KR20190111543A - Synthetic test circuit and testing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 합성시험회로 및 그 시험방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a synthetic test circuit and a test method thereof.
산업이 발전하고 인구가 증가함에 따라 전력 수요는 급증하는데 반해, 전력생산에는 한계가 있다. As industry develops and population grows, soaring demand for electricity has limits.
이에 따라, 생산지에서 생성된 전력을 손실 없이 안정적으로 수요지로 공급하기 위한 전력계통이 점차 중요해지고 있다. Accordingly, the power system for supplying the power generated in the production site stably without loss is becoming increasingly important.
전력계통에 고전압직류송전(HVDC: High Voltage Direct-Current transmission) 방식을 적용하여 전력을 손실없이 장거리 송전이 가능하도록 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 고전압직류송전방식에 의해 비동기 계통 연계, 해저 케이블 사용 및 전력제어가 가능하다. High voltage direct-current transmission (HVDC) is applied to the power system, and research is being actively conducted to enable long-distance transmission without losing power. This high voltage DC transmission system enables asynchronous system linkage, submarine cable use, and power control.
고전압직류송전시스템은 송전측에서 교류전력을 직류전력으로 변환하여 송전하고 수요측에서 송전된 직류전력을 교류전력으로 변환하여 수용가에 공급한다.The high-voltage DC transmission system converts AC power into DC power on the power transmission side, and converts DC power transmitted from the demand side into AC power and supplies it to the customer.
고전압직류송전시스템에서는 교류전력을 직류전력으로 변환하거나 직류전력을 교류전력으로 변환하기 위한 컨버터가 요구된다.In high voltage DC transmission systems, a converter for converting AC power to DC power or DC power to AC power is required.
수용가는 전력을 최종 소비하는 주체이다.The consumer is the ultimate consumer of power.
한편, 전력계통을 통해 전력을 손실없이 안전하게 송전하기 위해, 전력조류와 계통전압, 안정도 향상을 위한 FACTS(Flexible AC Transmission System) 설비의 필요성이 대두되고 있다. FACTS 설비 중 3세대로 불리는 전력보상장치의 일종인 STATCOM(STATic synchronous COMpensator) 설비는 전력계통에 병렬로 병입되어 전력계통에서 필요로 하는 무효전력 및 유효전력을 보상해 주고 있다. On the other hand, in order to safely transmit power without loss through the power system, the need for a flexible AC Transmission System (FACTS) facility for improving the power current, grid voltage, stability. The STATCOM (STATCOM) equipment, a kind of power compensation device called the third generation of FACTS facilities, is fed in parallel to the power system to compensate for reactive and active power required by the power system.
도 1은 일반적인 전력계통시스템을 도시한다.1 shows a general power system system.
도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 전력계통시스템(10)은 전력생성원(20), 전력계통(30), 부하(40) 및 다수의 전력보상장치(50)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the
전력생성원(20)은 전력을 생성하는 장소나 설비를 의미하는 것으로서, 전력을 생성하는 생산자로 이해될 수 있다. The
전력계통(30)은 전력생성원(20)에서 생성된 전력을 부하(40)로 송전하도록 하여 주는 전력선, 철탑, 피뢰기, 애자 등을 포함하는 일체의 설비를 의미할 수 있다. The
부하(40)는 전력생성원(20)에서 생성된 전력을 소비하는 장소나 설비를 의미하는 것으로서, 전력을 소비하는 소비자로 이해될 수 있다.The
부하(40)은 앞서 언급된 수용가이다. The
전력보상장치(50)는 전력계통(30)에 연계되어, 전력계통(30)의 유효전력 또는 무효전력의 과잉 또는 부족에 따라 해당 유효전력 또는 무효전력을 보상하여 준다.The
전력보상장치(50) 또한 전력을 변환하여 주기 위한 컨버터가 필요하다.The
고전압직류송전시스템이나 전력보상장치(50)에 사용되는 컨버터에는 다수의 다수의 서브모듈이 포함된다. The converter used in the high voltage DC transmission system or the
이러한 서브모듈이 컨버터로 구성되기 전에, 서브모듈의 성능시험이 요구된다.Before these submodules are configured as converters, performance testing of the submodules is required.
하지만, 종래의 성능시험을 위한 합성시험회로는 매우 중요한 기술로서, 관련 기술이 노출되지 않을 뿐만 아니라 기술 이전도 용이하지 않아, 현재까지 공지된 성능시험을 위한 합성시험회로는 없다.However, the synthesis test circuit for the conventional performance test is a very important technology, not only the related technology is exposed, but also technology transfer is not easy, there is no known synthesis test circuit for the performance test to date.
실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiment aims to solve the above and other problems.
실시예의 다른 목적은 서로 상이한 타입의 서브모듈의 성능시험이 가능한 합성시험회로 및 그 시험방법을 제공한다.Another object of the embodiment is to provide a synthetic test circuit and a test method thereof capable of performing performance tests on different types of submodules.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 일 측면에 따르면, 합성시험회로는, 제1 시험부 또는 제2 시험부가 활성화되도록 상기 제1 시험부 또는 상기 제2 시험부를 충전시키는 충전원; 상기 활성화된 제1 시험부를 테스트하기 위한 전원을 공급하여 주는 제1 전류원; 상기 활성화된 제2 시험부를 테스트하기 위한 전원을 공급하여 주는 제2 전류원; 및 상기 제1 시험부 또는 상기 제2 시험부의 단락시험을 위한 단락전류를 공급하여 주는 단락전류공급원을 포함한다.According to an aspect of the embodiment to achieve the or another object, the synthetic test circuit, the charging source for charging the first test unit or the second test unit to activate the first test unit or the second test unit; A first current source for supplying power for testing the activated first test unit; A second current source supplying power for testing the activated second test unit; And a short circuit current supply source supplying a short circuit current for a short circuit test of the first test unit or the second test unit.
실시예에 따른 합성시험회로 및 그 시험방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the synthesis test circuit and the test method according to the embodiment as follows.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 하나의 충전부을 이용하여 제1 시험부뿐만 아니라 제2 시험부도 충전시킬 수 있어, 합성시험회로의 구조를 단순화하여 비용을 절감할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, one charging unit may be used to charge not only the first test unit but also the second test unit, thereby reducing the cost by simplifying the structure of the synthesis test circuit.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 단일 합성시험회로를 이용하여 제1 시험부뿐만 아니라 제2 시험부도 테스트하고 또한 단락시험도 할 수 있어, 합성시험회로를 구매하는 구매자의 구매 욕구를 증진시킬 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, a single synthetic test circuit can be used to test not only the first test section but also the second test section, and also to perform a short circuit test, thereby enhancing a purchaser's desire to purchase a synthetic test circuit. There is an advantage.
실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 합성시험회로의 회로 구조를 간략화하여 불필요한 회로소자를 제거하여 줌으로써, 합성시험회로의 제품 사이즈를 줄여줄 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the circuit structure of the synthesis test circuit is simplified to remove unnecessary circuit elements, thereby reducing the product size of the synthesis test circuit.
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. Further scope of the applicability of the present invention will become apparent from the following detailed description. However, various changes and modifications within the spirit and scope of the present invention can be clearly understood by those skilled in the art, and therefore, specific embodiments, such as the detailed description and the preferred embodiments of the present invention, should be understood to be given by way of example only.
도 1은 일반적인 전력계통시스템을 도시한다.
도 2는 제1 실시예에 따른 합성시험회로를 도시한다.
도 3은 도 1의 손실보상부를 상세히 도시한다.
도 4는 도 1의 풀브릿지타입(full bridge type)의 서브모듈을 포함하는 시험부를 상세히 도시한다.
도 5는 도 1의 하프브릿지타입(half bridge type)의 서브모듈을 포함하는 시험부를 상세히 도시한다.
도 6 내지 도 8은 제1 실시예에 따른 합성시험회로에서 풀브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부를 성능시험하는 모습을 도시한다.
도 9는 풀브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부를 성능시험하기 위한 스위치의 동작파형도이다.
도 10 내지 도 12은 다른 실시예에 따른 합성시험회로에서 하프브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부를 성능시험하는 모습을 도시한다.
도 13는 하프브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부를 성능시험하기 위한 스위치의 동작파형도이다.
도 14는 하프브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부를 성능시험하기 위한 전류패턴 파형도이다.
도 15는 제2 실시예에 따른 합성시험회로를 도시한다.
도 16 및 도 17은 제2 실시예에 따른 합성시험회로에서 일 예로서의 단락전류를 시험하는 모습을 도시한다.
도 18 및 도 19는 제2 실시예에 따른 합성시험회로에서 다른 예로서의 단락전류를 시험하는 모습을 도시한다.1 shows a general power system system.
2 shows a synthesis test circuit according to the first embodiment.
3 illustrates the loss compensation unit of FIG. 1 in detail.
FIG. 4 is a detailed view of a test unit including a full bridge type submodule of FIG. 1.
FIG. 5 is a detailed view of a test unit including a subbridge of the half bridge type of FIG. 1.
6 to 8 illustrate a performance test of a test unit including a full bridge type submodule in the synthesis test circuit according to the first embodiment.
9 is an operation waveform diagram of a switch for performing a test of a test part including a full bridge type submodule.
10 to 12 illustrate a state in which a test unit including a half bridge type submodule is tested in a synthesis test circuit according to another embodiment.
FIG. 13 is an operational waveform diagram of a switch for performance test of a test unit including a half-bridge type submodule. FIG.
14 is a waveform diagram of a current pattern for performance testing of a test unit including a half bridge type submodule.
15 shows a synthesis test circuit according to the second embodiment.
16 and 17 show an example of testing a short-circuit current in the synthesis test circuit according to the second embodiment.
18 and 19 show a state in which a short circuit current is tested as another example in the synthesis test circuit according to the second embodiment.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments disclosed herein will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or similar components will be given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "unit" for components used in the following description are given or used in consideration of ease of specification, and do not have distinct meanings or roles from each other. In addition, in describing the embodiments disclosed herein, when it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed herein, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for easily understanding the embodiments disclosed herein, the technical spirit disclosed in the specification by the accompanying drawings are not limited, and all changes included in the spirit and scope of the present invention. It should be understood to include equivalents and substitutes.
도 2는 제1 실시예에 따른 합성시험회로를 도시한다.2 shows a synthesis test circuit according to the first embodiment.
제1 실시예에 따른 합성시험회로는 서로 상이한 타입을 갖는 서브모듈을 성능시험할 수 있다.The synthesis test circuit according to the first embodiment can perform performance tests on submodules having different types from each other.
예컨대, 풀브릿지타입의 서브모듈이나 하프브릿지타입의 서브모듈의 성능시험이 수행될 수 있다. For example, a performance test of a full bridge type submodule or a half bridge type submodule may be performed.
도 2에 도시한 바와 같이, 성능시험을 수행하는 부분은 피시험체로 명명되고, 피시험체에 체결되어 성능시험이 수행되는 부분은 시험체로 명명될 수 있다.As shown in FIG. 2, the part performing the performance test may be referred to as a test subject, and the part which is fastened to the test subject and the performance test is performed may be referred to as a test subject.
이를 위해, 피시험체의 끝단에 체결부(T1, T2)가 구비될 수 있다. 따라서, 체결부(T1, T2)에 시험체가 체결된 후, 피시험체에 의해 시험체의 성능시험이 수행될 수 있다. To this end, fastening parts T1 and T2 may be provided at the ends of the test object. Therefore, after the test piece is fastened to the fastening portions T1 and T2, the test object can be tested by the test object.
해당 시험체의 성능시험이 완료된 후, 시험체는 피시험체의 체결부(T1, T2)로부터 체결 해제될 수 있다.After the performance test of the test piece is completed, the test piece may be released from the fastening portions T1 and T2 of the test object.
체결부(T1, T2)는 피시험체 대신에 시험체에 구비될 수도 있다.The fastening portions T1 and T2 may be provided in the test body instead of the test subject.
시험체는 시험부(70, 90)를 포함할 수 있다.The test body may include
실시예에 따르면, 시험부는 풀브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부(70)나 하프브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부(90)를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the test unit may include a
편의상, 풀브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부(70)는 제1 시험부로 명명되고, 하프브릿지타입의 서브모듈을 포함하는 시험부(90)는 제2 시험부로 명명될 수 있다. For convenience, the
제1 시험부(70)는 전력보상장치에 포함되는 컨버터에 구비되고, 제2 시험부(90)는 고전압직류송전시스템에 포함되는 컨버터에 구비될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The
제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90) 각각은 적어도 하나 이상의 서브모듈을 포함할 수 있다. 적어도 하나 이상의 서브모듈은 서로 직렬로 접속될 수 있다. Each of the
도 4에 도시한 바와 같이, 제1 시험부(70)는 서로 직렬로 접속된 제1 및 제2 서브모듈(72, 74)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 서브모듈(72, 74) 각각은 풀브릿지타입 구조를 가질 수 있다. As shown in FIG. 4, the
도 4에서는 2개의 서브모듈(72, 74)이 도시되고 있지만, 제1 시험부(70)는 2개 이상의 서브모듈을 포함할 수 있다.Although two
제1 서브브듈(72)의 구성과 제2 서브모듈(74)의 구성은 동일하므로, 설명의 편의를 위해 제1 서브모듈(72)의 구성을 설명한다.Since the configuration of the
제1 서브모듈(72)은 제1 내지 제4 스위칭부(72a, 72b, 72c, 72d)와 각 스위칭부(72a, 72b, 72c, 72d)에 접속되는 커패시터(CSM)를 포함할 수 있다. The
구체적으로, 제1 노드(n1)와 제4 노드(n4) 사이에 제1 스위칭부(72a)와 제2 스위칭부(72b)가 직렬로 접속될 수 있다. 제1 스위칭부(72a)는 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 접속되고, 제2 스위칭부(72b)는 제2 노드(n2)와 제4 노드(n4) 사이에 접속될 수 있다. In detail, the
제1 스위칭부(72a)는 제1 스위치(SLT)와 제1 스위치(SLT)와 병렬로 접속되는 제1 다이오드(DLT)를 포함하고, 제2 스위칭부(72b)는 제2 스위치(SLB)와 제2 스위치(SLB)와 병렬로 접속되는 제2 다이오드(DLB)를 포함할 수 있다.The
아울러, 제1 노드(n1)와 제4 노드(n4) 사이에 제3 스위칭부(72c)와 제4 스위칭부(72d)가 직렬로 접속될 수 있다. 제3 스위칭부(72c)는 제1 노드(n1)와 제3 노드(n3) 사이에 접속되고, 제4 스위칭부(72d)는 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4) 사이에 접속될 수 있다.In addition, the
제3 스위칭부(72c)는 제3 스위치(SRT)와 제3 스위치(SRT)와 병렬로 접속되는 제3 다이오드(DRT)를 포함하고, 제4 스위칭부(72d)는 제4 스위치(SRB)와 제4 스위치(SRB)와 병렬로 접속되는 제4 다이오드(DRB)를 포함할 수 있다. The
제1 및 제4 노드(n1, n4) 사이에서 제1 및 제2 스위칭부(72a, 72b)로 구성되는 제1 스위치 쌍과 제3 및 제4 스위칭부(72c, 72d)로 구성되는 제2 스위치 쌍은 서로 병렬로 접속될 수 있다. A first switch pair consisting of the first and
커패시터(CSM)는 제1 노드(n1)와 제4 노드(n4) 사이에 접속될 수 있다.The capacitor C SM may be connected between the first node n1 and the fourth node n4.
한편, 제1 시험부(70)의 입력단(76)은 체결부(T1, T2)에 접속될 수 있다.Meanwhile, the
도 5에 도시한 바와 같이, 제2 시험부(90)는 서로 직렬로 접속된 제1 및 제2 서브모듈(92, 94)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 서브모듈(92, 94) 각각은 하프브릿지타입 구조를 가질 수 있다. As shown in FIG. 5, the
도 5에서는 2개의 서브모듈(92, 94)이 도시되고 있지만, 제2 시험부(90)는 2개 이상의 서브모듈(92, 94)을 포함할 수 있다. Although two
제1 서브모듈(92)의 구성과 제2 서브모듈(94)의 구성은 동일하므로, 설명의 편의를 위해 제1 서브모듈(92)의 구성을 설명한다.Since the configuration of the
제1 서브모듈(92)은 제1 및 제2 스위칭부(92a, 92b)과 각 스위칭부(92a, 92b)에 접속되는 커패시터(CSM)를 포함할 수 있다. The
구체적으로, 제1 노드(n1)와 제3 노드(n3) 사이에 제1 스위칭부(92a)와 제2 스위칭부(92b)가 직렬로 접속될 수 있다. 제1 스위칭부(92a)는 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 접속되고, 제2 스위칭부(92b)는 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3) 사이에 접속될 수 있다. Specifically, the
제1 스위칭부(92a)는 제1 스위치(ST)와 제1 스위치(ST)와 병렬로 접속되는 제1 다이오드(DT)를 포함하고, 제2 스위칭부(92b)는 제2 스위치(SB)와 병렬로 접속되는 제2 다이오드(DB)를 포함할 수 있다.The
커패시터(CSM)는 제1 노드(n1)와 제3 노드(n3) 사이에 접속될 수 있다.The capacitor C SM may be connected between the first node n1 and the third node n3.
제2 시험부(90)의 입력단(96)은 체결부(T1, T2)에 접속될 수 있다.The
다시 도 2를 참조하면, 피시험체는 충전원(51), 제1 전류원(60), 제2 전류원(55), 시험전류조절부(80) 및 다수의 스위치를 포함할 수 있다. Referring back to FIG. 2, the test object may include a charging
스위치로는 예컨대, 제1 내지 제5 스위치(101, 103, 105, 107, 109), 개폐스위치(53) 및 부스바(Busbar)스위치(69)가 사용될 수 있다. For example, the first to
제1 스위치(101)는 진공차단스위치(VCB: Vacuum Circuit Breaker)일 수 있다. 제1 스위치(101)는 진공 중의 높은 절연내력을 이용하여 아크(arc) 생성물을 진공 중 급속한 확산을 이용하여 소호하는 차단부재로서, 차단시간이 짧고 차단성능이 주파수에 영향을 받지 않는 장점이 있어, 예컨대 22.9KV 급에서도 사용이 가능하다. The
제2 내지 제4 스위치(103, 105, 107, 109)는 기중차단스위치(ACB: Air Circuit Breaker)일 수 있다. The second to
필요에 따라 제1 스위치(101)와 제2 스위치(103)가 생략되는 경우, 제3 내지 제5 스위치(105, 107, 109) 각각은 제1 내지 제3 스위치로 명명될 수 있다. When the
제2 내지 제4 스위치(103, 105, 107, 109) 각각은 예컨대 교류전압 1000V 이하나 직류전압 3000V 이하의 선로에 사용될 수 있다. Each of the second to
예컨대, 제1 스위치(101)는 모선(100)의 전력이 충전원(51), 제1 전류원(60) 및 제2 전류원(55)으로 공급되도록 스위칭할 수 있다. 따라서, 제1 스위치(101)는 충전원(51), 제1 전류원(60) 및 제2 전류원(55)에 접속될 수 있다.For example, the
예컨대, 제2 스위치(103)는 제1 스위치(101)를 경유한 모선(100)의 전력이 충전원(51) 및 제1 전류원(60)으로 공급되도록 스위칭할 수 있다. 따라서, 제2 스위치(103)는 제1 스위치(101)와 충전원(51) 사이 또는 제1 스위치(101)와 제1 전류원(60) 사이에 접속될 수 있다. For example, the
제1 스위치(101)가 도통되는 경우, 모선(100)의 전력이 제1 스위치(101)를 경유하여 제2 스위치(103)로 공급될 수 있다. 제2 스위치(103)가 도통될 때, 해당 모선(100)의 전력이 제2 스위치(103)를 경유하여 충전원(51) 및 제1 전류원(60)으로 공급될 수 있다. When the
예컨대, 제3 스위치(105) 및 제4 스위치(107)는 제2 스위치(103)를 경유한 모선(100)의 전력이 충전원(51) 또는 제1 전류원(60)으로 선택적으로 공급되도록 스위칭 제어할 수 있다. 제4 스위치(107)가 개방되고 제3 스위치(105)가 도통되는 경우, 제2 스위치(103)를 경유한 모선(100)의 전력이 충전원(51)으로 공급될 수 있다. 제4 스위치(107)가 도통되고 제3 스위치(105)가 개방되는 경우, 제2 스위치(103)를 경유한 모선(100)의 전력이 제1 전류원(60)으로 공급될 수 있다.For example, the
한편, 제1 스위치(101)가 도통되는 경우, 모선(100)의 전력이 제1 스위치(101)를 경유하여 제5 스위치(109)로 공급될 수 있다. 제5 스위치(109)가 도통될 때, 해당 모선(100)의 전력이 제5 스위치(109)를 경유하여 제2 전류원(55)으로 공급될 수 있다. Meanwhile, when the
예컨대, 제5 스위치(109)는 제1 스위치(101)를 경유한 모선(100)의 전력이 제2 전류원(55)으로 공급되도록 스위칭 제어할 수 있다. 따라서, 제5 스위치(109)는 제1 스위치(101)와 제2 전류원(55) 사이에 접속될 수 있다. For example, the
제1 실시예에 따르면, 모선(100)의 전력은 충전원(51), 제1 전류원(60) 및 제2 전류원(55)에서 요구되는 전력, 구체적으로 전압으로 조정될 필요가 있다. 이를 위해, 제1 변압기(111) 및 제2 변압기(113)가 구비될 수 있다. According to the first embodiment, the power of the
제1 변압기(111)는 제1 스위치(101)와 제5 스위치(109) 사이에 접속될 수 있다. 제1 변압기(111)에 의해 모선(100)의 전력의 전압이 강하된 제1 전압을 갖는 전력이 출력될 수 있다. The
제2 변압기(113)는 제2 스위치(103) 및 제4 스위치(107) 사이 또는 제2 스위치(103) 및 제3 스위치(105) 사이에 접속될 수 있다. 제1 변압기(111)에 의해 출력되는 전력인 제1 전압이 제2 변압기(113)에 의해 강하되어 제2 전압을 갖는 전력이 출력될 수 있다. The
제1 내지 제5 스위치(101, 103, 105, 107, 109) 및 개폐스위치(53)는 스위치의 일종으로서, 해당 스위치가 설치되는 장소의 환경에 따라 그 환경에 적합한 스위치가 설치될 수 있다. The first to
제1 내지 제5 스위치(101, 103, 105, 107, 109) 및 개폐스위치(53) 중에서 먼저 언급되는 순서대로 정해질 수 있다. 예컨대, 개폐스위치(53)가 제일 먼저 언급되는 경우, 개폐스위치(53)가 제1 스위치로 명명될 수 있다. The first to
한편, 부스바스위치(69)는 기계 스위치로서, 스스로 구동되지 않고 운전자에 의해 도통 또는 개방될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.On the other hand, the
충전원(51)이나 제1 전류원(60)보다는 제2 전류원(55)에서 더 큰 전압이 요구되므로, 제1 변압기(111)에 의해 출력되는 제1 전압의 전력이 제2 전류원(55)으로 공급되고, 제2 변압기(113)에 의해 출력되는 제1 전압의 전력보다 낮은 제2 전압의 전력이 충전원(51)이나 제1 전류원(60)으로 공급될 수 있다. Since a larger voltage is required at the second
일 예로서, 모선(100)의 전력의 전압은 대략 6.6KV이고, 제1 변압기(111)에 의해 출력되는 전력의 전압은 대략 380V이며, 제2 변압기(113)에 의해 출력되는 전력의 전압은 대략 220V일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 이러한 예는 설명의 편의를 위해 기재한 것으로서, 피시험체의 용량이나 시험체의 용량에 따라 해당 전압은 달라질 수 있다.As an example, the voltage of the power of the
제1 전류원(60)은 풀브릿지타입의 서브모듈(72, 74)을 포함하는 제1 시험부(70)의 성능시험을 위해 사용된다. 제1 시험부(70)는 저전압 및 대전류가 요구될 수 있다.The first
이에 반해, 제2 전류원(55)은 하프브릿지타입의 서브모듈(92, 94)을 포함하는 제2 시험부(90)의 성능시험에 사용된다. 제2 시험부(90)는 고전압 및 저전류가 요구될 수 있다.In contrast, the second
여기서, 고전압과 저전압은 서로 상대적인 개념으로서 수백 V 이상의 고전압이고, 고전압값이 저전압값보다 크다. 또한, 대전류과 저전류는 서로 상대적인 개념으로서 수십 A 이상의 고전류이고, 대전류값이 저전류값보다 크다. Here, the high voltage and the low voltage are high voltages of several hundred V or more, and the high voltage value is larger than the low voltage value. In addition, the large current and the low current are high currents of several tens of A or more as a concept relative to each other, and the large current value is larger than the low current value.
충전원(51)은 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)를 충전시킬 수 있다. 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90)에 충전된 전력에 의해 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 활성화될 수 있다. The charging
제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 활성화된다는 말은 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90) 내에 포함되는 각종 디바이스가 구동됨을 의미할 수 있다. The activation of the
예컨대, 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)는 다수의 스위칭부, 커패시터, 저항소자, 셀프파워서플라이(SPS: Self Power Supply), 인터페이스(SMI:SubModule Interface), 게이트드라이버 등과 같은 전자장치들을 포함할 수 있다. For example, the
스위칭부는 제1 시험부(70)의 제1 내지 제4 스위칭부(72a, 72b, 72c, 72c)나 제2 시험부(90)의 제1 및 제2 스위칭부(92a, 92b)를 포함할 수 있다. The switching unit may include first to
커패시터는 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)나 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)를 포함할 수 있다. The capacitor may comprise a capacitor (C SM) of the capacitor (C SM) and the second test section (90) of the first test section (70).
다수의 스위칭부, 커패시터 및 저항소자는 수동형 디바이스인데 반해, 셀프파워서플라이, 인터페이스 및 게이트드라이버는 능동형 디바이스이다.Many switches, capacitors and resistors are passive devices, while self-power supplies, interfaces and gate drivers are active devices.
이러한 능동형 디바이스는 스스로 동작되지 못하고, 외부의 전원에 의해 구동이 된 후 원하는 동작을 수행할 수 있다. 이때, 이러한 능동형 디바이스를 구동시키기 위한 소스, 즉 외부의 전원으로서 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)에 충전된 전압이 사용될 수 있다. Such an active device may not operate by itself and may be driven by an external power source to perform a desired operation. In this case, a voltage charged in the capacitor C SM of the
따라서, 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)의 성능시험이 수행되기 전에, 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)를 활성화시키기 위해 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)가 충전될 수 있다. Therefore, before the performance test of the
이와 같이, 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)의 성능시험이 수행되기 전에 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)를 충전시키기 위해 충전원(51)이 사용될 수 있다. As such, before the performance test of the
충전원(51)은 정류부(52)와 가변저항기(RI)를 포함할 수 있다. The charging
정류부(52)는 3상 교류전압을 직류전압으로 정류하는 다이오드형 정류기일 수 있다. 모선(100)의 전력이 제2 변압기(113)에 의해 변환되어 출력되는 전력의 제2 전압은 3상 교류전압을 가질 수 있다. 따라서, 정류부(52)에 의해 직류전압으로 정류된 전력이 시험체, 즉 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)로 공급되어 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)를 충전시킬 수 있다. The
가변저항기(RI)는 시험체가 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)인지에 따라 서로 상이한 저항값을 갖도록 가변될 수 있다.The variable resistor R I may be varied to have different resistance values depending on whether the test body is the
예컨대, 성능시험의 수행을 위해 저전압 및 대전류가 요구되는 제1 시험부(70)가 체결부(T1, T2)에 체결되는 경우, 가변저항기(RI)는 제1 저항값을 갖도록 조정될 수 있다. 즉, 가변저항기(RI)는 대전류가 흐르도록 저항값이 작아지도록 조정될 수 있다.For example, when the
예컨대, 또 다른 성능시험의 수행을 위해 고전압 및 저전류가 요구되는 제2 시험부(90)가 체결부(T1, T2)에 체결되는 경우, 가변저항기(RI)는 제2 저항값을 갖도록 조정될 수 있다. 제2 저항값은 제1 저항값보다 클 수 있다. 즉, 가변저항기(RI)는 저전류가 흐르도록 저항값이 커지도록 조정될 수 있다. For example, when the
충전원(51)과 체결부(T1, T2) 사이에 개폐스위치(53)가 접속될 수 있다. 개폐스위치(53)는 충전원(51)에 의해 초기 충전이 수행되는 동안에는 도통되고, 그 외의 시간 동안에는 개방될 수 있다. 그 외의 시간에는 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)의 성능시험을 수행하는 시간이 포함될 수 있다. The opening and closing
도면에서는 개폐스위치(53)가 충전원(51)과 별개로 설치되고 있지만, 개폐스위치(53)는 충전원(51)에 포함될 수도 있다.Although the opening and closing
개폐스위치(53)는 제1 시험부(70)나 제2 시험부(90)의 성능시험을 수행하는 동안, 시험전류(itest)가 충전원(51)으로 유입되는 것을 방지하기 위한 역전류방지스위치일 수 있다.The on / off
개폐스위치(53)는 싸이리스터(thyristor)소자나 IGBT(Insulated Gate Bipolar mode Transistor)소자를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The on / off
제1 전류원(60)은 제1 시험부(70)의 성능시험을 수행하기 위한 전원을 공급하여 주는 한편 제1 전류원(60), 시험전류조절부(80) 및 제1 시험부(70)에 의해 구성된 합성시험회로에서 발생하는 손실보상분을 공급하여 주는 저전압-대전류 전원 공급장치일 수 있다. The first
제1 전류원(60)은 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전전압(VSM)을 충전시킬 수 있다. 충전전압(VSM)은 예컨대, 커패시터(CSM)에 설정된 용량만큼 충전될 수 있다. 이 충전전압(VSM)에 의해 지속적으로 제1 시험부(70)의 성능시험을 수행할 수 있다. The first
커패시터(CSM)가 기 설정된 용량만큼 충전되면, 이 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 제1 시험부(70)의 서브모듈(72, 74)에 포함되는 게이트드라이버와 같은 전자장치가 동작될 수 있다. When the capacitor C SM is charged by a predetermined capacity, the gate driver included in the sub-modules 72 and 74 of the
제1 전류원(60)의 출력전압(VINV)은 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 비해 매우 작은 값일 수 있다. 예컨대, 제1 전류원(60)의 출력전압은 예컨대, 25V인데 반해, 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)은 3kV 내지 3.6kV(직렬 접속된 3개의 서브모듈 기준)일 수 있다. The output voltage V INV of the first
따라서, 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 비해 제1 전류원(60)의 출력전압(VINV)은 무시될 수 있으므로, 제1 시험부(70)의 성능시험은 주로 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)을 소스(source)로 하여 수행될 수 있다. Therefore, the output voltage V INV of the first
제1 시험부(70)의 각 서브모듈(72, 74)의 커패시터(CSM)에 한번 충전되면, 제1 시험부(70)의 성능시험 동안 제1 전류원(60)으로부터 별도의 전압이 공급되지 않더라도, 거의 전력 소모 없이 성능시험을 용이하게 수행할 수 있다.Once charged in the capacitor C SM of each of the sub-modules 72 and 74 of the
만일 제1 시험부(70)의 성능시험 동안 손실로 인해 원하는 전압이 커패시터(CSM)에 충전되지 않는 경우에 한해 간헐적으로 제1 전류원(60)의 손실보상부(66)에 의해 손실 전력이 보충될 수 있다. 이에 대해서는 나중에 상세히 설명한다.If the desired voltage is not charged to the capacitor C SM due to the loss during the performance test of the
제1 전류원(60)은 정류부(62), 리플제거부(64) 및 손실보상부(66)를 포함할 수 있다.The first
정류부(62)는 3상 교류전압(Vs)을 저전압 직류전압(VDC)으로 정류하는 다이오드형 정류기일 수 있다. The
3상 교류전압(Vs)은 제4 스위치(107)에 의해 출력되는 전력의 제2 전압일 수 있다. 전력의 제2 전압이 정류부(62)에 의해 직류전압으로 정류될 수 있다.The three-phase AC voltage Vs may be a second voltage of power output by the
예컨대, 직류전압(VDC)은 50V일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the DC voltage V DC may be 50V, but is not limited thereto.
직류전압(VDC)에 포함되는 리플은 리플제거부(64)에 의해 제거될 수 있다. 리플제거부(64)는 정류부(62)에 접속되는 인덕터(LF)와 인덕터(LF)와 병렬로 접속되는 커패시터(CF)를 포함할 수 있다. The ripple included in the DC voltage V DC may be removed by the
직류전압(VDC)은 커패시터(CF)의 양단에 걸리게 된다. The DC voltage V DC is applied across the capacitor C F.
손실보상부(66)는 직류전압(VDC)을 그대로 출력하여 주거나 손실보상전압으로 변환한 후 출력하여 주는 인버터일 수 있다. 구체적으로, 손실보상부(66)는 제1 시험부(70)의 성능시험 시에 제1 전류원(60), 시험전류조절부(80) 및 제1 시험부(70)에 의해 구성된 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)에 손실이 발생되는 경우, 해당 손실을 보충 또는 보상하여 주기 위해 직류전압(VDC)으로부터 변환된 손실보상전압을 출력시켜 줄 수 있다.The
손실보상전압은 예컨대, 시험전류(itest)의 반주기(T/2)의 일부 구간(Ts)동안 제1 전류원(60)의 손실보상부(66)로부터 제1 시험부(70)로 공급될 수 있다. The loss compensation voltage may be supplied from the
시험전류(itest)는 주기적인 교류파형을 가질 수 있다. 이때, 교류파형의 주기를 한 주기(T)로 정의될 때, 반주기(T/2)의 일부 구간(Ts)동안 손실보상전압이 손실보상부(66)로부터 공급될 수 있다. 일부 구간(Ts)은 (T/2-Ts) 내지 T/2 또는 (T-Ts) 내지 T일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The test current i test may have a periodic ac waveform. In this case, when the period of the AC waveform is defined as one period T, a loss compensation voltage may be supplied from the
일부 구간(Ts)은 시험전류(itest)의 손실 정도에 따라 변동 가능하다. 예컨대, 시험전류(itest)의 손실이 큰 경우, Ts는 커질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Some sections Ts may vary depending on the degree of loss of the test current i test . For example, when the loss of the test current (i test ) is large, Ts may be large, but is not limited thereto.
아울러, 시험전류(itest)의 손실 정도에 따라 제1 전류원(60)의 손실보상부(66)로부터 출력되는 손실보상전압은 변동 가능하다. 예컨대, 시험전류(itest)의 손실이 큰 경우, 손실보상전압은 커질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In addition, the loss compensation voltage output from the
손실보상부(66)는 도 3에 도시한 바와 같이, 4개의 스위칭부(66a, 66b, 66c, 66d)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 3, the
손실보상부(66)의 입력단자(67)는 정류부(62) 또는 리플제거부(64)에 접속되고, 손실보상부(66)의 출력단자(68)는 부스바스위치(69)를 경유하여 시험전류조절부(80)에 접속될 수 있다.The
제1 내지 제4 스위칭부(66a, 66b, 66c, 66d)는 풀브릿지 타입(full bridge type)으로 구성될 수 있다. The first to
구체적으로, 제1 노드(n11)과 제4 노드(n14) 사이에 제1 및 제2 스위칭부(66a, 66b)가 직렬로 접속될 수 있다. Specifically, the first and
제1 스위칭부(66a)는 서로 병렬로 접속되는 제1 스위치(S1) 및 제1 다이오드(D1)를 포함하고, 제2 스위칭부(66b)는 서로 병렬로 접속되는 제2 스위치(S2) 및 제2 다이오드(D2)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 노드(n11)와 제2 노드(n12) 사이에 제1 스위치(S1)가 접속되고, 제2 노드(n12)와 제4 노드(n14) 사이에 제2 스위치(S2)가 접속될 수 있다. 마찬가지로, 제1 노드(n11)와 제2 노드(n12) 사이에 제1 다이오드(D1)가 접속되고, 제2 노드(n12)와 제4 노드(n14) 사이에 제2 다이오드(D2)가 접속될 수 있다. The
또한, 제1 노드(n11)와 제4 노드(n14) 사이에 제3 및 제4 스위칭부(66c, 66d)가 직렬로 접속될 수 있다. In addition, the third and
제3 스위칭부(66c)는 서로 병렬로 접속되는 제3 스위치(S3) 및 제3 다이오드(D3)를 포함하고, 제4 스위칭부(66d)는 서로 병렬로 접속되는 제4 스위치(S4) 및 제4 다이오드(D4)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 노드(n11)와 제3 노드(n13) 사이에 제3 스위치(S3)가 접속되고, 제3 노드(n13)와 제4 노드(n14) 사이에 제4 스위치(S4)가 접속될 수 있다. 마찬가지로, 제1 노드(n11)와 제3 노드(n13) 사이에 제3 다이오드(D3)가 접속되고, 제3 노드(n13)와 제4 노드(n14) 사이에 제4 다이오드(D4)가 접속될 수 있다. The
제1 내지 제4 스위치(S1, S2, S3, S4) 각각은 IGBT소자일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Each of the first to fourth switches S1, S2, S3, and S4 may be an IGBT element, but is not limited thereto.
제1 및 제4 노드(n11, n14) 사이에서 제1 및 제2 스위칭부(66a, 66b)로 구성되는 제1 스위치 쌍과 제3 및 제4 스위칭부(66c, 66d)로 구성되는 제2 스위치 쌍은 서로 병렬로 접속될 수 있다. A first switch pair consisting of the first and
제2 전류원(55)은 제2 시험부(90)의 성능시험을 수행하기 위한 전원을 공급하여 주는 고전압-저전류 전원 공급장치일 수 있다. The second
제2 전류원(55)은 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)에 충전전압(VSM)을 충전시킬 수 있다. 충전전압(VSM)은 예컨대, 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)에 설정된 용량만큼 충전될 수 있다. 이 충전전압(VSM)에 의해 지속적으로 제2 시험부(90)의 성능시험을 수행할 수 있다. The second
커패시터(CSM)가 기 설정된 용량만큼 충전되면, 이 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 제2 시험부(90)의 서브모듈(92, 94)에 포함되는 게이트드라이버와 같은 전자장치가 동작될 수 있다. When the capacitor C SM is charged by a predetermined capacity, the gate driver included in the sub-modules 92 and 94 of the
제2 전류원(55)의 출력전압(VINV)은 리플제거부(57)의 커패시터(CH)의 양단에 걸리는 직류전압(VDC)일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The output voltage V INV of the second
제2 전류원(55)의 출력전압(VINV)은 제2 시험부(90)의 커패시터 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 비해 매우 작은 값일 수 있다. The output voltage V INV of the second
따라서, 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 비해 제2 전류원(55)의 출력전압(VINV)은 무시될 수 있으므로, 제2 시험부(90)의 성능시험은 제2 시험부(90)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)을 소스로 하여 수행될 수 있다. Therefore, the output voltage V INV of the second
제2 시험부(90)의 각 서브모듈(92, 94)의 커패시터(CSM)에 한번 충전되면, 제2 시험부(90)의 성능시험 동안 제2 전류원(55)으로부터 별도의 전압이 공급되지 않더라도, 거의 전력 소모 없이 성능시험을 용이하게 수행할 수 있다.Once charged in the capacitor C SM of each of the sub-modules 92 and 94 of the
제2 전류원(55)은 정류부(56), 리플제거부(57) 및 전류흐름제어부(58)를 포함할 수 있다.The second
정류부(56)는 3상 교류전압(Vs)을 저전압 직류전압(VDC)으로 정류하는 다이오드형 정류기일 수 있다. The
3상 교류전압(Vs)는 제5 스위치(109)에 의해 출력되는 전력의 제1 전압일 수 있다. 전력의 제1 전압이 정류부(56)에 의해 직류전압으로 정류될 수 있다. The three-phase AC voltage Vs may be a first voltage of power output by the
직류전압(VDC)에 포함되는 리플은 리플제거부(57)에 의해 제거될 수 있다. 리플제거부(57)는 정류부(56)에 접속되는 인덕터(LH)와 인덕터(LH)와 병렬로 접속되는 커패시터(CH)를 포함할 수 있다. The ripple included in the DC voltage V DC may be removed by the
직류전압(VDC)은 커패시터(CH)의 양단에 걸리게 된다. The DC voltage V DC is applied across the capacitor C H.
전류흐름제어부(58)은 제2 시험부(90)의 성능시험시 시험전류(itest)의 흐름을 제어하는 역할을 할 수 있다. The
예컨대, 도 14에 도시한 바와 같은 전류패턴에 의해 시험전류(itest)가 발생되는 경우, t1 내지 t2 구간이나 t2 내지 t3 구간 등에서는 전류흐름제어부(58)의 스위치가 도통되어 시험전류(itest)가 제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르게 된다. For example, when the test current (i test ) is generated by the current pattern as shown in FIG. 14, the switch of the current
예컨대, t0 내지 t1 구간이나 t3 내지 t4 구간 등에서는 전류흐름제어부(58)의 스위치가 개방되어 시험전류(itest)가 제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르지 않게 된다. 이러한 경우, 제2 시험부(90)의 각 서브모듈(92, 94)의 커패시터(CSM)의 충전전압(VSM)은 DC로 유지되게 된다. 이때, 서브모듈(92, 94)의 커패시터(CSM)의 충전전압(VSM)에 의해 제2 시험부(90)의 각 서브모듈(92, 94)의 스위치가 견디는 시험이 수행될 수 있다. For example, in the t0 to t1 section, the t3 to t4 section, and the like, the switch of the
부스바스위치(69)는 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)를 제1 전류원(60) 또는 제2 전류원(55)으로 선택적으로 접속되도록 제어할 수 있다. The
예컨대, 체결부(T1, T2)에 제1 시험부(70)가 체결되어 제1 시험부(70)의 성능시험이 수행되는 경우, 부스바스위치(69)에 의해 시험전류조절부(80)와 제1 전류원(60)이 접속되도록 스위칭될 수 있다. For example, when the
예컨대, 체결부(T1, T2)에 제2 시험부(90)가 체결되어 제2 시험부(90)의 성능시험이 수행되는 경우, 부스바스위치(69)에 의해 시험전류조절부(80)와 제2 전류원(55)이 접속되도록 스위칭될 수 있다. For example, when the
시험전류조절부(80)는 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)에서 요구하는 시험전류(itest)가 흐르도록 시험전류(itest)의 전류량을 조절하여 줄 수 있다. The test
이를 위해, 시험전류조절부(80)는 제1 인덕터(LM1), 제2 인덕터(LM2) 그리고 바이패스스위치(82)를 포함할 수 있다. To this end, the test
제1 인덕터(LM1)와 제2 인덕터(LM2)는 서로 동일한 인덕턴스를 가질 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. The first inductor L M1 and the second inductor L M2 may or may not have the same inductance.
바이패스스위치(82)는 예컨대 제2 인덕터(LM2)의 입출력단에 제2 인덕터(LM2)와 병렬로 접속될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. By-
바이패스스위치(82)는 제1 인덕터(LM1)의 입출력단에 접속될 수도 있다.The
이와 달리, 바이패스스위치(82)는 제1 인덕터(LM1)의 입출력단에 병렬로 접속될 수도 있다. Alternatively, the
예컨대, 대전류가 요구되는 제1 시험부(70)의 성능시험이 수행되는 경우, 대전류에 해당하는 시험전류(itest)가 흐르도록 바이패스스위치(82)가 도통될 수 있다. 이러한 경우, 시험전류(itest)의 발생에 제2 인덕터(LM2)는 사용되지 않게 되고 제1 인덕터(LM1)만 사용되므로, 제1 전류원(60), 시험전류조절부(80) 및 제1 시험부(70)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)는 대전류로 조절될 수 있다. For example, when the performance test of the
예컨대, 저전류가 요구되는 제2 시험부(90)의 성능시험이 수행되는 경우, 저전류에 해당하는 시험전류(itest)가 흐르도록 바이패스스위치(82)가 개방될 수 있다. 이러한 경우, 시험전류(itest)의 발생에 제1 인덕터(LM1)뿐만 아니라 제2 인덕터(LM2)도 사용되므로, 제2 전류원(55), 시험전류조절부(80) 및 제2 시험부(90)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)는 저전류로 조절될 수 있다.For example, when the performance test of the
다시 말해, 바이패스스위치(82)의 개방 또는 도통에 의해 서로 상이한 시험전류(itest)로 조절될 수 있다. In other words, it may be adjusted to a different test current (i test ) from each other by opening or conducting the
한편, 도 2에 도시된 바와 달이, 제5 스위치(109) 및 제2 스위치(103)가 제거되는 한편, 제4 스위치(107) 및 제3 스위치(105)가 개별적으로 제1 변압기(111)를 경유하여 제1 스위치(101)에 접속될 수도 있다. 이러한 경우, 제1 스위치(101), 제3 스위치(105) 및 제4 스위치(107)에 의해 모선(100)의 전력이 충전원(51), 제1 전류원(60) 또는 제2 전류원(55)으로 선택적으로 공급되도록 제어될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 2, the
이하에서는 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90) 각각의 성능시험 방법을 설명한다.Hereinafter, a performance test method of each of the
<제1 시험부(70)의 성능시험><Performance test of the
제1 시험부(70)의 성능시험은 제1 시험부(70)를 성능시험하기 위해 준비하는 과정(이하, 준비구간이라 함), 제1 시험부(70)를 충전(또는 활성화)시키는 과정(이하, 충전구간이라 함) 및 충전된 제1 시험부(70)의 성능시험을 수행하는 과정(이하, 시험수행구간이라 함)으로 구분될 수 있다.In the performance test of the
1. 준비구간1. Preparation Section
먼저, 도 6에 도시한 바와 같이, 체결부(T1, T2)에 성능시험할 제1 시험부(70)가 체결될 수 있다. First, as shown in FIG. 6, the
또한, 제1 시험부(70)는 제1 전류원(60)에 의해 성능시험이 수행되므로, 부스바스위치(69)가 스위칭되어 제1 전류원(60)이 시험전류조절부(80)를 경유하여 제1 시험부(70)에 접속될 수 있다. In addition, since the performance test is performed by the first
또한, 제1 시험부(70)에서 요구되는 시험전류(itest)가 발생되도록 충전원(51)의 가변저항기(RI)의 저항값이 가변될 수 있다.In addition, the resistance value of the variable resistor R I of the charging
예컨대, 제1 시험부(70)는 대전류가 요구되므로, 해당 대전류값의 발생을 위한 저항값으로 가변될 수 있다. 즉, 가변저항기(RI)의 저항값이 작아질수록 제1 전류원(60)과 제1 시험부(70)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)가 커지게 되므로, 해당 저항값은 작아지도록 가변될 수 있다. For example, since the
마찬가지로, 제1 시험부(70)에서 요구되는 대전류를 갖는 시험전류(itest)가 발생되도록 시험전류조절부(80)의 스위치가 도통될 수 있다. 이에 따라, 시험전류조절부(80)에 포함된 제2 인덕터(LM2)는 스위치에 의해 전류가 바이패스되어 제2 인덕터(LM2)는 시험전류(itest)의 발생에 기여되지 않게 되므로, 시험전류조절부(80)에 의해 제1 시험부(70)에서 요구되는 대전류를 갖는 시험전류(itest)가 흐르도록 조절될 수 있다. Similarly, the switch of the test current adjusting
제1 시험부(70)의 체결, 부스바스위치(69)의 조작, 시험전류조절부(80)의 스위치 동작 그리고 충전원(51)의 가변저항기(RI)의 저항값 가변의 동작 순서는 변경되어도 무방하다. 예컨대, 충전원(51)의 가변저항기(RI)의 저항값이 먼저 가변된 후, 부스바스위치(69)의 조작, 시험전류조절부(80)의 스위치 동작 및 제1 시험부(70)의 체결의 순서로 진행될 수도 있고, 다른 동작 순서로 진행될 수도 있다. The operation sequence of the fastening of the
도 9에 도시한 바와 같이, 준비구간 동안 부스바스위치(69)가 제1 시험부(70)와 제1 전류원(60)이 접속되도록 도통되고, 시험전류조절부(80)의 스위치가 도통되어 제2 인덕터(LM2)를 바이패스되도록 할 수 있다. As shown in FIG. 9, during the preparation period, the
도 9에서, 하이 레벨은 해당 스위치가 도통됨을 의미하고, 로우 레벨은 해당 스위치가 개방됨을 의미할 수 있다. In FIG. 9, a high level may mean that the switch is conductive, and a low level may mean that the switch is open.
도 9에서는 시험전류조절부(80)의 스위치의 도통시점이 부스바스위치(69)의 도통시점보다 늦게 도시되고 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In FIG. 9, the conduction time of the switch of the test current adjusting
예컨대, 시험전류조절부(80)의 스위치의 도통시점이 부스바스위치(69)의 도통시점과 동일할 수도 있다.For example, the conduction time of the switch of the test current adjusting
2. 충전구간2. Charging section
도 7에 도시한 바와 같이, 충전원(51)에 의해 제1 시험부(70)가 충전될 수 있다. 제1 시험부(70)의 충전에 의해 제1 시험부(70)에 포함되는 전자장치들, 예컨대 게이트드라이버 등이 활성화될 수 있다. 이와 같이, 제1 시험부(70)에 포함되는 전자장치들이 활성화됨에 따라, 제1 시험부(70)의 성능시험할 준비가 완료될 수 있다. As shown in FIG. 7, the
활성화란 어떤 전자장치가 동작될 수 있도록 기동 또는 구동시키는 것을 의미할 수 있다. Activation may mean starting or driving a certain electronic device to be operated.
충전원(51)이 구동되도록 하기 위해, 제1 스위치(101), 제2 스위치(103) 및 제3 스위치(105)가 도통될 수 있다. 이에 따라, 모선(100)의 전력이 제1 변압기(111) 및 제2 변압기(113)를 경유하여 충전원(51)으로 공급될 수 있다. In order for the charging
충전원(51)은 이러한 모선(100)의 전력을 제1 시험부(70)로 공급하여 제1 시험부(70)가 충전되도록 할 수 있다. 즉, 모선(100)의 전력은 3상 교류전압을 가지며, 충전원(51)은 이러한 3상 교류전압을 직류전압으로 정류하여 해당 직류전압을 제1 시험부(70)로 공급할 수 있다. The charging
해당 직류전압은 제1 시험부(70)에서 제1 서브모듈(72)의 제1 스위칭부(72a)의 제1 다이오드(DLT), 커패시터(CSM) 및 제4 스위칭부(72d)의 제4 다이오드(DRB)를 경유한 후 제2 서브모듈(74)의 제1 스위칭부(72a)의 제1 다이오드(DLT), 커패시터(CSM) 및 제4 스위칭부(72d)의 제4 다이오드(DRB)를 경유하게 되고, 이때 직류전압이 제1 서브모듈(72)의 커패시터(CSM) 그리고 제2 서브모듈(74)의 커패시터(CSM) 각각에 충전될 수 있다. 따라서, 제1 서브모듈(72)의 커패시터에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 제1 서브모듈(72)에 포함되는 전자장치들이 활성화되고, 제2 서브모듈(74)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 제2 서브모듈(74)에 포함되는 전자장치들이 활성화될 수 있다.The DC voltage of the first diode D LT , the capacitor C SM , and the
제1 서브모듈(72)의 커패시터(CSM)의 용량과 제2 서브모듈(74)의 커패시터(CSM)의 용량이 동일하므로, 제1 서브모듈(72)의 커패시터에 충전된 충전전압(VSM)과 제2 서브모듈(74)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM) 또한 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. A first charging voltage charged in the capacitor of the sub-module 72, a capacitor (C SM) capacity and the second sub-module 74 have the same capacity of the capacitor (C SM), so the
충전원(51)으로부터 출력된 직류전압이 제1 시험부(70)로 공급되도록 개폐스위치(53)가 도통될 수 있다.The opening and closing
나중에 설명하겠지만, 제1 시험부(70)의 성능시험이 수행되는 동안에는 시험전류(itest)가 충전원(51)으로 유입되지 않도록 개폐스위치(53)가 개방될 수 있다.As will be described later, while the performance test of the
도 9에 도시한 바와 같이, 초기충전구간 동안 제1 스위치(101), 제2 스위치(103), 제3 스위치(105) 및 개폐스위치(53)가 도통될 수 있다. As shown in FIG. 9, the
도 9에서는 제1 스위치(101), 제2 스위치(103), 제3 스위치(105) 및 개폐스위치(53) 모두 동일한 시점에 도통되는 것으로 도시되고 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 제1 스위치(101), 제2 스위치(103), 제3 스위치(105) 및 개폐스위치(53)의 순서로 도통될 수 있다.In FIG. 9, all of the
3. 시험수행구간3. Test Performance Section
도 8에 도시한 바와 같이, 제1 전류원(60)에 의해 제1 시험부(70)의 성능시험이 수행될 수 있다.As shown in FIG. 8, the performance test of the
먼저, 도 9에 도시한 바와 같이, 제1 시험부(70)의 충전이 완료되는 경우, 제3 스위치(105)가 개방되어 더 이상 모선(100)의 전력이 충전원(51)으로 공급되지 않는다. First, as shown in FIG. 9, when the charging of the
개폐스위치(53)가 개방되어 충전원(51)으로부터 직류전압이 제1 시험부(70)로 공급되지 않는다. 또한, 개폐스위치(53)가 개방되는 경우 제1 시험부(70)의 성능시험시에 제1 전류원(60)과 제1 시험부(70)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)가 충전원(51)으로 유입되지 않는다.The open /
한편, 제1 스위치(101) 및 제2 스위치(103)는 그대로 도통된 상태로 유지되어 모선(100)의 전력이 제1 전류원(60)으로 공급되도록 한다.On the other hand, the
제4 스위치(107)가 도통됨으로써, 제1 및 제2 변압기(111, 113)를 경유한 모선(100)의 전력이 제1 전류원(60)으로 공급될 수 있다.As the
제1 전류원(60)는 모선(100)의 전력의 3상 교류전압을 직류전압으로 정류하고 해당 직류전압에 포함되는 리플을 제거할 수 있다. The first
이에 따라, 제1 전류원(60)에서 생성된 직류전압과 제1 시험부(70)에 충전된 충전전압(VSM)을 이용하여 기 설정된 전류패턴에 따른 시험전류(itest)가 제1 전류원(60)과 제1 시험부(70)로 구성되는 합성시험회로에 흐르도록 제어될 수 있다. Accordingly, the test current (i test ) according to the preset current pattern is generated by using the DC voltage generated by the first
상술한 바와 같이, 전류원에서 생성된 직류전압은 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 비해 상대적으로 매우 작아, 거의 무시될 수 있다. 따라서, 제1 시험부(70)의 성능시험은 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 수행될 수 있다. As described above, the DC voltage generated in the current source is relatively small compared to the charging voltage V SM charged in the capacitor C SM of the
따라서, 시험전류(itest)는 주로 제1 시험부(70)의 커패시터(CSM)에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 발생될 수 있다. Therefore, the test current i test may be mainly generated by the charging voltage V SM charged in the capacitor C SM of the
시험전류(itest) 발생을 위한 제어는 제1 시험부(70)의 제1 및 제2 서브모듈(72, 74) 각각의 스위칭부(72a, 72b, 72c, 72d)의 스위칭을 통해 수행될 수 있다. 즉, 기 설정된 전류패턴에 따라 제1 시험부(70)의 제1 및 제2 서브모듈(72, 74) 각각의 스위칭부(72a, 72b, 72c, 72d)의 스위칭 제어됨으로써, 제1 전류원(60)과 제1 시험부(70)로 구성되는 합성시험회로에 시험전류(itest)가 흐르도록 할 수 있다. The control for generating a test current (i test ) may be performed by switching the switching
제1 및 제2 서브모듈(72, 74) 각각은 풀브릿지타입을 가질 수 있다.Each of the first and second submodules 72 and 74 may have a full bridge type.
이러한 시험전류(itest)가 시험수행구간 동안 지속적으로 흐르게 됨으로써, 제1 시험부(70)의 제1 및 제2 서브모듈(72, 74)의 각 스위칭부(72a, 72b, 72c, 72d)나 다수의 전자장치들의 성능시험이 수행될 수 있다. This test current (i test ) is continuously flowing during the test execution period, thereby switching each of the switching unit (72a, 72b, 72c, 72d) of the first and
예컨대, 시험수행구간은 30분 이상일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the test run interval may be 30 minutes or more, but is not limited thereto.
제1 시험부(70)의 성능시험은 국내출원번호 제10-2016-0150254호로부터 용이하게 이해될 수 있으므로, 더 이상의 설명은 생략한다.Since the performance test of the
도시되지 않았지만, 측정장비가 합성시험회로에 접속되어, 제1 시험부(70)의 성능시험결과가 검출 및 모니터링될 수 있다.Although not shown, the measurement equipment is connected to the synthesis test circuit, the performance test results of the
제1 시험부(70)의 성능시험이 완료되는 경우, 제1 스위치(101), 제2 스위치(103) 및 제4 스위치(107)가 개방되어, 모선(100)의 전력이 더 이상 제1 전류원(60)을 공급되지 않는다.When the performance test of the
또한, 시험전류조절부(80)의 스위치가 개방될 수 있다.In addition, the switch of the test current adjusting
제1 전류원(60)과 제1 시험부(70)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)가 0이 되도록 제1 시험부(70)에 충전된 충전전압(VSM)이 방전된 후, 제1 시험부(70)가 체결부(T1, T2)로부터 체결 해제될 수 있다. The charging voltage V SM charged in the
제1 전류원(60)과 제1 시험부(70)가 접속되도록 도통 상태를 유지하고 있는 부스바스위치(69)는 합성시험회로가 완전 방전된 후 개방될 수 있다. The
<제2 시험부(90)의 성능시험><Performance test of the
제1 시험부(70)의 성능시험과 비슷하게, 제2 시험부(90)의 성능시험은 제2 시험부(90)를 성능시험하기 위해 준비하는 과정(이하, 준비구간이라 함), 제2 시험부(90)를 충전(또는 활성화)시키는 과정(이하, 충전구간이라 함) 및 충전된 제2 시험부(90)의 성능시험을 수행하는 과정(이하, 시험수행구간이라 함)으로 구분될 수 있다.Similar to the performance test of the
1. 준비구간1. Preparation Section
먼저, 도 10에 도시한 바와 같이, 체결부(T1, T2)에 성능시험할 제2 시험부(90)가 체결될 수 있다. First, as shown in FIG. 10, the
또한, 제2 시험부(90)는 제2 전류원(55)에 의해 성능시험이 수행되므로, 부스바스위치(69)가 스위칭되어 제2 전류원(55)이 시험전류조절부(80)를 경유하여 제2 시험부(90)에 접속될 수 있다. In addition, since the
또한, 제2 시험부(90)에서 요구되는 시험전류(itest)가 발생되도록 충전원(51)의 가변저항기(RI)의 저항값이 가변될 수 있다.In addition, the resistance value of the variable resistor R I of the charging
예컨대, 제2 시험부(90)는 저전류가 요구되므로, 해당 저전류값의 발생을 위한 저항값으로 가변될 수 있다. 즉, 가변저항기(RI)의 저항값이 커질수록 제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)가 작아지게 되므로, 해당 저항값은 커지도록 가변될 수 있다. For example, since the
마찬가지로, 제2 시험부(90)에서 요구되는 저전류를 갖는 시험전류(itest)가 발생되도록 시험전류조절부(80)의 스위치가 개방 상태로 유지될 수 있다. 이에 따라, 시험전류조절부(80)에 포함된 제1 인덕터(LM1)뿐만 아니라 제2 인덕터(LM2)도 시험전류(itest)의 발생에 기여되므로, 제1 및 제2 인덕터(LM1, LM2)의 합산 인덕턴스만큼 전류값이 낮아져 시험전류조절부(80)에 의해 제1 시험부(70)에서 요구되는 저전류를 갖는 시험전류(itest)가 흐르도록 조절될 수 있다. Similarly, the switch of the test current adjusting
제2 시험부(90)의 체결, 부스바스위치(69)의 조작, 시험전류조절부(80)의 스위치 동작 그리고 충전원(51)의 가변저항기(RI)의 저항값 가변의 동작 순서는 변경되어도 무방하다. 예컨대, 충전원(51)의 가변저항기(RI)의 저항값이 먼저 가변된 후, 부스바스위치(69)의 조작, 시험전류조절부(80)의 스위치 동작 및 제2 시험부(90)의 체결의 순서로 진행될 수도 있고, 다른 동작 순서로 진행될 수도 있다. The operation sequence of the fastening of the
도 13에 도시한 바와 같이, 준비구간 동안 부스바스위치(69)가 제2 시험부(90)와 제2 전류원(55)이 접속되도록 도통될 수 있다. As shown in FIG. 13, the
도 13에서, 하이 레벨은 해당 스위치가 도통됨을 의미하고, 로우 레벨은 해당 스위치가 개방됨을 의미할 수 있다. In FIG. 13, a high level may mean that the corresponding switch is turned on, and a low level may mean that the corresponding switch is open.
2. 충전구간2. Charging section
도 11에 도시한 바와 같이, 충전원(51)에 의해 제2 시험부(90)가 충전될 수 있다. As illustrated in FIG. 11, the
제2 시험부(90)의 충전과정은 앞서 설명한 제1 시험부(70)의 충전과정이 비슷하다. 따라서, 설명의 편의를 위해 제1 시험부(70)의 충전과정과 중복되는 부분은 생략한다.The charging process of the
제2 시험부(90)의 충전에 의해 제2 시험부(90)에 포함되는 전자장치들, 예컨대 게이트드라이버 등이 활성화될 수 있다. 이와 같이, 제2 시험부(90)에 포함되는 전자장치들이 활성화됨에 따라, 제2 시험부(90)의 성능시험할 최종 준비가 완료될 수 있다. By the charging of the
충전원(51)이 구동되도록 하기 위해, 제1 스위치(101), 제2 스위치(103) 및 제3 스위치(105)가 도통될 수 있다. 이에 따라, 모선(100)의 전력이 제1 변압기(103) 및 제2 변압기(105)를 경유하여 충전원(51)으로 공급될 수 있다. In order for the charging
충전원(51)은 이러한 모선(100)의 전력을 제2 시험부(90)로 공급하여 제2 시험부(90)가 충전되도록 할 수 있다. The charging
충전원(51)으로부터 출력된 직류전압이 제2 시험부(90)로 공급되도록 개폐스위치(53)가 도통될 수 있다.The opening and closing
도 13에 도시한 바와 같이, 초기충전구간 동안 제1 스위치(101), 제2 스위치(103), 제3 스위치(105) 및 개폐스위치(53)가 도통될 수 있다. As shown in FIG. 13, the
3. 시험수행구간3. Test Performance Section
도 12에 도시한 바와 같이, 제2 전류원(55)에 의해 제2 시험부(90)의 성능시험이 수행될 수 있다.As shown in FIG. 12, the performance test of the
먼저, 도 12에 도시한 바와 같이, 제2 시험부(90)의 충전이 완료되는 경우, 제3 스위치(105)가 개방되어 더 이상 모선(100)의 전력이 충전원(51)으로 공급되지 않는다. First, as shown in FIG. 12, when the charging of the
개폐스위치(53)가 개방되어 충전원(51)으로부터 직류전압이 제2 시험부(90)로 공급되지 않는다. 또한, 개폐스위치(53)가 개방되어 제2 시험부(90)의 성능시험시에 제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)가 충전원(51)으로 유입되지 않는다.The on / off
한편, 제1 스위치(101) 및 제5 스위치(109)는 그대로 도통된 상태로 유지되어 모선(100)의 전력이 제2 전류원(55)으로 공급되도록 한다.On the other hand, the
제5 스위치(109)가 도통됨으로써, 제1 변압기(111)를 경유한 모선(100)의 전력이 제2 전류원(55)으로 공급될 수 있다.As the
제2 전류원(55)은 모선(100)의 전력의 3상 교류전압을 직류전압으로 정류하고 해당 직류전압에 포함되는 리플을 제거할 수 있다. The second
이에 따라, 제2 전류원(55)에서 생성된 직류전압과 제2 시험부(90)에 충전된 충전전압(VSM)을 이용하여 기 설정된 전류패턴에 따른 시험전류(itest)가 제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)로 구성되는 합성시험회로에 흐르도록 제어될 수 있다. Accordingly, the test current i test according to a preset current pattern is generated by using the DC voltage generated by the second
제2 전류원(55)에서 생성된 직류전압은 제2 시험부(90)에 충전된 충전전압(VSM)에 비해 거의 무시할 정도로 작으므로, 시험전류(itest)는 주로 제2 시험부(90)에 충전된 충전전압(VSM)에 의해 발생될 수 있다. Since the DC voltage generated by the second
시험전류(itest) 발생을 위한 제어는 제2 시험부(90)의 제1 및 제2 서브모듈(92, 94) 각각의 스위칭부(92a, 92b)의 스위칭을 통해 수행될 수 있다. 즉, 기 설정된 전류패턴에 따라 제2 시험부(90)의 제1 및 제2 서브모듈(92, 94) 각각의 스위칭부(92a, 92b)의 스위칭됨으로써, 제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)로 구성되는 합성시험회로에 도 14에 도시한 바와 같은 시험전류(itest)가 흐르도록 할 수 있다. Control for generating a test current (i test ) may be performed by switching the switching
제1 및 제2 서브모듈(92, 94) 각각은 하프브릿지타입을 가질 수 있다.Each of the first and second submodules 92 and 94 may have a half bridge type.
이러한 시험전류(itest)가 시험수행구간 동안 지속적으로 흐르게 됨으로써, 제2 시험부(90)의 제1 및 제2 서브모듈(92, 94)의 각 스위칭부(92a, 92b)나 다수의 전자장치들의 성능시험이 수행될 수 있다. This test current (i test ) is continuously flowing during the test execution period, so that each of the switching unit (92a, 92b) of the first and
한편, 전류흐름제어부(58)의 스위치가 도 14에 도시된 전류패턴의 특정 구간, 예컨대 t0 내지 t1 구간이나 t3 내지 t4 구간 등에서 개방되어, 제2 시험부(90)의 각 서브모듈(92, 94)의 커패시터(CSM)의 충전전압(VSM)에 의해 각 스위칭부(92a, 92b)의 스위치가 견디는 성능시험이 수행될 수 있다. On the other hand, the switch of the current
예컨대, 시험수행구간은 30분 이상일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. For example, the test run interval may be 30 minutes or more, but is not limited thereto.
도시되지 않았지만, 측정장비가 합성시험회로에 접속되어, 제2 시험부(90)의 성능시험결과가 검출 및 모니터링될 수 있다.Although not shown, the measurement equipment is connected to the synthesis test circuit, the performance test results of the
제2 시험부(90)의 성능시험이 완료되는 경우, 제1 스위치(101) 및 제5 스위치(109)가 개방되어, 모선(100)의 전력이 더 이상 제2 전류원(55)을 공급되지 않는다.When the performance test of the
제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)에 의해 구성되는 합성시험회로에 흐르는 시험전류(itest)가 0이 되도록 제2 시험부에 충전된 충전전압(VSM)이 방전된 후, 제2 시험부(90)가 체결부(T1, T2)로부터 체결 해제될 수 있다. After the charging voltage V SM charged in the second test unit is discharged so that the test current i test flowing through the composite test circuit constituted by the second
제2 전류원(55)과 제2 시험부(90)가 접속되도록 도통 상태를 유지하고 있는 부스바스위치(69)는 합성시험회로가 완전 방전된 후 개방될 수 있다. The
실시예는 하나의 충전부(51)을 이용하여 제1 시험부(70)뿐만 아니라 제2 시험부(90)도 충전시킬 수 있어, 합성시험회로의 구조를 단순화하여 비용을 절감할 수 있다. According to the embodiment, one charging
실시예는 단일 합성시험회로를 이용하여 제1 시험부(70)뿐만 아니라 제2 시험부(90)도 테스트할 수 있어, 합성시험회로를 구매하는 구매자의 구매 욕구를 증진시킬 수 있다. The embodiment can test not only the
실시예는 합성시험회로의 회로 구조를 간략화하여 불필요한 회로소자를 제거하여 줌으로써, 합성시험회로의 제품 사이즈를 줄여줄 수 있다.The embodiment simplifies the circuit structure of the synthesis test circuit to remove unnecessary circuit elements, thereby reducing the product size of the synthesis test circuit.
도 15는 제2 실시예에 따른 합성시험회로를 도시한다.15 shows a synthesis test circuit according to the second embodiment.
제2 실시예는 단락전류의 시험을 위해 필요한 구성 요소, 즉 단락전류공급원(110), 제2 및 제3 부스바스위치(63, 65) 및 단락전류검출부(81)를 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다.The second embodiment is the first embodiment except for the components necessary for the test of the short-circuit current, that is, the short-circuit
제2 실시예에의 설명에서 제1 실시예와 동일한 구성 요소에 대한 설명은 생략하고, 이에 대한 설명은 제1 실시예에서 용이하게 이해될 수 있다. In the description of the second embodiment, the description of the same components as in the first embodiment will be omitted, and the description thereof can be easily understood in the first embodiment.
도 15를 참조하면, 제2 실시예에 따른 합성시험회로에서, 피시험체는 충전원(51), 제1 전류원(60), 제2 전류원(55), 시험전류조절부(80), 단락전류공급원(110), 단락전류검출부(81) 및 다수의 스위치를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, in the synthesis test circuit according to the second embodiment, the test object includes a charging
피시험체의 끝단에 체결부(T1, T2)가 구비될 수 있다. 따라서, 체결부(T1, T2)에 시험체가 체결된 후, 피시험체에 의해 시험체의 성능시험이 수행될 수 있다. Fastening parts T1 and T2 may be provided at ends of the test object. Therefore, after the test piece is fastened to the fastening portions T1 and T2, the test object can be tested by the test object.
단락전류공급원(110)의 일측은 제5 스위치에 접속되고 단락전류공급원(110)의 타측은 충전원의 후단에 접속될 수 있다. 다른 예로서, 도시되지 않았지만, 단락전류공급원(110)의 일측은 제5 스위치에 접속되고 단락전류공급원(110)의 타측은 시험전류조절부의 후단에 접속될 수 있다. One side of the short-circuit
단락전류공급원(110)은 단락시험을 위한 단락전류를 생성하기 위한 소스이다. 단락전류공급원(110)은 제6 스위치(115), 제3 변압기(117) 및 마그네틱스위치(119)를 포함할 수 있다. 제6 스위치(115) 및 제3 변압기(117)는 단락전류공급원(110)에 포함되지 않을 수도 있다. 즉, 단락전류공급원(110)은 마그네틱스위치(119)만을 포함할 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 마그네틱스위치(119)는 포괄적으로 스위치로 지칭될 수도 있다. 마그네틱스위치(119) 이외의 다른 종류의 스위치가 사용될 수도 있다. The short circuit
제6 스위치(115)는 제5 스위치에 접속되어, 모선(100)의 전력이 단락전류공급원(110)으로 공급되도록 한다. 제3 변압기(117)는 제6 스위치(115)에 접속되어, 단락전류공급원(110)에서 단락시험을 위한 전류를 생성하도록 모선의 전력을 변환하여 준다. 예컨대, 제1 변압기(111)에 의해 모선(100)의 전력의 전압이 강하된 제1 전압을 갖는 전력이 출력될 수 있다. 제3 변압기(117)에 의해 제1 전압이 변환된 제3 전압이 출력될 수 있다. The
마그네틱스위치(119)는 내부에 코일을 감아서 코일에 흐르는 전류가 흐르면 자성을 띄는 전자석의 원리를 이용한 전자접촉기일 수 있다. The
마그네틱스위치(119)는 제3 변압기(117)에 접속되어, 시험체의 시험부(70, 90)로의 단락전류의 공급을 스위칭할 수 있다. 마그네틱스위치(119)가 도통되는 경우, 단락전류가 시험부(70, 90)로 공급될 수 있다.The
도시되지 않았지만, 단락전류가 급격하게 시험부70, 90)로 공급되는 것을 방지하기 위해, 단락전류공급원(110)에 인덕터가 구비될 수 있다. Although not shown, an inductor may be provided in the short circuit
또는, 잔락전류조절부(81)의 인덕터(LI)에 의해 단락전류의 급격한 공급이 방지될 수 있다.Alternatively, abrupt supply of short-circuit current may be prevented by the inductor L I of the residual
제2 실시예에 따른 합성시험회로는 제1 부스바스위치(69), 제2 부스바스위치(63) 및 제3 부스바스위치(65)를 제공할 수 있다. The synthesis test circuit according to the second embodiment may provide the
제1 부스바스위치(69)는 시험전류조절부가 제1 전류원(60) 또는 제2 전류원(55)으로 선택적으로 접속되도록 제어할 수 있다. 제1 부스바스위치(69)의 스위칭에 의해 시험전류조절부가 제1 전류원에 접속되거나 제2 전류원에 접속될 수 있다. The
제2 부스바스위치(63)는 시험전류조절부, 충전원 또는 단락전류공급원(110)이 시험체의 일측 또는 단락전류검출부(81)의 일측으로 선택적으로 접속되도록 제어할 수 있다. 제2 부스바스위치(63)의 스위칭에 의해 시험전류조절부가 시험체의 일측에 접속되거나 단락전류검출부(81)의 일측에 접속될 수 있다. The
제3 부스바스위치(65)는 단락전류검출부(81)의 타측이 시험체의 타측으로 접속되도록 제어할 수 있다. 제3 부스바스위치(65)의 스위칭에 의해 단락전류검출부(81)의 타측이 시험체의 타측에 접속되거나 접속해제될 수 있다. The
제2 실시예에 따른 합성시험회로는 단락전류검출부(81)를 제공할 수 있다. 단락전류검출부(81)는 제2 부스바스위치(63)와 제3 부스바스위치(65) 사이에 접속될 수 있다. The synthesis test circuit according to the second embodiment may provide a short circuit
단락전류검출부(81)는 인덕터(LI), 정방향스위치(121) 및 역방향스위치(123)을 포함할 수 있다. 인덕터(LI)는 단락사고 발생시 전선이나 부스바스위치에 존재하는 기생(stray) 인덕턴스를 모의하기 위해 사용될 수 있다. The short circuit
정방향스위치(121)와 역방향스위치(123)은 단락전류의 흐름을 제어할 수 있다. 정방향스위치(121)에 의해 정방향의 단락전류가 시험체로 공급되고, 역방향스위치(123)에 의해 역방향의 단락전류가 시험체로 공급될 수 있다. The
제2 실시예에 따른 합성시험회로에 의해 2가지의 단락시험이 수행될 수 있다.Two short-circuit tests can be performed by the synthesis test circuit according to the second embodiment.
예컨대, 시험체의 시험부(70, 90) 내의 각 서브모듈(72, 74, 982, 94)의 단락시험이 수행될 수 있다(도 16 및 도 17 참조).For example, a short circuit test of each submodule 72, 74, 982, 94 in the
예컨대, 시험체의 시험부(70, 90) 자체의 단락시험이 수행될 수 있다(도 18 및 도 19).For example, a short circuit test of the
도 16 및 도 17은 제2 실시예에 따른 합성시험회로에서 일 예로서의 단락전류를 시험하는 모습을 도시한다.16 and 17 show an example of testing a short-circuit current in the synthesis test circuit according to the second embodiment.
도 16에 도시한 바와 같이, 먼저 충전원(51)을 이용하여 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 충전될 수 있다. 이를 위해, 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치 및 개폐스위치가 도통될 수 있다. 아울러, 충전원이 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)의 일측과 접속되도록, 제2 부스바스위치(63)가 도통될 수 있다. 이에 따라, 충전원의 전력이 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)로 제공되어, 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 충전될 수 있다. 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90)에 충전된 전력에 의해 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 활성화될 수 있다. As illustrated in FIG. 16, first, the
도 17에 도시한 바와 같이, 초기 충전이 완료되는 경우, 단락전류 시험이 수행될 수 있다. 이를 위해, 제5 스위치, 단락전류공급원(110)의 제6 스위치(115) 및 마그네틱스위치(119)가 도통될 수 있다. 이에 따라, 단락전류공급원(110)의 단락전류가 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90)로 유입될 수 있다. 이와 같이 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90)로 유입된 단락전류에 의해 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90) 내의 스위치(SLT, SLB, SRT, SRB)의 파손 여부를 통해 단락시험이 수행될 수 있다. As shown in FIG. 17, when the initial charging is completed, a short circuit current test may be performed. To this end, the fifth switch, the
도 18 및 도 19는 제2 실시예에 따른 합성시험회로에서 다른 예로서의 단락전류를 시험하는 모습을 도시한다.18 and 19 show a state in which a short circuit current is tested as another example in the synthesis test circuit according to the second embodiment.
도 18에 도시한 바와 같이, 먼저 충전원(51)을 이용하여 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 충전될 수 있다. 이를 위해, 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치 및 개폐스위치가 도통될 수 있다. 아울러, 충전원이 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)의 일측과 접속되도록, 제2 부스바스위치(63)가 도통될 수 있다. 이에 따라, 충전원의 전력이 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)로 제공되어, 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 충전될 수 있다. 제1 시험부(70) 및 제2 시험부(90)에 충전된 전력에 의해 제1 시험부(70) 또는 제2 시험부(90)가 활성화될 수 있다. As shown in FIG. 18, first, the
도 19에 도시한 바와 같이, 초기 충전이 완료되는 경우, 단락전류 시험이 수행될 수 있다. 이를 위해, 충전원이 시험부(70, 90)의 일측과 단락전류검출부(81)의 일측에 동시에 접속되도록 제2 부스바스위치(63)가 도통되고, 단락전류검출부(81)의 타측이 시험부(70, 90)의 타측과 접속되도록 제3 부스바스위치(65)가 도통될 수 있다. 이에 따라, 시험부(70, 90)의의 각 서브모듈(72 및 74, 92 및 94) 사이가 단락될 수 있다. 이러한 경우, 충전원의 전력이 제2 부스바스위치(63)를 통해 시험부(70, 90)의 일측으로 공급되는 동시에, 제2 부스바스위치(63) 및 단락전류검출부(81)를 경유하여 시험부(70, 90)의 타측으로 공급될 수 있다. As shown in FIG. 19, when the initial charging is completed, a short circuit current test may be performed. To this end, the
만일 시험부(70, 90)에 단락사고가 발생되는 경우, 사고 전류의 경로는 인덕터(LI)를 통과하지 못하고, 전선이나 부스바스위치(63, 65)의 기생 인덕턴스만이 존재하기 때문에, 각 서브모듈(72 및 74, 92 및 94)에 큰 전류가 흐른다. 이와 같이 흐르는 큰 전류가 인덕터(LI)에 의해 검출될 수 있다. 따라서, 상술한 바와 같이, 인덕터(LI)는 단락사고 발생시 전선이나 부스바스위치(63, 65)에 존재하는 기생(stray) 인덕턴스를 모의하기 위해 사용될 수 있다. If a short circuit occurs in the
상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as limiting in all respects but should be considered as illustrative. The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.
51: 충전원
55, 60: 전류원
52, 56, 62: 정류부
53: 개폐스위치
58: 전류흐름제어부
57, 64: 리플제거부
66: 손실보상부
67, 76, 96: 입력단자
68: 출력단자
63, 65, 69: 부스바스위치
70, 90: 시험부
72, 74, 92, 94: 서브모듈
80: 시험전류조절부
81: 단락전류검출부
82: 바이패스스위치
100: 모선
101, 103, 105, 107, 109, 115: 스위치
110: 단락전류공급원
111, 113, 117: 변압기
119: 마그네틱스위치
CSM: 커패시터
D1 내지 D4, DT, DB, DLT, DLB, DRT, DRB: 다이오드
itest: 시험전류
LM1, LM2: 인덕터
LI: 인덕터
S1 내지 S4, ST, SB, SLT, SLB, SRT, SRB: 스위치
T1, T2: 체결부51: charging source
55, 60: current source
52, 56, 62: rectifier
53: opening and closing switch
58: current flow control unit
57, 64: ripple removing section
66: loss compensation
67, 76, 96: Input terminal
68: output terminal
63, 65, 69: busbar switch
70, 90: test part
72, 74, 92, 94: submodule
80: test current controller
81: short-circuit current detector
82: bypass switch
100: Mothership
101, 103, 105, 107, 109, 115: switch
110: short circuit current source
111, 113, 117: transformer
119 magnetic switch
C SM : Capacitor
D1 to D4, D T , D B , D LT , D LB , D RT , D RB : Diode
i test : Test current
LM1, LM2: Inductors
L I : Inductor
S1 to S4, S T , S B , S LT , S LB , S RT , S RB : Switch
T1, T2: Fastening
Claims (10)
상기 제1 시험부 또는 상기 제2 시험부가 활성화되도록 상기 제1 시험부 또는 상기 제2 시험부를 충전시키는 충전원;
상기 활성화된 제1 시험부를 테스트하기 위한 전원을 공급하여 주는 제1 전류원;
상기 활성화된 제2 시험부를 테스트하기 위한 전원을 공급하여 주는 제2 전류원; 및
상기 제1 시험부 또는 상기 제2 시험부의 단락시험을 위한 단락전류를 공급하여 주는 단락전류공급원을 포함하는 합성시험회로.In the synthesis test circuit for testing the first test unit and the second test unit including different types of submodules,
A charging source for charging the first test part or the second test part to activate the first test part or the second test part;
A first current source for supplying power for testing the activated first test unit;
A second current source supplying power for testing the activated second test unit; And
And a short circuit current supply source for supplying a short circuit current for a short circuit test of the first test section or the second test section.
모선으로부터의 전력이 상기 충전원, 상기 제1 전류원, 상기 제2 전류원 및 상기 단락전류공급원에 선택적으로 공급되도록 스위칭하는 적어도 하나 이상의 스위치를 더 포함하는 합성시험회로.The method of claim 1,
And at least one switch for switching power from the bus bar to be selectively supplied to the charging source, the first current source, the second current source, and the short circuit current supply source.
상기 적어도 하나 이상의 스위치는,
상기 모선에 접속되는 제1 스위치;
상기 제1 스위치에 접속되어 상기 모선으로부터의 전력이 상기 충전원 또는 상기 제1 전류원으로 공급되도록 스위칭하는 제2 스위치;
상기 제2 스위치에 접속되어 상기 전력이 상기 충전원으로 공급되도록 스위칭하는 제3 스위치;
상기 제2 스위치에 접속되어 상기 전력이 상기 제1 전류원으로 공급되도록 스위칭하는 제4 스위치; 및
상기 제1 스위치에 접속되어 상기 전력이 상기 제2 전류원으로 공급되도록 스위칭하는 제5 스위치를 포함하는 합성시험회로.The method of claim 2,
The at least one switch,
A first switch connected to the bus bar;
A second switch connected to the first switch to switch power from the bus to be supplied to the charging source or the first current source;
A third switch connected to the second switch to switch the power to be supplied to the charging source;
A fourth switch connected to the second switch to switch the power to be supplied to the first current source; And
And a fifth switch connected to the first switch to switch the electric power to be supplied to the second current source.
상기 제1 시험부 또는 제2 시험부가 체결되는 체결부; 및
상기 체결부에 체결되는 시험부의 테스트를 위해 상기 제1 전류원 또는 상기 제2 전류원 중 하나가 상기 체결부에 접속되도록 스위칭하는 제1 부스바스위치를 더 포함하는 합성시험회로.The method of claim 3,
A fastening part to which the first test part or the second test part is fastened; And
And a first busbar switch for switching one of the first current source and the second current source to be connected to the fastening part for testing a test part which is fastened to the fastening part.
상기 단락시험시 단락전류를 검출하는 단락전류검출부를 더 포함하는 합성시험회로.The method of claim 4, wherein
And a short circuit current detector for detecting a short circuit current during the short circuit test.
상기 충전원 또는 상기 단락전류공급원이 상기 제1 시험부의 일측에 접속되거나 상기 단락전류검출부의 일측과 상기 제1 시험부의 일측에 동시에 접속되도록 스위칭하는 제2 부스바스위치; 및
상기 단락전류검출부의 타측이 상기 제1 시험부의 타측과 접속되도록 스위칭하는 제3 부스바스위치를 더 포함하는 합성시험회로. The method of claim 5,
A second busbar switch for switching the charging source or the short-circuit current supply source to be connected to one side of the first test part or to be connected to one side of the short-circuit current detection part and one side of the first test part simultaneously; And
And a third bus bar switch configured to switch the other side of the short circuit current detection unit to be connected to the other side of the first test unit.
상기 충전시 상기 충전원이 상기 제1 시험부의 일측에 접속되도록 상기 제2 부스바스위치가 도통되는 합성시험회로.The method of claim 6,
And the second busbar switch is turned on so that the charging source is connected to one side of the first test unit during the charging.
상기 단락시험시 상기 충전원 또는 상기 단락전류공급원이 상기 단락전류검출부의 일측과 상기 제1 시험부의 일측에 동시에 접속되도록 제2 부스바스위치가 도통되는 합성시험회로.The method of claim 6,
And a second busbar switch conducting such that the charging source or the short circuit current supply source is simultaneously connected to one side of the short circuit current detection unit and one side of the first test unit during the short circuit test.
상기 단락전류검출부는,
단락사고시 상기 제2 및 제3 부스바스위치의 기생 인덕턴스를 모의하기 위한 인덕터를 포함하는 합성시험회로.The method of claim 6,
The short circuit current detection unit,
Synthesis test circuit including an inductor for simulating the parasitic inductance of the second and third busbar switch in the event of a short circuit.
상기 단락전류공급원은,
상기 제5 스위치에 접속되어 상기 전력이 상기 단락전류공급원으로 공급되도록 스위칭하는 제6 스위치; 및
상기 제6 스위치에 접속되어 상기 제1 시험부 또는 상기 제2 시험부로의 단락전류의 공급을 스위칭하는 마그네틱스위치를 포함하는 합성시험회로.
The method of claim 3,
The short circuit current supply source,
A sixth switch connected to the fifth switch to switch the power to be supplied to the short-circuit current supply source; And
And a magnetic switch connected to said sixth switch for switching a supply of short-circuit current to said first test section or said second test section.
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---|---|---|---|
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