KR20190133627A - Compound, coating composition comprising compound and electroluminescence device comprising the same - Google Patents

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Abstract

The present specification relates to a compound, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device. The compound according to an embodiment of the present specification can be used as a material of an organic material layer of the organic light emitting device, thereby being able to lower a driving voltage of the organic light emitting device, improving light efficiency thereof, and improving lifetime characteristics of a device.

Description

화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 유기 발광 소자{COMPOUND, COATING COMPOSITION COMPRISING COMPOUND AND ELECTROLUMINESCENCE DEVICE COMPRISING THE SAME}Compound, coating composition and organic light emitting device comprising the same {COMPOUND, COATING COMPOSITION COMPRISING COMPOUND AND ELECTROLUMINESCENCE DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 명세서는 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device.

본 출원은 2018년 5월 23일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10- 2018-0058326호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2018-0058326 filed with the Korea Intellectual Property Office on May 23, 2018, the entire contents of which are incorporated herein.

유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 애노드와 캐소드 사이에 유기물층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전류를 걸어주게 되면 캐소드와 애노드로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기전계 발광소자는 일반적으로 캐소드와 애노드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.The organic light emitting phenomenon is an example of converting an electric current into visible light by an internal process of a specific organic molecule. The principle of the organic light emitting phenomenon is as follows. When the organic material layer is positioned between the anode and the cathode, when a current is applied between the two electrodes, electrons and holes are injected into the organic material layer from the cathode and the anode, respectively. Electrons and holes injected into the organic material layer recombine to form excitons, and the excitons fall back to the ground to shine. An organic light emitting device using this principle may generally be composed of an organic material layer including a cathode, an anode, and an organic material layer disposed therebetween, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공 주입 물질이나 정공 수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자 주입 물질이나 전자 수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.Most of the materials used in the organic light emitting device are pure organic materials or complex compounds in which organic materials and metals are complexed, and according to the purpose, hole injection materials, hole transport materials, light emitting materials, electron transport materials, electron injection materials, etc. It can be divided into. Here, as the hole injection material or the hole transport material, an organic material having a p-type property, that is, an organic material which is easily oxidized and has an electrochemically stable state during oxidation, is mainly used. On the other hand, as the electron injecting material or the electron transporting material, an organic material having an n-type property, that is, an organic material which is easily reduced and has an electrochemically stable state during reduction is mainly used. As the light emitting material, a material having a p-type property and an n-type property at the same time, that is, a material having a stable form in both oxidation and reduction states is preferable. desirable.

위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.In addition to the above, it is preferable that the material used in the organic light emitting device additionally have the following properties.

첫째로, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 열적 안정성이 우수한 것이 바람직하다. 유기 발광 소자내에서는 전하들의 이동에 의한 줄열(joule heat)이 발생하기 때문이다. 현재 정공 수송층 물질로 주로 사용되는 NPB(n-propyl bromide)는 유리 전이 온도가 100℃ 이하의 값을 가지므로, 높은 전류를 필요로 하는 유기 발광소자에는 사용하기 힘든 문제가 있다.First, the material used in the organic light emitting device is preferably excellent in thermal stability. This is because joule heat is generated by the movement of charges in the organic light emitting device. NPB (n-propyl bromide), which is mainly used as a hole transporting material, has a glass transition temperature of less than or equal to 100 ° C., which makes it difficult to use an organic light emitting device that requires a high current.

둘째로, 저전압 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 용액 도포법에 의해 제조되는 유기 발광 소자에서 정공 수송 물질로 사용되는 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid))의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물의 LUMO 에너지 준위에 비하여 LUMO 에너지 준위가 낮기 때문에 고효율, 장수명의 유기 발광 소자 제조에 어려움이 있다.Second, in order to obtain a high-efficiency organic light emitting device capable of low voltage driving, holes or electrons injected into the organic light emitting device should be smoothly transferred to the light emitting layer, and the injected holes and electrons should not escape out of the light emitting layer. For this purpose, the material used for the organic light emitting device should have an appropriate band gap and HOMO or LUMO energy level. In the case of PEDOT: PSS (Poly (3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly (styrenesulfonic acid)), which is currently used as a hole transporting material in organic light emitting devices manufactured by solution coating, LUMO energy of organic materials used as light emitting layer materials Since the LUMO energy level is lower than the level, it is difficult to manufacture an organic light emitting device having high efficiency and long life.

이외에도 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.In addition, the material used for the organic light emitting device should be excellent in chemical stability, charge mobility, interfacial characteristics with the electrode or the adjacent layer. That is, the material used for the organic light emitting device should be less deformation of the material by moisture or oxygen. In addition, by having an appropriate hole or electron mobility it should be able to maximize the exciton formation by balancing the density of holes and electrons in the light emitting layer of the organic light emitting device. In addition, for the stability of the device should be able to improve the interface with the electrode containing a metal or metal oxide.

따라서, 당 기술 분야에서는 상기와 같은 요건을 갖춘 유기물의 개발이 요구되고 있다.Therefore, there is a demand in the art for the development of organic materials having the above requirements.

한국 공개특허공보 제10-2012-0112277호Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2012-0112277

본 명세서는 화합물, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound, a coating composition comprising the same, and an organic light emitting device.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by the following Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서, In Chemical Formula 1,

Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이고, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group,

R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

r1 내지 r3은 각각 1 내지 3이고, r1 to r3 are each 1 to 3,

r4는 1 내지 4이며, r4 is 1 to 4,

상기 r1 내지 r4가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 내지 R4는 각각 서로 같거나 상이하고, When r1 to r4 are each 2 or more, two or more R1 to R4 are the same as or different from each other,

X3은

Figure pat00002
; 또는
Figure pat00003
이며,X3 is
Figure pat00002
; or
Figure pat00003
Is,

X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로

Figure pat00004
;
Figure pat00005
; 또는
Figure pat00006
이며,X1 and X2 are the same as or different from each other, and each independently
Figure pat00004
;
Figure pat00005
; or
Figure pat00006
Is,

Figure pat00007
는 각각 연결되는 부위를 의미하며,
Figure pat00007
Means each connecting portion,

L4는 치환 또는 비치환된 알킬렌기이고,L 4 is a substituted or unsubstituted alkylene group,

L5는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며, L5 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이고,R5 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group,

a1 및 a2는 각각 0 또는 1이고 a1 and a2 are each 0 or 1

a2가 0일 때, 상기 L2는 치환 또는 비치환된 아릴기이며, when a2 is 0, L2 is a substituted or unsubstituted aryl group,

a2가 1일 때, 상기 L2는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,when a2 is 1, L2 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,

L1은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, L 1 is a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

m은 1 또는 2이고, m이 2인 경우, 상기 L1은 서로 같거나 상이하고, m is 1 or 2, when m is 2, L1 is the same as or different from each other,

L3은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 알킬렌기이며L3 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted alkylene group

0 ≤ a1 + a2 ≤2이다. 0 ≦ a1 + a2 ≦ 2.

또한, 본 명세서는 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다. In addition, the present disclosure provides a coating composition comprising the compound.

또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 코팅 조성물 및 이의 경화물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present specification is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the coating composition and a cured product thereof. do.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 이용하여 형성된 유기물층은 열 및 광을 통한 경화 후 열적 및 광적 안정성이 우수하고 타 용매에 대한 용해성을 가지지 않아, 상기 성막 위에 또 다른 용액 공정을 통하여 적층 성막 공정을 수행할 수 있다. The organic material layer formed using the compound according to the exemplary embodiment of the present specification is excellent in thermal and optical stability after curing through heat and light and does not have solubility in other solvents, and thus, a layer forming process through another solution process on the film forming. Can be performed.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용되어, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮출 수 있다.In addition, the compound according to the exemplary embodiment of the present specification may be used as a material of the organic material layer of the organic light emitting diode, thereby lowering the driving voltage of the organic light emitting diode.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용되어, 광효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the compound according to the exemplary embodiment of the present specification is used as a material of the organic material layer of the organic light emitting device, it is possible to improve the light efficiency.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로 사용되어, 소자의 수명특성을 향상시킬 수 있다.In addition, the compound according to one embodiment of the present specification is used as a material of the organic material layer of the organic light emitting device, it is possible to improve the life characteristics of the device.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 낮은 온도에서 경화가 가능하여 유기 발광 소자의 양산화에 유리하며, 용해도가 높으므로 용액공정이 가능하여, 유기 발광 소자에서 대면적화가 가능하다. In addition, the compound according to an exemplary embodiment of the present specification is capable of curing at a low temperature, which is advantageous for mass production of an organic light emitting device, and because of high solubility, a solution process is possible, thereby allowing a large area in an organic light emitting device.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 나타낸 도이다. 1 is a diagram illustrating an example of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, this specification is demonstrated in detail.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서의 화합물은 경화기의 운동성을 높여 비교적 낮은 온도에서 경화가 일어나도록 하여 양산화 하는데 효과적이다. 또한 경화기와 플루오렌기 사이에 알킬렌기가 있으므로 용해도가 증가하여 용액 공정의 잉크 제조 시 용매 선택의 폭이 넓다. 본 발명의 아민기가 결합된 화합물과 경화개시제 및 p 도핑 물질의 코팅 조성물을 열 또는 광처리하여 제작한 박막은 용매에 대한 내성이 우수하며, 전류 효율 및 소자의 특성이 우수한 유기 발광 소자를 제공한다.The compound of the present specification is effective in mass production by increasing the mobility of the curing machine to cause curing at a relatively low temperature. In addition, since there is an alkylene group between the hardener and the fluorene group, solubility is increased, and thus a wide range of solvents are selected in preparing the ink in the solution process. The thin film prepared by heat or light treatment of the coating composition of the compound and the curing initiator and the p-doped material of the amine group of the present invention provides an organic light emitting device having excellent solvent resistance, excellent current efficiency and device characteristics.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of substituents herein are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서,

Figure pat00008
는 연결되는 부위를 의미한다.In the present specification,
Figure pat00008
Means a site to be connected.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, if two or more substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아민기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. As used herein, the term "substituted or unsubstituted" is deuterium; Halogen group; Nitrile group; An alkyl group; Cycloalkyl group; Amine groups; Silyl groups; Phosphine oxide groups; Aryl group; And one or two or more substituents selected from the group consisting of heteroaryl groups including one or more of N, O, S, Se, and Si atoms, or two or more substituents among the substituents exemplified above are substituted with a substituent, or any It means that it does not have a substituent.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하고, 1 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 30. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl , Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n -Heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethyl Heptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 3 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3 , 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하고, 2 내지 20인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched chain, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 40, more preferably 2 to 20. Specifically, vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- (naphthyl -1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, specifically, the silyl group includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, phosphine oxide groups include, but are not limited to, diphenylphosphine oxide group, dinaphthylphosphine oxide, and the like.

본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하고, 6 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, when the aryl group is a monocyclic aryl group, carbon number is not particularly limited, but is preferably 6 to 50 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quarterphenyl group, etc., but is not limited thereto.

상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 50인 것이 바람직하고, 10 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Carbon number is not particularly limited when the aryl group is a polycyclic aryl group. It is preferable that it is C10-C50, and 10-30 are more preferable. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, peryllenyl group, triphenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 50인 것이 바람직하고, 10 내지 30이 더욱 바람직하다. 아민기는 전술한 알킬기, 아릴기, 헤테로고리기, 알케닐기, 시클로알킬기 및 이들의 조합 등이 치환될 수 있으며, 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 50, more preferably 10 to 30. The amine group may be substituted with the aforementioned alkyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkyl group, and combinations thereof. Specific examples of the amine group include methylamine group, dimethylamine group, ethylamine group, diethylamine Group, phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 9-methyl-anthracenylamine group, diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group And triphenylamine groups, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다. 아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or unsubstituted triarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group. The arylamine group including two or more aryl groups may simultaneously include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group. For example, the aryl group in the arylamine group may be selected from the examples of the aryl group described above. Specific examples of the arylamine group include phenylamine, naphthylamine, biphenylamine, anthracenylamine, 3-methyl-phenylamine, 4-methyl-naphthylamine, 2-methyl-biphenylamine, 9-methyl-anthra Cenylamine, diphenyl amine group, phenyl naphthyl amine group, ditolyl amine group, phenyl tolyl amine group, carbazole and triphenyl amine group and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 것으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하고, 2 내지 30인 것이 더욱 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기(phthalazine), 프테리딘기(pteridine), 피리도 피리미딘기(pyrido pyrimidine), 피리도 피라진기(pyrido pyrazine), 피라지노 피라진기(pyrazino pyrazine), 이소퀴놀린기, 인돌기, 피리도 인돌기(pyrido indole), 인데노 피리미딘(5H-indeno pyrimidine), 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기 및 티아디아졸릴기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group includes one or more of N, O, S, Si, and Se as heteroatoms, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms. Do. Examples of the heterocyclic group include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridine group, bipyridine group, pyrimidine group, triazine group, acridine group , Pyridazine group, pyrazine group, quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, phthalazine group (phthalazine), pteridine group (pteridine), pyrido pyrimidine, pyrido pyrazine group (pyrido pyrazine) ), Pyrazino pyrazine, isoquinoline, indole, pyrido indole, inno pyrimidine, carbazole, benzoxazole group, benzimidazole group, Benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuran group, dibenzofuran group, phenanthroline group, phenanthroline group, thiazolyl group, isoxazolyl group, oxadiazolyl group and thia Diazolyl group, etc., but is not limited to these.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the heteroaryl group may be selected from examples of the heterocyclic group except that the heteroaryl group is aromatic, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 알킬렌기는 알킬기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 알킬기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the alkylene group refers to a divalent group having two bonding positions in the alkyl group. The description of the aforementioned alkyl groups can be applied except that they are each divalent.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the arylene group refers to a divalent group having two bonding positions in the aryl group. The description of the aforementioned aryl group can be applied except that they are each divalent.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group means a divalent group having two bonding positions in the heteroaryl group. The description of the aforementioned heteroaryl group can be applied except that they are each divalent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다. In one embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기이다. In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group; Substituted or unsubstituted biphenyl group; Or a substituted or unsubstituted naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프틸기이다. In one embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; A biphenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; Or a naphthyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group; Or a biphenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1은 메틸기, 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 메틸기, 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 비페닐기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a methyl group or a phenyl group unsubstituted or substituted with a butyl group; Or a biphenyl group unsubstituted or substituted with a methyl group or a butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 페닐기이다. In one embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with a butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with a tert-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; Or a substituted or unsubstituted phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 또는 부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with a butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, R1 is hydrogen; Or a phenyl group unsubstituted or substituted with a tert-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 내지 R4는 수소이다. In one embodiment of the present specification, R2 to R4 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1 내지 r3은 각각 1 내지 3이고, r4는 1 내지 4이며, 상기 r1 내지 r4가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 내지 R4는 각각 서로 같거나 상이하다.In an exemplary embodiment of the present specification, r1 to r3 are each 1 to 3, r4 is 1 to 4, and when r1 to r4 are each 2 or more, two or more R1 to R4 are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X3은

Figure pat00009
또는
Figure pat00010
이다.In one embodiment of the present specification, X3 is
Figure pat00009
or
Figure pat00010
to be.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로

Figure pat00011
;
Figure pat00012
; 또는
Figure pat00013
이다. In one embodiment of the present specification, X1 and X2 are the same as or different from each other, and each independently
Figure pat00011
;
Figure pat00012
; or
Figure pat00013
to be.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted alkylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted C1-C10 alkylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 8의 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 8 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L4는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 8의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌기이다.In one embodiment of the present specification, L4 is a substituted or unsubstituted linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다. In one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; Substituted or unsubstituted phenylene group; Or a substituted or unsubstituted naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다. In one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; A phenylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group; Or a naphthylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 탄소수 1 내지 3의 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다. In one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; A phenylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; Or a naphthylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다. In one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; A phenylene group unsubstituted or substituted with a methyl group; Or a naphthylene group unsubstituted or substituted with a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L5는 직접결합; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 나프틸렌기이다. In one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; A phenylene group unsubstituted or substituted with a methyl group; Or a naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, R5 and R6 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, R5 and R6 are the same as or different from each other, and are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 주쇄의 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, R5 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a linear or main chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 주쇄의 알킬기이다. In one embodiment of the present specification, R5 and R6 are the same as or different from each other, and are each independently a linear or main chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5 및 R6은 메틸기이다.In one embodiment of the present specification, R5 and R6 are methyl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a1 및 a2는 각각 0 또는 1이다.In one embodiment of the present specification, a1 and a2 are each 0 or 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a2가 0일 때, 상기 L2는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, when the a2 is 0, L2 is a substituted or unsubstituted aryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a2가 0일 때, 상기 L2는 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, when the a2 is 0, L2 is a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a2가 1일 때, 상기 L2는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, when the a2 is 1, the L2 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a2가 1일 때, 상기 L2는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, when the a2 is 1, the L2 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a2가 1일 때, 상기 L2는 직접결합; 또는 페닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, when the a2 is 1, the L2 is a direct bond; Or a phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 m은 1 또는 2이고, m이 2인 경우 L1은 서로 같거나 상이하고, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, m is 1 or 2, when m is 2, L1 is the same as or different from each other, and L1 is a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조퓨란기이다.In one embodiment of the present specification, L1 is a substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted divalent fluorene group; Or a substituted or unsubstituted divalent dibenzofuran group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 페닐렌기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 또는 2가의 디벤조퓨란기이다.In one embodiment of the present specification, L1 is a phenylene group; Divalent fluorene group unsubstituted or substituted with an alkyl group; Or a divalent dibenzofuran group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L1은 페닐렌기; 메틸기로 치환된 2가의 플루오렌기; 또는 2가의 디벤조퓨란기이다.In one embodiment of the present specification, L1 is a phenylene group; Divalent fluorene group substituted with methyl group; Or a divalent dibenzofuran group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 또는 알킬렌기이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; Or an alkylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; Or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; Or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; Or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 또는 탄소수 1 내지 5의 직쇄의 알킬렌기이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; Or a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합이다. In one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 0 ≤ a1 + a2 ≤ 2이다. In one embodiment of the present specification, 0 ≦ al + a2 ≦ 2.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다. In one embodiment of the present specification, Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 2.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 2에 있어서,In Chemical Formula 2,

L1 내지 L3, Ar1, Ar2, R1 내지 R4, r1 내지 r4, X1 내지 X3, m, a1 및 a2에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.The definitions for L1 to L3, Ar1, Ar2, R1 to R4, r1 to r4, X1 to X3, m, a1 and a2 are the same as defined in Chemical Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds.

Figure pat00015
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Figure pat00016
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Figure pat00017
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Figure pat00018
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Figure pat00019
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Figure pat00020
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Figure pat00021
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Figure pat00022
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Figure pat00023
Figure pat00023

Figure pat00024
Figure pat00024

Figure pat00025
Figure pat00025

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. Compounds according to one embodiment of the present specification may be prepared by the production method described below. In the following production examples, representative examples are described, but if necessary, a substituent may be added or excluded, and the position of the substituent may be changed. In addition, based on techniques known in the art, it is possible to change the starting materials, reactants, reaction conditions and the like.

Figure pat00026
Figure pat00026

상기 식에서 X1 내지 X3, Ar1, Ar2, L1 내지 L3, R1 내지 R4, a1, a2, r1 내지 r3, 및 m은 화학식 1에서의 정의와 같다. Wherein X1 to X3, Ar1, Ar2, L1 to L3, R1 to R4, a1, a2, r1 to r3, and m are the same as defined in the formula (1).

본 명세서는 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물을 제공한다. The present specification provides a coating composition comprising the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 코팅 조성물은 용매를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the coating composition may further include a solvent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다. In one embodiment of the present specification, the coating composition may be a liquid. The "liquid phase" means a liquid state at room temperature and normal pressure.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매;및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 메틸 벤조에이트, 부틸 벤조에이트, 3-페녹시 벤조에이트 등의 벤조에이트계 용매; 테트랄린 등의 용매가 예시되나, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매라면 가능하며, 이들로 한정되는 것은 아니다.In one embodiment of the present specification, the solvent is, for example, a chlorine solvent such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene; Ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, and mesitylene; Aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane and n-decane; Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate; Polyhydric compounds such as ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin and 1,2-hexanediol Alcohols and derivatives thereof; Alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and cyclohexanol; Sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide; Benzoate solvents such as methyl benzoate, butyl benzoate and 3-phenoxy benzoate; Although a solvent such as tetralin is exemplified, any solvent capable of dissolving or dispersing the compound according to one embodiment of the present specification is possible, but is not limited thereto.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매는 1 종 단독으로 사용하거나, 또는 2 종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다. In another exemplary embodiment, the solvent may be used alone or in combination of two or more solvents.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 용매의 비점은 바람직하게 40℃ 내지 250℃, 더욱 바람직하게는 60℃ 내지 230℃이나, 이에 한정되는 것은 아니다.In another exemplary embodiment, the boiling point of the solvent is preferably 40 ° C. to 250 ° C., more preferably 60 ° C. to 230 ° C., but is not limited thereto.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 단독 혹은 혼합 용매의 점도는 바람직하게 1 CP 내지 10 CP, 더욱 바람직하게는 3 CP 내지 8 CP 이나, 이에 한정되는 것은 아니다.In another exemplary embodiment, the viscosity of the single or mixed solvent is preferably 1 CP to 10 CP, more preferably 3 CP to 8 CP, but is not limited thereto.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 농도는 바람직하게 0.1 wt/v% 내지 20 wt/v%, 더욱 바람직하게는 0.5 wt/v% 내지 5 wt/v% 이나, 이에 한정되는 것은 아니다.In another exemplary embodiment, the concentration of the coating composition is preferably 0.1 wt / v% to 20 wt / v%, more preferably 0.5 wt / v% to 5 wt / v%, but is not limited thereto. .

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열중합 개시제 및 광중합 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the coating composition may further include one or two or more additives selected from the group consisting of a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator.

상기 열중합 개시제는 메틸 에틸 케톤퍼옥사이드, 메틸 이소부틸 케톤퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 메틸사이클로헥사논 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드, 이소부티릴 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 비스-3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, p-크롤 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-(t-부틸 옥시)-헥산, 1,3-비스(t-부틸 퍼옥시-이소프로필) 벤젠, t-부틸 쿠밀(cumyl) 퍼옥사이드, 디-t부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-(디t-부틸 퍼옥시) 헥산-3, 트리스-(t-부틸 퍼옥시) 트리아진, 1,1-디t-부틸 퍼옥시-3,3,5-트리메틸 시클로헥산, 1,1-디t-부틸 퍼옥시 시클로헥산, 2,2-디(t-부틸 퍼옥시)부탄, 4,4-디-t-브치르파오키시바레릭크앗시드 n-부틸 에스테르, 2,2-비스(4,4-t-부틸 퍼옥시 사이클로헥실)프로판, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디t-부틸 퍼옥시 헥사하이드로 테레프탈레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디t-부틸 퍼옥시 트리메틸 아디페이트 등의 과산화물, 혹은 아조비스 이소부틸니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 아조비스 시클로헥실 니트릴 등의 아조계가 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The thermal polymerization initiator is methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, cyclohexanone peroxide, isobutyryl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide , Bis-3,5,5-trimethyl hexanoyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, p-chloro benzoyl peroxide, dicumylperoxide, 2,5-dimethyl-2,5- (t-butyl Oxy) -hexane, 1,3-bis (t-butyl peroxy-isopropyl) benzene, t-butyl cumyl peroxide, di-tbutyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5- ( Dit-butyl peroxy) hexane-3, tris- (t-butyl peroxy) triazine, 1,1-dit-butyl peroxy-3,3,5-trimethyl cyclohexane, 1,1-dit -Butyl peroxy cyclohexane, 2,2-di (t-butyl peroxy) butane, 4,4-di-t-butchipachybariclic acid n-butyl ester, 2,2-bis (4, 4-t-butyl peroxy cyclo C) propane, t-butylperoxyisobutylate, dit-butyl peroxy hexahydro terephthalate, t-butyl peroxy-3,5,5-trimethylhexaate, t-butylperoxybenzoate, dit Peroxides, such as -butyl peroxy trimethyl adipate, or an azo system, such as azobis isobutyl nitrile, azobisdimethylvaleronitrile, azobis cyclohexyl nitrile, but it is not limited to this.

상기 광중합 개시제는 디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1-온,1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤,4-(2-히드록시에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤,2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1,2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온,2-메틸-2-모르폴리노(4-메틸 티오페닐) 프로판-1-온,1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 등의 아세토페논계 또는 케탈계 광중합 개시제, 벤조인, 벤조인메치르에이텔, 벤조인에치르에이텔, 벤조인이소브치르에이텔, 벤조인이소프로피르에이텔 등의 벤조인에테르계 광중합 개시제, 벤조페논,4-하이드록시벤조페논, 2-벤조일나프탈렌,4-벤조일 비페닐,4-벤조일페닐에테르, 아크릴화벤조페논, 1,4-벤조일 벤젠, 등의 벤조페논계 광중합 개시제,2-이소프로필티옥산톤,2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤 등의 티옥산톤계 광중합 개시제가 있으며, 기타 광중합 개시제로서는, 에틸 안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일 페닐 에톡시 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4-디메톡시 벤조일)-2,4,4-트리메틸 펜틸포스핀 옥사이드, 메치르페니르그리오키시에스텔, 9,10-페난트렌, 아크리딘계 화합물, 트리아진계 화합물, 이미다졸계 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The photoinitiator is diethoxy acetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl ethane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 4- (2-hydroxyethoxy) Phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl Propane-1-one, 2-methyl-2-morpholino (4-methyl thiophenyl) propane-1-one, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime Benzoin ethers such as acetophenone-based or ketal-based photopolymerization initiators, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ether ether, benzoin isobutyl ether, benzoin isopropyl ether, etc. Benzophenone type photoinitiators, such as a photoinitiator, benzophenone, 4-hydroxy benzophenone, 2-benzoyl naphthalene, 4-benzoyl biphenyl, 4- benzoyl phenyl ether, acrylated benzophenone, 1, 4- benzoyl benzene, 2 Isopropyl thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4 -Thioxanthone type photoinitiators such as -dimethyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone and 2,4-dichlorothioxanthone, and other photopolymerization initiators include ethyl anthraquinone and 2,4,6-trimethyl. Benzoyl diphenyl phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl phenyl ethoxy phosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl phosphine oxide, bis (2,4-dimethoxy benzoyl) -2 , 4,4-trimethyl pentylphosphine oxide, methyphenyrrigniochisteel, 9,10-phenanthrene, acridine-based compound, triazine-based compound, imidazole-based compound, but is not limited thereto .

또한, 광중합 촉진 효과를 가지는 것을 단독 또는 상기 광 중합 개시제와 병용해 이용할 수도 있다. 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸 디에탄올 아민,4-디메틸아미노 안식향산 에틸,4-디메틸아미노 안식향산 이소아밀, 안식향산(2-디메틸아미노) 에틸, 4,4'-디메틸아미노벤조페논 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Moreover, what has a photopolymerization promoting effect can also be used individually or in combination with the said photoinitiator. Examples include triethanolamine, methyl diethanol amine, 4-dimethylamino benzoate, 4-dimethylamino benzoate isoamyl, benzoic acid (2-dimethylamino) ethyl, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, and the like. It is not limited.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자를 제공한다. The present specification also provides an organic light emitting device formed using the coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 이용하여 형성된다. In one embodiment of the present specification, the first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is formed using a coating composition or a cured product thereof including the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다. In one embodiment of the present specification, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. In another embodiment, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층이다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer formed using the coating composition is a hole transport layer, a hole injection layer or a layer for simultaneously transporting holes and hole injection.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 하기 화학식 11로 표시되는 음이온기; 및 하기 화학식 12로 표시되는 양이온기를 포함하는 이온성 화합물을 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the coating composition is an anion group represented by the formula (11); And it may further comprise an ionic compound comprising a cationic group represented by the formula (12).

[화학식 11][Formula 11]

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 화학식 11에 있어서, In Chemical Formula 11,

R101 내지 R120 중 적어도 하나는 F; 시아노기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오로알킬기이고, At least one of R101 to R120 is F; Cyano group; Or a substituted or unsubstituted fluoroalkyl group,

나머지 R101 내지 R120 중 적어도 하나는 경화기이며, At least one of the remaining R101 to R120 is a curing machine,

나머지 R101 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트로기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,The remaining R101 to R120 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitro group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,

[화학식 12][Formula 12]

Figure pat00028
Figure pat00028

상기 화학식 12에 있어서,In Chemical Formula 12,

R121 내지 R130은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트로기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 경화기이다. R121 to R130 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitro group; Halogen group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group, or a curing group.

본 명세서에서 "경화기"란 열 및/또는 광에 노출시킴으로써, 화합물 간에 가교를 시키는 반응성 치환기를 의미할 수 있다. 가교는 열처리 또는 광조사에 의하여 탄소-탄소 다중결합, 환형 구조가 분해되면서 생성된 라디칼이 연결되면서 생성될 수 있다.As used herein, "curing group" may refer to a reactive substituent that crosslinks between compounds by exposure to heat and / or light. The crosslinking may be generated while the radicals generated as the carbon-carbon multiple bond and the cyclic structure are decomposed by heat treatment or light irradiation are connected.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R103, R108, R113 및 R118 중 적어도 하나는 경화기이다. In one embodiment of the present specification, at least one of the R103, R108, R113 and R118 is a curing machine.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 경화기는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, the curing machine is any one selected from the following structures.

Figure pat00029
Figure pat00029

상기 구조에 있어서, In the above structure,

L11은 직접결합; -O-; -S-; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, L11 is a direct bond; -O-; -S-; Substituted or unsubstituted alkylene group; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

k는 1 또는 2이며,k is 1 or 2,

상기 k가 2인 경우, 상기 L11은 서로 같거나 상이하고, When k is 2, L11 is the same as or different from each other,

R131은 치환 또는 비치환된 알킬기이다.R131 is a substituted or unsubstituted alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11의 경화기는 비닐기이다. In one embodiment of the present specification, the curing group of Formula 11 is a vinyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11의 R103, R108, R113 및 R118은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 비닐기 또는 F이다. In one embodiment of the present specification, R103, R108, R113 and R118 of Formula 11 are the same as or different from each other, and are each independently a vinyl group or a F.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11의 R103, R108, R113 및 R118 중 적어도 하나는 경화기이다.In one embodiment of the present specification, at least one of R103, R108, R113 and R118 of Formula 11 is a curing machine.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11의 R103, R108, R113 및 R118 중 적어도 하나는 비닐기이다.In one embodiment of the present specification, at least one of R103, R108, R113 and R118 of Formula 11 is a vinyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11의 R103, R108, R113 및 R118 중 적어도 하나는 비닐기이고, 나머지는 F이다. In one embodiment of the present specification, at least one of R103, R108, R113 and R118 of Formula 11 is a vinyl group, the remainder is F.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 11로 표시되는 음이온기는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, the anionic group represented by Formula 11 is any one selected from the following structures.

Figure pat00030
Figure pat00030

Figure pat00031
Figure pat00031

Figure pat00032
Figure pat00032

Figure pat00033
Figure pat00033

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 12로 표시되는 양이온기는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, the cationic group represented by Formula 12 is any one selected from the following structures.

Figure pat00034
Figure pat00034

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 주입 및 수송층, 전자 저지층 및 정공 저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device is a hole injection layer, a hole transport layer. It may further include one or two or more layers selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, an electron injection and transport layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an organic light emitting device having a structure in which an anode, at least one organic material layer, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In another exemplary embodiment, the organic light emitting device may be an organic light emitting device having an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may be formed of a single layer structure, but may be formed of a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present specification may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer and the like as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다. For example, the structure of the organic light emitting device according to the exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIG. 1.

상기 도 1에는 기판(101) 상에 애노드(201), 정공 주입층(301), 정공 수송층(401), 발광층(501), 전자 주입 및 수송층(601) 및 캐소드(701)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. In FIG. 1, an anode 201, a hole injection layer 301, a hole transport layer 401, a light emitting layer 501, an electron injection and transport layer 601, and a cathode 701 are sequentially stacked on the substrate 101. The structure of the organic light emitting element is illustrated.

상기 도 1은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다. 1 illustrates an organic light emitting diode and is not limited thereto.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 코팅 조성물을이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer is formed using a coating composition.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode. It may be prepared by forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to the above method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. The present specification also provides a method of manufacturing an organic light emitting device formed using the coating composition.

구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 캐소드 또는 애노드를 형성하는 단계; 상기 캐소드 또는 애노드 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 애노드 또는 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 코팅 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.Specifically, in one embodiment of the present specification, preparing a substrate; Forming a cathode or anode on the substrate; Forming at least one organic layer on the cathode or anode; And forming an anode or a cathode on the organic material layer, wherein the forming the organic material layer comprises forming at least one organic material layer using the coating composition. do.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 스핀 코팅 또는 잉크젯팅을 이용하여 형성된다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer formed using the coating composition is formed using spin coating or ink jetting.

또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 인쇄법에 의하여 형성된다. In another embodiment, the organic material layer formed using the coating composition is formed by a printing method.

본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the state of the present specification, the printing method includes, for example, inkjet printing, nozzle printing, offset printing, transfer printing or screen printing, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다. The coating composition according to an exemplary embodiment of the present specification has an economical effect in time and cost at the time of manufacturing the device because it can be formed by a printing method by the solution process is suitable as a structural characteristic.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계는 상기 캐소드 또는 애노드 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리 하는 단계를 포함한다. In one embodiment of the present specification, the forming of the organic material layer formed using the coating composition comprises: coating the coating composition on the cathode or anode; And heat treating or light treating the coated coating composition.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 열처리하는 시간은 바람직하게 1시간 이내, 더욱 바람직하게 30분 이내이다.In one embodiment of the present specification, the time for heat treatment of the organic material layer formed using the coating composition is preferably within 1 hour, more preferably within 30 minutes.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 열처리하는 분위기는 바람직하게 아르곤, 질소 등의 불활성 기체이다.In one embodiment of the present specification, the atmosphere for heat-treating the organic material layer formed using the coating composition is preferably an inert gas such as argon, nitrogen.

상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계에서 상기 열처리 또는 광처리 단계를 포함하는 경우에는 코팅 조성물에 포함된 복수 개의 플루오렌기가 가교를 형성하여 박막화된 구조가 포함된 유기물층을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층의 표면 위에 증착된 용매에 의하여 용해되거나, 형태학적으로 영향을 받거나 분해되는 것을 방지할 수 있다. When the heat treatment or the light treatment step is included in the step of forming the organic material layer formed using the coating composition, a plurality of fluorene groups included in the coating composition may form a crosslink to provide an organic material layer including a thinned structure. In this case, it may be prevented from being dissolved, morphologically affected or degraded by a solvent deposited on the surface of the organic material layer formed using the coating composition.

따라서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층이 열처리 또는 광처리 단계를 포함하여 형성된 경우에는 용매에 대한 저항성이 증가하여 용액 증착 및 가교 방법을 반복 수행하여 다층을 형성할 수 있으며, 안정성이 증가하여 소자의 수명 특성을 증가시킬 수 있다. Therefore, when the organic layer formed by using the coating composition is formed by a heat treatment or a light treatment step, the resistance to the solvent may be increased to repeatedly form a solution deposition and crosslinking method to form a multilayer, and the stability may be increased. It can increase the life characteristics.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 코팅 조성물은 고분자 결합제에 혼합하여 분산시킨 코팅 조성물을 이용할 수 있다. In one embodiment of the present specification, the coating composition containing the compound may be used as a coating composition mixed and dispersed in a polymer binder.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 고분자 결합제로서는, 전하 수송을 극도로 저해하지 않는 것이 바람직하고, 또한 가시광에 대한 흡수가 강하지 않은 것이 바람직하게 이용된다. 고분자 결합제로서는, 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리아닐린 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 및 그의 유도체, 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 및 그의 유도체, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리실록산 등이 예시된다.In one embodiment of the present specification, the polymer binder is preferably one which does not inhibit charge transport extremely, and preferably one which does not have strong absorption of visible light. Examples of the polymer binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylenevinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-thienylenevinylene) and Derivatives thereof, polycarbonates, polyacrylates, polymethylacrylates, polymethylmethacrylates, polystyrenes, polyvinyl chlorides, polysiloxanes and the like.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기물층에 화합물 단독으로 포함할 수도 있고, 다른 모노머와 혼합한 코팅 조성물을 사용하여 공중합체로서 포함시킬 수 있다. 또한, 다른 고분자와 혼합한 코팅 조성물을 사용하여 공중합체, 또는 혼합물을 포함할 수 있다.In addition, the compound according to the exemplary embodiment of the present specification may be included alone in the organic layer, or may be included as a copolymer using a coating composition mixed with other monomers. It is also possible to include copolymers or mixtures using coating compositions mixed with other polymers.

상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 명세서에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred to facilitate hole injection into the organic material layer. Specific examples of anode materials that can be used herein include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is generally a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the cathode materials include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.

상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and has a capability of transporting holes to the hole injection material, has an effect of hole injection at the anode, excellent hole injection effect to the light emitting layer or the light emitting material, and produced in the light emitting layer The compound which prevents the excitons from moving to the electron injection layer or the electron injection material, and is excellent in thin film formation ability is preferable. Preferably, the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based Organic substances, anthraquinone and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.

상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer. The hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer. The material is suitable. Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 또는 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene; Or rubrene, and the like, but is not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic containing compound. Specifically, the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladder types. Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.

도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Dopant materials include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, metal complexes, and the like. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, and includes pyrene, anthracene, chrysene and periplanthene having an arylamine group, and the styrylamine compound is substituted or unsubstituted. At least one arylvinyl group is substituted with the arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamine group are substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine and the like, but is not limited thereto. In addition, the metal complex includes, but is not limited to, an iridium complex, a platinum complex, and the like.

상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 또는 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. As the electron transporting material, a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable. Do. Specific examples thereof include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Or hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but is not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function followed by an aluminum or silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed by aluminum layers or silver layers in each case.

상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has an ability of transporting electrons, has an electron injection effect from a cathode, an electron injection effect with respect to a light emitting layer or a light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer. The compound which prevents the movement to a layer and is excellent in thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the derivatives thereof, metal Complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtolato) gallium, It is not limited to this.

상기 정공 저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The hole blocking layer is a layer for preventing the cathode from reaching the hole, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the compound may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples. However, the embodiments according to the present disclosure may be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not interpreted to be limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more fully describe the present specification to those skilled in the art.

<제조예><Production example>

제조예 1. 화합물 A의 제조Preparation Example 1 Preparation of Compound A

1) 중간체 A-1 의 제조1) Preparation of Intermediate A-1

Figure pat00035
Figure pat00035

b 61.8g(290mmol, 1.5eq)를 테트라하이드로퓨란(THF) 385ml(0.5M)에 녹이고 -78℃로 낮췄다. nBuLi(2.5M in hexane) 116ml(290mol, 1.5eq)를 천천히 넣고, 30분동안 -78℃에서 교반하였다. a 50g(193mmol, 1.0eq)을 넣고 밤새 교반하였다. 이후 1N HCl(aq)로 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-1을 얻었다.b 61.8 g (290 mmol, 1.5 eq) was dissolved in 385 ml (0.5 M) of tetrahydrofuran (THF) and lowered to -78 ° C. 116 ml (290 mol, 1.5 eq) of nBuLi (2.5 M in hexane) was slowly added and stirred at -78 ° C for 30 minutes. a 50 g (193 mmol, 1.0 eq) was added and stirred overnight. After stopping the reaction with 1N HCl (aq) and extracted the organic layer with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound A-1.

2) 중간체 A-2 의 제조2) Preparation of Intermediate A-2

Figure pat00036
Figure pat00036

A-1 30g(76.3mmol, 1.0eq)을 메틸렌클로라이드(MC) 255ml(0.3M)에 녹이고 0℃로 낮췄다. Et3SiH 18.3ml(114.5mmol, 1.5eq)를 넣고 트리플루오로아세틱에시드(TFA) 8.9ml(305mmol, 4.0eq)를 천천히 넣어주었다. 이후 포화 NaHCO3 수용액으로 반응을 중지시키고 MC로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-2를 얻었다.30 g (76.3 mmol, 1.0 eq) of A-1 was dissolved in 255 ml (0.3 M) of methylene chloride (MC) and lowered to 0 ° C. 18.3 ml (114.5 mmol, 1.5 eq) of Et 3 SiH was added and 8.9 ml (305 mmol, 4.0 eq) of trifluoroacetic acid (TFA) was added slowly. Then the reaction was stopped with a saturated NaHCO 3 aqueous solution and the organic layer was extracted with MC. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound A-2.

3) 중간체 A-3 의 제조3) Preparation of Intermediate A-3

Figure pat00037
Figure pat00037

c 30g(245mmol, 1.0eq)을 아세톤(acetone) 490ml(0.5M)에 녹이고 K2CO3 67.7g(490mmol, 2.0eq)을 넣고 30분 동안 환류[reflux] 하였다. d 133g(490mmol, 2.0eq)을 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-3을 얻었다.c 30 g (245 mmol, 1.0 eq) was dissolved in 490 ml (0.5 M) of acetone, and 67.7 g (490 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 was added and refluxed for 30 minutes. d 133 g (490 mmol, 2.0 eq) was added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound A-3.

4) 중간체 A-4 의 제조4) Preparation of Intermediate A-4

Figure pat00038
Figure pat00038

A-2 20g(53mmol, 1.0eq), 테트라부틸암모늄 브로마이드(TBAB) 1.7g(5.3mmol, 0.1eq), 톨루엔(toluene) 176ml(0.3M)을 넣고 60℃에서 교반하였다. 50wt% NaOH 3.18ml(159mmol, 3.0eq)를 천천히 넣어주었다. A-3 19.9g(63.6mmol, 1.2eq)을 넣고 90℃에서 밤새 교반하였다. 이후 포화 NH4Cl 수용액으로 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-4을 얻었다.20 g (53 mmol, 1.0 eq) of A-2, 1.7 g (5.3 mmol, 0.1 eq) of tetrabutylammonium bromide (TBAB), and 176 ml (0.3 M) of toluene were added thereto and stirred at 60 ° C. 3.18 ml (159 mmol, 3.0 eq) of 50 wt% NaOH was added slowly. A-3 19.9g (63.6mmol, 1.2eq) was added and stirred overnight at 90 ° C. After stopping the reaction with a saturated NH 4 Cl aqueous solution and extracted the organic layer with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound A-4.

5) 중간체 A-5 의 제조5) Preparation of Intermediate A-5

Figure pat00039
Figure pat00039

CH3PPh3Br 38.6g(108mmol, 3.0eq), KOtBu 12.1g(108mmol, 3.0eq), 테트라하이드로퓨란(THF) 180ml(0.2M)를 넣고 30분 동안 0℃에서 교반하였다. A-4 20g(36mmol,1.0eq)를 넣고 2시간 동안 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-5을 얻었다.CH 3 PPh 3 Br 38.6 g (108 mmol, 3.0 eq), KOtBu 12.1 g (108 mmol, 3.0 eq), tetrahydrofuran (THF) 180ml (0.2M) was added and stirred at 0 ° C. for 30 minutes. 20 g (36 mmol, 1.0 eq) of A-4 was added thereto, followed by stirring for 2 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The intermediate compound A-5 was obtained by column chromatography.

6) 중간체 A-6 의 제조6) Preparation of Intermediate A-6

Figure pat00040
Figure pat00040

e 30g(74.8mmol, 1.0eq), f 13.3g(89.8mmol, 1.2eq)을 테트라하이드로퓨란(THF) 250ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 20.7g(150mmol, 2.0eq)과 H2O 25ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 4.32g(3.74mmol, 0.05eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-6을 얻었다.e 30 g (74.8 mmol, 1.0 eq) and f 13.3 g (89.8 mmol, 1.2 eq) were dissolved in 250 ml (0.3 M) of tetrahydrofuran (THF). 20.7 g (150 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 and 25 ml of H 2 O were added and refluxed. 4.32 g (3.74 mmol, 0.05 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound A-6.

7) 중간체 A-7 의 제조7) Preparation of Intermediate A-7

Figure pat00041
Figure pat00041

A-6 30g(70.7mmol, 1.0eq), g 25g(84.8mmol, 1.2eq)을 THF 235ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 19.5g(141mmol, 2.0eq)과 H2O 25ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 4.09g(3.54mmol, 0.05eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 A-7을 얻었다.30 g (70.7 mmol, 1.0 eq) and 25 g (84.8 mmol, 1.2 eq) of A-6 were dissolved in 235 ml (0.3 M) of THF. 19.5 g (141 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 and 25 ml of H 2 O were added and refluxed. 4.09 g (3.54 mmol, 0.05 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The intermediate compound A-7 was obtained by column chromatography.

8) 화합물 A 의 제조8) Preparation of Compound A

Figure pat00042
Figure pat00042

A-7 10g(19.5mmol, 1.0eq), A-5 14.2g(23.4mmol, 1.2eq), NaOtBu 5.6g(58.5mmol, 3.0eq), 톨루엔 65ml(0.3M)을 넣고 80℃에서 교반하였다. Pd(PtBu3)2 0.30g(0.585mmol, 0.03eq)를 넣고 4시간 동안 80℃에서 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 흰 고체 화합물 A를 얻었다. 화합물 A의 NMR data 값은 하기와 같다.A-7 10g (19.5mmol, 1.0eq), A-5 14.2g (23.4mmol, 1.2eq), NaOtBu 5.6g (58.5mmol, 3.0eq) and toluene 65ml (0.3M) were added and stirred at 80 ° C. 0.30 g (0.585 mmol, 0.03 eq) of Pd (PtBu 3 ) 2 was added thereto, followed by stirring at 80 ° C. for 4 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and the solvent was removed to purify the residue. Thus, a white solid compound A was obtained by column chromatography. NMR data values of Compound A are as follows.

1H NMR (500 MHz) : δ = δ = 8.4-8.2 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.0-7.7 (m, 6H), 7.7-7.5 (m, 14H), 7.4-7.1 (m, 9H), 7.1-6.9 (m, 8H), 6.8-6.5 (m, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1-3.6 (q, 2H), 2.3-2.2 (d, 2H), 2.2-1.8 (m, 1H), 1.45-1.35 (m, 1H), 1.35-1.3 (s, 9H), 1.2-1.0 (m, 4H), 1.0-0.5 (d, 6H)1 H NMR (500 MHz): δ = δ = 8.4-8.2 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.0-7.7 (m, 6H), 7.7-7.5 (m, 14H), 7.4-7.1 (m, 9H), 7.1-6.9 (m, 8H), 6.8-6.5 (m, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1-3.6 (q, 2H) , 2.3-2.2 (d, 2H), 2.2-1.8 (m, 1H), 1.45-1.35 (m, 1H), 1.35-1.3 (s, 9H), 1.2-1.0 (m, 4H), 1.0-0.5 ( d, 6H)

제조예 2. 화합물 B의 제조Preparation Example 2 Preparation of Compound B

1) 중간체 B-1 의 제조1) Preparation of Intermediate B-1

Figure pat00043
Figure pat00043

h 45.5g(290mmol, 1.5eq)를 테트라하이드로퓨란(THF) 385ml(0.5M)에 녹이고 -78℃로 낮췄다. nBuLi(2.5M in hexane) 116ml(290mol, 1.5eq)를 천천히 넣고, 30분동안 -78℃에서 교반하였다. a 50g(193mmol, 1.0eq)을 넣고 밤새 교반하였다. 이후 1N HCl(aq)로 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 B-1을 얻었다.h 45.5 g (290 mmol, 1.5 eq) was dissolved in 385 ml (0.5 M) of tetrahydrofuran (THF) and lowered to -78 ° C. 116 ml (290 mol, 1.5 eq) of nBuLi (2.5 M in hexane) was slowly added and stirred at -78 ° C for 30 minutes. a 50 g (193 mmol, 1.0 eq) was added and stirred overnight. After stopping the reaction with 1N HCl (aq) and extracted the organic layer with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The intermediate compound B-1 was obtained by column chromatography.

2) 중간체 B-2 의 제조2) Preparation of Intermediate B-2

Figure pat00044
Figure pat00044

B-1 30g(89mmol, 1.0eq)을 메틸렌클로라이드(MC) 295ml(0.3M)에 녹이고 0℃로 낮췄다. Et3SiH 21.3ml(133.4 mmol, 1.5eq)를 넣고 TFA 10.6ml(362mmol, 4.0eq)를 천천히 넣어주었다. 이후 포화 NaHCO3 수용액으로 반응을 중지시키고 MC로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 B-2를 얻었다.30 g (89 mmol, 1.0 eq) of B-1 was dissolved in 295 ml (0.3 M) of methylene chloride (MC) and lowered to 0 ° C. 21.3 ml (133.4 mmol, 1.5 eq) of Et 3 SiH was added and 10.6 ml (362 mmol, 4.0 eq) of TFA was added slowly. Then the reaction was stopped with a saturated NaHCO 3 aqueous solution and the organic layer was extracted with MC. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound B-2.

3) 중간체 B-3 의 제조3) Preparation of Intermediate B-3

Figure pat00045
Figure pat00045

c 30g(245mmol, 1.0eq)을 아세톤 490ml(0.5M)에 녹이고 K2CO3 67.7g(490mmol, 2.0eq)을 넣고 30분 동안 환류[reflux] 하였다. i 106g(490mmol, 2.0eq)를 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 B-3을 얻었다.c 30 g (245 mmol, 1.0 eq) was dissolved in 490 ml (0.5 M) of acetone, and 67.7 g (490 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 was added thereto and refluxed for 30 minutes. i 106 g (490 mmol, 2.0 eq) was added slowly and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the mixture, which was then purified by column chromatography to obtain an intermediate compound B-3.

4) 중간체 B-4 의 제조4) Preparation of Intermediate B-4

Figure pat00046
Figure pat00046

B-2 20g(62mmol, 1.0eq), TBAB 2g(6.2mmol, 0.1eq), 톨루엔 205ml(0.3M)을 넣고 60℃에서 교반하였다. 50wt% NaOH 3.72ml(186mmol, 3.0eq)를 천천히 넣어주었다. B-3 19.1g(74.4mmol, 1.2eq)을 넣고 90℃에서 밤새 교반하였다. 이후 포화 NH4Cl 수용액으로 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 B-4을 얻었다.20 g (62 mmol, 1.0 eq) of B-2, 2 g (6.2 mmol, 0.1 eq) of TBAB, and 205 ml (0.3 M) of toluene were added thereto, followed by stirring at 60 ° C. 3.72ml (186mmol, 3.0eq) of 50wt% NaOH was added slowly. B-3 19.1 g (74.4 mmol, 1.2 eq) was added and the mixture was stirred at 90 ° C. overnight. After stopping the reaction with a saturated NH 4 Cl aqueous solution and extracted the organic layer with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound B-4.

5) 중간체 B-5 의 제조5) Preparation of Intermediate B-5

Figure pat00047
Figure pat00047

CH3PPh3Br 43g(121mmol, 3.0eq), KOtBu 13.6g(121mmol, 3.0eq),THF 200ml(0.2M)를 넣고 30분 동안 0℃에서 교반하였다. B-4 20g(40mmol,1.0eq)를 넣고 2시간 동안 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 B-5을 얻었다.43 g of CH 3 PPh 3 Br (121 mmol, 3.0 eq), 13.6 g of KOtBu (121 mmol, 3.0 eq) and 200 ml of THF were added thereto, and the mixture was stirred at 0 ° C. for 30 minutes. B-4 20g (40mmol, 1.0eq) was added and stirred for 2 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The intermediate compound B-5 was obtained by column chromatography.

6) 중간체 B-6 의 제조6) Preparation of Intermediate B-6

Figure pat00048
Figure pat00048

A-6 30g(70.7mmol, 1.0eq), j 31.5g(84.8mmol, 1.2eq)을 테트라하이드로퓨란(THF) 235ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 19.5g(141mmol, 2.0eq)과 H2O 25ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 4.09g(3.54mmol, 0.05eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 B-6을 얻었다.30 g (70.7 mmol, 1.0 eq) and j 31.5 g (84.8 mmol, 1.2 eq) of A-6 were dissolved in 235 ml (0.3 M) of tetrahydrofuran (THF). 19.5 g (141 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 and 25 ml of H 2 O were added and refluxed. 4.09 g (3.54 mmol, 0.05 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The intermediate compound B-6 was obtained by column chromatography.

8) 화합물 B 의 제조8) Preparation of Compound B

Figure pat00049
Figure pat00049

B-6 10g(17mmol, 1.0eq), B-5 10.1g(20.4mmol, 1.2eq), NaOtBu 4.9g(51mmol, 3.0eq), 톨루엔 57ml(0.3M)을 넣고 80℃에서 교반하였다. Pd(PtBu3)2 0.26g(0.51mmol, 0.03eq)를 넣고 4시간 동안 80℃에서 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 흰 고체 화합물 B를 얻었다. 화합물 B의 NMR data 값은 하기와 같다.10 g (17 mmol, 1.0 eq) of B-6, 10.1 g (20.4 mmol, 1.2 eq) of B-5, 4.9 g (51 mmol, 3.0 eq) of NaOtBu, and 57 ml (0.3 M) of toluene were added and stirred at 80 ° C. 0.26 g (0.51 mmol, 0.03 eq) of Pd (PtBu 3 ) 2 was added thereto, followed by stirring at 80 ° C. for 4 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The white solid compound B was obtained by column chromatography. NMR data values of compound B are as follows.

1H NMR (500 MHz) : δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.9 (d, 1H), 7.9-7.85 (m, 4H), 7.8-7.7 (m, 3H), 7.7-7.1 (m, 20H), 7.1-6.9 (m, 2H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1-4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (t, 2H), 1.8-1.6 (q, 2H), 1.3-1.1 (q, 2H)1 H NMR (500 MHz): δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.9 (d, 1H), 7.9-7.85 (m, 4H), 7.8-7.7 (m , 3H), 7.7-7.1 (m, 20H), 7.1-6.9 (m, 2H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1 -4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (t, 2H), 1.8-1.6 (q, 2H), 1.3-1.1 (q, 2H)

제조예 3. 화합물 C의 제조Preparation Example 3 Preparation of Compound C

1) 중간체 C-1 의 제조1) Preparation of Intermediate C-1

Figure pat00050
Figure pat00050

c 30g(245mmol, 1.0eq)을 아세톤 490ml(0.5M)에 녹이고 K2CO3 67.7g(490mmol, 2.0eq)을 넣고 30분 동안 환류[reflux] 하였다. k 119g(490mmol, 2.0eq)를 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 C-1을 얻었다.c 30 g (245 mmol, 1.0 eq) was dissolved in 490 ml (0.5 M) of acetone, and 67.7 g (490 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 was added thereto and refluxed for 30 minutes. k 119 g (490 mmol, 2.0 eq) was added slowly and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the mixture, which was then purified by column chromatography to obtain intermediate compound C-1.

2) 중간체 C-2 의 제조2) Preparation of Intermediate C-2

Figure pat00051
Figure pat00051

l 30g(173mmol, 1.0eq)을 아세톤 345ml(0.5M)에 녹이고 K2CO3 47.9g(347mmol, 2.0eq)을 넣고 30분 동안 환류[reflux] 하였다. 상기 반응식의 C-1 99g(347mmol, 2.0eq)를 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 C-2을 얻었다.l 30g (173mmol, 1.0eq) was dissolved in 345ml (0.5M) of acetone, and 47.9g (347mmol, 2.0eq) of K 2 CO 3 was added and refluxed for 30 minutes. 99 g (347 mmol, 2.0 eq) of C-1 in the scheme was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound C-2.

3) 중간체 C-3 의 제조3) Preparation of Intermediate C-3

Figure pat00052
Figure pat00052

CH3PPh3Br 56.8g(159mmol, 3.0eq), KOtBu 17.8g(159mmol, 3.0eq), 테트라하이드로퓨란(THF) 265ml(0.2M)를 넣고 30분 동안 0℃에서 교반하였다. C-2 20g(53mmol,1.0eq)를 넣고 2시간 동안 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 C-3을 얻었다.CH 3 PPh 3 Br 56.8g (159mmol, 3.0eq), KOtBu 17.8g (159mmol, 3.0eq), tetrahydrofuran (THF) 265ml (0.2M) was added and stirred at 0 ° C for 30 minutes. 20 g (53 mmol, 1.0 eq) of C-2 was added thereto, followed by stirring for 2 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound C-3.

4) 중간체 C-4 의 제조4) Preparation of Intermediate C-4

Figure pat00053
Figure pat00053

m 30g(92.3mmol, 1.0eq), n 19.7g(110.7mmol, 1.2eq)을 THF 308ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 25.5g(184.6mmol, 2.0eq)과 H2O 30ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 5.33g(4.615mmol, 0.05eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 C-4을 얻었다.m 30 g (92.3 mmol, 1.0 eq) and n 19.7 g (110.7 mmol, 1.2 eq) were dissolved in 308 ml (0.3 M) of THF. 25.5 g (184.6 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 and 30 ml of H 2 O were added and refluxed. 5.33 g (4.615 mmol, 0.05 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. The intermediate compound C-4 was obtained by column chromatography.

5) 중간체 C-5 의 제조5) Preparation of Intermediate C-5

Figure pat00054
Figure pat00054

C-4 10g(26.4mmol, 1.0eq), C-3 11.9g(31.7mmol, 1.2eq), NaOtBu 7.6g(79.2mmol, 3.0eq), 톨루엔 88ml(0.3M)을 넣고 80℃에서 교반하였다. Pd(PtBu3)2 0.405g(0.792mmol, 0.03eq)를 넣고 6시간 동안 80℃에서 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 C-5을 얻었다.10 g (26.4 mmol, 1.0 eq) of C-4, 11.9 g (31.7 mmol, 1.2 eq) of C-3, 7.6 g (79.2 mmol, 3.0 eq) of NaOtBu and 88 ml (0.3 M) of toluene were added thereto and stirred at 80 ° C. 0.405 g (0.792 mmol, 0.03 eq) of Pd (PtBu 3 ) 2 was added thereto, followed by stirring at 80 ° C. for 6 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound C-5.

6) 중간체 C-6 의 제조6) Preparation of Intermediate C-6

Figure pat00055
Figure pat00055

C-5 15g(22.3mmol, 1.0eq), j 9.93g(26.8mmol, 1.2eq)을 테트라하이드로퓨란(THF) 75ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 6.16g(44.6mmol, 2.0eq)과 H2O 7.5ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 1.29g(1.115mmol, 0.05eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 C-6을 얻었다.15 g (22.3 mmol, 1.0 eq) of C-5 and 9.93 g (26.8 mmol, 1.2 eq) of j were dissolved in 75 ml (0.3 M) of tetrahydrofuran (THF). 6.16 g (44.6 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 and 7.5 ml of H 2 O were added and refluxed. 1.29 g (1.115 mmol, 0.05 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound C-6.

7) 화합물 C 의 제조7) Preparation of Compound C

Figure pat00056
Figure pat00056

C-6 10g(11.9mmol, 1.0eq), B-5 7.1g(14.3mmol, 1.2eq), NaOtBu 3.43g(35.7mmol, 3.0eq), 톨루엔 40ml(0.3M)을 넣고 80℃에서 교반하였다. Pd(PtBu3)2 0.30g(0.595mmol, 0.03eq)를 넣고 4시간 동안 80℃에서 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 흰 고체 화합물 C를 얻었다. 화합물 C의 NMR data 값은 하기와 같다.10 g (11.9 mmol, 1.0 eq) of C-6, 7.1 g (14.3 mmol, 1.2 eq) of B-5, 3.43 g (35.7 mmol, 3.0 eq) of NaOtBu, and 40 ml (0.3 M) of toluene were added and stirred at 80 ° C. 0.30 g (0.595 mmol, 0.03 eq) of Pd (PtBu 3 ) 2 was added thereto, followed by stirring at 80 ° C. for 4 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the residue. Thus, a white solid compound C was obtained by column chromatography. NMR data values of compound C are as follows.

1H NMR (500 MHz) : δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.9 (d, 1H), 7.9-7.85 (m, 4H), 7.8-7.7 (m, 3H), 7.7-7.1 (m, 20H), 7.1-6.9 (m, 2H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1-4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (t, 2H), 1.8-1.6 (q, 2H), 1.3-1.1 (q, 2H) 1 H NMR (500 MHz): δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.9 (d, 1H), 7.9-7.85 (m, 4H), 7.8-7.7 (m , 3H), 7.7-7.1 (m, 20H), 7.1-6.9 (m, 2H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1 -4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (t, 2H), 1.8-1.6 (q, 2H), 1.3-1.1 (q, 2H)

제조예 4. 화합물 D의 제조Preparation Example 4 Preparation of Compound D

1) 중간체 D-1 의 제조1) Preparation of Intermediate D-1

Figure pat00057
Figure pat00057

B-2 20g(62mmol, 1.0eq), TBAB 2g(6.2mmol, 0.1eq), toluene 205ml(0.3M)을 넣고 60℃에서 교반하였다. 50wt% NaOH 3.72ml(186mmol, 3.0eq)를 천천히 넣어주었다. C-1 21.2g(74.4mmol, 1.2eq)을 넣고 90℃에서 밤새 교반하였다. 이후 포화 NH4Cl 수용액으로 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 D-1을 얻었다.B-2 20g (62mmol, 1.0eq), TBAB 2g (6.2mmol, 0.1eq), toluene 205ml (0.3M) was added and stirred at 60 ℃. 3.72ml (186mmol, 3.0eq) of 50wt% NaOH was added slowly. 21.2 g (74.4 mmol, 1.2 eq) of C-1 was added thereto, and the mixture was stirred at 90 ° C. overnight. After stopping the reaction with a saturated NH 4 Cl aqueous solution and extracted the organic layer with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound D-1.

2) 중간체 D-2 의 제조2) Preparation of Intermediate D-2

Figure pat00058
Figure pat00058

CH3PPh3Br 40.8g(114.3mmol, 3.0eq), KOtBu 12.8g(114.3mmol, 3.0eq), 테트라하이드로퓨란(THF) 570ml(0.2M)를 넣고 30분 동안 0℃에서 교반하였다. D-1 20g(38.1mmol,1.0eq)를 넣고 2시간 동안 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 D-2을 얻었다.CH 3 PPh 3 Br 40.8g (114.3mmol, 3.0eq), KOtBu 12.8g (114.3mmol, 3.0eq), tetrahydrofuran (THF) 570ml (0.2M) was added and stirred at 0 ° C for 30 minutes. D-1 20g (38.1 mmol, 1.0eq) was added and stirred for 2 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound D-2.

3) 중간체 D-3 의 제조3) Preparation of Intermediate D-3

Figure pat00059
Figure pat00059

o 20g(41.7mmol, 1.0eq), f 13.6g(91.7mmol, 2.2eq)을 테트라하이드로퓨란(THF) 140ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 23g(167mmol, 4.0eq)과 H2O 14ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 4.82g(4.17mmol, 0.1eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 D-3을 얻었다.20 g (41.7 mmol, 1.0 eq) and 13.6 g (91.7 mmol, 2.2 eq) of f were dissolved in 140 ml (0.3 M) of tetrahydrofuran (THF). 23 g (167 mmol, 4.0 eq) of K 2 CO 3 and 14 ml of H 2 O were added and refluxed. 4.82 g (4.17 mmol, 0.1 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound D-3.

4) 중간체 D-4 의 제조4) Preparation of Intermediate D-4

Figure pat00060
Figure pat00060

D-3 15g(28.5mmol, 1.0eq), p 14.6g(34.2mmol, 1.2eq)을 테트라하이드로퓨란(THF) 95ml(0.3M)에 녹였다. K2CO3 7.88g(57mmol, 2.0eq)과 H2O 9.5ml를 넣고 환류[reflux] 하였다. Pd(PPh3)4 1.65g(1.425mmol, 0.05eq)을 천천히 넣고 밤새 환류[reflux] 하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 D-4을 얻었다.15 g (28.5 mmol, 1.0 eq) and p 14.6 g (34.2 mmol, 1.2 eq) of D-3 were dissolved in 95 ml (0.3 M) of tetrahydrofuran (THF). 7.88 g (57 mmol, 2.0 eq) of K 2 CO 3 and 9.5 ml of H 2 O were added and refluxed. 1.65 g (1.425 mmol, 0.05 eq) of Pd (PPh 3 ) 4 was slowly added and refluxed overnight. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the mixture, which was then purified by column chromatography to obtain an intermediate compound D-4.

5) 화합물 D 의 제조5) Preparation of Compound D

Figure pat00061
Figure pat00061

D-4 10g(13.4mmol, 1.0eq), D-2 8.4g(16.1mmol, 1.2eq), NaOtBu 3.86g(40.2mmol, 3.0eq), 톨루엔 45ml(0.3M)을 넣고 80℃에서 교반하였다. Pd(PtBu3)2 0.21g(0.402mmol, 0.03eq)를 넣고 4시간 동안 80℃에서 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 고체 화합물 D를 얻었다. 화합물 D의 NMR data 값은 하기와 같다.10 g (13.4 mmol, 1.0 eq) of D-4, 8.4 g (16.1 mmol, 1.2 eq) of D-2, 3.86 g (40.2 mmol, 3.0 eq) of NaOtBu, and 45 ml (0.3 M) of toluene were added and stirred at 80 ° C. 0.21 g (0.402 mmol, 0.03 eq) of Pd (PtBu 3 ) 2 was added thereto, followed by stirring at 80 ° C. for 4 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and the solvent was removed to purify the mixture. The resulting solid compound D was purified by column chromatography. NMR data values of compound D are as follows.

1H NMR (500 MHz) : δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.95 (d, 1H), 7.95-7.8 (m, 8H), 7.8-7.7 (d, 1H), 7.7-7.5 (m, 15H), 7.5-7.1 (m, 17H), 7.1-6.9 (m, 1H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1-4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (m, 2H), 1.8-1.6 (m, 2H), 1.5-1.4 (m, 2H),1.4-1.3 (s, 9H), 1.3-1.2 (m, 2H) 1 H NMR (500 MHz): δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.95 (d, 1H), 7.95-7.8 (m, 8H), 7.8-7.7 (d , 1H), 7.7-7.5 (m, 15H), 7.5-7.1 (m, 17H), 7.1-6.9 (m, 1H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3 -5.2 (d, 2H), 4.1-4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (m, 2H), 1.8-1.6 (m, 2H), 1.5-1.4 (m, 2H), 1.4-1.3 (s, 9H), 1.3-1.2 (m, 2H)

제조예 5. 화합물 E의 제조Preparation Example 5 Preparation of Compound E

1) 중간체 E-1 의 제조1) Preparation of Intermediate E-1

Figure pat00062
Figure pat00062

B-2 20g(62mmol, 1.0eq), 테트라부틸암모늄 브로마이드(TBAB) 2g(6.2mmol, 0.1eq), 톨루엔 205ml(0.3M)을 넣고 60℃에서 교반하였다. 50wt% NaOH 3.72ml(186mmol, 3.0eq)를 천천히 넣어주었다. 상기 반응식의 q를 24.5g(74.4mmol, 1.2eq)을 넣고 90℃에서 밤새 교반하였다. 이후 포화 NH4Cl 수용액으로 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 E-1을 얻었다.20 g (62 mmol, 1.0 eq) of B-2, 2 g (6.2 mmol, 0.1 eq) of tetrabutylammonium bromide (TBAB) and 205 ml (0.3 M) of toluene were added thereto, followed by stirring at 60 ° C. 3.72ml (186mmol, 3.0eq) of 50wt% NaOH was added slowly. 24.5 g (74.4 mmol, 1.2 eq) of q in the scheme was added and stirred at 90 ° C. overnight. After stopping the reaction with a saturated NH 4 Cl aqueous solution and extracted the organic layer with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was removed, and the residue was purified by column chromatography to obtain an intermediate compound E-1.

2) 중간체 E-2 의 제조2) Preparation of Intermediate E-2

Figure pat00063
Figure pat00063

CH3PPh3Br 37.6g(105.3mmol, 3.0eq), KOtBu 11.8g(105.3mmol, 3.0eq), 테트라하이드로퓨란(THF) 526ml(0.2M)를 넣고 30분 동안 0℃에서 교반하였다. E-1 20g(35.1mmol,1.0eq)를 넣고 2시간 동안 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 중간체 화합물 E-2를 얻었다.CH 3 PPh 3 Br 37.6g (105.3mmol, 3.0eq), KOtBu 11.8g (105.3mmol, 3.0eq), tetrahydrofuran (THF) 526ml (0.2M) was added and stirred for 30 minutes at 0 ℃. 20 g (35.1 mmol, 1.0 eq) of E-1 were added and stirred for 2 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and then the solvent was removed to purify the mixture, which was then purified by column chromatography to obtain an intermediate compound E-2.

3) 화합물 E 의 제조3) Preparation of Compound E

Figure pat00064
Figure pat00064

D-4 10g(13.4mmol, 1.0eq), E-2 9.1g(16.1mmol, 1.2eq), NaOtBu 3.86g(40.2mmol, 3.0eq), 톨루엔 45ml(0.3M)을 넣고 80℃에서 교반하였다. Pd(PtBu3)2 0.21g(0.402mmol, 0.03eq)를 넣고 4시간 동안 80℃에서 교반하였다. 이후 물을 넣어 반응을 중지시키고 에틸아세테이트[EA]로 유기층을 추출하였다. 황산마그네슘[Magnesium sulfate]으로 유기층을 건조시킨 뒤 용매를 제거하여 컬럼 크로마토그래피[column chromatography]로 정제하여 고체 화합물 E를 얻었다. 화합물 E의 NMR data 값은 하기와 같다.10 g (13.4 mmol, 1.0 eq) of D-4, 9.1 g (16.1 mmol, 1.2 eq) of E-2, 3.86 g (40.2 mmol, 3.0 eq) of NaOtBu, and 45 ml (0.3 M) of toluene were added and stirred at 80 ° C. 0.21 g (0.402 mmol, 0.03 eq) of Pd (PtBu 3 ) 2 was added thereto, followed by stirring at 80 ° C. for 4 hours. After stopping the reaction by adding water, the organic layer was extracted with ethyl acetate [EA]. The organic layer was dried over magnesium sulfate, and the solvent was removed to purify the mixture. The resulting solid compound E was purified by column chromatography. NMR data values of compound E are as follows.

1H NMR (500 MHz) : δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.95 (d, 1H), 7.95-7.8 (m, 8H), 7.8-7.7 (d, 1H), 7.7-7.5 (m, 15H), 7.5-7.1 (m, 17H), 7.1-6.9 (m, 1H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3-5.2 (d, 2H), 4.1-4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (m, 2H), 1.4-1.3 (s, 9H), 1.3-1.0 (m, 4H), 0.8-0.3 (m, 2H), 0.3-0.1 (m, 6H) 1 H NMR (500 MHz): δ = 8.4-8.3 (d, 1H), 8.2-8.1 (d, 1H), 8.1-7.95 (d, 1H), 7.95-7.8 (m, 8H), 7.8-7.7 (d , 1H), 7.7-7.5 (m, 15H), 7.5-7.1 (m, 17H), 7.1-6.9 (m, 1H), 6.8-6.6 (d, 2H), 5.8-5.6 (d, 2H), 5.3 -5.2 (d, 2H), 4.1-4.0 (t, 2H), 2.3-2.1 (m, 2H), 1.4-1.3 (s, 9H), 1.3-1.0 (m, 4H), 0.8-0.3 (m, 2H), 0.3-0.1 (m, 6H)

<실시예> - 유기 발광 소자의 제조EXAMPLES Fabrication of Organic Light-Emitting Device

실시예 1. Example 1.

ITO (indium tin oxide)가 1500Å의 두께로 박막 증착된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 아이소프로필알콜, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 각각 30분씩 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 글러브박스로 수송시켰다.A glass substrate on which ITO (indium tin oxide) was deposited at a thickness of 1500 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned. After the ITO was washed for 30 minutes, the ultrasonic cleaning was repeated twice with distilled water for 10 minutes. After washing the distilled water, the ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol and acetone for 30 minutes each and dried, and then transported the substrate to the glove box.

이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 상기 화합물 A(20mg), 하기 화학식 F(1mg) 및 톨루엔(1mg)을 혼합한 코팅 조성물을 스핀 코팅하여 300Å 두께의 정공 주입층을 형성하고 공기 중에서 핫플레이트에서 1시간 동안 코팅 조성물을 경화시켰다. 이후, 진공 증착기로 이송한 후, 상기 정공주입층 위에 하기 a-NPD을 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.The coating composition of Compound A (20 mg), Formula F (1 mg), and toluene (1 mg) was spin coated on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer having a thickness of 300 μs, and then used for 1 hour on a hot plate in air. The coating composition was cured. Thereafter, after transferring to a vacuum evaporator, the following a-NPD was vacuum deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer.

a-NPD을 40 nm의 두께로 증착한 뒤, 상기 정공 수송층 위에 하기 Alq3를 50nm로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 BCP를 35nm 두께로 진공증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 0.5nm 두께로 LiF와 100nm 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다. After a-NPD was deposited to a thickness of 40 nm, the Alq 3 was vacuum deposited to 50 nm on the hole transport layer to form a light emitting layer. The following BCP was vacuum deposited to a thickness of 35 nm on the emission layer to form an electron injection and transport layer. The cathode was formed by depositing LiF with a thickness of 0.5 nm and aluminum with a thickness of 100 nm on the electron injection and transport layer.

상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 ~ 0.7Å/sec 를 유지하였고, 캐소드의 LiF는 0.3 Å/ sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ×10-7 ~ 3× 10-5 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7 Å / sec, the LiF of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, aluminum is 2 Å / sec, the vacuum degree during deposition is 2 × 10 -7 ˜3 × 10 −5 torr was maintained.

[a-NPD][a-NPD]

Figure pat00065
Figure pat00065

[Alq3][Alq 3 ]

Figure pat00066
Figure pat00066

[BCP][BCP]

Figure pat00067
Figure pat00067

[화학식 F]Formula F]

Figure pat00068
Figure pat00068

[화학식 G][Formula G]

Figure pat00069
Figure pat00069

[화학식 H][Formula H]

Figure pat00070
Figure pat00070

[화학식 I][Formula I]

Figure pat00071
Figure pat00071

[화학식 J][Formula J]

Figure pat00072
Figure pat00072

[화학식 K][Formula K]

Figure pat00073
Figure pat00073

실시예 2.Example 2.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 B를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound B was used instead of Compound A in Example 1.

실시예 3.Example 3.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 C를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound C was used instead of Compound A in Example 1.

실시예 4.Example 4.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 D를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound D was used instead of Compound A in Example 1.

실시예 5.Example 5.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 E를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound E was used instead of Compound A in Example 1.

실시예 6.Example 6.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 D, 화학식 F 대신 화학식 G를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound D instead of Compound A and Formula G instead of Formula F in Example 1.

실시예 7.Example 7.

상기 실시예 1에서 화학식 F 대신 화학식 H를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Chemical Formula H was used instead of Chemical Formula F in Example 1.

실시예 8.Example 8.

상기 실시예 7에서 화합물 A 대신 화합물 B를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 7, except that Compound B was used instead of Compound A in Example 7.

실시예 9.Example 9.

상기 실시예 7에서 화합물 A 대신 화합물 C를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 8과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 8, except that Compound C was used instead of Compound A in Example 7.

실시예 10.Example 10.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 D, 화학식 F 대신 화학식 I를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound D instead of Compound A and Formula I instead of Formula F in Example 1.

실시예 11.Example 11.

상기 실시예 1에서 화학식 F 대신 화학식 J를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Chemical Formula J was used instead of Chemical Formula F in Example 1.

실시예 12.Example 12.

상기 실시예 11에서 화합물 A 대신 화합물 B를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 11, except that Compound B was used instead of Compound A in Example 11.

실시예 13.Example 13.

상기 실시예 11에서 화합물 A 대신 화합물 C를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 11, except that Compound C was used instead of Compound A in Example 11.

실시예 14.Example 14.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 D, 화학식 F 대신 화학식 K를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound D instead of Compound A and Formula K instead of Formula F in Example 1.

비교예 1.Comparative Example 1.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 M를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound M was used instead of Compound A in Example 1.

[화합물 M][Compound M]

Figure pat00074
Figure pat00074

비교예 2.Comparative Example 2.

상기 실시예 7에서 화합물 A 대신 화합물 N를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 7, except that Compound N was used instead of Compound A in Example 7.

[화합물 N][Compound N]

Figure pat00075
Figure pat00075

비교예 3.Comparative Example 3.

상기 실시예 7에서 화합물 A 대신 화합물 O를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 7, except that Compound O was used instead of Compound A in Example 7.

[화합물 O][Compound O]

Figure pat00076
Figure pat00076

비교예 4.Comparative Example 4.

상기 실시예 1에서 화합물 A 대신 화합물 P를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound P was used instead of Compound A in Example 1.

[화합물 P][Compound P]

Figure pat00077
Figure pat00077

상기 실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 유기 발광 소자를 10mA/cm2의 전류 밀도에서 구동 전압, 전류 효율 및 양자효율(QE) 값을 측정하였고, 10mA/cm2의 전류 밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간(T90)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. The Examples 1 to 14 and Comparative Examples 1 and was measured for the driving voltage, current efficiency and quantum efficiency (QE) value of the organic light emitting device prepared in a current density of 10mA / cm 2 4, a current density of 10mA / cm 2 The time (T90) to be 90% of the initial luminance at was measured. The results are shown in Table 1 below.

소자device 구동 전압 (V)Drive voltage (V) 전류 효율
(cd/A)
Current efficiency
(cd / A)
QE(%)QE (%) 수명 T90
(10mA/cm2)
Life span T90
(10mA / cm 2 )
실시예 1Example 1 3.93.9 5.05.0 5.35.3 68.368.3 실시예 2Example 2 3.93.9 5.15.1 5.45.4 72.572.5 실시예 3Example 3 4.04.0 4.94.9 5.15.1 67.167.1 실시예 4Example 4 3.93.9 4.84.8 5.35.3 69.569.5 실시예 5Example 5 3.83.8 4.84.8 5.15.1 67.067.0 실시예 6Example 6 3.83.8 4.94.9 5.35.3 69.069.0 실시예 7Example 7 3.83.8 4.94.9 5.35.3 69.169.1 실시예 8Example 8 3.83.8 5.25.2 5.55.5 72.772.7 실시예 9Example 9 3.93.9 4.84.8 5.05.0 67.867.8 실시예 10Example 10 3.83.8 5.05.0 5.45.4 70.470.4 실시예 11Example 11 3.93.9 4.94.9 5.15.1 68.768.7 실시예 12Example 12 3.83.8 5.25.2 5.55.5 71.871.8 실시예 13Example 13 4.04.0 4.84.8 4.94.9 66.066.0 실시예 14Example 14 3.93.9 4.84.8 5.05.0 67.567.5 비교예 1Comparative Example 1 4.54.5 4.04.0 3.73.7 34.134.1 비교예 2Comparative Example 2 4.94.9 3.83.8 3.23.2 28.428.4 비교예 3Comparative Example 3 4.34.3 4.04.0 4.04.0 38.538.5 비교예 4Comparative Example 4 4.04.0 4.04.0 4.54.5 42.042.0

상기 표 1의 결과로부터, 본원 화합물을 사용하여 유기 발광 소자를 제조한 실시예 1 내지 14가 비교예 1 내지 4에서 제조된 유기 발광 소자보다 구동 전압이 낮고, 전류 효율 및 양자효율이 우수하며, 수명특성도 우수함을 확인할 수 있다.From the results of Table 1, Examples 1 to 14 of the organic light emitting device manufactured by using the compound of the present invention than the organic light emitting device manufactured in Comparative Examples 1 to 4 have a lower driving voltage, excellent current efficiency and quantum efficiency, It can be seen that the life characteristics are also excellent.

101: 기판
201: 애노드
301: 정공 주입층
401: 정공 수송층
501: 발광층
601: 전자 주입 및 수송층
701: 캐소드
101: substrate
201: anode
301: hole injection layer
401: hole transport layer
501: light emitting layer
601: electron injection and transport layer
701: cathode

Claims (15)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00078

상기 화학식 1에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
r1 내지 r3은 각각 1 내지 3이고,
r4는 1 내지 4이며,
상기 r1 내지 r4가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 내지 R4는 각각 서로 같거나 상이하고,
X3은
Figure pat00079
또는
Figure pat00080
이며,
X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로
Figure pat00081
;
Figure pat00082
; 또는
Figure pat00083
이며,
Figure pat00084
는 각각 연결되는 부위를 의미하며,
L4는 치환 또는 비치환된 알킬렌기이고,
L5는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
a1 및 a2는 각각 0 또는 1이고
a2가 0일 때, 상기 L2는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
a2가 1일 때, 상기 L2는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
L1은 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
m은 1 또는 2이고, m이 2인 경우, 상기 L1은 서로 같거나 상이하고,
L3은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 알킬렌기이며,
0 ≤ a1 + a2 ≤2이다.
Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00078

In Chemical Formula 1,
Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group,
R1 to R4 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
r1 to r3 are each 1 to 3,
r4 is 1 to 4,
When r1 to r4 are each 2 or more, two or more R1 to R4 are the same as or different from each other,
X3 is
Figure pat00079
or
Figure pat00080
Is,
X1 and X2 are the same as or different from each other, and each independently
Figure pat00081
;
Figure pat00082
; or
Figure pat00083
Is,
Figure pat00084
Means each connecting portion,
L 4 is a substituted or unsubstituted alkylene group,
L5 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
R5 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted alkyl group,
a1 and a2 are each 0 or 1
when a2 is 0, L2 is a substituted or unsubstituted aryl group,
when a2 is 1, L2 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
L 1 is a substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
m is 1 or 2, when m is 2, L1 is the same as or different from each other,
L3 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted alkylene group,
0 ≦ a1 + a2 ≦ 2.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 2]
Figure pat00085

상기 화학식 2에 있어서,
L1 내지 L3, Ar1, Ar2, R1 내지 R4, r1 내지 r4, X1 내지 X3, m, a1 및 a2에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
The compound of claim 1, wherein Formula 1 is represented by Formula 2 below:
[Formula 2]
Figure pat00085

In Chemical Formula 2,
The definitions for L1 to L3, Ar1, Ar2, R1 to R4, r1 to r4, X1 to X3, m, a1 and a2 are the same as defined in Chemical Formula 1.
청구항 1에 있어서, 상기 L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조티오펜기인 것인 화합물.The method according to claim 1, wherein L1 is a substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted divalent fluorene group; Or a substituted or unsubstituted divalent dibenzothiophene group. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 비페닐기인 것인 화합물. The compound of claim 1, wherein Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, or a substituted or unsubstituted biphenyl group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure pat00086

Figure pat00087

Figure pat00088

Figure pat00089

Figure pat00090

Figure pat00091

Figure pat00092

Figure pat00093

Figure pat00094

Figure pat00095

Figure pat00096
The compound of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 1 is any one selected from the following compounds:
Figure pat00086

Figure pat00087

Figure pat00088

Figure pat00089

Figure pat00090

Figure pat00091

Figure pat00092

Figure pat00093

Figure pat00094

Figure pat00095

Figure pat00096
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 코팅 조성물.Coating composition comprising a compound according to any one of claims 1 to 5. 제1 전극;
상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 6의 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
A first electrode;
A second electrode provided to face the first electrode; And
At least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode,
At least one layer of the organic material layer is an organic light emitting device comprising the coating composition of claim 6 or a cured product thereof.
청구항 7에 있어서, 상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태인 것인 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 7, wherein the cured product of the coating composition is in a state where the coating composition is cured by heat treatment or light treatment. 청구항 7에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층인 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 7, wherein the organic material layer including the coating composition or the cured product thereof is a hole transport layer, a hole injection layer, or a layer for simultaneously transporting holes and injecting holes. 청구항 7에 있어서, 상기 코팅 조성물 또는 이의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것인 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 7, wherein the organic material layer including the coating composition or a cured product thereof is a light emitting layer. 청구항 7에 있어서, 상기 코팅 조성물은 하기 화학식 11로 표시되는 음이온기; 및 하기 화학식 12로 표시되는 양이온기를 포함하는 이온성 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 11]
Figure pat00097

상기 화학식 11에 있어서,
R101 내지 R120 중 적어도 하나는 F; 시아노기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오로알킬기이고,
나머지 R101 내지 R120 중 적어도 하나는 경화기이며,
나머지 R101 내지 R120은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트로기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
[화학식 12]
Figure pat00098

상기 화학식 12에 있어서,
R121 내지 R130은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트로기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 경화기이다.
The method according to claim 7, wherein the coating composition is an anionic group represented by the formula (11); And an ionic compound comprising a cationic group represented by Formula 12:
[Formula 11]
Figure pat00097

In Chemical Formula 11,
At least one of R101 to R120 is F; Cyano group; Or a substituted or unsubstituted fluoroalkyl group,
At least one of the remaining R101 to R120 is a curing machine,
The remaining R101 to R120 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitro group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
[Formula 12]
Figure pat00098

In Chemical Formula 12,
R121 to R130 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitro group; Halogen group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkenyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group, or a curing group.
청구항 11에 있어서, 상기 R103, R108, R113 및 R118 중 적어도 하나는 경화기인 것인 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 11, wherein at least one of R103, R108, R113, and R118 is a curing group. 청구항 11에 있어서, 상기 경화기는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure pat00099

상기 구조에 있어서,
L11은 직접결합; -O-; -S-; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
k는 1 또는 2이며,
상기 k가 2인 경우, 상기 L11은 서로 같거나 상이하고,
R131은 치환 또는 비치환된 알킬기이며,
Figure pat00100
는 각각 연결되는 부위를 의미한다.
The organic light emitting device of claim 11, wherein the curing group is any one selected from the following structures:
Figure pat00099

In the above structure,
L11 is a direct bond; -O-; -S-; Substituted or unsubstituted alkylene group; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
k is 1 or 2,
When k is 2, L11 is the same as or different from each other,
R131 is a substituted or unsubstituted alkyl group,
Figure pat00100
Means a site to which each is connected.
청구항 11에 있어서, 상기 화학식 11로 표시되는 음이온기는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure pat00101

Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104
The organic light emitting device of claim 11, wherein the anionic group represented by Formula 11 is any one selected from the following structures:
Figure pat00101

Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104
청구항 11에 있어서, 상기 화학식 12로 표시되는 양이온기는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
Figure pat00105
The organic light emitting device of claim 11, wherein the cation group represented by Chemical Formula 12 is any one selected from the following structures:
Figure pat00105
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