KR20200056564A - Blankmask and photomask for the Flat Panel Display - Google Patents

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KR20200056564A
KR20200056564A KR1020180140386A KR20180140386A KR20200056564A KR 20200056564 A KR20200056564 A KR 20200056564A KR 1020180140386 A KR1020180140386 A KR 1020180140386A KR 20180140386 A KR20180140386 A KR 20180140386A KR 20200056564 A KR20200056564 A KR 20200056564A
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신철
김동건
김세민
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주식회사 에스앤에스텍
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Abstract

A blankmask and a photomask for a flat panel display according to the present invention includes a light-shielding film composed of at least two layers on a transparent substrate, and the light-shielding film is configured such that each layer has a different composition or composition ratio stepwisely or continuously when a pattern is formed through etching so that a sectional shape of the entire pattern has an inverse slope, thereby controlling an etch rate of films. The present invention is configured such that the etching rate is faster when the light-shielding film is closer to the transparent substrate to suppress a tail so as to minimize an excessive etching, so that a distance between the patterns is minimized relative to a distance between adjacent photoresist patterns, thereby increasing the resolution of the pattern and enabling a transfer of a fine pattern.

Description

플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크 및 포토마스크 {Blankmask and photomask for the Flat Panel Display}Blankmask and photomask for the flat panel display}

본 발명은 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크 및 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 차광막 패턴의 해상력을 증가시킬 수 있으며, 미세 패턴의 전사를 가능한 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작되는 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a blank mask and a photomask for a flat panel display, more specifically, it is possible to increase the resolution of the light-shielding film pattern, a blank mask for flat panel display capable of transferring fine patterns and a photo produced using the same It's about a mask.

오늘날 LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등의 FPD(Flat Panel Display) 제품은 시장의 요구가 고급화, 고기능화, 다양화됨에 따라 그 응용 범위가 확대되었고, 이에 따라 보다 저렴하고 생산성이 우수한 제조 공정 기술의 개발이 요구되고 있다. Today, FPD (Flat Panel Display) products such as LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diode) products have expanded their application scope as the market demands have been advanced, highly functional, and diversified, thereby making it cheaper and more productive. Development of this excellent manufacturing process technology is desired.

일반적으로 FPD용 디바이스는 적어도 1층 이상의 금속막이 성막된 블랭크 마스크를 이용하여 포토마스크를 형성하고, 이를 포토리소그래피 공정에 적용하는 방법으로 제작되며, 상기 FPD용 블랭크 마스크 및 포토마스크는 단순히 노광광을 투과 및 차단시키는 2가지 투과율 단계만 구현하는 바이너리(Binary) 형태가 주로 사용된다.In general, a device for FPD is produced by forming a photomask using a blank mask on which at least one layer of metal film is formed, and applying it to a photolithography process. The blank mask and photomask for FPD are simply exposed to light. The binary form, which implements only two steps of transmittance and blocking, is mainly used.

FPD용 디바이스를 제작하는데 있어서 전사 패턴의 CD(Critical dimension) 정밀도를 높이기 위해서는 포토마스크에 구비된 차광막 패턴 및 반사방지막 패턴의 단면 경사가 가파르게 형성되어야 한다. 이러한 가파른 단면 형상의 패턴은 노광 공정시 간섭을 최소화하여 전사 패턴의 CD 정밀도를 향상시킬 수 있다. In order to increase the CD (critical dimension) precision of the transfer pattern in manufacturing the FPD device, the cross-sectional slope of the light-shielding film pattern and the anti-reflection film pattern provided in the photomask must be steeply formed. Such a steep cross-sectional pattern minimizes interference during the exposure process, thereby improving CD precision of the transfer pattern.

도 1은 종래 FPD용 포토마스크를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a conventional FPD photomask.

도 1의 (a)를 참조하면, 종래 바이너리 형태의 포토마스크는 투명 기판(102) 상에 차광막, 반사방지막 및 레지스트막을 포함하는 FPD용 블랭크마스크를 형성한 후, 레지스트막을 패터닝하고, 레지스트막 패턴(110)을 식각 마스크로 차광막, 반사방지막을 습식 식각하여 차광막 패턴(104) 및 반사방지막 패턴(106)을 형성하는 방법으로 제조한다. Referring to (a) of FIG. 1, a conventional binary type photomask forms a blank mask for FPD including a light shielding film, an antireflection film, and a resist film on a transparent substrate 102, and then patterns the resist film and patterns the resist film. The light-shielding film and the anti-reflection film are wet-etched using 110 as an etching mask to form a light-shielding film pattern 104 and an anti-reflection film pattern 106.

그러나, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, FPD용 포토마스크의 패턴들은 습식 식각을 통해 형성됨에 따라, 차광막 패턴(104) 및 반사방지막 패턴(106)은 투명 기판(102)으로부터 상부로 갈수록 습식 식각 용액에 노출되는 시간이 길어져 많은 양이 식각됨에 따라 완만한 형태의 측면 경사를 갖게 되고, 상기 패턴의 측면 경사에 의해 노광 공정 시 전사 패턴의 정밀도가 나빠진다. However, as shown in (a) of FIG. 1, as the patterns of the FPD photomask are formed through wet etching, the light-shielding film pattern 104 and the anti-reflective film pattern 106 are transferred from the transparent substrate 102 to the top. Increasingly, the time to be exposed to the wet etching solution increases, and as a large amount is etched, it has a gentle lateral slope, and the lateral slope of the pattern deteriorates the precision of the transfer pattern during the exposure process.

이에, 투명 기판(102)으로부터 멀어질수록 식각 속도가 느려지게 차광막 패턴(104) 및 반사방지막 패턴(106)을 형성하여 단면 경사를 가파르게 형성함으로써 전사 패턴의 정밀도를 향상시키는 기술이 사용되고 있다. Accordingly, a technique for improving the precision of the transfer pattern is used by forming the light-shielding film pattern 104 and the anti-reflection film pattern 106 so that the etching rate becomes slower as the distance from the transparent substrate 102 increases, thereby sharply forming the cross-section slope.

그러나, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 종래 차광막 및 반사방지막은 각각 하나의 단층으로 구성되므로, 식각 패턴 단면의 경사 제어에 한계가 있으며, 박막의 상부와 하부에 Tail과 T-Top 형성에 따른 초과 식각(Over Etch)이 불가피하다. 상기 초과 식각은 식각된 패턴 사이의 거리(b')를 멀어지게 하여 포토마스크의 정밀도를 저하시키며 포토마스크를 이용하여 제작되는 전사 패턴의 해상력 감소를 유발한다. 또한, 상기 패턴 사이의 거리(b')를 좁히기 위해서는 레지스트 패턴(a) 사이의 거리가 줄어들어야 하나 노광의 해상 한계로 인해 레지스트 패턴(a) 사이의 거리를 줄이는 것이 불가능하여 미세 패턴의 형성이 불가능하다. However, as shown in (b) of FIG. 1, since the conventional light-shielding film and the anti-reflection film are each composed of one single layer, there is a limit to inclination control of the etching pattern cross-section, and Tail and T-Top on the top and bottom of the thin film. Over etching due to formation is unavoidable. The over-etching increases the distance between the etched patterns (b '), thereby reducing the precision of the photomask and causing a decrease in the resolution of the transfer pattern produced using the photomask. In addition, in order to narrow the distance (b ') between the patterns, the distance between the resist patterns (a) must be reduced, but due to the resolution limit of exposure, it is impossible to reduce the distance between the resist patterns (a), thereby forming fine patterns. impossible.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 포토마스크를 구성하는 차광막 패턴의 해상력을 증가시킬 수 있으며, 미세 패턴의 전사를 가능한 FPD용 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제공한다. The present invention is to solve the above problems, the object of the present invention is to increase the resolution of the light-shielding film pattern constituting the photomask, and provides a blank mask and photomask for FPD capable of transferring fine patterns.

본 발명에 따른 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크는, 투명 기판 상에 2층 이상으로 구성된 차광막을 포함하며, 상기 차광막은 식각을 통한 패턴의 형성 시, 단면 형상이 역 경사를 갖도록 각 층이 단계적 또는 연속적으로 그 조성 또는 조성비가 상이하도록 구성된다. The blank mask for a flat panel display according to the present invention includes a light-shielding film composed of two or more layers on a transparent substrate, wherein the light-shielding film is stepped or continuous so that each cross-sectional shape has an inclined shape when forming a pattern through etching. It is configured such that the composition or composition ratio is different.

상기 차광막은 투명 기판으로부터 멀어지는 방향을 따라 점진적으로 식각 속도가 느려지도록 구성된다. The light shielding film is configured to gradually decrease the etching rate along a direction away from the transparent substrate.

상기 차광막 및 반사방지막은 각각 Cr, CrN, CrO, CrC, CrNO, CrCN, CrCO, CrCON 중 하나로 구성된다. The light-shielding film and the anti-reflection film are each made of one of Cr, CrN, CrO, CrC, CrNO, CrCN, CrCO, and CrCON.

상기 차광막을 구성하는 층들의 식각 속도는 탄소(C)의 함유량에 의하여 조절된다. The etching rate of the layers constituting the light shielding film is controlled by the content of carbon (C).

상기 차광막을 구성하는 각 층들은 1.1 ∼ 5.0의 식각 속도비를 갖는다.Each layer constituting the light shielding film has an etching rate ratio of 1.1 to 5.0.

상기 차광막 패턴의 최상부와 최하부 가장자리 사이는 단면으로 보았을 때 거리가 500Å ∼ 1000Å이다. The distance between the top and bottom edges of the light-shielding film pattern is 500 ∼ to 1000 때 when viewed in cross section.

상기 차광막 패턴은 반사방지막 패턴보다 큰 단면 경사를 갖는다. The light shielding film pattern has a larger cross-sectional slope than the antireflection film pattern.

본 발명은 차광막을 투명 기판에 가까울수록 식각 속도가 빨라지게 구성함에 따라 Tail을 억제할 수 있어 초과 식각을 최소화 할 수 있다. According to the present invention, as the light shielding film is configured to be closer to the transparent substrate, the tail can be suppressed as the etching rate is increased, thereby minimizing excess etching.

이에 따라, 인접한 포토레지스트 패턴 사이의 거리에 대비하여 패턴들 사이의 거리를 최소할 수 있어 패턴의 해상력을 증가시킬 수 있으며, 미세 패턴의 전사가 가능하다. Accordingly, the distance between the patterns can be minimized in preparation for the distance between adjacent photoresist patterns, thereby increasing the resolution of the pattern and transferring fine patterns.

도 1은 종래 FPD용 포토마스크를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 FPD용 포토마스크를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional FPD photomask.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a photomask for FPD according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples of the present invention with reference to the drawings, but the examples are only used for the purpose of illustrating and explaining the present invention, and the present invention is described in the meaning limitation or the claims. It is not used to limit the scope of the. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and other equivalent embodiments are possible from the embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical matters of the claims.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 FPD용 포토마스크를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing an FPD photomask according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 FPD용 포토마스크(200)는 투명 기판(210), 투명 기판(110) 상에 형성된 차광막 패턴(204) 및 반사방지막 패턴(206)을 포함한다. 여기서, FPD용 포토마스크(200)는 투명 기판 상에 순차적으로 적층된 차광막, 반사방지막 및 레지스트막을 포함하는 FPD용 블랭크마스크를 이용하고, 습식 식각 공정을 통한 패터닝 공정으로 형성한다. Referring to FIG. 2, the FPD photomask 200 according to the present invention includes a transparent substrate 210, a light blocking film pattern 204 and an antireflection film pattern 206 formed on the transparent substrate 110. Here, the FPD photomask 200 uses a blank mask for FPD including a light shielding film, an antireflection film, and a resist film sequentially stacked on a transparent substrate, and is formed by a patterning process through a wet etching process.

투명 기판(110)은 한 변이 300㎜ 이상인 사각형의 투명한 기판이고, 합성 석영 유리 기판, 소다 라임 글래스 기판, 무알카리글래스 기판, 저열 팽창 글래스 기판 등일 수 있다.The transparent substrate 110 is a rectangular transparent substrate having a side of 300 mm or more, and may be a synthetic quartz glass substrate, a soda lime glass substrate, an alkali-free glass substrate, a low thermal expansion glass substrate, or the like.

차광막 패턴(204)은 각각 단계적으로 그 조성 또는 조성비가 상이하도록 구획되는 2층 이상의 다층막으로 구성되거나, 또는, 상하 방향으로 그 조성 또는 조성비가 연속적으로 변화되는 연속막으로 구성될 수도 있다. 즉, 상기 열거된 차광막 패턴(204) 재질들의 조성이나 조성비를 차광막 패턴(204)의 상하방향 상의 위치에 따라 상이하게 함으로써 복수의 차광층이 형성된다. 본 발명에서 "층"이라는 용어는 이와 같이 단계적으로 구획되거나 연속적으로 변화하여 그 물성이 상이하게 되는 경우들을 모두 포함하는 의미로 사용된다.The light-shielding film pattern 204 may be composed of two or more multi-layer films partitioned so that the composition or composition ratio is different in steps, or may be composed of a continuous film whose composition or composition ratio is continuously changed in the vertical direction. That is, a plurality of light-blocking layers are formed by making the composition or composition ratio of the above-described light-shielding film pattern 204 materials different depending on the position of the light-shielding film pattern 204 in the vertical direction. In the present invention, the term "layer" is used in a sense to include all cases in which the physical properties are different due to the stepwise division or continuous change.

차광막 패턴(204) 및 반사방지막 패턴(206)을 형성하기 위한 각 막들은 물리적 또는 화학적 증착 방법을 이용한 다양한 방법으로 형성할 수 있으며, 바람직하게, DC Magnetron Reactive Sputtering 장치를 이용하여 형성한다. 이때, 단일 스퍼터링 타겟 또는 복수의 동일 혹은 서로 다른 스퍼터링 타겟을 이용한 Co-Sputtering 공법으로 박막을 형성할 수 있다. Each film for forming the light-shielding film pattern 204 and the anti-reflection film pattern 206 may be formed by various methods using a physical or chemical vapor deposition method, and is preferably formed using a DC Magnetron Reactive Sputtering device. At this time, a thin film may be formed by a co-sputtering method using a single sputtering target or a plurality of identical or different sputtering targets.

차광막 패턴(204) 및 반사방지막 패턴(206)은 각각 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플래티늄(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 실리콘(Si) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 구성된다. 또한, 차광막 패턴(204) 및 반사방지막 패턴(206)은 투과율, 반사율 등의 광학 특성 및 식각 속도, 내구성 등의 물리적 특성을 조절하기 위하여 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하여 구성될 수 있다.The light-shielding film pattern 204 and the anti-reflective film pattern 206 are chrome (Cr), aluminum (Al), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), and palladium (Pd), respectively. , Titanium (Ti), Platinum (Pt), Iron (Fe), Nickel (Ni), Cadmium (Cd), Magnesium (Mg), Copper (Cu), Sulfur (S), Indium (In), Tin (Sn) , Beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), and silicon (Si). In addition, the light-shielding film pattern 204 and the anti-reflection film pattern 206 may include oxygen (O), nitrogen (N), and carbon () in the material in order to control optical properties such as transmittance, reflectance, and physical properties such as etch rate and durability. C) may further comprise any one or more materials.

차광막 패턴(204) 및 반사방지막 패턴(206)은 동일한 식각 용액에 식각되는 물질로 이루어지며, 바람직하게, Cr, CrN, CrO, CrC, CrNO, CrCN, CrCO, CrCON 중 하나로 이루어진다.The light-shielding film pattern 204 and the anti-reflection film pattern 206 are made of a material that is etched in the same etching solution, and preferably, one of Cr, CrN, CrO, CrC, CrNO, CrCN, CrCO, and CrCON.

차광막 패턴(204)은 단면 형상이 상부가 하부보다 더 긴 길이를 갖는 역 경사 형태를 가지며, 차광막 패턴(204)은 반사방지막 패턴(206) 보다 큰 경사를 갖는다. 이를 위해, 차광막 패턴(204)은 Tail 형성을 억제함과 동시에 과도 식각 시간을 감소시켜 레지스트막 패턴(210) 과의 단면 가장자리의 거리가 짧도록 하기 위하여 식각 속도가 상이한 2개 층 이상으로 구성된다. The light-shielding film pattern 204 has an inclined shape in which the cross-sectional shape has a longer length than the bottom, and the light-shielding film pattern 204 has a greater inclination than the anti-reflection film pattern 206. To this end, the light-shielding film pattern 204 is composed of two or more layers having different etching rates in order to suppress tail formation and reduce transient etching time to shorten the distance between the cross-section edges of the resist film pattern 210. .

자세하게, 차광막 패턴(204)은 식각 속도가 투명 기판(202)으로부터 가까워지는 방향을 따라, 즉 하부층으로 갈수록 점진적으로 빨라지도록 2층 이상의 다층막으로 구성된다. In detail, the light-shielding film pattern 204 is composed of two or more multi-layer films so that the etch rate is gradually increased from the transparent substrate 202 toward the lower layer, that is, gradually toward the lower layer.

차광막 패턴(204)들의 식각 속도는 경원소 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 적어도 하나의 함유량에 의하여 조절될 수 있다. 즉, 이들 원소 중 하나 이상의 함유량을 조정하여 차광층의 식각 속도를 느리게, 혹은 빠르게 구성할 수 있다. 차광막 패턴(204)들을 구성하는 각 층들은 1.1 ∼ 5.0의 식각 속도비를 갖는다. The etching rate of the light-shielding film patterns 204 may be controlled by content of at least one of light element oxygen (O), nitrogen (N), and carbon (C). That is, the etching rate of the light-blocking layer can be made slow or fast by adjusting the content of one or more of these elements. Each layer constituting the light-shielding film patterns 204 has an etch rate ratio of 1.1 to 5.0.

바람직하게는, 차광막 패턴(204)의 식각 속도는 탄소(C)의 함유량에 의하여 조절된다. 상기 탄소(C)의 함유량은 차광막의 성막 시 포함될 수 있는 탄소(C) 가스의 분위기를 조절하여 성막함으로써 제어할 수 있다. 즉, 상기 차광막의 증착 공정에서 공정이 진행됨에 따라 탄소(C) 혹은 탄소(C)를 포함하는 가스의 농도를 짙게 함으로써 탄소(C)의 농도를 차광막의 상부로 갈수록 높게 구성할 수 있다.Preferably, the etching rate of the light shielding film pattern 204 is controlled by the content of carbon (C). The content of the carbon (C) can be controlled by adjusting the atmosphere of the carbon (C) gas that may be included in the formation of the light shielding film to form a film. That is, as the process proceeds in the deposition process of the light-shielding film, the concentration of carbon (C) or the gas containing carbon (C) may be increased to increase the concentration of carbon (C) toward the upper portion of the light-shielding film.

한편, 차광막 패턴(204)은 산소(O), 질소(N)의 함유량이 커지면 막의 투광성이 높아진다. 차광막 패턴(204)은 차광성이 높아야 하므로 산소(O), 질소(N)의 함유량이 높은 것은 바람직하지 못하다. 그러나, 차광막 패턴(204)의 두께가 두꺼운 경우 산소(O), 질소(N)의 함유량이 증가하여도 충분한 차광성이 확보될 수 있다. 따라서, 차광막 패턴(204)들은 어느 정도의 산소(O), 질소(N)를 함유하면서도 차광막 패턴(204)에 요구되는 차광성을 확보할 수 있도록 산소(O), 질소(N)의 함유량을 일정 수준 이하로 구성하는 것이 바람직하다.On the other hand, when the content of oxygen (O) and nitrogen (N) increases in the light-shielding film pattern 204, the light transmittance of the film increases. Since the light-shielding film pattern 204 needs to have high light-shielding properties, it is not preferable that the content of oxygen (O) and nitrogen (N) is high. However, when the thickness of the light-shielding film pattern 204 is thick, sufficient light-shielding properties may be secured even when the content of oxygen (O) and nitrogen (N) increases. Therefore, the light-shielding film patterns 204 contain oxygen (O) and nitrogen (N) to some extent, while maintaining the light-shielding properties required for the light-shielding film pattern 204, so that the content of oxygen (O) and nitrogen (N) is increased. It is desirable to configure it below a certain level.

이를 고려한 바람직한 차광막 패턴(204)의 조성의 일 예는, 차광막 패턴(204)이 크롬(Cr) 화합물을 포함하되, 크롬(Cr) 10at% ∼ 90at%, 질소(N) 0 ∼ 50at%, 산소(O) 0 ∼ 25at%, 탄소(C) 0 ∼ 25at% 의 함유량을 갖는 것이다. An example of the composition of the preferred light-shielding film pattern 204 in consideration of this is that the light-shielding film pattern 204 includes a chromium (Cr) compound, but chromium (Cr) 10at% to 90at%, nitrogen (N) 0 to 50at%, oxygen It has a content of (O) 0 to 25 at% and carbon (C) 0 to 25 at%.

차광막 패턴(204)은 최상부와 최하부 사이는 단면으로 보았을 때 거리(d)가 500Å ∼ 1000Å이며, 200Å ∼ 500Å의 거리를 갖는 것이 바람직하다.The light shielding film pattern 204 has a distance d of 500 mm 2 to 1000 mm when viewed in cross section between the top and bottom portions, and preferably has a distance of 200 mm to 500 mm.

한편, 차광막 패턴(204)을 구성하는 각 층의 두께를 50Å ∼ 1000Å로 구성함으로써 질소(N)의 함유에 의한 차광성 저하를 방지한다. 차광막 패턴(204) 전체는 500Å ∼ 1600Å의 두께를 가지며, 바람직하게는 600Å ∼ 1300Å의 두께를 갖는다. 또한, 차광막 패턴(204)은 I, H, G-line을 포함하는 복합 파장의 노광광에 대하여 0.3% ∼ 0.001% 의 투과율을 가지며, 이에 따라 2.5 ∼ 5.0 의 광학밀도(Optical Density)를 갖는다. On the other hand, by configuring the thickness of each layer constituting the light-shielding film pattern 204 to be 50 mm 2 to 1000 mm 2, it is prevented that the light-shielding property is lowered due to nitrogen (N). The entire light-shielding film pattern 204 has a thickness of 500 mm 2 to 1600 mm 2, and preferably has a thickness of 600 mm 2 to 1300 mm 2. In addition, the light-shielding film pattern 204 has a transmittance of 0.3% to 0.001% with respect to exposure light of a composite wavelength including I, H, and G-line, and thus has an optical density of 2.5 to 5.0.

차광막 패턴(204)을 구성하는 각 층들은 단면 형상이 경사를 갖도록 하기 위하여 1 : 1.2 ∼ 5.0의 식각 속도비를 갖는 것이 바람직하다. Each layer constituting the light-shielding film pattern 204 preferably has an etch rate ratio of 1: 1.2 to 5.0 in order to have an inclined cross-sectional shape.

차광막 패턴(204)과 반사방지막 패턴(206)이 적층된 구조는 I, H, G-line를 포함하는 복합 파장의 노광광에 대하여 2.5 ∼ 5.0 의 광학 밀도를 가지며, 20% 이하의 표면 반사율, 바람직하게는 15% 이하의 표면 반사율을 갖는다. The structure in which the light-shielding film pattern 204 and the anti-reflection film pattern 206 are stacked has an optical density of 2.5 to 5.0 with respect to exposure light of a composite wavelength including I, H, and G-line, and has a surface reflectance of 20% or less, Preferably it has a surface reflectance of 15% or less.

또한, 차광막 패턴(204)과 반사방지막 패턴(206)이 적층된 구조의 표면 반사율은 각각의 노광광에 따라서 다를 수 밖에 없기 때문에 노광광에 대한 반사율의 차이를 최대한 작게 하는 것이 바람직하며, I, H, G-line를 포함하는 복합 파장의 노광광에 대하여, 0.5% ∼ 10%의 반사율 편차를 갖고, 바람직하게, 1% ∼ 7%의 반사율 편차를 갖는다.In addition, since the surface reflectance of the structure in which the light-shielding film pattern 204 and the anti-reflection film pattern 206 are stacked is inevitably different according to each exposure light, it is preferable to minimize the difference in reflectance for the exposure light, as I, With respect to the exposure light of the composite wavelength containing H and G-line, it has a reflectance variation of 0.5% to 10%, and preferably has a reflectance variation of 1% to 7%.

이상에서와 같이, 본 발명은 차광막 패턴이 역 경사를 갖도록 차광막 패턴을 구성하는 막들을 식각 속도가 조절되도록 형성한다. As described above, the present invention forms the films forming the light-shielding film pattern so that the light-shielding film pattern has an inverse slope so that the etching rate is controlled.

즉, 본 발명은 차광막을 투명 기판에서 멀어질수록 식각 속도가 느려지게 구성하여 투명 기판과 차광막 패턴 및 반사방지막 패턴과 레지스트막 계면에서 발생하는 Tail 및 T-top의 형성을 억제할 수 있다. That is, the present invention can be configured to slow the etching rate as the light shielding film is further away from the transparent substrate, thereby suppressing formation of tails and T-tops occurring at the interface between the transparent substrate, the light shielding film pattern, the antireflection film pattern, and the resist film.

이에 따라, 초과 식각을 최대한 억제할 수 있음에 따라 인접한 포토레지스트 패턴 사이의 거리에 대비하여 패턴들 사이의 거리를 최소할 수 있어 패턴의 해상력을 증가시킬 수 있으며, 미세 패턴의 전사가 가능하다.Accordingly, as the excess etch can be suppressed as much as possible, the distance between the patterns can be minimized in comparison to the distance between adjacent photoresist patterns, thereby increasing the resolution of the pattern and transferring fine patterns.

이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.The present invention is specifically described through the embodiments of the present invention with reference to the drawings, but the embodiments are used for the purpose of exemplifying and explaining the present invention only. It was not used to limit the scope. Therefore, those skilled in the art of the present invention will appreciate that various modifications and other equivalent embodiments are possible from the embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical matters of the claims.

202 : 투명 기판 204 : 차광막 패턴
206 : 반사방지막 패턴 210 : 레지스트막 패턴202: transparent substrate 204: light-shielding film pattern
206: anti-reflection film pattern 210: resist film pattern

Claims (12)

투명 기판 상에 2층 이상으로 구성된 차광막을 포함하며,
상기 차광막은 식각을 통한 패턴의 형성 시, 단면 형상이 역 경사를 갖도록 각 층이 단계적 또는 연속적으로 그 조성 또는 조성비가 상이하도록 구성된 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
Includes a light-shielding film composed of two or more layers on a transparent substrate,
The light-shielding film is a blank mask for a flat panel display, wherein each layer is configured to have different compositions or composition ratios in a stepwise or continuous manner so that a cross-sectional shape has an inclined cross-section when forming a pattern through etching.
제 1 항에 있어서,
상기 차광막은 투명 기판으로부터 멀어지는 방향을 따라 점진적으로 식각 속도가 느려지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
According to claim 1,
The light shielding film is a blank mask for a flat panel display, characterized in that configured to gradually decrease the etching rate along a direction away from the transparent substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 차광막 상에 구비된 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
According to claim 1,
A blank mask for a flat panel display, further comprising an anti-reflection film provided on the light-shielding film.
제 3 항에 있어서,
상기 차광막 및 반사방지막은 각각 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플래티늄(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 베릴륨(Be), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 실리콘(Si) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 구성되거나, 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
The method of claim 3,
The light-shielding film and the anti-reflection film are chromium (Cr), aluminum (Al), cobalt (Co), tungsten (W), molybdenum (Mo), vanadium (V), palladium (Pd), titanium (Ti), platinum, respectively. (Pt), iron (Fe), nickel (Ni), cadmium (Cd), magnesium (Mg), copper (Cu), sulfur (S), indium (In), tin (Sn), beryllium (Be), tantalum (Ta), hafnium (Hf), or silicon (Si), or any one or more of the material, or any one or more of oxygen (O), nitrogen (N), carbon (C) Blank mask for a flat panel display, characterized in that configured.
제 3 항에 있어서,
상기 차광막 및 반사방지막은 각각 Cr, CrN, CrO, CrC, CrNO, CrCN, CrCO, CrCON 중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
The method of claim 3,
The light-shielding film and the anti-reflection film is a blank mask for a flat panel display, characterized in that each of Cr, CrN, CrO, CrC, CrNO, CrCN, CrCO, CrCON.
제 4 항에 있어서,
상기 차광막을 구성하는 층들의 식각 속도는 탄소(C)의 함유량에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
The method of claim 4,
The blank mask for a flat panel display, characterized in that the etching rate of the layers constituting the light shielding film is controlled by the content of carbon (C).
제 4 항에 있어서,
상기 차광막은 크롬(Cr) 화합물을 포함하며, 크롬(Cr) 10at% ∼ 90at%, 질소(N) 0 ∼ 50at%, 산소(O) 0 ∼ 25at%, 탄소(C) 0 ∼ 25at% 의 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
The method of claim 4,
The light-shielding film contains a chromium (Cr) compound, the content of chromium (Cr) 10at% to 90at%, nitrogen (N) 0 to 50at%, oxygen (O) 0 to 25at%, carbon (C) 0 to 25at% Blank mask for a flat panel display, characterized in that it has a.
제 1 항에 있어서,
상기 차광막을 구성하는 층들은 50Å ∼ 1000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
According to claim 1,
The blanks for the flat panel display, characterized in that the layers constituting the light-shielding film has a thickness of 50Å to 1000Å.
제 1 항에 있어서,
상기 차광막을 구성하는 각 층들은 1.1 ∼ 5.0의 식각 속도비를 갖는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크.
According to claim 1,
Each of the layers constituting the light-shielding film has an etching rate ratio of 1.1 to 5.0, a blank mask for a flat panel display.
플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크를 이용하여 제조된 플랫 패널 디스플레이용 포토마스크로서,
투명 기판 상에 단계적 또는 연속적으로 그 조성 또는 조성비가 상이한 2층 이상으로 적층된 차광막 패턴을 포함하며,
상기 차광막 패턴은 전체 단면 형상이 역 경사를 갖도록 형성된 플랫 패널 디스플레이용 포토마스크.
A photomask for a flat panel display manufactured using a blank mask for a flat panel display,
It includes a light-shielding film pattern laminated on two or more layers having different compositions or composition ratios stepwise or continuously on a transparent substrate,
The light-shielding film pattern is a photomask for a flat panel display formed such that the entire cross-sectional shape has an inverse slope.
제 10 항에 있어서,
상기 차광막 패턴의 최상부와 최하부 가장자리 사이는 단면으로 보았을 때 거리가 500Å ∼ 1000Å 인 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 포토마스크.
The method of claim 10,
A photomask for a flat panel display, characterized in that the distance between the top and bottom edges of the light-shielding film pattern is 500 으로 to 1000Å when viewed in cross section.
제 10 항에 있어서,
상기 차광막 패턴은 반사방지막 패턴보다 큰 단면 경사를 갖는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이용 포토마스크.

The method of claim 10,
The light-shielding film pattern has a larger cross-section slope than the anti-reflection film pattern, a photomask for a flat panel display.

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