KR20190082143A - 데이터 기록 방법 - Google Patents

데이터 기록 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190082143A
KR20190082143A KR1020180172813A KR20180172813A KR20190082143A KR 20190082143 A KR20190082143 A KR 20190082143A KR 1020180172813 A KR1020180172813 A KR 1020180172813A KR 20180172813 A KR20180172813 A KR 20180172813A KR 20190082143 A KR20190082143 A KR 20190082143A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
dna
sequence
nucleotide
strand
Prior art date
Application number
KR1020180172813A
Other languages
English (en)
Inventor
팀 스타켄보그
창 첸
크리스 코벤스
칭 카이
마르텐 풔바트
Original Assignee
아이엠이씨 브이제트더블유
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이엠이씨 브이제트더블유 filed Critical 아이엠이씨 브이제트더블유
Publication of KR20190082143A publication Critical patent/KR20190082143A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/54—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using elements simulating biological cells, e.g. neuron
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/12—Computing arrangements based on biological models using genetic models
    • G06N3/123—DNA computing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M23/00—Constructional details, e.g. recesses, hinges
    • C12M23/02—Form or structure of the vessel
    • C12M23/16—Microfluidic devices; Capillary tubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N15/00—Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
    • C12N15/09—Recombinant DNA-technology
    • C12N15/10—Processes for the isolation, preparation or purification of DNA or RNA
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12P—FERMENTATION OR ENZYME-USING PROCESSES TO SYNTHESISE A DESIRED CHEMICAL COMPOUND OR COMPOSITION OR TO SEPARATE OPTICAL ISOMERS FROM A RACEMIC MIXTURE
    • C12P19/00—Preparation of compounds containing saccharide radicals
    • C12P19/26—Preparation of nitrogen-containing carbohydrates
    • C12P19/28—N-glycosides
    • C12P19/30—Nucleotides
    • C12P19/34—Polynucleotides, e.g. nucleic acids, oligoribonucleotides
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • G11C13/0016—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising polymers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
    • G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
    • G11C13/0019—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising bio-molecules
    • G—PHYSICS
    • G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
    • G16B—BIOINFORMATICS, i.e. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR GENETIC OR PROTEIN-RELATED DATA PROCESSING IN COMPUTATIONAL MOLECULAR BIOLOGY
    • G16B30/00—ICT specially adapted for sequence analysis involving nucleotides or amino acids

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Genetics & Genomics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computational Linguistics (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Proteomics, Peptides & Aminoacids (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Plant Pathology (AREA)
  • Neurology (AREA)
  • Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)

Abstract

본 개시는, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA를 생성함으로써, 비트 시퀀스를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계; 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계; 효소와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 액체 배지에서 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소를 접촉시키는 단계; 및 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 메모리 DNA의 한 부분을 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계;를 반복하는 것을 포함하여, 상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성한다. 또한, 본 발명은 미세유체 칩과 제어기를 포함하는 미세유체 시스템에 관련된 것이다.

Description

데이터 기록 방법 {METHOD FOR WRITING DATA}
본 명세서에 기재된 발명적 개념은 데이터 기록 방법에 관한 것이다.
매년 생성되는 매우 방대한 양의 데이터-예를 들어, 그래픽 및 텍스트 형태의-로부터 야기되는 데이터 저장 문제가 존재한다. 생성되는 모든 데이터는 하드 드라이브, 디스크 및 테이프를 비롯한 현재의 저장 장비를 이용하여 캡쳐될 수 없다.
DNA는 데이터의 저장소로 추천되어왔고, 단 1 그램의 DNA에 215 페타바이트(petabyte)를 저장하는 것이 가능할 수 있음이 이론적으로 제안되었다. DNA에 디지털 데이터를 저장할 수 있음이 공지되었으나, 공지된 방법은 DNA의 이론적 저장 용량에 비해 비효율적이다. 더욱이, 공지된 방법은 바이트 당 높은 비용과 DNA 상에 저속으로 데이터를 기록하는 문제점이 있다. 게다가, 공지된 방법은 데이터 기록의 높은 에러율(error rate)을 겪는다.
따라서, 낮은 에러 빈도로 DNA 상에 데이터를 저장하는 신속하고 비용 효율적인 방법에 대한 필요성이 있다.
본 명세서에 기재된 발명적 개념의 목적은 선행 기술에 관련된 하나 이상의 문제점을 극복하는 것이다.
한 측면에 따르면, 메모리 기록 기질 DNA(memory writing substrate DNA)의 스트랜드로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA(memory DNA)를 생성함으로써, 비트 시퀀스 (sequence of bits)를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법으로서, 상기 방법은 상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스(sub-sequence)를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계; 메모리 뉴클레오티드(memory nucleotide)를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계; 효소와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 액체 배지에서 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소를 접촉시키는 단계; 및 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 메모리 DNA의 한 부분을 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계;를 반복하는 것을 포함하여, 상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성하는, 데이터를 기록하는 방법이 제공된다.
상기 방법은 DNA 스트링(string of DNA) 상에 데이터와 비트의 기록과 저장을 가능하게 한다.
시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA를 생성하는 것은 제어된 시험관 내 환경에서 효소로 획득 가능한 낮은 오류 빈도 (error frequency)의 데이터의 신속한 기록을 허용한다. 효소의 사용은, 예를 들어, 포스포라미디트 화학(phosphoramidite chemistry)에 기초한 합성에 비해 향상된 합성을 더 제공한다.
상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계는 수신된 서브-시퀀스의 기록을 가능하게 한다. 상기 메모리 뉴클레오티드를 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계는 수신된 서브-시퀀스에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 선택하는 것을 허용한다. 또한, 메모리 뉴클레오티드는 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 염기와 쌍을 형성하도록 선택될 수 있다.
상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 효소를 접촉시키는 단계는 효소에 의한 합성을 허용하여, 메모리 DNA의 기록을 허용하는 효율적인 방식이다.
상기 효소와 접촉된 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 액체 배지에서 발생한 접촉 단계는, 미세유체 채널(microfluidic channel) 또는 구획(compartment)에서, 예를 들어, 미세유체 칩(microfluidic chip) 상에서 있을 수 있다.
상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 메모리 DNA의 한 부분을 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계는 생성 될 메모리 기록 DNA의 한 부분을 허용하며, 이 메모리 DNA의 한 부분은 비트 시퀀스의 수신된 서브-시퀀스에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함한다. 상기 방법을 반복하는 것은 메모리 DNA로서 기록되고 저장될 데이터 시퀀스를 허용한다.
상기 방법에 의한 기술된 바와 같은 DNA 상에 기록하는 것은 적어도 부분적으로 저장될 큰 데이터 시퀀스를 취할 수 있는 큰 크기의 DNA로 인해 허용한다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 이중 스트랜드 DNA의 형태로 존재할 수 있다. 그 때문에, 기질 DNA는 장기간 안정할 수 있고 효율적으로 다뤄지고 저장될 수 있다. 더욱이, 기질 DNA는 복수의 상이한 효소를 이용한 기록에 적합하다.
반복하는 것은, 예를 들어, 미세유체 칩 또는 미세유체 장치 상에서 수행될 수 있다.
상기 접촉 단계는 메모리 뉴클레오티드의 용액을 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 용액으로 도입하는 것에 의할 수 있다. 상기 접촉 단계는, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 미세유체 칩 또는 미세유체 장치 상에서 메모리 뉴클레오티드의 용액을 칩 또는 미세유체 장치 상의 구획 또는 미세유체 채널로 유동시킴으로써 수행될 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 소정의 또는 공지된 시퀀스를 가질 수 있다. 메모리 뉴클레오티드는, 더욱이, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 염기와 염기쌍을 형성하도록 선택될 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 소정의 또는 공지된 시퀀스는 합성을 위한 메모리 뉴클레오티드의 효율적인 선택을 허용한다. 더욱이, 공지된 시퀀스는 사용되어 메모리 기록 기질 DNA의 소정의 한 부분 또는 염기를 다룰 수 있다. 소정의 시퀀스는, 상기 방법의 특정 반복 동안, 메모리 뉴클레오티드를 선택함으로써 이용될 수 있으며, 이는 수신된 비트에 대응하거나 이에 기초할 뿐만 아니라, 메모리 기록 기질 DNA의 한 부분의 하나 이상의 염기와 염기쌍을 형성한다.
상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계는, 각각의 반복마다, 비트 시퀀스로부터 연속적으로 수행될 수 있고, 메모리 DNA는, 그렇게 함으로써, 데이터에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 서브-시퀀스와 비트 시퀀스의 비트와 동일한 순차적인 순서(sequential order)를 가짐으로써 포함할 수 있다.
상기 메모리 뉴클레오티드를 선택하는 단계는 하기의 단계를 포함할 수 있다: 제1 표지(label) 또는 제1 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값(bit-value)의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 또는 제2 표지 또는 제2 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제2 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계.
그 때문에, 메모리 뉴클레오티드는 비트 시퀀스, 또는 단일 비트에 대응할 수 있다. 상기 방법이, 수신되고 기록될 때, 단지 하나의 비트만 허용하는 것이 아니라, 1, 2, 3, 4개 이상의 비트를 한 번에 허용하며, 서브-비트 시퀀스에 대응하는 하나의 표지 또는 변형을 허용하는 것을 이해할 것이다. 따라서, 메모리 DNA 상에서 신속한 데이터 기록 및 높은 비트-밀도(bit-density)가 실현될 수 있다.
제1 표지 및 제2 표지 또는 제1 변형 및 제2 변형은, 예를 들어, 각각 0과 1에 대응할 수 있다. 또한, 표지 또는 변형은, 예를 들어, 2, 3, 4개 이상의 비트를 포함하는 비트 시퀀스에 대응할 수도 있다. 몇몇 예시를 들면, 표지는 0,1,0; 또는 1,0; 또는 1110의 소정의 시퀀스에 대응할 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 단일 염기, 또는 복수의 염기를 포함할 수 있다. 더욱이, 서브-시퀀스를 수신하는 단계는 복수의 비트를 수신하는 것일 수 있다. 수신된 서브-시퀀스가, 예를 들어, 복수의 인접한 0과 같은 복수의 동일한 비트를 포함하는 경우, 서브-시퀀스의 모든 비트가 메모리 DNA 상에 기록될 때까지, 인접한 비트는 동일한 비트에 대응하는 하나의 유형의 표지 또는 변형이 있는 메모리 뉴클레오티드를 이용하여 기록될 수 있다. 하나의 대안으로서, 단지 하나의 메모리 뉴클레오티드가, 복수의 비트를 포함하는 서브-비트 시퀀스에 대응하도록 표지되거나 변형되는 경우, 사용될 수 있다.
제1 표지 및 제2 표지는 형광 염료, 작용기, 부피가 크거나 입체적인 구별기(bulky or sterically differentiating group)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 작용기는 비오틴, 아자이드 모이어티(azide moiety), 카르복시 모이어티(carboxy moiety), 티올 모이어티(thiol moiety), 및 에폭시 모이어티(epoxy moiety)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고, 부피가 크거나 입체적인 구별기는 상이한 길이의 폴리-에틸렌 글리콜 유닛으로부터 선택될 수 있다. 이러한 기(group)는 식별 가능하고, 비트 시퀀스의 서브-시퀀스에 대응하기에 적합하며, 메모리 DNA의 비트-관련 단량체를 비트와 관련되지 않은 단량체 또는 다른 비트와 관련된 단량체로부터 구별한다. 메모리 DNA를 판독하는 것은(reading) 다른 방법에 의해 실현될 수 있고 메모리 뉴클레오티드, 표지 또는 변형에 기초할 수 있다.
메모리 뉴클레오티드를 각각 제1 표지 또는 제2 표지로 합성 후에 표지하기 위한 제1 변형 또는 제2 변형은 비오틴, 아자이드 모이어티(azide moiety), 카르복시 모이어티(carboxy moiety), 티올 모이어티(thiol moiety), 및 에폭시 모이어티(epoxy moiety)로 이루어진 군으로부터 선택된 화학기 또는 작용기 일 수 있다. 이러한 기(group)는 합성 후 표지와 함께 효율적으로 제공될 수 있다. 또한, 추가의 변형 없이 표지로서 이용될 수도 있다.
표지 또는 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드에 관련된 방법에 대한 대안에 따르면, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 하나 이상의 유형의 염기와 염기쌍을 형성할 수 있어서, 상이한 염기를 갖는 메모리 뉴클레오티드를 이용한 합성을 할 수 있는 염기 유사체(base analogue)를 포함할 수 있다.
그 때문에, 비트 시퀀스의 수신된 서브-시퀀스에 기초하여, 이 서브-시퀀스에 대응하도록 선택된 염기가 있는 메모리 뉴클레오티드가 선택될 수 있다. 생성된 메모리 DNA의 염기 시퀀스는 그렇게 함으로써 비트 시퀀스에 대응하거나 또는 이에 관한 것이다.
메모리 뉴클레오티드는 염기 A 또는 염기 C를 포함하는 뉴클레오티드로부터 선택될 수 있고, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 8-옥소dG기(8-oxodG group) 또는 이노신기(inosine group)를 포함할 수 있다. DNA의 8-옥소dG 염기는 A 염기와 C 염기 모두와 염기쌍을 형성-그렇게 함으로써, 수신된 서브-비트 시퀀스에 의존하는-할 수 있고, A 또는 C 중 하나는 메모리 DNA와 함께 혼입(incorporation)될 수 있다.
상기 메모리 뉴클레오티드를 선택하는 단계는 하기를 포함할 수 있다: 염기 A를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 및 염기 C를 상기 서브-시퀀스가 소정의 제2 비트-시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계.
비트 시퀀스의 서브-시퀀스는 하나의 비트로 이루어질 수 있고,
메모리 뉴클레오티드는 염기 A 또는 염기 C를 포함하는 뉴클레오티드로부터 선택될 수 있으며, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 8-옥소dG기 또는 이노신기를 포함할 수 있고,
상기 메모리 뉴클레오티드를 선택하는 단계는 하기를 포함할 수 있다: 상기 서브-시퀀스가 0 또는 1로 이루어진 조건에서 염기 A를 선택하는 단계, 및 상기 서브-시퀀스가 0 또는 1 중 다른 하나로 이루어진 조건에서 염기 C를 선택하는 단계.
상기 방법을 반복하기 전에 또는 반복한 후에, 메모리 뉴클레오티드를 포함하지 않아서 비트에 대응하지 않는 메모리 DNA의 공극 부분(void portion)은 합성되어 메모리 DNA와 함께 혼입될 수 있다. 예를 들어, 이러한 공극 메모리 DNA (void memory DNA)는 A 또는 C 또는 표지된 뉴클레오티드의 기록 사이에 합성될 수 있다.
염기 A 및 염기 C는, 예를 들어, 0 또는 1의 비트 값에 각각 대응할 수 있거나, 다른 소정의 비트 값의 시퀀스에 대응할 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 복수의 인접한 8-옥소dG기 또는 이노신기를 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 합성 단계 후에, 합성을 중단시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 그 때문에, 반복에서 사용된 메모리 뉴클레오티드는 기질 DNA와 접촉으로부터, 합성 구획으로부터 씻겨 내려감(flush away)에 의한 바와 같이 제거될 수 있다. 상기 방법은 그렇게 함으로써 비트 시퀀스의 다른 수신된 서브-시퀀스에 기초하여 다른 메모리 뉴클레오티드와 합성하는 단계를 포함하는 반복하는 것을 위해 준비될 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 절단 가능한 사슬 종결자(chain terminator) 또는 가역적인 핵산 결합자(nucleic acid binder)를 포함할 수 있으며, 상기 합성을 중단시키는 단계는 절단 가능한 사슬 종결자 또는 가역적인 핵산 결합자에 의해 실현된다. 이러한 종결자 또는 결합자는 DNA 상에 장벽(barrier)-효소가 장벽을 제거하거나 붕해하지 않고 그 이상으로 진행할 수 없는-을 제공한다.
상기 방법은 상기 합성 단계 이전에 하기의 단계를 더 포함할 수 있다: 절단 가능한 사슬 종결자를 절단, 또는 가역적인 핵산 결합자를 결합 해제하여 합성 개시를 허용하는 단계.
절단 또는 결합 해제는 상기 합성 단계 이전 및 상기 접촉 단계 이후일 수 있다.
가역적 핵산 결합자는, 예를 들어, 적합한 DNA 결합 단백질 및 짧은 올리고 뉴클레오티드 탐침(probe)으로부터 선택될 수 있다.
절단 가능한 사슬 종결자를 절단하는 것은 광 유도된 절단(photo induced cleaving) 또는 전기적으로 유도된 절단(electrically induced cleaving)일 수 있다.
절단 가능한 사슬 종결자 또는 가역적 핵산 결합자에 의해 실현된 중단 단계에 대한 대안으로서, 상기 합성을 중단시키는 단계는 효소의 불활성화에 의해 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 근처에서 합성 조건을 조정함으로써, 바람직하게는 이온 농도 및/또는 온도를 조정하여 합성을 중단시키거나 늦춤으로써 실현될 수 있고, 상기 방법은 합성 이전에, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 근처에서 합성 조건을 조정함으로써, 이온 농도를 조정하고/하거나 온도를 조정함으로써, 효소를 활성화시켜 합성을 개시하는 단계를 더 포함한다.
합성에 사용된 효소는 온도 간격(temperature interval)에서 또는 존재하는 이온의 농도 범위 내에서 불활성화되거나 활성화될 수 있다.
이온 농도를 조정하는 것은, 합성을 위한 효소에 의해 필요한 이온의 농도를 조정하는 것일 수 있다. 이러한 이온의 증가하는 농도는 불활성화된 효소를 활성화시킬 수 있고, 그 역일 수 있다.
상기 합성을 중단시키는 단계는 존재하는 선택된 메모리 뉴클레오티드의 염기와 조화 가능하지 않은 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드 상의 다음 하류 염기에 의해 실현될 수 있다.
효소는 중합효소, 역전사 효소, 및 RNA 중합효소로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
효소는 중합효소 일 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 DNA의 상보적인 스트랜드와 함께 존재할 수 있다.
그 때문에, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 장기간 안정할 수 있다.
생성된 메모리 DNA는 비트에 대응하고 비트 시퀀스의 비트와 동일한 시퀀스를 갖는 메모리 뉴클레오티드를 갖는 DNA의 스트랜드를 포함할 수 있다.
상기 방법은 DNA에 기록될 데이터를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 미세유체 칩과 제어기를 포함하는 미세유체 시스템이 제공된다. 상기 미세유체 칩은 액체에서 효소와 접촉된 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하도록 구성된 메모리 DNA 합성 구획, 상기 메모리 DNA 합성 구획과 유체적으로 연결되고 액체를 상기 메모리 DNA 합성 구획으로 전달하도록 구성된 미세유체 채널, 및 메모리 뉴클레오티드 구획 각각이 상기 메모리 DNA 합성 구획에 상기 미세유체 채널 중 하나를 통해 유체적으로 연결되고, 메모리 뉴클레오티드의 용액을 포함하도록 구성된 메모리 뉴클레오티드 구획들을 포함하고, 상기 제어기는, 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는, 단계; 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계; 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 용액을 상기 미세유체 채널 중 하나를 통해 상기 메모리 DNA 합성 구획으로 전달하여, 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소 사이의 접촉을 제공하는 단계; 및 메모리 DNA의 한 부분을 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계;를 반복적으로 수행하도록 구성되어, 상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성한다.
이 측면은 이전의 측면과 동일한 또는 이에 대응하는 이점을 일반적으로 나타낸다.
추가의 목적 뿐만 아니라, 본 명세서에 기재된 발명적 개념의 상기의 특징 및 이점이 첨부된 도면들에 관한 하기의 예시적이고 제한적이지 않은 상세한 설명을 통해 더욱 이해될 것이다. 도면에서, 달리 명시되지 않는 한, 유사한 참조 번호들이 유사한 요소들에 대해 사용될 것이다.
도 1은 측면에 따른 방법의 도면이다.
도 2는 양태에 따른 방법에 관련된 도면이다.
도 3은 양태에 따른 방법에 관련된 도면이다.
도 4는 양태에 따른 미세유체 시스템의 도면이다.
본 발명의 방법으로, 비트 시퀀스 형태의 데이터는, 예를 들어, 비트에 대응하는 표지 또는 염기를 갖는 메모리 DNA의 형태로 기록될 수 있다. 데이터는 임의의 특정 데이터에 제한되는 것이 아니나, 데이터 파일과 같은 비트 형태의 임의의 형태의 데이터일 수 있고, 예를 들어, 컴퓨터 또는 컴퓨터 메모리, 메모리 디스크, 데이터를 제공하는 기구, 및 데이터 저장소와 같은 임의의 적합한 데이터 소스(data source)로부터 획득될 수 있다. 데이터 소스는 상기 방법을 구현하는 시스템에 직접적으로 또는 간접적으로 연결되거나 연관될 수 있어서, 비트가 상기 방법에 의해 수신되고 메모리 DNA의 형태로 기록되는 것을 허용한다.
메모리 뉴클레오티드로부터 기인한 메모리 DNA 상의 뉴클레오티드 염기의 유형 또는 작용기 또는 표지는 비트를 나타내는 기능을 한다. 효소의 사용은 신속한 데이터 기록과 낮은 에러율(error rate)을 허용한다. 상기 방법은 서브-비트 시퀀스를 기록될 비트 시퀀스로부터 수신하는 단계를 포함하고, 효소는 수신된 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 이용하여 메모리 DNA를 합성함으로써 데이터를 기록하는데 수반된다. 상기 방법은 몇몇 사이클 후에, 예를 들어, 데이터의 비트 시퀀스와 동일한 순차적인 순서로 표지로서 혼입된 비트를 갖는 생성된 메모리 DNA를 허용한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 염기 A, C, G, 및 T는 아데닌, 시토신, 구아닌, 및 티민을 의미한다. 또한, 8-옥소dG는 8-하이드록시데옥시구아노신(8-hydroxydeoxyguanosine)을 의미한다.
도 1에 관하여, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA를 생성함으로써, 비트 시퀀스를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법(1)이 이제 기술될 것이다. 상기 방법(1)은, 상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계(6)로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계; 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계(8); 효소와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 액체 배지에서, 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소를 접촉시키는 단계(10); 및 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 메모리 DNA의 한 부분을 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계(12);를 반복하는 것(4)을 포함하여, 상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성한다.
반복하는 것은 데이터의 기록이 종료되는 것을 결정할 때까지, 또는 기록될 모든 데이터가 기록될 때까지 계속할 수 있다.
도　2에 관하여, 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20)로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA를 생성함으로써, 비트 시퀀스를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법(1)이 이제 기술될 것이다. 염기쌍은 도시되지 않는다. 상기 방법(1)은, 상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계(6)로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계; 메모리 뉴클레오티드(24)를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계(8); 효소(28)와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20)를 포함하는 액체 배지(26)에서, 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드(24)와 상기 효소(28)을 접촉시키는 단계(10); 및 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드의　한 부분(34)으로부터 메모리 DNA(32)의 한 부분(30)을 상기 용액(26)의 효소(28)와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드(24)에 의해 합성하는 단계(12);를 반복하는 것(4)을 포함하여, 상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드(24)를 포함하는 메모리 DNA(32)를 생성한다.
도 2에 관하여 기술된 상기 방법으로, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 원형(circular shape)(36)을 포함하는 것으로 도시되었다. 상기 원형(36)은 상기 메모리 뉴클레오티드(24)가 수신된 서브-시퀀스에 기초하여 선택되는 것과, 서브-시퀀스에 대응하는 것을 개략적으로 도시하기 위한 것이다. 예를 들어, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 제1 표지 또는 제1 변형, 또는 제2 표지 또는 제2 변형을 포함할 수 있다. 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 제3, 제4, 및 제5 표지 또는 제3, 제4, 및 제5 변형과 같은 추가의 표지 또는 변형을 더 포함할 수 있다. 제1 표지 및 제2 표지 또는 제1 변형 및 제2 변형은, 예를 들어, 0과 1 중 하나에 각각 대응할 수 있고, 제1 표지 및 제2 표지 또는 제1 변형 및 제2 변형이 동일한 비트-값에 대응하는 것은 아니다. 제1 표지 및 제2 표지 각각은 하나 이상의 비트를 포함하는 서브-비트 시퀀스에 더 대응할 수 있다. 추가의 표지 또는 변형, 예를 들어, 제3, 제4, 제5, 및 제6 표지 또는 변형이 사용될 수 있다. 그 때문에, 몇몇 비트를 포함하는 서브-시퀀스는 동시에 또는 한번의 반복 동안 기록될 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2, 제3, 및 제4 표지가 0,0; 0,1; 1,0; 1,1의 비트-값의 소정의 시퀀스에 각각 대응하는 것이 결정될 수 있다. 그 때문에, 4개의 상이한 지표 또는 변형을 사용하여, 상기 방법이 수행될 수 있으며, 반복 당 2개의 비트가 수신될 수 있다. 이러한 예시에 대한 상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 선택하는 단계는, 예를 들어, 하기의 단계를 포함할 수 있다:
제1 표지 또는 제1 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값, 예를 들어, 0,0의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계,
제2 표지 또는 제2 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값, 예를 들어 0,1의 소정의 제2 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계,
제3 표지 또는 제3 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값, 예를 들어, 1,0의 소정의 제3 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 및
제4 표지 또는 제4 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값, 예를 들어 1,1의 소정의 제4 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계.
상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 위한 표지의 선택 외에도, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)의 염기는 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 한 부분(34)의 염기와 쌍을 형성하도록 선택될 수 있다. 대안적으로, 복수의 상기 메모리 뉴클레오티드(24)가 상이한 염기를 포함하도록 선택될 수 있으나, 이러한 염기쌍을 형성하는 것은 실현될 것이다.
합성 단계는 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분(34), 효소(28) 및 선택된 메모리 뉴클레오티드를 수반하는 반복을 따를 것이다. 공지된 또는 소정의 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 염기 시퀀스는 기질 DNA와 쌍을 형성하기 위한 염기에 대하여 상기 메모리 뉴클레오티드(24)의 효율적인 선택을 허용할 것이다.
상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 선택하는 단계는 하기의 단계를 포함할 수 있다: 제1 표지 또는 제1 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 또는 제2 표지 또는 제2 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제2의 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계.
따라서, 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드가　소정의 또는 공지된 시퀀스를 가질 수 있다. 그 때문에, 예를 들어, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드의 한 부분(34)의 염기와 염기쌍을 형성하는 것을 허용하도록 더 선택될 수 있다.
상기 방법은 미세유체 장치 또는 미세유체 칩 상에서 수행될 수 있다.
각각의 반복마다 서브-시퀀스를 수신하는 단계는 비트 시퀀스로부터 연속적으로 수행될 수 있고, 메모리 DNA는 그렇게 함으로써 상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 비트 시퀀스의 비트와 동일한 순차적인 순서로 포함한다. 그 때문에, 메모리 DNA는 기록된 데이터에 대응한다.
제1 표지 및 제2 표지는 형광 염료, 작용기, 부피가 크거나 입체적인 구별기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고, 작용기는 비오틴, 아자이드 모이어티, 카르복시 모이어티, 티올 모이어티, 에폭시 모이어티로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 부피가 크거나 입체적인 구별기는 상이한 길이의 폴리-에틸렌 글리콜 유닛으로부터 선택될 수 있다. 메모리 뉴클레오티드를, 예를 들어, 각각 제1 표지 또는 제2 표지로 합성 후에 표지(post-synthesising labelling)하기 위한 제1 변형 또는 제2 변형은 비오틴, 아자이드 모이어티, 카르복시 모이어티, 티올 모이어티, 및 에폭시 모이어티로 이루어진 군으로부터 선택된 화학기 또는 작용기일 수 있다.
그 때문에, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는, 이들이, 예를 들어, 1 또는 0과 같은 상이한 비트의 서브-시퀀스에 대응하는 경우, 서로 상이하도록 선택될 수 있다. 더욱이, 이들은 표지되지 않거나 변형되지 않은 뉴클레오티드와 상이하다. 그 때문에, 메모리 DNA의 어떤 뉴클레오티드가 기록된 데이터에 대응하고 어떤 것이 데이터 또는 비트에 관련되지 않는 것인지가 명확하다. 판독은 복수의 방법에 의해 실현될 수 있다.
상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드의 한 부분(34)은 하나 이상의 유형의 염기와 염기쌍을 형성할 수 있어서, 상이한 염기를 갖는 상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 이용한 합성을 할 수 있는 염기 유사체를 포함할 수 있다. 그 때문에, 표지되거나 변형된 뉴클레오티드를 혼입하는 것에 대한 대안으로서, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 선택될 수 있고, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)의 염기는 수신된 서브-비트 시퀀스를 나타내거나 이와 관련된다.
상기 메모리 뉴클레오티드(24)와 함께 혼입된 염기의 어떤 유형이 어떤 서브-비트 시퀀스, 예를 들어 0, 또는 1에 대응하는지 미리결정될 수 있다.
그러므로, 예를 들어, 표지된 뉴클레오티드를 사용하는 것 대신에, 표준 뉴클레오티드(standard nucleotide)의 주형-자유 혼입(template-free incorporation) 또는 기질 또는 주형-완화 혼입(substrate or template-relaxed incorporation)이 사용될 수 있다. 이러한 양태에 따르면, 상기 혼입된 메모리 뉴클레오티드(24)는 상기 효소(28)에 의해 결정되지 않으나, 메모리 뉴클레오티드의 유체 공급(fluidic provision)과 합친 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드의 디자인에 의해 결정될 수 있다. 예시는, 예를 들어, 이노신 또는 8-옥소dG를 포함한 메모리 기록 기질 DNA를 포함한다.
도　3에 관하여, 비트에 대응하는 염기를 이용한 하나의 실시예가 설명될 것이며, 이 실시예는 8-옥소dG를 포함하는 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20), 특히, 8-옥소dG를 포함하는 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20)의 한 부분(34)을 이용한다. 8-옥소dG가 염기 A 또는 염기 C 중 하나와 염기쌍을 형성할 수 있음이 이해될 것이다. 따라서, 메모리 뉴클레오티드(24)는 염기 A 또는 염기 C를 포함하는 뉴클레오티드로부터 선택될 수 있고, 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분(34)는 8-옥소dG를 포함할 수 있다. 도 3에 관하여, 상기 8-옥소dG를 포함하는 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20)로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA(32)를 생성함으로써, 비트 시퀀스를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법(1)이 이제 기술될 것이다. 도 3에서, 8-옥소dG기(40)는 밑줄친 G로 도시된다. 상기 방법(1)은, 상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계(6)로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계; 메모리 뉴클레오티드(24)를 서브-섹션(sub-section)에 기초하여, 염기 A 또는 염기 C를 포함하는 상기 메모리 뉴클레오티드(24)로부터 선택하는 단계(8); 효소(28) (효소는 도시되지 않음)와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20)를 포함하는 액체 배지(26)에서, 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드(24)와 상기 효소(28)를 접촉시키는 단계(10); 및 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드의 한 부분(34)으로부터　메모리 DNA(32)의 한 부분(30)을 상기 용액(26)의 효소(28)와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드(24)에 의해 합성하는 단계(12);를 반복하는 것(4)을 포함하여, 상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드(24)를 포함하는 메모리 DNA(32)를 생성한다. 상기 효소(28)은, 예를 들어, Pol　IV　중합효소일 수 있고, 합성 단계동안 이 효소는 수신된 서브-시퀀스에 기초하여 선택된 메모리 뉴클레오티드에 따라 C 또는 A중 하나를 혼입할 수 있다. 상기 메모리 DNA(32)의 한 부분(30) 사이에, 스페이서 DNA(spacer　DNA)(42)가 도입되었음에 유의한다. 상기 스페이서　DNA(42)는 양태에 따른 비트 또는 데이터에 대응하지 않는다.
상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 선택하는 단계는 하기의 단계를 포함할 수 있다: 염기 A를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 및 염기 C를 상기 서브-시퀀스가 소정의 제2 비트-시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계.
상기 실시예에서, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 복수의 인접한 8-옥소dG기 또는 이노신기를 포함한다. 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)는 상기 메모리 DNA(32)의 한 부분(30)과 동일한 시퀀스를 갖는 상기 스페이스 DNA(42)를 기록하는 것을 허용하지 않아서, 비트 관련 염기(bit correlating base)와 비트와 관련되지 않은 염기(non-bit relating base) 사이의 기록 후 식별을 허용하는 디자인을 갖는 염기의 소정의 시퀀스를 가질 수 있다.
예를 들어, 온도 또는 이온 농도의 국소적 제어(local control)에 의한 효소의 부위-특이적 조정(site-specific modulation)은 이용되어 합성 단계에서 혼입된 메모리 기록 기질 DNA의 이 부분(34)을 특정할 수 있다. 대안적으로, 사슬 종결자는 사용되어, 중합효소가 사슬 종결자의 부위-특이적 절단(site-specific cleavage) 후에 뉴클레오티드의 혼입을 지속하는 것을 국소적으로 허용한다.
도 3에 관하여 기술된 실시예에 대한 대안에 따르면, 이노신 또는 다른 DNA 유사체를 포함하는 메모리 기록 기질 DNA는 사용되어 상이한 뉴클레오티드를 혼입할 수 있다.
또한, 효소, 예를 들어, 적합한 유형의 중합효소는 염기-상보성(base-complementarity)에 대해 완전히 선택적이지 않으며, 따라서 상이한 뉴클레오티드의 혼입을 허용한다.
양태에 따른 방법은 합성 단계 후에, 합성을 중단시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 그 때문에, 반복에서 사용될 수 있는 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 기질 DNA와 접촉으로부터 제거될 수 있다. 상기 방법은, 그렇게 함으로써, 비트 시퀀스의 다른 수신된 서브-시퀀스에 기초한 다른 메모리 뉴클레오티드(24)와 합성하는 단계를 포함하는 반복하는 것을 준비할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)가 다음 반복(next repeating)에 적합하지 않은 제1 표지 또는 제1 변형, 또는 제2 표지 또는 제2 변형을 포함하는 경우, 및/또는 상기 메모리 뉴클레오티드(24)가 다음 반복에 적합하지 않은 염기를 포함하는 경우, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는, 그러므로, 중단시키는 단계 후에 상기 효소(28)와 접촉으로부터 효율적으로 제거될 수 있다. 도 3 및 8-옥소dG에 관하여 설명된 실시예로, 염기 A 또는 C를 포함하는 상기 메모리 뉴클레오티드(24)는 상기 효소(28)와 접촉으로부터 제거될 수 있고, 새로운 뉴클레오티드가 선택될 수 있다.
상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분(34)은 절단 가능한 사슬 종결자 또는 가역적인 핵산 결합자를 포함할 수 있고, 상기 합성을 중단시키는 단계는 절단 가능한 사슬 종결자 또는 가역적인 핵산 결합자에 의해 실현된다. 이러한 종결자 또는 결합자는 메모리 기록 기질 DNA 상에서 물리적 장벽으로서 작용하는 바와 같은 이들의 능력(capacity)에서 효소를 중단시킬 수 있다. 상기 방법은 상기 합성 단계 이전에 하기의 단계를 더 포함할 수 있다: 절단 가능한 사슬 종결자를 절단, 또는 가역적인 핵산 결합자를 결합 해제하여, 합성 개시를 허용하는 단계.
절단 또는 결합 해제는 합성 단계 이전과 접촉 단계 이후 일 수 있다.
가역적인 핵산 결합자는, 예를 들어, 적합한 DNA 결합 단백질 및 짧은 올리고뉴클레오티드 탐침으로부터 선택될 수 있다.
절단 가능한 사슬 종결자를 절단하는 것은 광 유도된 절단 또는 전기적으로 유도된 절단 일 수 있다.
상기 합성을 중단시키는 단계는 효소의 불활성화에 의해 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 근처에서 합성 조건을 조정함으로써, 바람직하게는 이온 농도 및/또는 온도를 조정하여, 합성을 중단시키거나 늦춤으로써 실현될 수 있고, 상기 방법은, 합성 이전에, 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 근처에서 합성 조건을 조정함으로써, 이온 농도를 조정하고/하거나 온도를 조정함으로써, 상기 효소를 활성화시켜 합성을 개시하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 합성을 중단시키는 단계는 선택된 메모리 뉴클레오티드의 염기와 조화 가능하지 않은 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드 상의 다음 하류 염기에 의해 실현될 수 있다. 이러한 중단 단계 후의 활성화는 기질 DNA 상의 하류 염기와 조화 가능한 염기를 갖는 뉴클레오티드를 제공함으로써 실현될 수 있다.
효소를 중단시키는 것 및/또는 효소를 활성화시키는 것은 메모리 기록 기질 DNA의 특정 위치에서 수행될 수 있어서, 기록하는 것이 종결되고/되거나 개시되는 위치를 결정하는 것을 허용한다. 복수의 메모리 기록 기질 DNA는, 예를 들어, 미세유체 장치(microfluidic device) 또는 미세유체 배열(microfluidic arrangement) 상에 제공될 수 있다.
예를 들어, 복수의 메모리 기록 기질 DNA의 배열이 사용될 수 있다.
이온 농도를 조정하는 것은, 합성을 위한 효소에 의해 필요한 이온의 농도를 조정하는 것일 수 있다. 이러한 조정은, 미세유체 채널을 통한 미세유체 배열의 합성 구획에 대한 것과 같은 합성에 대해 적합한 농도의 이온을 포함하는 액체의 제공에 의할 수 있다.
효소는 중합효소, 역전사효소, 및 RNA 중합효소로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
효소는 중합효소일 수 있다.
메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 DNA의 상보적인 스트랜드와 함께 존재할 수 있다.
상기 생성된 메모리 DNA(32)는 비트 시퀀스의 비트와 동일한 시퀀스에 대응하고 이를 갖는 상기 메모리 뉴클레오티드(24)를 갖는 DNA의 스트랜드를 포함할 수 있다.
반복 사이에, DNA는 비트와 대응하지 않는 뉴클레오티드와 합성될 수 있다. 그 때문에, 예를 들어, DNA의 스페이서 부분(spacer portion)은 DNA의 비트-관련된 염기 사이에서 생성될 수 있다.
도 4와 관련하여, 미세유체 시스템(60)이 이제 설명될 것이다. 미세유체 시스템은 미세유체 칩(62)과 제어기(64)를 포함한다. 상기 미세유체 칩(62)은, 액체에서 효소(28)　(도 4에 도시되지 않음)와 접촉된 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드 (도 4에 도시되지 않음)를 포함하도록 구성된, 예를 들어, 웰(well), 구획, 또는 다른 적합한 유형의 용기(container)일 수 있는 메모리 DNA(32) 합성 구획(66), 상기 메모리 DNA(32) 합성 구획(66)과 유체적으로 연결되고 액체를 메모리 DNA(32) 합성 구획으로 전달하도록 구성된 미세유체 채널(68a)과 미세유체 채널(68b), 메모리 뉴클레오티드 구획(70a)과 메모리 뉴클레오티드 구획(70b)-각각이 상기 메모리 DNA(32) 합성 구획에 상기 미세유체 채널　(68a)과 미세유체 채널(68b) 중 하나를 통해 유체적으로 연결되고, 메모리 뉴클레오티드(24)의 용액을 포함하도록 구성된-을 포함한다. 제어기(64)는
비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는, 단계;
메모리 뉴클레오티드(24)를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계;
상기 선택된 메모리 뉴클레오티드(24)를 포함하는 용액을 상기 미세유체 채널(68a)과 미세유체 채널 (68b) 중 하나를 통해 상기 메모리 DNA(32) 합성 구획(66)으로 전달하여, 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드(24)와 상기 효소(28) 사이의 접촉을 제공하는 단계; 및
메모리 DNA(32)의 한 부분(30)을 상기 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드(20)의 한 부분으로부터 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드(24)에 의해 합성하는 단계를 반복적으로 수행하도록 구성되어,
상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드(24)를 포함하는 메모리 DNA(32)를 생성한다.
상기 미세유체 채널(68a)과 미세유체 채널(68b)는 각각 상기 구획(66)에 직접적으로 연결되거나, 추가의 채널을 통해 간접적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 뉴클레오티드 구획(70a)과 메모리 뉴클레오티드 구획(70b)은 대안적으로 칩(chip)의 배열일 수 있다.
제어기는 데이터를 수신하도록, 예를 들어, 데이터 저장 유닛 또는 생성 유닛에 연결됨으로써와 같이 배열될 수 있다. 상기 수신된 적어도 하나의 비트에 기초하여 메모리 뉴클레오티드(24)를 선택하는 단계를 반복하여 수행하도록 구성된 제어기는, 수신된 서브-시퀀스가 비트-값, 예를 들어 0; 1; 0,1; 1,0; 0,0; 1,1; 또는 0,0,0의 소정의 시퀀스를 포함하는 경우, 예를 들어, 상기 메모리 뉴클레오티드(24)의 하나의 유형을 선택함에 의할 수 있다. 더욱이, 제어기는, 예를 들어, 합성의 발달의 트랙을 유지함으로써, 메모리 기록 기질 DNA의 한 부분의 염기의 트랙(track)을 유지하도록 구성되어, 메모리 뉴클레오티드의 유형을 선택하여 메모리 기록 기질 DNA의 한 부분의 염기와 염기쌍을 형성할 수 있다.
상기 선택된 메모리 뉴클레오티드(24)를 포함하는 용액을 상기 미세유체 채널(68a)과 미세유체 채널(68b) 중 하나를 통해 상기 메모리 DNA(32) 합성 구획(66)으로 전달하는 것은, 예를 들어, 용액을 펌핑하도록 배열된 펌프와 같은 유동 생성기(flow generator)를 제어함에 의할 수 있다.
미세유체 칩은, 완충액, 전해질(electrolyte), 또는 이온 용액을 포함하도록 배열된 구획-미세유체 채널을 통해 DNA 합성 구획에 유체적으로 연결된-을 더 포함할 수 있거나, 이에 연결되도록 배열될 수 있다.
미세유체 칩은, DNA 합성 구획에 배열되거나, 복수의 DNA 합성 구획에 분배된 복수의 메모리 기록 기질 DNA의 배열을 더 포함할 수 있다.
상기 미세유체 시스템(60)은 제1 측면에 따른 방법을 수행하기 위한 것일 수 있다. 상기 미세유체 시스템(60)은 메모리 기록 기질 DNA(22)의 스트랜드로부터 시험관 내에서 효소적으로 상기 메모리 DNA(32)를 생성함으로써, DNA의 형태로 데이터-비트 시퀀스를 포함하는-를 기록하기 위한 것일 수 있다.
추가로 개시된 것은 비트 시퀀스에 대응하는 메모리 뉴클레오티드(24)의 시퀀스를 포함하는 메모리 DNA(32)이다.
상기에서, 본 명세서에 기재된 발명적 개념은 제한된 수의 실시예에 관하여 주로 기술되었다. 그러나, 통상의 기술자에 의해 용이하게 인식되는 바와 같이, 상기에 기술된 것과 다른 실시예들이, 첨부된 청구항에 의해 정의된 바와 같은 본 명세서에 기재된 발명적 개념의 범위 내에서 등가적으로 가능하다.
SEQUENCE LISTING <110> IMEC VZW <120> METHOD FOR WRITING DATA <130> 21094179 <160> 1 <170> PatentIn version 3.5 <210> 1 <211> 30 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Example of strand of memory writing substrate DNA <400> 1 cacacatggg cacacatggg cacacatggg 30

Claims (13)

  1. 소정의 또는 공지된 시퀀스를 갖는 메모리 기록 기질 DNA(memory writing substrate DNA)의 스트랜드로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA(memory DNA)를 생성함으로써, 비트 시퀀스 (sequence of bits)를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법으로서, 상기 방법은
    상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계;
    메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 염기와 염기쌍을 형성하도록 선택하는 단계로서, 상기 선택하는 단계는:
    제1 표지(label) 또는 제1 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값(bit-value)의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 또는
    제2 표지 또는 제2 변형을 포함하는 메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제2 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계를 포함하는 것인, 선택하는 단계;
    효소와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 액체 배지에서 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소를 접촉시키는 단계; 및
    상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 메모리 DNA의 한 부분을 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계;
    를 반복하는 것을 포함하여,
    상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성하는, 데이터를 기록하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표지 및 제2 표지는 형광 염료, 작용기, 및 부피가 크거나 입체적인 구별기(bulky or sterically differentiating group)로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고,
    상기 작용기는 비오틴, 아자이드 모이어티(azide moiety), 카르복시 모이어티(carboxy moiety), 티올 모이어티(thiol moiety), 및 에폭시 모이어티(epoxy moiety)로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며,
    상기 부피가 크거나 입체적인 구별기는 상이한 길이의 폴리-에틸렌 글리콜 유닛으로부터 선택된 것이고,
    상기 메모리 뉴클레오티드를 각각 상기 제1 표지 또는 제2 표지로 합성 후에 표지(post-synthesising labelling)하기 위한 상기 제1 변형 또는 제2 변형은 비오틴, 아자이드 모이어티(azide moiety), 카르복시 모이어티(carboxy moiety), 티올 모이어티(thiol moiety), 및 에폭시 모이어티(epoxy moiety)로 이루어진 군으로부터 선택된 화학기 또는 작용기인 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  3. 소정의 또는 공지된 시퀀스를 갖는 메모리 기록 기질 DNA(memory writing substrate DNA)의 스트랜드로부터 시험관 내에서 효소적으로 메모리 DNA(memory DNA)를 생성함으로써, 비트 시퀀스 (sequence of bits)를 포함하고 DNA의 형태로 기록된 데이터를 기록하는 방법으로서, 상기 방법은
    상기 비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는 것인, 단계;
    메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 염기와 염기쌍을 형성하도록 선택하는 단계;
    효소와 접촉된 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하는 액체 배지에서 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소를 접촉시키는 단계; 및
    상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 메모리 DNA의 한 부분을 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계로서, 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 하나 이상의 유형의 염기와 쌍을 형성할 수 있어, 상이한 염기를 갖는 메모리 뉴클레오티드를 이용한 합성을 할 수 있는 염기 유사체를 포함하는 것인, 단계;
    를 반복하는 것을 포함하여,
    상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성하는, 데이터를 기록하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 메모리 뉴클레오티드는 염기 A 또는 염기 C를 포함하는 뉴클레오티드로부터 선택되는 것이고,
    상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 8-옥소dG기(8-oxodG group) 또는 이노신기(inosine group)를 포함하는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 메모리 뉴클레오티드를 선택하는 단계는 염기 A를 상기 서브-시퀀스가 비트-값의 소정의 제1 시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계, 및 염기 C를 상기 서브-시퀀스가 소정의 제2 비트-시퀀스를 포함하는 조건에서 선택하는 단계를 포함하는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 합성 단계 후에 합성을 중단시키는 단계를 더 포함하는, 데이터를 기록하는 방법.
  7. 제8항에 있어서,
    상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분은 절단 가능한 사슬 종결자(chain terminator) 또는 가역적인 핵산 결합자(nucleic acid binder)를 포함하고,
    상기 합성을 중단시키는 단계는 상기 절단 가능한 사슬 종결자 또는 가역적인 핵산 결합자에 의해 실현되는 것이며,
    상기 방법은 상기 합성 단계 이전에 상기 절단 가능한 사슬 종결자를 절단, 또는 상기 가역적인 핵산 결합자를 결합 해제(unbinding)하여 합성 개시를 허용하는 단계를 더 포함하는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 합성을 중단시키는 단계는 상기 효소의 불활성화에 의해 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 근처에서 합성 조건을 조정함으로써, 바람직하게는 이온 농도 및/또는 온도를 조정하여, 상기 합성을 중단시키거나 늦춤으로써 실현되는 것이고,
    상기 방법은 상기 합성 이전에 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분의 근처에서 합성 조건을 조정함으로써, 이온 농도를 조정하고/하거나 온도를 조정함으로써, 상기 효소를 활성화시켜, 합성을 개시하는 단계를 더 포함하는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 합성을 중단시키는 단계는 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드의 염기와 조화 가능하지 않은 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드 상의 다음 하류 염기(next downstream base)에 의해 실현되는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항에 있어서,
    상기 효소는 중합효소, 역전사 효소, 및 RNA 중합효소로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드는 DNA의 상보적인 스트랜드와 함께 존재하는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    생성된 메모리 DNA는 상기 비트 시퀀스를 포함하는 데이터와 동일한 시퀀스에 대응하고 이를 갖는 메모리 뉴클레오티드를 갖는 DNA의 스트랜드를 포함하는 것인, 데이터를 기록하는 방법.
  13. 미세유체 칩(microfluidic chip)과 제어기를 포함하는 미세유체 시스템으로서,
    상기 미세유체 칩은
    액체에서 효소와 접촉된 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드를 포함하도록 구성된 메모리 DNA 합성 구획,
    상기 메모리 DNA 합성 구획과 유체적으로 연결되고 액체를 상기 메모리 DNA 합성 구획으로 전달하도록 구성된 미세유체 채널(microfluidic channel), 및
    메모리 뉴클레오티드 구획 각각이 상기 메모리 DNA 합성 구획에 상기 미세유체 채널 중 하나를 통해 유체적으로 연결되고, 메모리 뉴클레오티드의 용액을 포함하도록 구성된 메모리 뉴클레오티드 구획들을 포함하고,
    상기 제어기는
    비트 시퀀스의 서브-시퀀스를 수신하는 단계로서, 상기 서브-시퀀스는 적어도 하나의 비트를 포함하는, 단계;
    메모리 뉴클레오티드를 상기 서브-시퀀스에 기초하여 선택하는 단계;
    상기 선택된 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 용액을 상기 미세유체 채널 중 하나를 통해 상기 메모리 DNA 합성 구획으로 전달하여, 상기 선택된 메모리 뉴클레오티드와 상기 효소 사이의 접촉을 제공하는 단계; 및
    메모리 DNA의 한 부분을 상기 메모리 기록 기질 DNA의 스트랜드의 한 부분으로부터 상기 용액의 효소와 적어도 하나의 선택된 메모리 뉴클레오티드에 의해 합성하는 단계;를 반복적으로 수행하도록 구성되어,
    상기 비트 시퀀스의 비트에 대응하는 메모리 뉴클레오티드를 포함하는 메모리 DNA를 생성하는, 미세유체 시스템.
KR1020180172813A 2017-12-29 2018-12-28 데이터 기록 방법 KR20190082143A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17211093.4A EP3506135A1 (en) 2017-12-29 2017-12-29 Method for writing data
EP17211093.4 2017-12-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190082143A true KR20190082143A (ko) 2019-07-09

Family

ID=60990605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180172813A KR20190082143A (ko) 2017-12-29 2018-12-28 데이터 기록 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11276003B2 (ko)
EP (1) EP3506135A1 (ko)
KR (1) KR20190082143A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11702689B2 (en) 2020-04-24 2023-07-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Homopolymer primers for amplification of polynucleotides created by enzymatic synthesis

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030228611A1 (en) * 2002-05-01 2003-12-11 President And Fellows Of Harvard College Nucleic acid memory device
US20050053968A1 (en) * 2003-03-31 2005-03-10 Council Of Scientific And Industrial Research Method for storing information in DNA
US7442339B2 (en) * 2004-03-31 2008-10-28 Intel Corporation Microfluidic apparatus, Raman spectroscopy systems, and methods for performing molecular reactions
WO2011040996A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-07 Quantapore, Inc. Ultrafast sequencing of biological polymers using a labeled nanopore
WO2012129242A2 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Pacific Biosciences Of California, Inc. Isolation of polymerase-nucleic acid complexes and loading onto substrates
CN108875312A (zh) * 2012-07-19 2018-11-23 哈佛大学校长及研究员协会 利用核酸存储信息的方法
EP3547315B1 (en) * 2018-03-26 2021-01-27 IMEC vzw Method of storing data

Also Published As

Publication number Publication date
US11276003B2 (en) 2022-03-15
US20190205768A1 (en) 2019-07-04
EP3506135A1 (en) 2019-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7277054B2 (ja) ホモポリマーコード化核酸メモリ
Lee et al. Terminator-free template-independent enzymatic DNA synthesis for digital information storage
Hao et al. Data storage based on DNA
JP2021531777A (ja) 核酸鎖の大規模並列酵素合成
WO2017083177A1 (en) Error correction for nucleotide data stores
CN110024037B (zh) 经由连接的dna随机存取存储系统
US20240018511A1 (en) Array-based enzymatic oligonucleotide synthesis
Xu et al. Uncertainties in synthetic DNA-based data storage
JPH08272774A (ja) 単一または二重の鎖のオリゴヌクレオチドを用いた分子自動計算装置
KR20190082143A (ko) 데이터 기록 방법
US11276481B2 (en) Method for writing data in nucleic acid based memories
US11854668B2 (en) Accessing data storage provided using double-stranded nucleic acid molecules
Weide-Zaage Dna Digital-storage: Advantages, Approach and Technical Implementation
Yu et al. High-throughput DNA synthesis for data storage
US11990184B2 (en) DNA backbone editing for DNA data storage
EP4139480B1 (en) Homopolymer primers for amplification of polynucleotides created by enzymatic synthesis
WO2024027620A1 (zh) 一种数据存储介质及其应用
KR20240072128A (ko) 핵산 데이터 저장을 위한 조성물, 시스템, 및 방법
WO2023196499A1 (en) Substrate cleavage for nucleic acid synthesis
WO2021231920A1 (en) Nanopore unzipping-sequencing for dna data storage
Kari et al. How to Compute with DNA
Alberts et al. The Universal Features of Cells on Earth
IL301274A (en) Time-based clustering of contiguous DNA fragment library visualization
Nygren Investigations into practical DNA computing

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application