KR20190086101A - Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process - Google Patents

Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process Download PDF

Info

Publication number
KR20190086101A
KR20190086101A KR1020180004186A KR20180004186A KR20190086101A KR 20190086101 A KR20190086101 A KR 20190086101A KR 1020180004186 A KR1020180004186 A KR 1020180004186A KR 20180004186 A KR20180004186 A KR 20180004186A KR 20190086101 A KR20190086101 A KR 20190086101A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
corroded
materials
metal contamination
subsidiary
acid
Prior art date
Application number
KR1020180004186A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조승익
이성욱
임지연
Original Assignee
에스케이실트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이실트론 주식회사 filed Critical 에스케이실트론 주식회사
Priority to KR1020180004186A priority Critical patent/KR20190086101A/en
Publication of KR20190086101A publication Critical patent/KR20190086101A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N17/00Investigating resistance of materials to the weather, to corrosion, or to light
    • G01N17/008Monitoring fouling
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N17/00Investigating resistance of materials to the weather, to corrosion, or to light
    • G01N17/006Investigating resistance of materials to the weather, to corrosion, or to light of metals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N17/00Investigating resistance of materials to the weather, to corrosion, or to light
    • G01N17/02Electrochemical measuring systems for weathering, corrosion or corrosion-protection measurement

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • Ecology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)

Abstract

A method for analyzing pollution prepares a plurality of subsidiary materials, corrodes the subsidiary materials using a plurality of sources, measures metal pollution based on the corroded subsidiary materials, and selects an optimal subsidiary material based on the measured metal pollution.

Description

공정용 부자재의 오염 분석 방법{Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a method for analyzing contaminants in process materials,

실시예는 공정용 부자재에서의 부식에 따른 오염을 분석하는 방법에 관한 것이다.The embodiments relate to a method for analyzing contamination due to corrosion in process auxiliary materials.

반도체설비에는 다양한 공정용 소스가 주입되거나 배출되기 위한 다양한 공정용 부자재가 구비된다. Semiconductor equipment is equipped with various process auxiliary materials for injecting or discharging various process sources.

반도체 공정의 장기간 사용으로 공정용 소스에 의해 공정용 부자재는 부식될 수 있다. 이와 같이 공정용 부자재가 부식되는 경우, 금속 오염이 발생되어 이는 곧 반도체소자의 품질 저하를 야기한다. Prolonged use of the semiconductor process can corrode process auxiliary materials by process sources. If the process auxiliary material is corroded in this way, metal contamination may occur, which may cause deterioration of the quality of the semiconductor device.

실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiments are directed to solving the above problems and other problems.

실시예의 다른 목적은 부자재의 부식 상태에 따른 금속 오염 정도를 용이하게 확인할 수 있는 공정용 부자재의 오염 분석 방법을 제공한다.Another object of the present invention is to provide a method for analyzing contamination of process auxiliary materials which can easily confirm the degree of metal contamination according to the corrosion state of the auxiliary material.

실시예의 또 다른 목적은 부자재가 노출되어 있는 환경, 예컨대 소스에 대한 부식 특성 영향을 용이하게 파악할 수 있는 공정용 부자재의 오염 분석 방법을 제공한다.It is still another object of the present invention to provide a method for analyzing contamination of process auxiliary materials which can easily grasp the influence of corrosive properties on the environment where the auxiliary materials are exposed, for example, the source.

실시예의 또 다른 목적은 특정 소스에 강한 부식력을 갖는 최적의 부자재를 선정할 수 있는 공정용 부자재의 오염 분석 방법을 제공한다.It is another object of the present invention to provide a method for analyzing contamination of process auxiliary materials capable of selecting an optimal auxiliary material having a strong corrosive force to a specific source.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 일 측면에 따르면, 공정용 부자재의 오염 분석 방법은, 다수의 부자재를 준비하는 단계; 다수의 소스를 이용하여 상기 다수의 부자재를 부식시키는 단계; 상기 부식된 다수의 부자재를 바탕으로 금속 오염을 측정하는 단계; 및 상기 측정된 금속 오염을 바탕으로 최적의 부자재를 선정하는 단계;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for analyzing contamination of a process auxiliary material, comprising: preparing a plurality of auxiliary materials; Corroding the plurality of subsidiary materials using a plurality of sources; Measuring metal contamination based on the corroded materials; And selecting an optimal auxiliary material based on the measured metal contamination.

실시예에 따른 공정용 부자재의 오염 분석 방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effect of the pollution analysis method of process auxiliary materials according to the embodiment will be described as follows.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 반도체설비에 사용되는 다양한 소스를 이용하여 반도체설비에 사용될 수 있는 다양한 부자재를 인위적으로 부식시킨 후 부식으로 인한 금속 오염을 측정함으로써, 부자재의 부식 상태에 따른 금속 오염 정도를 용이하게 확인할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, various kinds of subsidiary materials that can be used in a semiconductor facility can be artificially corroded using various sources used in a semiconductor facility, and metal contamination due to corrosion can be measured, It is easy to check the degree of the problem.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 부식에 따른 금속 오염이 측정됨으로써, 부자재가 노출되는 소스에 대한 부식 특성 영향을 용이하게 파악할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, the metal contamination due to corrosion is measured, so that the influence of the corrosion characteristics on the source where the accessory is exposed can be easily grasped.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 부식에 따른 금속 오염이 측정됨으로써, 특정 소스에 강한 부식력을 갖는 최적의 부자재를 선정할 수 있다는 장점이 있다. According to at least one of the embodiments, metal contamination due to corrosion is measured, so that an optimal auxiliary material having a strong corrosive force to a specific source can be selected.

실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. Additional ranges of applicability of the embodiments will be apparent from the following detailed description. It should be understood, however, that various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments will become apparent to those skilled in the art, and that specific embodiments, such as the detailed description and the preferred embodiments, are given by way of example only.

도 1은 실시예에 따른 공정용 부자재의 오염 분석 방법을 설명하는 순서도이다.
도 2는 스틸에 대한 오염 분석을 도시한다.
도 3은 SUS304 및 SUS316에 대한 오염 분석을 도시한다.
1 is a flowchart illustrating a method for analyzing contamination of process auxiliary materials according to an embodiment.
Figure 2 shows the contamination analysis for steel.
Figure 3 shows the contamination analysis for SUS304 and SUS316.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, It is to be understood that the invention includes equivalents and alternatives.

실시예에서는 반도체설비에 채택될 수 있는 다양한 부자재에 대한 금속 오염이 분석되었다. 부자재로서 예컨대, 스틸(steel), SUS304 및 SUS316가 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Metal contamination of various subsidiary materials that can be employed in semiconductor equipment has been analyzed in the examples. Steel, SUS304 and SUS316 may be used as auxiliary materials, but the present invention is not limited thereto.

부자재는 예컨대 공정용 소스가 흐르는 배관일 수 있다. 부자재는 반도체설비에서 챔버 내에서 반도체기판의 공정에 사용된 적어도 하나 이상의 혼합 가스가 배출되는 배관일 수도 있다. 이 이외에 반도체설비에 사용 가능한 다양한 배관이 실시예에서 금속 오염 분석을 위한 부자재일 수 있다. The auxiliary material may be, for example, a pipe through which the process source flows. The auxiliary material may be a pipe through which at least one mixed gas used in the processing of the semiconductor substrate in the chamber is discharged from the semiconductor facility. In addition, various piping that can be used for semiconductor equipment may be an auxiliary material for analysis of metal contamination in the embodiment.

실시예에서는 반도체설비에서 사용 가능한 다양한 공정용 소스가 사용되었다. 공정용 소스로서 예컨대, 산, 염기 및/또는 증류수가 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 산은 예컨대, 불산(HF), 질산(HNO3) 또는 이들의 혼합일 수 있다. 염기는 수산화나트륨(NaOH)일 수 있다. 증류수는 초순수(DIW: deionized water)일 수 있다. In the examples, various process sources available in semiconductor equipment were used. As a process source, for example, an acid, a base, and / or distilled water may be used, but the present invention is not limited thereto. The acid may be, for example, hydrofluoric acid (HF), nitric acid (HNO3) or a mixture thereof. The base may be sodium hydroxide (NaOH). The distilled water may be deionized water (DIW).

실시예에서는 반도체설비에 사용되는 다양한 소스를 이용하여 다양한 부자재를 부식시킨 후, 이들 부식된 부자재를 대상으로 금속 오염을 분석함으로써, 반도체설비에 사용되는 다양한 부재재가 어떤 소스에 부식력이 강한지 또는 약한지를 용이하게 파악할 수 있다.In the embodiment, various kinds of auxiliary materials are etched using various sources used in semiconductor equipment, and then the metal contamination is analyzed on the corroded subsidiary materials to determine whether the various members used in the semiconductor equipment have strong corrosion resistance It is easy to grasp the weakness.

실시예에서는 이와 같은 금속 오염 분석을 통해, 반도체설비에 사용되는 부자재에 부자재가 소스에 어떻게 영향을 받는지가 용이하게 파악될 수 있다. In the embodiment, it is possible to easily grasp how the auxiliary material used in the semiconductor equipment is affected by the source through the metal contamination analysis.

아울러, 실시예에서는 이와 같은 금속 오염 분석을 통해, 특정 소스에 강한 내부식 특성을 갖는 최적의 부자재를 선택할 수 있다. 이와 같은 최적의 부자재가 특정 소스가 사용되는 반도체설비에 설치되어 최적의 부자재를 통해 특정 소스가 반도체설비로 주입됨으로써, 반도체설비에 의해 고품질의 반도체소자가 제조될 수 있다. In addition, in the embodiment, through the analysis of metal contamination, it is possible to select an optimal auxiliary material having a strong anti-corrosive property to a specific source. The optimum auxiliary material is installed in a semiconductor facility in which a specific source is used, and a specific source is injected into a semiconductor facility through an optimal subsidiary material, so that a high-quality semiconductor device can be manufactured by the semiconductor facility.

이하에서 실시예에 따른 오염 분석 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, the pollution analysis method according to the embodiment will be described in detail.

도 1은 실시예에 따른 공정용 부자재의 오염 분석 방법을 설명하는 순서도이고, 도 2는 스틸에 대한 오염 분석을 도시하며, 도 3은 SUS304 및 SUS316에 대한 오염 분석을 도시한다. Fig. 1 is a flow chart illustrating a method for analyzing contamination of process auxiliary materials according to an embodiment, Fig. 2 shows a contamination analysis for steel, and Fig. 3 shows a contamination analysis for SUS304 and SUS316.

도 1을 참조하면, 다수의 부자재가 준비될 수 있다(S11). 부자재는 스틸, SUS304 및 SUS316를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 부자재는 반도체설비에 사용되는 실물 사이즈가 아닌 시험을 위해 작은 사이즈로 구비될 수 있다. Referring to FIG. 1, a plurality of subsidiary materials may be prepared (S11). The auxiliary materials may include but are not limited to steel, SUS304 and SUS316. The auxiliary material may be provided in a small size for testing, not for the actual size used in semiconductor equipment.

다수의 부자재 각각이 인위적으로 및/또는 강제적으로 부식될 수 있다(S12). 즉, 다수의 부자재 각각이 다수의 소스 각각에 의해 부식될 수 있다. 소스는 산, 염기 및 증류수를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 산은 예컨대, 불산(HF), 질산(HNO3) 또는 이들의 혼합일 수 있다. 염기는 수산화나트륨(NaOH)일 수 있다. 증류수는 초순수(DIW)일 수 있다. Each of the plurality of subsidiary materials can be artificially and / or forcibly corroded (S12). That is, each of the plurality of subsidiary materials can be corroded by each of the plurality of sources. Sources may include, but are not limited to, acids, bases and distilled water. The acid may be, for example, hydrofluoric acid (HF), nitric acid (HNO3) or a mixture thereof. The base may be sodium hydroxide (NaOH). The distilled water may be DIW.

예컨대, 제1 스틸이 산에 의해 부식되고, 제2 스틸이 염기에 의해 부식되며, 제3 스틸이 증류수에 의해 부식될 수 있다. 마찬가지로, SUS304 및 SUS316 각각이 산, 염기 또는 증류수에 의해 부식될 수 있다. For example, the first steel may be corroded by acid, the second steel may be corroded by the base, and the third steel may be corroded by the distilled water. Likewise, SUS304 and SUS316, respectively, can be corroded by acid, base or distilled water.

소스는 예컨대, 용기에 담궈져 있을 수 있다. 용기는 병(bottle)일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The source may, for example, be dipped in a container. The container may be, but is not limited to, a bottle.

스틸, SUS304 및 SUS316 각각에 대한 부식을 위해 예컨대 9개의 용기가 구비될 수 있다. 이중 3개의 용기는 산이 포함된 용기이고, 다른 3개의 용기는 염기가 포함된 용기이며, 또 다른 3개의 용기는 증류수가 포함될 용기일 수 있다. For example, nine vessels may be provided for corrosion to steel, SUS304 and SUS316, respectively. Three of which are containers containing acid, the other three containers are bases containing bases, and the other three containers may be containers containing distilled water.

각 용기에 포함된 산, 염기 및 증류수의 용량은 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The capacity of the acid, base, and distilled water contained in each vessel may be the same but is not limited thereto.

부자재는 각 용기에 담궈질 수 있을 정도의 사이즈를 가질 수 있다. The supplementary material may be sized to be immersed in each container.

실시예에 따르면, 부자재가 각 용기에 담궈져 부식되는 부식 시간은 10시간 내지 20시간일 수 있다. 부식 시간이 10시간 이내인 경우 부자재의 부식이 약해 나중에 금속 오염 분석이 어려울 수 있다. 부식 시간이 20시간을 넘는 경우 부자재가 과부식되어 부자재의 부식 정도에 대한 판단이 어려워 결국 금속 오염 분석이 어려울 수 있다. According to the embodiment, the corrosion time at which the auxiliary material is dipped in each container and corroded may be from 10 hours to 20 hours. If the corrosion time is within 10 hours, the corrosion of the auxiliary materials is weak and it may be difficult to analyze metal contamination later. If the corrosion time exceeds 20 hours, it is difficult to judge the degree of corrosion of the auxiliary materials due to overexcitation of the auxiliary material, so that it may be difficult to analyze the metal contamination.

이와 같이 부식된 부자재가 각 용기에서 꺼내진 후, 질산(HNO3) 용액에 침지될 수 있다(S13). 부자재는 질산(HNO3) 용액에 1시간 내지 2시간 침지됨으로써, 부자재에 부식된 이물질이 용출될 수 있다. 예컨대, 질산(HNO3)은 2%질산일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 2%질산은 대부분 물로 구성되어 있으며, 밀도는 1에 가깝다. 2%질산은 예컨대 1000g의 용액에 20g의 질산(HNO3)이 희석되어 얻어질 수 있다. After the corroded auxiliary material is taken out from each vessel, it can be immersed in a nitric acid (HNO3) solution (S13). The auxiliary material is immersed in a nitric acid (HNO 3) solution for 1 hour to 2 hours, so that the foreign material that has corroded into the auxiliary material can be eluted. For example, nitric acid (HNO3) may be 2% nitric acid, but this is not limiting. 2% nitric acid is mostly composed of water and the density is close to 1. Can be obtained by diluting 20 g of nitric acid (HNO3) in a solution of 1000 g of 2% nitric acid, for example.

2%질산에 의해 부자재에 부식된 이물질이 용이하게 용출될 수 있다. 실시예는 부자재에 부식된 이물질이 용이하게 용출될 수 있는 어떠한 용액도 사용될 수 있다. 2% nitric acid can easily dissolve foreign matter that has been corroded into the auxiliary material. Any solution can be used in the embodiment in which the foreign material that has been corroded to the subsidiary material can be easily eluted.

용출 용액이 발췌된 후(S14), 발췌된 용출 용액을 대상으로 금속 오염이 측정될 수 있다(S15). 용출 용액의 발췌나 금속 오염 측정에 대한 것은 이미 널리 공지된 바 있으므로, 더 이상의 상세한 설명은 생략한다. After the elution solution is extracted (S14), metal contamination can be measured on the eluted solution (S15). The extraction of the elution solution and the measurement of metal contamination are well known and will not be described in detail.

금속 오염 측정을 통해 최적의 부자재가 선정될 수 있다(S16).The optimum subsidiary material can be selected through metal contamination measurement (S16).

도 2 및 도 3을 참조하여 최적의 부자재의 선정을 설명한다. 도 2에서는 스틸의 부식에 따른 금속 오염을 보여줄 수 있다. 구체적으로, 도 2a에서는 스틸이 산에 의해 부식되는 경우에 금속 오염을 보여주고, 도 2b에서는 스틸이 염기에 의해 부식되는 경우에 금속 오염을 보여주며, 도 2c에서는 스틸이 증류수에 의해 부식되는 경우에 금속 오염을 보여줄 수 있다. The selection of the optimal subsidiary material will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. In FIG. 2, metal contamination due to corrosion of steel can be shown. Specifically, FIG. 2A shows metal contamination when steel is corroded by acid, FIG. 2B shows metal contamination when steel is corroded by a base, and FIG. 2C shows that steel is corroded by distilled water Can show metal contamination.

도 2a 내지 도 2c에 도시한 바와 같이, 스틸은 산, 염기 및 증류수에 의해 부식되는 경우, 철(Fe), 구리(Cu)가 높게 검출되었다. 특히, 철은 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 달리, 2,000,000ppb 이상이 검출되었다. 구리 또한 산이나 염기에 의해 부식되는 경우 6000ppb 이상의 검출되었다. 이로부터, 스틸은 산, 염기 및 증류수에 의해 부식되는 경우 철(Fe)와 구리(Cu)가 많이 검출되므로, 산, 염기 또는 증류수가 흐르는 부자재로는 적합하지 않음을 알 수 있다. As shown in FIGS. 2A to 2C, when steel was corroded by acid, base and distilled water, iron (Fe) and copper (Cu) were detected to be high. Particularly, unlike the case shown in Figs. 2A to 2C, iron was detected to have 2,000,000 ppb or more. Copper was also detected more than 6000 ppb when it was corroded by acid or base. From this, it can be seen that steel (Fe) and copper (Cu) are detected much when the steel is corroded by acid, base and distilled water, and therefore it is not suitable as an auxiliary material through which acid, base or distilled water flows.

도 3에서는 SUS304 및 SUS316 각각의 부식에 따른 금속 오염을 보여줄 수 있다. 도 3a에서는 SUS304 및 SUS316 각각이 산에 의해 부식되는 경우에 금속 오염을 보여주고, 도 3b에서는 SUS304 및 SUS316 각각이 염기에 의해 부식되는 경우에 금속 오염을 보여주며, 도 3c에서는 SUS304 및 SUS316 각각이 증류수에 의해 부식되는 경우에 금속 오염을 보여줄 수 있다. In FIG. 3, metal contamination due to corrosion of SUS304 and SUS316, respectively, can be shown. 3A shows metal contamination when SUS304 and SUS316 are corroded by acid, and FIG. 3B shows metal contamination when SUS304 and SUS316 respectively are corroded by a base. In FIG. 3C, SUS304 and SUS316 It can show metal contamination if it is corroded by distilled water.

도 3a에 도시한 바와 같이, SUS304 및 SUS316 모두 산에 의해 부식되는 경우 금속 오염 물질이 거의 검출되지 않았다. 따라서, SUS304 및 SUS316은 반도체설비에서 산이 흐르는 부자재로서 적합함을 알 수 있다.As shown in Fig. 3A, when SUS304 and SUS316 were corroded by acid, almost no metal contaminants were detected. Therefore, it can be seen that SUS304 and SUS316 are suitable as a subsidiary material through which acid flows in a semiconductor facility.

도 3b에 도시한 바와 같이, SUS304은 염기에 의해 부식되는 경우 철(Fe), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)이 높게 검출되었고, SUS316은 염기에 염기에 의해 부식되는 경우 철(Fe)이 높게 검출되었다. 따라서, SUS304 및 SUS316은 반도체설비에서 염기가 흐르는 부자재로는 적합하지 않음을 알 수 있다. As shown in FIG. 3B, SUS304 was found to be highly iron (Fe), copper (Cu) and nickel (Ni) when it was corroded by a base. Respectively. Therefore, it can be seen that SUS304 and SUS316 are not suitable as auxiliary materials through which a base flows in a semiconductor facility.

도 3c에 도시한 바와 같이, SUS304 및 SUS316 모두 증류수에 의해 부식되는 경우 철(Fe)만 높게 검출되었고 다음 금속 오염 물질은 거의 검출되지 않았다. SUS304 및 SUS316은 반도체설비에서 증류수가 흐르는 부자재로서 사용될 수 있다.As shown in FIG. 3C, when both SUS304 and SUS316 were corroded by distilled water, only iron (Fe) was detected high, and the following metal contaminants were hardly detected. SUS304 and SUS316 can be used as auxiliary materials through which distilled water flows in semiconductor equipment.

정리하면, 스틸은 산, 염기 및 증류수 모두에 대해 부식 특성이 약해 부식으로 인한 금속 오염 물질이 많이 발생되므로, 산, 염기 및 증류수가 흐르기 위한 부자재로 적합하지 않다.In summary, steel is not suitable as an auxiliary material for flowing acids, bases, and distilled water, because it generates a lot of metal contaminants due to corrosion due to its weak corrosive property against acid, base and distilled water.

SUS304 및 SUS316은 염기에 대해 부식 특성이 약해 부식으로 인한 금속 오염 물질이 많이 발생되므로, 염기가 흐르기 위한 부자재로 적합하지 않다.SUS304 and SUS316 are not suitable as auxiliary materials for the base flow because the corrosion characteristic is weak against the base and many metallic contaminants are generated due to corrosion.

SUS304 및 SUS316은 산 및 증류수 모두에 대해 부식 특성이 강해 부식으로 인한 금속 오염 물질이 거의 발생되지 않으므로, 산이나 증류수가 흐르기 위한 부자재로 적합하다. SUS304 and SUS316 are suitable as supplementary materials for flowing acid or distilled water because they have a strong corrosion property for both acid and distilled water, and metal pollution due to corrosion hardly occurs.

이상의 결과로서, 산 또는 증류수가 흐르는 부자재로는 SUS304 또는 SUS316가 사용될 수 있다. 염기가 흐르는 부자재로는 스틸, SUS304 및 SUS316 모두 적합하지 않다. 하지만, 이상과 같은 금속 오염 분석 방법을 이용하여 염기가 흐르기 위한 부자재는 용이하게 찾아질 수 있을 것이다. As a result, SUS304 or SUS316 can be used as an auxiliary material through which acid or distilled water flows. Steel, SUS304, and SUS316 are not suitable as base materials. However, by using the above metal contamination analysis method, auxiliary materials for flowing the base can be easily found.

이상과 같이 금속 오염 분석을 통해 각 소스가 흐르기에 적합한 최적의 부자재가 선정될 수 있고, 이와 같이 선정된 부자재가 반도체설비에 설치됨으로써, 반도체설비에 발생되는 금속 오염을 최소화하여 고품질의 반도체소자의 제조가 가능하다. As described above, the optimum subsidiary material suitable for flowing the respective sources can be selected through analysis of the metal contamination, and the selected subsidiary material is installed in the semiconductor facility, thereby minimizing metal contamination occurring in the semiconductor facility, It is possible to manufacture.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The foregoing detailed description should not be construed in all aspects as limiting and should be considered illustrative. The scope of the embodiments should be determined by rational interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalents of the embodiments are included in the scope of the embodiments.

Claims (4)

다수의 부자재를 준비하는 단계;
다수의 소스를 이용하여 상기 다수의 부자재를 부식시키는 단계;
상기 부식된 다수의 부자재를 바탕으로 금속 오염을 측정하는 단계; 및
상기 측정된 금속 오염을 바탕으로 최적의 부자재를 선정하는 단계;를 포함하는 공정용 부자재의 오염 분석 방법.
Preparing a plurality of subsidiary materials;
Corroding the plurality of subsidiary materials using a plurality of sources;
Measuring metal contamination based on the corroded materials; And
And selecting an optimal auxiliary material based on the measured metal contamination.
제1항에 있어서,
상기 최적의 부자재는 상기 다수의 소스 각각에 대해 선정되는 공정용 부자재의 오염 분석 방법.
The method according to claim 1,
And the optimal subsidiary material is selected for each of the plurality of sources.
제1항에 있어서,
상기 최적의 부자재는 특정 소스에 대한 부식 강도가 높은 공정용 부자재의 오염 분석 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the optimal subsidiary material has a high corrosion strength for a specific source.
제1항에 있어서,
상기 금속 오염을 측정하는 단계는,
상기 부식된 다수의 부자재를 질산 용액에 침지시키는 단계; 및
상기 침지된 다수의 부자재로부터 용출 용액을 발췌하는 단계;를 포함하고,
상기 금속 오염은 상기 발췌된 용출 용액을 바탕으로 측정되는 공정용 부자재의 오염 분석 방법.
The method according to claim 1,
Wherein measuring the metal contamination comprises:
Immersing the corroded plurality of subsidiary materials in a nitric acid solution; And
Extracting an eluting solution from the plurality of sub materials to be immersed,
Wherein the metal contamination is measured on the basis of the extracted eluting solution.
KR1020180004186A 2018-01-12 2018-01-12 Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process KR20190086101A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180004186A KR20190086101A (en) 2018-01-12 2018-01-12 Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180004186A KR20190086101A (en) 2018-01-12 2018-01-12 Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190086101A true KR20190086101A (en) 2019-07-22

Family

ID=67469101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180004186A KR20190086101A (en) 2018-01-12 2018-01-12 Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190086101A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230251181A1 (en) Development of Control Samples to Enhance the Accuracy of HIC Testing
Zheng et al. Effects of inclusions on the resistance to pitting corrosion of S32205 duplex stainless steel
Adetunji et al. Potentiodynamic polarization of brass, stainless and coated mild steel in 1M Sodium chloride solution
JP2008292408A (en) Temporal evaluation method for crevice corrosion initiation
Starostin et al. Corrosion of aluminum alloys Al 6061 and Al 2024 in ammonium nitrate‐urea solution
KR20190086101A (en) Method of analyzing pollution in subsidiary materials for process
Tan et al. Relationship between corrosion resistance and microstructure of copper-nickel alloy pipes in marine engineering
Li et al. Development of liquid-air-interface corrosion of steel in nitrate solutions
Suprapto et al. Comparation of the analytical and experimental models of 304SS corrosion rate in 0.5 m H2SS4 with bee wax propolis extract
Loto et al. Evaluation of cathodic protection of mild steel with magnesium anodes in 0.5 M HCL
Cocke et al. The Effect of Corrosion Location Relative to Local Stresses on the Fatigue Life of Geometrically Complex, Galvanically Corroded AA7075-T6
Danilov et al. On the quantitative assessment of corrosion damages of aluminum at the early stages using confocal laser scanning microscopy
JP6048445B2 (en) Metal corrosivity evaluation method
Wang et al. Corrosion behavior of 907 steel under thin electrolyte layers of artificial seawater
Xia et al. Influence of tensile stress on chloride-induced depassivation of carbon steel in simulated concrete pore solution
CN115015092A (en) Electrochemical impedance spectroscopy equivalent analog circuit selection method and system
US7619423B2 (en) Direct method and apparatus for testing anticorrosion performance of aqueous protective fluids with wire beam electrode sensors
Zhao et al. A damage model for assessing pipeline safety in corrosion environments
CN117288627A (en) High-flux evaluation method for corrosion inhibitor of common metal material
Ude et al. CORROSION BEHAVIOUR OF BRASS, COATED MILD AND STAINLESS STEELS IN 1M SODIUM HYDROXIDE SOLUTION USING POLARIZATION METHOD
CN216051110U (en) Constant load stress testing device for bar and rod test sample applied to corrosive environment
CN110596089B (en) Rapid nondestructive testing method for martensitic stainless steel part welding repair material
Khalil et al. Steel Corrosion Control in Seawater Using Zinc sacrificial anode
Fabiszewski et al. Failure of Brass Gas Cylinder Valves by Commercial Leak Detector Fluids
Okeniyi et al. Methods of ASTM G16 and conflicts in corrosion test data: case study of NaNO2 effectiveness on steel-rebar corrosion