KR20200006919A - Resist composition and method of forming resist pattern - Google Patents

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Abstract

Provided are a resist composition, which can form a thick film resist film having a film thickness of 5 μm or more, and can form a pattern of a good shape while maintaining high sensitivity, and to a method for forming a resist pattern using the same. The resist composition which generates acid by exposure and changes solubility for a developing solution by an action of acid, comprises: (A) a base component having changeable solubility for a developing solution by an action of acid; and a tertiary monoamine compound (D0) represented by general formula (d0). The concentration of the base component (A) is 20 mass% or more, and content of the compound (Do) is 0.01 to 0.05 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base component (A). In the general formula (d0), Rx^1 to Rx^3 each independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent, and two or more of Rx^1 to Rx^3 may bind to each other to form a ring structure.

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법{RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}Resist composition and resist pattern formation method {RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}

본 발명은, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a resist composition and a resist pattern forming method.

리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다. 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해되는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 레지스트막의 노광부가 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.In the lithography technique, a process of forming a resist pattern of a predetermined shape in the resist film by, for example, forming a resist film made of a resist material on the substrate, selectively exposing the resist film, and developing the resist film. This is carried out. The resist material which changes to the characteristic which the exposure part of a resist film changes to the characteristic which melt | dissolves in a developing solution is called a positive type, and the resist material which changes to the characteristic which the exposure part of a resist film does not dissolve in a developing solution is called negative type.

최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 미세화의 수법으로는, 일반적으로, 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래는, g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 이용되고 있었지만, 현재는, KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 실시되고 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 EUV (극단 자외선) 나, EB (전자선), X 선 등에 대해서도 검토가 실시되고 있다.In recent years, in manufacture of a semiconductor element and a liquid crystal display element, refinement | miniaturization of a pattern is progressing rapidly by the advance of the lithography technique. As a method of miniaturization, shortening of wavelength (high energy) of the exposure light source is generally performed. Specifically, ultraviolet rays typified by g line and i line have conventionally been used, but mass production of semiconductor devices using KrF excimer lasers and ArF excimer lasers has now been carried out. Moreover, examination is also performed about EUV (extreme ultraviolet-ray), EB (electron beam), X-rays, etc. which are shorter wavelength (high energy) than these excimer laser.

레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다.The resist material is required for lithography characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing a pattern of fine dimensions.

이와 같은 요구를 만족하는 레지스트 재료로서, 종래, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 이용되고 있다.As a resist material that satisfies such a requirement, a conventional chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in a developing solution changes under the action of an acid and an acid generator component which generates an acid upon exposure is used. have.

예를 들어 상기 현상액이 알칼리 현상액 (알칼리 현상 프로세스) 인 경우, 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분 (베이스 수지) 과 산 발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 이용되고 있다. 이러한 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성 시에 선택적 노광을 실시하면, 노광부에 있어서, 산 발생제 성분으로부터 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 베이스 수지의 극성이 증대하여, 레지스트막의 노광부가 알칼리 현상액에 대해 가용이 된다. 그 때문에 알칼리 현상함으로써, 레지스트막의 미노광부가 패턴으로서 남는 포지티브형 패턴이 형성된다.For example, when the developing solution is an alkaline developing solution (alkali developing process), the positive chemically amplified resist composition includes a resin component (base resin) and an acid generator that have increased solubility in an alkaline developing solution due to the action of an acid. It is generally used to contain components. When the resist film formed using such a resist composition performs selective exposure at the time of resist pattern formation, an acid will generate | occur | produce in an exposure part, and the polarity of a base resin will increase by the action of the acid, The exposed portion of the resist film is soluble in the alkaline developer. Therefore, by alkali development, the positive pattern in which the unexposed part of a resist film remains as a pattern is formed.

한편으로, 이와 같은 화학 증폭형 레지스트 조성물을, 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용한 용제 현상 프로세스에 적용한 경우, 베이스 수지의 극성이 증대하면 상대적으로 유기계 현상액에 대한 용해성이 저하하기 때문에, 레지스트막의 미노광부가 유기계 현상액에 의해 용해, 제거되어, 레지스트막의 노광부가 패턴으로서 남는 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다. 이와 같이 네거티브형의 레지스트 패턴을 형성하는 용제 현상 프로세스를 네거티브형 현상 프로세스라고 하는 경우가 있다.On the other hand, when such a chemically amplified resist composition is applied to a solvent developing process using a developer (organic developer) containing an organic solvent, when the polarity of the base resin increases, solubility in the organic developer is relatively lowered. The unexposed portion of the resist film is dissolved and removed by the organic developer, so that a negative resist pattern in which the exposed portion of the resist film remains as a pattern is formed. Thus, the solvent developing process which forms a negative resist pattern may be called a negative developing process.

화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서 사용되는 베이스 수지는, 일반적으로, 리소그래피 특성 등의 향상을 위해서, 복수의 구성 단위를 가지고 있다.The base resin used in the chemically amplified resist composition generally has a plurality of structural units in order to improve lithography characteristics and the like.

예를 들어, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대하는 수지 성분의 경우, 산 발생제 등으로부터 발생한 산의 작용에 의해 분해되어 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위가 이용되고, 그 외 락톤 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위, 수산기 등의 극성기를 포함하는 구성 단위 등이 병용되고 있다.For example, in the case of the resin component which the solubility with respect to alkaline developing solution increases by the action of an acid, the structural unit containing the acid-decomposable group which decomposes by the action of the acid generated from an acid generator etc. and increases polarity is used, In addition, the structural unit containing a lactone containing cyclic group, the structural unit containing polar groups, such as a hydroxyl group, etc. are used together.

또, 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 노광에 의해 산 발생제 성분으로부터 발생하는 산의 거동이 리소그래피 특성에 큰 영향을 주는 일 요소가 된다.Moreover, in formation of a resist pattern, the behavior of the acid which generate | occur | produces from an acid generator component by exposure becomes an element which has a big influence on a lithographic characteristic.

이것에 대해, 산 발생제 성분과 함께, 노광에 의해 그 산 발생제 성분으로부터 발생하는 산의 확산을 제어하는 산 확산 제어제를 병유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 제안되어 있다.On the other hand, the chemically amplified resist composition which has an acid-diffusion control agent which controls the diffusion | diffusion of the acid which generate | occur | produces from the acid generator component by exposure with an acid generator component is proposed.

예를 들어 특허문헌 1 에는, 특정 용제와, 불소 원자를 포함하는 베이스 폴리머와, 가교제와, 산 발생제와, 산 확산 제어제로서의 염기성 화합물을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 재료가 개시되어 있다. 또, 예를 들어 특허문헌 2 에는, 알칼리 가용성 수지와, 특정 가교제와, 산 발생제와, 산 확산 제어제로서의 특정 구조의 아민 화합물을 함유하는 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물이 개시되어 있다.For example, Patent Literature 1 discloses a chemically amplified resist material containing a specific solvent, a base polymer containing a fluorine atom, a crosslinking agent, an acid generator, and a basic compound as an acid diffusion control agent. For example, Patent Literature 2 discloses a chemically amplified positive resist composition containing an alkali-soluble resin, a specific crosslinking agent, an acid generator, and an amine compound having a specific structure as an acid diffusion control agent.

그런데, 현재, LSI 의 고집적화와 통신의 고속도화에 수반하여, 메모리 용량의 증대화가 요구되어, 패턴의 추가적인 미세화가 급속히 진행되고 있다. 그러나, 전자선이나 EUV 에 의한 리소그래피에서는, 수십 nm 의 미세한 패턴 형성을 목표로 하지만, 여전히 생산성이 낮다는 등의 과제가 많아, 미세 가공에 의한 기술에는 한계가 있다.By the way, with the high integration of LSI and the high speed of communication, the increase of memory capacity is calculated | required and further refinement | miniaturization of a pattern is progressing rapidly. However, in lithography by electron beam or EUV, although the aim is to form fine patterns of several tens of nm, there are still many problems such as low productivity.

이것에 대해, 미세화에 추가하여, 셀을 쌓아 올려 가는 적층화에 의해 메모리의 대용량화를 도모하는, 3 차원 구조 디바이스의 개발이 진행되고 있다.On the other hand, in addition to miniaturization, the development of the three-dimensional structure device which aims at the large capacity of a memory by the lamination which accumulates a cell is advanced.

일본 공개특허공보 2001-174997호Japanese Laid-Open Patent Publication 2001-174997 일본 공개특허공보 2004-347852호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-347852

상기 3 차원 구조 디바이스의 제조에 있어서는, 피가공물 표면에, 종래보다 고막두께의, 예를 들어 막두께를 5 ㎛ 이상으로 하는 후막 레지스트막을 성막하고, 레지스트 패턴을 형성하여 에칭 등을 실시하는 공정을 갖는다. 여기에 화학 증폭형 레지스트 조성물을 사용하는 경우, 레지스트막의 막두께가 두꺼워질수록, 노광 시의 감도를 유지하는 것이 어려워진다. 또, 후막 레지스트막에서는, 현상에 대한 해상성이 저하하여, 원하는 레지스트 패턴 형상이 얻어지기 어렵다.In the production of the three-dimensional structural device, a thick film resist film having a higher film thickness, for example, a film thickness of 5 μm or more is formed on the surface of the workpiece, and a resist pattern is formed to perform etching or the like. Have In the case where the chemically amplified resist composition is used here, the thicker the film thickness of the resist film becomes, the more difficult it is to maintain the sensitivity during exposure. Moreover, in a thick film resist film, the resolution with respect to image development falls and a desired resist pattern shape is hard to be obtained.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성할 수 있고, 또한, 높은 감도를 유지하면서, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.This invention is made in view of the said situation, The resist composition which can form the thick film resist film of 5 micrometers or more in film thickness, and can form a pattern of favorable shape, maintaining high sensitivity, and the resist composition It is a subject to provide the used resist pattern formation method.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.In order to solve the said subject, this invention employ | adopted the following structures.

즉, 본 발명의 제 1 양태는, 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 와, 하기 일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민 화합물 (D0) 을 함유하고, 상기 기재 성분 (A) 의 농도가, 20 질량% 이상이고, 상기 화합물 (D0) 의 함유량이, 상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물이다.That is, the 1st aspect of this invention is a resist composition which generate | occur | produces an acid by exposure and changes solubility with respect to a developing solution by the action of an acid, and is a base component whose solubility with respect to a developing solution changes with the action of an acid. (A) and the tertiary monoamine compound (D0) represented by the following general formula (d0), The density | concentration of the said base component (A) is 20 mass% or more, and content of the said compound (D0) is It is 0.01-0.05 mass parts with respect to 100 mass parts of said base material components (A), It is a resist composition characterized by the above-mentioned.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[식 중, Rx1 ∼ Rx3 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기를 나타낸다. Rx1 ∼ Rx3 은, 2 개 이상이 서로 결합하여 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.] [Wherein, Rx 1 to Rx 3 each independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent. Two or more of Rx 1 to Rx 3 may be bonded to each other to form a ring structure.]

본 발명의 제 2 양태는, 지지체 상에, 상기 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii), 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는, 레지스트 패턴 형성 방법이다. According to a second aspect of the present invention, a step (i) of forming a resist film using the resist composition, a step (ii) of exposing the resist film, and a resist film after the exposure are developed to form a resist pattern. It is a resist pattern formation method which has a process (iii).

본 발명에 의하면, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성할 수 있고, 또한, 높은 감도를 유지하면서, 양호한 형상의 패턴을 형성할 수 있는 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, there is provided a resist composition capable of forming a thick film resist film having a film thickness of 5 µm or more and forming a pattern having a good shape while maintaining high sensitivity, and a resist pattern forming method using the resist composition. can do.

본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것이라고 정의한다.In this specification and this patent application, an "aliphatic" is defined as a relative concept with respect to an aromatic and means a group, a compound, etc. which do not have aromaticity.

「알킬기」는, 특별히 기재하지 않는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다."Alkyl group" shall contain a linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon group unless otherwise specified. The alkyl group in an alkoxy group is also the same.

「알킬렌기」는, 특별히 기재하지 않는 한, 직사슬형, 분기 사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다."Alkylene group" shall contain a bivalent saturated hydrocarbon group of linear, branched chain, and cyclic unless otherwise stated.

「할로겐화알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이고, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atoms include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

「불소화알킬기」 또는 「불소화알킬렌기」는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.The "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to a group in which part or all of hydrogen atoms of an alkyl group or an alkylene group are substituted with a fluorine atom.

「구성 단위」란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.A "structural unit" means the monomeric unit (monomer unit) which comprises a high molecular compound (resin, a polymer, a copolymer).

「치환기를 가지고 있어도 된다」 또는 「치환기를 가져도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우의 양방을 포함한다.When describing "you may have a substituent" or "you may have a substituent", when replacing a hydrogen atom (-H) with a monovalent group, and when replacing a methylene group (-CH 2- ) with a divalent group It includes both.

「노광」은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다."Exposure" assumes the concept including the whole irradiation of radiation.

「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit guide | induced from an acrylate ester" means the structural unit in which the ethylenic double bond of an acrylate ester is cleaved and comprised.

「아크릴산에스테르」는, 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복시기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다."Acrylate ester" is, acrylic acid (CH 2 = CH-COOH) is a compound substituted with a hydrogen atom of the carboxyl terminus of the organic.

아크릴산에스테르는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rα0) 는, 수소 원자 이외의 원자 또는 기이고, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기 등을 들 수 있다. 또, 치환기 (Rα0) 가 에스테르 결합을 포함하는 치환기로 치환된 이타콘산디에스테르나, 치환기 (Rα0) 가 하이드록시알킬기나 그 수산기를 수식한 기로 치환된 α 하이드록시아크릴에스테르도 포함하는 것으로 한다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 기재하지 않는 한, 아크릴산의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.In the acrylate ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position may be substituted with a substituent. The substituent (R α0 ) which substitutes the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position is an atom or group other than a hydrogen atom, and examples thereof include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the like. have. Moreover, it is also containing the itaconic acid diester substituted by the substituent which the substituent (R ( alpha ) 0 ) contains the ester bond, and the alpha hydroxyacryl ester substituted by the group which the substituent (R ( alpha ) 0 ) modified the hydroxyalkyl group or its hydroxyl group. do. In addition, the carbon atom of the (alpha) position of an acrylate ester is a carbon atom to which the carbonyl group of acrylic acid couple | bonds unless there is particular notice.

이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를, α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산에스테르와 α 치환 아크릴산에스테르를 포괄하여 「(α 치환) 아크릴산에스테르」라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, the acrylate ester in which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position substituted by the substituent may be called (alpha) substituted acrylate ester. Moreover, acrylic ester and alpha substituted acrylate ester may be encompassed and may be called "(alpha substituted) acrylic acid ester."

「아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴아미드의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from acrylamide" means a structural unit which is formed by cleaving the ethylenic double bond of acrylamide.

아크릴아미드는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되고, 아크릴아미드의 아미노기의 수소 원자의 일방 또는 양방이 치환기로 치환되어 있어도 된다. 또한, 아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 기재하지 않는 한, 아크릴아미드의 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.As for acrylamide, the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent, and one or both hydrogen atoms of the amino group of acrylamide may be substituted by the substituent. In addition, unless otherwise indicated, the carbon atom of the (alpha) position of acrylamide is a carbon atom to which the carbonyl group of acrylamide couple | bonds.

아크릴아미드의 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 든 것 (치환기 (Rα0)) 과 동일한 것을 들 수 있다.As a substituent which substitutes the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position of acrylamide, the thing similar to what was mentioned as a substituent of the (position) (substituent (R ( alpha ))) in the said α substituted acrylate ester is mentioned.

「하이드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」란, 하이드록시스티렌의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다. 「하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 하이드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from hydroxy styrene" means the structural unit which is formed by cleaving the ethylenic double bond of hydroxy styrene. The "structural unit derived from a hydroxy styrene derivative" means the structural unit which is comprised by the cleavage of the ethylenic double bond of a hydroxy styrene derivative.

「하이드록시스티렌 유도체」란, 하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것 ; α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재하지 않는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.A "hydroxy styrene derivative" is taken as the concept containing the thing in which the hydrogen atom of the (alpha) position of hydroxy styrene was substituted by other substituents, such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, and those derivatives. As these derivatives, what substituted the hydrogen atom of the hydroxyl group of the hydroxystyrene which the hydrogen atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent; The thing etc. which the substituents other than a hydroxyl group couple | bonded with the benzene ring of hydroxystyrene which the hydrogen atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent are mentioned. In addition, an alpha position (carbon atom of an alpha position) means the carbon atom which the benzene ring couple | bonds unless there is particular notice.

하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.As a substituent which substitutes the hydrogen atom of the (alpha) position of hydroxy styrene, the thing similar to what was mentioned as a substituent of the (alpha) position in said (alpha) substituted acrylate ester is mentioned.

「비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from vinyl benzoic acid or a vinyl benzoic acid derivative" means the structural unit which is formed by cleaving the ethylenic double bond of vinyl benzoic acid or a vinyl benzoic acid derivative.

「비닐벤조산 유도체」란, 비닐벤조산의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 카르복시기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것 ; α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 벤젠 고리에, 수산기 및 카르복시기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재하지 않는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.A "vinyl benzoic acid derivative" is taken as the concept containing the thing substituted by the other substituents, such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, in the hydrogen position of the (alpha) position of vinyl benzoic acid, and those derivatives. As these derivatives, what substituted the hydrogen atom of the carboxy group of vinylbenzoic acid by which the hydrogen atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent; The thing which the hydroxyl group and substituents other than a carboxyl group couple | bonded with the benzene ring of vinylbenzoic acid which the hydrogen atom of the (alpha) position may be substituted is mentioned. In addition, an alpha position (carbon atom of an alpha position) means the carbon atom which the benzene ring couple | bonds unless there is particular notice.

「스티렌 유도체」란, 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재하지 않는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.A "styrene derivative" is taken as the concept containing the thing in which the hydrogen atom of the α position of styrene was substituted by other substituents, such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, and those derivatives. As these derivatives, the thing by which the substituent couple | bonded with the benzene ring of the hydroxystyrene which the hydrogen atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent is mentioned. In addition, an alpha position (carbon atom of an alpha position) means the carbon atom which the benzene ring couple | bonds unless there is particular notice.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from styrene" and the "structural unit derived from a styrene derivative" mean a structural unit formed by cleaving ethylenic double bonds of styrene or styrene derivatives.

상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, iso) Butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group) and the like.

또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.Moreover, the halogenated alkyl group as a substituent of the (alpha) position specifically, mention | raise | lifted the group which substituted part or all of the hydrogen atom of the said "alkyl group as a substituent of the (alpha) position" by the halogen atom. As this halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, Especially a fluorine atom is preferable.

또, α 위치의 치환기로서의 하이드록시알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 그 하이드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는, 1 ∼ 5 가 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.Moreover, the hydroxyalkyl group as a substituent of the (alpha) position specifically, mention | raise | lifted the group which substituted one or all the hydrogen atoms of the said "alkyl group as a substituent of the (alpha) position" with a hydroxyl group. 1-5 are preferable and, as for the number of the hydroxyl groups in this hydroxyalkyl group, 1 is the most preferable.

본 명세서 및 본 특허 청구 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는, 부제 탄소가 존재하고, 에난티오 이성체 (enantiomer) 나 디아스테레오 이성체 (diastereomer) 가 존재할 수 있는 것이 있다. 그 경우에는 하나의 화학식으로 그것들 이성체를 대표하여 나타낸다. 그들 이성체는 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로서 사용해도 된다.In the present specification and the claims, depending on the structure represented by the chemical formula, subtitle carbon may exist, and there may be enantio or diastereomers. In that case, they represent one of these isomers in one chemical formula. These isomers may be used independently or may be used as a mixture.

(레지스트 조성물) (Resist composition)

본 발명의 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 것이고, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하 「(A) 성분」이라고도 한다) 와, 일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민 화합물 (D0) (이하 「(D0) 성분」이라고도 한다) 을 포함한다. 상기 기재 성분 (A) 의 함유량이 20 질량% 이상이고, 상기 화합물 (D0) 의 함유량이, 상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부이다.The resist composition which concerns on the 1st aspect of this invention generate | occur | produces an acid by exposure, and the solubility to a developing solution changes by the action of an acid, and the base component which changes the solubility to a developing solution by the action of an acid. (A) (hereinafter also referred to as "(A) component") and tertiary monoamine compound (D0) (hereinafter also referred to as "(D0) component") represented by general formula (d0). Content of the said base material component (A) is 20 mass% or more, and content of the said compound (D0) is 0.01-0.05 mass parts with respect to 100 mass parts of said base material components (A).

이러한 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하면, 막두께 5 ㎛ 이상의 레지스트막이 형성된다.When a resist film is formed using such a resist composition, a resist film having a film thickness of 5 m or more is formed.

이러한 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대해 선택적 노광을 실시하면, 그 레지스트막의 노광부에서는 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편으로, 그 레지스트막의 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 노광부와 미노광부 간에서 현상액에 대한 용해성의 차가 발생한다. 그 때문에, 그 레지스트막을 현상하면, 그 레지스트 조성물이 포지티브형인 경우에는 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성되고, 그 레지스트 조성물이 네거티브형인 경우에는 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using such a resist composition, and selective exposure is performed to the resist film, an acid is generated in the exposed portion of the resist film, and the solubility of the component (A) in the developer is changed by the action of the acid. On the other hand, in the unexposed part of the resist film, since the solubility of the (A) component in the developing solution does not change, a difference in solubility in the developing solution occurs between the exposed part and the unexposed part. Therefore, when the resist film is developed, the resist film exposed portion is dissolved and removed when the resist composition is positive, and the resist film unexposed portion is dissolved and removed when the resist composition is negative. A resist pattern of the type is formed.

본 명세서에 있어서는, 레지스트막 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 레지스트막 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.In the present specification, a resist composition in which the resist film exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern is called a positive resist composition, and a resist composition in which the resist film unexposed portion is dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as a negative resist. It is called a composition.

본 양태의 레지스트 조성물은, 포지티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 네거티브형 레지스트 조성물이어도 된다.The resist composition of this aspect may be a positive resist composition or a negative resist composition.

또, 본 양태의 레지스트 조성물은, 레지스트 패턴 형성 시의 현상 처리에 알칼리 현상액을 사용하는 알칼리 현상 프로세스용이어도 되고, 그 현상 처리에 유기 용제를 포함하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하는 용제 현상 프로세스용이어도 된다.Moreover, the resist composition of this aspect may be for the alkali developing process which uses alkaline developing solution for the developing process at the time of resist pattern formation, and for the solvent developing process which uses the developing solution (organic developing solution) containing the organic solvent for the developing process. It may be.

본 양태의 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생능을 갖는 것이고, (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 되고, (A) 성분과는 별도로 배합된 첨가제 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 된다.The resist composition of this aspect has an acid generating ability which generates an acid by exposure, (A) component may generate an acid by exposure, and the additive component mix | blended separately with (A) component is exposed by exposure. You may generate an acid.

본 양태의 레지스트 조성물은, 구체적으로는, (1) 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) (이하 「(B) 성분」이라고 한다) 를 함유하는 것이어도 되고, (2) (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 성분이어도 되고, (3) (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 성분이고, 또한, 추가로 (B) 성분을 함유하는 것이어도 된다.The resist composition of this aspect may specifically contain the acid generator component (B) (henceforth "a component (B)") which generate | occur | produces an acid by exposure (1), (2) ( The component A) may be a component which generates an acid by exposure, (3) The component (A) may be a component which generates an acid by exposure, and may further contain the component (B).

즉, 상기 (2) 및 (3) 의 경우, (A) 성분은, 「노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분」이 된다. (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분인 경우, 후술하는 (A1) 성분이, 노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 고분자 화합물로는, 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위로는, 공지된 것을 사용할 수 있다.That is, in the case of said (2) and (3), (A) component becomes "the base component which produces | generates an acid by exposure and changes solubility to a developing solution by the action of an acid." When the component (A) is a base component that generates an acid upon exposure and changes in solubility in a developer due to the action of an acid, the component (A1) described later generates an acid upon exposure, and It is preferable that it is a high molecular compound in which the solubility to a developing solution changes by the action of an acid. As such a high molecular compound, resin which has a structural unit which generate | occur | produces an acid by exposure can be used. As a structural unit which generate | occur | produces an acid by exposure, a well-known thing can be used.

이러한 레지스트 조성물은, 상기 서술한 중에서도 상기 (1) 의 경우인 것, 즉, (A) 성분과 (D0) 성분을 함유하고, 추가로 (B) 성분을 함유하는 실시형태가 특히 바람직하다.Especially as mentioned above, such a resist composition is the case of said (1), ie, embodiment containing (A) component and (D0) component, and also containing (B) component is especially preferable.

<(A) 성분> <(A) component>

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분이다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) is a base component whose solubility in a developer is changed by the action of an acid.

본 발명에 있어서 「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이고, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 또한, 나노 레벨의 레지스트 패턴을 형성하기 쉬워진다.In the present invention, the "base component" is an organic compound having film forming ability, and an organic compound having a molecular weight of 500 or more is preferably used. When the molecular weight of this organic compound is 500 or more, film formation ability improves and it becomes easy to form a resist pattern of a nano level.

기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은, 비중합체와 중합체로 크게 나누어진다.The organic compound used as a base component is divided roughly into a nonpolymer and a polymer.

비중합체로는, 통상, 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하 「저분자 화합물」이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다.As a nonpolymer, the thing of molecular weight 500-4000 is normally used. Hereinafter, when called a "low molecular weight compound", the nonpolymer whose molecular weight is 500 or more and less than 4000 is shown.

중합체로는, 통상, 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하 「수지」, 「고분자 화합물」 또는 「폴리머」라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다.As a polymer, the thing of molecular weight 1000 or more is used normally. Hereinafter, when referring to "resin", a "polymer compound", or a "polymer," the polymer whose molecular weight is 1000 or more is shown.

중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As a molecular weight of a polymer, the mass mean molecular weight of polystyrene conversion by GPC (gel permeation chromatography) shall be used.

본 실시형태의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는, 알칼리 현상액에 가용성의 기재 성분 (A-2) (이하 「(A-2) 성분」이라고 한다) 가 사용되고, 추가로 가교제 성분이 배합된다. 이러한 레지스트 조성물은, 예를 들어, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산이 작용하여 그 (A-2) 성분과 가교제 성분 간에서 가교가 일어나고, 이 결과, 알칼리 현상액에 대한 용해성이 감소 (유기계 현상액에 대한 용해성이 증대) 한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막을 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성 (유기계 현상액에 대해 가용성) 으로 바뀌는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 알칼리 현상액에 대해 가용성 (유기계 현상액에 대해 난용성) 인 채 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상액으로 현상함으로써 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다. 또, 이때 유기계 현상액으로 현상함으로써 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When the resist composition of this embodiment is a "negative resist composition for alkali image development processes" which form a negative resist pattern in an alkali image development process, or "solvent image formation which forms a positive resist pattern in a solvent image development process. In the case of "positive resist composition for processes", the base component (A-2) (hereinafter referred to as "(A-2) component") soluble in an alkali developer is preferably used as the component (A). The crosslinking agent component is blended. For example, when an acid is generated from component (B) by exposure, such a resist composition causes crosslinking between the component (A-2) and the crosslinking agent component, and as a result, solubility in an alkaline developer Decrease (solubility in organic developer) increases. Therefore, in formation of a resist pattern, when the resist film obtained by apply | coating the resist composition on a support body is selectively exposed, a resist film exposure part will change to poor solubility (soluble to an organic developing solution) with respect to an alkaline developing solution, and will resist Since the film unexposed portion does not change while being soluble in the alkaline developer (hardly soluble in the organic developer), the negative resist pattern is formed by developing with the alkaline developer. At this time, a positive resist pattern is formed by developing with an organic developer.

(A-2) 성분의 바람직한 것으로는, 알칼리 현상액에 대해 가용성의 수지 (이하 「알칼리 가용성 수지」라고 한다.) 가 사용된다.As a preferable thing of (A-2) component, soluble resin (henceforth "alkali soluble resin") is used with respect to alkaline developing solution.

알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2000-206694호에 개시되어 있는, α-(하이드록시알킬)아크릴산, 또는 α-(하이드록시알킬)아크릴산의 알킬에스테르 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬에스테르) 에서 선택되는 적어도 1 개로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 수지 ; 미국 특허 6949325호에 개시되어 있는, 술폰아미드기를 갖는 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 또는 폴리시클로올레핀 수지 ; 미국 특허 6949325호, 일본 공개특허공보 2005-336452호, 일본 공개특허공보 2006-317803호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 함유하고, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴 수지 ; 일본 공개특허공보 2006-259582호에 개시되어 있는, 불소화알코올을 갖는 폴리시클로올레핀 수지 등이, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 점에서 바람직하다.As alkali-soluble resin, the alkyl ester of (alpha)-(hydroxyalkyl) acrylic acid or (alpha)-(hydroxyalkyl) acrylic acid disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-206694 (preferably C1-C1) Resin having a structural unit derived from at least one selected from alkyl ester of 5); Acrylic resin or polycycloolefin resin which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position which has a sulfonamide group may be substituted by the substituent disclosed by US Patent 6949325; Acrylic resin which contains the fluorinated alcohol and which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of (alpha) position may be substituted by the substituent disclosed by US Patent 6949325, Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-336452, and 2006-317803. ; The polycycloolefin resin etc. which have a fluorinated alcohol etc. which are disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-259582 are preferable at the point which can form the favorable resist pattern with little swelling.

또한, 상기 α-(하이드록시알킬)아크릴산은, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 중, 카르복시기가 결합하는 α 위치의 탄소 원자에 수소 원자가 결합하고 있는 아크릴산과, 이 α 위치의 탄소 원자에 하이드록시알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 하이드록시알킬기) 가 결합하고 있는 α-하이드록시알킬아크릴산의 일방 또는 양방을 나타낸다.In addition, the said (alpha)-(hydroxyalkyl) acrylic acid is acrylic acid which the hydrogen atom couple | bonds with the carbon atom of the (alpha) position which a carboxy group couple | bonds among the acrylic acids which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent, and The one or both of the (alpha)-hydroxyalkyl acrylic acid which the hydroxyalkyl group (preferably C1-C5 hydroxyalkyl group) couple | bonds with the carbon atom of the (alpha) position is shown.

가교제 성분으로는, 예를 들어, 팽윤이 적은 양호한 레지스트 패턴이 형성되기 쉬운 점에서, 메틸올기 혹은 알콕시메틸기를 갖는 글리콜우릴 등의 아미노계 가교제, 또는 멜라민계 가교제 등을 사용하는 것이 바람직하다. 가교제 성분의 배합량은, 알칼리 가용성 수지 100 질량부에 대해 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.As a crosslinking component, it is preferable to use amino crosslinking agents, such as glycoluril, etc. which have a methylol group or an alkoxy methyl group, or a melamine crosslinking agent, since the favorable resist pattern with little swelling is easy to be formed, for example. It is preferable that the compounding quantity of a crosslinking agent component is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of alkali-soluble resin.

본 실시형태의 레지스트 조성물이, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」인 경우, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」인 경우, (A) 성분으로는, 바람직하게는, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 기재 성분 (A-1) (이하 「(A-1) 성분」이라고 한다) 이 사용된다. (A-1) 성분을 사용함으로써, 노광 전후에서 기재 성분의 극성이 변화하기 때문에, 알칼리 현상 프로세스뿐만 아니라, 용제 현상 프로세스에 있어서도, 양호한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다.When the resist composition of this embodiment is a "positive resist composition for alkali image development processes" which form a positive resist pattern in an alkali image development process, or "solvent image formation which forms a negative type resist pattern in a solvent image development process. In the case of "negative resist composition for processes", as the component (A), the base component (A-1), which preferably increases in polarity by the action of an acid (hereinafter referred to as "(A-1) component") This is used. By using the component (A-1), since the polarity of the base component changes before and after exposure, good development contrast can be obtained not only in the alkali developing process but also in the solvent developing process.

알칼리 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A-1) 성분은, 노광 전에는 알칼리 현상액에 대해 난용성이고, 예를 들어, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 증대하여 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 그 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 알칼리 현상액에 대해 난용성으로부터 가용성으로 변화하는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 알칼리 난용성인 채 변화하지 않기 때문에, 알칼리 현상함으로써 포지티브형 레지스트 패턴이 형성된다.In the case of applying the alkali developing process, the component (A-1) is poorly soluble in the alkaline developing solution before exposure. For example, when an acid is generated from the component (B) by exposure, it is polarized by the action of the acid. This increase increases the solubility in the alkaline developer. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist composition is selectively exposed to a resist film obtained by applying the resist composition on a support, the resist film exposure portion changes from poorly soluble to soluble to an alkaline developer, while resist film minnows. Since the mining portion does not change while being insoluble in alkali, a positive resist pattern is formed by alkali development.

한편, 용제 현상 프로세스를 적용하는 경우, 그 (A-1) 성분은, 노광 전에는 유기계 현상액에 대해 용해성이 높고, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생하면, 그 산의 작용에 의해 극성이 높아져, 유기계 현상액에 대한 용해성이 감소한다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 레지스트 조성물을 지지체 상에 도포하여 얻어지는 레지스트막에 대해 선택적으로 노광하면, 레지스트막 노광부는 유기계 현상액에 대해 가용성으로부터 난용성으로 변화하는 한편으로, 레지스트막 미노광부는 가용성인 채 변화하지 않기 때문에, 유기계 현상액으로 현상함으로써, 노광부와 미노광부 간에서 콘트라스트를 부여할 수 있어, 네거티브형 레지스트 패턴이 형성된다.On the other hand, in the case of applying the solvent developing process, the component (A-1) has high solubility in the organic developer before exposure, and when acid is generated from the component (B) by exposure, the polarity is increased by the action of the acid. The solubility in organic developer is reduced. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist composition is selectively exposed to the resist film obtained by applying the resist composition on the support, the resist film exposure portion changes from soluble to poorly soluble to an organic developer, while resist film minnows. Since the light portion does not change while being soluble, by developing with an organic developer, contrast can be provided between the exposed portion and the unexposed portion, and a negative resist pattern is formed.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, (A) component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (A) 성분은, 상기 (A-1) 성분인 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 알칼리 현상 프로세스에 있어서 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「알칼리 현상 프로세스용 포지티브형 레지스트 조성물」, 또는, 용제 현상 프로세스에 있어서 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 「용제 현상 프로세스용 네거티브형 레지스트 조성물」인 것이 바람직하다. (A) 성분으로는, 고분자 화합물 및 저분자 화합물의 적어도 일방을 사용할 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, the component (A) is preferably the component (A-1). That is, the resist composition of this embodiment is "the positive resist composition for alkali image development processes" which forms a positive resist pattern in an alkali image development process, or the "solvent image formation which forms a negative resist pattern in a solvent image development process. Negative resist composition for process ". As (A) component, at least one of a high molecular compound and a low molecular compound can be used.

(A) 성분이 (A-1) 성분인 경우, (A-1) 성분으로는, 수지 성분 (A1) (이하 「(A1) 성분」이라고도 한다) 을 포함하는 것이 바람직하다.When (A) component is (A-1) component, it is preferable to contain resin component (A1) (henceforth "(A1) component") as (A-1) component.

·(A1) 성분에 대해 About (A1) component

(A1) 성분은, 수지 성분이고, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that (A1) component is a resin component and it contains the high molecular compound which has a structural unit (a1) containing the acid-decomposable group which increases polarity by the effect | action of an acid.

(A1) 성분으로는, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 하이드록시스티렌 골격을 포함하는 구성 단위 (a10) 을 갖는 것이 바람직하다.As (A1) component, in addition to a structural unit (a1), it is preferable to have a structural unit (a10) containing a hydroxy styrene skeleton further.

또, (A1) 성분으로는, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 스티렌 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위 (st) 를 갖는 것도 바람직하다.Moreover, as (A1) component, it is also preferable to have a structural unit (st) derived from styrene or its derivatives in addition to a structural unit (a1).

또, (A1) 성분은, 구성 단위 (a1), 구성 단위 (a10), 구성 단위 (st) 이외의 구성 단위를 가져도 된다.Moreover, (A1) component may have structural units other than a structural unit (a1), a structural unit (a10), and a structural unit (st).

≪구성 단위 (a1)≫ `` Structural unit (a1) ''

구성 단위 (a1) 은, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 포함하는 구성 단위이다.Structural unit (a1) is a structural unit containing the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid.

「산 분해성기」는, 산의 작용에 의해, 당해 산 분해성기의 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산 분해성을 갖는 기이다. An "acid-decomposable group" is a group having an acid-decomposable property that at least a part of the bonds in the structure of the acid-decomposable group can cleave due to the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 생성시키는 기를 들 수 있다.As an acid-decomposable group in which polarity increases by the action of an acid, the group which decomposes by the action of an acid and produces | generates a polar group is mentioned, for example.

극성기로는, 예를 들어 카르복시기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하 「OH 함유 극성기」라고 하는 경우가 있다.) 가 바람직하고, 카르복시기 또는 수산기가 보다 바람직하며, 카르복시기가 특히 바람직하다.A polar group, for example carboxyl group, there may be mentioned hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (-SO 3 H) or the like. Among these, a polar group (hereinafter sometimes referred to as "OH-containing polar group") in the structure is preferable, a carboxyl group or a hydroxyl group is more preferable, and a carboxyl group is particularly preferable.

산 분해성기로서 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산 해리성기로 보호된 기 (예를 들어 OH 함유 극성기의 수소 원자를, 산 해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.As an acid-decomposable group, the group by which the said polar group was protected by the acid dissociable group (for example, the group which protected the hydrogen atom of OH containing polar group by the acid dissociable group) is mentioned.

여기서 「산 해리성기」란, (i) 산의 작용에 의해, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 간의 결합이 개열할 수 있는 산 해리성을 갖는 기, 또는, (ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열한 후, 또한 탈탄산 반응이 생김으로써, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 간의 결합이 개열할 수 있는 기의 쌍방을 말한다.An "acid dissociable group" is group which has acid dissociation property which the bond between the said acid dissociable group and the atom adjacent to this acid dissociable group can cleave by the action of (i) acid, or (ii) acid After some bonds are cleaved by the action of and decarboxylation reaction occurs, both of the groups capable of cleaving the bond between the acid dissociable group and atoms adjacent to the acid dissociable group can be cleaved.

산 분해성기를 구성하는 산 해리성기는, 당해 산 해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기일 필요가 있고, 이로써, 산의 작용에 의해 그 산 해리성기가 해리되었을 때에, 그 산 해리성기보다 극성이 높은 극성기가 생성되어 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로, 현상액에 대한 용해성이 변화하여, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid dissociable group constituting the acid-decomposable group needs to be a group having a lower polarity than the polar group produced by dissociation of the acid dissociable group. Thus, when the acid dissociable group is dissociated by the action of acid, the acid dissociable group A polar group with a higher polarity is generated and the polarity is increased. As a result, the polarity of the whole (A1) component increases. As the polarity increases, solubility in the developing solution relatively changes, solubility increases when the developing solution is an alkaline developing solution and decreases in solubility when the developing solution is an organic developing solution.

산 해리성기로는, 지금까지, 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것을 들 수 있다.As an acid dissociable group, what has been proposed as an acid dissociable group of the base resin for chemically amplified resist compositions so far is mentioned.

화학 증폭형 레지스트 조성물용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것으로서 구체적으로는, 이하에 설명하는 「아세탈형 산 해리성기」, 「제3급 알킬에스테르형 산 해리성기」, 「제3급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」를 들 수 있다.As an acid dissociable group of the base resin for chemically amplified resist compositions, specifically, the "acetal acid dissociable group", the "tertiary alkyl ester type acid dissociable group" demonstrated below, and "tertiary Alkyloxycarbonyl acid dissociable group ”.

아세탈형 산 해리성기 : Acetal acid dissociation group:

상기 극성기 중 카르복시기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1) 로 나타내는 산 해리성기 (이하 「아세탈형 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다.) 를 들 수 있다. As an acid dissociable group which protects a carboxyl group or a hydroxyl group among the said polar groups, the acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (henceforth a "acetal type acid dissociable group" may be called.) Can be mentioned.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기이다. Ra'3 은 탄화수소기이고, Ra'3 은, Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다.] [Wherein, Ra '1, Ra' 2 is a hydrogen atom or an alkyl group; Ra ' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be bonded to any of Ra ' 1 and Ra' 2 to form a ring.]

식 (a1-r-1) 중, Ra'1 및 Ra'2 중, 적어도 일방이 수소 원자인 것이 바람직하고, 양방이 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In Formula (a1-r-1), at least one of Ra ' 1 and Ra' 2 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both are hydrogen atoms.

Ra'1 또는 Ra'2 가 알킬기인 경우, 그 알킬기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 대한 설명에서, α 위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 든 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 바람직하게 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하며, 메틸기가 특히 바람직하다.When Ra ' 1 or Ra' 2 is an alkyl group, the alkyl group may be the same as the alkyl group cited as a substituent which may be bonded to a carbon atom at the α-position in the description of the α-substituted acrylate ester. The alkyl group of 5 is preferable. Specifically, a linear or branched alkyl group is preferable. More specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned, A methyl group or an ethyl group is mentioned. More preferably, a methyl group is especially preferable.

식 (a1-r-1) 중, Ra'3 의 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.Expression may be mentioned (a1-r-1) of, Ra 'is a hydrocarbon group of 3, a linear or branched alkyl group, or a cyclic hydrocarbon group of.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 탄소수가 1 ∼ 4 가 보다 바람직하며, 탄소수 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or ethyl group is more preferable.

그 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다. The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group and the like. It is preferable.

Ra'3 이 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고 방향족 탄화수소기여도 되고, 또, 다고리형기여도 되고 단고리형기여도 된다.When Ra ' 3 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a polycyclic group or a monocyclic group.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group, the group remove | excluding one hydrogen atom from monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, A cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically ,.

다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group, the group remove | excluding one hydrogen atom from polycycloalkane is preferable, As the polycycloalkane, a C7-12 thing is preferable, Specifically, adamantane, norbornane, and iso Bornan, tricyclodecane, tetracyclo dodecane, etc. are mentioned.

Ra'3 의 고리형의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기가 되는 경우, 그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.When the cyclic hydrocarbon group of Ra ' 3 is an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다.The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-C20 is more preferable, C6-C15 is further more preferable, C6-C12 is especially preferable.

방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; And an aromatic hetero ring in which part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic hetero ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

Ra'3 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1 인 것이 특히 바람직하다.Ra 'as the aromatic hydrocarbon group in the third Specifically, the aromatic hydrocarbon ring or a group removed a hydrogen atom from an aromatic heterocyclic ring (aryl or heteroaryl group); A group in which one hydrogen atom is removed from an aromatic compound (eg, biphenyl, fluorene, etc.) containing two or more aromatic rings; Groups in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic hetero ring is substituted with an alkylene group (for example, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2 And arylalkyl groups such as naphthylethyl group). It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is 1-4, It is more preferable that it is C1-C2, It is especially preferable that it is C1-C.

Ra'3 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 이 치환기로는, 예를 들어, -RP1, -RP2-O-RP1, -RP2-CO-RP1, -RP2-CO-ORP1, -RP2-O-CO-RP1, -RP2-OH, -RP2-CN 또는 -RP2-COOH (이하 이들 치환기를 통합하여 「Ra05」라고도 한다.) 등을 들 수 있다.The cyclic hydrocarbon group in Ra ' 3 may have a substituent. Examples of the substituent include -R P1 , -R P2 -OR P1 , -R P2 -CO-R P1 , -R P2 -CO-OR P1 , -R P2 -O-CO-R P1 ,- R P2 -OH, -R P2 -CN, or -R P2 -COOH (hereinafter, these substituents are collectively referred to as "Ra 05 ").

여기서, RP1 은, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 30 의 1 가의 방향족 탄화수소기이다. 또, RP2 는, 단결합, 탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 포화 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 30 의 2 가의 방향족 탄화수소기이다. 단, RP1 및 RP2 의 사슬형 포화 탄화수소기, 지방족 고리형 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 불소 원자로 치환되어 있어도 된다. 상기 지방족 고리형 탄화수소기는, 상기 치환기를 1 종 단독으로 1 개 이상 가지고 있어도 되고, 상기 치환기 중 복수종을 각 1 개 이상 가지고 있어도 된다.Here, R <P1> is a C1-C10 monovalent chain-type saturated hydrocarbon group, a C3-C20 monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group, or a C6-C30 monovalent aromatic hydrocarbon group. Moreover, R <P2> is a single bond, a C1-C10 divalent linear saturated hydrocarbon group, a C3-C20 divalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group, or a C6-C30 divalent aromatic hydrocarbon group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the chain saturated hydrocarbon group, aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group, and aromatic hydrocarbon group of R <P1> and R <P2> have may be substituted by the fluorine atom. The aliphatic cyclic hydrocarbon group may have one or more of the substituents alone, or may have one or more of each of the substituents.

탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등을 들 수 있다.As a C1-C10 monovalent chain-type saturated hydrocarbon group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a decyl group, etc. are mentioned, for example.

탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로데실기, 시클로도데실기 등의 단고리형 지방족 포화 탄화수소기 ; 비시클로[2.2.2]옥타닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기, 트리시클로[3.3.1.13,7]데카닐기, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카닐기, 아다만틸기 등의 다고리형 지방족 포화 탄화수소기를 들 수 있다. As a C3-C20 monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group, a cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecyl group, cyclododecyl group Monocyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as these; Bicyclo [2.2.2] octanyl group, tricyclo [5.2.1.02,6] decanyl group, tricyclo [3.3.1.13,7] decanyl group, tetracyclo [6.2.1.13,6.02,7] dodecanyl group, Polycyclic type aliphatic saturated hydrocarbon groups, such as a danyl group, are mentioned.

탄소수 6 ∼ 30 의 1 가의 방향족 탄화수소기로는, 예를 들어, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기를 들 수 있다. As a C6-C30 monovalent aromatic hydrocarbon group, the group remove | excluding one hydrogen atom from aromatic hydrocarbon rings, such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, is mentioned, for example.

Ra'3 이, Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성하는 경우, 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다. When Ra 'is 3, Ra' and combined with any of the 1, Ra '2 form a ring, the cyclic group include, 4 to 7 membered ring is preferred, and more preferably a 4 to 6 membered ring. Specific examples of the cyclic group include tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group and the like.

제3급 알킬에스테르형 산 해리성기 : Tertiary alkyl ester type acid dissociable group:

상기 극성기 중, 카르복시기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기를 들 수 있다.As an acid dissociable group which protects a carboxyl group in the said polar group, the acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-2) is mentioned, for example.

또한, 하기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중, 알킬기에 의해 구성되는 것을, 이하, 편의상 「제3급 알킬에스테르형 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다.In addition, what consists of an alkyl group among the acid dissociable groups represented by following formula (a1-r-2) may be called "tertiary alkylester type acid dissociable group" for convenience.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

[식 중, Ra'4 ∼ Ra'6 은 각각 탄화수소기이고, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.] [Wherein, Ra ' 4 to Ra' 6 are each a hydrocarbon group, and Ra ' 5 and Ra' 6 may be bonded to each other to form a ring.]

Ra'4 의 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 사슬형 혹은 고리형의 알케닐기, 또는, 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the Ra ' 4 hydrocarbon group include a linear or branched alkyl group, a chain or cyclic alkenyl group, or a cyclic hydrocarbon group.

Ra'4 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 고리형의 탄화수소기 (단고리형기인 지방족 탄화수소기, 다고리형기인 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기) 는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the linear or branched alkyl group and cyclic hydrocarbon group for Ra ' 4 (an aliphatic hydrocarbon group as monocyclic group, aliphatic hydrocarbon group as polycyclic group and aromatic hydrocarbon group) include the same as those for Ra' 3 . Can be.

Ra'4 에 있어서의 사슬형 혹은 고리형의 알케닐기는, 탄소수 2 ∼ 10 의 알케닐기가 바람직하다.The linear or cyclic alkenyl group for Ra ′ 4 is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.

Ra'5, Ra'6 의 탄화수소기로는, 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group for Ra ′ 5 and Ra ′ 6 include the same groups as those for Ra ′ 3 .

Ra'5 와 Ra'6 이 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기, 하기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기, 하기 일반식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다.When Ra ' 5 and Ra' 6 are bonded to each other to form a ring, the group represented by the following general formula (a1-r2-1), the group represented by the following general formula (a1-r2-2), and the following general formula (a1) The group represented by -r2-3) is mentioned preferably.

한편, Ra'4 ∼ Ra'6 이 서로 결합하지 않고, 독립된 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-4) 로 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다. On the other hand, when Ra ' 4 to Ra' 6 do not bond with each other and are independent hydrocarbon groups, groups represented by the following general formula (a1-r2-4) are preferably mentioned.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

[식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 은, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 또는 하기 일반식 (a1-r2-r1) 로 나타내는 기를 나타낸다. Ra'11 은 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기를 나타낸다. 식 (a1-r2-2) 중, Ya 는 탄소 원자이다. Xa 는, Ya 와 함께 고리형의 탄화수소기를 형성하는 기이다. 이 고리형의 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 된다. Ra01 ∼ Ra03 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기 또는 탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기이다. 이 사슬형 포화 탄화수소기 및 지방족 고리형 포화 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 된다. Ra01 ∼ Ra03 의 2 개 이상이 서로 결합하여 고리형 구조를 형성하고 있어도 된다. 식 (a1-r2-3) 중, Yaa 는 탄소 원자이다. Xaa 는, Yaa 와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기이다. Ra04 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다. 식 (a1-r2-4) 중, Ra'12 및 Ra'13 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기 또는 수소 원자이다. 이 사슬형 포화 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 된다. Ra'14 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이다. * 는 결합손을 나타낸다 (이하 동일).] [Wherein, Ra '10 of (a1-r2-1) is, represents a group represented by the group, or the following formula (a1-r2-r1) of 1 to 10 carbon atoms. Ra represents a group to form an aliphatic cyclic group with '11 is Ra, the carbon atom 10 is bonded. In formula (a1-r2-2), Ya is a carbon atom. Xa is group which forms a cyclic hydrocarbon group with Ya. One part or all part of the hydrogen atom which this cyclic hydrocarbon group has may be substituted. Ra 01 to Ra 03 each independently represent a hydrogen atom, a C1-C10 monovalent chain saturated hydrocarbon group, or a C3-C20 monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group. One part or all part of the hydrogen atom which this chain saturated hydrocarbon group and aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group have may be substituted. Two or more of Ra 01 to Ra 03 may be bonded to each other to form a cyclic structure. In formula (a1-r2-3), Yaa is a carbon atom. Xaa is group which forms an aliphatic cyclic group with Yaa. Ra 04 is an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. In formula (a1-r2-4), Ra '12 and Ra' 13 are each independently a C1-C10 monovalent linear saturated hydrocarbon group or hydrogen atom. One part or all part of the hydrogen atom which this linear saturated hydrocarbon group has may be substituted. Ra '14 is a hydrocarbon group which may have a substituent. * Represents a bonding hand (hereafter, same).]

[화학식 5] [Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

[식 중, Ya0 은, 제4급 탄소 원자이다. Ra031, Ra032 및 Ra033 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이다. 단, Ra031, Ra032 및 Ra033 중 1 개 이상은, 적어도 1 개의 극성기를 갖는 탄화수소기이다.] [In formula, Ya 0 is a quaternary carbon atom. Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 are each independently a hydrocarbon group which may have a substituent. Provided that at least one of Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is a hydrocarbon group having at least one polar group.]

상기 식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기로서 든 기가 바람직하다. Ra'10 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다.The formula (a1-r2-1) of, Ra 'group of 10 1 to 10 carbon atoms in the formula (a1-r-1) Ra of the' group is either a linear or branched alkyl group of 3 desirable. Ra '10 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

상기 식 (a1-r2-r1) 중, Ya0 은, 제4급 탄소 원자이다. 즉, Ya0 (탄소 원자) 에 결합하는 이웃하는 탄소 원자가 4 개이다.In Formula (a1-r2-r1), Ya 0 is a quaternary carbon atom. That is, Ya 0 4 carbon atoms bonded to the neighboring dog (carbon atom).

상기 식 (a1-r2-r1) 중, Ra031, Ra032 및 Ra033 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이다. Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의 탄화수소기로는, 각각 독립적으로, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 사슬형 혹은 고리형의 알케닐기, 또는, 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다.In the formula (a1-r2-r1), Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 are each independently a hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the hydrocarbon groups for Ra 031 , Ra 032, and Ra 033 include a linear or branched alkyl group, a chain or cyclic alkenyl group, or a cyclic hydrocarbon group.

Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의, 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하며, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.In Ra 031 , Ra 032, and Ra 033 , the linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4, and even more preferably 1 or 2. Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or ethyl group is more preferable.

Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의, 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.The branched alkyl group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples thereof include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group and the like. It is preferable.

Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의, 사슬형 혹은 고리형의 알케닐기는, 탄소수 2 ∼ 10 의 알케닐기가 바람직하다.The linear or cyclic alkenyl group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is preferably a C 2-10 alkenyl group.

Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의, 고리형의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고 방향족 탄화수소기여도 되고, 또, 다고리형기여도 되고 단고리형기여도 된다.In Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 , the cyclic hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or may be a polycyclic group or a monocyclic group.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group, the group remove | excluding one hydrogen atom from monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, A cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically ,.

다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group, the group remove | excluding one hydrogen atom from polycycloalkane is preferable, As the polycycloalkane, a C7-12 thing is preferable, Specifically, adamantane, norbornane, and iso Bornan, tricyclodecane, tetracyclo dodecane, etc. are mentioned.

Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의, 그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다. 이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다. 그 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring. The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, 5-20 are more preferable, 6-15 are more preferable, and 6-12 are especially preferable. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; And an aromatic hetero ring in which part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic hetero ring include a pyridine ring and a thiophene ring. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which one hydrogen atom is removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic hetero ring (aryl group or heteroaryl group); A group in which one hydrogen atom is removed from an aromatic compound (eg, biphenyl, fluorene, etc.) containing two or more aromatic rings; Groups in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic hetero ring is substituted with an alkylene group (for example, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2 And arylalkyl groups such as naphthylethyl group). It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is one.

상기 Ra031, Ra032 및 Ra033 으로 나타내는 탄화수소기가 치환되어 있는 경우, 그 치환기로는, 예를 들어, 하이드록시기, 카르복시기, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 알콕시기 (메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등), 알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.When the hydrocarbon groups represented by Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 are substituted, examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxy group, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), an alkoxy group ( Methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), an alkyloxycarbonyl group, etc. are mentioned.

상기 중에서도, Ra031, Ra032 및 Ra033 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하다.Among the above, the hydrocarbon group which may have a substituent in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is preferably a linear or branched alkyl group which may have a substituent, and more preferably a linear alkyl group. .

단, Ra031, Ra032 및 Ra033 중 1 개 이상은, 적어도 극성기를 갖는 탄화수소기이다.However, at least one of Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is a hydrocarbon group having at least a polar group.

「극성기를 갖는 탄화수소기」란, 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 극성기로 치환하여 있는 것, 또는, 탄화수소기를 구성하는 적어도 1 개의 수소 원자가 극성기로 치환되어 있는 것을 모두 포함한다.The "hydrocarbon group having a polar group" includes both the methylene group (-CH 2- ) constituting the hydrocarbon group and the one substituted with the polar group or at least one hydrogen atom constituting the hydrocarbon group.

이러한 「극성기를 갖는 탄화수소기」로는, 하기 일반식 (a1-p1) 로 나타내는 관능기가 바람직하다.As such a "hydrocarbon group which has a polar group", the functional group represented by the following general formula (a1-p1) is preferable.

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

[식 중, Ra07 은, 탄소수 2 ∼ 12 의 2 가의 탄화수소기를 나타낸다. Ra08 은, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기를 나타낸다. Ra06 은, 탄소수 1 ∼ 12 의 1 가의 탄화수소기를 나타낸다. np0 은, 1 ∼ 6 의 정수이다.] [In formula, Ra 07 represents a C2-C12 bivalent hydrocarbon group. Ra 08 represents a divalent linking group containing a hetero atom. Ra 06 represents a C1-C12 monovalent hydrocarbon group. n p0 is an integer of 1-6.]

상기 식 (a1-p1) 중, Ra07 은, 탄소수 2 ∼ 12 의 2 가의 탄화수소기를 나타낸다.In the formula (a1-p1), Ra 07 represents a divalent hydrocarbon group having 2 to 12 carbon atoms.

Ra07 의 탄소수는, 2 ∼ 12 이고, 탄소수 2 ∼ 8 이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 2 가 특히 바람직하다.The carbon number of Ra 07 is 2 to 12, preferably 2 to 8 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms, and particularly preferably 2 carbon atoms.

Ra07 에 있어서의 탄화수소기는, 사슬형 또는 고리형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 사슬형의 탄화수소기가 보다 바람직하다.The hydrocarbon group for Ra 07 is preferably a chain or cyclic aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a chain hydrocarbon group.

Ra07 로는, 예를 들어, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜 탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기 등의 직사슬형 알칸디일기 ; 프로판-1,2-디일기, 1-메틸부탄-1,3-디일기, 2-메틸프로판-1,3-디일기, 펜탄-1,4-디일기, 2-메틸부탄-1,4-디일기 등의 분기 사슬형 알칸디일기 ; 시클로부탄-1,3-디일기, 시클로펜탄-1,3-디일기, 시클로헥산-1,4-디일기, 시클로옥탄-1,5-디일기 등의 시클로알칸디일기 ; 노르보르난-1,4-디일기, 노르보르난-2,5-디일기, 아다만탄-1,5-디일기, 아다만탄-2,6-디일기 등의 다고리형의 2 가의 지환형 탄화수소기 등 들 수 있다.As Ra 07 , for example, an ethylene group, propane-1,3-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane- 1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group, dodecane-1,12 Linear alkanediyl groups such as -diyl group; Propane-1,2-diyl group, 1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4 Branched chain alkanediyl groups such as -diyl group; Cycloalkanediyl groups such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group and cyclooctane-1,5-diyl group; Polyvalent type divalent groups such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group Alicyclic hydrocarbon group etc. are mentioned.

상기 중에서도, 알칸디일기가 바람직하고, 직사슬형 알칸디일기가 보다 바람직하다.Among the above, an alkanediyl group is preferable and a linear alkanediyl group is more preferable.

상기 식 (a1-p1) 중, Ra08 은, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기를 나타낸다.Ra 08 represents a divalent linking group containing a hetero atom in the formula (a1-p1).

Ra08 로는, 예를 들어, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 등을 들 수 있다.As Ra 08 , for example, -O-, -C (= 0) -O-, -C (= 0)-, -OC (= 0) -O-, -C (= 0) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH)-(H may be substituted by substituents, such as an alkyl group and an acyl group.), -S-, -S (= O) 2- , -S (= O) 2 -O- etc. are mentioned.

이들 중에서도, 현상액에 대한 용해성의 점에서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O- 가 바람직하고, -O-, -C(=O)- 가 특히 바람직하다.Among these, from the point of solubility in a developing solution, -O-, -C (= O) -O-, -C (= O)-, -OC (= O) -O- is preferable, and -O-, -C (= 0)-is particularly preferred.

상기 식 (a1-p1) 중, Ra06 은, 탄소수 1 ∼ 12 의 1 가의 탄화수소기를 나타낸다.Ra 06 represents a C1-C12 monovalent hydrocarbon group in the formula (a1-p1).

Ra06 의 탄소수는, 1 ∼ 12 이고, 현상액에 대한 용해성의 점에서, 탄소수 1 ∼ 8 이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 3 이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 또는 2 가 특히 바람직하며, 1 이 가장 바람직하다.The carbon number of Ra 06 is 1-12, in terms of solubility in a developing solution, preferably 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, still more preferably 1 to 3 carbon atoms, and 1 or 2 carbon atoms. Particularly preferred, 1 is most preferred.

Ra06 에 있어서의 탄화수소기는, 사슬형 탄화수소기 혹은 고리형 탄화수소기, 또는, 사슬형과 고리형을 조합한 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group for Ra 06 include a chain hydrocarbon group or a cyclic hydrocarbon group, or a hydrocarbon group obtained by combining a chain and a cyclic.

사슬형 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, 2-에틸헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기 등을 들 수 있다.As the chain hydrocarbon group, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n- Heptyl group, 2-ethylhexyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, etc. are mentioned.

고리형 탄화수소기는, 지환형 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.The cyclic hydrocarbon group may be an alicyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

지환형 탄화수소기로는, 단고리형 또는 다고리형 중 어느 것이어도 되고, 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기, 디메틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로헵틸기, 시클로데실기 등의 시클로알킬기를 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 예를 들어, 데카하이드로나프틸기, 아다만틸기, 2-알킬아다만탄-2-일기, 1-(아다만탄-1-일)알칸-1-일기, 노르보르닐기, 메틸노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be either monocyclic or polycyclic, and the monocyclic alicyclic hydrocarbon group may be, for example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, or a methylcyclohexyl group. And cycloalkyl groups such as dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cycloheptyl group and cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, Norbornyl group, methyl norbornyl group, isobornyl group, etc. are mentioned.

방향족 탄화수소기로는, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, p-메틸페닐기, p-tert-부틸페닐기, p-아다만틸페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 쿠메닐기, 메시틸기, 비페닐기, 페난트릴기, 2,6-디에틸페닐기, 2-메틸-6-에틸페닐기 등을 들 수 있다.As an aromatic hydrocarbon group, a phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert- butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, non A phenyl group, phenanthryl group, 2, 6- diethylphenyl group, 2-methyl-6- ethylphenyl group, etc. are mentioned.

Ra06 으로는, 현상액에 대한 용해성의 점에서, 사슬형 탄화수소기가 바람직하고, 알킬기가 보다 바람직하며, 직사슬형 알킬기가 더욱 바람직하다.As Ra 06 , in view of solubility in a developing solution, a chain hydrocarbon group is preferable, an alkyl group is more preferable, and a linear alkyl group is more preferable.

상기 식 (a1-p1) 중, np0 은, 1 ∼ 6 의 정수이고, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 가 보다 바람직하며, 1 이 더욱 바람직하다.In said formula (a1-p1), np0 is an integer of 1-6, the integer of 1-3 is preferable, 1 or 2 is more preferable, and 1 is more preferable.

이하에, 적어도 극성기를 갖는 탄화수소기의 구체예를 나타낸다.Below, the specific example of the hydrocarbon group which has a polar group at least is shown.

이하의 식 중, * 는, 제4급 탄소 원자 (Ya0) 에 결합하는 결합손이다.Of the following formula, * is a bonding hand to combine, on a quaternary carbon atom (Ya 0).

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 식 (a1-r2-r1) 중, Ra031, Ra032 및 Ra033 중, 적어도 극성기를 갖는 탄화수소기의 개수는, 1 개 이상이지만, 레지스트 패턴 형성 시에 있어서의 현상액에의 용해성을 고려하여 적절히 결정하면 되고, 예를 들어, Ra031, Ra032 및 Ra033 중 1 개 또는 2 개인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 1 개이다.In the formula (a1-r2-r1), the number of hydrocarbon groups having at least a polar group in Ra 031 , Ra 032 and Ra 033 is one or more, but in consideration of the solubility in a developing solution at the time of forming a resist pattern What is necessary is just to determine suitably, For example, it is preferable that it is one or two of Ra 031 , Ra 032, and Ra 033 , Especially preferably, it is one.

상기 적어도 극성기를 갖는 탄화수소기는, 극성기 이외의 치환기를 가져도 된다. 이 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 들 수 있다.The hydrocarbon group having at least the polar group may have a substituent other than the polar group. As this substituent, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.) and a C1-C5 halogenated alkyl group are mentioned, for example.

식 (a1-r2-1) 중, Ra'11 (Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 형성하는 지방족 고리형기) 은, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 든 기가 바람직하다.Equation (a1-r2-1) of, Ra '11 (Ra' 10 is an aliphatic cyclic group which forms together with the carbon atoms bonded) is that equation (a1-r-1) Ra ' of the third single ring or sentence in the Groups mentioned as aliphatic hydrocarbon groups that are li-groups are preferred.

식 (a1-r2-2) 중, Xa 가 Ya 와 함께 형성하는 고리형의 탄화수소기로는, 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3 에 있어서의 고리형의 1 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기) 로부터 수소 원자 1 개 이상을 추가로 제거한 기를 들 수 있다.Equation (a1-r2-2) of, Xa is the hydrocarbon group of the type with a ring wherein Ya is, the formula (a1-r-1) of the Ra '1 valent hydrocarbon of type rings in the third group (an aliphatic hydrocarbon And groups in which at least one hydrogen atom is further removed.

Xa 가 Ya 와 함께 형성하는 고리형의 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 이 치환기로는, 상기 Ra'3 에 있어서의 고리형의 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The cyclic hydrocarbon group which Xa forms with Ya may have a substituent. The substituent is, those similar to the substituent which may have a hydrocarbon cyclic in the Ra '3.

식 (a1-r2-2) 중, Ra01 ∼ Ra03 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기 등을 들 수 있다.Equation (a1-r2-2) of, Ra 01 Ra 03 ~, 1 divalent chained saturated hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms in, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, Hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group, etc. are mentioned.

Ra01 ∼ Ra03 에 있어서의, 탄소수 3 ∼ 20 의 1 가의 지방족 고리형 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로데실기, 시클로도데실기 등의 단고리형 지방족 포화 탄화수소기 ; 비시클로[2.2.2]옥타닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기, 트리시클로[3.3.1.13,7]데카닐기, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카닐기, 아다만틸기 등의 다고리형 지방족 포화 탄화수소기 등을 들 수 있다.As a C3-C20 monovalent aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group in Ra <01> -Ra <03> , it is a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, cyclooxe, for example. Monocyclic aliphatic saturated hydrocarbon groups such as a methyl group, a cyclodecyl group, and a cyclododecyl group; Bicyclo [2.2.2] octanyl group, tricyclo [5.2.1.02,6] decanyl group, tricyclo [3.3.1.13,7] decanyl group, tetracyclo [6.2.1.13,6.02,7] dodecanyl group, Polycyclic type aliphatic saturated hydrocarbon groups, such as a danyl group, etc. are mentioned.

Ra01 ∼ Ra03 은, 그 중에서도, 구성 단위 (a1) 을 유도하는 단량체 화합물의 합성 용이성의 관점에서, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기가 바람직하고, 그 중에서도, 수소 원자, 메틸기, 에틸기가 보다 바람직하며, 수소 원자가 특히 바람직하다.Among them, Ra 01 to Ra 03 are preferably a hydrogen atom and a C1-C10 monovalent chain saturated hydrocarbon group from the viewpoint of the ease of synthesis of the monomer compound inducing the structural unit (a1), and among them, a hydrogen atom , Methyl group and ethyl group are more preferable, and a hydrogen atom is especially preferable.

상기 Ra01 ∼ Ra03 으로 나타내는 사슬형 포화 탄화수소기, 또는 지방족 고리형 포화 탄화수소기가 갖는 치환기로는, 예를 들어, 상기 서술한 Ra05 와 동일한 기를 들 수 있다.As a substituent which the linear saturated hydrocarbon group or aliphatic cyclic saturated hydrocarbon group represented by said Ra 01 -Ra 03 has, the same group as Ra 05 mentioned above is mentioned, for example.

Ra01 ∼ Ra03 의 2 개 이상이 서로 결합하여 고리형 구조를 형성함으로써 생성되는 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기로는, 예를 들어, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 메틸시클로펜테닐기, 메틸시클로헥세닐기, 시클로펜틸리덴에테닐기, 시클로헥실리덴에테닐기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구성 단위 (a1) 을 유도하는 단량체 화합물의 합성 용이성의 관점에서, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로펜틸리덴에테닐기가 바람직하다.Examples of the group containing a carbon-carbon double bond generated by two or more of Ra 01 to Ra 03 bonded to each other to form a cyclic structure include, for example, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, a methylcyclopentenyl group, A methyl cyclohexenyl group, a cyclopentylidene ethenyl group, a cyclohexylidene ethenyl group, etc. are mentioned. Among these, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group, and a cyclopentylidene ethenyl group are preferable from a viewpoint of the ease of synthesis of the monomer compound which induces a structural unit (a1).

식 (a1-r2-3) 중, Xaa 가 Yaa 와 함께 형성하는 지방족 고리형기는, 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 단고리형기 또는 다고리형기인 지방족 탄화수소기로서 든 기가 바람직하다.In the formula (a1-r2-3), an aliphatic cyclic group formed by Xaa with Yaa is preferably a group selected as an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group or a polycyclic group of Ra ' 3 in the formula (a1-r-1). Do.

식 (a1-r2-3) 중, Ra04 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 탄소수 5 ∼ 30 의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기를 들 수 있다. 그 중에서도, Ra04 는, 탄소수 6 ∼ 15 의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센 또는 페난트렌으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 보다 바람직하며, 벤젠, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 더욱 바람직하고, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 특히 바람직하며, 벤젠으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 가장 바람직하다.Examples of the aromatic hydrocarbon group for Ra 04 in formula (a1-r2-3) include groups in which at least one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring having 5 to 30 carbon atoms. Especially, the group in which Ra 04 removed one or more hydrogen atoms from the C6-C15 aromatic hydrocarbon ring is preferable, The group in which one or more hydrogen atoms were removed from benzene, naphthalene, anthracene or phenanthrene is more preferable, and benzene, Groups from which at least one hydrogen atom is removed from naphthalene or anthracene are more preferred, groups from which at least one hydrogen atom is removed from benzene or naphthalene are particularly preferred, and groups from which at least one hydrogen atom is removed from benzene are most preferred.

식 (a1-r2-3) 중의 Ra04 가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 하이드록실기, 카르복실기, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 알콕시기 (메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등), 알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.As a substituent which Ra 04 in Formula (a1-r2-3) may have, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a halogen atom (fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, etc.), Alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group etc.), an alkyloxycarbonyl group, etc. are mentioned.

식 (a1-r2-4) 중, Ra'12 및 Ra'13 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기 또는 수소 원자이다. Ra'12 및 Ra'13 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기로는, 상기 Ra01 ∼ Ra03 에 있어서의, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 사슬형 포화 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다. 이 사슬형 포화 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있어도 된다.In formula (a1-r2-4), Ra '12 and Ra' 13 are each independently a C1-C10 monovalent linear saturated hydrocarbon group or hydrogen atom. Ra 'in the 12 and Ra'13, 1-valent chained saturated hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms is in the 01 ~ Ra Ra 03, the carbon number of 1 to 10 In the same divalent chained saturated hydrocarbon group of Can be. One part or all part of the hydrogen atom which this linear saturated hydrocarbon group has may be substituted.

Ra'12 및 Ra'13 은, 그 중에서도, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기, 에틸기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Among them, Ra '12 and Ra' 13 are preferably a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, still more preferably a methyl group and an ethyl group, and particularly preferably a methyl group.

상기 Ra'12 및 Ra'13 으로 나타내는 사슬형 포화 탄화수소기가 치환되어 있는 경우, 그 치환기로는, 예를 들어, 상기 서술한 Ra05 와 동일한 기를 들 수 있다.When the chain saturated hydrocarbon group represented by said Ra '12 and Ra' 13 is substituted, as the substituent, the group similar to Ra 05 mentioned above is mentioned, for example.

식 (a1-r2-4) 중, Ra'14 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이다. Ra'14 에 있어서의 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 고리형의 탄화수소기를 들 수 있다., Ra '14 in the formula (a1-r2-4) is a hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the hydrocarbon group for Ra ′ 14 include a linear or branched alkyl group or a cyclic hydrocarbon group.

Ra'14 에 있어서의 직사슬형의 알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하며, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.Ra 'alkyl group linear in 14 is preferably a carbon number of 1-5, and is one or more preferred, more preferred is 1 or 24. Specifically, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or ethyl group is more preferable.

Ra'14 에 있어서의 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 바람직하다.Ra 'alkyl group branched at the 14, it is preferable that the carbon number is 3-10, more preferably 3-5. Specific examples thereof include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group and the like. It is preferable.

Ra'14 가 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고 방향족 탄화수소기여도 되고, 또, 다고리형기여도 되고 단고리형기여도 된다.When the hydrocarbon groups of Ra '14 is annular, and the hydrocarbon group, aliphatic hydrocarbon contribution is contribution being an aromatic hydrocarbon, again, is the contribution polycyclic and monocyclic contribution.

단고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which is a monocyclic group, the group remove | excluding one hydrogen atom from monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, A cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically ,.

다고리형기인 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group, the group remove | excluding one hydrogen atom from polycycloalkane is preferable, As the polycycloalkane, a C7-12 thing is preferable, Specifically, adamantane, norbornane, and iso Bornan, tricyclodecane, tetracyclo dodecane, etc. are mentioned.

Ra'14 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, Ra04 에 있어서의 방향족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, Ra'14 는, 탄소수 6 ∼ 15 의 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센 또는 페난트렌으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 보다 바람직하며, 벤젠, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 더욱 바람직하고, 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 특히 바람직하며, 나프탈렌으로부터 수소 원자 1 개 이상을 제거한 기가 가장 바람직하다.Examples of the aromatic hydrocarbon group for Ra ′ 14 include the same aromatic hydrocarbon group for Ra 04 . In particular, Ra '14 is, the removal of one or more hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 15 group is preferable, and more preferable group is removed, the one or more hydrogen atoms from benzene, naphthalene, anthracene or phenanthrene, benzene More preferably, a group in which at least one hydrogen atom is removed from naphthalene or anthracene is particularly preferable, a group in which at least one hydrogen atom is removed from naphthalene or anthracene is particularly preferable, and a group in which at least one hydrogen atom is removed from naphthalene is most preferred.

Ra'14 가 가지고 있어도 되는 치환기로는, Ra04 가 가지고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the substituent which Ra ′ 14 may have include the same substituents as the substituent that Ra 04 may have.

식 (a1-r2-4) 중의 Ra'14 가 나프틸기인 경우, 상기 식 (a1-r2-4) 에 있어서의 제3급 탄소 원자와 결합하는 위치는, 나프틸기의 1 위치 또는 2 위치 중 어디여도 된다.Wherein Ra '14 when a naphthyl group, the position in combination with a tertiary carbon atom in the formula (a1-r2-4), the first position or second position of the naphthyl group in (a1-r2-4) You can be anywhere.

식 (a1-r2-4) 중의 Ra'14 가 안트릴기인 경우, 상기 식 (a1-r2-4) 에 있어서의 제3급 탄소 원자와 결합하는 위치는, 안트릴기의 1 위치, 2 위치 또는 9 위치 중 어디여도 된다.Equation (a1-r2-4) of Ra '14 when the anthryl group, the position in combination with a tertiary carbon atom in the formula (a1-r2-4) is not 1-position of casting reel group, a 2-position Or any of nine positions.

상기 식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.The specific example of group represented by said formula (a1-r2-1) is given to the following.

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 9] [Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 10] [Formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.The specific example of group represented by said formula (a1-r2-2) is given to the following.

[화학식 11][Formula 11]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 12] [Formula 12]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 13][Formula 13]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 식 (a1-r2-3) 으로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.The specific example of group represented by said formula (a1-r2-3) is given to the following.

[화학식 14] [Formula 14]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 식 (a1-r2-4) 로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.The specific example of group represented by said formula (a1-r2-4) is given to the following.

[화학식 15][Formula 15]

Figure pat00015
Figure pat00015

제3급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기 : Tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable groups:

상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기 (이하 편의상 「제3급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.As an acid dissociable group which protects a hydroxyl group among the said polar groups, the acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (henceforth a "tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group" for convenience) There is a).

[화학식 16][Formula 16]

Figure pat00016
Figure pat00016

[식 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는 각각 알킬기이다.] [Wherein Ra ' 7 to Ra' 9 are each an alkyl group.]

식 (a1-r-3) 중, Ra'7 ∼ Ra'9 는, 각각 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 보다 바람직하다.In Formula (a1-r-3), Ra ' 7 to Ra' 9 are each preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

또, 각 알킬기의 합계의 탄소수는, 3 ∼ 7 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다.Moreover, it is preferable that carbon number of the sum total of each alkyl group is 3-7, It is more preferable that it is C3-C5, It is most preferable that it is C3-C4.

구성 단위 (a1) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위, 아크릴아미드로부터 유도되는 구성 단위, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 -C(=O)-OH 에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 포함하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위 등을 들 수 있다.As structural unit (a1), the structural unit derived from the structural unit derived from the acrylate ester which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent, the structural unit derived from acrylamide, the structure derived from hydroxy styrene or a hydroxy styrene derivative Hydrogen in -C (= O) -OH of the structural unit derived from the structural unit, vinylbenzoic acid, or vinylbenzoic acid derivative in which at least a part of the hydrogen atom in the hydroxyl group of a unit is protected by the substituent containing the said acid-decomposable group The structural unit etc. which at least one part of the atom protected by the substituent containing the said acid-decomposable group are mentioned.

구성 단위 (a1) 로는, 상기 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As a structural unit (a1), the structural unit guide | induced from the acrylate ester which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent among the above is preferable.

이러한 구성 단위 (a1) 의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식 (a1-1) 또는 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.As a preferable specific example of such a structural unit (a1), the structural unit represented by the following general formula (a1-1) or (a1-2) is mentioned.

[화학식 17][Formula 17]

Figure pat00017
Figure pat00017

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Va1 은, 에테르 결합을 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. na1 은, 0 ∼ 2 의 정수이다. Ra1 은, 상기 일반식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2 + 1 가의 탄화수소기이고, na2 는 1 ∼ 3 의 정수이고, Ra2 는 상기 일반식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.] [In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond. n a1 is an integer of 0-2. Ra 1 is an acid dissociable group represented by the general formula (a1-r-1) or (a1-r-2). Wa 1 is an n a2 + monovalent hydrocarbon group, n a2 is an integer of 1 to 3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by General Formula (a1-r-1) or (a1-r-3). ]

상기 식 (a1-1) 중, R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In said formula (a1-1), the C1-C5 alkyl group of R is preferably a C1-C5 linear or branched alkyl group, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl Group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. The C1-C5 halogenated alkyl group is group in which one part or all of the hydrogen atoms of the said C1-C5 alkyl group were substituted by the halogen atom. As this halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, Especially a fluorine atom is preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 fluorinated alkyl group is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is the most preferable from the industrial availability.

상기 식 (a1-1) 중, Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.In the formula (a1-1), the divalent hydrocarbon group in Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.

그 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure.

상기 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2- ], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], and a trimethylene group [-( CH 2 ) 3- ], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4- ], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5- ], and the like.

상기 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 가장 바람직하다.The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specifically, -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , Alkylmethylene groups such as -C (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C (CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl group such as ethylene; Alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -and -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2- ; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As an alkyl group in an alkylalkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환형 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 상기 직사슬형의 지방족 탄화수소기 또는 상기 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring) and an alicyclic hydrocarbon group bonded to a terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. And groups in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. As said linear or branched aliphatic hydrocarbon group, the same thing as the said linear aliphatic hydrocarbon group or the said branched aliphatic hydrocarbon group is mentioned.

상기 지환형 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환형 탄화수소기는, 다고리형이어도 되고, 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specifically, adamantane, norbornane and iso Bornan, tricyclodecane, tetracyclo dodecane, etc. are mentioned.

Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 is a hydrocarbon group having an aromatic ring.

이러한 방향족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하며, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하며, 6 ∼ 12 가 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.It is preferable that such aromatic hydrocarbon group has 3-30 carbon atoms, It is more preferable that it is 5-30, 5-20 are still more preferable, 6-15 are especially preferable, 6-12 are the most preferable. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.

방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.As an aromatic ring which an aromatic hydrocarbon group has, Specifically, aromatic hydrocarbon rings, such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene; And an aromatic hetero ring in which part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned.

그 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기) ; 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기) 의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which two hydrogen atoms are removed from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); Groups in which one of the hydrogen atoms of the group (aryl group) in which one hydrogen atom is removed from the aromatic hydrocarbon ring is substituted with an alkylene group (for example, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group And a group in which one hydrogen atom is further removed from an aryl group in an arylalkyl group such as 1-naphthylethyl group and 2-naphthylethyl group). It is preferable that it is 1-4, As for carbon number of the said alkylene group (alkyl chain in an arylalkyl group), it is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is one.

상기 식 (a1-1) 중, Ra1 은, 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다.In said formula (a1-1), Ra <1> is an acid dissociable group represented by said formula (a1-r-1) or (a1-r-2).

상기 식 (a1-2) 중, Wa1 에 있어서의 na2 + 1 가의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미하고, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있다.In the formula (a1-2), a2 group n + 1 valent hydrocarbon in the Wa 1, and the contribution to the aliphatic hydrocarbon, and aromatic hydrocarbon contribution. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity, may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated. As the aliphatic hydrocarbon group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and a aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure are combined One may be mentioned.

상기 na2 + 1 가는, 2 ∼ 4 가가 바람직하고, 2 또는 3 가가 보다 바람직하다.2-4 is preferable and, as for said n a2 + 1 number, 2 or trivalent is more preferable.

상기 식 (a1-2) 중, Ra2 는, 상기 일반식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.In said formula (a1-2), Ra <2> is an acid dissociable group represented by said general formula (a1-r-1) or (a1-r-3).

이하에 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.The specific example of the structural unit represented by said formula (a1-1) is shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 18][Formula 18]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 19] [Formula 19]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 20] [Formula 20]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 21][Formula 21]

Figure pat00021
Figure pat00021

[화학식 22][Formula 22]

Figure pat00022
Figure pat00022

[화학식 23][Formula 23]

Figure pat00023
Figure pat00023

[화학식 24][Formula 24]

Figure pat00024
Figure pat00024

[화학식 25][Formula 25]

Figure pat00025
Figure pat00025

[화학식 26][Formula 26]

Figure pat00026
Figure pat00026

[화학식 27][Formula 27]

Figure pat00027
Figure pat00027

[화학식 28][Formula 28]

Figure pat00028
Figure pat00028

이하에 상기 식 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. The specific example of the structural unit represented by said formula (a1-2) is shown below.

[화학식 29][Formula 29]

Figure pat00029
Figure pat00029

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a1) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.1 type may be sufficient as the structural unit (a1) which (A1) component has, and 2 or more types may be sufficient as it.

구성 단위 (a1) 로는, As the structural unit (a1),

KrF 에 의한 리소그래피에서의 특성 (감도, CDU, 형상 등) 을 보다 높이기 쉬운 점에서, 상기 식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하다.The structural unit represented by said formula (a1-1) is more preferable at the point which is easy to raise the characteristic (sensitivity, CDU, shape, etc.) in lithography by KrF.

이 중에서도, 구성 단위 (a1) 로는, 하기 일반식 (a1-1-1) 로 나타내는 구성 단위를 포함하는 것이 특히 바람직하다.Especially, as a structural unit (a1), it is especially preferable to include the structural unit represented with the following general formula (a1-1-1).

[화학식 30][Formula 30]

Figure pat00030
Figure pat00030

[식 중, Ra1" 는, 일반식 (a1-r2-1), (a1-r2-3) 또는 (a1-r2-4) 로 나타내는 산 해리성기이다.] [In formula, Ra < 1 >> is an acid dissociable group represented by general formula (a1-r2-1), (a1-r2-3) or (a1-r2-4).]

상기 식 (a1-1-1) 중, R, Va1 및 na1 은, 상기 식 (a1-1) 중의 R, Va1 및 na1 과 동일하다.In the formula (a1-1-1), R, Va n 1 and a1 is the same as R, 1 and Va n a1 in the formula (a1-1).

일반식 (a1-r2-1), (a1-r2-3) 또는 (a1-r2-4) 로 나타내는 산 해리성기에 대한 설명은, 상기 서술한 바와 같다.Description of the acid dissociable group represented by general formula (a1-r2-1), (a1-r2-3) or (a1-r2-4) is as having mentioned above.

(A1) 성분 중의 구성 단위 (a1) 의 비율은, (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 80 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 70 몰% 가 보다 바람직하며, 10 ∼ 60 몰% 가 더욱 바람직하다.As for the ratio of the structural unit (a1) in (A1) component, 1-80 mol% is preferable with respect to the total (100 mol%) of all the structural units which comprise (A1) component, and 5-70 mol% is more Preferably, 10-60 mol% is more preferable.

구성 단위 (a1) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 감도, 해상성, 러프니스 개선 등의 리소그래피 특성이 향상된다. 또, 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.By making ratio of a structural unit (a1) more than a lower limit, lithographic characteristics, such as a sensitivity, a resolution, and roughness improvement, improve. Moreover, if it is below an upper limit, it can balance with the other structural unit, and various lithographic characteristics become favorable.

≪하이드록시스티렌 골격을 포함하는 구성 단위 (a10)≫ `` Structural unit (a10) containing a hydroxystyrene skeleton ''

(A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 하이드록시스티렌 골격을 포함하는 구성 단위 (a10) 을 갖는 것이 바람직하다.In addition to the structural unit (a1), the component (A1) preferably further has a structural unit (a10) containing a hydroxystyrene skeleton.

이러한 구성 단위 (a10) 으로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위를 바람직하게 들 수 있다.As such a structural unit (a10), the structural unit represented by the following general formula (a10-1) is mentioned preferably, for example.

[화학식 31] [Formula 31]

Figure pat00031
Figure pat00031

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Wax1 은, (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1 은, 1 ∼ 3 의 정수이다.] [In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group. n ax1 is an integer of 1-3.]

상기 식 (a10-1) 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다.In said formula (a10-1), R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group.

R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기는, 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.The C1-C5 alkyl group of R is preferably a C1-C5 linear or branched alkyl group, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl And tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group and neopentyl group. The C1-C5 halogenated alkyl group of R is group in which one part or all of the hydrogen atoms of the said C1-C5 alkyl group were substituted by the halogen atom. As this halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, Especially a fluorine atom is preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함에서, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.As R, a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferable from the industrial availability.

상기 식 (a10-1) 중, Yax1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다.In said formula (a10-1), Ya x1 is a single bond or a bivalent coupling group.

Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a bivalent coupling group in Ya x1 , the bivalent coupling group which may have a substituent, and the bivalent coupling group containing a hetero atom is mentioned as a preferable thing, for example.

·치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 : Divalent hydrocarbon groups which may have a substituent:

Yax1 이 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기인 경우, 그 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.When Ya x1 is a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

··Yax1 에 있어서의 지방족 탄화수소기 Aliphatic hydrocarbon group at Ya x1

그 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.

상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

···직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기 Linear or branched aliphatic hydrocarbon groups

그 직사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2- ], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], and a trimethylene group [-( CH 2 ) 3- ], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4- ], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5- ], and the like.

그 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 가장 바람직하다.The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specifically, -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , Alkylmethylene groups such as -C (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C (CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl group such as ethylene; Alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -and -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2- ; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As an alkyl group in an alkylalkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. As this substituent, a C1-C5 fluorinated alkyl group substituted with the fluorine atom, a fluorine atom, a carbonyl group, etc. are mentioned.

···구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 Aliphatic hydrocarbon groups containing rings in the structure

그 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기), 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms are removed from an aliphatic hydrocarbon ring) which may include a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the cyclic aliphatic group. The group which the hydrocarbon group couple | bonded with the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, the group in which the said cyclic aliphatic hydrocarbon group interposes in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, etc. are mentioned. As said linear or branched aliphatic hydrocarbon group, the same thing as the above is mentioned.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is C3-C20, and, as for a cyclic aliphatic hydrocarbon group, it is more preferable that it is C3-C12.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, A cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically ,. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, specifically, adamantane, norbornane, Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. As this substituent, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, etc. are mentioned.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.As an alkyl group as said substituent, a C1-C5 alkyl group is preferable and it is most preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하며, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As an alkoxy group as said substituent, a C1-C5 alkoxy group is preferable, A methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group are more preferable, Methoxy The period and ethoxy group are most preferred.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as said substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.As a halogenated alkyl group as said substituent, the group by which one part or all part of the hydrogen atom of the said alkyl group was substituted by the said halogen atom is mentioned.

고리형의 지방족 탄화수소기는, 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a part of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As a substituent containing this hetero atom, -O-, -C (= O) -O-, -S-, -S (= O) 2- , -S (= O) 2 -O- is preferable. .

··Yax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기 Aromatic hydrocarbon groups in Ya x1

그 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-C20 is more preferable, C6-C15 is further more preferable, C6-C12 is especially preferable. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; And an aromatic hetero ring in which part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic hetero ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기 (아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자 2 개를 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) 의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) 등을 들 수 있다. 상기 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1 인 것이 특히 바람직하다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a group in which two hydrogen atoms are removed from the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic hetero ring (arylene group or heteroarylene group); A group in which two hydrogen atoms have been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (for example, biphenyl, fluorene, etc.); Groups in which one of the hydrogen atoms of a group (aryl group or heteroaryl group) having one hydrogen atom removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic hetero ring is substituted with an alkylene group (for example, benzyl group, phenethyl group, 1-naph And a group in which one hydrogen atom is further removed from an aryl group in an arylalkyl group such as a methylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, or 2-naphthylethyl group). It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aryl group or heteroaryl group is 1-4, It is more preferable that it is C1-C2, It is especially preferable that it is C1-C1.

상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 갖는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어, 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.The hydrogen atom which the said aromatic hydrocarbon group has may be substituted by the said aromatic hydrocarbon group by the substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. As this substituent, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group etc. are mentioned, for example.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.As an alkyl group as said substituent, a C1-C5 alkyl group is preferable and it is most preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.As an alkoxy group, a halogen atom, and a halogenated alkyl group as said substituent, what was illustrated as a substituent which substitutes the hydrogen atom which the said cyclic aliphatic hydrocarbon group has is mentioned.

·헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 : Bivalent linkers containing hetero atoms:

Yax1 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기로서 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이고, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Ya x1 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred as the linking group are -O-, -C (= 0) -O-, -C (= 0)-,-OC (= 0) -O. -, -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH)-(H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, acyl group), -S-, -S ( = O) 2- , -S (= O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22- , -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-, -C ( = O) -OY 21 -,-[Y 21 -C (= O) -O] m " -Y 22- , -Y 21 -OC (= O) -Y 22 -or -Y 21 -S (= O Group represented by 2- OY 22- [wherein, Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m '' is an integer of 0 to 3). Etc. can be mentioned.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하며, 1 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다.The divalent linking group containing the hetero atom is -C (= O) -NH-, -C (= O) -NH-C (= O)-, -NH-, -NH-C (= NH)- In that case, the H may be substituted by substituents, such as an alkyl group and an acyl. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 든 (치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기) 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22- , -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-, -C (= O) -OY 21 -,-[Y 21 -C (= O ) -O] m " -Y 22- , -Y 21 -OC (= O) -Y 22 -or -Y 21 -S (= O) 2 -OY 22- , Y 21 and Y 22 are each independently The divalent hydrocarbon group may be the same as the divalent hydrocarbon group described in the above description of the divalent linking group (the divalent hydrocarbon group which may have a substituent).

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.As Y <21> , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a C1-C5 linear alkylene group is still more preferable, and a methylene group or ethylene group is especially preferable.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다.As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkylmethylene group is more preferable. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m" 는 0 ∼ 3 의 정수이고, 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하며, 1 이 특히 바람직하다. 요컨대, 식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22- 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는, 1 ∼ 10 의 정수이고, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는, 1 ∼ 10 의 정수이고, 1 ∼ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 5 의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula-[Y 21 -C (= O) -O] m " -Y 22- , m" is an integer of 0-3, it is preferable that it is an integer of 0-2, and 0 or 1 is more preferable. 1 is particularly preferable. In other words, as the group represented by the formula-[Y 21 -C (= O) -O] m " -Y 22- , the group represented by the formula -Y 21 -C (= O) -OY 22 -is particularly preferable. , Group represented by the formula-(CH 2 ) a ' -C (= O) -O- (CH 2 ) b' -is preferable, in which a 'is an integer of 1-10, An integer is preferable, the integer of 1-5 is more preferable, 1 or 2 is more preferable, and 1 is the most preferable 1. b 'is an integer of 1-10, the integer of 1-8 is preferable, 1 The integer of -5 is more preferable, 1 or 2 is more preferable, and 1 is the most preferable.

Yax1 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), -C(=O)-NH-, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하고, 그 중에서도 단결합이 특히 보다 바람직하다.As Ya x1 , a single bond, an ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), -C (= O) -NH-, a linear or branched alkylene group, Or a combination thereof is preferable, and especially a single bond is more preferable.

상기 식 (a10-1) 중, Wax1 은, (nax1 + 1) 가의 방향족 탄화수소기이다.In the formula (a10-1), x1 is Wa, (ax1 n + 1) is a divalent aromatic hydrocarbon group.

Wax1 에 있어서의 방향족 탄화수소기로는, 방향 고리로부터 (nax1 + 1) 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다. 여기서의 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 탄소수 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서 구체적으로는, 피리딘 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다. Examples of the aromatic hydrocarbon group for Wa x1 include groups in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from the aromatic ring. The aromatic ring here is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-C20 is more preferable, C6-C15 is further more preferable, C6-C12 is especially preferable. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; And an aromatic hetero ring in which part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom. As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned. Specific examples of the aromatic hetero ring include a pyridine ring and a thiophene ring.

상기 식 (a10-1) 중, nax1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, 1 이 보다 바람직하다.In said formula (a10-1), n ax1 is an integer of 1-3, 1 or 2 is preferable and 1 is more preferable.

이하에, 상기 일반식 (a10-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.The specific example of the structural unit represented by the said general formula (a10-1) is shown below.

하기 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.In the following formulae, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 32][Formula 32]

Figure pat00032
Figure pat00032

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a10) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a10) that the component (A1) has may be one type or two or more types.

(A1) 성분 중, 구성 단위 (a10) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 예를 들어, 1 ∼ 90 몰% 이고, 10 ∼ 85 몰% 가 바람직하고, 20 ∼ 80 몰% 가 보다 바람직하며, 30 ∼ 75 몰% 가 특히 바람직하다.The proportion of the structural unit (a10) in the component (A1) is, for example, 1 to 90 mol%, based on the total (100 mol%) of all the structural units constituting the component (A1), and 10 to 85 Mol% is preferable, 20-80 mol% is more preferable, 30-75 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a10) 의 비율을, 상기 바람직한 범위의 하한값 이상으로 함으로써, 감도, 해상성, 러프니스 개선 등의 리소그래피 특성이 향상된다. 또, 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.By making ratio of a structural unit (a10) more than the lower limit of the said preferable range, lithographic characteristics, such as a sensitivity, resolution, and roughness improvement, improve. Moreover, if it is below an upper limit, it can balance with the other structural unit, and various lithographic characteristics become favorable.

≪구성 단위 (a2)≫ `` Structural unit (a2) ''

(A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기를 포함하는 구성 단위 (a2) (단, 구성 단위 (a1) 에 해당하는 것을 제외한다) 를 가지고 있어도 된다.In addition to the structural unit (a1), the component (A1) further comprises, in addition to the structural unit (a1), a structural unit (a2) containing a lactone-containing cyclic group, a -SO 2 -containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group (however, the structural unit (a1) You may have any).

구성 단위 (a2) 의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기는, (A1) 성분을 레지스트막의 형성에 사용한 경우에, 레지스트막의 기판에의 밀착성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다. 또, 구성 단위 (a2) 를 가짐으로써, 예를 들어 산 확산 길이를 적절히 조정한다, 레지스트막의 기판에의 밀착성을 높인다, 현상 시의 용해성을 적절히 조정한다, 에칭 내성을 향상시킨다는 등의 효과에 의해, 리소그래피 특성 등이 양호해진다.The lactone-containing cyclic group, the -SO 2 -containing cyclic group, or the carbonate-containing cyclic group in the structural unit (a2) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the substrate when the component (A1) is used for formation of the resist film. will be. Moreover, by having a structural unit (a2), an acid diffusion length is adjusted suitably, for example, the adhesiveness of a resist film to a board | substrate is improved, the solubility at the time of image development is adjusted suitably, and the effect of improving etching tolerance etc. And lithography characteristics become good.

「락톤 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)- 를 포함하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째의 고리로서 세고, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 관계없이 다고리형기라고 칭한다. 락톤 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.A "lactone containing cyclic group" represents the cyclic group containing the ring (lactone ring) containing -O-C (= O)-in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and in the case of only the lactone ring, it is called a polycyclic group irrespective of its structure if it has a monocyclic group or another ring structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

구성 단위 (a2) 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것을 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.As the lactone-containing cyclic group in the structural unit (a2), any one can be used without particular limitation. Specifically, the group represented by the following general formula (a2-r-1) (a2-r-7) is mentioned, respectively.

[화학식 33][Formula 33]

Figure pat00033
Figure pat00033

[식 중, Ra'21 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고 ; A" 는 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이고, m' 는 0 또는 1 이다.] [Wherein, Ra '21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O ) R", hydroxy group or cyano group; R ″ is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a -SO 2 -containing cyclic group; A ″ may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-) Is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom or a sulfur atom, n 'is an integer of 0 to 2, and m' is 0 or 1.]

상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중, Ra'21 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.In the general formula (a2-r-1) ~ (a2-r-7), the alkyl group in Ra '21 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferred. It is preferable that this alkyl group is a linear or branched chain type. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable and a methyl group is especially preferable.

Ra'21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 그 알콕시기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기로서 든 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.Ra 'The alkoxy group in 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. It is preferable that this alkoxy group is linear or branched chain form. Specific examples include an alkyl group and is either an oxygen atom (-O-) in the alkyl group as the Ra '21 is connected.

Ra'21 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Ra 'is a halogen atom in the 21, and a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a fluorine atom is preferable.

Ra'21 에 있어서의 할로겐화알킬기로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화알킬기로는, 불소화알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.Ra 'with a halogenated alkyl group in the 21, wherein Ra' may be a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 with the halogen atoms. As this halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable and a perfluoroalkyl group is especially preferable.

Ra'21 에 있어서의 -COOR", -OC(=O)R" 에 있어서, R" 는 모두 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.In the Ra '21 -COOR ", -OC ( = O) R" in, R "is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or -SO 2 - containing a cyclic group.

R" 에 있어서의 알킬기로는, 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 15 가 바람직하다.As an alkyl group in R ", any of a linear type, a branched chain type, and a cyclic type may be sufficient, and, as for carbon number, 1-15 are preferable.

R" 가 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.When R "is a linear or branched alkyl group, it is preferable that it is C1-C10, It is more preferable that it is C1-C5, It is especially preferable that it is a methyl group or an ethyl group.

R" 가 고리형의 알킬기인 경우에는, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 더욱 바람직하며, 탄소수 5 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.When R "is a cyclic alkyl group, it is preferable that it is C3-C15, It is more preferable that it is C4-C12, Most preferably C5-C10. Specifically, Substitute | substituted by a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. The group which removed 1 or more hydrogen atoms from the monocyclo alkan which may or may not be mentioned; The group etc. which removed 1 or more hydrogen atoms from polycyclo alkanes, such as a bicyclo alkan, tricyclo alkan, tetracyclo alkan, etc. are illustrated More specifically, the group which removed 1 or more hydrogen atoms from monocycloalkane, such as cyclopentane, cyclohexane, etc .; adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. The group etc. which removed 1 or more hydrogen atoms from polycycloalkane are mentioned.

R" 에 있어서의 락톤 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the lactone-containing cyclic group in R ″ include the same groups as those represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).

R" 에 있어서의 카보네이트 함유 고리형기로는, 후술하는 카보네이트 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.As a carbonate-containing cyclic group in R ", it is the same as the carbonate-containing cyclic group mentioned later, Specifically, group represented by General formula (ax3-r-1)-(ax3-r-3) is mentioned, respectively.

R" 에 있어서의 -SO2- 함유 고리형기로는, 후술하는 -SO2- 함유 고리형기와 동일하고, 구체적으로는 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.R "-SO 2 of the-containing cyclic group, which will be described later -SO 2 - containing cyclic group with the same and, specifically, each by the formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) The group represented is mentioned.

Ra'21 에 있어서의 하이드록시알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 6 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 적어도 1 개가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.The hydroxyalkyl group for Ra ′ 21 preferably has 1 to 6 carbon atoms, and specific examples include groups in which at least one hydrogen atom of the alkyl group for Ra ′ 21 is substituted with a hydroxyl group.

상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중, A" 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자 간에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A" 로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다.In the general formulas (a2-r-2), (a2-r-3) and (a2-r-5), the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ″ may be linear or branched. The alkylene group of is preferable, and a methylene group, an ethylene group, n-propylene group, an isopropylene group, etc. are mentioned, When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, as the specific example, the alkylene group And groups in which -O- or -S- are interposed between the terminal or the carbon atom of, for example, -O-CH 2- , -CH 2 -O-CH 2- , -S-CH 2- , -CH 2 -S-CH 2 -etc. As A ", a C1-C5 alkylene group or -O- is preferable, A C1-C5 alkylene group is more preferable, and a methylene group is the most preferable.

하기에 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are shown below.

[화학식 34][Formula 34]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화학식 35][Formula 35]

Figure pat00035
Figure pat00035

「-SO2- 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내고, 구체적으로는, -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 포함하는 고리를 첫 번째의 고리로서 세고, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 관계없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 된다."-SO 2 - containing cyclic group" means, -SO 2 during the ring backbone - represents a cyclic group containing a ring containing, specifically, -SO 2 - a cyclic sulfur atom (S) in the It is a cyclic group which forms part of the ring skeleton of. In the ring skeleton, a ring containing -SO 2 -is counted as the first ring, and in the case of only the ring, a ring having a monocyclic group and another ring structure is called a polycyclic group regardless of its structure. The -SO 2 -containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

-SO2- 함유 고리형기는, 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 포함하는 고리형기, 즉 -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다.-SO 2 - containing cyclic group are, in particular, those in the ring skeleton -O-SO 2 - sultone (sultone) of the -OS- of forms part of the ring backbone-cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 It is preferable that it is a cyclic group containing a ring.

-SO2- 함유 고리형기로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.-SO 2 - containing a cyclic group, there may be mentioned more specifically the following formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) to an indicating respectively.

[화학식 36] [Formula 36]

Figure pat00036
Figure pat00036

[식 중, Ra'51 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고 ; A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n' 는 0 ∼ 2 의 정수이다.] [In formula, Ra '51 is respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R "is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or -SO 2 - containing cyclic group a; A" is an oxygen atom, or may contain a sulfur atom, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, the oxygen of which is Is an atom or a sulfur atom, n 'is an integer of 0 to 2;

상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-2) 중, A" 는, 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A" 와 동일하다.In General Formulas (a5-r-1) to (a5-r-2), A ″ is represented by General Formulas (a2-r-2), (a2-r-3), and (a2-r-5). It is the same as A "in.

Ra'51 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.As an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR ", -OC (= O) R", and a hydroxyalkyl group in Ra '51 , it is the said general formula (a2-r-1)-(a2), respectively -r-7) it can be given in the same as those exemplified in the description of the Ra '21.

하기에 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다. 식 중의 「Ac」는, 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of the groups represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are shown below. "Ac" in a formula represents an acetyl group.

[화학식 37][Formula 37]

Figure pat00037
Figure pat00037

[화학식 38][Formula 38]

Figure pat00038
Figure pat00038

[화학식 39][Formula 39]

Figure pat00039
Figure pat00039

「카보네이트 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)-O- 를 포함하는 고리 (카보네이트 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 카보네이트 고리를 첫 번째의 고리로서 세고, 카보네이트 고리만인 경우에는 단고리형기, 또 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 관계없이 다고리형기라고 칭한다. 카보네이트 함유 고리형기는, 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.A "carbonate-containing cyclic group" represents a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing -O-C (= O) -O- in its ring skeleton. The carbonate ring is counted as the first ring, and in the case of only the carbonate ring, the carbonate ring is referred to as a polycyclic group regardless of its structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

카보네이트 고리 함유 고리형기로는, 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.As the carbonate ring-containing cyclic group, any one can be used without particular limitation. Specifically, the group represented by the following general formula (ax3-r-1) (ax3-r-3)-is mentioned, respectively.

[화학식 40][Formula 40]

Figure pat00040
Figure pat00040

[식 중, Ra'x31 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자, 알킬기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고 ; A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, p' 는 0 ∼ 3 의 정수이고, q' 는 0 또는 1 이다.] [In formula, Ra'x31 is respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R "is a hydrogen atom, an alkyl group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or -SO 2 - containing cyclic group a; A" is an oxygen atom, or may contain a sulfur atom, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, the oxygen of which is An atom or a sulfur atom, p 'is an integer from 0 to 3, and q' is 0 or 1.]

상기 일반식 (ax3-r-2) ∼ (ax3-r-3) 중, A" 는, 상기 일반식 (a2-r-2), (a2-r-3), (a2-r-5) 중의 A" 와 동일하다.In General Formulas (ax3-r-2) to (ax3-r-3), A ″ is represented by General Formulas (a2-r-2), (a2-r-3), and (a2-r-5). It is the same as A "in.

Ra'31 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Ra '31 alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR in ", -OC (= O) R ", a hydroxyl group, each of the above general formula (a2-r-1) ~ (a2 -r-7) it can be given in the same as those exemplified in the description of the Ra '21.

하기에 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of the groups represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are shown below.

[화학식 41][Formula 41]

Figure pat00041
Figure pat00041

구성 단위 (a2) 로는, 그 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.Especially as a structural unit (a2), the structural unit derived from the acrylate ester which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent is preferable.

이러한 구성 단위 (a2) 는, 하기 일반식 (a2-1) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.It is preferable that such a structural unit (a2) is a structural unit represented with the following general formula (a2-1).

[화학식 42][Formula 42]

Figure pat00042
Figure pat00042

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Ya21 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. La21 은 -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이고, R' 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 단 La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 로는 되지 않는다. Ra21 은 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이다.] [In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Ya 21 is a single bond or a divalent linking group. La 21 is -O-, -COO-, -CON (R ')-, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, and R' represents a hydrogen atom or a methyl group. Provided that when La 21 is -O-, then Ya 21 is not -CO-. Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a -SO 2 -containing cyclic group.]

상기 식 (a2-1) 중, R 은 상기와 동일하다. R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 특히 바람직하다.In said formula (a2-1), R is the same as the above. As R, a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 fluorinated alkyl group is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is especially preferable from industrial ease of acquisition.

상기 식 (a2-1) 중, Ya21 의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 바람직하게 들 수 있다. Ya21 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기에 대한 설명은, 상기 서술한 일반식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기에 대한 설명과 각각 동일하다.The formula (a2-1) of 2-valent connecting group Ya of 21 is not particularly limited, and may be preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent connecting group, such as containing a hetero atom. The description about the bivalent hydrocarbon group which may have a substituent in Ya 21 , and the bivalent coupling group containing a hetero atom may have a substituent in Ya x1 in general formula (a10-1) mentioned above. It is the same as that of the description of the bivalent hydrocarbon group and bivalent coupling group containing a hetero atom.

Ya21 로는, 단결합, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다.As Ya 21 , it is preferable that they are a single bond, ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof.

상기 식 (a2-1) 중, Ra21 은 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.In the formula (a2-1), Ra 21 is a lactone-containing cyclic group, -SO 2 - containing cyclic group or a carbonate-containing cyclic group.

Ra21 에 있어서의 락톤 함유 고리형기, -SO2- 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기로는 각각, 전술한 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기, 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 각각 나타내는 기를 바람직하게 들 수 있다.Examples of the lactone-containing cyclic group, the -SO 2 -containing cyclic group, and the carbonate-containing cyclic group for Ra 21 include the groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) described above, Groups represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) and groups represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3), respectively, are preferable.

그 중에서도, 락톤 함유 고리형기 또는 -SO2- 함유 고리형기가 바람직하고, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6) 또는 (a5-r-1) 로 각각 나타내는 기가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 상기 화학식 (r-lc-1-1) ∼ (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) ∼ (r-lc-2-18), (r-lc-6-1), (r-sl-1-1), (r-sl-1-18) 로 각각 나타내는, 어느 기가 보다 바람직하다.Among them, the lactone-containing cyclic group or -SO 2 - containing cyclic group is preferred, and the formula (a2-r-1), (a2-r-2), (a2-r-6) or (a5-r Groups respectively represented by -1) are more preferable. Specifically, the formulas (r-lc-1-1) to (r-lc-1-7), (r-lc-2-1) to (r-lc-2-18), and (r-lc) -6-1), which is respectively represented by (r-sl-1-1) and (r-sl-1-18) is more preferable.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a2) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a2) which the (A1) component has may be 1 type or 2 or more types.

(A1) 성분이 구성 단위 (a2) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a2) 의 비율은, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 0 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 45 몰% 인 것이 보다 바람직하며, 10 ∼ 40 몰% 인 것이 더욱 바람직하고, 10 ∼ 30 몰% 가 특히 바람직하다.When (A1) component has a structural unit (a2), the ratio of a structural unit (a2) is 0-50 mol% with respect to the total (100 mol%) of all the structural units which comprise the said (A1) component. It is preferable, it is more preferable that it is 5-45 mol%, It is further more preferable that it is 10-40 mol%, 10-30 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a2) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.By making ratio of a structural unit (a2) more than a preferable lower limit, the effect by containing a structural unit (a2) is fully acquired, and if it is below an upper limit, it can balance with another structural unit, and various lithographic characteristics It becomes good.

≪구성 단위 (a3)≫ `` Structural unit (a3) ''

(A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위 (a3) (단, 구성 단위 (a1), 구성 단위 (a2) 에 해당하는 것을 제외한다) 을 가지고 있어도 된다. (A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, 예를 들어 산 확산 길이를 적절히 조정한다, 레지스트막의 기판에의 밀착성을 높인다, 현상 시의 용해성을 적절히 조정한다, 에칭 내성을 향상시킨다는 등의 효과에 의해, 리소그래피 특성 등이 양호해진다. In addition to the structural unit (a1), the component (A1) further comprises a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (except those corresponding to the structural unit (a1) and the structural unit (a2)). You may have it. When the component (A1) has a structural unit (a3), for example, the acid diffusion length is appropriately adjusted, the adhesion of the resist film to the substrate is increased, the solubility during development is appropriately adjusted, and the etching resistance is improved. By the effect, lithography characteristics and the like become good.

극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복시기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있고, 특히 수산기가 바람직하다.As a polar group, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, the hydroxyalkyl group in which one part of the hydrogen atoms of an alkyl group were substituted by the fluorine atom, etc. are mentioned, Especially a hydroxyl group is preferable.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 고리형의 지방족 탄화수소기 (고리형기) 를 들 수 있다. 그 고리형기로는, 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 되고, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용의 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 고리형기로는 다고리형기인 것이 바람직하고, 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다.As an aliphatic hydrocarbon group, a C1-C10 linear or branched hydrocarbon group (preferably alkylene group) and a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group) are mentioned. As the cyclic group, a monocyclic group or a polycyclic group may be used. For example, in the resin for the resist composition for ArF excimer laser, it can select suitably from a lot of what is proposed. It is preferable that it is a polycyclic group as this cyclic group, and it is more preferable that carbon number is 7-30.

그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복시기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Especially, the structural unit derived from the acrylate ester containing the aliphatic polycyclic group containing the hydroxyalkyl group in which one part of the hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, or an alkyl group is substituted by the fluorine atom is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like. Specifically, the group remove | excluding two or more hydrogen atoms from polycycloalkane, such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclo dodecane, etc. are mentioned. Among these polycyclic groups, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from adamantane, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from norbornane, and a group in which two or more hydrogen atoms are removed from tetracyclododecane are industrially preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 것이면 특별히 한정되는 일 없이 임의의 것이 사용 가능하다.As the structural unit (a3), any one can be used without particular limitation as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.

구성 단위 (a3) 으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이고 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 구성 단위가 바람직하다.As a structural unit (a3), the structural unit derived from the acrylate ester which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent, and the structural unit containing a polar group containing aliphatic hydrocarbon group is preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 탄화수소기일 때는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As a structural unit (a3), when the hydrocarbon group in a polar group containing aliphatic hydrocarbon group is a C1-C10 linear or branched hydrocarbon group, the structural unit derived from the hydroxyethyl ester of acrylic acid is preferable.

또, 구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 그 탄화수소기가 다고리형기일 때는, 하기 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Moreover, as a structural unit (a3), when the hydrocarbon group in a polar group containing aliphatic hydrocarbon group is a polycyclic group, the structural unit represented by following formula (a3-1), the structural unit represented by a formula (a3-2), a formula ( The structural unit represented by a3-3) is mentioned as a preferable thing.

[화학식 43][Formula 43]

Figure pat00043
Figure pat00043

[식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, k 는 1 ∼ 3 의 정수이고, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이고, l 은 1 ∼ 5 의 정수이고, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다.] [Wherein, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t 'is an integer of 1 to 3, l is an integer of 1 to 5, s is It is an integer of 1-3.]

식 (a3-1) 중, j 는, 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group couple | bonds with the 3rd and 5th positions of an adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group couple | bonds with the 3-position of an adamantyl group.

j 는 1 인 것이 바람직하고, 수산기가, 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다.It is preferable that j is 1, and it is especially preferable that the hydroxyl group couple | bonds with the 3-position of an adamantyl group.

식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는, 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), it is preferable that k is 1. It is preferable that the cyano group couple | bonds with the 5-position or 6-position of a norbornyl group.

식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은, 아크릴산의 카르복시기의 말단에, 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 불소화알킬알코올은, 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), t 'is preferably 1. It is preferable that l is 1. s is preferably 1; It is preferable that these couple | bond the 2-norbornyl group or 3-norbornyl group to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a3) 은, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.1 type may be sufficient as the structural unit (a3) which (A1) component has, and 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 갖는 경우, 당해 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 40 몰% 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 30 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 25 몰% 가 더욱 바람직하고, 5 ∼ 20 몰% 가 특히 바람직하다.When (A1) component has a structural unit (a3), it is preferable that it is 1-40 mol% with respect to the total of all the structural units which comprise the said (A1) component, 2-30 mol% is more preferable, 5 25 mol% is more preferable, and 5-20 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a3) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.By making ratio of a structural unit (a3) more than a preferable lower limit, the effect by containing a structural unit (a3) is fully acquired, if it is below an upper limit, it can balance with the other structural unit, and various lithographic characteristics It becomes good.

≪구성 단위 (st)≫ ≪Composition unit (st) ≫

(A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 스티렌 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위 (st) 를 가지고 있어도 된다. 「스티렌」이란, 스티렌 및 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화알킬기 등의 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다. 여기서의 치환기로서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 들 수 있고, 그 치환기로서의 할로겐화알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 들 수 있다.In addition to the structural unit (a1), the component (A1) may further have a structural unit (st) derived from styrene or a derivative thereof. "Styrene" is taken as the concept including what substituted the styrene and the hydrogen atom of the (alpha) position of styrene by substituents, such as an alkyl group and a halogenated alkyl group. The alkyl group as a substituent here includes an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkyl group as the substituent includes a halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms.

「스티렌 유도체」로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 스티렌의 벤젠 고리에 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다.As a "styrene derivative", the thing by which the substituent couple | bonded with the benzene ring of styrene in which the hydrogen atom of the (alpha) position may be substituted by the substituent is mentioned.

또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 기재가 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.In addition, an alpha position (carbon atom of an alpha position) means the carbon atom which the benzene ring couple | bonds unless there is particular notice.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from styrene" and the "structural unit derived from a styrene derivative" mean a structural unit formed by cleaving ethylenic double bonds of styrene or styrene derivatives.

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (st) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다. The structural unit (st) which the (A1) component has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

(A1) 성분이 구성 단위 (st) 를 갖는 경우, 구성 단위 (st) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 40 몰% 인 것이 보다 바람직하다.When (A1) component has a structural unit (st), the ratio of a structural unit (st) is 1-50 mol% with respect to the total (100 mol%) of all the structural units which comprise the (A1) component. It is preferable, and it is more preferable that it is 3-40 mol%.

≪기타 구성 단위≫ ≪Other structural units≫

(A1) 성분은, 상기 서술한 구성 단위 (a1), 구성 단위 (a10), 구성 단위 (a2), 구성 단위 (a3), 구성 단위 (st) 이외의 기타 구성 단위를 가져도 된다.(A1) A component may have other structural units other than the structural unit (a1), structural unit (a10), structural unit (a2), structural unit (a3), and structural unit (st) which were mentioned above.

기타 구성 단위로는, 예를 들어, 후술하는 일반식 (a9-1) 로 나타내는 구성 단위 (a9), 스티렌으로부터 유도되는 구성 단위, 스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위 (단, 구성 단위 (a10) 에 해당하는 것을 제외한다), 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위 등을 들 수 있다.As another structural unit, For example, the structural unit (a9) represented by general formula (a9-1) mentioned later, the structural unit derived from styrene, and the structural unit derived from styrene derivative (however, to a structural unit (a10) The structural unit containing an acid non-aliphatic cyclic group etc. is mentioned, etc. are mentioned.

구성 단위 (a9) : Constituent unit (a9):

구성 단위 (a9) 는, 하기 일반식 (a9-1) 로 나타내는 구성 단위이다.The structural unit (a9) is a structural unit represented by the following general formula (a9-1).

[화학식 44][Formula 44]

Figure pat00044
Figure pat00044

[식 중, R 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기이다. Ya91 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. Ya92 는, 2 가의 연결기이다. R91 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이다.] [In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Ya 91 is a single bond or a divalent linking group. Ya 92 is a bivalent coupler. R 91 is a hydrocarbon group which may have a substituent.]

상기 식 (a9-1) 중, R 은 상기와 동일하다.In said formula (a9-1), R is the same as the above.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 특히 바람직하다.As R, a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 fluorinated alkyl group is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is especially preferable from industrial ease of acquisition.

상기 식 (a9-1) 중, Ya91 에 있어서의 2 가의 연결기는, 상기 서술한 일반식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, Ya91 로는, 단결합인 것이 바람직하다.In the formula (a9-1), the divalent linking group of the Ya 91, the description may be a general formula (a10-1) it is equal to that of the divalent connecting group in the Ya x1. Especially, as Ya 91 , it is preferable that it is a single bond.

상기 식 (a9-1) 중, Ya92 에 있어서의 2 가의 연결기는, 상기 서술한 일반식 (a10-1) 중의 Yax1 의 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.In said formula (a9-1), the bivalent coupling group in Ya 92 is the same as the bivalent coupling group of Ya x1 in general formula (a10-1) mentioned above.

Ya92 에 있어서의 2 가의 연결기에 있어서, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하다.In the divalent linking group for Ya 92 , as the divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable.

또, Ya92 에 있어서의 2 가의 연결기에 있어서, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, -C(=S)-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O--Y21, [Y21-C(=O)-O]m'-Y22- 또는 -Y21-O-C(=O)-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이고, m' 는 0 ∼ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다. 그 중에서도, -C(=O)-, -C(=S)- 가 바람직하다.Moreover, in the bivalent coupling group in Ya 92 , as a bivalent coupling group containing a hetero atom, -O-, -C (= O) -O-, -C (= O)-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH)-(H may be substituted by substituents, such as an alkyl group, an acyl group.), -S- , -S (= O) 2- , -S (= O) 2 -O-, -C (= S)-, general formula -Y 21 -OY 22- , -Y 21 -O-, -Y 21- C (= O) -O-, -C (= O) -O--Y 21 , [Y 21 -C (= O) -O] m ' -Y 22 -or -Y 21 -OC (= O) A group represented by -Y 22- [wherein, Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m 'is an integer of 0-3. Can be mentioned. Especially, -C (= O)-and -C (= S)-are preferable.

상기 식 (a9-1) 중, R91 에 있어서의 탄화수소기로는, 알킬기, 1 가의 지환형 탄화수소기, 아릴기, 아르알킬기 등을 들 수 있다.In said formula (a9-1), an alkyl group, a monovalent alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, an aralkyl group etc. are mentioned as a hydrocarbon group in R <91> .

R91 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 8 이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 직사슬형이어도 되고 분기 사슬형이어도 된다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.C1-C8 is preferable, C1-C6 is more preferable, C1-C4 is more preferable, A alkyl group in R <91> may be linear or branched chain form may be sufficient as it. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, hexyl group, octyl group, etc. are mentioned as a preferable thing.

R91 에 있어서의 1 가의 지환형 탄화수소기는, 탄소수 3 ∼ 20 이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 가 보다 바람직하며, 다고리형이어도 되고, 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As for the monovalent alicyclic hydrocarbon group in R <91> , C3-C20 is preferable, C3-C12 is more preferable, Polycyclic type or monocyclic type may be sufficient as it. As a monocyclic alicyclic hydrocarbon group, the group remove | excluding one or more hydrogen atoms from the monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclobutane, cyclopentane and cyclohexane. As a polycyclic alicyclic hydrocarbon group, the group remove | excluding one or more hydrogen atoms from polycycloalkane is preferable, As the polycycloalkane, a C7-12 thing is preferable, Specifically, adamantane, norbornane, Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

R91 에 있어서의 아릴기는, 탄소수 6 ∼ 18 인 것이 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하며, 구체적으로는 페닐기가 특히 바람직하다.It is preferable that it is C6-C18, as for the aryl group in R <91> , it is more preferable that it is C6-C10, and specifically, a phenyl group is especially preferable.

R91 에 있어서의 아르알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬렌기와 상기 「R91 에 있어서의 아릴기」가 결합한 아르알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기와 상기 「R91 에 있어서의 아릴기」가 결합한 아르알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기와 상기 「R91 에 있어서의 아릴기」가 결합한 아르알킬기가 특히 바람직하다.To an aralkyl group in R 91 is an "aryl group in R 91," an aralkyl group is bonded alkylene group and the group having 1 to 8 carbon atoms is preferable, according to an alkylene group wherein the "R 91 having 1 to 6 carbon atoms and the aryl group "is an aralkyl group and more preferably bonded, are an aryl group, an aralkyl group" is bonded to an alkylene group in the "R 91 group having from 1 to 4 carbon atoms is particularly preferred.

R91 에 있어서의 탄화수소기는, 당해 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하고, 당해 탄화수소기의 수소 원자의 30 ∼ 100 % 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 상기 서술한 알킬기의 수소 원자의 전부가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that one part or all part of the hydrogen atom of the said hydrocarbon group is substituted by the fluorine atom, and, as for the hydrocarbon group in R <91> , it is more preferable that 30-100% of the hydrogen atoms of the said hydrocarbon group are substituted by the fluorine atom. Especially, it is especially preferable that all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned above are a perfluoroalkyl group substituted by the fluorine atom.

R91 에 있어서의 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 옥소기 (=O), 수산기 (-OH), 아미노기 (-NH2), -SO2-NH2 등을 들 수 있다. 또, 그 탄화수소기를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -NH-, -N=, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 를 들 수 있다.The hydrocarbon group in R 91 may have a substituent. As a substituent, there may be mentioned a halogen atom, an oxo group (= O), hydroxyl (-OH), amino (-NH 2), -SO 2 -NH 2 and the like. In addition, a part of the carbon atoms constituting the hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As a substituent containing the hetero atom, -O-, -NH-, -N =, -C (= O) -O-, -S-, -S (= O) 2- , -S (= O ) 2 -O-.

R91 에 있어서, 치환기를 갖는 탄화수소기로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기를 들 수 있다.In R 91 , examples of the hydrocarbon group having a substituent include lactone-containing cyclic groups represented by General Formulas (a2-r-1) to (a2-r-7).

또, R91 에 있어서, 치환기를 갖는 탄화수소기로는, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 ; 하기 화학식으로 나타내는 치환 아릴기, 1 가의 복소 고리형기 등도 들 수 있다.In addition, in R 91, the hydrocarbon group has a substituent, the formula (a5-r-1) ~ -SO 2 each represent a (a5-r-4) - containing cyclic group; Substituted aryl group, monovalent heterocyclic group, etc. which are represented by a following formula are mentioned.

[화학식 45] [Formula 45]

Figure pat00045
Figure pat00045

구성 단위 (a9) 중에서도, 하기 일반식 (a9-1-1) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.Among the structural units (a9), structural units represented by the following general formula (a9-1-1) are preferable.

[화학식 46][Formula 46]

Figure pat00046
Figure pat00046

[식 중, R 은 상기와 동일하고, Ya91 은 단결합 또는 2 가의 연결기이고, R91 은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이고, R92 는 산소 원자 또는 황 원자이다.] [Wherein, R is the same as above, Ya 91 is a single bond or a divalent linking group, R 91 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and R 92 is an oxygen atom or a sulfur atom.]

일반식 (a9-1-1) 중, Ya91, R91, R 에 대한 설명은 상기 동일하다. 또, R92 는 산소 원자 또는 황 원자이다.In the general formula (a9-1-1), Ya 91, R 91, are the same as the description of the R. In addition, R 92 is an oxygen atom or a sulfur atom.

이하에, 상기 식 (a9-1) 또는 일반식 (a9-1-1) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 하기 식 중, Rα 는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the structural unit represented by the formula (a9-1) or the general formula (a9-1-1) are shown below. In the following formulae, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 47][Formula 47]

Figure pat00047
Figure pat00047

[화학식 48][Formula 48]

Figure pat00048
Figure pat00048

[화학식 49][Formula 49]

Figure pat00049
Figure pat00049

(A1) 성분이 함유하는 구성 단위 (a9) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a9) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.

(A1) 성분이 구성 단위 (a9) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a9) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰%) 에 대해, 1 ∼ 40 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 30 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 25 몰% 가 더욱 바람직하고, 10 ∼ 20 몰% 가 특히 바람직하다.When (A1) component has a structural unit (a9), the ratio of a structural unit (a9) is 1-40 mol% with respect to the total (100 mol%) of all the structural units which comprise the (A1) component. It is preferable, 3-30 mol% is more preferable, 5-25 mol% is further more preferable, 10-20 mol% is especially preferable.

구성 단위 (a9) 의 비율을 하한값 이상으로 함으로써, 예를 들어 산 확산 길이를 적절히 조정한다, 레지스트막의 기판에의 밀착성을 높인다, 현상 시의 용해성을 적절히 조정한다, 에칭 내성을 향상시킨다는 등의 효과가 얻어지고, 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.By making ratio of a structural unit (a9) more than a lower limit, for example, an acid diffusion length is adjusted suitably, the adhesiveness of a resist film to a board | substrate is improved, the solubility at the time of image development is adjusted suitably, an effect of improving etching tolerance, etc. Is obtained, the upper limit value or less can be balanced with other structural units, and various lithographic characteristics are good.

구성 단위 (a4) : Constituent unit (a4):

구성 단위 (a4) 는, 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 구성 단위이다. (A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 에 더하여, 추가로 구성 단위 (a4) 를 가지고 있어도 된다.Structural unit (a4) is a structural unit containing an acid non-aliphatic cyclic group. The component (A1) may further have a structural unit (a4) in addition to the structural unit (a1).

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 가짐으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다. 또, (A) 성분의 소수성이 높아진다. 소수성의 향상은, 특히 용제 현상 프로세스의 경우에, 해상성, 레지스트 패턴 형상 등의 향상에 기여한다고 생각된다.When the (A1) component has a structural unit (a4), the dry etching tolerance of the formed resist pattern improves. Moreover, the hydrophobicity of (A) component becomes high. It is thought that the improvement of hydrophobicity contributes to the improvement of resolution, the shape of a resist pattern, etc., especially in a solvent developing process.

구성 단위 (a4) 에 있어서의 「산 비해리성 고리형기」는, 노광에 의해 당해 레지스트 조성물 중에 산이 발생했을 때 (예를 들어, 후술하는 (B) 성분으로부터 산이 발생했을 때) 에, 그 산이 작용해도 해리하는 일 없이 그대로 당해 구성 단위 중에 남는 고리형기이다.The "acid non-lipophilic cyclic group" in the structural unit (a4) has an acid function when acid is generated in the resist composition by exposure (for example, when acid is generated from component (B) described later). It is a cyclic group which remains in the said structural unit without dissociating even if it is.

구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어 산 비해리성의 지방족 고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 고리형기는, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylate ester containing an acid non-aliphatic alicyclic group is preferable. The cyclic group is used for resin components of resist compositions, such as for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser), and many conventionally known ones can be used.

특히 트리시클로데실기, 아다만틸기, 테트라시클로도데실기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수하기 쉽다는 등의 점에서 바람직하다. 이들 다고리형기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 치환기로서 가지고 있어도 된다.Particularly, at least one selected from tricyclodecyl group, adamantyl group, tetracyclododecyl group, isobornyl group and norbornyl group is preferable in view of industrial availability. These polycyclic groups may have a C1-C5 linear or branched alkyl group as a substituent.

구성 단위 (a4) 로서, 구체적으로는, 하기 일반식 (a4-1) ∼ (a4-7) 로 각각 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다.As a structural unit (a4), the structural unit represented by the following general formula (a4-1) (a4-7)-can be illustrated specifically ,.

[화학식 50][Formula 50]

Figure pat00050
Figure pat00050

[식 중, Rα 는 상기와 동일하다.] [Wherein, R α is the same as above.]

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a4) 는, 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The structural unit (a4) which the (A1) component has may be 1 type or 2 or more types.

(A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a4) 의 비율은, 그 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 몰% 가 보다 바람직하다.When (A1) component has a structural unit (a4), it is preferable that the ratio of a structural unit (a4) is 1-30 mol% with respect to the total of all the structural units which comprise this (A1) component, 20 mol% is more preferable.

구성 단위 (a4) 의 비율을 바람직한 하한값 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a4) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 한편, 바람직한 상한값 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.By making ratio of a structural unit (a4) more than a preferable lower limit, the effect by containing a structural unit (a4) is fully acquired, and setting it as the below preferable upper limit makes it easy to balance with another structural unit.

레지스트 조성물이 함유하는 (A1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.As the component (A1) contained in the resist composition, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 을 갖는 고분자 화합물 (A1-1) (이하 「(A1-1) 성분」이라고도 한다) 을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that (A1) component contains the high molecular compound (A1-1) (henceforth "the (A1-1) component") which has a structural unit (a1).

바람직한 (A1-1) 성분으로는, 예를 들어, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a10) 의 반복 구조를 갖는 고분자 화합물, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (st) 의 반복 구조를 갖는 고분자 화합물 등을 들 수 있다.As a preferable (A1-1) component, For example, the high molecular compound which has a repeating structure of a structural unit (a1) and a structural unit (a10), and the polymer which has a repeating structure of a structural unit (a1) and a structural unit (st) Compounds and the like.

상기 2 개의 각 구성 단위의 조합에 더하여, 추가로 3 번째 또는 3 개 이상의 구성 단위로서, 상기에서 설명한 구성 단위를 적절히 원하는 효과에 맞춰 조합하여도 된다. 3 개 이상의 구성 단위의 조합으로는, 예를 들어, 구성 단위 (a1) 과 구성 단위 (a10) 과 구성 단위 (st) 의 조합 등을 들 수 있다.In addition to the combination of the two respective structural units, as the third or three or more structural units, the above-described structural units may be appropriately combined according to the desired effect. As a combination of three or more structural units, the combination of a structural unit (a1), a structural unit (a10), and a structural unit (st) etc. are mentioned, for example.

이러한 (A1) 성분은, 각 구성 단위를 유도하는 모노머를 중합 용매에 용해하고, 여기에, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아조비스이소부티르산디메틸 (예를 들어 V-601 등) 등의 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 중합함으로써 제조할 수 있다. 혹은, 이러한 (A1) 성분은, 구성 단위 (a1) 을 유도하는 모노머와, 필요에 따라 구성 단위 (a1) 이외의 구성 단위를 유도하는 모노머의 전구체 (그 모노머의 관능기가 보호된 모노머) 를 중합 용매에 용해하고, 여기에, 상기와 같은 라디칼 중합 개시제를 첨가하여 중합하고, 그 후, 탈보호 반응을 실시함으로써 제조할 수 있다. 또한, 중합 시에, 예를 들어, HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH 와 같은 연쇄 이동제를 병용하여 사용함으로써, 말단에 -C(CF3)2-OH 기를 도입해도 된다. 이와 같이, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기가 도입된 공중합체는, 현상 결함의 저감이나 LER (라인 에지 러프니스 : 라인 측벽의 불균일한 요철) 의 저감에 유효하다.Such a component (A1) dissolves the monomer which guides each structural unit in a polymerization solvent, for example, azobisisobutyronitrile (AIBN), azobisisobutyrate dimethyl (for example, V-601, etc.). It can manufacture by adding and superposing | polymerizing by radical polymerization initiators, such as). Or such (A1) component superposes | polymerizes the precursor (monomer in which the functional group of the monomer was protected) of the monomer which guide | induces a structural unit (a1), and the monomer which guides structural units other than a structural unit (a1) as needed. It can manufacture by melt | dissolving in a solvent, adding a radical polymerization initiator as mentioned above to this, and superposing | polymerizing, and then performing a deprotection reaction. In addition, during the polymerization, for example, HS-CH 2 -CH 2 -CH 2 -C (CF 3) By using in combination a chain transfer agent such as 2 -OH, -C (CF 3) 2 -OH at the terminal You may introduce | transduce a group. Thus, the copolymer into which the hydroxyalkyl group in which a part of the hydrogen atoms of the alkyl group was substituted by the fluorine atom was introduce | transduced is effective in reducing a development defect and reducing LER (line edge roughness: uneven unevenness of a line side wall).

(A1) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 특별히 한정되는 것이 아니고, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 2000 ∼ 30000 이 보다 바람직하며, 3000 ∼ 20000 이 더욱 바람직하다.The mass average molecular weight (Mw) (polystyrene conversion basis by gel permeation chromatography (GPC)) of (A1) component is not specifically limited, 1000-50000 are preferable, 2000-30000 are more preferable, 3000 20000 is more preferable.

(A1) 성분의 Mw 가 이 범위의 바람직한 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에의 용해성이 있고, 이 범위의 바람직한 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다. If Mw of (A1) component is below the preferable upper limit of this range, there exists solubility in the resist solvent sufficient for using as a resist, and if it is more than the preferable minimum of this range, dry etching resistance and a resist pattern cross-sectional shape are favorable. .

(A1) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 4.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하며, 1.1 ∼ 2.0 이 특히 바람직하다. 또한, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.The dispersion degree (Mw / Mn) of (A1) component is not specifically limited, 1.0-4.0 are preferable, 1.0-3.0 are more preferable, 1.1-2.0 are especially preferable. In addition, Mn represents a number average molecular weight.

·(A2) 성분에 대해 About (A2) component

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분으로서, 상기 (A1) 성분에 해당하지 않는, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (이하 「(A2) 성분」이라고 한다.) 을 병용해도 된다.The resist composition of this embodiment is a base material component (hereinafter referred to as "(A2) component") in which the solubility in a developing solution changes due to the action of an acid, which does not correspond to the component (A1), as the component (A). You may use together.

(A2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 기재 성분으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것으로부터 임의로 선택하여 사용하면 된다.It does not specifically limit as (A2) component, What is necessary is just to select arbitrarily from the many thing conventionally known as a base component for chemically amplified resist compositions.

(A2) 성분은, 고분자 화합물 또는 저분자 화합물의 1 종을 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(A2) A component may be used individually by 1 type of a high molecular compound or a low molecular compound, or may be used in combination of 2 or more type.

(A) 성분 중의 (A1) 성분의 비율은, (A) 성분의 총질량에 대해, 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하며, 75 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 100 질량% 여도 된다. 그 비율이 25 질량% 이상이면, 고감도화나 해상성, 러프니스 개선 등의 여러 가지 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 패턴이 형성되기 쉬워진다. As for the ratio of the component (A1) in (A) component, 25 mass% or more is preferable with respect to the gross mass of (A) component, 50 mass% or more is more preferable, 75 mass% or more is more preferable, 100 Mass% may be sufficient. If the ratio is 25 mass% or more, the resist pattern which is excellent in various lithography characteristics, such as high sensitivity, resolution, and roughness improvement, will be formed easily.

본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은, 20 질량% 이상이다. (A) 성분의 함유량을 20 질량% 이상으로 함으로써, 기판에 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성했을 때에, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성하는 것이 가능해진다. (A) 성분의 함유량은, 25 질량% 이상이 바람직하고, 30 질량% 이상이 보다 바람직하다. 레지스트 조성물 중의 (A) 성분의 함유량을 보다 높게 함으로써, 보다 고막두께의 레지스트막 (예를 들어, 8 ㎛ 이상) 을 형성 가능한 레지스트 조성물을 얻을 수 있다.In the resist composition of this embodiment, content of (A) component is 20 mass% or more. By making content of (A) component 20 mass% or more, when a resist composition is apply | coated to a board | substrate and a resist film is formed, it becomes possible to form a thick film resist film with a film thickness of 5 micrometers or more. 25 mass% or more is preferable, and, as for content of (A) component, 30 mass% or more is more preferable. By making content of (A) component in a resist composition higher, the resist composition which can form a resist film (for example, 8 micrometers or more) of a higher film thickness can be obtained.

(A) 성분의 함유량의 상한은, 레지스트막을 형성 가능한 농도이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 50 질량% 이하로 할 수 있다. (A) 성분의 함유량의 범위는, 예를 들어, 20 ∼ 50 질량% 로 할 수 있고, 25 ∼ 45 질량% 가 바람직하고, 30 ∼ 40 질량% 가 보다 바람직하다.Although the upper limit of content of (A) component will not be specifically limited if it is the density | concentration which can form a resist film, For example, it can be 50 mass% or less. The range of content of (A) component can be 20-50 mass%, for example, 25-45 mass% is preferable, and 30-40 mass% is more preferable.

형성하고자 하는 레지스트막 두께 등에 따라 조정하면 된다.What is necessary is just to adjust according to the resist film thickness etc. which are formed.

<(D0) 성분> <(D0) component>

(D0) 성분은, 하기 일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민 화합물이다. (D0) 성분은, 레지스트 조성물에 있어서 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처로서 작용하는 것이다. 본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부의 (D0) 성분을 함유함으로써, 감도, CDU 등의 리소그래피 특성이 양호하고, 또한 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있도록 된다.(D0) A component is a tertiary monoamine compound represented by the following general formula (d0). (D0) component acts as a quencher which traps the acid generate | occur | produced by exposure in a resist composition. The resist composition of the present embodiment contains 0.01 to 0.05 parts by mass of the (D0) component with respect to 100 parts by mass of the component (A), whereby lithography characteristics such as sensitivity and CDU are good, and a resist pattern having a good shape is formed. You can do it.

[화학식 51][Formula 51]

Figure pat00051
Figure pat00051

[식 중, Rx1 ∼ Rx3 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기를 나타낸다. Rx1 ∼ Rx3 은, 2 개 이상이 서로 결합하여 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.] [Wherein, Rx 1 to Rx 3 each independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent. Two or more of Rx 1 to Rx 3 may be bonded to each other to form a ring structure.]

상기 식 (d0) 중, Rx1, Rx2 및 Rx3 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기이다.The formula (d0) of, Rx 1, Rx 2 and Rx 3 are, each independently, a hydrocarbon group which may have a substituent.

Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.The hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는, 고리형의 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group as the hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 include a linear or branched alkyl group or a cyclic aliphatic hydrocarbon group.

그 직사슬형의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 15 가 보다 바람직하며, 탄소수 2 ∼ 12 가 더욱 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 10 이 특히 바람직하다. 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기 등을 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, more preferably 2 to 15 carbon atoms, still more preferably 2 to 12 carbon atoms, and particularly preferably 2 to 10 carbon atoms. As a specific example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n -An undecyl group, n-dodecyl group, etc. are mentioned.

그 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 가 보다 바람직하며, 탄소수 3 ∼ 10 이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms, and more preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group, etc. are mentioned.

상기 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자, 하이드록시기, 옥소기 (=O), 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-) 등을 들 수 있다. 치환기로서의 에스테르 결합 및 에테르 결합은, 알킬기를 구성하는 메틸렌기를 치환하는 기이다. 또한, Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기로서 아미노기를 갖는 경우는 없다.The linear or branched alkyl group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may or may not have a substituent. As this substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, an oxo group (= O), an ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), etc. are mentioned, for example. The ester bond and ether bond as a substituent are groups which substitute the methylene group which comprises an alkyl group. In addition, the linear or branched alkyl group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 does not have an amino group as a substituent.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.As a halogen atom as said substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned.

그 치환기로는, 그 중에서도, 하이드록시기가 바람직하다.Especially as this substituent, a hydroxyl group is preferable.

Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있고, 시클로펜탄이 특히 바람직하다. 다고리형의 지방족 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may be a polycyclic group or a monocyclic group. As a monocyclic aliphatic hydrocarbon group, the group remove | excluding one hydrogen atom from monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, A cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically, A cyclopentane is especially preferable. As the polycyclic aliphatic hydrocarbon group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specifically, adamantane, norbornane and iso Bornan, tricyclodecane, tetracyclo dodecane, etc. are mentioned.

상기 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자, 하이드록시기, 옥소기 (=O), 알킬기, 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-) 등을 들 수 있다. 치환기로서의 에스테르 결합 및 에테르 결합은 고리형의 지방족 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기를 치환하는 기이다. 또한, Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 치환기로서 아미노기를 갖는 경우는 없다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may or may not have a substituent. As this substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, an oxo group (= O), an alkyl group, ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), etc. are mentioned, for example. have. An ester bond and an ether bond as a substituent are groups which substitute the methylene group which comprises a cyclic aliphatic hydrocarbon group. In addition, the cyclic aliphatic hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 does not have an amino group as a substituent.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.As a halogen atom as said substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기가 바람직하다. 그 알킬기는, 직사슬형 또는 분기 사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.As an alkyl group as said substituent, a C1-C6 alkyl group is preferable. It is preferable that this alkyl group is a linear or branched chain type. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group, etc. are mentioned. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable.

그 치환기로는, 그 중에서도, 하이드록시기 또는 알킬기가 바람직하다.Especially as this substituent, a hydroxyl group or an alkyl group is preferable.

Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 적어도 1 개 갖는 탄화수소기이다.An aromatic hydrocarbon group as a hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향 고리는, 4n + 2 개의 π 전자를 가지는 고리형 공액계이면 특별히 한정되지 않고, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 방향 고리로서, 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자 (질소 원자를 제외한다) 로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리로서, 구체적으로는, 푸란 고리, 티오펜 고리 등을 들 수 있다.The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, C5-20 is more preferable, 6-15 are still more preferable, 6-12 are especially preferable. As an aromatic ring, Specifically, aromatic hydrocarbon rings, such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene; And aromatic hetero rings in which a part of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom (except for nitrogen atoms). As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, etc. are mentioned. As an aromatic hetero ring, a furan ring, a thiophene ring, etc. are mentioned specifically ,.

Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 또는 헤테로아릴기) ; 2 이상의 방향 고리를 포함하는 방향족 화합물 (예를 들어 비페닐, 플루오렌 등) 로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 ; 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 복소 고리에 결합하는 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.As an aromatic hydrocarbon group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 , specifically, a group (aryl group or heteroaryl group) in which one hydrogen atom is removed from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic hetero ring; A group in which one hydrogen atom is removed from an aromatic compound (eg, biphenyl, fluorene, etc.) containing two or more aromatic rings; Groups in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic hetero ring is substituted with an alkylene group (for example, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2 And arylalkyl groups such as naphthylethyl group). It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is one.

상기 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 할로겐 원자, 하이드록시기, 옥소기 (=O), 알킬기 등을 들 수 있다. 치환기로서의 할로겐 원자 및 알킬기로는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic hydrocarbon groups in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may or may not have a substituent. As this substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, an oxo group (= O), an alkyl group, etc. are mentioned. As a halogen atom and an alkyl group as a substituent, the thing similar to what was mentioned as a substituent of the said cyclic aliphatic hydrocarbon group is mentioned.

그 치환기로는, 그 중에서도, 하이드록시기 또는 알킬기가 바람직하다.Especially as this substituent, a hydroxyl group or an alkyl group is preferable.

Rx1, Rx2 및 Rx3 은, 이 중 2 개 이상이 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. 이러한 Rx1, Rx2 및 Rx3 의 2 개 이상이 형성하는 고리 구조는, 식 (d0) 중의 질소 원자와 함께 고리 구조를 형성한다. 이 고리 구조는, 고리 구조 중에 질소 원자를 포함하는 지방족 복소 고리여도 되고 방향족 복소 고리여도 된다. 또, 이 고리 구조는, 이것 이외의 고리 구조로 이루어지는 다고리 구조여도 된다.Rx 1, Rx 2 and Rx 3 are, or may by this combination of two or more to form a ring. The ring structure formed by two or more of such Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 forms a ring structure together with the nitrogen atom in formula (d0). The ring structure may be an aliphatic heterocyclic ring containing a nitrogen atom in the ring structure or an aromatic heterocyclic ring. Moreover, the polycyclic structure which consists of ring structures other than this may be sufficient as this ring structure.

Rx1, Rx2 및 Rx3 의 2 개 이상이 형성하는 지방족 복소 고리는, 다고리여도 되고 단고리여도 된다. 지방족 복소 고리로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아지리딘, 아제티딘, 피롤리딘, 피페리딘 등을 들 수 있다.The aliphatic heterocyclic ring formed by two or more of Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may be polycyclic or monocyclic. As an aliphatic heterocyclic ring, a C3-C6 thing is preferable, Specifically, aziridine, azetidine, pyrrolidine, piperidine, etc. are mentioned.

Rx1, Rx2 및 Rx3 의 2 개 이상이 형성하는 방향족 복소 고리는, 다고리여도 되고, 단고리여도 된다. 방향족 복소 고리로는, 탄소수 3 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는, 아지린, 아제트, 피롤, 피리딘, 아제핀 등을 들 수 있다.The aromatic heterocyclic ring formed by two or more of Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 may be polycyclic or monocyclic. As an aromatic hetero ring, a C3-C12 thing is preferable, Specifically, an aziline, an azet, a pyrrole, a pyridine, an azepine etc. are mentioned.

Rx1, Rx2 및 Rx3 의 2 개 이상이 결합하여 형성하는 고리 구조는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자, 하이드록시기, 옥소기 (=O), 알킬기 등을 들 수 있다. 상기 치환기로서의 할로겐 원자 및 알킬기는, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기에 있어서의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.Rx 1, Rx 2, and ring structure of two or more of Rx 3 is formed by combining is, and may have a substituent, and does not have. As this substituent, a halogen atom, a hydroxyl group, an oxo group (= O), an alkyl group, etc. are mentioned, for example. The halogen atom and alkyl group as said substituent are the same as what was mentioned as a substituent in the said cyclic aliphatic hydrocarbon group.

Rx1, Rx2 및 Rx3 의 2 개 이상이 결합하여 형성하는 고리 구조에 있어서의 치환기로는, 그 중에서도, 알킬기가 바람직하다.With Rx 1, Rx 2 and the substituents in the ring structure formed by combining two or more of Rx 3 is, among others, alkyl groups are preferred.

Rx1, Rx2 및 Rx3 의 2 개 이상이 결합하여 형성하는 고리 구조는, 치환기를 가지고 있는 것이 바람직하고, 일반식 (d0) 중의 질소 원자에 인접하는 탄소 원자가 치환기를 가지고 있는 것이 보다 바람직하다.Rx 1, Rx 2 and two ring structures or more is formed by the combination of Rx 3 is, it is more preferable to have a carbon atom in the substituent adjacent the nitrogen atom preferably has a substituent, and Formula (d0) .

(D0) 성분의 바람직한 예로는, 하기 일반식 (d0-1) 또는 (d0-2) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a preferable example of (D0) component, the compound represented by the following general formula (d0-1) or (d0-2) is mentioned.

[화학식 52][Formula 52]

Figure pat00052
Figure pat00052

[식 (d0-1) 중, Rx11 ∼ Rx13 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 단, Rx11 ∼ Rx13 의 모두가 방향족 탄화수소기가 되는 경우는 없다. 식 (d0-2) 중, Ry1 ∼ Ry3 은, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다. ny1 은, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.] [Formula (d0-1) of, Rx 11 Rx ~ 13 are, each independently, it represents a group which may have a substituent group selected from the group of linear branched, or aromatic hydrocarbon. However, there is no case that all of the Rx 11 Rx ~ 13 underlying an aromatic hydrocarbon. In formula (d0-2), Ry 1 to Ry 3 represent a linear or branched alkyl group which may have a substituent. ny1 represents the integer of 0-3.]

·일반식 (d0-1) 로 나타내는 화합물 Compound represented by formula (d0-1)

일반식 (d0-1) 중, Rx11 ∼ Rx13 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 단, Rx11 ∼ Rx13 의 모두가 방향족 탄화수소기가 되는 경우는 없다.In the general formula (d0-1), Rx 11 Rx ~ 13 are, each independently, it represents a group which may have a substituent group selected from the group of linear branched, or aromatic hydrocarbon. However, there is no case that all of the Rx 11 Rx ~ 13 underlying an aromatic hydrocarbon.

Rx11, Rx12 및 Rx13 에 있어서의 직사슬형의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 15 가 보다 바람직하며, 탄소수 2 ∼ 12 가 더욱 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 10 이 특히 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 탄화수소기로서의 직사슬형 알킬기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The linear alkyl group in Rx 11 , Rx 12, and Rx 13 preferably has 1 to 15 carbon atoms, more preferably 2 to 15 carbon atoms, still more preferably 2 to 12 carbon atoms, and 2 to 10 carbon atoms. Especially preferred. Specific examples are the formula (d0) can be given as in the linear alkyl group as the hydrocarbon group in Rx 1, Rx 2 and Rx 3 the same as all.

Rx11, Rx12 및 Rx13 에 있어서의 분기형의 알킬기는, 탄소수가 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 12 가 보다 바람직하며, 탄소수 3 ∼ 10 이 보다 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 탄화수소기로서의 분기 사슬형 알킬기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The branched alkyl group in Rx 11 , Rx 12 and Rx 13 preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms, and more preferably 3 to 10 carbon atoms. Specific examples are the formula (d0) can be given as in the branched alkyl group as the hydrocarbon group in Rx 1, Rx 2 and Rx 3 the same as all.

상기 Rx11, Rx12 및 Rx13 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 혹은 분기 사슬형 알킬기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 치환기로는, 그 중에서도, 하이드록시기가 바람직하다.The linear or branched alkyl group in Rx 11 , Rx 12 and Rx 13 may or may not have a substituent. The substituent has the formula (d0) can be given in the Rx 1, Rx 2 and as the substituent of the linear or branched alkyl group in Rx 3 the same as all. Especially as this substituent, a hydroxyl group is preferable.

Rx11, Rx12 및 Rx13 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다. 방향 고리의 탄소수는 5 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 이 보다 바람직하며, 6 ∼ 15 가 더욱 바람직하고, 6 ∼ 12 가 특히 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic hydrocarbon group in Rx 11 , Rx 12 and Rx 13 may be monocyclic or polycyclic. It is preferable that carbon number of an aromatic ring is 5-30, 5-20 are more preferable, 6-15 are more preferable, and 6-12 are especially preferable. Specific examples are the formula (d0) can be given in an aromatic hydrocarbon group as the hydrocarbon group in Rx 1, Rx 2 and Rx 3 the same as all.

상기 Rx11, Rx12 및 Rx13 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 방향족 탄화수소기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 치환기로는, 그 중에서도, 알킬기가 바람직하다.The groups Rx 11, Rx 12, and an aromatic hydrocarbon in the Rx 13, need not, and may have a substituent, with. The substituent has the formula (d0) can be given as the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the in Rx 1, Rx 2 and Rx 3 the same as all. Especially as this substituent, an alkyl group is preferable.

Rx11, Rx12 및 Rx13 은, 그 모두가, 방향족 탄화수소기가 되는 경우는 없다. Rx11, Rx12 및 Rx13 중 어느 것이 방향족 탄화수소기인 경우, 그 어느 1 개가 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.Rx 11, Rx 12 and Rx 13 is not the case that both, is an aromatic hydrocarbon group. If Rx 11, Rx 12 and Rx 13 of which one is an aromatic hydrocarbon group, and either one is the hydrocarbon group is preferably aromatic.

상기 일반식 (d0-1) 로 나타내는 화합물의 바람직한 예로는, 하기 일반식 (d0-1-1) 또는 (d0-1-2) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a preferable example of a compound represented by the said general formula (d0-1), the compound represented by the following general formula (d0-1-1) or (d0-1-2) is mentioned.

[화학식 53][Formula 53]

Figure pat00053
Figure pat00053

[식 (d0-1-1) 중, Rx111 ∼ Rx113 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다. 식 (d0-1-2) 중, Rx121 ∼ Rx123 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다. nx1 은, 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다.] Equation (d0-1-1) of, Rx Rx 111 ~ 113 are, each independently represent a linear or branched alkyl group which may have a substituent. In formula (d0-1-2), Rx 121 to Rx 123 each independently represent a linear or branched alkyl group which may have a substituent. nx1 represents the integer of 0-5.]

일반식 (d0-1-1) 중, Rx111 ∼ Rx113 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다. Rx111, Rx112 및 Rx113 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기로는, 상기 일반식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.In General Formula (d0-1-1), Rx 111 to Rx 113 each independently represent a linear or branched alkyl group which may have a substituent. As a linear or branched alkyl group in Rx 111 , Rx 112 and Rx 113 , a linear or branched alkyl group in Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 in the general formula (d0). And the same thing as.

Rx111, Rx112 및 Rx113 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 치환기로는, 그 중에서도, 하이드록시기가 바람직하다.The linear or branched alkyl group in Rx 111 , Rx 112 and Rx 113 may or may not have a substituent. The substituent has the formula (d0) can be given in the Rx 1, Rx 2 and as the substituent of the linear or branched alkyl group in Rx 3 the same as all. Especially as this substituent, a hydroxyl group is preferable.

Rx111 ∼ Rx113 은, 모두 동일한 기인 것이 특히 바람직하다.It is especially preferable that all of Rx 111 -Rx 113 are the same group.

일반식 (d0-1-2) 중, Rx121, Rx122 및 Rx123 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다.In the general formula (d0-1-2), Rx 121, Rx 122 and Rx 123 are, each independently, represents a linear or branched alkyl group which may have a substituent.

Rx121 및 Rx122 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기로는, 상기 일반식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. As the linear or branched alkyl group for Rx 121 and Rx 122 , the same as the linear or branched alkyl group for Rx 1 , Rx 2 and Rx 3 in General Formula (d0). Can be mentioned.

Rx121 및 Rx122 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다. 그 치환기로는, 그 중에서도, 하이드록시기가 바람직하다.The linear or branched alkyl group in Rx 121 and Rx 122 may or may not have a substituent. The substituent has the formula (d0) can be given in the Rx 1, Rx 2 and as the substituent of the linear or branched alkyl group in Rx 3 the same as all. Especially as this substituent, a hydroxyl group is preferable.

Rx121 및 Rx122 는, 서로 동일한 기인 것이 바람직하다.It is preferable that Rx 121 and Rx 122 are the same groups as each other.

Rx123 에 있어서의 직사슬형의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 3 이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 또는 2 가 특히 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 알킬기의 구체예로서 든 것을 들 수 있고, 그 중에서도, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.It is preferable that a linear alkyl group in Rx 123 is C1-C10, C1-C6 is more preferable, C1-C3 is still more preferable, C1-C2 is especially preferable. Specific examples are the above formula there may be mentioned (d0) of the Rx 1, that either a specific example of the linear alkyl group according to the Rx 2 and Rx 3, among them, a methyl group or an ethyl group is preferred.

Rx123 에 있어서의 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 분기형 알킬기의 구체예로서 든 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 이소프로필기, 이소부틸기, 또는 tert-부틸기가 바람직하다.The branched alkyl group in Rx 123 is preferably 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms. Specific examples are the formula (d0) can be given in the Rx 1, all the specific examples of branched alkyl groups in the Rx 2 and Rx 3. Especially, isopropyl group, isobutyl group, or tert- butyl group is preferable.

Rx123 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The linear or branched alkyl group in Rx 123 may or may not have a substituent. The substituent has the formula (d0) can be given in the Rx 1, Rx 2 and as the substituent of the linear or branched alkyl group in Rx 3 the same as all.

일반식 (d0-1-2) 중, nx1 은 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. nx1 은 0 ∼ 3 이 바람직하고, 0 ∼ 2 가 보다 바람직하며, 0 또는 1 이 보다 바람직하다.Nx1 represents the integer of 0-5 in general formula (d0-1-2). 0-3 are preferable, as for nx1, 0-2 are more preferable, and 0 or 1 is more preferable.

상기 일반식 (d0-1) 로 나타내는 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.The specific example of a compound represented by the said general formula (d0-1) is shown below.

[화학식 54][Formula 54]

Figure pat00054
Figure pat00054

상기 예시한 것 외에, 일반식 (d0-1) 로 나타내는 화합물의 구체예로는, 트리메틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 트리-n-옥탄올아민 등의 트리알킬알코올아민 ; 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있다.In addition to the above examples, specific examples of the compound represented by the general formula (d0-1) include trimethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, and tri-n- Trialkylamines such as hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-nonylamine and tri-n-dodecylamine; Trialkyl alcohol amines such as tri-n-octanol amine; Tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2 -(2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate, etc. are mentioned.

·일반식 (d0-2) 로 나타내는 화합물 Compound represented by formula (d0-2)

상기 일반식 (d0-2) 중, Ry1, Ry2 및 Ry3 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다.In General Formula (d0-2), Ry 1 , Ry 2, and Ry 3 each independently represent a linear or branched alkyl group which may have a substituent.

Ry1 및 Ry2 에 있어서의 직사슬형의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 알킬기의 구체예로서 든 것을 들 수 있다.The linear alkyl group in Ry 1 and Ry 2 is preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms. Specific examples are the formula (d0) can be given in the Rx 1, that either a specific example of the linear alkyl group according to the Rx 2 and Rx 3.

Ry1 및 Ry2 에 있어서의 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 분기형 알킬기의 구체예로서 든 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 이소프로필기, 이소부틸기, 또는 tert-부틸기가 바람직하다.The branched alkyl group in Ry 1 and Ry 2 is preferably 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms. Specific examples are the formula (d0) can be given in the Rx 1, all the specific examples of branched alkyl groups in the Rx 2 and Rx 3. Especially, isopropyl group, isobutyl group, or tert- butyl group is preferable.

Ry1 및 Ry2 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The linear or branched alkyl group in Ry 1 and Ry 2 may or may not have a substituent. The substituent has the formula (d0) can be given in the Rx 1, Rx 2 and as the substituent of the linear or branched alkyl group in Rx 3 the same as all.

그 중에서도, Ry1 및 Ry2 는, 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 치환기를 가지지 않는 분기 사슬형의 알킬기가 보다 바람직하며, 이소프로필기, 이소부틸기, 또는 tert-부틸기가 더욱 바람직하다. Ry1 및 Ry2 는, 서로 동일한 기인 것이 바람직하다.Among them, Ry 1 and Ry 2 are preferably a branched alkyl group, more preferably a branched alkyl group having no substituent, and more preferably an isopropyl group, isobutyl group, or tert-butyl group. Ry 1 and Ry 2 are preferably identical group each other.

Ry3 에 있어서의 직사슬형의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 알킬기의 구체예로서 든 것을 들 수 있다.Alkyl group linear in Ry 3 is preferably a carbon number of 1 to 10 carbon atoms and 2 to 6 are more preferable, the carbon number is more preferably 2-4. Specific examples are the formula (d0) can be given in the Rx 1, that either a specific example of the linear alkyl group according to the Rx 2 and Rx 3.

Rx123 에 있어서의 분기 사슬형의 알킬기는, 탄소수 3 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 3 또는 4 가 더욱 바람직하다. 구체예로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 분기형 알킬기의 구체예로서 든 것을 들 수 있다.The branched alkyl group in Rx 123 is preferably 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, still more preferably 3 or 4 carbon atoms. Specific examples are the formula (d0) can be given in the Rx 1, all the specific examples of branched alkyl groups in the Rx 2 and Rx 3.

Ry1 및 Ry2 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 상기 식 (d0) 중의 Rx1, Rx2 및 Rx3 에 있어서의 직사슬형 또는 분기 사슬형 알킬기의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.The linear or branched alkyl group in Ry 1 and Ry 2 may or may not have a substituent. The substituent has the formula (d0) can be given in the Rx 1, Rx 2 and as the substituent of the linear or branched alkyl group in Rx 3 the same as all.

일반식 (d0-2) 중, ny1 은 0 ∼ 3 의 정수이다. ny1 은 0 ∼ 2 인 것이 바람직하고, 0 또는 1 인 것이 보다 바람직하며, 0 인 것이 더욱 바람직하다.Ny1 is an integer of 0-3 in general formula (d0-2). It is preferable that ny1 is 0-2, It is more preferable that it is 0 or 1, It is further more preferable that it is 0.

일반식 (d0-2) 로 나타내는 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.The specific example of a compound represented by general formula (d0-2) is shown below.

[화학식 55][Formula 55]

Figure pat00055
Figure pat00055

(D0) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D0), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 실시형태의 레지스트 조성물 중, (D0) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부이다. (D0) 성분의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성했을 때에, 높은 감도를 유지하면서, CDU 를 개선하고, 또한 양호한 형상의 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. (D0) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.02 ∼ 0.05 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.02 ∼ 0.04 질량부인 것이 더욱 바람직하다.In the resist composition of this embodiment, content of (D0) component is 0.01-0.05 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. By making content of (D0) component into the said range, when forming a thick-film resist film with a film thickness of 5 micrometers or more, CDU can be improved while maintaining a high sensitivity, and the resist pattern of a favorable shape can be obtained. It is more preferable that it is 0.02-0.05 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for content of (D0) component, it is still more preferable that it is 0.02-0.04 mass part.

<임의 성분> <Optional component>

≪(B) 성분 : 산 발생제 성분≫`` (B) Component: Acid Generator Component ''

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분 및 (D0) 성분에 더하여, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 ((B) 성분) 을 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the resist composition of this embodiment contains the acid generator component (component (B)) which generate | occur | produces an acid by exposure in addition to (A) component and (D0) component.

(B) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트 조성물용의 산 발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.It does not specifically limit as (B) component, What has been proposed so far as an acid generator for chemically amplified resist compositions can be used.

이와 같은 산 발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제 ; 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산 발생제 ; 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등 다종의 것을 들 수 있다.Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, and oxime sulfonate acid generators; Diazomethane-based acid generators such as bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes and poly (bissulfonyl) diazomethanes; Nitrobenzyl sulfonate-type acid generators, iminosulfonate-type acid generators, and disulfone-type acid generators are mentioned.

오늄염계 산 발생제로는, 예를 들어, 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-1) 성분」이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-2) 성분」이라고도 한다) 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(b-3) 성분」이라고도 한다) 을 들 수 있다.As an onium salt type acid generator, For example, the compound represented by the following general formula (b-1) (henceforth a "(b-1) component"), and the compound represented by general formula (b-2) (hereinafter "( b-2) component "or a compound represented by the general formula (b-3) (hereinafter also referred to as" component (b-3) ").

[화학식 56][Formula 56]

Figure pat00056
Figure pat00056

[식 중, R101, R104 ∼ R108 은 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. Y101 은 단결합, 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다. V101 ∼ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. L101 ∼ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ∼ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이다.] [In formula, R <101> , R <104> -R <108> is respectively independently the cyclic group which may have a substituent, the chain alkyl group which may have a substituent, or the linear alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a divalent linking group containing a single bond or an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2- . m is an integer of 1 or more, and M ' m + is an onium cation of m value.]

{아니온부} {Noon}

·(b-1) 성분의 아니온부 Anion part of component (b-1)

식 (b-1) 중, R101 은, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In formula (b-1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 : Cyclic group which may have a substituent:

그 고리형기는, 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는, 방향족 탄화수소기여도 되고, 지방족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 또, 지방족 탄화수소기는, 포화여도 되고, 불포화여도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means the hydrocarbon group which does not have aromaticity. Moreover, it may be saturated or unsaturated may be sufficient as an aliphatic hydrocarbon group, and it is preferable that it is normally saturated.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다. 그 방향족 탄화수소기의 탄소수는 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 30 이 보다 바람직하며, 탄소수 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 15 가 특히 바람직하며, 탄소수 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group in R 101 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The carbon number of the aromatic hydrocarbon group is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. . However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 비페닐, 또는 이들의 방향 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.As an aromatic ring which an aromatic hydrocarbon group in R <101> has, Specifically, the aromatic heterocyclic in which a part of the carbon atoms which comprise benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, or these aromatic rings was substituted by the hetero atom Ring etc. are mentioned. As a hetero atom in an aromatic hetero ring, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기 : 예를 들어 페닐기, 나프틸기 등), 상기 방향 고리의 수소 원자의 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등) 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 2 가 보다 바람직하며, 탄소수 1 이 특히 바람직하다.As an aromatic hydrocarbon group in R <101> , the group (aryl group: For example, a phenyl group, a naphthyl group, etc.) which removed one hydrogen atom from the said aromatic ring specifically, one of the hydrogen atoms of the said aromatic ring is an alkylene group. Substituted group (For example, arylalkyl groups, such as a benzyl group, a phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc.), etc. are mentioned. It is preferable that carbon number of the said alkylene group (alkyl chain in an arylalkyl group) is 1-4, C1-C2 is more preferable, C1-C is especially preferable.

R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다. Examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 include aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.

이 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 지환형 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기), 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환형 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure includes an alicyclic hydrocarbon group (a group in which one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring) and an alicyclic hydrocarbon group bonded to a terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. And groups in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.

상기 지환형 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-30, and, as for the said alicyclic hydrocarbon group, it is more preferable that carbon number is 3-20.

상기 지환형 탄화수소기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다. 단고리형의 지환형 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환형 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 30 의 것이 바람직하다. 그 중에서도, 그 폴리시클로알칸으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 가교 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸 ; 스테로이드 골격을 갖는 고리형기 등의 축합 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or may be a monocyclic group. As a monocyclic alicyclic hydrocarbon group, the group remove | excluding one or more hydrogen atoms from the monocycloalkane is preferable. As this monocycloalkane, a C3-C6 thing is preferable, A cyclopentane, a cyclohexane, etc. are mentioned specifically ,. As a polycyclic alicyclic hydrocarbon group, the group remove | excluding one or more hydrogen atoms from polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, a C7-30 thing is preferable. Among them, examples of the polycycloalkane include polycycloalkanes having a polycyclic skeleton of a crosslinked ring system such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane; More preferred are polycycloalkanes having a polycyclic skeleton of a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton.

그 중에서도, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로는, 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 이상 제거한 기가 바람직하고, 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기가 보다 바람직하며, 아다만틸기, 노르보르닐기, 스테로이드 골격을 갖는 고리형기가 특히 바람직하고, 아다만틸기, 스테로이드 골격을 갖는 고리형기가 가장 바람직하다.Especially, as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 , a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane or a polycycloalkane is preferable, and a group in which one hydrogen atom is removed from a polycycloalkane is more preferable, Particularly preferred are cyclic groups having an adamantyl group, norbornyl group and a steroid skeleton, and most preferred are cyclic groups having an adamantyl group and a steroid skeleton.

지환형 탄화수소기에 결합해도 되는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 이 특히 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to an alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and more preferably 1 carbon atom. 3 is especially preferable.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2- ], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], and a trimethylene group [-( CH 2 ) 3- ], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4- ], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5- ], and the like.

분기 사슬형의 지방족 탄화수소기로는, 분기 사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specifically, -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , Alkylmethylene groups such as -C (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C (CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl group such as ethylene; Alkyltrimethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -and -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2- ; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As an alkyl group in an alkylalkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 된다. 구체적으로는, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 외 하기 화학식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-16) 으로 각각 나타내는 복소 고리형기를 들 수 있다.Moreover, the cyclic hydrocarbon group in R <101> may contain a hetero atom like a heterocyclic ring. Specifically, the lactone-containing cyclic groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), respectively, and the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively -SO 2 represents-containing cyclic group, to the other can be a formula (r-hr-1) ~ a complex cyclic group represents respectively the (r-hr-16).

[화학식 57][Formula 57]

Figure pat00057
Figure pat00057

R101 의 고리형기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다.As a substituent in the cyclic group of R <101> , an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, etc. are mentioned, for example.

치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기가 가장 바람직하다.As an alkyl group as a substituent, a C1-C5 alkyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and tert- butyl group are the most preferable.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하며, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As an alkoxy group as a substituent, a C1-C5 alkoxy group is preferable, A methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group are more preferable, A methoxy group And ethoxy groups are most preferred.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.As a halogenated alkyl group as a substituent, the group by which one or all hydrogen atoms, such as a C1-C5 alkyl group, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, tert- butyl group, was substituted by the said halogen atom is mentioned. have.

치환기로서의 카르보닐기는, 고리형의 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기 (-CH2-) 를 치환하는 기이다.Group as a substituent, a methylene group constituting the hydrocarbon ring of the type -, a group substituted with a (-CH 2).

치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기 : Chain alkyl group which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형 중 어느 것이어도 된다.As a linear alkyl group of R <101> , either linear or branched chain may be sufficient.

직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group And tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, isocyl group, hencosyl group and docosyl group.

분기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2 -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, etc. are mentioned.

치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기 : Chain alkenyl groups which may have a substituent:

R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 5 가 보다 바람직하며, 탄소수 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 탄소수 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기 사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸비닐기, 2-메틸비닐기, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The linear alkenyl group of R 101 may be either linear or branched, preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms. And carbon number 3 is especially preferable. As a linear alkenyl group, a vinyl group, a propenyl group (allyl group), butynyl group etc. are mentioned, for example. As a branched alkenyl group, 1-methylvinyl group, 2-methylvinyl group, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group, etc. are mentioned, for example.

사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도, 직사슬형의 알케닐기가 바람직하고, 비닐기, 프로페닐기가 보다 바람직하며, 비닐기가 특히 바람직하다.As a linear alkenyl group, a linear alkenyl group is preferable among these, a vinyl group and a propenyl group are more preferable, and a vinyl group is especially preferable.

R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Of the substituents in groups alkyl or alkenyl chain of the R 101 is, e.g., an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, a cyclic group etc. in the R 101 Can be.

그 중에서도, R101 은, 치환기를 가져도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 ; 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-3) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기 ; 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Especially, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, the group remove | excluding one or more hydrogen atoms from the phenyl group, naphthyl group, and polycycloalkane; Lactone-containing cyclic groups represented by general formulas (a2-r-1) and (a2-r-3) to (a2-r-7), respectively; Preferred are -SO 2 -containing cyclic groups represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4).

상기 식 (b-1) 중, Y101 은, 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기이다.In the formula (b-1), Y 101 is a divalent linking group comprising a single bond or an oxygen atom.

Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은, 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, the Y 101 may contain atoms other than an oxygen atom. As atoms other than an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

이러한 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 상기 일반식 (y-al-1) ∼ (y-al-8) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.As a bivalent coupling group containing such an oxygen atom, the coupling group represented by the said general formula (y-al-1) (y-al-8), respectively is mentioned, for example.

Y101 로는, 에스테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기, 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 일반식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 보다 바람직하다.As Y 101 , a divalent linking group containing an ester bond or a divalent linking group containing an ether bond is preferable, and a linking group represented by General Formulas (y-al-1) to (y-al-5) is more preferable. desirable.

상기 식 (b-1) 중, V101 은, 단결합, 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화알킬렌기는, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은, 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기인 것이 바람직하다.In said formula (b-1), V101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. Group is an alkylene group, a fluorinated alkylene group in V 101, preferably having a carbon number of 1-4. A fluorinated alkylene group in the V 101 is, a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group of the 101 V may be substituted with a fluorine atom. Especially, it is preferable that V <101> is a single bond or a C1-C4 fluorinated alkylene group.

상기 식 (b-1) 중, R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In said formula (b-1), R <102> is a fluorine atom or a C1-C5 fluorinated alkyl group. R 102 is preferably a fluorine atom or a C 1-5 perfluoroalkyl group, and more preferably a fluorine atom.

(b-1) 성분의 아니온부의 구체예로는, 예를 들어, Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화알킬술포네이트 아니온을 들 수 있고 ; Y101 이 산소 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 하기 식 (an-1) ∼ (an-3) 중 어느 것으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.As a specific example of the anion part of (b-1) component, for example, when Y101 becomes a single bond, fluorinated alkyl sulfo, such as a trifluoromethanesulfonate anion and a perfluorobutanesulfonate anion, for example. Nate anion; When Y101 is a bivalent coupling group containing an oxygen atom, the anion represented by either of following formula (an-1)-(an-3) is mentioned.

[화학식 58][Formula 58]

Figure pat00058
Figure pat00058

[식 중, R"101 은, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 상기 화학식 (r-hr-1) ∼ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 1 가의 복소 고리형기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기이다. R"102 는, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 상기 일반식 (a2-r-1), (a2-r-3) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이다. R"103 은, 치환기를 가져도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다. V"101 은, 단결합, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬렌기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. v" 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이고, q" 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이고, n" 는 0 또는 1 이다.] [Wherein, R ″ 101 may have an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a monovalent heterocyclic group represented by the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a substituent; A linear alkyl group. R ″ 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, and lactones represented by general formulas (a2-r-1) and (a2-r-3) to (a2-r-7), respectively. represented by containing cyclic group, or the formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) respectively, -SO 2 - containing a cyclic group. R ″ 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. V ″ 101 is a single bond or an alkyl having 1 to 4 carbons. Or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. R 102 is a fluorine atom or a C1-5 fluorinated alkyl group. v "are each independently an integer of 0-3, q" is each independently an integer of 1-20, and n "is 0 or 1.]

R"101, R"102 및 R"103 의 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "101, R" 102 and R "aliphatic cyclic group which may have a 103 substituent group is a group exemplified as the aliphatic hydrocarbon group of annular in said R 101 is preferably In the above substituents, R 101 The same thing as the substituent which may substitute the cyclic aliphatic hydrocarbon group in is mentioned.

R"103 에 있어서의 치환기를 가져도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "aromatic cyclic group which may have a substituent in the 103 is preferably a group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in groups a hydrocarbon of type rings in the above-mentioned R 101. As the substituent of the R 101 The same thing as the substituent which may substitute the aromatic hydrocarbon group is mentioned.

R"101 에 있어서의 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R"104 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.R "group of the chain which may have a substituent in the 101, is due exemplified as the alkyl group of the chain-like in the above-mentioned R 101 is preferable. R" 104 Al of chain which may have a substituent in the It is preferable that a kenyl group is group exemplified as a chain alkenyl group in R 101 described above.

V"101 은, 바람직하게는 단결합 또는 불소화알킬렌기이고, 보다 바람직하게는 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 불소화알킬렌기이다. V"101 이 불소화알킬렌기인 경우 -V"101-C(F)(R"102)-SO3 - 에 있어서의 V"101 은, -CF2-, -CHF-, -CF2CF2-, -CHFCF2-, -CF(CF3)CF2-, -CH(CF3)CF2- 인 것이 바람직하고, -CF2-, -CHF- 가 보다 바람직하다.V ″ 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group, and more preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. When V ″ 101 is a fluorinated alkylene group, -V ″ 101 -C (F V ″ 101 in) (R ″ 102 ) -SO 3 - is -CF 2- , -CHF-, -CF 2 CF 2- , -CHFCF 2- , -CF (CF 3 ) CF 2 -,- CH (CF 3) CF 2 - is preferable, and, -CF 2 -, -CHF- is more preferable.

R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.R 102 is a fluorine atom or a C1-5 fluorinated alkyl group. R 102 is preferably a fluorine atom or a C 1-5 perfluoroalkyl group, and more preferably a fluorine atom.

v" 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 1 이다. q" 는, 1 ∼ 20 의 정수이고, 바람직하게는 1 ∼ 10 의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 의 정수이고, 더욱 바람직하게는 1, 2 또는 3 이고, 특히 바람직하게는 1 또는 2 이다. n" 는, 0 또는 1 이다.v "is an integer of 0-3, Preferably it is 0 or 1. q" is an integer of 1-20, Preferably it is an integer of 1-10, More preferably, it is an integer of 1-5. , More preferably 1, 2 or 3, and particularly preferably 1 or 2. n "is 0 or 1;

·(b-2) 성분의 아니온부 Anion part of component (b-2)

식 (b-2) 중, R104, R105 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 각각, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R <104> , R <105> is respectively independently the cyclic group which may have a substituent, the chain alkyl group which may have a substituent, or the linear alkenyl group which may have a substituent, The same thing as R <101> in said Formula (b-1) is mentioned, respectively. However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105 는, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 불소화알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 104 and R 105 are each preferably a linear alkyl group which may have a substituent, and more preferably a linear or branched alkyl group or a linear or branched fluorinated alkyl group.

그 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트용 용제에의 용해성도 양호하다는 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록, 산의 강도가 강해지기 때문에, 바람직하다. 상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100 % 이고, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.It is preferable that carbon number of this linear alkyl group is 1-10, More preferably, it is C1-C7, More preferably, it is C1-C3. Carbon number of the chain alkyl group of R <104> , R <105> is so preferable that it is small, for the reason that the solubility to the solvent for resists is also good in the said carbon number range. Moreover, in the chain alkyl group of R <104> , R <105> , since the intensity | strength of an acid becomes stronger, the number of hydrogen atoms substituted with the fluorine atom becomes preferable, and it is preferable. The proportion of the fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably, a perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. to be.

식 (b-2) 중, V102, V103 은, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화알킬렌기이고, 각각, 식 (b-1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and examples thereof include the same as V 101 in formula (b-1).

식 (b-2) 중, L101, L102 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In formula (b-2), L 101 and L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

·(b-3) 성분의 아니온부 Anion part of component (b-3)

식 (b-3) 중, R106 ∼ R108 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 각각, 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-3), R <106> -R <108> is respectively independently the cyclic group which may have a substituent, the linear alkyl group which may have a substituent, or the linear alkenyl group which may have a substituent, The same thing as R <101> in Formula (b-1) is mentioned, respectively.

L103 ∼ L105 는, 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO-, or -SO 2- .

{카티온부} {Cateonbu}

식 (b-1), (b-2) 및 (b-3) 중, m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 m 가의 오늄 카티온이고, 술포늄 카티온, 요오드늄 카티온을 바람직하게 들 수 있고, 예를 들어 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 유기 카티온을 들 수 있다.In formulas (b-1), (b-2) and (b-3), m is an integer of 1 or more, M ' m + is m-valent onium cation, and sulfonium cation and iodonium cation are preferable. Examples thereof include organic cations represented by general formulas (ca-1) to (ca-4), for example.

[화학식 59][Formula 59]

Figure pat00059
Figure pat00059

[식 중, R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 는 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 알케닐기를 나타낸다. R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는 각각, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 혹은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내거나, 또는 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 된다. R210 은, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다. L201 은, -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타낸다. 복수의 Y201 은 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다. x 는, 1 또는 2 이다. W201 은, (x + 1) 가의 연결기를 나타낸다.] [Wherein, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, or an alkenyl group which may have a substituent. R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 may be bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 may each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or may be bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula. R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or a -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent. L 201 represents -C (= 0)-or -C (= 0) -O-. A plurality of Y 201 's each independently represent an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group. x is 1 or 2; W 201 represents a (x + 1) valence group.]

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.As an aryl group in R <201> -R <207> and R <211> -R <212> , a C6-C20 aryl group is mentioned, A phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.As an alkyl group in R <201> -R <207> and R <211> -R <212> , it is a linear or cyclic alkyl group, and a C1-C30 thing is preferable.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다. As an alkenyl group in R <201> -R <207> and R <211> -R <212> , it is preferable that carbon number is 2-10.

R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 가 가져도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 하기 일반식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituent which R 201 to R 207 and R 211 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, and the following general formula (ca-r-1) Groups represented by)-(ca-r-7) are mentioned, respectively.

[화학식 60][Formula 60]

Figure pat00060
Figure pat00060

[식 중, R'201 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.] [In formula, R'201 is respectively independently a hydrogen atom, the cyclic group which may have a substituent, the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain alkenyl group which may have a substituent.]

R'201 의 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 후술하는 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 외에, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로서, 상기 서술한 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기와 동일한 것도 들 수 있다.R 'cyclic group which may have a substituent group 201, a group the alkyl group of the chain which may be substituted, or alkenyl chain which may have a substituent, the same ones as in R 101 to be described later formula (b-1) In addition, the thing similar to the acid dissociable group represented by Formula (a1-r-2) mentioned above as a cyclic group which may have a substituent or the chain alkyl group which may have a substituent is mentioned.

R201 ∼ R203, R206 ∼ R207, R211 ∼ R212 는, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3-, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다.) 등의 관능기를 개재하여 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 포함하는 1 개의 고리가, 황 원자를 포함하여, 3 ∼ 10 원 고리인 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오크산텐 고리, 티오크산톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 are bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula, hetero atoms such as a sulfur atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a carbonyl group, Bonding through a functional group such as -SO-, -SO 2- , -SO 3- , -COO-, -CONH- or -N (R N )-(wherein R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms) You may also As a ring formed, it is preferable that one ring which contains the sulfur atom in a formula in the ring skeleton is a 3-10 membered ring including a sulfur atom, and it is especially preferable that it is a 5-7 membered ring. Specific examples of the ring to be formed include, for example, a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, a thioxanthone Ring, thianthrene ring, phenoxatiin ring, tetrahydrothiophenium ring, tetrahydrothiopyranium ring and the like.

R208 ∼ R209 는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and in the case of being an alkyl group, may be bonded to each other to form a ring.

R210 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or a -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent.

R210 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ∼ 20 의 무치환의 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.As an aryl group in R <210> , a C6-C20 unsubstituted aryl group is mentioned, A phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기이고, 탄소수 1 ∼ 30 의 것이 바람직하다.As an alkyl group in R <210> , it is a linear or cyclic alkyl group, and a C1-C30 thing is preferable.

R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하다. R210 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 「-SO2- 함유 다고리형기」가 바람직하고, 상기 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 보다 바람직하다.As an alkenyl group in R <210> , it is preferable that carbon number is 2-10. -SO 2 that is, may have a substituent in R 210 - by-containing cyclic group "-SO 2 - containing the cyclic group" is preferable, and more preferably groups represented by the above-mentioned formula (a5-r-1) Do.

Y201 은, 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group.

Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 후술하는 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.Arylene groups of the Y 201, may be mentioned a group removed a hydrogen atom from the aryl groups exemplified as the aromatic hydrocarbon group in R 101 to be described later of the formula (b-1).

Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 후술하는 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기, 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the alkylene group and the alkenylene group for Y 201 include groups in which one hydrogen atom is removed from a group exemplified as a chain alkyl group and a chain alkenyl group in R 101 in formula (b-1) described later. have.

상기 식 (ca-4) 중, x 는, 1 또는 2 이다.In said formula (ca-4), x is 1 or 2.

W201 은, (x + 1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다.W 201 is (x + 1), that is, a divalent or trivalent linking group.

W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 상기 서술한 일반식 (a2-1) 중의 Ya21 과 동일한, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.As the divalent linking group for W 201 , a divalent hydrocarbon group which may have a substituent is preferable, and the divalent hydrocarbon group which may have the same substituent as Ya 21 in General Formula (a2-1) described above will be exemplified. Can be. The divalent linking group for W 201 may be any of linear, branched, and cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of the arylene group is preferable. As an arylene group, a phenylene group, a naphthylene group, etc. are mentioned, A phenylene group is especially preferable.

W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Connection of the trivalent group is 201 W, and 201 W the group 1 to remove the hydrogen atom from the divalent linking group in, in addition to the divalent linking group, and the like which combines the divalent connecting group. As the trivalent linking group for W 201 , a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group is preferable.

상기 식 (ca-1) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 화학식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-78), (ca-1-101) ∼ (ca-1-149) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specifically as a preferable cation represented by said formula (ca-1), the following general formula (ca-1-1)-(ca-1-78), (ca-1-101)-(ca-1-149) The cation shown by each is mentioned.

하기 화학식 중, g1 은 반복수를 나타내고, g1 은 1 ∼ 5 의 정수이다. g2 는 반복수를 나타내고, g2 는 0 ∼ 20 의 정수이다. g3 은 반복수를 나타내고, g3 은 0 ∼ 20 의 정수이다.In the following chemical formula, g1 represents a repeating number and g1 is an integer of 1-5. g2 represents a repeating number, and g2 is an integer of 0-20. g3 represents a repeating number, and g3 is an integer of 0-20.

[화학식 61][Formula 61]

Figure pat00061
Figure pat00061

[화학식 62] [Formula 62]

Figure pat00062
Figure pat00062

[화학식 63][Formula 63]

Figure pat00063
Figure pat00063

[화학식 64][Formula 64]

Figure pat00064
Figure pat00064

[화학식 65][Formula 65]

Figure pat00065
Figure pat00065

[화학식 66][Formula 66]

Figure pat00066
Figure pat00066

[화학식 67][Formula 67]

Figure pat00067
Figure pat00067

[화학식 68][Formula 68]

Figure pat00068
Figure pat00068

[화학식 69][Formula 69]

Figure pat00069
Figure pat00069

[화학식 70] [Formula 70]

Figure pat00070
Figure pat00070

[식 중, R"201 은 수소 원자 또는 치환기이다. 그 치환기로는, 상기 R201 ∼ R207 및 R211 ∼ R212 가 가져도 되는 치환기로서 든, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 일반식 (ca-r-1) ∼ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.] [Wherein, R ″ 201 is a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group and a cyan, which are mentioned as substituents which R 201 to R 207 and R 211 to R 212 may have. And a group represented by a no group, an amino group, an aryl group, and general formulas (ca-r-1) to (ca-r-7).]

상기 식 (ca-2) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-2-1) ∼ (ca-2-3) 으로 각각 나타내는 카티온, 디페닐요오드늄 카티온, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 카티온을 들 수 있다.Specifically as a preferable cation represented by said formula (ca-2), the cation represented by the following formula (ca-2-1)-(ca-2-3), diphenyl iodonium cation, bis (4) -tert- butylphenyl) iodonium cation.

[화학식 71][Formula 71]

Figure pat00071
Figure pat00071

상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-7) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specifically as a preferable cation represented by said formula (ca-3), the cation shown by the following formula (ca-3-1)-(ca-3-7) is mentioned, respectively.

[화학식 72][Formula 72]

Figure pat00072
Figure pat00072

상기 식 (ca-4) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.As a preferable cation represented by said Formula (ca-4), the cation shown by the following formula (ca-4-1)-(ca-4-2) is mentioned specifically ,.

[화학식 73][Formula 73]

Figure pat00073
Figure pat00073

상기 중에서도, 카티온부 ((Mm+)1/m) 는, 일반식 (ca-1) 또는 (ca-2) 로 나타내는 카티온이 바람직하고, 화학식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-78), (ca-1-101) ∼ (ca-1-149) 및 화학식 (ca-2-1) ∼ (ca-2-3) 으로 각각 나타내는 카티온이 보다 바람직하다.Among the above, the cation moiety ((M m + ) 1 / m ) is preferably a cation represented by general formula (ca-1) or (ca-2), and the formulas (ca-1-1) to (ca-1) -78), and cationic represented by (ca-1-101)-(ca-1-149) and general formula (ca-2-1)-(ca-2-3), respectively, are more preferable.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (B) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, (B) component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (B) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 50 질량부 이하가 바람직하고, 1 ∼ 40 질량부가 보다 바람직하며, 1 ∼ 30 질량부가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 20 질량부가 특히 바람직하다.When a resist composition contains (B) component, 50 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for content of (B) component, in a resist composition, 1-40 mass parts is more preferable. , 1-30 mass parts is more preferable, and 1-20 mass parts is especially preferable.

(B) 성분의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 형성이 충분히 실시된다.Pattern formation is fully performed by making content of (B) component into the said range.

레지스트 조성물이 (B) 성분을 함유하는 경우, 상기 (D0) 성분과의 몰비는, (D0) 성분/(B) 성분 = 0.01 ∼ 0.09 인 것이 바람직하고, (D0) 성분/(B) 성분 = 0.02 ∼ 0.09 인 것이 보다 바람직하며, (D0) 성분/(B) 성분 = 0.02 ∼ 0.05 인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 몰비로 함으로써, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성했을 때에, 노광에 의해 (B) 성분으로부터 발생하는 산과, (D0) 성분에 의해 트랩되는 산의 밸런스가 양호해져, 고감도를 유지하면서 CDU 를 향상시킬 수 있다.When the resist composition contains the component (B), the molar ratio with the component (D0) is preferably (D0) component / (B) component = 0.01 to 0.09, and (D0) component / (B) component = It is more preferable that it is 0.02-0.09, and it is further more preferable that it is (D0) component / (B) component = 0.02-0.05. By using such a molar ratio, when a thick film resist film having a film thickness of 5 µm or more is formed, the balance between the acid generated from the component (B) by exposure and the acid trapped by the component (D0) becomes good, thereby maintaining the CDU while maintaining high sensitivity. Can be improved.

≪(D) 성분 : 산 확산 제어제 성분≫ `` (D) Component: Acid Diffusion Control Component ''

(D) 성분은, 레지스트 조성물에 있어서 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처 (산 확산 제어제) 로서 작용하는 것이다. 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, (D) 성분으로서, 상기 서술한 (D0) 성분 이외의 산 확산 제어제 성분을 추가로 함유해도 된다.(D) component acts as a quencher (acid diffusion control agent) which traps the acid generate | occur | produced by exposure in a resist composition. The resist composition of this embodiment may further contain acid diffusion control components other than the above-mentioned (D0) component as (D) component in the range which does not impair the effect of this invention.

(D0) 성분 이외의 (D) 성분으로는, 예를 들어, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 상실하는 광 붕괴성 염기 (D1) (이하 「(D1) 성분」이라고 한다.), 그 (D1) 성분 및 상기 (D0) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 (D2) (이하 「(D2) 성분」이라고 한다.) 등을 들 수 있다.As (D) component other than (D0) component, it is the photo-degradable base (D1) which decomposes | disassembles by exposure and loses acid diffusion controllability (henceforth "a component (D1)."), A nitrogen-containing organic compound (D2) (henceforth "(D2) component") which does not correspond to a (D1) component and the said (D0) component, etc. are mentioned.

·(D1) 성분에 대해 About (D1) component

(D1) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 상실하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d1-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-1) 성분」이라고 한다.), 하기 일반식 (d1-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-2) 성분」이라고 한다.) 및 하기 일반식 (d1-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-3) 성분」이라고 한다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다.The component (D1) is not particularly limited as long as it is decomposed by exposure to lose acid diffusion controllability, and is represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter, referred to as "(d1-1) component"). , A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as "(d1-2) component") and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as "(d1-3) component" At least one compound selected from the group consisting of

(d1-1) ∼ (d1-3) 성분은, 레지스트막의 노광부에 있어서 분해되어 산 확산 제어성 (염기성) 을 상실하기 때문에 퀀처로서 작용하지 않고, 레지스트막의 미노광부에 있어서 퀀처로서 작용한다.The components (d1-1) to (d1-3) decompose in the exposed portion of the resist film and lose acid diffusion controllability (basic), so they do not act as a quencher but act as a quencher in the unexposed portion of the resist film.

[화학식 74][Formula 74]

Figure pat00074
Figure pat00074

[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 일반식 (d1-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자가 결합하고 있지 않는 것으로 한다. Yd1 은 단결합 또는 2 가의 연결기이다. m 은 1 이상의 정수이고, M'm+ 는 각각 독립적으로 m 가의 오늄 카티온이다.] [Wherein, Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. However, it is assumed that a fluorine atom is not bonded to a carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in General Formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer of 1 or more, and M ' m + is each independently m-valent onium cation.]

{(d1-1) 성분} {(d1-1) component}

·아니온부 Noonbu

식 (d1-1) 중, Rd1 은, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 각각 상기 식 (b1) 중의 Rx1 ∼ Rx4 등과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-1), Rd 1 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, respectively, in said Formula (b1) It is the same as Rx 1 Rx ~ 4.

이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 이들 기가 가져도 되는 치환기로는, 수산기, 옥소기, 알킬기, 아릴기, 불소 원자, 불소화알킬기, 상기 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 에테르 결합이나 에스테르 결합을 치환기로서 포함하는 경우, 알킬렌기를 개재하고 있어도 되고, 이 경우의 치환기로는, 상기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.Among these, as Rd 1 , an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkyl group which may have a substituent is preferable. Examples of the substituent which these groups may have include a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an aryl group, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, and a lactone-containing cyclic group represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), respectively. , Ether bonds, ester bonds, or combinations thereof. When including an ether bond and an ester bond as a substituent, you may pass through the alkylene group, and as a substituent in this case, the coupling group represented by said formula (y-al-1) (y-al-5), respectively is preferable. Do.

상기 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 나프틸기, 비시클로옥탄 골격을 포함하는 다고리 구조 (예를 들어, 비시클로옥탄 골격의 고리 구조와 이것 이외의 고리 구조로 이루어지는 다고리 구조 등) 를 바람직하게 들 수 있다.As said aromatic hydrocarbon group, the polycyclic structure (for example, the polycyclic structure which consists of a ring structure of bicyclooctane skeleton and ring structures other than this, etc.) containing a phenyl group, a naphthyl group, and a bicyclooctane skeleton is mentioned preferably. Can be.

상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.As said aliphatic cyclic group, it is more preferable that 1 or more hydrogen atoms were removed from polycycloalkane, such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

상기 사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기 ; 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기 사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, or the like. Linear alkyl groups; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methyl And branched alkyl groups such as pentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.

상기 사슬형의 알킬기가 치환기로서 불소 원자 또는 불소화알킬기를 갖는 불소화알킬기인 경우, 불소화알킬기의 탄소수는, 1 ∼ 11 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하며, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화알킬기는, 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the said chain alkyl group is a fluorinated alkyl group which has a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, 1-11 are preferable, as for carbon number of a fluorinated alkyl group, 1-8 are more preferable, and 1-4 are more preferable. The fluorinated alkyl group may contain atoms other than a fluorine atom. As atoms other than a fluorine atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, etc. are mentioned, for example.

Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자의 모두가 불소 원자로 치환된 불소화알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 특히 바람직하다.As Rd 1 , it is preferable that some or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are fluorinated alkyl groups substituted with fluorine atoms, and all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl groups are substituted with fluorine atoms. It is especially preferable that it is (a linear perfluoroalkyl group).

이하에 (d1-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.The preferable specific example of the anion part of (d1-1) component is shown below.

[화학식 75][Formula 75]

Figure pat00075
Figure pat00075

·카티온부 Cation part

식 (d1-1) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온이다.In formula (d1-1), M ' m + is m-valent onium cation.

M'm+ 의 오늄 카티온으로는, 상기 일반식 (ca-1) ∼ (ca-4) 로 각각 나타내는 카티온과 동일한 것을 바람직하게 들 수 있고, 상기 일반식 (ca-1) 로 나타내는 카티온이 보다 바람직하며, 상기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-78), (ca-1-101) ∼ (ca-1-149) 로 각각 나타내는 카티온이 더욱 바람직하다.As onium cation of M'm + , the thing similar to the cation represented by the said General formula (ca-1)-(ca-4), respectively is mentioned preferably, The cation represented by the said General formula (ca-1) More preferably, the cations represented by the formulas (ca-1-1) to (ca-1-78) and (ca-1-101) to (ca-1-149) are more preferable.

(d1-1) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-1) A component may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

{(d1-2) 성분} {(d1-2) component}

·아니온부 Noonbu

식 (d1-2) 중, Rd2 는, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 상기 식 (b1) 중의 Rx1 ∼ Rx4 등과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-2), Rd 2 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and Rx in said Formula (b1) as Rx 1 ~ 4 are the same.

단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않는 (불소 치환되어 있지 않는) 것으로 한다. 이로써, (d1-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되어, (D1) 성분으로서의 퀀칭능이 향상된다.However, it is assumed that a fluorine atom is not bonded (not substituted with fluorine) to a carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 . Thereby, the anion of the component (d1-2) becomes a suitable weak acid anion, and the quenching ability as the component (D1) is improved.

Rd2 로는, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하다. 사슬형의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 10 인 것이 보다 바람직하다. 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 가져도 된다) ; 캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Roneun Rd 2, is preferably brought to an alkyl group, or a substituent of the type chain which may have a substituent is also an aliphatic cyclic group which. As a linear alkyl group, it is preferable that it is C1-C10, and it is more preferable that it is 3-10. As an aliphatic cyclic group, group (substituent group) remove | excluding one or more hydrogen atoms from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclo dodecane, etc .; It is more preferable that it is group which removed 1 or more hydrogen atoms from camphor etc.

Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 가져도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d1-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 고리형기, 사슬형의 알킬기) 가 가져도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and as the substituent, a substituent which may be a hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group, chain alkyl group) in Rd 1 of formula (d1-1). And the same thing as.

이하에 (d1-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.The preferable specific example of the anion part of a component (d1-2) is shown below.

[화학식 76][Formula 76]

Figure pat00076
Figure pat00076

·카티온부 Cation part

식 (d1-2) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 M'm+ 와 동일하다.In formula (d1-2), M'm + is m-valent onium cation, and is the same as M'm + in said formula (d1-1).

(d1-2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (d1-2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

{(d1-3) 성분} {(d1-3) component}

·아니온부 Noonbu

식 (d1-3) 중, Rd3 은 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 상기 식 (b1) 중의 Rx1 ∼ Rx4 등과 동일한 것을 들 수 있고, 불소 원자를 포함하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.Formula (d1-3) of, Rd is 3 Rx 1 in the cyclic group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a chain-like alkyl group, or a substituent of the type chain which may have a substituent, the formula (b1) Rx ~ 4 as can be exemplified by the same, it is preferred that cyclic group containing a fluorine atom, an alkyl group of chain-like, or alkenyl group of chain-like. Among them, a fluorinated alkyl group and more preferably the same as that of the fluorinated alkyl group Rd 1.

식 (d1-3) 중, Rd4 는, 치환기를 가져도 되는 고리형기, 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 상기 식 (b1) 중의 Rx1 ∼ Rx4 등과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-3), Rd 4 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and Rx in said Formula (b1) as Rx 1 ~ 4 are the same.

그 중에서도, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다.Especially, it is preferable that they are an alkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, and a cyclic group which may have a substituent.

Rd4 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group in Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. A part of the hydrogen atoms of the alkyl group of Rd 4 may be substituted by hydroxyl group, cyano group, or the like.

Rd4 에 있어서의 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기로서 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.The alkoxy group in Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, as the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, n- Butoxy group and tert- butoxy group are mentioned. Especially, a methoxy group and an ethoxy group are preferable.

Rd4 에 있어서의 알케닐기는, 상기 식 (b1) 중의 Rx1 ∼ Rx4 등과 동일한 것을 들 수 있고, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 또한 치환기로서, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 가져도 된다.Examples of the alkenyl group in Rd 4 include the same as those of Rx 1 to Rx 4 in the formula (b1), and a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group are preferable. Do. These groups may also have a C1-C5 alkyl group or a C1-C5 halogenated alkyl group as a substituent.

Rd4 에 있어서의 고리형기는, 상기 식 (b1) 중의 Rx1 ∼ Rx4 등과 동일한 것을 들 수 있고, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환형기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환형기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해됨으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다.Examples of the cyclic group in Rd 4 include the same as those of Rx 1 to Rx 4 in the formula (b1), and include cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetra The alicyclic group which removed 1 or more hydrogen atoms from cycloalkane, such as cyclododecane, or aromatic groups, such as a phenyl group and a naphthyl group, is preferable. In the case where Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition is satisfactorily dissolved in an organic solvent, whereby lithographic characteristics are improved.

식 (d1-3) 중, Yd1 은, 단결합 또는 2 가의 연결기이다. In formula (d1-3), Yd 1 is a single bond or a divalent linking group.

Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a10-1) 중의 Yax1 에 있어서의 2 가의 연결기에 대한 설명 중에서 든, 치환기를 가져도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기와 동일한 것을 들 수 있다.Group connection divalent in Yd 1 is not particularly limited, there may be mentioned a divalent hydrocarbon group which may have a substituent (the aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group), a divalent connecting group, such as containing a hetero atom. They can be given, respectively, the formula (a10-1) and in the same Ya x1 way, two-valent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom from the description of the divalent connecting group in the.

Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. As an alkylene group, it is more preferable that it is a linear or branched alkylene group, and it is still more preferable that it is a methylene group or ethylene group.

이하에 (d1-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.The preferable specific example of the anion part of a component (d1-3) is shown below.

[화학식 77][Formula 77]

Figure pat00077
Figure pat00077

[화학식 78] [Formula 78]

Figure pat00078
Figure pat00078

·카티온부 Cation part

식 (d1-3) 중, M'm+ 는, m 가의 오늄 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 M'm+ 와 동일하다.In formula (d1-3), M'm + is m-valent onium cation, and is the same as M'm + in said formula (d1-1).

(d1-3) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (d1-3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(D1) 성분은, 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D1), any one of the above (d1-1) to (d1-3) components may be used, or two or more thereof may be used in combination.

레지스트 조성물이 (D1) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (D1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.5 ∼ 35 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 25 질량부가 보다 바람직하며, 2 ∼ 20 질량부가 더욱 바람직하고, 3 ∼ 15 질량부가 특히 바람직하다.When a resist composition contains (D1) component, 0.5-35 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for content of (D1) component, in a resist composition, 1-25 mass parts is more preferable. , 2-20 mass parts is more preferable, and 3-15 mass parts is especially preferable.

(D1) 성분의 함유량이 바람직한 하한값 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어지기 쉽다. 한편, 상한값 이하이면, 다른 성분과의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.When content of (D1) component is more than a preferable minimum, especially favorable lithography characteristic and resist pattern shape are easy to be obtained. On the other hand, if it is below an upper limit, it can balance with another component, and various lithographic characteristics become favorable.

(D1) 성분의 제조 방법 : Preparation method of the component (D1):

상기 (d1-1) 성분, (d1-2) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The manufacturing method of the said (d1-1) component and (d1-2) component is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method.

또, (d1-3) 성분의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, US2012-0149916호에 기재된 방법과 마찬가지로 하여 제조된다.In addition, the manufacturing method of (d1-3) component is not specifically limited, For example, it is manufactured similarly to the method of US2012-0149916.

·(D2) 성분에 대해 About (D2) component

(D2) 성분은, 염기 성분이고, 레지스트 조성물 중에서 산 확산 제어제로서 작용하는 함질소 유기 화합물 성분 (단, 상기 (D0) 성분 및 (D1) 성분에 해당하는 것을 제외한다) 이다.The component (D2) is a base component and is a nitrogen-containing organic compound component (except those corresponding to the component (D0) and the component (D1)), which act as an acid diffusion control agent in the resist composition.

(D2) 성분으로는, 산 확산 제어제로서 작용하는 것이고, 또한, (D0) 성분 및 (D1) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아니온부와 카티온부로 이루어지는 화합물, 제1급 지방족 아민, 제2급 지방족 아민 등을 들 수 있다.The component (D2) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion control agent and does not correspond to the component (D0) and the component (D1). For example, a compound comprising an anion part and a cation part, Primary aliphatic amine, secondary aliphatic amine, etc. are mentioned.

(D2) 성분에 있어서의, 아니온부와 카티온부로 이루어지는 화합물로는, 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분에 있어서의 카티온부를 암모늄 카티온으로 한 것을 들 수 있다. 여기서의 암모늄 카티온으로는, NH4 , 또는 그 질소 원자에 결합하는 H 를, 헤테로 원자를 가져도 되는 탄화수소기로 치환한 카티온 (제1 ∼ 4급 암모늄 카티온) 혹은 그 질소 원자와 함께 고리를 형성한 고리형 카티온을 들 수 있다.As a compound which consists of an anion part and a cation part in (D2) component, what made the cation part in said (d1-1)-(d1-3) components the ammonium cation. The ammonium cation here is, NH 4 +, or the H which binds to the nitrogen atom, a substituted hydrocarbon group which may have a heteroatom cation (first to a quaternary ammonium cation), or together with the nitrogen atom And cyclic cation forming a ring.

지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민이고, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다.The aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 1 개 또는 2 개를, 탄소수 12 이하의 알킬기 혹은 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 혹은 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) or cyclic amines in which one or two hydrogen atoms of ammonia NH 3 are substituted with an alkyl group having 12 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 디에탄올아민, 디이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다.Specific examples of the alkylamine and the alkyl alcohol amine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine and n-decylamine; Dialkylamines such as diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine and dicyclohexylamine; Alkyl alcohol amines, such as diethanolamine, diisopropanolamine, and di-n-octanolamine, are mentioned.

고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형의 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형의 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.As a cyclic amine, the heterocyclic compound containing a nitrogen atom as a hetero atom is mentioned, for example. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는, 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amines include piperidine and piperazine.

지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.As the aliphatic polycyclic amine, one having 6 to 10 carbon atoms is preferable, and specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1, 4- diazabicyclo [2.2.2] octane, etc. are mentioned.

또, (D2) 성분으로는, 방향족 아민을 사용해도 된다.Moreover, you may use aromatic amine as (D2) component.

방향족 아민으로는, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 2,6-디이소프로필아닐린 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amines include 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, and 2,6-diisopropylaniline.

(D2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

레지스트 조성물이 (D2) 성분을 함유하는 경우, 레지스트 조성물 중, (D2) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 다른 성분과의 밸런스를 잡을 수 있어, 여러 가지 리소그래피 특성이 양호해진다.When the resist composition contains the component (D2), the component (D2) is usually used in the range of 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). By setting it as said range, it can balance with the other component, and various lithographic characteristics become favorable.

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (D1) 성분 및 (D2) 성분을 함유하지 않는 것이 바람직하다.It is preferable that the resist composition of this embodiment does not contain the (D1) component and the (D2) component.

≪(E) 성분 : 유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물≫<< (E) component: At least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of organic carboxylic acid, the oxo acid of phosphorus, and its derivative (s) >>

본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 지연 방치 시간 경과 안정성 등의 향상의 목적으로, 임의의 성분으로서, 유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하 「(E) 성분」이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다.In the resist composition of the present embodiment, in the group consisting of an organic carboxylic acid, an oxo acid of phosphorus and a derivative thereof, as an optional component, for the purpose of preventing sensitivity deterioration, improving the resist pattern shape, delayed standing time lapse stability, and the like. At least 1 sort (s) of compound (E) (henceforth "(E) component") chosen can be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.As organic carboxylic acid, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, etc. are preferable, for example.

인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, etc. are mentioned as oxo acid of phosphorus, Among these, phosphonic acid is especially preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.As a derivative of the oxo acid of phosphorus, ester etc. which substituted the hydrogen atom of the said oxo acid with a hydrocarbon group are mentioned, for example, As a hydrocarbon group, a C1-C5 alkyl group, a C6-C15 aryl group, etc. are mentioned, for example. Can be mentioned.

인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the phosphoric acid derivative include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the derivatives of phosphonic acid include phosphonic acid dimethyl esters, phosphonic acid di-n-butyl esters, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl esters, and phosphonic acid dibenzyl esters.

포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.Phosphoric acid ester, phenylphosphinic acid, etc. are mentioned as a derivative of phosphinic acid.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (E) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, (E) component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (E) 성분을 함유하는 경우, (E) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.01 ∼ 5 질량부의 범위에서 사용된다.When a resist composition contains (E) component, content of (E) component is normally used in 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

≪(F) 성분 : 불소 첨가제 성분≫≪ (F) component: Fluorine additive component≫

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해 또는 리소그래피 특성을 향상시키기 위해, 불소 첨가제 성분 (이하 「(F) 성분」이라고 한다) 을 함유해도 된다.The resist composition of this embodiment may contain a fluorine additive component (hereinafter referred to as "(F) component") in order to impart water repellency to the resist film or to improve lithography characteristics.

(F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 사용할 수 있다.As (F) component, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-002870, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-032994, Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-277043, Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-13569, Japan Unexamined-Japanese-Patent The fluorine-containing polymer compound described in publication 2011-128226 can be used.

(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 이 중합체로는, 하기 식 (f1-1) 로 나타내는 구성 단위 (f1) 만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머) ; 그 구성 단위 (f1) 과 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체 ; 그 구성 단위 (f1) 과 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기서, 그 구성 단위 (f1) 과 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 로는, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위, 1-메틸-1-아다만틸(메트)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.More specifically, as a component (F), the polymer which has a structural unit (f1) represented by following formula (f1-1) is mentioned. As this polymer, Polymer (homopolymer) which consists only of structural unit (f1) represented by following formula (f1-1); Copolymers of the structural unit (f1) and the structural unit (a1); It is preferable that it is a copolymer of the structural unit (f1), the structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the said structural unit (a1). Here, as said structural unit (a1) copolymerized with the structural unit (f1), the structural unit derived from 1-ethyl-1- cyclooctyl (meth) acrylate, 1-methyl-1- adamantyl (meth) Preferred are structural units derived from acrylates.

[화학식 79][Formula 79]

Figure pat00079
Figure pat00079

[식 중, R 은 상기와 동일하고, Rf102 및 Rf103 은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기를 나타내고, Rf102 및 Rf103 은 동일해도 되고 상이해도 된다. nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, Rf101 은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.] [Wherein, R is the same as described above, Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Rf 102 and Rf 103 are the same; You may or may differ. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom.]

식 (f1-1) 중, α 위치의 탄소 원자에 결합한 R 은, 상기와 동일하다. R 로는, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the α position is the same as above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

식 (f1-1) 중, Rf102 및 Rf103 의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기로는, 상기 R 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103 의 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화알킬기로서, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103 으로는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다.In formula (f1-1), a halogen atom of Rf 102 and Rf 103 includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and the like, and a fluorine atom is particularly preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for Rf 102 and Rf 103 include the same alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms for R, and a methyl group or an ethyl group is preferable. A halogenated alkyl group having a carbon number of Rf 1 and Rf 102 103 1-5, and specifically there may be a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom-substituted group. As this halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is especially preferable. In particular, the Rf and Rf 102 103 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and is preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or ethyl.

식 (f1-1) 중, nf1 은 1 ∼ 5 의 정수이고, 1 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.In formula (f1-1), nf 1 is an integer of 1-5, the integer of 1-3 is preferable, and it is more preferable that it is 1 or 2.

식 (f1-1) 중, Rf101 은, 불소 원자를 포함하는 유기기이고, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다.In formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.

불소 원자를 포함하는 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수는 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 10 이 특히 바람직하다.As a hydrocarbon group containing a fluorine atom, either linear, branched, or cyclic may be sufficient, it is preferable that carbon number is 1-20, it is more preferable that it is C1-C15, and C1-C10 is Especially preferred.

또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는, 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하며, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이, 침지 노광 시의 레지스트막의 소수성이 높아지는 점에서 특히 바람직하다.Moreover, it is preferable that 25% or more of the hydrogen atoms in the said hydrocarbon group are fluorinated, as for the hydrocarbon group containing a fluorine atom, it is more preferable that 50% or more is fluorinated, and that 60% or more is fluorinated, It is especially preferable at the point that the hydrophobicity of the resist film at the time of immersion exposure becomes high.

그 중에서도, Rf101 로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 불소화 탄화수소기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 특히 바람직하다.Of these, Rf roneun 101, more preferably a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3, -CH 2 -CF 2 -CF 3, -CH (CF 3) 2, - Particular preference is given to CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 .

(F) 성분의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하며, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데에 레지스트 용용제에의 충분한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.1000-50000 are preferable, as for the mass mean molecular weight (Mw) (polystyrene conversion basis by gel permeation chromatography) of (F) component, 5000-40000 are more preferable, and 10000-30000 are the most preferable. If it is below the upper limit of this range, there exists sufficient solubility to a resist solvent in using as a resist, and if it is more than the lower limit of this range, dry etching resistance and a resist pattern cross-sectional shape are favorable.

(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는, 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하며, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.1.0-5.0 are preferable, as for dispersion degree (Mw / Mn) of (F) component, 1.0-3.0 are more preferable, and 1.2-2.5 are the most preferable.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (F) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, (F) component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

레지스트 조성물이 (F) 성분을 함유하는 경우, (F) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해, 통상, 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.When a resist composition contains (F) component, content of (F) component is normally used in the ratio of 0.5-10 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

≪(S) 성분 : 유기 용제 성분≫`` (S) Component: Organic Solvent Component ''

본 실시형태의 레지스트 조성물은, 레지스트 재료를 유기 용제 성분 (이하 「(S) 성분」이라고 한다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.The resist composition of this embodiment can be manufactured by melt | dissolving a resist material in the organic solvent component (henceforth "(S) component").

(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해하여, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트 조성물의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.As (S) component, what is necessary is just to melt | dissolve each component to be used and it can be set as a uniform solution, and conventionally, arbitrary things can be suitably selected and used from what is known as a solvent of a chemically amplified resist composition.

(S) 성분으로는, 예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다] ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭사이드 (DMSO) 등을 들 수 있다.As (S) component, For example, lactones, such as (gamma) -butyrolactone; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; Monomethyl ether, monoethyl ether of a compound having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, the polyhydric alcohol or the compound having the ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether or compounds having ether bonds such as monophenyl ether [In these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferable]; Cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate; Anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phentol, butyl phenyl ether, ethyl benzene, diethyl benzene, pentyl benzene, isopropyl benzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene Aromatic organic solvents, such as dimethyl sulfoxide (DMSO), etc. are mentioned.

본 실시형태의 레지스트 조성물에 있어서, (S) 성분은, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.In the resist composition of this embodiment, (S) component may be used individually by 1 type, and may be used as 2 or more types of mixed solvents.

그 중에서도, PGMEA, PGME, γ-부티로락톤, EL, 시클로헥산온이 바람직하다.Especially, PGMEA, PGME, (gamma) -butyrolactone, EL, and cyclohexanone are preferable.

또, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용제도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되지만, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and a polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility of PGMEA and the polar solvent, and the like, but is preferably in the range of 1: 9-9: 1, more preferably 2: 8-8: 2. desirable.

보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 또는 시클로헥산온을 배합하는 경우에는, PGMEA : EL 또는 시클로헥산온의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 이다. 또, 극성 용제로서 PGME 를 배합하는 경우에는, PGMEA : PGME 의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2, 더욱 바람직하게는 3 : 7 ∼ 7 : 3 이다. 또한, PGMEA 와 PGME 와 시클로헥산온의 혼합 용제도 바람직하다.More specifically, when mix | blending EL or cyclohexanone as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL or cyclohexanone becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8. : 2 Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7- 7: 3: Moreover, the mixed solvent of PGMEA, PGME, and cyclohexanone is also preferable.

또, (S) 성분으로서, 그 외에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가, 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5 가 된다.Moreover, as (S) component, the mixed solvent of at least 1 sort (s) chosen from PGMEA and EL and (gamma) -butyrolactone other than that is also preferable. In this case, as a mixing ratio, the mass ratio of the former and the latter becomes like this. Preferably it is 70: 30-95: 5.

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분 농도가 20 질량% 이상이기 때문에, (S) 성분은, 레지스트 조성물의 (A) 성분 농도가 20 질량% 이상이 되는 사용량으로 사용된다.Since the resist composition of this embodiment is 20 mass% or more of (A) component concentration, (S) component is used by the usage-amount which becomes 20 mass% or more of (A) component concentration of a resist composition.

본 실시형태의 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히, 첨가 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present embodiment may be suitably further prepared with miscible additives such as additional resins, dissolution inhibitors, plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, etc., for improving the performance of the resist film as desired. It can be added and contained.

이상 설명한 본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분과, 일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민 화합물 (D0) 을 함유한다. 또, 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 상기 (A) 성분의 함유량이 20 질량% 이상이고, 상기 화합물 (D0) 의 함유량이 상기 (A) 성분 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부이다.The resist composition of this embodiment demonstrated above contains (A) component and the tertiary monoamine compound (D0) represented by general formula (d0). Moreover, in the resist composition of this embodiment, content of the said (A) component is 20 mass% or more, and content of the said compound (D0) is 0.01-0.05 mass parts with respect to 100 mass parts of said (A) component.

본 실시형태의 레지스트 조성물은, (A) 성분의 함유량이 20 질량% 이상이기 때문에, 기판에 도포해 레지스트막을 형성하면, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막이 형성된다. 이와 같은 후막 레지스트막에서는, 노광 시에 저부까지 광이 도달하기 어려워, 감도가 저하하는 경향이 있다. 한편, 감도를 유지하기 위해서 산 확산 제어제의 양을 줄이면, 패턴 치수 면내 균일성 (CDU) 이 악화되기 때문에, 양호한 감도를 유지하면서 CDU 를 개선하는 것은 곤란하다. 또, 후막 레지스트막에서는, 저부까지 광이 도달하기 어렵기 때문에, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 형성되기 어렵다.Since the resist composition of this embodiment has 20 mass% or more of content of (A) component, when it apply | coats to a board | substrate and forms a resist film, a thick-film resist film with a film thickness of 5 micrometers or more is formed. In such a thick film resist film, light hardly reaches the bottom part at the time of exposure, and there exists a tendency for a sensitivity to fall. On the other hand, if the amount of the acid diffusion control agent is reduced in order to maintain the sensitivity, the pattern dimension in-plane uniformity (CDU) is deteriorated, so it is difficult to improve the CDU while maintaining good sensitivity. In addition, in the thick film resist film, since light hardly reaches the bottom, a resist pattern having a good shape is hardly formed.

화합물 (D0) 은, 특정 구조 (일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민) 를 가짐으로써, 후막 레지스트막을 형성하는 레지스트 조성물에 적용한 경우에, 적당한 산 확산 제어성을 갖는다. 이것은, 질소 원자 주위의 원자 배치에서 기인하는 입체 장해에 의해 구핵성이 적당히 저해되기 때문이라고 추측된다. 본 실시형태의 레지스트 조성물은, 산 확산 제어제로서, 이러한 구조를 갖는 화합물 (D0) 을 사용함으로써, 특정 범위의 적은 함유량으로 CDU 를 개선할 수 있다라고 추측된다. 또한, 상기 특정 범위의 적은 함유량인 점에서, 감도의 악화를 억제할 수 있다라고 추측된다.When compound (D0) has a specific structure (tertiary monoamine represented by general formula (d0)), when applied to the resist composition which forms a thick film resist film, it has moderate acid diffusion controllability. This is presumably because nucleophilicity is moderately inhibited by steric hindrance resulting from atomic arrangement around nitrogen atoms. It is estimated that the resist composition of this embodiment can improve CDU with a small content of a specific range by using the compound (D0) which has such a structure as an acid diffusion control agent. Moreover, since it is a small content of the said specific range, it is guessed that deterioration of a sensitivity can be suppressed.

또한, 상기 특정 범위의 함유량의 화합물 (D0) 을 사용함으로써, 노광 시에, 후막 레지스트막 내에서의 하방향으로의 산 확산 제어성이 적당히 제어되어, 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다라고 추측된다.In addition, by using the compound (D0) in the above specific range, the acid diffusion controllability in the downward direction in the thick film resist film is appropriately controlled at the time of exposure, so that a resist pattern having a good shape can be formed. I guess.

이상의 작용에 의해, 본 실시형태의 레지스트 조성물에서는, 막두께 5 ㎛ 이상의 후막 레지스트막을 형성했을 때에, 양호한 감도를 유지하면서, CDU 등의 리소그래피 특성이 개선되고, 또한 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다라고 추측된다.By the above operation, in the resist composition of the present embodiment, when a thick film resist film having a thickness of 5 µm or more is formed, lithography characteristics such as CDU can be improved while maintaining a good sensitivity, and a resist pattern having a good shape can be formed. I guess it is.

(레지스트 패턴 형성 방법) (Resist pattern formation method)

본 발명의 제 2 양태에 관련된 레지스트 패턴 형성 방법은, 지지체 상에, 상기 서술한 실시형태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii), 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는 방법이다.The resist pattern formation method which concerns on the 2nd aspect of this invention is a process (i) of forming a resist film using the resist composition of above-mentioned embodiment on a support body, the process (ii) of exposing the said resist film, and the said It is a method which has a process (iii) of developing the resist film after exposure and forming a resist pattern.

이러한 레지스트 패턴 형성 방법의 일 실시형태로는, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시하는 레지스트 패턴 형성 방법을 들 수 있다.As one embodiment of such a resist pattern formation method, the resist pattern formation method performed as follows is mentioned, for example.

공정 (i) : Process (i):

먼저, 상기 서술한 실시형태의 레지스트 조성물을, 지지체 상에 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하여 레지스트막을 형성한다.First, the resist composition of embodiment mentioned above is apply | coated with a spinner etc. on a support body, and baking (post-applied bake (PAB)) process is carried out for 40 to 120 second at the temperature conditions of 80-150 degreeC, for example, Preferably, it is carried out for 60 to 90 seconds to form a resist film.

공정 (ii) : Process (ii):

다음으로, 그 레지스트막에 대해, 예를 들어 KrF 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 통한 노광 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포져 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다.Next, the resist film is subjected to selective exposure by exposure through a mask (mask pattern) in which a predetermined pattern is formed, for example using an exposure apparatus such as a KrF exposure apparatus, and then baked (post exposure bake ( PEB)) process is performed for 40 to 120 second, for example, 60 to 90 second at the temperature conditions of 80-150 degreeC, for example.

공정 (iii) : Process (iii):

다음으로, 상기 노광 후의 레지스트막을 현상 처리한다. 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스인 경우에는, 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스인 경우에는, 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.Next, the resist film after the said exposure is developed. In the case of an alkali developing process, the developing treatment is performed using an alkaline developing solution, and in the case of a solvent developing process, a developing solution (organic developing solution) containing an organic solvent is performed.

현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는, 알칼리 현상 프로세스인 경우에는, 순수를 사용한 물린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스인 경우에는, 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After the development treatment, a rinse treatment is preferably performed. In the case of the alkali developing process, the rinse using pure water is preferable, and in the case of the solvent developing process, it is preferable to use a rinse liquid containing an organic solvent.

용제 현상 프로세스인 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을, 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다. In the case of a solvent developing process, after the said developing process or rinse process, you may perform the process which removes the developing solution or rinse liquid adhering on a pattern with a supercritical fluid.

현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트베이크) 를 실시해도 된다.After the development treatment or the rinse treatment, drying is performed. In some cases, after the developing treatment, a bake treatment (post bake) may be performed.

이와 같이 하여, 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In this way, a resist pattern can be formed.

이하, 본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법의 상세를 설명한다.Hereinafter, the detail of the resist pattern formation method of this embodiment is demonstrated.

지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 전자 부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제의 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.It does not specifically limit as a support body, A conventionally well-known thing can be used, For example, the board | substrate for electronic components, the thing in which predetermined wiring pattern was formed in this, etc. are mentioned. More specifically, a metal substrate, such as a silicon wafer, copper, chromium, iron, aluminum, a glass substrate, etc. are mentioned. As a material of a wiring pattern, copper, aluminum, nickel, gold, etc. can be used, for example.

또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나, 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.As the support, an inorganic and / or organic film may be formed on the substrate as described above. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is mentioned as an inorganic film. As an organic film | membrane, organic films, such as an organic antireflection film (organic BARC) and an underlayer organic film in a multilayer resist method, are mentioned.

여기서, 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 1 층 유기막 (하층 유기막) 과, 적어도 1 층 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법이고, 고어스펙트비의 패턴을 형성할 수 있다고 되어 있다. 즉, 다층 레지스트 법에 의하면, 하층 유기막에 의해 필요한 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있어, 고어스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, the multilayer resist method forms at least one layer organic film (lower layer organic film) and at least one layer resist film (upper layer resist film) on a board | substrate, and uses the resist pattern formed in the upper layer resist film as a mask It is a method of patterning an organic film, and it is supposed that the pattern of a Gore-spectrum ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, since a required thickness can be ensured by an underlayer organic film, a resist film can be thinned and fine pattern formation of a Gore aspect ratio is attained.

다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과, 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나누어진다.In the multilayer resist method, basically, a two-layer structure of an upper resist film and a lower organic film (two-layer resist method), and an intermediate layer (metal thin film or the like) of one or more layers are formed between the upper resist film and the lower organic film. It is divided into the method (three-layer resist method) which makes a multilayer structure more than one three layers.

본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 서술한 실시형태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하기 때문에, 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께는, 5 ㎛ 이상이 된다. 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께는, 바람직하게는 7 ㎛ 이상이다. 레지스트막의 막두께의 상한값은 실질적으로 30 ㎛ 이하가 된다. 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께의 범위로는, 예를 들어, 5 ∼ 30 ㎛ 가 예시되고, 7 ∼ 20 ㎛ 가 바람직하고, 7 ∼ 15 ㎛ 가 보다 바람직하며, 8 ∼ 10 ㎛ 가 더욱 바람직하다.Since the resist pattern formation method of this embodiment forms a resist film using the resist composition of embodiment mentioned above, the film thickness of the resist film formed in process (i) becomes 5 micrometers or more. The film thickness of the resist film formed in process (i) becomes like this. Preferably it is 7 micrometers or more. The upper limit of the film thickness of the resist film is substantially 30 µm or less. As a range of the film thickness of the resist film formed in a process (i), 5-30 micrometers is illustrated, for example, 7-20 micrometers is preferable, 7-15 micrometers is more preferable, 8-10 micrometers is More preferred.

레지스트막의 막두께는, 공정 (i) 에서 사용하는 레지스트 조성물 중의 (A) 성분의 함유량에 의해, 조정할 수 있다. 즉, 레지스트 조성물 중의 (A) 성분의 함유량이 높을수록, 보다 고막두께의 레지스트막을 형성할 수 있다.The film thickness of a resist film can be adjusted with content of (A) component in the resist composition used at a process (i). That is, the higher the content of the component (A) in the resist composition, the higher the thickness of the resist film can be formed.

노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극단 자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다. 상기 레지스트 조성물은, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 높고, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저용으로서의 유용성이 보다 높고, KrF 엑시머 레이저용으로서의 유용성이 특히 높다. 즉, 본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법은, 레지스트막을 노광하는 공정이, 상기 레지스트막에, KrF 엑시머 레이저광을 노광하는 조작을 포함하는 경우에 특히 유용한 방법이다.The wavelength used for exposure is not specifically limited, ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. It can be done using radiation. The resist composition has high utility for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, higher utility for KrF excimer laser, ArF excimer laser, and particularly high usefulness for KrF excimer laser. That is, the resist pattern formation method of this embodiment is a method especially useful when the process of exposing a resist film includes the operation which exposes a KrF excimer laser beam to the said resist film.

레지스트막의 노광 방법은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이어도 된다.The exposure method of a resist film may be a normal exposure (dry exposure) performed in inert gas, such as air and nitrogen, or may be liquid immersion exposure (Liquid Immersion Lithography).

액침 노광은, 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.Liquid immersion exposure is an exposure method which fills between the resist film and the lens of the lowest position of an exposure apparatus previously with the solvent (immersion medium) which has a refractive index larger than the refractive index of air, and performs exposure (immersion exposure) in that state.

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한, 노광되는 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the liquid immersion medium, a solvent having a refractive index larger than that of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크고, 또한, 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. As a solvent which has a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the said resist film, water, a fluorine-type inert liquid, a silicone solvent, a hydrocarbon solvent, etc. are mentioned, for example.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있고, 비점이 70 ∼ 180 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를, 간편한 방법으로 실시할 수 있는 점에서 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include liquids containing fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as main components. It is preferable that a boiling point is 70-180 degreeC, and it is more preferable that it is 80-160 degreeC. If a fluorine-type inert liquid has a boiling point of the said range, it is preferable at the point which can remove the medium used for liquid immersion by a simple method after completion | finish of exposure.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물, 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.Especially as a fluorine-type inert liquid, the perfluoroalkyl compound in which all the hydrogen atoms of the alkyl group were substituted by the fluorine atom is preferable. As a perfluoroalkyl compound, a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound are mentioned specifically ,.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있고, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Specifically, as the perfluoroalkyl ether compound, perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102 ° C) may be mentioned, and as the perfluoroalkylamine compound, perfluoro Rotributylamine (boiling point 174 degreeC) is mentioned.

액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서, 물이 바람직하게 사용된다.As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoint of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.

알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록하이드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다. As alkaline developing solution used for the developing process in an alkali developing process, 0.1-10 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution is mentioned, for example.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해할 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 니트릴계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.As an organic solvent which the organic developing solution used for image development processing in a solvent image development process contains, it should just be able to melt | dissolve component (A) (component (A) before exposure), and it can select suitably from well-known organic solvents. Specific examples thereof include polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents and ether solvents, and hydrocarbon solvents.

케톤계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-C 를 포함하는 유기 용제이다. 에스테르계 용제는, 구조 중에 C-C(=O)-O-C 를 포함하는 유기 용제이다. 알코올계 용제는, 구조 중에 알코올성 수산기를 포함하는 유기 용제이다. 「알코올성 수산기」는, 지방족 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수산기를 의미한다. 니트릴계 용제는, 구조 중에 니트릴기를 포함하는 유기 용제이다. 아미드계 용제는, 구조 중에 아미드기를 포함하는 유기 용제이다. 에테르계 용제는, 구조 중에 C-O-C 를 포함하는 유기 용제이다.The ketone solvent is an organic solvent containing C-C (= 0) -C in its structure. An ester solvent is an organic solvent containing C-C (= O) -O-C in a structure. The alcohol solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in its structure. "Alcoholic hydroxyl group" means the hydroxyl group couple | bonded with the carbon atom of an aliphatic hydrocarbon group. The nitrile solvent is an organic solvent containing a nitrile group in its structure. The amide solvent is an organic solvent containing an amide group in its structure. The ether solvent is an organic solvent containing C-O-C in its structure.

유기 용제 중에는, 구조 중에 상기 각 용제를 특징짓는 관능기를 복수종 포함하는 유기 용제도 존재하지만, 그 경우에는, 당해 유기 용제가 갖는 관능기를 포함하는 어느 용제종에도 해당하는 것으로 한다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는, 상기 분류 중의 알코올계 용제, 에테르계 용제의 어느 것에도 해당하는 것으로 한다.Among the organic solvents, organic solvents containing plural kinds of functional groups for characterizing the respective solvents are present in the structure, but in this case, it is assumed that they correspond to any solvent species containing the functional groups of the organic solvent. For example, diethylene glycol monomethyl ether shall correspond to any of the alcohol solvent and the ether solvent in the said classification | combination.

탄화수소계 용제는, 할로겐화되어 있어도 되는 탄화수소로 이루어지고, 할로겐 원자 이외의 치환기를 갖지 않는 탄화수소 용제이다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.The hydrocarbon solvent is a hydrocarbon solvent composed of a hydrocarbon which may be halogenated and does not have a substituent other than a halogen atom. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, 상기 중에서도, 극성 용제가 바람직하고, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 니트릴계 용제 등이 바람직하다.As an organic solvent which an organic developing solution contains, a polar solvent is preferable among the above, and a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent, etc. are preferable.

케톤계 용제로는, 예를 들어, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 아세톤, 4-헵탄온, 1-헥산온, 2-헥산온, 디이소부틸케톤, 시클로헥산온, 메틸시클로헥산온, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 이오논, 디아세토닐알코올, 아세틸카비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, 메틸아밀케톤(2-헵탄온) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 케톤계 용제로는, 메틸아밀케톤(2-헵탄온) 이 바람직하다.As a ketone solvent, it is 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutyl, for example. Ketones, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetylacetone, acetonyl acetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetyl carbinol, acetophenone, methyl naphthyl ketone, Isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, methyl amyl ketone (2-heptanone) and the like. Among these, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferable as a ketone solvent.

에스테르계 용제로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 락트산에틸, 락트산부틸, 락트산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에스테르계 용제로는, 아세트산부틸이 바람직하다.As an ester solvent, for example, methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoam acetate, methoxy acetate, ethyl ethoxy acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, Diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3 Metok Cybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, ethyl carbonate , Propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, propionate Ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3- Oxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, and the like. Among these, butyl acetate is preferable as an ester solvent.

니트릴계 용제로는, 예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 발레로니트릴, 부티로니트릴 등을 들 수 있다.As a nitrile solvent, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile, etc. are mentioned, for example.

유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 계면 활성제로는, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.A well-known additive can be mix | blended with an organic developing solution as needed. As the additive, a surfactant is mentioned, for example. Although it does not specifically limit as surfactant, For example, ionic and nonionic fluorine type and / or silicone type surfactant etc. can be used. As surfactant, nonionic surfactant is preferable, and nonionic fluorine-type surfactant or nonionic silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기계 현상액의 전체량에 대해, 통상 0.001 ∼ 5 질량% 이고, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When mix | blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass% normally with respect to the whole amount of an organic-type developing solution, 0.005-2 mass% is preferable, and its 0.01-0.5 mass% is more preferable.

현상 처리는, 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면장력에 의해 융기시켜 일정 시간 정지하는 방법 (퍼들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 도출하는 방법 (다이나믹 디스펜스법) 등을 들 수 있다.The developing treatment can be carried out by a known developing method, for example, a method of immersing a support in a developer for a certain time (dip method), a method of raising the developer on the surface of the support by surface tension and stopping for a certain time (puddle). Method), a method of spraying a developer onto the surface of a support (spray method), a method of continuously deriving a developer while scanning a developer extracting nozzle at a constant speed on a support rotated at a constant speed, and the like (dynamic dispensing method). .

용제 현상 프로세스에서 현상 처리 후의 린스 처리에 사용하는 린스액이 함유하는 유기 용제로는, 예를 들어 상기 유기계 현상액에 사용하는 유기 용제로서 든 유기 용제 중, 레지스트 패턴을 용해하기 어려운 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 통상, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제 및 에테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류의 용제를 사용한다. 이들 중에서도, 탄화수소계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제 및 아미드계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 바람직하고, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제에서 선택되는 적어도 1 종류가 보다 바람직하며, 알코올계 용제가 특히 바람직하다.As the organic solvent contained in the rinse liquid used for the rinse treatment after the developing treatment in the solvent developing process, for example, an organic solvent used as the organic solvent used in the organic developer may be appropriately selected and used that is difficult to dissolve the resist pattern. Can be. Usually, at least 1 type of solvent chosen from a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent, an amide solvent, and an ether solvent is used. Among these, at least one kind selected from a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an ester solvent, an alcohol solvent and an amide solvent is preferable, and at least one kind selected from an alcohol solvent and an ester solvent is more preferable. Alcoholic solvents are particularly preferred.

린스액에 사용하는 알코올계 용제는, 탄소수 6 ∼ 8 의 1 가 알코올이 바람직하고, 그 1 가 알코올은 직사슬형, 분기형 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다. 구체적으로는, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-헥산올, 2-헵탄올, 2-헥산올이 바람직하고, 1-헥산올, 2-헥산올이 보다 바람직하다.The alcohol solvent used for the rinse liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be linear, branched or cyclic. Specifically, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4 Octanol, benzyl alcohol, etc. are mentioned. Among these, 1-hexanol, 2-heptanol, and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol and 2-hexanol are more preferable.

이들 유기 용제는, 어느 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제나 물과 혼합하여 사용해도 된다. 단, 현상 특성을 고려하면, 린스액 중의 물의 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 30 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하며, 5 질량% 이하 더욱 바람직하고, 3 질량% 이하가 특히 바람직하다.These organic solvents may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Moreover, you may mix and use with the organic solvent and water of that excepting the above. However, considering the development characteristics, the blending amount of water in the rinse liquid is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, even more preferably 5% by mass or less, and 3% by mass relative to the total amount of the rinse liquid. % Or less is especially preferable.

린스액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 상기와 동일한 것을 들 수 있고, 비이온성의 계면 활성제가 바람직하고, 비이온성의 불소계 계면 활성제, 또는 비이온성의 실리콘계 계면 활성제가 보다 바람직하다.A well-known additive can be mix | blended with a rinse liquid as needed. As the additive, a surfactant is mentioned, for example. The thing similar to the above is mentioned as surfactant, A nonionic surfactant is preferable, A nonionic fluorine-type surfactant or a nonionic silicone type surfactant is more preferable.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 린스액의 전체량에 대해, 통상 0.001 ∼ 5 질량% 이고, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When mix | blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass% normally with respect to the whole amount of a rinse liquid, 0.005--2 mass% is preferable, and its 0.01-0.5 mass% is more preferable.

린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는, 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 린스 처리의 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다.The rinse treatment (washing treatment) using the rinse liquid can be performed by a known rinse method. As the method of the rinse treatment, for example, a method of continuously drawing a rinse liquid on a support rotating at a constant speed (rotary coating method), a method of immersing the support in a rinse liquid for a predetermined time (dip method), and a surface of the support The method of spraying a rinse liquid (spray method), etc. are mentioned.

이상 설명한 본 실시형태의 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서는, 상기 서술한 제 1 양태에 관련된 레지스트 조성물이 이용되고 있기 때문에, 레지스트 패턴을 형성할 때, 높은 감도로, 보다 양호한 리소그래피 특성 (CDU 향상 등) 의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 이러한 레지스트 패턴 형성 방법에 의하면, 양호한 형상의 레지스트 패턴이 형성된다.In the resist pattern forming method of the present embodiment described above, since the resist composition according to the first embodiment described above is used, when forming a resist pattern, it is possible to achieve better lithography characteristics (CDU improvement, etc.) with high sensitivity. A resist pattern can be formed. Moreover, according to such a resist pattern formation method, the resist pattern of a favorable shape is formed.

이러한 레지스트 패턴 형성 방법은, 3 차원 구조 디바이스의 제조용으로서 유용하고, 복수단의 계단 구조를 가공하는 용도 (중첩 등) 에 바람직한 방법이다. 본 발명의 레지스트 패턴 형성 방법을 적용함으로써, 메모리막의 적층화 (3 차원화, 대용량 메모리의 제조) 를 고정밀도로 실현할 수 있다.Such a resist pattern formation method is useful for manufacture of a three-dimensional structure device, and is a preferable method for the use (overlapping etc.) of processing a multistage staircase structure. By applying the resist pattern forming method of the present invention, stacking of a memory film (three-dimensionalization, production of a large capacity memory) can be realized with high accuracy.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, this invention is not limited by these examples.

<레지스트 조성물의 조제> <Preparation of a resist composition>

표 1 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해하여, 각 예의 레지스트 조성물 (어느 것이나 (A) 성분의 함유량 : 35 질량%) 을 각각 조제하였다.Each component shown in Table 1 was mixed, and it melt | dissolved and prepared the resist composition (content of both and (A) component: 35 mass%) of each case, respectively.

Figure pat00080
Figure pat00080

표 1 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In Table 1, each symbol has the following meanings, respectively. The numerical value in [] is a compounding quantity (mass part).

(A)-1 : 하기 화학식 (A-1) 로 나타내는 고분자 화합물. 이 고분자 화합물 (A)-1 은, 그 고분자 화합물을 구성하는 구성 단위를 유도하는 모노머를, 소정의 몰비로 사용하여 라디칼 중합시킴으로써 얻었다. 이 고분자 화합물 (A)-1 에 대해, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 10000, 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는 약 2.0. 13C-NMR 에 의해 구한 공중합 조성비 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 는 l/m/n = 1/0.6/0.4.(A) -1: A high molecular compound represented by the following general formula (A-1). This polymer compound (A) -1 was obtained by radically polymerizing using the monomer which guide | induces the structural unit which comprises this polymer compound in predetermined molar ratio. About this high molecular compound (A) -1, the mass mean molecular weight (Mw) of the standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement is 10000, and molecular weight dispersion degree (Mw / Mn) is about 2.0. The copolymerization composition ratio (proportion (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR was l / m / n = 1 / 0.6 / 0.4.

[화학식 80][Formula 80]

Figure pat00081
Figure pat00081

(B)-1 : 하기 화합물 (B-1) 로 이루어지는 산 발생제.(B) -1: The acid generator which consists of the following compound (B-1).

(B)-2 : 하기 화합물 (B-2) 로 이루어지는 산 발생제.(B) -2: The acid generator which consists of the following compound (B-2).

[화학식 81][Formula 81]

Figure pat00082
Figure pat00082

(D0)-1 : 하기 화학식 (D0-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 확산 제어제.(D0) -1: Acid diffusion control agent which consists of a compound represented by following General formula (D0-1).

(D0)-2 : 하기 화학식 (D0-2) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 확산 제어제.(D0) -2: Acid diffusion control agent which consists of a compound represented by following General formula (D0-2).

[화학식 82][Formula 82]

Figure pat00083
Figure pat00083

(D)-1 : 하기 화학식 (D2-1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 확산 제어제.(D) -1: Acid diffusion control agent which consists of a compound represented by following General formula (D2-1).

(D)-2 : 하기 화학식 (D2-2) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 확산 제어제.(D) -2: Acid diffusion control agent which consists of a compound represented by following General formula (D2-2).

[화학식 83] [Formula 83]

Figure pat00084
Figure pat00084

(S)-1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르/프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (질량비 80/20) 의 혼합 용제.(S) -1: Mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether / propylene glycol monomethyl ether acetate (mass ratio 80/20).

<레지스트 패턴의 형성 방법> <Formation method of resist pattern>

공정 (i) : Process (i):

8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 각 예의 레지스트 조성물을 각각, 코터를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서, 140 ℃ 에서 120 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하여, 건조시킴으로써, 막두께 8 ㎛ 의 레지스트막을 형성하였다.On each 8-inch silicon wafer, the resist composition of each example was apply | coated using a coater, and it pre-baked (PAB) treatment for 120 second at 140 degreeC on a hotplate, and dried, and it was made into a film thickness of 8 micrometers. A resist film was formed.

공정 (ii) : Process (ii):

이어서, 상기 레지스트막에 대해, KrF 노광 장치 NSR-S203B (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.60, σ = 0.68) 에 의해, KrF 엑시머 레이저 (248 nm) 를, 마스크 패턴 (6 % 하프톤) 을 통하여 선택적으로 조사하였다.Subsequently, KrF excimer laser (248 nm) was subjected to a mask pattern (6% halftone) by KrF exposure apparatus NSR-S203B (manufactured by Nikon Corporation; NA (number of apertures) = 0.60, sigma = 0.68) with respect to the resist film. Was selectively investigated.

이어서, 110 ℃ 에서 90 초간의 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하였다.Subsequently, post exposure bake (PEB) treatment was performed at 110 ° C. for 90 seconds.

공정 (iii) : Process (iii):

이어서, 현상액으로서 2.38 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액 「NMD-3」(상품명, 토쿄 오카 공업 주식회사 제조) 을 이용하여, 23 ℃ 에서 60 초간의 조건에 의해 알칼리 현상을 실시하였다.Subsequently, alkali development was performed by the conditions for 60 second at 23 degreeC using 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution "NMD-3" (brand name, Tokyo-Oka Industry Co., Ltd. product) as a developing solution.

그 후, 순수를 사용하여, 30 초간의 물린스를 실시하고, 떨쳐냄 건조를 실시하였다.Thereafter, water was rinsed for 30 seconds using pure water, followed by shaking drying.

그 결과, 스페이스폭 3 ㎛, 피치 15 ㎛ 의 고립 라인 패턴 (이하 「IS 패턴」이라고 한다.) 이 형성되었다.As a result, an isolated line pattern (hereinafter referred to as "IS pattern") having a space width of 3 µm and a pitch of 15 µm was formed.

[감도] [Sensitivity]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 방법에 있어서, 타겟으로 하는 레지스트 패턴이 형성되는 최적 노광량 Eop (mJ/㎠) 를 구하고, 감도로 하였다. 이것을 「감도 (mJ/㎠)」로서 표 2 에 나타냈다.In the formation method of the resist pattern mentioned above, the optimal exposure amount Eop (mJ / cm <2>) in which the resist pattern made into a target is formed was calculated | required, and it was set as the sensitivity. This was shown in Table 2 as "sensitivity (mJ / cm <2>)".

[웨이퍼면 (Shot) 내의 치수 균일성 (CDU)]] [Dimension Uniformity (CDU) in Wafer Surface (Shot)]]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 IS 패턴에 대해, 측장 SEM (주사형 전자현미경, 가속 전압 300 V, 상품명 : S-9380, 주식회사 히타치 하이테크놀로지즈 제조) 에 의해, 그 IS 패턴 (7 × 15 shot) 을 상공으로부터 관찰하고, 그 IS 패턴 중 (상기 shot 내 38 점) 의 스페이스폭을 측정하였다. 그 측정 결과로부터 산출한 표준 편차 (σ) 의 3 배값 (3σ) 을 구하였다. 이와 같이 하여 구해지는 3σ 의 값이 작을수록, 레지스트막에 형성된 스페이스폭의 치수 (CD) 균일성이 높은 것을 의미한다. 그 결과를 「CDU (nm)」로서 표 2 에 나타낸다.About the IS pattern formed by the formation method of the resist pattern mentioned above, the IS pattern (7 by scanning electron microscope, scanning voltage 300V, brand name: S-9380, the Hitachi High-Technologies Corporation). X 15 shots) was observed from above, and the space width of the IS pattern (38 points in the shot) was measured. The triple value (3σ) of the standard deviation (σ) calculated from the measurement result was calculated | required. The smaller the value of 3σ obtained in this way, the higher the dimension (CD) uniformity of the space width formed in the resist film. The results are shown in Table 2 as "CDU (nm)".

[레지스트 패턴의 형상] [Shape of Resist Pattern]

상기 서술한 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 IS 패턴의 형상을, 측장 SEM (주사형 전자현미경, 가속 전압 800 V, 상품명 : SU-8000, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조) 에 의해 관찰하고, 하기 평가 기준에 따라, 그 평가 결과를 「형상」으로서 표 2 에 나타냈다.The shape of the IS pattern formed by the formation method of the resist pattern mentioned above was observed by length measurement SEM (scanning electron microscope, acceleration voltage 800V, brand name: SU-8000, the Hitachi High-Technologies company make), and the following evaluation criteria According to this, the evaluation result was shown in Table 2 as "shape."

평가 기준 Evaluation standard

○ : 패턴 측벽이 직선적으로 경사져 있다 ○: The pattern side wall is inclined linearly.

△ : 패턴 측벽의 경사에 팽창이 있다(Triangle | delta): There exists expansion in the inclination of the pattern side wall.

× : top-round 형상, 패턴 측벽이 패여 있는 등×: top-round shape, pattern sidewall is dug

Figure pat00085
Figure pat00085

표 2 에 나타내는 결과로부터, 본 발명을 적용한 실시예 1 ∼ 7 의 레지스트 조성물에서는, 비교예 1 ∼ 4 의 레지스트 조성물과 비교해, 높은 감도를 나타내고, 또한, CDU 성능이 향상된 것을 확인할 수 있었다. 또, 실시예 1 ∼ 7 에서는, 비교예 1 ∼ 4 와 비교해, 레지스트 패턴 형상도 양호하였다.From the results shown in Table 2, in the resist compositions of Examples 1 to 7 to which the present invention was applied, it was confirmed that the CDU performance was improved and exhibited high sensitivity as compared with the resist compositions of Comparative Examples 1 to 4. Moreover, in Examples 1-7, the resist pattern shape was also favorable compared with Comparative Examples 1-4.

Claims (5)

노광에 의해 산을 발생하고, 또한, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 레지스트 조성물로서,
산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) 와,
하기 일반식 (d0) 으로 나타내는 제3급 모노아민 화합물 (D0)
을 함유하고,
상기 기재 성분 (A) 의 함유량이, 20 질량% 이상이고,
상기 화합물 (D0) 의 함유량이, 상기 기재 성분 (A) 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 0.05 질량부인, 레지스트 조성물.
Figure pat00086

[식 중, Rx1 ∼ Rx3 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기를 나타낸다. Rx1 ∼ Rx3 은, 2 개 이상이 서로 결합하여 고리 구조를 형성하고 있어도 된다.]
As a resist composition which generate | occur | produces an acid by exposure and changes solubility to a developing solution by the action of an acid,
Base component (A) whose solubility with respect to a developing solution changes by the action of an acid,
Tertiary monoamine compound (D0) represented by the following general formula (d0)
Containing,
Content of the said base material component (A) is 20 mass% or more,
The resist composition whose content of the said compound (D0) is 0.01-0.05 mass parts with respect to 100 mass parts of said base material components (A).
Figure pat00086

[Wherein, Rx 1 to Rx 3 each independently represent a hydrocarbon group which may have a substituent. Two or more of Rx 1 to Rx 3 may be bonded to each other to form a ring structure.]
제 1 항에 있어서,
상기 화합물 (D0) 이, 하기 일반식 (d0-1) 또는 (d0-2) 로 나타내는 화합물인, 레지스트 조성물.
Figure pat00087

[식 (d0-1) 중, Rx11 ∼ Rx13 은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 알킬기, 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 단, Rx11 ∼ Rx13 의 모두가 방향족 탄화수소기가 되는 경우는 없다. 식 (d0-2) 중, Ry1 ∼ Ry3 은, 치환기를 가져도 되는 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기를 나타낸다. nx1 은, 0 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.]
The method of claim 1,
The resist composition whose said compound (D0) is a compound represented by the following general formula (d0-1) or (d0-2).
Figure pat00087

[Formula (d0-1) of, Rx 11 Rx ~ 13 are, each independently, it represents a group which may have a substituent group selected from the group of linear branched, or aromatic hydrocarbon. However, there is no case that all of the Rx 11 Rx ~ 13 underlying an aromatic hydrocarbon. In formula (d0-2), Ry 1 to Ry 3 represent a linear or branched alkyl group which may have a substituent. nx1 represents the integer of 0-3.]
제 1 항에 있어서,
추가로, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) 를 함유하는, 레지스트 조성물.
The method of claim 1,
Furthermore, the resist composition containing the acid generator component (B) which generate | occur | produces an acid by exposure.
지지체 상에, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정 (i), 상기 레지스트막을 노광하는 공정 (ii), 및 상기 노광 후의 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정 (iii) 을 갖는, 레지스트 패턴 형성 방법.Process (i) of forming a resist film using the resist composition of any one of Claims 1-3 on the support body, process (ii) of exposing the said resist film, and developing the resist film after exposure, and developing a resist The resist pattern formation method which has a process (iii) of forming a pattern. 제 4 항에 있어서,
상기 공정 (i) 에서 형성하는 레지스트막의 막두께가 5 ㎛ 이상인, 레지스트 패턴 형성 방법.
The method of claim 4, wherein
The resist pattern formation method whose film thickness of the resist film formed in the said process (i) is 5 micrometers or more.
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