KR20200031744A - 오버레이 측정장치 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
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- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0955—Lenses
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1006—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
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- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 오버레이 측정장치에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼에 형성된 서로 다른 층에 각각 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크 사이의 오차를 측정하는 장치로서, 광원과, 상기 광원으로부터 나온 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제1 빔 스플리터(beam splitter)와, 상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제1 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제1 컬러 필터(color filter)와, 상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제2 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제2 컬러 필터와, 상기 제1 컬러 필터와 제2 컬러 필터를 통과한 빛을 합하는 빔 컴바이너(beam combiner)와, 상기 빔 컴바이너에서 합쳐진 빔을 웨이퍼의 측정위치에 집광시키고, 측정위치에서 반사된 빔을 수집하는 대물렌즈와, 상기 대물렌즈에서 수집된 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제2 빔 스플리터와, 상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔을 검출하여 상기 제1 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제1 검출기와, 상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔을 검출하여 상기 제2 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제2 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치를 제공한다.
Description
본 발명은 오버레이 측정장치에 관한 것이다.
기술 발전에 따라서 반도체 디바이스의 사이즈가 작아지고, 집적회로의 밀도 증가가 요구되고 있다. 이러한 요구사항을 충족 시기키 위해서는 다양한 조건이 만족 되어야 하고, 그 중 오버레이 허용 오차는 중요한 지표 중의 하나이다.
반도체 디바이스는 수많은 제조 프로세스를 통해 제조된다. 집적회로를 웨이퍼에 형성하기 위해서는 특정위치에서 원하는 회로 구조 및 요소들이 순차적으로 형성되도록 많은 제조 프로세스를 거쳐야 한다. 제조 프로세스는 웨이퍼 상에 패턴화된 층을 순차적으로 생성하도록 한다. 이러한 반복되는 적층 공정들을 통해서 집적회로 안에 전기적으로 활성화된 패턴을 생성한다. 이때, 각각의 구조들이 생산공정에서 허용하는 오차 범위 이내로 정렬되지 않으면 전기적으로 활성화된 패턴 간에 간섭이 일어나고 이런 현상으로 인해 제조된 회로의 성능 및 신뢰도에 문제가 생길 수 있다. 이러한 층간에 정렬 오차를 측정 및 검증하기 위해서 오버레이 측정 툴이 사용된다.
일반적인 오버레이 계측 및 방법들은 두 개의 층들 간에 정렬이 허용 오차 내에 있는지 측정 및 검증을 한다. 그 중 한 가지 방법으로 기판 위에서 특정한 위치에 오버레이 마크라고 불리는 구조물을 형성하고, 이 구조물을 광학적인 이미지 획득 장비로 촬영하여 오버레이를 측정하는 방법이 있다. 측정을 위한 구조물은 각각의 층마다 X 방향 및 Y 방향 중 적어도 하나의 방향의 오버레이를 측정할 수 있도록 설계되어 있다. 각 구조물은 대칭된 구조로 설계되어 있고, 대칭 방향으로 배치된 구조물 사이의 중심 값을 계산하여 그 층의 대표 값으로 사용하고, 그 각각의 층의 대표 값의 상대적인 차이를 계산하여 오버레이 오차를 도출한다.
두 개의 층의 오버레이를 측정하는 경우에는 도 1과 2에 도시된 바와 같이, 박스 형태의 어미자(1)와 어미자(1)에 비해서 작은 박스 형태의 아들자(2)를 연속된 두 개의 층에 각각 형성한 후 도 3과 4에 도시된 바와 같이, 어미자(1)를 초점면(focal plane)으로 해서 위치별 콘트라스트의 변화를 나타내는 파형을 획득하여, 어미자(1)의 중심 값(C1)을 획득하고, 아들자(2)를 초점면으로 해서 위치별 명함의 변화를 나타내는 파형을 획득하여, 아들자(2)의 중심 값(C2)을 획득함으로써 두 층 사이의 오버레이 오차를 측정한다.
그러나 이러한 방법은 어미자(1)와 아들자(1)가 서로 다른 층에 서로 다른 물질로 형성되며, 어미자(1)는 아들자(1)가 형성된 층에 의해서 덮여있다는 점 등을 고려하지 않고, 같은 빔을 사용하여 어미자(1)와 아들자(1)의 파형 또는 이미지를 획득한다는 점에서 문제가 있다. 또한, 어미자(1)가 형성된 층과 아들자(1)가 형성된 층 사이의 높이 차이에 의해서 어미자(1)와 아들자(2)의 초점면의 위치가 다르므로, 획득된 파형 또는 이미지의 배율에 차이가 생긴다는 점을 고려하지 않는다는 문제도 있다.
반도체 공정 기술의 발전으로 인해 높이 차이가 크며, 광학적 성질이 다른 층들 사이의 오버레이 오차를 정확하게 고속으로 측정할 필요가 있는 현재에는 이러한 문제점들의 해결에 대한 요구가 더욱 커지고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 높이 차이가 크며, 광학적 성질이 서로 다른 층 사이의 오버레이 오차를 정확하게 고속으로 측정할 수 있는 새로운 오버레이 측정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 웨이퍼에 형성된 서로 다른 층에 각각 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크 사이의 오차를 측정하는 장치로서, 광원과, 상기 광원으로부터 나온 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제1 빔 스플리터(beam splitter)와, 상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제1 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제1 컬러 필터(color filter)와, 상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제2 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제2 컬러 필터와, 상기 제1 컬러 필터와 제2 컬러 필터를 통과한 빛을 합하는 빔 컴바이너(beam combiner)와, 상기 빔 컴바이너에서 합쳐진 빔을 웨이퍼의 측정위치에 집광시키고, 측정위치에서 반사된 빔을 수집하는 대물렌즈와, 상기 대물렌즈에서 수집된 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제2 빔 스플리터와, 상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔을 검출하여 상기 제1 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제1 검출기와, 상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔을 검출하여 상기 제2 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제2 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치를 제공한다.
본 발명에 따른 오버레이 측정장치는 높이 차이가 크며, 광학적 성질이 서로 다른 층 사이의 오버레이 오차를 정확하게 고속으로 측정할 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 오버레이 마크의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 오버레이 마크의 측면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 오버레이 마크의 어미자를 초점면으로 하여 획득된 콘트라스트 파형을 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 오버레이 마크의 아들자를 초점면으로 하여 획득된 콘트라스트 파형을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 오버레이 측정장치의 개념도이다.
도 6은 도 5에 도시된 제1 컬러 필터를 통과한 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 5에 도시된 제2 컬러 필터를 통과한 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다.
도 8은 웨이퍼에 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크에 빔이 조사되는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 5에 도시된 제1 검출기에서 획득된 이미지를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 5에 도시된 제2 검출기에서 획득된 이미지를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 5에 도시된 빔 검출기에서 획득된 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 오버레이 마크의 측면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 오버레이 마크의 어미자를 초점면으로 하여 획득된 콘트라스트 파형을 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 오버레이 마크의 아들자를 초점면으로 하여 획득된 콘트라스트 파형을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 오버레이 측정장치의 개념도이다.
도 6은 도 5에 도시된 제1 컬러 필터를 통과한 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 5에 도시된 제2 컬러 필터를 통과한 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다.
도 8은 웨이퍼에 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크에 빔이 조사되는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 5에 도시된 제1 검출기에서 획득된 이미지를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 5에 도시된 제2 검출기에서 획득된 이미지를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 5에 도시된 빔 검출기에서 획득된 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참고하여 본 발명의 일실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태들로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 오버레이 측정장치의 개념도이다. 오버레이 측정장치는 웨이퍼(w)에 형성된 서로 다른 층에 각각 형성된 제1 오버레이 마크(OM1)와 제2 오버레이 마크(OM2) 사이의 오차를 측정하는 장치이다.
예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 오버레이 마크(OM1)는 이전 층에 형성된 오버레이 마크이며, 제2 오버레이 마크(OM2)는 현재 층에 형성된 오버레이 마크일 수 있다. 오버레이 마크는 다이 영역에 반도체 디바이스 형성을 위한 층을 형성하는 동시에 스크라이브 레인에 형성된다. 예를 들어, 제1 오버레이 마크(OM1)는 절연막 패턴과 함께 형성되고, 제2 오버레이 마크(OM2)는 절연막 패턴 위에 형성되는 포토레지스트 패턴과 함께 형성될 수 있다.
이런 경우 제2 오버레이 마크(OM2)는 외부로 노출되어 있으나, 제1 오버레이 마크(OM1)는 포토레지스트 층에 의해서 가려진 상태이며, 포토레지스트 재료로 이루어진 제2 오버레이 마크(OM2)와는 광학적 성질이 다른 산화물로 이루어진다. 또한, 제1 오버레이 마크(OM1)와 제2 오버레이 마크(OM2)의 초점면은 서로 다르다.
본 발명은 제1 오버레이 마크(OM1)와 제2 오버레이 마크(OM2)에 각각의 마크를 이루는 재료의 광학적 성질에 적합한 빔을, 각각의 오버레이 마크의 초점면에 조사하고, 초점면의 높이 차이를 고려하여 배율을 조정함으로써, 오버레이 오차를 정확하게 고속으로 측정할 수 있다.
오버레이 마크로는 박스 인 박스(box in box, BIB, 도 1 참조), AIM(advanced inmaging metrology) 오버레이 마크 등 현재 사용되고 있는 다양한 형태의 오버레이 마크를 사용할 수 있다. 이하에서는 주로 구조가 간단한 박스 인 박스 형태의 오버레이 마크를 기준으로 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 오버레이 측정장치는 광원(10), 제1 빔 스플리터(12, beam splitter), 제1 컬러 필터(14, color filter), 제2 컬러 필터(15), 빔 컴바이너(16, beam combiner), 제3 빔 스플리터(24), 대물렌즈(20), 제2 빔 스플리터(30), 제1 검출기(31), 제2 검출기(33) 및 빔 검출기(26)를 포함한다.
광원(10)으로는 할로겐 램프, 제논 램프, 슈퍼컨티늄 레이저(supercontinuum laser), 발광다이오드, 레이저 여기 램프(laser induced lamp) 등을 사용할 수 있다.
제1 빔 스플리터(12)는 광원(10)으로부터 나온 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 역할을 한다. 즉, 제1 빔 스플리터(12)는 광원(10)으로부터 나온 빔의 일부는 투과시키고, 일부는 반사시켜서 광원(10)으로부터 나온 빔을 두 개의 빔으로 분리시킨다.
제1 컬러 필터(14)는 제1 빔 스플리터(12)에서 분리된 빔 중에서 제1 빔 스플리터(12)를 투과한 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 현재 층에 형성된 제2 오버레이 마크(OM2) 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 역할을 한다.
도 6은 도 5에 도시된 제1 컬러 필터를 통과한 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 컬러 필터(14)를 통과한 빔의 중심 파장이 짧아지며, 밴드 폭이 감소한다.
제2 컬러 필터(15)는 제1 빔 스플리터(12)에서 분리된 빔 중에서 제1 빔 스플리터(12)에서 반사된 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 이전 층에 형성된 제1 오버레이 마크(OM1) 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 역할을 한다. 제1 빔 스플리터(12)에서 반사된 빔은 제1 빔 스플리터(12)와 제2 컬러 필터(15) 사이에 설치된 제1 미러(13, mirror)에 의해서 제2 컬러 필터(15)를 향하도록 빔의 경로가 변경된다.
도 7은 도 5에 도시된 제2 컬러 필터를 통과한 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 컬러 필터(15)를 통과한 빔의 중심 파장이 길어지며, 밴드 폭이 감소한다.
빔 컴바이너(16)는 제1 컬러 필터(14)와 제2 컬러 필터(15)를 통과한 빛을 합하는 역할을 한다. 제1 컬러 필터(14)를 통과한 빛은 빔 컴바이너(16)를 투과하고, 제2 컬러 필터(15)를 통과한 빔은 제2 미러(17)에 의해서 빔 컴바이너(16)를 향하도록 빔의 경로가 변경된 후 빔 컴바이너(16)에서 반사되어, 빔 컴바이너(16)를 투과한 빔과 다시 합쳐진다.
제3 빔 스플리터(24)는 빔 컴바이너(16)를 통해서 합쳐진 빔을 다시 두 개의 빔으로 분리하는 역할을 한다. 빔 컴바이너(16)를 통해서 합쳐진 빔은 릴레이 렌즈(18) 및 편광필터(21)를 거쳐 편광된 상태로 제3 빔 스플리터(24)에서 두 개의 빔으로 분리된다.
대물렌즈(20)는 빔 컴바이너(16)에서 합쳐진 후 제3 빔 스플리터(24)에서 반사된 후 람다 웨이브 플레이트(22)를 거쳐 원 편광이 된 빔을 웨이퍼(w)의 측정위치에 집광시키고, 측정위치에서의 반사된 빔을 수집하는 역할을 한다. 대물렌즈(20)는 렌즈 초점 액추에이터(25, lens focus actuator)에 설치된다.
도 8은 웨이퍼에 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크에 빔이 조사되는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 실선은 제2 오버레이 마크(OM2) 측정에 적합한 빔을 나타내며, 점선은 제1 오버레이 마크(OM1) 측정에 적합한 빔을 나타낸다. 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(w)의 제1 오버레이 마크(OM1)와 제2 오버레이 마크(OM2)가 형성된 측정위치에 빔을 집광시키고, 반사된 빔을 수집한다. 렌즈 초점 액추에이터(25)는 대물렌즈(20)와 웨이퍼(w) 사이의 거리를 조절하여 초점면이 제1 오버레이 마크(OM1) 또는 제2 오버레이 마크(OM2)에 위치하도록 조절할 수 있다. 본 실시예에서는 현재 층에 형성된 제2 오버레이 마크(OM2)에 초점면이 위치하는 것을 기준으로 설명한다.
제2 빔 스플리터(30)는 대물렌즈(20)에서 수집된 빔을 두 개의 빔으로 분리하는 역할을 한다. 제2 빔 스플리터(30)는 튜브 빔 스플리터와 다이크로익 필터(dichroic filter)를 포함할 수 있다. 다이크로익 필터는 특정 파장의 빔을 투과시키는 필터이다. 대물렌즈(20)에서 수집된 빔은 람다 웨이브 플레이트(22), 제3 빔 스플리터(24) 및 튜브 렌즈(27)를 거쳐 제2 빔 스플리터(30)에서 두 개의 빔으로 분리된다. 즉, 제1 오버레이 마크(OM1)에 검출에 적합한 빔과 제2 오버레이 마크(OM2)의 검출에 적합한 빔으로 분리된다. 도 6과 7에 도시된 바와 같이, 제1 오버레이 마크(OM1)에 검출에 적합한 빔과 제2 오버레이 마크(OM2)의 검출에 적합한 빔은 중심 파장에 차이가 있으며, 밴드 폭 좁으므로, 다이크로익 필터를 이용해서 용이하게 분리할 수 있다.
제1 검출기(31)는 제2 빔 스플리터(30)를 통과한 빔을 검출한다. 제1 검출기(31)는 제2 오버레이 마크(OM2)의 이미지를 획득할 수 있다.
도 9는 도 5에 도시된 제1 검출기에서 획득된 이미지를 나타낸 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 검출기(31)에서 획득된 이미지는 제2 오버레이 마크(OM2)가 선명하게 표시되며, 제1 오버레이 마크(OM1)는 흐리게 표시된다. 초점면이 제2 오버레이 마크(OM2)에 위치하기 때문이다.
제2 검출기(33)는 제2 빔 스플리터(30)에서 반사된 빔을 검출한다. 제2 검출기(33)는 초점 액추에이터(34, focus actuator)에 설치되어 제2 빔 스플리터(30)와 제2 검출기(33) 사이의 거리가 조절된다. 제2 검출기(33)는 제1 오버레이 마크(OM1)의 이미지를 획득한다.
상술한 바와 같이, 대물렌즈(20)와 웨이퍼(w) 사이의 거리는 초점면이 제2 오버레이 마크(OM2)에 위치하도록 조절되어 있으므로, 제1 오버레이 마크(OM1)의 선명한 이미지를 획득하기 위해서는 초점 액추에이터(34)를 이용하여 제1 오버레이 마크(OM1)와 제2 오버레이 마크(OM2)의 높이 차이를 따라서 제2 검출기(33)와 제2 빔 스플리터(30) 사이의 거리를 조절하여야 한다.
줌 렌즈(32, zoom lens)는 제2 빔 스플리터(30)와 초점 액추에이터(34) 사이에 설치된다. 줌 렌즈(32)는 제2 검출기(33)의 위치 변화 값을 초점 액추에이터(34)로부터 수신하여, 이를 근거로 제2 오버레이 마크(OM2) 이미지와 제1 오버레이 마크(OM1) 이미지의 배율을 일치시키는 역할을 한다. 제1 오버레이 마크(OM1)와 제2 오버레이 마크(OM2)의 높이 차이를 따라서 제2 검출기(33)와 제2 빔 스플리터(30) 사이의 광 경로 거리가 제1 검출기(31)와 제2 빔 스플리터(30) 사이의 광 경로 거리와 다르므로, 제1 검출기(31)에서 획득된 이미지와 제2 검출기(33)에서 획득된 이미지의 배율이 서로 다를 수 있다. 정확한 오버레이 오차를 측정하기 위해서는 배율을 일치시켜야 한다.
도 10은 도 5에 도시된 제2 검출기에서 획득된 이미지를 나타낸 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 검출기(33)에서 획득된 이미지는 제1 오버레이 마크(OM1)가 선명하게 표시되며, 제2 오버레이 마크(OM2)는 흐리게 표시된다. 초점 액추에이터(34)에 의해서 제1 오버레이 마크(OM1)가 선명하게 표시되도록 제2 검출기(33)의 위치가 조절되었기 때문이다. 또한, 줌 렌즈(32)에 의해서 배율이 조절되어, 도 9에 도시된 이미지와 배율이 동일하다.
빔 검출기(26)는 제3 빔 스플리터(24)를 통과한 빔이 최적화된 상태인지 분석하는 역할을 한다.
도 11은 도 5에 도시된 빔 검출기에서 획득된 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 도면이다. 빔 검출기(26)에서 분석되는 빔은 제1 컬러 필터(14)와 제2 컬러 필터(15)를 통과한 빔이 다시 합쳐진 빔이므로, 도 11에 도시된 바와 같이, 빔 검출기(26)에서 검출된 빔의 파장에 따른 투과율을 나타낸 그래프는 도 6과 7에 도시된 그래프를 합친 형태이다.
이상에서 설명된 실시예들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환할 수 있을 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
w: 웨이퍼
OM1: 제1 오버레이 마크
OM2: 제2 오버레이 마크
10: 광원
12: 제1 빔 스플리터
14: 제1 컬러 필터
15: 제2 컬러 필터
16: 빔 컴바이너
20: 대물렌즈
24: 제3 빔 스플리터
25: 렌즈 초점 액추에이터
26: 빔 검출기
30: 제2 빔 스플리터
31: 제1 검출기
32: 줌 렌즈
33: 제2 검출기
34: 초점 액추에이터
OM1: 제1 오버레이 마크
OM2: 제2 오버레이 마크
10: 광원
12: 제1 빔 스플리터
14: 제1 컬러 필터
15: 제2 컬러 필터
16: 빔 컴바이너
20: 대물렌즈
24: 제3 빔 스플리터
25: 렌즈 초점 액추에이터
26: 빔 검출기
30: 제2 빔 스플리터
31: 제1 검출기
32: 줌 렌즈
33: 제2 검출기
34: 초점 액추에이터
Claims (6)
- 웨이퍼에 형성된 서로 다른 층에 각각 형성된 제1 오버레이 마크와 제2 오버레이 마크 사이의 오차를 측정하는 장치로서,
광원과,
상기 광원으로부터 나온 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제1 빔 스플리터(beam splitter)와,
상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제1 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제1 컬러 필터(color filter)와,
상기 제1 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔의 중심 파장 및 밴드 폭을 상기 제2 오버레이 마크 이미지 획득에 적합하도록 조절하는 제2 컬러 필터와,
상기 제1 컬러 필터와 제2 컬러 필터를 통과한 빛을 합하는 빔 컴바이너(beam combiner)와,
상기 빔 컴바이너에서 합쳐진 빔을 웨이퍼의 측정위치에 집광시키고, 측정위치에서 반사된 빔을 수집하는 대물렌즈와,
상기 대물렌즈에서 수집된 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제2 빔 스플리터와,
상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔을 검출하여 상기 제1 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제1 검출기와,
상기 제2 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔을 검출하여 상기 제2 오버레이 마크 이미지를 획득하는 제2 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 빔 스플리터와 상기 제2 검출기 사이의 거리를 조절하는 초점 액추에이터(focus actuator)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치. - 제2항에 있어서,
상기 제2 빔 스플리터와 상기 초점 액추에이터 사이에 설치되며, 상기 초점 액추에이터에 의한 상기 제2 검출기의 위치 변화 값을 이용하여, 상기 제2 오버레이 마크 이미지와 제1 오버레이 마크 이미지의 배율을 일치시키는 줌 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치. - 제1항에 있어서,
빔 컴바이너를 통과한 빔을 두 개의 빔으로 분리시키는 제3 빔 스플리터와,
상기 제3 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 하나의 빔의 광학적 특성을 분석하는 빔 검출기를 더 포함하며,
상기 제3 빔 스플리터에서 분리된 빔 중 다른 하나의 빔은 상기 대물렌즈에 향하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 빔 스플리터와 제2 빔 스플리터는 입사된 빔을 반사 빔과 투과 빔으로 분리하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 빔 스플리터는 튜브 빔 스플리터와 다이크로익 필터를 포함하며, 입사된 빔을 상기 제1 오버레이 마크 이미지 획득에 적합한 빔과 제2 오버레이 마크 이미지 획득에 적합한 빔으로 분리하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정장치.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180110421A KR102120551B1 (ko) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 오버레이 측정장치 |
CN201980074905.4A CN113168107B (zh) | 2018-09-14 | 2019-09-11 | 套刻测量装置 |
US17/292,994 US12001146B2 (en) | 2018-09-14 | 2019-09-11 | Overlay measurment device |
PCT/KR2019/011802 WO2020055147A1 (ko) | 2018-09-14 | 2019-09-11 | 오버레이 측정장치 |
US18/168,134 US20230184546A1 (en) | 2018-09-14 | 2023-02-13 | Apparatus and method for measuring overlay |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180110421A KR102120551B1 (ko) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 오버레이 측정장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200031744A true KR20200031744A (ko) | 2020-03-25 |
KR102120551B1 KR102120551B1 (ko) | 2020-06-09 |
Family
ID=69776653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180110421A KR102120551B1 (ko) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 오버레이 측정장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12001146B2 (ko) |
KR (1) | KR102120551B1 (ko) |
CN (1) | CN113168107B (ko) |
WO (1) | WO2020055147A1 (ko) |
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KR102524462B1 (ko) * | 2022-03-28 | 2023-04-21 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 측정장치 |
WO2023191213A1 (ko) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 주식회사 오로스 테크놀로지 | 오버레이 측정장치 |
US11835865B2 (en) | 2022-03-28 | 2023-12-05 | Auros Technology, Inc. | Overlay measurement apparatus |
KR102550408B1 (ko) * | 2023-02-14 | 2023-07-03 | (주)오로스 테크놀로지 | 오버레이 측정장치 및 방법 |
US11971248B1 (en) * | 2023-03-29 | 2024-04-30 | Auros Technology, Inc. | Wavelength-tunable fiber optic light source and overlay measurement device with same |
WO2024205208A1 (ko) * | 2023-03-29 | 2024-10-03 | 주식회사 오로스테크놀로지 | 파장 가변형 광섬유 광원 및 이를 구비한 오버레이 측정 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102120551B1 (ko) | 2020-06-09 |
WO2020055147A1 (ko) | 2020-03-19 |
US20220035258A1 (en) | 2022-02-03 |
CN113168107A (zh) | 2021-07-23 |
US12001146B2 (en) | 2024-06-04 |
CN113168107B (zh) | 2024-08-27 |
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