KR20190110883A - Pipeline module for storaging ultra high purity gas and method of manufactruing the same - Google Patents

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임홍우
형재필
채희봉
홍의영
차동엽
최영하
이영주
정의효
서원태
박무원
이민혁
정의민
김준성
전현수
장인혁
이성재
김동일
김수경
송정성
이욱재
최성균
고민지
임성용
김정호
최윤석
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Abstract

Disclosed are a pipeline module for storing gas with an ultrahigh purity and a method of manufacturing the same, which are designed to be able to store liquefied gas (7N), which is stored in an ultra-large first gas storage tank, as gas with an ultrahigh purity (6N) in a gaseous status in a small-to-medium-sized second gas storage tank. According to the present invention, the pipeline module for storing gas with an ultrahigh purity aims to transfer the liquefied gas stored in the first gas storage tank into the second gas storage tank, which has an accommodation space smaller than that of the first gas storage tank, keeping the ultrahigh purity having a concentration of 99.9999% or higher in the gaseous status. The pipeline module comprises: one or more pipelines, whose one end is connected to the first gas storage tank, and whose other end is connected to the second gas storage tank; one or more valves installed in the pipeline to control a supply volume of the gas passing through the pipelines; fastening members which connect the pipelines and connect the pipelines to the valves; and graphene-coated layers formed on one or more surfaces of the pipelines, valves, and fastening members.

Description

초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 및 그 제조 방법{PIPELINE MODULE FOR STORAGING ULTRA HIGH PURITY GAS AND METHOD OF MANUFACTRUING THE SAME}PIPELINE MODULE FOR STORAGING ULTRA HIGH PURITY GAS AND METHOD OF MANUFACTRUING THE SAME

본 발명은 파이프라인 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초대형의 제1 가스 저장 탱크에 저장된 액화된 가스(7N)를 중소형의 제2 가스 저장 탱크에 기체 상태의 초고순도 가스(6N)를 저장하는 것이 가능하도록 설계된 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pipeline module and a method for manufacturing the same. More specifically, the liquefied gas (7N) stored in the first large gas storage tank of the ultra-high purity gas (6N) in the gaseous state to the second small and medium gas storage tank The present invention relates to a pipeline module for ultra-high purity gas storage designed to be able to store a) and a method of manufacturing the same.

반도체, LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등의 시장이 성장하면서 기술이 더욱 집약적으로 고집적화되면서, 위 공정에서 사용하는 초고순도(ultra high purity) 액화 가스의 사용량도 대량으로 증가하고 있는 추세이다. 이 밖에, 광섬유, 선박, 의료, 비철금속, 철강, 용접, 우주항공 등 다양한 분야에서도 초고순도 액화 가스에 대한 수요가 증가하고 있다.As the market for semiconductors, liquid crystal displays (LCDs), and organic light emitting diodes (OLEDs) grows, the technology becomes more intensively integrated, and the amount of ultra high purity liquefied gas used in the above process also increases in large quantities. The trend is. In addition, the demand for ultra-pure liquefied gas is increasing in various fields such as optical fiber, marine, medical, nonferrous metal, steel, welding, and aerospace.

최근, 반도체, LCD, OLED 등의 분야에서 미세회로 설계를 위해 배선의 미세패턴 간격이 마이크로 단위에서 나노 단위로 급격히 감소하고 있기 때문에 미세패턴을 구현하기 위해 초고순도 가스를 안정적으로 저장 및 이송하는 것이 필요해졌다.Recently, in the fields of semiconductors, LCDs, OLEDs, and the like, the micropattern spacing of wires is rapidly decreasing from micro to nano units for the design of microcircuits, so that ultra-pure gas is stably stored and transported to realize micropatterns. It was necessary.

그러나, 초대형 가스 저장 탱크에서 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 액화 가스를 중소형 가스 저장 탱크로 이송시켜 저장하게 되면, 외부의 산소, 질소, 아르곤 등의 다른 가스가 혼합되어 가스의 순도가 낮아지는데 기인하여 산업에서 요구하는 99.9999%(6N) 이상의 초고순도 가스를 공급하는데 어려움이 있었다.However, when a liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) is transferred to a small and medium gas storage tank and stored in an ultra-large gas storage tank, other gases such as oxygen, nitrogen, and argon may be mixed to lower the purity of the gas. Due to this, there was a difficulty in supplying ultra high purity gas of more than 99.9999% (6N) required by the industry.

관련 선행 문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2015-0036704호(2015.04.07. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 반응기 시스템 및 이를 사용한 다결정 실리콘 제조 방법이 기재되어 있다.Related prior arts are Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2015-0036704 (published on April 7, 2015), which discloses a reactor system and a method for producing polycrystalline silicon using the same.

본 발명의 목적은 초대형의 제1 가스 저장 탱크에 저장된 액화된 가스(7N)를 중소형의 제2 가스 저장 탱크에 기체 상태의 초고순도 가스(6N)를 저장하는 것이 가능하도록 설계된 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an ultra high purity gas storage designed to store gaseous ultra high purity gas 6N stored in a second gas storage tank of liquefied gas 7N stored in a large first gas storage tank. To provide a pipeline module and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈은 제1 가스 저장 탱크에 저장된 액화 가스를 상기 제1 가스 저장 탱크보다 작은 수용공간을 갖는 제2 가스 저장 탱크에 기체 상태의 99.9999% 이상의 농도를 갖는 초고순도 상태를 유지하면서 이송하기 위한 파이프라인 모듈로서, 일단이 상기 제1 가스 저장 탱크에 연결되고, 타단이 상기 제2 가스 저장 탱크에 연결된 적어도 하나 이상의 파이프라인; 상기 파이프라인에 적어도 하나 이상이 설치되어, 상기 파이프라인을 통과하는 상기 가스의 공급량을 조절하기 위한 밸브; 상기 파이프라인들 상호 간, 및 상기 파이프라인과 밸브를 연결하는 체결 부재; 및 상기 파이프라인, 밸브 및 체결 부재 중 적어도 하나 이상의 표면에 코팅된 그래핀 코팅층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.Pipeline module for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a second gas storage tank having a receiving space smaller than the first gas storage tank for the liquefied gas stored in the first gas storage tank A pipeline module for transporting while maintaining an ultra high purity state having a concentration of at least 99.9999% of a gaseous state, wherein at least one pipe is connected to the first gas storage tank and the other end is connected to the second gas storage tank. line; At least one valve is installed in the pipeline, the valve for controlling the supply amount of the gas passing through the pipeline; A fastening member connecting the pipelines to each other and the pipeline and the valve; And a graphene coating layer coated on at least one surface of the pipeline, the valve, and the fastening member.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법은 (a) 파이프라인 모듈 부품의 내측 표면에 스프레이 코팅 방식으로 그래핀 용액을 코팅하는 단계; 및 (b) 상기 그래핀 용액이 코팅된 파이프라인 모듈 부품을 열처리 또는 자외선 조사로 경화시키는 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: (a) coating a graphene solution on the inner surface of the pipeline module component by spray coating; And (b) performing a post treatment to cure the pipeline module component coated with the graphene solution by heat treatment or ultraviolet irradiation to form a graphene coating layer.

본 발명에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 및 그 제조 방법은 초대형의 제1 가스 저장 탱크에 저장된 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스를 다른 가스 저장 탱크인 중소형의 제2 가스 저장 탱크로 저장하기 위한 이송 수단으로 사용되는 파이프라인 모듈의 내부 표면에 그래핀을 코팅하고 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층을 형성하는 것에 의해, 파이프라인 모듈의 내부 가스가 새어 나가거나, 외부에서 산소, 질소, 아르곤 등의 불순물이 유입되는 것을 원천적으로 차단함으로써 제2 가스 저장 탱크에 99.9999%(6N) 이상의 농도를 갖는 초고순도 가스를 저장할 수 있게 된다.The pipeline module for ultra-high purity gas storage according to the present invention and a method for manufacturing the ultra-high purity liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) stored in the first ultra-large gas storage tank is another gas storage tank of small and medium-sized 2 The internal gas of the pipeline module is leaked by coating the graphene on the inner surface of the pipeline module used as a transport means for storing in the gas storage tank and post-treatment to form a graphene coating layer, By blocking the inflow of impurities such as oxygen, nitrogen, argon, etc. from the outside, it is possible to store ultra-high purity gas having a concentration of 99.9999% (6N) or more in the second gas storage tank.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈을 나타낸 모식도.
도 2는 도 1의 파이프라인의 절단면을 확대하여 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법을 나타낸 공정 순서도.
1 is a schematic diagram showing a pipeline module for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is an enlarged perspective view of the cut surface of the pipeline of Figure 1;
Figure 3 is a process flow diagram showing a pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 및 그 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a pipeline module for ultra-high purity gas storage and a manufacturing method thereof according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈을 나타낸 모식도이고, 도 2는 도 1의 파이프라인의 절단면을 확대하여 나타낸 사시도이다.1 is a schematic diagram showing a pipeline module for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an enlarged perspective view showing a cut surface of the pipeline of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈(100)은 제1 가스 저장 탱크(10)에 저장된 액화 가스를 제1 가스 저장 탱크(10)보다 작은 제2 가스 저장 탱크(20)에 기체 상태의 99.9999%(6N) 이상의 농도를 갖는 초고순도 상태를 유지하면서 이송하는 것이 가능하도록 설계되었다.1 and 2, the pipeline module 100 for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention uses liquefied gas stored in the first gas storage tank 10 as compared with the first gas storage tank 10. The small second gas storage tank 20 is designed to be transported while maintaining an ultrapure state having a concentration of at least 99.9999% (6N) in the gaseous state.

제1 가스 저장 탱크(10)는 초대형 가스 저장 탱크이고, 제2 가스 저장 탱크(20)는 중소형 가스 저장 탱크일 수 있다. 제1 가스 저장 탱크(10)의 내부에는 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스가 저장되며, 액화 가스로는 산소, 수소, 아르곤, 질소, 헬륨 등에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 제1 가스 저장 탱크(10)의 출축에는 제1 가스 저장 탱크(10)의 내부에 저장된 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스를 펌핑하기 위한 펌프가 더 설치되어 있을 수 있다.The first gas storage tank 10 may be a large gas storage tank, and the second gas storage tank 20 may be a small and medium gas storage tank. The ultra-high purity liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) is stored in the first gas storage tank 10, and the liquefied gas may include one or more selected from oxygen, hydrogen, argon, nitrogen, helium, and the like. have. Although not shown in the drawings, the pump for pumping the ultra-pure liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) stored inside the first gas storage tank 10 is further included in the discharge of the first gas storage tank 10. It may be installed.

이를 위해, 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈(100)은 파이프라인(120), 밸브(140), 체결 부재(160) 및 그래핀 코팅층(180)을 포함한다.To this end, the pipeline module 100 for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention includes a pipeline 120, a valve 140, a fastening member 160 and a graphene coating layer 180.

파이프라인(120)은 일단이 제1 가스 저장 탱크(10)에 연결되고, 타단이 제2 가스 저장 탱크(20)에 연결된다. 이러한 파이프라인(120)은 적어도 하나 이상이 맞대기 용접 방식이나, 체결 부재(160)에 의한 이음 결합 방식에 의해 결합되어 있을 수 있다.One end of the pipeline 120 is connected to the first gas storage tank 10, and the other end thereof is connected to the second gas storage tank 20. At least one of the pipelines 120 may be coupled by a butt welding method or a joint coupling method by the fastening member 160.

이때, 파이프라인(120)은 제1 가스 저장 탱크(10)에 저장된 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 액화 가스를 제2 가스 저장 탱크(20)로 저장하기 위해 지나가는 통로로서, 적정 강도를 가지면서도 우수한 내식성을 갖는 금속 재질이 이용될 수 있으며, 금속 재질 중에서도 SUS 재질을 이용하는 것이 바람직하다. In this case, the pipeline 120 is a passage through which the liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) stored in the first gas storage tank 10 is stored in the second gas storage tank 20. A metal material having excellent corrosion resistance can be used, and it is preferable to use a SUS material among the metal materials.

밸브(140)는 파이프라인(120)에 적어도 하나 이상이 설치되어, 파이프라인(120)의 내부를 통과하는 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스의 공급량을 조절하기 위해 장착된다.At least one valve 140 is installed in the pipeline 120 and is mounted to adjust the supply amount of ultra-high purity liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) passing through the interior of the pipeline 120. .

체결 부재(160)는 파이프라인(120)들 상호 간, 및 파이프라인(120)과 밸브(160)를 연결하는 역할을 한다. 이러한 체결 부재(160)로는 체결 나사, 체결 너트, 오링 등을 포함할 수 있다. 이때, 체결 부재(160)는 파이프라인(120) 및 밸브(140)와 마찬가지로 우수한 내식성을 갖는 SUS 재질을 이용하는 것이 바람직하다.The fastening member 160 serves to connect the pipelines 120 to each other and to the pipeline 120 and the valve 160. The fastening member 160 may include a fastening screw, a fastening nut, an O-ring, and the like. At this time, it is preferable that the fastening member 160 uses a SUS material having excellent corrosion resistance similarly to the pipeline 120 and the valve 140.

도 2에 도시된 바와 같이, 그래핀 코팅층(180)은 파이프라인(120), 밸브(140) 및 체결 부재(160) 중 적어도 하나 이상의 표면에 코팅된다. 보다 바람직하게, 그래핀 코팅층(180)은 파이프라인(120), 밸브(140) 및 체결 부재(160)에 각각 코팅되는 것이 바람직하다. 이때, 그래핀 코팅층(180)은 가스가 통과하는 파이프라인(120)의 내경 전체 표면을 덮도록 코팅되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2, the graphene coating layer 180 is coated on at least one surface of the pipeline 120, the valve 140, and the fastening member 160. More preferably, the graphene coating layer 180 is preferably coated on the pipeline 120, the valve 140, and the fastening member 160, respectively. In this case, the graphene coating layer 180 is preferably coated to cover the entire inner diameter surface of the pipeline 120 through which the gas passes.

즉, 파이프라인(120)의 내경 전체 표면에 그래핀 코팅층(180)을 형성하여 파이프라인(120)의 내부로 통과하는 가스가 파이프라인(120)과 직접 접촉되지 않도록 설계되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 산소 및 질소가 투과하기 힘든 그래핀 코팅층(180)에 의해 파이프라인(120)이 보호될 수 있으므로, 파이프라인(120)의 내부를 통과하는 초고순도의 가스가 외부로 유출되거나, 또는 외부의 가스가 파이프라인(120)의 내부로 유입되는 것이 차단되어 순도 저하 없이 초고순도 가스를 이송하는 것이 가능해질 수 있게 된다.That is, it is preferable that the graphene coating layer 180 is formed on the entire inner diameter surface of the pipeline 120 so that the gas passing into the pipeline 120 does not directly contact the pipeline 120. Accordingly, since the pipeline 120 may be protected by the graphene coating layer 180 through which oxygen and nitrogen are difficult to penetrate, ultra-high purity gas passing through the inside of the pipeline 120 is leaked to the outside, or The external gas is blocked from flowing into the pipeline 120, so that it is possible to transfer the ultra high purity gas without degrading the purity.

다시 말해, 본 발명에서는 초대형의 제1 가스 저장 탱크(10)에 저장된 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스를 다른 가스 저장 탱크인 중소형의 제2 가스 저장 탱크(20)로 저장하기 위한 이송 수단으로 사용되는 파이프라인 모듈(100)에 내부의 가스가 새어 나가거나, 외부에서 산소, 질소, 아르곤 등의 불순물이 유입되는 것을 차단할 수 있도록 그래핀을 코팅하고 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층(180)을 형성시켰다. 이때, 그래핀 이외에도 테프론, 탄소, 실리콘 등에 대해서도 고려해 볼 수는 있으나, 그래핀에 비하여 경도 및 표면거칠기가 좋지 않으므로 바람직하지 못하다는 것을 확인하였다.In other words, in the present invention, the ultra-high purity liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) stored in the first large gas storage tank 10 is stored in the second gas storage tank 20 of small and medium size, which is another gas storage tank. Coating and post-treatment of graphene so as to block the gas inside the pipeline module 100 used as a transfer means for preventing or to introduce impurities such as oxygen, nitrogen, argon from the outside The pin coating layer 180 was formed. At this time, in addition to graphene, it can be considered for Teflon, carbon, silicon, etc., but it was confirmed that it is not preferable because the hardness and surface roughness is not as good as graphene.

특히, 본 발명에서, 파이프라인(120), 밸브(140) 및 체결 부재(160) 중 적어도 하나 이상의 표면에 그래핀을 스프레이 코팅하고 후처리 공정을 최적 조건으로 실시할 시, 2H 이상의 경도 및 10nm 이하의 평균표면거칠기를 갖는 그래핀 코팅층(180)이 형성되는 것을 확인하였다.In particular, in the present invention, when graphene is spray-coated on at least one or more surfaces of the pipeline 120, the valve 140, and the fastening member 160, and the post-treatment process is performed under optimum conditions, a hardness of 2H or more and 10 nm are performed. It was confirmed that the graphene coating layer 180 having the following average surface roughness is formed.

아래의 표 1은 그래핀의 제조법에 따른 물성을 비교하여 나타낸 것이다.Table 1 below shows the comparison of physical properties according to the preparation method of graphene.

[표 1]TABLE 1

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1에 도시된 바와 같이, 그래핀은 화학 기상 증착법(Thermal-chemical vapor deposition; CVD), SiC 에피텍시, 흑연 산화 제조법 및 흑연 층간화합물 박리법 중에서 어느 하나의 방법에 의해 제조될 수 있으며, 이 중 생산 비용이 저렴하며 합성후 후공정이 용이한 흑연 층간화합물 박리법으로 제조된 것을 이용하는 것이 보다 바람직하다.As shown in Table 1, the graphene may be prepared by any one of thermal-chemical vapor deposition (CVD), SiC epitaxy, graphite oxidation preparation, and graphite intercalation. Among them, it is more preferable to use the one produced by the graphite interlayer compound peeling method which is low in production cost and easy in post-synthesis.

이러한 그래핀은 고경도를 가지며, 유연성을 가지고 있기 때문에 크랙 등의 불량이 발생하지 않는다. 또한, 그래핀은 산소, 질소 등이 투과하기 힘든 육각형의 구조를 가지고 있으므로 장 수명 효과를 발휘할 수 있으며, 열전달을 막아주는 효과가 있어 온도 및 습도 등에 대한 저항성이 우수하다.Such graphene has a high hardness and has flexibility so that no defects such as cracks occur. In addition, since graphene has a hexagonal structure that is difficult to penetrate oxygen, nitrogen, etc., it can exert a long lifespan effect and prevents heat transfer, and thus has excellent resistance to temperature and humidity.

이러한 그래핀 코팅층(180)은 0.1 ~ 10mm의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 그래핀 코팅층(180)의 두께가 0.1mm 미만일 경우에는 두께가 너무 얇아 관계로 파이프라인 모듈 부품의 내부로 외부의 가스가 침투하여 파이프라인 모듈 부품의 내부로 공급되는 초고순도의 액화 가스의 순도를 저하시킬 우려가 있다. 반대로, 그래핀 코팅층(180)의 두께가 10mm를 초과할 경우에는 더 이상의 효과 상승 없이 그래핀 사용량의 증가로 인하여 비용 상승을 초래할 수 있으므로, 경제적이지 못하다.The graphene coating layer 180 preferably has a thickness of 0.1 ~ 10mm. When the thickness of the graphene coating layer 180 is less than 0.1 mm, the thickness of the graphene coating layer 180 is too thin. Therefore, the external gas penetrates into the pipeline module component to supply the ultra-high purity liquefied gas supplied to the pipeline module component. There is a risk of deterioration. On the contrary, when the thickness of the graphene coating layer 180 exceeds 10mm, the graphene coating layer 180 may cause an increase in cost due to an increase in the amount of graphene without any further effect.

전술한 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈은 초대형의 제1 가스 저장 탱크에 저장된 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스를 다른 가스 저장 탱크인 중소형의 제2 가스 저장 탱크로 저장하기 위한 이송 수단으로 사용되는 파이프라인 모듈의 내부 표면에 그래핀을 코팅하고 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층을 형성하는 것에 의해, 파이프라인 모듈의 내부 가스가 새어 나가거나, 외부에서 산소, 질소, 아르곤 등의 불순물이 유입되는 것을 원천적으로 차단함으로써 제2 가스 저장 탱크에 99.9999%(6N) 이상의 농도를 갖는 초고순도 가스를 저장할 수 있게 된다.The pipeline module for ultra-high purity gas storage according to the embodiment of the present invention described above is a medium-sized medium that is a high-purity liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) stored in the first ultra-large gas storage tank. The internal gas of the pipeline module is leaked by coating graphene on the inner surface of the pipeline module used as a transfer means for storing in the second gas storage tank and post-treatment to form a graphene coating layer. By blocking the introduction of impurities such as oxygen, nitrogen, and argon from the outside, ultra-high purity gas having a concentration of 99.9999% (6N) or more can be stored in the second gas storage tank.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a method for manufacturing a pipeline module for ultra high purity gas storage according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법을 나타낸 공정 순서도이다.Figure 3 is a process flow chart showing a pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법은 코팅 단계(S110), 후처리 단계(S120) 및 조립 단계(S130)를 포함한다.As shown in Figure 3, the pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention includes a coating step (S110), after-treatment step (S120) and assembly step (S130).

코팅coating

코팅 단계(S110)에서는 파이프라인 모듈 부품의 내측 표면에 스프레이 코팅 방식으로 그래핀 용액을 코팅한다. In the coating step (S110), the graphene solution is coated on the inner surface of the pipeline module component by spray coating.

본 단계에서, 스프레이 코팅은 400 ~ 700℃에서 3 ~ 10MPa의 분사 압력 조건으로 실시하는 것이 바람직하다.In this step, the spray coating is preferably carried out at a spray pressure of 3 ~ 10MPa at 400 ~ 700 ℃.

스프레이 코팅시, 코팅 온도가 400℃ 미만이거나, 분사 압력이 3MPa 미만일 경우에는 온도가 낮고 분사 압력이 불충분하여 코팅 불량을 유발할 수 있다. 반대로, 스프레이 코팅시, 코팅 온도가 700℃를 초과하거나, 분사 압력이 10MPa를 초과할 경우에는 그래핀 물질의 코팅량을 제어하는 것이 어려워 코팅 두께를 균일하게 확보하는데 어려움이 따를 수 있다.In spray coating, when the coating temperature is less than 400 ℃ or the injection pressure is less than 3MPa, the temperature is low and the injection pressure is insufficient may cause coating failure. On the contrary, in the case of spray coating, when the coating temperature is higher than 700 ° C. or the injection pressure is higher than 10 MPa, it is difficult to control the coating amount of the graphene material, so that it may be difficult to secure the coating thickness uniformly.

후처리After treatment

후처리 단계(S120)에서는 그래핀 용액이 코팅된 파이프라인 모듈 부품을 열처리 및 자외선 조사로 경화시키는 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층을 형성한다.In the post-treatment step (S120), a graphene coating layer is formed by performing post-treatment of the pipeline module component coated with the graphene solution by heat treatment and ultraviolet irradiation.

본 단계시, 열처리는 50 ~ 150℃에서 1 ~ 30분 동안 실시하는 것이 바람직하다. 열처리 온도가 50℃ 미만이거나, 열처리 시간이 1분 미만일 경우에는 그래핀 용액이 충분히 경화되지 못하여 파이프라인 모듈 부품으로부터 벗겨질 우려가 있다. 반대로, 열처리 온도가 150℃를 초과하거나, 열처리 시간이 30분을 초과할 경우에는 과경화되어 그래핀 코팅층이 갈라져 크랙 불량을 유발할 수 있으며, 부착성이 저하되는 문제가 있다.In this step, the heat treatment is preferably carried out for 1 to 30 minutes at 50 ~ 150 ℃. If the heat treatment temperature is less than 50 ° C or the heat treatment time is less than 1 minute, the graphene solution may not be sufficiently cured and may be peeled off from the pipeline module component. On the contrary, when the heat treatment temperature exceeds 150 ° C., or when the heat treatment time exceeds 30 minutes, the graphene coating layer may be cracked due to over-curing and cracking may occur, thereby degrading adhesion.

또한, 자외선 조사는 3 ~ 7 J/㎠의 광량 조건으로 10 ~ 300sec 동안 실시하는 것이 바람직하다. 이때, 자외선을 조사하기 위한 광원으로는 메탈할라이드등, 중압수은등, 고압수은등 등에서 선택될 수 있다.In addition, the ultraviolet irradiation is preferably carried out for 10 ~ 300sec in the light amount condition of 3 ~ 7 J / ㎠. In this case, the light source for irradiating ultraviolet light may be selected from metal halide lamp, medium pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp and the like.

자외선 조사 광량이 3 J/㎠ 미만이거나, 자외선 조사 시간이 10sec 미만일 경우에는 경도 및 표면거칠기의 개선 효과를 제대로 발휘하기 어렵다. 반대로, 자외선 조사 광량이 7 J/㎠를 초과하거나, 자외선 조사 시간이 300sec를 초과할 경우에는 더 이상의 효과 상승 없이 제조 비용 및 시간만을 증가시키는 요인으로 작용할 수 있으므로, 경제적이지 못하다.When the amount of ultraviolet irradiation light is less than 3 J / cm 2 or when the ultraviolet irradiation time is less than 10 sec, it is difficult to properly exhibit an effect of improving hardness and surface roughness. On the contrary, when the amount of UV irradiation light exceeds 7 J / cm 2, or when the UV irradiation time exceeds 300 sec, it may act as a factor of increasing the manufacturing cost and time without further increasing the effect, which is not economical.

이와 같이, 스프레이 코팅 후, 후처리를 최적 조건으로 실시하는 것에 의해, 그래핀 코팅층은 2H 이상의 경도 및 10nm 이하의 평균표면거칠기를 가질 수 있게 된다.Thus, by performing post-treatment at optimum conditions after spray coating, the graphene coating layer can have a hardness of 2H or more and an average surface roughness of 10 nm or less.

조립Assembly

조립 단계(S130)에서는 그래핀 코팅층이 형성된 파이프라인 모듈 부품 상호 간을 조립한다.In the assembling step (S130), assembling between the pipeline module components in which the graphene coating layer is formed.

이상으로, 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법이 종료될 수 있다.In the above, the pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention can be terminated.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법은 가스와 직접적으로 접촉되는 파이프라인 모듈 부품(파이프라인, 밸브, 체결 부재)의 내측 표면에 그래핀을 코팅하고, 열처리 및 자외선 조사로 경화시키는 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층을 형성하는 것에 의해, 초대형의 제1 가스 저장 탱크에 저장된 99.99999%(7N)의 농도를 갖는 초고순도의 액화 가스를 중소형의 제2 가스 저장 탱크에 이송하는 과정시 불순물이 유입되는 것이 원천적으로 차단되어 제2 가스 저장 탱크에 99.9999%(6N) 이상의 농도를 갖는 초고순도 가스를 저장하는 것이 가능해질 수 있게 된다.As described above, the pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage according to an embodiment of the present invention is graphene on the inner surface of the pipeline module component (pipeline, valve, fastening member) in direct contact with the gas By coating, and performing a post-treatment to be cured by heat treatment and ultraviolet irradiation to form a graphene coating layer, the ultra-high purity liquefied gas having a concentration of 99.99999% (7N) stored in the first large gas storage tank of small and medium Inflow of impurities during the transfer to the second gas storage tank is essentially blocked, so that the ultra-high purity gas having a concentration of 99.9999% (6N) or more can be stored in the second gas storage tank.

실시예Example

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention through the preferred embodiment of the present invention will be described in more detail. However, this is presented as a preferred example of the present invention and in no sense can be construed as limiting the present invention.

여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.Details that are not described herein will be omitted since those skilled in the art can sufficiently infer technically.

표 2는 실시예 1 및 비교예 1 ~ 3에 따른 파이프라인 모듈에 대한 물성 테스트 결과를 나타낸 것이다. 이때, 실시예 1 및 비교예 1 ~ 3에 따른 파이프라인 모듈은 표 2에 기재된 코팅 소재를 파이프 라인에 5mm의 두께로 스프레이 코팅하고, 120℃에서 20분 동안 열처리하여 코팅층을 각각 제조한 후, 초대형의 제1 가스 저장 탱크에서 중대형의 제2 가스 저장 탱크로 저장한 후의 가스충전농도를 측정한 것이다.Table 2 shows the physical property test results for the pipeline module according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. At this time, the pipeline module according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 3 is spray coating the coating material shown in Table 2 to the pipeline with a thickness of 5mm, heat-treated at 120 ℃ for 20 minutes to prepare a coating layer, respectively, The gas filling concentration after storing the first large gas storage tank to the second large gas storage tank is measured.

[표 2]TABLE 2

Figure pat00002
Figure pat00002

표 2에 도시된 바와 같이, 실시예 1과 같이, 코팅 소재로 그래핀을 이용할 시 가스충전농도 99.9999%를 나타내어 초고순도용으로 사용하는 것이 가능하다는 것을 확인하였다.As shown in Table 2, as shown in Example 1, when using the graphene as a coating material it was confirmed that it can be used for ultra-high purity by showing a gas filling concentration of 99.9999%.

또한, 실시예 1과 같이, 그래핀은 초고순도 가스를 저장시킬 수 있는 코팅 물질로서, 비교예 1 ~ 3과 달리, 2H의 고경도를 가지며, 평균표면거칠기가 8nm로 상당히 낮은 값을 나타내는 것을 확인할 수 있으며, 온도 및 습도에 대한 변화율도 상당히 낮은 것을 확인할 수 있다.In addition, as in Example 1, graphene is a coating material capable of storing ultra-high purity gas, and unlike Comparative Examples 1 to 3, graphene has a high hardness of 2H and shows that the average surface roughness shows a considerably low value of 8 nm. It can be seen that the change rate for temperature and humidity is also very low.

이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, various changes and modifications can be made at the level of those skilled in the art. Such changes and modifications can be said to belong to the present invention without departing from the scope of the technical idea provided by the present invention. Therefore, the scope of the present invention will be determined by the claims described below.

100 : 파이프라인 모듈
120 : 파이프라인
140 : 밸브
160 : 체결 부재
180 : 그래핀 코팅층
S110 : 코팅 단계
S120 : 후처리 단계
S130 : 조립 단계
100: pipeline module
120: pipeline
140: valve
160: fastening member
180: graphene coating layer
S110: Coating Step
S120: post-processing step
S130: Assembly Step

Claims (10)

제1 가스 저장 탱크에 저장된 액화 가스를 상기 제1 가스 저장 탱크보다 작은 수용공간을 갖는 제2 가스 저장 탱크에 기체 상태의 99.9999% 이상의 농도를 갖는 초고순도 상태를 유지하면서 이송하기 위한 파이프라인 모듈로서,
일단이 상기 제1 가스 저장 탱크에 연결되고, 타단이 상기 제2 가스 저장 탱크에 연결된 적어도 하나 이상의 파이프라인;
상기 파이프라인에 적어도 하나 이상이 설치되어, 상기 파이프라인을 통과하는 상기 가스의 공급량을 조절하기 위한 밸브;
상기 파이프라인들 상호 간, 및 상기 파이프라인과 밸브를 연결하는 체결 부재; 및
상기 파이프라인, 밸브 및 체결 부재 중 적어도 하나 이상의 표면에 코팅된 그래핀 코팅층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈.
A pipeline module for transferring liquefied gas stored in a first gas storage tank to a second gas storage tank having a smaller receiving space than the first gas storage tank while maintaining an ultrapure state having a concentration of 99.9999% or more of a gaseous state. ,
At least one pipeline having one end connected to the first gas storage tank and the other end connected to the second gas storage tank;
At least one valve is installed in the pipeline, the valve for controlling the supply amount of the gas passing through the pipeline;
A fastening member connecting the pipelines to each other and the pipeline and the valve; And
A graphene coating layer coated on at least one surface of the pipeline, valve and fastening member;
Pipeline module for ultra-high purity gas storage comprising a.
제1항에 있어서,
상기 파이프라인, 밸브 및 체결 부재 각각은
SUS 재질인 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈.
The method of claim 1,
Each of the pipelines, valves and fastening members
Pipeline module for ultra-high purity gas storage, characterized in that the SUS material.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 코팅층은
0.1 ~ 10mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈.
The method of claim 1,
The graphene coating layer is
Pipeline module for ultra-high purity gas storage, characterized in that having a thickness of 0.1 ~ 10mm.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 코팅층은
2H 이상의 경도 및 10nm 이하의 평균표면거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈.
The method of claim 1,
The graphene coating layer is
A pipeline module for ultra-high purity gas storage, characterized by having a hardness of 2H or more and an average surface roughness of 10nm or less.
(a) 파이프라인 모듈 부품의 내측 표면에 스프레이 코팅 방식으로 그래핀 용액을 코팅하는 단계; 및
(b) 상기 그래핀 용액이 코팅된 파이프라인 모듈 부품을 열처리 및 자외선 조사로 경화시키는 후처리를 실시하여 그래핀 코팅층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법.
(a) coating the graphene solution on the inner surface of the pipeline module component by spray coating; And
(b) performing a post-treatment of the pipeline module component coated with the graphene solution by heat treatment and ultraviolet irradiation to form a graphene coating layer;
Pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage comprising a.
제5항에 있어서,
상기 (a) 단계에서,
상기 스프레이 코팅은
400 ~ 700℃에서 3 ~ 10MPa의 분사 압력 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
In the step (a),
The spray coating
Pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage, characterized in that carried out at 400 ~ 700 ℃ 3 to 10MPa injection pressure conditions.
제5항에 있어서,
상기 (b) 단계에서,
상기 열처리는
50 ~ 150℃에서 1 ~ 30분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
In step (b),
The heat treatment is
Pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage, characterized in that carried out for 1 to 30 minutes at 50 ~ 150 ℃.
제5항에 있어서,
상기 자외선 조사는
3 ~ 7 J/㎠의 광량 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
The ultraviolet irradiation
Pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage, characterized in that carried out under a light quantity condition of 3 ~ 7 J / ㎠.
제5항에 있어서,
상기 (b) 단계 이후,
상기 그래핀 코팅층은
2H 이상의 경도 및 10nm 이하의 평균표면거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
After step (b),
The graphene coating layer is
A pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage, characterized by having a hardness of 2H or more and an average surface roughness of 10nm or less.
제5항에 있어서,
상기 (b) 단계 이후,
(c) 상기 그래핀 코팅층이 형성된 파이프라인 모듈 부품 상호 간을 조립하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초고순도 가스 저장을 위한 파이프라인 모듈 제조 방법.
The method of claim 5,
After step (b),
(C) the pipeline module manufacturing method for ultra-high purity gas storage, characterized in that it further comprises the step of assembling the pipeline module components formed with the graphene coating layer.
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