편, 압전성 기둥부는 어떤 종류의 압전 소재로 형성되느냐에 따라 다른 특징을 가진다. 예를 들어, 압전성 기둥부는 우수한 송신 특성을 갖는 다결정 세라믹스의 압전 소재를 사용함으로써 송신의 효율성을 높일 수 있고, 우수한 수신 특성을 갖는 고분자 재료의 압전 소재를 사용함으로써 수신의 효율성을 높일 수 있다.Meanwhile, the piezoelectric pillar portion has different characteristics depending on what kind of piezoelectric material is formed. For example, the piezoelectric pillar portion can increase the efficiency of transmission by using a piezoelectric material of polycrystalline ceramics having excellent transmission characteristics, and can increase the efficiency of reception by using a piezoelectric material of polymer material having excellent reception characteristics.
종래에는, 이종의 압전 소재를 이용함으로써 각각의 압전 소재가 갖는 특성을 모두 활용하는 초음파 장치가 개발되어 있으며, 이러한 초음파 장치에 관한 특허로는 일본공개특허 제2010-136807호(이하, 종래기술'이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.Conventionally, ultrasonic devices have been developed that utilize all of the characteristics of each piezoelectric material by using different types of piezoelectric materials, and Japanese Patent Publication No. 2010-136807 (hereinafter referred to as the prior art) is a patent for such ultrasonic devices. This is known).
종래기술의 초음파 장치는 무기 압전 재료(다결정 세라믹스의 압전 소재)로 이루어진 무기 압전 소자(제1 압전 소자)와 유기 압전 재료(고분자 재료의 압전 소재)로 이루어진 유기 압전 소자(제2 압전 소자)를 포함한다. 따라서, 종래기술의 초음파 장치는 제1 압전 소자를 통해 우수한 송신 특성을 가지는 동시에 제2 압전 소자를 통해 우수한 수신 특성 또한 가지고 있다.The prior art ultrasonic device comprises an inorganic piezoelectric element (a first piezoelectric element) made of an inorganic piezoelectric material (a piezoelectric material of polycrystalline ceramics) and an organic piezoelectric element (a second piezoelectric element) made of an organic piezoelectric material (a piezoelectric material of a high molecular material). Includes. Therefore, the ultrasonic device of the prior art has excellent transmission characteristics through the first piezoelectric element and also excellent reception characteristics through the second piezoelectric element.
그러나, 이러한 종래기술은 제1 압전 소자와 제2 압전 소자가 수직 방향으로 나란히 구비되는 것으로서, 초음파의 송신 및 수신 시 적층되어 있는 제1 압전 소자와 제2 압전 소자를 신호가 모두 지나게 되므로, 각각의 압전 소자가 송신 및 수신받는 신호의 간섭이 생기는 단점이 있다.However, in this prior art, since the first piezoelectric element and the second piezoelectric element are provided side by side in the vertical direction, the signals pass through the stacked first piezoelectric element and the second piezoelectric element when transmitting and receiving ultrasonic waves, respectively. There is a disadvantage in that interference of signals transmitted and received by the piezoelectric element is generated.
이에 본 발명은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 상이한 압전 소재로 형성된 각각의 압전성 기둥부를 수평적으로 나란히 배열하여 각각의 압전성 기둥부의 신호 간섭이 최소화된 초음파 센서를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention is proposed to solve the problems of the prior art, and to provide an ultrasonic sensor in which signal interference of each piezoelectric pillar portion is minimized by horizontally arranging each piezoelectric pillar portion formed of a different piezoelectric material.
또한, 인접한 압전성 기둥부의 측면에 발생한 초음파는 양극산화막의 기공 내의 공기 기둥들에 의해 효과적으로 감쇠되므로 감도가 향상된 초음파 센서를 제공하는 것이다.In addition, since ultrasonic waves generated on the side surfaces of adjacent piezoelectric pillars are effectively attenuated by air pillars in the pores of the anodized film, an ultrasonic sensor with improved sensitivity is provided.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 초음파 센서는, 지지체; 및 상기 지지체의 내부를 관통하여 형성되며 압전물질로 제공되는 압전성 기둥부을 포함하고, 상기 압전성 기둥부는, 제1 압전성 기둥부; 및 상기 제1 압전성 기둥부와 상이한 압전 소재로 형성되는 제2 압전성 기둥부를 포함하며, 상기 제1 압전성 기둥부 및 상기 제2 압전성 기둥부는 수평적으로 나란히 배열되는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.To achieve the object of the present invention, the ultrasonic sensor according to the present invention, a support; And a piezoelectric pillar portion formed through the inside of the support and provided as a piezoelectric material, wherein the piezoelectric pillar portion includes: a first piezoelectric pillar portion; And a second piezoelectric pillar portion formed of a piezoelectric material different from the first piezoelectric pillar portion, wherein the first piezoelectric pillar portion and the second piezoelectric pillar portion are ultrasonic sensors arranged horizontally and side by side.
또한, 상기 지지체는 모재인 금속을 양극 산화하여 형성되고, 양극 산화 시 형성되는 규칙적인 배열을 갖는 복수개의 기공을 포함하는 양극 산화막으로 제공되는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, the support is characterized in that it is an ultrasonic sensor provided by anodizing an oxide film including a plurality of pores formed by anodizing a base metal, and having a regular arrangement formed during anodizing.
또한, 상기 제1 압전성 기둥부와 상기 제2 압전성 기둥부는 각각 기 설정된 거리를 두고 복수개 제공되고, 상기 제1 압전성 기둥부의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선과 상기 제2 압전성 기둥부의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선이 서로 겹치지 않고, 상기 제1 압전성 기둥부의 상면을 Y축 방향으로 연결하는 선과 상기 제2 압전성 기둥부의 상면을 Y축 방향으로 연결하는 선이 서로 겹치지 않는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, a plurality of the first piezoelectric pillar portion and the second piezoelectric pillar portion are provided at a predetermined distance, respectively, and a line connecting the upper surface of the first piezoelectric pillar portion in the X-axis direction and an upper surface of the second piezoelectric pillar portion X-axis It is characterized in that the lines connecting in the directions do not overlap with each other, and the line connecting the upper surface of the first piezoelectric pillar portion in the Y-axis direction and the line connecting the upper surface of the second piezoelectric pillar portion in the Y-axis direction do not overlap each other. do.
또한, 상기 제1 압전성 기둥부는 PZT계, PT계, PZT-Complex Perovskite계 또는 BaTiO3를 포함하는 다결정 세라믹스의 압전 소재로 제공되고, 상기 제2 압전성 기둥부는 PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFE) 또는 TGS를 포함하는 고분자 재료의 압전 소재로 제공되는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, the first piezoelectric pillar portion is provided as a piezoelectric material of polycrystalline ceramics including PZT-based, PT-based, PZT-Complex Perovskite-based or BaTiO 3 , and the second piezoelectric pillar is PVDF, P(VDF-TrFe), P (VDFTeFE) or an ultrasonic sensor provided as a piezoelectric material of a polymer material including TGS.
또한, 상기 지지체의 내부를 관통하여 형성되는 도전성 기둥부가 구비되는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the ultrasonic sensor is provided with a conductive pillar formed through the interior of the support.
또한, 상기 지지체의 상부에 X축을 따라 상기 제1 압전성 기둥부를 연결하는 제1 상부 전극; 및 상기 지지체의 상부에 X축을 따라 상기 제2 압전성 기둥부를 연결하는 제2 상부 전극을 더 포함하고, 상기 제1 상부 전극 및 상기 제2 상부 전극은 각각 적어도 하나 이상의 상기 도전성 기둥부와 연결되는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, a first upper electrode connecting the first piezoelectric pillars along the X-axis to the upper portion of the support; And a second upper electrode connecting the second piezoelectric pillar part along the X axis to the upper portion of the support, wherein the first upper electrode and the second upper electrode are respectively connected to at least one conductive pillar portion. It is characterized by being a sensor.
또한, 상기 지지체의 하부에 Y축을 따라 상기 제1 압전성 기둥부를 연결하는 제1 하부 전극; 상기 지지체의 하부에 Y축을 따라 상기 제2 압전성 기둥부를 연결하는 제2 하부 전극; 및 상기 지지체의 하부에 X축을 따라 상기 도전성 기둥부 각각에 구비되는 제3 하부 전극을 더 포함하는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, a first lower electrode connecting the first piezoelectric pillar portion along the Y-axis to the lower portion of the support; A second lower electrode connecting the second piezoelectric pillar to the lower portion of the support along the Y axis; And a third lower electrode provided on each of the conductive pillars along the X-axis at the lower portion of the support.
또한, 상기 제1 압전성 기둥부가 평면 상에 사각형을 이루도록 배열되고, 상기 제1 압전성 기둥부가 이루는 사각형의 중심점에 상기 제2 압전성 기둥부가 배열되는 초음파 센서인 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the first piezoelectric pillar portion is arranged to form a square on a plane, and the second piezoelectric pillar portion is arranged at a central point of a square formed by the first piezoelectric pillar portion.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 초음파 센서는, 상이한 압전 소재로 형성된 각각의 압전성 기둥부를 수평적으로 나란히 배열하여 각각의 압전성 기둥부의 신호 간섭을 최소화할 수 있다.As described above, the ultrasonic sensor according to the present invention can minimize the signal interference of each piezoelectric pillar portion by horizontally arranging each of the piezoelectric pillar portions formed of different piezoelectric materials.
또한, 인접한 압전성 기둥부의 측면에 발생한 초음파는 양극산화막의 기공 내의 공기 기둥들에 의해 효과적으로 감쇠되므로 초음파 생체인식 센서로서의 감도가 향상된다.In addition, since ultrasonic waves generated on the side surfaces of adjacent piezoelectric pillar portions are effectively attenuated by air pillars in the pores of the anodized film, sensitivity as an ultrasonic biometric sensor is improved.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초음파 센서의 사시도.
도 2는 도 1의 상면도.
도 3은 도 1의 하면도.
도 4는 도 2의 A-A' 단면도.
도 5는 도 2의 B-B' 단면도.1 is a perspective view of an ultrasonic sensor according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is a top view of Figure 1;
Figure 3 is a bottom view of Figure 1;
4 is a cross-sectional view taken along line AA' in FIG. 2;
5 is a cross-sectional view taken along line BB' in FIG. 2;
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following is merely illustrative of the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can implement various principles included in the concept and scope of the invention and implement the principles of the invention, although not explicitly described or illustrated in the specification. In addition, all conditional terms and examples listed in this specification are intended to be understood in principle only for the purpose of understanding the concept of the invention, and should be understood as not limited to the specifically listed examples and states. .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in connection with the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the invention pertains can easily implement the technical spirit of the invention. .
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초음파 센서의 사시도이고, 도 2는 도 1의 상면도이며, 도 3은 도 1의 하면도이고, 도 4는 도 2의 A-A' 단면도이며, 도 5는 도 2의 B-B' 단면도이다.1 is a perspective view of an ultrasonic sensor according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a top view of FIG. 1, FIG. 3 is a bottom view of FIG. 1, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along AA' of FIG. 2, and FIG. 5 2 is a cross-sectional view taken along line BB' in FIG. 2.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 초음파 센서(1)는 초음파 신호를 송신 및 수신하는 것으로서, 지지체(10)와, 압전성 기둥부(20)와, 지지체(10)의 상부 및 하부에 제공되는 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)을 포함한다. 1 to 5, the
지지체(10)는 압전성 기둥부(20)와 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)을 지지하는 것으로서, 양극 산화막으로 제공될 수 있다. 구체적으로, 지지체(10)가 양극 산화막으로 제공될 경우, 지지체(10)는 복수개의 기공(110)을 포함한다. 이때, 양극 산화막은 모재인 금속을 양극 산화하여 형성된 막을 의미하며, 양극 산화막은 양극 산화 시 규칙적인 배열을 갖는 구멍인 복수개의 기공(110)을 형성한다.The
모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극 산화하면 모재의 표면에 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극 산화막이 형성된다. 이와 같이 형성된 양극 산화막은 내부에 기공(110)이 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 기공(110)이 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층은 모재의 상부에 위치하고, 다공층은 배리어층의 상부에 위치한다.When the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base material is anodized, an anodized film made of anodized aluminum (Al2O3) is formed on the surface of the base material. The anodized film thus formed is divided into a barrier layer in which
배리어층과 다공층을 갖는 양극 산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극 산화막만이 남게 된다. 이 경우 배리어층을 제거하면, 양극산화막은 전체적으로 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질이면서 박판 형태를 이루고, 지름이 균일하고 수직한 형태로 상, 하로 관통 형성되면서 규칙적인 배열을 갖는 기공(110)을 갖게 된다. 이와 같이 배리어층까지 제거된 양극산화물을 지지체(10)로 이용할 수 있다.When the base material is removed from the base material on which the anodized film having the barrier layer and the porous layer is removed, only the anodized film made of anodized aluminum (Al2O3) material remains. In this case, when the barrier layer is removed, the anodized film is entirely anodized aluminum (Al2O3) and has a thin plate shape, and the
각각의 기공(110)은 지지체(10) 내에서 서로 독립적으로 존재하게 된다. 다시 말해, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질로 구성되는 지지체(10)에는 그 내부 폭이 수 nm 내지 수 백 nm의 크기를 갖는 수 많은 기공(110)이 지지체(10)를 상, 하로 관통하도록 형성된다.Each
그러나, 본 발명의 지지체(10)는 위와 같이 상, 하가 관통된 기공(110)을 포함하는 양극 산화막으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 지지체(10)는 배리어층을 제거하지 않아 기공(110)의 일단부가 폐쇄된 형태로 구비될 수 있다.However, the
지지체(10)에는 금속 모재를 양극 산화하면서 자연 발생적으로 형성되는 기공(110) 이외에 관통홀(120)이 추가로 형성된다. 관통홀(120)은 지지체(10)를 상, 하로 관통하는 구성이다.In the
관통홀(120)은 지지체(10)를 에칭하여 형성된다. 지지체(10)를 부분적으로 마스킹하고, 마스킹되지 않은 영역만을 에칭하여 관통홀(120)을 형성한다. 지지체(10)는 에칭을 통해 기공(110) 보다 큰 내부 폭을 가지는 관통홀(120)을 용이하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 에칭 용액이 지지체(10)와 반응하면서 관통홀(120)이 지지체(10)를 상, 하로 수직하게 관통하는 형상을 갖게 된다. 이처럼 기공(110) 및 관통홀(120)은 모두 지지체(10) 내에서 수직 방향으로 나란히 형성된다.The through
관통홀(120)의 내부에는 압전 소재가 충전된다. 압전 소재는 후술할 전극(30, 40)으로부터 전압을 인가받아 초음파 신호를 생성하는 물질이다. 구체적으로, 압전 소재는 기계적인 힘을 전기적인 신호로 변환하거나 또는 전기적인 신호를 기계적인 힘으로 변환하는 역할을 하는 물질이다. A piezoelectric material is filled in the through
관통홀(120) 내부에 압전 소재가 충전되고 난 다음에는 압전 소재를 급속 열처리하여 압전 소재를 소결함으로써 압전성 기둥부(20)를 형성하게 된다. 압전 소재를 급속 열처리함으로써 관통홀(120) 내부에 충전된 압전 소재가 관통홀(120) 내부에 충전된 형상을 그대로 유지하면서 소결된다. 급속 열처리의 조건은 850℃에서 1000℃ 구간에서 1분 이상 20분 이내의 조건이다.After the piezoelectric material is filled in the through-
압전성 기둥부(20)는 지지체(10)의 내부를 관통하여 형성되는 것으로서, 압전물질이 충전되어 제공된다. 구체적으로, 압전성 기둥부(20)는 지지체(10)의 관통홀(120)에 형성될 수 있으며, 서로 상이한 압전 물질로 형성되는 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 단결정 세라믹스, 다결정 세라믹스, 고분자 재료, 박막 재료 또는 다결정 재료와 고분자 재료를 복합한 복합 재료의 압전 소재로 형성될 수 있다. 구체적으로, 단결정 세라믹스의 압전 소재는 좁은 공진 주파수 대역을 갖는 것으로서, α-AlPO4(Berlnite), α-SiO2(Quartz), LiTaO3, LiNbO3, SrxBayNb2O8, Pb5-Ge3O11, Tb2(MoO4)3, Li2B4O7, CdS, ZnO, Bi12SiO20, Bi12GeO20 등을 포함할 수 있다. 다결정 세라믹스의 압전 소재는 우수한 송신 특성 및 저렴한 가격을 갖는 것으로서, PZT계, PT계, PZT-Complex Perovskite계, BaTiO3 등을 포함할 수 있다. 고분자 재료의 압전 소재는 기본파의 주파수에 대한 약 4~5배 정도의 주파수의 초음파를 수신하도록 우수한 수신 특성을 갖는 것으로서, PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFE), TGS 등을 포함할 수 있다. 박막 재료의 압전 소재는 탄성표면파 필터와 GHz 대역 FBAR Bandpass Filter 재료 등에 응용되는 것으로서, ZnO, CdS, AlN 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는, 제1 압전성 기둥부(210)가 우수한 송신 특성을 갖는 다결정 세라믹스의 압전 소재로 형성되고, 제2 압전성 기둥부(220)가 우수한 수신 특성은 갖는 고분자 재료의 압전 소재로 형성되는 것을 예로 설명하겠으나, 본 발명의 사상은 이에 한정되지 않는다.The
제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 수평적으로 나란히 배열된다. 이때, 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 각각 기 설정된 거리를 두고 X축 방향 및 Y축 방향으로 복수개 제공되고, 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 서로 겹치지 않는 위치에 배열된다. 구체적으로, 제1 압전성 기둥부(210)의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선과 제2 압전성 기둥부(220)의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선이 서로 겹치지 않고, 제1 압전성 기둥부(210)의 상면을 Y축 방향으로 연결하는 선과 제2 압전성 기둥부(220)의 상면을 Y축 방향으로 연결하는 선이 겹치지 않는다. The first
예를 들어, 제1 압전성 기둥부(210)는 X축 방향으로 3개가 배열되고, Y축 방향으로 4개가 배열될 수 있다. 즉, 하나의 지지체(10)에 12개의 제1 압전성 기둥부(210)가 배열될 수 있다. 또한, 제2 압전성 기둥부(220)는 제1 압전성 기둥부(210)와 같은 배열로 제공될 수 있다. 즉, 하나의 지지체(10)에 각각 12개의 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)가 서로 겹치지 않는 위치에 배열될 수 있다.For example, three first
제2 압전성 기둥부(220)는 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 배열된 제1 압전성 기둥부(210)의 사이 사이에 배열될 수 있다. 구체적으로, 도 1 내지 도 3을 참조하면, Y축 방향을 기준으로 첫번째 줄에 제1 압전성 기둥부(210)가 복수개 배열되고, 두번째 줄에 제2 압전성 기둥부(220)가 배열된다. 세번째 줄부터는 위의 배열이 반복된다. 또한, X축 방향을 기준으로 첫번째 줄에 제1 압전성 기둥부(210)가 복수개 배열되고, 두번째 줄에 제2 압전성 기둥부(220)가 배열되며, 세번째 줄부터는 위의 배열이 반복된다. 따라서, 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 X축 방향 및 Y축 방향을 기준으로 교대로 배열될 수 있다. The second
제1 압전성 기둥부(210)가 평면 상에 사각형을 이루도록 배열될 때, 사각형을 이루는 제1 압전성 기둥부(210)의 사이에는 적어도 하나의 제2 압전성 기둥부(220)가 배열될 수 있다. 구체적으로, 사각형을 이루는 제1 압전성 기둥부(210)의 중심점에 제2 압전성 기둥부(430)가 배열될 수 있다. 이에 따라, 제2 압전성 기둥부(220)는 1개의 제2 압전성 기둥부(220)를 둘러싼 4개의 제1 압전성 기둥부(210)로부터 송신된 신호의 평균값을 수신할 수 있다. 즉, 각각의 제1 압전성 기둥부(210)로부터 송신된 신호값의 차이로 인해 발생되는 노이즈를 방지할 수 있다.When the first
초음파 센서(1)는 도전성 기둥부(230)를 더 포함할 수 있다. 도전성 기둥부(230)는 지지체(10)의 내부를 관통하여 형성되는 것으로서, 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)의 일측에 배열될 수 있다. The
구체적으로, 도전성 기둥부(230)는 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220) 및 전극(40, 50)을 전기적으로 연결하는 것으로서, 도전성 물질로 형성된다. 도전성 기둥부(230)는 지지체(10) 상에 복수개 배열되고, 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선 상에 배열될 수 있다. 예를 들어, 도전성 기둥부(230)는 평면 상에서 X축 방향을 기준으로 제1 압전성 기둥부(210)의 좌측에 각각 배열되고, 제2 압전성 기둥부(220)의 우측에 각각 배열될 수 있다. 즉, 도전성 기둥부(230)는 X축 방향으로 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)와 기 설정된 거리를 두고 배열될 수 있다.Specifically, the
압전성 기둥부(20)의 상부 및 하부에는 상부 전극(40) 및 하부 전극(50)이 구비된다. 압전성 기둥부(20)는 지지체(10)를 상, 하로 관통하는 관통홀(120) 내에 충전되어 수많은 기공(110)을 갖는 지지체(10)에 의해 감싸지는 형태의 구성을 가진다. 지지체(10)가 양극 산화막으로 제공될 경우, 지지체(10)는 전기적으로 절연 특성을 가지고 있기 때문에 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)을 위한 별도의 절연층이 필요치 않게 된다.The
상부 전극(30)과 하부 전극(40)은 지지체(10)의 상, 하부에서 서로 교차하는 형태로 형성된다. 또한, 상부 전극(30)과 하부 전극(40)의 사이에 압전 소재가 충전된 압전성 기둥부(20)가 위치한다. 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)은 지지체(10)의 표면에 스퍼터링 공정을 통해 증착되어 형성된다. 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)은 Pt, W, Co, Ni, Au, Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 구성될 수 있다.The
상부 전극(30) 및 하부 전극(40)은 지지체(10)의 상, 하부에 각각 서로 이격된 형태로 나란하게 복수개 배열된다. 이때, 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)의 이격 거리는 복수개의 압전성 기둥부(20)의 이격 거리에 대응된다.The
또한, 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)은 서로 반대되는 극성으로 제공된다. 예를 들어, 상부 전극(30)이 양극으로 제공되면, 하부 전극(40)은 음극으로 제공된다. 또는, 2개의 전극(30, 40) 중 어느 하나를 접지 전극으로 이용할 수 있다.Further, the
상부 전극(30)은 지지체(10)의 상부에 X축을 따라 복수의 제1 압전성 기둥부(210)를 연결하는 제1 상부 전극(310)과, 지지체(10)의 상부에 X축을 따라 복수의 제2 압전성 기둥부(220)를 연결하는 제2 상부 전극(320)을 포함한다. 이때, 각각의 제1 상부 전극(310) 및 제2 상부 전극(320)은 적어도 하나 이상의 도전성 기둥부(230)와 연결될 수 있다. The
구체적으로, 제1 상부 전극(310) 및 제2 상부 전극(320)은 하나의 지지체(10)에 각각 복수개 구비되며, 하나의 제1 상부 전극(310) 및 제2 상부 전극(320)에 각각 하나의 도전성 기둥부(230)가 포함될 수 있다.Specifically, a plurality of first
하부 전극(40)은 지지체(10)의 하부에 Y축을 따라 복수의 제1 압전성 기둥부(210)를 연결하는 제1 하부 전극(410)과, 지지체(10)의 하부에 Y축을 따라 복수의 제2 압전성 기둥부(220)를 연결하는 제2 하부 전극(420)과, 지지체(10)의 하부에 X축을 따라 각각의 도전성 기둥부(230)에 구비되는 제3 하부 전극(430)을 포함한다. 이때, 제3 하부 전극(430)은 하나의 도전성 기둥부(230)에 하나씩 구비될 수 있다.The
별도의 전원장치를 통해 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)에 전압이 인가되면, 압전성 기둥부(20)는 상하로 진동되면서 초음파 신호를 생성하고, 3차원 물체에 반사되어 되돌아오는 초음파 신호에 의해 압전성 기둥부(20)가 변형되면서 발생시키는 전위차를 토대로 3차원 물체의 형상 이미지를 측정하게 된다.When voltage is applied to the
이때, 압전성 기둥부(20)는 횡방향을 포함하는 모든 방향으로 초음파를 생성하게 되는데, 압전성 기둥부(20)의 측면에서 발사된 초음파는 3차원 형상에 의해 반사되지 않고 인접한 압전성 기둥부(20)에 의해 직접 검출되어 노이즈가 발생하게 된다. 하지만, 압전성 기둥부(20)는 지지체(10)를 상, 하로 관통하는 관통홀(120) 내에 충전되어 수많은 기공(110)을 갖는 지지체(10)에 의해 감싸지는 구성에 따르면, 인접한 압전성 기둥부(20)의 측면에 발생한 초음파는 인접하는 수많은 기공(110)들에 의해 감쇠되므로 인접한 압전성 기둥부(20)에 의한 노이즈를 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 즉, 지지체(10)가 수많은 기공(110)을 포함하는 양극 산화막으로 제공됨에 따라, 압전성 기둥부(20)에 의한 노이즈가 효과적으로 제거될 수 있다.At this time, the
이하에서는 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초음파 센서(1)의 작용 및 효과에 대해 설명하겠다.Hereinafter, the operation and effects of the
우선, 초음파 센서(1)는 지지체(10)와, 지지체(10)의 내부를 관통하여 형성되는 압전성 기둥부(20)를 포함한다. 이때, 지지체(10)는 양극 산화막으로 제공될 수 있고, 양극 산화 시 형성되는 복수개의 기공(110)이 구비될 수 있다. First, the
또한, 지지체(10)는 에칭을 통해 관통홀(120)을 형성하며, 관통홀(120)의 내부에는 압전 소재가 충전되어 압전성 기둥부(20)를 형성할 수 있다.In addition, the
압전성 기둥부(20)는 다결정 세라믹스의 압전 소재로 형성되는 제1 압전성 기둥부(210)와, 고분자 재료의 압전 소재로 형성되는 제2 압전성 기둥부(220)와, 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)의 일측 또는 타측에 배열되는 도전성 기둥부(230)를 포함할 수 있다. The
구체적으로, 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)는 기 설정된 거리를 두고 지지체(10)의 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 복수개 배열된다. 이때, 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)는 상면을 X축 방향 및 Y축 방향으로 연결하는 선이 겹치지 않는 위치에 제공될 수 있으며, X축 방향 및 Y축 방향으로 교대로 배열될 수 있다. 바람직하게는, 지지체(10)의 상면 상에 사각형을 이루도록 제1 압전성 기둥부(210)가 배열되고, 사각형을 이루는 제1 압전성 기둥부(210)의 중심점에 하나의 제2 압전성 기둥부(220)가 배열될 수 있다. 이에 따라, 4개의 압전성 기둥부(210)를 통해 송신된 신호의 평균값을 중심점의 제2 압전성 기둥부(220)가 수신할 수 있다.Specifically, a plurality of the first
도전성 기둥부(230)는 제1 압전성 기둥부(210) 및 제2 압전성 기둥부(220)의 좌측 또는 우측에 배열될 수 있다. 예를 들어, 도전성 기둥부(230)는 제1 압전성 기둥부(210)의 좌측 및 제2 압전성 기둥부(220)의 우측에 배열될 수 있다.The
압전성 기둥부(20)의 상부 및 하부에는 각각 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)이 구비된다. 상부 전극(30)과 하부 전극(40)은 서로 교차하는 방향으로 제공되고, 서로 반대되는 극성으로 제공된다. The
상부 전극(30)은 제1 상부 전극(310)과, 제2 상부 전극(320)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 상부 전극(310)은 X축을 따라 복수의 제1 압전성 기둥부(210)를 연결하고, 제2 상부 전극(320)은 X축을 따라 복수의 제2 압전성 기둥부(220)를 연결한다. 이때, 제1 상부 전극(310) 및 제2 상부 전극(320)은 각각 하나 이상의 도전성 기둥부(330)를 포함할 수 있다.The
하부 전극(40)은 제1 하부 전극(410)과, 제2 하부 전극(420) 및 제3 하부 전극(430)을 포함한다. 구체적으로, 제1 하부 전극(410)은 Y축을 따라 복수의 제1 압전성 기둥부(210)를 연결하고, 제2 하부 전극(420)은 Y축을 따라 복수의 제2 압전성 기둥부(220)를 연결하며, 제3 하부 전극(430)은 하나의 도전성 기둥부(230)에 하나씩 구비될 수 있다.The
상부 전극(30) 및 하부 전극(40)에 전압이 인가되면, 상부 전극(30) 및 하부 전극(30, 40)과 연결된 압전성 기둥부(20)는 상하로 진동하면서 초음파 신호를 생성한다. 이때, 압전성 기둥부(20)는 수많은 기공(110)을 갖는 지지체(10)에 의해 감싸지므로, 압전성 기둥부(20)의 측면에서 발생한 초음파는 기공(110)들에 의해 감쇠되어 인접한 압전성 기둥부(20)에 의한 노이즈를 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 즉, 초음파 센서(1)의 신호 감도가 향상되는 효과를 가진다.When a voltage is applied to the
초음파 센서(1)가 지문 센서로 사용될 경우, 압전성 기둥부(20)에 의해 생성된 초음파 신호는 초음파 센서(1)와의 접촉 여부에 따라 손가락으로 전달된다. 구체적으로, 초음파 센서(1)와 직접적으로 접촉되는 지문의 마루에는 압전성 기둥부(20)에서 방출되는 초음파 신호 중 대부분이 전달되고, 초음파 신호의 일부가 초음파 센서(1)로 반사된다. 또한, 초음파 센서(1)와 직접적으로 접촉되지 않고 사이에 공기층이 형성되는 지문의 골에는 압전성 기둥부(20)에서 방출되는 초음파 신호 중 대부분이 초음파 센서(1)로 다시 반사되고, 극히 일부의 초음파 신호만이 지문의 골로 전달된다. 이에 따라, 지문의 형상에 따라 초음파 센서(1)에 다시 반사되는 초음파 신호의 강도가 달라지므로, 초음파 센서(1)는 반사되는 초음파 신호의 강도를 통해 초음파 센서(1)에 접촉되는 지문의 형상을 인식할 수 있다.When the
압전성 기둥부(20)를 통해 초음파 신호가 생성될 때, 각각 다른 종류의 압전 소재로 형성된 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 각각 지문을 향해 수직 방향으로 초음파 신호를 방출할 수 있다. 이때, 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)는 수평적으로 나란히 배열될 수 있다. 즉, 제1 압전성 기둥부(210)를 통해 형성된 초음파 신호와 제2 압전성 기둥부(220)를 통해 형성된 초음파 신호가 서로 겹치지 않고 방출될 수 있다. 다시 말해, 각각의 제1 압전성 기둥부(210)와 제2 압전성 기둥부(220)에서 생성된 초음파 신호는 서로 간섭을 일으키지 않을 수 있다. 즉, 상이한 압전 소재로 형성된 각각의 압전성 기둥부(20)를 수평적으로 나란히 배열하여 압전성 기둥부(20)의 신호 간섭이 최소화될 수 있으며, 상이한 압전 소재를 통해 갖는 각각의 특성을 모두 가질 수 있다. When an ultrasonic signal is generated through the
초음파 센서(1)는 위와 같이 모든 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)에 동시에 전압이 인가될 수 있으나, 본 발명의 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 초음파 센서(1)는 초음파 신호의 송신 및 수신 시 각각의 상부 전극(30) 및 하부 전극(40)을 별도로 제어하여 순차적으로 전압을 인가할 수 있다. 구체적으로, 처음에는 제1 압전성 기둥부(210)를 연결하는 제1 상부 전극(310) 및 제2 하부 전극(410)에만 전압(교류)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 초음파 센서(1)는 송신 특성이 우수한 제1 압전성 기둥부(210)로부터 초음파 신호를 생성하여 방출할 수 있다. As described above, the
제1 압전성 기둥부(210)를 통한 초음파 송신이 완료되면, 제1 상부 전극(310) 및 제2 하부 전극(410)에 전압이 인가되는 것이 중지되고, 제2 압전성 기둥부(220)를 연결하는 제2 상부 전극(320) 및 제2 하부 전극(420)을 통해 초음파 신호가 수신될 수 있다. 이에 따라, 초음파 센서(1)는 수신 특성이 우수한 제2 압전성 기둥부(220)로부터 초음파 신호를 수신할 수 있다. When ultrasonic transmission through the first
이상 본 발명의 실시예에 따른 초음파 센서를 구체적인 실시 형태로서 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것이며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 개시된 실시형태들을 조합, 치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 속함은 명백하다.The ultrasonic sensor according to the embodiment of the present invention has been described above as a specific embodiment, but this is only an example, and the present invention is not limited thereto, and should be interpreted as having the broadest range according to the basic idea disclosed herein. . Those skilled in the art can combine and replace the disclosed embodiments to implement patterns in a shape that is not timely, but this is also within the scope of the present invention. In addition, those skilled in the art can easily change or modify the disclosed embodiments based on the present specification, and it is obvious that such changes or modifications fall within the scope of the present invention.
1: 초음파 센서
10: 지지체
20: 압전성 기둥부
30: 상부 전극
40: 하부 전극1: ultrasonic sensor
10: support 20: piezoelectric pillar
30: upper electrode 40: lower electrode
Claims (8)
상기 지지체의 내부를 관통하여 형성되며 압전물질로 제공되는 압전성 기둥부을 포함하고,
상기 압전성 기둥부는,
제1 압전성 기둥부; 및
상기 제1 압전성 기둥부와 상이한 압전 소재로 형성되는 제2 압전성 기둥부를 포함하며,
상기 제1 압전성 기둥부 및 상기 제2 압전성 기둥부는 수평적으로 나란히 배열되는 초음파 센서.Support; And
It is formed through the interior of the support and includes a piezoelectric pillar portion provided as a piezoelectric material,
The piezoelectric pillar portion,
A first piezoelectric pillar portion; And
And a second piezoelectric pillar portion formed of a piezoelectric material different from the first piezoelectric pillar portion,
The first piezoelectric pillar portion and the second piezoelectric pillar portion are ultrasonic sensors arranged horizontally side by side.
상기 지지체는 모재인 금속을 양극 산화하여 형성되고, 양극 산화 시 형성되는 규칙적인 배열을 갖는 복수개의 기공을 포함하는 양극 산화막으로 제공되는 초음파 센서.According to claim 1,
The support is formed by anodizing a metal as a base material, and an ultrasonic sensor provided as an anode oxide film including a plurality of pores having a regular arrangement formed during anodization.
상기 제1 압전성 기둥부와 상기 제2 압전성 기둥부는 각각 기 설정된 거리를 두고 복수개 제공되고,
상기 제1 압전성 기둥부의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선과 상기 제2 압전성 기둥부의 상면을 X축 방향으로 연결하는 선이 서로 겹치지 않고,
상기 제1 압전성 기둥부의 상면을 Y축 방향으로 연결하는 선과 상기 제2 압전성 기둥부의 상면을 Y축 방향으로 연결하는 선이 서로 겹치지 않는 초음파 센서.According to claim 1,
A plurality of the first piezoelectric pillar portion and the second piezoelectric pillar portion are provided at predetermined distances,
The line connecting the upper surface of the first piezoelectric pillar portion in the X-axis direction and the line connecting the upper surface of the second piezoelectric pillar portion in the X-axis direction do not overlap each other,
An ultrasonic sensor in which the line connecting the upper surface of the first piezoelectric pillar portion in the Y-axis direction and the line connecting the upper surface of the second piezoelectric pillar portion in the Y-axis direction do not overlap each other.
상기 제1 압전성 기둥부는 PZT계, PT계, PZT-Complex Perovskite계 또는 BaTiO3를 포함하는 다결정 세라믹스의 압전 소재로 제공되고, 상기 제2 압전성 기둥부는 PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFE) 또는 TGS를 포함하는 고분자 재료의 압전 소재로 제공되는 초음파 센서.According to claim 1,
The first piezoelectric pillar portion is provided as a piezoelectric material of polycrystalline ceramics including PZT-based, PT-based, PZT-Complex Perovskite-based or BaTiO 3 , and the second piezoelectric pillar is PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFE) ) Or an ultrasonic sensor provided as a piezoelectric material of a polymer material including TGS.
상기 지지체의 내부를 관통하여 형성되는 도전성 기둥부가 구비되는 초음파 센서.According to claim 1,
An ultrasonic sensor having a conductive pillar portion formed through the inside of the support.
상기 지지체의 상부에 X축을 따라 상기 제1 압전성 기둥부를 연결하는 제1 상부 전극; 및
상기 지지체의 상부에 X축을 따라 상기 제2 압전성 기둥부를 연결하는 제2 상부 전극을 더 포함하고,
상기 제1 상부 전극 및 상기 제2 상부 전극은 각각 적어도 하나 이상의 상기 도전성 기둥부와 연결되는 초음파 센서.The method of claim 5,
A first upper electrode connecting the first piezoelectric pillar portion along an X axis to an upper portion of the support; And
Further comprising a second upper electrode connecting the second piezoelectric pillar portion along the X axis on the upper portion of the support,
Each of the first upper electrode and the second upper electrode is an ultrasonic sensor connected to at least one conductive pillar.
상기 지지체의 하부에 Y축을 따라 상기 제1 압전성 기둥부를 연결하는 제1 하부 전극;
상기 지지체의 하부에 Y축을 따라 상기 제2 압전성 기둥부를 연결하는 제2 하부 전극; 및
상기 지지체의 하부에 X축을 따라 상기 도전성 기둥부 각각에 구비되는 제3 하부 전극을 더 포함하는 초음파 센서.The method of claim 5,
A first lower electrode connecting the first piezoelectric pillar portion along a Y-axis to a lower portion of the support;
A second lower electrode connecting the second piezoelectric pillar to the lower portion of the support along the Y axis; And
An ultrasonic sensor further comprising a third lower electrode provided on each of the conductive pillars along the X axis on the lower portion of the support.
상기 제1 압전성 기둥부가 평면 상에 사각형을 이루도록 배열되고, 상기 제1 압전성 기둥부가 이루는 사각형의 중심점에 상기 제2 압전성 기둥부가 배열되는 초음파 센서.According to claim 1,
The ultrasonic sensor in which the first piezoelectric pillars are arranged to form a square on a plane, and the second piezoelectric pillars are arranged at a center point of a square formed by the first piezoelectric pillars.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190011864A KR20200094415A (en) | 2019-01-30 | 2019-01-30 | Ultrasonic sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190011864A KR20200094415A (en) | 2019-01-30 | 2019-01-30 | Ultrasonic sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200094415A true KR20200094415A (en) | 2020-08-07 |
Family
ID=72049745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190011864A KR20200094415A (en) | 2019-01-30 | 2019-01-30 | Ultrasonic sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20200094415A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100136807A (en) | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 한양대학교 산학협력단 | Magnetic abrasive powder and method manufacturing the same |
-
2019
- 2019-01-30 KR KR1020190011864A patent/KR20200094415A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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