KR20200023100A - Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method - Google Patents

Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method Download PDF

Info

Publication number
KR20200023100A
KR20200023100A KR1020180099490A KR20180099490A KR20200023100A KR 20200023100 A KR20200023100 A KR 20200023100A KR 1020180099490 A KR1020180099490 A KR 1020180099490A KR 20180099490 A KR20180099490 A KR 20180099490A KR 20200023100 A KR20200023100 A KR 20200023100A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
thermoelectric
low temperature
high temperature
bonding
Prior art date
Application number
KR1020180099490A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102344913B1 (en
Inventor
박예록
이재기
박철희
김동식
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020180099490A priority Critical patent/KR102344913B1/en
Publication of KR20200023100A publication Critical patent/KR20200023100A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102344913B1 publication Critical patent/KR102344913B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • H01L35/34
    • H01L35/08
    • H01L35/32
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/81Structural details of the junction
    • H10N10/817Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

The present invention relates to a thermoelectric module manufacturing method for bonding thermoelectric elements and electrodes with uniform bonding strength, and enabling a thermoelectric module to be bonded to a curved substrate as well as a flat substrate. According to one embodiment of the present invention, the thermoelectric module manufacturing method can comprise the steps of: forming a thermoelectric element structure by bonding a thermoelectric element on a high-temperature electrode by using high-temperature sintering bonding; bonding the thermoelectric element structure onto a low-temperature electrode by using self-aligned soldering bonding; and connecting a lead wire to the low-temperature electrode.

Description

열전 모듈 제조 방법 및 이에 의해 제조된 열전 모듈{METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC MODULE AND THE THERMOELECTRIC MODULE MANUFACTURED BY THE METHOD}Method for manufacturing a thermoelectric module and a thermoelectric module manufactured by the present invention {METHOD OF MANUFACTURING THERMOELECTRIC MODULE AND THE THERMOELECTRIC MODULE MANUFACTURED BY THE METHOD}

본 발명은 열전 모듈 제조 방법 및 이에 의해 제조된 열전 모듈에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 제조 과정에서 발생하는 불균일 가압으로 인한 불균일 접합 문제를 개선한, 열전 모듈 제조 방법 및 이에 의해 제조된 열전 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric module manufacturing method and a thermoelectric module manufactured thereby, and more particularly, to a thermoelectric module manufacturing method and a thermoelectric module manufactured by improving the problem of non-uniform bonding due to non-uniform pressurization generated during the manufacturing process. It is about.

열전 모듈은 그 양면의 온도 차를 이용하여 기전력을 발생시키는 제백 효과(Seebeck effect)에 의하여 열에너지를 전기에너지로 변환시키는 것으로, 이러한 열전 모듈은 일반적으로 복수개의 열전 펠렛(p형 소자 및 n형 소자)이 교대로 배열되고, 복수의 열전 펠렛이 전극에 의해 전기적으로 직렬 연결됨으로써 구성된다.The thermoelectric module converts thermal energy into electrical energy by a Seebeck effect that generates an electromotive force by using a temperature difference between two surfaces thereof. Such a thermoelectric module generally includes a plurality of thermoelectric pellets (p-type devices and n-type devices). ) Are alternately arranged, and a plurality of thermoelectric pellets are electrically connected in series by an electrode.

구체적으로는, 열전 모듈은, p형 열전 소자(thermoelectric element: TE)와, 전자(electron)에 의해서 전류가 흐르는 n형 열전 소자로 이루어진 p-n 열전 소자 1쌍이 기본 단위를 이루어 구성되고, 이러한 p형 열전 소자와 n형 열전 소자 사이를 연결하는 전극을 구비할 수 있다. 열전 소자는 일반적으로 봉형 또는 기둥형 구조로 형성되고, 일단을 고온으로 유지하고 타단을 저온으로 유지한 상태로, 온도차에 제곱에 비례한 전력을 얻을 수 있다.Specifically, in the thermoelectric module, a pair of pn thermoelectric elements composed of a p-type thermoelectric element (TE) and an n-type thermoelectric element through which electric current flows through electrons is formed as a basic unit. An electrode connecting between the thermoelectric element and the n-type thermoelectric element may be provided. The thermoelectric element is generally formed in a rod-shaped or columnar structure, and the power in proportion to the square of the temperature difference can be obtained while keeping one end at a high temperature and the other end at a low temperature.

일반적으로, 고온에서 이용되는 발전용 열전 모듈의 제작에는, 고온 소결 방식을 이용한 접합법이 이용되고 있다. 그러나, 고온 소결 방식의 접합법을 통한 제조의 경우, 소결 방식의 특성상 접합 시, 균일하게 가압을 하기 위하여는, 첫째로, 기재가 평평한 구조체이어야 하는 제한이 있다. 즉, 고온 소결 방식을 이용하는 경우에는 기재가 평평하지 못하면, 고온 소결 접합이 불가하기 때문에, 고온(350℃)에서 사용하는 열전 모듈을 제작하지 못하게 되는 것이다.Generally, the joining method using the high temperature sintering method is used for manufacture of the thermoelectric module for power generation used at high temperature. However, in the case of production through the bonding method of the high temperature sintering method, in order to uniformly pressurize at the time of bonding due to the characteristics of the sintering method, first, there is a limitation that the substrate should be a flat structure. That is, in the case of using the high temperature sintering method, if the substrate is not flat, high temperature sintering bonding is impossible, so that the thermoelectric module used at high temperature (350 ° C.) cannot be manufactured.

또한, 기재가 평평하다고 하여도, 열전 소자의 특성상 복수개의 열전 소자를 동시에 접합하는 경우, 열전 소자 개개의 단차에 따른 불균일 가압이 발생하게 될 수 있으며, 이에 따라 접합 불량이 발생할 가능성이 높아지게 되는 문제가 있다.In addition, even when the substrate is flat, when a plurality of thermoelectric elements are bonded at the same time due to the characteristics of the thermoelectric element, non-uniform pressurization may occur due to the step of each thermoelectric element, thereby increasing the possibility of poor bonding. There is.

즉, 열전 소자에 전극을 접합하는 경우, 평평하지 않은 기재, 또는 열전 소자 각각에 대한 치수 불균일로 인하여 열전 소자와 전극 사이에 접합 강도 등에 차이가 발생하는 접합 불균일이 발생할 수 있다. 이에 따라, 전극과의 접합 계면이 쉽게 박리되어 접합되지 않은 부분이 생기거나, 박리되지 않더라도 접합 불량이 되어 접합 계면에서의 열적 저항이나 전기적 저항에 불균일이 발생하는 원인이 되기도 한다.That is, when the electrode is bonded to the thermoelectric element, a bonding nonuniformity may occur in which a difference in bonding strength occurs between the thermoelectric element and the electrode due to the non-flat substrate or the dimensional nonuniformity of each of the thermoelectric elements. As a result, the bonding interface with the electrode is easily peeled off to form a non-bonded portion, or even if the bonding interface is not peeled off, the bonding failure is caused, resulting in nonuniformity in thermal resistance or electrical resistance at the bonding interface.

본 발명에서는 상기와 같은 문제를 개선하기 위한 열전 모듈 제조 방법 및 이에 의해 제조된 열전 모듈에 대한 개발이 필요하다.In the present invention, it is necessary to develop a thermoelectric module manufacturing method and a thermoelectric module manufactured thereby to improve the above problems.

본 발명의 실시예들은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 종래의 열전 모듈의 제조 시 각각에 대한 치수의 불균일로 인하여 발생되는 문제를 해결하고자, 열전 소자들과 전극들을 균일한 접합 강도로 접합할 수 있도록 하고, 평평한 기재뿐만 아니라 굴곡진 기재에 대하여도 열전 모듈을 접합하여 사용할 수 있도록 하는, 열전 모듈 제조 방법 및 이에 의해 제조된 열전 모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Embodiments of the present invention are proposed to solve the above problems of the conventionally proposed methods, to solve the problems caused by the non-uniformity of the dimensions for each of the conventional thermoelectric module manufacturing, and It is an object of the present invention to provide a thermoelectric module manufacturing method and a thermoelectric module manufactured thereby, which allow the electrodes to be bonded with a uniform bonding strength, and can be used by bonding a thermoelectric module to a curved substrate as well as a flat substrate. It is done.

다만, 본 발명의 실시예들이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제에 한정되지 않고 본 발명에 포함된 기술적 사상의 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.However, the problem to be solved by the embodiments of the present invention is not limited to the above-described problem can be variously extended within the scope of the technical idea included in the present invention.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른, 열전 모듈 제조 방법은, 열전 소자를 고온 소결(sintering) 방식의 접합을 이용하여 고온부 전극 위에 접합하여 열전 소자 구조체를 형성하는 단계, 상기 열전 소자 구조체를 자기 정렬식의 솔더(soldering) 접합을 이용하여 저온부 전극 위에 접합하는 단계, 및 상기 저온부 전극에 리드선을 연결하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a method of manufacturing a thermoelectric module includes forming a thermoelectric element structure by bonding a thermoelectric element on a high temperature part electrode by using a high temperature sintering bonding method, wherein the thermoelectric element structure is formed. Bonding the structure onto the low temperature electrode using a self-aligned solder joint; and connecting a lead wire to the low temperature electrode.

상기 열전 소자 구조체를 형성하는 단계는, 상기 고온부 전극을 준비하는 단계, 상기 고온부 전극 위에 소결 페이스트를 프린팅하는 단계, 상기 고온부 전극 위에 상기 열전 소자를 실장하는 단계, 및 상기 실장된 열전 소자를 소결 장비에서 고온 고압으로 상기 고온부 전극에 접합하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the thermoelectric element structure may include preparing the high temperature part electrode, printing a sintering paste on the high temperature part electrode, mounting the thermoelectric element on the high temperature part electrode, and sintering the mounted thermoelectric element. In the high temperature and high pressure may include the step of bonding to the electrode.

상기 열전 소자 구조체는, n형과 p형이 각각 한 쌍을 이루어, 하나의 전극에 이격되도록 배치되는 형태를 가질 수 있다.The thermoelectric element structure may have a form in which n-type and p-type are formed in a pair, and are spaced apart from one electrode.

상기 열전 소자 구조체는, Π 형태를 가질 수 있다.The thermoelectric element structure may have a Π form.

상기 저온부 전극 위에 접합하는 단계는, 저온부 구조체 위에 상기 저온부 전극을 실장하는 단계, 상기 저온부 전극을 연마하는 단계, 및 상기 연마된 저온부 전극에, 상기 열전 소자 구조체를 실장하는 단계를 포함할 수 있다.The bonding to the low temperature portion electrode may include mounting the low temperature portion electrode on the low temperature portion structure, polishing the low temperature portion electrode, and mounting the thermoelectric element structure on the polished low temperature portion electrode.

상기 저온부 전극을 연마하는 단계 이후에, 솔더 접합제를 적용하는 단계를 더 포함할 수 있다.After polishing the low temperature electrode, the method may further include applying a solder binder.

상기 연마하는 단계를 통하여 상기 저온부 전극의 각도를 조정할 수 있다.The angle of the low temperature portion electrode may be adjusted through the polishing.

상기 저온부 구조체는 평평한 구조체일 수 있다.The low temperature structure may be a flat structure.

상기 저온부 구조체는 굴곡진 구조체일 수 있다.The low temperature structure may be a curved structure.

상기 저온부 전극에, 상기 열전 소자 구조체를 실장하는 단계 이후에, 리플로우를 통하여 솔더 접합하는 단계를 더 포함할 수 있다.After mounting the thermoelectric element structure on the low temperature part electrode, the method may further include solder bonding through reflow.

상기 고온 소결(sintering) 방식으로 진행된 상기 고온부 전극 부분은 350℃ 이상의 고온에서 사용될 수 있다.The hot portion electrode portion, which is advanced by the high temperature sintering method, may be used at a high temperature of 350 ° C. or higher.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 따른, 열전 모듈은, 열전 소자를 고온 소결(sintering) 방식의 접합을 이용하여 고온부 전극 위에 접합하여 열전 소자 구조체를 형성하는 단계, 상기 열전 소자 구조체를 자기 정렬식의 솔더(soldering) 접합을 이용하여 저온부 전극 위에 접합하는 단계, 및 상기 저온부 전극에 리드선을 연결하는 단계를 통하여 제조될 수 있다.In addition, the thermoelectric module according to another aspect of the present invention for achieving the above object, the step of forming a thermoelectric element structure by bonding a thermoelectric element on a high temperature portion electrode using a high temperature sintering (junction) bonding, the thermoelectric The device structure may be manufactured by bonding a device structure on a low temperature electrode using a self-aligned solder joint, and connecting a lead wire to the low temperature electrode.

본 발명에서 제안하고 있는 열전 모듈 제조 방법 및 이에 의해 제조된 열전 모듈에 따르면, 고온부에서는 고온 소결 방식으로 접합 과정을 거쳐 특정 형태의 열전 소자 구조체를 제조하고, 저온부에서 상기의 특정 형태로 기제작된 구조체를 자기 정렬식의 솔더 접합을 통하여 열전 모듈을 제작하며, 특히, 저온부 전극에 대한 연마 과정을 통하여 전극의 각도를 조정함으로써, 전극이 연결된 저온부 구조체에 굴곡이 있는 경우에도 곧바로 열전 모듈의 접합이 가능하도록 하여, 자유 자재로 사용이 가능하도록 할 수 있다.According to the thermoelectric module manufacturing method proposed by the present invention and the thermoelectric module manufactured thereby, a thermoelectric device structure of a specific type is manufactured through a bonding process by a high temperature sintering method in a high temperature part, and a pre-fabricated in the specific shape in the low temperature part. The thermoelectric module is fabricated through self-aligned solder joints. In particular, by adjusting the angle of the electrode through polishing of the low temperature electrode, the thermoelectric module is immediately bonded even when the electrode is connected to the low temperature structure. It is possible to make it possible to use it freely.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법에 있어서, 열전 소자 구조체를 형성하는 방법의 흐름도이다.
도 3은 도 2의 흐름도를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법에 있어서, 저온부전극 위에 열전 소자 구조체를 접합한 후, 리드선을 연결하는 방법의 흐름도이다.
도 5는 도 4의 흐름도를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
1 is a flowchart of a method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart of a method of forming a thermoelectric device structure in a method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating the flowchart of FIG. 2.
4 is a flowchart illustrating a method of connecting lead wires after bonding a thermoelectric element structure on a low temperature portion electrode in the method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating the flowchart of FIG. 4.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. In the drawings, for convenience of description, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향을 향하여 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.In addition, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" or "on" another part, this includes not only when the other part is "right on" but also another part in the middle. . On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle. In addition, to be referred to as "on" or "on" the reference part is to be located above or below the reference part, and to mean "to" or "on" necessarily toward the opposite direction of gravity. no.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수도 있는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it may further include other components, except to exclude other components unless specifically stated otherwise.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법의 흐름도이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법은, 열전 소자를 고온 소결(sintering) 방식의 접합을 이용하여 고온부 전극 위에 접합하여 열전 소자 구조체를 형성하는 단계(S100), 열전 소자 구조체를 자기 정렬식의 솔더(soldering) 접합을 이용하여 저온부 전극 위에 접합하는 단계(S200), 및 저온부 전극에 리드선을 연결하는 단계(S300)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, in the method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention, forming a thermoelectric element structure by bonding a thermoelectric element on a high temperature part electrode by using a high temperature sintering bonding method (S100). ), Bonding the thermoelectric element structure on the low temperature electrode using a self-aligned soldering junction (S200), and connecting the lead wire to the low temperature electrode (S300).

저온부 전극 위에 접합하는 단계(S200)의 경우, 금속 성분(Sn : Ag : Cu = 96.5 : 3 : 0.5)과, 바인더 성분(2-(2-(2-butoxyethoxy)ethoxy)ethanol)으로 구성된, 금속 솔더 페이스트 SAC305를 사용하여, 디스펜싱 법에 의해 저온부 전극에 도포하고, 제작된 열전 소자(unicouple)를 실장 후, 리플로우 챔버 안에서, 일반적인 SAC305 리플로우 프로파일을 거쳐, 솔더 접합을 진행할 수 있다. 솔더 접합 리플로우 시, 전극 모양에 따라 열전 소자(unicouple)가, 전극 위에 자기 정렬(self-alignment)을 하여, 저온부 전극 위에 접합되게 된다. In the step (S200) of bonding to the low temperature part electrode, a metal component (Sn: Ag: Cu = 96.5: 3: 0.5) and a binder component (2- (2- (2-butoxyethoxy) ethoxy) ethanol) Using solder paste SAC305, it can apply to the low temperature electrode by the dispensing method, and after mounting the produced thermoelectric element (unicouple), a solder joint can be progressed through a general SAC305 reflow profile in a reflow chamber. During solder joint reflow, a unicouple, depending on the shape of the electrode, is self-aligned onto the electrode and bonded onto the low temperature electrode.

솔더(soldering) 접합으로 진행한 저온부 전극 부분은 저온에서 사용이 가능하며, 특히, 고온 소결(sintering) 방식을 이용한 고온부 전극 부분은 350℃ 이상의 고온에서 사용이 가능한 바, 고온 소결(sintering) 방식과, 솔더(soldering) 접합방식으로, 각각 단계를 나누어 진행함으로써 이와 같이 고온 작동이 가능한 열전 모듈을 제조한다는 점에서, 본 발명인 열전 모듈 제조 방법은 의의가 있다.The low temperature electrode portion, which is performed by soldering, can be used at low temperature. In particular, the high temperature electrode portion using the high temperature sintering method can be used at a high temperature of 350 ° C. or higher. The thermoelectric module manufacturing method of the present invention is meaningful in that a thermoelectric module capable of high temperature operation can be manufactured by dividing the steps into a solder bonding method.

고온부 전극, 저온부 전극에서의 접합하는 과정과 관련된 각 단계의 구체적인 과정에 대하여는 이하의 도 2 내지 도 5를 통해 설명하도록 한다.A detailed process of each step related to the bonding process at the high temperature unit electrode and the low temperature unit electrode will be described with reference to FIGS. 2 to 5 below.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법에 있어서, 열전 소자 구조체를 형성하는 방법의 흐름도이며, 도 3은 도 2의 흐름도를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.FIG. 2 is a flowchart illustrating a method of forming a thermoelectric device structure in a method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating the flowchart of FIG. 2.

도 2 에 도시된 바와 같이, 열전 소자 구조체를 형성하는 단계(S100)는, 고온부 전극을 준비하는 단계(S110), 고온부 전극 위에 소결 페이스트를 프린팅하는 단계(S120), 고온부 전극 위에 열전 소자를 실장하는 단계(S130), 및 실장된 열전 소자를 소결 장비에서 고온 고압으로 고온부 전극에 접합하는 단계(S140)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the forming of the thermoelectric element structure (S100) includes preparing a high temperature part electrode (S110), printing a sinter paste on the high temperature part electrode (S120), and mounting a thermoelectric element on the high temperature part electrode. Step (S130), and the step of bonding the mounted thermoelectric element to the high temperature portion electrode at high temperature and high pressure in the sintering equipment (S140).

도 3은 도 2의 각 단계를 도면으로 도시한 것으로서, 구체적으로는, 복수의 고온부 전극(100)을 준비하는 단계(S110), 준비된 복수의 고온부 전극(100)의 상부에 소결 페이스트(110)를 프린팅하는 단계(S120), 소결 페이스트(110) 위에, p형 열전 소자, n형 열전 소자를 한 쌍으로 하여 열전 소자(120) 복수개를 실장하는 단계(S130), 장비에서 고온, 고압의 조건하에서 실장된 열전 소자(120)를 고온부 전극(100)에 접합시키는 단계(S140)의 순서로 진행됨을 확인할 수 있다. 상기의 과정을 통하여, 열전 소자 구조체(130)를 제조할 수 있다. 그 후에, 고온부 전극(100)에 접합된 열전 소자(120)를 한 쌍으로 분리하여 유니커플(unicouple)을 제작할 수 있다.3 is a diagram illustrating each step of FIG. 2. Specifically, in operation S110, a plurality of high temperature part electrodes 100 are prepared, and a sintering paste 110 is formed on the prepared high temperature part electrodes 100. Printing step (S120), the step of mounting a plurality of thermoelectric elements 120 on the sinter paste 110, a pair of p-type thermoelectric element, n-type thermoelectric element (S130), conditions of high temperature, high pressure in the equipment It can be seen that the thermoelectric device 120 mounted below is bonded to the high temperature part electrode 100 in the order of step S140. Through the above process, the thermoelectric element structure 130 may be manufactured. Thereafter, the thermoelectric element 120 bonded to the high temperature part electrode 100 may be separated into a pair to manufacture a unicouple.

고온부 전극에 접합시키는 단계(S140)는, 약 0.1MPa 내지 약 200MPa의 압력 및 약 200℃ 내지 약 400℃의 온도에서 가압 소결하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 소결 단계는, 일반적인 가압 소결 방식일 수 있으며, 압력 및 온도는 상기에 기재된 범위에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라서는, 선택되는 금속 분말의 용융점 이상의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다.Bonding to the high temperature part electrode (S140) may include pressure sintering at a pressure of about 0.1 MPa to about 200 MPa and a temperature of about 200 ° C. to about 400 ° C. FIG. At this time, the sintering step may be a general pressure sintering method, pressure and temperature is not limited to the range described above. Depending on the embodiment, it is preferably carried out at a temperature above the melting point of the metal powder to be selected.

열전 소자 구조체(130)는, n형과 p형이 각각 한 쌍을 이루어, 하나의 전극에 이격되도록 배치된 것으로서, 실시예에 따라서는, 도 3에 도시된 바와 같은 Π 형태일 수 있으며, 이러한 열전 소자 구조체(130) 하나를 '유니커플(unicouple)'이라고 할 수 있다. 물론, 열전 소자 구조체(130)는 Π 형태로만 한정되는 것은 아니며, 고온부 전극(100)과 저온부 전극(210)을 전기적으로 직렬 연결할 수 있는 n형 또는 p형 단독 형태일 수 있다.The thermoelectric element structure 130 is a pair of n-type and p-type are arranged so as to be spaced apart from one electrode, depending on the embodiment, may be in the form of Π as shown in FIG. One thermoelectric element structure 130 may be referred to as a “unicouple”. Of course, the thermoelectric element structure 130 is not limited to the form of Π, and may be an n-type or p-type alone type capable of electrically connecting the high temperature part electrode 100 and the low temperature part electrode 210 in series.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈 제조 방법에 있어서, 저온부전극 위에 열전 소자 구조체를 접합한 후, 리드선을 연결하는 방법의 흐름도이며, 도 5는 도 4의 흐름도를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.4 is a flowchart illustrating a method of connecting lead wires after bonding a thermoelectric element structure on a low temperature portion electrode in the method of manufacturing a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view for explaining the flowchart of FIG. 4. One drawing.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 저온부 전극(210) 위에 열전 소자 구조체를 접합하는 단계(S200)는, 저온부 구조체(200) 위에 저온부 전극(210)을 실장하는 단계(S210), 저온부 전극(210)을 연마하는 단계(S220), 및 연마된 저온부 전극(210)에, 열전 소자 구조체(130)를 실장하는 단계(S240)를 포함할 수 있다. 저온부 전극(210)을 연마하는 단계(S220)에서는, 저온부 전극(210)을 선반 밀링기 주축 연마석으로 45°의 각도로 8회 회전시키는 것이 바람직하다.4 and 5, in the bonding of the thermoelectric element structure on the low temperature part electrode 210 (S200), mounting the low temperature part electrode 210 on the low temperature part structure 200 (S210) and the low temperature part electrode. A step S220 of polishing 210 and a step S240 of mounting the thermoelectric element structure 130 on the polished low temperature electrode 210 may be included. In the step (S220) of grinding the low temperature part electrode 210, it is preferable to rotate the low temperature part electrode 210 at an angle of 45 ° with a lathe mill spindle polished stone.

실시예에 따라서는, 저온부 전극(210)을 연마하는 단계(S220) 이후에, 솔더 접합제(220)를 적용하는 단계(S230)를 더 포함할 수 있으며, 저온부 전극(210)에 열전 소자 구조체(130)를 실장하는 단계(S240) 이후에, 리플로우를 통하여 솔더 접합하는 단계(S250)를 더 포함할 수 있고, 이는 도 3에서 도시된 유니커플(unicouple)을 이용하여 솔더 접합, 즉, 리플로우(reflow)를 진행하는 것이다.According to an embodiment, after the polishing of the low temperature electrode 210 (S220), the method may further include applying a solder binder 220 (S230), and the thermoelectric element structure on the low temperature electrode 210. After mounting (S240) of mounting 130, the method may further include soldering through reflow (S250), which is a solder joint using a unicouple illustrated in FIG. 3, that is, It is going to reflow.

연마하는 단계(S220)를 통하여 저온부 전극(210)의 각도를 조정할 수 있으며, 저온부 구조체(200)는 평평한 구조체일 수 있으나, 굴곡진 구조체일 수도 있다. 기존의 방법으로 제조된 열전 모듈의 경우는, 굴곡이 있거나 평평하지 않은 구조체에 접합, 작동되는 것이 불가능하였으나, 본 발명에서는 저온부 전극(210)을 연마하는 과정을 통하여, 굴곡이 있거나 평평하지 않은 저온부 구조체(200)에 접합되어 작동할 수 있는 열전 모듈(10)을 제조한다는 점에 특징이 있다. 즉, 본 발명에서는 도 5에 도시된 것처럼, 굴곡이 있는 저온부 구조체(200)에 열전 소자 구조체(130)를 실장하기 위하여, 열전 소자 구조체(130)를 실장하는 단계(S240)의 전 단계로서, 저온부 전극(210)을 연마하는 단계(S220)가 포함되는 것을 확인할 수 있다.An angle of the low temperature portion electrode 210 may be adjusted through the polishing (S220), and the low temperature portion structure 200 may be a flat structure or may be a curved structure. In the case of a thermoelectric module manufactured by the conventional method, it is impossible to join and operate the curved or non-flat structure, but in the present invention, the low-temperature part that is not curved or flat is polished through the process of polishing the low-temperature electrode 210. It is characterized in that it manufactures a thermoelectric module 10 that can be joined to and operate on the structure 200. That is, in the present invention, as shown in FIG. 5, in order to mount the thermoelectric element structure 130 on the curved low temperature part structure 200, as the previous step of mounting the thermoelectric element structure 130 (S240), It can be seen that the step (S220) of polishing the low temperature part electrode 210 is included.

상기의 과정을 거쳐 연마된 저온부 전극(210)의 표면에, 솔더 접합제(220)를 도포하는 단계(S230)를 거치고, 도포된 솔더 접합제(220)의 부분에 열전 소자 구조체(130)를 실장할 수 있으며, 다음으로, 열전 소자 구조체(130)가 실장되지 않은 저온부 전극(210)으로서, 상기에서 도포된 솔더 접합제(220) 부분에는 리드선(230)을 연결(S300)함으로써, 최종적으로 열전 모듈(10)을 제조할 수가 있다.After applying the solder binder 220 to the surface of the low temperature electrode 210 polished through the above process (S230), the thermoelectric element structure 130 is applied to the portion of the applied solder binder 220 Next, as the low temperature electrode 210 in which the thermoelectric element structure 130 is not mounted, the lead wire 230 is connected to the portion of the solder bonding agent 220 applied (S300), and finally, The thermoelectric module 10 can be manufactured.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전 모듈은 상기의 방법을 통하여 제조되는 것으로서, 구체적으로는, 열전 소자를 고온 소결(sintering) 방식의 접합을 이용하여 고온부 전극 위에 접합하여 열전 소자 구조체를 형성하는 단계, 열전 소자 구조체를 자기 정렬식의 솔더(soldering) 접합을 이용하여 저온부 전극 위에 접합하는 단계, 및 저온부 전극에 리드선을 연결하는 단계를 통하여 제조될 수 있다.That is, the thermoelectric module according to an embodiment of the present invention is manufactured by the above method, and specifically, the thermoelectric device is bonded on the high temperature part electrode by using a high temperature sintering method to form a thermoelectric element structure. The method may include fabricating a thermoelectric element structure on a low temperature electrode using a self-aligned solder joint, and connecting a lead wire to the low temperature electrode.

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 기존의 열전 모듈의 제조 과정에서, 복수의 열전 소자들 각각에 대한 치수의 불균일로 인하여 발생되는 문제를 해결하고자 하는 것으로서, 열전 소자들과 전극들을 균일한 접합 강도로 접합할 수 있도록 하고, 평평한 기재뿐만 아니라 굴곡진 기재에 대하여도 열전 모듈을 접합하여 사용할 수 있도록 한다는 점에서 의의가 있다.As described above, the present invention is to solve the problem caused by the non-uniformity of the dimensions for each of the plurality of thermoelectric elements in the manufacturing process of the existing thermoelectric module, the thermoelectric elements and the electrodes with a uniform bonding strength The present invention is meaningful in that the thermoelectric module can be bonded and used not only on the flat substrate but also on the curved substrate.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

10: 열전 모듈
100: 고온부 전극
110: 소결 페이스트
120: 열전 소자
130: 열전 소자 구조체
200: 저온부 구조체
210: 저온부 전극
220: 솔더 접합제
230: 리드선
10: thermoelectric module
100: high temperature part electrode
110: sintered paste
120: thermoelectric element
130: thermoelectric element structure
200: low temperature structure
210: low temperature electrode
220: solder binder
230: lead wire

Claims (12)

열전 모듈 제조 방법에 있어서,
열전 소자를 고온 소결(sintering) 방식의 접합을 이용하여 고온부 전극 위에 접합하여 열전 소자 구조체를 형성하는 단계;
상기 열전 소자 구조체를 자기 정렬식의 솔더(soldering) 접합을 이용하여 저온부 전극 위에 접합하는 단계; 및
상기 저온부 전극에 리드선을 연결하는 단계를 포함하는 열전 모듈 제조 방법.
In the thermoelectric module manufacturing method,
Bonding the thermoelectric elements to the high temperature part electrodes by using a high temperature sintering method to form a thermoelectric element structure;
Bonding the thermoelectric element structure onto a low temperature electrode using a self-aligned soldering junction; And
And connecting a lead wire to the low temperature electrode.
제1항에 있어서,
상기 열전 소자 구조체를 형성하는 단계는,
상기 고온부 전극을 준비하는 단계;
상기 고온부 전극 위에 소결 페이스트를 프린팅하는 단계;
상기 고온부 전극 위에 상기 열전 소자를 실장하는 단계; 및
상기 실장된 열전 소자를 소결 장비에서 고온 고압으로 상기 고온부 전극에 접합하는 단계를 포함하는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the thermoelectric element structure,
Preparing the high temperature part electrode;
Printing a sintered paste on the high temperature part electrode;
Mounting the thermoelectric element on the high temperature part electrode; And
And bonding the mounted thermoelectric element to the high temperature part electrode at a high temperature and high pressure in a sintering apparatus.
제1항에 있어서,
상기 열전 소자 구조체는, n형과 p형이 각각 한 쌍을 이루어, 하나의 전극에 이격되도록 배치되는 형태를 가지는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 1,
The thermoelectric element structure is a thermoelectric module manufacturing method having a form in which the n-type and p-type are each formed to be spaced apart from one electrode.
제1항에 있어서,
상기 열전 소자 구조체는, Π 형태를 갖는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 1,
The thermoelectric device structure, the thermoelectric module manufacturing method having a form Π.
제1항에 있어서,
상기 저온부 전극 위에 상기 열전 소자 구조체를 접합하는 단계는,
저온부 구조체 위에 상기 저온부 전극을 실장하는 단계;
상기 저온부 전극을 연마하는 단계; 및
상기 연마된 저온부 전극에, 상기 열전 소자 구조체를 실장하는 단계를 포함하는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 1,
Bonding the thermoelectric element structure on the low temperature portion electrode,
Mounting the low temperature part electrode on a low temperature part structure;
Polishing the cold electrode; And
And mounting the thermoelectric element structure on the polished low temperature part electrode.
제5항에 있어서,
상기 저온부 전극을 연마하는 단계 이후에,
솔더 접합제를 적용하는 단계를 더 포함하는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
After polishing the low temperature electrode,
The method of manufacturing a thermoelectric module further comprising applying a solder binder.
제5항에 있어서,
상기 연마하는 단계를 통하여 상기 저온부 전극의 각도를 조정하는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
And adjusting the angle of the low temperature electrode through the polishing.
제5항에 있어서,
상기 저온부 구조체는 평평한 구조체인 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
The low temperature portion structure is a thermoelectric module manufacturing method of the flat structure.
제5항에 있어서,
상기 저온부 구조체는 굴곡진 구조체인 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
The low temperature structure is a thermoelectric module manufacturing method of the curved structure.
제1항에 있어서,
상기 저온부 전극에, 상기 열전 소자 구조체를 실장하는 단계 이후에,
리플로우를 통하여 솔더 접합하는 단계를 더 포함하는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 1,
After mounting the thermoelectric element structure on the low temperature portion electrode,
The method of manufacturing a thermoelectric module further comprising the step of solder bonding through reflow.
제1항에 있어서,
상기 고온 소결(sintering) 방식으로 진행된 상기 고온부 전극 부분은 350℃ 이상의 고온에서 사용되는 열전 모듈 제조 방법.
The method of claim 1,
The high temperature part electrode portion, which is advanced by the high temperature sintering method, is used at a high temperature of 350 ° C. or higher.
제1항의 제조 방법을 통하여 제조된, 열전 모듈.The thermoelectric module manufactured by the manufacturing method of claim 1.
KR1020180099490A 2018-08-24 2018-08-24 Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method KR102344913B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180099490A KR102344913B1 (en) 2018-08-24 2018-08-24 Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180099490A KR102344913B1 (en) 2018-08-24 2018-08-24 Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200023100A true KR20200023100A (en) 2020-03-04
KR102344913B1 KR102344913B1 (en) 2021-12-28

Family

ID=69783578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180099490A KR102344913B1 (en) 2018-08-24 2018-08-24 Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102344913B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112054112A (en) * 2020-10-09 2020-12-08 郴州华太科技有限责任公司 Low-temperature metallization process for producing semiconductor refrigeration sheet

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170065315A (en) * 2015-12-03 2017-06-13 주식회사 엘지화학 Mounting member and thermoelectric module system using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170065315A (en) * 2015-12-03 2017-06-13 주식회사 엘지화학 Mounting member and thermoelectric module system using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112054112A (en) * 2020-10-09 2020-12-08 郴州华太科技有限责任公司 Low-temperature metallization process for producing semiconductor refrigeration sheet

Also Published As

Publication number Publication date
KR102344913B1 (en) 2021-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10566514B2 (en) Thermoelectric module
EP2377175B1 (en) Method for fabricating thermoelectric device
TWI601831B (en) Metal particles, paste, formed body, and laminated body
JP2006319210A (en) Manufacturing method of thermoelectric conversion element
TW201228056A (en) Thermoelectric module and method of manufacturing the same
KR100889946B1 (en) Manufacturing method of thermoelectric module
CN102097743A (en) Method for assembling double-side mounting soldering matching sheets of centimeter-grade strip-shaped semiconductor laser
KR20200023100A (en) Method of manufacturing thermoelectric module and the thermoelectric module manufactured by the method
WO2017073299A1 (en) Ultrasonic soldering method and ultrasonic soldering device
CN106787948B (en) A kind of high temperature resistant Semiconductor Thermoelectric Generator and production method
JP2007294689A (en) Thermoelectric conversion element
KR101778041B1 (en) Thermoelectric module exposing electrodes of low temperature and fabrication method thereof
JPWO2020045376A1 (en) A method for manufacturing a chip of a thermoelectric conversion material and a method for manufacturing a thermoelectric conversion module using the chip obtained by the manufacturing method.
JP2016174117A (en) Thermoelectric conversion module, and method for manufacturing the same
WO2017056549A1 (en) Thermoelectric module
KR101207300B1 (en) Method for manufacturing thermoelectric element
JP5404025B2 (en) Production method of thermoelectric conversion module
WO2024204329A1 (en) Thermoelectric wafer and method for manufacturing same
KR102361845B1 (en) Thermoelectric material leg, thermoelectric module and method of manufacturing the same
JP2004281930A (en) Method for producing thermoelectric conversion element
WO2014155643A1 (en) Thermoelectric conversion device
EP2782124A1 (en) Power semiconductor mounting
WO2021193357A1 (en) Thermoelectric conversion module
TW202143514A (en) Thermoelectric conversion body, thermoelectric conversion module, and method for manufacturing thermoelectric conversion body
JP2023021733A (en) Thermoelectric conversion material layer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant