KR20200012992A - Apparatus for generating plasma and method for matching impedance thereof - Google Patents

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성효성
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    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Abstract

The present invention relates to an apparatus for processing plasma and a method for matching impedance thereof. According to one embodiment of the present invention, the apparatus for processing plasma comprises: an RF power source providing an RF signal; a plasma chamber generating plasma using the RF signal; an impedance matcher matching impedance of the plasma chamber; and a controller controlling the impedance matcher and RF power source to match the impedance of the plasma chamber. The controller may primarily adjust the impedance of the impedance matcher and secondarily change a frequency of the RF signal. The impedance of the plasma chamber may be more quickly and accurately matched.

Description

플라즈마 처리 장치 및 상기 플라즈마 처리 장치의 임피던스를 매칭하는 방법{APPARATUS FOR GENERATING PLASMA AND METHOD FOR MATCHING IMPEDANCE THEREOF}A plasma processing apparatus and a method of matching impedance of the plasma processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 상기 플라즈마 처리 장치의 임피던스를 매칭하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus and a method of matching impedance of the plasma processing apparatus.

반도체 웨이퍼를 제조하는 공정 중 건식 식각 공정에 사용되는 식각 장치나 이온 주입을 위해 사용되는 이온 주입기 등은 플라즈마 공정을 위한 챔버를 포함한다. 이러한 플라즈마 공정을 위하여, RF 전원으로부터 출력된 고주파 전력이 챔버로 공급된다. 이 과정에서, 상기 고주파 전력의 특성상 주변 환경에 따라 시스템의 임피던스가 변화할 수 있다. 그 결과, 상기 RF 전원으로부터 출력된 고주파 전력이 반사파에 의해 손실되어 상기 챔버로 전부 전송되지 않을 수 있다.In the process of manufacturing a semiconductor wafer, an etching apparatus used for a dry etching process, an ion implanter used for ion implantation, and the like include a chamber for plasma processing. For this plasma process, high frequency power output from the RF power supply is supplied to the chamber. In this process, the impedance of the system may vary according to the surrounding environment due to the characteristics of the high frequency power. As a result, the high frequency power output from the RF power supply may be lost by the reflected wave and thus may not be entirely transmitted to the chamber.

이러한 반사파를 최소로 줄이기 위해, 임피던스 매칭기가 상기 챔버에 연결된다. 일반적으로 상기 임피던스 매칭기는 가변 커패시터와 인덕터로 구성되어 있으며, 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조절하여 임피던스 매칭을 구현한다.In order to minimize this reflected wave, an impedance matcher is connected to the chamber. In general, the impedance matcher includes a variable capacitor and an inductor, and implements impedance matching by adjusting the capacitance of the variable capacitor.

종래의 임피던스 매칭기는 스텝핑 모터와 기어단이 결합된 구동 수단을 이용하여 커패시터를 구성하는 도전체 간의 간격을 조절함으로써 커패시턴스를 변화시키고 임피던스를 매칭시켰다. 그러나, 이와 같은 기계적 구동 수단을 이용하여 임피던스를 매칭시키는 경우, 매칭에 걸리는 시간이 길어지며 임피던스의 정밀한 조절이 어렵다는 문제가 있다. 특히, RF 전원이 펄스 모드로 전력을 공급하는 경우에는, 챔버 내 플라즈마의 상태 변화가 빠르기 때문에 종래의 방법으로는 신속한 임피던스 매칭이 어렵다.Conventional impedance matchers change capacitance and match impedance by adjusting the distance between conductors constituting a capacitor by using a driving means coupled to a stepping motor and a gear stage. However, when the impedance is matched by using such a mechanical driving means, there is a problem that it takes a long time to match and it is difficult to precisely adjust the impedance. In particular, when the RF power supply is powered in the pulse mode, the impedance change is difficult by the conventional method because the state change of the plasma in the chamber is fast.

본 발명의 일 실시예는, 플라즈마 챔버의 임피던스를 신속하고 정밀하게 매칭시키는 플라즈마 처리 장치 및 그 임피던스 매칭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.One embodiment of the present invention is to provide a plasma processing apparatus for quickly and precisely matching the impedance of the plasma chamber and an impedance matching method thereof.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, RF 신호를 제공하는 RF 전원; 상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 매칭시키는 임피던스 매칭기; 및 상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 매칭되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함하며, 상기 제어기는, 일차적으로 상기 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하고, 이차적으로 상기 RF 신호의 주파수를 변경할 수 있다.Plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the RF power supply for providing an RF signal; A plasma chamber generating a plasma using the RF signal; An impedance matcher for matching impedance of the plasma chamber; And a controller for controlling the impedance matcher and the RF power source so that the impedances of the plasma chamber are matched, wherein the controller primarily adjusts the impedance of the impedance matcher and secondarily changes the frequency of the RF signal. Can be.

상기 제어기는: 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 측정하고, 측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하여, 두 임피던스의 차이를 보상하도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어할 수 있다.The controller may measure the impedance of the plasma chamber, compare the measured impedance with a target impedance, and control the impedance matcher and the RF power supply to compensate for the difference between the two impedances.

상기 제어기는: 상기 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하여 상기 두 임피던스의 차이를 줄이고, 상기 RF 신호의 주파수를 변경하여 상기 두 임피던스를 일치시킬 수 있다.The controller may adjust the impedance of the impedance matcher to reduce the difference between the two impedances and change the frequency of the RF signal to match the two impedances.

상기 제어기는: 상기 두 임피던스의 차이가 기설정된 임계치보다 작으면, 상기 RF 신호의 주파수만을 변경하여 임피던스를 매칭시킬 수 있다.The controller may change the frequency of the RF signal to match the impedance if the difference between the two impedances is smaller than a preset threshold.

상기 플라즈마 처리 장치는, 상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호를 감지하는 감지기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 반사 신호를 이용하여 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 측정할 수 있다.The plasma processing apparatus may further include a detector configured to detect a reflected signal reflected from the plasma chamber, and the controller may measure the impedance of the plasma chamber using the reflected signal.

본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법은, 플라즈마 챔버의 임피던스를 측정하는 단계; 및 측정된 임피던스를 기반으로, 상기 플라즈마 챔버에 연결된 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하고, 상기 플라즈마 챔버에 인가되는 RF 신호의 주파수를 변경하여, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 매칭시키는 단계;를 포함할 수 있다.Impedance matching method according to an embodiment of the present invention, measuring the impedance of the plasma chamber; And adjusting the impedance of the impedance matcher connected to the plasma chamber based on the measured impedance and changing the frequency of the RF signal applied to the plasma chamber to match the impedance of the plasma chamber. have.

상기 임피던스를 매칭시키는 단계는: 측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하는 단계; 및 두 임피던스의 차이를 보상하도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 신호를 생성하는 RF 전원을 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.Matching the impedance includes: comparing the measured impedance with a target impedance; And controlling the impedance matcher and the RF power generating the RF signal to compensate for the difference between the two impedances.

상기 제어하는 단계는: 상기 두 임피던스의 차이를 줄이도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하는 단계; 및 상기 두 임피던스를 일치시키도록 상기 RF 신호의 주파수를 변경하는 단계;를 포함할 수 있다.The controlling may include: adjusting an impedance of the impedance matcher to reduce a difference between the two impedances; And changing the frequency of the RF signal to match the two impedances.

상기 제어하는 단계는: 상기 두 임피던스의 차이를 기설정된 임계치와 비교하는 단계; 및 상기 두 임피던스의 차이가 상기 임계치보다 작으면, 상기 RF 신호의 주파수만을 변경하여 임피던스를 매칭시키는 단계;를 포함할 수 있다.The controlling may include: comparing a difference between the two impedances with a preset threshold; And matching the impedance by changing only a frequency of the RF signal when the difference between the two impedances is smaller than the threshold.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 기록될 수 있다.The impedance matching method according to an embodiment of the present invention described above may be implemented as a computer-executable program and recorded on a computer-readable recording medium.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마 챔버의 임피던스가 보다 신속하고 정확하게 매칭될 수 있다.According to one embodiment of the invention, the impedance of the plasma chamber can be matched more quickly and accurately.

특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 펄스 모드로 구동 시 챔버 내 플라즈마의 빠른 변화에 대응하여 임피던스 매칭이 정확하고 신속하게 이루어질 수 있다.In particular, according to an embodiment of the present invention, the impedance matching can be accurately and quickly made in response to the rapid change of the plasma in the chamber when driving in the pulse mode.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 임피던스 매칭기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법을 설명하는 흐름도이다.1 is a block diagram illustrating a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are diagrams showing a schematic configuration of a plasma chamber according to an embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram illustrating a configuration of an impedance matcher according to an embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram illustrating a configuration of an impedance matcher according to another embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating an impedance matching method according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating an impedance matching method according to another embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating an impedance matching method according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.If not defined, all terms used herein (including technical or scientific terms) have the same meaning as commonly accepted by universal techniques in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be interpreted as having the same meaning as in the related description and / or text of the present application, and are not conceptualized or overly formal, even if not expressly defined herein. Will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, the term 'comprises' and / or its various uses, eg, 'comprises', 'comprising', 'comprising', 'comprising' and the like may refer to compositions, components, components, The steps, operations and / or elements do not exclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations and / or elements. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed components or various combinations thereof.

한편, 본 명세서 전체에서 사용되는 '~부', '~기', '~블록', '~모듈' 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부', '~기', '~블록', '~모듈' 등이 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부', '~기', '~블록', '~모듈'은 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다.On the other hand, the terms '~ unit', '~ group', '~ block', '~ module', etc. used throughout the present specification may mean a unit for processing at least one function or operation. For example, it can mean a hardware component such as software, FPGA, or ASIC. However, '~', '~', '~', '~' and 'module' are not limited to software or hardware. '~', '~', '~', '~' May be configured to reside in an addressable storage medium or may be configured to play one or more processors.

따라서, 일 예로서 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'은 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들로 더 분리될 수 있다.Thus, as an example, '~', '~', '~', '~' module are components such as software components, object-oriented software components, class components, and task components. And processes, functions, properties, procedures, subroutines, segments of program code, drivers, firmware, microcode, circuits, data, databases, data structures, tables, arrays, and Contains variables The components and functions provided within '~', '~', '~ block', and '~ module' are divided into smaller number of elements and '~', '~', '~ block'. ',' ~ Module 'or may be further separated into additional components,' ~ part ',' ~ group ',' ~ block ',' ~ module '.

이하, 본 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치 및 그 임피던스 매칭 방법은, 플라즈마 챔버의 임피던스를 매칭시키기 위해 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하고 상기 플라즈마 챔버로 인가되는 RF 신호의 주파수를 변경할 수 있다.The plasma processing apparatus and the impedance matching method according to an embodiment of the present invention may adjust the impedance of the impedance matcher and change the frequency of the RF signal applied to the plasma chamber to match the impedance of the plasma chamber.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)를 나타내는 블록도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 처리 장치(100)는 RF 전원(11), 플라즈마 챔버(12), 임피던스 매칭기(13) 및 제어기(14)를 포함할 수 있다.1 is a block diagram illustrating a plasma processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 may include an RF power source 11, a plasma chamber 12, an impedance matcher 13, and a controller 14.

상기 RF 전원(11)은 RF 신호를 생성하여 상기 플라즈마 챔버(12)로 전송할 수 있다. 상기 RF 전원(11)은 RF 신호를 통해 상기 플라즈마 챔버(12)로 고주파 전력을 전달할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 RF 전원(11)은 펄스 파형을 갖는 RF 신호를 생성하여 상기 플라즈마 챔버(12)로 제공할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 RF 전원(11)은 정현파 형태의 RF 신호를 생성하여 플라즈마 챔버(12)로 제공할 수 있으나, 상기 RF 신호는 이에 제한되지 않고 톱니파, 삼각파 등 다양한 파형을 가질 수 있다.The RF power source 11 may generate an RF signal and transmit the RF signal to the plasma chamber 12. The RF power source 11 may transmit high frequency power to the plasma chamber 12 through an RF signal. According to an embodiment of the present invention, the RF power source 11 may generate an RF signal having a pulse waveform and provide it to the plasma chamber 12. According to another embodiment, the RF power source 11 may generate a sinusoidal RF signal and provide it to the plasma chamber 12, but the RF signal may have various waveforms such as sawtooth waves, triangle waves, and the like. .

상기 플라즈마 챔버(12)는 상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 챔버(12)는 상기 RF 신호를 통해 전달되는 고주파 전력을 이용하여 챔버로 유입되는 기체를 플라즈마 상태로 변화시킬 수 있다.The plasma chamber 12 may generate a plasma by using the RF signal. According to an embodiment, the plasma chamber 12 may change the gas flowing into the chamber into the plasma state by using the high frequency power transmitted through the RF signal.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 챔버(12)의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 챔버(12)는 RF 신호가 인가되는 전극(121)을 포함할 수 있다. 상기 전극(121)은 챔버로 유입되는 기체가 이온화되어 플라즈마 상태로 변화하도록 챔버에 전기에너지를 전달할 수 있다.2 and 3 show a schematic configuration of the plasma chamber 12 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 2 and 3, the plasma chamber 12 may include an electrode 121 to which an RF signal is applied. The electrode 121 may transfer electrical energy to the chamber so that the gas flowing into the chamber is ionized to change into a plasma state.

도 2에 도시된 전극(121)은 챔버 내부에서 두 개의 전극판이 서로 마주보도록 배치된 용량 결합형 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 소스의 일 예를 나타낸다. 상기 용량 결합형 플라즈마 소스는 축전 전기장을 이용하여 챔버 내에 유입되는 기체의 전자에 전기에너지를 전달할 수 있다. 상기 용량 결합형 플라즈마 소스는 두 개의 전극판에 각각 RF 전원이 연결된 형태를 가질 수 있으나, 실시예에 따라 두 개의 전극판 중 상측 전극판에만 RF 전원이 연결될 수도 있다.2 illustrates an example of a capacitively coupled plasma (CCP) source in which two electrode plates face each other in the chamber. The capacitively coupled plasma source may transfer electrical energy to electrons of gas introduced into the chamber by using a storage electric field. The capacitively coupled plasma source may have a form in which RF power is connected to each of two electrode plates, but in some embodiments, RF power may be connected only to an upper electrode plate among two electrode plates.

도 3에 도시된 전극(121)은 챔버 외부에 감긴 유도코일로 이루어진 유도 결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 소스의 일 예를 나타낸다. 상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 챔버 상부에 플라즈마 발생 장치가 별도로 결합되어, 챔버 내로 유입된 기체를 플라즈마 상태로 변화시키고, 상기 플라즈마를 다운스트림 방식으로 챔버에 제공할 수 있다. The electrode 121 shown in FIG. 3 shows an example of an inductively coupled plasma (ICP) source composed of an induction coil wound around the outside of the chamber. The inductively coupled plasma source may be separately coupled to a plasma generating apparatus on an upper portion of the chamber, thereby converting gas introduced into the chamber into a plasma state and providing the plasma to the chamber in a downstream manner.

상기 임피던스 매칭기(13)는 상기 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 매칭시킬 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 임피던스 매칭기(13)는 상기 RF 전원(11)과 상기 플라즈마 챔버(12) 사이에 연결될 수 있다. The impedance matcher 13 may match the impedance of the plasma chamber 12. As shown in FIG. 1, the impedance matcher 13 may be connected between the RF power source 11 and the plasma chamber 12.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭기(13)의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭기(13)는 다수의 커패시터(131) 및 상기 다수의 커패시터를 상기 플라즈마 챔버(12)에 연결시키는 다수의 스위치(132)를 포함할 수 있다. 상기 임피던스 매칭기(13)는 상기 다수의 커패시터(131) 각각에 연결된 스위치(132)를 열고 닫음으로써 전체 커패시턴스 값을 조절할 수 있다.4 is a circuit diagram showing the configuration of the impedance matcher 13 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the impedance matcher 13 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of capacitors 131 and a plurality of switches 132 connecting the plurality of capacitors to the plasma chamber 12. It may include. The impedance matcher 13 may adjust the total capacitance value by opening and closing the switch 132 connected to each of the plurality of capacitors 131.

도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따르면 상기 다수의 커패시터(131)는 서로 병렬로 연결될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 다수의 커패시터(131) 각각의 커패시턴스는 서로 다른 값을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 상기 다수의 커패시터(131)의 일부 또는 모두는 동일한 커패시턴스를 가질 수도 있다. As shown in FIG. 4, according to an embodiment, the plurality of capacitors 131 may be connected in parallel with each other. According to an embodiment, the capacitance of each of the plurality of capacitors 131 may have a different value, but is not limited thereto and some or all of the plurality of capacitors 131 may have the same capacitance.

일 실시예에 따르면, 상기 커패시터(131) 각각의 커패시턴스는 두 배씩 증가할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 임피던스 매칭기(13)가 8 개의 커패시터(131)를 포함하는 경우, 상기 커패시터(131)의 커패시턴스 비율은 1:2:4:8:16:32:64:128로 구성될 수 있다. 이 경우, 각각의 커패시터를 조합하여 총 256가지의 커패시턴스를 구현할 수 있다.According to an embodiment, the capacitance of each capacitor 131 may increase by twice. For example, as shown in FIG. 4, when the impedance matcher 13 includes eight capacitors 131, the capacitance ratio of the capacitor 131 is 1: 2: 4: 8: 16: 32. It can consist of: 64: 128. In this case, a total of 256 capacitances can be realized by combining each capacitor.

상기 임피던스 매칭기(13)에 포함된 스위치(132)는 제어기(14)로부터 수신한 제어 신호에 따라 열리고 닫힐 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따르면, 상기 스위치(132)는 핀 다이오드를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 방식으로 동작하여 상기 커패시터(131)를 플라즈마 챔버(12)에 연결 및 분리시키는 임의의 스위치 소자를 포함할 수도 있다.The switch 132 included in the impedance matcher 13 may be opened and closed according to a control signal received from the controller 14. As shown in FIG. 5, according to an embodiment, the switch 132 may include a pin diode, but is not limited thereto, and operates in various ways to connect the capacitor 131 to the plasma chamber 12. And any switch element to separate.

상기 제어기(14)는 플라즈마 챔버(12)의 임피던스가 매칭되도록 상기 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절하고 상기 RF 전원(11)이 생성하는 RF 신호의 주파수를 변경할 수 있다. 다시 말해, 상기 제어기(14)는 상기 임피던스 매칭기(13) 뿐만 아니라 상기 RF 전원(11)까지도 제어하여 상기 플라즈마 챔버(12)의 임피던스 매칭을 구현할 수 있다. The controller 14 may adjust the impedance of the impedance matcher 13 so as to match the impedance of the plasma chamber 12 and change the frequency of the RF signal generated by the RF power source 11. In other words, the controller 14 may control not only the impedance matcher 13 but also the RF power source 11 to implement impedance matching of the plasma chamber 12.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 일차적으로 상기 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절하고, 이차적으로 상기 RF 신호의 주파수를 변경할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버의 임피던스 매칭을 위해, 상기 임피던스 매칭기(13)에 의해 조절되는 임피던스의 양은 상기 RF 신호의 주파수 변경에 의해 조절되는 임피던스의 양보다 더 클 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the controller 14 may first adjust the impedance of the impedance matcher 13 and secondly change the frequency of the RF signal. In other words, according to one embodiment of the present invention, for impedance matching of a chamber, the amount of impedance adjusted by the impedance matcher 13 may be greater than the amount of impedance adjusted by the frequency change of the RF signal. have.

일 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 먼저 조절하고, 그리고 나서 상기 RF 신호의 주파수를 변경할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 임피던스 매칭기(13)의 임피던스 조절과 RF 신호의 주파수 변경을 동시에 수행할 수도 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 RF 신호의 주파수를 먼저 변경하고, 그리고 나서 상기 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절할 수도 있다.According to one embodiment, the controller 14 may first adjust the impedance of the impedance matcher 13 and then change the frequency of the RF signal. According to another embodiment, the controller 14 may simultaneously adjust the impedance of the impedance matcher 13 and change the frequency of the RF signal. According to another embodiment, the controller 14 may first change the frequency of the RF signal and then adjust the impedance of the impedance matcher 13.

일 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 상기 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 측정하고, 측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하여, 두 임피던스의 차이를 보상하도록 상기 임피던스 매칭기(13) 및 상기 RF 전원(11)을 제어할 수 있다. 상기 목표 임피던스는 전력 손실 없이 RF 전원(11)으로부터 플라즈마 챔버(12)로 최대의 전력이 전달되기 위한 플라즈마 챔버(12)의 임피던스로 설정될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 상기 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 소정의 시간 간격마다 반복적으로 측정할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 상기 제어기(14)는 상기 임피던스를 불규칙적으로 측정할 수도 있다.According to one embodiment, the controller 14 measures the impedance of the plasma chamber 12 and compares the measured impedance with the target impedance, so as to compensate for the difference between the two impedances and the impedance matcher 13 and the The RF power source 11 can be controlled. The target impedance may be set to the impedance of the plasma chamber 12 to transfer the maximum power from the RF power source 11 to the plasma chamber 12 without losing power. According to an embodiment, the controller 14 may repeatedly measure the impedance of the plasma chamber 12 at predetermined time intervals, but is not limited thereto. The controller 14 may measure the impedance irregularly. It may be.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 상기 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절하여 상기 측정된 임피던스와 상기 목표 임피던스 간의 차이를 줄이고, 상기 RF 신호의 주파수를 변경하여 두 임피던스를 일치시킬 수 있다. 다시 말해, 상기 제어기(14)는 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절함으로써 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 목표 임피던스에 대략적으로 접근시키고, RF 신호의 주파수를 변경함으로써 상기 대략적으로 접근된 챔버의 임피던스를 목표 임피던스에 완전히 일치시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the controller 14 adjusts the impedance of the impedance matcher 13 to reduce the difference between the measured impedance and the target impedance, and changes the frequency of the RF signal so that the two impedances Can be matched. In other words, the controller 14 approximates the impedance of the plasma chamber 12 to the target impedance by adjusting the impedance of the impedance matcher 13, and changes the frequency of the RF signal to change the frequency of the RF signal. The impedance can be fully matched to the target impedance.

일 실시예에 따르면, 상기 제어기(14)는 일차적으로 상기 임피던스 매칭기(13)를 제어함으로써 대략적인 임피던스 매칭을 수행하고, 이차적으로 상기 RF 신호의 주파수를 변경함으로써 정밀한 임피던스 매칭을 수행할 수 있다. 임피던스 매칭기(13)의 제어와 RF 전원(11)의 제어는 동시에 수행될 수 있으나, 실시예에 따라 상기 임피던스 매칭기(13)의 제어가 먼저 수행되고 그 다음으로 RF 전원(11)의 제어가 수행될 수도 있으며, 반대로 RF 전원(11)의 제어가 먼저 수행되고 그 다음으로 임피던스 매칭기(13)의 제어가 수행될 수도 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the controller 14 may perform rough impedance matching by first controlling the impedance matcher 13 and secondarily performing impedance matching by changing the frequency of the RF signal. . The control of the impedance matcher 13 and the control of the RF power supply 11 may be performed simultaneously, but according to the embodiment, the control of the impedance matcher 13 is performed first and then the control of the RF power supply 11. The control of the RF power supply 11 may be performed first, and then the control of the impedance matcher 13 may be performed.

본 발명의 일 실시에에 따르면, 상기 제어기(14)는 상기 두 임피던스의 차이를 기설정된 임계치와 비교하고, 상기 두 임피던스의 차이가 상기 임계치보다 작으면, 상기 RF 신호의 주파수만을 변경하여 임피던스를 매칭시킬 수 있다. 다시 말해, 측정된 플라즈마 챔버(12)의 임피던스와 목표 임피던스 간의 차이가 소정의 임계치보다 작으면, 상기 제어기(14)는 임피던스 매칭기(13)를 배제하고 RF 전원(11)만을 제어함으로써 임피던스 매칭을 수행할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the controller 14 compares the difference between the two impedances with a preset threshold, and if the difference between the two impedances is smaller than the threshold, changing the frequency of the RF signal to change the impedance. Can match. In other words, if the difference between the measured impedance of the plasma chamber 12 and the target impedance is smaller than a predetermined threshold, the controller 14 excludes the impedance matcher 13 and controls only the RF power supply 11 to match the impedance. Can be performed.

임피던스 매칭기(13)를 이용하는 경우, 조절 가능한 임피던스의 범위는 비교적 크지만, 기계적인 수단의 구동 시간이나 스위치의 스위칭 시간으로 인해 임피던스 매칭에 걸리는 시간은 소정의 한계치 이하로 단축되기 어렵다. 반면, RF 신호의 주파수 변경으로 조절 가능한 임피던스의 범위는 비교적 작으나, 임피던스 매칭기(13)를 이용하는 것보다 더욱 신속하고 정밀한 제어가 가능하다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 측정된 임피던스와 목표 임피던스 간의 차이가 소정의 임계치 미만인 경우, 상기 제어기(14)는 RF 신호의 주파수만을 변경하여 임피던스를 신속하고 정확하게 매칭시킬 수 있다. In the case of using the impedance matcher 13, the range of the adjustable impedance is relatively large, but the time required for impedance matching due to the driving time of the mechanical means or the switching time of the switch is hardly shortened below a predetermined limit. On the other hand, although the range of impedance that can be adjusted by changing the frequency of the RF signal is relatively small, more rapid and precise control is possible than using the impedance matcher 13. Therefore, according to an embodiment of the present invention, when the difference between the measured impedance and the target impedance is less than a predetermined threshold, the controller 14 may change only the frequency of the RF signal to quickly and accurately match the impedance.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 플라즈마 처리 장치(100)는 플라즈마 챔버(12)로부터 반사되는 반사 신호를 감지하는 감지기(15)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 감지기(15)는 상기 RF 전원(11)의 출력단에 연결되어, 상기 RF 신호의 전압 및 전류를 검출하는 VI 센서를 포함할 수 있다. 상기 VI 센서가 검출한 전압 및 전류의 크기를 기반으로, 상기 제어기(14)는 RF 신호 중 플라즈마 챔버(12)에 전달되지 않고 반사되어 되돌아오는 반사 신호를 측정할 수 있다. 그리고, 상기 제어기(14)는 상기 반사 신호를 이용하여 상기 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 측정할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the plasma processing apparatus 100 may further include a detector 15 for detecting a reflected signal reflected from the plasma chamber 12. According to an embodiment, the detector 15 may include a VI sensor connected to an output terminal of the RF power source 11 and detecting a voltage and a current of the RF signal. Based on the magnitude of the voltage and current detected by the VI sensor, the controller 14 may measure a reflected signal that is reflected back without being transmitted to the plasma chamber 12 of the RF signal. In addition, the controller 14 may measure the impedance of the plasma chamber 12 using the reflected signal.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법(200)을 설명하는 흐름도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 임피던스 매칭 방법(200)은 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 측정하는 단계(S21) 및 측정된 임피던스를 기반으로, 상기 플라즈마 챔버(12)에 연결된 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절하고, 상기 플라즈마 챔버(12)에 인가되는 RF 신호의 주파수를 변경하여, 상기 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 매칭시키는 단계(S22)를 포함할 수 있다.6 is a flowchart illustrating an impedance matching method 200 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the impedance matching method 200 includes measuring an impedance of the plasma chamber 12 (S21) and an impedance matcher connected to the plasma chamber 12 based on the measured impedance. The method may include adjusting the impedance of the plasma chamber 12 and changing the frequency of the RF signal applied to the plasma chamber 12 to match the impedance of the plasma chamber 12 (S22).

일 실시예에 따르면, 상기 임피던스를 측정하는 단계(S21)는, 상기 플라즈마 챔버(12)로부터 반사되어 되돌아오는 반사 신호를 감지하는 단계, 및 상기 반사 신호를 이용하여 임피던스를 측정하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the step of measuring the impedance (S21) may include detecting a reflected signal reflected back from the plasma chamber 12, and measuring the impedance using the reflected signal Can be.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법(200)을 설명하는 흐름도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 임피던스를 매칭시키는 단계(S22)는, 측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하는 단계(S221), 및 두 임피던스의 차이를 보상하도록 상기 임피던스 매칭기(13) 및 상기 RF 전원(11)을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.7 is a flowchart illustrating an impedance matching method 200 according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, according to another embodiment of the present disclosure, the matching of the impedance (S22) may include comparing the measured impedance with the target impedance (S221), and compensating for the difference between the two impedances. And controlling the impedance matcher 13 and the RF power source 11.

상기 제어하는 단계는, 두 임피던스의 차이를 줄이도록 상기 임피던스 매칭기(13)의 임피던스를 조절하는 단계(S222), 및 상기 두 임피던스를 일치시키도록 상기 RF 신호의 주파수를 변경하는 단계(S223)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 임피던스의 조절 및 상기 주파수의 변경은 동시에 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 둘 중 어느 하나가 먼저 수행되고 나머지 하나가 그 다음으로 수행될 수도 있다.The controlling may include adjusting the impedance of the impedance matcher 13 to reduce the difference between the two impedances (S222), and changing the frequency of the RF signal to match the two impedances (S223). It may include. According to an embodiment, the adjustment of the impedance and the change of the frequency may be performed at the same time, but the present invention is not limited thereto, and either one may be performed first and the other may be performed next.

일 실시예에 따르면, 상기 임피던스 매칭 방법(200)은, 상기 단계(S223) 후에, 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 다시 측정하고, 임피던스 매칭을 위한 단계(S221), 단계(S222) 및 단계(S223)를 반복하여 수행할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법(200)은 플라즈마 처리 장치(100)의 동작 도중 지속적으로 수행될 수 있다.According to one embodiment, the impedance matching method 200, after the step (S223), to measure the impedance of the plasma chamber 12 again, and for the impedance matching step (S221), step (S222) and step ( S223) may be repeated. In other words, the impedance matching method 200 according to an embodiment of the present invention may be continuously performed during the operation of the plasma processing apparatus 100.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법(200)을 설명하는 흐름도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제어하는 단계는, 상기 측정된 임피던스와 목표 임피던스의 차이를 계산하는 단계(S2211), 두 임피던스의 차이를 기설정된 임계치와 비교하는 단계(S2212), 상기 두 임피던스의 차이가 상기 임계치보다 작으면, 상기 RF 신호의 주파수만을 변경하여 임피던스를 매칭시키는 단계(S223)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 이 실시예에 따르면, 두 임피던스의 차이가 임계치 이상이면, 전술한 바와 같이 임피던스 매칭기(13)와 RF 전원(11) 둘 모두를 제어하여 임피던스를 매칭시키지만, 상기 두 임피던스의 차이가 임계치 미만이면, RF 전원(11)만을 제어하여 신속하게 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.8 is a flowchart illustrating an impedance matching method 200 according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, according to another embodiment of the present disclosure, the controlling may include calculating a difference between the measured impedance and the target impedance (S2211), and comparing the difference between the two impedances with a preset threshold. Comparing (S2212), if the difference between the two impedances is less than the threshold, it may include the step of matching the impedance by changing only the frequency of the RF signal (S223). In other words, according to this embodiment, if the difference between the two impedances is greater than or equal to the threshold, as described above, both the impedance matcher 13 and the RF power supply 11 are controlled to match the impedances, but the difference between the two impedances If it is less than the threshold value, only the RF power source 11 can be controlled to quickly perform impedance matching.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 임피던스 매칭 방법(200)은 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있다. 상기 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 저장 장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있다.The impedance matching method 200 according to an embodiment of the present invention described above may be manufactured as a program for execution in a computer and stored in a computer-readable recording medium. The computer readable recording medium includes all kinds of storage devices for storing data that can be read by a computer system. Examples of computer-readable recording media include ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disk, optical data storage device, and the like.

이상, 플라즈마 챔버에 연결된 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절함과 함께 플라즈마 챔버로 인가되는 RF 신호의 주파수를 변경하여 임피던스를 매칭시키는 플라즈마 처리 장치 및 그 임피던스 매칭 방법을 설명하였다. 전술한 플라즈마 처리 장치 및 그 임피던스 매칭 방법에 따르면, 임피던스 매칭기만을 사용하는 것보다 신속하고 정밀하게 임피던스 매칭 작업을 수행할 수 있다.In the above, the plasma processing apparatus and the impedance matching method of matching the impedance by changing the frequency of the RF signal applied to the plasma chamber while controlling the impedance of the impedance matcher connected to the plasma chamber has been described. According to the plasma processing apparatus and the impedance matching method described above, the impedance matching operation can be performed more quickly and precisely than using only the impedance matcher.

100: 플라즈마 처리 장치 11: RF 전원
12: 플라즈마 챔버 13: 임피던스 매칭기
14: 제어기 15: 감지기100: plasma processing apparatus 11: RF power
12: plasma chamber 13: impedance matcher
14: controller 15: detector

Claims (3)

RF 신호를 제공하는 RF 전원;
상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 매칭시키는 임피던스 매칭기; 및
상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 매칭되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함하며,
상기 제어기는, 일차적으로 상기 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하고, 이차적으로 상기 RF 신호의 주파수를 변경하고,
상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 측정하고, 측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하여 임피던스의 차이값을 도출하고, 이를 기설정된 임계치와 비교하여 기설정된 임계치보다 차이값이 크면 임피던스 매칭기의 임피던스를 변경하고, 기설정된 임계치보다 차이값이 작으면 상기 RF 신호의 주파수만을 변경하여 두 임피던스의 차이를 보상하도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하며,
상기 제어기는:
기설정된 임계치와 비교하여 기설정된 임계치보다 차이값이 크면 상기 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하여 상기 두 임피던스의 차이를 줄이고, 그 뒤에 상기 RF 신호의 주파수를 변경하여 상기 두 임피던스를 일치시키는 플라즈마 처리 장치.An RF power supply providing an RF signal;
A plasma chamber generating a plasma using the RF signal;
An impedance matcher for matching impedance of the plasma chamber; And
A controller for controlling the impedance matcher and the RF power source to match the impedance of the plasma chamber,
The controller first adjusts the impedance of the impedance matcher, secondly changes the frequency of the RF signal,
Measuring the impedance of the plasma chamber, comparing the measured impedance with a target impedance to derive a difference value of the impedance, and comparing this with a preset threshold, if the difference is greater than the preset threshold, changing the impedance of the impedance matcher, When the difference value is smaller than a preset threshold, the impedance matcher and the RF power supply are controlled to change only the frequency of the RF signal to compensate for the difference between the two impedances.
The controller is:
If the difference is greater than a predetermined threshold compared to a predetermined threshold, the plasma processing apparatus adjusts the impedance of the impedance matcher to reduce the difference between the two impedances, and then changes the frequency of the RF signal to match the two impedances. . 제 1항에 있어서,
상기 플라즈마 처리 장치는, 상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호를 감지하는 감지기를 더 포함하고,
상기 제어기는, 상기 반사 신호를 이용하여 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 측정하는 플라즈마 처리 장치.The method of claim 1,
The plasma processing apparatus further includes a detector for detecting a reflected signal reflected from the plasma chamber,
And the controller measures the impedance of the plasma chamber using the reflected signal. 플라즈마 챔버의 임피던스를 측정하는 단계; 및
측정된 임피던스를 기반으로, 상기 플라즈마 챔버에 연결된 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하고, 상기 플라즈마 챔버에 인가되는 RF 신호의 주파수를 변경하여, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 매칭시키는 단계;를 포함하고,
상기 임피던스를 매칭시키는 단계는:
측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하여 임피던스의 차이값을 도출하는 단계;
상기 차이값을 기설정된 임계치와 비교하는 단계;
상기 차이값이 상기 기설정된 임계치와 비교하여 기설정된 임계치보다 차이값이 크면 임피던스 매칭기의 임피던스를 변경하는 단계;
상기 차이값이 상기 기설정된 임계치와 비교하여 기설정된 임계치보다 차이값이 작으면 상기 RF 신호의 주파수만을 변경하여 두 임피던스의 차이를 보상하도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 신호를 생성하는 RF 전원을 제어하는 단계;를 포함하고,
상기 제어하는 단계는:
상기 차이값이 상기 기설정된 임계치와 비교하여 기설정된 임계치보다 차이값이 크면 상기 두 임피던스의 차이를 줄이도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스를 조절하는 단계; 및
상기 두 임피던스를 일치시키도록 상기 RF 신호의 주파수를 변경하는 단계;를 포함하는 임피던스 매칭 방법.
Measuring an impedance of the plasma chamber; And
And adjusting the impedance of the impedance matcher connected to the plasma chamber based on the measured impedance and changing the frequency of the RF signal applied to the plasma chamber to match the impedance of the plasma chamber.
Matching the impedance includes:
Comparing the measured impedance with the target impedance to derive a difference value of the impedance;
Comparing the difference with a preset threshold;
Changing an impedance of an impedance matcher when the difference is greater than the preset threshold compared with the preset threshold;
If the difference value is smaller than the predetermined threshold value compared to the predetermined threshold value control the RF power supply for generating the impedance matcher and the RF signal to change only the frequency of the RF signal to compensate for the difference between the two impedances Comprising;
The controlling step is:
Adjusting the impedance of the impedance matcher to reduce the difference between the two impedances when the difference is greater than the preset threshold compared to the preset threshold; And
Changing the frequency of the RF signal to match the two impedances.
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