KR20200000711A - 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법 및 이의 완제품 - Google Patents

투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법 및 이의 완제품 Download PDF

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Abstract

본 발명의 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법은 투명 전도층을 제공하는 단계, 상기 투명 전도층에 적어도 하나의 국부 영역을 구분 짓는 단계 및 상기 국부 영역에 고전도성 셀을 전기적으로 접속시키는 단계를 포함하며; 따라서, 상기 국부 영역의 전도성을 향상시킴으로써 상기 국부 영역의 저항값을 낮추는 목적을 구현한다. 상기 고전도성 셀은 금속 전도선 또는 금속 메시이고, 상기 금속 전도선의 폭은 5㎛보다 작다.

Description

투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법 및 이의 완제품 {METHOD FOR REDUCING LOCAL IMPEDANCE OF A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND PRODUCT THEREOF}
본 발명은 투명 전도성 필름 분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법 및 그의 완제품에 관한 것이다.
인듐 주석 산화물(ITO)와 같은 산화금속 재질의 전도성 필름은 투광성과 전도성을 겸비하기 때문에 투명 전도성 필름 제조에 자주 사용되며 각종 투명 터치패널 등 광전소자에 광범위하게 응용된다. 그러나 ITO 투명 전도성 필름의 투광률과 전도율의 반비례 관계에 대한 연구에 따르면, 투광률이 높을수록 전도율이 다소 떨어질 수 있다. 예를 들어, 필름 표면 전도율이 10O/sq 이하인 경우 가시광선 투광률은 80%에 달할 수 있으나, 투광률이 90% 이상에 달하려면 표면 전기저항을 100O/sq 이상까지 올려야 하므로, 종래의 ITO 투명 전도성 필름을 터치패널에 응용할 경우 투광률과 전도율이라는 이중 요소의 제한을 받게 된다.
현재 디스플레이 앞에 주로 탑재되어 입력 장치로 사용되는 터치패널은 대다수가 ITO 전도성 필름으로 제작된다. 투명 ITO 필름 상에 복수개의 감지 전극 및 그 신호 안내 경로를 만들어 터치 감지 구조를 형성하나, 최근 몇 년 동안 전자제품의 기능이 정밀화되는 추세를 보이면서 터치 센서 상의 터치 감지전극과 신호 안내 경로의 사이즈 규격도 갈수록 소형화되고 있다. 소형화된 ITO 감지전극과 신호 안내 경로가 저항값을 높이면서 전송하는 신호가 감쇠되어 신호 전송에 불리한 상황이 발생할 수 있는데, 이 때문에 큰 사이트 터치패널의 설계 및 제조공정 개발 측면에서 어려움이 초래되고 있다.
본 발명의 목적은 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법을 제안함으로써, 가시성을 훼손하지 않는 상태에서 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추어 전도성을 개선하고 터치 센서 부문에서 투명 전도성 필름의 활용도를 높이는 데에 있다.
상기 목적을 구현하기 위하여, 본 발명의 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법은 투명 전도층을 제공하는 단계 a), 상기 투명 전도층에 적어도 하나의 국부 영역을 구분 짓는 단계 b), 및 상기 국부 영역에 고전도성 셀을 전기적으로 접속시키는 단계를 포함하며; 따라서, 상기 국부 영역의 전도성을 향상시킴으로써 상기 국부 영역의 저항값을 낮추는 목적을 구현한다. 여기에서, 상기 투명 전도층의 재료는 금속산화물 필름 또는 그래핀 필름 등에서 선택하나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속산화물 필름의 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 알루미늄 산화물, 주석 안티몬 산화물 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) 등에서 선택하나 이에 한정되지 않는다. 상기 국부 영역은 터치 감지전극 또는 터치 신호 전도선로 등이나 이에 한정되지 않는다. 상기 고전도성 셀의 전기저항률은 8x10-8Ω·m보다 낮고, 상기 고전도성 셀은 금속 전도선 또는 금속 메시(Metal Mesh) 등이나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 전도선의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 니켈 또는 전술한 재료의 합금 등에서 선택하나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 전도선의 폭은 25㎛보다 작고, 바람직하게는 5㎛보다 작고, 상기 금속 전도선은 적어도 하나의 연속 연장하는 직선, 웨이브형 곡선, 규칙적인 선 또는 불규칙적인 선 등을 포함하거나, 간격으로 두고 설치되는 복수개의 선 구간으로 구성되나 이에 한정되지 않는다.
본 발명은 국부 영역의 저항값이 낮은 투명 전도성 필름을 더 제안한다. 이는 투명 전도성 필름의 두께를 줄여 투명도를 높이고 재료비를 절감할 수 있으며, 국부 영역의 전도성 및 신호 전도 효율을 향상시킬 수 있어 더욱 큰 면적의 터치패널을 설계 및 제작하는 데에 유익하고, 터치 센서 부문에서의 투명 전도성 필름의 활용도를 높일 수 있다.
상기 목적을 구현하기 위하여, 본 발명의 국부 영역의 저항값이 낮은 투명 전도성 필름은 투명 전도층을 포함하고, 여기에는 하나 이상의 구분되는 국부 영역이 존재하며, 상기 국부 영역은 적어도 하나의 고전도성 셀에 전기적으로 접속되고, 이를 통하여 상기 국부 영역의 저항값을 떨어뜨린다. 여기에서 상기 투명 전도층의 재료는 금속산화물 필름 또는 그래핀 필름 등에서 선택하나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속산화물 필름의 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 알루미늄 산화물, 주석 안티몬 산화물 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜 등에서 선택하나 이에 한정되지 않는다. 상기 국부 영역은 터치 감지전극 또는 터치 신호 전도선로 등이나 이에 한정되지 않는다. 상기 고전도성 셀의 전기저항률은 8x10-8Ω·m보다 낮고, 상기 고전도성 셀은 금속 전도선 또는 금속 메시 등이나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 전도선의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 니켈 또는 전술한 재료의 합금 등에서 선택하나 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 전도선의 폭은 25㎛보다 작고, 바람직하게는 5㎛보다 작고, 상기 금속 전도선은 하나 이상의 연속 연장하는 직선, 웨이브형 곡선, 규칙적인 선 또는 불규칙적인 선 등을 포함하거나, 간격으로 두고 설치되는 복수개의 선 구간으로 구성되나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 내용은 일부 개념을 간략한 방식으로 소개한 것이며, 이하의 실시방식에서는 이를 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명의 내용은 본 출원의 기본적인 또는 핵심적인 기술특징을 설명하기 위한 것으로서 본 발명의 보호범위를 제한하지 않는다.
본 발명의 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법에 따르면, 가시성을 훼손하지 않는 상태에서 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추어 전도성을 개선하고 터치 센서 부문에서 투명 전도성 필름의 활용도를 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명 제1 실시예에 따른 터치센서의 적층 구조도이고;
도 2는 본 발명 제1 실시예에 따른 터치센서의 정면도이고;
도 3은 본 발명 제1 실시예에 따른 터치센서의 배면도이고;
도 4는 본 발명 제1 실시예에 따른 X축방향 감지층의 평면도이고;
도 5는 본 발명 제1 실시예에 따른 Y축방향 감지층의 평면도이고;
도 6은 본 발명 제1 실시예에 따른 다른 Y축방향 감지층의 평면도로서, 감지 트레이스 상에 접속된 곡선형의 미세 전도선을 도시한 것이고;
도 7은 본 발명 제1 실시예에 따른 다른 Y축방향 감지층의 평면도로서, 감지 트레이스 상에 접속된 복수의 간격선 구간으로 설치된 미세 전도선을 도시한 것이고;
도 8은 본 발명 제1 실시예에 따른 다른 Y축방향 감지층의 평면도로서, 감지 트레이스 상에 복수개의 서로 평행하게 설치된 미세 전도선을 도시한 것이고;
도 9는 본 발명의 방법 흐름도이고;
도 10은 본 발명의 방법으로 제조한 X축방향의 투명 전도성 필름의 설명도이고; 및
도 11은 본 발명의 방법으로 제조한 Y축방향의 투명 전도성 필름의 설명도이다.
이하는 본 발명에 있어서 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름을 투명 터치센서 분야에 응용한 비교적 바람직한 실시예를 설명한 것이다. 도 1 내지 5에서 도시하는 실시예는 터치 감지 트레이스 면저항을 낮출 수 있는 투명 정전용량 터치센서 구조에 관한 것으로서, 주로 터치 감지 트레이스 상에 고전도성 셀을 접속시킨다(즉, 이하 실시예 설명에서 말하는 미세 전도선).
상기 투명 정전용량 터치센서 구조에는 기저층(10), X축방향 감지층(20), 절연층(30), Y축방향 감지층(40) 및 코팅층(50)이 포함된다. 여기에서, 상기 기저층(10)은 우수한 기계적 강도를 가진 고투광률 유리박판이고, 기저층(10)의 표면 둘레부에는 절연성 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM)로 제작한 유색 테두리(11)가 설치되고, 상기 유색 테두리(11)에 의하여 기저층(10)에서 상기 둘레부에 형성되는 테두리의 차폐부(11a) 및 중앙부에 있는 가시부(11b)가 구분된다.
X축방향 감지층(20)은 상기 기판의 가시부(11b) 내에 설치되고, 여기에는 복수개의 X축방향 감지 트레이스(Trace)(21)가 포함되고, 각 X축방향의 감지 트레이스(21)는 복수개의 마름모면 모양의 감지유닛(21a)이 X축방향의 트레이스를 따라 배열되어 구성되고, 각 X축방향의 감지 트레이스(21)의 일단부에 하나의 접속단자(21b)가 설치되고, 각 X축방향의 감지 트레이스(21)에 X축방향을 따라 설치되는 전도선(23)이 있으며 전술한 접속단자(21b) 및 각 감지유닛(21a)에 전기적으로 접속되고; 전술한 접속단자(21b)는 하나의 신호 도선(24)에 의하여 신호 출력 연결단자(25)에 연결되고, 여기에서 상기 신호 도선(24)은 차페부(11a) 범위 내에서 기저층(10) 둘레를 따라 설치되고, 상기 신호 도선(24)의 전후 양단은 각각 전술한 상기 접속단자(21b)와 신호 출력 연결단자(25)에 전기적으로 연결된다.
본 실시예에 있어서, Y축방향 감지층(40)은 전술한 기판의 가시부(11b) 내에 설치되고, 여기에는 수열의 Y축방향 감지 트레이스(41)가 포함되고, 각 Y축방향 감지 트레이스(41)는 복수개의 마름모면 모양의 감지유닛(41a)이 Y축방향의 트레이스를 따라 배열되어 구성되고, 각 열의 Y축방향 감지 트레이스(41)의 일단부에 하나의 접속단자(41b)가 설치되고, 각 Y축방향 감지 트레이스(41)에 하나의 Y축방향을 따라 설치되는 전도선(43)이 있으며 전술한 접속단자(41b) 및 각 감지유닛(41a)에 전기적으로 접속되고; 전술한 접속단자(41b)는 신호 도선(44)에 의하여 하나의 신호 출력 연결단자(45)에 연결되고, 여기에서 상기 신호 도선(44)은 차페부(11a) 범위 내에서 기저층(10) 둘레를 따라 설치되고, 상기 신호 도선(44)의 전후 양단은 각각 전술한 상기 접속단자(41b)와 신호 출력 연결단자(45)에 전기적으로 연결된다.
상기 신호 출력 연결단자(25, 45)는 하나의 신호 배선(도면에서 도시하지 않음)과 전기적으로 접속할 수 있으며, 터치 신호를 신호 처리 회로(도면에서 도시하지 않음)에 전송하여 연산을 진행한다.
상기 X축방향 감지층(20) 및 Y축방향 감지층(40)은 투명한 전도성 필름으로 제작하며, 그 재질은 금속 산화물 필름을 선택하는데, 예를 들어 인듐 주석 산화물(ITO)이 있고, 또한, 상기 전도선(23, 43)은 고전도성, 저저항률의 재료를 채택하며, 그 전기저항률은 8x10-8Ω·m보다 낮은데, 예를 들어 구리선이고, 전도선(23, 43)의 금속 재질은 X축방향 및 Y축방향 감지층(20, 40)의 금속 산화물 필름보다 저항값이 더욱 낮기 때문에, 전도선(23, 43)을 X축방향 및 Y축방향 감지 트레이스(21, 41)에 전기적으로 접속하면 터치 신호 전송의 효율을 향상시키고, 각 감지유닛(21a,41Aa)에서 접속단자(21b), 및 감지유닛(41a)에서 접속단자(41b) 사이의 저항값을 효과적으로 떨어뜨려 전송 과정에서 터치 신호의 감쇠율을 줄일 수 있으며, 또한 상기 전도선(23, 43)의 폭은 5㎛보다 작은데, 이러한 나노미터급의 가는 금속선은 그 자체를 불투명 재질로 만들어 줄 뿐만 아니라 사람의 시력으로 판별할 수 없게 만들어 주기 때문에, 가시부(11) 내에 배치해 사용하기에 적합하며 전체 투명 터치센서의 가시성을 훼손하지 않는다.
상기 X축방향 감지층(20) 및 Y축방향 감지층(40) 사이는 투명 절연층(30)을 통하여 서로 절연 분리 설치하고, 상기 Y축방향 감지층의 감지유닛(21a, 41a) 서로 상호 보완하여 대응 설치하여, 하나의 마름모형 메시 모양의 감지유닛 매트릭스를 구성하고; 상기 투명 절연층(30)은 재료가 고체상의 광학필름(OCA) 또는 액상의 광학수지(OCR)일 수 있으며, 이를 통하여 상기 두 감지층(20, 40)을 절연 분리시키는 것 외에 양자를 일체로 접합시키는 기능을 한다.
또한, 상기 코팅층(50)은 투명 전도성 필름 감지층(40) 외표면에 조합되고, 상기 감지층의 선로를 보호하고; 코팅층(50)은 고투광률의 절연 필름인데, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프타레이트(PET, polyethylene terephthalate), 사이클로 올레핀 폴리머(COP, cyclo olefin polymer), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌(PE, polyethylene), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에텔에텔 케톤(PEEK, polyetherether ketone), 폴리술폰(PSF, polysulfone), 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 아크릴 수지(acrylic resin), 비닐계 수지(vinyl resin) 및 트리아세틸 셀룰로오스(TAC, triacetyl cellulose) 등이나 이에 한정되지 않는다.
상기 내용을 종합하면, 본 발명은 전도선(23, 43)을 X축방향 및 Y축방향 감지 트레이스(21, 41)에 접속시키는 수단을 통하여, 터치 신호 전송 채널의 저항값을 저하시킨다. 이는 터치 신호 전송 품질을 향상시킬 뿐만 아니라 더욱 큰 사이즈 터치패널의 설계 및 제작에도 유익하며, 터치 감지층의 전도성 필름의 두께를 감소시킬 수 있기 때문에 재료비 절감은 물론 터치 감지층의 투광도를 향상시킬 수 있다. 또한, 전도선(23, 43)의 선 직경이 나노미터급의 가는 금속선이기 때문에 객관적으로 통상적인 시력으로 식별할 수 없고, 그 설정의 분포 비율이 전체 면적의 0.3% 이하를 차지하여 투광 차폐의 비율이 상당히 낮기 때문에, 전체 터치 감지층의 절대 다수 면적이 모두 투광 가능한 노출 영역이므로 투광성이 상당이 우수하다. 따라서 상기 미세 금속선을 감지 트레이스에 설치하면 감지 트레이스의 저항값을 크게 떨어뜨리고 신호 전송 효율을 개선할 수 있으며 그 가시성에 거의 영향을 미치지 않으므로 많은 장점을 가지고 있다.
상기 실시예에서 예시로 설명한 상기 미세 전도선(23, 43)은 연속 연장되는 직선이나(도 3에서 도시하는 바와 같음), 투명 터치패널은 통상적으로 액정 디스플레이 앞에 배치되기 때문에 상기와 같은 직선으로 설치된 미세 전도선은 간섭무늬(Moire)를 만들어 화면 디스플레이 품질에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 본 발명은 실제 응용 시, 상기 미세 전도선은 웨이브형 곡선(도 6에서 도시하는 바와 같음), 금속 메시 또는 기타 규칙, 불규칙적으로 연속 연장하는 선의 형태로 설치할 수도 있으며, 이를 통하여 광학 간섭 문제를 줄일 수 있다. 그 외, 도 7에 있어서 상기 미세 전도선(43)은 간격을 두고 설치한 복수개의 선 구간(43a)으로 구성되며, 이를 통하여 설계 상의 수요에 따라 상기 미세 전도선에 의하여 접속되는 상기 감지 트레이스의 저항값을 탄력적으로 조절해 신호 처리 회로에 필요한 설정 요구를 조정할 수 있고, 상기 선 구간 형태의 설치는 광학 간섭 문제를 감소시키고 가시성을 향상시켜 주는 장점이 있다. 기타 실시 가능한 방안에 있어서, 복수개의 미세 전도선(43)을 서로 평행한 형태로 설치할 수도 있으며(도 8에서 도시하는 바와 같음), 이를 통하여 고효율의 신호 전송 성능을 보장할 수 있다.
도 9 내지 11에서 도시하는 바와 같이, 도 9는 본 발명의 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법의 흐름도를 도시하고, 도 10 및 11은 상기 방법으로 제조한 2종류 투명 전도성 필름을 도시한 것이다.
단계 S1에 있어서, 상기 방법은 투명 전도층에 관한 것으로서, 이는 감지층(20, 40) 중의 어느 하나일 수 있다. 상기와 같이, 각 감지층(20, 40)에는 모두 가시 영역(20b 또는 40b) 및 비(非)가시 영역(20a 또는 40a)이 있고, 이는 각각 기저층(10)이 구분하는 가시부(11b) 및 차폐부(11a)에 대응한다. 단계 S2에 있어서, 투명 전도층의 가시 영역(20b 또는 40b)에는 하나 또는 복수개의 국부 영역(200b 또는 400b)이 구분지어 진다. 단계 S3에 있어서, 고전도성 셀(201b 또는 401b)을 상기 국부 영역(200b 또는 400b) 내에 접속하고, 여기에서 상기 고전도성 셀은 전술한 실시예에서 언급한 금속 전도선(23, 43)일 수 있다.
상기에서 설명한 바와 같이, 상기 투명 전도층은 금속 산화물 또는 그래핀으로 제조한다. 상기 금속 산화물은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 알루미늄 산화물, 주석 안티몬 산화물 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜 등일 수 있다. 상기 국부 영역은 터치 감지전극 또는 터치 신호 전도선로를 포함한다. 상기 고전도성 셀(201b 또는 401b)의 전기저항률은 8x10-8OΩ·m보다 낮다. 상기 고전도성 셀(201b 또는 401b)은 금속 전도선 또는 금속 메시이다. 상기 금속 전도선은 금, 은, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 니켈 또는 그 합금으로 제조한다. 상기 금속 전도선의 폭은 25㎛보다 작고, 바람직하게는 5㎛보다 작다. 상기 금속 전도선은 하나 또는 복수개의 연속 연장하는 직선, 웨이브형 곡선, 규칙적인 선 또는 불규칙적인 선일 수 있다. 상기 금속 전도선은 간격을 두고 설치하는 복수개 선 구간으로 구성될 수도 있다.
상기 실시예는 도면과 함께 본 고안을 더욱 상세히 설명하기 위한 것으로서 본 고안의 보호범위를 제한하지 않는다. 본 고안이 속한 기술분야의 당업자는 본 고안을 기반으로 각종 변경 및 수정을 진행할 수 있으며, 이러한 변경 및 수정은 본 고안의 특허출원범위에서 정의하는 본 고안의 보호범위 내에 속한다.

Claims (22)

  1. 투명 전도층을 제공하는 단계;
    상기 투명 전도층에 적어도 하나의 국부 영역을 구분 짓는 단계; 및
    상기 국부 영역에 적어도 하나의 고전도성 셀을 전기적으로 접속시키는 단계; 를 포함하되;
    상기 국부 영역의 전도성을 향상시킴으로써 상기 국부 영역의 저항값을 낮추는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전도층의 재료는 금속산화물 필름 또는 그래핀 필름에서 선택하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 금속산화물 필름의 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 알루미늄 산화물, 주석 안티몬 산화물 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)에서 선택하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 국부 영역은 터치 감지전극 또는 터치 신호 전도선로인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고전도성 셀의 전기저항률은 8x10-8Ω·m보다 낮은 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 고전도성 셀은 금속 전도선 또는 금속 메시(Metal Mesh)인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 금속 전도선의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 니켈 또는 전술한 재료의 합금에서 선택하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 금속 전도선의 폭은 25㎛보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 금속 전도선의 폭은 5㎛보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 금속 전도선은 적어도 하나의 연속 연장하는 직선, 웨이브형 곡선, 규칙적인 선 또는 불규칙적인 선을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 금속 전도선은 간격으로 두고 설치되는 복수개의 선 구간으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법.
  12. 투명 전도층을 제공하는 단계;
    상기 투명 전도층에 적어도 하나의 국부 영역을 구분 짓는 단계; 및
    상기 국부 영역에 적어도 하나의 고전도성 셀을 전기적으로 접속시키는 단계; 를 포함하되;
    상기 국부 영역의 전도성을 향상시킴으로써 상기 국부 영역의 저항값을 낮추는 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 투명 전도층의 재료는 금속산화물 필름 또는 그래핀 필름에서 선택하는 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 금속산화물 필름의 재료는 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 알루미늄 산화물, 주석 안티몬 산화물 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)에서 선택하는 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 국부 영역은 터치 감지전극 또는 터치 신호 전도선로인 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 고전도성 셀의 전기저항률은 8x10-8Ω·m보다 낮은 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 고전도성 셀은 금속 전도선 또는 금속 메시(Metal Mesh)인 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 금속 전도선의 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 니켈 또는 전술한 재료의 합금에서 선택하는 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 금속 전도선의 폭은 25㎛보다 작은 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 금속 전도선의 폭은 5㎛보다 작은 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 금속 전도선은 적어도 하나의 연속 연장하는 직선, 웨이브형 곡선, 규칙적인 선 또는 불규칙적인 선을 포함하는 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 금속 전도선은 간격으로 두고 설치되는 복수개의 선 구간으로 구성되는 것을 특징으로 하는 국부 영역 저항값을 낮추는 투명 전도성 필름.
KR1020180072864A 2018-06-25 2018-06-25 투명 전도성 필름의 국부 영역 저항값을 낮추는 방법 및 이의 완제품 KR20200000711A (ko)

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