KR20190093323A - Extreme ultra violet(EUV) generating device - Google Patents

Extreme ultra violet(EUV) generating device Download PDF

Info

Publication number
KR20190093323A
KR20190093323A KR1020180012809A KR20180012809A KR20190093323A KR 20190093323 A KR20190093323 A KR 20190093323A KR 1020180012809 A KR1020180012809 A KR 1020180012809A KR 20180012809 A KR20180012809 A KR 20180012809A KR 20190093323 A KR20190093323 A KR 20190093323A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
light
plasma reaction
gas cell
gas supply
Prior art date
Application number
KR1020180012809A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102529565B1 (en
Inventor
이현주
강경식
임지현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180012809A priority Critical patent/KR102529565B1/en
Priority to US16/110,482 priority patent/US10492284B2/en
Priority to CN201811373497.6A priority patent/CN110113855B/en
Publication of KR20190093323A publication Critical patent/KR20190093323A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102529565B1 publication Critical patent/KR102529565B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/004—Systems comprising a plurality of reflections between two or more surfaces, e.g. cells, resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Abstract

Provided is an extreme ultra violet (EUV) generating device having improved power of EUV by reducing leakage of plasma reactive gas. The EUV generating device comprises: a gas cell housing extended in a first direction; a light induction path penetrating the gas cell housing in the first direction; and a gas inlet path connected to a plasma reaction unit on the side of the gas cell housing, supplying plasma reactive gas to the plasma reaction unit and inclined at an acute angle with the light induction path. The light induction path comprises: an incidence unit to which incidence light is injected; the plasma reaction unit which comes in contact with the incidence unit in the first direction and in which EUV is generated as the incident light comes in contact with the plasma reactive gas; and an emission unit which comes in contact with the plasma reaction unit in the first direction and in which EUV is emitted in the first direction.

Description

극자외선 생성 장치{Extreme ultra violet(EUV) generating device}Extreme ultra violet (EUV) generating device

본 발명은 극자외선 생성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an extreme ultraviolet generating device.

간섭계란 동일한 광원에서 나오는 빛을 둘 또는 그 이상의 광행로로 나누어 진행 경로에 차이가 생기도록 한 후, 나누어진 빛이 다시 만났을 때 나타나는 간섭 무늬를 관측하는 장치를 의미한다. 간섭계는 파장의 측정, 길이 또는 거리의 정밀한 비교, 광학적 거리의 비교 등에 이용되며, 최근에는 광학계의 표면 품질 검사를 위한 용도로 사용된다. An interferometer means a device for dividing light from the same light source into two or more light paths to make a difference in the traveling path, and then observing an interference fringe that appears when the divided light meets again. Interferometers are used to measure wavelengths, precise comparisons of length or distance, comparison of optical distances, and more recently, for the purpose of inspecting the surface quality of optical systems.

극자외선(EUV; Extreme ultra violet) 광 영역은 가시광 영역보다 파장이 짧은 영역으로서, 극자외선 광은 빛을 이용한 정밀 측정에서 파장의 크기에 따라 제한되는 회절 한계에 의한 분해능을 향상시킬 수 있다. 또한, 간섭성이 좋은 광원을 생성할 수 있다면 빛의 간섭 및 회절 현상을 이용한 다양한 응용이 가능하다.The extreme ultra violet (EUV) light region has a shorter wavelength than the visible light region, and the extreme ultraviolet light may improve resolution due to a diffraction limit limited by the size of the wavelength in the precision measurement using light. In addition, if a coherent light source can be generated, various applications using light interference and diffraction are possible.

고차 조화파 방식의 극자외선 광원은 다른 극자외선 광원에 비하여 간섭성이 뛰어나 극자외선 간섭계나 극자외선 주사 현미경(Scanning microscopy)의 광원으로 이용된다. 고차 조화파 생성은 Ar, Ne 또는 Xe 등의 비활성 기체에 높은 시변 전기장을 가함으로써 전자가 이온화되어 궤적에 따라 운동하게 되고, 다시 재결합함으로써 이온화 에너지와 전자의 운동에지의 합에 해당하는 에너지가 극자외선 대역의 빛으로 발생하게 된다.The high order harmonic type extreme ultraviolet light source has excellent coherence compared to other extreme ultraviolet light sources and is used as a light source of an extreme ultraviolet interferometer or a scanning microscopy. Higher harmonic wave generation causes electrons to ionize and move along the trajectory by applying a high time-varying electric field to an inert gas such as Ar, Ne, or Xe. Generated by light in the ultraviolet band.

본 발명이 해결하려는 과제는, 플라즈마 반응 가스의 누출을 줄여 극자외선의 파워를 개선한 극자외선 생성 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide an extreme ultraviolet ray generating device that reduces the leakage of the plasma reaction gas to improve the power of the extreme ultraviolet ray.

본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는, 제1 방향으로 연장되는 가스셀 하우징, 상기 가스셀 하우징을 제1 방향으로 관통하는 광 유도로로서, 상기 광 유도로는, 입사광이 입사되는 입사부와, 상기 입사부와 상기 제1 방향으로 접하고, 상기 입사광과 플라즈마 반응 가스가 접하여 극자외선(EUV; Extreme Ultra Violet)이 생성되는 플라즈마 반응부와, 상기 플라즈마 반응부와 상기 제1 방향으로 접하고, 상기 극자외선이 상기 제1 방향으로 방출되는 방출부를 포함하는 광 유도로 및 상기 가스셀 하우징의 측면에서 상기 플라즈마 반응부에 연결되어 상기 플라즈마 반응부에 상기 플라즈마 반응 가스를 공급하고, 상기 광 유도로와 예각으로 기울어진 가스 주입로를 포함한다.According to some embodiments of the present invention, there is provided an extreme ultraviolet ray generating apparatus including a gas cell housing extending in a first direction and an optical induction path penetrating the gas cell housing in a first direction. The plasma reaction part includes an incident part to which incident light is incident, the incident part is in contact with the first direction, and the incident light is in contact with a plasma reaction gas to generate extreme ultra violet (EUV). And a light guide path in contact with the first direction, wherein the extreme ultraviolet light is emitted in the first direction, and connected to the plasma reaction part at the side of the gas cell housing, wherein the plasma reaction gas is connected to the plasma reaction part. Supply a, and includes a gas injection path inclined at an acute angle with the light guide.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 IR 레이저 펄스를 방출하는 광원 및 상기 IR 레이저 펄스가 플라즈마 반응 가스와 접하여 극자외선을 생성하는 가스셀을 포함하고, 상기 가스셀은, 상기 IR 레이저 펄스가 통과하는 광 유도로와, 상기 광 유도로와 제1 예각만큼 기울어지게 연결되고, 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 공급로를 포함한다.According to some embodiments of the present invention, there is provided an extreme ultraviolet light generating apparatus including a light source emitting an IR laser pulse, and a gas cell in which the IR laser pulse generates extreme ultraviolet light in contact with a plasma reactive gas. The cell includes a light induction path through which the IR laser pulse passes, and a gas supply path inclined by the first acute angle with the light induction path and supplying a plasma reaction gas.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 제1 방향으로 연장되어, 상기 제1 방향으로 입사되는 레이저가 통과하는 광 유도로를 포함하는 가스셀 하우징 및 상기 가스셀 하우징의 측면으로부터 연장되어 상기 광 유도로 내부에 플라즈마 반응 가스를 상기 제1 방향과 반대되는 제2 방향으로 주입시키는 가스 공급 모듈을 포함하되, 상기 가스 공급 모듈은 상기 광 유도로와의 사이각이 제1 예각인 가스 공급로를 포함한다.According to some embodiments of the present disclosure, there is provided an apparatus for generating an extreme ultraviolet ray, the gas cell housing including the light guide path extending in a first direction and through which a laser incident in the first direction passes. And a gas supply module extending from a side of the housing to inject a plasma reaction gas into the light guide passage in a second direction opposite to the first direction, wherein the gas supply module has an angle between the light guide passage and the light guide passage. And a gas supply passage that is a first acute angle.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 도 1의 가스셀을 세부적으로 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 2의 A 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.
도 4는 도 3의 B - B'로 자른 단면도이다.
도 5는 도 4의 가스셀 하우징 내부의 가스 배출 동작을 세부적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 도 6의 C 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.
도 8은 도 7의 D - D'로 자른 단면도이다.
도 9는 도 6의 가스셀 내부의 기류를 시뮬레이션을 통해서 측정한 그래프이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 도 10의 E 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.
도 12는 도 11의 F - F'로 자른 단면도이다.
도 13은 도 10의 가스 공급로의 기울어진 방향을 설명하기 위한 벡터를 표시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 15는 도 14의 G 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.
도 16은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 17은 도 16의 H 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.
도 18은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 19는 도 18의 가스셀을 세부적으로 설명하기 위한 사시도이다.
도 20은 도 19의 I 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.
도 21은 도 20의 J - J'로 자른 단면도이다.1 is a conceptual diagram illustrating an apparatus for generating extreme ultraviolet rays according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating the gas cell of FIG. 1 in detail.
FIG. 3 is a side view of the gas cell viewed from the direction A of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 3.
FIG. 5 is a cross-sectional view for describing a gas discharge operation in the gas cell housing of FIG. 4 in detail.
6 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet ray generating device according to some embodiments of the present invention.
FIG. 7 is a side view of the gas cell viewed from the direction C of FIG. 6.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line D ′ of FIG. 7.
FIG. 9 is a graph measured through simulation of the air flow inside the gas cell of FIG. 6.
10 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet ray generating device according to some embodiments of the present invention.
FIG. 11 is a side view of the gas cell viewed from the direction E of FIG. 10.
12 is a cross-sectional view taken along line F ′ F ′ of FIG. 11.
FIG. 13 is a diagram illustrating a vector for describing an inclined direction of the gas supply path of FIG. 10.
14 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet ray generating device according to some embodiments of the present invention.
FIG. 15 is a side view of the gas cell viewed from the G direction of FIG. 14.
16 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet light generating device according to some embodiments of the present invention.
FIG. 17 is a side view of the gas cell viewed from the direction H of FIG. 16.
18 is a conceptual diagram illustrating an extreme ultraviolet ray generating device according to some embodiments of the present invention.
FIG. 19 is a perspective view for describing the gas cell of FIG. 18 in detail.
20 is a side view of the gas cell viewed from the direction I of FIG. 19.
FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line JJ ′ of FIG. 20.

이하에서, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치에 대해서 설명한다.Hereinafter, an extreme ultraviolet light generating device according to some embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 개념도이고, 도 2는 도 1의 가스셀을 세부적으로 설명하기 위한 사시도이다. 도 3은 도 2의 A 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이고, 도 4는 도 2의 B - B'로 자른 단면도이다. 도 5는 도 4의 가스셀 하우징 내부의 가스 배출 동작을 세부적으로 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 1 is a conceptual view illustrating an apparatus for generating extreme ultraviolet rays according to some embodiments of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view illustrating the gas cell of FIG. 1 in detail. 3 is a side view of the gas cell viewed from the direction A of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 2. FIG. 5 is a cross-sectional view for describing a gas discharge operation in the gas cell housing of FIG. 4 in detail.

도 1을 참조하면, 극자외선 생성 장치는, 진공 챔버(10), 배기 장치(20), 광원(100), 제1 반사 미러(200), 제2 반사 미러(300), 포커스 미러(400) 및 제1 가스셀(500)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the extreme ultraviolet ray generating apparatus includes a vacuum chamber 10, an exhaust device 20, a light source 100, a first reflection mirror 200, a second reflection mirror 300, and a focus mirror 400. And a first gas cell 500.

진공 챔버(10)는 내부에 제1 반사 미러(200), 제2 반사 미러(300), 포커스 미러(400) 등의 가이드부와, 제1 가스셀(500)을 포함할 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에서는 상기 가이드부의 적어도 일부가 진공 챔버(10) 외부에 배치될 수도 있다. 단, 이 경우에도, 제1 가스셀(500)은 진공 챔버(10) 내에 배치될 수 있다.The vacuum chamber 10 may include a guide part such as a first reflection mirror 200, a second reflection mirror 300, a focus mirror 400, and a first gas cell 500 therein. In some embodiments of the present invention, at least a portion of the guide portion may be disposed outside the vacuum chamber 10. However, even in this case, the first gas cell 500 may be disposed in the vacuum chamber 10.

진공 챔버(10)는 외벽(11), 윈도우(12) 및 배기구(13)를 포함할 수 있다.The vacuum chamber 10 may include an outer wall 11, a window 12, and an exhaust port 13.

외벽(11)은 진공 챔버(10)의 외곽을 형성하고, 진공 챔버(10)의 내부와 외부를 분리시키는 하우징 구조일 수 있다. 외벽(11)은 진공 챔버(10)의 내부와 외벽을 완벽하게 분리시켜 내부의 진공을 유지시켜야 하므로 완벽하게 진공 챔버(10)의 내부를 완벽하게 밀폐시킬 수 있다.The outer wall 11 may be a housing structure that forms an outer portion of the vacuum chamber 10 and separates the inside and the outside of the vacuum chamber 10. The outer wall 11 must completely separate the inside and the outer wall of the vacuum chamber 10 to maintain the vacuum therein, so that the inside of the vacuum chamber 10 can be completely sealed.

윈도우(12)는 외벽(11)과 함께 진공 챔버(10)의 내부와 외부를 분리시키되, 소스 광(110)이 투과될 수 있다. 즉, 윈도우(12)는 빛이 투과될 수 있도록 투명한 재질로 형성될 수 있다. 또는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 반사 미러(200), 제2 반사 미러(300), 포커스 미러(400) 등의 가이드부 중 적어도 일부가 진공 챔버(10)의 외부에 배치될 때는 소스 광(110), 제1 반사광(120), 제2 반사광(130), 제3 반사광(140) 및 제4 반사광(150) 중 어느 하나가 윈도우(12)를 통과하여 진공 챔버(10) 내부로 진행할 수 있다.The window 12 separates the inside and the outside of the vacuum chamber 10 together with the outer wall 11, and the source light 110 may be transmitted. That is, the window 12 may be formed of a transparent material to allow light to pass therethrough. Alternatively, according to some embodiments of the present disclosure, at least some of the guide parts such as the first reflection mirror 200, the second reflection mirror 300, and the focus mirror 400 may be disposed outside the vacuum chamber 10. In this case, any one of the source light 110, the first reflected light 120, the second reflected light 130, the third reflected light 140, and the fourth reflected light 150 passes through the window 12 to allow the vacuum chamber 10 to be discharged. You can proceed inside.

배기구(13)는 진공 챔버(10)의 내부를 진공으로 만들기 위해서 내부의 공기가 배출되는 구멍일 수 있다. 배기구(13)는 배기 장치(20)와 결합될 수 있다. 배기구(13)는 평소에는 닫히거나 배기 장치(20)에 의해서 막혀서 진공 챔버(10)의 내부를 진공으로 유지시킬 수 있다. The exhaust port 13 may be a hole through which the air inside is discharged in order to vacuum the inside of the vacuum chamber 10. The exhaust port 13 may be combined with the exhaust device 20. The exhaust port 13 can be normally closed or blocked by the exhaust device 20 to maintain the interior of the vacuum chamber 10 in a vacuum.

광원(100)은 제1 반사 미러(200)로 소스 광(110)(예를 들어, 레이저 빔)을 방출한다. 광원(100)은 IR(infrared, 적외선) 레이저를 방출할 수 있다. 소스 광(110)은 펨토초(Femtosecond) 단위의 레이저(laser) 펄스일 수 있다. 예를 들어, 광원(100)은 티타늄 사파이어(Ti:Sapphire) 펨토초 레이저 또는 플루오르화 이트륨 리튬(Nd:YLF) 펨토초 레이저 등을 방출할 수 있다. The light source 100 emits source light 110 (eg, a laser beam) to the first reflection mirror 200. The light source 100 may emit an infrared (IR) laser. The source light 110 may be a laser pulse in femtosecond units. For example, the light source 100 may emit a titanium sapphire femtosecond laser or a yttrium lithium fluoride (Nd: YLF) femtosecond laser.

제1 반사 미러(200)는 광원(100)이 방출한 소스 광(110)을 제1 반사광(120)으로 반사한다. 제1 반사 미러(200)는 일정한 각을 갖도록 위치할 수 있으며, 이는 광원(100)이 방출한 소스 광(110)을 제2 반사 미러(300)로 반사되도록 한다. The first reflection mirror 200 reflects the source light 110 emitted from the light source 100 to the first reflected light 120. The first reflection mirror 200 may be positioned to have a constant angle, which causes the source light 110 emitted by the light source 100 to be reflected by the second reflection mirror 300.

제2 반사 미러(300)는 제1 반사 미러(200)가 반사한 제1 반사광(120)을 제2 반사광(130)으로 반사한다. 빔 스플리터와 달리, 제2 반사 미러(300)와 같은 플레인 미러를 사용하는 경우, 99% 이상의 제1 반사광(120)이 제2 반사 미러(300) 표면에서 반사되기 때문에 포커스 미러(400)에 도달하는 제2 반사광(130)의 광량의 손실을 최소화할 수 있다. The second reflection mirror 300 reflects the first reflection light 120 reflected by the first reflection mirror 200 as the second reflection light 130. Unlike a beam splitter, when using a plane mirror such as the second reflection mirror 300, the focus mirror 400 is reached because more than 99% of the first reflection light 120 is reflected at the surface of the second reflection mirror 300. The loss of the amount of light of the second reflected light 130 can be minimized.

즉, 제2 반사 미러(300)와 같은 플레인 미러는, 레이저 빔의 파형이 제2 반사 미러(300)의 반사면에만 영향을 받으므로 레이저 빔의 파면 왜곡이 감소될 수 있, 극자외선의 생성 효율을 향상시킬 수 있다. That is, in the plane mirror, such as the second reflection mirror 300, since the waveform of the laser beam is only affected by the reflection surface of the second reflection mirror 300, wavefront distortion of the laser beam may be reduced. The efficiency can be improved.

포커스 미러(400)는 제2 반사 미러(300)가 반사한 제2 반사광(130)을 제3 반사광(140)으로 다시 반사한다. 포커스 미러(400)는 제2 반사광(130)을 집속시켜, 제2 반사 미러(300)에 도달하는 제3 반사광(140)의 광량을 증가시키는 역할을 한다. 제2 반사 미러(300)는 제4 반사광(150)을 다시 제1 가스셀(500)로 반사한다. The focus mirror 400 reflects the second reflected light 130 reflected by the second reflective mirror 300 back to the third reflected light 140. The focus mirror 400 focuses the second reflected light 130 to increase the amount of light of the third reflected light 140 that reaches the second reflected mirror 300. The second reflection mirror 300 reflects the fourth reflected light 150 back to the first gas cell 500.

본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 상기 가이드부 즉, 제1 반사 미러(200), 제2 반사 미러(300), 포커스 미러(400) 등의 구성 요소는 광원(100)에서 발생된 소스 광(110)을 최적의 상태로 집속시키기 위한 구성으로 이루어질 수 있다. 따라서, 반사 미러, 포커스 미러 등의 구성요소의 유무, 배치 및 개수는 얼마든지 달라질 수 있고, 규격화된 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention, an apparatus for generating extreme ultraviolet rays may include components such as the guide part, that is, the first reflection mirror 200, the second reflection mirror 300, and the focus mirror 400, generated by the light source 100. The light source 110 may be configured to focus the optimized source light 110 in an optimal state. Therefore, the presence, arrangement, and number of components, such as a reflection mirror and a focus mirror, may vary as much, and are not standardized.

제1 가스셀(500)은 제2 반사 미러(300)가 반사한 제4 반사광(150)이 도달하는 위치에 존재한다. 제1 가스셀(500) 내에는 비활성 기체가 존재할 수 있다. 상기 비활성 기체는 예를 들어, Ne, Ar, Kr 또는 Xe 중 적어도 하나일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 가스셀(500)에 도달한 제4 반사광(150)과 제1 가스셀(500) 내의 비활성 기체는 상호 작용을 하여 간접적으로 극자외선 광을 발생시킬 수 있다. 구체적으로, 제1 가스셀(500)은 비활성 기체에 대한 플라즈마 유도(High Harmonic Generation; HHG)를 이용해 입사 광의 파장의 홀수 배에 해당하는 파장을 가지는 광을 생성할 수 있다.The first gas cell 500 is present at a position where the fourth reflected light 150 reflected by the second reflective mirror 300 arrives. Inert gas may be present in the first gas cell 500. The inert gas may be, for example, at least one of Ne, Ar, Kr or Xe, but is not limited thereto. The fourth reflected light 150 reaching the first gas cell 500 and the inert gas in the first gas cell 500 may interact with each other to indirectly generate extreme ultraviolet light. In detail, the first gas cell 500 may generate light having a wavelength corresponding to an odd multiple of the wavelength of incident light by using plasma generation (HHG) for an inert gas.

배기 장치(20)는 배기구(13)를 통해서 진공 챔버(10) 내의 압력을 진공으로 만들 수 있다. 배기 장치(20)에 의해서 진공 챔버(10) 내에 존재하는 대기는 배기구(13)를 통해서 흡입될 수 있다. 이에 따라서, 진공 챔버(10) 내의 진공압이 형성 및 유지될 수 있다. 제1 가스셀(500)에서 생성되는 극자외선은 대기에 존재하는 기체들과 충돌하는 경우에 흡수되어 소멸될 수 있으므로 진공 챔버(10)를 진공으로 유지하는 것은 극자외선 생성 장치에서 매우 중요할 수 있다.The exhaust device 20 may vacuum the pressure in the vacuum chamber 10 through the exhaust port 13. The atmosphere present in the vacuum chamber 10 by the exhaust device 20 may be sucked through the exhaust port 13. Accordingly, the vacuum pressure in the vacuum chamber 10 can be formed and maintained. Since the extreme ultraviolet rays generated in the first gas cell 500 may be absorbed and extinguished when colliding with the gases present in the atmosphere, maintaining the vacuum chamber 10 in vacuum may be very important in the extreme ultraviolet generating device. have.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1 가스셀(500)은 가스셀 하우징(510), 광 유도로(520) 캡핑막(530) 및 가스 공급로(420)를 포함한다.2 to 4, the first gas cell 500 includes a gas cell housing 510, a light guide path 520, a capping film 530, and a gas supply path 420.

가스셀 하우징(510)은 가스셀의 내부와 외부를 분리시키는 외벽일 수 있다. 가스셀 하우징(510)은 도면에서 직육면체로 도시되었지만, 이에 제한되지 않는다. 즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치에서 가스셀 하우징(510)의 형상은 얼마든지 달라질 수 있다.The gas cell housing 510 may be an outer wall separating the inside and the outside of the gas cell. The gas cell housing 510 is illustrated as a cuboid in the drawing, but is not limited thereto. That is, the shape of the gas cell housing 510 in the extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention may vary.

가스셀 하우징(510)은 쿼츠(Quartz)로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 가스셀 하우징(510)은 제1 방향(X1)으로 연장된 형상일 수 있다. 이 때, 제1 방향(X1)으로 연장되었다는 의미는 가스셀 하우징(510)의 단변과 장변 중에 장변이 연장되는 방향이 제1 방향(X1)이라는 의미일 수 있다.The gas cell housing 510 may be made of quartz, but is not limited thereto. The gas cell housing 510 may have a shape extending in the first direction X1. At this time, the meaning of extending in the first direction X1 may mean that the direction in which the long side extends among the short and long sides of the gas cell housing 510 is the first direction X1.

가스셀 하우징(510)은 내부에 광 유도로(520)가 형성될 수 있다. 가스셀 하우징(510)은 가스 공급로(420)가 광 유도로(520)와 가스셀 하우징(510)의 내부에서 연결되도록 형성될 수 있다. The light cell 520 may be formed in the gas cell housing 510. The gas cell housing 510 may be formed such that the gas supply passage 420 is connected to the light guide passage 520 and the gas cell housing 510.

광 유도로(520)는 가스셀 하우징(510)을 제1 방향(X1)으로 관통하도록 형성될 수 있다. 광 유도로(520)는 폭이 변경되는 부분은 있을 수 있어도 방향이 변경되지는 않을 수 있다. 즉, 광 유도로(520)는 가스셀 하우징(510)의 내부에서 제1 방향(X1)의 직선 방향으로 연장될 수 있다.The light guide path 520 may be formed to penetrate the gas cell housing 510 in the first direction X1. Although the light guide path 520 may have a portion whose width is changed, the direction may not be changed. That is, the light guide path 520 may extend in the straight direction of the first direction X1 in the gas cell housing 510.

이 때, 제1 방향(X1)의 반대 방향은 제2 방향(X2)이고, 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)과 직교하는 방향을 제3 방향(Y1)으로 정의할 수 있다. 또한, 제4 방향(Y2)은 제3 방향(Y1)의 반대 방향이다. 이에 따라서, 제4 방향(Y2)은 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)과 서로 직교할 수 있다. 제5 방향(Z1)은 제1 방향(X1) 및 제3 방향(Y1)과 모두 직교하는 방향일 수 있다. 당연히, 제5 방향(Z1)은 제2 방향(X2) 및 제4 방향(Y2)과도 모두 직교하는 방향일 수 있다. 제6 방향(Z2)은 제5 방향(Z1)의 반대 방향일 수 있다. 이 때, 제6 방향(Z2)은 제1 방향(X1), 제2 방향(X2), 제3 방향(Y1) 및 제4 방향(Y2)과 직교할 수 있다.In this case, a direction opposite to the first direction X1 may be a second direction X2, and a direction orthogonal to the first direction X1 and the second direction X2 may be defined as the third direction Y1. . In addition, the fourth direction Y2 is a direction opposite to the third direction Y1. Accordingly, the fourth direction Y2 may be orthogonal to each other in the first direction X1 and the second direction X2. The fifth direction Z1 may be a direction orthogonal to both the first direction X1 and the third direction Y1. Naturally, the fifth direction Z1 may be a direction orthogonal to both the second direction X2 and the fourth direction Y2. The sixth direction Z2 may be opposite to the fifth direction Z1. In this case, the sixth direction Z2 may be orthogonal to the first direction X1, the second direction X2, the third direction Y1, and the fourth direction Y2.

광 유도로(520)는 입사부(521), 플라즈마 반응부(522) 및 방출부(523)를 포함할 수 있다. 입사부(521)는 광 유도로(520) 내부로 입사광(IR)이 입사하는 부분일 수 있다. 입사부(521)는 도면 상에서 가스셀 하우징(510)의 좌측에 위치할 수 있다.The light guide path 520 may include an incident part 521, a plasma reaction part 522, and an emission part 523. The incident part 521 may be a part where the incident light IR is incident into the light guide path 520. The incident part 521 may be located on the left side of the gas cell housing 510 in the drawing.

플라즈마 반응부(522)는 입사부(521)로부터 제1 방향(X1)으로 접할 수 있다. 플라즈마 반응부(522)는 입사광(IR)과 플라즈마 반응 가스(G)가 서로 접하는 위치일 수 있다. 플라즈마 반응부(522)에서는 입사광(IR)과 플라즈마 반응 가스가 서로 반응하여 극자외선(EUV)이 생성될 수 있다.The plasma reaction part 522 may be in contact with the incident part 521 in the first direction X1. The plasma reaction unit 522 may be a position where the incident light IR and the plasma reaction gas G contact each other. In the plasma reactor 522, the incident light IR and the plasma reactant gas may react with each other to generate extreme ultraviolet light (EUV).

방출부(523)는 광 유도로(520) 내부에서 극자외선이 외부로 방출되는 부분일 수 있다. 방출부(523)는 플라즈마 반응부(522)로부터 제1 방향(X1)으로 접할 수 있다. 따라서, 입사부(521), 플라즈마 반응부(522) 및 방출부(523)가 제1 방향(X1)으로 순차적으로 연결될 수 있다.The emission unit 523 may be a portion in which extreme ultraviolet rays are emitted to the outside in the light guide path 520. The emission part 523 may be in contact with the plasma reaction part 522 in the first direction X1. Therefore, the incident part 521, the plasma reaction part 522, and the emission part 523 may be sequentially connected in the first direction X1.

캡핑막(530)은 도면에서 가스셀 하우징(510)의 우측에 위치할 수 있다. 캡핑막(530)은 가스셀 하우징(510) 내부의 광 유도로(520)의 방출부(523)에 의한 구멍을 막을 수 있다. 이를 통해서, 플라즈마 반응 가스(G)가 방출부(523)로 누출되는 것을 최소화시킬 수 있다.The capping layer 530 may be located at the right side of the gas cell housing 510 in the drawing. The capping layer 530 may block a hole formed by the emission part 523 of the light guide path 520 in the gas cell housing 510. Through this, leakage of the plasma reaction gas G to the discharge part 523 may be minimized.

캡핑막(530)은 통과홀(531)을 포함할 수 있다. 통과홀(531)은 방출부(523)를 통해서 방출되는 극자외선(EUV)이 통과되는 구멍일 수 있다. 극자외선(EUV)의 광선의 직경은 방출부(523)의 직경보다 더 작을 수 있다. 따라서, 통과홀(531)의 직경도 방출부(523)의 직경보다 더 작을 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 발생 장치에서 광 유도로(520) 및 통과홀(531)의 수평 형상이 원이 아닌 경우에는 통과홀(531)의 제1 방향(X1)과 수평한 단면의 면적이 방출부(523)의 제1 방향(X1)과 수평한 단면의 면적보다 작을 수 있다.The capping layer 530 may include a through hole 531. The through hole 531 may be a hole through which extreme ultraviolet (EUV) emitted through the discharge part 523 passes. The diameter of the rays of extreme ultraviolet light (EUV) may be smaller than the diameter of the emitter 523. Therefore, the diameter of the through hole 531 may also be smaller than the diameter of the discharge portion 523. When the horizontal shape of the light guide path 520 and the through hole 531 is not a circle in the EUV generator according to some embodiments of the present invention, the cross section is parallel to the first direction X1 of the through hole 531. An area of may be smaller than an area of a cross section parallel to the first direction X1 of the emission part 523.

가스 공급로(420)는 가스 공급 모듈(400)에 포함되어 광 유도로(520) 내부에 플라즈마 반응 가스(G)를 공급할 수 있다.The gas supply path 420 may be included in the gas supply module 400 to supply the plasma reaction gas G into the light induction path 520.

가스 공급 모듈(400)은 가스 서플라이(410) 및 가스 공급로(420)를 포함할 수 있다.The gas supply module 400 may include a gas supply 410 and a gas supply path 420.

가스 서플라이(410)는 플라즈마 반응 가스(G)를 저장할 수 있다. 예를 들어, 가스 서플라이(410)는 플라즈마 반응 가스(G)가 저장된 가스 탱크일 수 있다. 이 때, 플라즈마 반응 가스(G)는 상술하였듯이, 비활성 기체일 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 반응 가스(G)는 Ne, Ar, Kr 또는 Xe 중 적어도 하나일 수 있다. 가스 서플라이(410)는 가스 공급로(420)와 연결되어 광 유도로(520)로 플라즈마 반응 가스(G)를 공급할 수 있다.The gas supply 410 may store a plasma reaction gas G. For example, the gas supply 410 may be a gas tank in which the plasma reaction gas G is stored. At this time, the plasma reaction gas (G) may be an inert gas, as described above. For example, the plasma reaction gas G may be at least one of Ne, Ar, Kr or Xe. The gas supply 410 may be connected to the gas supply path 420 to supply the plasma reaction gas G to the light induction path 520.

가스 공급로(420)는 가스셀 하우징(510)에 연결될 수 있다. 가스 공급로(420)는 가스셀 하우징(510)의 제1 방향(X1)과 교차하는 방향의 측면에 연결될 수 있다. 이 때, 제1 방향(X1)과 교차하는 방향은 예를 들어 제3 방향(Y1), 제4 방향(Y2), 제5 방향(Z1) 및 제6 방향(Z2) 중 어느 하나일 수 있다. 단, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 방향(X1)과 교차하는 방향 중 어느 하나이면 상관 없다. 도면에서는 편의상 제5 방향(Z1)으로 가스 공급로(420)가 연결된 것으로 도시하였다.The gas supply path 420 may be connected to the gas cell housing 510. The gas supply path 420 may be connected to a side surface of the gas cell housing 510 that crosses the first direction X1. In this case, the direction crossing the first direction X1 may be, for example, any one of the third direction Y1, the fourth direction Y2, the fifth direction Z1, and the sixth direction Z2. . However, the present embodiment is not limited thereto, and the present embodiment may be any one of directions crossing the first direction X1. In the drawing, for convenience, the gas supply path 420 is connected in the fifth direction Z1.

가스 공급로(420)는 광 유도로(520)의 제5 방향(Z1)의 내벽으로 연결될 수 있다. 이 때, 가스 공급로(420)는 제5 방향(Z1) 상에서 방출부(523) 방향 즉, 제1 방향(X1)으로 기울어질 수 있다. 이 때, 광 유도로(520)와 가스 공급로(420) 사이의 각도는 제1 예각(θ1)일 수 있다.The gas supply path 420 may be connected to an inner wall of the fifth direction Z1 of the light guide path 520. In this case, the gas supply path 420 may be inclined in the discharge part 523 direction, that is, in the first direction X1, in the fifth direction Z1. In this case, an angle between the light guide path 520 and the gas supply path 420 may be a first acute angle θ1.

제1 예각(θ1)은 0°보다 크고, 90°보다 작은 범위를 가질 수 있다. 가스 공급로(420)가 제1 예각(θ1)만큼 기울어짐에 따라서, 플라즈마 반응 가스(G)는 제2 방향(X2)으로의 속도 성분을 가지게 된다. 이에 따라서, 가스 공급로(420)를 통해서 유입된 플라즈마 반응 가스(G)는 방출부(523)가 아닌 입사부(521) 쪽으로 이동하게 되고, 입사부(521)를 통해서 제1 가스셀(500)의 외부로 배출될 수 있다.The first acute angle θ1 may have a range greater than 0 ° and less than 90 °. As the gas supply path 420 is inclined by the first acute angle θ1, the plasma reaction gas G has a velocity component in the second direction X2. Accordingly, the plasma reaction gas G introduced through the gas supply path 420 moves toward the incidence portion 521 instead of the discharge portion 523, and the first gas cell 500 through the incidence portion 521. Can be discharged to outside.

도 5를 참조하면, 입사광(IR)은 광 유도로(520)를 따라 진행하다가, 플라즈마 반응부(522)에서 가스 공급로(420)에 의해서 공급된 플라즈마 반응 가스와 접할 수 있다. 입사광(IR)은 플라즈마 반응 가스(G)와 접하여 플라즈마 반응을 일으켜 극자외선(EUV)으로 변할 수 있다. 다만, 입사광(IR)이 극자외선(EUV)으로 변하는 것은 빛의 파장 및 주파수 등의 특성이 변하는 것이므로 계속해서 제1 방향(X1)으로 진행하는 것은 변하지 않는다.Referring to FIG. 5, the incident light IR may travel along the light induction path 520 and may contact the plasma reaction gas supplied by the gas supply path 420 from the plasma reaction part 522. The incident light IR may change into extreme ultraviolet light (EUV) by causing a plasma reaction in contact with the plasma reaction gas (G). However, since the incident light IR is changed to the extreme ultraviolet light (EUV), the characteristics such as the wavelength and the frequency of the light are changed, so that the light proceeding in the first direction X1 does not change.

따라서, 극자외선(EUV)은 계속해서 제1 방향(X1)으로 연장된 광 유도로(520)를 따라서 진행하고, 방출부(523) 및 캡핑막(530)의 통과홀(531)을 통해서 제1 가스셀(500)의 외부로 방출될 수 있다.Therefore, the extreme ultraviolet light (EUV) continues along the light guide path 520 extending in the first direction X1, and then passes through the through hole 531 of the emission part 523 and the capping film 530. 1 may be discharged to the outside of the gas cell 500.

광 유도로(520)의 입사부(521)와 방출부(523)는 플라즈마 반응부(522)에 비해서 더 작은 단면 면적을 가질 수 있다. 입사부(521)는 제1 폭(D1)을 가질 수 있고, 플라즈마 반응부(522)는 제2 폭(D2)을 가질 수 있다. 방출부(523)는 제3 폭(D3)을 가질 수 있고, 통과홀(531)은 제4 폭(D4)을 가질 수 있다. 제2 폭(D2)은 제1 폭(D1), 제3 폭(D3) 및 제4 폭(D4)보다 클 수 있고, 제4 폭(D4)은 제3 폭(D3)보다 작을 수 있다. 제4 폭(D4)이 제3 폭(D3)보다 작음으로 인해, 플라즈마 반응 가스(G)가 방출부(523)보다 입사부(521)쪽으로 더 많이 배출될 수 있다.The incident part 521 and the emitting part 523 of the light guide path 520 may have a smaller cross-sectional area than the plasma reaction part 522. The incident part 521 may have a first width D1, and the plasma reaction part 522 may have a second width D2. The discharge part 523 may have a third width D3, and the through hole 531 may have a fourth width D4. The second width D2 may be greater than the first width D1, the third width D3, and the fourth width D4, and the fourth width D4 may be smaller than the third width D3. Since the fourth width D4 is smaller than the third width D3, the plasma reactant gas G may be discharged toward the incident part 521 more than the discharge part 523.

상기 플라즈마 반응에서는 당연히 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도가 높을수록 극자외선(EUV)의 생성 효율이 커질 수 있다. 그러나, 이미 극자외선(EUV)이 생성된 이후에는 플라즈마 반응 가스(G)에 생성된 극자외선(EUV)이 흡수되어 소멸될 수 있다. 따라서, 극자외선(EUV)이 이미 생성된 경우에는 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도가 높을수록 극자외선(EUV)의 재흡수율이 높아짐에 따라서 극자외선(EUV)의 파워가 작아질 수 있다.In the plasma reaction, of course, the higher the density of the plasma reaction gas G, the greater the generation efficiency of the extreme ultraviolet (EUV). However, after the extreme ultraviolet (EUV) is already generated, the extreme ultraviolet (EUV) generated in the plasma reaction gas (G) may be absorbed and extinguished. Therefore, when the extreme ultraviolet (EUV) is already generated, the higher the density of the plasma reaction gas (G), the higher the re-absorption rate of the extreme ultraviolet (EUV), the smaller the power of the extreme ultraviolet (EUV).

따라서, 극자외선(EUV)의 파워를 최대화하기 위해서는 플라즈마 반응 전에는 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도가 높아야하고, 플라즈마 반응 후에는 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도가 낮아야 한다.Therefore, in order to maximize the power of the extreme ultraviolet (EUV), the density of the plasma reaction gas (G) should be high before the plasma reaction, and the density of the plasma reaction gas (G) should be low after the plasma reaction.

광 유도로(520)의 제1 영역(R1)은 극자외선(EUV)이 생성되기 전에 입사광(IR)이 진행하는 영역이다. 이에 반해서, 광 유도로(520)의 제2 영역(R2)은 극자외선(EUV)이 생성되고 나서 극자외선(EUV)이 진행하는 영역일 수 있다.The first region R1 of the light guide path 520 is a region where the incident light IR travels before the extreme ultraviolet light EUV is generated. In contrast, the second region R2 of the light guide path 520 may be a region where the extreme ultraviolet (EUV) proceeds after the extreme ultraviolet (EUV) is generated.

극자외선(EUV)의 파워를 최대화하기 위해서는 제1 영역(R1)의 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도가 높고, 제2 영역(R2)의 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도가 낮아야 한다. 이를 위해서는 플라즈마 반응 가스(G)의 배출이 방출부(523)가 아닌 입사부(521) 방향으로 이루어져야 한다.In order to maximize the power of the extreme ultraviolet light (EUV), the density of the plasma reaction gas G in the first region R1 and the density of the plasma reaction gas G in the second region R2 should be low. For this purpose, the discharge of the plasma reaction gas G should be directed toward the incidence part 521 rather than the discharge part 523.

이를 위해서, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 가스 공급로(420)가 제1 방향(X1)으로 기울어지게 형성되어 광 유도로(520) 내부에서 플라즈마 반응 가스(G)가 방출부(523)가 아닌 입사부(521)로 배출되도록 할 수 있다.To this end, in the extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention, the gas supply passage 420 is formed to be inclined in the first direction X1 so that the plasma reactive gas G is emitted inside the light guide passage 520. It may be discharged to the incident portion 521, not the portion 523.

진공 챔버(10)의 진공도(degree of vacuum)은 제1 가스셀(500)의 진공도보다 클 수 있다. 즉, 진공 챔버(10)의 압력이 제1 가스셀(500)의 압력보다 작을 수 있다. 이에 따라서, 플라즈마 반응 가스(G)는 제1 가스셀(500)의 내부에서 외부로 자연스럽게 배출될 수 있다. 나아가, 가스 공급로(420)의 기울어진 각도에 의해서 방출부(523)가 입사부(521)로 배출될 수 있다.The degree of vacuum of the vacuum chamber 10 may be greater than that of the first gas cell 500. That is, the pressure of the vacuum chamber 10 may be smaller than the pressure of the first gas cell 500. Accordingly, the plasma reaction gas G may be naturally discharged from the inside of the first gas cell 500 to the outside. Furthermore, the discharge part 523 may be discharged to the incident part 521 by the inclined angle of the gas supply path 420.

이하, 도 5 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치를 설명한다. 상술한 실시예와 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.Hereinafter, an extreme ultraviolet ray generating apparatus according to some embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 9. Descriptions overlapping with the above-described embodiments will be briefly or omitted.

도 6은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 7은 도 6의 C 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다. 도 8은 도 7의 D - D'로 자른 단면도이고, 도 9는 도 6의 가스셀 내부의 기류를 시뮬레이션을 통해서 측정한 그래프이다.FIG. 6 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet light generating device according to some embodiments of the present disclosure, and FIG. 7 is a side view of the gas cell viewed from the direction C of FIG. 6. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line D ′ of FIG. 7, and FIG. 9 is a graph obtained by simulation of airflow inside the gas cell of FIG. 6.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 2개의 가스 공급로(420)를 포함하는 제2 가스셀(501)을 포함할 수 있다.6 to 8, the extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention may include a second gas cell 501 including two gas supply paths 420.

구체적으로, 가스 공급로(420)는 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)를 포함할 수 있다.In detail, the gas supply path 420 may include a first gas supply path 420a and a second gas supply path 420b.

제1 가스 공급로(420a)는 제2 가스 공급로(420b)와 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 6과 같이 제1 가스 공급로(420a)가 가스셀 하우징(510)의 상면에 배치되는 경우 제2 가스 공급로(420b)는 가스셀 하우징(510)의 하면에 배치될 수 있다. 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니지만, 편의상 도시된 바와 같이 제1 가스 공급로(420a)는 광 유도로(520)의 제5 방향(Z1)의 내벽에 연결되고, 제2 가스 공급로(420b)는 광 유도로(520)의 제6 방향(Z2)의 내벽에 연결되는 것으로 가정한다.The first gas supply path 420a may be disposed symmetrically with the second gas supply path 420b. For example, when the first gas supply path 420a is disposed on the upper surface of the gas cell housing 510 as shown in FIG. 6, the second gas supply path 420b may be disposed on the lower surface of the gas cell housing 510. have. Although the present embodiment is not limited thereto, as illustrated for convenience, the first gas supply path 420a is connected to the inner wall of the fifth direction Z1 of the light guide path 520, and the second gas supply path 420b is provided. Is assumed to be connected to the inner wall of the sixth direction Z2 of the light guide path 520.

가스 서플라이(410)는 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)에 플라즈마 반응 가스(G)를 공급할 수 있다. 이에 따라서, 광 유도로(520)의 플라즈마 반응부(522)는 제5 방향(Z1) 및 제6 방향(Z2)의 양 방향에서 플라즈마 반응 가스(G)를 공급받을 수 있다. The gas supply 410 may supply the plasma reaction gas G to the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b. Accordingly, the plasma reaction part 522 of the light guide path 520 may receive the plasma reaction gas G in both directions of the fifth direction Z1 and the sixth direction Z2.

이 때, 가스 서플라이(410)는 펄스 형태의 주입 방식을 채용할 수 있다. 즉, 가스 서플라이(410)에 의해서 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)는 펄스 형태로 광 유도로(520)에 플라즈마 반응 가스(G)를 공급할 수 있다. 이러한 펄스 형태의 주입은 추후에 설명할 층류(laminar flow)의 형성을 더욱 강화시킬 수 있다.At this time, the gas supply 410 may employ a pulse injection method. That is, the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b may supply the plasma reaction gas G to the light guide path 520 in the form of a pulse by the gas supply 410. This pulsed injection can further enhance the formation of laminar flow, which will be explained later.

이 때, 제1 가스 공급로(420a)는 제5 방향(Z1) 상에서 방출부(523) 방향 즉, 제1 방향(X1)으로 기울어질 수 있다. 마찬가지로, 제2 가스 공급로(420b)는 제6 방향(Z2) 상에서 방출부(523) 방향 즉, 제1 방향(X1)으로 기울어질 수 있다.In this case, the first gas supply path 420a may be inclined in the discharge part 523 direction, that is, in the first direction X1, in the fifth direction Z1. Similarly, the second gas supply path 420b may be inclined in the discharge part 523 direction, that is, the first direction X1, in the sixth direction Z2.

이 때, 광 유도로(520)와 제1 가스 공급로(420a) 사이의 각도는 제1 예각(θ1)일 수 있다. 마찬가지로, 광 유도로(520)와 제2 가스 공급로(420b) 사이의 각도는 제1 예각(θ1)일 수 있다. 즉, 2개의 가스 공급로(420)가 서로 같은 제1 예각(θ1)으로 기울어짐에 따라서, 공급되는 플라즈마 반응 가스(G)는 서로 대칭되는 속도 성분이 상쇄될 수 있다.In this case, the angle between the light guide path 520 and the first gas supply path 420a may be a first acute angle θ1. Similarly, the angle between the light guide path 520 and the second gas supply path 420b may be a first acute angle θ1. That is, as the two gas supply paths 420 are inclined at the same first acute angle θ1, the velocity components in which the plasma reactive gases G are symmetric with each other may be cancelled.

구체적으로, 제1 가스 공급로(420a)에 의해서 공급되는 플라즈마 반응 가스(G)의 제6 방향(Z2)의 속도 성분과 제2 가스 공급로(420b)에 의해서 공급되는 플라즈마 반응 가스(G)의 제5 방향(Z1)의 속도 성분이 서로 상쇄되어 제2 방향(X2)의 속도 성분만이 남아 층류(laminar flow) 또는 제트 기류(jet stream)를 형성할 수 있다. 이러한 층류는 난류(turbulent flow)와는 달리 규칙적인 흐름을 가지므로 플라즈마 반응 후의 플라즈마 반응 가스(G)가 제2 방향(X2)의 입사부(521)로 배출되는 것을 더욱 향상시킬 수 있다.Specifically, the plasma reaction gas G supplied by the velocity component in the sixth direction Z2 of the plasma reaction gas G supplied by the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b. Velocity components in the fifth direction Z1 may cancel each other so that only the velocity components in the second direction X2 remain to form a laminar flow or a jet stream. Since the laminar flow has a regular flow unlike turbulent flow, it is possible to further improve the discharge of the plasma reaction gas G after the plasma reaction to the incidence part 521 in the second direction X2.

본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치의 제2 가스셀(501)은 층류의 형성을 강화하기 위해서 광 유도로(520)의 내부 및 가스 공급로(420)의 연결부위가 유선형으로 형성될 수도 있다. 즉, 광 유도로(520)의 입사부(521)와 플라즈마 반응부(522) 사이의 단차, 플라즈마 반응부(522)와 방출부(523) 사이의 단차 및 가스 공급로(420)와 플라즈마 반응부(522) 사이의 단차가 라운딩 처리되어 기류의 흐름을 방해하지 않도록 형성될 수도 있다. 이를 통해서, 상술한 층류의 형성을 더욱 강화시킬 수 있다.In the second gas cell 501 of the extreme ultraviolet light generating device according to the exemplary embodiment of the present invention, the connection portion of the light guide passage 520 and the gas supply passage 420 is formed in a streamline shape to enhance the formation of laminar flow. May be That is, the step between the incident part 521 and the plasma reaction part 522 of the light guide path 520, the step between the plasma reaction part 522 and the emission part 523, and the plasma supply path 420 and the plasma reaction Steps between the sections 522 may be rounded so as not to disturb the flow of airflow. Through this, the formation of the laminar flow described above can be further enhanced.

도 5 및 도 9를 참조하면, 제1 방향(X1)의 위치를 X축으로 하고, 기류의 속도(V)를 Y축으로 한 그래프이다. 여기서, X1=0의 값을 가지는 곳은 도 5에서 정의된 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)이 접하는 위치를 의미할 수 있다. 즉, 입사광(IR)이 극자외선(EUV)으로 변환되는 영역이 X1=0인 곳이다.5 and 9 are graphs in which the position of the first direction X1 is the X axis, and the velocity V of the airflow is the Y axis. Here, the place having a value of X1 = 0 may mean a position where the first region R1 and the second region R2 defined in FIG. 5 contact each other. That is, the area where the incident light IR is converted into extreme ultraviolet light (EUV) is where X1 = 0.

도 9에서 확인할 수 있듯이, 층류 형성을 통해서 플라즈마 반응 가스(G)는 입사광(IR)이 진행하는 제1 영역(R1)에서는 높은 속도를 나타내지만, 극자외선(EUV)이 진행하는 제2 영역(R2)에서는 매우 낮은 속도를 보여준다. As can be seen in FIG. 9, although the plasma reaction gas G has a high velocity in the first region R1 through which the incident light IR travels through the laminar flow, the second region in which the extreme ultraviolet light EUV proceeds ( R2) shows very low speed.

즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 가스 공급로(420)를 기울여 층류를 형성하는 것을 통해서, 생성되는 극자외선(EUV)의 재흡수를 최소화하여 극자외선(EUV)의 파워를 최대화할 수 있다.That is, the apparatus for generating extreme ultraviolet rays according to some embodiments of the present invention minimizes reabsorption of generated extreme ultraviolet rays (EUV) by tilting the gas supply path 420 to form laminar flow, thereby increasing the power of the extreme ultraviolet rays (EUV). Can be maximized.

이하, 도 10 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치를 설명한다. 상술한 실시예와 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.10 to 13, an apparatus for generating extreme ultraviolet rays according to some embodiments of the present invention will be described. Descriptions overlapping with the above-described embodiments will be briefly or omitted.

도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 11은 도 10의 E 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다. 도 12는 도 11의 F - F'로 자른 단면도이고, 도 13은 도 10의 가스 공급로의 기울어진 방향을 설명하기 위한 벡터를 표시한 도면이다.FIG. 10 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet ray generating device according to some embodiments of the present disclosure, and FIG. 11 is a side view of the gas cell viewed from the direction E of FIG. 10. FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line F ′ F ′ of FIG. 11, and FIG. 13 is a diagram illustrating a vector for describing an inclined direction of the gas supply path of FIG. 10.

도 10 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 2개의 가스 공급로(420)가 소용돌이 형상으로 연장되는 제3 가스셀(502)을 포함할 수 있다.10 to 13, the extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present disclosure may include a third gas cell 502 in which two gas supply passages 420 extend in a vortex shape.

구체적으로, 제1 가스 공급로(420a)와 제2 가스 공급로(420b)는 광 유도로(520)에 대해서 서로 반대 방향으로 기울어질 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(X1)(또는 제2 방향(X2))과 제5 방향(Z1)(또는 제6 방향(Z2))에 의해서 정의되는 평면 상에서(도 12) 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)는 제1 방향(X1)의 광 유도로(520)에 대해서 각각 제5 방향(Z1) 및 제6 방향(Z2)으로 제1 예각(θ1)만큼 기울어질 수 있다.In detail, the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b may be inclined in opposite directions with respect to the light guide path 520. For example, the first gas supply path on a plane defined by the first direction X1 (or the second direction X2) and the fifth direction Z1 (or the sixth direction Z2) (FIG. 12). The 420a and the second gas supply paths 420b have a first acute angle θ1 in the fifth direction Z1 and the sixth direction Z2, respectively, with respect to the light guide path 520 in the first direction X1. Can be tilted.

또한, 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)는 제3 방향(Y1)(또는 제4 방향(Y2))과 제5 방향(Z1)(또는 제6 방향(Z2))에 의해서 정의되는 평면 상에서(도 11) 제3 방향(Y1)(또는 제4 방향(Y2))의 축에 대해서 제2 예각(θ2)만큼 서로 반대 방향으로 기울어질 수 있다. 구체적으로, 제1 가스 공급로(420a)는 제3 방향(Y1)으로 기울어지고, 제2 가스 공급로(420b)는 제4 방향(Y2)으로 기울어질 수 있다.In addition, the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b may have a third direction Y1 (or a fourth direction Y2) and a fifth direction Z1 (or a sixth direction Z2). 11 may be inclined in opposite directions with respect to the axis in the third direction Y1 (or the fourth direction Y2) on the plane defined by (). In detail, the first gas supply path 420a may be inclined in the third direction Y1, and the second gas supply path 420b may be inclined in the fourth direction Y2.

즉, 도 13에서 광 유도로(520)가 제1 방향(X1)(또는 제2 방향(X2))으로 연장되었다고 할 때, 제1 가스 공급로(420a)는 제1 벡터(V1)로 표시할 수 있다. 제1 벡터(V1)는 제1 방향(X1) 및 제5 방향(Z1)에 의해서 정의된 평면(X1Z1 평면)에서는 제1 방향(X1)의 X1 축에 대해서 제1 예각(θ1)만큼 기울어지고, 이는 정사영된 제2 벡터(V2)를 통해서 확인할 수 있다.That is, in FIG. 13, when the light guide path 520 extends in the first direction X1 (or the second direction X2), the first gas supply path 420a is represented by the first vector V1. can do. The first vector V1 is inclined by the first acute angle θ1 with respect to the X1 axis of the first direction X1 in the plane X1Z1 plane defined by the first direction X1 and the fifth direction Z1. This can be confirmed through the orthogonal second vector V2.

마찬가지로, 제1 벡터(V1)는 제3 방향(Y1) 및 제5 방향(Z1)에 의해서 정의된 평면(Y1Z1 평면)에서는 제3 방향(Y1)의 Y1 축에 대해서 제2 예각(θ2)만큼 기울어지고, 이는 정사영된 제3 벡터(V3)를 통해서 확인할 수 있다.Similarly, the first vector V1 has a second acute angle θ2 with respect to the Y1 axis of the third direction Y1 in the plane Y1Z1 plane defined by the third direction Y1 and the fifth direction Z1. Tilted, this can be confirmed through the orthogonal third vector V3.

이렇게 제1 가스 공급로(420a)와 제2 가스 공급로(420b)가 대칭적으로 제3 방향(Y1) 및 제4 방향(Y2)으로도 기울어지는 경우에는 상술한 층류가 더욱 강화될 수 있다. 이는 제3 방향(Y1) 및 제4 방향(Y2)의 성분이 상쇄되면서 제2 방향(X2)의 속도 성분만이 남고, 난류가 형성되는 여지가 감소되기 때문이다. When the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b are symmetrically inclined in the third direction Y1 and the fourth direction Y2, the laminar flow described above may be further enhanced. . This is because only the velocity component in the second direction X2 remains while the components in the third and fourth directions Y1 and Y2 cancel each other, and the room for turbulence is reduced.

따라서, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 극자외선(EUV)의 생성 이후에 플라즈마 반응 가스(G)의 밀도를 더욱 낮추어서 극자외선(EUV)의 파워 감소를 최소화시킬 수 있다.Therefore, the extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention may further reduce the density of the plasma reaction gas G after the generation of the extreme ultraviolet light (EUV), thereby minimizing the power reduction of the extreme ultraviolet light (EUV).

이하, 도 14 및 도 15를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치를 설명한다. 상술한 실시예와 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.Hereinafter, an apparatus for generating extreme ultraviolet rays according to some embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 and 15. Descriptions overlapping with the above-described embodiments will be briefly or omitted.

도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 15는 도 14의 G 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.FIG. 14 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet light generating device according to some embodiments of the present disclosure, and FIG. 15 is a side view of the gas cell viewed from the direction G of FIG. 14.

도 14 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 장치는 4개의 가스 공급로를 포함하는 제4 가스셀(503)을 포함할 수 있다.14 and 15, the extreme ultraviolet device according to some embodiments of the present invention may include a fourth gas cell 503 including four gas supply paths.

제4 가스셀(503)은 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)뿐만 아니라, 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)를 더 포함할 수 있다.The fourth gas cell 503 may further include a third gas supply path 420c and a fourth gas supply path 420d as well as the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b. have.

제3 가스 공급로(420c)는 제4 가스 공급로(420d)와 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 14 및 도 15와 같이 제3 가스 공급로(420c)가 가스셀 하우징(510)의 제4 방향(Y2)의 측면에 배치되는 경우 제4 가스 공급로(420d)는 가스셀 하우징(510)의 제3 방향(Y1)의 측면에 배치될 수 있다. 단, 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)가 배치되는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제3 방향(Y1) 및 제4 방향(Y2)이 아니라도, 제1 방향(X1)과 직교하고, 서로 반대되는 방향으로 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)가 각각 배치될 수 있다. 이러한 경우에는 제3 방향(Y1)(또는 제4 방향(Y2)) 및 제5 방향(Z1)(또는 제6 방향(Z2))에 의해서 정의된 평면에서, 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)가 배치된 방향은 제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)가 배치된 방향과 직교하지 않을 수도 있다The third gas supply path 420c may be disposed symmetrically with the fourth gas supply path 420d. For example, when the third gas supply path 420c is disposed on the side of the gas cell housing 510 in the fourth direction Y2 as shown in FIGS. 14 and 15, the fourth gas supply path 420d may be a gas cell. It may be disposed on the side of the third direction (Y1) of the housing 510. However, the position where the third gas supply path 420c and the fourth gas supply path 420d are disposed is not limited thereto. That is, the third gas supply path 420c and the fourth gas supply path 420d are perpendicular to the first direction X1 and opposite to each other even if the third direction Y1 and the fourth direction Y2 are not. ) May be arranged respectively. In this case, in the plane defined by the third direction Y1 (or the fourth direction Y2) and the fifth direction Z1 (or the sixth direction Z2), the third gas supply path 420c and The direction in which the fourth gas supply path 420d is disposed may not be orthogonal to the direction in which the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b are disposed.

본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니지만, 편의상 도시된 바와 같이 제3 가스 공급로(420c)는 광 유도로(520)의 제4 방향(Y2)의 내벽에 연결되고, 제4 가스 공급로(420d)는 광 유도로(520)의 제3 방향(Y1)의 내벽에 연결되는 것으로 가정한다.Although the present embodiment is not limited thereto, as illustrated for convenience, the third gas supply path 420c is connected to the inner wall of the fourth direction Y2 of the light guide path 520 and the fourth gas supply path 420d. Is assumed to be connected to the inner wall of the third direction Y1 of the light guide path 520.

본 실시예에 따른 극자외선 발생 장치의 제4 가스셀(503)은 더 많은 가스 공급로가 대칭적으로 배치됨에 따라서, 층류의 형성이 더욱 강화될 수 있다. 이에 따라서, 생성된 극자외선(EUV)의 파워가 재흡수가 감소됨에 따라서 더욱 커질 수 있다.In the fourth gas cell 503 of the extreme ultraviolet generating device according to the present embodiment, as more gas supply paths are arranged symmetrically, the formation of laminar flow may be further enhanced. Accordingly, the power of the generated extreme ultraviolet light (EUV) may become larger as the reabsorption is reduced.

상술한 설명에서 가스 공급로가 복수인 경우 중 2개 혹은 4개인 경우를 설명하였지만, 대칭적으로 배치된다면 본 발명의 몇몇 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치의 가스셀은 서로 대칭적으로 배치된다면 8개, 16개 등의 더 많은 개수의 가스 공급로를 포함할 수도 있다.In the above description, the case of two or four of the plurality of gas supply paths has been described, but some embodiments of the present invention are not limited thereto if disposed symmetrically. That is, the gas cells of the extreme ultraviolet generating device according to some embodiments of the present invention may include a larger number of gas supply passages, such as eight or sixteen, if they are arranged symmetrically.

여기서, 가스 공급로의 개수는 2n개일 필요도 없고, 짝수일 필요도 없다. 즉, 3개, 5개 및 7개인 경우라도 서로 대칭적으로 배치되는 경우라면 얼마든지 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치에 적용될 수 있다.Here, the number of gas supply passages does not need to be 2 n pieces, nor does it need to be an even number. That is, three, five, and seven may be applied to the extreme ultraviolet generating apparatus according to some embodiments of the present invention as long as they are arranged symmetrically with each other.

이하, 도 10 내지 도 13, 도 16 및 도 17을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치를 설명한다. 상술한 실시예와 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.10 to 13, 16 and 17, an extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention will be described. Descriptions overlapping with the above-described embodiments will be briefly or omitted.

도 16은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 17은 도 16의 H 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이다.FIG. 16 is a perspective view illustrating an extreme ultraviolet light generating device according to some embodiments of the present disclosure, and FIG. 17 is a side view of the gas cell viewed from the direction H of FIG. 16.

도 10 내지 도 13, 도 16 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 4개의 가스 공급로가 소용돌이 형상으로 연장되는 제5 가스셀(504)을 포함할 수 있다.10 to 13, 16, and 17, the extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention may include a fifth gas cell 504 in which four gas supply passages extend in a vortex shape. have.

제1 가스 공급로(420a) 및 제2 가스 공급로(420b)에 대한 설명은 도 10 내지 도 13의 경우와 동일할 수 있다.Descriptions of the first gas supply path 420a and the second gas supply path 420b may be the same as those of FIGS. 10 to 13.

추가적으로, 제3 가스 공급로(420c)와 제4 가스 공급로(420d)는 광 유도로(520)에 대해서 서로 반대 방향으로 기울어질 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(X1)(또는 제2 방향(X2))과 제5 방향(Z1)(또는 제6 방향(Z2))에 의해서 정의되는 평면 상에서 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)는 제1 방향(X1)의 광 유도로(520)에 대해서 각각 제5 방향(Z1) 및 제6 방향(Z2)으로 제1 예각(θ1)만큼 기울어질 수 있다.In addition, the third gas supply path 420c and the fourth gas supply path 420d may be inclined in opposite directions with respect to the light guide path 520. For example, the third gas supply path 420c on a plane defined by the first direction X1 (or the second direction X2) and the fifth direction Z1 (or the sixth direction Z2) and The fourth gas supply path 420d may be inclined by the first acute angle θ1 in the fifth direction Z1 and the sixth direction Z2, respectively, with respect to the light guide path 520 in the first direction X1. .

또한, 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)는 제3 방향(Y1)(또는 제4 방향(Y2))과 제5 방향(Z1)(또는 제6 방향(Z2))에 의해서 정의되는 평면 상에서(도 17) 제3 방향(Y1)(또는 제4 방향(Y2))의 축에 대해서 제3 예각(θ3)만큼 서로 반대 방향으로 기울어질 수 있다. 구체적으로, 제3 가스 공급로(420c)는 제5 방향(Z1)으로 기울어지고, 제4 가스 공급로(420d)는 제6 방향(Z2)으로 기울어질 수 있다.In addition, the third gas supply path 420c and the fourth gas supply path 420d may have a third direction Y1 (or a fourth direction Y2) and a fifth direction Z1 (or a sixth direction Z2). It may be inclined in directions opposite to each other by the third acute angle θ3 with respect to the axis in the third direction Y1 (or the fourth direction Y2) on the plane defined by FIG. 17. In detail, the third gas supply path 420c may be inclined in the fifth direction Z1, and the fourth gas supply path 420d may be inclined in the sixth direction Z2.

상기 제3 예각(θ3)은 제2 예각(θ2)과 동일한 크기의 각도일 수도 있지만, 다른 크기의 각도일 수 있다. 즉, 제3 예각(θ3)의 크기는 제한되지 않는다.The third acute angle θ3 may be an angle having the same size as the second acute angle θ2, but may be an angle of a different size. That is, the size of the third acute angle θ3 is not limited.

도 17에서는 본 실시예의 제1 가스 공급로(420a), 제2 가스 공급로(420b), 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)는 모두 시계 반대 방향으로 기울어지도록 도시되었으나, 이제 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치에서 제1 가스 공급로(420a), 제2 가스 공급로(420b), 제3 가스 공급로(420c) 및 제4 가스 공급로(420d)는 모두 시계 방향으로 기울어지도록 도시될 수도 있다.In FIG. 17, all of the first gas supply path 420a, the second gas supply path 420b, the third gas supply path 420c, and the fourth gas supply path 420d of the present exemplary embodiment are inclined counterclockwise. However, it is not limited now. That is, in the extreme ultraviolet ray generating apparatus according to some embodiments of the present invention, the first gas supply path 420a, the second gas supply path 420b, the third gas supply path 420c, and the fourth gas supply path 420d. May be shown to all tilt in a clockwise direction.

이하, 도 18 내지 도 21을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치를 설명한다. 상술한 실시예와 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.Hereinafter, an extreme ultraviolet ray generating apparatus according to some embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 18 to 21. Descriptions overlapping with the above-described embodiments will be briefly or omitted.

도 18은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 극자외선 생성 장치를 설명하기 위한 개념도이고, 도 19는 도 18의 가스셀을 세부적으로 설명하기 위한 사시도이다. 도 20은 도 19의 I 방향에서 바라본 가스셀의 측면도이고, 도 21은 도 20의 J - J'로 자른 단면도이다.FIG. 18 is a conceptual diagram for describing an extreme ultraviolet ray generating device according to some embodiments of the present invention, and FIG. 19 is a perspective view for describing the gas cell of FIG. 18 in detail. FIG. 20 is a side view of the gas cell viewed from the direction I of FIG. 19, and FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line JJ ′ of FIG. 20.

도 18 내지 도 21을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 극자외선 생성 장치는 드라이 펌프(30), 배기부(31), 펌프홀(14) 및 배기부(31)와 연결되는 제6 가스셀(505)을 포함한다.18 to 21, an extreme ultraviolet light generating apparatus according to some embodiments of the present invention may include a sixth connected to a dry pump 30, an exhaust unit 31, a pump hole 14, and an exhaust unit 31. The gas cell 505 is included.

드라이 펌프(30)는 진공 챔버(10) 외부에 위치할 수 있다. 드라이 펌프(30)는 펌프홀(14)을 통해서 배기부(31)와 연결될 수 있다. 드라이 펌프(30)는 제6 가스셀(505) 내부의 기체를 빨아들일 수 있다. 즉, 제6 가스셀(505) 내부의 플라즈마 반응 가스(G)는 드라이 펌프(30)에 의해서 제6 가스셀(505)의 외부로 배출될 수 있다.The dry pump 30 may be located outside the vacuum chamber 10. The dry pump 30 may be connected to the exhaust part 31 through the pump hole 14. The dry pump 30 may suck gas inside the sixth gas cell 505. That is, the plasma reaction gas G inside the sixth gas cell 505 may be discharged to the outside of the sixth gas cell 505 by the dry pump 30.

배기부(31)는 드라이 펌프(30)와 제6 가스셀(505)을 연결하는 부분일 수 있다. 배기부(31)는 제6 가스셀(505) 내부의 플라즈마 반응 가스(G)가 배기되는 통로일 수 있다. 배기부(31)는 펌프홀(14)을 통해서 진공 챔버(10)의 외부로 연결될 수 있다.The exhaust part 31 may be a part connecting the dry pump 30 and the sixth gas cell 505. The exhaust part 31 may be a passage through which the plasma reaction gas G inside the sixth gas cell 505 is exhausted. The exhaust part 31 may be connected to the outside of the vacuum chamber 10 through the pump hole 14.

펌프홀(14)은 진공 챔버(10)의 외벽(11)에 형성되어 배기부(31)가 드라이 펌프(30)와 연결되게 할 수 있다.The pump hole 14 may be formed in the outer wall 11 of the vacuum chamber 10 to allow the exhaust part 31 to be connected to the dry pump 30.

제6 가스셀(505)은 배기부(31)를 통해서 플라즈마 반응 가스(G)를 배출할 수 있다. 이 때, 배기부(31)는 가스 공급로(420)에 비해서 제2 방향(X2)으로 이격되어 위치할 수 있다. 이에 따라서, 가스 공급로(420)에 의해서 형성된 기류가 배출되는 통로가 될 수 있다.The sixth gas cell 505 may discharge the plasma reaction gas G through the exhaust part 31. In this case, the exhaust part 31 may be spaced apart from the gas supply path 420 in the second direction X2. Accordingly, it may be a passage through which the air flow formed by the gas supply passage 420 is discharged.

물론, 진공 챔버(10)의 내부의 압력은 제6 가스셀(505)의 내부의 압력에 비해서 낮을 수 있다. 이에 따라서, 입사부(521)로도 플라즈마 반응 가스(G)가 배출될 수 있다. 따라서, 플라즈마 반응 가스(G)의 일부는 배기부(31)를 통해서 진공 챔버(10) 외부로 배출되고, 플라즈마 반응 가스(G)의 나머지 일부는 입사부(521)를 통해서 진공 챔버(10)로 배출된 뒤, 배기 장치(20)에 의해서 진공 챔버(10)의 외부로 배출될 수 있다.Of course, the pressure inside the vacuum chamber 10 may be lower than the pressure inside the sixth gas cell 505. Accordingly, the plasma reaction gas G may also be discharged to the incident part 521. Accordingly, a part of the plasma reaction gas G is discharged to the outside of the vacuum chamber 10 through the exhaust part 31, and the other part of the plasma reaction gas G is vacuum chamber 10 through the incidence part 521. After being discharged to, it may be discharged to the outside of the vacuum chamber 10 by the exhaust device 20.

본 실시예는 제6 가스셀(505) 내부의 플라즈마 반응 가스(G)의 배출을 더욱 강화하여 극자외선(EUV)의 파워를 더욱 높일 수 있다.According to the present embodiment, the discharge of the plasma reaction gas G inside the sixth gas cell 505 may be further enhanced to further increase the power of the extreme ultraviolet (EUV).

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

420: 가스 공급로
500, 501, 502, 503, 504, 505, 506: 가스셀
510: 가스셀 하우징
520: 광 유도로
530: 캡핑막420: gas supply furnace
500, 501, 502, 503, 504, 505, 506: gas cell
510: gas cell housing
520: light induction furnace
530: capping film

Claims (10)

제1 방향으로 연장되는 가스셀 하우징;
상기 가스셀 하우징을 제1 방향으로 관통하는 광 유도로로서, 상기 광 유도로는,
입사광이 입사되는 입사부와,
상기 입사부와 상기 제1 방향으로 접하고, 상기 입사광과 플라즈마 반응 가스가 접하여 극자외선(EUV; Extreme Ultra Violet)이 생성되는 플라즈마 반응부와,
상기 플라즈마 반응부와 상기 제1 방향으로 접하고, 상기 극자외선이 상기 제1 방향으로 방출되는 방출부를 포함하는 광 유도로; 및
상기 가스셀 하우징의 측면에서 상기 플라즈마 반응부에 연결되어 상기 플라즈마 반응부에 상기 플라즈마 반응 가스를 공급하고, 상기 광 유도로와 예각으로 기울어진 가스 주입로를 포함하는 극자외선 생성 장치.A gas cell housing extending in a first direction;
An optical induction path penetrating the gas cell housing in a first direction, the optical induction path,
An incident part to which incident light is incident,
A plasma reaction part in contact with the incident part in the first direction and in contact with the incident light and a plasma reactive gas to generate extreme ultra violet (EUV);
A light induction furnace in contact with the plasma reaction part in the first direction and including an emission part in which the extreme ultraviolet rays are emitted in the first direction; And
And a gas injection path connected to the plasma reaction part at a side of the gas cell housing to supply the plasma reaction gas to the plasma reaction part, and inclined at an acute angle with the light induction path. 제1 항에 있어서,
상기 가스셀 하우징은 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향의 제1 측면과,
상기 제2 방향과 반대되는 제3 방향의 제2 측면을 포함하고,
상기 가스 주입로는 상기 제1 측면에서 연장되는 제1 가스 주입로와, 상기 제2 측면에서 연장되는 제2 가스 주입로를 포함하는 극자외선 생성 장치.According to claim 1,
The gas cell housing may include a first side surface in a second direction orthogonal to the first direction,
A second side surface in a third direction opposite to the second direction,
And the gas injection path includes a first gas injection path extending from the first side and a second gas injection path extending from the second side. 제2 항에 있어서,
상기 가스셀 하우징은 상기 제1 방향과 직교하고, 상기 제2 방향과 교차하는 제4 방향의 제3 측면과,
상기 제4 방향과 반대되는 제5 방향의 제4 측면을 포함하고,
상기 가스 주입로는 상기 제3 측면에서 연장되는 제3 가스 주입로와, 상기 제4 측면에서 연장되는 제4 가스 주입로를 포함하는 극자외선 생성 장치.The method of claim 2,
The gas cell housing may have a third side surface perpendicular to the first direction and intersecting the second direction, in a fourth direction;
A fourth side surface in a fifth direction opposite to the fourth direction,
And the gas injection path includes a third gas injection path extending from the third side and a fourth gas injection path extending from the fourth side. 제2 항에 있어서,
상기 제1 가스 주입로는 상기 제1 및 제2 방향과 직교하는 제6 방향으로 기울어지고,
상기 제2 가스 주입로는 상기 제6 방향과 반대되는 제7 방향으로 기울어지는 극자외선 생성 장치.The method of claim 2,
The first gas injection path is inclined in a sixth direction orthogonal to the first and second directions,
The second gas injection path is inclined in a seventh direction opposite to the sixth direction, the extreme ultraviolet generation device. 제2 항에 있어서,
상기 가스 주입로는 상기 방출부 방향으로 기울어진 극자외선 생성 장치.The method of claim 2,
And the gas injection path is inclined toward the discharge part. 제1 항에 있어서,
상기 가스셀 하우징이 포함되는 진공 챔버를 더 포함하는 극자외선 생성 장치.According to claim 1,
The apparatus of claim 1, further comprising a vacuum chamber including the gas cell housing. 제6 항에 있어서,
상기 가스셀 하우징 내부의 압력은 상기 가스셀 하우징 외부의 압력보다 높은 극자외선 생성 장치.The method of claim 6,
And a pressure inside the gas cell housing is higher than a pressure outside the gas cell housing. 제1 항에 있어서,
상기 플라즈마 반응 가스는 상기 입사부를 통해서 상기 가스셀 하우징 내부에서 외부로 배출되는 극자외선 생성 장치.According to claim 1,
And the plasma reactive gas is discharged from the inside of the gas cell housing to the outside through the incident part. IR 레이저 펄스를 방출하는 광원; 및
상기 IR 레이저 펄스가 플라즈마 반응 가스와 접하여 극자외선을 생성하는 가스셀을 포함하고,
상기 가스셀은,
상기 IR 레이저 펄스가 통과하는 광 유도로와,
상기 광 유도로와 제1 예각만큼 기울어지게 연결되고, 플라즈마 반응 가스를 공급하는 가스 공급로를 포함하는 극자외선 생성 장치.A light source emitting an IR laser pulse; And
The IR laser pulse includes a gas cell in contact with a plasma reaction gas to generate extreme ultraviolet rays,
The gas cell,
An optical induction path through which the IR laser pulse passes,
And a gas supply path connected to the light induction path inclined by a first acute angle and supplying a plasma reaction gas. 제9 항에 있어서,
상기 IR 레이저 펄스는 제1 방향으로 진행하고,
상기 플라즈마 반응 가스는 상기 가스셀 내부에서 상기 IR 레이저 펄스와 반대 방향으로 배출되는 극자외선 생성 장치.The method of claim 9,
The IR laser pulse proceeds in a first direction,
And the plasma reactive gas is discharged in the opposite direction to the IR laser pulse inside the gas cell.
KR1020180012809A 2018-02-01 2018-02-01 Extreme ultra violet(EUV) generating device KR102529565B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180012809A KR102529565B1 (en) 2018-02-01 2018-02-01 Extreme ultra violet(EUV) generating device
US16/110,482 US10492284B2 (en) 2018-02-01 2018-08-23 EUV generating device
CN201811373497.6A CN110113855B (en) 2018-02-01 2018-11-19 EUV generating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180012809A KR102529565B1 (en) 2018-02-01 2018-02-01 Extreme ultra violet(EUV) generating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190093323A true KR20190093323A (en) 2019-08-09
KR102529565B1 KR102529565B1 (en) 2023-05-04

Family

ID=67392596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180012809A KR102529565B1 (en) 2018-02-01 2018-02-01 Extreme ultra violet(EUV) generating device

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10492284B2 (en)
KR (1) KR102529565B1 (en)
CN (1) CN110113855B (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012603A (en) * 2005-06-27 2007-01-18 Xtreme Technologies Gmbh Device and method for generating extreme ultraviolet-ray
JP2010103104A (en) * 2008-09-26 2010-05-06 Komatsu Ltd Extreme ultraviolet light source device, laser light source device for extreme ultraviolet light source device, and saturable absorber control method to be used for extreme ultraviolet light source device
KR101172622B1 (en) * 2011-02-28 2012-08-08 주식회사 에프에스티 Stabilized euv generation device using the plasma
KR20130106710A (en) * 2012-03-20 2013-09-30 주식회사 에프에스티 Induced plasma for euv light generated gas cell

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW518913B (en) * 2000-07-03 2003-01-21 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and semiconductor device manufacturing method
JP2005190904A (en) 2003-12-26 2005-07-14 Ushio Inc Extreme-ultraviolet light source
JP2006049422A (en) 2004-08-02 2006-02-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd Gas laser oscillator
DE102005007884A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-24 Xtreme Technologies Gmbh Apparatus and method for generating extreme ultraviolet (EUV) radiation
JP4888046B2 (en) * 2006-10-26 2012-02-29 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device
JP5218014B2 (en) 2008-12-17 2013-06-26 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device and maintenance method of extreme ultraviolet light source device
JP2011054376A (en) * 2009-09-01 2011-03-17 Ihi Corp Lpp type euv light source and generation method of the same
EP2545413A1 (en) 2010-03-12 2013-01-16 ASML Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2013124101A2 (en) 2012-02-22 2013-08-29 Asml Netherlands B.V. Fuel stream generator, source collector apparatus and lithographic apparatus
US20150097107A1 (en) 2012-03-20 2015-04-09 Fst Inc. Apparatus for generating extreme ultraviolet light using plasma
KR20140036538A (en) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 Apparatus for creating an ultraviolet light, an exposing apparatus including the same, and electronic devices manufactured using the exposing apparatus
KR20140079616A (en) * 2012-12-17 2014-06-27 삼성전자주식회사 Extreme Ultra Violet(EUV) generation device
KR101849978B1 (en) 2012-12-18 2018-04-19 삼성전자 주식회사 Apparatus and method for generating extreme ultra violet radiation
JP6241062B2 (en) * 2013-04-30 2017-12-06 ウシオ電機株式会社 Extreme ultraviolet light source device
WO2016013114A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light generation apparatus
US9301381B1 (en) * 2014-09-12 2016-03-29 International Business Machines Corporation Dual pulse driven extreme ultraviolet (EUV) radiation source utilizing a droplet comprising a metal core with dual concentric shells of buffer gas
US9826615B2 (en) * 2015-09-22 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV collector with orientation to avoid contamination
DE102016204407A1 (en) * 2016-03-17 2017-09-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method of producing extreme ultraviolet and / or soft x-ray radiation
JP6751138B2 (en) * 2016-04-27 2020-09-02 ギガフォトン株式会社 Extreme ultraviolet light sensor unit and extreme ultraviolet light generation device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012603A (en) * 2005-06-27 2007-01-18 Xtreme Technologies Gmbh Device and method for generating extreme ultraviolet-ray
JP2010103104A (en) * 2008-09-26 2010-05-06 Komatsu Ltd Extreme ultraviolet light source device, laser light source device for extreme ultraviolet light source device, and saturable absorber control method to be used for extreme ultraviolet light source device
KR101172622B1 (en) * 2011-02-28 2012-08-08 주식회사 에프에스티 Stabilized euv generation device using the plasma
KR20130106710A (en) * 2012-03-20 2013-09-30 주식회사 에프에스티 Induced plasma for euv light generated gas cell

Also Published As

Publication number Publication date
US20190239328A1 (en) 2019-08-01
US10492284B2 (en) 2019-11-26
KR102529565B1 (en) 2023-05-04
CN110113855B (en) 2024-04-09
CN110113855A (en) 2019-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5547440B2 (en) Physics package for cold atom primary frequency standards
US10145909B2 (en) Magnetism measuring device, gas cell, manufacturing method of magnetism measuring device, and manufacturing method of gas cell
KR102337946B1 (en) Apparatus and method for measuring thickness and temperature and substrate processing system
US6995382B2 (en) Arrangement for the generation of intensive short-wave radiation based on a plasma
CN112639445B (en) Light multiple reflection container
US10679821B1 (en) Light guide, detector having light guide, and charged particle beam device
WO2016151827A1 (en) Laser device
JP2016534409A (en) Transport system for extreme ultraviolet light source
KR102529565B1 (en) Extreme ultra violet(EUV) generating device
JP6919014B2 (en) Charged particle beam device
KR101349898B1 (en) Module for extreme ultra-violet beam generation
JP2017087162A (en) Optical reaction vessel
CN213368208U (en) Cold cesium atomic beam source structure of miniature atomic clock
CN206936612U (en) Laser welding gun is used in a kind of door and window processing
JP2001287071A (en) Laser beam machining device
JPS6011819B2 (en) gas laser device
US20210274631A1 (en) Reflective optical system
JPH0843293A (en) Gas cell
US11855406B2 (en) Gaseous laser systems with edge-defining element and related techniques
JP5611401B2 (en) Apparatus for amplifying a laser beam
RU2258992C1 (en) Unstable multipass resonator of supersonic chemical oxygen-water laser
CN216662479U (en) MEMS micro-mirror device
Qu et al. Quasichaotic optical multipass cell
JP4515306B2 (en) Plasma active particle density measurement method and density measurement apparatus
CN106549293A (en) A kind of negative branch confocal unstable resonator and its application in high energy gas laser

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant