KR20200066253A - Manufacturing method of pad for dry polishing - Google Patents

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최승건
고영길
이수성
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에스다이아몬드공업 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a method of manufacturing a pad for dry polishing, which is used for processing a wafer for a semiconductor. The method of manufacturing a pad for dry polishing comprises the steps of: preparing a pad for dry polishing used for processing the wafer for the semiconductor; mixing a hydrophile material and a hydrophobic material to coat a surface of the pad for dry polishing which is prepared by using a silicon dioxide light-colored equipment; and spreading the mixture of the hydrophile material and the hydrophobic material on the surface of the pad for dry polishing prepared in the silicon dioxide light-colored equipment. Accordingly, the present invention can thinly spread the mixture of the hydrophile material and the hydrophobic material on the surface of the pad for dry polishing without resin between particles, thereby improving the performance of the pad for dry polishing and thinly processing the thickness of the wafer by using the same.

Description

드라이 폴리싱용 패드의 제조방법{Manufacturing method of pad for dry polishing}Manufacturing method of pad for dry polishing

본 발명은 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 이산화규소 담채 장비를 이용하여 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물이 도포된 드라이 폴리싱용 패드를 제조하기 위한 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a pad for dry polishing, and more specifically, a mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material is applied to a surface of a dry polishing pad used for wafer processing of semiconductors by using silicon dioxide dipping equipment. It relates to a method of manufacturing a pad for dry polishing for producing a pad for dry polishing.

근래에 들어 반도체 산업에서 더욱 작고 더욱 성능이 우수한 제품을 개발하기 위하여 여러가지 기술이 개발되고 있으며, 그 중에서 반도체의 기본이 되는 웨이퍼 가공은 매우 정밀하게 가공이 되어야 한다. 반도체의 크기가 작아지는 것에 대하여 비례하도록 웨이퍼의 두께도 작아지고 있는 실정이며, 현재는 웨이퍼의 두께가 수십마이크로 단위로 얇아지고 있다.In recent years, in the semiconductor industry, various technologies have been developed to develop products that are smaller and have higher performance, and among them, wafer processing, which is the basis of semiconductors, must be processed with great precision. The thickness of the wafer is also being reduced in proportion to the size of the semiconductor, and the thickness of the wafer is currently thinning in tens of micro-units.

그러나, 웨이퍼의 두께가 얇아짐에 따라 문제점이 발생하며, 웨이퍼의 두께가 두꺼운 경우에는 웨이퍼 내부의 결함이 존재하고 있어서 가공면으로부터 침투하는 금속 이온을 막아주게 되지만, 웨이퍼가 얇아지면서 내부의 결함만으로는 가공면으로부터 발생하는 금속 이온의 침투를 막기 어렵게 된다.However, a problem arises as the thickness of the wafer becomes thinner, and when the thickness of the wafer is thick, defects inside the wafer exist to prevent metal ions penetrating from the processing surface. It becomes difficult to prevent the penetration of metal ions generated from the working surface.

그래서 게터링(Gettering) 효과라고 말하는 방식을 적용하여 웨이퍼 표면에 일정 스크래치를 형성시켜 가공면으로부터 발생되는 금속 이온의 침투를 막아주게 되며, 이를 위해 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 특수한 방법으로 재료를 혼합한 후 도포하는 방법이 제안되고 있는 실정이다.So, by applying a method called gettering effect, a certain scratch is formed on the wafer surface to prevent the penetration of metal ions generated from the processing surface, and for this purpose, the material is mixed on the surface of the dry polishing pad in a special way. It is a situation in which a method of applying after coating has been proposed.

본 발명의 배경이 되는 기술은 대한민국 공개특허 제10-2016-0136735호(2016. 11. 30. 공개)에 개시되어 있다.The background technology of the present invention is disclosed in Republic of Korea Patent Publication No. 10-2016-0136735 (2016. 11. 30. published).

본 발명은 상기 필요성에 부합하기 위해 창출된 것으로서, 반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 이산화규소 담채 장비를 이용하여 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물이 얇은 두께로 도포된 드라이 폴리싱용 패드를 제조하기 위한 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was created to meet the above needs, and a mixture of a mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material is coated with a thin thickness using a silicon dioxide dipping equipment on the surface of a pad for dry polishing used for wafer processing of semiconductors. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a dry polishing pad for manufacturing a polishing pad.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 반도체 웨이퍼의 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드를 준비하는 단계; 이산화규소 담채 장비를 이용하여 준비된 상기 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 코팅되는 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계; 및 상기 이산화규소 담채 장비에서 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물을 준비된 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 도포하는 혼합물 도포 단계를 포함하는 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention relates to a method for manufacturing a pad for dry polishing used for wafer processing of semiconductors, comprising: preparing a pad for dry polishing used for processing semiconductor wafers; Mixing a hydrophilic material and a hydrophobic material coated on the surface of the dry polishing pad prepared using silicon dioxide tinting equipment; And a mixture coating step of applying a mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material on the surface of the prepared dry polishing pad in the silicon dioxide tinting equipment.

본 발명에 따른 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법에 있어서, 상기 친수성 재료는 Fumes SiO2 와 친수성접착제인 PVA, 유기고분자, 계면제가 혼합되어 제조될 수 있으며, 상기 친수성 재료는 10㎛~ 30㎛ 크기의 입자로 제조될 수 있다.In the method of manufacturing the dry polishing pad according to the present invention, the hydrophilic material can be prepared by mixing Fumes SiO 2 with PVA, a hydrophilic adhesive, an organic polymer, and a surfactant, and the hydrophilic material has a size of 10 μm to 30 μm. It can be made into particles.

상기 소수성 재료는 불포화체인을 가진 고형 유기물과 양성 계면활성제, 소수성 SiO2를 혼합하여 액상의 형태로 제조될 수 있다.The hydrophobic material may be prepared in the form of a liquid by mixing a solid organic substance having an unsaturated chain, a positive surfactant, and hydrophobic SiO 2 .

상기 이산화규소 담채 장비를 이용하여 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계에서 상기 친수성 재료와 상기 소수성 재료를 혼합 시 양성 계면 활성체가 함께 혼합될 수 있다.When mixing the hydrophilic material and the hydrophobic material in the step of mixing the hydrophilic material and the hydrophobic material using the silicon dioxide tinting equipment, a positive surfactant may be mixed together.

본 발명에 따른 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법은 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물을 얇게 도포할 수 있으며, 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물을 입자간의 레진 없이 드라이 폴리싱용 패드에 도포할 수 있어 드라이 폴리싱용 패드의 성능을 향상시킬 수 있고, 이를 이용하여 웨이퍼의 두께를 얇게 가공할 수 있다.The method of manufacturing a pad for dry polishing according to the present invention can apply a thin mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material on the surface of a dry polishing pad, and dry the mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material without resin between particles. Since it can be applied to a polishing pad, the performance of the dry polishing pad can be improved, and the wafer can be thinly processed using the pad.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 드라이 폴리싱용 패드의 제조하는 방법을 개략적으로 도시한 순서도이다.
도 2는 드라이 폴리싱용 패드의 상부면과 하부면에 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물이 도포된 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 이산화규소 담채 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing a pad for dry polishing according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a state in which a mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material is applied to upper and lower surfaces of a dry polishing pad.
3 is a view schematically showing a silicon dioxide tinting device for mixing a hydrophilic material and a hydrophobic material.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims should not be interpreted as being limited to ordinary or dictionary meanings, and the inventor appropriately explains the concept of terms in order to explain his or her invention in the best way. Based on the principle that it can be defined, it should be interpreted as meanings and concepts consistent with the technical spirit of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법은 드라이 폴리싱용 패드(10)를 준비하는 단계(S100)와, 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 코팅되는 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계(S200)와, 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물(20)을 준비된 드라이 폴리싱용 패드(10)의 표면에 도포하는 혼합물 도포 단계(S300)를 포함한다.1 and 2, the manufacturing method of the pad for dry polishing according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing the pad 10 for dry polishing (S100), and the hydrophilicity coated on the surface of the pad for dry polishing. It includes a step (S200) of mixing the material and the hydrophobic material, and a mixture applying step (S300) of applying the mixture 20 of the hydrophilic material and the hydrophobic material to the surface of the prepared dry polishing pad 10.

상기 드라이 폴리싱용 패드(10)를 준비하는 단계(S100)는 반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드(10)를 준비하는 단계이다. 일반적인 반도체의 웨이퍼 폴리싱의 경우에는 통상의 슬러리를 사용하여 연마를 하지만, 본 발명의 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법을 이용하여 제조된 드라이 폴리싱용 패드(10)의 내부에는 화학적성분이 포함되어 있어서 슬러리용액이 존재하지 않아도 반도체의 웨이퍼를 연마하게 된다.The step of preparing the dry polishing pad 10 (S100) is a step of preparing the dry polishing pad 10 used for wafer processing of semiconductors. In the case of wafer polishing of a general semiconductor, polishing is performed using an ordinary slurry, but the chemical component is contained inside the pad 10 for dry polishing manufactured using the method for manufacturing a dry polishing pad of the present invention, so that the slurry is Even if no solution is present, the semiconductor wafer is polished.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 드라이 폴리싱용 패드(10)를 준비하는 단계(S100)를 거친 후 이산화규소 담채 장비(30)를 이용하여 상기 드라이 폴리싱용 패드(10)의 표면에 도포되는 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계(S200)를 수행하게 된다.1 to 3, after passing through the step (S100) of preparing the pad 10 for dry polishing, it is coated on the surface of the pad 10 for dry polishing using silicon dioxide tinting equipment 30. The step (S200) of mixing the hydrophilic material and the hydrophobic material is performed.

상기 드라이 폴리싱용 패드(10)는 시중에 사용되는 일반적인 것으로 연마포 기체에 폴리우레탄 수지 및 실리콘 카바이드(SiC)를 합침시켜 이루어지는 수지함유 연마포를 포함하며, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The dry polishing pad 10 is generally used in the market and includes a resin-containing abrasive cloth formed by impregnating a polishing cloth base with polyurethane resin and silicon carbide (SiC), and detailed description thereof will be omitted.

상기 드라이 폴리싱용 패드(10)를 준비하는 단계(S100)를 거쳐 준비된 드라이 폴리싱용 패드(10)의 표면에는 혼합물(20)이 도포되는 단계(S300)를 수행하며, 상기 폴리싱용 패드(10)의 표면에 도포되는 혼합물(20)은 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계(S200)를 거침으로써 제조된다.The surface of the dry polishing pad 10 prepared through the step (S100) of preparing the dry polishing pad 10 is performed (S300) in which the mixture 20 is applied, and the polishing pad 10 is provided. The mixture 20 applied to the surface of the is prepared by going through a step (S200) of mixing a hydrophilic material and a hydrophobic material.

상기 혼합물(20)은 이산화규소 담채 장치(미도시)에서 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합되어 제조되며, 상기 친수성 재료의 경우 Fumes SiO2 와 친수성접착제인 PVA, 유기고분자, 계면제 등을 일정비율로 혼합하여 10㎛~ 30㎛ 크기의 입자를 만들게 된다.The mixture 20 is prepared by mixing a hydrophilic material and a hydrophobic material in a silicon dioxide tinting device (not shown), and in the case of the hydrophilic material, Fumes SiO 2 and PVA, a hydrophilic adhesive, an organic polymer, a surfactant, etc., at a constant ratio. By mixing, particles having a size of 10 µm to 30 µm are produced.

상기 소수성 재료의 경우 불포화체인을 가진 고형 유기물과 양성 계면활성제, 소수성 SiO2를 일정 비율로 혼합하여 액상의 형태로 제작을 하게 되며, 상기 이산화규소 담채 장치(미도시)는 제작된 상기 친수성 재료와 상기 소수성 재료를 혼합하여 혼합물(20)을 제조하는 장치이며, 상기 친수성 재료와 상기 소수성 재료를 혼합 시 양성 계면 활성체를 추가하는 것이 바람직하다.In the case of the hydrophobic material, a solid organic material having an unsaturated chain, an amphoteric surfactant, and hydrophobic SiO 2 are mixed in a certain ratio to be produced in a liquid form, and the silicon dioxide tinting device (not shown) is manufactured with the hydrophilic material. It is an apparatus for preparing the mixture 20 by mixing the hydrophobic material, and it is preferable to add a positive surfactant when mixing the hydrophilic material and the hydrophobic material.

도 3을 참조하면, 상기 이산화규소 담채 장비(30)는 이동배관(31), 제1투입구(32), 제2투입구(33), 혼합기(34), 필터(35), 건조기(36), 제1본체(37), 및 제2본체(38)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the silicon dioxide tinting equipment 30 includes a moving pipe 31, a first inlet 32, a second inlet 33, a mixer 34, a filter 35, a dryer 36, The first body 37 and the second body 38 are included.

상기 이동배관(31)의 일단은 제1투입구(32) 및 제2투입구(33)와 연결되고, 상기 제1투입구(32) 및 제2투입구(33)를 통해 친수성 재료와 소수성 재료가 상기 이동배관(31)으로 공급된다.One end of the moving pipe 31 is connected to the first inlet 32 and the second inlet 33, and the hydrophilic and hydrophobic materials are moved through the first inlet 32 and the second inlet 33. It is supplied to the piping 31.

상기 이동배관(31)으로 공급된 친수성 재료와 소수성 재료는 상기 이동배관(31) 상에 구비되는 혼합기(34)에서 혼합되며, 상기 혼합기(34)에서 혼합 시 양성 계면 활성체가 함께 혼합되는 것이 바람직하다.The hydrophilic material and the hydrophobic material supplied to the moving pipe 31 are mixed in the mixer 34 provided on the moving pipe 31, and when mixed in the mixer 34, it is preferable that the positive surfactant is mixed together. Do.

상기 혼합기(34)를 통과하면서 혼합된 혼합물(20)은 상기 이동배관(31)을 통해 이송되며, 상기 이동배관(31)의 내부에는 필터(35)가 구비되는 것이 바람직하다. 상기 필터(35)는 상기 이동배관(31)으로 이동되는 혼합물(20) 중 큰 입자를 가지는 것을 걸러주는 역할을 한다.The mixture 20 mixed while passing through the mixer 34 is transferred through the moving pipe 31, and a filter 35 is preferably provided inside the moving pipe 31. The filter 35 serves to filter out having large particles in the mixture 20 that is moved to the moving pipe 31.

상기 이동배관(31)과 인접하게 건조기(36)가 구비되며, 상기 건조기(36)는 상기 혼합물(20)에 열을 가해 입자들의 움직움을 활발하게 하는 역할을 한다.A dryer 36 is provided adjacent to the moving pipe 31, and the dryer 36 serves to vigorously move particles by applying heat to the mixture 20.

상기 이동배관(31)의 타단은 제1본체(37)와 연결되며, 상기 제1본체(37)의 상부에는 상기 이동배관(31)과 연결되는 연결홀(37a)이 형성된다. 상기 연결홀(37a)을 통해 상기 제1본체(37)로 공급된 혼합물은 상부에서 하부로 이동하고, 상기 제1본체(37)를 통과한 혼합물은 상기 제1본체(37)와 연결된 제2본체(38)를 상부에서 하부로 이동하면서 입자간 레진 없이 결합되게 된다.The other end of the moving pipe 31 is connected to the first body 37, the upper portion of the first body 37 is formed with a connection hole 37a connected to the moving pipe 31. The mixture supplied to the first body 37 through the connection hole 37a moves from top to bottom, and the mixture that has passed through the first body 37 is second connected to the first body 37. As the main body 38 is moved from the top to the bottom, it is combined without resin between particles.

상기 이산화규소 담채 장비(30)에 상기 친수성 재료와 소수성 재료 및 양성 계면 활성체를 일정 비율로 동시에 투입하게 되면, 상기 이산화규소 담채 장비(30)는 투입된 상기 친수성 재료와 상기 소수성 재료 및 양성 계면 활성체는 건조기(36)를 통과하면서 입자가 확산되고, 제1본체(38)과 제2본체(38)를 통과하면서 혼합하게 된다. 상기 이산화규소 담채 장비(30)를 이용하여 상기 친수성 재료와 소수성 재료 및 양성 계면 활성체를 혼합하게 되면 혼합 시 산화물이 생성되면서 생성된 산화물에 의해 입자 간을 레진 없이 결합시킬 수 있게 된다.When the hydrophilic material, the hydrophobic material, and the amphoteric surfactant are simultaneously added to the silicon dioxide impregnation equipment 30 at a certain rate, the silicon dioxide impregnation equipment 30 is charged with the hydrophilic material, the hydrophobic material, and amphoteric activity. The sieve is dispersed while passing through the dryer 36, and is mixed while passing through the first body 38 and the second body 38. When the hydrophilic material, the hydrophobic material, and the amphoteric surfactant are mixed using the silicon dioxide tinting equipment 30, oxides are formed upon mixing, and particles can be combined without resin by the generated oxides.

상기 이산화규소 담채 장비(30)에서 혼합된 혼합물(20)에 레진이 첨가되지 않음으로써 혼합물(20)이 도포되는 상기 드라이 폴리싱용 패드(10)의 성능을 향상되게 된다.The resin 20 is not added to the mixture 20 mixed in the silicon dioxide tinting equipment 30 to improve the performance of the pad 10 for dry polishing to which the mixture 20 is applied.

따라서, 드라이 폴리싱용 패드(10)의 표면에 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물(20)에 레진이 함유되지 않음으로써 혼합물(20)을 폴리싱 패드(10)의 표면에 얇게 도포할 수 있으며, 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물(20)을 입자간의 레진 없이 드라이 폴리싱용 패드(10)에 도포할 수 있어 드라이 폴리싱용 패드(10)의 성능을 향상시킬 수 있고, 이를 이용하여 웨이퍼의 두께를 얇게 가공할 수 있다.Therefore, the resin 20 is not contained in the mixture 20 in which the hydrophilic material and the hydrophobic material are mixed on the surface of the dry polishing pad 10, so that the mixture 20 can be thinly applied to the surface of the polishing pad 10, The mixture 20 of the hydrophilic material and the hydrophobic material can be applied to the pad 10 for dry polishing without resin between particles, thereby improving the performance of the pad 10 for dry polishing, and using this, the thickness of the wafer Can be thinly processed.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10 : 드라이 폴리싱용 패드 20 : 혼합물
30 : 이산화규소 담채 장치10: dry polishing pad 20: mixture
30: silicon dioxide tinting device

Claims (4)

반도체의 웨이퍼 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로,
상기 반도체 웨이퍼의 가공에 사용되는 드라이 폴리싱용 패드를 준비하는 단계;
이산화규소 담채 장비를 이용하여 준비된 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 코팅되는 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계; 및
상기 이산화규소 담채 장비에서 친수성 재료와 소수성 재료가 혼합된 혼합물을 준비된 드라이 폴리싱용 패드의 표면에 도포하는 혼합물 도포 단계를 포함하는 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법.
A method for manufacturing a pad for dry polishing used for semiconductor wafer processing,
Preparing a pad for dry polishing used for processing the semiconductor wafer;
Mixing a hydrophilic material and a hydrophobic material coated on the surface of the dry polishing pad prepared using silicon dioxide tinting equipment; And
A method of manufacturing a pad for dry polishing comprising a step of applying a mixture of a mixture of a hydrophilic material and a hydrophobic material on the surface of the prepared dry polishing pad in the silicon dioxide tinting equipment.
청구항 1에 있어서,
상기 친수성 재료는,
Fumes SiO2 와 친수성접착제인 PVA, 유기고분자, 계면제가 혼합되어 제조되며, 상기 친수성 재료는 10㎛~ 30㎛ 크기의 입자로 제조되는 것을 특징으로 하는 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법.
The method according to claim 1,
The hydrophilic material,
Fumes SiO 2 and a hydrophilic adhesive PVA, an organic polymer, is prepared by mixing a surfactant, the hydrophilic material is a method for producing a dry polishing pad, characterized in that it is made of particles having a size of 10㎛ ~ 30㎛.
청구항 1에 있어서,
상기 소수성 재료는,
불포화체인을 가진 고형 유기물과 양성 계면활성제, 소수성 SiO2를 혼합하여 액상의 형태로 제조되는 것을 특징으로 하는 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법.
The method according to claim 1,
The hydrophobic material,
A method of manufacturing a dry polishing pad, characterized in that it is produced in the form of a liquid by mixing a solid organic substance having an unsaturated chain with a positive surfactant and hydrophobic SiO 2 .
청구항 1에 있어서,
상기 이산화규소 담채 장비를 이용하여 친수성 재료와 소수성 재료를 혼합하는 단계에서 상기 친수성 재료와 상기 소수성 재료를 혼합 시 양성 계면 활성체가 함께 혼합되는 것을 특징으로 하는 드라이 폴리싱용 패드의 제조방법.The method according to claim 1,
Method of manufacturing a pad for dry polishing, characterized in that when mixing the hydrophilic material and the hydrophobic material using the silicon dioxide tinting equipment, a positive surfactant is mixed together when the hydrophilic material and the hydrophobic material are mixed.
KR1020190158291A 2018-11-30 2019-12-02 Manufacturing method of pad for dry polishing KR102276437B1 (en)

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