KR20200094316A - Heating apparatus using microwave - Google Patents

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KR20200094316A
KR20200094316A KR1020190011632A KR20190011632A KR20200094316A KR 20200094316 A KR20200094316 A KR 20200094316A KR 1020190011632 A KR1020190011632 A KR 1020190011632A KR 20190011632 A KR20190011632 A KR 20190011632A KR 20200094316 A KR20200094316 A KR 20200094316A
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전의식
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김재경
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공주대학교 산학협력단
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Abstract

The present invention relates to a heating device using microwaves which includes: an oscillation member located between a microwave generator and a housing with a chamber; and a sealing member disposed along upper and lower edges of the oscillation member. The oscillation member oscillates microwaves generated by the microwave generator into the chamber, and a deposition layer for blocking the microwave is formed at an edge of the oscillation member so that the sealing member is not affected by the microwave through the oscillation member. The present invention provides the heating device using microwaves to prevent the sealing member located in a vacuum atmosphere from being exposed to microwaves.

Description

마이크로파를 이용한 가열장치{Heating apparatus using microwave}Heating apparatus using microwave

본 발명은 마이크로파를 이용한 가열장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating device using microwaves.

주파수가 매우 높은 전자파를 특히 마이크로파고 한다. 전자파를 주파수에 따라 분류하면 30 내지 300kHz를 장파, 300 내지 3,000kHz를 중파, 3,000MHz(3GHz) 내지 30GHz를 센티미터(centimeter)파, 30 내지 300GHz를 밀리미터(millimeter)파, 300GHz 이상을 서브밀리미터(submillimeter)파라 한다. 이 중 300MHz 내지 30GHz까지의 전자파를 마이크로파(이하, 마이크로파)라 한다.Electromagnetic waves with very high frequencies are called microwaves. When the electromagnetic waves are classified according to frequency, 30 to 300 kHz is a long wave, 300 to 3,000 kHz is a medium wave, 3,000 MHz (3 GHz) to 30 GHz is a centimeter wave, 30 to 300 GHz is a millimeter wave, and 300 GHz or more is a submillimeter ( It is called submillimeter). Of these, electromagnetic waves from 300 MHz to 30 GHz are referred to as microwaves (hereinafter referred to as microwaves).

마이크로파와 같이 파장이 짧으면 광파와 유사한 성질을 가지게 되어 직진, 반사, 흡수의 성질을 가진다. 따라서 통신(전파의 전송)에 광범위하게 이용되는 것 이외 초단파 유전가열에 의한 식품의 가열, 냉동식품의 해동, 식품의 간이살균 식품 중의 해충의 살균 등에 이용된다. 이러한 마이크로파의 발생에는 주로 마그네트론(Magnetron)이 사용된다.If the wavelength is short, such as microwave, it has properties similar to that of light waves, and thus has straight, reflective, and absorbing properties. Therefore, it is not only widely used for communication (transmission of radio waves), but also used for heating foods by microwave heating, thawing frozen foods, and sterilizing pests in simple sterilized foods. Magnetron is mainly used for the generation of such microwaves.

도 1을 참고하면, 종래 마이크로파를 이용한 가열장치(100a)는 피 가열체가 위치할 수 있으며 진공을 형성하는 챔버(21a)를 갖는 하우징(20a), 챔버(21a)에 마이크로파를 제공하는 마이크로파 발생부(10a) 및 하우징(20a)과 마이크로파 발생부(10a) 사이에 위치한 발진부재(40a), 발진부재(40a) 상면과 하면 가장자리를 따라 배치된 실링부재(60a)를 포함한다.Referring to Figure 1, the conventional heating device using a microwave (100a) can be located the heating element is a housing (20a) having a chamber (21a) to form a vacuum, a microwave generator for providing microwaves to the chamber (21a) (10a) and the housing (20a) and the oscillation member (40a) located between the microwave generator (10a), and includes a sealing member (60a) disposed along the upper and lower edges of the oscillation member (40a).

발진부재(40a)는 마이크로파 발생부(10a) 내부와 챔버(21a)를 구분하며 마이크로파를 챔버(21a)로 발진시키며, 챔버(21a)가 진공 상태가 되도록 한다. 이때 실링부재(60a)에 의해 하우징(20a)과 발진부재(40a) 사이에 기밀성이 유지되어 챔버(21a)는 진공상태를 유지할 수 있다.The oscillating member 40a separates the inside of the microwave generator 10a from the chamber 21a and oscillates the microwave into the chamber 21a, so that the chamber 21a is in a vacuum state. At this time, the airtightness between the housing 20a and the oscillation member 40a is maintained by the sealing member 60a so that the chamber 21a can maintain a vacuum state.

그러나, 실링부재(60a)가 고무 따위로 형성되어 있어 유전 성질에 따라 마이크로파에 반응하지 않는다. 그러나 발진부재(40a) 아래에 위치한 실링부재(62a)는 진공 분위기에 노출되어 유전 성질의 변화에 따라 마이크로파에 반응하게 된다. 이에 실링부재(62a)가 가열되어 손상되는 문제가 발생한다. 이에 따라 실링부재(62a) 손상으로 챔버(21a)는 진공상태를 유지할 수 없었다.However, since the sealing member 60a is formed of rubber or the like, it does not react to microwaves depending on dielectric properties. However, the sealing member 62a located under the oscillation member 40a is exposed to a vacuum atmosphere and reacts to microwaves according to changes in dielectric properties. This causes a problem that the sealing member 62a is heated and damaged. Accordingly, due to damage to the sealing member 62a, the chamber 21a could not maintain a vacuum.

등록특허 제10-1353872호 (2014.01.14.)Registered Patent No. 10-1353872 (2014.01.14.) 등록특허 제10-1677506호 (2016. 11.14.)Registered Patent No. 10-1677506 (2016. 11.14.)

본 발명은 진공 분위기에 위치한 실링부재가 마이크로파에 노출되지 않도록 하는 마이크로파를 이용한 가열장치를 제공한다.The present invention provides a heating device using microwaves to prevent the sealing member located in the vacuum atmosphere from being exposed to microwaves.

본 발명의 한 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치는, 마이크로파 발생부와 챔버를 갖는 하우징 사이 위치한 발진부재 및 상기 발진부재의 상면과 하면 가장자리를 따라 배치된 실링부재를 포함한다.A heating apparatus using microwaves according to an embodiment of the present invention includes an oscillating member positioned between a microwave generator and a housing having a chamber, and a sealing member disposed along the upper and lower edges of the oscillating member.

상기 발진부재는 상기 마이크로파 발생부에서 발생한 마이크로파를 상기 챔버로 발진시키며, 상기 실링부재가 상기 발진부재를 통해 상기 마이크로파에 영향을 받지 않도록 상기 발진부재의 가장자리에는 상기 마이크로파를 차단하는 증착층이 형성될 수 있다.The oscillating member oscillates the microwaves generated by the microwave generator into the chamber, and a deposition layer is formed on the edge of the oscillating member to block the microwaves so that the sealing member is not affected by the microwaves through the oscillating member. Can.

상기 증착층은, 상기 발진부재의 상면 가장자리, 하면 가장자리, 측면 둘레면 중 적어도 어느 한 면에 형성될 수 있다.The deposition layer may be formed on at least one of the upper surface edge, the lower surface edge, and the side circumferential surface of the oscillation member.

상기 증착층과 상기 실링부재는 중첩될 수 있다.The deposition layer and the sealing member may overlap.

상기 증착층의 두께는 0.01㎛ 내지 4㎛일 수 있다.The thickness of the deposition layer may be 0.01㎛ to 4㎛.

상기 증착층은 알루미늄일 수 있다.The deposition layer may be aluminum.

상기 발진부재와 상기 하우징 사이에 위치하고 메탈 시일(metal seal)을 더 포함할 수 있다.Located between the oscillation member and the housing may further include a metal seal (metal seal).

상기 마이크로파 발생부와 상기 하우징 사이에 위치하고 내부가 상하 관통되어 있으며, 관통된 상기 내부와 연결되어 있고 상기 발진부재가 위치하는 안착홈이 형성된 연결 베이스를 더 포함할 수 있다.It may be located between the microwave generator and the housing, the inside is penetrated up and down, it is further connected to the inside through which may further include a connection base formed with a seating groove in which the oscillating member is located.

상기 실링부재는, 상기 발진부재의 상면에 배치되어 있는 제1 발진 실링재 상기 발진부재의 하면에 배치되어 있는 제2 발진 실링재 및 상기 연결 베이스와 상기 하우징 사이에 위치한 연결 실링재를 포함할 수 있다.The sealing member may include a first oscillation sealing material disposed on an upper surface of the oscillation member, a second oscillation sealing material disposed on a lower surface of the oscillation member, and a connection sealing material positioned between the connection base and the housing.

상기 안착홈의 바닥에는 상기 제2 발진 실링재가 위치하는 발진 실링홈이 형성되어 있고, 상기 연결 베이스의 하면에는 상기 연결 실링재가 위치하는 연결 실링홈이 형성될 수 있다.An oscillation sealing groove in which the second oscillation sealing material is located may be formed at a bottom of the seating groove, and a connection sealing groove in which the connection sealing material is located may be formed on a lower surface of the connection base.

본 발명의 실시예에 따르면, 제2 발진 실링재, 연결 실링재가 진공 분위기에서 유전 성질이 변화하더라도 마이크로파에 노출되지 않아 마이크로파에 의해 가열되지 않는다. 가열에 따른 제2 발진 실링재, 연결 실링재의 손상을 예방할 수 있어 마이크로파를 이용한 가열장치의 신뢰성이 높아진다.According to an embodiment of the present invention, even if the dielectric properties of the second oscillation sealing material and the connecting sealing material change in a vacuum atmosphere, they are not exposed to microwaves and are not heated by microwaves. Damage to the second oscillation sealing material and connection sealing material due to heating can be prevented, thereby increasing the reliability of the heating device using microwaves.

도 1은 종래 마이크로파를 이용한 가열장치를 나타낸 개략도.
도 2는 도 1의 손상된 실링부재를 나타낸 사진.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치를 나타낸 개략도.
도 5는 도 3의 증착층 실시예를 나타낸 개략도.
도 5는 도 3의 A부분 확대도
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치를 나타낸 개략도.
도 7은 도 6의 A 부분 확대도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치를 나타낸 개략도.1 is a schematic view showing a heating device using a conventional microwave.
Figure 2 is a photograph showing the damaged sealing member of Figure 1;
Figure 3 is a schematic diagram showing a heating device using a microwave according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic view showing an embodiment of the deposition layer of FIG. 3.
5 is an enlarged view of part A of FIG. 3;
6 is a schematic view showing a heating device using microwaves according to another embodiment of the present invention.
7 is an enlarged view of part A of FIG. 6.
8 is a schematic view showing a heating apparatus using microwaves according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. However, the present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. The same reference numerals are used for similar parts throughout the specification.

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치에 대하여 도 3 내지 도 5를 참고하여 설명한다.Then, a heating apparatus using microwaves according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치를 나타낸 개략도이고, 도 5는 도 3의 증착층 실시예를 나타낸 개략도이며, 도 5는 도 3의 A부분 확대도이다.3 is a schematic view showing a heating device using a microwave according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a schematic view showing an embodiment of the deposition layer of FIG. 3, and FIG. 5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3.

도 3 내지 도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 마이크로파를 이용한 가열장치(100)는, 마이크로파 발생부(10), 하우징(20), 연결 베이스(30), 발진부재(40) 및 실링부재(60)를 포함하며, 하우징(20) 내부가 진공 분위기를 형성할 때 진공 분위기에 노출된 실링부재(60)가 마이크로파에 노출되지 않도록 한다.3 to 5, the heating apparatus 100 using the microwave according to the present embodiment, the microwave generator 10, the housing 20, the connecting base 30, the oscillating member 40 and the sealing member It includes 60, and when the inside of the housing 20 forms a vacuum atmosphere, the sealing member 60 exposed to the vacuum atmosphere is not exposed to microwaves.

하우징(20)의 내부에는 피 가열물이 위치할 수 있고 진공 분위기를 형성하는 챔버(21)가 형성되어 있으며, 마이크로파 발생부(10)는 연결 베이스(30)를 통해 하우징(20)과 연결되어 챔버(21)로 마이크로파를 발생시킨다. 마이크로파 발생부(10)는 하우징(20)에 복수 배치될 수 있다. 하우징(20)과 마이크로파 발생부(10)에 대한 세부적인 구성은 공지된 구성의 마이크로파 발생 장치를 이용한 가열 장치와 동일하므로 이하, 자세한 설명은 생략한다.Inside the housing 20, a heated object may be located and a chamber 21 forming a vacuum atmosphere is formed, and the microwave generator 10 is connected to the housing 20 through a connection base 30. Microwaves are generated in the chamber 21. The microwave generator 10 may be disposed in plural in the housing 20. The detailed configuration of the housing 20 and the microwave generator 10 is the same as a heating device using a microwave generator of a known configuration, and detailed descriptions thereof will be omitted.

연결 베이스(30)는 내부가 상하 관통되어 있다. 연결 베이스(30)의 상면은 마이크로파 발생부(10)와 연결되며, 하면은 하우징(20)과 연결된다. 연결 베이스(30)의 내부는 상하 관통되어 있다.The inside of the connection base 30 is penetrated up and down. The upper surface of the connection base 30 is connected to the microwave generator 10, and the lower surface is connected to the housing 20. The inside of the connection base 30 is penetrated up and down.

연결 베이스(30)의 상면에는 내부 방향으로 함몰된 안착홈(31)이 형성되어 있다. 안착홈(31)은 관통된 내부와 연결되어 있다. 여기서, 안착홈(31)의 바닥을 따라 발진 실링홈(32)이 형성되어 있다. 연결 베이스(30)의 하면에는 내부 방향으로 함몰된 연결 실링홈(33)이 형성되어 있다. 연결 실링홈(33)은 연결 베이스(30)의 관통된 내부와 연결되어 있지 않다.A seating groove 31 recessed in the inner direction is formed on an upper surface of the connection base 30. The seating groove 31 is connected to the pierced interior. Here, the oscillation sealing groove 32 is formed along the bottom of the seating groove 31. A connection sealing groove 33 recessed in the inner direction is formed on the lower surface of the connection base 30. The connecting sealing groove 33 is not connected to the pierced inside of the connecting base 30.

발진 실링홈(32)과 연결 실링홈(33)은 다각 형태로 함몰되어 있다. 그러나 발진 실링홈(32)과 연결 실링홈(33)은 곡면 형태로 함몰될 수 있다.The oscillation sealing groove 32 and the connecting sealing groove 33 are recessed in a polygonal shape. However, the oscillation sealing groove 32 and the connecting sealing groove 33 may be recessed in a curved shape.

연결 베이스(30)는 금속 따위로 만들어질 수 있다.The connection base 30 may be made of metal.

도면에는 도시하지 않았으나, 하우징(20), 연결 베이스(30) 및 마이크로파 발생부(10)는 순차적으로 배치된 상태에서 볼트 따위의 체결수단으로 결합되어 있다.Although not shown in the drawings, the housing 20, the connection base 30, and the microwave generator 10 are coupled by fastening means such as bolts in a sequentially arranged state.

발진부재(40)는 연결 베이스(30)의 관통된 내부에 배치되어 있으며 가장자리가 안착홈(31)에 안착되어 있다. 발진부재(40)는 마이크로파 발생부(10) 내부와 하우징(20)의 챔버(21)가 연결되지 않도록 한다. 즉, 발진부재(40)가 마이크로파 발생부(10) 내부와 챔버(21)를 차단함으로써 챔버(21)는 진공 분위기가 형성될 수 있다. 그리고 발진부재(40)는 마이크로파 발생부(10)에서 발생한 마이크로파를 진공 분위기가 형성된 챔버(21)로 발진시킨다.The oscillation member 40 is disposed inside the through of the connection base 30 and has an edge seated in the seating groove 31. The oscillation member 40 prevents the microwave generator 10 from being connected to the chamber 21 of the housing 20. That is, the vacuum atmosphere may be formed in the chamber 21 by the oscillation member 40 blocking the microwave generator 10 and the chamber 21. Then, the oscillation member 40 oscillates the microwaves generated in the microwave generator 10 into the chamber 21 in which a vacuum atmosphere is formed.

이러한 발진부재(40)는 석영유리 따위로 만들어질 수 있다. 발진부재(40)를 석영유리로 한정하는 것은 아니다.The oscillation member 40 may be made of quartz glass or the like. The oscillation member 40 is not limited to quartz glass.

그리고 발진부재(40)의 안착홈(31)의 둘레와 마주하고 있는 발진부재(40) 가장자리 부분에는 증착층(50a, 50b, 50c)이 형성되어 있다. 이때, 증착층(50a, 50b, 50c)은 발진부재(40)의 외곽의 하면, 측면 그리고 상면에 각각 증착되어 있다. 그러나, 증착층(50a, 50b)은 외곽의 하면과 측면에 증착 될 수 있다. 증착층(50a)은 외곽의 하면에만 증착 될 수도 있다. 증착층(50a, 50b, 50c)의 증착은 공지의 스퍼터링(Sputtering) 방법으로 될 수 있다. 그러나 증착층(50a, 50b, 50c)은 전자빔증착법, 열증착법, 레이저분자빔증착법, 펄스레이저증착법, 금속유기화학기상증착, 수소기상증착 등으로 증착될 수 있다.In addition, deposition layers 50a, 50b, and 50c are formed on the edge portion of the oscillation member 40 facing the periphery of the seating groove 31 of the oscillation member 40. At this time, the deposition layers 50a, 50b, and 50c are deposited on the bottom, side, and top surfaces of the outer side of the oscillation member 40, respectively. However, the deposition layers 50a and 50b may be deposited on the lower surface and side surfaces of the outer surface. The deposition layer 50a may be deposited only on the lower surface of the outside. The deposition of the deposition layers 50a, 50b, 50c can be performed by a known sputtering method. However, the deposition layers 50a, 50b, and 50c may be deposited by electron beam deposition, thermal deposition, laser molecular beam deposition, pulsed laser deposition, metal-organic chemical vapor deposition, hydrogen vapor deposition, and the like.

증착층(50a, 50b, 50c)은 알루미늄(Al)을 포함한다. 증착층(50a, 50b, 50c)을 알루미늄으로 한정하는 것은 아니다. 증착층(50a, 50b, 50c)은, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 은(Ag), 니켈(Ni), 동(Cu) 따위를 선택적으로 더 포함할 수 있다.The deposition layers 50a, 50b, and 50c include aluminum (Al). The deposition layers 50a, 50b, and 50c are not limited to aluminum. The deposition layers 50a, 50b, and 50c include chromium (Cr), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), silver (Ag), nickel (Ni), and copper (Cu) Optionally, it may further include.

증착층(50a, 50b, 50c)의 두께는 0.01㎛ 내지 4㎛일 수 있다. 바람직한 증착층(50a, 50b, 50c)의 두께는 2.3㎛일 수 있다. 여기서 증착층(50a, 50b, 50c)을 1㎛ 두께로 증착하는데 대략 1시간이 소요될 수 있다.The thickness of the evaporation layers 50a, 50b, and 50c may be 0.01 μm to 4 μm. The thickness of the preferred deposition layers 50a, 50b, 50c may be 2.3 μm. Here, it may take approximately 1 hour to deposit the deposition layers 50a, 50b, and 50c to a thickness of 1 μm.

이에, 증착층(550a, 50b, 50c)의 두께가 0.01㎛ 미만으로 형성될 때 마이크로파가 증착 부분을 투과하여 완벽히 차단되지 않아 실링부재(60)가 점차적으로 손상되는 문제가 발생하며, 증착층(50a, 50b, 50c)두께가 4㎛를 초과할 경우 마이크로파 차단율은 우수하지만 증착 시간이 증가하게 되어 비용이 증가된다. 이에 증착층(50a, 50b, 50c)의 두께를 2.23㎛으로 형성하는 같이 마이크로파 차단율이 우수하고 고비용 발생을 예방할 수 있다.Accordingly, when the thickness of the deposition layers 550a, 50b, and 50c is less than 0.01 μm, microwaves penetrate the deposition portion and are not completely blocked, resulting in a problem that the sealing member 60 is gradually damaged, and the deposition layer ( 50a, 50b, 50c) When the thickness exceeds 4 µm, the microwave blocking rate is excellent, but the deposition time increases, which increases the cost. Accordingly, the thickness of the evaporation layers 50a, 50b, and 50c is 2.23 µm, such that the microwave blocking rate is excellent and high cost can be prevented.

실링부재(60)는, 마이크로파 발생부(10)와 발진부재(40) 사이, 발진부재(40)와 연결 베이스(30) 사이, 연결 베이스(30)와 하우징(20) 사이에 배치되어 챔버(21)가 진공 분위기를 형성할 기밀성이 유지되도록 한다. 실링부재(60)는 고무 따위로 만들어질 수 있다. 실링부재(60)를 고무로 한정하는 것은 아니다.The sealing member 60 is disposed between the microwave generator 10 and the oscillation member 40, between the oscillation member 40 and the connection base 30, between the connection base 30 and the housing 20, and the chamber ( 21) is to maintain the airtightness to form a vacuum atmosphere. The sealing member 60 may be made of rubber. The sealing member 60 is not limited to rubber.

실링부재(60)는 발진부재(40) 상면의 증착층(50c)에 배치되어 마이크로파 발생부(10)와 접하는 제1 발진 실링재(61), 발진 실링홈(32)에 위치하여 발진부재(40) 하면의 증착층(50a)과 접하는 제2 발진 실링재(62) 및 연결 실링홈(33)에 위치하여 하우징(20)과 접하는 연결 실링재(63)를 포함한다.The sealing member 60 is disposed on the first oscillation sealing material 61 and the oscillation sealing groove 32 disposed on the deposition layer 50c on the upper surface of the oscillation member 40 to contact the microwave generator 10, and the oscillation member 40 ) Includes a second oscillation sealing material 62 in contact with the deposition layer 50a on the lower surface and a connection sealing material 63 positioned in the connection sealing groove 33 to contact the housing 20.

실링부재(60)는, 마이크로파 발생부(10), 연결 베이스(30) 및 하우징(20)이 체결수단(도시하지 않음)을 통해 결합될 때 압착되어 기밀성을 유지할 수 있다. 이에 챔버(21) 내부는 발진부재(40)를 통해 마이크로파 발생부(10) 내부와 구획된 상태에서 진공 분위기를 형성할 수 있다. 발진부재(40) 아래에 위치한 제2 발진 실링재(62) 및 연결 실링재(63)는 진공 분위기에 노출된다.The sealing member 60 may be compressed when the microwave generator 10, the connection base 30 and the housing 20 are coupled through fastening means (not shown) to maintain airtightness. Accordingly, the inside of the chamber 21 may form a vacuum atmosphere in a state partitioned from the inside of the microwave generator 10 through the oscillation member 40. The second oscillation sealing material 62 and the connecting sealing material 63 located under the oscillation member 40 are exposed to a vacuum atmosphere.

그리고 마이크로파 발생부(10)에서 발생한 마이크로파는 발진부재(40)를 통해 챔버(21)로 발진될 수 있다. 발진 실링홈(32)에 위치한 제2 발진 실링재(62)는 발진부재(40) 하면에 형성된 증착층(50a)에 의해 발진부재(40)를 통과하는 마이크로파에 노출되지 않는다. 또한 연결 실링재(63)의 경우 연결 실링홈(33)이 연결 베이스(30)의 관통된 내부와 구획되어 있으므로 마이크로파에 노출되지 않는다.In addition, the microwaves generated in the microwave generator 10 may be oscillated into the chamber 21 through the oscillating member 40. The second oscillation sealing material 62 located in the oscillation sealing groove 32 is not exposed to microwaves passing through the oscillation member 40 by the deposition layer 50a formed on the bottom surface of the oscillation member 40. In addition, in the case of the connecting sealing material 63, since the connecting sealing groove 33 is partitioned from the inside of the connecting base 30, it is not exposed to microwaves.

이에, 제2 발진 실링재(62), 연결 실링재(63)가 진공 분위기에서 유전 성질이 변화하더라도 마이크로파에 노출되지 않아 마이크로파에 의해 가열되지 않는다. 가열에 따른 제2 발진 실링재(62), 연결 실링재(63)의 손상을 예방할 수 있어 마이크로파를 이용한 가열장치의 신뢰성이 높다.Accordingly, even if the dielectric properties of the second oscillation sealing material 62 and the connecting sealing material 63 change in a vacuum atmosphere, they are not exposed to microwaves and are not heated by microwaves. Since the damage of the second oscillation sealing material 62 and the connection sealing material 63 due to heating can be prevented, the reliability of the heating device using microwaves is high.

본 발명의 다른 실시예는, 도 3 내지 도 5의 실시예에서 설명한 모든 구성 요소를 그대로 포함하면서, 메탈 시일을 더 포함한다.Another embodiment of the present invention, while including all the components described in the embodiment of Figures 3 to 5 as it is, further includes a metal seal.

도 6 및 도 7을 더 참고하면, 본 실시예에 따른 메탈 시일(70)은 메탈계의 인듐(Indium), 알루미늄(aluminum), 구리(copper), 은도금동선(silver plated copper), 금도금동선(Gold-plated copper) 따위를 포함할 수 있다.6 and 7, the metal seal 70 according to the present embodiment is a metal-based indium (Indium), aluminum (aluminum), copper (copper), silver plated copper, silver plated copper, gold plated copper wire ( Gold-plated copper.

메탈 시일(70)은 제2 발진 실링재(62)와 이웃하게 배치되어 안착홈(31)의 바닥과 발진부재(40)의 하면에 형성된 증착층(50a) 사이에 위치한다. 이때 메탈 시일(70)은 발진부재(40)의 하면에 형성된 증착층(50a)과 안착홈(31) 바닥 사이 간격이 2mm을 초과할 경우 배치된다. 메탈 시일(70)이 두께는 2㎜ 내지 3㎜ 일 수 있다. 증착층(50a)과 안착홈(31) 바닥 사이 간격이 2mm이므로 메탈 시일(70)의 두께가 2㎜ 미만이면 증착층(50a)과 안착홈(31) 사이에 틈새가 발생할 수 있다. 틈새를 통해 마이크로파가 제2 발진 실링재(62)에 가해져 제2 발진 실링재(62)가 마이크로파에 반응하여 손상될 수 있다.The metal seal 70 is disposed adjacent to the second oscillation sealing material 62 and positioned between the bottom of the seating groove 31 and the deposition layer 50a formed on the bottom surface of the oscillation member 40. At this time, the metal seal 70 is disposed when the gap between the bottom of the deposition layer 50a and the seating groove 31 formed on the bottom surface of the oscillation member 40 exceeds 2 mm. The metal seal 70 may have a thickness of 2 mm to 3 mm. If the thickness of the metal seal 70 is less than 2 mm, a gap may be generated between the deposition layer 50a and the seating groove 31 because the gap between the deposition layer 50a and the bottom of the seating groove 31 is 2 mm. Microwave is applied to the second oscillation sealing material 62 through the gap so that the second oscillation sealing material 62 may be damaged in response to the microwave.

메탈 시일(70)에 의해 발진부재(40)와 연결 베이스(30) 사이의 기밀성이 더욱 높아지게 되어 제2 발진 실링재(62)에 마이크로파가 가해지는 것을 차단할 수 있다.The airtightness between the oscillation member 40 and the connection base 30 is further increased by the metal seal 70, thereby preventing microwaves from being applied to the second oscillation sealing material 62.

이외 다른 구성은 도 3 내지 도 5의 실시예의 구성이 그대로 적용될 수 있다.Other configurations may be applied to the configuration of the embodiment of FIGS. 3 to 5 as it is.

본 발명의 또 다른 실시예는, 도 3 내지 도 7을 참고하여 설명한 실시예의 구성 요소를 대부분 가진다. 다만 본 실시예는 연결 베이스(30)와 실링부재(60)의 연결 실링재(63)를 생략한다.Another embodiment of the invention has most of the components of the embodiment described with reference to Figures 3-7. However, in the present embodiment, the connecting sealing material 63 of the connecting base 30 and the sealing member 60 is omitted.

도 8을 참고하면, 본 실시예에 따른 발진부재(40)는 하우징(20)과 마이크로파 발생부(10) 사이에 위치한다. 이때 발진부재(40)의 상면과 마이크로파 발생부(10) 사이에는 제1 발진 실링재(61)가 배치되어 있으며, 발진부재(40)의 하면과 하우징(20) 사이에는 제2 발진 실링재(62)가 배치되어 있다. 제1 발진 실링재(61)와 제2 발진 실링재(62)는 마이크로파 발생부(10)와 하우징(20)이 체결수단(도시하지 않음)으로 결합될 때 압착되어 기밀이 유지되도록 한다. 제2 발진 실링재(62)는 챔버(21)가 진공 분위기를 조성할 때 발진부재(40)의 하면에 형성되는 증착층(50a)에 의해 발진부재(40)를 통과하는 마이크로파에 노출되지 않는다.Referring to FIG. 8, the oscillation member 40 according to the present embodiment is located between the housing 20 and the microwave generator 10. At this time, the first oscillation sealing material 61 is disposed between the upper surface of the oscillation member 40 and the microwave generator 10, and the second oscillation sealing material 62 is provided between the bottom surface of the oscillation member 40 and the housing 20. Is placed. The first oscillation sealing material 61 and the second oscillation sealing material 62 are compressed when the microwave generator 10 and the housing 20 are coupled by fastening means (not shown) to maintain airtightness. The second oscillation sealing material 62 is not exposed to microwaves passing through the oscillation member 40 by the deposition layer 50a formed on the bottom surface of the oscillation member 40 when the chamber 21 creates a vacuum atmosphere.

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 제1 발진 실링재(61)와 접하는 마이크로파 발생부(10) 부분과, 제2 발진 실링재(62)와 접하는 하우징(20) 부분에는 실링재가 수용되는 수용홈이 형성될 수 있다. On the other hand, although not shown in the drawing, a receiving groove for accommodating the sealing material is formed in the portion of the microwave generator 10 in contact with the first oscillation sealing material 61 and in the portion of the housing 20 in contact with the second oscillation sealing material 62. Can.

연결 베이스(30)(도 3 참조) 생략으로 마이크로파를 이용한 가열장치 조립에 따른 시간을 최소화 할 수 있으며, 구성요소를 줄임으로써 제조원가를 낮출 수 있다.By omitting the connection base 30 (see FIG. 3 ), time required for assembling a heating device using microwaves can be minimized, and manufacturing costs can be reduced by reducing components.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

100, 100a: 마이크로파를 이용한 가열장치
10, 10a: 마이크로파 발생부 20, 20a: 하우징
21, 21a: 챔버 30: 연결 베이스
31: 안착홈 32: 발진 실링홈
33: 연결 실링홈 40, 40a: 발진부재
50a, 50b, 50c: 증착층 60, 60a: 실링부재
61, 61a: 제1 발진 실링재 62, 62a: 제2 발진 실링재
63: 연결 실링재 70: 메탈 시일100, 100a: heating device using microwave
10, 10a: microwave generator 20, 20a: housing
21, 21a: Chamber 30: Connection base
31: seating groove 32: oscillation sealing groove
33: connecting sealing groove 40, 40a: oscillating member
50a, 50b, 50c: deposition layer 60, 60a: sealing member
61, 61a: 1st oscillation sealing material 62, 62a: 2nd oscillation sealing material
63: connecting sealing material 70: metal seal

Claims (9)

마이크로파 발생부와 챔버를 갖는 하우징 사이 위치한 발진부재 및
상기 발진부재의 상면과 하면 가장자리를 따라 배치된 실링부재
를 포함하며,
상기 발진부재는 상기 마이크로파 발생부에서 발생한 마이크로파를 상기 챔버로 발진시키며, 상기 실링부재가 상기 발진부재를 통해 상기 마이크로파에 영향을 받지 않도록 상기 발진부재의 가장자리에는 상기 마이크로파를 차단하는 증착층이 형성되어 있는
마이크로파를 이용한 가열장치.An oscillating member located between the microwave generator and the housing having the chamber, and
A sealing member disposed along the top and bottom edges of the oscillation member
It includes,
The oscillation member oscillates the microwaves generated by the microwave generator into the chamber, and a deposition layer is formed on the edge of the oscillation member to block the microwaves so that the sealing member is not affected by the microwaves through the oscillation member. there is
Microwave heating device. 제1항에서,
상기 증착층은, 상기 발진부재의 상면 가장자리, 하면 가장자리, 측면 둘레면 중 적어도 어느 한 면에 형성되어 있는 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 1,
The deposition layer is a heating device using microwaves formed on at least one of the upper surface edge, the lower surface edge, and the side circumferential surface of the oscillation member. 제1항에서,
상기 증착층과 상기 실링부재는 중첩되어 있는 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 1,
The deposition layer and the sealing member is a heating device using a microwave. 제1항에서,
상기 증착층의 두께는 0.01㎛ 내지 4㎛인 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 1,
The deposition layer has a thickness of 0.01㎛ to 4㎛ heating apparatus using microwaves. 제1항에서,
상기 증착층은 알루미늄인 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 1,
The deposition layer is a heating device using a microwave that is aluminum. 제5항에서,
상기 발진부재와 상기 하우징 사이에 위치하고 메탈 시일(metal seal)을 더 포함하는 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 5,
A heating device using microwaves located between the oscillation member and the housing and further comprising a metal seal. 제1항에서,
상기 마이크로파 발생부와 상기 하우징 사이에 위치하고 내부가 상하 관통되어 있으며, 관통된 상기 내부와 연결되어 있고 상기 발진부재가 위치하는 안착홈이 형성된 연결 베이스를 더 포함하는 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 1,
A heating device using microwaves further comprising a connection base positioned between the microwave generator and the housing, the inside being penetrated up and down, and connected to the inside through which a seating groove in which the oscillation member is located is formed. 제7항에서,
상기 실링부재는,
상기 발진부재의 상면에 배치되어 있는 제1 발진 실링재
상기 발진부재의 하면에 배치되어 있는 제2 발진 실링재 및
상기 연결 베이스와 상기 하우징 사이에 위치한 연결 실링재
를 포함하는 마이크로파를 이용한 가열장치. In claim 7,
The sealing member,
The first oscillation sealing material disposed on the upper surface of the oscillation member
A second oscillation sealing material disposed on the bottom surface of the oscillation member, and
Connection sealing material located between the connection base and the housing
Heating apparatus using a microwave including. 제8항에서,
상기 안착홈의 바닥에는 상기 제2 발진 실링재가 위치하는 발진 실링홈이 형성되어 있고, 상기 연결 베이스의 하면에는 상기 연결 실링재가 위치하는 연결 실링홈이 형성되어 있는 마이크로파를 이용한 가열장치.In claim 8,
A heating apparatus using microwaves in which an oscillation sealing groove in which the second oscillation sealing material is located is formed at a bottom of the seating groove, and a connection sealing groove in which the connection sealing material is located is formed on a lower surface of the connection base.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253312A (en) * 2005-03-09 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
KR101353872B1 (en) 2012-06-04 2014-01-21 주식회사 포스코 Apparatus for heating fluid with microwave
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