KR20190101092A - Microwave-direct current hybrid atmospheric or low vacuum plasma source - Google Patents

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KR20190101092A
KR20190101092A KR1020180021035A KR20180021035A KR20190101092A KR 20190101092 A KR20190101092 A KR 20190101092A KR 1020180021035 A KR1020180021035 A KR 1020180021035A KR 20180021035 A KR20180021035 A KR 20180021035A KR 20190101092 A KR20190101092 A KR 20190101092A
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Abstract

The present invention relates to a microwave-direct current-mixed type atmospheric pressure or low vacuum plasma source. According to the present invention, the microwave-direct current-mixed type atmospheric pressure or low vacuum plasma source includes: a microwave source generating a microwave; a DC breaker transmitting the microwave generated in the microwave source and blocking a microwave DC; a plasma generation unit generating plasma by discharge of the microwave transmitted by being generated in the microwave source; and a high voltage electrification unit formed at an end of the plasma generation unit and electrified by receiving high voltage from a high voltage power unit. A sample unit is processed by the plasma and forms electric potential with the high voltage electrification unit by being grounded. The electric potential can be controlled in accordance with a level of power applied from the high voltage power unit to the high voltage electrification unit. So, additional energy is supplied to the microwave plasma generated. So, a usage range of an existing microwave plasma source can be expanded.

Description

마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원{MICROWAVE-DIRECT CURRENT HYBRID ATMOSPHERIC OR LOW VACUUM PLASMA SOURCE} MICROWAVE-DIRECT CURRENT HYBRID ATMOSPHERIC OR LOW VACUUM PLASMA SOURCE}

본 발명은 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 대기압 또는 저진공(~1 Torr) 마이크로웨이브 플라즈마 발생원에 추가적인 에너지원(고전압 DC)을 장착하여 reactive particle의 에너지를 높여 세라믹 코팅 막의 치밀도를 향상시켜 (기공율: ~1%) 반도체 제조공정에 활용가능한 세라믹 융사코팅 공정에 적용할 수 있는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원에 관한 것이다.
The present invention relates to a microwave-direct mixed type atmospheric pressure or low vacuum plasma source, and more particularly, by installing an additional energy source (high voltage DC) in an atmospheric pressure or low vacuum (~ 1 Torr) microwave plasma source. The present invention relates to a microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma source that can be applied to a ceramic fusion coating process that can be applied to a semiconductor manufacturing process by increasing energy and improving the density of a ceramic coating film (porosity: ˜1%).

세라믹 용사 코팅 기술은 에너지, 전기전자 부품, 항공 우주산업, 자동차, 철강 및 제지 산업 등 다양한 산업분야에 사용되고 있다.Ceramic spray coating technology is used in a variety of industries including energy, electrical and electronic components, aerospace, automotive, steel and paper.

특히, 반도체 산업에서는 450mm급 웨이퍼와 3000mm급으로 대변되는 반도체와 디스플레이 산업의 대형화 추세에 따라 공정에 사용되는 장치 및 부품의 경우 기존의 벌크형 소재를 적용함에 있어, 제조상의 어려움이 예상이 되며, 이를 극복하고자 코팅기술을 접목한 부품의 개발이 필요한 시점이다.Particularly, in the semiconductor industry, the manufacturing of devices and components used in the process is expected to be difficult in the case of applying the existing bulk material in accordance with the trend of larger size of the semiconductor and display industries represented by 450 mm wafer and 3000 mm class. It is time to develop parts that incorporate coating technology to overcome.

용사 코팅 기술은 크게 Cold Spray와 Thermal Spray로 분류되며 Cold spray는 화염온도(3000~5000℃)가 상대적으로 낮아 고융점의 세라믹 코팅의 제약이 있으며, 산소, 등유와 같은 추가 연료를 필요로 하며, 연소 시 발생되는 부산가스들로 인해 환경적인 문제가 발생한다.Thermal spray coating technology is classified into Cold Spray and Thermal Spray. Cold spray has a relatively low flame temperature (3000 ~ 5000 ℃) and is constrained by high melting point ceramic coating, and requires additional fuel such as oxygen and kerosene. By-product gases generated during combustion cause environmental problems.

Thermal Spray (DC arc torch)는 고온의 열(8000~25000℃)로 인해 코팅층의 물성변화가 발생하며 코팅층 밀도가 낮고 기공이 발생하여 모재와 밀착력이 낮은 문제가 있다.Thermal spray (DC arc torch) has a problem that the properties of the coating layer is changed due to the high temperature heat (8000 ~ 25000 ℃), the coating layer density is low and the pores are generated, there is a problem of low adhesion to the base material.

마이크로웨이브 플라즈마 발생원은 대기압 또는 저진공 방전이 용이하고, 플라즈마 단면적이 기존의 직류아크 토치에 비해 넓은 플라즈마 발생원을 사용할 경우, 생산성 증대 및 코팅 균일도를 높일 수 있는 장점이 있어 널리 활용되고 있다.Microwave plasma generators are widely used because they are easy to atmospheric pressure or low vacuum discharge, and when the plasma generator has a larger plasma cross-sectional area than a conventional DC arc torch, productivity can be increased and coating uniformity can be increased.

그러나 마이크로웨이브 플라즈마를 이용하여 세라믹 융사 코팅한 세라믹의 막질은 5% 이상의 기공율을 가져, 반도체 제조공정에서 불소 플라즈마 환경에서 식각이 되어 오염원으로 작용하는 문제점이 있다.However, the film quality of ceramics coated with ceramic fused using microwave plasma has a porosity of 5% or more, and thus, the semiconductor film is etched in a fluorine plasma environment in a semiconductor manufacturing process to act as a pollutant.

결과적으로, 기존의 마이크로웨이브 플라즈마에서 에너지가 부족하여 추가적인 에너지를 공급하지 않고서는 코팅, 증착 및 분해 등이 발현되지 않는 문제점이 있다.
As a result, there is a problem that the coating, deposition and decomposition do not occur without supplying additional energy due to lack of energy in the existing microwave plasma.

대한민국 공개특허공보 10-2005-0068462호(2005. 07. 05)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2005-0068462 (2005. 07. 05)

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위해서 발명된 것으로써, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 대기압 또는 저진공 마이크로웨이브 플라즈마 발생원에 추가적인 에너지원(고전압 DC)을 장착하여 reactive particle의 에너지를 높여 세라믹 코팅 막의 치밀도를 향상시켜 (기공율: ~1%) 반도체 제조공정에 활용가능한 세라믹 융사코팅 공정에 적용할 수 있는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원의 제공을 목적으로 한다.
The present invention has been invented to solve the above-described problems, in order to solve the above-mentioned problems by installing an additional energy source (high voltage DC) in the atmospheric pressure or low vacuum microwave plasma source to increase the energy of the reactive particles of the ceramic coating film To improve the density (porosity: ~ 1%) to provide a microwave-direct mixed type atmospheric pressure or low vacuum plasma source that can be applied to the ceramic melt coating process that can be used in the semiconductor manufacturing process.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원은 마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 소스; 상기 마이크로웨이브 소스에서 생성된 마이크로웨이브를 전송하고 상기 마이크로웨이브 DC를 차단하는 DC 차단부(DC breaker); 상기 마이크로 웨이브 소스에서 생성되어 전송되는 마이크로웨이브의 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및 상기 플라즈마 발생부의 말단부에 형성되어 고전압 전원부로부터 고전압을 인가받아 대전되는 고전압 대전부;를 포함하여, 샘플부를 플라즈마 처리하되, 상기 샘플부는 접지되어 상기 고전압 대전부와의 전기적 포텐셜을 형성하고, 상기 고전압 전원부에서 고전압 대전부로 인가되는 전원의 크기에 따라 상기 전기적 포텐셜을 제어하는 것을 특징으로 한다.
According to the present invention for achieving the above object, the microwave-direct mixed type atmospheric pressure or low vacuum plasma source includes a microwave source for generating microwaves; A DC breaker for transmitting microwaves generated from the microwave source and blocking the microwave DC; A plasma generator for generating plasma by discharge of microwaves generated and transmitted from the microwave source; And a high voltage charging unit formed at an end portion of the plasma generation unit and charged with a high voltage applied from a high voltage power supply unit. The electrical potential is controlled according to the magnitude of the power applied from the high voltage power supply unit to the high voltage charging unit.

본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원은 기존의 직류 아크 플라즈마 토치에 비해 단일 공정에서의 코팅면적을 10배 이상의 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma source according to the present invention has the effect of improving the coating area in a single process by more than 10 times compared to the conventional DC arc plasma torch.

또한, 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원은 추가적인 에너지를 공급받음으로써, 공정 범위 확대 및 박막의 치밀도 향상을 통한 코팅개선 효과가 있다.In addition, the microwave-DC mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma source according to the present invention is supplied with additional energy, thereby improving the coating range through the expansion of the process range and the density of the thin film.

또한, 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원은 기존 마이크로웨이브 플라즈마 발생원을 대체하여 대기압 및 저진공 플라즈마 활용범위인 난분해성 가스 분해, 표면처리, 방사선 폐기물 제염 및 폐기물 소각 등의 다양한 분야에 적용할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the microwave-DC mixed type atmospheric pressure or low vacuum plasma source according to the present invention replaces the existing microwave plasma source, such as difficult decomposition gas decomposition, surface treatment, radioactive waste decontamination and waste incineration, which are applicable to atmospheric pressure and low vacuum plasma. There is an effect that can be applied to various fields.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원을 도시한 도면,
도 2a는 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원에 사용되는 단층의 DC 차단부를 도시한 도면,
도 2b는 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원에 사용되는 단층의 DC 차단부 단면도를 도시한 도면,
도 3a는 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원에 사용되는 다층의 DC 차단부를 도시한 도면, 및
도 3b는 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원에 사용되는 다층의 DC 차단부 단면도를 도시한 도면이다.1 illustrates a microwave-direct mixed atmospheric or low vacuum plasma source in accordance with the present invention;
Figure 2a shows a single-layer DC blocker used for microwave-direct mixed atmospheric or low vacuum plasma source according to the present invention,
Figure 2b shows a cross-sectional view of a DC block of a single layer used in the microwave-direct mixed atmospheric or low vacuum plasma source according to the present invention,
3a shows a multi-layer DC blocker for use in a microwave-direct mixed atmospheric or low vacuum plasma source in accordance with the present invention; and
Figure 3b is a cross-sectional view of a multi-layer DC block used in the microwave-direct mixed atmospheric or low vacuum plasma source according to the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. In addition, the terms or words used in the specification and claims are not to be construed as limiting in their usual or dictionary meanings, and the inventors appropriately define the concept of terms in order to best explain their invention in the best way possible. Based on the principle that it can be, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가 장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, it is possible to replace them at the time of the present application It should be understood that there may be various equivalents and variations.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원을 도시한 도면이다.1 shows a microwave-direct mixed atmospheric or low vacuum plasma source in accordance with the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원은 마이크로 웨이브 소스(100), DC 차단부(DC breaker:200), 플라즈마 발생부(300), 고전압 대전부(400), 고전압 전원부(500), 및 샘플부(600)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the microwave-DC mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma source according to the present invention includes a microwave source 100, a DC breaker 200, a plasma generator 300, and a high voltage charge. The unit 400 includes a high voltage power supply unit 500 and a sample unit 600.

상기 마이크로 웨이브 소스(100)는 전원공급부(도시되지 않음)에 연결되어 있으며, 상기 전원공급부로부터 전원을 인가받아 마이크로웨이브를 생성시킨다.The microwave source 100 is connected to a power supply (not shown), and receives power from the power supply to generate microwaves.

도파관 형태의 상기 DC 차단부(200)는 세로방향으로 배치되어 일단이 상기 마이크로 웨이브 소스(100)와 연결되고, 상기 마이크로 웨이브 소스(100)에서 생성되는 마이크로웨이브를 전송하는 전송라인으로써의 기능을 한다.The DC blocking unit 200 in the form of a waveguide is arranged in a vertical direction, one end of which is connected to the microwave source 100, and functions as a transmission line for transmitting microwaves generated by the microwave source 100. do.

또한, 도파관 형태의 상기 DC 차단부(200)는 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 단층의 유전체가 내부에 복수의 형태로 삽입되어 DC 차단부 역할을 한다.In addition, the DC blocking unit 200 in the form of a waveguide has a single layer of dielectric inserted into a plurality of forms therein to serve as a DC blocking unit as shown in FIGS. 2A and 2B.

보다 구체적으로, 일측면도인 도 2a, 그리고 단면도인 도 2b에 도시된 DC 차단부(200)는 인가되는 고전압이 0~30kV 영역에서 사용되는 단층 구조로, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 마이크로웨이브가 전송되는 방향과 수직하게 단층의 절연체가 개재되어 있는 구조의 DC 차단부이다.More specifically, the DC blocking unit 200 shown in FIG. 2A and FIG. 2B in one side view has a single layer structure in which a high voltage applied is used in a region of 0 to 30 kV, and the microwave as shown in FIG. 2B. DC block is a structure in which a single layer of insulator is interposed perpendicular to the direction in which it is transmitted.

또 다른 실시예로서 상기 DC 단차부(200)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 다층의 유전체가 적층된 형태의 DC차단부일 수 있다.As another embodiment, the DC stepped part 200 may be a DC cutout part in which multilayer dielectrics are stacked as illustrated in FIGS. 3A and 3B.

보다 구체적으로, 일측면도인 도 3a, 그리고 단면도인 도 3b에 도시된 DC 차단부(200)는 인가되는 고전압이 30~100kV 이상의 영역에서는 사용되는 다층 구조로, 도 3a 또는 도 3b 도시된 바와 같이 상기 마이크로웨이브가 전송되는 방향과 수직하게 절연체와 금속이 복수 층으로 적층된 다층 구조의 DC 차단부이다.More specifically, the DC blocking unit 200 shown in FIG. 3A and one cross-sectional view of FIG. 3B is a multilayer structure used in a region where a high voltage applied is 30 to 100 kV or more, as shown in FIG. 3A or 3B. The DC blocking unit has a multilayer structure in which an insulator and a metal are stacked in a plurality of layers perpendicular to the direction in which the microwaves are transmitted.

결론적으로, 상술한 바와 같은 구조의 상기 DC 단차부(200)는 마이크로웨이브가 전송되는 양단의 고전압을 차단하여 직류 절연을 형성하고, 동시에 마이크로웨이브의 외부 노출을 최소화하며, 플라즈마 발생장치로 효과적인 전파가 이루어질 수 있도록 한다.In conclusion, the DC stepped part 200 having the structure as described above blocks the high voltage at both ends of the microwave transmission to form DC insulation, minimizes the external exposure of the microwave, and effectively propagates to the plasma generator. To be made.

상기 플라즈마 발생부(300)는 상기 DC 차단부(DC breaker:200)의 말단부에 배치되어 내부공간으로 플라즈마 발생 가스가 주입되면, 상기 마이크로 웨이브 소스(100)에서 생성되어 전송되는 마이크로웨이브의 방전에 의해 플라즈마를 발생시킨다.The plasma generator 300 is disposed at the distal end of the DC breaker 200, and when the plasma generating gas is injected into the internal space, the plasma generator 300 generates a microwave generated by the microwave source 100 to discharge the microwave. Thereby generating plasma.

구조적으로, 상기 플라즈마 발생부(300)는 세로방향으로 배치된 상기 DC 차단부(DC breaker:200)와 수직하게 가로방향으로 배치되어 마이크로웨이브의 방전에 의해 상기 플라즈마를 발생시킨다.Structurally, the plasma generation unit 300 is disposed in the horizontal direction perpendicular to the DC breaker (200) disposed in the vertical direction to generate the plasma by the discharge of the microwave.

플라즈마 방전관이라고도 하는 상기 플라즈마 발생부(300)는 도 1에 도시된 바와 같이 말단에 고전압 대전부(400)가 형성되어 고전압 전원부(500)로부터 고전압을 인가받는다.The plasma generating unit 300, also called a plasma discharge tube, has a high voltage charging unit 400 formed at an end thereof to receive a high voltage from the high voltage power supply unit 500 as shown in FIG. 1.

이때, 상기 고전압 전원부(500)에서 고전압 대전부(400)로 인가되는 전원의 크기에 따라 전기적 포텐셜을 제어할 수 있다.In this case, the electrical potential may be controlled according to the magnitude of the power applied from the high voltage power supply unit 500 to the high voltage charging unit 400.

즉, 본 발명에 따른 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원은 상기 고전압 대전부(400)를 포함하여, reactive particle의 에너지를 높여 세라믹 코팅막의 치밀도를 향상(기공율≤1%)시켜 반도체 제조공정에 활용가능한 세라믹 융사코팅 공정에 적용이 가능하다.That is, the microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma source according to the present invention includes the high voltage charging unit 400, thereby increasing the energy of the reactive particles to improve the density of the ceramic coating film (porosity ≤ 1%) and the semiconductor It can be applied to ceramic melt coating process that can be used in manufacturing process.

한편, 상기 플라즈마 발생부(300)를 통해 플라즈마가 발생되는 전단부에 플라즈마 처리가 필요한 샘플부(600)가 위치하는데, 상기 샘플부(600)는 도 1에 도시된 바와 같이 접지되어 접지 전극부로 작용함으로써 상기 고전압 대전부(400)와의 전위차를 형성하여 높은 포텐셜의 플라즈마 처리가 가능하다.Meanwhile, the sample part 600 requiring plasma treatment is positioned at the front end portion where the plasma is generated through the plasma generator 300, and the sample part 600 is grounded to a ground electrode part as shown in FIG. 1. By acting, a potential difference with the high voltage charging unit 400 is formed to enable high potential plasma treatment.

즉, 상기 플라즈마 발생부(300)에서 발생된 플라즈마는 상기 고전압 대전부(400)와 접지된 상기 샘플부(600)와의 높은 전위차에 의해 상기 샘플부(600)로 강하게 입사하게 됨으로써 효과적인 샘플처리가 가능하다.That is, the plasma generated by the plasma generating unit 300 is strongly incident into the sample unit 600 by the high potential difference between the high voltage electrification unit 400 and the grounded sample unit 600. It is possible.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 하기에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
As described above, although the present invention has been described by means of a limited embodiment and drawings, the present invention is not limited thereto and by those skilled in the art to which the present invention pertains, Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

100 : 마이크로 웨이브 소스
200 : DC 차단부(DC breaker)
300 : 플라즈마 발생부
400 : 고전압 대전부
500 : 고전압 전원부
600 : 샘플부100: microwave source
200: DC breaker
300: plasma generating unit
400: high voltage charging unit
500: high voltage power supply
600: sample part

Claims (6)

마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 소스(100);
상기 마이크로웨이브 소스(100)에서 생성된 마이크로웨이브를 전송하고 상기 마이크로웨이브 DC를 차단하는 DC 차단부(DC breaker: 200);
상기 마이크로 웨이브 소스(100)에서 생성되어 전송되는 마이크로웨이브의 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부(300); 및
상기 플라즈마 발생부(300)의 말단부에 형성되어 고전압 전원부(500)로부터 고전압을 인가받아 대전되는 고전압 대전부(400);를 포함하여,
샘플부(600)를 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원.
A microwave source 100 for producing a microwave;
A DC breaker (200) for transmitting the microwave generated by the microwave source 100 and blocking the microwave DC;
A plasma generator 300 generating plasma by discharge of microwaves generated and transmitted from the microwave source 100; And
And a high voltage charging unit 400 formed at an end of the plasma generating unit 300 to receive a high voltage from the high voltage power supply unit 500.
Microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low-vacuum plasma source, characterized in that for plasma treatment of the sample unit (600).
제 1항에 있어서,
상기 샘플부(600)는 접지되어 상기 고전압 대전부(400)와의 전기적 포텐셜을 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원.
The method of claim 1,
The sample unit 600 is grounded to form an electrical potential with the high voltage electrification unit 400, the microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma generation source.
제 2항에 있어서,
상기 고전압 전원부(500)에서 고전압 대전부(400)로 인가되는 전원의 크기에 따라 상기 전기적 포텐셜을 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원.
The method of claim 2,
Microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low-vacuum plasma generator, characterized in that for controlling the electrical potential in accordance with the size of the power applied from the high voltage power supply unit 500 to the high voltage charging unit (400).
제 3항에 있어서,
상기 DC 차단부(DC breaker: 200)는
인가되는 고전압이 0~30kV 영역에서 단층 구조의 DC 차단부인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원.
The method of claim 3, wherein
The DC breaker 200
Microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low-vacuum plasma generator, characterized in that the DC block of the single-layer structure in the high voltage applied range 0 ~ 30kV.
제 3항에 있어서,
상기 DC 차단부(DC breaker: 200)는
인가되는 고전압이 30~100kV 이상의 영역에서는 절연체와 금속이 복수회 적층 적층된 다층 구조의 DC 차단부인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원.
The method of claim 3, wherein
The DC breaker 200
Microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low vacuum plasma source, characterized in that the DC block portion of the multi-layer structure in which the insulator and the metal is laminated in a plurality of times in the region where the applied high voltage is 30 ~ 100kV or more.
제 3항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부(300)는
상기 마이크로웨이브를 인가하여 마이크로웨이브 플라즈마를 발생시키고 이후에 고전압 직류 전원을 플라즈마 발생원과 샘플부(600) 사이에 인가하여 발생된 플라즈마를 추가적인 에너지를 가하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브-직류 혼합형 대기압 또는 저진공 플라즈마 발생원.The method of claim 3, wherein
The plasma generator 300
The microwave is applied to generate a microwave plasma, and then a high voltage direct current is applied between the plasma generator and the sample unit 600 to apply additional energy to the generated microwave-direct current mixed atmospheric pressure or low pressure. Vacuum plasma source.
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