KR20190135246A - Test method and apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 검사 방법 및 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus.
반도체 공정을 검사하기 위한 방법으로, 반도체 공정이 적용된 검사 대상을 촬영한 이미지를 이용하는 검사 방법이 제안된 바 있다. 반도체 공정이 적절히 진행되었는지 여부를 판단하기 위해서는, 상대적으로 높은 해상도와 좁은 화각을 갖는 카메라를 이용하여 검사 대상을 촬영할 수 있다. 이 경우, 한 번에 촬영된 이미지에는 검사 대상의 일부만이 포함될 수 있으며, 촬영한 이미지를 복수의 영역들로 분할하여 이미지 처리 프로세스를 적용함으로써 검사 대상에 적용된 반도체 공정의 적절성을 판단할 수 있다.As a method for inspecting a semiconductor process, an inspection method using an image photographing an inspection object to which a semiconductor process is applied has been proposed. In order to determine whether the semiconductor process is properly performed, the inspection object may be photographed using a camera having a relatively high resolution and a narrow angle of view. In this case, only a part of the inspection object may be included in the image photographed at one time, and the appropriateness of the semiconductor process applied to the inspection object may be determined by applying the image processing process by dividing the photographed image into a plurality of regions.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 과제 중 하나는, 검사 대상을 촬영하는 동안 의도치 않게 발생할 수 있는 검사 대상의 움직임에 따른 이미지의 편차를 보상하여, 검사의 정확도를 개선할 수 있는 검사 방법 및 검사 장치를 제공하고자 하는 데에 있다.One of the problems to be achieved by the technical idea of the present invention is an inspection method and inspection that can improve the accuracy of the inspection by compensating for the deviation of the image due to the movement of the inspection object, which may be inadvertently generated while photographing the inspection object. The intention is to provide a device.
본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법은, 제1 방향으로 이송되는 검사 대상의 일부 영역을 촬영하여 원본 이미지를 획득하는 단계, 상기 원본 이미지를 복수의 이미지 처리 영역들로 분할하는 단계, 상기 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 복수의 이미지 처리 영역들을 정렬하는 데에 필요한 기준 패턴을 결정하는 단계, 상기 복수의 이미지 처리 영역들 중에서 상기 기준 패턴의 적합도가 임계값보다 낮은 제1 이미지 처리 영역들을 선택하는 단계, 및 상기 제1 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 기준 패턴과 다른 후보 패턴들을 선정하고, 상기 기준 패턴을 상기 후보 패턴들 중 하나로 변경하는 단계를 포함한다.According to an exemplary embodiment, an inspection method may include: acquiring an original image by photographing a partial region of an inspection object conveyed in a first direction; dividing the original image into a plurality of image processing regions; Determining a reference pattern required for aligning the plurality of image processing regions in each of the image processing regions of the first image processing region, wherein among the plurality of image processing regions, first image processing regions having a goodness of fit of the reference pattern lower than a threshold value are determined; Selecting candidate patterns different from the reference pattern in each of the first image processing regions, and changing the reference pattern to one of the candidate patterns.
본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치는, 스테이지 상에서 검사 대상을 제1 방향으로 이송하는 이송부, 상기 스테이지의 상부에서 상기 검사 대상을 촬영하여, 복수의 이미지 처리 영역들을 갖는 원본 이미지를 생성하는 카메라부, 상기 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 기준 패턴을 결정하고, 상기 기준 패턴의 적합도가 소정의 임계값보다 낮은 영역을 제1 이미지 처리 영역들로 선택하며, 상기 제1 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 기준 패턴과 다른 후보 패턴들을 선정하는 프로세서, 및 상기 제1 이미지 처리 영역들 각각에 대한 상기 후보 패턴들을 표시하는 디스플레이를 포함한다.An inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes a transfer unit for transferring an inspection object on a stage in a first direction, and a camera for photographing the inspection object on an upper portion of the stage to generate an original image having a plurality of image processing regions. A reference pattern may be determined in each of the plurality of image processing regions, and an area having a goodness of fit of the reference pattern below a predetermined threshold may be selected as first image processing regions, and in each of the first image processing regions. And a processor for selecting candidate patterns different from the reference pattern, and a display for displaying the candidate patterns for each of the first image processing regions.
본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에 따르면, 검사 대상을 촬영하여 획득한 원본 이미지를 복수의 이미지 처리 영역들로 나누고 이미지 처리 영역들 각각에서 기준 패턴을 선택할 수 있다. 이때, 기준 패턴이 잘못 선택되어 이미지 처리 영역들이 잘못 정렬되는 것을 방지하기 위해, 기준 패턴으로부터 계산되는 오프셋 값들을 참조하여 기준 패턴을 다시 선택할 수 있다. 따라서, 검사 대상의 의도치 않은 움직임을 보상하기 위한 정렬 작업의 정확도를 개선하고, 검사 대상에 적용된 반도체 공정의 적절성을 정확히 판단할 수 있다.According to an inspection method according to an exemplary embodiment, an original image obtained by photographing an inspection object may be divided into a plurality of image processing regions, and a reference pattern may be selected in each of the image processing regions. In this case, the reference pattern may be selected again by referring to offset values calculated from the reference pattern in order to prevent the reference pattern from being incorrectly selected so that the image processing regions are misaligned. Therefore, it is possible to improve the accuracy of the alignment operation to compensate for the unintentional movement of the inspection object and to accurately determine the appropriateness of the semiconductor process applied to the inspection object.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various and advantageous advantages and effects of the present invention is not limited to the above description, it will be more readily understood in the course of describing specific embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 간단하게 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법이 적용될 수 있는 검사 대상의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서 발생할 수 있는 검사 대상의 움직임을 설명하기 위해 제공되는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서 선택될 수 있는 기준 패턴들을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 그래프이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서 기준 패턴을 변경하는 방법을 설명하기 위해 제공되는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 그래프이다.1 is a view simply showing a test apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating an example of an inspection target to which an inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention may be applied.
3 is a view provided to explain the movement of an inspection object that may occur in the inspection method according to an embodiment of the present invention.
4 is a view provided to explain a test method according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart provided to explain a test method according to an exemplary embodiment.
6 illustrates reference patterns that may be selected in an inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a graph provided to explain an inspection method according to an embodiment of the present invention.
8 and 9 are graphs provided to explain a method of changing the reference pattern in the inspection method according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph provided to explain an inspection method according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 간단하게 나타낸 도면이다.1 is a view simply showing a test apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치(10)는 카메라(11), 스테이지(12), 프로세서(13), 및 디스플레이(14) 등을 포함할 수 있다. 카메라(11)는 검사 대상(20)이 이동하는 스테이지(12)의 상부에서 검사 대상(20)을 촬영할 수 있다. 검사 대상(20)은 반도체 공정이 진행될 수 있는 웨이퍼, 또는 디스플레이용 모기판 등을 포함할 수 있으며, 이송부에 의해 스테이지(12)에서 제1 방향을 따라 이동할 수 있다. Referring to FIG. 1, an
프로세서(13)는 카메라(11)가 촬영한 이미지를 이용하여, 검사 대상(20)에 적용된 반도체 공정에 의한 불량 발생 여부를 판단할 수 있다. 일례로, 카메라(11)는 검사 대상(20)의 일부 영역을 촬영하여 원본 이미지를 생성할 수 있으며, 검사 대상(20)이 웨이퍼인 경우, 원본 이미지는 웨이퍼에 형성된 복수의 칩들 중 일부를 촬영한 이미지일 수 있다. 카메라(11)의 화각(FOV)에 의해, 원본 이미지에는 둘 이상의 칩들이 일 방향을 따라 배열되는 형태로 나타날 수 있다. 상기 일 방향은, 검사 대상(20)인 웨이퍼가 스테이지(12)에서 이동하는 제1 방향과 같을 수 있다.The
프로세서(13)는 원본 이미지를 복수의 이미지 처리 영역들로 분할하여 반도체 공정에 의한 불량 발생 여부 등을 판단할 수 있다. 일례로 프로세서(13)는 원본 이미지를 복수의 단위 영역들로 먼저 나누고, 복수의 단위 영역들 각각을 복수의 이미지 처리 영역들로 나눌 수 있다. 검사 대상(20)이 웨이퍼인 경우, 복수의 단위 영역들 각각에는 하나의 칩이 포함될 수 있다.The
이상적인 경우를 가정하면, 검사 대상(20)은 스테이지(12)에서 제1 방향을 따라 이동하는 동안 제1 방향이 아닌 다른 방향에서는 움직이지 않을 수 있다. 그러나 현실적으로는 검사 대상(20)이 제1 방향을 따라 이동하는 동안 발생하는 진동 등의 요인에 의해 검사 대상(20)이 제1 방향이 아닌 다른 방향에서 움직일 수 있다. 따라서, 프로세서(13)에 의해 정의된 복수의 단위 영역들, 및/또는 복수의 이미지 처리 영역들 간의 정렬 오차가 나타날 수 있다. Assuming an ideal case, the
본 발명의 일 실시예에서는, 복수의 이미지 처리 영역들 각각에 대해, 검사 대상(20)의 의도치 않은 움직임을 보상하기 위한 오프셋 값을 부여할 수 있다. 일례로, 프로세서(13)는 복수의 이미지 처리 영역들 각각에 오프셋 값을 부여하고, 오프셋 값에 의해 복수의 이미지 처리 영역들을 이동시킴으로써 정렬 오차를 제거할 수 있다. 상기 오프셋 값은, 복수의 이미지 처리 영역들마다 부여되는 값으로, 제1 방향이 아닌 다른 방향에서 복수의 이미지 처리 영역들에 포함된 픽셀들을 이동시키기 위한 보정 값일 수 있다.In an embodiment of the present disclosure, an offset value may be assigned to each of the plurality of image processing regions to compensate for an unintended movement of the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법이 적용될 수 있는 검사 대상의 일례를 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating an example of an inspection target to which an inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention may be applied.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 검사 대상은 웨이퍼(100)일 수 있다. 웨이퍼(100)는 복수의 반도체 소자들이 형성되는 복수의 반도체 칩들(101)과, 복수의 반도체 칩들(101) 사이에 정의되는 분할 영역(102)을 포함할 수 있다. 복수의 반도체 칩들(101) 각각은 복수의 소자들을 포함할 수 있다. 즉, 복수의 반도체 칩들(101) 각각에는 저항, 커패시터, 트랜지스터, 다이오드 등과 같은 다양한 회로 소자들이 형성될 수 있다. 복수의 반도체 칩들(101)은 복수의 행과 열을 따라 배열될 수 있다.Referring to FIG. 2, an inspection target according to an embodiment of the present invention may be a
분할 영역(102)은 스크라이빙(Scribing) 공정 등에 의해 복수의 반도체 칩들(101)을 서로 분리하기 위한 영역일 수 있다. 따라서 분할 영역(102)에는 반도체 칩들(101)에 포함되는 소자들이 배치되지 않을 수 있다. 스크라이빙 공정의 효율성과 신뢰성 등을 고려하여, 분할 영역은 복수의 행과 열을 따라 배열된 복수의 반도체 칩들(101) 사이에 정의되는 복수의 직선들로 정의될 수 있다.The
복수의 반도체 칩들(101)에 복수의 소자들을 형성하기 위해 포토 공정, 증착 공정, 식각 공정, 연마 공정 등과 같은 반도체 공정들이 진행될 수 있다. 반도체 공정들이 적절히 제어되지 않을 경우, 복수의 반도체 칩들(101) 중 적어도 일부에서 다양한 불량이 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 웨이퍼(100)가 검사 장치의 스테이지에서 이동하는 동안, 카메라가 웨이퍼(100)를 촬영하여 생성한 이미지를 이용하여, 반도체 공정이 적절히 진행되는지 여부를 판단할 수 있다.In order to form a plurality of devices on the plurality of
일례로, 카메라는 웨이퍼(100)의 일부 영역(110)을 촬영하여 원본 이미지를 생성할 수 있으며, 원본 이미지는 카메라와 연동된 프로세서에 의해 복수의 이미지 처리 영역들로 분할될 수 있다. 도 2를 참조하면, 카메라에 의해 한 번에 촬영되는 웨이퍼(100)의 일부 영역(110)에는, 스테이지에서 웨이퍼(100)의 이동 방향인 제1 방향(X축 방향)을 따라 배열되는 복수의 반도체 칩들(101)이 포함될 수 있다.For example, the camera may generate an original image by photographing a
웨이퍼(100)가 스테이지에서 제1 방향을 따라 이동하는 동안 의도치 않은 진동 등에 따른 움직임이 발생하지 않으면, 원본 이미지에서 복수의 반도체 칩들(101)은 제2 방향(Y축 방향)을 따라 같은 위치에 배열될 수 있다. 반면, 웨이퍼(100)가 이동하는 동안 의도치 않은 진동 등이 발생할 경우, 원본 이미지에서 복수의 반도체 칩들(101) 중 적어도 일부가 제2 방향을 따라 서로 다른 위치에 놓일 수 있다. 본 발명에서는, 원본 이미지를 복수의 이미지 처리 영역들로 분할하고, 복수의 이미지 처리 영역들 각각에 소정의 오프셋 값을 적용하여 픽셀들의 좌표를 보정함으로써, 상기와 같이 원본 이미지의 제2 방향에서 복수의 칩들(101)의 위치가 틀어지는 문제를 해결할 수 있다.When the
특히 본 발명의 일 실시예에서는, 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 기준 패턴을 선택하고, 기준 패턴을 이용하여 오프셋 값을 계산할 수 있다. 기준 패턴은 복수의 이미지 처리 영역들 각각을 구분할 수 있는 특유의 패턴일 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에서는, 복수의 이미지 처리 영역들 각각의 기준 패턴에 따른 오프셋 값을 이용하여, 기준 패턴이 잘못 선정되었을 가능성이 있는 영역을 선택하고, 상기 영역들 각각의 기준 패턴을 변경함으로써 오프셋 값을 정확히 결정하고 복수의 이미지 처리 영역들을 정확히 정렬할 수 있다.In particular, in an embodiment of the present invention, a reference pattern may be selected in each of the plurality of image processing regions, and an offset value may be calculated using the reference pattern. The reference pattern may be a unique pattern that may distinguish each of the plurality of image processing regions. In addition, in an embodiment of the present invention, by using an offset value according to a reference pattern of each of the plurality of image processing regions, a region in which a reference pattern may be wrongly selected is selected, and the reference pattern of each of the regions is changed. By doing so, it is possible to accurately determine the offset value and to accurately align the plurality of image processing regions.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서 발생할 수 있는 검사 대상의 움직임을 설명하기 위해 제공되는 도면이다.3 is a view provided to explain the movement of an inspection object that may occur in the inspection method according to an embodiment of the present invention.
먼저 도 3(a)는 웨이퍼(100)가 스테이지에서 제1 방향을 따라 이동하는 동안 의도치 않은 진동 등에 따른 움직임이 발생하지 않는 경우에 해당할 수 있다. 도 3(a)를 참조하면, 진동이 발생하지 않은 경우의 제1 원본 이미지(110A)에는 웨이퍼의 일부 영역(110)에 포함된 복수의 반도체 칩들(101)이 포함될 수 있다. 카메라가 촬영한 원본 이미지(110A)는 프로세서로 전송되며, 프로세서는 원본 이미지(110A)를 복수의 단위 영역들(111-118)로 분할하고, 이를 다시 복수의 이미지 처리 영역들로 분할할 수 있다. First, FIG. 3A may correspond to a case in which a movement due to an unintended vibration does not occur while the
도 3(a)에 도시한 일 실시예에서는 웨이퍼의 이동 방향인 제1 방향(X축 방향)이 아닌 다른 방향에서 의도치 않은 움직임이 나타나지 않을 수 있다. 따라서, 도 3(a)에 도시한 바와 같이 제2 방향(Y축 방향)을 따라 복수의 반도체 칩들(101)이 같은 위치에 배열되고, 복수의 반도체 칩들(101)을 기준으로 정의되는 복수의 단위 영역들(111-118) 역시 제2 방향(Y축 방향)에서 같은 위치에 배열될 수 있다. 따라서, 별도의 정렬 프로세스가 필요하지 않을 수 있다.In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 3A, unintentional movement may not appear in a direction other than the first direction (the X-axis direction) that is the moving direction of the wafer. Therefore, as illustrated in FIG. 3A, a plurality of
다음으로 도 3(b)는 웨이퍼(100)가 스테이지에서 제1 방향을 따라 이동하는 동안 의도치 않은 진동 등에 따른 움직임이 발생하는 경우에 해당할 수 있다. 도 3(b)를 참조하면, 진동이 발생하는 경우의 제2 원본 이미지(110B)에는 웨이퍼의 일부 영역(110)에 포함된 복수의 반도체 칩들(101)이 포함될 수 있다. 카메라가 촬영한 원본 이미지(110B)는 프로세서에 의해 복수의 단위 영역들(111-118)로 분할될 수 있다. Next, FIG. 3B may correspond to a case in which movement due to unintentional vibration occurs while the
도 3(b)에 도시한 일 실시예에서는 웨이퍼의 이동 방향인 제1 방향(X축 방향)이 아닌 다른 방향에서 진동 등에 따른 의도치 않은 움직임이 나타날 수 있다. 따라서, 도 3(b)에 도시한 바와 같이 제2 방향(Y축 방향)을 따라 복수의 반도체 칩들(101) 중 적어도 일부가 서로 다른 위치에 놓일 수 있다. 따라서, 복수의 단위 영역들(111-118)이 제2 방향에서 서로 같은 위치에 놓이도록 수정하는 정렬 프로세스가 프로세서에 의해 진행될 수 있다.In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 3B, unintentional movement may occur due to vibration in a direction other than the first direction (the X-axis direction) that is the movement direction of the wafer. Accordingly, as shown in FIG. 3B, at least some of the plurality of
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 도면이다.4 is a view provided to explain a test method according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시한 일 실시예는 프로세서가 원본 이미지에서 추출한 하나의 단위 영역(200)을 도시한 도면일 수 있다. 도 4를 참조하면, 하나의 단위 영역(200)에 하나의 반도체 칩(250)이 포함될 수 있으며, 단위 영역(200)은 복수의 이미지 처리 영역들(201-227)로 분할될 수 있다. 도 4에 도시한 일 실시예에서는 하나의 단위 영역(200)이 27개의 이미지 처리 영역들(201-227)로 분할되는 것을 가정하였으나, 이는 제한적인 것은 아니다. 즉, 하나의 단위 영역(200)에 포함되는 이미지 처리 영역들(201-227)의 개수는 다양하게 변형될 수 있다.4 may be a diagram illustrating one
반도체 칩(250)이 형성된 검사 대상이 스테이지에서 제1 방향(X축 방향)으로 이송되는 동안, 카메라가 검사 대상을 촬영하여 원본 이미지를 획득할 수 있다. 단위 영역(200)은 검사 대상이 이송되는 제1 방향으로 배열된 반도체 칩(250) 단위로 정의될 수 있다. 또한, 단위 영역(200)을 제1 방향과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)을 따라 분할함으로써 이미지 처리 영역들(201-227)을 정의할 수 있다.While the inspection target on which the
검사 대상이 제1 방향으로 이송되는 동안 의도치 않은 움직임이 발생하면, 제1 방향이 아닌 다른 방향, 예를 들어 제2 방향에서 정렬 오차가 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 이미지 처리 영역들(201-227) 각각에 대해 제2 방향의 오프셋 값을 생성하고, 상기 오프셋 값을 이용하여 이미지 처리 영역들(201-227) 각각에 포함된 픽셀들의 제2 방향 좌표를 수정함으로써 상기 정렬 오차를 수정할 수 있다.If unintentional movement occurs while the inspection object is conveyed in the first direction, an alignment error may occur in a direction other than the first direction, for example, in the second direction. In an embodiment of the present invention, an offset value in a second direction is generated for each of the image processing regions 201-227, and the pixel included in each of the image processing regions 201-227 using the offset value. The alignment error can be corrected by modifying their second direction coordinates.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 흐름도이다.5 is a flowchart provided to explain a test method according to an exemplary embodiment.
본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법은, 스테이지에서 일 방향으로 이동하는 검사 대상을 카메라가 촬영하여 원본 이미지를 획득하는 것으로 시작될 수 있다(S10). 일례로, 원본 이미지는 검사 대상의 일부 영역만을 촬영한 이미지일 수 있다. 프로세서는 카메라가 획득한 원본 이미지를 복수의 이미지 처리 영역들로 분할할 수 있다(S11). 앞서 설명한 바와 같이, 프로세서는 원본 이미지를 복수의 단위 영역들로 우선 나누고, 복수의 단위 영역들 각각을 복수의 이미지 처리 영역들로 분할할 수 있다.The inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention may start by acquiring an original image by the camera photographing an inspection target moving in one direction on a stage (S10). For example, the original image may be an image photographing only a part of the inspection target. The processor may divide the original image acquired by the camera into a plurality of image processing regions (S11). As described above, the processor may first divide the original image into a plurality of unit regions, and divide each of the plurality of unit regions into a plurality of image processing regions.
프로세서는 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 기준 패턴을 결정할 수 있다(S12). 기준 패턴은 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 나타나는 특유의 패턴으로, 이미지 처리 영역들 각각을 다른 이미지 처리 영역들과 구분할 수 있는 패턴일 수 있다. The processor may determine a reference pattern in each of the plurality of image processing regions (S12). The reference pattern is a unique pattern that appears in each of the plurality of image processing regions, and may be a pattern that can distinguish each of the image processing regions from other image processing regions.
프로세서는 복수의 이미지 처리 영역들 중에서 기준 패턴의 적합도가 낮은 제1 이미지 처리 영역들을 선택할 수 있다(S13). 프로세서는 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 결정된 기준 패턴을 이용하여, 복수의 이미지 처리 영역들 각각에 포함된 픽셀들의 좌표를 보정하기 위한 오프셋 값을 결정할 수 있다. 하나의 단위 영역에 포함되는 이미지 처리 영역들에서 결정된 오프셋 값은, 서로 유사한 크기를 가질 수 있다. 따라서 프로세서는, 하나의 단위 영역에 포함된 이미지 처리 영역들 각각의 오프셋 값을 서로 비교하여, 제1 이미지 처리 영역들을 선택할 수 있다.The processor may select first image processing areas having a low suitability of the reference pattern from among the plurality of image processing areas (S13). The processor may determine an offset value for correcting the coordinates of pixels included in each of the plurality of image processing regions by using the reference pattern determined in each of the plurality of image processing regions. The offset values determined in the image processing areas included in one unit area may have similar sizes. Therefore, the processor may select the first image processing regions by comparing the offset values of each of the image processing regions included in one unit region.
프로세서는 제1 이미지 처리 영역들에서 후보 패턴들을 선정할 수 있다(S14). S14 단계에서 선정되는 후보 패턴들은, 제1 이미지 처리 영역들 각각에 대해 S12 단계에서 선택되었던 기준 패턴과 다른 패턴들일 수 있다. 제1 이미지 처리 영역들 각각에 대해, 프로세서는 기준 패턴을 후보 패턴들 중 하나로 변경할 수 있다(S15). The processor may select candidate patterns in the first image processing regions (S14). The candidate patterns selected in step S14 may be patterns different from the reference pattern selected in step S12 for each of the first image processing regions. For each of the first image processing regions, the processor may change the reference pattern to one of the candidate patterns (S15).
S15 단계의 동작은 다양하게 수행될 수 있다. 일례로, 프로세서는 후보 패턴들을 디스플레이에 표시하고, 표시된 후보 패턴들 중 하나를 작업 관리자가 선택하면, 기준 패턴을 선택된 후보 패턴으로 변경할 수 있다. 또는, 기계 학습을 통해 미리 만들어놓은 기준 패턴 선택 모델을 이용할 수도 있다. 즉, 미리 기계 학습으로 만든 기준 패턴 선택 모델에 후보 패턴들을 입력하면, 기준 패턴 선택 모델이 후보 패턴들 중에서 기준 패턴으로 가장 적합한 하나를 선택할 수 있다. Operation of step S15 may be variously performed. In one example, the processor may display the candidate patterns on the display and change the reference pattern to the selected candidate pattern when the task manager selects one of the displayed candidate patterns. Alternatively, a reference pattern selection model prepared in advance through machine learning may be used. That is, when candidate patterns are input to the reference pattern selection model previously made by machine learning, the reference pattern selection model may select one of the candidate patterns that is most suitable as the reference pattern.
프로세서는 기준 패턴들에 기초하여 복수의 이미지 처리 영역들 각각에 대한 오프셋 값을 결정할 수 있다(S16). S16 단계에서 결정되는 오프셋 값은, 이미지 처리 영역들 각각에 포함된 픽셀들의 좌표를 보정하기 위한 값일 수 있다. 일례로, 이미지 처리 영역들에 포함된 픽셀들은 제1 좌표 및 제2 좌표를 가질 수 있으며, 오프셋 값에 의해 제1 좌표와 제2 좌표 중 적어도 하나의 값이 바뀔 수 있다. The processor may determine an offset value for each of the plurality of image processing regions based on the reference patterns (S16). The offset value determined in step S16 may be a value for correcting the coordinates of the pixels included in each of the image processing regions. For example, the pixels included in the image processing regions may have a first coordinate and a second coordinate, and at least one of the first coordinate and the second coordinate may be changed by an offset value.
프로세서는 S16 단계에서 결정된 오프셋 값을 이용하여 복수의 이미지 처리 영역들에 대한 정렬 프로세스를 진행할 수 있다(S17). 앞서 설명한 바와 같이, 오프셋 값을 이용하여 복수의 이미지 처리 영역들에 포함된 픽셀들의 좌표를 보정함으로써, 정렬 프로세스가 진행될 수 있다. 정렬 프로세스가 완료되면, 프로세서는 정렬 미스의 발생 여부를 판단할 수 있다(S18).The processor may perform an alignment process on the plurality of image processing regions by using the offset value determined in operation S16 (S17). As described above, the alignment process may proceed by correcting the coordinates of the pixels included in the plurality of image processing regions by using the offset value. When the alignment process is completed, the processor may determine whether an alignment miss has occurred (S18).
정렬 프로세스가 완료되었음에도 불구하고 정렬 미스가 존재하는 것으로 판단되면, 프로세서는 정렬 미스가 나타난 이미지 처리 영역들 각각의 기준 패턴을 후보 패턴들 중 하나로 변경하고, 오프셋 값을 다시 계산하여 정렬 프로세스를 진행할 수 있다(S15-S17). 일례로, 하나의 이미지 처리 영역의 기준 패턴을 복수의 후보 패턴들 중 제1 후보 패턴으로 변경하고 정렬 프로세스를 진행했음에도 정렬 미스가 존재하면, 상기 이미지 처리 영역의 기준 패턴을 제1 후보 패턴과 다른 제2 후보 패턴으로 다시 변경하여 정렬 프로세스를 진행할 수 있다. 반면, 정렬 프로세스가 완료된 후 정렬 미스가 존재하지 않으면, 프로세서는 이후 투입되는 웨이퍼들에 대해 S16 단계에서 결정된 오프셋 값을 이용하여 라인 스캔 검사 공정을 진행할 수 있다(S19).If it is determined that an alignment miss exists despite the completion of the alignment process, the processor may change the reference pattern of each of the image processing regions in which the alignment miss appears to one of the candidate patterns, and calculate the offset value to proceed with the alignment process. (S15-S17). For example, if a misalignment exists even though the reference pattern of one image processing area is changed to the first candidate pattern among a plurality of candidate patterns and the alignment process is performed, the reference pattern of the image processing area is different from the first candidate pattern. The alignment process may proceed by changing back to the second candidate pattern. On the other hand, if there is no misalignment after the alignment process is completed, the processor may proceed to the line scan inspection process using the offset value determined in step S16 for the wafers to be subsequently added (S19).
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서 선택될 수 있는 기준 패턴들을 나타낸 도면이다.6 illustrates reference patterns that may be selected in an inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6은 적합도가 낮은 기준 패턴이 선택될 수 있는 이미지 처리 영역들(301-303)을 도시한 실시예일 수 있다. 도 6을 참조하면, 첫번째 이미지 처리 영역(301)에서는 반복적으로 나타나는 미세 패턴이 기준 패턴으로 선택될 수 있다. 이 경우, 반복적인 미세 패턴에서 정의되는 복수의 영역들이 서로 같은 특징을 가지므로, 미세 패턴을 기준 패턴으로 선택할 경우 오프셋 값이 잘못 결정될 수 있다.FIG. 6 may be an embodiment of the image processing regions 301-303 in which a reference pattern with low suitability may be selected. Referring to FIG. 6, a fine pattern repeatedly appearing in the first
두번째 이미지 처리 영역(302)은 기준 패턴으로 선택될만한 패턴을 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 두번째 이미지 처리 영역(302)에서 결정되는 오프셋 값은, 두번째 이미지 처리 영역(302)과 같은 단위 영역에 포함되는 다른 이미지 처리 영역들에 비해 상대적으로 큰 차이를 가질 수 있다. 한편 세번째 이미지 처리 영역(303)의 경우 카메라가 촬영한 이미지의 초점이 맞지 않은 경우에 해당할 수 있으며, 따라서 적합도가 낮은 기준 패턴이 잘못 선택될 수 있다.The second
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 그래프이다.7 is a graph provided to explain an inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 7은 하나의 단위 영역을 복수의 이미지 처리 영역들로 분할하고, 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 선택된 기준 패턴을 이용하여 계산된 오프셋 값들을 나타낸 그래프일 수 있다. 도 7을 참조하면, 대부분의 이미지 처리 영역들에서 오프셋 값이 1 이상 2 이하의 크기를 갖는 반면, 일부의 이미지 처리 영역들에서는 오프셋 값이 상기 범위를 크게 벗어날 수 있다. 일례로, 세번째 이미지 처리 영역의 오프셋 값은 6이며, 이는 다른 대부분의 이미지 처리 영역들의 오프셋 값들이 속하는 범위를 크게 벗어나는 크기일 수 있다.FIG. 7 may be a graph illustrating an offset value calculated by dividing one unit area into a plurality of image processing areas and using a reference pattern selected from each of the plurality of image processing areas. Referring to FIG. 7, in most image processing regions, an offset value may have a size of 1 or more and 2 or less, whereas in some image processing regions, an offset value may greatly exceed the range. As an example, the offset value of the third image processing area is 6, which may be a size that greatly exceeds the range to which the offset values of most other image processing areas belong.
검사 대상이 제1 방향으로 이동하는 동안 카메라가 검사 대상을 촬영하고, 이미지 처리 영역들은 하나의 단위 영역 내에서 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 분할되어 정의될 수 있다. 따라서, 하나의 단위 영역에 포함되는 이미지 처리 영역들에서 결정된 오프셋 값은, 서로 유사한 크기를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 하나의 단위 영역에 포함되는 이미지 처리 영역들의 오프셋 값을 모두 결정하고, 이를 서로 비교하여 적합도가 낮은 기준 패턴이 선택되었을 것으로 예상되는 제1 이미지 처리 영역들을 결정할 수 있다. The camera photographs the inspection object while the inspection object moves in the first direction, and the image processing areas may be divided and defined in a second direction crossing the first direction in one unit area. Therefore, the offset values determined in the image processing regions included in one unit region may have similar sizes. In an embodiment of the present disclosure, all offset values of the image processing regions included in one unit region may be determined, and the first image processing regions in which the reference pattern with low suitability may be selected may be determined by comparing them with each other. .
일례로, 가장 많은 오프셋 값들이 포함되는 구간을 기준 구간으로 정하고, 기준 구간을 벗어나는 오프셋 값들을 갖는 이미지 처리 영역들을 제1 이미지 처리 영역들로 결정할 수 있다. 도 7에 도시한 일 실시예에서 상기 기준 구간은 1이상 2이하의 구간으로 정의될 수 있다. 또는, 오프셋 값들의 평균 값을 계산한 후, 평균 값과의 차이가 소정의 임계값 이상인 오프셋 값들을 기준으로, 제1 이미지 처리 영역들을 결정할 수도 있다. 상기 제시한 방법들 외에 다양한 방법들로, 제1 이미지 처리 영역들이 결정될 수 있다.For example, a section including the most offset values may be defined as a reference section, and image processing regions having offset values outside the reference section may be determined as the first image processing regions. In the exemplary embodiment illustrated in FIG. 7, the reference section may be defined as one section or more and two sections or less. Alternatively, after calculating an average value of the offset values, the first image processing regions may be determined based on offset values whose difference from the average value is greater than or equal to a predetermined threshold value. In addition to the above-described methods, the first image processing regions may be determined in various ways.
프로세서는 제1 이미지 처리 영역들 각각에서, 적합도가 낮은 기준 패턴을 대체할 수 있는 후보 패턴들을 선정할 수 있다. 후보 패턴들은 특유의 패턴들이 나타나는 영역들로 정의될 수 있다. 이하, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명하기로 한다.In each of the first image processing regions, the processor may select candidate patterns that may replace the reference pattern with low suitability. Candidate patterns may be defined as areas in which unique patterns appear. Hereinafter, a description will be given with reference to FIGS. 8 and 9.
도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법에서 기준 패턴을 변경하는 방법을 설명하기 위해 제공되는 그래프이다.8 and 9 are graphs provided to explain a method of changing the reference pattern in the inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 제1 이미지 처리 영역에서 복수의 후보 패턴들(401-406)이 선정될 수 있다. 복수의 후보 패턴들(401-406)은 프로세서에 의해 선정된 후 디스플레이(400)에 표시될 수 있으며, 복수의 후보 패턴들(401-406) 각각의 하단에는 복수의 후보 패턴들(401-406) 각각의 위치가 좌표로 함께 표시될 수 있다.Referring to FIG. 8, a plurality of candidate patterns 401-406 may be selected in the first image processing region. The plurality of candidate patterns 401-406 may be selected by the processor and then displayed on the
검사 장치를 운영하는 작업 관리자는 디스플레이(400)에 표시된 복수의 후보 패턴들(401-406) 중 하나를 직접 선택할 수 있다. 또는, 앞서 설명한 바와 같이, 기계 학습을 통해 미리 준비된 기준 패턴 선택 모델이 복수의 후보 패턴들(401-406) 중 하나를 기준 패턴으로 선택할 수도 있다. 도 9를 참조하면, 복수의 후보 패턴들(401-406) 중에서 제5 후보 패턴(405)이 기준 패턴으로 선택되어, 기존의 기준 패턴을 대체할 수 있다.The task manager operating the inspection apparatus may directly select one of the plurality of candidate patterns 401-406 displayed on the
프로세서는 제1 이미지 처리 영역들 각각에 대해 새롭게 선택된 기준 패턴을 이용하여 오프셋 값을 새로 계산할 수 있다. 후보 패턴들 중에서 적합도가 우수한 기준 패턴이 적절하게 선택될 경우, 하나의 단위 영역에 포함되는 복수의 이미지 처리 영역들의 오프셋 값들은 서로 대동소이한 크기를 가질 수 있다. 이하, 도 10을 참조하여 설명하기로 한다.The processor may newly calculate the offset value by using the newly selected reference pattern for each of the first image processing regions. When a reference pattern having good suitability among the candidate patterns is appropriately selected, offset values of the plurality of image processing regions included in one unit region may have sizes that are substantially the same. Hereinafter, a description will be given with reference to FIG. 10.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 방법을 설명하기 위해 제공되는 그래프이다.10 is a graph provided to explain an inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 10에 도시한 일 실시예는, 도 9에 도시한 일 실시예에서 제1 이미지 처리 영역들의 오프셋 값을 수정한 결과로부터 도출되는 그래프일 수 있다. 도 10을 참조하면, 하나의 단위 영역에 포함되는 모든 이미지 처리 영역들의 오프셋 값들이 1 이상 2 이하의 범위에 포함될 수 있다. 따라서, 하나의 단위 영역에 포함되는 모든 이미지 처리 영역들의 픽셀들이 비슷한 정도로 수정될 수 있으며, 정렬 프로세스가 정확하게 진행될 수 있다.10 may be a graph derived from a result of modifying offset values of the first image processing regions in the exemplary embodiment illustrated in FIG. 9. Referring to FIG. 10, offset values of all image processing regions included in one unit region may be included in a range of 1 or more and 2 or less. Therefore, the pixels of all the image processing regions included in one unit region can be modified to a similar degree, and the alignment process can be accurately performed.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. Accordingly, various forms of substitution, modification, and alteration may be made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims, which are also within the scope of the present invention. something to do.
10: 검사 장치
11: 카메라
12: 스테이지
13: 프로세서
14: 디스플레이
20: 검사 대상
100: 웨이퍼
101: 반도체 칩
102: 분할 영역
111-118: 단위 영역들
201-227: 이미지 처리 영역들10: inspection device
11: camera
12: stage
13: processor
14: display
20: inspection target
100: wafer
101: semiconductor chip
102: partition
111-118: unit areas
201-227: Image Processing Areas
Claims (10)
상기 원본 이미지를 복수의 이미지 처리 영역들로 분할하는 단계;
상기 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 복수의 이미지 처리 영역들을 정렬하는 데에 필요한 기준 패턴을 결정하는 단계;
상기 복수의 이미지 처리 영역들 중에서 상기 기준 패턴의 적합도가 임계값보다 낮은 제1 이미지 처리 영역들을 선택하는 단계; 및
상기 제1 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 기준 패턴과 다른 후보 패턴들을 선정하고, 상기 기준 패턴을 상기 후보 패턴들 중 하나로 변경하는 단계; 를 포함하는 검사 방법.
Capturing a partial area of the inspection object transferred in the first direction to obtain an original image;
Dividing the original image into a plurality of image processing regions;
Determining a reference pattern required for aligning the plurality of image processing regions in each of the plurality of image processing regions;
Selecting first image processing regions from among the plurality of image processing regions, the suitability of the reference pattern being lower than a threshold value; And
Selecting candidate patterns different from the reference pattern in each of the first image processing regions, and changing the reference pattern to one of the candidate patterns; Inspection method comprising a.
상기 원본 이미지를 복수의 단위 영역들로 분할하는 단계; 및
상기 복수의 단위 영역들 각각을 상기 복수의 이미지 처리 영역들로 분할하는 단계; 를 더 포함하는 검사 방법.
The method of claim 1,
Dividing the original image into a plurality of unit regions; And
Dividing each of the plurality of unit regions into the plurality of image processing regions; Inspection method comprising more.
상기 복수의 단위 영역들 각각은 하나의 반도체 칩의 이미지인 검사 방법.
The method of claim 2,
And each of the plurality of unit regions is an image of one semiconductor chip.
상기 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 기준 패턴을 이용하여, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 발생하는 상기 검사 대상의 움직임을 보상하는 단계; 를 더 포함하는 검사 방법.
The method of claim 1,
Compensating for the movement of the inspection object occurring in a second direction crossing the first direction by using the reference pattern in each of the plurality of image processing regions; Inspection method comprising more.
상기 제1 이미지 처리 영역들을 선택하는 단계는,
상기 기준 패턴을 이용하여, 상기 복수의 이미지 처리 영역들을 정렬하는 데에 필요한 오프셋 값들을 결정하는 단계; 및
상기 오프셋 값들을 이용하여 상기 제1 이미지 처리 영역들을 선택하는 단계; 를 포함하는 검사 방법.
The method of claim 1,
The selecting of the first image processing regions may include:
Determining offset values required for aligning the plurality of image processing regions using the reference pattern; And
Selecting the first image processing regions using the offset values; Inspection method comprising a.
상기 복수의 이미지 처리 영역들 중에서, 상기 오프셋 값이 소정의 기준 범위를 벗어나는 영역들을 상기 제1 이미지 처리 영역들로 선택하는 검사 방법.
The method of claim 5,
And among the plurality of image processing areas, areas in which the offset value is out of a predetermined reference range are selected as the first image processing areas.
상기 오프셋 값들을 이용하여 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 복수의 이미지 처리 영역들을 정렬하는 단계; 및
상기 복수의 이미지 처리 영역들을 정렬 결과에 기초하여, 상기 복수의 이미지 처리 영역들 각각의 기준 패턴의 변경 여부를 판단하는 단계; 를 더 포함하는 검사 방법.
The method of claim 5,
Aligning the plurality of image processing regions in a second direction crossing the first direction using the offset values; And
Determining whether the reference pattern of each of the plurality of image processing regions is changed based on an alignment result of the plurality of image processing regions; Inspection method comprising more.
상기 기준 패턴을 상기 후보 패턴들 중 하나로 변경하는 단계는,
상기 후보 패턴들을 화면에 표시하는 단계; 및
상기 후보 패턴들 중에서 관리자가 선택한 후보 패턴으로 상기 기준 패턴을 변경하는 단계; 를 포함하는 검사 방법.
The method of claim 1,
Changing the reference pattern to one of the candidate patterns,
Displaying the candidate patterns on a screen; And
Changing the reference pattern to a candidate pattern selected by an administrator among the candidate patterns; Inspection method comprising a.
상기 기준 패턴을 상기 후보 패턴들 중 하나로 변경하는 단계는,
미리 준비된 기계 학습 모델에 상기 후보 패턴들을 입력하는 단계; 및
상기 후보 패턴들 각각에 대한 상기 기계 학습 모델의 결과 값에 기초하여, 상기 후보 패턴들 중 하나로 상기 기준 패턴을 변경하는 단계; 를 포함하는 검사 방법.
The method of claim 1,
Changing the reference pattern to one of the candidate patterns,
Inputting the candidate patterns into a machine learning model prepared in advance; And
Changing the reference pattern to one of the candidate patterns based on a result of the machine learning model for each of the candidate patterns; Inspection method comprising a.
상기 스테이지의 상부에서 상기 검사 대상을 촬영하여, 복수의 이미지 처리 영역들을 갖는 원본 이미지를 생성하는 카메라;
상기 복수의 이미지 처리 영역들 각각에서 기준 패턴을 결정하고, 상기 기준 패턴의 적합도가 소정의 임계값보다 낮은 영역을 제1 이미지 처리 영역들로 선택하며, 상기 제1 이미지 처리 영역들 각각에서 상기 기준 패턴과 다른 후보 패턴들을 선정하는 프로세서; 및
상기 제1 이미지 처리 영역들 각각에 대한 상기 후보 패턴들을 표시하는 디스플레이; 를 포함하는 검사 장치.
A transfer unit configured to transfer the inspection object in a first direction on the stage;
A camera for photographing the inspection object from the top of the stage to generate an original image having a plurality of image processing regions;
A reference pattern is determined in each of the plurality of image processing regions, a region having a goodness of fit of the reference pattern lower than a predetermined threshold is selected as first image processing regions, and the reference in each of the first image processing regions. A processor for selecting candidate patterns different from the pattern; And
A display for displaying the candidate patterns for each of the first image processing regions; Inspection device comprising a.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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