KR20200032509A - Display Device and Driving Method Thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a driving method thereof.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "발광소자"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The active matrix type organic light emitting display device includes self-emission organic light emitting diodes (hereinafter, referred to as "light emitting devices"), and has a fast response speed, high light emission efficiency, high brightness, and a wide viewing angle.
유기발광 표시장치는 발광소자를 각각 포함한 서브픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 서브픽셀들의 휘도를 조절한다. 서브픽셀들 각각은 자신의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광소자에 입력되는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한다. 발광소자의 발광량은 구동전류에 비례하며, 이 발광량으로 표시 계조(휘도)가 조절된다.The organic light emitting display device arranges subpixels each including a light emitting element in a matrix form and adjusts the luminance of the subpixels according to the gradation of image data. Each of the sub-pixels includes a driving thin film transistor (TFT) that controls a driving current input to the light emitting device according to its gate-source voltage (Vgs). The light emission amount of the light emitting element is proportional to the driving current, and the display gray level (luminance) is adjusted by the light emission amount.
유기발광 표시장치는 구동시간이 경과 함에 따라서 발광소자의 문턱전압(동작점 전압)이 증가하고 발광효율이 감소하는 열화 특성을 갖는다. 발광소자의 열화 정도는 서브픽셀마다 달라질 수 있다. 서브픽셀들 간 발광소자의 열화 편차는 휘도 편차와 화질 저하를 야기한다.The organic light emitting display device has a deterioration characteristic in which the threshold voltage (operation point voltage) of the light emitting element increases and the light emission efficiency decreases as the driving time elapses. The degree of deterioration of the light emitting device may vary for each subpixel. The variation in deterioration of the light emitting device between sub-pixels causes a variation in luminance and deterioration of image quality.
발광소자의 열화를 보상하기 위해 발광소자의 열화를 센싱하여 입력 영상 데이터를 변조하는 보상 방식이 다수 알려져 있다. 종래기술에 따른 발광소자의 열화 센싱 방법은, 센싱용 데이터전압을 캐패시터에 충전하여 발광소자를 구동시키고, 일정 시간 후 캐패시터에 남은 전압을 감지하여 발광소자에 의해 방전된 전압을 추출함으로써 발광소자의 동작 전압 특성(Vf)를 감지한다. In order to compensate for the deterioration of the light emitting device, a number of compensation methods for modulating input image data by sensing the deterioration of the light emitting device are known. The deterioration sensing method of a light emitting device according to the prior art, charges the sensing data voltage in a capacitor to drive the light emitting device, detects the voltage remaining in the capacitor after a certain time, extracts the voltage discharged by the light emitting device, and extracts the voltage discharged by the light emitting device. The operating voltage characteristic Vf is sensed.
그런데, 종래기술에 따른 발광소자의 열화 센싱방법은 충분히 높은 전압의 센싱용 데이터전압을 요구하기 때문에 소비전력이 증가하는 문제점이 있다. However, the deterioration sensing method of the light emitting device according to the related art requires a sufficiently high voltage for sensing data voltage, thereby increasing power consumption.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광소자의 열화 센싱 시 소비되는 전력을 감소시킴으로써 전력 효율을 향상시킬 수 있는 표시장치 및 이의 구동방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a display device and a driving method for improving power efficiency by reducing power consumed during deterioration sensing of a light emitting device.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제1 구동전압 보다 저전위의 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자; 상기 제2 구동전압과 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 선택적으로 입력하는 스위칭부; 및 상기 제2전극에 상기 제3구동전압이 입력되면 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 센싱부;를 포함한다.A display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a light emitting device having a first electrode to which a first driving voltage is input and a second electrode to which a second driving voltage at a lower potential than the first driving voltage is input; A switching unit selectively inputting the second driving voltage and a third driving voltage having a potential lower than that of the second driving voltage to the second electrode; And a sensing unit configured to detect a driving voltage characteristic of the light emitting device by supplying a sensing data voltage to the first electrode when the third driving voltage is input to the second electrode.
스위칭부는, 상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고, 상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작할 수 있다.When the normal mode selection signal to which the image data voltage is supplied is input to the light emitting element, the switching unit operates to input the second driving voltage to the second electrode, and when the sensing mode selection signal to which the sensing data voltage is supplied is input. The third driving voltage may be input to the second electrode.
스위칭부는, 상기 제2전극과 상기 제3 공급전압의 공급 라인에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 센싱모드 선택신호에 따라 턴온되는 제1TFT; 및 상기 제2전극과 상기 제2 구동전압의 공급라인에 소스전극와 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 노멀모드 선택신호에 따라 턴온되는 제2TFT;를 포함할 수 있다.The switching unit may include: a first TFT connected to a source electrode and a drain electrode to supply lines of the second electrode and the third supply voltage and turned on according to the sensing mode selection signal input to the gate electrode; And a second TFT connected to a supply line of the second electrode and the second driving voltage and turned on according to the normal mode selection signal input to the gate electrode.
상기 제1 구동전압은 고전위 구동전압(EVDD); 상기 제2 구동전압은 저전위 구동전압(EVSS); 및 상기 제3 구동전압은 게이트로우전압(VGL);을 포함할 수 있다.The first driving voltage is a high potential driving voltage (EVDD); The second driving voltage includes a low potential driving voltage (EVSS); And the third driving voltage may include a gate low voltage (VGL).
상기 센싱 데이터 전압이 공급되면 상기 발광소자와 병렬로 연결되어 상기 센싱 데이터 전압을 충전하고, 상기 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 상기 센싱 데이터 전압을 상기 발광소자에 공급하는 센싱 캐패시터를 더 포함할 수 있다.When the sensing data voltage is supplied, it is connected in parallel with the light emitting device to charge the sensing data voltage, and when the supply of the sensing data voltage is stopped, a sensing capacitor further supplying the charged sensing data voltage to the light emitting device can do.
센싱부는, 상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지할 수 있다.The sensing unit may sense a voltage other than the voltage discharged by the light emitting device from the sensing data voltage charged in the sensing capacitor.
상기 스위칭부가 상기 제2 구동전압 또는 상기 제3 구동전압을 선택하도록 모드 선택신호를 출력하고, 상기 센싱부로부터 수신된 상기 발광소자의 구동 전압 특성에 기초하여 상기 발광소자에 공급되는 영상 데이터 전압을 보상하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다.The switching unit outputs a mode selection signal to select the second driving voltage or the third driving voltage, and outputs an image data voltage supplied to the light emitting device based on the driving voltage characteristic of the light emitting device received from the sensing unit. It may include a timing controller to compensate.
모드 선택신호는, 상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호와 상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호를 포함할 수 있다.The mode selection signal may include a normal mode selection signal to which the image data voltage is supplied to the light emitting element and a sensing mode selection signal to which the sensing data voltage is supplied.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 애노드 전극 및 캐소드 전극을 갖는 발광소자, 노멀모드에서 상기 애노드 전극에 영상 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인을 연결하고 센싱모드에서 상기 애노드 전극에 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱 라인을 연결하는 스위칭 TFT를 포함하는 서브픽셀; 상기 캐소드 전극에 게이트로우전압(VGL)을 공급하는 제1 배선; 상기 캐소드 전극에 저전위 구동전압(EVSS)을 공급하는 제2 배선; 상기 센싱모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제2배선을 선택적으로 연결하는 제1 스위치; 상기 노멀모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제2배선을 연결하는 제2스위치;를 포함한다.A display device according to another embodiment of the present invention, a light emitting device having an anode electrode and a cathode electrode, connects a data line to which an image data voltage is supplied to the anode electrode in a normal mode, and senses a data voltage to the anode electrode in a sensing mode. A sub-pixel including a switching TFT that connects the supplied sensing line; A first wiring supplying a gate low voltage (VGL) to the cathode electrode; A second wiring supplying a low potential driving voltage (EVSS) to the cathode electrode; A first switch selectively connecting the second wiring to the cathode electrode in the sensing mode; And a second switch connecting the second wiring to the cathode electrode in the normal mode.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 열화 보상방법은, 제1 구동전압이 입력되는 제1전극 및 제2 구동전압이 입력되는 제2전극을 갖는 발광소자를 포함하는 표시장치의 열화 보상방법에 있어서, 센싱모드에서 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계; 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계; 상기 센싱 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계; 및 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계;를 포함한다.The deterioration compensation method of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a deterioration compensation method of a display device including a light emitting device having a first electrode to which a first driving voltage is input and a second electrode to which a second driving voltage is input. The method of
노멀모드에서 상기 제2 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계; 상기 제1전극에 영상 데이터 전압을 공급하는 단계; 및 상기 영상 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계를 포함할 수 있다.Connecting the second driving voltage to the second electrode in the normal mode; Supplying an image data voltage to the first electrode; And emitting the light emitting device using the image data voltage.
노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고, 상기 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작하는 스위칭부를 포함할 수 있다.When the normal mode selection signal is input, the second driving voltage is input to the second electrode, and when the sensing mode selection signal is input, a switching unit operable to input the third driving voltage to the second electrode is included. You can.
본 발명의 실시예들은, 발광소자가 노멀 구동하는 경우와 센싱 구동하는 경우 발광소자의 캐소드 전극에 각기 다른 전위의 전원을 연결함으로써 발광소자의 열화 감지를 위해 입력되는 센싱 데이터 전압이 기존에 비해 현저히 낮은 경우에도 발광소자의 동작 전압 특성(Vf)를 감지할 수 있다. 이와 같이, 센싱용 데이터 전압이 감소 됨에 따라 열화 센싱 시 소비되는 전력이 감소될 수 있으며, 결과적으로 표시장치의 전력 효율이 향상될 수 있다.In the embodiments of the present invention, when the light-emitting element is normally driven and sensing-driven, the sensing data voltage input for sensing the degradation of the light-emitting element is significantly reduced compared to the conventional one by connecting power sources having different potentials to the cathode electrode of the light-emitting element. Even when low, the operating voltage characteristic Vf of the light emitting device can be sensed. As such, as the data voltage for sensing decreases, power consumed during deterioration sensing may be reduced, and as a result, power efficiency of the display device may be improved.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시장치의 픽셀 어레이의 개략적인 블럭도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서 발광소자의 열화 특성을 감지하기 위한 구성을 도시한 블럭도이다.
도 4는 센싱모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 등가 회로를 이용하여 발광소자의 열화특성을 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 노멀모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 데이터 드라이브 IC와 픽셀 어레이 간의 배선 연결을 상세히 보여 주는 도면이다.
도 8은 도7의 표시장치의 발광소자의 열화특성을 센싱하는 회로의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 7의 등가 회로를 이용하여 발광소자의 열화특성을 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 노멀모드에서 도 7의 표시장치의 발광소자의 등가 회로를 도시한 도면이다.
도 11은 도 7의 표시장치의 구동 방법을 설명하기 위한 신호 파형도이다.1 is a schematic block diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic block diagram of a pixel array of the display device of FIG. 1.
3 is a block diagram showing a configuration for detecting deterioration characteristics of a light emitting device in a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing the equivalent circuit of FIG. 3 centering on the operation of the switching unit in the sensing mode.
5A to 5C are diagrams for explaining a method of sensing degradation characteristics of a light emitting device using the equivalent circuit of FIG. 4.
FIG. 6 is a view showing the equivalent circuit of FIG. 3 centering on the operation of the switching unit in the normal mode.
7 is a view showing in detail a wiring connection between a data drive IC and a pixel array of a display device according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing an equivalent circuit of a circuit for sensing the deterioration characteristics of the light emitting element of the display device of FIG. 7.
9A to 9C are diagrams for explaining a method of sensing a deterioration characteristic of a light emitting device using the equivalent circuit of FIG. 7.
10 is a view showing an equivalent circuit of the light emitting device of the display device of FIG. 7 in the normal mode.
FIG. 11 is a signal waveform diagram illustrating a method of driving the display device of FIG. 7.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present specification, and a method of achieving them will be apparent with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present specification to be complete, and common knowledge in the art to which this specification belongs It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, and this specification is only defined by the scope of the claims.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present specification are exemplary, and the present specification is not limited to the illustrated matters. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification. When 'include', 'have', 'consist of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless '~ only' is used. When a component is expressed as a singular number, the plural number is included unless otherwise specified.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In analyzing the components, it is interpreted as including the error range even if there is no explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of the description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as '~ on', '~ on top', '~ on the bottom', '~ next to', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless 'direct' is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. may be used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present specification.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다.Throughout the specification, the same reference numerals refer to substantially the same components.
본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 구동부는 n 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않고 p 타입 MOSFET 구조의 TFT로 구현될 수도 있다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 TFT (NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 TFT에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이에 반해, p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 실시예에 대한 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2 전극으로 기술한다. In the present specification, the pixel circuit and the gate driver formed on the substrate of the display panel may be implemented as a TFT of an n-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure, but are not limited thereto and may be implemented as a TFT of a p-type MOSFET structure. have. TFT is a three-electrode element including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the TFT, carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode through which the carrier exits from the TFT. That is, the carrier flow in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type TFT (NMOS), since the carrier is electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In the n-type TFT, since electrons flow from the source to the drain, the direction of the current flows from the drain to the source. In contrast, in the case of the p-type TFT (PMOS), the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain because the carrier is a hole. In the p-type TFT, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET can be changed according to the applied voltage. Therefore, in the description of the embodiment of the present specification, any one of the source and the drain is described as the first electrode, and the other of the source and the drain is described as the second electrode.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서, 표시장치는 유기발광 물질을 포함한 유기발광 표시장치를 중심으로 설명한다. 하지만, 본 명세서의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있음에 주의하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following embodiments, the display device will be mainly described with an organic light emitting display device including an organic light emitting material. However, it should be noted that the technical spirit of the present specification is not limited to the organic light emitting display device, and can be applied to an inorganic light emitting display device including an inorganic light emitting material.
이하의 설명에서, 본 명세서와 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present specification may unnecessarily obscure the subject matter of the present specification, the detailed description is omitted.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1의 표시장치의 픽셀 어레이의 개략적인 블럭도이다.1 is a schematic block diagram of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic block diagram of a pixel array of the display device of FIG. 1.
도 1을 참조하면, 표시장치는 타이밍 제어부(110), 게이트 구동부(130), 데이터 구동부(120) 및 표시패널(100)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the display device includes a
표시패널(100)에는 다수의 데이터라인들(14) 및 게이트라인들(15)이 교차되고, 교차영역마다 서브픽셀(SP)이 매트릭스 형태로 배치된다. 서브픽셀(SP)은 발광소자, 예컨대, OLED를 포함할 수 있다. 표시패널(100)에는 발광소자(OLED)의 구동을 위한 고전위 구동전압(EVDD) 및 저전위 구동전압(EVSS)이 공급된다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 센싱 데이터 전압(VREF) 및 게이트라인전압(VGL)이 공급된다. A plurality of
타이밍 제어부(110)는 영상 처리부로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 디지털 영상 데이터(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(110)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. The
게이트 구동부(130)는 타이밍 제어부(110)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔신호를 출력한다. 게이트 구동부(130)는 게이트라인들(15)을 통해 게이트하이전압(VGH)과 게이트로우전압(VGL)으로 이루어진 스캔신호를 출력한다. The
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(110)의 제어에 따라 서브픽셀(SP)에 영상 데이터 전압(Vdata)을 공급하여 표시하는 노멀모드와, 센싱 전압(Vsen)을 획득하기 위한 센싱모드로 구동될 수 있다. 노멀모드에서 데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(110)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 디지털 영상 데이터(DATA)를 감마 기준전압을 기반으로 전압신호 형태로 변환한다. 데이터 구동부(120)는 아날로그 형식의 영상 데이터 전압(Vdata)을 데이터라인(14)을 통해 출력한다. 센싱모드에서 데이터 구동부(120)는 표시패널(100)에 포함된 발광소자(OLED)의 구동 특성(Vf)을 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 타이밍 제어부(110)로 피드백한다.The
본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 노멀모드에서는 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)을 저전위 구동전압(EVSS)와 연결하고, 센싱모드 시에는 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)을 저전위 구동전압(EVSS)보다 더 낮은 마이너스 전위를 갖는 게이트로우전압(VGL)의 공급단과 연결한다. 데이터 구동부(120)는 센싱모드에서 센싱된 발광소자(OLED)의 구동 특성(Vf)을 타이밍 제어부(110)에 센싱 데이터(SD)로 제공하고, 이에, 타이밍 제어부(110)는 센싱 데이터(SD)에 기초하여 디지털 영상 데이터(DATA)를 보상한 후 데이터 구동부(120)로 출력할 수 있다.In the display device according to the exemplary embodiment of the present invention, the cathode electrode (-) of the light emitting element (OLED) is connected to the low potential driving voltage (EVSS) in the normal mode, and the cathode electrode (-) of the light emitting element (OLED) is sensed in the sensing mode. ) Is connected to the supply terminal of the gate low voltage VGL having a lower potential than the low potential driving voltage EVSS. The
도 2를 참조하면, 표시패널(100)에는 다수의 데이터라인(14) 및 게이트라인(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 서브픽셀들(SP)이 매트릭스 형태로 배치된다. Referring to FIG. 2, a plurality of
서브픽셀(SP)들 도 2와 같이 서로 수평으로 이웃한 적색 표시용 R 서브픽셀, 녹색 표시용 G 서브픽셀, 청색 표시용 B 서브픽셀로 구현될 수 있다. 여기서, 백색 표시용 W 서브픽셀을 더 포함하는 것이 가능하고, 각 픽셀의 배열 방법 또한 다양하게 변경될 수 있다.Subpixels SP As shown in FIG. 2, horizontally neighboring R subpixels for red display, G subpixels for green display, and B subpixels for blue display may be implemented. Here, it is possible to further include a W subpixel for white display, and the arrangement method of each pixel may also be variously changed.
각 서브픽셀(SP)은 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-) 및 애노드 전극(+)에 구동전원을 공급하는 고전위 구동전압(EVDD)의 공급단 및 저전위 구동전압(EVSS)의 공급단이 연결된다. Each sub-pixel SP is supplied with a supply terminal of a high potential driving voltage (EVDD) and a low potential driving voltage (EVSS) that supplies driving power to the cathode electrode (-) and the anode electrode (+) of the light emitting device (OLED). The stages are connected.
데이터라인(14)은 노멀모드 시 영상 데이터 전압(Vdata)이 입력되고 센싱모드 시 기준 데이터 신호가 입력되는 제1데이터라인(14a), 센싱 전압이 출력되는 제2데이터라인(14b)을 포함한다.The
게이트라인(15)은 영상 데이터 전압(Vdata)의 입력을 제어하는 제1스캔신호(Scan1)가 입력되는 제1게이트라인(15a), 센싱 전압의 출력을 제어하는 제2스캔신호(Scan2)가 입력되는 제2게이트라인(15b)을 포함한다.The
또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(100)은 센싱모드 선택을 제어하는 SEL 신호가 입력되는 SEL 신호라인(SEL)과, 센싱모드로 구동하는 경우 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 게이트로우전압(VGL)을 공급하는 VGL 라인을 포함한다.In addition, the
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서 발광소자(OLED)의 열화 데이터를 감지하기 위한 구성을 도시한 블럭도이다.3 is a block diagram showing a configuration for detecting deterioration data of a light emitting device (OLED) in a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는, 제1 구동전압(EVDD)이 입력되는 제1전극(+) 및 제2 구동전압(EVSS)이 입력되는 제2전극(-)을 갖는 발광소자(OLED)를 포함하는 서브픽셀(SP), 제2 구동전압(EVSS)과 제2 구동전압(EVSS)보다 저전위의 제3 구동전압(VGL)을 제2전극(-)에 선택적으로 입력하는 스위칭부(200), 제2전극(-)에 제3구동전압(VGL)이 입력되면 제1전극(+)으로 센싱 데이터 전압(VREF)을 공급하고 상기 센싱 데이터 전압(VREF)에 따른 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 감지하는 센싱부(Sensing Unit, SU), 센싱부(SU)의 감지결과를 디지털 센싱 데이터(SD)로 출력하는 ADC를 포함한다. 이하 설명에서는, 제1 구동전압은 EVDD, 제2 구동전압은 EVSS, 제3 구동전압은 VGL이라 하고, 발광소자(OLED)의 제1전극(+)은 애노드 전극, 제2전극(-)은 캐소드 전극이라 한다.Referring to FIG. 3, in the display device according to an exemplary embodiment of the present invention, a first electrode (+) to which a first driving voltage (EVDD) is input and a second electrode (-) to which a second driving voltage (EVSS) is inputted The subpixel SP including the light emitting device OLED, the third driving voltage VGL having a lower potential than the second driving voltage EVSS and the second driving voltage EVSS, are connected to the second electrode (-). When the third driving voltage VGL is input to the selectively input switching
서브픽셀(SP)은 발광소자(OLED), 구동 TFT(Thin Film Transistor)(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다. The subpixel SP may include a light emitting device (OLED), a driving thin film transistor (DT), a storage capacitor (Cst), a first switch TFT (ST1), and a second switch TFT (ST2). .
발광소자(OLED)는 구동 TFT(DT)의 소스 노드(Ns)에 접속된 애노드전극(+)과, 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극(+)과, 애노드전극(+)과 캐소드전극(-) 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다. The light emitting element OLED includes an anode electrode (+) connected to the source node Ns of the driving TFT DT, a cathode electrode (+) connected to the input terminal of the low potential driving voltage EVSS, and an anode electrode (+). ) And an organic compound layer positioned between the cathode electrode (-).
구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광소자(OLED)에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 게이트 노드(Ng)에 접속된 게이트전극, 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 스캔 제어신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14a) 상의 영상 데이터 전압(Vdata)을 게이트 노드(Ng)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제1 게이트라인(15a)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 게이트 노드(Ng)에 접속된 소스전극을 구비한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 센싱 제어신호(SEN)에 응답하여 소스 노드(Ns)와 센싱 라인(14b) 간의 전류 흐름을 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제2 게이트라인(15B)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 이상 서브픽셀(SP)에 대해 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 유기 발광다이오드(OLED), 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조의 서브픽셀을 일례로 설명하였지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.The driving TFT DT controls the amount of current input to the light emitting device OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving TFT DT includes a gate electrode connected to the gate node Ng, a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage EVDD, and a source electrode connected to the source node Ns. The storage capacitor Cst is connected between the gate node Ng and the source node Ns. The first switch TFT ST1 applies the image data voltage Vdata on the
스위칭부(200)는 발광소자(OLED)에 영상 데이터 전압(Vdata)이 공급되는 노멀모드와 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되는 센싱모드를 선택하는 선택 신호(SEL)에 따라, 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 EVSS 또는 VGL이 연결되도록 스위칭 동작한다. 스위칭부(200)는 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)으로 EVSS를 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제1스위치(SW1)와 캐소드 전극(-)으로 VGL을 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제2스위치(SW2)를 포함할 수 있다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에 각각 게이트 전극이 연결될 수 있다. 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에는 입력 신호를 반전시키는 인버터가 개재되어 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)에는 상호 반대되는 입력 신호가 입력된다. 즉, 제2스위치(SW2)에 하이신호(H)가 입력되면 제1스위치(SW1)에는 로우신호(L)가 입력되고, 제2스위치(SW2)에 로우신호(L)가 입력되면 제1스위치(SW1)에는 하이신호(H)가 입력된다. 따라서, 제1스위치(SW1)가 턴온되면 제2스위치(SW2)는 오프되고, 제1스위치(SW1)가 오프되면 제2스위치(SW2)는 턴온되므로, 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에는 EVSS 또는 VGL이 선택적으로 연결될 수 있다.The
센싱부(SU)는 서브픽셀(SP)의 센싱라인(14b)에 연결되어 데이터 전압(VREF)을 공급하고 발광소자(OLED)의 구동에 따른 특성 전압(Vf)을 감지할 수 있다. The sensing unit SU may be connected to the
발광소자(OLED)의 발광 특성 전압(Vf)을 감지하기 위해 서브픽셀(SP)의 센싱라인(14b)에는 발광소자(OLED)의 구동특성에 따른 전압이 저장되는 센싱 커패시터(Csen)가 연결될 수 있다. 센싱 커패시터(Csen)는 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되면 발광소자(OLED)와 병렬로 연결되어 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하고, 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 센싱 데이터 전압을 발광소자(OLED)에 공급할 수 있다. In order to sense the light emission characteristic voltage Vf of the light emitting element OLED, a sensing capacitor Csen in which a voltage according to the driving characteristic of the light emitting element OLED is stored may be connected to the
센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)는 병렬 연결되는데, 일 단은 VGL과 연결되고 타단으로는 센싱 데이터 전압(VREF)이 인가된다. 여기서, VGL은 EVSS보다 더 낮은 마이너스 전위를 갖기 때문에, 센싱 커패시터(Csen)의 일단이 VGL에 연결되는 경우 상대적으로 낮은 전위의 전압으로도 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전할 수 있다. 예컨대, 기존의 표시장치의 경우 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 EVSS에 연결되며, 통상 EVSS는 0V로설정되어 있다. 따라서, 센싱 데이터 전압(VREF)을 8V정도로 입력해야 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었다. 반면, 본 발명은 EVSS 0V보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 8V보다 더 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다.The sensing capacitor Csen and the light emitting element OLED are connected in parallel, one end of which is connected to VGL, and the other end of which the sensing data voltage VREF is applied. Here, since VGL has a lower negative potential than EVSS, when one end of the sensing capacitor Csen is connected to VGL, it is possible to charge the sensing data voltage VREF even with a relatively low potential voltage. For example, in the case of a conventional display device, the sensing capacitor Csen and the light emitting element OLED are connected to the EVSS, and the EVSS is usually set to 0V. Therefore, it is possible to detect the deterioration characteristics of the light emitting device OLED only when the sensing data voltage VREF is inputted at about 8V. On the other hand, since the present invention charges the sensing data voltage VREF after connecting to VGL, which is a negative potential voltage lower than EVSS 0 V, even if a sensing data voltage VREF lower than 8 V is applied, the degradation characteristics of the light emitting device OLED are detected. can do.
센싱모드 시 서브픽셀(SP)에는 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되고, 센싱 데이터 전압(VREF)는 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된다. 이 후, 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급을 중단하면 센싱 캐패시터(Csen)에 충전 센싱 데이터 전압(VREF)이 발광소자(OLED)로 공급되어 방전된다. 이 후, 센싱부(SU)는 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압을 감지함으로써, 발광소자(OLED)에 의해 방전된 전압을 검출하여 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출할 수 있다.In the sensing mode, the sensing data voltage VREF is supplied to the sub-pixel SP, and the sensing data voltage VREF is charged in the sensing capacitor Csen. Thereafter, when supply of the sensing data voltage VREF is stopped, the charging sensing data voltage VREF is supplied to the sensing capacitor Csen and discharged. Thereafter, the sensing unit SU detects the voltage discharged by the light emitting device OLED by detecting the remaining voltage of the sensing capacitor Csen to detect the driving voltage characteristic Vf of the light emitting device OLED. have.
이러한 구성에 의해, 본 발명은, 기존에는 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 EVSS에 연결되어 있어 센싱 데이터 전압(VREF)이 충분히 높은 전압을 가져야만 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었던데 반해, 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)를 EVSS보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 상대적으로 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다.By this configuration, the present invention, the sensing capacitor (Csen) and the light emitting device (OLED) is conventionally connected to the EVSS, the sensing data voltage (VREF) must have a sufficiently high voltage to deteriorate the characteristics of the light emitting device (OLED) On the other hand, the sensing data voltage (VREF) is charged after connecting the sensing capacitor (Csen) and the light emitting device (OLED) to VGL, which is a lower potential voltage than EVSS, so that the sensing data voltage (VREF) is relatively low. Even if applied, it is possible to detect the deterioration characteristics of the light emitting device (OLED).
도 4는 센싱모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.FIG. 4 is a view showing the equivalent circuit of FIG. 3 centering on the operation of the switching unit in the sensing mode.
도 4를 참조하면, 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급라인은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+) 및 센싱 커패시터(Csen)에 연결된다. 따라서, 센싱 데이터 전압(VREF)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극 및 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)에 충전된다.Referring to FIG. 4, the supply line of the sensing data voltage VREF is connected to the anode electrode + of the light emitting element OLED and the sensing capacitor Csen. Accordingly, the sensing data voltage VREF is charged to the anode electrode of the light emitting device OLED and the sensing capacitor Csen connected in parallel with the light emitting device OLED.
발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)으로 EVSS를 입력하는 전원라인에는 제1스위치(SW1)가 연결되고 캐소드 전극(-)으로 VGL을 입력하는 전원라인에는 제2스위치(SW2)가 연결된다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에 각각 게이트 전극이 연결된다. 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에는 입력 신호를 반전시키는 인버터가 개재되어 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)에는 상호 반대되는 입력 신호가 입력된다. 따라서, 제1스위치(SW1)가 턴온되면 제2스위치(SW2)는 오프되고, 제1스위치(SW1)가 오프되면 제2스위치(SW2)는 턴온되어 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에는 EVSS 또는 VGL이 선택적으로 연결될 수 있다.The first switch SW1 is connected to the power line inputting the EVSS to the cathode electrode (-) of the light emitting element OLED, and the second switch SW2 is connected to the power line inputting the VGL to the cathode electrode (-). . The first switch SW1 and the second switch SW2 are respectively connected to a gate electrode to a signal line to which the selection signal SEL is input. An inverter that inverts the input signal is interposed in the signal line to which the selection signal SEL is input, and input signals opposite to each other are input to the first switch SW1 and the second switch SW2. Therefore, when the first switch SW1 is turned on, the second switch SW2 is turned off, and when the first switch SW1 is turned off, the second switch SW2 is turned on to turn on the cathode electrode of the light emitting element OLED (-). EVSS or VGL can be selectively connected.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 등가 회로를 이용하여 발광소자(OLED)의 열화 특성을 센싱하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.5A to 5C are diagrams for explaining a method of sensing degradation characteristics of a light emitting device (OLED) using the equivalent circuit of FIG. 4.
도 5a를 참조하면, 센싱모드에 진입하면 모드 선택신호(SEL)는 센싱모드 선택신호인 하이신호(high)가 입력된다. 제2스위치(SW2)는 하이신호(high)에 의해 턴온 동작하고 제1스위치(SW1)는 하이신호(high)의 반전 신호인 로우신호(low)를 입력받아 턴오프된다.Referring to FIG. 5A, when the sensing mode is entered, a high signal (high), which is a sensing mode selection signal, is input to the mode selection signal SEL. The second switch SW2 is turned on by a high signal, and the first switch SW1 is turned off by receiving a low signal that is an inverted signal of the high signal high.
제2스위치(SW2)가 턴온되면 VGL 전압이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)과 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)의 일단에 공급된다. When the second switch SW2 is turned on, the VGL voltage is supplied to one end of the sensing capacitor Csen connected in parallel with the cathode electrode (-) of the light emitting element OLED and the light emitting element OLED.
센싱 데이터 전압(VREF)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+) 및 센싱 커패시터(Csen)에 인가되어 센싱 커패시터(Csen)에 센싱 데이터 전압(VREF)가 충전된다. 여기서, VGL은 EVSS보다 더 낮은 음 전위를 갖기 때문에, 기존에 비해 낮은 전위의 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하여 센싱 커패시터(Csen)를 충전할 수 있다.The sensing data voltage VREF is applied to the anode electrode + and the sensing capacitor Csen of the light emitting device OLED so that the sensing data voltage VREF is charged to the sensing capacitor Csen. Here, since VGL has a lower negative potential than EVSS, it is possible to charge the sensing capacitor Csen by applying the sensing data voltage VREF having a lower potential than the conventional one.
도 5b를 참조하면, 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급이 중단되면 센싱 캐패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 직렬로 연결되어 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 센싱 데이터 전압(VREF)이 발광소자(OLED)의 애노드로 공급될 수 있다. 이에, 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 전압은 발광소자(OLED)의 발광으로 인해 방전된다.Referring to FIG. 5B, when the supply of the sensing data voltage VREF is stopped, the sensing capacitor Csen and the light emitting device OLED are connected in series so that the sensing data voltage VREF charged in the sensing capacitor Csen is a light emitting device. (OLED). Accordingly, the voltage charged in the sensing capacitor Csen is discharged due to the light emission of the light emitting element OLED.
도 5c를 참조하면, 발광소자(OLED)가 오프되면 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압의 크기를 센싱라인을 통해 감지한다. 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압을 감지함으로써, 발광소자(OLED)에 의해 방전된 전압을 검출하여 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출할 수 있다.Referring to FIG. 5C, when the light emitting device OLED is turned off, the magnitude of the voltage remaining in the sensing capacitor Csen is sensed through the sensing line. By detecting the remaining voltage of the sensing capacitor Csen, it is possible to detect the voltage discharged by the light emitting device OLED to detect the driving voltage characteristic Vf of the light emitting device OLED.
도 6은 노멀모드에서의 스위칭부의 동작을 중심으로 도 3의 등가 회로를 도시한 도면이다.FIG. 6 is a view showing the equivalent circuit of FIG. 3 centering on the operation of the switching unit in the normal mode.
도 6을 참조하면, 노멀모드에서 모드 선택신호(SEL)는 노멀모드 선택신호인 로우신호(low)가 입력된다. 제2스위치(SW2)는 로우신호(low)에 의해 턴오프 동작하고 제1스위치(SW1)는 로우신호(low)의 반전 신호인 하이신호(high)를 입력받아 턴온된다.Referring to FIG. 6, in the normal mode, the mode selection signal SEL receives a low signal, which is a normal mode selection signal. The second switch SW2 is turned off by a low signal, and the first switch SW1 is turned on by receiving a high signal high that is an inverted signal of the low signal low.
제1스위치(SW1)가 턴온되면 EVSS 전원이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 공급된다. When the first switch SW1 is turned on, EVSS power is supplied to the cathode electrode (−) of the light emitting element (OLED).
영상 데이터 전압(Vdata)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+)에 인가되어 발광소자(OLED)는 영상 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광한다.The image data voltage Vdata is applied to the anode electrode + of the light emitting element OLED, and the light emitting element OLED emits light according to the image data voltage Vdata.
도 7 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구동방법에 대해 설명한다.A method of driving a display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 11.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 데이터 드라이브 IC(DIC 와 픽셀 어레이 간의 배선 연결을 상세히 보여 주는 도면이고, 도 8은 센싱모드에서 도 7의 표시장치의 발광소자(OLED)의 열화특성을 센싱하는 회로의 등가 회로를 도시한 도면이다.7 is a diagram showing in detail a wiring connection between a data drive IC (DIC and a pixel array) of a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a deterioration of the light emitting device (OLED) of the display device of FIG. 7 in a sensing mode. It is a diagram showing an equivalent circuit of a circuit for sensing characteristics.
도 7을 참조하면, 데이터 구동부(120)는 하나 이상의 데이터 드라이브 IC(DIC)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 3개의 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)로 구성된 경우를 예시하기로 한다. 각 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)는 타이밍 제어부(110, 도 1 참조)로부터 입력된 디지털 영상 데이터(DATA)를 정극성/부극성 아날로그 형식의 영상 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인(14, 도 1 참조)으로 출력한다. Referring to FIG. 7, the
각 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)는 데이터 라인(14)에 연결된 서브픽셀(SP)들로부터 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출하기 위한 센싱부(SU1, SU2, SU3)을 포함한다. 하나의 데이터 라인에는 동일 색상의 아날로그 영상 데이터 전압(Vdata)을 입력받는 서브픽셀(SP)들이 연결될 수 있다. 예컨대, 제1 데이터 드라이브 IC(DIC#1)에는 적색 표시용 R 서브픽셀들이 연결되고, 제2 데이터 드라이브 IC(DIC#2)에는 녹색 표시용 G 서브픽셀들이 연결되고, 제3 데이터 드라이브 IC(DIC#3)에는 청색 표시용 B 서브픽셀들이 연결될 수 있다.Each data drive
데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)로부터 영상 데이터 전압(Vdata)을 입력받는 표시패널(100)은 각 서브픽셀(SP)에 영상 데이터 전압(Vdata) 또는 센싱 데이터 전압(VREF)를 선택적으로 입력하기 위한 멀티플렉서들(M1, M2, M3)을 포함한다. 멀티플렉서들(M1, M2, M3)은 타이밍 제어부(110)에서 입력되는 멀티플렉서 제어신호(D_Mux, S_Mux, REF_CTRL)에 따라 온/오프 동작이 제어될 수 있다.The
제1멀티플렉서(M1)는 D_Mux 신호에 따라 온/오프 동작하여 턴온 동작 시 데이터 드라이브 IC(DIC#1~DIC#3)로부터 영상 데이터 전압(Vdata)을 각 서브픽셀(SP)이 연결된 데이터 라인으로 전달한다.The first multiplexer M1 operates on / off according to the D_Mux signal to convert the image data voltage Vdata from the data drive
제2멀티플렉서(M2)는 S_Mux 신호에 따라 온/오프 동작하여 각 서브픽셀(SP)에 센싱 데이터 전압(VREF)을 공급하고, 각 서브픽셀(SP)에서 감지된 구동 전압 특성(Vf) 감지결과를 센싱부(SU1, SU2, SU3)로 전달한다.The second multiplexer M2 operates on / off according to the S_Mux signal to supply the sensing data voltage VREF to each subpixel SP, and detects the driving voltage characteristic Vf detected by each subpixel SP To the sensing units SU1, SU2, and SU3.
제3멀티플렉서(M3)는 REF_CTRL 신호에 따라 온/오프 동작하여 턴온 동작 시 데이터 라인으로 공급되는 센싱 데이터 전압(VREF)의 크기를 제어하기 위한 센싱 데이터 제어라인(VREF)을 데이터 라인과 연결한다. The third multiplexer M3 operates on / off according to the REF_CTRL signal to connect the sensing data control line VREF to control the size of the sensing data voltage VREF supplied to the data line during the turn-on operation.
도 8은 센싱모드에서 도 7의 표시장치의 발광소자(OLED)의 열화특성을 센싱하는 회로의 등가 회로를 도시한 도면이다.8 is a view showing an equivalent circuit of a circuit for sensing the deterioration characteristics of the light emitting device (OLED) of the display device of FIG. 7 in the sensing mode.
도 8을 참조하면, 서브픽셀은 6T1C 구조를 가질 수 있다. 센싱모드에서는 서브픽셀은 구동되지 않기 때문에, 서브픽셀의 상세 구조 및 구동 방법에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 8, the subpixel may have a 6T1C structure. Since the sub-pixel is not driven in the sensing mode, detailed description of the sub-pixel structure and driving method is omitted.
발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)으로 EVSS를 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제1스위치(SW1)와 캐소드 전극(-)으로 VGL을 입력하는 전원라인에 소스와 드레인이 연결된 제2스위치(SW2)를 포함할 수 있다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에 각각 게이트 전극이 연결될 수 있다. 선택 신호(SEL)가 입력되는 신호라인에는 입력 신호를 반전시키는 인버터가 개재되어 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)에는 상호 반대되는 입력 신호가 입력된다.The first switch (SW1) with source and drain connected to the power line inputting EVSS as the cathode electrode (-) of the light emitting element (OLE) and the source and drain connected to the power line inputting VGL with the cathode electrode (-). It may include two switches (SW2). The first switch SW1 and the second switch SW2 may each have a gate electrode connected to a signal line to which the selection signal SEL is input. An inverter that inverts the input signal is interposed in the signal line to which the selection signal SEL is input, and input signals opposite to each other are input to the first switch SW1 and the second switch SW2.
발광소자(OLED)의 발광 특성 전압(Vf)을 감지하기 위해 서브픽셀(SP)의 센싱라인(14b)에는 발광소자(OLED)의 구동특성에 따른 전압이 저장되는 센싱 커패시터(Csen)가 연결될 수 있다. 센싱 커패시터(Csen)는 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급되면 발광소자(OLED)와 병렬로 연결되어 센싱 데이터 전압을 충전하고, 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 센싱 데이터 전압을 발광소자(OLED)에 공급할 수 있다. In order to sense the light emission characteristic voltage Vf of the light emitting element OLED, a sensing capacitor Csen in which a voltage according to the driving characteristic of the light emitting element OLED is stored may be connected to the
센싱 커패시터(Csen)는 센싱 데이터 전압이 공급되면 발광소자(OLED)와 병렬로 연결되어 센싱 데이터 전압을 충전하고, 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 센싱 데이터 전압을 발광소자(OLED)에 공급할 수 있다. 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)는 병렬 연결되는데, 일 단은 VGL과 연결되고 타단으로는 센싱 데이터 전압(VREF)이 인가된다. VGL은 통상 0V인 EVSS보다 더 낮은 마이너스 전위를 갖기 때문에, 센싱 커패시터(Csen)의 일단이 VGL에 연결되는 경우 상대적으로 낮은 전위의 전압으로도 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전할 수 있다. 기존의 표시장치의 경우 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 EVSS에 연결되며, 통상 EVSS는 0V로설정되어 있다. 따라서, 센싱 데이터 전압(VREF)을 8V정도로 입력해야 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었다. 반면, 본 발명은 EVSS 0V보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 8V보다 더 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다.When the sensing data voltage is supplied, the sensing capacitor Csen is connected in parallel with the light emitting device OLED to charge the sensing data voltage. When the sensing data voltage is stopped, the charged sensing data voltage is supplied to the light emitting device OLED. You can. The sensing capacitor Csen and the light emitting element OLED are connected in parallel, one end of which is connected to VGL, and the other end of which the sensing data voltage VREF is applied. Since VGL has a lower negative potential than EVSS, which is usually 0V, when one end of the sensing capacitor Csen is connected to VGL, it is possible to charge the sensing data voltage VREF even with a relatively low potential voltage. In the case of the conventional display device, the sensing capacitor Csen and the light emitting element OLED are connected to the EVSS, and the EVSS is usually set to 0V. Therefore, it is possible to detect the deterioration characteristics of the light emitting device OLED only when the sensing data voltage VREF is inputted at about 8V. On the other hand, since the present invention charges the sensing data voltage VREF after connecting to VGL, which is a negative potential voltage lower than EVSS 0 V, even if a sensing data voltage VREF lower than 8 V is applied, the degradation characteristics of the light emitting device OLED are detected. can do.
센싱부(SU)는 센싱을 위한 센싱 데이터 전압(VREF)의 입력을 제어하는 SCS 스위치 및 PRE 스위치와, 각 서브픽셀(SP)의 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압을 감지하여 출력하는 SEN 스위치를 포함한다. 센싱부(SU)는 각 서브픽셀(SP)의 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압을 감지하여 ADC로 출력한다. ADC는 센싱부(SU)의 출력을 디지털로 변환하여 센싱 데이터(SD)를 타이밍 제어부(110)에 피드백 한다. The sensing unit SU includes an SCS switch and a PRE switch that controls the input of the sensing data voltage VREF for sensing, and a SEN switch that detects and outputs the remaining voltage of the sensing capacitor Csen of each subpixel SP. Includes. The sensing unit SU senses the voltage remaining in the sensing capacitor Csen of each subpixel SP and outputs it to the ADC. The ADC converts the output of the sensing unit SU into digital and feeds back the sensing data SD to the
도 9a 내지 도 9c는 발광소자(OLED)의 열화특성을 센싱하는 회로 동작을 명기 위한 도면이고, 도 10은 노멀모드에의 회로 동작을 도시한 도면이며, 도 11은 센싱모드 및 노멀모드에서의 신호 파형도이다. 본 실시예에서는, 제1스위치(SW1), 제2스위치(SW2), 제1멀티플렉서(M1) 및 제2멀티플렉서(M2)가 액티브 로우 특성을 가진 PMOS TFT인 경우를 예시하고 있다. 9A to 9C are diagrams for specifying a circuit operation for sensing deterioration characteristics of a light emitting device (OLED), FIG. 10 is a diagram showing a circuit operation in a normal mode, and FIG. 11 is a sensing mode and a normal mode It is a signal waveform diagram. In this embodiment, the case where the first switch SW1, the second switch SW2, the first multiplexer M1 and the second multiplexer M2 are PMOS TFTs having active low characteristics is illustrated.
도 9a 내지 도 9c는 센싱모드 구동과정을 도시한 것으로서, 도 11의 파형도에서 ①, ②, ③ 구간에 각각 대응된다.9A to 9C show a sensing mode driving process, and correspond to
도 9a와 도 11의 파형도를 참조하면, 센싱모드 구동 기간(①, ②, ③) 동안 선택신호(SEL)는 로우(Low)로 입력된다. 이에, 제1스위치(SW1)는 오프되고 제2스위치(SW2)가 턴온된다. 제2스위치(SW2)가 턴온되면 VGL 전압이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)과 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)의 일단에 공급된다. 9A and 11, the selection signal SEL is input low during the sensing mode driving period (①, ②, ③). Accordingly, the first switch SW1 is turned off and the second switch SW2 is turned on. When the second switch SW2 is turned on, the VGL voltage is supplied to one end of the sensing capacitor Csen connected in parallel with the cathode electrode (-) of the light emitting element OLED and the light emitting element OLED.
센싱모드 초기의 ① 구간 동안 센싱부(SU)의 PRE 스위치는 턴온되어 데이터 라인에 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급된다. 반면, 센싱부(SU)의 SEN 스위치는 오프 상태를 유지한다.During the first ① section of the sensing mode, the PRE switch of the sensing unit SU is turned on so that the sensing data voltage VREF is supplied to the data line. On the other hand, the SEN switch of the sensing unit SU remains off.
센싱모드 구동 기간(①, ②, ③) 동안, S_Mux 신호는 로우(Low)로 입력되어 제2멀티플렉서(M2)는 턴온된 상태를 유지한다. 제2멀티플렉서(M2)가 턴온되면 각 서브픽셀(SP)에 센싱 데이터 전압(VREF)이 공급된다.During the sensing mode driving period (①, ②, ③), the S_Mux signal is input low, and the second multiplexer M2 remains turned on. When the second multiplexer M2 is turned on, the sensing data voltage VREF is supplied to each sub-pixel SP.
반면, D_Mux 신호는 하이(High)로 입력되어 제1멀티플렉서(M1)는 턴오프 상태를 유지한다. 제1멀티플렉서(M1)가 턴오프되면 영상 데이터 전압(Vdata)의 공급이 차단된다.On the other hand, the D_Mux signal is input high and the first multiplexer M1 maintains a turn-off state. When the first multiplexer M1 is turned off, the supply of the image data voltage Vdata is cut off.
이상의 동작에 의해, 센싱모드 초기의 ① 구간에서는 VGL 전압이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)과 발광소자(OLED)와 병렬로 연결된 센싱 커패시터(Csen)의 일단에 공급된다. 센싱 데이터 전압(VREF)은 발광소자(OLED)의 애노드 전극(+) 및 센싱 커패시터(Csen)에 인가되어 센싱 커패시터(Csen)에 센싱 데이터 전압(VREF)이 충전된다. 도 11의 파형도에서 Vx는 센싱 커패시터(Csen)의 전압 변화를 나타낸다. 여기서, VGL은 EVSS보다 더 낮은 음 전위를 갖기 때문에, 기존에 비해 낮은 전위의 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하여 센싱 커패시터(Csen)를 충전할 수 있다.By the above operation, in the
도 9b와 도 11의 파형도를 참조하면, 센싱모드의 ② 구간에서 센싱부(SU)의 PRE 스위치는 턴오프되어 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급이 중단된다. 센싱부(SU)의 SEN 스위치 또한 오프 상태를 유지한다.9B and 11, in the
센싱모드의 ② 구간에서 센싱 데이터 전압(VREF)의 공급이 중단되면 센싱 캐패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 직렬로 연결되어 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 센싱 데이터 전압(VREF)이 발광소자(OLED)의 애노드로 공급될 수 있다. 이에, 센싱 캐패시터(Csen)에 충전된 전압(Vx)은 발광소자(OLED)의 발광으로 인해 방전된다.When the supply of the sensing data voltage VREF is stopped in
도 9c와 도 11의 파형도를 참조하면, 센싱모드의 ③ 구간에서 센싱부(SU)의 SEN 스위치가 턴온된다.9C and 11, the SEN switch of the sensing unit SU is turned on in
센싱모드의 ③ 구간은 발광소자(OLED)가 오프되는 시점에 시작될 수 있다. 발광소자(OLED)가 오프된 후 센싱부(SU)의 SEN 스위치가 턴온되면 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압이 센싱부(SU)로 입력된다. 센싱부(SU)는 센싱 캐패시터(Csen)에 남은 전압을 감지하여 ADC로 출력한다. ADC는 센싱부(SU)의 출력을 디지털로 변환하여 센싱 데이터(SD)를 타이밍 제어부(110)에 피드백 한다.
타이밍 제어부(110) 센싱 데이터 전압(VREF)과 센싱 캐패시터(Csen)의 남은 전압에 따라 발광소자(OLED)에 의해 방전된 전압을 검출하여 발광소자(OLED)의 구동 전압 특성(Vf)을 검출할 수 있다.The
도 10과 도 11의 파형도를 참조하면, 노멀모드 구동 기간 동안 선택신호(SEL)는 하이(High)로 입력된다. 이에, 제1스위치(SW1)는 턴온되고 제2스위치(SW2)가 오프된다. 10 and 11, the selection signal SEL is input high during the normal mode driving period. Accordingly, the first switch SW1 is turned on and the second switch SW2 is turned off.
제1스위치(SW1)가 턴온되면 EVSS 전원이 발광소자(OLED)의 캐소드 전극(-)에 공급된다. When the first switch SW1 is turned on, EVSS power is supplied to the cathode electrode (−) of the light emitting element (OLED).
노멀모드 구동 기간 동안 센싱부(SU)의 PRE 스위치와 SEN 스위치는 오프 상태를 유지한다.During the normal mode driving period, the PRE switch and the SEN switch of the sensing unit SU remain off.
D_Mux 신호는 로우(Low)로 입력되어 제1멀티플렉서(M1)는 턴온 상태를 유지한다. 제1멀티플렉서(M1)가 턴온되면 영상 데이터 전압(Vdata)은 서브픽셀(SP)로 입력되어 발광소자(OLED)는 영상 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광한다.The D_Mux signal is input low, and the first multiplexer M1 maintains a turn-on state. When the first multiplexer M1 is turned on, the image data voltage Vdata is input to the subpixel SP, and the light emitting device OLED emits light according to the image data voltage Vdata.
노멀모드 구동 기간 동안, S_Mux 신호는 하이(High)로 입력되어 제2멀티플렉서(M2)는 턴오프된 상태를 유지한다. During the normal mode driving period, the S_Mux signal is input high, and the second multiplexer M2 remains turned off.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 노멀모드 구동 시에는 EVSS를 연결하고 센싱모드에서는 VGL을 연결하여 센싱동작을 수행한다. 이에, 기존에는 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)가 0V인 EVSS에 연결되어 있어 센싱 데이터 전압(VREF)이 충분히 높은 전압을 가져야만 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있었던데 반해, 센싱 커패시터(Csen)와 발광소자(OLED)를 EVSS보다 더 낮은 음전위 전압인 VGL에 연결한 후 센싱 데이터 전압(VREF)을 충전하므로 상대적으로 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 인가하더라도 발광소자(OLED)의 열화 특성을 감지할 수 있다. 즉, 발광소자(OLED)의 열화 특성 감지 시 기존에 비해 현저히 낮은 센싱 데이터 전압(VREF)을 가지고 센싱이 가능하므로, 표시장치의 각 구성들에 제한되는 전압 스펙에 대해 자유롭고 용이하게 센싱모드를 구동할 수 있고, 센싱모드 구동 기간 동안 소모되는 전력을 절감시킬 수 있다.As described above, the present invention performs a sensing operation by connecting EVSS when driving in normal mode and connecting VGL in sensing mode. Thus, in the past, the sensing capacitor Csen and the light emitting device OLED are connected to EVSS having 0V, so that the sensing data voltage VREF must have a sufficiently high voltage to detect deterioration characteristics of the light emitting device OLED. On the other hand, since the sensing capacitor (Csen) and the light emitting device (OLED) are connected to VGL, which is a lower negative potential voltage than EVSS, the sensing data voltage (VREF) is charged, so even if a relatively low sensing data voltage (VREF) is applied, OLED) can be detected. In other words, when sensing the degradation characteristics of the light emitting device (OLED), since sensing is possible with a significantly lower sensing data voltage (VREF) than before, the sensing mode is freely and easily driven for voltage specifications limited to each component of the display device. It is possible to reduce power consumption during the sensing mode driving period.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the technical configuration of the present invention described above is in other specific forms without changing the technical concept or essential features of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be understood that it can be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims below, rather than the detailed description. In addition, all modifications or variations derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.
100: 표시패널
110: 타이밍 제어부
120: 데이터 구동부
130: 스캔 구동부
200 : 스위칭부100: display panel 110: timing control
120: data driver 130: scan driver
200: switching unit
Claims (20)
상기 제2 구동전압과 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 선택적으로 입력하는 스위칭부; 및
상기 제2전극에 상기 제3구동전압이 입력되면 상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 센싱부;
를 포함하는 표시장치.A light emitting device having a first electrode to which a first driving voltage is input and a second electrode to which a second driving voltage having a potential lower than that of the first driving voltage is input;
A switching unit selectively inputting the second driving voltage and a third driving voltage having a potential lower than that of the second driving voltage to the second electrode; And
A sensing unit configured to detect a driving voltage characteristic of the light emitting device by supplying a sensing data voltage to the first electrode when the third driving voltage is input to the second electrode;
Display device comprising a.
상기 스위칭부는,
상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고,
상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작하는 표시장치.According to claim 1,
The switching unit,
When the normal mode selection signal to which the image data voltage is supplied is input to the light emitting element, the second driving voltage is input to the second electrode,
A display device operable to input the third driving voltage to the second electrode when a sensing mode selection signal to which the sensing data voltage is supplied is input.
상기 스위칭부는,
상기 제2전극과 상기 제3 공급전압의 공급 라인에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 센싱모드 선택신호에 따라 턴온되는 제1 TFT; 및
상기 제2전극과 상기 제2 구동전압의 공급라인에 소스전극와 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 노멀모드 선택신호에 따라 턴온되는 제2 TFT;
를 포함하는 표시장치.According to claim 2,
The switching unit,
A first TFT connected to a supply line of the second electrode and the third supply voltage and turned on according to the sensing mode selection signal input to a gate electrode; And
A second TFT connected to a supply line of the second electrode and the second driving voltage and turned on according to the normal mode selection signal input to a gate electrode;
Display device comprising a.
상기 제1 구동전압은 고전위 구동전압(EVDD);
상기 제2 구동전압은 저전위 구동전압(EVSS); 및
상기 제3 구동전압은 게이트로우전압(VGL);
을 포함하는 표시장치.According to claim 1,
The first driving voltage is a high potential driving voltage (EVDD);
The second driving voltage includes a low potential driving voltage (EVSS); And
The third driving voltage may include a gate low voltage (VGL);
Display device comprising a.
상기 센싱 데이터 전압이 공급되면 상기 발광소자와 병렬로 연결되어 상기 센싱 데이터 전압을 충전하고, 상기 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 충전된 상기 센싱 데이터 전압을 상기 발광소자에 공급하는 센싱 캐패시터를 더 포함하는 표시장치.According to claim 1,
When the sensing data voltage is supplied, it is connected to the light emitting device in parallel to charge the sensing data voltage, and when the supply of the sensing data voltage is stopped, a sensing capacitor further supplying the charged sensing data voltage to the light emitting device Display device.
상기 센싱부는,
상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하는 표시장치.According to claim 4,
The sensing unit,
A display device that detects a voltage other than the voltage discharged by the light emitting element from the sensing data voltage charged in the sensing capacitor.
상기 스위칭부가 상기 제2 구동전압 또는 상기 제3 구동전압을 선택하도록 모드 선택신호를 출력하고, 상기 센싱부로부터 수신된 상기 발광소자의 구동 전압 특성에 기초하여 상기 발광소자에 공급되는 영상 데이터 전압을 보상하는 타이밍 제어부를 포함하는 표시장치.According to claim 1,
The switching unit outputs a mode selection signal to select the second driving voltage or the third driving voltage, and outputs an image data voltage supplied to the light emitting device based on the driving voltage characteristic of the light emitting device received from the sensing unit. A display device comprising a timing controller to compensate.
상기 모드 선택신호는,
상기 발광소자에 영상 데이터 전압이 공급되는 노멀모드 선택신호와 상기 센싱 데이터 전압이 공급되는 센싱모드 선택신호를 포함하는 표시장치.The method of claim 7,
The mode selection signal,
A display device comprising a normal mode selection signal to which the image data voltage is supplied to the light emitting element and a sensing mode selection signal to which the sensing data voltage is supplied.
상기 캐소드 전극에 게이트로우전압(VGL)을 공급하는 제1 배선;
상기 캐소드 전극에 저전위 구동전압(EVSS)을 공급하는 제2 배선;
상기 센싱모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제1배선을 선택적으로 연결하는 제1 스위치;
상기 노멀모드에서 상기 캐소드 전극에 상기 제2배선을 연결하는 제2스위치;
를 포함하는 표시장치.A light emitting device having an anode electrode and a cathode electrode, a switch TFT that connects a data line to which the image data voltage is supplied to the anode electrode in normal mode and a sensing line to which a sensing data voltage is supplied to the anode electrode in sensing mode. A subpixel;
A first wiring supplying a gate low voltage (VGL) to the cathode electrode;
A second wiring supplying a low potential driving voltage (EVSS) to the cathode electrode;
A first switch selectively connecting the first wiring to the cathode electrode in the sensing mode;
A second switch connecting the second wiring to the cathode electrode in the normal mode;
Display device comprising a.
상기 제1스위치는 상기 캐소드 전극과 상기 제1배선에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 센싱모드 선택신호에 따라 턴온되는 제1TFT를 포함하고,
상기 제2스위치는 상기 캐소드 전극과 상기 제2배선에 소스전극과 드레인전극이 연결되고 게이트 전극으로 입력되는 상기 노멀모드 선택신호에 따라 턴온되는 제2TFT를 포함하는 표시장치.The method of claim 9,
The first switch includes a first TFT connected to a source electrode and a drain electrode to the cathode electrode and the first wiring and turned on according to the sensing mode selection signal input to the gate electrode,
The second switch includes a second TFT connected to a source electrode and a drain electrode to the cathode electrode and the second wiring and turned on according to the normal mode selection signal input to the gate electrode.
상기 노멀모드에서 상기 애노드 전극에 상기 영상 데이터 전압을 공급하는 전원라인을 연결하는 스위치 TFT를 포함하는 표시장치.The method of claim 9,
And a switch TFT connecting a power line supplying the image data voltage to the anode electrode in the normal mode.
일 단은 상기 게이트로우전압(VGL)에 연결되고 타단은 상기 센싱 라인에 연결되어 상기 센싱모드에서 상기 발광소자와 병렬 연결되는 센싱 캐패시터를 포함하는 표시장치.The method of claim 9,
One end is connected to the gate low voltage (VGL) and the other end is connected to the sensing line, the display device including a sensing capacitor connected in parallel with the light emitting element in the sensing mode.
상기 센싱 캐패시터는,
상기 센싱모드에서 상기 게이트로우전압(VGL)과 상기 센싱 데이터 전압의 차이만큼 전원을 충전하고, 상기 센싱 데이터 전압이 공급되지 않는 경우 충전된 전원을 상기 센싱 라인에 연결된 상기 발광소자의 애노드 전극으로 입력하는 표시장치.The method of claim 12,
The sensing capacitor,
In the sensing mode, the power is charged as much as the difference between the gate low voltage (VGL) and the sensing data voltage, and when the sensing data voltage is not supplied, charged power is input to the anode electrode of the light emitting device connected to the sensing line. Display device.
센싱모드에서 상기 제2 구동전압보다 저전위의 제3 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계;
상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계;
상기 센싱 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계; 및
상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계;
를 포함하는 표시장치의 구동방법.In the driving method of a display device including a light emitting element having a first electrode to which the first driving voltage is input and a second electrode to which the second driving voltage is input,
Connecting a third driving voltage lower than the second driving voltage to the second electrode in the sensing mode;
Supplying a sensing data voltage to the first electrode;
Emitting the light emitting element with the sensing data voltage; And
Sensing a driving voltage characteristic of the light emitting device by sensing a voltage other than the voltage discharged by the light emitting device from the sensing data voltage;
Method of driving a display device comprising a.
노멀모드에서 상기 제2 구동전압을 상기 제2전극에 연결하는 단계;
상기 제1전극에 영상 데이터 전압을 공급하는 단계; 및
상기 영상 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계
를 포함하는 표시장치의 구동방법.The method of claim 14,
Connecting the second driving voltage to the second electrode in the normal mode;
Supplying an image data voltage to the first electrode; And
Emitting the light emitting element with the image data voltage
Method of driving a display device comprising a.
상기 노멀모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제2 구동전압이 입력되도록 동작하고, 상기 센싱모드 선택신호가 입력되면 상기 제2전극에 상기 제3 구동전압이 입력되도록 동작하는 스위칭부를 포함하는 표시장치의 구동방법.The method of claim 15,
When the normal mode selection signal is input, the second driving voltage is input to the second electrode, and when the sensing mode selection signal is input, a switching unit operable to input the third driving voltage to the second electrode. How to drive the display device.
일 단은 상기 제3구동전압에 연결되고 타단은 상기 센싱 라인에 연결되어 상기 센싱모드에서 상기 발광소자와 병렬 연결되는 센싱 캐패시터를 포함하고,
상기 제1전극으로 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계는,
상기 센싱 라인을 통해 상기 발광소자와 상기 센싱 캐패시터에 상기 센싱 데이터 전압을 공급하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.The method of claim 14,
One end is connected to the third driving voltage and the other end is connected to the sensing line and includes a sensing capacitor connected in parallel to the light emitting device in the sensing mode,
The step of supplying the sensing data voltage to the first electrode,
And supplying the sensing data voltage to the light emitting element and the sensing capacitor through the sensing line.
상기 센싱 데이터 전압으로 상기 발광소자를 발광시키는 단계는,
상기 센싱 데이터 전압의 공급이 중단되면 상기 발광소자의 상기 제1전극에 상기 센싱 캐패시터가 직렬로 연결되어 상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압이 상기 발광소자로 입력되는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.The method of claim 17,
The step of emitting the light emitting device with the sensing data voltage,
When the supply of the sensing data voltage is stopped, the sensing capacitor is connected to the first electrode of the light emitting device in series, so that the sensing data voltage charged in the sensing capacitor is input to the light emitting device. Driving method.
상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압을 감지하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계는,
상기 센싱 캐패시터에 충전된 상기 센싱 데이터 전압에서 상기 발광소자에 의해 방전된 전압을 제외한 나머지 전압에 기초하여 상기 발광소자의 구동 전압 특성을 감지하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.The method of claim 18,
In the sensing data voltage, detecting the remaining voltage excluding the voltage discharged by the light emitting device to detect driving voltage characteristics of the light emitting device,
And detecting a driving voltage characteristic of the light emitting device based on a voltage other than the voltage discharged by the light emitting device from the sensing data voltage charged in the sensing capacitor.
상기 발광소자의 구동 전압 특성에 기초하여 상기 영상 데이터 전압을 보상하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.The method of claim 19,
And compensating for the image data voltage based on the driving voltage characteristic of the light emitting element.
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