KR20190096145A - Fluorous Developer Solutions with Additives for Highly Fluorinated Photoresists and Processing Method for Organic Light-Emitting Diodes display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 실라잔(silazane) 유도체 또는 하이드로실란(hydrosilane) 유도체 중 어느 하나 이상을 포함하는 불소계 현상 용제용 첨가제, 이와 불소계 현상 용제를 포함하는 불소계 현상 용매 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 디스플레이 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an additive for a fluorine-based developing solvent comprising at least one of a silazane derivative or a hydrosilane derivative, a fluorine-based developing solvent comprising a fluorine-based developing solvent, and a method of manufacturing an organic light emitting diode display using the same. will be.
유기 발광 다이오드 디스플레이는 핸드폰, TV에 적용되고 있다. 양 전극 사이에 다층의 유기물 층으로 구성되어 있는 유기 발광 다이오드가 컬러디스플레이에 적용되기 위해 하나의 픽셀은 여러 색의 서브 픽셀들을 요구한다. 현재 휴대폰에 사용되고 있는 화소 형성 방식으로 빨강, 녹색, 청색의 삼원색에 해당하는 발광층을, 해당하는 서브 픽셀 위치에 증착시키기 위한 미세 메탈 마스크 방식이 사용되고 있다. 해상도가 높아질수록 서브 픽셀의 크기와 서로 간의 간격이 좁아지는 문제가 있어, 이를 해결하기 위해서 메탈마스크의 두께를 줄이고 있으나, 해상도가 높아질수록 구현 가능한 메탈마스크의 최소두께 한계에 다다르고 있고 해당 메탈마스크 제작비용 및 유지관리 비용 또한 증가하고 있다.Organic light emitting diode displays are being applied to mobile phones and TVs. In order for an organic light emitting diode, which is composed of a multilayer organic layer between both electrodes, to be applied to a color display, one pixel requires subpixels of various colors. As a pixel forming method currently used in mobile phones, a fine metal mask method for depositing a light emitting layer corresponding to three primary colors of red, green, and blue at a corresponding sub pixel position is used. As the resolution increases, there is a problem that the size of the subpixels and the spacing between each other are narrowed. In order to solve this problem, the thickness of the metal mask is reduced. However, as the resolution increases, the limit of the minimum thickness of the metal mask that can be realized is reached. Manufacturing and maintenance costs are also increasing.
무기물 반도체 제조에 사용되는 패터닝 기술인 포토리소그래피 공정을 유기반도체 패터닝에 적용하기 위한 기술로서, 대한민국공개특허 제10-2014-0019341호 “박막 장치에서 재료를 패터닝하는 공정”에서는 불소계 포토레지스트와 비불소계 포토레지스트를 다층으로 이용, 각각의 노광 파장 및 세기를 달리하여 패터닝하는 것에 대한 개념특허를 제시하고 있다.A technology for applying a photolithography process, which is a patterning technique used for manufacturing an inorganic semiconductor, to organic semiconductor patterning, is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2014-0019341 “Process for Patterning Materials in Thin Film Devices”. Conceptual patents have been proposed for using resists in multiple layers and patterning at different exposure wavelengths and intensities.
고불소계 포토레지스트가 미세 메탈마스크 기술을 대체하기 위해서는 포토 리소그라피 패터닝 공정을 적용한 유기 발광 다이오드의 성능이 기존 메탈마스크를 사용한 유기 발광 다이오드 대비 감소하는 성능의 폭을 최소화해야 한다. 또한, 동시에 발광 스펙트럼도 유지해야 한다. 기존 특허에서는 실제 포토 리소그라피 패터닝 공정을 적용하여 제조되는 유기 발광 다이오드의 성능 감소에 대한 언급이 없다. 고불소화 포토레지스트를 유기 발광 다이오드 디스플레이에 적용 시 성능저하의 원인으로는 현상 용매에 의한 하부 유기 전자재료 박막의 침해를 고려할 수 있으나, 완성된 저분자 증착 유기 발광 다이오드를 불소 용제에 담그는 테스트를 통해 성능저하가 일어나지 않는다는 연구가 Adv. Optical Mater. 2014, 2, 1043, "Photo-patterning of Highly Efficient State-of-the-Art Phosphorescent OLEDs Using Orthogonal Hydrofluoroethers"에 보고된 바 있다. 이를 통해 추정하면, 노광 후 현상공정에서 레지스트가 제거된 부분에 현상액에 녹아있는 레지스트 잔류물이 재침착 되거나 하부 박막과 물리적으로 강하게 결합되어 있는 극소량의 고불소화 포토레지스트 잔류물에 의해 성능저하가 일어날 것으로 예상된다. 혹은 OLED 공통층인 정공 수송층 위에서 고불소화 포토레지스트를 적용한 포토 패터닝 공정을 수행할 경우, 고불소화 포토레지스트를 구성하는 전기 음성도가 큰 불소 원자와 하부 접촉해 있는 일부분의 정공 수송층 분자의 변성(특히 산화)에 의해 성능저하가 일어날 수 있을 것으로 생각된다.In order for the high fluorine-based photoresist to replace the fine metal mask technology, the performance of the organic light emitting diode using the photolithography patterning process should be minimized compared to the organic light emitting diode using the metal mask. At the same time, the emission spectrum must also be maintained. In the existing patents, there is no mention of reducing the performance of the organic light emitting diode manufactured by applying the actual photolithography patterning process. When the high fluorinated photoresist is applied to the organic light emitting diode display, the degradation of the lower organic electronic material thin film due to the developing solvent may be considered, but the performance through the test of immersing the completed low molecular weight organic light emitting diode in the fluorine solvent Studies show that no degradation occurs in Adv. Optical Mater. 2014, 2, 1043, "Photo-patterning of Highly Efficient State-of-the-Art Phosphorescent OLEDs Using Orthogonal Hydrofluoroethers". Inferred from this, performance degradation may be caused by a very high amount of highly fluorinated photoresist residues, which are redeposited in the developing solution after the exposure, and the resist residues dissolved in the developer are physically bound to the lower thin film. It is expected. Alternatively, when the photo patterning process using the high fluorinated photoresist is performed on the hole transport layer, which is an OLED common layer, the denaturation of a part of the hole transport layer molecules in lower contact with the electronegative fluorine atom constituting the high fluorine photoresist (particularly, Performance degradation may occur.
따라서 이러한 문제점을 해결할 수 있는 기술의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, it is necessary to develop a technology that can solve these problems.
본 발명의 목적은 순수한 불소 용제만 사용한 현상 공정 대비 성능이 향상된 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제조할 수 있는 불소계 현상 용제용 첨가제를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an additive for a fluorine-based developing solvent capable of producing an organic light emitting diode display having improved performance compared to a developing process using only pure fluorine solvent.
본 발명의 다른 목적은 순수한 불소 용제만 사용한 현상 공정 대비 성능이 향상된 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제조할 수 있는 불소계 현상 용매를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a fluorine-based developing solvent capable of producing an organic light emitting diode display having improved performance compared to a developing process using only pure fluorine solvent.
본 발명의 또 다른 목적은 순수한 불소 용제만 사용한 현상 공정 대비 성능이 향상된 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display having improved performance compared to a developing process using only pure fluorine solvent.
본 발명의 또 다른 목적은 순수한 불소 용제만 사용한 현상 공정 대비 성능이 향상된 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display having improved performance compared to a developing process using only pure fluorine solvent.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실라잔(silazane) 유도체 또는 하이드로실란(hydrosilane) 유도체 중 어느 하나 이상을 포함하는 불소계 현상 용제용 첨가제를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an additive for a fluorine-based developing solvent comprising at least one of a silazane derivative or a hydrosilane derivative.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 불소계 현상 용제용 첨가제 및 불소계 현상 용제를 포함하는 불소계 현상 용매를 제공한다.In order to achieve the above another object, the present invention provides a fluorine-based developing solvent comprising the additive for the fluorine-based developing solvent and the fluorine-based developing solvent.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 불소계 현상 용매를 현상 단계에서 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제공한다.In order to achieve the above another object, the present invention provides an organic light emitting diode display, characterized in that manufactured using the fluorine-based developing solvent in the development step.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 불소계 현상 용매를 사용한 현상 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디스플레이의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above another object, the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting diode display comprising the development step using the fluorine-based development solvent.
본 발명은 실라잔(silazane) 유도체 또는 하이드로실란(hydrosilane) 유도체 중 어느 하나 이상을 포함하는 불소계 현상 용제용 첨가제, 이를 이용한 불소계 현상 용매, 유기 발광 다이오드 디스플레이 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 현상 용매는 고불소화 포토레지스트를 이용하여 유기 발광 다이오드 디스플레이 화소를 패터닝할 때 사용되는 현상액으로서, 포토리소그래피 공정에 의한 유기 발광 다이오드의 성능저하를 최소화시킬 수 있고, 현상액에 의해 제거된 고불소화 포토레지스트 성분들이 음영으로 드러난 유기 발광 다이오드 기판 위에 재침착 되지 않도록 하며, 전기 음성도가 매우 강한 불소에 의해 산화된 극미량의 하부박막 부분이 환원반응을 통해 성능을 회복하도록 할 수 있다.The present invention relates to an additive for a fluorine-based developing solvent comprising at least one of a silazane derivative or a hydrosilane derivative, a fluorine-based developing solvent, an organic light emitting diode display, and a method of manufacturing the same. The developing solvent according to the present invention is a developer used when patterning an organic light emitting diode display pixel by using a high fluorinated photoresist, which can minimize performance degradation of the organic light emitting diode by a photolithography process and remove the high fluorinated photo by the developer. It is possible to prevent the resist components from being redeposited on the shaded organic light emitting diode substrate, and to allow the ultra-negative trace of the lower thin film portion oxidized by fluorine to be highly restored to recover performance.
도 1은 본 발명에 따른 현상액을 이용하여 유기 발광 다이오드를 제조하는 단계를 도식적으로 나타낸 공정 흐름도이다.
도 2는 실시예 및 비교예의 휘도와 전류효율 그래프를 나타낸 것이다.1 is a process flow diagram schematically illustrating a step of manufacturing an organic light emitting diode using the developer according to the present invention.
Figure 2 shows the luminance and current efficiency graphs of Examples and Comparative Examples.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
포토 리소그래피 공정은 노광 후 원하는 포토레지스트 패턴을 얻기 위해 원하지 않는 부분을 용해시켜 제거하는 현상 공정을 거친다. 고불소화 포토레지스트는 통상적인 유기재료 및 유기 용매와 매우 제한적인 상용성(相溶性)을 보이기 때문에, 유기 발광 다이오드 디스플레이의 미세 화소 형성에 현재 사용되고 있는 미세메탈마스크(FMM) 증착 방법의 대안이 될 수 있고, 해상도 면에서 현재 미세메탈마스크 방법이 가지고 있는 한계를 극복하는 방법일 수 있으나, 고불소화 포토레지스트 박막을 불소 용제를 사용해 현상하는 과정에서 하부박막에 대한 손상이 나타난다는 문제점이 있다.The photolithography process is followed by a developing process in which unwanted portions are dissolved and removed to obtain a desired photoresist pattern after exposure. Since the high fluorinated photoresist exhibits very limited compatibility with conventional organic materials and organic solvents, it may be an alternative to the micrometal mask (FMM) deposition method currently used for forming micro pixels in organic light emitting diode displays. Although it may be a method of overcoming the limitations of the present micro metal mask method in terms of resolution, there is a problem in that damage to the lower thin film appears in the process of developing a highly fluorinated photoresist thin film using a fluorine solvent.
이에, 본 발명의 발명자들은 고불소화 포토레지스트의 현상액의 주성분인 불소 용제가 유기 발광 다이오드 유기층에 대한 침해성이 적다는 사실을 바탕으로, 성능이 향상된 유기 발광 다이오드의 제조방법을 연구하던 중, 순수한 불소 용제에 극소량의 첨가제를 추가하는 경우, 순수한 불소용제만 사용한 현상 공정 대비 하부박막에 대한 손상이 최소화되고, 유기 발광 다이오드의 안정적인 구동을 이끌어낼 수 있을 뿐만 아니라 성능도 향상되며, 반복적인 포토 리소그라피 공정을 통해 다색 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제조할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.Accordingly, the inventors of the present invention, while researching a method for manufacturing an organic light emitting diode with improved performance, based on the fact that the fluorine solvent, which is a main component of the developer of the high fluorinated photoresist, is less invasive to the organic light emitting diode organic layer, When a small amount of additive is added to the fluorine solvent, damage to the lower thin film is minimized compared to the development process using only pure fluorine solvent, it can lead to stable driving of the organic light emitting diode, and also improve the performance, and iterative photolithography The present invention was completed by confirming that a multicolor organic light emitting diode display can be manufactured through the process.
따라서, 본 발명은 실라잔(silazane) 유도체 또는 하이드로실란(hydrosilane) 유도체 중 어느 하나 이상을 포함하는 불소계 현상 용제용 첨가제를 제공한다.Accordingly, the present invention provides an additive for a fluorine-based developing solvent comprising at least one of a silazane derivative or a hydrosilane derivative.
상기 첨가제는 불소계 현상 용매 100 부피%에 대하여 0.001% 내지 1%의 부피로 포함될 수 있고, 보다 바람직하게는 0.005% 내지 0.1%의 부피로 포함될 수 있는 바, 상기 수치 범위보다 적게 포함되는 경우, 첨가제로서의 기능을 나타낼 수 없고, 상기 수치 범위보다 많이 포함되는 경우, 레지스트 박막이 박리되거나 원하는 패턴이 형성되지 못할 수 있으므로 바람직하지 않다.The additive may be included in a volume of 0.001% to 1% with respect to 100% by volume of the fluorine-based developing solvent, more preferably may be included in a volume of 0.005% to 0.1%, if less than the numerical range, the additive If it does not exhibit a function as, and contains more than the above numerical range, it is not preferable because the resist thin film may be peeled off or the desired pattern may not be formed.
상세하게는, 상기 실라잔 유도체는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:In detail, the silazane derivative may be represented by the following Chemical Formula 1:
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, R1 내지 R3는 각각 동일하거나 상이하며, (C1~C6)알킬, 아릴 및 (C1~C2)알킬로 치환된 아민으로 구성된 군에서 선택된다.In Formula 1, R 1 to R 3 are the same or different and are selected from the group consisting of amines substituted with (C 1 -C 6) alkyl, aryl and (C 1 -C 2) alkyl.
보다 상세하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 실라잔 유도체는 하기 화학식 1-1 또는 1-2로 표시될 수 있다:More specifically, the silazane derivative represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 1-1 or 1-2:
[화학식 1-1][Formula 1-1]
[화학식 1-2][Formula 1-2]
또한, 상기 하이드로실란 유도체는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다:In addition, the hydrosilane derivative may be represented by the following formula (2):
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 2에서, R1 내지 R3는 각각 동일하거나 상이하며, (C1~C3)알킬, (C1~C3)알킬로 치환된 실릴 및 (C1~C3)알킬로 치환된 실릴알콕시로 이루어진 군에서 선택된다.In Chemical Formula 2, R 1 to R 3 are the same or different, and in the group consisting of silyl substituted with (C 1 -C 3) alkyl, (C 1 -C 3) alkyl and silylalkoxy substituted with (C 1 -C 3) alkyl Is selected.
보다 상세하게는, 상기 화학식 2로 표시되는 하이드로실란 유도체는 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시될 수 있다:More specifically, the hydrosilane derivative represented by Chemical Formula 2 may be represented by the following Chemical Formula 2-1 or 2-2:
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
본 발명에 따르면, 상기 실라잔 유도체 또는 하이드로실란 유도체를 단독으로 사용하여 유기 발광 다이오드의 성능을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 조합하여 사용하여 유기 발광 다이오드의 성능을 극대화할 수 있다. According to the present invention, the silazane derivative or the hydrosilane derivative may be used alone to improve the performance of the organic light emitting diode, and may be used in combination to maximize the performance of the organic light emitting diode.
가장 바람직하게는, 화학식 1-1로 표시되는 화합물과 화학식 2-2로 표시되는 화합물을 함께 사용하여, 즉, 현상 단계에서 화학식 1-1로 표시되는 화합물이 포함된 첨가제를 사용한 현상 용매에 담근 뒤, 화학식 2-2로 표시되는 화합물이 포함된 첨가제를 사용한 현상 용매에 담그는 과정을 거침으로써 유기 발광 다이오드의 성능을 극대화할 수 있다.Most preferably, the compound represented by the formula (1-1) and the compound represented by the formula (2-2) are used together, that is, in the developing step, immersed in a developing solvent using an additive containing the compound represented by the formula (1-1). Afterwards, the performance of the organic light emitting diode may be maximized by immersing it in a developing solvent using an additive including the compound represented by Formula 2-2.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 불소계 현상 용제는 불소 원자의 수가 수소 원자의 수보다 많은 액상의 화합물을 포함하고 있을 수 있다. In one embodiment of the present invention, the fluorine-based developing solvent may contain a liquid compound having a greater number of fluorine atoms than the number of hydrogen atoms.
이때, 상기 불소계 현상 용제는 하이드로플루오로에터(hydrofluoroether)계 화합물 또는 퍼플루오로카본(Perfluorocarbons)계 화합물일 수 있으며, 상세하게는 상기 하이드로플루오로에터계 화합물은 1-메톡시헵타플루오로프로판( 1-methoxyheptafluoropropane ; HFE-7000), 메톡시노나플루오로부탄( Methoxynonafluorobutane ; HFE-7100), 에톡시-노나플루오로부탄(ethoxy-nonafluorobutane ; HFE-7200), 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-데카플루오로-3-메톡시-4-(트리플루오로메틸)-펜탄(1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4-(trifluoromethyl)-pentane ; HFE-7300), 2-트리플루오로메틸-3-에톡시도데코플루오로헥산(2-trifluoromethyl-3-ethoxydodecofluorohexane ; HFE-7500) 또는 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로-4-(1,1,2,3,3,3-헥사플루오로프로폭시)-펜탄(1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4-(1,1,2,3,3,3,-hexafluoropropoxy)-pentane ; HFE-7600)일 수 있고, 상기 퍼플루오로카본계 화합물은 n-퍼플루오로헥산(n-perfluorohexane; C6F14), 퍼플루오로데칼린(perfluorodecalin ; C10F18), 퍼플루오로폴리에터(perfluoropolyethers; PFPEs), 퍼플루오로카본(perfluorocarbons ; PFCs) 또는 하이드로클로로플루오로카본(hydrochlorofluorocarbons ; HCFCs)일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.In this case, the fluorine-based developing solvent may be a hydrofluoroether compound or a perfluorocarbons compound, and in detail, the hydrofluoroether compound may be 1-methoxyheptafluoropropane. (1-methoxyheptafluoropropane (HFE-7000), Methoxynonafluorobutane (HFE-7100), ethoxy-nonafluorobutane (HFE-7200), 1,1,1,2,2 , 3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4- (trifluoromethyl) -pentane (1,1,1,2,2,3,4,5,5,5 -decafluoro-3-methoxy-4- (trifluoromethyl) -pentane; HFE-7300), 2-trifluoromethyl-3-ethoxydodecofluorohexane (HFE-7500) or 1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4- (1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy) -pentane (1,1,1,2,3, 3-hexafluoro-4- (1,1,2,3,3,3, -hexafluoropropoxy) -pentane; HFE-7600), wherein the perfluorocarbon compound is n N-perfluorohexane (C6F14), perfluorodecalin (C10F18), perfluoropolyethers (PFPEs), perfluorocarbons (PFCs) or hydrochlorofluorocarbons (hydrochlorofluorocarbons; HCFCs), but is not limited thereto.
더욱이, 본 발명은 상기 불소계 현상 용제용 첨가제 및 불소계 현상 용제를 포함하는 불소계 현상 용매를 제공한다.Furthermore, the present invention provides a fluorine-based developing solvent comprising the additive for fluorine-based developing solvent and the fluorine-based developing solvent.
상기 불소계 현상 용제는 불소 원자의 수가 수소 원자의 수보다 많은 액상의 화합물을 포함할 수 있다.The fluorine-based developing solvent may include a liquid compound in which the number of fluorine atoms is larger than the number of hydrogen atoms.
즉, 상기 불소계 현상 용제는 하이드로플루오로에터(hydrofluoroether)계 화합물 또는 퍼플루오로카본(Perfluorocarbons)계 화합물일 수 있는 바, 보다 구체적으로는, 상기 하이드로플루오로에터계 화합물은 1-메톡시헵타플루오로프로판( 1-methoxyheptafluoropropane ; HFE-7000), 메톡시노나플루오로부탄( Methoxynonafluorobutane ; HFE-7100), 에톡시-노나플루오로부탄(ethoxy-nonafluorobutane ; HFE-7200), 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-데카플루오로-3-메톡시-4-(트리플루오로메틸)-펜탄(1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4-(trifluoromethyl)-pentane ; HFE-7300), 2-트리플루오로메틸-3-에톡시도데코플루오로헥산(2-trifluoromethyl-3-ethoxydodecofluorohexane ; HFE-7500) 또는 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로-4-(1,1,2,3,3,3-헥사플루오로프로폭시)-펜탄(1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4-(1,1,2,3,3,3,-hexafluoropropoxy)-pentane ; HFE-7600)일 수 있고, 상기 퍼플루오로카본계 화합물은 n-퍼플루오로헥산(n-perfluorohexane; C6F14), 퍼플루오로데칼린(perfluorodecalin ; C10F18), 퍼플루오로폴리에터(perfluoropolyethers ; PFPEs), 퍼플루오로카본(perfluorocarbons ; PFCs) 또는 하이드로클로로플루오로카본(hydrochlorofluorocarbons ; HCFCs)일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.That is, the fluorine-based developing solvent may be a hydrofluoroether compound or a perfluorocarbons compound. More specifically, the hydrofluoroether compound may be 1-methoxyhepta. 1-methoxyheptafluoropropane (HFE-7000), Methoxynonafluorobutane (HFE-7100), ethoxy-nonafluorobutane (HFE-7200), 1,1,1, 2,2,3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4- (trifluoromethyl) -pentane (1,1,1,2,2,3,4,5, 5,5-decafluoro-3-methoxy-4- (trifluoromethyl) -pentane; HFE-7300), 2-trifluoromethyl-3-ethoxydodecofluorohexane; HFE- 7500) or 1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4- (1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy) -pentane (1,1,1,2 , 3,3-hexafluoro-4- (1,1,2,3,3,3, -hexafluoropropoxy) -pentane; HFE-7600), and the perfluorocarbonization Water is n-perfluorohexane (C6F14), perfluorodecalin (C10F18), perfluoropolyethers (PFPEs), perfluorocarbons (PFCs) or hydrochloro Hydrochlorofluorocarbons (HCFCs), but are not limited thereto.
더불어, 본 발명은 상기 불소계 현상 용매를 현상 단계에서 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디스플레이를 제공한다.In addition, the present invention provides an organic light emitting diode display, which is manufactured using the fluorine-based developing solvent in the developing step.
또한, 본 발명은 상기 불소계 현상 용매를 사용한 현상 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디스플레이의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting diode display, comprising the developing step using the fluorine-based developing solvent.
본 발명의 일 실시예에서, 유기 발광 다이오드는 여러 OLED층이 포함되어 있거나 혹은 포함되어 있지 않은 전극 기판 위에, 화소 형성을 위해 고불소화 포토레지스트를 코팅하여 노광한 후, 현상 과정을 진행하여 제조할 수 있으며, 상기 현상 과정 시에 본 발명에 따른 상기 첨가제가 투입된 현상액을 적용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the organic light emitting diode may be manufactured by coating a highly fluorinated photoresist to form a pixel on the electrode substrate, which may or may not include a plurality of OLED layers, followed by developing. In the developing process, the developer may be applied with the additive added according to the present invention.
또한, 다색 화소를 패턴하기 위해, 본 발명에 따른 포토 리소그래피 공정을 여러 번 반복할 수 있으며, 이 경우 노광 후 현상하는 과정이 같은 횟수 반복되는데, 본 발명에 따른 상기 첨가제가 투입된 현상 용매를 적어도 한 번 이상 사용할 수 있다.In addition, in order to pattern the multi-color pixel, the photolithography process according to the present invention may be repeated several times. In this case, the process of developing after exposure is repeated the same number of times. Can be used more than once.
도 1을 참조하여, 각 과정을 보다 상세히 서술하면, 상기 유기 발광 다이오드 디스플레이 제조방법은 다음과 같은 과정을 포함한다: 1) 투명 혹은 반사 전극 위에 OLED 층을 포함하거나 포함하지 않은 기판에 고불소화 포토레지스트 층을 코팅하는 단계; 2) 네거티브 혹은 포지티브 고불소계 포토레지스트 패턴 형성에 맞추어 포토 마스크를 통해 노광하는 단계; 3) 본 발명에 따른 첨가제를 포함한 고불소계 현상액을 이용하여 고불소화 포토레지스트의 패턴을 형성하는 단계; 및 4) 발광층을 포함한 OLED 층을 증착 혹은 잉크젯 공정을 통해 형성하는 단계.Referring to FIG. 1, each process will be described in more detail. The method of manufacturing the organic light emitting diode display includes the following processes: 1) a high fluorinated photo on a substrate with or without an OLED layer on a transparent or reflective electrode; Coating a layer of resist; 2) exposing through a photo mask in accordance with formation of a negative or positive high fluorine-based photoresist pattern; 3) forming a pattern of the high fluorinated photoresist using a high fluorine-based developer comprising the additive according to the present invention; And 4) forming an OLED layer including a light emitting layer through a deposition or inkjet process.
상기 단계 2) 이후, 용제 제거를 위한 열처리 공정을 추가적으로 수행할 수 있고, 또한 상기 과정을 생략할 수 있다.After the step 2), a heat treatment process for removing the solvent may be additionally performed, and the process may be omitted.
또한, 상기 단계 3)에서, 패턴 형성 시에, 기판을 상기 현상액에 담그거나, 현상액을 기판에 스프레이 방식으로 뿌리는 방식을 이용할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.In addition, in step 3), when the pattern is formed, a method of dipping the substrate in the developer or spraying the developer on the substrate may be used, but is not limited thereto.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 다만 하기의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이며 본 발명의 내용을 예시하는 것일 뿐이므로 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples will be described in detail to help understand the present invention. However, the following examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the scope of the present invention is not limited to the following examples, only to illustrate the contents of the present invention. no.
<실험예 1> 실시예 1 및 2, 비교예 A의 제조Experimental Example 1 Preparation of Examples 1 and 2 and Comparative Example A
먼저, 패턴된 에노드 인듐주석산화물(ITO) 기판 위에 정공 주입층인 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌헥사카르보나이트릴(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile ; HATCN)층 10 nm를 형성하였다. 정공 수송층으로는 N,N'-다이(1-나프틸)-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine ; NPB)층 30 nm 와 N4, N4'-비스(다이벤조[b,d]티오펜-4-일)-N4,N4'-다이페닐바이페닐-4,4'-다이아민(N4,N4′-bis(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-N4,N4′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine ; DBTPB)층 10 nm를 진공증착방식으로 형성하였다. First, 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (1,4,5,8,9, which is a hole injection layer on a patterned indium indium tin oxide (ITO) substrate 11 nm of 11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HATCN) layer was formed. As the hole transport layer, N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl- (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (N, N'-Di ( 1-naphthyl) -N, N'-diphenyl- (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (NPB)
정공 주입층 및 정공 수송층을 포함한 기판 위에 Journal of Materials Chemistry C 2017, 5, 926 에 보고된 칼릭사렌 기반 고불소화 포토레지스트 및 광산발산제를 불소 용매 HFE-7300 에 10 wt% 로 녹인 용액을 2000 rpm, 60초 동안 스핀 코팅하였다. 용매를 건조하기 위해 60℃에서, 60초 간 열처리 후, 포토 마스크를 통해 노광 후 60℃에서, 60초 간 열처리를 진행하였다. 이후, 고불소계 포토레지스트를 하기와 같은 구성의 현상액을 이용하여 현상하였다.On a substrate including a hole injection layer and a hole transport layer, a solution of 10 wt% of a calixarene-based high fluorinated photoresist and a photoacid emitter reported in Journal of Materials Chemistry C 2017, 5, 926 in fluorine solvent HFE-7300 at 2000 rpm was used. , Spin coated for 60 seconds. After drying at 60 ° C. for 60 seconds to dry the solvent, heat treatment was performed at 60 ° C. for 60 seconds after exposure through a photo mask. Thereafter, the high fluorine-based photoresist was developed using a developer having the following configuration.
- 비교예 A: 기판을 HFE-7300 에 3분간 담갔다.Comparative Example A: The substrate was immersed in HFE-7300 for 3 minutes.
- 실시예 1: 기판을 HFE-7300 및 화합물 1-1 (부피비 0.005%)의 혼합용액에 3분간 담갔다.Example 1: The substrate was immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 1-1 (volume ratio 0.005%) for 3 minutes.
- 실시예 2: 기판을 HFE-7300 및 화합물 1-1 (부피비 0.005%)의 혼합용액에 2분, HFE-7300 및 화합물 2-2 (부피비 0.1%)의 혼합용액에 1분간 담갔다.Example 2: The substrate was immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 1-1 (volume ratio 0.005%) for 2 minutes and in a mixed solution of HFE-7300 and compound 2-2 (volume ratio 0.1%) for 1 minute.
이후, 현상액에서 꺼내어 질소 건으로 말린 후, 진공 증착 챔버에서 발광 층으로서 호스트인 4,4'-피스(N-카르바졸릴)-1,1'-바이페닐(4,4′-Bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl ; CBP)에 도판트인 트리스[2-페닐피리디나토-C2,N]이리듐(III)(Tris[2-phenylpyridinato-C2,N]iridium(III) ; Ir(ppy)3)가 20 wt%로 도핑된 층을 20nm 형성하였다. Then, taken out of the developer and dried with a nitrogen gun, the host was 4,4'-piece (N-carbazolyl) -1,1'-biphenyl (4,4'-Bis (N-) as a light emitting layer in a vacuum deposition chamber. carbazolyl) -1,1′-biphenyl; CBP) tris [2-phenylpyridinato-C2, N] iridium (III) (Tris [2-phenylpyridinato-C2, N] iridium (III); Ir ( 20 nm of a layer doped with ppy) 3) at 20 wt% was formed.
전자 수송층으로서는 2,2',2''-(1,3,5-벤지네트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤지이미다졸)(2,2′,2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole; TPBI)층 40 nm, 전자 주입층으로서 LiF층을 0.7 nm 증착하고, Al층을 증착시켰다. 전술한 방법으로 소자 실시예 1~2와 비교예 A는 동시에 증착 및 제작되었다. As the electron transporting layer, 2,2 ', 2' '-(1,3,5-benzynetylyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole) (2,2', 2 "-(1 A 40 nm, 3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole; TPBI) layer, 0.7 nm of a LiF layer was deposited as an electron injection layer, and an Al layer was deposited. Examples 1 and 2 and Comparative Example A were deposited and fabricated at the same time.
이후, 소자를 흡습제를 포함한 유리 덮개, UV 경화제를 이용하여 봉지하였다. OLED 소자의 전류-전압-휘도 특성을 동시에 측정하였고, 해당소자의 전류효율(CE), 전력효율(PE), 양자효율(EQE)을 컴퓨터로 계산하였다. 이때, 각각의 단위는 cd/A, lm/W, %이다. Thereafter, the device was sealed using a glass lid including a moisture absorbent and a UV curing agent. The current-voltage-luminance characteristics of OLED devices were measured simultaneously, and the current efficiency (CE), power efficiency (PE), and quantum efficiency (EQE) of the device were calculated by computer. In this case, each unit is cd / A, lm / W,%.
그 결과로 얻어진 소자 데이터는 표 1에 기재하였다. 도 2는 휘도, 전류효율을 나타낸 그래프이다.The resulting device data is shown in Table 1. 2 is a graph showing luminance and current efficiency.
CE at 1000 nitMax CE,
CE at 1000 nit
CE at 1000 nitMax PE,
CE at 1000 nit
EQE at 1000 nitMax EQE,
EQE at 1000 nit
HFE-7300 + 화합물 2-2 (1분)HFE-7300 + Compound 1-1 (2 minutes) /
HFE-7300 + Compound 2-2 (1 minute)
(Max는 최대효율이며, at 1000 nit 는 휘도 1000 nit 에서의 데이터임.)(Max is the maximum efficiency, at 1000 nit is the data at
상기 표 1과 도 1에 나타난 바와 같이, 불소 용제에 본 발명의 첨가제를 추가한 현상액의 성능(실시예 1 및 2)이 우수함을 알 수 있었다.As shown in Table 1 and Figure 1, it was found that the performance (Examples 1 and 2) of the developer in which the additive of the present invention is added to the fluorine solvent.
<실험예 2> 실시예 3, 4 및 비교예 B의 제조Experimental Example 2 Preparation of Examples 3 and 4 and Comparative Example B
상기 실험예 1 에서 개시된 바와 같이, 소자 실시예 1~2 및 비교예 A와 다른 날 제작된 배치로서, 같은 방식으로 하기와 같은 구성으로 OLED 소자를 제작하였다. 이때, 실시예 3 는 실시예 2와 동일하며 재검증을 위해 시도되었다.As disclosed in Experimental Example 1, an OLED device was manufactured in the same manner as in the same manner as the device fabricated in a different day from Device Examples 1 and 2 and Comparative Example A. At this time, Example 3 was the same as Example 2 and was attempted for revalidation.
- 비교예 B : 기판을 HFE-7300 에 3분간 담갔다.Comparative Example B: The substrate was immersed in HFE-7300 for 3 minutes.
- 실시예 3 : 기판은 HFE-7300 및 화합물 1-1 (부피비 0.005%)의 혼합용액에 2분, HFE-7300 및 화합물 2-2 (부피비 0.1%)의 혼합용액에 1분간 담갔다.Example 3 The substrate was immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 1-1 (volume ratio 0.005%) for 2 minutes and in a mixed solution of HFE-7300 and compound 2-2 (volume ratio 0.1%) for 1 minute.
- 실시예 4 : 기판은 HFE-7300 및 화합물 1-2 (부피비 0.01%) 의 혼합용액에 2분, HFE-7300 및 화합물 2-1 (부피비 0.1%)의 혼합용액에 1분간 담갔다.Example 4 The substrate was immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 1-2 (volume ratio 0.01%) for 2 minutes and in a mixed solution of HFE-7300 and compound 2-1 (volume ratio 0.1%) for 1 minute.
이후, 상기 실험예 1과 같이, 해당소자의 전류효율(CE), 전력효율(PE), 양자효율(EQE)을 컴퓨터로 계산하였다. 그 결과가 하기 표 2에 개시된 바와 같다.Then, as in Experimental Example 1, the current efficiency (CE), power efficiency (PE), quantum efficiency (EQE) of the corresponding device was calculated by a computer. The results are as shown in Table 2 below.
CE at 1000 nitMax CE,
CE at 1000 nit
CE at 1000 nitMax PE,
CE at 1000 nit
EQE at 1000 nitMax EQE,
EQE at 1000 nit
HFE-7300 + 화합물 2-2 (1분)HFE-7300 + Compound 1-1 (2 minutes) /
HFE-7300 + Compound 2-2 (1 minute)
HFE-7300 + 화합물 2-1 (1분)HFE-7300 + Compound 1-2 (2 minutes) /
HFE-7300 + Compound 2-1 (1 minute)
(Max는 최대효율이며, at 1000 nit 는 휘도 1000 nit 에서의 데이터임)(Max is the maximum efficiency, at 1000 nit is the data at
상기 표 2를 참조하면, 불소 용제에 본 발명의 첨가제를 추가한 현상액(실시예 3 및 4)의 성능이 우수함을 알 수 있었다.Referring to Table 2, it was found that the performance of the developer (Examples 3 and 4) in which the additive of the present invention was added to the fluorine solvent was excellent.
<실험예 3> 실시예 5 내지 7 및 비교예 C 내지 E의 제조Experimental Example 3 Preparation of Examples 5 to 7 and Comparative Examples C to E
다른 OLED 층 위에서 본 발명에 따른 현상액의 효과를 검증하기 위해 아래와 같이 각기 소자 구조에서 평가되었다. 먼저, 패터닝된 애노드 인듐주석산화물(ITO) 기판 위에, 정공 주입층인 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌헥사카르보나이트릴(1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile ; HATCN)층 10 nm를 형성하였다. 정공 수송층으로는 N,N'-다이(1-나프틸)-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine ; NPB)층 30 nm 와 각기 다른 정공 수송층 재료로서, N4, N4'-비스(다이벤조[b,d]티오펜-4-일)-N4,N4'-다이페닐바이페닐-4,4'-다이아민(N4,N4′-bis(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-N4,N4′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine ; DBTPB)층 10 nm (비교예 C 와 실시예 5), 또는, N4, N4, N4', N4'-테트라(바이페닐-4-일)바이페닐-4,4'-다이아민(N4,N4,N4',N4'-tetra(biphenyl-4-yl)biphenyl-4,4'-diamine; TPD15)층 10 nm(비교예 D와 실시예 6), 또는, 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine ; TCTA)층 10 nm (비교예 E 와 실시예 7)를 진공 증착 방식으로 형성하였고, 이때 같은 재료는 동일하게 미리 각각 증착되었다. 즉, 비교예 C 와 실시예 5가, 비교예 D와 실시예 6이, 비교예 E 와 실시예 7이 같이 증착되었으며, 아래와 같은 공정을 동시에 수행하였다. In order to verify the effect of the developer according to the present invention on other OLED layers, the respective device structures were evaluated as follows. First, on the patterned anode indium tin oxide (ITO) substrate, a hole injection layer 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (1,4,5,8,9, 11 nm of 11-Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HATCN) layer was formed. As the hole transport layer, N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl- (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (N, N'-Di ( 1-naphthyl) -N, N'-diphenyl- (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (NPB) layer 30 nm and different hole transport layer materials, N4, N4'-bis (dibenzo) [b, d] thiophen-4-yl) -N4, N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamine (N4, N4'-bis (dibenzo [b, d] thiophen-4-yl) -N4, N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamine; DBTPB) layer 10 nm (Comparative Example C and Example 5), or N4, N4, N4 ', N4'-tetra (biphenyl-4-yl Biphenyl-4,4'-diamine (N4, N4, N4 ', N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine; TPD15) layer 10 nm (compared with Comparative Example D) Example 6) Alternatively, a vacuum deposition method of 10 nm (Comparative Example E and Example 7) of tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine (TCTA) layer Where the same material was previously deposited equally, respectively. That is, Comparative Example C and Example 5, Comparative Example D and Example 6, Comparative Example E and Example 7 were deposited together, and the following processes were performed simultaneously.
정공 주입층 및 정공 수송층을 포함한 기판 위에 Journal of Materials Chemistry C 2017, 5, 926 에 보고된 칼릭사렌기반 고불소화 포토레지스트 및 광산발산제를 불소 용매 HFE-7300에 10 wt% 로 녹인 용액을 2000 rpm, 60초 동안 스핀코팅하였다. 용매를 건조하기 위해 60℃에서, 60초 간 열처리한 후, 포토 마스크를 통해 노광한 후 60℃에서, 60초간 열처리를 진행하였다. 이후, 고불소계 포토레지스트를 아래와 같은 구성의 현상액으로 현상하였다:On a substrate including a hole injection layer and a hole transport layer, a solution obtained by dissolving a calixarene-based high fluorinated photoresist and a photoacid emitter at 10 wt% in a fluorine solvent HFE-7300, reported in Journal of
- 비교예 C ~ E: 기판을 HFE-7300 에 3분간 담갔다.Comparative Examples C to E: The substrate was immersed in HFE-7300 for 3 minutes.
- 실시예 5 ~ 7: 기판을 HFE-7300 및 화합물 1-2 (부피비 0.01%)의 혼합용액에 2분, HFE-7300 및 화합물 2-2 (부피비 0.1%)의 혼합용액에 1분간 담갔다.Examples 5 to 7: Substrates were immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 1-2 (volume ratio 0.01%) for 2 minutes and in a mixed solution of HFE-7300 and compound 2-2 (volume ratio 0.1%) for 1 minute.
현상 후, 기판을 꺼내 질소 건으로 말린 뒤, 진공 증착 챔버에서 발광층으로서 호스트 CBP에 도판트 Ir(ppy)3 20 wt%로 도핑된 층을 20 nm 형성하였다. 전자 수송층으로서 TPBI를 40 nm, 전자 주입층으로서 LiF층 0.7 nm를 증착하고, Al층을 증착시켰다.After development, the substrate was taken out, dried with a nitrogen gun, and 20 nm of a layer doped with 20 wt% of dopant Ir (ppy) 3 was formed in the host CBP as a light emitting layer in a vacuum deposition chamber. 40 nm of TPBI as an electron carrying layer and 0.7 nm of LiF layers as an electron injection layer were deposited, and an Al layer was deposited.
이후, 상기 실험예 1과 같이, 해당소자의 전류효율(CE), 전력효율(PE), 양자효율(EQE)을 컴퓨터로 계산하였다. 그 결과가 하기 표 3에 개시된 바와 같다.Then, as in Experimental Example 1, the current efficiency (CE), power efficiency (PE), quantum efficiency (EQE) of the corresponding device was calculated by a computer. The results are as shown in Table 3 below.
CE at 1000 nitMax CE,
CE at 1000 nit
CE at 1000 nitMax PE,
CE at 1000 nit
EQE at 1000 nitMax EQE,
EQE at 1000 nit
DBTPBComparative Example C
DBTPB
DBTPBExample 5
DBTPB
HFE-7300 + 화합물 2-2 (1분)HFE-7300 + Compound 1-2 (2 minutes) /
HFE-7300 + Compound 2-2 (1 minute)
TPD15Comparative Example D
TPD15
TPD15Example 6
TPD15
HFE-7300 + 화합물 2-2 (1분)HFE-7300 + Compound 1-2 (2 minutes) /
HFE-7300 + Compound 2-2 (1 minute)
TCTAComparative Example E
TCTA
TCTAExample 7
TCTA
HFE-7300 + 화합물 2-2 (1분)HFE-7300 + Compound 1-2 (2 minutes) /
HFE-7300 + Compound 2-2 (1 minute)
(Max 는 최대효율이며, at 1000 nit 는 휘도 1000 nit 에서의 데이터임)(Max is the maximum efficiency, at 1000 nit is the data at
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 불소 용제에 본 발명에 따른 첨가제를 추가한 현상액(실시예 5 내지 7)의 성능이 우수함을 알 수 있었다.As shown in Table 3, it was found that the performance of the developer (Examples 5 to 7) in which the additive according to the present invention was added to the fluorine solvent was excellent.
<< 실험예Experimental Example 4> 4> 실시예Example 8, 9 및 8, 9 and 비교예Comparative example F의 제조 Manufacture of F
본 발명에 따른 현상액에 단독 화합물을 사용할 경우의 현상액의 효과를 검증하기 위해 아래와 같이 각기 소자 구조에서 평가되었다.In order to verify the effect of the developer in the case of using a single compound in the developer according to the present invention, it was evaluated in each element structure as follows.
상기 실험예 1에서 개시된 바와 같은 방식으로 하기와 같은 구성의 현상액을 이용하여 OLED 소자를 제작하였다. In the same manner as described in Experimental Example 1, an OLED device was manufactured using a developer having the following configuration.
- 비교예 F : 기판을 HFE-7300 에 3분간 담갔다.Comparative Example F: The substrate was immersed in HFE-7300 for 3 minutes.
- 실시예 8 : 기판을 HFE-7300 및 화합물 2-1 (부피비 0.01%)의 혼합용액에 3분간 담갔다.Example 8 The substrate was immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 2-1 (volume ratio 0.01%) for 3 minutes.
- 실시예 9 : 기판을 HFE-7300 및 화합물 2-2 (부피비 0.01%)의 혼합용액에 3분간 담갔다.Example 9 The substrate was immersed in a mixed solution of HFE-7300 and compound 2-2 (volume ratio 0.01%) for 3 minutes.
현상 후, 기판을 꺼내 질소 건으로 말린 뒤, 진공 증착 챔버에서 발광층으로서 호스트 CBP에 도판트 Ir(ppy)3 20 wt%로 도핑된 층을 20 nm 형성하였다. 전자 수송층으로서 TPBI를 40 nm, 전자 주입층으로서 LiF층 0.7 nm를 증착하고, Al층을 증착시켰다.After development, the substrate was taken out, dried with a nitrogen gun, and 20 nm of a layer doped with 20 wt% of dopant Ir (ppy) 3 was formed in the host CBP as a light emitting layer in a vacuum deposition chamber. 40 nm of TPBI as an electron carrying layer and 0.7 nm of LiF layers as an electron injection layer were deposited, and an Al layer was deposited.
이후, 상기 실험예 1과 같이, 해당소자의 전류효율(CE), 전력효율(PE), 양자효율(EQE)을 컴퓨터로 계산하였다. 그 결과가 하기 표 4에 개시된 바와 같다.Then, as in Experimental Example 1, the current efficiency (CE), power efficiency (PE), quantum efficiency (EQE) of the corresponding device was calculated by a computer. The results are as shown in Table 4 below.
CE at 1000 nitMax CE,
CE at 1000 nit
CE at 1000 nitMax PE,
CE at 1000 nit
EQE at 1000 nitMax EQE,
EQE at 1000 nit
(Max 는 최대효율이며, at 1000 nit 는 휘도 1000 nit 에서의 데이터임)(Max is the maximum efficiency, at 1000 nit is the data at
상기 표 4에 나타난 바와 같이, 불소 용제에 본 발명에 따른 첨가제를 추가한 현상액(실시예 8 및 9)의 성능이 우수함을 알 수 있었다.As shown in Table 4, it was found that the performance of the developer (Examples 8 and 9) in which the additive according to the present invention was added to the fluorine solvent was excellent.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 즉, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다.Having described the specific part of the present invention in detail, it is obvious to those skilled in the art that such a specific description is only a preferred embodiment, thereby not limiting the scope of the present invention. Do. That is, the substantial scope of the present invention is defined by the appended claims and their equivalents.
Claims (13)
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, R1 내지 R3는 각각 동일하거나 상이하며, (C1~C6)알킬, 아릴 및 (C1~C2)알킬로 치환된 아민으로 구성된 군에서 선택됨.The additive for fluorine-based developing solvent according to claim 1, wherein the silazane derivative is represented by the following Chemical Formula 1:
[Formula 1]
In Formula 1, R 1 to R 3 are the same or different and are selected from the group consisting of amines substituted with (C 1 -C 6) alkyl, aryl and (C 1 -C 2) alkyl.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[Formula 1-1]
[Formula 1-2]
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, R1 내지 R3는 각각 동일하거나 상이하며, (C1~C3)알킬, (C1~C3)알킬로 치환된 실릴 및 (C1~C3)알킬로 치환된 실릴알콕시로 이루어진 군에서 선택됨.The additive for fluorine-based developing solvent according to claim 1, wherein the hydrosilane derivative is represented by the following Chemical Formula 2:
[Formula 2]
In Chemical Formula 2, R 1 to R 3 are the same or different, and in the group consisting of silyl substituted with (C 1 -C 3) alkyl, (C 1 -C 3) alkyl and silylalkoxy substituted with (C 1 -C 3) alkyl Selected.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
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