KR20190084825A - 휘발성 유기화합물 분해 효율이 향상된 유전체 장벽 플라즈마 발생장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치에 있어서, 하나의 전원 공급부에 연결되는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 복수의 플라즈마 발생부에 있어서 각각의 플라즈마 발생부는 고전압 전극, 유전체 장벽 및 접지 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 휘발성 유기화합물 분해 효율이 향상된 유전체 장벽 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
휘발성 유기화합물은 많은 산업에서 발생되는 물질로써, 인간의 건강에 치명적인 영향을 주는 물질이다. 휘발성 유기화합물의처리방법은 크게 흡착법, 열분해법, 촉매산화법, 생물학적 처리가 있지만, 산업에서 발생되는 양이 미량이기 때문에 에너지 효율 측면에서 경제성이 떨어져 다른 처리방법을 찾게 됐다. 그 방법이 저온 플라즈마 처리 방법이었는데, 그 중 강한 전자에너지를 갖고 플라즈마가 모든 영역에 고르게 발생할 수 있는 유전체 장벽 플라즈마가 좋은 처리 방법으로 떠올랐다.
한편, 유전체 장벽 방전 플라즈마 발생기와 관련하여 한국공개특허 제10-2015-0101738호(이하 '선행기술'이라 약칭함)는 선형으로 배치된 플라즈마 분사구를 따라 피처리물이 이동하는 형태의 선형 유전체 장벽 플라즈마 발생기를 개시한다. 이처럼, 선행기술은 플라즈마 발생기의 효율을 증대시키기 위해 플라즈마 발생 영역을 확장시킨 구조가 개시된다.
본 발명은 휘발성 유기화합물을 제거하는 장치 고유의 효율을 높이고자 반응기의 디자인을 새로이 했다. 특히, 플라즈마 발생장치의 분해효율을 증대시키기 위해 새로운 구조를 고안하였다.
본 발명의 목적은 플라즈마 발생장치의 구조를 개선함으로써, 플라즈마의 특성과 파워를 향상시켜 휘발성 유기 화합물의 제거 효율이 증가된 플라즈마 발생장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시 예를 따르는 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치는 하나의 전원 공급부에 연결되는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 복수의 플라즈마 발생부에 있어서 각각의 플라즈마 발생부는 고전압 전극, 유전체 장벽 및 접지 전극을 포함한다.
또한, 상기 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치는 유기화합물 제거에 사용될 수 있다.
또한, 상기 복수의 플라즈마 발생부는 2개의 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 고전압 전극은 복수로 마련되어 상기 복수의 플라즈마 발생부 각각에 배치될 수 있다.
또한, 상기 고전압 전극은 상기 하나의 전원 공급부와 병렬 연결될 수 있다.
또한, 상기 복수의 플라즈마 발생부 각각은 단일한 접지 전극을 공유할 수 있다.
또한, 상기 복수의 플라즈마 발생부는 흡착제가 배치된 흡착 영역을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치는 상기 플라즈마 발생부에 가스를 주입하는 가스 주입부 및 상기 플라즈마 발생부로부터 가스를 유출시키는 가스 유출부를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 단일 전원으로부터 병렬도 연결된 고전압 전극을 포함하여, 동일한 전압이 공급되어도 플라즈마 발생영역에 흐르는 전류가 증가하여 주입되는 가스 분자들의 충돌 확률을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치는 공간적으로 분리된 플라즈마 발생영역 중 일부영역에 흡착제를 배치하여, 타겟 물질의 레지던스타임을 증가시키며 이에 따라 더 높은 분해 효율을 기대할 수 있으며, 발생되는 부 생성물의 종류와 양을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치는 단일한 접지 전극을 복수의 플라즈마 발생부가 공유하여 단순한 구조를 가짐으로써 설계 및 제작이 용이한 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 각 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 실제 방전 모습을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치에서 나타나는 플라즈마 전류의 인텐시티에 관한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 플라즈마 인풋 파워를 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 5의 이해를 돕기위한 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 오존 생성양을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치에서 발생되는 CO2와 CO 그리고 타겟 물질인 톨루엔의 농도를 보여주는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 제거율을 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치 별 CO2의 셀렉티비티를 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치 별 처리 후 흡착제에 남아있는 물질들의 크로마토그램이다.
도 2는 본 발명의 각 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 실제 방전 모습을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치에서 나타나는 플라즈마 전류의 인텐시티에 관한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 플라즈마 인풋 파워를 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 5의 이해를 돕기위한 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 오존 생성양을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치에서 발생되는 CO2와 CO 그리고 타겟 물질인 톨루엔의 농도를 보여주는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치의 제거율을 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치 별 CO2의 셀렉티비티를 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치 별 처리 후 흡착제에 남아있는 물질들의 크로마토그램이다.
이하, 첨부된 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 다만, 본 발명이 예시적 실시 예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일 참조부호는 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 부재를 나타낸다.
본 발명의 목적 및 효과는 하기의 설명에 의해서 자연스럽게 이해되거나 보다 분명해 질 수 있으며, 하기의 기재만으로 본 발명의 목적 및 효과가 제한되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
휘발성 유기 화합물의 고효율 제거를 위한 평행 유전체 장벽 플라즈마 장치는 기본적으로 플라즈마의 방전 특성을 바꾸어 휘발성 유기 화합물의 제거 효율을 증가시키는데 목적을 둔다. 또한, 발생부 안에 흡착제를 넣어주어 타겟 물질의 레지던스 타임을 증가시켰다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예를 따르는 플라즈마 발생장치(1)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 일 실시 예에 따른 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치(1)는 전원 공급부(11) 및 플라즈마 발생부(13)를 포함한다. 또한, 플라즈마 발생장치(1)는 가스 주입부(15) 및 가스 유출부(17)를 더 포함할 수 있다. 특히, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치(1)는 유기화합물 제거에 사용될 수 있다.
전원 공급부(11)는 물리적으로 단일하게 마련되어, 복수의 고전압 전극(130)과 연결될 수 있다. 특히, 전원 공급부(11)는 복수의 고전압 전극(130)과 병렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 발생부(13)는 하나의 전원 공급부(11)에 연결될 수 있다. 본 발명의 플라즈마 발생장치(1)는 단일한 전원 공급부(11)에 병렬로 연결된 고전압 전극(130)을 구성함으로써, 동일한 전압이 공급되는 조건에서 각 고전압 전극(130)의 저항을 낮출 수 있으며, 이에 따라 전류의 공급이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
플라즈마 발생부(13)는 복수로 구비되고, 각각의 플라즈마 발생부(13)는 고전압 전극(130), 유전체 장벽(135) 및 접지 전극(137)을 포함할 수 있다.
본 실시 예에서, 각각의 플라즈마 발생부(13)는 원기둥 형태로 제공될 수 있다. 플라즈마 발생부(13)에서는 고전압 전극(130)과 접지 전극(137) 간 이격거리에서 플라즈마가 발생할 수 있다. 플라즈마 발생부(13)의 유전체 장벽(135) 복수의 플라즈마 발생부 각각을 격리할 수 있다.
플라즈마 발생부(13)는 2개의 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다. 또한, 고전압 전극(130)은 복수로 마련될 수 있고, 복수의 플라즈마 발생부(13) 각각에 배치될 수 있다. 또한, 각각의 플라즈마 발생부(13)는 유전체 장벽(135)을 석영으로 구성된 관을 포함할 수 있다.
특히, 제2 발생부(133)는 원기둥 형태로 제공되며, 제2 발생부(133) 내측으로 제1 발생부(131)가 삽입되는 형태로 제공될 수 있다. 한편, 제1 발생부(131)의 외벽에는 유전체 장벽(135)과 접지 전극(137)이 배치될 수 있다.
제1 발생부(131)는 제1 전극(1311)이 내부를 관통할 수 있다. 제1 발생부(131)는 제1 전극(1311)이 원기둥의 중앙을 관통할 수 있다. 이에 따라, 전원 공급부(11)로부터 제1 전극(1311)으로 전압이 인가되며, 제1 발생부(131)는 제1 전극(1311)을 기준으로 방사형으로 플라즈마가 발생할 수 있다.
제2 발생부(133)는 제2 전극(1331)이 제2 발생부(133) 외측면에 부착되어 제공될 수 있다. 제2 발생부(133)의 고전압 전극(130)은 제2 전극(1331)이며, 이에 따라 제1 발생부(131)의 외벽에 배치된 접지 전극(137) 간 이격된 공간에서 플라즈마가 발생할 수 있다. 제2 전극(1331)은 제2 발생부(133)외벽의 전체 또는 일부에 부착될 수 있다. 제2 전극(1331)은 전원 공급부(11)와 전기적으로 연결되어 전압을 공급받을 수 있다.
한편, 제1 발생부(131)의 외벽 사이에 거리는 제1 거리(d1)으로 정의하고, 제1 발생부(131)의 외벽과 제2 발생부(133)의 외벽 사이에 형성된 거리를 제2 거리(d2)로 정의한다, 제1 거리(D1)는 제2 거리(D2)보다 작게 제공될 수 있다. 이에 따라, 제2 거리(D2) 내측에는 플라즈마 발생장치(1)의 효율 향상을 위한 추가적인 구성이 포함될 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치(1)는 제2 거리(D2)내부에 흡착제(1333)를 포함시켜 타겟 물질의 잔여 시간을 향상시킬 수 있다. 이러한 흡착제(1333)는 제올라이트 흡착층을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이 복수의 고전압 전극(130)은 하나의 전원 공급부(11)와 병렬 연결될 수 있다. 하나의 고전압 전극이 전원 공급부(11)에 연결되는 경우보다, 복수의 고전압 전극이 단일한 고전압 전극이 전원 공급부(11)에 병렬연결됨에 따라, 각 전극의 저항이 감소하게 되며, 이에 따라 단일한 전원 공급부(11)를 갖는 구성에서 향상된 전류가 공급될 수 있다.
플라즈마 발생부(13) 각각은 단일한 접지 전극(137)을 공유할 수 있다. 특히, 본 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치(1)는 제1 발생부(131) 외측에 접지 전극(137)이 형성되어 있으며,이에 따라 제1 발생부(131)와 제2 발생부(133)가 공간적으로 병렬 형태로 배치될 수 있다. 이러한 병렬형태의 배치에 따라, 제1 발생부(131)에서 플라즈마 발생을 통해 생성된 오존이 제2 발생부(133)에서 흡착된 물질을 제거할 수 있다.
가스 주입부(15)는 플라즈마 발생부(13)로 가스를 주입할 수 있다. 상세하게는, 가스 주입부(15)는 제1 발생부(131)로 가스를 주입할 수 있다. 이후, 가스는 제2 발생부(133)로 전달될 수 있다. 즉, 가스 주입부(15)는 독립된 각 발생부에 가스를 주입하지 않고, 제1 발생부(131)로 가스를 주입하게 된다.
한편, 가스 유출부(17)는 플라즈마 발생부(13)로부터 가스를 유출할 수 있다. 가스 유출부(17)는 제2 발생부(133) 내부의 가스를 외부로 유출할 수 있다. 가스 유출부(17) 또한 가스 주입부(15)와 마찬가지로 단수로 제공되며, 제2 발생부(133)와 연결될 수 있다.
아래는, 본 발명의 실시 예를 따른 플라즈마 발생장치(1) 및 상이한 구조의 플라즈마 발생장치를 비교 수행한 결과를 나타낸다.
도 2는 각 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치를 나타낸다. 각 발생장치에서 유전체 장벽은 쿼츠관을 사용하였다.
<실시 예1>
전원을 교류 13kV, 주파수 60Hz를 사용하여 공급해주었고 분해 실험 시 1시간 동안 방전을 하였다. 또한 플라즈마 방전시 가스로 에어가스를 사용하여 방전 및 분해 실험을 실시 하였다. 특히, 발생장치 (a)는 오존을 생성시켜 흡착층에 있는 물질을 분해하는 기존의 post bed 반응기 형태이다.
<실시 예2>
<실시 예2>의 발생장치 (b)는 발생장치를 플라즈마 영역에 흡착층을 놓고 플라즈마와 생성된 라디칼, 활성종과 오존에 의해 분해되는 기존의 packed bed 발생장치로 변경하였고, 이외에는 <실시 예1>과 동일조건의 전원 및 주파수를 공급하였다.
<실시 예3>
(c)는 본 발명에서 다루고 있는 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치이다. <실시 예3>은 본 발명의 플라즈마 발생장치로 교체하였고, 이외에는 <실시 예1>과 동일조건의 전원 및 주파수를 공급하였다.
<실험 예1>
해당 실험 예에서는 각 플라즈마 발생장치의 제거 효율을 비교하기 위하여 기존의 반응기 2개를 추가하여 비교하며 설명을 한다. 발생장치 (a)의 플라즈마 발생영역은 다량의 오존을 발생시키기 위하여 고전압 전극과 접지 전극의 거리가 가깝고, 발생장치 (b)의 플라즈마 발생영역 packed bed를 넣어 줌으로써 고전압 전극과 접지 전극의 거리가 상대적으로 멀다. 발생장치 (c)는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 발생장치 이다. 특히, (c)는 하나의 전원장치를 사용하여 발생부에 배치된 두 개의 고전압 전극에 전원을 공급한다. 이 반응기가 다른 반응기와 비교하였을 때 장점을 알기 위하여 각 반응기의 플라즈마의 특성 분석과 실제 톨루엔을 사용하여 분해 실험을 실시 하였다.
도 3은 제작된 발생장치의 실제 방전 모습을 보여준다. 발생장치 (a)와 (b)에서는 방전이 한 영역에서만 발생되는 것을 확인할 수 있고 발생장치 (c)에서는 두 영역에서 모두 방전이 일어나는 것을 확인 할 수 있다.
<실험 예2>
도 4는 각 발생장치에서 나타나는 플라즈마 전류의 인텐시티를 보여준다. 발생장치 (a)와 (b)를 비교했을 때 고전압 전극과 접지 전극의 차이로 인텐시티의 차이와 필라멘트 디스차지의 발생 밀도의 차이가 나타났다. 발생장치 (c)에서는 가장 큰 인텐시티를 보여주고 필라멘트 디스차지의 밀도가 증가한 것을 알 수 있다. 이는 플라즈마 발생장치의 고전압 전극을 병렬로 연결함으로써 반응기 전체에 걸리는 저항을 감소시켜 더 많은 전류가 흐를 수 있었다고 생각 할 수 있다. 그렇기 때문에 더 큰 전류가 발생장치 (c)에서 흐를 수 있다.
한편, 이 때문에 많은 전자들이 방출이 되기 때문에 더 많은 마이크로 디스차지 채널이 같은 영역에 생겨 필라멘트 디스차지의 밀도가 커진 것을 확인할 수 있다. 이러한 효과를 통해, 충돌확률이 증가하게 되고, 이에 따라 더 많은 활성종, metastable 분자, 산소 원자가 생길 수 있다.
도 5는 각 발생장치에서의 Lissajous figure를 보여준다. 이는 플라즈마의 파워를 계산할 수 있는 중요한 자료가 되는데 플라즈마 인풋 파워는 그래프 내부의 넓이에 비례한다. 각 발생장치에서의 Lissajous figure를 비교하면 발생장치 (c)에서의 넓이가 가장 넓은 것을 확인할 수 있다. 더욱이, 도 6를 참고하여 도 5를 본다면, Peak to Peak voltage, Charge discharged와 Charge transferred per half cycle이 증가하는 것을 확인 할 수 있다. 이러한 파라미터들을 이용하여 manley equation을 풀면 플라즈마에서 발생되는 전자에너지를 알 수 있다. 전자에너지는 이러한 파라미터들이 증가할수록 커진다고 알려져 있다. 이는 동일한 전압을 인가했음에도 불구하고 발생장치 (c)에서는 더 강한 전자가 발생됨을 알려준다. 더 강한 전자가 발생한다는 것은 많은 에너지를 필요로 하는 플라즈마 반응을 가능하게 한다.
그러므로 발생장치 (c)에서는 병렬로 플라즈마 방전영역을 연결함으로써 더 많은 전자가 방출되고 마이크로 디스차지 채널이 많이 형성된다. 또한, 높은 에너지를 갖는 전자가 방출될 수 있어 더 많은 양의 활성종, metastable 분자, 산소 원자를 형설 할 수 있다.
이제까지 얻어진 물리적인 정보로, 실제로 휘발성유기물 분해에 적용해보았다. 유전체 장벽 플라즈마 발생장치에서 휘발성유기물이 분해되는 과정은 2가지로 생각할 수 있다. 플라즈마에 의해 발생된 오존에 의해서 산화되는 과정과 플라즈마에서 발생된 라디칼, 활성종과 산소원자 등과 같이 플라즈마 영역안에서 존재할 수 밖에 없는 소스들에 의해 분해되는 과정이다. 발생장치 (a)에서는 전자의 효과만을 발생장치 (b)와 (c)에서는 전자와 후자, 두 과정 모두 영향을 받는다.
<실험 예3>
각 발생장치의 효율을 진단하기 위해서 오존의 생성양을 확인하였다. 도 7에서 각 발생장치의 오존 생성양을 보여준다. 이는 앞서 이야기한 플라즈마의 특성 변화로 인하여 발생장치 (c)에서의 오존 생성양이 가장 많음을 확인할 수 있다.
<실험 예4>
도 8에서는 각 발생장치에서 톨루엔을 분해하였을 때 생성되는 CO와 CO2의 농도변화를 보여준다. 발생장치 (a)에서는 초반에 CO가 많이 발생하다가 감소하고 CO2가 점차 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이는 오존이 톨루엔을 산화할 때 톨루엔을 단계적으로 분해하기 때문이다. 발생장치 (b)에서는 전체적인 발생량이 적음을 확인 할 수 있다. 이는 전극 간의 거리가 멀기 때문에 생긴 영향이라고 생각할 수 있다. 하지만 여기서 주목해야할 점은 초반부터 CO2가 CO보다 우세하게 발생했다는 것이다. 이는 플라즈마 영역에서만 존재하는 소스들에 의한 영향이다. 이러한 소스들은 톨루엔을 단계적으로 분해하는 것이 아니라 톨루엔이 가지고 있는 벤젠고리를 직접 분해하고 바로 CO2로 산화를 시켰기 때문이다. 발생장치 (c)에선 발생장치 (a)와 다르게 초반부터 CO2가 많이 발생하는 것을 확인 할 수 있다.
<실험 예5>
도 9에서는 각 발생장치의 톨루엔 분해효율을 보여준다. 발생장치 (c)에서 가장 높은 것을 확인할 수 있다.
<실험 예6>
도 10에서는 각 발생장치의 CO2와 CO 중 CO2의 셀렉티비티를 보여준다. 발생장치 (c)에서의 셀렉티비티는 오존으로만 분해했을 때보다 CO의 발생이 적었다는 것을 확인할 수 있다.
<실험 예7>
도 11은 흡착제에 남아있는 물질들의 크로마토그램을 보여준다. 크로마토그램에서 첫 번째 피크는 흡착제에서 물질들을 분리하기 위해 사용한 용매 에탄올이고 두 번째 피크는 톨루엔 피크이다. 톨루엔 피크는 발생장치 (a)와 (c)에서는 잘 검출되지 않았다. 크로마토그램에서 부 생성물의 피크를 보면 (a)에서 더 많은 종류의 부산물이 생성됐고 그 양도 더 많았다. 하지만 (b)와 (c)에서는 부 생성물의 종류와 양이 줄어든 것을 확인할 수 있다.
전술한 실험 결과, 톨루엔 제거 과정에서 중요한 것은 오존의 양과 플라즈마 영역에서 발생되는 라디칼, 활성종, metastable 분자와 산소 원자, 그리고 플라즈마 영역 안에 머무는 시간임을 알 수 있다. 이에 따라, 높은 오존 생성 성능(전극 간의 거리가 가까운)을 갖는 플라즈마 영역과 흡착층(전극 간의 거리가 먼)을 갖는 플라즈마 영역의 병렬연결은 많은 오존을 발생시킬 수 있고 톨루엔을 플라즈마 영역안에 잡아 둘 수 있어서 플라즈마에서 발생되는 라디칼, 활성종, metastable 분자와 산소 원자의 영향 또한 받을 수 있었다. 또한, 톨루엔이 탈착되지 않고 계속 흡착되어 있기 때문에 레지던스 타임이 거의 무한에 가깝다고 생각할 수 있다.
이상에서 대표적인 실시 예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시 예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리 범위는 설명한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태에 의하여 정해져야 한다.
1: 플라즈마 발생장치
11: 전원 공급부
13: 플라즈마 발생부
130: 고전압 전극
131: 제1 발생부
1311: 제1 전극
133: 제2 발생부
1331: 제2 전극
1333: 흡착제
135: 유전체 장벽
137: 접지 전극
15: 가스 주입부
17: 가스 유출부
D1: 제1 거리
D2: 제2 거리
11: 전원 공급부
13: 플라즈마 발생부
130: 고전압 전극
131: 제1 발생부
1311: 제1 전극
133: 제2 발생부
1331: 제2 전극
1333: 흡착제
135: 유전체 장벽
137: 접지 전극
15: 가스 주입부
17: 가스 유출부
D1: 제1 거리
D2: 제2 거리
Claims (9)
- 하나의 전원 공급부에 연결되는 복수의 플라즈마 발생부를 포함하고,
상기 복수의 플라즈마 발생부에 있어서 각각의 플라즈마 발생부는 고전압 전극, 유전체 장벽 및 접지 전극을 포함하는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치는 유기화합물 제거에 사용되는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 플라즈마 발생부는 2개의 플라즈마 발생부를 포함하는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 플라즈마 발생부는 흡착제가 배치된 흡착 영역;을 더 포함하는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 고전압 전극은 복수로 마련되어 상기 복수의 플라즈마 발생부 각각에 배치되는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 고전압 전극은 상기 하나의 전원 공급부와 병렬 연결된, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 플라즈마 발생부 각각은 단일한 접지 전극을 공유하는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 복수의 플라즈마 발생부는,
오존을 생성해 흡착 영역에서 반응을 일으키는 제1 플라즈마 발생부; 및
플라즈마가 발생하는 영역에 흡착 영역을 위치시키고, 상기 플라즈마와 생성된 라디칼, 활성종과 오존에 의해 반응을 일으키는 제2 플라즈마 발생부;
를 포함하는 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 플라즈마 발생부에 가스를 주입하는 가스 주입부; 및
상기 플라즈마 발생부로부터 가스를 유출시키는 가스 유출부;를 더 포함하는, 병렬 유전체 장벽 플라즈마 발생장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180003011A KR20190084825A (ko) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 휘발성 유기화합물 분해 효율이 향상된 유전체 장벽 플라즈마 발생장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180003011A KR20190084825A (ko) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 휘발성 유기화합물 분해 효율이 향상된 유전체 장벽 플라즈마 발생장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190084825A true KR20190084825A (ko) | 2019-07-17 |
Family
ID=67512903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180003011A KR20190084825A (ko) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 휘발성 유기화합물 분해 효율이 향상된 유전체 장벽 플라즈마 발생장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20190084825A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150101738A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 에프원소프트 주식회사 | 선형 유전체 장벽 방전 플라즈마 발생기 및 이를 포함한 플라즈마 처리 시스템 |
-
2018
- 2018-01-09 KR KR1020180003011A patent/KR20190084825A/ko unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20150101738A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 에프원소프트 주식회사 | 선형 유전체 장벽 방전 플라즈마 발생기 및 이를 포함한 플라즈마 처리 시스템 |
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