KR20200055853A - 큐디 글래스 에이징 장치 및 그것의 에이징 방법 - Google Patents

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Abstract

큐디 글래스 에이징 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 의해 정의된 평면을 갖는 바닥부, 상기 제1 방향 및 상기 바닥부와 교차하는 제3 방향에 의해 정의된 측면을 갖는 측벽부, 및 상기 바닥부와 상기 측벽부 사이에 배치된 안착부를 포함하고, 상기 안착부는 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 방향으로 배열되며, 복수 개의 큐디 글래스들이 배치된 복수 개의 돌출부들을 포함하고, 상기 돌출부들 사이 및 상기 측벽부와 상기 측벽부에 인접한 첫 번째 돌출부 사이에 정의된 복수 개의 홈들에는 복수 개의 광원들이 배치되고, 상기 돌출부들의 상면들의 높이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아진다.

Description

큐디 글래스 에이징 장치 및 그것의 에이징 방법{APPARATUS FOR AGING QD GLASS AND AGING METHOD THEREOF}
본 발명은 큐디 글래스 에이징 장치 및 그것의 에이징 방법에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치는 복수 개의 화소들을 포함하는 표시 패널 및 표시 패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛을 포함한다. 백라이트 유닛은 광을 생성하는 복수 개의 광원 유닛들을 포함하고, 화소들은 광원 유닛들로부터 제공받은 광을 이용하여 영상을 표시한다.
최근 색순도를 향상시키기 위해 도광판 상에 배치된 양자점층을 포함하는 백라이트 유닛이 사용되고 있다. 양자점층이 배치된 도광판은 큐디 글래스로 정의된다. 그러나, 도광판 상에 양자점층이 배치될 경우, 양자점층에 의해 광의 투과율이 저하되어 휘도가 낮아진다. 휘도는 큐디 글래스의 입광부에서부터 큐디 글래스의 대광부로 갈수록 낮아진다. 따라서, 큐디 글래스의 휘도 균일도가 낮아진다. 입광부는 광이 입사되는 큐디 글래스의 일측면이고, 대광부는 입광부의 반대면이다.
이러한 문제를 해결하기 위해 큐디 글래스에 대한 에이징 공정이 수행된다. 에이징 공정은 바텀 샤시에 큐디 글래스 및 광원을 배치하여 고정시키고, 광원을 소정의 시간동안 구동시켜 진행된다. 광원에서 생성된 광은 소정의 시간동안 큐디 글래스에 제공되고, 도광판에서 상부 방향으로 가이드된 광은 양자점층을 지속적으로 투과하게 된다.
광이 양자점층을 지속적으로 투과할 경우, 큐디 글래스의 휘도가 증가하며, 특히 휘도가 낮은 대광부의 휘도가 높아진다. 그 결과, 큐디 글래스의 휘도 균일도가 높아진다. 광이 큐디 글래스에 제공되는 시간은 큐디 글래스의 휘도가 더이상 증가하지 않는 시간으로 설정된다. 그러나, 에이징 공정은 하나의 큐디 글래스에 대해서만 진행되어 공정의 효율성이 떨어진다.
본 발명의 목적은 에이정 공정의 효율성을 높일 수 있는 큐디 글래스 에이징 장치 및 그것의 에이징 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 의해 정의된 평면을 갖는 바닥부, 상기 제1 방향 및 상기 바닥부와 교차하는 제3 방향에 의해 정의된 측면을 갖는 측벽부, 및 상기 바닥부와 상기 측벽부 사이에 배치된 안착부를 포함하고, 상기 안착부는 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 방향으로 배열되며, 복수 개의 큐디 글래스들이 배치된 복수 개의 돌출부들을 포함하고, 상기 돌출부들 사이 및 상기 측벽부와 상기 측벽부에 인접한 첫 번째 돌출부 사이에 정의된 복수 개의 홈들에는 복수 개의 광원들이 배치되고, 상기 돌출부들의 상면들의 높이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아진다.
본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 방법은 제1 방향으로 연장하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열된 복수 개의 돌출부들을 포함하는 안착부, 상기 제2 방향으로 서로 대향하는 상기 안착부의 양측들 중 일측에서부터 상부로 연장하는 측벽부, 및 상기 안착부의 상기 양측들 중 타측에서부터 상기 제2 방향으로 연장하는 바닥부를 포함하는 지그부를 준비하는 단계, 상기 돌출부들 사이 및 상기 측벽부와 상기 측벽부에 인접한 첫 번째 돌출부 사이에 정의된 복수 개의 홈들에 복수 개의 광원들을 각각 배치하는 단계, 복수 개의 큐디 글래스들을 상기 돌출부들 상에 각각 배치하는 단계, 및 상기 광원들에서 생성된 광을 상기 큐디 글래스들에 제1 시간 동안 제공하는 단계를 포함하고, 상기 돌출부들은 상기 바닥부보다 높게 배치되고, 상기 돌출부들의 높이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아지고, 상기 홈들의 깊이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아진다.
본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치 및 그것의 에이징 방법은 복수 개의 큐디 글래스들에 대해 동시에 에이징 공정을 수행함으로서, 에이정 공정의 효율성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치의 지그부의 전면에 대한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 지그부의 후면에 대한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치의 지지부의 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시된 돌출부들의 확대도이다.
도 5는 도 3에 도시된 지지부가 도 1에 도시된 지그부에 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치에 배치된 광원들 및 큐디 글래스들을 도시한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 어느 하나의 광원의 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 어느 하나의 커넥터의 배치 상태를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
도 10은 도 6에 도시된 어느 하나의 큐디 글래스 및 광원 유닛을 도시한 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 광변환층의 단면 구성을 보여주는 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스들의 에이징 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 14는 에이징 공정으로 처리된 큐디 글래스를 포함하는 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 15는 도 14에 도시된 화소의 구성을 도시한 도면이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들이 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치의 지그부의 전면에 대한 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 지그부의 후면에 대한 사시도이다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치의 지지부의 사시도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 다른 큐디 글래스 에이징 장치(AD)는 지그부(JG), 지지부(SUP), 및 방열부(RH)를 포함할 수 있다. 지그부(JG)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 지그부(JG)는 압출 성형 방법으로 제조될 수 있다. 지지부(SUP)가 지그부(JG)에 연결되는 구성은 이하, 도 5를 참조하여 상세히 설명될 것이다.
도 1을 참조하면, 지그부(JG)는 바닥부(BP), 측벽부(SW), 및 바닥부(BP)와 측벽부(SW) 사이에 배치된 안착부(SP)를 포함할 수 있다. 바닥부(BP)는 평평한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 바닥부(BP)는 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 가질 수 있다. 바닥부(BP)는 제2 방향(DR2)보다 제1 방향(DR1)으로 더 길게 연장할 수 있다.
이하, 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면과 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 제3 방향(DR3)은 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차할 수 있다.
측벽부(SW)는 제1 방향(DR1) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의된 측면을 가질 수 있다. 측벽부(SW)는 제3 방향(DR3)보다 제1 방향(DR1)으로 더 길게 연장할 수 있다.
안착부(SP)는 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 배열된 복수 개의 돌출부들(PT)을 포함할 수 있다. 돌출부들(PT)의 높이들은 계단 형태를 갖도록 측벽부(SW)에서 바닥부(BP)로 갈수록 점차적으로 낮아질 수 있다. 돌출부들(PT)의 높이들은 바닥부(BP)보다 높을 수 있다.
안착부(SP)에는 제1 방향(DR1)으로 배열된 복수 개의 제1 개구부들(OP1)이 정의될 수 있다. 제1 개구부들(OP1)은 제2 방향(DR2)으로 연장할 수 있다. 제1 개구부들(OP1)은 제2 방향(DR2)으로 안착부(SP)의 끝단까지 연장할 수 있다. 제1 개구부들(OP1)은 안착부(SP)의 소정의 부분들을 제3 방향(DR3)으로 관통하여 형성될 수 있다.
바닥부(BP)에는 제1 개구부들(OP1)에 각각 대응하도록 배치되는 복수 개의 제2 개구부들(OP2)이 정의될 수 있다. 제2 개구부들(OP2)은 안착부(SP)에 인접한 바닥부(BP)의 소정의 부분들에 정의될 수 있다. 제2 개구부들(OP2)은 바닥부(BP)의 소정의 부분들을 제3 방향(DR3)으로 관통하여 형성될 수 있다. 제2 개구부들(OP2) 각각은 제1 개구부들(OP1) 중 대응하는 제1 개구부(OP1)와 함께 일체의 공간으로 정의될 수 있다.
실질적으로, 바닥부(BP), 측벽부(SW), 및 안착부(SP)는 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 측벽부(SW)는 제2 방향(DR2)으로 서로 대향하는 안착부(SP)의 양측들 중 일측에서부터 상부로 연장(예를 들어 제3 방향(DR3)으로 연장)하고, 바닥부(BP)는 안착부(SP)의 양측들 중 타측에서부터 제2 방향(DR2)으로 연장할 수 있다.
제2 방향(DR2)으로 서로 대향하는 측벽부(SW)의 양면들 중 안착부(SP)에 인접한 면은 측벽부(SW)의 전면(FS)으로 정의되고, 전면(FS)의 반대면은 측벽부(SW)의 후면(BS)으로 정의된다. 후면(BS)에는 복수 개의 방열부들(RH)이 배치될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서, 방열부(RH)는 복수 개로 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 하나의 방열부가 후면(BS) 상에 배치될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 방열부들(RH)은 후면(BS)에 연결될 수 있다. 방열부들(RH) 각각은 사각형의 테두리를 갖고 개구부(FOP)가 정의된 몸체부(BD) 및 개구부(FOP)에 배치된 팬(FN)을 포함할 수 있다. 팬(FN)은 후면(BS)에서부터 후면(BS) 외부를 향해 흐르는 기류가 형성되도록 회전할 수 있다. 따라서, 지그부(JG)에서 생성된 열이 방열부들(RH)에 의해 외부로 방출될 수 있다.
도 3을 참조하면, 지지부(SUP)는 알루미늄 또는 스테인리스강을 포함할 수 있다. 지지부(SUP)는 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의되는 평면을 갖는 제1 지지부(SUP1) 및 제1 지지부(SUP1) 하부에 배치된 제2 지지부(SUP2)를 포함할 수 있다.
제2 방향(DR2)으로 서로 대향하는 제1 지지부(SUP1)의 양측들 중 일측에는 복수 개의 제3 개구부들(OP3)이 정의될 수 있다. 제3 개구부들(OP3)은 제1 지지부(SUP1)의 일측의 소정의 부분들을 제3 방향(DR3)으로 관통하여 형성될 수 있다. 제3 개구부들(OP3)은 제2 개구부들(OP2)에 각각 대응할 수 있다. 실질적으로, 지지부(SUP)가 지그부(JG)에 결합될 때, 제3 개구부들(OP3)은 제2 개구부들(OP2)에 각각 중첩할 수 있다.
제2 지지부(SUP2)의 크기는 제1 지지부(SUP1)의 크기보다 작을 수 있다. 여기서 크기는 제3 방향(DR3)에서 바라봤을 때, 해당 구성의 면적을 의미할 수 있다. 제2 지지부(SUP2)는 제2 방향(DR2)으로 서로 대향하는 제1 지지부(SUP1)의 양측들 중 타측에 인접하게 배치될 수 있다.
예시적으로, 제1 지지부(SUP1) 및 제2 지지부(SUP2)는 별개로 제조되어 서로 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 제1 및 제2 지지부들(SUP1,SUP2)은 일체로 형성될 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 돌출부들의 확대도이다.
예시적으로, 제1 방향(DR1)에서 바라본 돌출부들(PT)의 측면이 확대되어 도 4에 도시되었다.
도 4를 참조하면, 돌출부들(PT)은 사각형 형상을 가질 수 있다. 돌출부들(PT)의 상면들은 제1 및 제2 방향들(DR1,DR2)에 의해 정의되는 평면들을 가질 수 있다. 돌출부들(PT)의 상면들의 높이들은 바닥부(BP)보다 높을 수 있다. 돌출부들(PT)의 상면들의 높이들은 측벽부(SW)에서부터 바닥부(BP)로 갈수록 점차적으로 낮아질 수 있다. 돌출부들(PT) 상면들의 높이들은 안착부(SP)의 하면을 기준으로 측정된 높이들로 정의될 수 있다.
돌출부들(PT)의 순서는 측벽부(SW)에서부터 바닥부(BP)로 갈수록 증가할 수 있다. 돌출부들(PT) 사이 및 측벽부(SW)와 측벽부(SW)에 인접한 첫 번째 돌출부(PT) 사이에 복수 개의 홈들(GR)이 정의될 수 있다. 홈들(GR)의 순서는 돌출부들(PT)와 같이 측벽부(SW)에서부터 바닥부(BP)로 갈수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 측벽부(SW)와 첫 번째 돌출부(PT) 사이의 홈(GR)이 첫 번째 홈(GR)일 수 있다.
홈들(GR)의 깊이들은 측벽부(SW)에서부터 바닥부(BP)로 갈수록 점차적으로 낮아질 수 있다. 홈들(GR)의 깊이들은 첫 번째 돌출부(PT)보다 높게 배치되고 제2 방향(DR2)에 평행한 가상의 선(RL)을 기준으로 측정된 깊이들로 정의될 수 있다.
예시적으로, 10개의 돌출부들(PT) 및 10개의 홈들(GR)이 도시되었으나, 돌출부들(PT)의 개수 및 홈들(GR)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
도 5는 도 3에 도시된 지지부가 도 1에 도시된 지그부에 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 지지부(SUP)는 바닥부(BP) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 지지부(SUP1)의 일측에 인접한 제1 지지부(SUP1)의 부분이 바닥부(BP) 상에 배치될 수 있다. 제1 지지부(SUP1)는 바닥부(BP)보다 제2 방향(DR2)으로 더 연장할 수 있다. 제3 개구부들(OP3)은 바닥부(BP)에 정의된 제2 개구부들(OP2)에 각각 중첩할 수 있다. 제2 지지부(SUP2)는 바닥부(BP)와 이격되어 제1 지지부(SUP1) 하부에 배치될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치에 배치된 광원들 및 큐디 글래스들을 도시한 도면이다. 도 7은 도 6에 도시된 어느 하나의 광원의 사시도이다.
설명의 편의를 위해, 도 6에는 제1 방향(DR1)에서 바라본 큐디 글래스 에이징 장치(AD)의 측면이 도시되었으며, 도 7에는 광원(LS)의 일부분이 도시되었다.
도 6을 참조하면, 복수 개의 광원들(LS) 및 복수 개의 큐디 글래스들(QDG)은 큐디 글래스 에이징 장치(AD)에 배치될 수 있다. 광원들(LS)은 홈들(GR)에 각각 배치되고, 큐디 글래스들(QDG)은 돌출부들(PT) 상에 각각 배치될 수 있다.
예시적으로, 10개의 광원들(LS) 및 10개의 큐디 글래스들(QDG)이 홈들(GR) 및 돌출부들(PT)에 배치되었으나, 홈들(GR) 및 돌출부들(PT)에 배치되는 광원들(LS) 및 큐디 글래스들(QDG)의 개수는 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 필요에 따라 10보다 적은 개수의 광원들(LS) 및 10개보다 적은 개수의 큐디 글래스들(QDG)이 홈들(GR) 및 돌출부들(PT)에 배치될 수도 있다.
큐디 글래스들(QDG)의 순서는 돌출부들(PT)의 배치 순서에 따라서 증가할 수 있다. 예를 들어, 측벽부(SW)에 인접한 첫 번째 돌출부(PT) 상에 배치된 큐디 글래스(QDG)부터 바닥부(BP)에 인접한 마지막 돌출부(PT) 상에 배치된 큐디 글래스(QDG)로 갈수록 큐디 글래스들(QDG)의 순서는 증가할 수 있다.
큐디 글래스들(QDG) 중 k 번째 큐디 글래스(QDG)는 k 번째 돌출부(PT), k+1 번째 광원(LS), 및 k+1 번째 큐디 글래스(QDG) 상에 배치될 수 있다. k는 자연수이다. k 번째 큐디 글래스(QDG)의 일측은 k 번째 돌출부(PT) 상에 배치될 수 있다. k 번째 큐디 글래스(QDG)의 일측은 제2 방향(DR2)으로 서로 대향하는 k 번째 큐디 글래스(QDG)의 양측들 중 측벽부(SW)에 보다 인접한 일측으로 정의될 수 있다.
k 번째 큐디 글래스(QDG)는 k 번째 돌출부(PT) 및 k+1 번째 광원(LS) 상에 배치된 제1 부분(P1) 및 k+1 번째 큐디 글래스(QDG) 상에 배치된 제2 부분(P2)을 포함할 수 있다. k 번째 큐디 글래스(QDG)의 제2 부분(P2)의 하면은 k+1 번째 큐디 글래스(QDG)의 상면에 접촉할 수 있다.
도 7을 참조하면, 광원(LS)은 광원 기판(LSB), 광원 기판(LSB)에 실장된 복수 개의 광원 유닛들(LU), 및 광원 기판(LSB)에 연결된 복수 개의 커넥터들(CNT)을 포함할 수 있다. 커넥터들(CNT)의 개수는 광원 유닛들(LU)의 개수보다 적을 수 있다.
광원 기판(LSB)은 제1 방향(DR1)으로 장변들을 갖고, 제3 방향(DR3)으로 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 광원 유닛들(LU)은 제2 방향(DR2)으로 서로 대향하는 광원 기판(LSB)의 양면들 중 일면 상에 배치될 수 있다. 광원 유닛들(LU)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다. 광원 유닛들(LU)은 제1 방향(DR1)으로 균등한 간격을 두고 배치될 수 있다. 광원 유닛들(LU)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 광원 기판(LSB)의 상단에 인접하게 배치될 수 있다.
커넥터들(CNT)은 광원 유닛들(LU)보다 하부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 커넥터들(CNT)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 광원 기판(LSB)의 하단에 인접하게 배치될 수 있다. 커넥터들(CNT)은 광원 유닛들(LU)이 배치된 광원 기판(LSB)의 일면 상에 배치될 수 있다. 제2 방향(DR2)을 기준으로 커넥터들(CNT) 각각의 두께는 광원 유닛들(LU) 각각의 두께보다 클 수 있다. 따라서, 커넥터들(CNT)은 제2 방향(DR2)으로 광원 유닛들(LU)보다 더 돌출될 수 있다.
커넥터들(CNT)에 전원 단자(미 도시됨)가 연결될 수 있다. 전원 단자에 연결된 커넥터들(CNT)을 통해 전원이 광원 유닛들(LU)에 제공될 수 있다.
도 6을 참조하면, k 번째 광원(LS)의 광원 기판(LSB)은 k 번째 홈(GR)에 삽입될 수 있다. k 번째 광원(LS)의 광원 유닛들(LU)은 k 번째 돌출부(PT) 상에 배치될 수 있다. k 번째 광원(LS)의 광원 유닛들(LU)은 k 번째 큐디 글래스(QDG)의 일측면와 이격되어 배치될 수 있다. k 번째 큐디 글래스(QDG)의 일측면은 k 번째 큐디 글래스(QDG)의 일측을 정의할 수 있다. k 번째 광원(LS)의 광원 유닛들(LU)은 k 번째 큐디 글래스(QDG)의 일측면과 마주볼 수 있다.
제1 지지부(SUP1)의 상면 및 돌출부들(PT) 중 마지막 돌출부(PT)의 상면은 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 큐디 글래스들(QDG) 중 마지막 큐디 글래스(QDG)는 제1 지지부(SUP1) 상에 배치될 수 있다.
도 8은 도 7에 도시된 어느 하나의 커넥터의 배치 상태를 보여주는 도면이다. 도 9는 도 8에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
설명의 편의를 위해, 도 8 및 도 9에는 첫 번째 홈(GR)에 배치된 하나의 광원(LS) 및 하나의 제1 개구부(OP1)에 배치된 하나의 커넥터(CNT)가 도시되었다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 개구부(OP1)에 커넥터(CNT)가 배치될 수 있다. 실질적으로 복수 개의 커넥터들(CNT)이 복수 개의 제1 개구부들(OP1)에 각각 배치될 수 있다. 홈(GR)의 크기는 광원 기판(LSB)의 두께에 대응하도록 결정될 수 있다. 광원 유닛들(LU)은 광원 기판(LSB)의 상단에 인접하게 배치되어, 홈(GR)에 삽입되지 않고 돌출부(PT) 상에 배치될 수 있다.
안착부(SP)에 제1 개구부가(OP1)가 정의되지 않고, 홈(GR)만 정의될 경우, 광원 기판(LSB)은 광원 기판(LSB)의 하단에 인접하게 배치된 커넥터(CNT)에 의해 홈(GR)에 삽입되지 않을 수 있다. 커넥터(CNT)가 홈(GR)보다 크므로, 커넥터(CNT)가 돌출부(PT)에 걸리면서 홈(GR)에 삽입되지 않기 때문에 광원 기판(LSB) 역시 홈(GR)에 삽입되지 않을 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 커넥터(CNT)에 대응하는 안착부(SP)의 부분에 제1 개구부(OP1)가 정의되고, 커넥터(CNT)가 제1 개구부(OP1)에 배치됨으로써, 광원 기판(LSB)이 홈(GR)에 용이하게 삽입될 수 있다. 실질적으로, 제1, 제2, 및 제3 개구부들(OP1,OP2,OP3)은 커넥터들(CNT)을 용이하게 배치하기 위해 큐디 글래스 에이징 장치(AD)에 정의된 개구부들일 수 있다.
도 10은 도 6에 도시된 어느 하나의 큐디 글래스 및 광원 유닛을 도시한 도면이다. 도 11은 도 10에 도시된 광변환층의 단면 구성을 보여주는 도면이다.
도 10을 참조하면, 큐디 글래스(QDG)는 도광판(LGP), 저굴절층(LRL), 광변환층(LCL), 및 반사 시트(RS)를 포함할 수 있다. 도광판(LGP)은 유리를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 도광판(LGP)은 투명한 플라스틱을 포함할 수도 있다.
저굴절층(LRL)은 도광판(LGP) 상에 배치되고, 광변환층(LCL)은 저굴절층(LRL) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 저굴절층(LRL)은 광변환층(LCL)과 도광판(LGP) 사이에 배치될 수 있다. 저굴절층(LRL)은 도광판(LGP)의 상면 상에 코팅될 수 있다. 광변환층(LCL)은 저굴절층(LRL) 상에 코팅될 수 있다.
저굴절층(LRL)은 도광판(LGP)보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 광변환층(LCL)은 도광판(LGP)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 예시적으로, 도광판(LGP)의 굴절률은 1.5이고, 저굴절층(LRL)의 굴절률은 1.25이고, 광변환층(LCL)의 굴절률은 1.6일 수 있다.
광원 유닛(LU)과 마주보는 도광판(LGP)의 일측면(S1)은 도광판(LGP)의 입광부(S1)로 정의되고, 도광판(LGP)의 일측면(S1)의 반대면(S2)은 도광판(LGP)의 대광부(S2)로 정의될 수 있다. 광원 유닛(LU)은 제1 광(LB)을 생성하여 도광판(LGP)에 제공할 수 있다. 예시적으로, 제1 광(LB)은 청색광일 수 있다. 제1 광(LB)은 입광부(S1)를 통해 도광판(LGP)으로 진행할 수 있다. 도광판(LGP)은 제1 광(LB)을 상부 방향으로 가이드할 수 있다.
저굴절층(LRL)이 도광판(LGP)보다 작은 굴절률을 가지므로, 도광판(LGP)의 상면을 향해 진행한 일부 광은 도광판(LGP)과 저굴절층(LRL) 사이의 경계면에서 전반사될 수 있다. 예를 들어, 도광판(LGP)에서 제1 광(LB)이 출사되는 각도에 따라 제1 광(LB)은 저굴절층(LRL)으로 제공되거나, 도광판(LGP)과 저굴절층(LRL) 사이의 경계면에서 전반사될 수 있다. 전반사된 광은 도광판(LGP)의 대광부(S2)를 향해 진행하거나, 도광판(LGP)의 하면을 향해 진행할 수 있다.
저굴절층(LRL)으로 제공된 광은 광변환층(LCL)에 제공될 수 있다. 광변환층(LCL)은 제1 광(LB)을 제2 광(LW)으로 변환시켜 상부로 출광시킬 수 있다. 예시적으로, 제2 광(LW)은 백색광일 수 있다. 제2 광(LW)은 광변환층(LCL)에서 확산되어 상부로 출광될 수 있다. 광변환층(LCL)은 청색 광을 백색 광으로 변환시키기 위한 복수 개의 양자점들을 포함할 수 있다.
반사 시트(RS)는 도광판(LGP) 하부에 배치될 수 있다. 반사 시트(RS)는 도광판(LGP)의 하면에 부착될 수 있다. 반사 시트(RS)는 도광판(LGP)의 하면을 향해 진행된 제1 광(LB)을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 따라서 도광판(LGP)의 하면을 향해 진행된 광은 외부로 손실되지 않고 다시 상부 방향으로 진행할 수 있다.
도 11을 참조하면, 광변환층(LCL)은 제1 베리어층(BR1), 제1 베리어층(BR1)상에 배치된 제2 베리어층(BR2), 제1 베리어층(BR1)과 제2 베리어층(BR2) 사이에 배치된 레진(RN), 및 레진(RN)에 수용된 복수 개의 양자점들(QD)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 베리어층들(BR1,BR2)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 베리어층들(BR1,BR2)과 레진(RN)은 도광판(LGP)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 앞서 언급한 광변환층(LCL)의 굴절률 1.6은 레진(RN)의 굴절률일 수 있으며, 제1 및 제2 베리어층들(BR1,BR2)은 레진(RN)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
광변환층(LCL)은 백색 광을 생성하기 위해 광원(LS)의 종류에 따라서 크기가 상이한 양자점들(QD)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광원(LS)이 청색광인 제1 광(LB)을 생성할 경우, 광변환층(LCL)은 청색 파장 대의 광을 흡수하여 녹색 파장 대의 광을 방출하는 크기를 갖는 양자점들(QD) 및 청색 파장 대의 광을 흡수하여 적색 파장 대의 광을 방출하는 크기를 갖는 양자점들(QD)을 포함할 수 있다.
양자점들(QD)은 광원(LS)으로부터 제공받은 청색광을 흡수하여 녹색 또는 적색 파장 대역의 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 청색광의 일부는 양자점들(QD)에 흡수되지 않을 수 있다. 따라서, 광변환층(LCL)에서 청색, 녹색, 및 적색 파장의 광들이 서로 혼합되면서 제2 광(LW)인 백색광이 생성될 수 있다. 양자점들(QD)은 제2 광(LW)을 확산시킬 수 있다.
도 10을 참조하면, 도광판(LGP) 상에 저굴절층(LRL) 및 광변환층(LCL)이 배치될 경우, 저굴절층(LRL) 및 광변환층(LCL)에 의해 광의 투과율이 저하되어 휘도가 낮아질 수 있다. 휘도는 입광부(S1)에서부터 대광부(S2)로 갈수록 낮아질 수 있다. 따라서, 큐디 글래스(QDG)의 휘도 균일도가 낮아질 수 있다.
큐디 글래스(QDG)의 휘도 및 휘도 균일도를 높이기 위해 큐디 글래스(QDG)에 대한 에이징 공정이 수행될 수 있다. 이하 도 12 및 도 13을 참조하여, 큐디 글래스(QDG)에 대한 에이징 공정이 설명될 것이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스들의 에이징 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
설명의 편의를 위해, 도 12 및 도 13에는 홈들(GR) 및 돌출부들(PT) 중 일부 홈들(GR)에 배치된 광원들(LS) 및 일부 돌출부들(PT)에 배치된 큐디 글래스들(QDG)이 예시적으로 도시되었다. 또한, 도 13은 도 10과 함께 설명될 것이다.
도 12를 참조하면, 지그부(JG)가 준비되고, 안착부(SP)의 홈들(GR)에 광원들(LS)이 각각 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이 광원 기판들(LSB)이 홈들(GR)에 각각 삽입되고, 광원 유닛들(LU)은 돌출부들(PT) 상에 배치될 수 있다.
도 13을 참조하면, 홈들(GR)에 광원들(LS)이 배치된 후, 큐디 글래스들(QDG)이 돌출부들(PT) 상에 각각 배치될 수 있다. 도시하지 않았으나, 커넥터들(CNT)이 제1 개구부들(OP1)에 배치된 후, 커넥터들(CNT)에 전원 단자가 연결되어 광원 유닛들(LU)에 전원이 공급될 수 있다.
광원 유닛들(LU)이 구동되어 제1 광(LB)이 생성될 수 있다. 제1 광(LB)은 큐디 글래스들(QDG)에 제공될 수 있다. 제1 광(LB)은 큐디 글래스들(QDG)에서 제2 광(LW)으로 변환되어 출광될 수 있다. 광원(LS)에서 생성된 제1 광(LB)은 제1 시간동안 큐디 글래스들(QDG)에 제공될 수 있다. 이하, 제1 및 제2 광들(LB,LW)은 광이라 칭한다.
도 10 및 도 13을 참조하면, 도광판(LGP)에서 상부 방향으로 가이드된 광은 저굴절층(LRL) 및 광변환층(LCL)을 지속적으로 투과할 수 있다. 광이 제1 시간동안 저굴절층(LRL) 및 광변환층(LCL)을 투과할 경우, 큐디 글래스들(QDG)의 휘도가 증가하며, 특히 휘도가 낮은 대광부(S2)의 휘도가 높아질 수 있다. 그 결과, 큐디 글래스들(QDG)의 휘도 균일도가 높아질 수 있다. 제1 시간은 큐디 글래스들(QDG)의 휘도가 더 이상 증가하지 않는 시간으로 설정될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 큐디 글래스 에이징 장치(AD)는 복수 개의 큐디 글래스들(QDG)에 대해 동시에 에이징 공정을 수행함으로서, 에이징 공정의 효율성을 높일 수 있다.
도 14는 에이징 공정으로 처리된 큐디 글래스를 포함하는 표시 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 14를 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 게이트 구동부(GDR), 데이터 구동부(DDR), 인쇄 회로 기판(PCB), 및 백라이트 유닛(BLU)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 제1 방향(DR1)으로 장변들을 갖고, 제2 방향(DR2)으로 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 표시 패널(DP)의 형상은 이에 한정되지 않을 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 청색광인 제1 광을 생성하고, 제1 광을 백색광인 제2 광으로 변환하여 표시 패널(DP)에 제공할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)은 엣지형(edge type) 백라이트 유닛일 수 있다. 표시 패널(DP)은 백라이트 유닛(BLU)으로부터 제공받은 제2 광을 이용하여 영상을 생성할 수 있다. 영상은 표시 패널(DP)의 상면을 통해 사용자에게 제공될 수 있다.
표시 패널(DP)은 제1 기판(SUB1), 제1 기판(SUB1)과 마주보는 제2 기판(SUB2), 및 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에 배치된 액정층(LC)을 포함할 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 제1 방향(DR1)으로 장변들을 갖고, 제2 방향(DR2)으로 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다.
예시적으로, 도 14에는 표시 패널(DP)로서 액정층(LC)을 포함하는 액정 표시 패널이 도시되었다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 표시 패널(DP)로서 전기 영동 표시 패널 및 전기 습윤 표시 패널 등과 같이 광을 이용하여 영상을 표시할 수 있는 다양한 표시 패널들이 사용될 수 있다.
제1 기판(SUB1)에는 복수 개의 화소들(PX), 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLm), 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLn)이 배치될 수 있다. m 및 n은 자연수이다. 설명의 편의를 위해, 도 1에는 하나의 화소(PX)만 도시되었으나, 실질적으로 복수 개의 화소들(PX)이 제1 기판(SUB1)에 배치될 수 있다.
게이트 라인들(GL1~GLm) 및 데이터 라인들(DL1~DLn)은 서로 절연되어 교차할 수 있다. 게이트 라인들(GL1~GLm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 게이트 구동부(GDR)에 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 데이터 구동부(DDR)에 연결될 수 있다. 화소들(PX)은 게이트 라인들(GL1~GLm) 및 데이터 라인들(DL1~DLn)에 연결될 수 있다.
게이트 구동부(GDR)는 제1 기판(SUB1)의 단변들 중 어느 하나의 단변에 인접한 제1 기판(SUB1)의 소정의 부분에 배치될 수 있다. 게이트 구동부(GDR)는 화소들(PX)의 트랜지스터들과 동일한 공정으로 동시에 형성되어 ASG(Amorphous Silicon TFT Gate driver circuit) 형태 또는 OSG(Oxide Silicon TFT Gate driver circuit) 형태로 제1 기판(SUB1)에 실장될 수 있다.
그러나, 이에 한정되지 않고, 게이트 구동부(GDR)는 복수 개의 구동 칩들로 형성되고 연성 회로 기판들 상에 실장되어 테이프 캐리어 패키지(TCP: Tape Carrier Package) 방식으로 제1 기판(SUB1)에 연결될 수 있다. 대안으로서, 게이트 구동부(GDR)의 구동 칩들은 제1 기판(SUB1)에 칩 온 글래스(COG: Chip on Glass) 방식으로 실장될 수 있다.
데이터 구동부(DDR)는 연성 회로 기판들(FPC) 상에 실장된 복수 개의 소스 구동 칩들(S-IC)을 포함할 수 있다. 예시적으로 4개의 소스 구동 칩들(S-IC) 및 4개의 연성 회로 기판들(FPC)이 도 14에 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 표시 패널(DP)의 크기에 따라서 소스 구동 칩들(S-IC) 및 연성 회로 기판들(FPC)의 개수는 가변될 수 있다.
연성 회로 기판들(FPC)의 일측들은 제1 기판(SUB1)의 일측에 연결될 수 있다. 제1 기판(SUB1)의 일측은 제1 기판(SUB1)의 장변들 중 어느 한 장변으로 정의될 수 있다. 연성 회로 기판들(FPC)의 일측들의 반대측들인 연성 회로 기판들(FPC)의 타측들은 인쇄 회로 기판(PCB)에 연결될 수 있다. 소스 구동 칩들(S-IC)은 연성 회로 기판들(FPC)을 통해 제1 기판(SUB1) 및 인쇄 회로 기판(PCB)에 연결될 수 있다.
인쇄 회로 기판(PCB) 상에 타이밍 컨트롤러(미 도시됨)가 배치될 수 있다. 타이밍 컨트롤러는 집적 회로 칩의 형태로 인쇄 회로 기판(PCB) 상에 실장될 수 있다. 타이밍 컨트롤러는 연성 회로 기판들(FPC)을 통해 게이트 구동부(GDR) 및 데이터 구동부(DDR)에 연결될 수 있다. 타이밍 컨트롤러는 게이트 제어 신호, 데이터 제어 신호, 및 영상 데이터들을 출력할 수 있다.
게이트 구동부(GDR)는 타이밍 컨트롤러로부터 게이트 제어 신호를 수신하고, 게이트 제어 신호에 응답하여 복수 개의 게이트 신호들을 생성할 수 있다. 게이트 구동부(GDR)는 게이트 신호들은 순차적으로 출력할 수 있다. 게이트 신호들은 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 화소들(PX)에 제공될 수 있다.
데이터 구동부(DDR)는 타이밍 컨트롤러로부터 영상 데이터들 및 데이터 제어 신호를 수신할 수 있다. 데이터 구동부(DDR)는 데이터 제어 신호에 응답하여 영상 데이터들에 대응하는 아날로그 형태의 데이터 전압들을 생성하여 출력할 수 있다. 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 화소들(PX)에 제공될 수 있다.
화소들(PX)은 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 제공받은 게이트 신호들에 응답하여 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터 전압들을 제공받을 수 있다. 화소들(PX)은 데이터 전압들에 대응하는 계조를 표시함으로써, 영상을 표시할 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 광원(LS), 큐디 글래스(QDG), 및 광학 시트(OS)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 큐디 글래스(QDG)는 도광판(LGP), 저굴절층(LRL), 광변환층(LCL), 및 반시 시트(RS)를 포함할 수 있다. 큐디 글래스(QDG)의 구성은 앞서 상세히 설명되었으므로, 설명을 생략한다.
광원(LS)은 실질적으로, 도 7에 도시된 광원(LS)일 수 있으며, 설명의 편의를 위해 커넥터들(CNT)이 생략되고, 도 7에 도시된 광원 유닛들(LU) 중 일부 광원 유닛들(LU)이 도시되었다. 광원(LS)의 구성 역시 앞서 상세히 설명되었으므로, 설명을 생략한다. 광원 유닛들(LU)에서 생성된 제1 광은 큐디 글래스(QDG)에 제공되고, 큐디 글래스(QDG)는 제1 광을 제2 광으로 변환하여 상부로 출광할 수 있다.
광학 시트(OS)는 표시 패널(DP)과 광변환층(LCL) 사이에 배치될 수 있다. 광학 시트(OS)는 확산 시트(미 도시됨) 및 확산 시트 상에 배치된 프리즘 시트(미 도시됨)를 포함할 수 있다.
확산 시트는 광변환층(LCL)으로부터 제공받은 제2 광을 확산시키는 역할을 할 수 있다. 프리즘 시트는 확산 시트에서 확산된 제2 광을 제3 방향(DR3)으로 집광할 수 있다. 프리즘 시트를 통과한 제2 광은 제3 방향(DR3)으로 진행되어 균일한 휘도 분포를 갖고 표시 패널(DP)에 제공될 수 있다.
도 15는 도 14에 도시된 화소의 구성을 도시한 도면이다.
설명의 편의를 위해, 도 15에는 게이트 라인(GLi) 및 데이터 라인(DLj)에 연결된 화소(PX)가 도시되었으며, 표시 패널(DP)의 다른 화소들(PX)의 구성은 도 15에 도시된 화소(PX)와 동일할 것이다.
도 15를 참조하면, 화소(PX)는 게이트 라인(GLi) 및 데이터 라인(DLj)에 연결된 트랜지스터(TR), 트랜지스터(TR)에 연결된 액정 커패시터(Clc), 및 액정 커패시터(Clc)에 병렬로 연결된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 생략될 수 있다. i 및 j는 자연수이다.
트랜지스터(TR)는 제1 기판(SUB1)에 배치될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 게이트 라인(GLi)에 연결된 게이트 전극(미 도시됨), 데이터 라인(DLj)에 연결된 소스 전극(미 도시됨), 및 액정 커패시터(Clc) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 연결된 드레인 전극(미 도시됨)을 포함할 수 있다.
액정 커패시터(Clc)는 제1 기판(SUB1)에 배치된 화소 전극(PE), 제2 기판(SUB2)에 배치된 공통 전극(CE), 및 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 배치된 액정층(LC)을 포함할 수 있다. 액정층(LC)은 유전체로서의 역할을 할 수 있다. 화소 전극(PE)은 트랜지스터(TR)의 드레인 전극에 연결될 수 있다.
도 15에서 화소 전극(PE)은 비 슬릿 구조이나, 이에 한정되지 않고, 화소 전극(PE)은 십자 형상의 줄기부 및 줄기부로부터 방사형으로 연장된 복수 개의 가지부들을 포함하는 슬릿 구조를 가질 수 있다.
공통 전극(CE)은 제2 기판(SUB2)의 하부 전체에 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 공통 전극(CE)은 제1 기판(SUB1)에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 화소 전극(PE) 및 공통 전극(CE) 중 적어도 하나는 슬릿을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 화소 전극(PE), 스토리지 라인(미 도시됨)으로부터 분기된 스토리지 전극(미 도시됨), 및 화소 전극(PE)과 스토리지 전극 사이에 배치된 절연층을 포함할 수 있다. 스토리지 라인은 제1 기판(SUB1)에 배치되며, 게이트 라인들(GL1~GLm)과 동일층에 동시에 형성될 수 있다. 스토리지 전극은 화소 전극(PE)과 부분적으로 중첩될 수 있다.
화소(PX)는 적색, 녹색, 및 청색 중 하나를 나타내는 컬러 필터(CF)를 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시 예로서 컬러 필터(CF)는 도 15에 도시된 바와 같이, 제2 기판(SUB2)에 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 컬러 필터(CF)는 제1 기판(SUB1)에 배치될 수 있다.
트랜지스터(TR)는 게이트 라인(GLi)을 통해 제공받은 게이트 신호에 응답하여 턴 온될 수 있다. 데이터 라인(DLj)을 통해 수신된 데이터 전압은 턴 온된 트랜지스터(TR)를 통해 액정 커패시터(Clc)의 화소 전극(PE)에 제공될 수 있다. 공통 전극(CE)에는 공통 전압이 인가될 수 있다.
데이터 전압 및 공통 전압의 전압 레벨의 차이에 의해 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 전계가 형성될 수 있다. 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 형성된 전계에 의해 액정층(LC)의 액정 분자들이 구동될 수 있다. 전계에 의해 구동된 액정 분자들에 의해 광 투과율이 조절되어 영상이 표시될 수 있다.
스토리지 라인에는 일정한 전압 레벨을 갖는 스토리지 전압이 인가될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 스토리지 라인은 공통 전압을 인가받을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 액정 커패시터(Clc)의 충전량을 보완해 주는 역할을 할 수 있다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
AD: 큐디 글래스 에이징 장치 JG: 지그부
SUP: 지지부 RH: 방열부
BP: 바닥부 SW: 측벽부
SP: 안착부 PT: 돌출부
GR: 홈 OP1,OP2: 제1 및 제2 개구부
SUP1,SUP2: 제1 및 제2 지지부 OP3: 제3 개구부
BD: 몸체부 FN: 팬
LS: 광원 QDG: 큐디 글래스
LSB: 광원 기판 LU: 광원 유닛

Claims (20)

  1. 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 의해 정의된 평면을 갖는 바닥부;
    상기 제1 방향 및 상기 바닥부와 교차하는 제3 방향에 의해 정의된 측면을 갖는 측벽부; 및
    상기 바닥부와 상기 측벽부 사이에 배치된 안착부를 포함하고,
    상기 안착부는 상기 제1 방향으로 연장되어 상기 제2 방향으로 배열되며, 복수 개의 큐디 글래스들이 배치된 복수 개의 돌출부들을 포함하고,
    상기 돌출부들 사이 및 상기 측벽부와 상기 측벽부에 인접한 첫 번째 돌출부 사이에 정의된 복수 개의 홈들에는 복수 개의 광원들이 배치되고,
    상기 돌출부들의 상면들의 높이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아지는 큐디 글래스 에이징 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈들의 깊이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아지는 큐디 글래스 에이징 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들의 상기 상면들의 높이들은 상기 바닥부보다 높은 큐디 글래스 에이징 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들의 순서는 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 증가하고, 상기 큐디 글래스들 중 k 번째 큐디 글래스의 일측은 상기 돌출부들 중 k 번째 돌출부 상에 배치되는 큐디 글래스 에이징 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 k 번째 큐디 글래스는 k+1 번째 광원 및 k+1 번째 큐디 글래스 상에 배치되는 큐디 글래스 에이징 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 k 번째 큐디 글래스는,
    상기 k 번째 돌출부 및 상기 k+1 번째 광원 상에 배치된 제1 부분; 및
    상기 k+1 번째 큐디 글래스 상에 배치된 제2 부분을 포함하고,
    상기 k 번째 큐디 글래스의 상기 제2 부분의 하면은, 상기 k+1 번째 큐디 글래스의 상면에 접촉하는 큐디 글래스 에이징 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 광원들 중 k 번째 광원은,
    상기 제1 방향으로 연장된 광원 기판; 및
    상기 광원 기판에 실장되고, 상기 k 번째 큐디 글래스의 일측면과 마주보는 복수 개의 광원 유닛들을 포함하고,
    상기 광원 기판은 상기 홈들 중 k 번째 홈에 삽입되고, 상기 광원 유닛들은 상기 k 번째 돌출부 상에 배치된 큐디 글래스 에이징 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 k 번째 광원은 상기 광원 기판에 연결된 복수 개의 커넥터들을 더 포함하고,
    상기 커넥터들은 상기 안착부에 정의된 복수 개의 제1 개구부들에 배치되고, 상기 커넥터들의 개수는 상기 광원 유닛들의 개수보다 적은 큐디 글래스 에이징 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 커넥터들은 상기 광원 유닛들보다 하부에 배치되는 큐디 글래스 에이징 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 개구부들은 상기 제1 방향으로 배열되고 상기 제2 방향으로 연장하는 큐디 글래스 에이징 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 안착부에 인접한 상기 바닥부의 소정의 부분들에 정의된 복수 개의 제2 개구부들은 상기 제1 개구부들에 각각 대응하도록 배치되고, 상기 제2 개구부들 각각은 상기 제1 개구부들 중 대응하는 제1 개구부와 함께 일체의 공간으로 정의되는 큐디 글래스 에이징 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 바닥부 상에 배치되어 상기 바닥부보다 상기 제2 방향으로 더 연장되며, 상기 제2 개구부들에 중첩하는 복수 개의 제3 개구부들이 정의된 제1 지지부; 및
    상기 바닥부와 이격되어 상기 제1 지지부 하부에 배치된 제2 지지부를 더 포함하는 큐디 글래스 에이징 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 큐디 글래스들 중 마지막 큐디 글래스는 상기 제1 지지부 상에 배치되는 큐디 글래스 에이징 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 지지부의 상면 및 상기 돌출부들 중 마지막 돌출부의 상면은 동일 평면 상에 배치되는 큐디 글래스 에이징 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 큐디 글래스들 각각은,
    도광판;
    상기 도광판 상에 배치된 저굴절층; 및
    상기 저굴절층 상에 배치된 광 변환층을 포함하는 큐디 글래스 에이징 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 안착부에 인접한 상기 측벽부의 전면의 반대면인 상기 측벽부의 후면에 배치된 복수 개의 방열부들을 더 포함하는 큐디 글래스 에이징 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 방열부들 각각은,
    개구부가 정의된 몸체부; 및
    상기 개구부에 배치된 팬을 포함하는 큐디 글래스 에이징 장치.
  18. 제1 방향으로 연장하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열된 복수 개의 돌출부들을 포함하는 안착부, 상기 제2 방향으로 서로 대향하는 상기 안착부의 양측들 중 일측에서부터 상부로 연장하는 측벽부, 및 상기 안착부의 상기 양측들 중 타측에서부터 상기 제2 방향으로 연장하는 바닥부를 포함하는 지그부를 준비하는 단계;
    상기 돌출부들 사이 및 상기 측벽부와 상기 측벽부에 인접한 첫 번째 돌출부 사이에 정의된 복수 개의 홈들에 복수 개의 광원들을 각각 배치하는 단계;
    복수 개의 큐디 글래스들을 상기 돌출부들 상에 각각 배치하는 단계; 및
    상기 광원들에서 생성된 광을 상기 큐디 글래스들에 제1 시간 동안 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 돌출부들은 상기 바닥부보다 높게 배치되고, 상기 돌출부들의 높이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아지고, 상기 홈들의 깊이들은 상기 측벽부에서 상기 바닥부로 갈수록 점차적으로 낮아지는 큐디 글래스 에이징 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 안착부에 인접한 상기 측벽부의 전면의 반대면인 상기 측벽부의 후면에 배치된 복수 개의 팬들을 회전시켜 상기 안착부의 열을 방출하는 단계를 더 포함하는 큐디 글래스 에이징 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 광원들 중 k 번째 광원은,
    상기 제1 방향으로 연장되어 상기 홈들 중 k 번째 홈에 삽입된 광원 기판; 및
    상기 광원 기판에 실장되어 상기 돌출부들 중 k 번째 돌출부 상에 배치되고, 상기 큐디 글래스들 중 k 번째 큐디 글래스의 일측면과 마주보는 복수 개의 광원 유닛들을 포함하고,
    상기 k 번째 큐디 글래스는 상기 k 번째 돌출부, k+1 번째 광원, 및 k+1 번째 큐디 글래스 상에 배치되고, 상기 큐디 글래스들 중 마지막 큐디 글래스는 상기 바닥부 상에 배치되어 상기 바닥부보다 상기 제2 방향으로 더 연장된 제1 지지부 상에 배치되는 큐디 글래스 에이징 방법.
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