KR20200010072A - Polishing apparatus and polishing method for polishing a periphery of a substrate - Google Patents

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마사유키 나카니시
겐지 고데라
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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

Provided is a polishing apparatus capable of accurately detecting a polishing endpoint of a periphery of a substrate, such as a wafer. The polishing apparatus includes a polishing head (34) configured to press a polishing tool (42) against the periphery of the substrate W on a substrate holding surface (37). The polishing head (34) includes a pressing member (44) configured to press the polishing tool (42) against the periphery of the substrate W, and a shear-force detection sensor (70) configured to detect a shear force F acting on the pressing member (44) due to a frictional resistance between the polishing tool (42) and the periphery of the substrate W. The shear-force detection sensor (70) is also configured to output an index value indicating a magnitude of the shear force F. An operation controller (80) has a memory (110) storing a program configured to determine a polishing endpoint at which the index value reaches a threshold value, and a processor (120) configured to execute the program.

Description

기판의 주연부를 연마하기 위한 연마 장치 및 연마 방법{POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD FOR POLISHING A PERIPHERY OF A SUBSTRATE}Polishing apparatus and polishing method for polishing the periphery of the substrate {POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD FOR POLISHING A PERIPHERY OF A SUBSTRATE}

본 발명은, 웨이퍼 등의 기판의 주연부를 연마하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 기판의 주연부의 연마 종점을 검출하는 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and method for polishing a peripheral edge of a substrate such as a wafer, and more particularly to a technique for detecting the polishing endpoint of the peripheral edge of a substrate.

반도체 디바이스 제조의 과정에 있어서, 웨이퍼의 주연부에는 여러가지 막이 형성된다. 이들 막은, 파티클의 원인이 될 수 있으므로, 막을 주연부로부터 제거할 필요가 있다. 그래서, 연마 테이프 등의 연마구를 구비한 연마 장치를 사용하여, 웨이퍼 주연부를 연마하고, 해당 주연부로부터 막을 제거한다. 이 연마 장치는, 웨이퍼를 그 축심을 중심으로 회전시키면서, 연마구를 웨이퍼의 주연부에 가압함으로써, 해당 주연부를 연마하도록 구성된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various films are formed on the periphery of the wafer. Since these films can cause particles, it is necessary to remove the films from the periphery. Thus, using a polishing apparatus having a polishing tool such as a polishing tape, the peripheral edge of the wafer is polished to remove the film from the peripheral edge. This polishing apparatus is configured to polish the peripheral edge by pressing the polishing tool to the peripheral edge of the wafer while rotating the wafer about its axis.

웨이퍼의 주연부의 연마는, 주연부로부터 막이 제거된 때에 종료된다. 그러나, 주연부로부터 막이 제거된 시점을 정확하게 검출하는 것은 실용상 어렵다. 그래서, 종래의 기술에서는, 웨이퍼의 주연부의 연마는, 미리 설정된 시간이 경과한 시점에서 종료된다. 연마된 주연부 상에 막의 잔사가 있는 경우에는, 추가 연마가 행하여진다.Polishing of the peripheral edge of the wafer ends when the film is removed from the peripheral edge. However, it is practically difficult to accurately detect the time point at which the film is removed from the periphery. Therefore, in the related art, polishing of the peripheral edge of the wafer is terminated when a predetermined time elapses. If there is a residue of the film on the polished periphery, further polishing is performed.

일본 특허 공개 제2004-241434호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-241434

그러나, 웨이퍼의 주연부로부터 막을 제거하는데 필요한 시간은, 막 및 연마구의 상태, 웨이퍼가 연마되는 장소, 그 밖의 요인에 의해 바뀔 수 있다. 이 때문에, 미리 설정된 시간이 경과한 시점에서는, 아직 막이 웨이퍼 상에 남아 있는 경우가 있다. 이러한 연마 부족을 방지하기 위하여 연마 시간을 길게 하면, 웨이퍼 1장당의 연마에 사용되는 소모품의 비용이 상승한다. 또한, 연마 시간을 길게 하면, 웨이퍼의 주연부가 과연마되는 경우도 있을 수 있다.However, the time required to remove the film from the periphery of the wafer may vary depending on the state of the film and the polishing tool, the place where the wafer is polished, and other factors. For this reason, the film may still remain on the wafer when the preset time has elapsed. In order to prevent such a lack of polishing, lengthening the polishing time increases the cost of the consumables used for polishing per wafer. In addition, if the polishing time is extended, the peripheral edge of the wafer may be over-polishing.

그래서, 본 발명은, 웨이퍼 등의 기판의 주연부의 연마 종점을 정확하게 검출할 수 있는 연마 장치 및 연마 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the grinding | polishing apparatus and the grinding | polishing method which can detect the grinding | polishing end point of the peripheral part of board | substrates, such as a wafer, correctly.

일 양태에서는, 기판의 주연부를 연마하기 위한 연마 장치이며, 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖고, 해당 기판 보유 지지면을 회전시키는 기판 보유 지지부와, 연마구를 상기 기판 보유 지지면 상의 상기 기판의 주연부에 압박하는 연마 헤드와, 상기 기판 보유 지지부 및 상기 연마 헤드의 동작을 제어하는 동작 제어부를 구비하고, 상기 연마 헤드는, 상기 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하는 압박 부재와, 상기 연마구와 상기 기판의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 상기 압박 부재에 작용하는 전단력을 검출하는 전단력 검출 센서를 구비하고, 상기 전단력 검출 센서는, 상기 전단력의 크기를 나타내는 지표값을 출력하도록 구성되고, 상기 동작 제어부는, 상기 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정하기 위한 프로그램을 기억한 기억 장치와, 상기 프로그램을 실행하기 위한 처리 장치를 구비하고 있는, 연마 장치가 제공된다.In one aspect, there is provided a polishing apparatus for polishing a periphery of a substrate, the substrate holding surface holding a substrate, the substrate holding portion for rotating the substrate holding surface, and the polishing tool on the substrate holding surface. A polishing head pressed against the periphery of the substrate, an operation control section for controlling operations of the substrate holding portion and the polishing head, the polishing head comprising: a pressing member for pressing the polishing tool to the periphery of the substrate; A shear force detection sensor for detecting a shear force acting on the pressing member due to the frictional resistance of the polishing tool and the peripheral portion of the substrate, wherein the shear force detection sensor is configured to output an index value indicating the magnitude of the shear force, The operation control unit writes a program for determining the polishing end point at which the index value reaches the threshold. That is provided with a processing device for executing a storage device and the program, there is provided a polishing apparatus.

일 양태에서는, 상기 전단력 검출 센서는, 카본 마이크로코일을 갖는 센서 소자를 구비한 촉각 센서이고, 상기 센서 소자는 상기 압박 부재에 고정되어 있다.In one aspect, the shear force detection sensor is a tactile sensor provided with a sensor element having carbon microcoils, and the sensor element is fixed to the pressing member.

일 양태에서는, 상기 센서 소자는, 탄성 수지 블록을 더 갖고 있고, 상기 카본 마이크로코일은 상기 탄성 수지 블록 내에 배치되어 있다.In one aspect, the sensor element further has an elastic resin block, and the carbon microcoil is disposed in the elastic resin block.

일 양태에서는, 상기 연마 헤드는, 상기 연마구의 이측을 지지하고, 상기 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하는 연마구 압박면을 갖고, 상기 연마구 압박면의 적어도 일부는, 상기 센서 소자로 구성되어 있다.In one aspect, the polishing head has a polishing tool pressing surface that supports the back side of the polishing tool and presses the polishing tool to the periphery of the substrate, and at least a part of the polishing tool pressing surface is constituted by the sensor element. It is.

일 양태에서는, 상기 전단력 검출 센서는, 상기 압박 부재의 이측에 연결된 로드 셀이다.In one aspect, the shear force detection sensor is a load cell connected to the back side of the pressing member.

일 양태에서는, 기판의 주연부를 연마하기 위한 연마 방법이며, 기판을 기판지지면 상에 보유 지지하고, 상기 기판 보유 지지면을 상기 기판과 함께 회전시켜, 연마 헤드의 압박 부재로 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하여 해당 주연부를 연마하고, 상기 기판의 주연부의 연마 중에, 상기 연마구와 상기 기판의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 상기 압박 부재에 작용하는 전단력을 전단력 검출 센서에서 검출하고, 상기 전단력의 크기를 나타내는 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정하고, 상기 연마 종점에 기초하여, 상기 기판의 주연부 연마를 종료하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법이 제공된다.In one aspect, there is provided a polishing method for polishing a periphery of a substrate, the substrate being held on a substrate support surface, the substrate holding surface being rotated together with the substrate, and the polishing tool as a pressing member of the polishing head. A shear force acting on the pressing member due to the frictional resistance of the polishing tool and the peripheral portion of the substrate during the polishing of the peripheral portion of the substrate by pressing on the peripheral edge of the substrate is detected by a shear force sensor, A polishing method is provided, characterized in that the polishing endpoint is determined at which point an indicator value indicating magnitude reaches a threshold value, and the polishing of the peripheral edge of the substrate is terminated based on the polishing endpoint.

일 양태에서는, 상기 전단력 검출 센서는, 카본 마이크로코일을 갖는 센서 소자를 구비한 촉각 센서이고, 상기 센서 소자는 상기 압박 부재에 고정되어 있다.In one aspect, the shear force detection sensor is a tactile sensor provided with a sensor element having carbon microcoils, and the sensor element is fixed to the pressing member.

일 양태에서는, 상기 센서 소자는, 탄성 수지 블록을 더 갖고 있고, 상기 카본 마이크로코일은 상기 탄성 수지 블록 내에 배치되어 있다.In one aspect, the sensor element further has an elastic resin block, and the carbon microcoil is disposed in the elastic resin block.

일 양태에서는, 상기 연마 헤드는, 상기 연마구의 이측을 지지하고, 상기 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하는 연마구 압박면을 갖고, 상기 연마구 압박면의 적어도 일부는, 상기 센서 소자로 구성되어 있다.In one aspect, the polishing head has a polishing tool pressing surface that supports the back side of the polishing tool and presses the polishing tool to the periphery of the substrate, and at least a part of the polishing tool pressing surface is constituted by the sensor element. It is.

일 양태에서는, 상기 전단력 검출 센서는, 상기 압박 부재의 이측에 연결된 로드 셀이다.In one aspect, the shear force detection sensor is a load cell connected to the back side of the pressing member.

기판의 주연부 상의 막이 연마구에 의해 제거되면, 하지층이 노출된다. 막과 연마구의 마찰 저항은, 하지층과 연마구의 마찰 저항과는 상이하다. 마찰 저항은, 압박 부재에 전단력으로서 작용한다. 기판의 연마 결과로서 하지층이 노출되면, 전단력이 변화한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 전단력의 변화에 기초하여 연마 종점을 정확하게 검출할 수 있다.When the film on the periphery of the substrate is removed by the polishing tool, the underlying layer is exposed. The frictional resistance of the film and the polishing tool is different from the frictional resistance of the underlying layer and the polishing tool. The frictional resistance acts as a shear force on the pressing member. When the underlying layer is exposed as a result of polishing the substrate, the shear force changes. Therefore, according to the present invention, the polishing endpoint can be accurately detected based on the change in the shear force.

도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는, 기판의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다.
도 2는, 기판의 일례인 웨이퍼의 주연부를 연마하기 위한 연마 장치를 도시하는 모식도이다.
도 3은, 도 2에 도시하는 연마 장치의 상면도이다.
도 4는, 연마 헤드가 상하로 틸팅하는 모습을 설명하는 도면이다.
도 5는, 도 2에 도시하는 연마 헤드의 확대도이다.
도 6은, 도 5에 도시하는 전단력 검출 센서를 도시하는 사시도이다.
도 7은, 전단력 검출 센서의 다른 실시 형태를 도시하는 사시도이다.
도 8은, 전단력의 지표값이 주기적으로 변동하는 모습을 나타내는 그래프이다.
도 9는, 동작 제어부의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 10은, 최적의 연마 레시피의 설정에 사용할 수 있는 컴퓨팅 시스템의 모식도이다.1 (a) and 1 (b) are enlarged cross-sectional views showing the periphery of the substrate.
2 is a schematic view showing a polishing apparatus for polishing a peripheral portion of a wafer which is an example of a substrate.
3 is a top view of the polishing apparatus shown in FIG. 2.
4 is a view for explaining how the polishing head tilts up and down.
FIG. 5 is an enlarged view of the polishing head shown in FIG. 2.
FIG. 6 is a perspective view illustrating the shear force detection sensor shown in FIG. 5.
7 is a perspective view showing another embodiment of the shear force detection sensor.
8 is a graph showing how the index value of the shear force periodically fluctuates.
9 is a schematic diagram showing the configuration of an operation control unit.
10 is a schematic diagram of a computing system that can be used to set an optimum polishing recipe.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

도 1의 (a) 및 도 1의 (b)는, 기판의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다. 보다 상세하게는, 도 1의 (a)는 소위 스트레이트형의 기판의 단면도이고, 도 1의 (b)는 소위 라운드형의 기판의 단면도이다. 기판의 예로서는, 웨이퍼를 들 수 있다. 기판의 주연부는, 베벨부, 톱 에지부 및 보텀 에지부를 포함하는 영역으로서 정의된다. 도 1의 (a)의 웨이퍼 W에 있어서, 베벨부는, 상측 경사부(상측 베벨부) P, 하측 경사부(하측 베벨부) Q 및 측부(에이펙스) R로 구성되는 웨이퍼 W의 최외주면(부호 S로 나타냄)이다. 도 1의 (b)의 웨이퍼 W에 있어서는, 베벨부는, 웨이퍼 W의 최외주면을 구성하는, 만곡된 단면을 갖는 부분(부호 S로 나타냄)이다. 톱 에지부는, 베벨부 S보다도 반경 방향 내측에 위치하는 환상의 평탄부 T1이다. 보텀 에지부는, 톱 에지부와는 반대측에 위치하고, 베벨부 S보다도 반경 방향 내측에 위치하는 환상의 평탄부 T2이다. 톱 에지부 T1 및 보텀 에지부 T2는, 베벨부 S에 접속되어 있다. 톱 에지부 T1은, 디바이스가 형성된 영역을 포함하는 경우도 있다.1 (a) and 1 (b) are enlarged cross-sectional views showing the periphery of the substrate. More specifically, FIG. 1A is a cross-sectional view of a so-called straight substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view of a so-called round substrate. As an example of a board | substrate, a wafer is mentioned. The peripheral part of a board | substrate is defined as an area | region containing a bevel part, a top edge part, and a bottom edge part. In the wafer W of Fig.1 (a), the bevel portion is the outermost peripheral surface (symbol) of the wafer W composed of an upper inclined portion (upper bevel portion) P, a lower inclined portion (lower bevel portion) Q, and a side portion (apex) R. Represented by S). In the wafer W of FIG.1 (b), the bevel part is a part (it is shown with the symbol S) which has the curved cross section which comprises the outermost peripheral surface of the wafer W. As shown in FIG. The top edge part is an annular flat part T1 located radially inward from the bevel part S. FIG. The bottom edge portion is an annular flat portion T2 located on the side opposite to the top edge portion and located radially inward from the bevel portion S. FIG. Top edge part T1 and bottom edge part T2 are connected to bevel part S. FIG. The top edge part T1 may include the area | region in which the device was formed.

도 2는, 기판의 일례인 웨이퍼의 주연부를 연마하기 위한 연마 장치를 도시하는 모식도이다. 이 연마 장치는, 기판의 일례인 웨이퍼 W를 보유 지지하여 회전시키는 기판 보유 지지부(32)와, 기판 보유 지지부(32)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼 W의 주연부에 연마구로서의 연마 테이프(42)를 압박하는 연마 헤드(34)를 구비하고 있다. 기판 보유 지지부(32)는, 웨이퍼 W를 진공 흡착에 의해 보유 지지하는 기판 보유 지지면(37)과, 기판 보유 지지면(37)을 회전시키는 스테이지 모터(39)와, 기판 보유 지지면(37) 및 스테이지 모터(39)를 평행 이동시키는 XY 이동 장치(38)를 구비하고 있다. XY 이동 장치(38)는, 기판 보유 지지면(37) 및 스테이지 모터(39)를 X 방향으로 이동시키는 볼 나사 기구 및 서보 모터의 조합(도시하지 않음)과, 기판 보유 지지면(37) 및 스테이지 모터(39)를 X 방향과 수직인 Y 방향으로 이동시키는 볼 나사 기구 및 서보 모터의 조합(도시하지 않음)을 구비하고 있다. X 방향 및 Y 방향은, 기판 보유 지지면(37)과 평행하다.2 is a schematic view showing a polishing apparatus for polishing a peripheral portion of a wafer which is an example of a substrate. This polishing apparatus includes a substrate holding portion 32 for holding and rotating a wafer W as an example of a substrate, and a polishing tape 42 as an abrasive tool at the periphery of the wafer W held at the substrate holding portion 32. The polishing head 34 which presses is provided. The substrate holding portion 32 includes a substrate holding surface 37 for holding the wafer W by vacuum suction, a stage motor 39 for rotating the substrate holding surface 37, and a substrate holding surface 37. ) And an XY moving device 38 for moving the stage motor 39 in parallel. The XY moving device 38 includes a combination (not shown) of a ball screw mechanism and a servo motor for moving the substrate holding surface 37 and the stage motor 39 in the X direction, the substrate holding surface 37 and A combination (not shown) of a ball screw mechanism and a servo motor for moving the stage motor 39 in the Y direction perpendicular to the X direction is provided. The X direction and the Y direction are parallel to the substrate holding surface 37.

웨이퍼 W는 그 이면이 하향의 상태에서, 도시하지 않은 반송 장치에 의해 기판 보유 지지면(37) 상에 적재된다. 기판 보유 지지면(37)에는 홈(37a)이 형성되어 있고, 이 홈(37a)은 진공 라인(40)에 연통하고 있다. 진공 라인(40)은 도시하지 않은 진공원(예를 들어 진공 펌프)에 접속되어 있다. 진공 라인(40)을 통하여 기판 보유 지지면(37)의 홈(37a)에 진공이 형성되면, 웨이퍼 W는 진공 흡인에 의해 기판 보유 지지면(37) 상에 보유 지지된다. 이 상태에서 스테이지 모터(39)는 기판 보유 지지면(37)을 회전시켜, 웨이퍼 W를 그 축선을 중심으로 회전시킨다. 기판 보유 지지면(37)의 직경은 웨이퍼 W의 직경보다도 작고, 웨이퍼 W의 이면의 중심측 영역은 기판 보유 지지면(37)에 의해 보유 지지된다. 웨이퍼 W의 주연부의 전체는, 기판 보유 지지면(37)으로부터 외측으로 비어져 나오고 있다.The wafer W is stacked on the substrate holding surface 37 by a conveying device (not shown) in a state where the back surface thereof is downward. A groove 37a is formed in the substrate holding surface 37, and the groove 37a communicates with the vacuum line 40. The vacuum line 40 is connected to the vacuum source (for example, a vacuum pump) which is not shown in figure. When a vacuum is formed in the groove 37a of the substrate holding surface 37 via the vacuum line 40, the wafer W is held on the substrate holding surface 37 by vacuum suction. In this state, the stage motor 39 rotates the substrate holding surface 37 to rotate the wafer W about its axis. The diameter of the substrate holding surface 37 is smaller than the diameter of the wafer W, and the center side region of the back surface of the wafer W is held by the substrate holding surface 37. The entire periphery of the wafer W is projected outward from the substrate holding surface 37.

연마 헤드(34)는, 기판 보유 지지면(37)에 인접하여 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 연마 헤드(34)는, 기판 보유 지지면(37) 상의 웨이퍼 W의 주연부에 대향하여 배치되어 있다. 연마 헤드(34)는, 연마구로서의 연마 테이프(42)를 지지하는 복수의 가이드 롤러(43)와, 연마 테이프(42)를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하는 압박 부재(예를 들어, 압박 패드)(44)와, 압박 부재(44)에 압박력을 부여하는 액추에이터로서의 에어 실린더(45)를 구비하고 있다.The polishing head 34 is disposed adjacent to the substrate holding surface 37. More specifically, the polishing head 34 is disposed to face the periphery of the wafer W on the substrate holding surface 37. The polishing head 34 includes a plurality of guide rollers 43 for supporting the polishing tape 42 as a polishing tool, and a pressing member (for example, a pressing pad) for pressing the polishing tape 42 to the periphery of the wafer W. 44 and an air cylinder 45 as an actuator for applying a pressing force to the pressing member 44 are provided.

에어 실린더(45)는, 압박 부재(44)에 연결되어 있고, 압박 부재(44)를 기판 보유 지지면(37)을 향하여 이동시키도록 구성되어 있다. 에어 실린더(45)는 압박 부재(44)에 압박력을 부여하고, 이에 의해 압박 부재(44)는, 연마 테이프(42)를 웨이퍼 W의 주연부에 압박한다. 또한, 연마구로서, 연마 테이프(42) 대신에 지석을 사용해도 된다.The air cylinder 45 is connected to the pressing member 44, and is configured to move the pressing member 44 toward the substrate holding surface 37. The air cylinder 45 exerts a pressing force on the pressing member 44, whereby the pressing member 44 presses the polishing tape 42 on the periphery of the wafer W. As shown in FIG. As the polishing tool, a grindstone may be used instead of the polishing tape 42.

연마 헤드(34)에는, 연마 테이프(42)를 보내기 위한 테이프 이송 기구(50)가 마련되어 있다. 연마 테이프(42)의 일단은 권출 릴(51)에 접속되고, 타단은 권취 릴(52)에 접속되어 있다. 테이프 이송 기구(50)는, 연마 테이프(42)를 권출 릴(51)로부터 연마 헤드(34)를 경유하여 권취 릴(52)에 소정의 속도로 보내도록 구성되어 있다. 사용되는 연마 테이프(42)의 예로서는, 표면에 지립이 고정된 테이프 또는 경질의 부직포로 이루어지는 테이프 등을 들 수 있다.The polishing head 34 is provided with a tape feed mechanism 50 for feeding the polishing tape 42. One end of the polishing tape 42 is connected to the unwinding reel 51, and the other end is connected to the unwinding reel 52. The tape conveyance mechanism 50 is comprised so that the polishing tape 42 may be sent from the unwinding reel 51 to the winding reel 52 via the polishing head 34 at a predetermined speed. As an example of the abrasive tape 42 used, the tape in which an abrasive grain was fixed to the surface, or the tape which consists of a hard nonwoven fabric are mentioned.

기판 보유 지지면(37)에 보유 지지된 웨이퍼 W의 상방 및 하방에는, 웨이퍼 W에 순수를 공급하는 순수 공급 노즐(57, 58)이 배치되어 있다. 순수 공급 노즐(57)은, 기판 보유 지지면(37)의 중심의 상방에 배치되어 있다. 회전하는 웨이퍼 W의 상면에 공급된 순수는, 원심력에 의해 웨이퍼 W의 상면의 전체로 퍼져, 웨이퍼 W의 상면 전체를 덮는다. 따라서, 순수는, 웨이퍼 W의 주연부의 연마 중에 웨이퍼 W의 상면에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 순수 공급 노즐(58)은, 웨이퍼 W의 하면에 순수를 공급하고, 직경 방향 외측을 향하는 순수의 흐름을 형성한다. 순수 공급 노즐(57, 58)에는, 유량 제어 밸브(60, 61)가 각각 접속되어 있다. 이들 유량 제어 밸브(60, 61)는, 순수 공급 노즐(57, 58)을 흐르는 순수의 유량을 제어하도록 구성되어 있다.Above and below the wafer W held on the substrate holding surface 37, pure water supply nozzles 57, 58 for supplying pure water to the wafer W are disposed. The pure water supply nozzle 57 is disposed above the center of the substrate holding surface 37. The pure water supplied to the upper surface of the rotating wafer W spreads over the entire upper surface of the wafer W by centrifugal force and covers the entire upper surface of the wafer W. Therefore, pure water can prevent particles from adhering to the upper surface of the wafer W during polishing of the peripheral portion of the wafer W. The pure water supply nozzle 58 supplies pure water to the lower surface of the wafer W and forms a flow of pure water toward the radially outer side. Flow control valves 60 and 61 are connected to the pure water supply nozzles 57 and 58, respectively. These flow control valves 60 and 61 are configured to control the flow rate of the pure water flowing through the pure water supply nozzles 57 and 58.

도 3은, 도 2에 도시하는 연마 장치의 상면도이다. 연마 헤드(34)는, 크랭크 암(55)에 보유 지지되어 있다. 보다 구체적으로는, 크랭크 암(55)의 일단은 연마 헤드(34)에 고정되어 있고, 크랭크 암(55)의 타단은 서보 모터(56)에 연결되어 있다. 크랭크 암(55)은 전체로서 기판 보유 지지면(37)과 평행하다. 서보 모터(56)는, 크랭크 암(55)을 시계 방향 및 반시계 방향으로 소정의 각도만큼 교대로 회전시키면, 도 4에 도시하는 바와 같이, 연마 헤드(34)의 전체가 상하로 틸팅한다.3 is a top view of the polishing apparatus shown in FIG. 2. The polishing head 34 is held by the crank arm 55. More specifically, one end of the crank arm 55 is fixed to the polishing head 34, and the other end of the crank arm 55 is connected to the servo motor 56. The crank arm 55 is parallel to the substrate holding surface 37 as a whole. When the crank arm 55 rotates the crank arm 55 alternately by a predetermined angle clockwise and counterclockwise, as shown in FIG. 4, the whole of the grinding head 34 tilts up and down.

웨이퍼 W의 주연부는 다음과 같이 하여 연마된다. 기판 보유 지지면(37)에 보유 지지된 웨이퍼 W는, 그 축선을 중심으로 하여 스테이지 모터(39)에 의해 회전된다. 회전하는 웨이퍼 W의 상면 및 하면에 순수 공급 노즐(57, 58)로부터 순수가 공급된다. 연마 헤드(34)는 연마 테이프(42)를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하면서, 도 4에 도시한 바와 같이, 상하로 틸팅한다. 연마 테이프(42)는, 순수의 존재 하에서, 회전하는 웨이퍼 W의 주연부에 미끄럼 접촉하고, 이에 의해 주연부를 연마한다.The peripheral part of the wafer W is polished as follows. The wafer W held on the substrate holding surface 37 is rotated by the stage motor 39 about its axis. Pure water is supplied to the upper and lower surfaces of the rotating wafer W from the pure water supply nozzles 57 and 58. The polishing head 34 tilts up and down, as shown in FIG. 4, pressing the polishing tape 42 on the periphery of the wafer W. As shown in FIG. The polishing tape 42 is in sliding contact with the periphery of the rotating wafer W in the presence of pure water, thereby polishing the periphery.

도 5는 도 2에 도시하는 연마 헤드(34)의 확대도이다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 연마 헤드(34)는, 연마 테이프(42)의 연마면을 웨이퍼 W의 주연부에 압박하기 위한 압박 부재(44)와, 이 압박 부재(44)를 기판 보유 지지부(32)의 기판 보유 지지면(37)을 향하여(즉, 웨이퍼 W의 주연부를 향하여) 이동시키는 액추에이터로서의 에어 실린더(45)를 구비하고 있다. 압박 부재(44) 및 에어 실린더(45)는, 연마 테이프(42)의 이측에 배치되어 있다. 에어 실린더(45)에 공급하는 기체의 압력을 제어함으로써, 웨이퍼 W에 가하여지는 압박력(즉 연마 하중)이 조정된다.FIG. 5 is an enlarged view of the polishing head 34 shown in FIG. 2. As shown in FIG. 5, the polishing head 34 includes a pressing member 44 for pressing the polishing surface of the polishing tape 42 on the periphery of the wafer W, and the pressing member 44 with the substrate holding portion ( An air cylinder 45 as an actuator that moves toward the substrate holding surface 37 (that is, toward the periphery of the wafer W) 32 is provided. The pressing member 44 and the air cylinder 45 are arrange | positioned at the back side of the polishing tape 42. As shown in FIG. By controlling the pressure of the gas supplied to the air cylinder 45, the pressing force (ie, the polishing load) applied to the wafer W is adjusted.

연마 헤드(34)에는, 연마 테이프(42)를 그 길이 방향으로 보내는 테이프 이송 기구(50)가 설치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 테이프 이송 기구(50)는 연마 헤드(34)에 고정되어 있지만, 일 실시 형태에서는 테이프 이송 기구(50)는 연마 헤드(34)로부터 이격된 위치에 마련되어도 된다.The polishing head 34 is provided with a tape feed mechanism 50 for sending the polishing tape 42 in the longitudinal direction thereof. In the present embodiment, the tape feed mechanism 50 is fixed to the polishing head 34, but in one embodiment, the tape feed mechanism 50 may be provided at a position spaced apart from the polishing head 34.

테이프 이송 기구(50)는, 테이프 이송 롤러(50a)와, 닙 롤러(50b)와, 테이프 이송 롤러(50a)를 회전시키는 모터(50c)를 구비하고 있다. 모터(50c)는 연마 헤드(34)의 측면에 마련되고, 모터(50c)의 회전축에 테이프 이송 롤러(50a)가 설치되어 있다. 닙 롤러(50b)는 테이프 이송 롤러(50a)에 인접하여 배치되어 있다. 닙 롤러(50b)는, 도 5의 화살표 NF로 나타내는 방향(테이프 이송 롤러(50a)를 향하는 방향)으로 힘을 발생하도록 도시하지 않은 기구로 지지되어 있고, 테이프 이송 롤러(50a)를 압박하도록 구성되어 있다.The tape feed mechanism 50 is provided with the tape feed roller 50a, the nip roller 50b, and the motor 50c which rotates the tape feed roller 50a. The motor 50c is provided in the side surface of the polishing head 34, and the tape feed roller 50a is provided in the rotating shaft of the motor 50c. The nip roller 50b is arrange | positioned adjacent to the tape feed roller 50a. The nip roller 50b is supported by the mechanism which is not shown in order to generate | occur | produce a force in the direction shown by the arrow NF of FIG. 5 (direction to the tape feed roller 50a), and is comprised so that the tape feed roller 50a may be pressed. It is.

모터(50c)가 도 5에 도시하는 화살표 방향으로 회전하면, 테이프 이송 롤러(50a)가 회전하여 연마 테이프(42)를 권출 릴(51)로부터 연마 헤드(34)를 경유하여 권취 릴(52)로 보낸다. 닙 롤러(50b)는 그 자신의 축 주위로 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 웨이퍼 W의 연마 중, 테이프 이송 기구(50)는, 연마 테이프(42)를 그 길이 방향으로 소정의 속도(예를 들어, 1분당 몇 mm 내지 몇십 mm)로 보낸다. 연마 헤드(34)는 복수의 가이드 롤러(43)를 갖고 있다. 이들의 가이드 롤러(43)는, 웨이퍼 W의 접선 방향과 직교하는 방향으로 연마 테이프(42)가 진행하도록 연마 테이프(42)를 가이드한다.When the motor 50c rotates in the direction of the arrow shown in FIG. 5, the tape feed roller 50a rotates to wind the polishing tape 42 from the unwinding reel 51 via the polishing head 34. Send to. Nip roller 50b is configured to be able to rotate about its own axis. During polishing of the wafer W, the tape transfer mechanism 50 sends the polishing tape 42 in the longitudinal direction at a predetermined speed (for example, from several mm to several tens of mm per minute). The polishing head 34 has a plurality of guide rollers 43. These guide rollers 43 guide the polishing tape 42 so that the polishing tape 42 advances in a direction orthogonal to the tangential direction of the wafer W. As shown in FIG.

웨이퍼 W의 연마 중, 연마 테이프(42)와, 회전하는 웨이퍼 W의 주연부 사이에는 마찰 저항이 발생한다. 압박 부재(44)는 에어 실린더(45)에 보유 지지되어 있으므로, 이 마찰 저항은, 가로 방향의 전단력으로서 압박 부재(44)에 작용한다. 에어 실린더(45)가 압박 부재(44)에 부여하는 압박력이 일정할 때, 연마 테이프(42)와 웨이퍼 W의 주연부 사이의 마찰 저항은, 웨이퍼 W의 주연부의 표면을 구성하는 물질에 의해 바뀔 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 W의 주연부의 표면을 구성하는 산화막이 연마 테이프(42)에 의해 제거되어, 하지층인 실리콘층이 노출되면, 마찰 저항이 변화한다. 따라서, 산화막이 제거된 시점을 마찰 저항의 변화로부터 결정할 수 있다.During polishing of the wafer W, frictional resistance is generated between the polishing tape 42 and the periphery of the rotating wafer W. FIG. Since the pressing member 44 is held by the air cylinder 45, this frictional resistance acts on the pressing member 44 as a shear force in the lateral direction. When the pressing force applied by the air cylinder 45 to the pressing member 44 is constant, the frictional resistance between the polishing tape 42 and the peripheral edge of the wafer W may be changed by the material constituting the surface of the peripheral edge of the wafer W. have. For example, when the oxide film constituting the surface of the periphery of the wafer W is removed by the polishing tape 42 and the silicon layer serving as the underlying layer is exposed, the frictional resistance changes. Therefore, the time point at which the oxide film is removed can be determined from the change in the frictional resistance.

연마 헤드(34)는, 연마 테이프(42)와 웨이퍼 W의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 압박 부재(44)에 작용하는 전단력을 검출하는 전단력 검출 센서(70)를 구비하고 있다. 전단력 검출 센서(70)는, 카본 마이크로코일(CMC)을 갖는 센서 소자(71)를 구비한 촉각 센서이다. 보다 구체적으로는, 전단력 검출 센서(70)는, 압박 부재(44)의 전방측에 고정된 센서 소자(71)와, 센서 소자(71)에 전기적으로 접속된 전기 회로(72)를 구비하고 있다.The polishing head 34 includes a shear force detection sensor 70 that detects shear force acting on the pressing member 44 due to the frictional resistance of the polishing tape 42 and the peripheral portion of the wafer W. As shown in FIG. The shear force detection sensor 70 is a tactile sensor provided with a sensor element 71 having carbon microcoils (CMCs). More specifically, the shear force detection sensor 70 includes a sensor element 71 fixed to the front side of the pressing member 44 and an electric circuit 72 electrically connected to the sensor element 71. .

연마 헤드(34)는, 연마구인 연마 테이프(42)의 이측을 지지하고, 연마 테이프(42)를 웨이퍼 W의 주연부에 압박하는 연마구 압박면(46)을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 연마 테이프(42)의 이측은 센서 소자(71)에 의해 지지되어 있고, 연마 테이프(42)는 센서 소자(71)에 의해 웨이퍼 W의 주연부에 압박된다. 따라서, 연마구 압박면(46)의 전체는, 센서 소자(71)로 구성되어 있다. 일 실시 형태에서는, 연마구 압박면(46)의 일부가 센서 소자(71)로 구성되고, 다른 부분은 압박 부재(44)로 구성되어도 된다. 다른 실시 형태에서는, 센서 소자(71)는, 압박 부재(44) 내에 매설되어도 되고, 또는 압박 부재(44)의 이측에 고정되어도 된다. 이 경우에는, 연마구 압박면(46)은 압박 부재(44)로 구성된다.The polishing head 34 supports the back side of the polishing tape 42, which is a polishing tool, and has a polishing tool pressing surface 46 for pressing the polishing tape 42 to the periphery of the wafer W. As shown in FIG. In this embodiment, the back side of the polishing tape 42 is supported by the sensor element 71, and the polishing tape 42 is pressed against the periphery of the wafer W by the sensor element 71. Therefore, the whole grinding | polishing tool press surface 46 is comprised from the sensor element 71. As shown in FIG. In one embodiment, a part of the grinding | polishing tool press surface 46 may be comprised by the sensor element 71, and the other part may be comprised by the press member 44. As shown in FIG. In another embodiment, the sensor element 71 may be embedded in the pressing member 44 or may be fixed to the back side of the pressing member 44. In this case, the grinding | polishing tool press surface 46 is comprised by the press member 44. As shown in FIG.

도 6은, 도 5에 도시하는 전단력 검출 센서(70)를 도시하는 사시도이다. 센서 소자(71)는, 탄성 수지 블록(71a)을 갖고 있고, 카본 마이크로코일(도시하지 않음)은 탄성 수지 블록(71a) 내에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 카본 마이크로코일은 탄성 수지 블록(71a) 내에 균일하게 분산하고 있다. 일 실시 형태에서는, 탄성 수지 블록(71a)은, 실리콘 블록으로 구성되어 있다.FIG. 6 is a perspective view illustrating the shear force detection sensor 70 shown in FIG. 5. The sensor element 71 has the elastic resin block 71a, and the carbon microcoil (not shown) is arrange | positioned in the elastic resin block 71a. More specifically, the carbon microcoil is uniformly dispersed in the elastic resin block 71a. In one embodiment, the elastic resin block 71a is comprised from the silicon block.

웨이퍼 W의 연마 중, 연마 테이프(42)와, 회전하는 웨이퍼 W의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 전단력 F가 압박 부재(44)에 작용한다. 이 전단력 F의 방향은, 연마 테이프(42)와 웨이퍼 W의 주연부의 접촉점에 있어서의 웨이퍼 W의 접선 방향에 일치하고, 또한, 기판 보유 지지면(37) 및 연마구 압박면(46)과 평행하다.During polishing of the wafer W, the shear force F acts on the pressing member 44 due to the frictional resistance of the polishing tape 42 and the peripheral portion of the rotating wafer W. The direction of the shear force F coincides with the tangential direction of the wafer W at the contact point of the polishing tape 42 and the peripheral edge of the wafer W, and is parallel to the substrate holding surface 37 and the polishing tool pressing surface 46. Do.

카본 마이크로코일이 내부에 배치된 센서 소자(71)의 전기적 성질은, 센서 소자(71)에 가하여지는 외력에 따라서 변화한다. 구체적으로는, 외력이 센서 소자(71)에 가하여지면, 센서 소자(71)의 임피던스가 변화한다. 전기 회로(72)는, 센서 소자(71)에 교류 전압을 인가하고, 센서 소자(71)의 임피던스를 검출하여, 임피던스를 직접 또는 간접으로 나타내는 수치를 출력한다. 이 수치는, 센서 소자(71)에 가하여진 외력의 크기에 따라서 변화한다. 따라서, 전단력 검출 센서(70)는, 전단력 F의 크기를 직접 또는 간접으로 나타내는 수치인 지표값을 출력하도록 구성되어 있다.The electrical property of the sensor element 71 in which the carbon microcoil is disposed changes depending on the external force applied to the sensor element 71. Specifically, when an external force is applied to the sensor element 71, the impedance of the sensor element 71 changes. The electric circuit 72 applies an alternating voltage to the sensor element 71, detects the impedance of the sensor element 71, and outputs a numerical value representing the impedance directly or indirectly. This value changes in accordance with the magnitude of the external force applied to the sensor element 71. Therefore, the shear force detection sensor 70 is comprised so that the index value which is a numerical value which shows the magnitude | size of the shear force F directly or indirectly is output.

웨이퍼 W의 주연부의 연마 중은, 에어 실린더(45)는, 일정한 압박력 E를 압박 부재(44)에 가하고, 이에 의해 압박 부재(44)는 일정한 압박력 E로 연마 테이프(42)를 웨이퍼 W의 주연부에 대하여 압박한다. 이때, 연마 테이프(42)와 웨이퍼 W의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 전단력 F가 압박 부재(44) 및 센서 소자(71)에 작용한다. 압박력 E와 전단력 F는 서로 수직이다. 전단력 검출 센서(70)는, 압박력 E와 전단력 F의 합력을 검출한다. 웨이퍼 W의 주연부의 연마 결과로서 상기 마찰 저항이 변화하면, 전단력 F는 변화하는 한편, 압박력 E는 일정한 대로이다. 따라서, 전단력 검출 센서(70)로부터 출력되는 전단력 F의 지표값은, 상기 마찰 저항의 변화에 따라 변화한다.During polishing of the periphery of the wafer W, the air cylinder 45 applies a constant pressing force E to the pressing member 44, whereby the pressing member 44 moves the polishing tape 42 to the peripheral portion of the wafer W with a constant pressing force E. Press against. At this time, the shear force F acts on the pressing member 44 and the sensor element 71 due to the frictional resistance of the polishing tape 42 and the peripheral portion of the wafer W. Pressing force E and shear force F are perpendicular to each other. The shear force detection sensor 70 detects the sum of the pressing force E and the shear force F. FIG. When the frictional resistance changes as a result of the polishing of the peripheral portion of the wafer W, the shear force F changes while the pressing force E remains constant. Therefore, the index value of the shear force F output from the shear force detection sensor 70 changes with the change of the said frictional resistance.

센서 소자(71)는 압박 부재(44)와 일체이고, 연마점(연마 테이프(42)와 웨이퍼 W의 주연부의 접촉점)의 곧 이측에 배치되어 있다. 따라서, 전단력 검출 센서(70)는, 연마점에 발생하는 전단력 F를 직접 검출할 수 있다. 즉, 전단력 검출 센서(70)는, 웨이퍼 W의 주연부의 표면 상태의 변화를 신속하고 또한 정확하게 검출할 수 있다.The sensor element 71 is integral with the pressing member 44, and is disposed on the immediate side of the polishing point (contact point of the polishing tape 42 and the peripheral edge of the wafer W). Therefore, the shear force detection sensor 70 can directly detect the shear force F generated at the polishing point. That is, the shear force detection sensor 70 can detect the change of the surface state of the peripheral part of the wafer W quickly and accurately.

도 6에 도시하는 바와 같이, 전단력 검출 센서(70)의 전기 회로(72)는, 동작 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있고, 전단력 검출 센서(70)로부터 출력된 전단력 F의 지표값은, 신호의 형태에서 동작 제어부(80)에 보내진다. 동작 제어부(80)는, 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정하도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 동작 제어부(80)는, 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정하기 위한 프로그램을 기억한 기억 장치(110)와, 상기 프로그램을 실행하기 위한 처리 장치(120)를 구비하고 있다. 동작 제어부(80)는, 전용의 컴퓨터 또는 범용의 컴퓨터로 구성되어 있다.As shown in FIG. 6, the electrical circuit 72 of the shear force detection sensor 70 is electrically connected to the operation control unit 80, and the index value of the shear force F output from the shear force detection sensor 70 is It is sent to the operation control unit 80 in the form of a signal. The operation control unit 80 is configured to determine the polishing end point at which the indicator value reaches the threshold. More specifically, the operation control unit 80 includes a storage device 110 that stores a program for determining the polishing end point at which the index value reaches a threshold, and a processing device 120 for executing the program. Doing. The operation control unit 80 is configured of a dedicated computer or a general purpose computer.

동작 제어부(80)는, 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점에 기초하여, 연마 동작을 종료시킨다. 구체적으로는, 동작 제어부(80)는, 연마 헤드(34)에 명령을 발하여 연마 동작을 정지시키고, 또한 기판 보유 지지부(32)의 스테이지 모터(39)를 정지시킨다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 주연부의 연마가 종료된다.The operation control unit 80 terminates the polishing operation based on the polishing end point at which the index value reaches the threshold. Specifically, the operation control unit 80 issues a command to the polishing head 34 to stop the polishing operation, and also stops the stage motor 39 of the substrate holding unit 32. Thereby, grinding | polishing of the peripheral part of the wafer W is complete | finished.

도 7은, 전단력 검출 센서(70)의 다른 실시 형태를 도시하는 사시도이다. 특별히 설명하지 않는 본 실시 형태의 구성은, 도 6에 도시하는 실시 형태와 동일하므로, 그 중복하는 설명을 생략한다. 본 실시 형태에서는, 전단력 검출 센서(70)는, 압박 부재(44)의 이측에 연결된 로드 셀(75)을 구비하고 있다. 도 6에 도시하는 전기 회로(72)는 마련되어 있지 않다. 로드 셀(75)은, 에어 실린더(45)와 압박 부재(44) 사이에 배치되어 있다. 로드 셀(75)은, 압박 부재(44)의 이측에 고정되고, 로드 셀(75)은 에어 실린더(45)에 연결되어 있다. 본 실시 형태는, 연마구 압박면(46)은 압박 부재(44)로 구성된다.7 is a perspective view showing another embodiment of the shear force detection sensor 70. Since the structure of this embodiment which does not describe in particular is the same as that of embodiment shown in FIG. 6, the overlapping description is abbreviate | omitted. In this embodiment, the shear force detection sensor 70 is provided with the load cell 75 connected to the back side of the press member 44. The electric circuit 72 shown in FIG. 6 is not provided. The load cell 75 is disposed between the air cylinder 45 and the pressing member 44. The load cell 75 is fixed to the back side of the pressing member 44, and the load cell 75 is connected to the air cylinder 45. In the present embodiment, the polishing tool pressing surface 46 is constituted by the pressing member 44.

에어 실린더(45)에 의해 발생되는 압박력 E는, 로드 셀(75)을 통하여 압박 부재(44)에 전달된다. 본 실시 형태에서는, 로드 셀(75)은, 서로 수직인 압박력 E와 전단력 F를 따로따로 검출할 수 있는 2축형 로드 셀이다. 일 실시 형태에서는, 로드 셀은, 전단력 F만을 검출할 수 있는 1축형 로드 셀이어도 된다.The pressing force E generated by the air cylinder 45 is transmitted to the pressing member 44 via the load cell 75. In this embodiment, the load cell 75 is a biaxial load cell which can separately detect the pressing force E and the shearing force F which are perpendicular to each other. In one embodiment, the load cell may be a uniaxial load cell capable of detecting only the shear force F.

로드 셀(75)은, 검출된 전단력 F의 크기를 직접 또는 간접으로 나타내는 지표값을 출력한다. 로드 셀(75)은 동작 제어부(80)에 전기적으로 접속되어 있고, 전단력 검출 센서(70)로부터 출력된 전단력 F의 지표값은, 신호의 형태로 동작 제어부(80)에 보내진다. 동작 제어부(80)는, 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정한다.The load cell 75 outputs an index value indicating the magnitude of the detected shear force F directly or indirectly. The load cell 75 is electrically connected to the operation control unit 80, and the index value of the shear force F output from the shear force detection sensor 70 is sent to the operation control unit 80 in the form of a signal. The operation control unit 80 determines the polishing end point at which the index value reaches the threshold.

본 실시 형태에 따르면, 로드 셀(75)은, 연마점(연마 테이프(42)와 웨이퍼 W의 주연부의 접촉점)의 곧 이측에 배치되어 있으므로, 전단력 F를 직접 검출할 수 있다. 즉, 전단력 검출 센서(70)는, 웨이퍼 W의 주연부의 표면 상태의 변화를 신속하고 또한 정확하게 검출할 수 있다.According to this embodiment, since the load cell 75 is arrange | positioned at the immediate back side of the grinding | polishing point (a contact point of the polishing tape 42 and the peripheral edge of the wafer W), the shear force F can be detected directly. That is, the shear force detection sensor 70 can detect the change of the surface state of the peripheral part of the wafer W quickly and accurately.

도 6 및 도 7에 도시하는 전단력 검출 센서(70)는, 연마 테이프(42)와, 회전하는 웨이퍼 W의 주연부의 마찰 저항에 따라서 변화하는 전단력 F의 지표값을 출력한다. 웨이퍼 W의 중심이 기판 보유 지지면(37)의 중심으로부터 어긋나 있으면, 도 8에 도시하는 바와 같이, 전단력 F의 지표값은 주기적으로 변동한다. 그래서, 동작 제어부(80)는, 전단력 검출 센서(70)로부터 보내진 지표값이 주기적인 변화를 검출하고, 상기 주기적인 변화에 기초하여, 웨이퍼 W의 중심의 기판 보유 지지면(37)의 중심으로부터의 편심량 및 편심 방향을 산출하고, 다음 웨이퍼가 연마되기 전에, XY 이동 장치(38)를 조작하여 상기 편심량을 없애는 방향으로 기판 보유 지지면(37)을 이동시키도록 구성된다.The shear force detection sensor 70 shown in FIG. 6 and FIG. 7 outputs the index value of the shear force F which changes according to the abrasive tape 42 and the frictional resistance of the peripheral part of the rotating wafer W. As shown in FIG. If the center of the wafer W is shifted from the center of the substrate holding surface 37, as shown in FIG. 8, the index value of the shear force F periodically fluctuates. Thus, the operation control unit 80 detects a periodic change in the index value sent from the shear force detection sensor 70, and from the center of the substrate holding surface 37 in the center of the wafer W based on the periodic change. The eccentric amount and the eccentric direction are calculated, and before the next wafer is polished, the XY shifting device 38 is operated to move the substrate holding surface 37 in the direction of eliminating the eccentric amount.

편심량은, 전단력 검출 센서(70)로부터 보내진 전단력 F의 지표값의 주기적인 변화의 진폭으로부터 산출할 수 있다. 편심 방향은, 주기적으로 변화하는 지표값의 피크에 대응하는 기판 보유 지지면(37)의 회전 각도로부터 산출할 수 있다. 기판 보유 지지면(37)의 회전 각도는, 스테이지 모터(39)에 설치된 로터리 인코더(도시하지 않음)로부터 얻을 수 있다.The amount of eccentricity can be calculated from the amplitude of the periodic change in the index value of the shear force F sent from the shear force detection sensor 70. The eccentric direction can be calculated from the rotation angle of the substrate holding surface 37 corresponding to the peak of the index value that changes periodically. The rotation angle of the substrate holding surface 37 can be obtained from a rotary encoder (not shown) provided in the stage motor 39.

상술한 바와 같이, XY 이동 장치(38)는, 기판 보유 지지면(37) 및 스테이지 모터(39)를, 서로 수직인 X 방향 및 Y 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 동작 제어부(80)는, XY 이동 장치(38)에 명령을 발하여, 산출된 편심량을 없애는 방향으로 기판 보유 지지면(37) 및 스테이지 모터(39)를 이동시킨다. 이러한 동작에 의해, 다음의 웨이퍼는, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 웨이퍼의 중심이 기판 보유 지지면(37)의 중심에 일치하도록, 기판 보유 지지면(37) 상에 적재된다. 결과로서, 웨이퍼의 주연부의 균일한 연마가 달성된다.As mentioned above, the XY moving apparatus 38 is comprised so that the board | substrate holding surface 37 and the stage motor 39 may be moved to the X direction and the Y direction perpendicular to each other. The operation control unit 80 issues a command to the XY moving device 38 to move the substrate holding surface 37 and the stage motor 39 in the direction of eliminating the calculated amount of eccentricity. By this operation, the next wafer is loaded on the substrate holding surface 37 by a conveying device (not shown) so that the center of the wafer coincides with the center of the substrate holding surface 37. As a result, uniform polishing of the periphery of the wafer is achieved.

연마 헤드(34) 및 기판 보유 지지부(32)를 포함하는 연마 장치의 동작은, 동작 제어부(80)에 의해 제어된다. 본 실시 형태에서는, 동작 제어부(80)는, 전용의 컴퓨터 또는 범용의 컴퓨터로 구성된다. 도 9는, 동작 제어부(80)의 구성을 도시하는 모식도이다. 동작 제어부(80)는, 프로그램이나 데이터 등이 저장되는 기억 장치(110)와, 기억 장치(110)에 저장되어 있는 프로그램에 따라 연산을 행하는 CPU(중앙 처리 장치) 등의 처리 장치(120)와, 데이터, 프로그램 및 각종 정보를 기억 장치(110)에 입력하기 위한 입력 장치(130)와, 처리 결과나 처리된 데이터를 출력하기 위한 출력 장치(140)와, 인터넷 등의 네트워크에 접속하기 위한 통신 장치(150)를 구비하고 있다.The operation of the polishing apparatus including the polishing head 34 and the substrate holding portion 32 is controlled by the operation control unit 80. In the present embodiment, the operation control unit 80 is configured of a dedicated computer or a general purpose computer. 9 is a schematic diagram showing the configuration of the operation control unit 80. The operation control unit 80 includes a storage device 110 in which a program, data, and the like are stored, and a processing device 120 such as a CPU (central processing unit) that performs calculation in accordance with a program stored in the storage device 110. Communication for connecting to a network such as the Internet, an input device 130 for inputting data, a program, and various information to the storage device 110, an output device 140 for outputting a processing result or processed data, and a network such as the Internet The apparatus 150 is provided.

기억 장치(110)는, 처리 장치(120)가 액세스 가능한 주기억 장치(111)와, 데이터 및 프로그램을 저장하는 보조 기억 장치(112)를 구비하고 있다. 주기억 장치(111)는, 예를 들어 랜덤 액세스 메모리(RAM)이고, 보조 기억 장치(112)는, 하드디스크 드라이브(HDD) 또는 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등의 스토리지 장치이다.The memory device 110 includes a main memory device 111 that can be accessed by the processing device 120, and an auxiliary memory device 112 that stores data and programs. The main memory 111 is, for example, a random access memory (RAM), and the auxiliary memory device 112 is a storage device such as a hard disk drive (HDD) or a solid state drive (SSD).

입력 장치(130)는, 키보드, 마우스를 구비하고 있고, 또한, 기록 매체로부터 데이터를 판독하기 위한 기록 매체 판독 장치(132)와, 기록 매체가 접속되는 기록 매체 포트(134)를 구비하고 있다. 기록 매체는, 비일시적인 유형물인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이고, 예를 들어 광 디스크(예를 들어, CD-ROM, DVD-ROM)나, 반도체 메모리(예를 들어, USB 플래시 드라이브, 메모리 카드)이다. 기록 매체 판독 장치(132)의 예로서는, CD 드라이브, DVD 드라이브 등의 광학 드라이브나, 메모리 리더를 들 수 있다. 기록 매체 포트(134)의 예로서는, USB 포트를 들 수 있다. 기록 매체에 전기적으로 저장되어 있는 프로그램 및/또는 데이터는, 입력 장치(130)를 통해 동작 제어부(80)에 도입되어, 기억 장치(110)의 보조 기억 장치(112)에 저장된다. 출력 장치(140)는, 디스플레이 장치(141), 인쇄 장치(142)를 구비하고 있다.The input device 130 includes a keyboard and a mouse, and further includes a recording medium reading device 132 for reading data from the recording medium, and a recording medium port 134 to which the recording medium is connected. The recording medium is a non-transitory tangible computer-readable recording medium, for example, an optical disk (for example, CD-ROM, DVD-ROM) or a semiconductor memory (for example, USB flash drive, memory card). . Examples of the recording medium reading device 132 include optical drives such as CD drives and DVD drives, and memory readers. An example of the recording medium port 134 is a USB port. The program and / or data electrically stored in the recording medium is introduced into the operation control unit 80 through the input device 130 and stored in the auxiliary storage device 112 of the storage device 110. The output device 140 includes a display device 141 and a printing device 142.

동작 제어부(80)는, 기억 장치(110)에 전기적으로 저장된 프로그램에 따라서 동작한다. 즉, 동작 제어부(80)는, 전단력 검출 센서(70)에서 검출된 전단력의 크기를 나타내는 지표값이 역치에 달한 시점인 웨이퍼 W의 연마 종점을 결정한다. 프로그램은, 비일시적인 유형물인 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록되어, 기록 매체를 통해 동작 제어부(80)에 제공된다. 또는, 프로그램은, 인터넷 등의 통신 네트워크를 통해 동작 제어부(80)에 제공되어도 된다.The operation control unit 80 operates according to a program electrically stored in the storage device 110. That is, the operation control unit 80 determines the polishing end point of the wafer W which is the point in time when the index value indicating the magnitude of the shear force detected by the shear force detection sensor 70 reaches a threshold. The program is recorded on a non-transitory tangible computer readable recording medium and provided to the operation control unit 80 through the recording medium. Alternatively, the program may be provided to the operation control unit 80 through a communication network such as the Internet.

도 2에 도시하는 연마 장치는, 동작 제어부(80)에 저장되어 있는 연마 레시피에 따라서 동작한다. 연마 레시피는, 웨이퍼의 주연부를 연마할 때의 연마 장치의 동작 조건(연마 조건이라고도 함)을 나타낸 동작 명령이다. 일례에서는, 연마 레시피는, 에어 실린더(45)의 압박력, 웨이퍼의 회전 속도, 순수 공급 노즐(57, 58)로부터 웨이퍼에 공급되는 순수의 유량, 연마 테이프(42)의 이송 속도의 구체적인 명령값을 포함한다.The polishing apparatus shown in FIG. 2 operates according to the polishing recipe stored in the operation control unit 80. The polishing recipe is an operation command showing an operating condition (also called a polishing condition) of the polishing apparatus when polishing the peripheral edge of the wafer. In one example, the polishing recipe includes specific command values of the pressing force of the air cylinder 45, the rotational speed of the wafer, the flow rate of pure water supplied to the wafer from the pure water supply nozzles 57 and 58, and the conveying speed of the polishing tape 42. Include.

일 실시 형태에서는, 최적인 연마 레시피의 설정에 사용할 수 있는 컴퓨팅 시스템이 제공된다. 도 10은, 그 컴퓨팅 시스템을 도시하는 개략도이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 컴퓨팅 시스템은, 각 연마 장치(200) 내에 있는 복수의 연마 헤드, 복수의 연마 장치(200) 및 웨이퍼 검사 장치(기판 검사 장치)(201)에 네트워크(202)에 의해 접속된 서버(205)를 구비하고 있다. 서버(205)는, 범용의 컴퓨터 또는 전용의 컴퓨터로 구성되어 있다. 서버(205)는, 연마 장치(200)가 배치된 공장 내에 설치되어도 되고, 또는 인터넷 등의 네트워크(202)에 의해 접속된, 소위 클라우드 서버여도 된다.In one embodiment, a computing system is provided that can be used to set an optimal polishing recipe. 10 is a schematic diagram illustrating the computing system. As shown in FIG. 10, the computing system includes a plurality of polishing heads, a plurality of polishing apparatuses 200, and a wafer inspection apparatus (substrate inspection apparatus) 201 in each polishing apparatus 200 in a network 202. The server 205 connected by this is provided. The server 205 is configured with a general purpose computer or a dedicated computer. The server 205 may be installed in a factory where the polishing apparatus 200 is arranged, or may be a so-called cloud server connected by a network 202 such as the Internet.

복수의 연마 장치(200)의 각각은, 도 2에 도시하는 연마 헤드(34)를 복수 구비한 연마 장치이다. 즉, 복수의 연마 장치(200)의 각각은, 압박 부재(44)로 연마 테이프(42)를 웨이퍼의 주연부에 압박함으로써, 해당 주연부를 연마하도록 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 검사 장치(기판 검사 장치)(201)는, 웨이퍼(기판)의 표면 상에 존재하는 파티클의 수를 계수하는 파티클 카운터이다.Each of the some grinding | polishing apparatus 200 is a grinding | polishing apparatus provided with two or more polishing heads 34 shown in FIG. That is, each of the plurality of polishing apparatuses 200 is configured to press the polishing tape 42 with the pressing member 44 to press the peripheral portion of the wafer to polish the peripheral portion. In the present embodiment, the wafer inspection apparatus (substrate inspection apparatus) 201 is a particle counter that counts the number of particles existing on the surface of the wafer (substrate).

연마 장치(200)에서 연마된 웨이퍼는, 도시하지 않은 반송 장치에 의해 웨이퍼 검사 장치(201)에 반송된다. 웨이퍼 검사 장치(201)는, 주연부가 연마된 웨이퍼의 표면 상의 파티클의 수를 계수하고, 파티클의 수를 네트워크(202)를 경유하여 서버(205)에 보낸다. 연마 장치(200)는, 그 웨이퍼를 연마하고 있을 때에 상술한 전단력 검출 센서(70)로부터 출력된 전단력의 지표값과, 연마 레시피에 포함되는 상기 명령값(웨이퍼의 회전 속도 등) 및 각 센서, 모터 등으로부터 출력된 정보 등으로 이루어지는 연마 데이터를 네트워크(202)를 경유하여 서버(205)에 보낸다. 1매 또는 소정 매수의 웨이퍼가 연마될 때마다, 웨이퍼 검사 장치(201)는 연마된 웨이퍼 상의 파티클의 수를 계수하고, 파티클의 수를 서버(205)에 보낸다. 마찬가지로, 1매 또는 소정 매수의 웨이퍼가 연마될 때마다, 연마 장치(200)는, 전단력의 지표값 및 연마 레시피에 포함되는 명령값으로 이루어지는 연마 데이터를 서버(205)에 보낸다.The wafer polished by the polishing apparatus 200 is conveyed to the wafer inspection apparatus 201 by a conveying apparatus (not shown). The wafer inspection apparatus 201 counts the number of particles on the surface of the wafer whose peripheral edges are polished, and sends the number of particles to the server 205 via the network 202. The polishing apparatus 200 includes an index value of the shear force output from the shear force detection sensor 70 described above when polishing the wafer, the command value (rotational speed of the wafer, etc.) and each sensor included in the polishing recipe, Polishing data including information output from a motor or the like is sent to the server 205 via the network 202. Each time one or a predetermined number of wafers are polished, the wafer inspection apparatus 201 counts the number of particles on the polished wafer and sends the number of particles to the server 205. Similarly, each time one or a predetermined number of wafers are polished, the polishing apparatus 200 sends the polishing data composed of the index value of the shear force and the command value included in the polishing recipe to the server 205.

서버(205)는, 파티클의 수와, 연마 데이터를 수취할 때마다, 파티클의 수와, 대응하는 연마 데이터의 세트로 이루어지는 학습 데이터를 기억한다. 서버(205)는, 학습 데이터를 사용하여 기계 학습을 행하고, 전단력의 지표값 및 연마 레시피에 포함되는 명령값으로 이루어지는 파라미터로부터, 파티클의 예측수를 산출하기 위한 모델을 구축한다. 기계 학습의 예로서는, 뉴럴 네트워크, 딥 러닝 등을 들 수 있다. 학습 데이터는, 웨이퍼의 연마가 실행될 때마다 누적적으로 증가한다. 그래서, 서버(205)는, 정기적 또는 부정기적으로 학습 데이터를 사용하여 기계 학습을 행하고, 모델을 갱신한다. 유저는, 구축된 모델을 사용하여, 파티클의 예측수를 작게 할 수 있는 파라미터를 탐색할 수 있다.The server 205 stores the number of particles, the number of particles each time the abrasive data is received, and the learning data comprising the set of the corresponding abrasive data. The server 205 performs machine learning using the training data, and builds a model for calculating the predicted number of particles from parameters consisting of the index value of the shear force and the command value included in the polishing recipe. Examples of machine learning include neural networks, deep learning, and the like. The learning data accumulates cumulatively each time polishing of the wafer is performed. Thus, the server 205 performs machine learning using the training data on a regular or irregular basis and updates the model. The user can use the constructed model to search for parameters that can reduce the number of particles predicted.

일 실시 형태에서는, 파티클의 수 대신에, 1매의 웨이퍼로부터 얻어지는 칩의 수를 학습 데이터에 포함시켜도 된다. 이 경우에는, 모델은, 1매의 웨이퍼로부터 얻어지는 칩의 예측수를 산출하기 위한 모델이다.In one embodiment, instead of the number of particles, the number of chips obtained from one wafer may be included in the training data. In this case, the model is a model for calculating the predicted number of chips obtained from one wafer.

상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 사람이 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이고, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구 범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.The above-described embodiment is described for the purpose of the person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention can carry out the present invention. Various modifications of the above embodiments can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Therefore, this invention is not limited to embodiment described, It is interpreted in the widest range according to the technical idea defined by a claim.

32: 기판 보유 지지부
34: 연마 헤드
37: 기판 보유 지지면
38: XY 이동 장치
39: 스테이지 모터
40: 진공 라인
42: 연마 테이프(연마구)
43: 가이드 롤러
44: 압박 부재
45: 에어 실린더
46: 연마구 압박면
50: 테이프 이송 기구
51: 권출 릴
52: 권취 릴
55: 크랭크 암
56: 서보 모터
57, 58: 순수 공급 노즐
60, 61: 유량 제어 밸브
70: 전단력 검출 센서
71: 센서 소자
71a: 탄성 수지 블록
72: 전기 회로
80: 동작 제어부
110: 기억 장치
120: 처리 장치
130: 입력 장치
150: 통신 장치
200: 연마 장치
201: 웨이퍼 검사 장치(기판 검사 장치)
202: 네트워크
205: 서버32: substrate holding portion
34: polishing head
37: substrate holding surface
38: XY shifter
39: stage motor
40: vacuum line
42: polishing tape (abrasive tool)
43: guide roller
44: pressure member
45: air cylinder
46: polishing tool pressing surface
50: tape transfer mechanism
51: unwind reel
52: reel reel
55: crank arm
56: servo motor
57, 58: pure water supply nozzle
60, 61: flow control valve
70: shear force sensor
71: sensor element
71a: elastomeric block
72: electrical circuit
80: operation control unit
110: memory
120: processing unit
130: input device
150: communication device
200: polishing device
201: wafer inspection apparatus (substrate inspection apparatus)
202: network
205: server

Claims (10)

기판의 주연부를 연마하기 위한 연마 장치이며,
기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖고, 해당 기판 보유 지지면을 회전시키는 기판 보유 지지부와,
연마구를 상기 기판 보유 지지면 상의 상기 기판의 주연부에 압박하는 연마 헤드와,
상기 기판 보유 지지부 및 상기 연마 헤드 동작을 제어하는 동작 제어부를 구비하고,
상기 연마 헤드는,
상기 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하는 압박 부재와,
상기 연마구와 상기 기판의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 상기 압박 부재에 작용하는 전단력을 검출하는 전단력 검출 센서를 구비하고,
상기 전단력 검출 센서는, 상기 전단력의 크기를 나타내는 지표값을 출력하도록 구성되고,
상기 동작 제어부는, 상기 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정하기 위한 프로그램을 기억한 기억 장치와, 상기 프로그램을 실행하기 위한 처리 장치를 구비하고 있는, 연마 장치.Polishing apparatus for polishing the peripheral portion of the substrate,
A substrate holding portion for holding a substrate, the substrate holding portion rotating the substrate holding surface;
A polishing head for pressing a polishing tool on the periphery of the substrate on the substrate holding surface;
An operation controller for controlling the substrate holding portion and the polishing head operation;
The polishing head is
A pressing member for urging the polishing tool to the periphery of the substrate;
A shear force detection sensor for detecting a shear force acting on the pressing member due to the frictional resistance of the polishing tool and the peripheral portion of the substrate,
The shear force detection sensor is configured to output an index value representing the magnitude of the shear force,
The said operation control part is equipped with the memory | storage device which memorize | stored the program for determining the grinding | polishing end point which is the time point which the said index value reached the threshold value, and the processing apparatus for executing the said program. 제1항에 있어서, 상기 전단력 검출 센서는, 카본 마이크로코일을 갖는 센서 소자를 구비한 촉각 센서이고, 상기 센서 소자는 상기 압박 부재에 고정되어 있는, 연마 장치.The polishing apparatus according to claim 1, wherein the shear force detection sensor is a tactile sensor provided with a sensor element having carbon microcoils, and the sensor element is fixed to the pressing member. 제2항에 있어서, 상기 센서 소자는, 탄성 수지 블록을 더 갖고 있고, 상기 카본 마이크로코일은 상기 탄성 수지 블록 내에 배치되어 있는, 연마 장치.The polishing apparatus according to claim 2, wherein the sensor element further has an elastic resin block, and the carbon microcoil is disposed in the elastic resin block. 제3항에 있어서, 상기 연마 헤드는, 상기 연마구의 이측을 지지하고, 상기 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하는 연마구 압박면을 갖고,
상기 연마구 압박면의 적어도 일부는, 상기 센서 소자로 구성되어 있는, 연마 장치.The said polishing head has a grinding | polishing tool press surface which supports the back side of the said grinding | polishing tool, and presses the said grinding | polishing tool to the periphery of the said board | substrate,
At least a part of the polishing tool pressing surface is composed of the sensor element. 제1항에 있어서, 상기 전단력 검출 센서는, 상기 압박 부재의 이측에 연결된 로드 셀인, 연마 장치.The polishing apparatus according to claim 1, wherein the shear force detection sensor is a load cell connected to a back side of the pressing member. 기판의 주연부를 연마하기 위한 연마 방법이며,
기판을 기판 보유 지지면 상에 보유 지지하고,
상기 기판 보유 지지면을 상기 기판과 함께 회전시켜,
연마 헤드의 압박 부재로 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하여 해당 주연부를 연마하고,
상기 기판의 주연부 연마 중에, 상기 연마구와 상기 기판의 주연부의 마찰 저항에 기인하여 상기 압박 부재에 작용하는 전단력을 전단력 검출 센서에서 검출하고,
상기 전단력의 크기를 나타내는 지표값이 역치에 달한 시점인 연마 종점을 결정하고,
상기 연마 종점에 기초하여, 상기 기판의 주연부 연마를 종료하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.Polishing method for polishing the periphery of the substrate,
Holding the substrate on a substrate holding surface,
By rotating the substrate holding surface together with the substrate,
The polishing tool is pressed by the pressing member of the polishing head to the peripheral edge of the substrate to polish the peripheral edge,
During polishing of the periphery of the substrate, the shear force acting on the pressing member due to the frictional resistance of the polishing tool and the periphery of the substrate is detected by the shear force sensor,
Determine the polishing end point at which the index value representing the magnitude of the shear force reaches a threshold,
Polishing the periphery of the substrate based on the polishing end point. 제6항에 있어서, 상기 전단력 검출 센서는, 카본 마이크로코일을 갖는 센서 소자를 구비한 촉각 센서이고, 상기 센서 소자는 상기 압박 부재에 고정되어 있는, 연마 방법.The polishing method according to claim 6, wherein the shear force detecting sensor is a tactile sensor provided with a sensor element having carbon microcoils, and the sensor element is fixed to the pressing member. 제7항에 있어서, 상기 센서 소자는, 탄성 수지 블록을 더 갖고 있고, 상기 카본 마이크로코일은 상기 탄성 수지 블록 내에 배치되어 있는, 연마 방법.The polishing method according to claim 7, wherein the sensor element further has an elastic resin block, and the carbon microcoil is disposed in the elastic resin block. 제8항에 있어서, 상기 연마 헤드는, 상기 연마구의 이측을 지지하고, 상기 연마구를 상기 기판의 주연부에 압박하는 연마구 압박면을 갖고,
상기 연마구 압박면의 적어도 일부는, 상기 센서 소자로 구성되어 있는, 연마 방법.The said polishing head has a grinding | polishing tool press surface which supports the back side of the said grinding | polishing tool, and presses the said grinding | polishing tool to the periphery of the said board | substrate,
At least one part of the said grinding | polishing tool press surface is a grinding | polishing method comprised with the said sensor element. 제6항에 있어서, 상기 전단력 검출 센서는, 상기 압박 부재의 이측에 연결된 로드 셀인, 연마 방법.The grinding | polishing method of Claim 6 whose said shear force detection sensor is a load cell connected to the back side of the said pressing member.
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