KR20200076258A - Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same - Google Patents

Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20200076258A
KR20200076258A KR1020180165185A KR20180165185A KR20200076258A KR 20200076258 A KR20200076258 A KR 20200076258A KR 1020180165185 A KR1020180165185 A KR 1020180165185A KR 20180165185 A KR20180165185 A KR 20180165185A KR 20200076258 A KR20200076258 A KR 20200076258A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pellicle
layer
manufacturing
substrate
mask
Prior art date
Application number
KR1020180165185A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
남기수
이창훈
홍주희
박철균
윤종원
Original Assignee
주식회사 에스앤에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스앤에스텍 filed Critical 주식회사 에스앤에스텍
Priority to KR1020180165185A priority Critical patent/KR20200076258A/en
Publication of KR20200076258A publication Critical patent/KR20200076258A/en
Priority to KR1020210030751A priority patent/KR102266786B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography. The pellicle comprises: a pellicle layer; and a support layer, wherein an edge region of the pellicle layer is formed of a corrugated portion formed by bending a plate surface at least once. Even if temporary or continuous deformation force is applied to the pellicle layer, the external force is absorbed by the elongation and contraction of the pellicle layer. Therefore, damage or sagging does not occur on the plate surface of the pellicle layer.

Description

판면에 주름부를 구비한 펠리클 및 그의 제조방법 {Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same}Pellicle with a wrinkle on a plate surface and its manufacturing method {Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same}

본 발명은 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크에 부착되는 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a pellicle attached to a photomask used in a lithography process and a manufacturing method thereof.

포토리소그래피(Photo-lithography)라고 불리는 노광(Exposure) 기술의 발달은 반도체 집적 회로의 고집적화(High Integration)를 가능하게 하였다. 리소그래피 공정은 패터닝을 위한 원판으로서 포토마스크(Photomask)를 사용하고, 포토마스크 상의 패턴이 웨이퍼(Wafer)에 전사된다. 이때 포토마스크에 파티클(Particle), 이물질 등의 불순물이 부착되어 있으면 불순물로 인해 노광광이 흡수되거나 반사되어 전사된 패턴이 손상되어 반도체 장치의 성능이나 수율의 저하가 초래된다. 이에 따라, 포토마스크의 표면에 불순물이 부착하는 것을 방지하기 위하여 포토마스크에 펠리클(Pellicle)을 부착하는 방법이 채용되고 있다.The development of exposure technology called photo-lithography has enabled the high integration of semiconductor integrated circuits. The lithography process uses a photomask as the original plate for patterning, and the pattern on the photomask is transferred to a wafer. At this time, if impurities such as particles and foreign matter are attached to the photomask, exposure light is absorbed or reflected due to the impurities, and the transferred pattern is damaged, resulting in deterioration of the performance or yield of the semiconductor device. Accordingly, in order to prevent impurities from adhering to the surface of the photomask, a method of attaching a pellicle to the photomask is adopted.

펠리클은 포토마스크의 표면 상부에 배치되며, 포토리소그래피 공정 시 초점은 포토마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상에 불순물이 부착되더라도 펠리클 상의 먼지 또는 이물질은 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는다. 최근에는 회로 선폭의 미세화에 따라 패턴 손상에 영향을 미칠 수 있는 불순물의 크기 또한 줄어들어 포토마스크 보호를 위한 펠리클의 역할이 더욱 중요해지고 있다.The pellicle is disposed on the upper surface of the photomask, and in the photolithography process, the focus is coincident on the pattern of the photomask, so even if impurities are attached to the pellicle, dust or foreign matter on the pellicle is not focused and is not transferred to the pattern. Recently, the size of impurities that may affect the pattern damage is also reduced according to the miniaturization of the circuit line width, and the role of the pellicle for protecting the photomask is becoming more important.

펠리클은 노광광의 투과율이 좋아야 하므로 매우 얇은 막으로 구성된다. 이와 같이 얇은 박막 구조의 펠리클은 외부의 충격이나 박막 자체의 스트레스로 인해 박막의 파손이나 처짐이 발생할 수 있다. 이러한 파손이나 처짐은 패턴의 전사 과정에서 이미지를 왜곡 시킬 수 있으므로, 펠리클 박막의 기계적 강도를 유지하여 처짐이나 파손이 없는 완전한 평판 상태를 유지하는 것이 매우 중요하다.The pellicle is composed of a very thin film because the light transmittance must be good. The thin film structure of the pellicle may break or sag the thin film due to external impact or stress of the thin film itself. Since such breakage or deflection can distort the image during the pattern transfer process, it is very important to maintain the mechanical strength of the pellicle thin film to maintain a complete flat plate without sagging or breakage.

기존에는 펠리클 박막의 표면을 제어하기 위해 박막 자체에 적당한 장력(tensile stress)를 부여하거나 보강층의 추가 형성 등을 통하여 펠리클 박막의 을 왜곡을 방지하는 방법을 사용하였다. 그러나, 이러한 방법은 펠리클 제작 공정의 복잡화를 야기할 뿐만 아니라, 보강층의 첨가로 인해 펠리클 박막의 특성이 저하되는 문제를 야기할 수 있다.Conventionally, in order to control the surface of the pellicle thin film, a method of preventing distortion of the pellicle thin film by applying an appropriate tensile stress to the thin film itself or by additionally forming a reinforcing layer was used. However, this method not only causes the complexity of the pellicle manufacturing process, but also may cause a problem that the properties of the pellicle thin film are deteriorated due to the addition of the reinforcing layer.

한국특허출원 제2008-0102204호Korean Patent Application No. 2008-0102204 한국특허출원 제200900026939호Korean Patent Application No. 200900026939 한국특허출원 제2009-0026940호Korean Patent Application No. 2009-0026940 한국특허출원 제2011-0135209호Korean Patent Application No. 2011-0135209 한국특허출원 제2011-7019106호Korean Patent Application No. 2011-7019106

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 외부의 충격이나 박막 자체의 스트레스로 인한 박막의 처짐이나 파손의 발생을 방지할 수 있는 구조의 펠리클 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is a pellicle having a structure capable of preventing sagging or breakage of a thin film due to external impact or stress of the thin film itself, and a method of manufacturing the same Is to provide

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 펠리클은, 펠리클층, 및 상기 펠리클층을 지지하는 지지층을 포함하며, 상기 펠리클층은 일 부위에 그 판면이 1회 이상 굴곡되어 형성된 주름부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The pellicle according to the present invention for achieving the above object includes a pellicle layer, and a support layer supporting the pellicle layer, wherein the pellicle layer is provided with a corrugated portion formed by bending the plate surface one or more times on one site. Should be

상기 주름부는 상기 지지층에 인접된 영역에 형성되며, 구체적으로는 상기 펠리클층의 가장자리 영역에 형성된다.The wrinkle portion is formed in an area adjacent to the support layer, and specifically, is formed in an edge area of the pellicle layer.

상기 펠리클층의 상면 또는 하면 또는 양면에는 보호층이 형성될 수 있으며, 이때 상기 주름부는 상기 보호층과 상기 펠리클층에 함께 형성될 수 있다.A protective layer may be formed on an upper surface, a lower surface, or both surfaces of the pellicle layer, and the wrinkled portion may be formed on the protective layer and the pellicle layer.

상기 펠리클층 또는 보호층에 접하는 캡핑층이 추가로 형성될 수 있으며, 이때 상기 주름부는 상기 보호층 또는 캡핑층과 상기 펠리클층에 함께 형성될 수 있다.A capping layer contacting the pellicle layer or the protective layer may be additionally formed, and the wrinkled portion may be formed on the protective layer or the capping layer and the pellicle layer together.

상기 펠리클층의 상면 또는 하면 또는 양면에 캡핑층이 추가로 형성될 수 있으며, 이때 상기 주름부는 상기 캡핑층과 상기 펠리클층에 함께 형성될 수 있다.A capping layer may be additionally formed on an upper surface, a lower surface, or both surfaces of the pellicle layer, wherein the corrugation portion may be formed on the capping layer and the pellicle layer.

상기 주름부는 그 단면이 L자 형으로 절곡된 형상을 가질 수 있고, 이때 상기 L자 형의 모서리 부위가 만곡면으로 구성되는 것이 바람직하다.The corrugated portion may have a shape in which its cross section is bent in an L shape, and it is preferable that the corner portion of the L shape is composed of a curved surface.

상기 주름부는 물결 모양의 만곡 형상을 갖도록 형성될 수 있다.The wrinkle portion may be formed to have a wavy curved shape.

상기 펠리클층은, 1) 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘 재질, 또는 실리콘에 산소(O), 탄소(C) 또는 질소(N)가 포함된 실리콘 화합물 재질, 2) 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 구리(Cu), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 플랫티늄(Pt), 철(Fe), 아연(Zn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 하프늄(Hf), 이트륨(Y), 인듐(In), 텅스텐(W) 중 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금, 3) B(Boron), Al(Aluminium), Ga(Gallium), In(Indium), As(Arsenic), Sb(Antimony), Bi(Bismuth) 중 1종 이상의 비금속 또는 이들의 화합물, 4) 상기 1) 또는 2)의 금속 또는 비금속에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물, 5) 상기 1) 또는 2)의 금속 및 비금속에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물, 6) 상기 1) 내지 4) 중 어느 하나의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하는 화합물, 7) CNT(Carbon Nano Tube), 그래파이트(graphite), 그래핀(graphene) 중 1종 이상, 중 어느 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다.The pellicle layer, 1) a silicon material containing at least one of a single crystal, polycrystalline and amorphous, or a silicon compound material containing oxygen (O), carbon (C) or nitrogen (N) in silicon, 2) mol Ribdenium (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), vanadium (V), cobalt (Co), copper (Cu), nickel (Ni), zirconium (Zr), niobium (Nb), palladium (Pd) , Platinum (Pt), Iron (Fe), Zinc (Zn), Tin (Sn), Chromium (Cr), Aluminum (Al), Manganese (Mn), Cadmium (Cd), Magnesium (Mg), Lithium (Li ), selenium (Se), hafnium (Hf), yttrium (Y), indium (In), tungsten (W), one or more metals or alloys thereof, 3) B (Boron), Al (Aluminium), Ga ( Gallium), In (Indium), As (Arsenic), Sb (Antimony), Bi (Bismuth), at least one nonmetal or a compound thereof, 4) The metal or nonmetal of 1) or 2) above is silicon (Si) Silicides or mixtures containing, 5) Silicides or mixtures containing silicon (Si) in the metals and base metals of 1) or 2), 6) Oxygen (O), nitrogen in any one of 1) to 4) above (N), a compound containing at least one of carbon (C), 7) CNT (Carbon Nano Tube), graphite (graphite), at least one of graphene (graphene), to be formed including any one or more of Can.

상기 보호층은, 1) 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘에 산소(O), 탄소(C) 또는 질소(N)가 포함된 실리콘 화합물 재질, 2) 크롬(Cr), 질화 크롬(CrN), 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 프라세어디뮴(Pr), 란탄넘(La), 텔루륨(Te), 로듐(Rh), 유로퓸(Eu), 은(Ag) 중 1종 이상 또는 이들 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하는 화합물, 디칼코게니드 전이금속 단일층 (MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2) 중 적어도 1 이상의 물질, 중 어느 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.The protective layer includes: 1) a silicon compound material containing oxygen (O), carbon (C) or nitrogen (N) in silicon containing at least one of single crystal, polycrystalline and amorphous, 2) chromium (Cr), Chromium nitride (CrN), aluminum (Al), aluminum oxide (Al2O3), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), palladium (Pd), titanium (Ti), flat Titanium (Pt), manganese (Mn), iron (Fe), nickel (Ni), cadmium (Cd), zirconium (Zr), magnesium (Mg), lithium (Li), selenium (Se), copper (Cu), Yttrium (Y), Indium (In), Tin (Sn), Boron (B), Beryllium (Be), Tantalum (Ta), Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Silicon (Si), Rusium (Ru) , Praseodymium (Pr), lanthanum (La), tellurium (Te), rhodium (Rh), europium (Eu), silver (Ag), or oxygen (O), nitrogen ( N), a compound containing at least one of carbon (C), at least one material of a single layer of a dichalcogenide transition metal (MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , MoTe 2 , WTe 2 ), It may be configured to include one or more.

상기 캡핑층은, 1) 크롬(Cr), 질화 크롬(CrN), 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 프라세어디뮴(Pr), 란탄넘(La), 텔루륨(Te), 로듐(Rh), 유로퓸(Eu), 은(Ag) 중1종 이상의 물질 또는 이들의 합금이나 화합물, 2) 상기 물질에 루세늄(Ru)을 포함하는 이들의 합금이나 화합물(특히, RuB2, RuZr, RuY, RuNb, RuTi, RuLa), 3) 상기 1) 또는 2)의 물질에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물, 4) 상기 1) 내지 3) 중 어느 하나의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하는 화합물, 5) 디칼코게니드 전이금속(MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2) 중 적어도 1 이상의 물질, 중 어느 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.The capping layer, 1) chromium (Cr), chromium nitride (CrN), aluminum (Al), aluminum oxide (Al2O3), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V) , Palladium (Pd), titanium (Ti), platinum (Pt), manganese (Mn), iron (Fe), nickel (Ni), cadmium (Cd), zirconium (Zr), magnesium (Mg), lithium (Li ), selenium (Se), copper (Cu), yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium (Nb) ), silicon (Si), ruthenium (Ru), praseodymium (Pr), lanthanum (La), tellurium (Te), rhodium (Rh), europium (Eu), silver (Ag) These substances or alloys or compounds thereof, 2) These alloys or compounds containing ruthenium (Ru) in the substance (especially RuB2, RuZr, RuY, RuNb, RuTi, RuLa), 3) 1) or 2 ) Is a silicide or a mixture containing silicon (Si) in a material, 4) any one of 1) to 3) above containing at least one of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C) Compound, 5) Dichalcogenide transition metals (MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , MoTe 2 , WTe 2 ), at least one material, may be configured to include any one or more of.

상기 캡핑층은 단층 또는 다층 형태로 적층 될 수 있고, 다층일 경우 인접하는 캡핑층의 물질은 서로 상이하게 구성되는 것이 바람직하다.The capping layer may be stacked in a single layer or a multi-layer form, and in the case of a multi-layer, the materials of adjacent capping layers are preferably configured differently from each other.

본 발명의 다른 측면에 의하면, a) 기판 상에 제1마스크를 형성하고 패터닝하는 단계; b) 상기 제1마스크를 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각함으로써, 상기 기판의 일부 영역에 그 단면이 주름 형상을 갖게 하는 함몰부를 형성하는 단계; c) 상기 제1마스크를 제거하는 단계; d) 상기 함몰부가 형성된 상기 기판의 판면에, 상기 함몰부에 의해 일 부위가 주름부로 구성되는 상기 펠리클층을 형성하는 단계; e) 상기 기판의 상기 펠리클층이 형성된 면의 배면에 제2마스크를 형성하는 단계; f) 상기 제2마스크를 패터닝하는 단계; 및 g) 상기 제2마스크의 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각함으로써, 상기 펠리클층을 지지하는 지지층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법이 제시된다.According to another aspect of the present invention, a) forming and patterning a first mask on a substrate; b) etching the substrate using the first mask as an etch mask, thereby forming a depression in which a cross-section has a wrinkle shape in a partial region of the substrate; c) removing the first mask; d) forming a pellicle layer on a plate surface of the substrate on which the depression is formed, wherein one portion is formed of a wrinkle by the depression; e) forming a second mask on the back side of the surface on which the pellicle layer is formed on the substrate; f) patterning the second mask; And g) forming a support layer supporting the pellicle layer by etching the substrate by using the pattern of the second mask as an etch mask.

상기 d) 단계는, 상기 펠리클층의 양면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step d) may further include forming a protective layer on both sides of the pellicle layer.

상기 g) 단계 후, 상기 보호층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step g), a step of forming a capping layer on the protective layer may be further included.

상기 g) 단계 후, 상기 펠리클층의 양면에 형성된 보호층 중 적어도 일면의 보호층을 제거하는 단계, 및 상기 노출된 펠리클층 또는 보호층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the step g), removing the protective layer on at least one side of the protective layers formed on both surfaces of the pellicle layer, and further comprising forming a capping layer on the exposed pellicle layer or the protective layer.

상기 b) 단계에서의 식각은 건식 식각 또는 습식 식각일 수 있다.The etching in step b) may be dry etching or wet etching.

상기 d) 단계 전에, 상기 기판의 상기 함몰부가 형성된 면을 산화(oxidation)하여 산화막을 형성하는 단계, 및 상기 산화막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.Before the step d), the step of forming the oxide film by oxidizing (oxidation) the surface of the recessed portion of the substrate, and may further include the step of removing the oxide film.

상기 d) 단계는, 상기 펠리클층의 상면 또는 하면 또는 양면에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step d) may further include forming a capping layer on the upper or lower surface or both surfaces of the pellicle layer.

상기 d) 단계와 상기 e) 단계는, 상기 기판에 대한 증착을 통해 하나의 공정으로 동시에 수행되는 것이 바람직하다.The steps d) and e) are preferably performed simultaneously in a single process through deposition on the substrate.

본 발명에 따르면, 펠리클층에 일시적 또는 지속적인 변형력이 가해지더라도 펠리클층의 신장 및 원상 수축에 의해 외력이 흡수된다. 따라서 펠리클층의 판면에 손상이나 처짐이 발생하지 않게 된다.According to the present invention, even if a temporary or continuous deformation force is applied to the pellicle layer, external force is absorbed by elongation and circular contraction of the pellicle layer. Therefore, no damage or sagging occurs on the plate surface of the pellicle layer.

도 1 은 본 발명의 제1실시 형태에 따른 펠리클의 측단면도.
도 2 는 본 발명의 제2실시 형태에 따른 펠리클의 측단면도
도 3 및 도 4 는 도 1 및 도 2의 펠리클 내의 주름부 형상에 대한 변형예.
도 5 내지 도 11 은 본 발명에 제1실시 형태에 따른 펠리클의 제조 과정을 순차적으로 도시한 도면.
도 12 내지 도 14 는 본 발명에 제2실시 형태에 따른 펠리클의 제조 과정을 순차적으로 도시한 도면.1 is a side cross-sectional view of a pellicle according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a side cross-sectional view of the pellicle according to the second embodiment of the present invention
3 and 4 are modified examples of the shape of the wrinkles in the pellicle of FIGS. 1 and 2.
5 to 11 are views sequentially showing a manufacturing process of the pellicle according to the first embodiment of the present invention.
12 to 14 are views sequentially showing the manufacturing process of the pellicle according to the second embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 기술한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시 형태에 따른 펠리클의 측단면도이다. 본 발명에 따른 펠리클은 지지층(12), 펠리클층(14), 보호층(20) 및 캡핑층(16)을 포함하여 구성된다. 1 is a side cross-sectional view of a pellicle according to a first embodiment of the present invention. The pellicle according to the present invention comprises a support layer 12, a pellicle layer 14, a protective layer 20 and a capping layer 16.

지지층(12)은 실리콘(Si) 기판을 식각하여 형성되며, 펠리클층(14), 보호층(20) 및 캡핑층(16)을 지지하는 기능을 한다. 직사각형 형상의 판면으로 구성된 펠리클층(14), 보호층(20) 및 캡핑층(16)을 지지하기 위하여 지지층(12)은 펠리클층(14) 하부의 가장자리 영역을 따라 형성된다. 펠리클층(14), 보호층(20) 및 캡핑층(16)의 중앙 영역은 노광광이 투과되는 펠리클 박막으로서 기능한다.The support layer 12 is formed by etching a silicon (Si) substrate, and functions to support the pellicle layer 14, the protective layer 20, and the capping layer 16. The support layer 12 is formed along the edge region under the pellicle layer 14 to support the pellicle layer 14, the protective layer 20, and the capping layer 16 formed of a rectangular plate surface. The central regions of the pellicle layer 14, the protective layer 20, and the capping layer 16 function as a pellicle thin film through which exposure light is transmitted.

보호층(20)은 펠리클층(14)을 중심으로 그 상부와 하부에 각각 형성되고, 캡핑층(16)은 각 보호층(20)의 외측면 즉 하부의 보호층(20)의 하부 및 상부의 보호층(20)의 상부에 각각 형성된다. 보호층(20)은 상부에만 형성될 수도 있고, 하부에만 형성될 수도 있고, 형성되지 않을 수도 있다. 캡핑층(16) 또한 상부 및 하부 중 어느 하나에 형성되거나 형성되지 않을 수도 있다.The protective layer 20 is formed on the upper and lower portions of the pellicle layer 14, respectively, and the capping layer 16 is an outer surface of each protective layer 20, that is, the lower and upper portions of the protective layer 20 on the lower side. Each of the upper layers of the protective layer 20 is formed. The protective layer 20 may be formed only on the upper portion, or may be formed only on the lower portion, or may not be formed. The capping layer 16 may or may not also be formed on either the top or bottom.

일 예로서, 펠리클층(14)은 10nm ~ 100nm 의 두께를 가지며, 보호층(20)은 1nm ~ 50nm 의 두께를 갖고, 캡핑층(16)은 1nm ~ 50nm 의 두께를 갖는다.As an example, the pellicle layer 14 has a thickness of 10 nm to 100 nm, the protective layer 20 has a thickness of 1 nm to 50 nm, and the capping layer 16 has a thickness of 1 nm to 50 nm.

펠리클층(14)은 노광광이 투과되는 펠리클 박막으로서 기능을 하는 구성이고, 보호층(20)은 지지층(12)과 펠리클층(14)이 상호 식각 선택비가 없거나 매우 낮은 물질로 형성되는 경우, 펠리클을 형성하기 위한 지지층(12)의 식각 공정 시 펠리클층(14)을 보호하기 위한 식각저지막으로 역할한다. 또한, 보호층(20)은 펠리클층(14)의 기계적 강도를 보완하기 위한 역할을 수행한다. 캡핑층(16)은 펠리클층(14)의 기계적 강도를 보완하거나 방열을 하는 기능을 하는 구성이다.The pellicle layer 14 is configured to function as a pellicle thin film through which exposure light is transmitted, and the protective layer 20 is formed when the support layer 12 and the pellicle layer 14 are formed of a material having no mutual etch selectivity or very low, During the etching process of the support layer 12 for forming the pellicle, it serves as an etch stop layer for protecting the pellicle layer 14. In addition, the protective layer 20 serves to supplement the mechanical strength of the pellicle layer 14. The capping layer 16 is configured to supplement the mechanical strength of the pellicle layer 14 or to perform heat dissipation.

펠리클층(14)은 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘 재질, 또는 실리콘에 산소(O), 탄소(C) 또는 질소(N)가 포함된 실리콘 화합물 재질로 형성될 수 있다. 또한 펠리클층(14)은 CNT(Carbon Nano Tube), 그래파이트(graphite), 또는 그래핀(graphene) 재질로 형성될 수 있다. 아울러, 펠리클층(14)은 1) 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 구리(Cu), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 플랫티늄(Pt), 철(Fe), 아연(Zn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 하프늄(Hf), 이트륨(Y), 텅스텐(W) 중 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금, 2) B(Boron), Al(Aluminium), Ga(Gallium), In(Indium), As(Arsenic), Sb(Antimony), Bi(Bismuth) 중 1종 이상의 비금속 또는 이들의 화합물, 3) 상기 1), 2)의 금속 또는 비금속에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물, 4) 상기 1), 2)의 금속 및 비금속에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물, 5) 상기 1) 내지 4)의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하여 형성할 수 있다. The pellicle layer 14 may be formed of a silicon material containing one or more states of single crystal, polycrystalline and amorphous, or a silicon compound material containing oxygen (O), carbon (C) or nitrogen (N) in silicon. . In addition, the pellicle layer 14 may be formed of CNT (Carbon Nano Tube), graphite (graphite), or graphene (graphene) material. In addition, the pellicle layer 14 is 1) molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), vanadium (V), cobalt (Co), copper (Cu), nickel (Ni), zirconium (Zr) ), niobium (Nb), palladium (Pd), platinum (Pt), iron (Fe), zinc (Zn), tin (Sn), chromium (Cr), manganese (Mn), cadmium (Cd), magnesium ( Mg), lithium (Li), selenium (Se), hafnium (Hf), yttrium (Y), tungsten (W), one or more metals or alloys thereof, 2) B (Boron), Al (Aluminium), Ga (Gallium), In (Indium), As (Arsenic), Sb (Antimony), Bi (Bismuth) of at least one non-metal or a compound thereof, 3) The metal or metal of 1), 2) above is silicon (Si) Silicides or mixtures containing, 4) Silicides or mixtures containing silicon (Si) in the metals and base metals of 1) and 2), 5) Oxygen (O) and nitrogen (N) in the materials of 1) to 4). ), and carbon (C).

보호층(20)은 펠리클층(14)과 식각 선택비를 갖는 물질로 구성된다.The protective layer 20 is made of a material having an etch selectivity with the pellicle layer 14.

보호층(20)은 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘에 산소(O), 탄소(C) 또는 질소(N)가 포함된 실리콘 화합물 재질로 형성될 수 있다. 또한, 보호층(20)은 1) 크롬(Cr), 질화 크롬(CrN), 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 프라세어디뮴(Pr), 란탄넘(La), 텔루륨(Te), 로듐(Rh), 유로퓸(Eu), 은(Ag) 중 1종 이상 또는 이들 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하여 형성할 수 있다.The protective layer 20 may be formed of a silicon compound material containing oxygen (O), carbon (C), or nitrogen (N) in silicon containing one or more states of single crystal, polycrystalline and amorphous. In addition, the protective layer 20 is 1) chromium (Cr), chromium nitride (CrN), aluminum (Al), aluminum oxide (Al2O3), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), palladium (Pd), titanium (Ti), platinum (Pt), manganese (Mn), iron (Fe), nickel (Ni), cadmium (Cd), zirconium (Zr), magnesium (Mg), Lithium (Li), selenium (Se), copper (Cu), yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), Niobium (Nb), silicon (Si), ruthenium (Ru), praseodymium (Pr), lanthanum (La), tellurium (Te), rhodium (Rh), europium (Eu), silver (Ag) It can be formed by containing one or more of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C) in one or more of these materials.

또한, 보호층(20)은, 전이금속 (transition metal, M)과 칼코젠 원소 (chalcogen atom, X)가 MX2 구조로 결합하여 2차원 단일층을 형성한 디칼코게니드 전이금속 단일층 (transition metal dichalcogenide, TMD monolayer)을 이용할 있으며, 상기 MX2를 구성하는 물질로는 Mo와 W를　포함하는 전이금속(transition metal)과 S, Se, Te을 포함하는 디칼코게니드(dichalcogenide) 물질로 단일층(monolayer) 또는 다층(multilayers)일 수 있다. 대표적으로 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2 등이 있다.In addition, the protective layer 20, a transition metal (M) and a chalcogen element (chalcogen atom, X) MX 2 structure combined to form a two-dimensional single layer of a decalcogenide transition metal monolayer (transition Metal dichalcogenide, TMD monolayer can be used, and the material constituting MX 2 is a single layer of a transition metal containing Mo and W and a dichalcogenide material containing S, Se, and Te. It may be (monolayer) or multilayers. Typical examples include MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , MoTe 2 , and WTe 2 .

캡핑층(16)은 다층으로 적층될 수 있으며, 다층으로 적층될 경우 서로 인접하는 캡핑층(16)의 물질은 서로 상이한 것이 바람직하다. 또한, 도시하지는 않았지만, 캡핑층(16)은 보호층(20)이 펠리클층(14)의 상면 또는 하면 중 일면에 형성되거나 형성되지 않는 경우, 펠리클층(14)과 직접 접하도록 형성될 수 있다.The capping layer 16 may be stacked in multiple layers, and when stacked in multiple layers, it is preferable that materials of the capping layers 16 adjacent to each other are different from each other. In addition, although not shown, the capping layer 16 may be formed to directly contact the pellicle layer 14 when the protective layer 20 is formed or not formed on one of the upper or lower surfaces of the pellicle layer 14. .

캡핑층(16)은 1) 크롬(Cr), 질화 크롬(CrN), 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 프라세어디뮴(Pr), 란탄넘(La), 텔루륨(Te), 로듐(Rh), 유로퓸(Eu), 은(Ag) 중 1종 이상의 물질 또는 이들의 합금이나 화합물, 2) 상기 물질에 루세늄(Ru)을 포함하는 이들의 합금이나 화합물(특히, RuB2, RuZr, RuY, RuNb, RuTi, RuLa), 3) 상기 1), 2)의 물질에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물, 4) 상기 1) 내지 3)의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하여 형성할 수 있다. The capping layer 16 is 1) chromium (Cr), chromium nitride (CrN), aluminum (Al), aluminum oxide (Al2O3), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V) ), palladium (Pd), titanium (Ti), platinum (Pt), manganese (Mn), iron (Fe), nickel (Ni), cadmium (Cd), zirconium (Zr), magnesium (Mg), lithium ( Li), selenium (Se), copper (Cu), yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium ( Nb), silicon (Si), ruthenium (Ru), praseodymium (Pr), lanthanum (La), tellurium (Te), rhodium (Rh), europium (Eu), silver (Ag) 1 2 or more materials or alloys or compounds thereof, 2) alloys or compounds thereof containing ruthenium (Ru) in the material (especially RuB 2 , RuZr, RuY, RuNb, RuTi, RuLa), 3) 1) , 2) a silicide or a mixture containing silicon (Si) in a material, 4) a material containing 1 or more of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C) in the materials 1) to 3) can do.

또한, 캡핑층(16)은, 전이금속 (transition metal, M)과 칼코젠 원소 (chalcogen atom, X)가 MX2 구조로 결합하여 2차원 단일층을 형성한 디칼코게니드 전이금속 단일층(transition metal dichalcogenide, TMD monolayer)을 이용할 있으며, 상기 MX2를 구성하는 물질로는 Mo와 W를　포함하는 전이금속(transition metal)과 S, Se, Te 을 포함하는 디칼코게니드(dichalcogenide) 물질로 단일층(monolayer) 또는 다층(multilayers)일 수 있다. 대표적으로 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2 등이 있다.In addition, the capping layer 16, a transition metal (M) and a chalcogen element (chalcogen atom, X) is a dichalcogenide transition metal monolayer (transition) in which a two-dimensional monolayer is formed by combining in an MX 2 structure. Metal dichalcogenide, TMD monolayer can be used, and the material constituting the MX 2 is a single layer made of a transition metal containing Mo and W and a dichalcogenide material containing S, Se, and Te. It may be (monolayer) or multilayers. Typical examples include MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , MoTe 2 , and WTe 2 .

본 발명의 펠리클층(14)은 일 부위에 그 판면이 1회 이상 굴곡되어 형성된 주름부(18)를 구비한다. 주름부(18)는 지지층(12)에 인접된 영역에 형성되어 펠리클(14)층의 중앙부 영역이 펠리클 박막으로서 기능하는 데에 장애가 없도록 구성된다. 구체적으로는 주름부(18)는 펠리클층(14)의 가장자리 영역에 전체 둘레 구간에 걸쳐서 폐루프를 이루도록 형성된다. 주름부(18)는 주름의 진행 방향이 펠리클층(14)의 가장자리로부터 중앙부로 향하는 방향이고, 이에 따라 주름부(18)는 펠리클층(14)의 판면에 중앙부를 중심으로 하여 방사상 방향의 탄성을 부여하는 기능을 하게 된다. 즉, 펠리클층(14)의 판면 방향으로 인장력이 가해지면 주름부(18)가 인장력을 흡수하여 변형이 일어나며, 인장력이 해제되면 주름부(18)의 자체 탄성에 의해 원 상태로 복원된다. 따라서 펠리클층(14)에 일시적 또는 지속적인 변형력이 가해지더라도 펠리클층(14)의 평평한 판면 부분은 늘어나거나 파손되지 않게 된다. 또한 펠리클층(14) 자체의 판면 방향의 응력도 주름부(18)의 탄성에 의해 흡수된다. 캡핑층(16)은 펠리클층(14) 또는 보호층(20)의 상면 또는 하면 또는 양면에 형성되어 있으므로, 주름부(18)는 보호층(20), 캡핑층(16)과 펠리클층(14)에 함께 형성된다.The pellicle layer 14 of the present invention is provided with a corrugated portion 18 formed by bending the plate surface one or more times on one site. The corrugated portion 18 is formed in a region adjacent to the support layer 12 so that the central region of the pellicle 14 layer is configured such that there is no obstacle in functioning as a pellicle thin film. Specifically, the wrinkle portion 18 is formed to form a closed loop over the entire circumferential section in the edge region of the pellicle layer 14. The corrugated portion 18 is a direction in which the corrugation proceeds from the edge of the pellicle layer 14 to the central portion, whereby the corrugated portion 18 is elastic in the radial direction around the central portion on the plate surface of the pellicle layer 14 It gives a function to give. That is, when a tensile force is applied in the plate surface direction of the pellicle layer 14, the wrinkles 18 absorb the tensile force and deformation occurs, and when the tensile force is released, the wrinkles 18 are restored to their original state by self-elasticity. Therefore, even if a temporary or continuous deformation force is applied to the pellicle layer 14, the flat plate portion of the pellicle layer 14 does not stretch or break. In addition, the stress in the plate surface direction of the pellicle layer 14 itself is also absorbed by the elasticity of the corrugated portion 18. Since the capping layer 16 is formed on the upper surface or the lower surface or both surfaces of the pellicle layer 14 or the protective layer 20, the corrugated portion 18 has a protective layer 20, a capping layer 16 and a pellicle layer 14 ) Together.

도 1 의 실시예에서, 주름부(18)는 그 단면이 L자 형으로 절곡된 형상이 이어져 있는 형태로 구성되어 있다. 하나의 주름부(18)를 구성하는 하나의 굴곡은, 그 폭(a)이 0.1~1000㎛, 굴곡과 굴곡 사이의 거리(b)는 0.1~1000㎛, 굴곡의 높이(h)는 0.01~5㎛로 구성된다. 하나의 주름부(18) 내의 굴곡의 개수(n)는 1개 이상으로 구성될 수 있다. 굴곡의 개수가 많으면 주름부(18)의 신장 가능 길이가 증가하여 펠리클층(14)에 가해지는 변형력에 대한 저항 능력이 커질 것이나, 지나치게 많을 경우 펠리클층(14)의 면적이 줄어들어 펠리클 박막으로서 기능하는 영역이 줄어들게 된다. 이러한 점을 고려하여 주름부(18)의 각 수치 및 개수는 제품별로 상이하게 필요에 따라 적절히 선택될 수 있다.In the embodiment of Fig. 1, the corrugated portion 18 is configured in a form in which its cross section is bent in an L shape. One bend constituting one pleated portion 18 has a width (a) of 0.1 to 1000 μm, a distance (b) between bends and bends of 0.1 to 1000 μm, and a height (h) of bends of 0.01 to 1000 μm. It is composed of 5㎛. The number (n) of bends in one corrugated portion 18 may be composed of one or more. If the number of bends is large, the stretchable length of the pleats 18 will increase to increase the resistance to deformation force applied to the pellicle layer 14, but if too large, the area of the pellicle layer 14 decreases to function as a pellicle thin film. The area to be reduced is reduced. In consideration of these points, each number and number of wrinkles 18 may be appropriately selected as needed for different products.

도 2는 본 발명의 제2실시 형태에 따른 펠리클의 측단면도이다. 본 실시예의 펠리클은 지지층(12), 펠리클층(14) 및 캡핑층(16)이 순차 적층 형성된 구성을 갖는다. 여기서, 지지층(12), 펠리클층(14), 및 캡핑층(16)은 상술한 도 1의 제1실시 형태와 동일한 구성으로 형성된다.2 is a side cross-sectional view of a pellicle according to a second embodiment of the present invention. The pellicle of this embodiment has a configuration in which the support layer 12, the pellicle layer 14, and the capping layer 16 are sequentially stacked. Here, the support layer 12, the pellicle layer 14, and the capping layer 16 are formed in the same configuration as in the first embodiment of FIG. 1 described above.

제2실시 형태에 따른 펠리클은 펠리클층(14) 또는 캡핑층(16)이 지지층(12)과 식각선택비를 갖는 경우, 즉, 지지층(12)을 형성하기 위한 식각 물질에 식각되지 않는 경우 구성할 수 있다.The pellicle according to the second embodiment is configured when the pellicle layer 14 or the capping layer 16 has an etch selectivity with the support layer 12, that is, it is not etched by an etch material for forming the support layer 12 can do.

캡핑층(16)은 펠리클층(14)의 상면, 하면, 또는 양면에 형성될 수 있으며, 주름부(18)는 캡핑층(16)과 펠리클층(14)에 함께 형성된다.The capping layer 16 may be formed on the upper surface, the lower surface, or both surfaces of the pellicle layer 14, and the wrinkles 18 are formed on the capping layer 16 and the pellicle layer 14 together.

도 1 및 도 2 의 실시예에서, 주름부(18)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 도 3 및 도 4 는 주름부(18)의 형상에 대한 변형예들을 도시한 도면이다. 도 3 및 도 4 에서는 도시의 편의상 하나의 층만이 도시되어 있으나, 펠리클층(14)과 캡핑층(16) 또는 보호층(20)이 함께 존재하는 경우에는 도 3 및 도 4 의 층은 실제로는 두 개 이상의 층을 포함하여 구성된다.In the embodiment of Figures 1 and 2, the shape of the wrinkles 18 can be variously modified. 3 and 4 are diagrams showing modified examples of the shape of the wrinkle portion 18. 3 and 4, for convenience of illustration, only one layer is shown, but when the pellicle layer 14 and the capping layer 16 or the protective layer 20 are present together, the layers of FIGS. 3 and 4 are actually It consists of two or more layers.

도 3 에서, 주름부(18)는 도 1, 2와 같은 L자 형상에서 그 모서리 부위가 다소 부드럽게 만곡된 만곡면으로 구성되어 있다. 도 1, 2 에서는 주름부(18)의 각 굴곡의 모서리가 직각(또는 직각에 가까운 형태)으로 구성되어 있으며, 이 경우 모서리 부분에서의 기계적 강도가 낮아 주름부(18) 변형시 모서리 부분이 파손될 우려가 있다. 따라서 도 3 과 같이 모서리 부분을 만곡면으로 구성함으로써 주름부(18)의 신장 시의 외력이 분산되어 가해지도록 하는 것이 바람직하다.In FIG. 3, the pleated portion 18 is composed of a curved surface whose edges are slightly curved in the L-shape as shown in FIGS. 1 and 2. 1 and 2, the corners of each bend of the corrugated portion 18 are formed at right angles (or a form close to the right angle), and in this case, the mechanical strength at the corner portion is low, so that the corner portion is damaged when the corrugated portion 18 is deformed I have a concern. Therefore, it is preferable to configure the corner portion as a curved surface as shown in FIG. 3 so that the external force at the time of elongation of the wrinkle portion 18 is dispersed and applied.

도 4 의 예에서는, 주름부(18)가 더욱 만곡되어 전체적으로 물결 모양의 만곡 형상을 갖도록 구성되어 있다. 이러한 구조에 따르면, 주름부(18)의 형상이 코일 스프링과 유사한 형상으로 구성되어 더욱 효과적인 신장과 복원이 가능하게 된다.In the example of FIG. 4, the wrinkle part 18 is further curved so as to have a wavy shape as a whole. According to this structure, the shape of the corrugated portion 18 is configured in a shape similar to the coil spring, thereby enabling more effective elongation and restoration.

이하에서는 도 5 내지 도 11 을 참고하여 본 발명의 제1실시 형태에 따른 펠리클의 제작 방법을 기술한다.Hereinafter, a method of manufacturing the pellicle according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 11.

먼저 도 5 와 같이 본 발명에 따른 펠리클 제조를 위한 기초로 사용되는 기판(22)을 세정하여 준비하고, 도 6 과 같이 기판(22) 상에, 예를 들어, 포토레지스트를 코팅하여 제1마스크(31)를 형성한다.First, a substrate 22 used as a basis for manufacturing a pellicle according to the present invention is prepared by cleaning as shown in FIG. 5, and a first mask is coated on the substrate 22 as shown in FIG. 6, for example, by coating a photoresist. (31) is formed.

그리고 나서, 도 7 과 같이 제1마스크(31)를 패터닝하여 제1마스크(31)의 패턴을 형성하고 패터닝된 제1마스크(31)를 식각 마스크로 이용하여 기판(22)을 식각함으로써 함몰부(23)를 기판(22)에 형성한다. 함몰부(23)는 후속 공정에서 주름부(18)를 형성하기 위한 틀에 해당되며, 이를 위하여 함몰부(23)는 전체적으로 기판(22)의 일부 영역에 그 단면이 주름 형상을 갖는 외형으로 형성된다. 이를 위하여, 제1마스크(31)는 주름부(18)의 각 굴곡의 형상과 크기 및 개수에 대응되는 함몰부(23)를 형성할 수 있도록 이에 대응되는 형상으로 패터닝된다.Then, as shown in FIG. 7, the first mask 31 is patterned to form a pattern of the first mask 31, and the substrate 22 is etched using the patterned first mask 31 as an etching mask to etch the depressions. (23) is formed on the substrate 22. The recessed portion 23 corresponds to a frame for forming the corrugated portion 18 in a subsequent process, and for this purpose, the recessed portion 23 is formed in an outer shape having a corrugated cross-section in some regions of the substrate 22 as a whole. do. To this end, the first mask 31 is patterned into a shape corresponding to it so as to form a depression 23 corresponding to the shape, size, and number of each bend of the corrugated portion 18.

함몰부(23)가 형성되면 제1마스크(31)를 제거하여 도 8 과 같이 함몰부(23)만 형성된 기판(22)이 얻어진다.When the depression 23 is formed, the first mask 31 is removed to obtain a substrate 22 on which only the depression 23 is formed.

도 9 와 같이, 함몰부(23)가 형성된 기판(22)의 판면에 보호층(20), 펠리클층(14) 및 보호층(20)을 순차적으로 형성하고, 펠리클층(14)이 형성된 면의 배면에 제2마스크(32)를 형성한다. 9, the protective layer 20, the pellicle layer 14 and the protective layer 20 are sequentially formed on the plate surface of the substrate 22 on which the depression 23 is formed, and the surface on which the pellicle layer 14 is formed A second mask 32 is formed on the back surface of the.

보호층(20)과 제2마스크(32)는 기판(22)에 대한 증착을 통해 하나의 공정으로 동시에 수행되는 것이 바람직하며, 이때, 보호층(20)과 기판(22)은 상호 식각선택비를 갖는 물질로 형성된다. 기판(22) 상에 함몰부(23)가 형성되어 있으므로, 이 함몰부(23)에 의해 펠리클층(14) 및 보호층(20)의 일 부위는 주름부(18)로 구성된다.It is preferable that the protective layer 20 and the second mask 32 are simultaneously performed in a single process through deposition on the substrate 22. At this time, the protective layer 20 and the substrate 22 have mutual etch selectivity. It is formed of a material having. Since the recessed portion 23 is formed on the substrate 22, one portion of the pellicle layer 14 and the protective layer 20 is formed by the recessed portion 23 by the recessed portion 23.

도 10 과 같이 제2마스크(32)가 지지층(12)의 형상에 대응되도록 패터닝되고, 제2마스크(32)의 패턴을 식각마스크로 하여 기판(22)을 보호층(20)이 노출되도록 식각함으로써 도 11 과 같이 기판(22)이 지지층(12)의 형상을 갖게 된다. 이러한 공정에 의하여, 본 발명에 따른 주름부(18)를 구비한 펠리클이 완성된다.10, the second mask 32 is patterned to correspond to the shape of the support layer 12, and the pattern of the second mask 32 is etched to etch the substrate 22 so that the protective layer 20 is exposed. By doing so, the substrate 22 has the shape of the support layer 12 as shown in FIG. 11. By this process, a pellicle having a wrinkle portion 18 according to the present invention is completed.

상술한 펠리클의 완성 후, 도 1에 도시된 바와 같이, 보호층(20)의 상면 또는 하면 또는 양면에 캡핑층(16)을 형성할 수 있다.After completion of the above-described pellicle, as shown in FIG. 1, the capping layer 16 may be formed on the upper or lower surface or both surfaces of the protective layer 20.

그리고, 도시하지는 않았지만, 보호층(20)은 상면 또는 하면 중 일면 이상의 펠리클층(14)이 노출되도록 선택적으로 제거될 수 있으며, 보호층(20)의 제거 후, 펠리클층(14) 상에 캡핑층(16)을 형성하여 펠리클을 구성할 수 있다. And, although not shown, the protective layer 20 may be selectively removed to expose one or more of the pellicle layer 14 of the upper or lower surface, after removal of the protective layer 20, the cap on the pellicle layer 14 The pellicle may be formed by forming the ping layer 16.

펠리클층(14), 보호층(20) 및 캡핑층(16)은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 퍼니스(Furnice), 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(Atomic Layer Deposition) 등의 방법을 이용하여 형성한다.The pellicle layer 14, the protective layer 20, and the capping layer 16 use methods such as chemical vapor deposition, furnace, sputtering, atomic layer deposition, etc. To form.

한편, 도 7 에서 함몰부(23)를 형성하는 식각 공정에서는, 예를 들어, SiF4 와 같은 불소계(F) 가스를 이용한 건식 식각이 채용될 수 있다. 건식 식각을 할 경우에는 함몰부(23)의 측면이 가파르게 형성되고 하면이 평탄하게 형성되어, 주름부(18)가 도 1, 2와 같이 L 자형 모서리가 연이어 배치된 굴곡의 형상으로 얻어진다.Meanwhile, in the etching process of forming the depression 23 in FIG. 7, dry etching using a fluorine-based (F) gas such as SiF 4 may be employed. In the case of dry etching, the side surfaces of the depressions 23 are steeply formed and the lower surface is formed flat, and the wrinkles 18 are obtained in the shape of a bend in which L-shaped corners are successively arranged as shown in FIGS. 1 and 2.

만약 도 3 과 같이 모서리가 만곡된 주름부(18)의 형상을 얻고자 한다면, 도 9 와 같이 보호층(20) 및 펠리클층(14)을 증착하기 전에 기판(22) 상의 함몰부(23)가 형성된 면을 산화(oxidation)시켜 산화막을 형성한 후에 산화막을 제거하는 공정을 추가로 수행한다. 즉, 도 8 의 상태에서, 예를 들어, O2와 같은 산소(O)를 포함하는 가스 분위기에서 가열하면 실리콘 재질의 기판(22)의 표면에 SiO2 산화막이 형성되고, 이와 같이 형성된 산화막을 BOE 또는 HF로 식각함으로써 모서리부분이 만곡된 면으로 형성된다. 이에 따라 후속되는 보호층(20) 및 펠리클층(14)의 증착 공정에서 도 3 과 같은 형상의 모서리가 만곡된 주름부(18)가 얻어질 수 있다.If it is desired to obtain the shape of the pleated portion 18 with a curved corner as shown in FIG. 3, the depression 23 on the substrate 22 before depositing the protective layer 20 and the pellicle layer 14 as shown in FIG. After forming the oxide film by oxidizing the formed surface, a process of removing the oxide film is additionally performed. That is, in the state of FIG. 8, for example, when heated in a gas atmosphere containing oxygen (O) such as O 2 , an SiO 2 oxide film is formed on the surface of the substrate 22 made of silicon, and the oxide film thus formed is By etching with BOE or HF, the corners are formed into curved surfaces. Accordingly, in the subsequent deposition process of the protective layer 20 and the pellicle layer 14, a wrinkled portion 18 with curved corners as shown in FIG. 3 may be obtained.

도 7 의 함몰부(23)를 형성하는 식각 공정에서는 KOH, TMAH, EDP 등을 이용한 습식 식각이 채용될 수도 있다. 습식 식각은 함몰부(23)의 측면에 대한 식각 정도가 건식 식각에 비해 크므로, 습식 식각에 의해 함몰부(23)의 형상은 그 단면이 만곡된 부분 원의 형상이 된다. 따라서 이러한 공정에 의하여 도 4 와 같은 물결 형상의 주름부(18)가 얻어질 수 있다.In the etching process of forming the depression 23 of FIG. 7, wet etching using KOH, TMAH, EDP, or the like may be employed. Since the wet etching has a greater etch rate on the side surface of the depression 23 than the dry etching, the shape of the depression 23 by wet etching becomes a shape of a partial circle whose cross section is curved. Therefore, the corrugated corrugated portion 18 as shown in FIG. 4 can be obtained by this process.

습식 식각의 경우에도 건식 식각에서와 마찬가지로 산화막을 형성한 후에 제거하는 공정을 추가로 채용할 수 있다. 습식 식각에서의 산화막 형성 및 제거는, 함몰부(23)의 표면을 매끄럽게 하여 주름부(18)의 판면의 형상이 전체적으로 만곡된 면으로 명확하게 형성되게 하는 효과가 있다.In the case of wet etching, as in dry etching, a process of removing the oxide film after formation may be additionally employed. The formation and removal of the oxide film in wet etching has an effect of smoothing the surface of the recessed portion 23 so that the shape of the plate surface of the corrugated portion 18 is clearly formed as a curved surface as a whole.

도 12 내지 도 14 를 참조하여, 펠리클층(14)이 지지층(12)과 상호 식각 선택비를 갖는 경우에 대한 본 발명의 제2실시 형태에 따른 펠리클의 제조 과정을 설명한다. 12 to 14, a process of manufacturing the pellicle according to the second embodiment of the present invention for the case where the pellicle layer 14 has a mutual etching selectivity with the support layer 12 will be described.

우선, 도 5 내지 도 8 에서와 같이, 기판(22)에 함몰부(23)를 형성한다.First, as shown in FIGS. 5 to 8, a recess 23 is formed in the substrate 22.

도 12 와 같이, 함몰부(23)가 형성된 기판(22)의 판면에 펠리클층(14)을 형성하고 펠리클층(14)이 형성된 면의 배면에 제2마스크(32)를 형성한다. 펠리클층(14)과 제2마스크(32)는 기판(22)에 대한 증착을 통해 하나의 공정으로 동시에 형성되는 것이 바람직하며, 이때 펠리클층(14)과 기판(22)은 상호 식각선택비를 갖는 물질로 형성한다. 기판(22) 상에 함몰부(23)가 형성되어 있으므로, 이 함몰부(23)에 의해 펠리클층(14)의 일 부위는 주름부(18)로 구성된다.12, the pellicle layer 14 is formed on the plate surface of the substrate 22 on which the depression 23 is formed, and the second mask 32 is formed on the back surface of the surface on which the pellicle layer 14 is formed. The pellicle layer 14 and the second mask 32 are preferably formed simultaneously in a single process through deposition on the substrate 22, wherein the pellicle layer 14 and the substrate 22 have mutual etch selectivity. It is formed of a material having Since the recessed portion 23 is formed on the substrate 22, a portion of the pellicle layer 14 is formed by the pleated portion 18 by the recessed portion 23.

여기서, 도 2 에 도시된 캡핑층(16)도 형성하고자 하는 경우에는 펠리클층(14)의 상면 또는 하면 또는 양면 중 적어도 한면 이상에 캡핑층(16)을 형성하는 공정이 추가로 수행된다. 캡핑층(16)은 기판(22)의 식각 물질에 대하여 식각 선택비를 갖는 물질로 형성한다. Here, when the capping layer 16 shown in FIG. 2 is also to be formed, a process of forming the capping layer 16 on at least one of the upper surface, the lower surface, or both surfaces of the pellicle layer 14 is additionally performed. The capping layer 16 is formed of a material having an etch selectivity with respect to the etch material of the substrate 22.

도 13 과 같이 제2마스크(32)가 지지층(12)의 형상에 대응되도록 패터닝되고, 제2마스크(32)의 패턴을 식각 마스크로 하여 기판(22)을 펠리클층(14)이 노출되도록 식각함으로써 도 14 와 같이 기판(22)이 지지층(12)의 형상을 갖게 된다. 이러한 공정에 의하여, 본 발명에 따른 주름부(18)를 구비한 펠리클이 완성된다.13, the second mask 32 is patterned to correspond to the shape of the support layer 12, and the substrate 22 is etched so that the pellicle layer 14 is exposed using the pattern of the second mask 32 as an etching mask. By doing so, the substrate 22 has the shape of the support layer 12 as shown in FIG. 14. By this process, a pellicle having a wrinkle portion 18 according to the present invention is completed.

아울러, 도 2 와 같이 캡핑층을 형성하고자 하는 경우, 지지층의 식각 후 펠리클층의 상면, 하면 또는 양면에 캡핑층을 형성하는 공정을 추가 수행할 수 있다.In addition, when the capping layer is to be formed as shown in FIG. 2, a process of forming a capping layer on the top, bottom, or both sides of the pellicle layer after etching of the support layer may be additionally performed.

이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the present invention is specifically described through examples of the present invention with reference to the drawings, but the examples are only used for the purpose of exemplifying and explaining the present invention. It was not used to limit the scope. Therefore, those skilled in the art of the present invention will appreciate that various modifications and other equivalent embodiments are possible from the embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical matters of the claims.

12 : 지지층 14 : 펠리클층
16 : 캡핑층 18 : 주름부
22 : 기판 23 : 함몰부
31 : 제1마스크 32 : 제2마스크12: support layer 14: pellicle layer
16: capping layer 18: wrinkles
22: substrate 23: depression
31: first mask 32: second mask

Claims (23)

펠리클층, 및 상기 펠리클층을 지지하는 지지층을 포함하며,
상기 펠리클층은 일 부위에 그 판면이 1회 이상 굴곡되어 형성된 주름부를 구비하는 것을 특징으로 하는 펠리클.
A pellicle layer, and a support layer supporting the pellicle layer,
The pellicle layer is a pellicle, characterized in that it has a wrinkled portion formed by bending the plate surface at least once on one site.
제 1 항에 있어서,
상기 주름부는 상기 지지층에 인접된 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
According to claim 1,
The pellicle, characterized in that the wrinkles are formed in an area adjacent to the support layer.
제 2 항에 있어서,
상기 주름부는 상기 펠리클층의 가장자리 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
According to claim 2,
The pellicle is characterized in that the wrinkles are formed in the edge region of the pellicle layer.
제 1 항에 있어서,
상기 펠리클층의 상면 또는 하면 또는 양면에 형성된 보호층을 더 포함하며,
상기 주름부는 상기 보호층과 상기 펠리클층에 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
According to claim 1,
Further comprising a protective layer formed on the upper or lower surface or both sides of the pellicle layer,
A pellicle, characterized in that the wrinkles are formed on the protective layer and the pellicle layer.
제 4 항에 있어서,
상기 펠리클층 또는 보호층에 접하여 형성된 캡핑층을 더 포함하며,
상기 주름부는 상기 보호층 또는 캡핑층과 상기 펠리클층에 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
The method of claim 4,
Further comprising a capping layer formed in contact with the pellicle layer or the protective layer,
The wrinkle portion is a pellicle, characterized in that formed in the protective layer or capping layer and the pellicle layer together.
제 1 항에 있어서,
상기 펠리클층의 상면 또는 하면 또는 양면에 형성된 캡핑층을 더 포함하며,
상기 주름부는 상기 캡핑층과 상기 펠리클층에 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
According to claim 1,
Further comprising a capping layer formed on the upper or lower surface or both sides of the pellicle layer,
The pleated portion is formed in the capping layer and the pellicle layer together.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주름부는 그 단면이 L자 형으로 절곡된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클.
The method according to any one of claims 1 to 6,
A pellicle, characterized in that the corrugated portion has a shape in which its cross section is bent in an L shape.
제 7 항에 있어서,
상기 L자 형의 모서리 부위가 만곡면으로 구성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
The method of claim 7,
The pellicle, characterized in that the L-shaped corner portion is composed of a curved surface.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주름부는 물결 모양의 만곡 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펠리클.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The pellicle, characterized in that the wrinkle portion has a wavy curved shape.
제 1 항에 있어서,
상기 펠리클층은,
1) 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘 재질, 또는 실리콘에 산소(O), 탄소(C) 또는 질소(N)가 포함된 실리콘 화합물 재질,
2) 몰리브데늄(Mo), 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 바나듐(V), 코발트(Co), 구리(Cu), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 팔라듐(Pd), 플랫티늄(Pt), 철(Fe), 아연(Zn), 주석(Sn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 하프늄(Hf), 이트륨(Y), 인듐(In), 텅스텐(W) 중 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금,
3) B(Boron), Al(Aluminium), Ga(Gallium), In(Indium), As(Arsenic), Sb(Antimony), Bi(Bismuth) 중 1종 이상의 비금속 또는 이들의 화합물,
4) 상기 1) 또는 2)의 금속 또는 비금속에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물,
5) 상기 1) 또는 2)의 금속 및 비금속에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물,
6) 상기 1) 내지 4) 중 어느 하나의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하는 화합물,
7) CNT(Carbon Nano Tube), 그래파이트(graphite), 그래핀(graphene) 중 1종 이상,
중 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
According to claim 1,
The pellicle layer,
1) A silicon material containing one or more states of single crystal, polycrystalline and amorphous, or silicon compound material containing oxygen (O), carbon (C) or nitrogen (N) in silicon,
2) Molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), vanadium (V), cobalt (Co), copper (Cu), nickel (Ni), zirconium (Zr), niobium (Nb), palladium (Pd), Platinum (Pt), Iron (Fe), Zinc (Zn), Tin (Sn), Chromium (Cr), Aluminum (Al), Manganese (Mn), Cadmium (Cd), Magnesium (Mg), Lithium (Li), selenium (Se), hafnium (Hf), yttrium (Y), indium (In), tungsten (W) of one or more metals or alloys thereof,
3) B (Boron), Al (Aluminium), Ga (Gallium), In (Indium), As (Arsenic), Sb (Antimony), Bi (Bismuth) of at least one base metal or a compound thereof,
4) a silicide or a mixture containing silicon (Si) in the metal or nonmetal of 1) or 2),
5) a silicide or a mixture containing silicon (Si) in the metal and non-metal of 1) or 2) above,
6) A compound containing at least one of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C) in any one of 1) to 4),
7) CNT (Carbon Nano Tube), graphite (graphite), at least one of graphene (graphene),
Pelicle characterized in that it is formed to include any one or more of.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 보호층은,
1) 단결정, 다결정 및 무결정 중 하나 이상의 상태를 포함하는 실리콘에 산소(O), 탄소(C) 또는 질소(N)가 포함된 실리콘 화합물 재질,
2) 크롬(Cr), 질화 크롬(CrN), 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 프라세어디뮴(Pr), 란탄넘(La), 텔루륨(Te), 로듐(Rh), 유로퓸(Eu), 은(Ag) 중 1종 이상 또는 이들 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하는 화합물, 디칼코게니드 전이금속 단일층 (MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2) 중 적어도 1 이상의 물질,
중 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
The method of claim 4 or 5,
The protective layer,
1) A silicon compound material containing oxygen (O), carbon (C), or nitrogen (N) in silicon containing one or more states of single crystal, polycrystalline and amorphous,
2) Chromium (Cr), Chromium Nitride (CrN), Aluminum (Al), Aluminum Oxide (Al2O3), Cobalt (Co), Tungsten (W), Molybdenum (Mo), Vanadium (V), Palladium (Pd) , Titanium (Ti), Platinum (Pt), Manganese (Mn), Iron (Fe), Nickel (Ni), Cadmium (Cd), Zirconium (Zr), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Selenium (Se) ), copper (Cu), yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium (Nb), silicon (Si) ), ruthenium (Ru), praseodymium (Pr), lanthanum (La), tellurium (Te), rhodium (Rh), europium (Eu), silver (Ag), or one or more of these substances A compound containing at least one of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C), and a dichalcogenide transition metal monolayer (MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , MoTe 2 , WTe 2 ) At least one substance,
Pelicle characterized in that it comprises a any one or more of.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 캡핑층은,
1) 크롬(Cr), 질화 크롬(CrN), 알루미늄(Al), 산화알루미늄(Al2O3), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 루세늄(Ru), 프라세어디뮴(Pr), 란탄넘(La), 텔루륨(Te), 로듐(Rh), 유로퓸(Eu), 은(Ag) 중1종 이상의 물질 또는 이들의 합금이나 화합물,
2) 상기 물질에 루세늄(Ru)을 포함하는 이들의 합금이나 화합물(특히, RuB2, RuZr, RuY, RuNb, RuTi, RuLa),
3) 상기 1) 또는 2)의 물질에 실리콘(Si)을 포함하는 실리사이드 또는 혼합물,
4) 상기 1) 내지 3) 중 어느 하나의 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1종 이상을 포함하는 화합물,
5) 디칼코게니드 전이금속(MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2) 중 적어도 1 이상의 물질,
중 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 펠리클.
The method of claim 5 or 6,
The capping layer,
1) Chromium (Cr), Chromium Nitride (CrN), Aluminum (Al), Aluminum Oxide (Al2O3), Cobalt (Co), Tungsten (W), Molybdenum (Mo), Vanadium (V), Palladium (Pd) , Titanium (Ti), Platinum (Pt), Manganese (Mn), Iron (Fe), Nickel (Ni), Cadmium (Cd), Zirconium (Zr), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Selenium (Se) ), copper (Cu), yttrium (Y), indium (In), tin (Sn), boron (B), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), niobium (Nb), silicon (Si) ), ruthenium (Ru), praseodymium (Pr), lanthanum (La), tellurium (Te), rhodium (Rh), europium (Eu), silver (Ag), one or more substances, or their Alloys or compounds,
2) These alloys or compounds containing ruthenium (Ru) in the above materials (especially RuB2, RuZr, RuY, RuNb, RuTi, RuLa),
3) a silicide or a mixture containing silicon (Si) in the material of 1) or 2),
4) a compound containing at least one of oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C) in any one of 1) to 3),
5) at least one of dichalcogenide transition metals (MoS 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , MoTe 2 , WTe 2 ),
Pelicle characterized in that it is configured to include any one or more of.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 캡핑층은 단층 또는 다층 형태로 적층 될 수 있고, 다층일 경우 인접하는 캡핑층의 물질은 서로 상이하게 구성되는 것을 특징으로 하는 펠리클
The method of claim 5 or 6,
The capping layer may be stacked in a single layer or a multi-layer form, and in the case of a multi-layer, the materials of adjacent capping layers are configured differently from each other.
a) 기판 상에 제1마스크를 형성하고 패터닝하는 단계;
b) 상기 제1마스크를 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각함으로써, 상기 기판의 일부 영역에 그 단면이 주름 형상을 갖게 하는 함몰부를 형성하는 단계;
c) 상기 제1마스크를 제거하는 단계;
d) 상기 함몰부가 형성된 상기 기판의 판면에, 상기 함몰부에 의해 일 부위가 주름부로 구성되는 상기 펠리클층을 형성하는 단계;
e) 상기 기판의 상기 펠리클층이 형성된 면의 배면에 제2마스크를 형성하는 단계;
f) 상기 제2마스크를 패터닝하는 단계; 및
g) 상기 제2마스크의 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판을 식각함으로써, 상기 펠리클층을 지지하는 지지층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
a) forming and patterning a first mask on the substrate;
b) etching the substrate using the first mask as an etch mask to form a depression in which a cross-section of the substrate has a wrinkle shape;
c) removing the first mask;
d) forming a pellicle layer on a plate surface of the substrate on which the depression is formed, wherein one portion is formed of a wrinkle by the depression;
e) forming a second mask on the back side of the surface on which the pellicle layer is formed on the substrate;
f) patterning the second mask; And
g) forming a support layer supporting the pellicle layer by etching the substrate using the pattern of the second mask as an etching mask;
Pelicle manufacturing method comprising a.
제 14 항에 있어서,
상기 d) 단계는, 상기 펠리클층의 양면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
The d) step, the method of manufacturing a pellicle further comprising the step of forming a protective layer on both sides of the pellicle layer.
제 14 항에 있어서,
상기 g) 단계 후, 상기 보호층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
After the step g), the method of manufacturing a pellicle further comprising the step of forming a capping layer on the protective layer.
제 14 항에 있어서,
상기 g) 단계 후, 상기 펠리클층의 양면에 형성된 보호층 중 적어도 일면의 보호층을 제거하는 단계, 및 상기 노출된 펠리클층 또는 보호층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
After the step g), removing the protective layer on at least one side of the protective layer formed on both sides of the pellicle layer, and further comprising the step of forming a capping layer on the exposed pellicle layer or protective layer The pellicle manufacturing method to say.
제 14 항에 있어서,
상기 b) 단계에서의 식각은 건식 식각 또는 습식 식각인 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
Etching in step b) is a method of manufacturing a pellicle, characterized in that the dry etching or wet etching.
제 14 항에 있어서,
상기 d) 단계 전에, 상기 기판의 상기 함몰부가 형성된 면을 산화(oxidation)하여 산화막을 형성하는 단계, 및 상기 산화막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
Before the step d), oxidizing the surface of the depression formed on the substrate (oxidation) to form an oxide film, and further comprising the step of removing the oxide film pellicle manufacturing method.
제 14 항에 있어서,
상기 d) 단계는, 상기 펠리클층의 상면 또는 하면 또는 양면에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
The d) step, the method of manufacturing a pellicle further comprises the step of forming a capping layer on the upper or lower surface or both surfaces of the pellicle layer.
제 14 항에 있어서,
상기 d) 단계와 상기 e) 단계는, 상기 기판에 대한 증착을 통해 하나의 공정으로 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조 방법.
The method of claim 14,
The d) step and the e) step, a method for manufacturing a pellicle, characterized in that it is performed simultaneously in a single process through deposition on the substrate.
제 14 항에 있어서,
상기 주름부는 상기 지지층 패턴에 인접된 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
The method of claim 14,
The folds manufacturing method characterized in that the wrinkles are formed in the region adjacent to the support layer pattern.
제 14 항에 있어서,
상기 주름부는 상기 펠리클층의 가장자리 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.The method of claim 14,
The wrinkle portion is a pellicle manufacturing method characterized in that formed in the edge region of the pellicle layer.
KR1020180165185A 2018-12-19 2018-12-19 Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same KR20200076258A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180165185A KR20200076258A (en) 2018-12-19 2018-12-19 Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same
KR1020210030751A KR102266786B1 (en) 2018-12-19 2021-03-09 Pellicle with a wrinkle on a plane thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180165185A KR20200076258A (en) 2018-12-19 2018-12-19 Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210030751A Division KR102266786B1 (en) 2018-12-19 2021-03-09 Pellicle with a wrinkle on a plane thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200076258A true KR20200076258A (en) 2020-06-29

Family

ID=71401071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180165185A KR20200076258A (en) 2018-12-19 2018-12-19 Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200076258A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220104860A (en) * 2021-01-19 2022-07-26 순천대학교 산학협력단 Method for manufacturing of graphene wrinkles using three-dimensional structure patterning process
WO2024057500A1 (en) * 2022-09-15 2024-03-21 日本碍子株式会社 Euv-transmissive film, method for using same, and exposure method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080102204A (en) 2006-02-16 2008-11-24 작스트레벤 케미 게젤샤후트밋트베슈렝크테르하후트웅 Biocidal composition
KR20090026940A (en) 2007-09-11 2009-03-16 삼성전자주식회사 Method and apparatus for playing contents in iptv terminal
KR20090026939A (en) 2007-09-11 2009-03-16 삼성전자주식회사 Apparatus and method for controlling data strobe signal
KR20110135209A (en) 2010-06-10 2011-12-16 주식회사 신창전기 Multi-function switch assembly for vehicles

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080102204A (en) 2006-02-16 2008-11-24 작스트레벤 케미 게젤샤후트밋트베슈렝크테르하후트웅 Biocidal composition
KR20090026940A (en) 2007-09-11 2009-03-16 삼성전자주식회사 Method and apparatus for playing contents in iptv terminal
KR20090026939A (en) 2007-09-11 2009-03-16 삼성전자주식회사 Apparatus and method for controlling data strobe signal
KR20110135209A (en) 2010-06-10 2011-12-16 주식회사 신창전기 Multi-function switch assembly for vehicles

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220104860A (en) * 2021-01-19 2022-07-26 순천대학교 산학협력단 Method for manufacturing of graphene wrinkles using three-dimensional structure patterning process
WO2024057500A1 (en) * 2022-09-15 2024-03-21 日本碍子株式会社 Euv-transmissive film, method for using same, and exposure method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102018530B1 (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same
KR20190107603A (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same
KR20200126216A (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating of the same
US11886109B2 (en) EUV photo masks and manufacturing method thereof
TWI754441B (en) Blankmask and photomask for extreme ultraviolet lithography
US20210096458A1 (en) Pellicle for euv lithography and method for manufacturing the same
KR20200076258A (en) Pellicle with a wrinkle on a plane thereof, and Method for manufacturing the same
KR102266786B1 (en) Pellicle with a wrinkle on a plane thereof
KR20200141913A (en) Pellicle with improved wrinkle, and method for manufacturing the same
JP4390418B2 (en) Reflective mask blank for EUV exposure, reflective mask for EUV exposure, and semiconductor manufacturing method
TWI742950B (en) Reflective mask and manufacturing method thereof
KR20190141986A (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same
KR102331211B1 (en) Pellicle with a Pattern to reduce external stimulus, and Method for manufacturing the same
TWI785417B (en) Pellicle for extreme ultraviolet lithography
KR102440483B1 (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography with Central Layer of 2-layer Structure
CN113406854A (en) EUV photomask and method of manufacturing the same
KR20220017135A (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet Lithography with Surface layer formed by Heat-treatment
KR102514088B1 (en) Pellicle Using 1-dimensinal Materials for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for Fabricating of the same
KR20190107604A (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same
KR102511775B1 (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography with Diffusion Prevention Layer, and Method for fabricating the same
KR102585401B1 (en) Pellicle for EUV lithography with Capping Layer of Independent Thin-film Type, and Method for manufacturing the same
KR102285721B1 (en) Pellicle for Extreme Ultraviolet Lithography with Periodically patterned Metal Thin Film and Method for manufacturing the same
CN113253563A (en) EUV photomask and method of manufacturing the same
JP2018031982A (en) Manufacturing method of reflection type mask, reflection type mask blank and semiconductor device
CN113267956A (en) EUV photomask and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination