KR20200037977A - Touch sensor and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20200037977A
KR20200037977A KR1020180117458A KR20180117458A KR20200037977A KR 20200037977 A KR20200037977 A KR 20200037977A KR 1020180117458 A KR1020180117458 A KR 1020180117458A KR 20180117458 A KR20180117458 A KR 20180117458A KR 20200037977 A KR20200037977 A KR 20200037977A
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touch sensor
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유성우
권혜림
손동진
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

According to embodiments of the present invention, a touch sensor comprises: a separation layer; a first protective layer formed on the separation layer; and an electrode layer disposed on the first protective layer and including sensing electrodes. The elastic modulus and thickness of the first protective layer can satisfy a predetermined relational expression. Through improved elastic properties of the first protective layer, damage to a pad in a high temperature bonding process can be prevented.

Description

터치 센서 및 이의 제조 방법{TOUCH SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Touch sensor and its manufacturing method {TOUCH SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 도전 패턴 및 절연층을 포함하는 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a touch sensor including a conductive pattern and an insulating layer and a method for manufacturing the same.

터치스크린 패널은 화상 표시 장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. 터치스크린 패널은 화상 표시 장치의 전면(front face)에 배치되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 전송될 수 있다.The touch screen panel is an input device that allows a user's command to be input by selecting an instruction displayed on a screen such as an image display device with a human hand or an object. The touch screen panel is disposed on the front face of the image display device to convert a contact position directly contacting a human hand or object into an electrical signal. Accordingly, the instruction content selected at the contact position can be transmitted as an input signal.

터치스크린 패널은 터치센서 기재, 상기 터치센서 기재 상에 배열되는 터치 센싱 전극들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 터치 센싱 전극들을 구동 집적회로(IC) 칩과 연결시키기 위해 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board, 이하 FPCB)과 같은 회로 부재가 상기 터치 스크린 패널과 결합될 수 있다.The touch screen panel may include a touch sensor substrate and touch sensing electrodes arranged on the touch sensor substrate. In addition, a circuit member such as a flexible printed circuit board (FPCB) may be combined with the touch screen panel to connect the touch sensing electrodes to a driving integrated circuit (IC) chip.

상기 FPCB를 상기 터치 센싱 전극들과 연결시키기 위해 상기 터치센서 기재 상에 배치된 본딩 패드 위에서 상기 FPCB의 가열 압착 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 고온에서 수행되는 상기 가열 압착 공정에 의해 상기 터치 센서 기재가 변형될 수 있으며, 이 경우 상기 본딩 패드의 크랙이 야기되며 접합 불량이 발생할 수 있다.In order to connect the FPCB with the touch sensing electrodes, a heat-pressing process of the FPCB may be performed on a bonding pad disposed on the touch sensor substrate. In this case, the touch sensor substrate may be deformed by the heat-pressing process performed at a high temperature, in which case cracking of the bonding pad may occur and bonding failure may occur.

또한, 최근, 플렉시블 특성을 갖는 박형의 스마트 폰과 같은 화상 표시 장치에 적용되기 위해 터치 스크린 패널의 두께 역시 감소될 필요가 있으며, 이에 따라 상기 터치 센서 기재의 바람직한 특성 구현이 더욱 용이하지 않다.In addition, in recent years, in order to be applied to an image display device such as a thin-type smart phone having flexible characteristics, the thickness of the touch screen panel also needs to be reduced, and accordingly, it is not easier to implement desirable characteristics of the touch sensor substrate.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 충분한 회로 연결 신뢰성 및 기계적 안정성의 확보 방안을 제공하지 못하고 있다.For example, as in Korean Patent Publication No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices has been developed, but it has not provided a method for securing sufficient circuit connection reliability and mechanical stability as described above. .

한국 공개특허 제2014-0092366호Korean Patent Publication No. 2014-0092366

본 발명의 일 과제는 향상된 기계적, 전기적 신뢰성을 갖는 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor having improved mechanical and electrical reliability.

본 발명의 일 과제는 향상된 기계적, 전기적 신뢰성을 갖는 터치 센서의 제조 방법을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a method of manufacturing a touch sensor having improved mechanical and electrical reliability.

본 발명의 일 과제는 상기 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체 또는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a window stack or an image display device including the touch sensor.

1. 분리층; 상기 분리층 상에 형성된 제1 보호층; 및 상기 제1 보호층 상에 배치되며 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 포함하며, 상기 제1 보호층은 하기의 식 1을 만족하는, 터치 센서:1. separation layer; A first protective layer formed on the separation layer; And an electrode layer disposed on the first protective layer and including sensing electrodes, wherein the first protective layer satisfies Expression 1 below:

[식 1] [Equation 1]

5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2 5.2 × 10 3 MPa * ㎛ 2 ≤TD 2 ≤5.2 × 10 4 MPa * ㎛ 2

(식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄). (In Formula 1, T represents the modulus of elasticity (MPa) at 25 ° C of the first protective layer, and D represents the thickness (µm) of the first protective layer).

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서:2. In the above 1, the rate of change of the elastic modulus defined by the following Equation 2 of the first protective layer is 15% or less, the touch sensor:

[식 2][Equation 2]

탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.Modulus of elasticity change (%) = {(25 ° C modulus-140 ° C modulus) / (25 ° C modulus)} × 100.

3. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률은 1000 내지 2500 MPa인, 터치 센서.3. In the above 1, the elastic modulus at 25 ℃ of the first protective layer is 1000 to 2500 MPa, the touch sensor.

4. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인, 터치 센서.4. In the above 1, the thickness of the first protective layer is 0.5 to 10㎛, touch sensor.

5. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 인장 강도는 30 내지 60 N/mm2인, 터치 센서.5. In the above 1, the tensile strength of the first protective layer is 30 to 60 N / mm 2 , the touch sensor.

6. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 하기 식 3을 만족하는, 터치 센서:6. In the above 1, wherein the first protective layer satisfies the following equation 3, a touch sensor:

[식 3][Equation 3]

5 N/mm2*㎛≤I/D ≤25 N/mm2*㎛5 N / mm 2 * ㎛≤I / D ≤25 N / mm 2 * ㎛

(식 3 중, I는 상기 제1 보호층의 인장 강도(N/mm2)를 나타내며, D는 상기 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).(In formula 3, I represents the tensile strength (N / mm 2 ) of the first protective layer, and D represents the thickness (µm) of the protective layer).

7. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 유리 전이 온도는 150 내지 210℃인, 터치 센서.7. In the above 1, the glass transition temperature of the first protective layer is 150 to 210 ℃, touch sensor.

8. 위 1에 있어서, 상기 전극층 상에 형성된 제2 보호층을 더 포함하며, 상기 제2 보호층은 상기 식 1을 만족하는, 터치 센서.8. In the above 1, further comprising a second protective layer formed on the electrode layer, the second protective layer satisfies the expression (1), the touch sensor.

9. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 경화성 수지 조성물로부터 형성된, 터치 센서.9. The touch sensor according to the above 1, wherein the first protective layer is formed from a curable resin composition.

10. 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계; 상기 분리층 상에 하기 식 1을 만족하는 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 상에 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 분리층으로부터 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법:10. forming a separation layer on the carrier substrate; Forming a first protective layer satisfying the following Equation 1 on the separation layer; Forming an electrode layer including sensing electrodes on the first protective layer; And peeling the carrier substrate from the separation layer.

[식 1] [Equation 1]

5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2 5.2 × 10 3 MPa * ㎛ 2 ≤TD 2 ≤5.2 × 10 4 MPa * ㎛ 2

(식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄). (In Formula 1, T represents the modulus of elasticity (MPa) at 25 ° C of the first protective layer, and D represents the thickness (µm) of the first protective layer).

11. 위 10에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는 상기 센싱 전극들과 전기적으로 연결된 트레이스들, 및 상기 트레이스들의 말단들에 연결된 패드들을 형성하는 것을 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.11. The method of 10 above, wherein the forming of the electrode layer includes forming traces electrically connected to the sensing electrodes and pads connected to ends of the traces.

12. 위 11에 있어서, 상기 패드들과 연성회로기판(FPCB)을 가열 압착하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.12. The method of 11 above, further comprising the step of heat-pressing the pads and the flexible circuit board (FPCB).

13. 위 12에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서의 제조 방법.13. The method of manufacturing a touch sensor according to the above 12, wherein the rate of change of elastic modulus defined by the following Equation 2 of the first protective layer is 15% or less.

[식 2][Equation 2]

탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.Modulus of elasticity change (%) = {(25 ° C modulus-140 ° C modulus) / (25 ° C modulus)} × 100.

14. 윈도우 기판; 및 위 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.14. Window substrate; And a touch sensor according to any one of 1 to 9 above.

15. 위 14에 있어서, 상기 윈도우 기판 및 상기 터치 센서 사이에 배치되는 광학층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.15. The window laminate according to the above 14, further comprising an optical layer disposed between the window substrate and the touch sensor.

16. 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널 상에 적층되며 위 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.16. display panel; And a touch sensor stacked on the display panel and according to any one of 1 to 9 above.

17. 청구항 16에 있어서, 상기 디스플레이 패널 및 상기 터치 센서를 서로 접합하는 점접착층을 더 포함하는, 화상 표시 장치.17. The image display device according to claim 16, further comprising a point adhesive layer bonding the display panel and the touch sensor to each other.

본 발명의 실시예들에 따르면, 터치 센서의 전극들을 덮는 보호층이 형성되며, 상기 보호층은 고온에서 탄성률 변화가 억제되며 향상된 인장강도를 가져 연성 인쇄회로기판(FPCB)의 가열 압착 공정 시 상기 전극들 또는 패드들을 충분히 보호할 수 있다. 따라서, 상기 가열 압착 공정에 의한 패드의 크랙, 박리, 접합 불량 등을 억제할 수 있다According to embodiments of the present invention, a protective layer covering electrodes of a touch sensor is formed, and the protective layer has an improved modulus of elasticity at a high temperature and has an improved tensile strength, thereby providing a heat-pressing process for a flexible printed circuit board (FPCB). The electrodes or pads can be sufficiently protected. Therefore, it is possible to suppress cracks, peelings, and defects in bonding of the pads by the above-mentioned heat pressing process.

일부 실시예들에 있어서, 상기 보호층은 아래에는 분리층이 형성될 수 있으며, 상기 분리층이 상기 보호층과 함께 실질적으로 기재로서 제공될 수 있다. 따라서, 별도의 기판 또는 기재가 생략되어 박형의 터치 센서가 구현될 수 있다.In some embodiments, a separation layer may be formed under the protection layer, and the separation layer may be substantially provided as a substrate together with the protection layer. Therefore, a separate substrate or substrate may be omitted to implement a thin touch sensor.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 전극 층의 구조를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다,
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing a touch sensor according to example embodiments.
2 is a schematic plan view for explaining the structure of an electrode layer according to example embodiments.
3 to 6 are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch sensor according to example embodiments,
7 is a schematic cross-sectional view illustrating a window stack and an image display device according to example embodiments.

본 발명의 실시예들은 분리층, 보호층 및 전극층을 포함하며, 상기 보호층의 기계적 특성에 의해 전극층의 신뢰성이 향상될 수 있는 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다. 또한, 상기 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체 또는 화상 표시 장치가 제공된다.Embodiments of the present invention includes a separation layer, a protective layer, and an electrode layer, and provides a touch sensor and a method of manufacturing the electrode layer with reliability improved by mechanical properties of the protective layer. In addition, a window stack or image display device including the touch sensor is provided.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the following drawings attached to the present specification are intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the contents of the present invention, so the present invention is described in such drawings. It should not be interpreted as being limited to the matter.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a touch sensor according to example embodiments.

도 1을 참조하면, 상기 터치 센서는 분리층(100)의 상면으로부터 순차적으로 적층된 제1 보호층(110), 전극 층(120) 및 제2 보호층(130)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the touch sensor may include a first protective layer 110, an electrode layer 120, and a second protective layer 130 sequentially stacked from the top surface of the separation layer 100.

분리층(100)은 고분자 유기막을 포함할 수 있으며, 비제한적인 예로서 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스티렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자 등의 고분자 재질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합되어 사용할 수 있다.The separation layer 100 may include a polymer organic film, and includes, as non-limiting examples, polyimide-based polymers, polyvinyl alcohol-based polymers, polyamic acid-based polymers, polyamides ( polyamide) polymer, polyethylene polymer, polystylene polymer, polynorbornene polymer, phenylmaleimide copolymer polymer, polyazobenzene polymer, polyphenyl Polyphenylenephthalamide-based polymer, polyester-based polymer, polymethyl methacrylate-based polymer, polyarylate-based polymer, cinnamate-based polymer, coumarin Polymer materials such as polymers based on polymers, phthalimidine polymers, chalcone polymers, aromatic acetylene polymers, etc. The. These may be used alone or in combination of two or more.

일부 실시예들에 있어서, 분리층(100)은 글래스 기판과 같은 캐리어 기판(50)(도 3 참조) 상에 형성되며, 상기 터치 센서 형성 후, 상기 캐리어 기판으로부터의 박리 공정을 촉진하기 위해 형성될 수 있다.In some embodiments, the separation layer 100 is formed on a carrier substrate 50 (see FIG. 3), such as a glass substrate, and is formed to facilitate a peeling process from the carrier substrate after the touch sensor is formed. Can be.

제1 보호층(110)은 분리층(100)의 상면 상에 형성될 수 있다. 제1 보호층(110)은 전극층(120) 형성을 위한 지지층으로 제공되며, 전극 층(120)에 포함된 전극 패턴들에 대한 보호층으로 기능할 수 있다.The first protective layer 110 may be formed on the top surface of the separation layer 100. The first protective layer 110 is provided as a support layer for forming the electrode layer 120, and may function as a protective layer for electrode patterns included in the electrode layer 120.

제1 보호층(110)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 보호층(110)이 무기 절연 물질을 포함하는 경우 예를 들면 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.The first protective layer 110 may include an organic insulating material or an inorganic insulating material. When the first protective layer 110 includes an inorganic insulating material, for example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and the like may be included.

제1 보호층(110)이 유기 절연 물질을 포함하는 경우 예를 들면, 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 경화성 수지 조성물은 경화성 수지 및 용제를 포함할 수 있다.When the first protective layer 110 includes an organic insulating material, for example, it may be formed using a curable resin composition. The curable resin composition may include a curable resin and a solvent.

상기 경화성 수지는 예를 들면, 에폭시계 수지 환상 올레핀계 중합체(COP), 스타이렌계 수지, 염화비닐계 수지, 아크릴계 수지, 폴리페닐렌에터르 수지, 폴리아릴렌설파이드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스터 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리설폰 수지, 폴리이미드 수지, 고무, 엘라스토머 등을 포함할 수 있다.The curable resin is, for example, epoxy resin cyclic olefin polymer (COP), styrene resin, vinyl chloride resin, acrylic resin, polyphenylene ether resin, polyarylene sulfide resin, polycarbonate resin, polyester Resins, polyamide resins, polyethersulfone resins, polysulfone resins, polyimide resins, rubbers, elastomers, and the like.

상기 용제는 알코올계(메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 프로필렌글리콜 메톡시 알코올 등), 케톤계(메틸에틸케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤 등), 아세테이트계(메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 프로필렌글리콜 메톡시 아세테이트 등), 셀로솔브계(메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 프로필 셀로솔브 등), 탄화수소계(노말 헥산, 노말 헵탄, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등) 등의 용매들이 사용될 수 있으며, 이들은 단독으로 혹은 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The solvent is alcohol-based (methanol, ethanol, isopropanol, butanol, propylene glycol methoxy alcohol, etc.), ketone-based (methyl ethyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, dipropyl ketone, etc.), acetate-based (Methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, propylene glycol methoxy acetate, etc.), cellosolve type (methyl cellosolve, ethyl cellosolve, propyl cellosolve, etc.), hydrocarbon type (normal hexane, normal heptane, benzene, toluene, xyl Solvents such as Ren), and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 경화성 수지 조성물은 경화제를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제는 예를 들면, 아미노기, 카복실기, 하이드록실기, 에폭시기, 아이소사이아네이트기 등과 같이 상기 경화성 수지와 가교 반응을 할 수 있는 화합물을 포함할 수 있다.The curable resin composition may further include a curing agent. The curing agent may include, for example, a compound capable of crosslinking with the curable resin, such as an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group.

상기 경화성 수지 조성물은 무기 입자(예를 들면, 실리케이트, 지르코니아, 알루미나, 티타니아 등), 증감제, 계면 활성제, 소포제 등과 같은 첨가제들을 더 포함할 수도 있다.The curable resin composition may further include additives such as inorganic particles (eg, silicate, zirconia, alumina, titania, etc.), sensitizers, surfactants, antifoaming agents, and the like.

전극층(120)은 터치 센싱을 위한 센싱 전극들, 트레이스들 및 패드들과 같은 전극 패턴들을 포함할 수 있다. 전극층(120)의 구성 및/또는 구조에 대해서는 도 2를 참조로 보다 상세히 설명한다. The electrode layer 120 may include electrode patterns such as sensing electrodes, traces, and pads for touch sensing. The structure and / or structure of the electrode layer 120 will be described in more detail with reference to FIG. 2.

제2 보호층(130)은 제1 보호층(110)과 함께 전극층(120)에 포함된 상기 전극 패턴들을 피복 또는 패시베이션할 수 있다. 제2 보호층(130)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 보호층(130)은 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 절연 물질을 포함할 수 있다.The second protective layer 130 may cover or passivate the electrode patterns included in the electrode layer 120 together with the first protective layer 110. The second protective layer 130 may include an organic insulating material or an inorganic insulating material. In some embodiments, the second protective layer 130 may include an insulating material that is substantially the same as or similar to the first protective layer 110.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호층(110)은 하기의 식 1로 표시되는 탄성률(예를 들면, 인장 탄성률)(T: MPa) 및 두께(D: ㎛)의 관계를 만족할 수 있다.According to exemplary embodiments, the first protective layer 110 may satisfy a relationship between elastic modulus (eg, tensile modulus) (T: MPa) and thickness (D: μm) represented by Equation 1 below. .

[식 1] [Equation 1]

5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2 5.2 × 10 3 MPa * ㎛ 2 ≤TD 2 ≤5.2 × 10 4 MPa * ㎛ 2

상기 식 1 범위 내에서 제1 보호층(110)의 고온에서의 탄성률 변화가 억제되어 고온 혹은 가열 공정에서 제1 보호층(110)이 전극층(130)의 상기 전극 패턴들에 대한 기재로서 실질적으로 제공되며, 바람직한 탄성 특성을 유지할 수 있다.Within the range of Equation 1, the change in elastic modulus at high temperature of the first protective layer 110 is suppressed so that the first protective layer 110 is substantially a substrate for the electrode patterns of the electrode layer 130 in a high temperature or heating process. Provided, it is possible to maintain desirable elastic properties.

제1 보호층(110)의 TD2 값이 약 5.2×103 MPa*㎛2 미만인 경우 고온 공정에서 쉽게 손상 또는 변형되어 예를 들면, 연성 인쇄회로기판(FPCB)의 접합 공정 시 패드 및 제1 보호층(120)이 손상 되거나 파손될 수 있다. When the TD 2 value of the first protective layer 110 is less than about 5.2 × 10 3 MPa * ㎛ 2 , it is easily damaged or deformed in a high-temperature process, for example, the pad and the first during the bonding process of the flexible printed circuit board (FPCB) The protective layer 120 may be damaged or damaged.

제1 보호층(110)의 TD2 값이 약 5.2×104 MPa*㎛2을 초과하는 경우, 오히려 제1 보호층(110)을 통한 탄성 제공이 약화되어 FPCB의 가압 시 충격이 확산 또는 흡수되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 가압에 의한 패드의 크랙, 파손이 초래될 수 있다.When the TD 2 value of the first protective layer 110 exceeds about 5.2 × 10 4 MPa * µm 2 , the elasticity provided through the first protective layer 110 is weakened, so that the impact spreads or absorbs when the FPCB is pressed. It may not be. Therefore, cracks or breakage of the pad may be caused by the pressing.

일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)의 탄성률은 25℃에서의 탄성률은 약 1000 내지 2500 MPa 범위일 수 있다. 제1 보호층(110)의 두께는 약 0.5 내지 10㎛일 수 있다. 상기 탄성률 및 두께의 범위 내에서, 상기 범위 내에서 가압 공정에서의 충격을 흡수하면서 전극 패턴에 대한 적절한 지지 강성을 보다 효과적으로 유지할 수 있다. In some embodiments, the elastic modulus of the first protective layer 110 may be in the range of about 1000 to 2500 MPa at 25 ° C. The thickness of the first protective layer 110 may be about 0.5 to 10㎛. Within the range of the elastic modulus and thickness, it is possible to more effectively maintain proper support stiffness for the electrode pattern while absorbing the impact in the pressing process within the range.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호층(110)의 25℃에서의 탄성률 대비 140℃에서의 탄성률의 변화율은 약 15% 이하이며, 바람직하게는 약 10%이하 수 있다. 상기 탄성률 변화율은 하기 식 2로 정의될 수 있다.According to exemplary embodiments, the rate of change of the modulus of elasticity at 140 ° C compared to the modulus of elasticity at 25 ° C of the first protective layer 110 is about 15% or less, and preferably about 10% or less. The elastic modulus change rate may be defined by Equation 2 below.

[식 2][Equation 2]

탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100Modulus of elasticity change (%) = {(25 ℃ modulus-140 ℃ modulus) / (25 ℃ modulus)} × 100

이에 따라, 고온, 가열 공정에서도 제1 보호층(110)의 탄성 특성이 유지되어 상기 전극 패턴이 보다 안정적으로 지지 및 보호될 수 있다.Accordingly, the elastic properties of the first protective layer 110 are maintained even in a high temperature and heating process, so that the electrode pattern can be more stably supported and protected.

일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)의 유리 전이 온도(Tg)는 약 150℃ 이상일 수 있다. 이 경우, 상술한 고온에서의 탄성률 변화 억제 효과가 보다 용이하게 확보될 수 있다. 바람직하게는, 제1 보호층(110)의 유리 전이 온도(Tg)는 약 150 내지 210℃ 범위일 수 있다.In some embodiments, the glass transition temperature (Tg) of the first protective layer 110 may be about 150 ° C or higher. In this case, the effect of suppressing the elastic modulus change at the high temperature described above can be secured more easily. Preferably, the glass transition temperature (Tg) of the first protective layer 110 may range from about 150 to 210 ° C.

일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)의 인장 강도는 약 30 내지 60 N/mm2 범위일 수 있다. 상기 범위 내에서 가압 공정에서의 내성 및 지지력이 확보될 수 있다.In some embodiments, the tensile strength of the first protective layer 110 may range from about 30 to 60 N / mm 2 . Within this range, resistance and support in the pressurization process can be secured.

일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)은 하기의 식 2로 표시되는 인장강도(I: N/mm2) 및 두께(D: ㎛)의 관계를 만족할 수 있다.In some embodiments, the first protective layer 110 may satisfy a relationship between tensile strength (I: N / mm 2 ) and thickness (D: μm) represented by Equation 2 below.

[식 3][Equation 3]

5 N/mm2*㎛≤I/D ≤25 N/mm2*㎛5 N / mm 2 * ㎛≤I / D ≤25 N / mm 2 * ㎛

상기 식 3으로 나타난 I/D를 범위를 만족하는 경우 고온 가열 공정에서도 탄성율의 변화가 억제되면서 제1 보호층(110)을 통한 공정 안정성이 더욱 향상될 수 있다When the I / D shown in Equation 3 is satisfied, a change in elastic modulus is suppressed even in a high-temperature heating process, and process stability through the first protective layer 110 may be further improved.

예시적인 실시예들에 따르면, 제2 보호층(130) 역시 상술한 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 탄성률, 두께 및 인장 강도 수치 및 특성을 만족할 수 있다. 이 경우, 전극층(120)의 상부 및 하부에서 향상된 패시베이션 효과가 제공됨에 따라 전극층(120)에 포함된 전극 패턴들이 전체적으로 크랙, 박리와 같은 기계적 손상으로부터 보호될 수 있다.According to exemplary embodiments, the second protective layer 130 may also satisfy elastic modulus, thickness, and tensile strength values and characteristics substantially the same as or similar to the first protective layer 110 described above. In this case, as the improved passivation effect is provided at the top and bottom of the electrode layer 120, the electrode patterns included in the electrode layer 120 may be protected from mechanical damage such as cracks and peeling.

도 1에 도시된 바와 같이, 분리층(100)의 저면 및 제2 보호층(130)의 상면 상에는 각각 제1 보호 필름(150) 및 제2 보호 필름(155)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 보호 필름들(150)은 예를 들면, 이형 필름을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 보호 필름은 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등과 같은 수지 재질을 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 1, a first protective film 150 and a second protective film 155 may be formed on the bottom surface of the separation layer 100 and the top surface of the second protective layer 130, respectively. The first and second protective films 150 may include, for example, a release film. For example, the first and second protective films may include resin materials such as polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polymethyl methacrylate (PMMA), and the like.

도 2는 예시적인 실시예들에 따른 전극 층의 구조를 설명하기 위한 평면도이다. 예를 들면, 도 2는 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 타입의 터치 센서의 전극 층 구조를 도시하고 있다.2 is a plan view illustrating a structure of an electrode layer according to example embodiments. For example, FIG. 2 shows the electrode layer structure of a mutual capacitance type touch sensor.

도 2를 참조하면, 상기 터치 센서는 예를 들면, 제1 보호층(110) 상에 배치된 센싱 전극들(210, 230), 트레이스들(217, 237) 및 패드들(250)을 포함할 수 있다.2, the touch sensor may include, for example, sensing electrodes 210 and 230, traces 217 and 237 and pads 250 disposed on the first protective layer 110. You can.

센싱 전극들(210, 230)은 제1 센싱 전극들(210) 및 제2 센싱 전극들(230)을 포함할 수 있다.The sensing electrodes 210 and 230 may include first sensing electrodes 210 and second sensing electrodes 230.

제1 센싱 전극들(210)은 예를 들면, 열 방향 또는 Y축 방향을 따라 배열될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 센싱 전극들(210)은 각각 섬(island) 타입의 단위 전극들로 물리적으로 이격될 수 있다. 이 경우, 상기 열 방향으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(210)은 브릿지 전극(215)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first sensing electrodes 210 may be arranged, for example, in a column direction or a Y-axis direction. In some embodiments, the first sensing electrodes 210 may be physically separated into island-type unit electrodes, respectively. In this case, the first sensing electrodes 210 neighboring in the column direction may be electrically connected to each other by the bridge electrode 215.

이에 따라, 복수의 제1 센싱 전극들(210)에 의해 상기 열 방향으로 연장하는 제1 센싱 전극 열이 형성될 수 있다. 또한, 복수의 상기 제1 센싱 전극 열들이 행 방향(또는 X축 방향)을 따라 배열될 수 있다. Accordingly, a first sensing electrode row extending in the column direction may be formed by the plurality of first sensing electrodes 210. Also, a plurality of the first sensing electrode columns may be arranged along a row direction (or X-axis direction).

제2 센싱 전극들(230)은 예를 들면, 행 방향(예를 들면, X 방향)을 따라 배열될 수 있다. 이에 따라, 제2 센싱 전극들(230)에 의해 상기 행 방향으로 연장하는 제2 센싱 전극 행이 형성될 수 있다. 또한, 복수의 상기 제2 센싱 전극 행들이 상기 열 방향을 따라 배열될 수 있다.The second sensing electrodes 230 may be arranged, for example, in a row direction (eg, X direction). Accordingly, a second sensing electrode row extending in the row direction may be formed by the second sensing electrodes 230. Also, a plurality of the rows of the second sensing electrodes may be arranged along the column direction.

일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들(230)은 연결부(235)에 의해 서로 물리적 또는 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 연결부(235)는 제2 센싱 전극들(230)과 동일 레벨에서 일체로 형성되며, 제2 센싱 전극들(230)과 실질적으로 단일 부재로서 제공될 수 있다.In some embodiments, the second sensing electrodes 230 neighboring in the second direction may be physically or electrically connected to each other by a connection part 235. For example, the connection unit 235 is integrally formed at the same level as the second sensing electrodes 230 and may be provided as a substantially single member with the second sensing electrodes 230.

예를 들면, 연결부(235)를 적어도 부분적으로 덮는 절연층 (도시되지 않음)이 형성되고, 상기 절연층 상에 브릿지 전극(215)이 형성되어 이웃하는 제1 센싱 전극들(210)이 제2 센싱 전극들(230)과 절연이 유지되면서 브릿지 전극(215)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.For example, an insulating layer (not shown) that at least partially covers the connection portion 235 is formed, and a bridge electrode 215 is formed on the insulating layer, so that adjacent first sensing electrodes 210 are second. The sensing electrodes 230 may be electrically connected to each other through the bridge electrode 215 while maintaining insulation.

일부 실시예들에 있어서, 제1 센싱 전극들(210)이 연결부에 의해 상기 제1 방향을 따라 일체로 연결되며, 제2 센싱 전극들(230)이 브릿지 전극을 통해 서로 전기적으로 연결될 수도 있다.In some embodiments, the first sensing electrodes 210 are integrally connected along the first direction by a connection unit, and the second sensing electrodes 230 may be electrically connected to each other through a bridge electrode.

센싱 전극들(210, 230) 및/또는 브릿지 전극(215)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn) 또는 이들의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC))을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The sensing electrodes 210 and 230 and / or the bridge electrode 215 are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr) ), Titanium (Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn) ), Tin (Sn) or alloys thereof (eg, silver-palladium-copper (APC)). These may be used alone or in combination of two or more.

센싱 전극들(210, 230) 및/또는 브릿지 전극(215)은 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수도 있다.The sensing electrodes 210 and 230 and / or the bridge electrode 215 are, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium It may also include a transparent conductive oxide such as tin oxide (CTO).

예를 들면, 제1 보호층(110)의 중앙 영역에 활성 영역(A)이 정의되며, 센싱 전극들(210, 230)은 활성 영역(A) 상에 정의될 수 있다. 활성 영역(A)은 사용자의 터치가 감지되는 실질적인 센싱 영역일 수 있다.For example, the first The active region A is defined in the central region of the protective layer 110, and the sensing electrodes 210 and 230 can be defined on the active region A. The active area A may be a substantial sensing area in which a user's touch is sensed.

활성 영역(A)의 주변 영역은 트레이스 영역으로 제공될 수 있다. 상기 트레이스 영역은 예를 들면, 화상 표시 장치의 베젤부와 중첩될 수 있다. 트레이스들(217, 237)은 제1 트레이스들(217) 및 제2 트레이스들(237)을 포함할 수 있다.The peripheral area of the active area A may be provided as a trace area. The trace area may overlap with a bezel portion of the image display device, for example. The traces 217 and 237 may include first traces 217 and second traces 237.

예를 들면, 제1 트레이스들(217)은 상기 제1 센싱 전극 열들 각각으로부터 분기되어 연장될 수 있다. 제2 트레이스들(237)은 상기 제2 센싱 전극 행들 각각으로부터 분기되어 연장될 수 있다.For example, the first traces 217 may branch and extend from each of the first sensing electrode rows. The second traces 237 may branch from each of the second sensing electrode rows and extend.

트레이스들(217, 237)은 제1 보호층(110)의 일단부를 향해 연장되며, 본딩 영역(B)에서 집합될 수 있다. 본딩 영역(B) 내에서 트레이스들(217, 237) 각각은 패드들(250)과 연결될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 패드(250)는 각 트레이스(217, 237)의 말단부와 일체로 연결된 단자부일 수 있다. The traces 217 and 237 extend toward one end of the first protective layer 110 and may be collected in the bonding region B. Each of the traces 217 and 237 in the bonding area B may be connected to the pads 250. In some embodiments, the pad 250 may be a terminal portion integrally connected with the distal ends of each trace 217 and 237.

본딩 영역(B)은 패드들(250)을 통해 센싱 전극들(210, 230)과 구동 집적회로(IC)를 전기적으로 연결시키기 위한 접합 영역으로 제공될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, FPCB과 같은 회로 연결 구조물이 본딩 영역(B)에서 패드(250)와 접합될 수 있다. The bonding region B may be provided as a bonding region for electrically connecting the sensing electrodes 210 and 230 and the driving integrated circuit IC through the pads 250. According to exemplary embodiments, a circuit connection structure such as an FPCB may be bonded to the pad 250 in the bonding area B.

이에 따라, 상기 터치 센서에 입력되는 물리적 터치 정보가 제1 센싱 전극(210) 및 제2 센싱 전극(230)을 통해 정전 용량 차이에 의한 전기적 신호로 변환되며, 상기 전기적 신호가 패드(250)를 통해 예를 들면, 상기 구동 IC에 전달되어 터치 센싱이 구현될 수 있다.Accordingly, physical touch information input to the touch sensor is converted into an electrical signal due to a difference in capacitance through the first sensing electrode 210 and the second sensing electrode 230, and the electrical signal is applied to the pad 250. For example, touch sensing may be implemented by being transmitted to the driving IC.

상술한 바와 같이, FPCB는 본딩 영역(B)을 통해 패드(250)와 접합될 수 있다. 예를 들면, 이방성 도전 필름(ACF)와 같은 중개 구조를 패드(250) 및 FPCB 사이에 삽입한 후 고온 압착 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 압력에 의해 패드(250)가 손상될 수 있으며, 실질적으로 기재층으로 제공되는 제1 보호층(110)이 함께 손상 변형될 수 있다.As described above, the FPCB may be bonded to the pad 250 through the bonding region B. For example, an intermediary structure such as an anisotropic conductive film (ACF) may be inserted between the pad 250 and the FPCB to perform a high temperature compression process. In this case, the pad 250 may be damaged by pressure, and the first protective layer 110 substantially provided as the base layer may be damaged and deformed together.

그러나, 상술한 바와 같이 제1 보호층(110)은 고온에서의 탄성률 변화가 억제되도록, 탄성률, 두께 및/또는 인장 강도 특성을 가지므로 향상된 충격 흡수 및 고온 신뢰성을 제공할 수 있다. 따라서, 패드(250)의 크랙, 박리 등과 같은 손상을 감소 또는 방지하여 터치 센싱 신뢰성, 감도를 증진할 수 있다.However, as described above, the first protective layer 110 has elastic modulus, thickness, and / or tensile strength characteristics so that changes in elastic modulus at high temperatures are suppressed, thereby providing improved shock absorption and high temperature reliability. Accordingly, it is possible to reduce or prevent damage such as cracking or peeling of the pad 250, thereby improving touch sensing reliability and sensitivity.

일부 실시예들에 있어서, 도 1을 참조로 설명한 바와 같이, 전극층(120) 상에는 제2 보호층(130)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 FPCB와의 본딩 공정 수행을 위해 제2 보호층(130)의 일부분을 제거하여 패드들(250)을 노출시킬 수 있다. 상기 FPCB는 제2 보호층(130)의 상면과 부분적으로 중첩되면서 가압 공정이 수행될 수 있다.In some embodiments, as described with reference to FIG. 1, the second protective layer 130 may be formed on the electrode layer 120. For example, a portion of the second protective layer 130 may be removed to expose the pads 250 to perform the bonding process with the FPCB. The pressurization process may be performed while the FPCB partially overlaps with the upper surface of the second protective layer 130.

이 경우, 제2 보호층(130) 역시 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 탄성, 두께 및/또는 인장강도 특성을 가지므로 향상된 충격 흡수 및 고온 안정성을 통해 패드들(250)을 보호할 수 있다.In this case, since the second protective layer 130 also has substantially the same or similar elasticity, thickness, and / or tensile strength characteristics as the first protective layer 110, the pads 250 are provided through improved shock absorption and high temperature stability. Can protect.

일부 실시예들에 있어서, 전극층(120)에 포함된 센싱 전극들은 각각 독립된 센싱 도메인으로 제공되어 자기 정전용량(Self Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 이 경우, 각 센싱 전극으로부터 트레이스가 연장되어 각각 패드와 연결될 수 있다.In some embodiments, the sensing electrodes included in the electrode layer 120 are provided as independent sensing domains, so that they can be driven in a self-capacitance method. In this case, traces may be extended from each sensing electrode to be connected to each pad.

도 3 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 재질에 대한 상세한 설명은 생략된다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a touch sensor according to example embodiments. Detailed description of materials described with reference to FIGS. 1 and 2 is omitted.

도 3을 참조하면, 캐리어 기판(50) 상에 순차적으로 분리층(100) 및 제1 보호층(110)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 3, the separation layer 100 and the first protective layer 110 may be sequentially formed on the carrier substrate 50.

캐리어 기판(50)으로서 예를 들면, 유리 기판을 사용할 수 있다. 분리층(100)은 상술한 고분자 물질을 사용하여 슬릿 코팅, 나이프 코팅, 스핀 코팅, 캐스팅, 마이크로 그라비아 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅, 롤 코팅, 와이어 바 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄, 오프셋 인쇄, 잉크젯 코팅, 디스펜서 인쇄, 노즐 코팅, 모세관 코팅 등과 같은 코팅 및/또는 프린팅 공정을 통해 형성될 수 있다.As the carrier substrate 50, a glass substrate can be used, for example. Separation layer 100 is a slit coating, knife coating, spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, screen printing using the above-described polymer material, It can be formed through coating and / or printing processes such as gravure printing, flexo printing, offset printing, inkjet coating, dispenser printing, nozzle coating, capillary coating, and the like.

제1 보호층(110)은 상술한 경화성 수지 조성물을 분리층(100) 상에 도포한 후, 예를 들면 베이킹 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 경화성 수지 조성물에 포함된 경화성 수지 및 가교제의 종류 및 함량, 베이킹 온도 및 시간 등의 조절을 통해 제1 보호층(110) 탄성률 및 인장 강도가 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 보호층(110)은 상술한 TD2 값 범위를 만족하도록 형성될 수 있다.The first protective layer 110 may be formed through, for example, a baking process after the above-described curable resin composition is applied on the separation layer 100. The modulus and tensile strength of the first protective layer 110 may be controlled by adjusting the type and content of the curable resin and the crosslinking agent included in the curable resin composition, baking temperature, and time. According to exemplary embodiments, the first protective layer 110 may be formed to satisfy the above-described TD 2 value range.

일부 실시예들에 있어서, 제1 보호층(110)은 실리콘 산화물 등과 같은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 보호층(110)은 화학 기상 증착(CVD), 진공 증착 등과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수도 있다.In some embodiments, the first protective layer 110 may be formed using an inorganic insulating material such as silicon oxide. In this case, the first protective layer 110 may be formed through a vapor deposition process such as chemical vapor deposition (CVD) or vacuum deposition.

도 4를 참조하면, 제1 보호층(110) 상에 전극층(120)을 형성하고, 전극층(120) 상에 제2 보호층(130)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4, the electrode layer 120 may be formed on the first protective layer 110, and the second protective layer 130 may be formed on the electrode layer 120.

예를 들면, 제1 보호층(110) 상에 금속 및/또는 투명 도전성 산화물을 포함하는 도전막을 형성할 수 있다. 상기 도전막은 예를 들면, 스퍼터링 공정과 같은 물리 기상 증착 공정, 화학 기상 증착, 플라즈마 증착, 열 증착법, 열 산화, 양극 산화, 클러스터 이온빔 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있다.For example, a conductive film including a metal and / or a transparent conductive oxide may be formed on the first protective layer 110. The conductive film may be formed through, for example, a physical vapor deposition process such as a sputtering process, chemical vapor deposition, plasma deposition, thermal deposition, thermal oxidation, anodization, or cluster ion beam deposition.

이 후, 상기 도전막을 식각하여 도 2에 도시된 바와 같이 센싱 전극들(210, 230), 트레이스들(217, 237) 및 패드들(250)을 포함하는 전극층(120)을 형성할 수 있다.Thereafter, the conductive layer may be etched to form an electrode layer 120 including sensing electrodes 210 and 230, traces 217 and 237 and pads 250 as shown in FIG. 2.

제2 보호층(130)은 예를 들면, 제1 보호층(110)과 실질적으로 동일하거나 유사한 유사한 재질 및 공정을 통해 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 보호층(130) 역시 상술한 TD2 값을 만족하도록 형성될 수 있다. The second protective layer 130 may be formed through, for example, similar materials and processes substantially the same as or similar to the first protective layer 110. According to exemplary embodiments, the second protective layer 130 may also be formed to satisfy the above-described TD 2 value.

일 실시예에 있어서, 제2 보호층(130)은 FPCB 접합 공정을 위해 패드들(250)은 노출되도록 형성될 수 있다.In one embodiment, the second protective layer 130 may be formed to expose the pads 250 for the FPCB bonding process.

도 5를 참조하면, 제2 보호층(130) 상에 제2 보호필름(155)을 형성하고, 캐리어 기판(50)을 분리층(100)으로부터 박리시킬 수 있다. Referring to FIG. 5, a second protective film 155 may be formed on the second protective layer 130, and the carrier substrate 50 may be peeled off from the separation layer 100.

이에 따라, 분리층(100) 및 제1 보호층(120)의 적층 구조가 실질적으로 전극층(120) 또는 터치 센서의 기재로서 제공되며, 별도의 기판은 생략될 수 있다. 따라서, 실질적으로 무기재(substrate-less) 타입의 박형 터치 센서 또는 필름 터치 센서가 제공될 수 있다.Accordingly, a stacked structure of the separation layer 100 and the first protective layer 120 is substantially provided as the substrate of the electrode layer 120 or the touch sensor, and a separate substrate may be omitted. Accordingly, a substantially thin touch sensor or film touch sensor of a substrate-less type may be provided.

도 6을 참조하면, 분리층(100)의 저면 상에 제1 보호 필름(150)을 부착시킬 수 있다.Referring to FIG. 6, the first protective film 150 may be attached on the bottom surface of the separation layer 100.

제1 및 제2 보호 필름(150, 155)은 이형 필름으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센서를 화상 표시 장치에 적용 시 제1 및 제2 보호 필름(150, 155)은 제거될 수 있다. The first and second protective films 150 and 155 may function as a release film. For example, when the touch sensor is applied to the image display device, the first and second protective films 150 and 155 may be removed.

일부 실시예들에 있어서, 제2 보호 필름(155) 제거 후 제2 보호층(130) 상에 패드들(250)과 FPCB를 서로 접합하기 위한 본딩 공정이 더 수행될 수 있다. 상기 본딩 공정 시, 제1 및 제2 보호층들(110, 130)의 향상된 탄성 특성에 의해 패드들(250)의 크랙, 박리와 같은 기계적 손상이 억제될 수 있다.In some embodiments, a bonding process for bonding the pads 250 and the FPCB to each other on the second protective layer 130 after removing the second protective film 155 may be further performed. During the bonding process, mechanical damage such as cracks and peeling of the pads 250 may be suppressed by improved elastic properties of the first and second protective layers 110 and 130.

도 7은 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view illustrating a window stack and an image display device according to example embodiments.

도 7을 참조하면, 윈도우 적층체(350)는 상술한 터치 센서(300) 및 윈도우 기판(330)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7, the window stack 350 may include the above-described touch sensor 300 and the window substrate 330.

윈도우 기판(330)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함하며, 일 실시예에 있어서, 윈도우 기판(330)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(335)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(335)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(335)에 의해 화상 표시 장치의 베젤 영역 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다. The window substrate 330 includes, for example, a hard coating film, and in one embodiment, a light blocking pattern 335 may be formed on a peripheral portion of one surface of the window substrate 330. The light blocking pattern 335 may include, for example, a color print pattern, and may have a single layer or multi-layer structure. The bezel area or the non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 335.

예를 들면, 차광 패턴(335)에 의해 정의되는 상기 베젤 영역에는 터치 센서(300)에 포함된 트레이스들 및 패드들이 배치되며, 제1 및 제2 보호층들(110, 130)에 의해 보호 및 지지될 수 있다.For example, traces and pads included in the touch sensor 300 are disposed in the bezel area defined by the light blocking pattern 335, and are protected and protected by the first and second protective layers 110 and 130. Can be supported.

윈도우 적층체(350)는 광학층(310)을 더 포함할 수 있다. 광학층(310)은 화상 표시 장치에 포함되는 다양한 광학 필름 또는 광학 구조물을 포함할 수 있으며, 일부 실시예들에 있어서 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 상기 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 광학층(310)은 상기 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다The window stack 350 may further include an optical layer 310. The optical layer 310 may include various optical films or optical structures included in the image display device, and may include a coated polarizer or polarizing plate in some embodiments. The coated polarizer may include a liquid crystal coating layer including a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye. In this case, the optical layer 310 may further include an alignment layer for imparting alignment to the liquid crystal coating layer.

예를 들면, 상기 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 상기 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.For example, the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol-based polarizer and a protective film attached to at least one surface of the polyvinyl alcohol-based polarizer.

광학층(310)은 윈도우 기판(330)의 상기 일면과 직접 접합되거나, 제2 점접착층(320)을 통해 부착될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 광학층 (310)은 제1 점접착층(325)을 통해 터치 센서(300)와 결합될 수 있다.The optical layer 310 may be directly bonded to the one surface of the window substrate 330 or may be attached through the second point adhesive layer 320. In one embodiment, the optical layer 310 may be combined with the touch sensor 300 through the first point adhesive layer 325.

도 7에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(330), 광학층(310) 및 터치 센서 모듈(300) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서 모듈(300)의 센싱 전극들이 편광자 또는 편광판을 포함하는 광학층(310) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. As illustrated in FIG. 7, the window substrate 330, the optical layer 310, and the touch sensor module 300 may be arranged in order from the user's viewing side. In this case, since the sensing electrodes of the touch sensor module 300 are disposed under the optical layer 310 including the polarizer or the polarizing plate, electrode visibility may be more effectively prevented.

예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치는 디스플레이 패널(460) 및 디스플레이 패널(460) 상에 적층된 윈도우 적층체(350)을 포함할 수 있다.The image display device according to example embodiments may include a display panel 460 and a window stack 350 stacked on the display panel 460.

디스플레이 패널(460)은 패널 기판(400) 상에 배치된 화소 전극(410), 화소 정의막(420), 표시층(430), 대향 전극(440) 및 인캡슐레이션 층(450)을 포함할 수 있다.The display panel 460 includes a pixel electrode 410, a pixel defining layer 420, a display layer 430, a counter electrode 440 and an encapsulation layer 450 disposed on the panel substrate 400. You can.

패널 기판(400)은 글래스 혹은 유연성 수지 물질을 포함할 수 있으며, 상기 유연성 수지 물질을 포함하는 경우 상기 화상 표시 장치는 플렉시블 디스플레이로 제공될 수 있다.The panel substrate 400 may include glass or a flexible resin material, and when the flexible resin material is included, the image display device may be provided as a flexible display.

패널 기판(400) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 상기 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(410)은 상기 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor (TFT) is formed on the panel substrate 400, and an insulating layer covering the pixel circuit may be formed. The pixel electrode 410 may be electrically connected to the drain electrode of the TFT, for example, on the insulating film.

화소 정의막(420)은 상기 절연막 상에 형성되어 화소 전극(410)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(410) 상에는 표시층(430)이 형성되며, 표시 층(430)은 예를 들면, 액정 표시(LCD) 장치의 액정층 또는 유기 발광 다이오드(OLED) 장치의 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 420 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 410 to define a pixel region. The display layer 430 is formed on the pixel electrode 410, and the display layer 430 may include, for example, a liquid crystal layer of a liquid crystal display (LCD) device or an organic light emitting layer of an organic light emitting diode (OLED) device. .

화소 정의막(420) 및 표시층(430) 상에는 대향 전극(440)이 배치될 수 있다. 대향 전극(440)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드(cathode)로 제공될 수 있다. 대향 전극(440) 상에 디스플레이 패널(460) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(450)이 적층될 수 있다.The counter electrode 440 may be disposed on the pixel defining layer 420 and the display layer 430. The counter electrode 440 may be provided as, for example, a common electrode or a cathode of the image display device. An encapsulation layer 450 for protecting the display panel 460 may be stacked on the counter electrode 440.

일부 실시예들에 있어서, 디스플레이 패널(460) 및 윈도우 적층체(350)는 점접착층(360)을 통해 결합될 수도 있다. 예를 들면, 점접착층(360)의 두께는 제1 및 제2 점접착층(320, 325) 각각의 두께보다 클 수 있으며, -20 내지 80℃에서의 점탄성이 약 0.2MPa 이하일 수 있다. 이 경우, 디스플레이 패널(460)로부터의 노이즈를 차페할 수 있고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(350)의 손상을 억제할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 점탄성은 약 0.01 내지 0.15MPa일 수 있다.In some embodiments, the display panel 460 and the window stack 350 may be combined through the point adhesive layer 360. For example, the thickness of the point adhesive layer 360 may be greater than the thickness of each of the first and second point adhesive layers 320 and 325, and the viscoelasticity at -20 to 80 ° C may be about 0.2 MPa or less. In this case, noise from the display panel 460 can be shielded, and interfacial stress can be relaxed during bending to suppress damage to the window stacked body 350. In one embodiment, the viscoelasticity may be about 0.01 to 0.15MPa.

이하, 구체적인 실험예들을 통해, 본 발명의 터치 센서 적층체의 특성에 대해 보다 상세히 설명한다. 하기의 실험예에 포함된 실시예들은 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, characteristics of the touch sensor laminate of the present invention will be described in more detail through specific experimental examples. The examples included in the following experimental examples are only illustrative of the present invention and do not limit the scope of the appended claims, and various changes and modifications to the examples are possible within the scope of the present invention and technical thought. It is obvious to, and it is natural that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

실시예 및 비교예Examples and comparative examples

두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass)를 캐리어 기판으로 사용하고, 상기 캐리어 기판 상에 멜라민계 수지, 신나메이트계 수지, 프로필렌글리콜 모노메틸에터아세테이트를 포함하는 분리층 조성물을 도포하여 100~130℃에서 2분간 프리베이크하고, 150~180℃에서 5분간 포스트베이크 처리하여 분리층(두께: 300nm)을 형성하였다.Soda lime glass having a thickness of 700 µm is used as a carrier substrate, and a separation layer composition containing melamine-based resin, cinnamate-based resin, and propylene glycol monomethyl ether acetate is coated on the carrier substrate to produce 100 Pre-baking at ~ 130 ° C for 2 minutes and post-baking at 150 ~ 180 ° C for 5 minutes to form a separation layer (thickness: 300nm).

상기 분리층 상에 에폭시 수지 30중량부, COP 수지 20중량부, 경화제로서 EPHE-3150CE(Dicel사 제조) 1 중량부, 용매로 디에티렌 글리콜 메틸에틸 에테르를 잔량으로 포함하는 경화성 수지 조성물을 도포하였다. 이후, 도포된 막에 대해 컨벡션 오븐으로 110℃로 2분간 프리베이크하였다. 이후, 230℃로 30분간 포스트 베이크를 진행하여 3㎛ 두께의 보호층을 형성하였다.On the separation layer, a curable resin composition containing 30 parts by weight of an epoxy resin, 20 parts by weight of a COP resin, 1 part by weight of EPHE-3150CE (manufactured by Dicel) as a curing agent, and diethyl glycol glycol methyl ethyl ether as a solvent was applied. . Thereafter, the applied film was prebaked at 110 ° C for 2 minutes in a convection oven. Thereafter, the post-baking was performed at 230 ° C for 30 minutes to form a 3 μm-thick protective layer.

상기 보호층의 25℃ 및 140℃의 인장 탄성률을 각각 측정하여 140℃에서의 탄성률 변화율을 계산하였다. 구체적으로, 인장 탄성률은 Shimazdu사의 AG-X장비를 사용하여 ASTM D638의 방법에 준하여 측정하였다. 보호층의 인장 강도는 Shimazdu사의 AG-X장비를 사용하여 ASTM D638의 방법에 준하여 측정하였다.The tensile modulus at 25 ° C and 140 ° C of the protective layer was measured, respectively, and the rate of change in elastic modulus at 140 ° C was calculated. Specifically, the tensile modulus was measured according to the method of ASTM D638 using Shimazdu AG-X equipment. The tensile strength of the protective layer was measured according to the method of ASTM D638 using AG-X equipment of Shimazdu.

이후, 상기 보호층 상에 ITO를 상온 25℃ 조건에서 45nm 두께로 증착한 후, ITO층을 230℃에서 30분 동안 어닐링하여 본딩 패드를 형성하여 실시예 1에 따른 터치 센서 샘플을 제조하였다.Thereafter, after depositing ITO on the protective layer to a thickness of 45 nm at a temperature of 25 ° C., an ITO layer was annealed at 230 ° C. for 30 minutes to form a bonding pad to prepare a touch sensor sample according to Example 1.

실시예 2Example 2

보호층의 두께를 2㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.A touch sensor sample was prepared through the same process as in Example 1, except that the thickness of the protective layer was 2 μm.

실시예 3Example 3

경화성 수지 조성물 중 에폭시 수지 20중량부, COP수지 20 중량부를 사용하고, 보호층의 두께를 6㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.A touch sensor sample was prepared through the same process as in Example 1, except that 20 parts by weight of the epoxy resin and 20 parts by weight of the COP resin were used in the curable resin composition, and the thickness of the protective layer was 6 μm.

비교예 1Comparative Example 1

경화성 수지로서 에폭시 수지 20중량부, COP 수지 20중량부를 사용하고 보호층의 두께를 1㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.A touch sensor sample was prepared through the same process as in Example 1, except that 20 parts by weight of the epoxy resin and 20 parts by weight of the COP resin were used as the curable resin, and the thickness of the protective layer was 1 μm.

비교예 2Comparative Example 2

경화성 수지로서 에폭시 수지 25중량부, COP 수지 10중량부를 사용하고 보호층의 두께를 2㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.A touch sensor sample was prepared through the same process as in Example 1, except that 25 parts by weight of the epoxy resin and 10 parts by weight of the COP resin were used as the curable resin, and the thickness of the protective layer was 2 μm.

비교예 3Comparative Example 3

경화성 수지로서 에폭시 수지 20중량부, COP 수지 20중량부를 사용하고 보호층의 두께를 2㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.A touch sensor sample was prepared through the same process as in Example 1, except that 20 parts by weight of the epoxy resin and 20 parts by weight of the COP resin were used as the curable resin and the thickness of the protective layer was 2 μm.

비교예 4Comparative Example 4

경화성 수지로서 에폭시 수지 25중량부, COP 수지 10중량부를 사용하고 보호층의 두께를 9㎛로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 통해 터치 센서 샘플을 제조하였다.A touch sensor sample was prepared through the same process as in Example 1, except that 25 parts by weight of the epoxy resin and 10 parts by weight of the COP resin were used as the curable resin and the thickness of the protective layer was 9 μm.

본딩 패드 크랙 평가Bonding pad crack evaluation

실시예 및 비교예들의 터치 센서 샘플의 본딩 패드 상에 FPCB를 이용하여 140℃에서 1MPa의 압력으로 10초간 가압 공정을 수행하였다. 가압 공정 이후, 본딩 패드 상에 크랙이 미관찰되는 경우 "○", 크랙이 관찰되는 경우 "×"로 평가하였다.A pressing process was performed for 10 seconds at a pressure of 1 MPa at 140 ° C using FPCB on the bonding pads of the touch sensor samples of Examples and Comparative Examples. After the pressing process, it was evaluated as "○" when no crack was observed on the bonding pad and "X" when crack was observed.

평가 결과는 표 1에 기재하였다.Table 1 shows the evaluation results.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 보호층
두께(D: ㎛)
Protective layer
Thickness (D: μm)
33 22 66 1One 22 22 99
보호층
탄성률
(T: MPa)
Protective layer
Modulus of elasticity
(T: MPa)
25oC25 o C 14521452 14521452 11001100 11001100 12201220 11001100 12201220
140oC140 o C 13631363 13631363 10201020 2626 520520 2626 520520 탄성률 변화율(%)Modulus of elasticity change (%) 6.16.1 6.16.1 7.27.2 97.697.6 57.457.4 97.697.6 57.457.4 TD2(MPa*㎛2)TD 2 (MPa * ㎛ 2 ) 1.3×104 1.3 × 10 4 5.8×103 5.8 × 10 3 3.9×104 3.9 × 10 4 1.1×103 1.1 × 10 3 4.8×103 4.8 × 10 3 4.4×103 4.4 × 10 3 9.8×104 9.8 × 10 4 보호층 인장강도
(I: N/mm2)
Protective layer tensile strength
(I: N / mm 2 )
5050 4040 4545 9090 1010 150150 5050
I/D(N/mm2*㎛)I / D (N / mm 2 * ㎛) 16.616.6 2020 7.57.5 9090 55 7575 5.55.5 보호층 Tg(oC)Protective layer Tg ( o C) 201201 201201 178178 130130 7575 7070 125125 크랙 발생Cracking ×× ×× ×× ××

표 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 TD2 수치를 만족하는 보호층이 형성된 실시예들의 경우, 탄성률 변화율이 10% 미만으로 억제되며, 고온 본딩 공정에서도 패드 크랙이 실질적으로 발생하지 않았다.Referring to Table 1, in the case where the protective layer satisfying the TD 2 value according to the exemplary embodiments is formed, the rate of change of the elastic modulus is suppressed to less than 10%, and pad cracking does not substantially occur even in a high temperature bonding process. .

100: 분리층 110: 제1 보호층
120: 전극층 130: 제2 보호층
150: 제1 보호 필름 155: 제2 보호 필름
210: 제1 센싱 전극 215: 브릿지 전극
217: 제1 트레이스 230: 제2 센싱 전극
237: 제2 트레이스 250: 패드
100: separation layer 110: first protective layer
120: electrode layer 130: second protective layer
150: first protective film 155: second protective film
210: first sensing electrode 215: bridge electrode
217: first trace 230: second sensing electrode
237: second trace 250: pad

Claims (17)

분리층;
상기 분리층 상에 형성된 제1 보호층; 및
상기 제1 보호층 상에 배치되며 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 포함하며, 상기 제1 보호층은 하기의 식 1을 만족하는, 터치 센서:
[식 1]
5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
(식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
Separation layer;
A first protective layer formed on the separation layer; And
A touch sensor disposed on the first protective layer and including an electrode layer including sensing electrodes, wherein the first protective layer satisfies Expression 1 below:
[Equation 1]
5.2 × 10 3 MPa * ㎛ 2 ≤TD 2 ≤5.2 × 10 4 MPa * ㎛ 2
(In Formula 1, T represents the modulus of elasticity (MPa) at 25 ° C of the first protective layer, and D represents the thickness (µm) of the first protective layer).
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서:
[식 2]
탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.
The touch sensor according to claim 1, wherein the rate of change of the elastic modulus defined by the following Equation 2 of the first protective layer is 15% or less:
[Equation 2]
Modulus of elasticity change (%) = {(25 ° C modulus-140 ° C modulus) / (25 ° C modulus)} × 100.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률은 1000 내지 2500 MPa인, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein the first protective layer has an elastic modulus at 25 ° C of 1000 to 2500 MPa.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 두께는 0.5 내지 10㎛인, 터치 센서.
The method according to claim 1, The thickness of the first protective layer is 0.5 to 10㎛, touch sensor.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 인장 강도는 30 내지 60 N/mm2인, 터치 센서.
The method according to claim 1, The tensile strength of the first protective layer is 30 to 60 N / mm 2 , the touch sensor.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 하기 식 3을 만족하는, 터치 센서:
[식 3]
5 N/mm2*㎛≤I/D ≤25 N/mm2*㎛
(식 3 중, I는 상기 제1 보호층의 인장 강도(N/mm2)를 나타내며, D는 상기 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
The touch sensor according to claim 1, wherein the first protective layer satisfies Expression 3 below:
[Equation 3]
5 N / mm 2 * ㎛≤I / D ≤25 N / mm 2 * ㎛
(In formula 3, I represents the tensile strength (N / mm 2 ) of the first protective layer, and D represents the thickness (µm) of the protective layer).
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층의 유리 전이 온도는 150 내지 210℃인, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein the glass transition temperature of the first protective layer is 150 to 210 ° C.
청구항 1에 있어서, 상기 전극층 상에 형성된 제2 보호층을 더 포함하며, 상기 제2 보호층은 상기 식 1을 만족하는, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, further comprising a second protective layer formed on the electrode layer, wherein the second protective layer satisfies Equation 1.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 경화성 수지 조성물로부터 형성된, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein the first protective layer is formed from a curable resin composition.
캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계;
상기 분리층 상에 하기 식 1을 만족하는 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 상에 센싱 전극들을 포함하는 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 분리층으로부터 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법:
[식 1]
5.2×103 MPa*㎛2≤TD2≤5.2×104 MPa*㎛2
(식 1 중, T는 상기 제1 보호층의 25℃에서의 탄성률(MPa)을 나타내며, D는 상기 제1 보호층의 두께(㎛)를 나타냄).
Forming a separation layer on the carrier substrate;
Forming a first protective layer satisfying the following Equation 1 on the separation layer;
Forming an electrode layer including sensing electrodes on the first protective layer; And
A method of manufacturing a touch sensor, comprising peeling the carrier substrate from the separation layer:
[Equation 1]
5.2 × 10 3 MPa * ㎛ 2 ≤TD 2 ≤5.2 × 10 4 MPa * ㎛ 2
(In Formula 1, T represents the modulus of elasticity (MPa) at 25 ° C of the first protective layer, and D represents the thickness (µm) of the first protective layer).
청구항 10에 있어서, 상기 전극층을 형성하는 단계는 상기 센싱 전극들과 전기적으로 연결된 트레이스들, 및 상기 트레이스들의 말단들에 연결된 패드들을 형성하는 것을 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
The method of claim 10, wherein forming the electrode layer comprises forming traces electrically connected to the sensing electrodes and pads connected to ends of the traces.
청구항 11에 있어서, 상기 패드들과 연성회로기판(FPCB)을 가열 압착하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
The method of claim 11, further comprising heat-pressing the pads and a flexible circuit board (FPCB).
청구항 12에 있어서, 상기 제1 보호층의 하기 식 2로 정의되는 탄성률 변화율은 15% 이하인, 터치 센서의 제조 방법.
[식 2]
탄성률 변화율(%)={(25℃ 탄성률-140℃ 탄성률)/(25℃ 탄성률)}×100.
The method for manufacturing a touch sensor according to claim 12, wherein a rate of change in elastic modulus defined by the following Equation 2 of the first protective layer is 15% or less.
[Equation 2]
Modulus of elasticity change (%) = {(25 ° C modulus-140 ° C modulus) / (25 ° C modulus)} × 100.
윈도우 기판; 및
청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.
Window substrates; And
A window stack comprising the touch sensor according to any one of claims 1 to 9.
청구항 14에 있어서, 상기 윈도우 기판 및 상기 터치 센서 사이에 배치되는 광학층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.
The window stack according to claim 14, further comprising an optical layer disposed between the window substrate and the touch sensor.
디스플레이 패널; 및
상기 디스플레이 패널 상에 적층되며 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
Display panel; And
An image display device, which is stacked on the display panel and includes a touch sensor according to any one of claims 1 to 9.
청구항 16에 있어서, 상기 디스플레이 패널 및 상기 터치 센서를 서로 접합하는 점접착층을 더 포함하는, 화상 표시 장치.The image display apparatus of claim 16, further comprising a point adhesive layer bonding the display panel and the touch sensor to each other.
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