KR20190135599A - Method and Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing method easy to replace a spray plate and a substrate processing apparatus thereof. According to the present invention, the substrate processing apparatus comprises: a processing chamber having an internal space; a plate unit disposed in the internal space, sectioning the internal space into an upper gas introduction space and a lower processing space, and having holes formed therein to supply gas from the gas introduction space to the processing space; a support unit supporting a substrate in the processing space; and a gas supply unit supplying a process gas to the gas introduction space.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}Substrate processing method and apparatus {Method and Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a method and apparatus for processing a substrate using plasma.

반도체 소자 또는 평판 표시 패널을 제조하는 공정에서, 웨이퍼 또는 유리 기판에 패턴 전사를 위해 포토마스크가 사용된다. 일반적으로 포토마스크는 석영 재질의 기판에 크롬 층을 증착하고, 크롬 층에 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 형성함으로써 제조된다. 포토마스크에서 패턴 형성을 위해 플라즈마로 크롬 층의 일부를 제거하는 식각 공정이 수행된다. In the process of manufacturing a semiconductor device or a flat panel display panel, a photomask is used for pattern transfer to a wafer or a glass substrate. In general, a photomask is manufactured by depositing a chromium layer on a quartz substrate and forming a pattern to be transferred to a wafer on the chromium layer. An etching process is performed to remove a portion of the chromium layer with plasma to form a pattern in the photomask.

식각 공정시 플라즈마 중 주로 라디칼을 기판에 공급하기 위해 기판의 상부에 플레이트 형상의 플라즈마 안정기가 제공된다. 미국공개특허 2005-0082007에는 상술한 플라즈마 안정기가 제공된 장치의 일 예가 개시된다. 위 특허에 의하면 홀이 형성된 플레이트가 레그(leg)에 의해 기판을 지지하는 지지 유닛 상에 장착된다. 그러나 위 특허와 같은 구조를 사용시 기판이 놓이는 지지 유닛에 레그 설치를 위한 구조가 복잡하다. 또한, 홀이 형성된 플레이트의 주변 영역이 모두 개방되어 있기 때문에 공급되는 플라즈마의 많은 량이 기판으로 향하지 않고 외부로 바로 배출된다. 또한, 홀이 형성된 플레이트의 높이가 고정되어 있기 때문에 공정 튜닝을 위해 사용될 수 있는 인자들(factors)이 제한된다. In the etching process, a plate-shaped plasma ballast is provided on top of the substrate to mainly supply radicals in the plasma to the substrate. US Patent Publication 2005-0082007 discloses an example of a device provided with the above-described plasma ballast. According to the above patent, a plate in which a hole is formed is mounted on a support unit which supports a substrate by a leg. However, the structure for leg installation in the support unit on which the substrate is placed is complicated when using the structure as described above. In addition, since all of the peripheral area of the plate on which the hole is formed is open, a large amount of the supplied plasma is discharged directly to the outside without going to the substrate. In addition, because the height of the plate with holes is fixed, factors that can be used for process tuning are limited.

본 발명은 플라즈마에서 선택된 활성종인 라디칼이 포토마스크와 같은 기판에 공급되도록 하는 플레이트 유닛의 제공 구조가 단순한 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an apparatus and method having a simple structure for providing a plate unit for supplying radicals which are selected active species in a plasma to a substrate such as a photomask.

또한, 본 발명은 공정 가스의 손실을 줄일 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method that can reduce the loss of process gas.

또한 본 발명은 공정 튜닝을 위한 인자(factor)를 더 다양하게 제공할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method which can provide more various factors for process tuning.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부 공간을 가지는 공정챔버와; 상기 내부 공간 내에 배치되며 상기 내부 공간을 상부의 가스 도입 공간과 하부의 처리 공간으로 구획하며, 상기 가스 도입 공간으로부터 상기 처리 공간으로 가스가 흐르는 홀들이 형성된 플레이트 유닛과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 가스 도입 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함한다. 상기 플레이트 유닛은 상기 공정 챔버의 내벽에 결합되며, 중앙에 개구가 형성된 지지대와; 상기 지지대의 개구에 위치되도록 상기 지지대에 의해 지지되며 상기 홀들이 형성된 분사 플레이트를 포함할 수 있다.According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber having an internal space; A plate unit disposed in the inner space and partitioning the inner space into an upper gas introduction space and a lower processing space, the plate unit having holes through which gas flows from the gas introduction space; A support unit for supporting a substrate in the processing space and a gas supply unit for supplying a process gas to the gas introduction space. The plate unit is coupled to the inner wall of the process chamber, the support and the opening is formed in the center; It may include a spray plate which is supported by the support to be located in the opening of the support and the holes are formed.

일 예에 의하면, 상기 분사 플레이트와 상기 지지대는 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다.In one example, the spray plate and the support may be provided with different materials.

일 예에 의하면, 상기 지지대는 금속 재질을 포함하고, 상기 분사 플레이트는 세라믹 재질을 포함할 수 있다.According to an example, the support may include a metal material, and the spray plate may include a ceramic material.

일 예에 의하면, 상기 지지대는 블로킹 플레이트(Blocking plate)로 형성될 수 있다.According to one example, the support may be formed as a blocking plate.

일 예에 의하면, 상기 지지대는 링 형상으로 제공되고 그 원주 방향을 따라 상하 방향으로 관통된 복수의 통공들이 형성될 수 있다.According to one example, the support may be provided in a ring shape and a plurality of through holes penetrated in the vertical direction along the circumferential direction may be formed.

일 예에 의하면, 상기 통공은 그 길이방향이 상기 지지대의 원주 방향을 따라 제공된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.According to one example, the through hole may be provided in a slit shape whose length direction is provided along the circumferential direction of the support.

일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 각각의 상기 통공은 각각의 상기 홀보다 넓은 면적으로 제공될 수 있다.In one example, each of the through holes may be provided with a larger area than each of the holes when viewed from the top.

일 예에 의하면, 상기 지지대는 접지될 수 있다.In one example, the support may be grounded.

일 예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상면에 상기 기판이 놓이는 오목홈이 형성된 지지판을 가지고, 상기 분사 플레이트는 상기 오목홈에 놓인 기판과 대향 되도록 배치될 수 있다.In one embodiment, the support unit may have a support plate having a concave groove in which the substrate is placed on an upper surface thereof, and the spray plate may be disposed to face the substrate in the concave groove.

일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 상기 오목홈은 사각의 형상이고, 상기 분사 플레이트는 원 형상일 수 있다.In one embodiment, the concave groove may have a rectangular shape when viewed from the top, and the injection plate may have a circular shape.

일 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 플레이트 유닛을 상하로 이동 시키는 이동 부재를 더 포함할 수 있다.According to one example, the substrate processing apparatus may further include a moving member for moving the plate unit up and down.

일 예에 의하면, 상기 이동 부재는 상기 지지대에 결합될 수 있다.In one example, the movable member may be coupled to the support.

일 예에 의하면, 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 기판 상에 형성된 제1막을 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제1체적으로 제공되고, 상기 기판 상에 형성된 상기 제1막과 상이한 제2막을 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제2체적으로 제공되도록 상기 이동 부재를 제어할 수 있다.In an embodiment, the apparatus may further include a controller configured to control the moving member, wherein the controller is provided with a first volume of the gas introduction space when the first film formed on the substrate is processed, and the first formed on the substrate. When the second film different from the one film is processed, the moving member can be controlled to provide the gas introduction space as a second volume.

일 예에 의하면, 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 제1기판에 대해 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제1체적으로 제공되고, 상기 제1기판과 상이한 제2기판을 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제2체적으로 제공되도독 상기 이동 부재를 제어할 수 있다.According to an example, the controller may further include a controller configured to control the moving member, wherein the controller is configured to provide a second substrate different from the first substrate, the gas introduction space being provided as a first volume when the first substrate is processed. At the time of processing, the moving member can be controlled so that the gas introduction space is provided as the second volume.

일 예에 의하면, 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 더 포함하되, 기 플라즈마 소스는 상기 가스가 상기 가스 도입 공간으로 도입되기 전 또는 상기 가스 도입 공간에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 제공될 수 있다.According to one example, further comprising a plasma source for generating a plasma from the gas, wherein a plasma source may be provided to generate plasma from the gas in the gas introduction space or before the gas is introduced into the gas introduction space. Can be.

일 예에 의하면, 상기 플라즈마 소스는, 기 공정 챔버의 상부에 배치되는 안테나 유닛과 상기 안테나 유닛에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함할 수 있다.According to an example, the plasma source may include an antenna unit disposed above the process chamber and a high frequency power source for applying a high frequency to the antenna unit.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 상기 기판을 상기 지지 유닛에 위치시키고, 상기 가스 도입 공간에 제공된 플라즈마에서 라디칼을 상기 분사 플레이트의 상기 홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급하여 상기 기판을 식각 처리할 수 있다.The present invention also provides a method of treating a substrate. According to the substrate processing method according to an embodiment, the substrate is placed in the support unit, The substrate may be etched by supplying radicals in the plasma provided in the gas introduction space to the processing space through the holes of the injection plate.

일 예에 의하면, 상기 지지대는 접지될 수 있다.In one example, the support may be grounded.

일 예에 의하면, 제1기판에 대해 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제1체적으로 제공하고, 제1기판과 상이한 제2기판에 대해 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제2체적으로 제공할 수 있다.According to an example, the volume of the gas introduction space is provided to the first substrate when the etching process is performed on the first substrate, and the volume of the gas introduction space is removed when the etching process is performed on the second substrate that is different from the first substrate. We can offer in two volumes.

일 예에 의하면, 상기 제1체적과 상기 제2체적의 변경은 상기 분사 플레이트의 높이를 조절하여 이루어질 수 있다.According to an example, the first volume and the second volume may be changed by adjusting the height of the injection plate.

일 예에 의하면, 상기 기판 상에는 제1막 및 제2막을 포함하고, 상기 기판 처리 방법은 상기 제1막과 상기 제2막을 순차적으로 식각하되, 제1막을 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제1체적으로 제공하고, 제2막을 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제2체적으로 제공할 수 있다.In an embodiment, the substrate includes a first film and a second film, and the substrate processing method sequentially etches the first film and the second film, and when the first film is etched, the volume of the gas introduction space. May be provided as the first volume, and the volume of the gas introduction space may be provided as the second volume when the second film is etched.

일 예에 의하면, 상기 제1체적과 상기 제2체적의 변경은 상기 분사 플레이트의 높이를 조절하여 이루어질 수 있다.According to an example, the first volume and the second volume may be changed by adjusting the height of the injection plate.

본 발명의 실시예에 의하면, 홀들이 형성된 플레이트 유닛이 공정챔버의 내벽에 결합되므로 장치 구성이 단순하다.According to the embodiment of the present invention, since the plate unit in which the holes are formed is coupled to the inner wall of the process chamber, the device configuration is simple.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면 플레이트 유닛이 챔버의 내벽에 결합된 지지대와 지지대에 놓이는 분사 플레이트를 구비하므로, 분사 플레이트의 교체가 용이하다In addition, according to an embodiment of the present invention, since the plate unit includes a support coupled to the inner wall of the chamber and an injection plate placed on the support, it is easy to replace the injection plate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 지지대는 분사 플레이트에 비해 압력에 더 잘 견딜 수 있는 재질로 제공되므로 가스 도입 공간의 가장자리 영역의 높은 압력에 의해 플레이트 유닛이 파손되는 것을 줄일 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, since the support is made of a material that can withstand pressure better than the injection plate, it is possible to reduce the damage of the plate unit by the high pressure in the edge region of the gas introduction space.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 지지대에 복수의 통공들이 형성되므로, 가스 도입 공간의 가장자리 영역에서 높은 압력으로 인해 플레이트 유닛이 파손되는 것을 줄일 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, since a plurality of through holes are formed in the support, damage to the plate unit due to high pressure in the edge region of the gas introduction space can be reduced.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플레이트 유닛이 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되므로, 플레이트 유닛의 상부에 제공되는 가스 도입 공간의 체적을 용이하게 변경할 수 있다. 이로 인해 공정 튜닝을 위해 조절 가능한 인자(factor)를 더 제공할 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, since the plate unit is provided to be movable in the vertical direction, it is possible to easily change the volume of the gas introduction space provided on the upper portion of the plate unit. This can provide more adjustable factors for process tuning.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플레이트 유닛의 상부에 가스 도입 공간이 제공되므로 가스들이 기판에 공급되지 않고 외부로 곧바로 배기되는 량을 줄일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the gas introduction space is provided on the upper portion of the plate unit, it is possible to reduce the amount of gas being exhausted immediately to the outside without supplying the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 지지유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 플레이트 유닛의 사시도이다.
도 4는 절단된 상태의 도 3의 플레이트 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 3의 플레이트 유닛의 평면도이다.
도 6은 도 2의 플레이트 유닛의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 7는 도 2의 플레이트 유닛의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 8는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 9은 도 8의 기판 처리 장치에서 가스 도입 공간이 제1체적으로 변경된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 8의 기판 처리 장치에서 가스 도입 공간이 제2체적으로 변경된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 1의 온도 조절 유닛의 일 부분을 보여주는 사시도이다.
도 12은 도 1의 온도 조절 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 12의 온도 조절 유닛의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 14은 도 11의 온도 조절 유닛에서 열과 가스의 이동 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀 모듈의 사시도이다.
도 16은 도 15의 리프트 핀 모듈의 평면도이다.
도 17은 도 16의 리프트 핀 모듈의 동작 과정의 일 예를 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 18는 도 17의 회전수 설정 단계에서 리프트 핀의 상단에서 높이 편차가 발생한 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 19은 도 1의 가스 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 20는 도 19의 사이드 노즐들로 가스를 공급하는 가스 공급 라인의 구조의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 21은 도 19의 사이드 노즐들로 가스를 공급하는 가스 공급 라인의 구조의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically showing an example of the support unit of FIG. 1.
3 is a perspective view of the plate unit of FIG. 1.
4 is a perspective view illustrating the plate unit of FIG. 3 in a cut state.
5 is a plan view of the plate unit of FIG. 3.
6 is a plan view illustrating another embodiment of the plate unit of FIG. 2.
7 is a plan view illustrating another embodiment of the plate unit of FIG. 2.
8 is a cross-sectional view illustrating another example of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
9 is a cross-sectional view illustrating a state in which a gas introduction space is changed to a first volume in the substrate processing apparatus of FIG. 8.
10 is a cross-sectional view illustrating a state in which a gas introduction space is changed to a second volume in the substrate processing apparatus of FIG. 8.
FIG. 11 is a perspective view illustrating a part of the temperature control unit of FIG. 1.
12 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of the temperature control unit of FIG. 1.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating another example of the temperature control unit of FIG. 12.
FIG. 14 is a view schematically showing a movement path of heat and gas in the temperature control unit of FIG. 11.
15 is a perspective view of a lift pin module according to an embodiment of the present invention.
16 is a top view of the lift pin module of FIG. 15.
17 is a flowchart illustrating an example of an operation process of the lift pin module of FIG. 16.
FIG. 18 is a view schematically illustrating a state in which a height deviation occurs at an upper end of a lift pin in the rotation speed setting step of FIG. 17.
19 is a view showing an embodiment of the gas supply unit of FIG. 1.
20 is a view schematically illustrating an example of a structure of a gas supply line supplying gas to side nozzles of FIG. 19.
FIG. 21 is a view schematically illustrating another example of a structure of a gas supply line supplying gas to side nozzles of FIG. 19.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings an embodiment of the present invention will be described in more detail. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 예를 들어, 기판은 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판의 사진 공정에서 패턴 전사를 위해 사용되는 포토 마스크일 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)는 포토마스크와 같은 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행하는 장치일 수 있다. 이하, 기판 처리 장치가 플라즈마를 이용하여 포토 마스크를 식각하는 장치인 것을 예로 들어 설명한다.The substrate processing apparatus processes the substrate using plasma. For example, the substrate may be a photo mask used for pattern transfer in the photolithography process of a semiconductor wafer or glass substrate. In addition, the substrate processing apparatus 10 may be an apparatus that performs an etching process on the substrate W such as a photomask. Hereinafter, a description will be given by taking an example that the substrate processing apparatus is an apparatus for etching a photo mask using plasma.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 플레이트 유닛(400), 가스 공급 유닛(600), 플라즈마 소스(800), 온도 조절 유닛(1000)을 포함한다.1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate according to an embodiment of the present invention, the process chamber 100, the support unit 200, the plate unit 400, the gas supply unit 600, the plasma source 800, temperature control Unit 1000.

공정 챔버(100)는 내부 공간을 가진다. 공정 챔버(100)는 바디(120), 유전창(140), 및 커버(160)을 포함한다.The process chamber 100 has an interior space. The process chamber 100 includes a body 120, a dielectric window 140, and a cover 160.

바디(120)는 상부가 개방된 공간을 가진다. 바디(120)는 금속 재질로 제공된다. 바디(120)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 바디(120)는 접지될 수 있다. 바디(120)의 바닥면에는 배기홀(121)이 형성된다. 배기홀(121)는 배기라인(미도시)이 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 바디(120)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기라인(미도시)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기라인에는 펌프가 설치되어 공정 진행 중 바디(120)의 내부는 소정의 압력으로 감압된다.Body 120 has a space that is open at the top. Body 120 is provided with a metal material. The body 120 may be provided of aluminum material. Body 120 may be grounded. An exhaust hole 121 is formed in the bottom surface of the body 120. The exhaust hole 121 is connected to the exhaust line (not shown). Reaction by-products generated during the process and the gas remaining in the internal space of the body 120 may be discharged to the outside through an exhaust line (not shown). A pump is installed in the exhaust line so that the inside of the body 120 is decompressed to a predetermined pressure during the process.

유전창(140)은 바디의 상부에 배치되어 바디(140)의 공간을 외부로부터 밀폐시킨다. 유전창(140) 은 쿼츠 또는 세라믹 재질로 제공될 수 있다.The dielectric window 140 is disposed above the body to seal the space of the body 140 from the outside. The dielectric window 140 may be provided in quartz or ceramic material.

커버(160)는 유전창의 상부에 제공된다. 커버(160)는 하부가 개방된 원통 형상으로 제공되고, 커버(160)와 유전창(140) 사이에는 플라즈마 소스(800)의 안테나(801)가 배치된다. Cover 160 is provided on top of the dielectric window. The cover 160 is provided in a cylindrical shape with an open bottom, and an antenna 801 of the plasma source 800 is disposed between the cover 160 and the dielectric window 140.

도 2는 도 1의 지지 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.2 is a perspective view schematically showing an example of the support unit of FIG. 1.

지지 유닛(200)은 기판을 지지한다. 지지 유닛(200)은 지지판(210), 포커스 링(220), 냉각 유로(240), 절연 플레이트(260), 하부 커버(280)을 포함할 수 있다.The support unit 200 supports the substrate. The support unit 200 may include a support plate 210, a focus ring 220, a cooling channel 240, an insulation plate 260, and a lower cover 280.

기판은 지지판(210) 상에 놓여진다. 지지판(210)의 상면에는 기판이 놓이는 오목 홈이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 오목 홈의 형상은 기판의 형상에 대응되게 제공된다. 본 실시 예와 같이, 기판이 사각의 포토 마스크이고, 오목 홈은 사각 형의 형상으로 제공될 수 있다. 오목홈은 기판이 오목홈에 삽입될 때 기판의 일정 부분은 오목홈으로부터 돌출되도록 형성될 수 있다. 포커스 링(220)는 사각의 오목홈의 외측 영역에 제공되며, 오목홈으로부터 돌출된 기판 영역을 감싸도록 배치된다. 포커스 링(220)은 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공되고, 그 중심부에는 사각의 오목 홈과 대응되는 사각의 개구가 형성될 수 있다. 포커스 링(220)은 산화 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 포커스 링(220)의 상단은 오목홈에 놓인 기판의 상면과 동일 높이이거나 이보다 더 높게 제공될 수 있다.The substrate is placed on the support plate 210. The upper surface of the support plate 210 is formed with a recessed groove on which the substrate is placed. When viewed from the top, the shape of the concave groove is provided corresponding to the shape of the substrate. As in this embodiment, the substrate is a rectangular photo mask, the concave groove may be provided in a rectangular shape. The recessed groove may be formed so that a portion of the substrate protrudes from the recessed groove when the substrate is inserted into the recessed groove. The focus ring 220 is provided in an outer region of the rectangular concave groove, and is disposed to surround the substrate area protruding from the concave groove. The focus ring 220 is provided in a circular shape when viewed from the top, and a rectangular opening corresponding to the rectangular concave groove may be formed in the center thereof. The focus ring 220 may be provided of aluminum oxide. According to an example, the upper end of the focus ring 220 may be provided at the same height or higher than the upper surface of the substrate placed in the concave groove.

지지판(210)의 내부에는 냉각 유로(240)가 형성된다. 냉각 유로(240)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공되고, 냉각 유로(240)를 흐르는 냉각 유체에 의해 지지판(210) 상에 놓인 기판이 냉각된다. The cooling passage 240 is formed inside the support plate 210. The cooling flow path 240 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates, and the substrate placed on the support plate 210 is cooled by the cooling fluid flowing through the cooling flow path 240.

다시 도 1을 참조하면, 냉각 유체(240)는 냉각 유체 공급 라인(241)이 연결되고, 냉각 유체 저장부(미도시)로부터 냉각 유체는 냉각 유체 공급 라인(241)을 통해 냉각 유로(240)로 흐른다. 따라서, 냉각 유체 공급 라인(241)을 통해 냉각 유로(241)로 공급된 냉각 유체는 냉각 유로(240)를 따라 순환하며 지지판(210)을 냉각한다. 지지판(210)은 냉각되면서 기판을 냉각시켜 기판을 소정의 온도로 유지시킨다.Referring back to FIG. 1, the cooling fluid 240 is connected to the cooling fluid supply line 241, and the cooling fluid from the cooling fluid storage unit (not shown) is cooled through the cooling fluid supply line 241. Flows into. Therefore, the cooling fluid supplied to the cooling passage 241 through the cooling fluid supply line 241 circulates along the cooling passage 240 and cools the support plate 210. The support plate 210 cools the substrate while being cooled to maintain the substrate at a predetermined temperature.

지지판(210)의 하부에는 절연 플레이트(260)가 위치한다. 하부 커버(280)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(280)는 바디(120)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(280)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(280)의 상면은 절연 플레이트(260)에 의해 덮어진다. 따라서, 하부 커버(280)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(260)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(280)의 내부 공간(282)에는 반송되는 기판(을 외부의 반송부재로부터 사각의 오목홈으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(300) 등이 위치될 수 있다.An insulating plate 260 is positioned below the support plate 210. The lower cover 280 is located at the lower end of the support unit 200. The lower cover 280 is spaced apart from the bottom of the body 120 to the top. The lower cover 280 has a space where an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 280 is covered by the insulating plate 260. Thus, the outer radius of the cross section of the lower cover 280 may be provided with the same length as the outer radius of the insulating plate 260. In the internal space 282 of the lower cover 280, a lift pin module 300 or the like for moving the substrate to be transported from the external transport member to the rectangular concave groove may be positioned.

하부 커버(280)의 외측면과 바디(120)의 내측벽은 연결 부재(284)에 의해 서로 결합된다. 연결 부재(284)는 하부 커버(280)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(280)은 지지 유닛(200)을 공정 챔버(100) 내부에서 지지한다. 연결 부재(284)의 내부에는 하부 전극(290)와 연결되는 도선(291)과 냉각 유체 공급 라인(241)이 통과하는 홀이 형성된다.The outer surface of the lower cover 280 and the inner wall of the body 120 are coupled to each other by the connecting member 284. A plurality of connection members 284 may be provided on the outer surface of the lower cover 280 at regular intervals. The connection member 280 supports the support unit 200 inside the process chamber 100. A hole through which the conductive wire 291 connected to the lower electrode 290 and the cooling fluid supply line 241 pass is formed in the connection member 284.

핀 홀(212)은 지지판(210)의 내부에 제공된다. 핀 홀(212)은 지지판(210)의 내부에 복수개로 제공될 수 있다. 핀 홀(212)들은 리프트 핀 모듈(300)의 리프트 핀들과 동일한 개수로 제공 될 수 있다. 핀 홀(212)들은 지지판(306)을 상하 방향으로 관통한다. 리프트 핀 모듈(300)은 핀 홀(212)들을 통하여 지지판(210)에 놓인 기판을 상하 방향을 이동시킨다.The pin hole 212 is provided inside the support plate 210. The pin hole 212 may be provided in plural in the support plate 210. The pin holes 212 may be provided in the same number as the lift pins of the lift pin module 300. The pin holes 212 penetrate the support plate 306 in the vertical direction. The lift pin module 300 moves the substrate placed on the support plate 210 through the pin holes 212 in the vertical direction.

바디(120)와 유전창(140)에 의해 둘러 싸여진 공간에는 플레이트 유닛(400)이 위치한다. 플레이트 유닛(400)은 바디(120)의 내부 공간을 상부의 가스 도입 공간(124)과 하부의 처리 공간(126)로 구획한다. 가스 도입 공간(124)은 외부로부터 가스가 도입되는 공간이다. 일 예에 의하면, 가스 도입 공간 내에서 플라즈마가 생성될 수 있다. 처리 공간(126)은 기판에 대해 식각 처리가 수행되는 공간이다. 가스 도입 공간(124)에서 발생된 플라즈마 중 라디칼은 플레이트 유닛(400)을 통해 처리 공간(126)으로 흐른다.The plate unit 400 is positioned in a space surrounded by the body 120 and the dielectric window 140. The plate unit 400 divides the internal space of the body 120 into an upper gas introduction space 124 and a lower processing space 126. The gas introduction space 124 is a space where gas is introduced from the outside. According to one example, the plasma may be generated in the gas introduction space. The processing space 126 is a space where an etching process is performed on the substrate. Radicals in the plasma generated in the gas introduction space 124 flow through the plate unit 400 to the processing space 126.

도 3은 도 1의 플레이트 유닛의 사시도이이고, 도 4는 절단된 상태의 도 3의 플레이트 유닛을 보여주는 사시도이고, 도 5는 도 3의 플레이트 유닛의 평면도이다.3 is a perspective view of the plate unit of FIG. 1, FIG. 4 is a perspective view showing the plate unit of FIG. 3 in a cut state, and FIG. 5 is a plan view of the plate unit of FIG. 3.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 플레이트 유닛(400)은 지지대(420)와 분사 플레이트(440)를 포함한다.3 to 5, the plate unit 400 includes a support 420 and an injection plate 440.

지지대(440)는 바디(120)의 내벽에 결합된다. 지지대(440)는 접지될 수 있다. 이는 가스 도입 공간(124)으로 도입된 플라즈마 중 양이온과 음이온이 처리 공간(126)으로 유입되는 것을 최소화한다. 지지대(440)는 중앙에 개구가 형성된다. 지지대(440)는 환형의 링으로 제공되고, 그 원주 방향을 따라 상하 방향으로 관통 된 복수의 통공(422)들이 형성될 수 있다. 통공(422)은 그 길이 방향이 지지대(201)의 원주 방향을 따라 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 슬릿은 그 길이 방향이 외측으로 볼록하게 라운드질 수 있다. 통공(422)들은 서로 동일 간격으로 이격되게 배치될 수 있다. 가스 도입 공간(124)내의 가장자리 영역에서 공정 가스는 통공(422)들을 통해 처리 공간(126)으로 흐른다. 이는 가스 도입 공간(124) 내의 가장자리 영역에서 높은 압력으로 인해 플레이트 유닛(200)이 파손되는 것을 방지한다. The support 440 is coupled to the inner wall of the body 120. The support 440 may be grounded. This minimizes the introduction of positive and negative ions into the processing space 126 in the plasma introduced into the gas introduction space 124. The support 440 has an opening formed in the center thereof. The support 440 may be provided as an annular ring, and a plurality of through holes 422 may be formed to penetrate up and down along the circumferential direction thereof. The through hole 422 may be provided in a slit shape along a circumferential direction of the support 201 in the longitudinal direction thereof. The slit can be rounded convex outward in its longitudinal direction. The through holes 422 may be spaced apart from each other at equal intervals. In the edge region within the gas introduction space 124, process gas flows through the through holes 422 into the processing space 126. This prevents the plate unit 200 from breaking due to high pressure in the edge region in the gas introduction space 124.

분사 플레이트(440)는 지지대(420)의 개구를 덮도록 지지대(420)에 의해 지지된다. 지지대(420)의 내측면은 안쪽으로 갈수록 높이가 낮아지도록 단차지고, 분사 플레이트(440)는 단차진 영역에 놓여질 수 있다. 이와 같은 구조로 인해, 분사 플레이트(440)를 교체시 분사 플레이트(440)는 지지대(420)로부터 용이하게 제거될 수 있다. The injection plate 440 is supported by the support 420 to cover the opening of the support 420. The inner surface of the support 420 may be stepped to have a height lower toward the inside thereof, and the injection plate 440 may be placed in the stepped area. Due to this structure, the spray plate 440 can be easily removed from the support 420 when the spray plate 440 is replaced.

분사 플레이트(440)에는 홀(442)들이 형성된다. 가스 도입 공간(124)에 형성된 플라즈마에서 라디칼은 홀(442)들을 통해 처리 공간(126)로 유입된다. Holes 442 are formed in the injection plate 440. In the plasma formed in the gas introduction space 124, radicals enter the processing space 126 through the holes 442.

지지대(420)와 분사 플레이트(440)는 서로 상이한 재질일 수 있다. 지지대(420)는 분사 플레이트(440)에 비해 높은 압력에 더 견딜 수 있는 재질로 제공된다. 지지대(420)는 금속 재질로 제공되고, 분사 플레이트(440)는 비금속 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지대(420)는 알루미늄 재질로 제공되고, 분사 플레이트(440)는 석영 또는 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The support 420 and the spray plate 440 may be made of different materials. The support 420 is provided of a material that can withstand higher pressure more than the injection plate 440. The support 420 may be provided with a metal material, and the spray plate 440 may be provided with a non-metal material. For example, the support 420 may be made of aluminum, and the spray plate 440 may be made of quartz or ceramic.

본 발명의 실시예에 의하면, 가스 도입 공간(124) 내의 중앙 영역 내의 가스들은 분사 플레이트(440)에 형성된 홀(442)을 통해 방출되므로, 가스 도입 공간(124)의 가장자리 영역은 중앙 영역에 비해 압력이 더 높다. 이 경우, 가스 도입 공간(124)의 가장자리 영역에 대향하는 지지대(420)가 압력에 잘 견디는 재질로 제공되므로 플레이트 유닛(440)이 파손되는 것을 줄일 수 있다. According to the embodiment of the present invention, since the gases in the central region in the gas introduction space 124 are discharged through the holes 442 formed in the injection plate 440, the edge region of the gas introduction space 124 is compared with the central region. The pressure is higher. In this case, since the support 420 facing the edge region of the gas introduction space 124 is provided with a material that can withstand pressure well, damage to the plate unit 440 may be reduced.

상술한 예에서는 지지대(420)에 통공(422)들이 형성되는 것으로 예를 들어 설명하였다. 그러나 공정 조건 또는 지지대의 재질에 따라 가스 도입 공간의 압력에 대해 통공 없이 지지대가 파손되는 것을 견딜 수 있는 경우 도 6와 같이 지지대(420a)는 통공들이 형성되지 않는 블로킹 플레이트(Blocking plate)로 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described by way of example that the through holes 422 are formed in the support 420. However, if the support can be damaged without openings with respect to the pressure of the gas introduction space according to the process conditions or the material of the support, as shown in FIG. 6, the support 420a may be provided as a blocking plate in which no openings are formed. Can be.

상술한 예에서는 지지대(420)에 통공(422)들이 슬릿 형상으로 형성되는 것으로 예를 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 14와 같이 지지대(420b)에 형성된 통공(422b)들은 도 7에 형성된 통공(422)들 보다 더 넓은 면적을 갖는 등 다양한 형성으로 제공될 수 있다.In the above-described example, the through holes 422 are formed in the slit shape in the support 420. Unlike this, however, the through holes 422b formed in the support 420b as shown in FIG. 14 may have a wider area than the through holes 422 formed in FIG. 7.

도 8는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 예를 보여주는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating another example of the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 8을 참조하면, 기판 처리 장치는 가스 도입 공간(124)의 체적이 변경될 수 있는 구조로 제공된다. 일 예에 의하면, 기판 처리 장치는 플레이트 유닛(400)을 상하로 이동 시키는 이동 부재(430)와 이동 부재를 제어하는 제어기(431)을 더 포함할 수 있다. 이동 부재(430)는 지지대(420)과 결합된다. 이동 부재(430)는 지지대(420)를 상하로 이동시키고, 이에 분사 플레이트(440)도 지지대(420)와 함께 상하로 이동한다.Referring to FIG. 8, the substrate processing apparatus is provided in a structure in which a volume of the gas introduction space 124 may be changed. According to an example, the substrate processing apparatus may further include a moving member 430 for moving the plate unit 400 up and down and a controller 431 for controlling the moving member. The moving member 430 is coupled to the support 420. The moving member 430 moves the support 420 up and down, and thus the injection plate 440 also moves up and down together with the support 420.

도 9은 도 8의 기판 처리 장치에서 가스 도입 공간이 제1체적으로 변경된 상태를 보여주는 단면도이고, 도 10은 도 8의 기판 처리 장치에서 가스 도입 공간이 제2체적으로 변경된 상태를 보여주는 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a state in which a gas introduction space is changed to a first volume in the substrate processing apparatus of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a state in which a gas introduction space is changed to a second volume in the substrate processing apparatus of FIG. 8.

일 예에 의하면, 기판에 형성된 재료층의 종류에 따라 가스 도입 공간(124)의 체적(Volume)을 변경할 수 있다.According to an example, the volume of the gas introduction space 124 may be changed according to the type of material layer formed on the substrate.

예컨대, 기판 상에 형성된 제1막에 대한 식각 공정을 수행하는 경우 가스 도입 공간(124)은 도 9과 같이 제1체적(V1)으로 제공된다. 있다. 가스 도입 공간(124)이 제1체적(V1)을 갖도록 제어기(431)은 이동 부재(430)를 제어하여 지지대(420)를 승강시킬 수 있다. 기판 상에 형성된 제2막에 대한 식각 공정을 수행하는 경우 가스 도입 공간(124)은 도 10와 같이 제2체적(V2)으로 제공될 수 있다. 제2체적(V2)은 제1체적(V1)보다 큰 체적일 수 있다. 제1체적과 제2체적 간의 변경은 지지대(420)의 높이를 변경하도록 제어기(431)가 이동 부재(430)를 제어함으로써 수행될 수 있다. 이와 같이 식각이 이루어지는 막의 종류에 따라 처리 공간으로 도입되는 라디칼의 밀도를 제어할 수 있다.For example, when performing an etching process on the first film formed on the substrate, the gas introduction space 124 is provided as the first volume V1 as shown in FIG. 9. have. The controller 431 may elevate the support 420 by controlling the moving member 430 such that the gas introduction space 124 has the first volume V1. When performing an etching process on the second film formed on the substrate, the gas introduction space 124 may be provided as the second volume V2 as shown in FIG. 10. The second volume V2 may be a volume larger than the first volume V1. The change between the first volume and the second volume may be performed by the controller 431 controlling the moving member 430 to change the height of the support 420. In this manner, the density of radicals introduced into the processing space can be controlled according to the type of the film to be etched.

다른 예에 의하면, 처리가 이루어지는 기판의 종류에 따라 가스 도입 공간(124)의 체적(Volume)을 조절 할 수 있다. According to another example, the volume of the gas introduction space 124 can be adjusted according to the type of the substrate on which the processing is performed.

예컨대, 제1기판에 대해 공정을 수행하는 경우 가스 도입 공간(124)은 도 9과 같이 제1체적(V1)으로 제공되고, 제2기판에 대해 공정을 진행하는 경우 가스 도입 공간은 도 10와 같이 제2체적(V2)으로 제공될 수 있다. 제1체적(V1)과 제2체적(V2) 간의 변경은 상술한 바와 같이 지지대(420)의 높이를 변경하도록 제어기(431)가 이동 부재(430)를 제어함으로써 수행될 수 있다.For example, when the process is performed on the first substrate, the gas introduction space 124 is provided in the first volume V1 as shown in FIG. 9, and when the process is performed on the second substrate, the gas introduction space is shown in FIG. Likewise, the second volume V2 may be provided. The change between the first volume V1 and the second volume V2 may be performed by the controller 431 controlling the moving member 430 to change the height of the support 420 as described above.

다시 도 1을 참조하면, 가스 공급 유닛(600)은 가스 도입 공간(124)에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(600)은 가스 공급원(610), 유량 조절 부재(620), 가스 공급 라인(640), 사이드 노즐(660), 상부 노즐(680)를 포함한다. 가스 공급원(610)은 가스 공급 라인(640) 중 메인 라인(642)와 연결된다. 가스 공급원(610)에 저장된 공정 가스는 메인 라인(642)과 분기 라인(644)을 거쳐, 사이드 노즐(660)들과 상부 노즐(680)에 공급된다.Referring back to FIG. 1, the gas supply unit 600 supplies a process gas to the gas introduction space 124. The gas supply unit 600 includes a gas supply source 610, a flow control member 620, a gas supply line 640, a side nozzle 660, and an upper nozzle 680. The gas supply source 610 is connected to the main line 642 of the gas supply line 640. The process gas stored in the gas source 610 is supplied to the side nozzles 660 and the upper nozzle 680 via the main line 642 and the branch line 644.

유전창(140)과 커버(160)의 사이에는 플라즈마 소스(800)가 제공된다. 플라즈마 소스(800)은 안테나 유닛(801)과 안테나 유닛(801)에 고주파를 인가하는 고주파 전원(803)를 포함한다. 플라즈마 소스(800)는 가스 공급 유닛(600)이 가스 도입 공간(124)에 공정 가스를 도입하면, 가스 도입 공간(124)에서 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킨다.A plasma source 800 is provided between the dielectric window 140 and the cover 160. The plasma source 800 includes an antenna unit 801 and a high frequency power source 803 for applying a high frequency to the antenna unit 801. The plasma source 800 generates plasma from the process gas in the gas introduction space 124 when the gas supply unit 600 introduces the process gas into the gas introduction space 124.

유전창(140)의 상단에는 온도 조절 유닛(1000)이 제공된다. 온도 조절 유닛(1000)은 유전창(140)의 온도를 제어한다. 일 예로, 온도 조절 유닛(1000)은 유전창(140)에 냉각 가스를 공급한다. 이에 유전창(140)을 냉각시킨다. 또한, 온도 조절 유닛(1000)은 히터를 포함할 수 있다. 온도 조절 유닛(1000)의 히터는 열을 발생시켜 유전창(140)을 가열한다. The temperature control unit 1000 is provided at the top of the dielectric window 140. The temperature control unit 1000 controls the temperature of the dielectric window 140. For example, the temperature control unit 1000 supplies a cooling gas to the dielectric window 140. This cools the dielectric window 140. In addition, the temperature control unit 1000 may include a heater. The heater of the temperature control unit 1000 generates heat to heat the dielectric window 140.

도 11은 도 1의 온도 조절 유닛의 일 부분을 보여주는 사시도이고, 도 12은 도 1의 온도 조절 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 온도 조절 유닛(1000)은 플레이트(1200)과, 온도 조절 블록(1400)을 포함할 수 있다. FIG. 11 is a perspective view illustrating a part of the temperature control unit of FIG. 1, and FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing an example of the temperature control unit of FIG. 1. 11 and 12, the temperature control unit 1000 may include a plate 1200 and a temperature control block 1400.

플레이트(1200)는 유전창(140)의 상부와 대향 되도록 배치된다. 플레이트(1200)에는 배기홀(1210)이 형성된다. 플레이트(1200)와 유전창(140)의 사이 공간(1220) 내에 공급되는 냉각 가스는 배기홀(1210)을 통해 배출된다. 플레이트(1200)는 상부에서 바라 볼 때 원 형상으로 제공되고, 배기홀(1210)들은 플레이트(1200)의 반경 방향 및 원주 방향을 따라 복수개가 제공될 수 있다. 또한 배기홀(1210)의 면적은 플레이트(1200)을 상부에서 바라볼 때, 플레이트(1200)의 가장자리 영역에서 플레이트(1200)의 중심 영역으로 갈수록 점차 넓어지도록 제공될 수 있다. 이 경우 중심 영역에서의 플레이트(1200)를 통한 냉각 가스의 배기는 가장 자리 영역보다 원활하게 이루어진다. 이에 플레이트(1200)와 유전창(140)의 사이 공간(1220)의 측면에서 공급되는 냉각 가스는 유전창(140)을 균일하게 냉각시킬 수 있다.The plate 1200 is disposed to face the upper portion of the dielectric window 140. An exhaust hole 1210 is formed in the plate 1200. The cooling gas supplied in the space 1220 between the plate 1200 and the dielectric window 140 is discharged through the exhaust hole 1210. The plate 1200 may be provided in a circular shape when viewed from the top, and a plurality of exhaust holes 1210 may be provided along the radial direction and the circumferential direction of the plate 1200. In addition, the area of the exhaust hole 1210 may be provided to gradually increase from the edge region of the plate 1200 to the center region of the plate 1200 when the plate 1200 is viewed from above. In this case, the exhaust of the cooling gas through the plate 1200 in the center region is smoother than the edge region. Accordingly, the cooling gas supplied from the side of the space 1220 between the plate 1200 and the dielectric window 140 may uniformly cool the dielectric window 140.

온도 조절 블록(1400)은 온도 조절 블록(1400)내에 제공되어 유전창(140)을 가열하는 히터(1420)를 포함할 수 있다. 온도 조절 블록(1400)은 히터(1420)를 통해 유전창(140)을 가열하여 승온시킨다. 온도 조절 블록(1400)은 유전창(140)의 가장자리 주변에 배치되고, 구체적으로 온도 조절 블록(1400)은 유전창(140)의 상면 가장자리 영역에 위치한다. 온도 조절 블록(1400)은 유전창(140)을 사이에 두고 바디(120)와 이격되게 배치될 수 있다. 구체적으로, 유전창(140)은 상면 가장자리 영역이 상면 중앙 영역보다 낮은 높이에 배치되도록 단차지며, 온도 조절 블록(1400)은 유전창(140)의 상면 가장자리 영역에 위치될 수 있다. 바디(120)와 온도 조절 블록(1400)은 유전창(140)에 비해 열 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 바디(120)와 온도 조절 블록(1400)의 재질은 금속을 포함하고, 유전창(140)의 재질은 쿼츠 또는 세라믹을 포함할 수 있다. 이처럼 온도 조절 블록(1400)은 유전창(140)과 이격되게 제공될 수 있다. 이에 온도 조절 블록(1400)에 제공되는 히터(1420)가 발생시키는 열이 바디(120)에 전달되어 손실되는 정도는 감소한다. The temperature control block 1400 may include a heater 1420 provided in the temperature control block 1400 to heat the dielectric window 140. The temperature control block 1400 heats and heats the dielectric window 140 through the heater 1420. The temperature control block 1400 is disposed around the edge of the dielectric window 140, and specifically, the temperature control block 1400 is located at an upper edge region of the dielectric window 140. The temperature control block 1400 may be disposed to be spaced apart from the body 120 with the dielectric window 140 therebetween. Specifically, the dielectric window 140 is stepped so that the top edge region is disposed at a height lower than the top center region, and the temperature control block 1400 may be located at the top edge region of the dielectric window 140. The body 120 and the temperature control block 1400 may be provided of a material having a higher thermal conductivity than the dielectric window 140. For example, the material of the body 120 and the temperature control block 1400 may include a metal, and the material of the dielectric window 140 may include quartz or ceramic. As such, the temperature control block 1400 may be provided to be spaced apart from the dielectric window 140. As a result, the heat generated by the heater 1420 provided to the temperature control block 1400 is transferred to the body 120 to be reduced.

냉각 노즐(1440)은 플레이트(1200)와 유전창(140)의 사이 공간(1220)에 냉각 유체를 공급한다. 냉각 노즐(1440)은 플레이트(1200)와 유전창(140)의 사이 공간(1220) 측면에 위치하여, 유전창(140)의 상면과 평행한 방향으로 냉각 유체를 분사하도록 제공될 수 있다. 냉각 노즐(1440)이 냉각 가스를 사이 공간(1220)의 측면에서 공급하면, 냉각 가스는 사이 공간(1220)에 일정 시간 머무르게 된다. 이에 냉각 가스는 유전창(1440)을 냉각된다. 유전창(140)을 냉각시킨 이후 냉각 가스는 배기홀(1210)을 통해 외부로 배기된다. 냉각 가스가 사이 공간(1220)의 측면에서 공급됨으로써, 유전창(140)의 냉각을 균일하게 할 수 있다.The cooling nozzle 1440 supplies a cooling fluid to the space 1220 between the plate 1200 and the dielectric window 140. The cooling nozzle 1440 may be positioned at a side of the space 1220 between the plate 1200 and the dielectric window 140 and may be provided to spray cooling fluid in a direction parallel to the top surface of the dielectric window 140. When the cooling nozzle 1440 supplies the cooling gas from the side of the interspace 1220, the cooling gas stays in the interspace 1220 for a predetermined time. As a result, the cooling gas cools the dielectric window 1440. After cooling the dielectric window 140, the cooling gas is exhausted to the outside through the exhaust hole 1210. Cooling gas is supplied from the side surface of the interstitial space 1220, whereby cooling of the dielectric window 140 can be made uniform.

또한, 냉각 노즐(1440)은 온도 조절 블록(1400)의 내부에 형성될 수 있다. 또한, 냉각 노즐(1440)은 복수개로 제공될 수 있다. 온도 조절 블록(1400)이 링 형상으로 제공되는 경우, 냉각 노즐(1440)은 온도 조절 블록(1400)의 원주 방향을 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다.In addition, the cooling nozzle 1440 may be formed inside the temperature control block 1400. In addition, the cooling nozzle 1440 may be provided in plurality. When the temperature control block 1400 is provided in a ring shape, the cooling nozzles 1440 may be disposed at regular intervals along the circumferential direction of the temperature control block 1400.

다른 실시 예로, 도 13과 같이 플레이트(1200a)는 통공이 형성되지 않는 플레이트인 블로킹 플레이트(Bloking plate)로 제공될 수 있다. 이 경우 냉각 노즐(1440)은 냉각수를 공급할 수 있다. 또한, 냉각 노즐(1440)의 개수와 대응 되는 개수의 냉각수 배출 라인(1410)을 포함할 수 있다. 냉각수의 배출은 냉각 수 배출 밸브(1411)에 의해 조절된다. 냉각수 배출 밸브(1411)를 제어하여, 냉각수가 사이공간(1220)에 머무르는 시간을 조절할 수 있다. 이에 유전창(140)이 냉각되는 정도를 조절할 수 있다. In another embodiment, as shown in FIG. 13, the plate 1200a may be provided as a blocking plate, which is a plate on which no through hole is formed. In this case, the cooling nozzle 1440 may supply cooling water. In addition, the number of cooling water discharge lines 1410 corresponding to the number of cooling nozzles 1440 may be included. Discharge of the coolant is controlled by the coolant discharge valve 1411. The cooling water discharge valve 1411 may be controlled to adjust the time for which the cooling water stays in the interspace 1220. Accordingly, the degree of cooling the dielectric window 140 may be adjusted.

도 14은 도 11의 온도 조절 유닛에서 열과 가스의 이동 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 14 is a view schematically showing a movement path of heat and gas in the temperature control unit of FIG. 11.

도 14을 참조하면, 냉각 노즐(1440)는 플레이트(1200)와 유전창(140)의 사이 공간(1220)로 냉각 가스를 공급한다. 냉각 노즐(1440)의 냉각 가스의 공급은 사이 공간(1220)의 측면에서 공급한다. 냉각 노즐(1440)이 냉각 가스를 사이 공간(1220)의 측면에서 공급하면, 냉각 가스는 사이 공간(1220)에 일정 시간 머무르게 된다. 이에 냉각 가스는 유전창(140)을 냉각된다. 유전창(140)을 냉각시킨 이후 냉각 가스는 배기홀(1210)을 통해 외부로 배기된다. Referring to FIG. 14, the cooling nozzle 1440 supplies a cooling gas to the space 1220 between the plate 1200 and the dielectric window 140. The supply of the cooling gas of the cooling nozzle 1440 is supplied at the side of the interspace 1220. When the cooling nozzle 1440 supplies the cooling gas from the side of the interspace 1220, the cooling gas stays in the interspace 1220 for a predetermined time. As a result, the cooling gas cools the dielectric window 140. After cooling the dielectric window 140, the cooling gas is exhausted to the outside through the exhaust hole 1210.

일반적으로 유전창을 냉각시키는 냉각 가스는 유전창의 상부에서 유전창의 상면과 수직한 방향으로 공급된다. 이 경우, 냉각 가스가 유전창과 충돌되는 영역에서는 냉각 효율이 높다. 다만, 냉각가스가 유전창과 충돌되는 영역 외에서는 냉각 가스가 균일하게 전달되지 못하여 냉각 효율이 저하될 수 있다. 따라서 상술한 바와 같이 냉각 가스를 사이 공간(1220)의 측면에서 공급하면, 냉각 가스가 유전창(140)의 상부 모든 영역에 전달된다. 이에 보다 유전창(140)을 균일하게 냉각시킬 수 있다. Generally, cooling gas for cooling the dielectric window is supplied in a direction perpendicular to the upper surface of the dielectric window at the top of the dielectric window. In this case, the cooling efficiency is high in the region where the cooling gas collides with the dielectric window. However, the cooling gas may not be uniformly delivered outside the region in which the cooling gas collides with the dielectric window, thereby lowering the cooling efficiency. Therefore, as described above, when the cooling gas is supplied from the side of the interspace 1220, the cooling gas is delivered to all regions of the upper portion of the dielectric window 140. The dielectric window 140 can be cooled more uniformly.

온도 조절 블록(1400)에 제공된 히터(1420)은 열을 발생시킨다. 히터(1420) 유전창(140)을 가열하여 승온시킨다. 온도 조절 블록(1400)은 바디(120)와 이격되게 위치되어 있기 때문에, 히터(1420)가 발생시킨 열은 바디(120)를 통해 손실되지 않는다. The heater 1420 provided to the temperature control block 1400 generates heat. The heater 1420 heats up the dielectric window 140. Since the temperature control block 1400 is spaced apart from the body 120, the heat generated by the heater 1420 is not lost through the body 120.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀 모듈의 사시도이다.15 is a perspective view of a lift pin module according to an embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 리프트 핀 모듈(300)은 리프트 핀(320), 승강 부재(340), 베이스 판(360)을 포함한다.Referring to FIG. 15, the lift pin module 300 includes a lift pin 320, a lifting member 340, and a base plate 360.

리프트 핀(320)은 기판를 상하 이동시킨다. 리프트 핀(320)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 리프트 핀(320)은 승강 부재(340)과 각각 결합된다. 이에 의해, 리프트 핀(320)들은 그 상하강 이동이 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 승강 부재(340)는 모터일 수 있다. 이에 하나의 승강 부재(340)를 사용시 리프트 핀(320)들의 상단의 수평이 서로 상이할 수 있으나, 개별적으로 제어시 이를 정확하게 수평으로 조절할 수 있다. 이에 리프트 핀(320)들의 높이를 수평으로 유지할 수 있으므로. 이에 각 리프트 핀(320)의 높이가 달라 기판이 승강하는 동안에 리프트 핀으로부터 미끄러지는 것을 방지할 수 있다. 이에 리프트 핀(320)에 안착되는 기판의 수평을 항상 유지한다. 또한 리프트 핀(320)의 상하 이동에 있어서 위치 정밀도, 반복 정밀도를 향상시키고, 리프트 핀(320)의 높이 조정 용이하게 할 수 있다. 리프트 핀(320)들과 승강 부재(340)는 베이스 판(360) 상에 설치되며, 베이스 판(360)은 하부 커버(280)의 내부 공간에 위치될 수 있다. The lift pin 320 moves the substrate up and down. The lift pins 320 may be provided in plurality. Each lift pin 320 is coupled with the elevating member 340, respectively. As a result, the lift pins 320 may be controlled to move their up and down independently of each other. The elevating member 340 may be a motor. In this case, when the one lifting member 340 is used, the horizontal levels of the upper ends of the lift pins 320 may be different from each other. Since the height of the lift pins 320 can be kept horizontal. Accordingly, since the height of each lift pin 320 is different, it is possible to prevent the substrate from sliding off the lift pin while the substrate is being raised and lowered. This keeps the level of the substrate seated on the lift pin 320 at all times. Moreover, in the vertical movement of the lift pin 320, positional accuracy and repeatability can be improved, and height adjustment of the lift pin 320 can be made easy. The lift pins 320 and the elevating member 340 may be installed on the base plate 360, and the base plate 360 may be located in an inner space of the lower cover 280.

도 16은 도 15의 리프트 핀 모듈의 평면도이다.16 is a top view of the lift pin module of FIG. 15.

도 16을 참조하면 리프트 핀 모듈(300)은 편차 감지 센서(382)와 승강 부재(340)들을 제어하는 제어기(380)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 16, the lift pin module 300 may further include a controller 380 for controlling the deviation detecting sensor 382 and the lifting members 340.

편차 감지 센서(382)는 각각 리프트 핀(320)들이 기판을 들어올리는 경우 각 리프트 핀(320)들의 높이 편차를 감지한다. 각 리프트 핀(320)들의 최대 상승 높이에 있어서, 편차가 감지되는 경우 신호를 발생시키고, 이러한 신호를 제어기(380)에 전송한다. 제어기(380)는 편차 감지 센서(382)가 발생시킨 신호에 근거하여 리프트 핀(320)들의 높이가 일치되도록 승강 부재(340)를 제어한다.The deviation sensor 382 detects the height deviation of each lift pin 320 when the lift pins 320 lift the substrate, respectively. For the maximum rise height of each lift pin 320, a signal is generated when a deviation is detected and transmitted to the controller 380. The controller 380 controls the elevating member 340 to match the height of the lift pins 320 based on the signal generated by the deviation detecting sensor 382.

도 17은 도 16의 리프트 핀 모듈의 동작 과정의 일 예를 설명하기 위한 플로우 차트이고, 도 18는 도 17의 회전수 설정 단계에서 리프트 핀의 상단에서 높이 편차가 발생한 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다.17 is a flowchart illustrating an example of an operation process of the lift pin module of FIG. 16, and FIG. 18 is a view schematically illustrating a state in which a height deviation occurs at an upper end of the lift pin in the rotation speed setting step of FIG. 17. .

도 17 및 도 18를 참조하여 리프트 핀 모듈의 동작을 설명한다. 기판을 처리하는 방법은 회전 수 설정 단계(S10), 기판 반입 단계(S20), 기판 처리 단계(S30), 기판 승강 단계(S40)를 포함한다.The operation of the lift pin module will be described with reference to FIGS. 17 and 18. The method of processing the substrate includes a rotation speed setting step (S10), a substrate loading step (S20), a substrate processing step (S30), and a substrate lifting step (S40).

회전 수 설정 단계(S10)는 리프트 핀(320)을 핀업 높이까지 이동시킬 때 이들이 모두 수평이 유지되도록 회전수를 설정하는 단계이다. 모터인 승강 부재(340)들을 기설정된 회전 수로 회전 시켜 리프트 핀(320)들을 핀업 높이까지 이동시킨다. 예컨대, 기 설정된 회전 수는 모든 모터들에 동일할 수 있다. 편차 감지 센서(382)는 각 리프트 핀(320)들의 높이를 측정한다. 측정된 각 리프트 핀(320)들의 높이를 측정하여, 각 리프트 핀(320) 상호 간에 높이의 편차(a)를 산출한다. 편차 감지 센서(382)가 신호를 발생시킨 경우 경우, 제어기(380)는 편차(a)가 발생하지 않도록 모터들 중 선택된 모터의 기설정된 회전수를 변경한다. 이에 모터인 승강부재(309)들 중 선택된 모터의 설정된 회전수를 재설정한다. 회전 수 설정 단계(S10)에서 최종적으로 설정된 모터들의 회전수는 서로 상이하게 제공될 수 있다.The rotation speed setting step (S10) is a step of setting the rotation speed so that they are all horizontal when the lift pin 320 is moved to the pinup height. The lift pins 320 are rotated by a predetermined number of revolutions of the motor lifting member 340 to the pinup height. For example, the preset number of revolutions may be the same for all motors. The deviation detection sensor 382 measures the height of each lift pin 320. By measuring the height of each of the lift pins 320 measured, a deviation (a) of the height between each lift pin 320 is calculated. When the deviation detecting sensor 382 generates a signal, the controller 380 changes the preset rotational speed of the selected motor among the motors so that the deviation a does not occur. This resets the set number of revolutions of the selected motor among the lifting members 309 that are motors. The rotation speed of the motors finally set in the rotation speed setting step S10 may be provided differently from each other.

기판 반입 단계(S20)에서는 기판를 처리 공간(126)으로 반입한다. 기판 처리 단계(S30)에서는, 가스 공급 유닛(600)이 공급한 공정가스를 이용하여 처리 공간(126)에 반입된 기판을 처리한다. 기판 처리 단계(S30) 이후, 기판 승강 단계(S40)에서는, 회전 수 설정 단계(S10)에서 설정된 각각의 모터의 회전수를 이용하여 각 리프트 핀(320)을 승강시켜 지지판(210)으로부터 기판을 들어 올린다. 기판의 재질은 석영을 포함할 수 있다. 기판 승강 단계(S40)에서 모터의 회전 속도는 리프트 핀(320)의 승강 속도가 0.3m/s ~ 5mm/s가 되도록 설정될 수 있다. 이에 기판의 승강이 저속으로 이루어짐으로써, 기판의 하부에 긁힘 현상이 발생하는 것을 최소화할 수 있다. In the substrate loading step S20, the substrate is loaded into the processing space 126. In the substrate processing step S30, the substrate loaded into the processing space 126 is processed using the process gas supplied from the gas supply unit 600. After the substrate processing step (S30), in the substrate lifting step (S40), by lifting and lowering each lift pin 320 by using the rotation speed of each motor set in the rotation speed setting step (S10) to lift the substrate from the support plate 210 Lift up The material of the substrate may include quartz. In the substrate lifting step S40, the rotation speed of the motor may be set such that the lifting speed of the lift pin 320 is 0.3 m / s to 5 mm / s. As a result, the lowering of the substrate is performed at a low speed, thereby minimizing the occurrence of scratches in the lower portion of the substrate.

일반적으로 기판이 실리콘 재질의 웨이퍼인 경우, 리프트 핀(320)이 빠른 속도로 승강하더라도 웨이퍼가 파손되지 않는다. 또한 향후 웨이퍼에 형성된 칩들을 분리하기 전에 웨이퍼의 저면은 그라인딩되어 웨이퍼는 얇아진다. 따라서 리프트 핀(320)의 빠른 승강으로 인해 웨이퍼의 저면에 스크래치가 발생하더라도 향후 그라인딩에 의해 제거되기 때문에 스크래치로 인한 문제가 발생되지 않는다. 이에 반해, 기판이 포토 마스크인 경우, 포토 마스크는 석영 재질로 제공되기 때문에 리프트 핀(320)이 빠르게 승강하여 포토 마스크와 충돌하면 포토 마스크가 파손된다. 또한, 포토 마스크가 파손되지 않더라도 그 저면에 스크래치가 발생한 경우, 향후 포토 마스크를 사용하여 웨이퍼에 패턴을 전사하는 노광 공정시 공정 불량이 발생된다.In general, when the substrate is a wafer made of silicon, the wafer is not damaged even if the lift pin 320 is elevated at a high speed. In addition, the wafer bottom is ground before the chips formed on the wafer are separated, resulting in a thinner wafer. Therefore, even if a scratch occurs on the bottom surface of the wafer due to the rapid lift of the lift pin 320, the problem due to the scratch does not occur because it is removed by grinding in the future. In contrast, when the substrate is a photo mask, since the photo mask is made of quartz, the photo mask is damaged when the lift pin 320 is quickly lifted and collides with the photo mask. In addition, even if the photomask is not damaged, if a scratch occurs on the bottom surface, a process defect may occur in an exposure process in which a pattern is transferred to a wafer using a photomask in the future.

다시 도1을 참조하면, 가스 공급 유닛(600)은 가스 도입 공간(124)에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(600)은 가스 공급원(610), 유량 조절 부재(620), 가스 공급 라인(640), 사이드 노즐(660), 상부 노즐(680)를 포함한다. 가스 공급원(610)은 가스 공급 라인(640) 중 메인 라인(642)와 연결된다. 가스 공급원(610)에 저장된 공정 가스는 메인 라인(642)과 분기 라인(644)을 거쳐, 사이드 노즐(660)들과 상부 노즐(680)에 공급된다.Referring back to FIG. 1, the gas supply unit 600 supplies a process gas to the gas introduction space 124. The gas supply unit 600 includes a gas supply source 610, a flow control member 620, a gas supply line 640, a side nozzle 660, and an upper nozzle 680. The gas supply source 610 is connected to the main line 642 of the gas supply line 640. The process gas stored in the gas source 610 is supplied to the side nozzles 660 and the upper nozzle 680 via the main line 642 and the branch line 644.

유량 조절 부재(620)는 분기 라인(644)들로 분기되는 가스의 유량을 제어한다.The flow regulating member 620 controls the flow rate of the gas branched to the branch lines 644.

가스 공급 라인(640)은 가스 공급원(610)과 연결되는 메인 라인(642)과 메인 라인(642)으로부터 복수 회 순차적으로 분기되어 사이드 노즐(660)과 상부 노즐에 연결되는 분기라인(644)를 포함할 수 있다.The gas supply line 640 sequentially branches a plurality of times from the main line 642 and the main line 642 connected to the gas supply source 610 to the branch line 644 connected to the side nozzle 660 and the upper nozzle. It may include.

도 19은 도 1의 가스 공급 유닛의 일 실시예를 보여주는 도면이다.19 is a view showing an embodiment of the gas supply unit of FIG. 1.

도 19를 참조하면, 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 분기라인(644)는 각각의 사이드 노즐(660)들과 연결되어 있는 복수의 채널(671, 672, 673, 674)에 연결된다. 예컨대, 채널은 4개일 수 있다. 복수의 채널(671, 672, 673, 674)에 연결된 최초 분기되는 분기라인(644)들은 다시 순차적으로 분기되어 각각의 사이드 노즐(660)들과 연결된다. 유량 조절 부재(620)는 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 분기라인(644)으로 공급되는 공정 가스의 유량을 조절하도록 제공될 수 있다. 복수의 채널(671, 672, 673, 674)에 연결되는 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 분기라인(644)의 유량을 조절함으로써, 가스 도입 공간(124)으로의 가스 공급이 균일하게 이루어 질 수 있도록 할 수 있다. Referring to FIG. 19, a branch line 644 which is first branched from the main line 642 is connected to a plurality of channels 671, 672, 673, and 674 connected to the respective side nozzles 660. For example, there may be four channels. The first branching lines 644 connected to the plurality of channels 671, 672, 673, and 674 are sequentially branched again to be connected to the respective side nozzles 660. The flow regulating member 620 may be provided to adjust the flow rate of the process gas supplied to the branch line 644 which is first branched from the main line 642. By adjusting the flow rate of the branch line 644 which is first branched from the main line 642 connected to the plurality of channels 671, 672, 673, 674, the gas supply to the gas introduction space 124 can be made uniform. You can do that.

도 20는 도 19의 사이드 노즐들로 가스를 공급하는 가스 공급 라인의 구조의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.20 is a view schematically illustrating an example of a structure of a gas supply line supplying gas to side nozzles of FIG. 19.

메인 라인(642)은 가스 공급원(610)과 연결된다. 메인 라인(642)은 가스 공급원(610)으로부터 공정 가스를 공급 받아, 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 분기라인(644)으로 가스를 공급한다. 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 분기라인(644) 중 어느 하나는 상부 노즐(680)과 연결된다. 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 나머지 분기라인(644) 라인은 복수의 채널(671, 672, 673, 674)과 각각 연결된다. 복수의 채널(671, 672, 673, 674)과 각각 연결된 분기라인(644)들은 다시 각각의 사이드 노즐(660)들과 연결된다. 유량 조절 부재(620)는 메인 라인(642)으로부터 최초 분기되는 분기라인(644)의 유량을 조절함으로써, 가스 도입 공간(124)으로의 가스 공급이 균일하게 이루어 질 수 있도록 할 수 있다.Main line 642 is connected to gas source 610. The main line 642 receives the process gas from the gas supply source 610, and supplies gas to the branch line 644 which is first branched from the main line 642. Any one of the branch lines 644 which is first branched from the main line 642 is connected to the upper nozzle 680. The remaining branch lines 644, which are first branched from the main line 642, are connected to the plurality of channels 671, 672, 673, and 674, respectively. Branch lines 644 connected to the plurality of channels 671, 672, 673, and 674, respectively, are connected to the respective side nozzles 660. The flow rate adjusting member 620 may adjust the flow rate of the branch line 644 which is first branched from the main line 642, so that the gas supply to the gas introduction space 124 may be made uniform.

사이드 노즐(660)들은 복수개로 그룹되어 질 수 있다. 각각의 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들의 수는 동일하게 제공될 수 있다. 각각의 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들은 서로 인접하게 위치될 수 있다. 동일 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들에 연결된 분기라인 들은 각각 동일한 채널에 연결될 수 있다. 동일 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들의 유량은 동일하게 제공될 수 있다. 예컨대, 제1사이드 노즐(660-1), 제2사이드 노즐(660-2)이 제1그룹(660a), 제3사이드 노즐(660-3), 제4사이드 노즐(660-4)이 제2그룹(660b), 제5사이드 노즐(660-5), 제6사이드 노즐(660-6)이 제3그룹(660c), 제7사이드 노즐(660-7), 제8사이드 노즐(660-8)이 제4그룹(660d)으로 정의 될 수 있다. 제1그룹(660a)에 속하는 사이드 노즐(660-1, 660-2)들과 연결된 분기라인은 제1채널(671)에 연결될 수 있다. 제2그룹(660b)에 속하는 사이드 노즐(660-3, 660-4)들과 연결된 분기라인은 제2채널(672)에 연결될 수 있다. 제3그룹(660c)에 속하는 사이드 노즐(660-5, 660-6)들과 연결된 분기라인은 제3채널(673)에 연결될 수 있다. 제4그룹(660d)에 속하는 사이드 노즐(660-7, 660-8)들과 연결된 분기라인은 제4채널(674)에 연결될 수 있다. 각 채널(671, 672, 673, 674)에 연결된 동일 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들의 유량은 동일하게 제공된다.The side nozzles 660 may be grouped into a plurality. The number of side nozzles 660 belonging to each group may be provided equally. Side nozzles 660 belonging to each group may be located adjacent to each other. Branch lines connected to the side nozzles 660 belonging to the same group may be connected to the same channel, respectively. The flow rates of the side nozzles 660 belonging to the same group may be provided identically. For example, the first side nozzle 660-1 and the second side nozzle 660-2 are formed of the first group 660a, the third side nozzle 660-3, and the fourth side nozzle 660-4. The second group 660b, the fifth side nozzle 660-5, and the sixth side nozzle 660-6 are the third group 660c, the seventh side nozzle 660-7, and the eighth side nozzle 660-. 8) may be defined as the fourth group 660d. Branch lines connected to the side nozzles 660-1 and 660-2 belonging to the first group 660a may be connected to the first channel 671. Branch lines connected to the side nozzles 660-3 and 660-4 belonging to the second group 660b may be connected to the second channel 672. Branch lines connected to the side nozzles 660-5 and 660-6 belonging to the third group 660c may be connected to the third channel 673. Branch lines connected to the side nozzles 660-7 and 660-8 belonging to the fourth group 660d may be connected to the fourth channel 674. The flow rates of the side nozzles 660 belonging to the same group connected to the respective channels 671, 672, 673, 674 are provided equally.

도 21은 도 19의 사이드 노즐들로 가스를 공급하는 가스 공급 라인의 구조의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 21 is a view schematically illustrating another example of a structure of a gas supply line supplying gas to side nozzles of FIG. 19.

메인 라인(6)의 일 단은 가스 공급원(610)과 연결된다. 메인 라인(642)의 타 단은 제1유량 조절 부재(621)와 연결된다. 메인 라인(642)은 가스 공급원(610)으로부터 공정 가스를 공급 받아, 메인 라인(642)으로부터 분기되는 제1분기 라인(646)으로 가스를 공급한다. 메인 라인(642)으로부터 분기되는 제1분기 라인 중 어느 하나(646a)는 상부 노즐(680)과 연결된다. 메인 라인(642)으로부터 분기되는 나머지 제1분기라인(646b) 라인은 제2유량 조절 부재(622)와 연결된다. 제2유량 조절 부재(622)와 연결된 제1분기라인(646b)는 다시 분기되며, 이는 제2분기라인(648)로 정의된다. 제2분기라인(648)는 복수의 채널(691, 692)과 각각 연결된다. 복수의 채널(691, 692)과 각각 연결된 분기라인(403d)들은 다시 각각의 사이드 노즐(660)들과 연결된다. 제1유량 조절 부재(621)는 메인 라인(642)으로부터 제1분기라인(646)의 유량을 조절하고, 제2유량 조절 부재(622)는 제2분기라인(648)의 유량을 조절함으로써 가스 도입 공간(124)으로의 공정 가스 공급이 균일하게 이루어 질 수 있도록 할 수 있다.One end of the main line 6 is connected to the gas supply 610. The other end of the main line 642 is connected to the first flow rate control member 621. The main line 642 receives a process gas from the gas supply source 610, and supplies gas to the first branch line 646 branching from the main line 642. Any one of the first branch lines 646a branching from the main line 642 is connected to the upper nozzle 680. The remaining first branch line 646b line branching from the main line 642 is connected to the second flow rate adjusting member 622. The first branch line 646b connected to the second flow adjusting member 622 is branched again, which is defined as the second branch line 648. The second branch line 648 is connected to the plurality of channels 691 and 692, respectively. Branch lines 403d respectively connected to the channels 691 and 692 are connected to the respective side nozzles 660 again. The first flow rate adjusting member 621 adjusts the flow rate of the first branch line 646 from the main line 642, and the second flow rate adjusting member 622 adjusts the flow rate of the second branch line 648. The process gas supply to the introduction space 124 can be made uniform.

사이드 노즐(660)들은 복수개로 그룹되어 질 수 있다. 각각의 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들의 수는 동일하게 제공될 수 있다. 각각의 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들은 서로 인접하게 위치될 수 있다. 동일 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들에 연결된 분기라인 들은 각각 동일한 채널에 연결될 수 있다. 동일 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들의 유량은 동일하게 제공될 수 있다. 예컨대, 제1사이드 노즐(660-1), 제2사이드 노즐(660-2), 제3사이드 노즐(660-3), 제4사이드 노즐(660-4)이 제1그룹(660A), 제5사이드 노즐(660-5), 제6사이드 노즐(660-6), 제7사이드 노즐(660-7), 제8사이드 노즐(660-8)이 제2그룹(660B)으로 정의 될 수 있다. 제1그룹(660A)에 속하는 사이드 노즐(660-1, 660-2, 660-3, 660-4)들과 연결된 분기라인은 제1채널(691)에 연결될 수 있다. 제2그룹(660B)에 속하는 사이드 노즐(660-5, 660-6, 660-7, 660-8)들과 연결된 분기라인은 제2채널(692)에 연결될 수 있다. 각 채널(691, 692)에 연결된 동일 그룹에 속하는 사이드 노즐(660)들의 유량은 동일하게 제공된다.The side nozzles 660 may be grouped into a plurality. The number of side nozzles 660 belonging to each group may be provided equally. Side nozzles 660 belonging to each group may be located adjacent to each other. Branch lines connected to the side nozzles 660 belonging to the same group may be connected to the same channel, respectively. The flow rates of the side nozzles 660 belonging to the same group may be provided identically. For example, the first side nozzle 660-1, the second side nozzle 660-2, the third side nozzle 660-3, and the fourth side nozzle 660-4 are formed of the first group 660A and the first side nozzle 660-1. The fifth side nozzle 660-5, the sixth side nozzle 660-6, the seventh side nozzle 660-7, and the eighth side nozzle 660-8 may be defined as the second group 660B. . Branch lines connected to the side nozzles 660-1, 660-2, 660-3, and 660-4 belonging to the first group 660A may be connected to the first channel 691. Branch lines connected to the side nozzles 660-5, 660-6, 660-7, and 660-8 belonging to the second group 660B may be connected to the second channel 692. The flow rates of the side nozzles 660 belonging to the same group connected to the respective channels 691 and 692 are equally provided.

상술한 예에서는 기판이 포토마스크인 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 웨이퍼 또는 유리기판과 같은 종류의 기판에도 적용 가능하다.In the above-described example, the substrate has been described as an example of a photomask. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto and may be applied to a substrate of a kind such as a wafer or a glass substrate.

상술한 예에서는 기판 처리 장치가 플라즈마를 이용한 식각 공정을 수행하는 장치인 것으로 예를 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 본 발명의 기술적 사상은 식각 공정 이외에 플라즈마로 기판을 처리하는 증착, 애싱, 또는 드라이 클리닝과 같은 공정을 수행하는 장치에 적용 가능하다.In the above-described example, the substrate processing apparatus has been described as an apparatus for performing an etching process using plasma. However, the technical idea of the present invention may be applied to an apparatus that performs a process such as deposition, ashing, or dry cleaning, in which a substrate is treated with plasma in addition to an etching process.

상술한 예에서는 리프트 핀들이 각각의 승강 부재와 결합하여 별개로 제어되는 것으로 설명하였다. 그러나 이에 한정되지 않고, 리프트 핀은 하나의 승강 부재에 의해 리프트 핀들이 동시에 이동될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the lift pins are controlled separately by engaging with each lifting member. However, the present invention is not limited thereto, and lift pins may be simultaneously moved by one lifting member.

상술한 예에서는 가스 공급 유닛이 복수의 채널을 갖는 것으로 설명하였다. 그러나 이에 한정되지 않고, 가스 공급 유닛은 하나의 채널로 제공될 수 있다.In the above example, the gas supply unit has been described as having a plurality of channels. However, the present invention is not limited thereto, and the gas supply unit may be provided in one channel.

100: 공정 챔버 200: 지지유닛
400: 플레이트 유닛 600 : 가스 공급 유닛
800 : 플라즈마 소스 1000 : 온도 조절 유닛100: process chamber 200: support unit
400: plate unit 600: gas supply unit
800: plasma source 1000: temperature control unit

Claims (22)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부 공간을 가지는 공정챔버와;
상기 내부 공간 내에 배치되며, 상기 내부 공간을 상부의 가스 도입 공간과 하부의 처리 공간으로 구획하며, 상기 가스 도입 공간으로부터 상기 처리 공간으로 가스가 흐르는 홀들이 형성된 플레이트 유닛과;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 가스 도입 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되,
상기 플레이트 유닛은,
상기 공정 챔버의 내벽에 결합되며, 중앙에 개구가 형성된 지지대와;
상기 지지대의 개구에 위치되도록 상기 지지대에 의해 지지되며, 상기 홀들이 형성된 분사 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치. In the apparatus for processing a substrate,
A process chamber having an internal space;
A plate unit disposed in the inner space, dividing the inner space into an upper gas introduction space and a lower processing space, the plate unit having holes through which gas flows from the gas introduction space;
A support unit for supporting a substrate in the processing space;
Including a gas supply unit for supplying a process gas to the gas introduction space,
The plate unit,
A support coupled to an inner wall of the process chamber and having an opening formed at a center thereof;
And a spray plate supported by the support so as to be positioned in the opening of the support, the injection plate having the holes formed therein. 제1항에 있어서,
상기 분사 플레이트와 상기 지지대는 서로 상이한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And the spray plate and the support are made of different materials. 제2항에 있어서,
상기 지지대는 금속 재질을 포함하고, 상기 분사 플레이트는 세라믹 재질을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The support includes a metal material, and the injection plate comprises a ceramic material. 제3항에 있어서,
상기 지지대는 블로킹 플레이트(Blocking plate)로 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The support is substrate processing apparatus formed of a blocking plate (Blocking plate). 제3항에 있어서,
상기 지지대는 링 형상으로 제공되고 그 원주 방향을 따라 상하 방향으로 관통된 복수의 통공들이 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The support is provided in a ring shape substrate processing apparatus is formed with a plurality of through holes penetrating in the vertical direction along the circumferential direction. 제5항에 있어서,
상기 통공은 그 길이방향이 상기 지지대의 원주 방향을 따라 제공된 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
And the through hole is provided in a slit shape whose longitudinal direction is provided along the circumferential direction of the support. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 각각의 상기 통공은 각각의 상기 홀보다 넓은 면적으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 5 or 6,
And each through hole is provided with a larger area than each of said holes when viewed from the top. 제7항에 있어서,
상기 지지대는 접지되는 기판 처리 장치.The method of claim 7, wherein
And the support is grounded. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은 상면에 상기 기판이 놓이는 오목홈이 형성된 지지판을 가지고,
상기 분사 플레이트는 상기 오목홈에 놓인 기판과 대향 되도록 배치되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The support unit has a support plate formed with a recessed groove on which the substrate is placed,
And the injection plate is disposed to face the substrate placed in the concave groove. 제9항에 있어서.
상부에서 바라볼 때 상기 오목홈은 사각의 형상이고, 상기 분사 플레이트는 원 형상인 기판 처리 장치.The method of claim 9.
The concave groove is in the shape of a square when viewed from the top, the injection plate is a substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 플레이트 유닛을 상하로 이동 시키는 이동 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus further comprises a moving member for moving the plate unit up and down. 제11항에 있어서,
상기 이동 부재는 상기 지지대에 결합되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
And the moving member is coupled to the support. 제12항에 있어서.
상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는 상기 기판 상에 형성된 제1막을 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제1체적으로 제공되고, 상기 기판 상에 형성된 상기 제1막과 상이한 제2막을 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제2체적으로 제공되도록 상기 이동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 12.
A controller for controlling the moving member;
The controller is provided with the gas introduction space as a first volume when the first film formed on the substrate is processed, and the gas introduction space is provided when the second film different from the first film formed on the substrate is processed. A substrate processing apparatus for controlling the moving member to be provided in a volume. 제12항에 있어서,
상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는 제1기판에 대해 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제1체적으로 제공되고, 상기 제1기판과 상이한 제2기판을 처리시에는 상기 가스 도입 공간이 제2체적으로 제공되도독 상기 이동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 12,
A controller for controlling the moving member;
The controller is configured such that the gas introduction space is provided as a first volume when the first substrate is processed, and the gas introduction space is provided as a second volume when the second substrate different from the first substrate is processed. Substrate processing apparatus for controlling the. 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 더 포함하되,
상기 플라즈마 소스는 상기 가스가 상기 가스 도입 공간으로 도입되기 전 또는 상기 가스 도입 공간에서 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 13 or 14,
Further comprising a plasma source for generating a plasma from the gas,
And the plasma source is provided to generate a plasma from the gas before the gas is introduced into the gas introduction space or in the gas introduction space. 제15항에 있어서,
상기 플라즈마 소스는,
상기 공정 챔버의 상부에 배치되는 안테나 유닛과;
상기 안테나 유닛에 고주파를 인가하는 고주파 전원을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 15,
The plasma source,
An antenna unit disposed above the process chamber;
And a high frequency power supply for applying a high frequency to the antenna unit. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 상기 지지 유닛에 위치시키고,
상기 가스 도입 공간에 제공된 플라즈마에서 라디칼을 상기 분사 플레이트의 상기 홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급하여 상기 기판을 식각 처리하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of any one of claims 1 to 6,
Placing the substrate in the support unit,
And etching the substrate by supplying radicals in the plasma provided in the gas introduction space to the processing space through the holes of the injection plate. 제17항에 있어서,
상기 지지대는 접지되는 기판 처리 방법.The method of claim 17,
And the support is grounded. 제18항에 있어서,
제1기판에 대해 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제1체적으로 제공하고, 제1기판과 상이한 제2기판에 대해 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제2체적으로 제공하는 기판 처리 방법.The method of claim 18,
A volume of the gas introduction space is provided as a first volume during the etching process with respect to the first substrate, and a volume of the gas introduction space is provided as a second volume during the etching process with respect to a second substrate different from the first substrate. Substrate processing method. 제19항에 있어서,
상기 제1체적과 상기 제2체적의 변경은 상기 분사 플레이트의 높이를 조절하여 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 19,
The first volume and the second volume change is made by adjusting the height of the jet plate. 제18항에 있어서,
상기 기판 상에는 제1막 및 제2막을 포함하고, 상기 기판 처리 방법은 상기 제1막과 상기 제2막을 순차적으로 식각하되, 제1막을 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제1체적으로 제공하고, 제2막을 식각 처리시에는 상기 가스 도입 공간의 체적을 제2체적으로 제공하는 기판 처리 방법.The method of claim 18,
And a first film and a second film on the substrate, wherein the substrate processing method sequentially etches the first film and the second film, and when the first film is etched, the volume of the gas introduction space is changed to the first volume. And providing a volume of the gas introduction space as a second volume when the second film is etched. 제21항에 있어서,
상기 제1체적과 상기 제2체적의 변경은 상기 분사 플레이트의 높이를 조절하여 이루어지는 기판 처리 방법.The method of claim 21,
The first volume and the second volume change is made by adjusting the height of the jet plate.
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