KR20190076832A - Light emitting device and display apparatu including the light emitting device - Google Patents

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KR20190076832A KR1020180121186A KR20180121186A KR20190076832A KR 20190076832 A KR20190076832 A KR 20190076832A KR 1020180121186 A KR1020180121186 A KR 1020180121186A KR 20180121186 A KR20180121186 A KR 20180121186A KR 20190076832 A KR20190076832 A KR 20190076832A
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Abstract

A light emitting element including a micro cavity having a phase modulating surface and a display device are provided. The light emitting element includes a reflective layer having a phase modulating surface, a first electrode disposed on the phase modulating surface of the reflective layer, a light emitting structure disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the light emitting structure. The phase modulating surface includes a plurality of regularly arranged nanoscale patterns. The reflective layer and the second electrode constitute a micro cavity having a resonance wavelength.

Description

발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 {Light emitting device and display apparatu including the light emitting device}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device and a display device including the light emitting device,

개시된 실시예들은 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 위상 변조 표면을 갖는 마이크로 캐비티를 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.The disclosed embodiments relate to a light emitting device and a display device including the same, and more particularly, to an organic electroluminescent device including a micro cavity having a phase-modulated surface and an organic electroluminescent display device.

유기 전계 발광 소자(organic light emitting device; OLED)는, 양극(anode)으로부터 공급되는 정공(hole)과 음극(cathode)으로부터 공급되는 전자(electron)가 유기 발광층 내에서 결합하여 빛을 방출함으로서 화상을 형성하는 디스플레이 소자이다. 이러한 유기 전계 발광소자는 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 얇은 두께, 낮은 제조 비용 및 높은 콘트라스트(contrast) 등과 같은 우수한 디스플레이 특성을 나타낼 수 있다.Organic light emitting devices (OLEDs) emit light by combining electrons supplied from an anode and electrons supplied from a cathode in an organic light emitting layer to emit light. . Such an organic electroluminescent device can exhibit excellent display characteristics such as a wide viewing angle, a fast response speed, a thin thickness, a low manufacturing cost, and a high contrast.

또한, 유기 전계 발광 소자에서 유기 발광층의 재료로서 적절한 물질을 선택함으로써 원하는 색을 방출하게 할 수 있다. 이 원리에 따라, 유기 전계 발광 소자를 이용하여 컬러 디스플레이 장치를 구현하는 것이 가능하다. 예를 들어, 청색 화소의 유기 발광층은 청색광을 발생시키는 유기 재료로 이루어지고, 녹색 화소의 유기 발광층은 녹색광을 발생시키는 유기 재료로 이루어지고, 적색 화소의 유기 발광층은 적색광을 발생시키는 유기 재료로 이루어질 수 있다. 또는, 하나의 유기 발광층 내에 청색광, 녹색광 및 적색광을 각각 발생시키는 복수의 유기 재료를 모두 배치하거나, 또는 서로 보색 관계에 있는 두 종류 이상의 유기 재료들의 쌍을 배치함으로써 백색 유기 전계 발광 소자를 구현할 수도 있다.In addition, a desired color can be emitted by selecting an appropriate material as the material of the organic light emitting layer in the organic electroluminescent device. According to this principle, it is possible to realize a color display device using an organic electroluminescent device. For example, the organic light emitting layer of the blue pixel is made of an organic material that generates blue light, the organic light emitting layer of the green pixel is made of an organic material that generates green light, and the organic light emitting layer of the red pixel is made of an organic material that generates red light . Alternatively, a white organic electroluminescent device may be realized by disposing a plurality of organic materials that generate blue light, green light, and red light, respectively, in one organic light emitting layer, or by arranging pairs of two or more kinds of organic materials in a complementary relationship with each other .

위상 변조 표면을 갖는 마이크로 캐비티를 포함하는 발광 소자를 제공한다.There is provided a light emitting device including a micro cavity having a phase modulation surface.

또한, 위상 변조 표면을 갖는 마이크로 캐비티를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.A display device including a micro-cavity having a phase-modulating surface is also provided.

일 실시예에 따른 발광 소자는, 위상 변조 표면을 구비하는 금속 반사층; 상기 금속 반사층의 상기 위상 변조 표면 상에 배치된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 배치된 발광 구조체; 및 상기 발광 구조체 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하며, 상기 위상 변조 표면은 다수의 나노 광 공진 구조를 포함하고, 상기 나노 광 공진 구조는 입사광의 자기장 성분이 나노 규모의 패턴들의 주변부에서 공진하여 형성되는 실린더 타입의 마그네틱 공진기이고, 상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극은 공진 파장을 갖는 마이크로 캐비티를 구성하며, 상기 마이크로 캐비티의 공진 파장은 상기 나노 광 공진 구조에 의한 위상 변이와 상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극 사이의 광학적 거리에 의해 결정될 수 있다.A light emitting device according to one embodiment includes a metal reflective layer having a phase modulating surface; A first electrode disposed on the phase-modulated surface of the metal reflective layer; A light emitting structure disposed on the first electrode; And a second electrode disposed on the light emitting structure, wherein the phase modulating surface includes a plurality of nano light resonance structures, and the nano light resonance structure is a structure in which a magnetic field component of incident light is resonant Wherein the metal reflection layer and the second electrode constitute a micro cavity having a resonance wavelength, and a resonance wavelength of the micro cavity is determined by a phase shift due to the nanofiber resonance structure, And may be determined by the optical distance between the second electrodes.

일 실시예에 따르면, 상기 제 1 전극은 투명 전극이고 상기 제 2 전극은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과 전극일 수 있다.According to one embodiment, the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a transflective electrode that reflects a part of light and transmits a part of the light.

예를 들어, 상기 제 2 전극은 반사성 금속으로 이루어지며, 상기 제 2 전극의 두께는 10 nm 내지 20 nm일 수 있다.For example, the second electrode may be made of a reflective metal, and the thickness of the second electrode may be 10 nm to 20 nm.

다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 전극은 투명 전극이고 상기 제 2 전극은 반사 전극이며, 상기 금속 반사층은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과성을 가질 수 있다.According to another embodiment, the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a reflective electrode, and the metal reflection layer may have a semi-transmissive property that reflects a part of light and transmits a part of the light.

예를 들어, 상기 금속 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다.For example, the metal reflection layer may be made of silver (Ag) or an alloy containing silver.

상기 위상 변조 표면은 규칙적 또는 불규칙적으로 배열된 다수의 패턴들을 포함할 수 있다.The phase modulating surface may comprise a plurality of regularly or irregularly arranged patterns.

상기 위상 변조 표면에 의한 반사광의 위상 변이는 상기 패턴들의 높이와 상기 패턴들의 굴절률의 곱으로 결정되는 유효 광학 거리에 의한 단순 위상 변이보다 클 수 있다.The phase shift of the reflected light due to the phase modulation surface may be greater than the simple phase shift due to the effective optical distance determined by the product of the height of the patterns and the refractive index of the patterns.

상기 위상 변조 표면의 상기 패턴의 주변 공간 내에 상기 제 1 전극의 일부가 채워질 수 있다.A portion of the first electrode may be filled in a peripheral space of the pattern of the phase modulation surface.

상기 발광 소자는 상기 위상 변조 표면의 상기 패턴의 주변 공간 내에 채워진 유전체를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a dielectric filled in a peripheral space of the pattern of the phase modulation surface.

상기 발광 소자는 상기 위상 변조 표면과 상기 제 1 전극 사이에 배치된 유전체층을 더 포함하며, 상기 위상 변조 표면의 상기 패턴의 주변 공간 내에 상기 유전체층의 일부가 채워질 수 있다.The light emitting device further includes a dielectric layer disposed between the phase modulating surface and the first electrode and a portion of the dielectric layer may be filled in a peripheral space of the pattern of the phase modulating surface.

예를 들어, 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경은 50 nm 내지 150 nm일 수 있다.For example, the diameter of each pattern of the phase modulating surface may be between 50 nm and 150 nm.

예를 들어, 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 높이는 0 nm 내지 150 nm일 수 있다.For example, the height of each pattern of the phase modulating surface may be 0 nm to 150 nm.

예를 들어, 상기 위상 변조 표면의 상기 다수의 패턴의 주기는 100 nm 내지 300 nm일 수 있다.For example, the period of the plurality of patterns of the phase modulating surface may be between 100 nm and 300 nm.

상기 마이크로 캐비티의 공진 파장을 λ라고 할 때, 상기 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 nλ/2 (n은 자연수)를 만족하도록 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택될 수 있다.Wherein a diameter of each of the patterns on the phase-modulated surface, a height of each pattern, and a plurality of patterns are set so that the optical length of the micro-cavities satisfies n? / 2 (n is a natural number) Can be selected.

예를 들어, 상기 발광 구조체는, 상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층;을 포함할 수 있다.For example, the light emitting structure may include: a hole injection layer disposed on the first electrode; A hole transport layer disposed on the hole injection layer; An organic light emitting layer disposed on the hole transporting layer; An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And an electron injection layer disposed on the electron transport layer.

다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 제 1 파장의 빛을 방출하는 제 1 화소; 및 제 1 파장과 다른 제 2 파장의 빛을 방출하는 제 2 화소;를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 화소와 제 2 화소의 각각은, 위상 변조 표면을 구비하는 금속 반사층; 상기 금속 반사층의 상기 위상 변조 표면 상에 배치된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 배치된 발광 구조체; 및 상기 발광 구조체 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고, 상기 위상 변조 표면은 다수의 나노 광 공진 구조를 포함하고, 상기 나노 광 공진 구조는 입사광의 자기장 성분이 나노 규모의 패턴들의 주변부에서 공진하여 형성되는 실린더 타입의 마그네틱 공진기이고, 상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극은 공진 파장을 갖는 마이크로 캐비티를 구성하며, 상기 마이크로 캐비티의 공진 파장은 상기 나노 광 공진 구조에 의한 위상 변이와 상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극 사이의 광학적 거리에 의해 결정될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a display device includes: a first pixel that emits light of a first wavelength; And a second pixel that emits light of a second wavelength different from the first wavelength. Wherein each of the first pixel and the second pixel includes a metal reflective layer having a phase modulating surface; A first electrode disposed on the phase-modulated surface of the metal reflective layer; A light emitting structure disposed on the first electrode; And a second electrode disposed on the light emitting structure, wherein the phase modulating surface includes a plurality of nano light resonance structures, and the nano light resonance structure is a structure in which a magnetic field component of incident light is resonant Wherein the metal reflection layer and the second electrode constitute a micro cavity having a resonance wavelength, and a resonance wavelength of the micro cavity is determined by a phase shift due to the nanofiber resonance structure, And may be determined by the optical distance between the second electrodes.

상기 위상 변조 표면은 규칙적 또는 불규칙적으로 배열된 다수의 패턴들을 포함할 수 있다.The phase modulating surface may comprise a plurality of regularly or irregularly arranged patterns.

상기 제 1 화소의 마이크로 캐비티의 공진 파장이 제 1 파장에 대응하도록 상기 제 1 화소의 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택되며, 상기 제 2 화소의 마이크로 캐비티의 공진 파장이 제 2 파장에 대응하도록 상기 제 2 화소의 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택될 수 있다.The diameter of each pattern of the phase modulation surface of the first pixel, the height of each pattern, and the period of the plurality of patterns are selected so that the resonance wavelength of the micro cavity of the first pixel corresponds to the first wavelength, The diameter of each pattern of the phase-modulating surface of the second pixel, the height of each pattern, and the period of the plurality of patterns may be selected so that the resonant wavelength of the micro-cavity of two pixels corresponds to the second wavelength.

상기 제 1 파장을 λ1 상기 제 2 파장을 λ2라 할 때, 상기 제 1 화소의 마이크로 캐비티의 광학적 길이는 nλ1/2이며, 상기 제 2 화소의 마이크로 캐비티의 광학적 길이는 nλ2/2이고, 상기 제 1 화소에서 상기 제 2 전극과 상기 위상 변조 표면 사이의 광학적 길이와 상기 제 2 화소에서 상기 제 2 전극과 상기 위상 변조 표면 사이의 광학적 길이가 동일할 수 있다.When the first wavelength λ 1 and the second wavelength LA λ 2, the optical length of the micro-cavities of the first pixel is nλ 1/2, the optical length of the micro-cavities of the second pixel is nλ 2/2 The optical length between the second electrode and the phase modulating surface in the first pixel and the optical length between the second electrode and the phase modulating surface in the second pixel may be the same.

일 실시예에 따르면, 상기 발광 구조체는, 상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치된 것으로, 제 1 파장의 빛과 제 2 파장의 빛을 모두 발생시키는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층;을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the light emitting structure may include: a hole injection layer disposed on the first electrode; A hole transport layer disposed on the hole injection layer; An organic light emitting layer disposed on the hole transport layer and generating both light of the first wavelength and light of the second wavelength; An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And an electron injection layer disposed on the electron transport layer.

다른 실시예에 따르면, 상기 발광 구조체는, 상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 배치된 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층;을 포함하며, 상기 제 1 화소의 유기 발광층은 제 1 파장의 빛을 발생시키도록 구성되고, 상기 제 2 화소의 유기 발광층은 제 2 파장의 빛을 발생시키도록 구성될 수 있다.According to another embodiment, the light emitting structure may further include: a hole injection layer disposed on the first electrode; A hole transport layer disposed on the hole injection layer; An organic light emitting layer disposed on the hole transporting layer; An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And an electron injection layer disposed on the electron transport layer, wherein the organic light emitting layer of the first pixel is configured to emit light of a first wavelength, and the organic light emitting layer of the second pixel emits light of a second wavelength And the like.

개시된 실시예에 따르면, 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기에 따라 마이크로 캐비티의 공진 파장이 결정될 수 있다. 따라서, 위상 변조 표면을 적절하게 구성함으로써 마이크로 캐비티를 포함하는 발광 소자에서 마이크로 캐비티의 공진 파장을 발광 소자의 발광 파장에 용이하게 매칭시킬 수 있다. 또한, 위상 변조 표면의 반사도가 충분히 높기 때문에 우수한 발광 효율을 얻을 수 있다.According to the disclosed embodiment, the resonant wavelength of the micro-cavity can be determined according to the diameter of each pattern of the phase-modulating surface, the height of each pattern, and the period of the plurality of patterns. Therefore, by appropriately configuring the phase-modulated surface, it is possible to easily match the resonance wavelength of the micro-cavity to the light-emitting wavelength of the light-emitting element in the light-emitting element including the micro-cavity. Further, since the reflectivity of the phase-modulated surface is sufficiently high, excellent luminescence efficiency can be obtained.

또한, 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기에 따라 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 조절될 수 있기 때문에, 마이크로 캐비티의 광학적 길이를 조절하기 위하여 발광 소자의 물리적인 두께를 조절할 필요가 없다. 따라서, 다수의 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치에서 다수의 화소들의 두께를 동일하게 구성하는 것이 가능하다.Further, since the optical length of the micro-cavity can be adjusted according to the diameter of each pattern of the phase-modulating surface, the height of each pattern, and the period of the plurality of patterns, There is no need to adjust the thickness of the film. Therefore, it is possible to configure the same thickness of a plurality of pixels in a display device including a plurality of light emitting elements.

도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2a는 다수의 패턴을 갖는 위상 변조 표면을 구비하는 반사층의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2b는 위상 변조 표면의 다수의 패턴의 배열을 예시적으로 보이는 평면도이다.
도 2c는 위상 변조 표면의 다수의 패턴의 배열을 예시적으로 보이는 사시도이다.
도 3은 위상 변조 표면의 패턴의 높이에 따른 반사층에 의한 반사광의 위상 변화를 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 4는 위상 변조 표면의 패턴의 높이에 따른 반사층의 반사도 변화를 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 5는 마이크로 캐비티의 공진 특성을 실험하기 위한 마이크로 캐비티의 예시적인 구성을 보이는 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 마이크로 캐비티에서 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 높이에 따른 마이크로 캐비티의 공진 특성을 보이는 그래프이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 발광 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device according to an embodiment.
2A is a cross-sectional view schematically showing the structure of a reflection layer having a phase-modulating surface having a plurality of patterns.
Figure 2B is a plan view illustrating an exemplary arrangement of a plurality of patterns of phase modulating surfaces.
Figure 2C is a perspective view illustrating an exemplary arrangement of a plurality of patterns of phase modulating surfaces.
3 is a graph exemplarily showing the phase change of the reflected light due to the reflection layer according to the height of the pattern of the phase-modulated surface.
4 is a graph exemplarily showing the change in reflectivity of the reflective layer with respect to the height of the pattern of the phase modulating surface.
5 is a cross-sectional view showing an exemplary configuration of a micro-cavity for testing resonance characteristics of a micro-cavity.
FIG. 6 is a graph showing the resonance characteristics of micro cavities according to the height of each pattern of the phase modulation surface in the micro cavity shown in FIG.
7 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device according to another embodiment.
8 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device according to another embodiment.
9 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device according to another embodiment.
10 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a display device according to an embodiment.
11 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a display device according to another embodiment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 또한 이하에서 설명하는 층 구조에서, "상부" 또는 "상"이라고 기재된 표현은 접촉하여 바로 위/아래/좌/우에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위/아래/좌/우에 있는 것도 포함할 수 있다.Hereinafter, a light emitting device and a display device including the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size of each element in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation. Furthermore, the embodiments described below are merely illustrative, and various modifications are possible from these embodiments. Also, in the layer structures described below, the expression "upper" or "upper" may include not only being in contact with and immediately above / below / left / right, but also those without contact above / below / left / right.

도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(100)는, 위상 변조 표면(11)을 구비하는 반사층(10), 반사층(10)의 위상 변조 표면(11) 상에 배치된 제 1 전극(12), 제 1 전극(12) 상에 배치된 발광 구조체(20), 및 발광 구조체(20) 상에 배치된 제 2 전극(18)을 포함할 수 있다.1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device according to an embodiment. Referring to Figure 1, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a reflective layer 10 having a phase modulating surface 11, a first electrode 12 disposed on a phase modulating surface 11 of the reflective layer 10, A light emitting structure 20 disposed on the first electrode 12 and a second electrode 18 disposed on the light emitting structure 20. The light emitting structure 20 may include a first electrode 12,

발광 소자(100)는 유기 전계 발광 다이오드(OLED; organic light emitting diode)일 수 있다. 예컨대, 발광 구조체(20)는 제 1 전극(12) 상에 배치된 정공 주입층(hole jnjection layer, 13), 정공 주입층(13) 상에 배치된 정공 수송층(hole tranfer layer, 14), 정공 수송층(14) 상에 배치된 유기 발광층(organic emission layer, 15), 유기 발광층(15) 상에 배치된 전자 수송층(electron transfer layer, 16), 및 전자 수송층(16) 상에 배치된 전자 주입층(electron injection layer, 17)을 포함할 수 있다. 또한, 도 1에는 도시되지 않았지만, 발광 구조체(20)는 필요에 따라 다양한 추가적인 층들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 발광 구조체(20)는 정공 수송층(14)과 유기 발광층(15) 사이에 전자 저지층(electron block layer)을 더 포함할 수 있고, 또한 유기 발광층(15) 전자 수송층(16) 사이에 정공 저지층(hole block layer)을 더 포함할 수도 있다. 이러한 구조에서, 정공 주입층(13) 및 정공 수송층(14)을 통해 제공된 정공과 전자 주입층(17) 및 전자 수송층(16)을 통해 제공된 전자가 유기 발광층(15)에서 결합하여 빛이 발생하게 된다. 발생하는 빛의 파장은 유기 발광층(15)의 발광 재료의 에너지 밴드갭에 의해 결정될 수 있다.The light emitting device 100 may be an organic light emitting diode (OLED). For example, the light emitting structure 20 includes a hole injection layer 13 disposed on the first electrode 12, a hole transfer layer 14 disposed on the hole injection layer 13, An organic emission layer 15 disposed on the transport layer 14, an electron transfer layer 16 disposed on the organic emission layer 15, and an electron injection layer 16 disposed on the electron transport layer 16, and an electron injection layer 17. Also, although not shown in FIG. 1, the light emitting structure 20 may include various additional layers as needed. For example, the light emitting structure 20 may further include an electron blocking layer between the hole transporting layer 14 and the organic light emitting layer 15, and may further include an electron transporting layer between the organic light emitting layer 15 and the electron transporting layer 16. [ And may further include a hole blocking layer. In this structure, holes provided through the hole injection layer 13 and the hole transport layer 14, electrons provided through the electron injection layer 17 and the electron transport layer 16 are combined in the organic emission layer 15 to generate light do. The wavelength of the generated light can be determined by the energy bandgap of the light emitting material of the organic light emitting layer 15.

그러나 상술한 유기 전계 발광 다이오드의 구조는 발광 소자(100)의 일 예일 뿐이며, 발광 소자(100)는 유기 전계 발광 다이오드로만 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시예에 따른 발광 소자(100)의 구조 및 원리는 무기 전계 발광 다이오드에도 적용될 수 있다. 이하에서는 편의상, 발광 소자(100)가 유기 전계 발광 다이오드인 것으로 설명한다.However, the structure of the organic light emitting diode is only an example of the light emitting device 100, and the light emitting device 100 is not limited to the organic light emitting diode. For example, the structure and principle of the light emitting device 100 according to the present embodiment can be applied to an inorganic light emitting diode. Hereinafter, it is assumed that the light emitting device 100 is an organic light emitting diode.

반사층(10)과 발광 구조체(20) 사이에 배치된 제 1 전극(12)은 빛(예컨대, 가시광)을 투과시키는 성질을 갖는 투명 전극이고, 정공을 제공하는 양극의 역할을 할 수 있다. 발광 구조체(20)의 상부에 배치된 제 2 전극(18)은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과 전극이고, 전자를 제공하는 음극의 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 제 1 전극(12)은 상대적으로 높은 일함수를 갖는 재료로 이루어지고 제 2 전극(18)은 상대적으로 낮은 일함수를 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(12)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indume zinc oxide), AZO(aluminium zinc oxide)와 같은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)을 포함할 수 있다. 또한, 제 2 전극(18)은 매우 얇은 두께의 반사성 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(18)은 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 혼합층 또는 알루미늄(Al)과 리튬(Li)의 혼합층일 수 있으며, 제 2 전극(18)의 전체 두께는 약 10 nm 내지 20 nm일 수 있다. 제 2 전극(18)의 두께가 매우 얇기 때문에 빛의 일부가 반사성 금속을 통과할 수 있다.The first electrode 12 disposed between the reflective layer 10 and the light emitting structure 20 is a transparent electrode having a property of transmitting light (e.g., visible light) and may serve as an anode for providing holes. The second electrode 18 disposed on the upper portion of the light emitting structure 20 is a transflective electrode that reflects a part of light and transmits a part of the light, and may serve as a cathode for providing electrons. For this, the first electrode 12 may be made of a material having a relatively high work function and the second electrode 18 may be made of a material having a relatively low work function. For example, the first electrode 12 may include a transparent conductive oxide such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), or AZO (aluminum zinc oxide). In addition, the second electrode 18 may comprise a very thin thickness of reflective metal. For example, the second electrode 18 may be a mixed layer of silver (Ag) and magnesium (Mg) or a mixed layer of aluminum (Al) and lithium (Li) nm to 20 nm. Because the thickness of the second electrode 18 is very thin, some of the light can pass through the reflective metal.

반사층(10)은 제 2 전극(18)과 함께 마이크로 캐비티(L)를 구성하는 역할을 한다. 다시 말해, 발광 소자(100)의 반사층(10)과 제 2 전극(18) 사이에 마이크로 캐비티(L)가 형성된다. 예를 들어, 발광 구조체(20)에서 발생한 빛은 반사층(10)과 제 2 전극(18) 사이를 왕복하며 공진한 후에 마이크로 캐비티(L)의 공진 파장에 해당하는 빛이 제 2 전극(18)을 통해 외부로 방출될 수 있다.The reflective layer 10 serves to form the micro-cavity L together with the second electrode 18. In other words, a micro cavity L is formed between the reflective layer 10 and the second electrode 18 of the light emitting element 100. For example, after the light generated in the light emitting structure 20 is resonated between the reflective layer 10 and the second electrode 18, the light corresponding to the resonant wavelength of the micro- As shown in FIG.

마이크로 캐비티(L)의 공진 파장은 마이크로 캐비티(L)의 광학적 길이(optical length)에 의해 결정될 수 있다. 예를 들어, 마이크로 캐비티(L)의 공진 파장을 λ라고 할 때, 마이크로 캐비티(L)의 광학적 길이는 nλ/2 (n은 자연수)일 수 있다. 이러한 마이크로 캐비티(L)의 광학적 길이는 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 광학적 두께, 제 2 전극(18)에 의한 위상 지연, 및 반사층(10)에 의한 위상 변이(예컨대, 위상 지연)의 합으로 결정될 수 있다. 여기서, 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 광학적 두께는 단순한 물리적인 두께가 아니라 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 재료들의 굴절률을 고려한 두께이다. 본 실시예에 따르면, 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 광학적 두께 및 제 2 전극(18)에 의한 위상 지연을 고정하여 두고, 반사층(10)에 의한 위상 변이만을 조절함으로써 마이크로 캐비티(L)의 광학적 길이 또는 마이크로 캐비티(L)의 공진 파장을 조절할 수 있다.The resonance wavelength of the micro cavity L can be determined by the optical length of the micro cavity L. [ For example, when the resonance wavelength of the micro cavity L is?, The optical length of the micro cavity L may be n? / 2 (n is a natural number). The optical length of the micro cavity L is determined by the optical thickness of the light emitting structure 20 and the first electrode 12, the phase delay by the second electrode 18, and the phase shift by the reflective layer 10 Delay). Here, the optical thicknesses of the light emitting structure 20 and the first electrode 12 are not a simple physical thickness but a thickness considering the refractive indexes of the materials of the light emitting structure 20 and the first electrode 12. The optical thickness of the light emitting structure 20 and the first electrode 12 and the phase delay due to the second electrode 18 are fixed and only the phase shift by the reflective layer 10 is controlled, (L) or the resonance wavelength of the micro-cavity (L).

반사층(10)에 의한 위상 변이를 조절하기 위하여, 제 1 전극(12)과 접하는 반사층(10)의 반사면에는 위상 변조 표면(11)이 형성되어 있다. 위상 변조 표면(11)은 나노 규모의 매우 작은 패턴(11a)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2a는 다수의 패턴(11a)을 갖는 위상 변조 표면(11)을 구비하는 반사층(10)의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이며, 도 2b는 위상 변조 표면(11)의 다수의 패턴(11a)의 배열을 예시적으로 보이는 평면도이고, 도 2c는 위상 변조 표면(11)의 다수의 패턴(11a)의 배열을 예시적으로 보이는 사시도이다.A phase modulation surface 11 is formed on the reflective surface of the reflective layer 10 in contact with the first electrode 12 to control the phase shift by the reflective layer 10. The phase modulating surface 11 may comprise very small patterns 11a on a nanoscale. 2A is a schematic cross-sectional view of a structure of a reflective layer 10 having a phase modulating surface 11 having a plurality of patterns 11a and FIG. 2b is a cross- FIG. 2C is a perspective view exemplarily showing the arrangement of a plurality of patterns 11a of the phase modulation surface 11; FIG.

도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 반사층(10)의 위상 변조 표면(11)은 다수의 나노 크기의 패턴(11a)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 패턴(11a)은 반사층(10)의 최상부 표면으로부터 돌출된 기둥 형태를 가질 수 있다. 도 2c에는 각각의 패턴(11a)이 원통형인 것으로 도시되었지만, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 각각의 패턴(11a)은 타원 기둥, 사각 기둥, 또는 오각 이상의 다각형 기둥 형태를 가질 수도 있다.Referring to Figures 2A-2C, the phase modulating surface 11 of the reflective layer 10 may comprise a plurality of nanoscale patterns 11a. For example, each pattern 11a may have a columnar shape protruding from the uppermost surface of the reflective layer 10. In Fig. 2C, each pattern 11a is shown as being cylindrical, but it is not necessarily limited thereto. For example, each pattern 11a may have an elliptical pillar, a square pillar, or a polygonal pillar shape with a polygonal shape or more.

마이크로 캐비티(L)가 편광 의존성을 갖는 것을 방지하기 위하여, 다수의 패턴(11a)은 4방 대칭(4-fold symmetry) 특성을 갖도록 규칙적이고 주기적으로 배열될 수 있다. 마이크로 캐비티(L)가 편광 의존성을 가지면, 특정 편광 성분의 빛만이 공진하게 되어 발광 소자(100)의 발광 효율이 저하될 수 있다. 예를 들어, 도 2b에는 다수의 패턴(11a)이 규칙적인 정사각형 패턴들의 어레이로 배열된 것으로 도시되었다. 이 경우, 위상 변조 표면(11)의 전체 영역에서 인접한 두 패턴(11a)들 사이의 간격들이 일정할 수 있다. 그러나, 4방 대칭 특성을 갖는다면 다수의 패턴(11a)은 어떠한 다른 형태의 어레이로도 배열될 수 있다. 대신에, 다수의 패턴(11a)이 불규칙적으로 배열될 수도 있다. 다수의 패턴(11a)이 불규칙적으로 배열되는 경우에도, 마이크로 캐비티(L)가 편광 의존성을 갖지 않게 된다. 한편, 다른 실시예에서는, 발광 소자(100)가 의도적으로 특성 편광 성분의 빛만을 방출하도록 다수의 패턴(11a)의 배열을 4방 대칭과 다르게 설계할 수도 있다.In order to prevent the micro-cavity L from having polarization dependence, the plurality of patterns 11a may be regularly and periodically arranged to have a 4-fold symmetry characteristic. If the micro cavity L has polarization dependence, only the light of a specific polarization component resonates and the luminous efficiency of the light emitting device 100 may be lowered. For example, in FIG. 2B, a plurality of patterns 11a are shown arranged in an array of regular square patterns. In this case, the intervals between two adjacent patterns 11a in the entire area of the phase modulation surface 11 may be constant. However, a plurality of patterns 11a may be arranged in any other type of array so long as they have a quadruple symmetry property. Instead, a plurality of patterns 11a may be irregularly arranged. Even when the plurality of patterns 11a are irregularly arranged, the micro-cavity L does not have polarization dependence. On the other hand, in another embodiment, the arrangement of the plurality of patterns 11a may be designed differently from the quadruple symmetry so that the light emitting device 100 intentionally emits only light of the characteristic polarization component.

각각의 패턴(11a)이 예를 들어 원통형인 경우, 위상 변조 표면(11)의 광학적 특성(예를 들어, 반사광의 위상 지연)은 각각의 패턴(11a)의 직경(w), 각각의 패턴(11a)의 높이(d), 및 다수의 패턴(11a)의 피치 또는 주기(p)에 의해 결정될 수 있다. 각각의 패턴(11a)이 다각형 기둥인 경우에는, 위상 변조 표면(11)의 광학적 특성은 각각의 패턴(11a)의 폭(w), 각각의 패턴(11a)의 높이(d), 및 다수의 패턴(11a)의 피치 또는 주기(p)에 의해 결정될 수 있다. 또한, 위상 변조 표면(11)의 전체 영역에 대해 패턴(11a)들의 직경(w), 높이(d), 및 주기(p)가 일정할 수 있다.The optical characteristics (e.g., the phase delay of the reflected light) of the phase modulating surface 11 are determined by the diameter w of each pattern 11a, the width of each pattern 11a, The height d of the plurality of patterns 11a, and the pitch or period p of the plurality of patterns 11a. The optical characteristics of the phase modulating surface 11 are determined by the width w of each pattern 11a, the height d of each pattern 11a, Can be determined by the pitch or period (p) of the pattern 11a. In addition, the diameter w, height d, and period p of the patterns 11a may be constant with respect to the entire area of the phase modulation surface 11.

따라서, 마이크로 캐비티(L)의 공진 파장은 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 직경(w), 각각의 패턴(11a)의 높이(d) 및 다수의 패턴(11a)의 주기(p)에 의해 결정될 수 있다. 다시 말해, 마이크로 캐비티(L)의 공진 파장을 λ라고 할 때, 마이크로 캐비티(L)의 광학적 길이가 nλ/2 (n은 자연수)를 만족하도록 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 직경(w), 각각의 패턴(11a)의 높이(d) 및 다수의 패턴(11a)의 주기(p)가 선택될 수 있다. 예를 들어, 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 직경(w)은 약 50 nm 내지 150 nm이고, 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 높이(d)는 약 0 nm 내지 150 nm이고, 위상 변조 표면(11)의 다수의 패턴(11a)의 주기(p)는 약 100 nm 내지 300 nm일 수 있다.Therefore, the resonance wavelength of the micro cavity L is determined by the diameter w of each pattern 11a of the phase modulating surface 11, the height d of each pattern 11a, and the period of the plurality of patterns 11a (p). < / RTI > In other words, when the resonance wavelength of the micro cavity L is denoted by?, Each of the patterns 11a of the phase modulation surface 11 is set so that the optical length of the micro cavity L satisfies n? / 2 (n is a natural number) The diameter w of the pattern 11a, the height d of each pattern 11a and the period p of the plurality of patterns 11a can be selected. For example, the diameter w of each pattern 11a of the phase modulating surface 11 is about 50 nm to 150 nm, and the height d of each pattern 11a of the phase modulating surface 11 is And the period (p) of the plurality of patterns 11a of the phase modulating surface 11 may be about 100 nm to 300 nm.

위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 크기가 위와 같이 공진 파장보다 작으면, 입사광이 패턴(11a)들의 주변부에서 공진하면서 다수의 나노 광 공진 구조가 형성된다. 특히, 입사광 중에서 전기장 성분은 패턴(11a)들 사이의 공간으로 침투하지 못하고 자기장 성분만이 패턴(11a)들의 주변부에서 공진하게 된다. 따라서, 패턴(11a)들 사이의 공간 내에 형성되는 다수의 나노 광 공진 구조는 입사광의 자기장 성분이 패턴(11a)들의 주변부에서 공진되는 실린더 타입의 마그네틱 공진기이다. 그 결과, 패턴(11a)들의 높이(d)와 패턴(11a)들의 굴절률(n)의 곱으로 결정되는 유효 광학 거리(d × n)에 의한 단순 위상 변이보다 큰 위상 변이가 위상 변조 표면(11)에서 발생할 수 있다.When the size of each pattern 11a of the phase modulation surface 11 is smaller than the resonance wavelength as described above, a plurality of nanofiber resonant structures are formed while the incident light resonates at the periphery of the patterns 11a. Particularly, among the incident light, the electric field component can not penetrate into the space between the patterns 11a, and only the magnetic field component resonates at the periphery of the patterns 11a. Accordingly, a plurality of nanofiber light resonance structures formed in the space between the patterns 11a are cylindrical-type magnetic resonators in which the magnetic field component of the incident light is resonated at the periphery of the patterns 11a. As a result, a phase shift larger than the simple phase shift by the effective optical distance dxn, which is determined by the product of the height d of the patterns 11a and the refractive index n of the patterns 11a, ).

예를 들어, 도 3은 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)의 높이(d)에 따른 반사층(10)에 의한 반사광의 위상 변화를 예시적으로 보이는 그래프이며, 도 4는 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)의 높이에 따른 반사층(10)의 반사도 변화를 예시적으로 보이는 그래프이다. 도 3을 참조하면, 패턴(11a)의 높이(d)에 따라 반사광의 위상이 0부터 2π까지 변화함을 알 수 있다. 따라서, 패턴(11a)의 높이(d)를 적절히 선택함으로써 0부터 2π까지 모든 범위의 위상 변조가 가능하기 때문에, 패턴(11a)의 높이(d) 변화만으로도 마이크로 캐비티의 공진 파장을 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 도 4를 참조하면, 패턴(11a)의 높이(d)에 따라 반사층(10)의 반사도가 변화하지만, 반사층(10)의 최소 반사도를 95% 이상으로 유지할 수 있기 때문에 마이크로 캐비티가 충분히 높은 효율을 가질 수 있다.3 is a graph exemplarily showing the phase change of the reflected light by the reflective layer 10 according to the height d of the pattern 11a of the phase modulating surface 11, 11 shows the change in reflectivity of the reflective layer 10 according to the height of the pattern 11a. Referring to FIG. 3, it can be seen that the phase of the reflected light changes from 0 to 2? According to the height d of the pattern 11a. Therefore, by appropriately selecting the height d of the pattern 11a, it is possible to perform phase modulation over the entire range from 0 to 2π, so that the resonance wavelength of the micro cavity can be easily adjusted only by changing the height d of the pattern 11a have. 4, the reflectivity of the reflective layer 10 changes according to the height d of the pattern 11a. However, since the minimum reflectivity of the reflective layer 10 can be maintained at 95% or more, the micro- Efficiency can be obtained.

상술한 위상 변조 표면(11)의 광학적 특성은 반사층(10)의 재료에 따라서도 달라질 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서 반사층(10)은 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 반사층(10)은 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함하는 합금(Ag Alloy)으로 이루어질 수 있다.The optical characteristics of the above-described phase-modulated surface 11 may also vary depending on the material of the reflection layer 10. [ For example, in this embodiment, the reflective layer 10 may be made of metal. For example, the reflective layer 10 may be made of an Ag alloy including silver (Ag) or silver (Ag).

도 5는 상술한 위상 변조 표면(11)을 갖는 반사층(10)을 포함하는 마이크로 캐비티의 공진 특성을 실험하기 위한 마이크로 캐비티의 예시적인 구성을 보이는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 마이크로 캐비티는 은(Ag)으로 이루어진 반사층(10), 반사층(10) 위에 배치된 흡수층(30), 및 흡수층(30) 위에 배치된 반투과 미러(31)를 포함한다. 반투과 미러(31)는 15 nm의 두께를 갖는 은(Ag)으로 구성되었다. 또한, 흡수층(30)은 1 ㎛의 두께를 가지며 1.5 + 0.1i의 굴절률을 갖는 것으로 가정하였다. 이 경우, 마이크로 캐비티의 공진 파장에서 흡수층(30)에 의해 빛이 가장 강하게 흡수된다.5 is a cross-sectional view showing an exemplary configuration of a micro cavity for testing resonance characteristics of a micro cavity including a reflection layer 10 having the phase modulation surface 11 described above. 5, the micro cavity includes a reflective layer 10 made of silver (Ag), an absorbing layer 30 disposed on the reflective layer 10, and a transflective mirror 31 disposed on the absorbing layer 30. The semi-transparent mirror 31 was composed of silver (Ag) having a thickness of 15 nm. Further, it is assumed that the absorption layer 30 has a thickness of 1 mu m and a refractive index of 1.5 + 0.1i. In this case, light is most strongly absorbed by the absorption layer 30 at the resonance wavelength of the micro-cavity.

예를 들어, 도 6은 도 5에 도시된 마이크로 캐비티에서 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 높이(d)에 따른 마이크로 캐비티의 공진 특성을 보이는 그래프이다. 도 6의 그래프는 도 5에 도시된 마이크로 캐비티의 반투과 미러(31)에 빛을 입사한 후에 반투과 미러(31)를 통해 다시 방출되는 빛의 양을 시뮬레이션하여 얻은 것이다. 도 6을 참조하면, 패턴(11a)의 높이(d)가 0 nm인 경우에 약 460 nm의 파장에서 가장 큰 흡수가 나타났다. 다시 말해, 패턴(11a)의 높이(d)가 0 nm일 때 마이크로 캐비티의 공진 파장은 약 460 nm이었다. 또한, 패턴(11a)의 높이(d)가 증가할수록 마이크로 캐비티의 공진 파장이 증가한다는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 패턴(11a)의 높이가 60 nm일 때 마이크로 캐비티의 공진 파장은 약 640 nm이었다.For example, FIG. 6 is a graph showing the resonance characteristics of the micro cavities according to the height d of each pattern 11a of the phase modulation surface 11 in the micro cavity shown in FIG. The graph of FIG. 6 is obtained by simulating the amount of light that is emitted again through the semi-transparent mirror 31 after the light enters the semi-transparent mirror 31 of the micro cavity shown in FIG. Referring to FIG. 6, when the height (d) of the pattern 11a is 0 nm, the largest absorption occurs at a wavelength of about 460 nm. In other words, when the height d of the pattern 11a was 0 nm, the resonance wavelength of the micro cavity was about 460 nm. It is also seen that as the height d of the pattern 11a increases, the resonance wavelength of the micro cavity increases. For example, when the height of the pattern 11a is 60 nm, the resonance wavelength of the micro cavity is about 640 nm.

위에서 살펴본 바와 같이, 위상 변조 표면(11)에 의한 위상 변이가 증가할수록 마이크로 캐비티의 공진 파장이 증가하게 되며, 패턴(11a)의 높이(d)만으로도 가시광 파장 대역에서 마이크로 캐비티의 공진 파장을 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 각각의 패턴(11a)의 직경(w)과 패턴(11a)들의 주기(p)로도, 각각의 패턴(11a)의 높이(d)와 마찬가지로 마이크로 캐비티의 공진 파장을 조절할 수 있다. 한편, 반투과 미러(31)의 두께를 조절함으로써 마이크로 캐비티의 공진 파장 대역폭을 조절할 수도 있다. 마이크로 캐비티의 공진 파장 대역폭(또는 반치폭)을 줄이기 위해서는 반투과 미러(31)의 반사도를 증가시키면 된다.As described above, as the phase shift due to the phase modulation surface 11 increases, the resonance wavelength of the micro cavity increases, and the resonance wavelength of the micro cavity in the visible light wavelength band can be controlled only by the height d of the pattern 11a . The resonance wavelength of the micro cavity can be controlled by the diameter w of each pattern 11a and the period p of the patterns 11a as well as the height d of each pattern 11a. On the other hand, the resonant wavelength bandwidth of the micro cavity can be adjusted by adjusting the thickness of the transflective mirror 31. In order to reduce the resonant wavelength bandwidth (or the half-width) of the micro-cavity, the reflectivity of the transflective mirror 31 may be increased.

도 5에 도시된 반투과 미러(31)는 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 제 2 전극(18)에 대응할 수 있으며, 도 5에 도시된 흡수층(30)은 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)에 대응할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 발광 소자(100)에서 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 광학적 두께 및 제 2 전극(18)에 의한 위상 지연을 고정하여 두고, 반사층(10)에 의한 위상 변이만을 조절함으로써 마이크로 캐비티의 공진 파장을 조절할 수 있음을 확인할 수 있다. 다시 말해, 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 직경(w), 각각의 패턴(11a)의 높이(d), 및 다수의 패턴(11a)의 주기(p)를 적절하게 선택함으로써, 마이크로 캐비티를 포함하는 발광 소자(100)에서 마이크로 캐비티의 공진 파장을 발광 소자(100)의 발광 파장 또는 발광색에 용이하게 매칭시킬 수 있다. 또한, 위상 변조 표면(11)을 포함하는 반사층(10)의 반사도가 충분히 높기 때문에 우수한 발광 효율을 얻을 수 있다.The semi-transparent mirror 31 shown in FIG. 5 may correspond to the second electrode 18 of the light emitting device 100 shown in FIG. 1, and the absorbing layer 30 shown in FIG. 5 may correspond to the light emitting And may correspond to the light emitting structure 20 and the first electrode 12 of the device 100. FIG. The optical thickness of the light emitting structure 20 and the first electrode 12 and the phase delay caused by the second electrode 18 are fixed in the light emitting device 100 according to the present embodiment, It can be seen that the resonance wavelength of the micro cavity can be controlled by adjusting only the phase shift. In other words, the diameter w of each pattern 11a of the phase modulation surface 11, the height d of each pattern 11a, and the period p of the plurality of patterns 11a are appropriately selected It is possible to easily match the resonant wavelength of the micro-cavity in the light emitting device 100 including the micro-cavity to the light-emitting wavelength of the light-emitting device 100 or the light-emitting color. Further, since the reflectivity of the reflective layer 10 including the phase modulating surface 11 is sufficiently high, excellent luminescent efficiency can be obtained.

예를 들어, 발광 소자(100)가 적색 발광 소자인 경우, 마이크로 캐비티의 공진 파장이 적색 파장 대역에 대응하도록 위상 변조 표면(11)의 각각의 패턴(11a)의 직경(w), 각각의 패턴(11a)의 높이(d), 및 다수의 패턴(11a)의 주기(p)를 선택할 수 있다. 그리고, 유기 발광층(15)은 적색 발광 재료를 포함할 수 있다. 대신에, 유기 발광층(15)은 청색 발광 재료, 녹색 발광 재료, 및 적색 발광 재료를 모두 포함하고, 위상 변조 표면(11)의 구조만으로 발광 소자(100)의 발광 파장을 결정하는 것도 가능하다.For example, when the light emitting device 100 is a red light emitting device, the diameter w of each pattern 11a of the phase modulating surface 11, the width w of each pattern 11a of the phase modulating surface 11, The height d of the pattern 11a, and the period p of the plurality of patterns 11a. The organic light emitting layer 15 may include a red light emitting material. Instead, the organic luminescent layer 15 includes both the blue luminescent material, the green luminescent material, and the red luminescent material, and it is also possible to determine the luminescent wavelength of the luminescent element 100 only by the structure of the phase modulating surface 11.

다시 도 1을 참조하면, 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 제 1 전극(12)의 일부가 채워질 수 있다. 따라서, 제 1 전극(12)의 하부 표면은 위상 변조 표면(11)과 상보적인 돌출된 패턴(12a)을 가질 수 있다.Referring again to FIG. 1, a portion of the first electrode 12 may be filled in the peripheral space of the patterns 11a of the phase modulating surface 11. Thus, the bottom surface of the first electrode 12 may have a protruding pattern 12a that is complementary to the phase modulating surface 11.

도 7은 다른 실시예에 따른 발광 소자(110)의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 발광 소자(110)는 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 채워진 유전체(19a)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 유전체(19a)는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO2 등과 같이 가시광에 대해 투명한 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 이러한 유전체(19a)의 굴절률에 따라 마이크로 캐비티의 공진 파장을 미세하게 조절하는 것이 가능하다. 유전체(19a)의 상부 표면은 반사층(10)의 최상부 표면과 일치할 수 있다. 이 경우, 제 1 전극(12)의 하부 표면은 평탄한 형태를 가질 수 있다.7 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a light emitting device 110 according to another embodiment. Referring to FIG. 7, the light emitting device 110 may further include a dielectric 19a filled in the peripheral space of the patterns 11a of the phase modulating surface 11. For example, a dielectric (19a) may be formed of a transparent insulating material to visible light such as SiO 2, SiN x, Al 2 O 3, HfO 2. It is possible to finely adjust the resonance wavelength of the micro cavity according to the refractive index of the dielectric substance 19a. The top surface of the dielectric 19a may coincide with the top surface of the reflective layer 10. In this case, the lower surface of the first electrode 12 may have a flat shape.

도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광 소자(120)의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 발광 소자(120)는 위상 변조 표면(11)과 제 1 전극(12) 사이에 배치된 유전체층(19)을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 유전체층(19)은 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO2 등과 같이 가시광에 대해 투명한 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 그리고, 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 유전체층(19)의 일부 유전체(19a)가 채워질 수 있다. 유전체층(19)의 재료는 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 채워진 유전체(19a)의 재료와 동일할 수 있지만, 반드시 동일해야 할 필요는 없다. 유전체층(19)의 재료가 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 채워진 유전체(19a)의 재료와 동일한 경우, 유전체층(19)은 도 7에 도시된 유전체(19a)가 반사층(10)의 최상부 표면 위로 연장된 것으로 볼 수 있다. 이러한 구조에서, 유전체층(19)과 유전체(19a)의 재료의 굴절률 및 유전체층(19)의 높이에 따라 마이크로 캐비티의 공진 파장을 미세하게 조절하는 것이 가능하다.8 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a light emitting device 120 according to another embodiment. Referring to FIG. 8, the light emitting device 120 may further include a dielectric layer 19 disposed between the phase modulation surface 11 and the first electrode 12. For example, the dielectric layer 19 may be made of an insulating material transparent to visible light such as SiO2, SiNx, Al2O3, HfO2, and the like. Then, some dielectric 19a of the dielectric layer 19 may be filled in the peripheral space of the patterns 11a of the phase modulating surface 11. The material of the dielectric layer 19 may be the same as the material of the dielectric 19a filled in the peripheral space of the patterns 11a, but it need not necessarily be the same. The dielectric layer 19 is formed such that the dielectric 19a shown in Figure 7 extends over the top surface of the reflective layer 10 if the material of the dielectric layer 19 is the same as the material of the dielectric 19a filled in the peripheral space of the patterns 11a. . In this structure, it is possible to finely adjust the resonance wavelength of the micro-cavity according to the refractive index of the material of the dielectric layer 19 and the dielectric 19a and the height of the dielectric layer 19. [

지금까지는 제 2 전극(18)이 반투과 전극이고 제 2 전극(18)을 통해 빛이 외부로 방출되는 구성에 대해 설명하였다. 그러나, 그와 반대 방향으로 빛이 방출되는 구성도 가능하다. 예를 들어, 도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광 소자(130)의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 발광 소자(130)는 위상 변조 표면(11)을 구비하는 반사층(10'), 반사층(10')의 위상 변조 표면(11) 상에 배치된 제 1 전극(12), 제 1 전극(12) 상에 배치된 발광 구조체(20), 및 발광 구조체(20) 상에 배치된 제 2 전극(18')을 포함할 수 있다. 발광 구조체(20)의 구조는 도 1에서 설명한 것과 동일한 구조를 가질 수 있다.The configuration in which the second electrode 18 is a transflective electrode and the light is emitted to the outside through the second electrode 18 has been described. However, a configuration in which light is emitted in the opposite direction is also possible. For example, FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a light emitting device 130 according to another embodiment. 9, the light emitting device 130 includes a reflective layer 10 'having a phase modulating surface 11, a first electrode 12 disposed on the phase modulating surface 11 of the reflective layer 10' A light emitting structure 20 disposed on the first electrode 12 and a second electrode 18 'disposed on the light emitting structure 20. [ The structure of the light emitting structure 20 may have the same structure as that described in Fig.

도 9에 도시된 실시예에서, 제 2 전극(18')은 빛을 거의 대부분 반사하는 반사 전극이다. 예를 들어, 제 2 전극(18')은 50 nm 이상의 두꺼운 두께를 갖는 반사성 금속 재료로 이루어질 수 있다. 그리고, 반사층(10')은 빛의 일부를 반사하고 나머지 일부를 투과시키는 반투과성을 갖도록 얇게 구성될 수 있다. 예를 들어, 반사층(10') 중에서 패턴(11a)들의 주변 공간의 바닥과 반사층(10')의 하부 표면 사이의 두께(t)는 약 10 nm 내지 20 nm일 수 있다. 그러면, 발광 구조체(20)에서 발생한 빛은 반사층(10')과 제 2 전극(18') 사이를 왕복하며 공진한 후에 마이크로 캐비티의 공진 파장에 해당하는 빛이 반사층(10')을 통해 외부로 방출될 수 있다.In the embodiment shown in FIG. 9, the second electrode 18 'is a reflective electrode that mostly reflects light. For example, the second electrode 18 'may be made of a reflective metallic material having a thick thickness of 50 nm or more. The reflective layer 10 'may be made thin so as to have a semi-transmissive property to reflect a part of light and transmit the remaining part. For example, the thickness t between the bottom of the peripheral space of the patterns 11a in the reflective layer 10 'and the bottom surface of the reflective layer 10' may be about 10 nm to 20 nm. Then, after the light generated in the light emitting structure 20 is resonated between the reflective layer 10 'and the second electrode 18', the light corresponding to the resonant wavelength of the micro-cavity is transmitted to the outside through the reflective layer 10 ' Can be released.

한편, 제 1 전극(12)은 투명한 도전성 재료로 이루어진 투명 전극이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 전극(12)의 일부는 반사층(10')의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 채워질 수 있다. 대신에, 도 7 또는 도 8에 도시된 구성과 마찬가지로, 발광 소자(130)는 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 주변 공간 내에 채워진 유전체(19a)를 더 포함하거나, 위상 변조 표면(11)과 제 1 전극(12) 사이에 배치된 유전체층(19)을 더 포함할 수도 있다.On the other hand, the first electrode 12 is a transparent electrode made of a transparent conductive material. 9, a part of the first electrode 12 may be filled in the peripheral space of the patterns 11a of the phase modulation surface 11 of the reflection layer 10 '. 7 or 8, the light emitting device 130 may further include a dielectric 19a filled in the peripheral space of the patterns 11a of the phase modulating surface 11, or may include a phase modulating surface (not shown) And a dielectric layer 19 disposed between the first electrode 11 and the first electrode 12.

상술한 발광 소자(100, 110, 120, 130)들은 위상 변조 표면(11)의 구조에 따라 가시광의 파장 대역 내에서 마이크로 캐비티의 공진 파장을 조절할 수 있기 때문에 디스플레이 장치에 적용할 수 있다. 예를 들어, 도 10은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 10을 참조하면, 일 실시예에 다른 디스플레이 장치(200)는 기판(201) 및 기판(201) 상에 일렬로 배치된 제 1 화소(100B), 제 2 화소(100G) 및 제 3 화소(100R)를 포함할 수 있다. 도 10에서는 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)가 도 1에 도시된 발광 소자(100)와 동일한 구조를 갖는 것으로 도시되었으나, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)는 도 7 내지 도 9에 도시된 발광 소자(110, 120, 130)의 구조를 가질 수도 있다. 또한, 도 10에서는 편의상 단지 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)를 각각 하나씩만 도시하였지만, 실제로는 대단히 많은 수의 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)들이 반복적으로 배열될 수 있다.The above-described light emitting devices 100, 110, 120, and 130 can be applied to a display device because the resonant wavelength of the micro cavity can be controlled within the wavelength band of visible light according to the structure of the phase modulation surface 11. For example, FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a display device according to an embodiment. 10, a display device 200 according to an embodiment includes a first pixel 100B, a second pixel 100G, and a third pixel 100G arranged in a line on a substrate 201 and a substrate 201, 100R). Although the first through third pixels 100B, 100G and 100R are shown in FIG. 10 as having the same structure as the light emitting device 100 shown in FIG. 1, the first through third pixels 100B, 100G, And may have a structure of the light emitting devices 110, 120, and 130 shown in FIGS. 7 to 9. Although only one of the first through third pixels 100B, 100G, and 100R is shown in FIG. 10 for the sake of convenience, a very large number of the first through third pixels 100B, 100G, and 100R are repeatedly arranged .

예를 들어, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 각각은, 기판(201) 상에 배치되며 위상 변조 표면(11)을 구비하는 반사층(10), 반사층(10)의 위상 변조 표면(11) 상에 배치된 제 1 전극(12), 제 1 전극(12) 상에 배치된 발광 구조체(20), 및 발광 구조체(20) 상에 배치된 제 2 전극(18)을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(200)가 유기 전계 발광 디스플레이 장치인 경우, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R) 각각의 발광 구조체(20)는, 제 1 전극(12) 상에 배치된 정공 주입층(13), 정공 주입층(13) 상에 배치된 정공 수송층(14), 정공 수송층(14) 상에 배치된 유기 발광층(15), 유기 발광층(15) 상에 배치된 전자 수송층(16), 및 전자 수송층(16) 상에 배치된 전자 주입층(17)을 포함할 수 있다.For example, each of the first through third pixels 100B, 100G, and 100R includes a reflective layer 10 disposed on a substrate 201 and having a phase modulating surface 11, Includes a first electrode 12 disposed on a surface 11, a light emitting structure 20 disposed on a first electrode 12, and a second electrode 18 disposed on the light emitting structure 20 . The light emitting structure 20 of each of the first to third pixels 100B, 100G and 100R is formed by sequentially stacking a hole injection layer (not shown) disposed on the first electrode 12 13, a hole transport layer 14 disposed on the hole injection layer 13, an organic emission layer 15 disposed on the hole transport layer 14, an electron transport layer 16 disposed on the organic emission layer 15, And an electron injecting layer 17 disposed on the electron transporting layer 16.

제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)는 서로 다른 파장의 빛을 방출하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 제 1 화소(100B)는 청색 계열인 제 1 파장 대역(λ1)의 빛(B)을 방출하도록 구성되고, 제 2 화소(100G)는 녹색 계열인 제 2 파장 대역(λ2)의 빛(G)을 방출하도록 구성되고, 제 3 화소(100R)는 적색 계열인 제 3 파장 대역(λ3)의 빛(R)을 방출하도록 구성될 수 있다. 이를 위하여, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)들의 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 서로 다르도록 구성될 수 있다.The first through third pixels 100B, 100G, and 100R may be configured to emit light of different wavelengths. For example, the first pixel (100B) is a blue-based color the first and configured 1 to emit light (B) of the wavelength band (λ 1), the second pixel (100G) has a green line in a second wavelength band (λ 2) And the third pixel 100R is configured to emit the light R of the third wavelength band? 3 which is a red series. For this, the optical lengths of the micro cavities of the first to third pixels 100B, 100G, and 100R may be configured to be different from each other.

전술한 바와 같이, 마이크로 캐비티의 광학적 길이는 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 광학적 두께, 제 2 전극(18)에 의한 위상 지연, 및 반사층(10)에 의한 위상 변이의 합으로 결정될 수 있다. 다시 말해, 마이크로 캐비티의 공진 파장은 반사층(10)과 제 2 전극(18) 사이의 광학적 거리 및 반사층(10)의 나노 광 공진 구조에 의한 위상 변이에 의해 결정될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 발광 구조체(20)와 제 1 전극(12)의 광학적 두께 및 제 2 전극(18)에 의한 위상 지연을 고정하여 두고, 즉 반사층(10)과 제 2 전극(18) 사이의 광학적 거리 및 제 2 전극(18)에 의한 위상 지연을 고정하여 두고, 반사층(10)에 의한 위상 변이만을 조절함으로써 마이크로 캐비티의 광학적 길이 또는 마이크로 캐비티의 공진 파장을 조절할 수 있다. 예를 들어, 제 1 화소(100B)의 반사층(10)에 의한 위상 지연(φ1), 제 2 화소(100G)의 반사층(10)에 의한 위상 지연(φ2), 제 3 화소(100R)의 반사층(10)에 의한 위상 지연(φ3)이 서로 다르도록 구성될 수 있다.The optical length of the micro cavity is the sum of the optical thickness of the light emitting structure 20 and the first electrode 12, the phase delay by the second electrode 18, and the phase shift by the reflection layer 10 Can be determined. In other words, the resonant wavelength of the micro-cavity can be determined by the optical distance between the reflective layer 10 and the second electrode 18 and the phase shift due to the nanofiber resonant structure of the reflective layer 10. [ The optical thickness of the light emitting structure 20 and the first electrode 12 and the phase delay caused by the second electrode 18 are fixed so that the gap between the reflective layer 10 and the second electrode 18 The optical length of the micro cavity or the resonance wavelength of the micro cavity can be adjusted by fixing only the phase shift by the reflection layer 10 by fixing the optical distance of the second electrode 18 and the phase delay by the second electrode 18. For example, the phase retardation? 1 by the reflective layer 10 of the first pixel 100B, the phase retardation? 2 by the reflective layer 10 of the second pixel 100G, And the phase delay? 3 by the phase shifter 10 are different from each other.

다시 말해, 제 1 화소(100B)의 마이크로 공진기의 공진 파장이 제 1 파장 대역(λ1)에 대응하도록 제 1 화소(100B)의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 직경(w), 패턴(11a)들의 높이(d), 및 패턴(11a)들의 주기(p)가 선택되며, 제 2 화소(100G)의 마이크로 공진기의 공진 파장이 제 2 파장 대역(λ2)에 대응하도록 제 2 화소(100G)의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 직경(w), 패턴(11a)들의 높이(d), 및 패턴(11a)들의 주기(p)가 선택되고, 제 3 화소(100R)의 마이크로 공진기의 공진 파장이 제 3 파장 대역(λ3)에 대응하도록 제 3 화소(100R)의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 직경(w), 패턴(11a)들의 높이(d), 및 패턴(11a)들의 주기(p)가 선택될 수 있다.In other words, the diameter (w) of the patterns (11a) of the first pixel (100B) a first pixel (100B) phase-modulated surface 11 of the resonant wavelength of the micro resonator so as to correspond to a first wavelength band (λ 1) of , a so as to correspond to the height (d), and a pattern (11a) of the period (p) a second pixel (100G), the resonance wavelength of the micro resonator second wavelength band (λ 2), and selection of patterns (11a) The diameter w of the patterns 11a of the phase modulation surface 11 of the two pixels 100G and the height d of the patterns 11a and the period p of the patterns 11a are selected, (W) of the patterns 11a of the phase modulating surface 11 of the third pixel 100R so that the resonance wavelength of the micro resonator of the first pixel 100R corresponds to the third wavelength band? 3 , The height d, and the period p of the patterns 11a may be selected.

보다 구체적으로 설명하자면, 제 1 화소(100B)의 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 nλ1/2가 되도록 제 1 화소(100B)의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 직경(w), 패턴(11a)들의 높이(d), 및 패턴(11a)들의 주기(p)가 선택되고, 제 2 화소(100G)의 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 nλ2/2가 되도록 제 2 화소(100G)의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 직경(w), 패턴(11a)들의 높이(d), 및 패턴(11a)들의 주기(p)가 선택되며, 제 3 화소(100R)의 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 nλ3/2가 되도록 제 3 화소(100R)의 위상 변조 표면(11)의 패턴(11a)들의 직경(w), 패턴(11a)들의 높이(d), 및 패턴(11a)들의 주기(p)가 선택될 수 있다. 여기서, n은 자연수이다.More Specifically, the first diameter (w) of a pixel (100B) a first pixel pattern (11a) of the phase-modulated surface 11 of the (100B), the optical length of the micro-cavity is such that the nλ 1/2 of the pattern phase (11a) height (d), and pattern the second pixel (11a) the optical length of the micro-cavity of the of the period (p) is selected and the second pixel (100G) such that the nλ 2/2 (100G) of The diameter w of the patterns 11a of the modulation surface 11, the height d of the patterns 11a and the period p of the patterns 11a are selected and the micro cavities of the third pixel 100R periods of high (d), and a pattern (11a) of the optical length of nλ 3/2 a third pixel (100R) phase in diameter (w), the pattern (11a) of the pattern (11a) of the modulated surface 11 of such (p) may be selected. Here, n is a natural number.

상술한 바와 같이, 위상 변조 표면(11)들의 패턴(11a)들의 직경(2), 패턴(11a)들의 높이(d) 및 패턴(11a)들의 주기(p)에 따라 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 조절될 수 있다. 따라서, 마이크로 캐비티의 광학적 길이를 조절하기 위하여 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 각각의 두께를 조절할 필요가 없으므로, 디스플레이 장치(200)에서 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 물리적인 두께를 동일하게 구성하는 것이 가능하다. 예를 들어, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)에서 제 2 전극(18)과 위상 변조 표면(11) 사이의 길이가 모두 동일할 수 있다. 따라서, 디스플레이 장치(200)의 제조 공정이 단순하게 되어 디스플레이 장치(200)의 대면적화가 용이하게 될 수 있다.As described above, the optical length of the micro-cavity is adjusted in accordance with the diameter 2 of the patterns 11a of the phase-modulating surfaces 11, the height d of the patterns 11a, and the period p of the patterns 11a . Therefore, it is not necessary to adjust the thickness of each of the first to third pixels 100B, 100G, and 100R in order to adjust the optical length of the micro cavity. Therefore, in the display device 200, , And 100R can be configured to have the same physical thickness. For example, the lengths between the second electrode 18 and the phase-modulating surface 11 in the first to third pixels 100B, 100G and 100R may all be the same. Accordingly, the manufacturing process of the display device 200 can be simplified, and the display device 200 can be easily made larger.

한편, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 유기 발광층(15)들은 각각 다르게 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 화소(100B)의 유기 발광층(15)은 청색 계열의 빛을 발생시키는 발광 재료를 포함하고, 제 2 화소(100G)의 유기 발광층(15)은 녹색 계열의 빛을 발생시키는 발광 재료를 포함하고, 제 3 화소(100R)의 유기 발광층(15)은 적색 계열의 빛을 발생시키는 발광 재료를 포함할 수 있다. 그러나, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)들의 발광 특성이 위상 변조 표면(11)들의 구조만으로 결정될 수 있기 때문에, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 유기 발광층(15)들은 서로 동일하게 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 유기 발광층(15)들은 청색 계열의 빛을 발생시키는 발광 재료, 녹색 계열의 빛을 발생시키는 발광 재료, 및 적색 계열의 빛을 발생시키는 발광 재료를 모두 포함할 수 있다. 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)의 유기 발광층(15)들이 동일한 경우, 디스플레이 장치(200)의 제조 공정이 더욱 단순하게 될 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting layers 15 of the first to third pixels 100B, 100G, and 100R may be configured differently. For example, the organic light-emitting layer 15 of the first pixel 100B includes a light-emitting material that emits blue light, and the organic light-emitting layer 15 of the second pixel 100G includes a light- And the organic light emitting layer 15 of the third pixel 100R may include a light emitting material that emits red light. However, since the luminescent characteristics of the first to third pixels 100B, 100G, and 100R can be determined only by the structure of the phase modulating surfaces 11, the organic luminescent layers of the first to third pixels 100B, 100G, 15 may be configured identically to each other. For example, the organic light emitting layers 15 of the first to third pixels 100B, 100G, and 100R may include a light emitting material that emits blue light, a light emitting material that emits green light, Emitting material that emits light. When the organic light emitting layers 15 of the first to third pixels 100B, 100G, and 100R are the same, the manufacturing process of the display device 200 can be simplified.

또한, 제 1 내지 제 3 화소(100B, 100G, 100R)들의 발광 특성이 위상 변조 표면(11)들의 구조만으로 결정될 수 있기 때문에, 디스플레이 장치(200)는 별도의 컬러 필터를 포함하지 않을 수 있다. 그러나, 디스플레이 장치(200)의 색순도를 더욱 향상시키기 위하여, 필요에 따라서는 컬러 필터가 더 배치될 수도 있다. 예를 들어, 도 11은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 11을 참조하면, 디스플레이 장치(210)는 제 1 화소(100B) 위에 배치된 제 1 컬러 필터(40B), 제 2 화소(100G) 위에 배치된 제 2 컬러 필터(40G), 및 제 3 화소(100R) 위에 배치된 제 3 컬러 필터(40R)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 컬러 필터(40B)는 청색 계열인 제 1 파장 대역(λ1)의 빛(B)만을 투과하도록 구성되고, 제 2 컬러 필터(40G)는 녹색 계열인 제 2 파장 대역(λ2)의 빛(G)만을 투과하도록 구성되고, 제 3 컬러 필터(40R)는 적색 계열인 제 3 파장 대역(λ3)의 빛(R)만을 투과하도록 구성될 수 있다. 디스플레이 장치(210)의 나머지 구조는 도 10에 도시된 디스플레이 장치(200)와 동일할 수 있다.Further, the display device 200 may not include a separate color filter, because the luminescent characteristics of the first through third pixels 100B, 100G, and 100R can be determined only by the structure of the phase modulating surfaces 11. [ However, in order to further improve the color purity of the display device 200, a color filter may be further disposed if necessary. For example, FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a display device according to another embodiment. 11, the display device 210 includes a first color filter 40B disposed on the first pixel 100B, a second color filter 40G disposed on the second pixel 100G, And a third color filter 40R disposed on the first color filter 100R. For example, the first color filter 40B is configured to transmit only the light B in the first wavelength band? 1 , which is a blue color, and the second color filter 40G, and configured to transmit only light (G) of the λ 2), a third color filter (40R) may be configured to transmit only light (R) of a red-based color of the third wavelength (λ 3). The remaining structure of the display device 210 may be the same as the display device 200 shown in Fig.

상술한 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 권리범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 권리범위에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the light emitting device and the display device including the light emitting device described above have been described with reference to the embodiments shown in the drawings, the present invention is merely illustrative and various modifications and equivalent other embodiments can be made by those skilled in the art. I will understand that. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the rights is indicated in the claims rather than the above description, and all differences within the scope of equivalents should be construed as being included in the scope of the right.

10, 10'.....반사층 11.....위상 변조 표면
12.....제 1 전극 13.....정공 주입층
14.....정공 수송층 15.....유기 발광층
16.....전자 수송층 17.....전자 주입층
18, 18'.....제 2 전극 19.....유전체층
19a.....유전체 20.....발광 구조체
30.....흡수층 31.....반투과 미러
40B, 40G, 40R.....컬러 필터 100, 110, 120, 130.....발광 소자
100B, 100G, 100R.....화소 200.....디스플레이 장치
201.....기판10, 10 '..... reflective layer 11 ..... phase modulated surface
12 ..... First electrode 13 ..... Hole injection layer
14 ..... hole transport layer 15 ..... organic light emitting layer
16 ..... electron transport layer 17 ..... electron injection layer
18, 18 '..... second electrode 19 ..... dielectric layer
19a ..... dielectric body 20 ..... light emitting structure
30 ..... Absorption layer 31 ..... Transflective mirror
40B, 40G, 40R ..... Color filters 100, 110, 120, 130 ..... Light emitting element
100B, 100G, 100R ..... pixel 200 ..... display device
201 ..... substrate

Claims (30)

위상 변조 표면을 구비하는 금속 반사층;
상기 금속 반사층의 상기 위상 변조 표면 상에 배치된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치된 발광 구조체; 및
상기 발광 구조체 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하며,
상기 위상 변조 표면은 다수의 나노 광 공진 구조를 포함하고, 상기 나노 광 공진 구조는 입사광의 자기장 성분이 나노 규모의 패턴들의 주변부에서 공진하여 형성되는 실린더 타입의 마그네틱 공진기이고,
상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극은 공진 파장을 갖는 마이크로 캐비티를 구성하며, 상기 마이크로 캐비티의 공진 파장은 상기 나노 광 공진 구조에 의한 위상 지연과 상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극 사이의 광학적 거리에 의해 결정되는 발광 소자.A metal reflective layer having a phase modulating surface;
A first electrode disposed on the phase-modulated surface of the metal reflective layer;
A light emitting structure disposed on the first electrode; And
And a second electrode disposed on the light emitting structure,
The phase modulation surface includes a plurality of nanotube light resonance structures, and the nanotube light resonance structure is a cylinder type magnetic resonator in which a magnetic field component of incident light is formed by resonating at peripheral portions of nanoscale patterns,
Wherein the metal reflection layer and the second electrode constitute a micro cavity having a resonance wavelength, and the resonance wavelength of the micro cavity is determined by a phase delay due to the nanofiber resonance structure and an optical distance between the metal reflection layer and the second electrode Emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 투명 전극이고 상기 제 2 전극은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과 전극인 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a transflective electrode that reflects a part of light and transmits a part of the light. 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 반사성 금속으로 이루어지며, 상기 제 2 전극의 두께는 10 nm 내지 20 nm인 발광 소자.3. The method of claim 2,
Wherein the second electrode is made of a reflective metal, and the thickness of the second electrode is 10 nm to 20 nm. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 투명 전극이고 상기 제 2 전극은 반사 전극이며,
상기 금속 반사층은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과성을 갖는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a reflective electrode,
Wherein the metal reflection layer reflects a part of light and transmits a part of the light. 제 1 항에 있어서,
상기 금속 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금으로 이루어지는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the metal reflective layer is made of silver (Ag) or an alloy containing silver. 제 1 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면은 규칙적 또는 불규칙적으로 배열된 다수의 패턴들을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the phase modulating surface comprises a plurality of patterns arranged regularly or irregularly. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면에 의한 반사광의 위상 지연은 상기 패턴들의 높이와 상기 패턴들의 굴절률의 곱으로 결정되는 유효 광학 거리에 의한 단순 위상 지연보다 큰 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein a phase delay of the reflected light due to the phase modulation surface is greater than a simple phase delay due to an effective optical distance determined by a product of a height of the patterns and a refractive index of the patterns. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 상기 패턴의 주변 공간 내에 상기 제 1 전극의 일부가 채워져 있는 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein a portion of the first electrode is filled in a peripheral space of the pattern of the phase modulation surface. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 상기 패턴의 주변 공간 내에 채워진 유전체를 더 포함하는 발광 소자.The method according to claim 6,
Further comprising a dielectric filled in a peripheral space of the pattern of the phase modulating surface. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면과 상기 제 1 전극 사이에 배치된 유전체층을 더 포함하며, 상기 위상 변조 표면의 상기 패턴의 주변 공간 내에 상기 유전체층의 일부가 채워져 있는 발광 소자.The method according to claim 6,
Further comprising a dielectric layer disposed between the phase modulation surface and the first electrode, wherein a portion of the dielectric layer is filled in a peripheral space of the pattern of the phase modulation surface. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경은 50 nm 내지 150 nm인 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein the diameter of each pattern of the phase-modulated surface is 50 nm to 150 nm. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 높이는 0 nm 내지 150 nm인 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein the height of each pattern of the phase modulation surface is 0 nm to 150 nm. 제 6 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 상기 다수의 패턴의 주기는 100 nm 내지 300 nm인 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein the period of the plurality of patterns of the phase modulation surface is 100 nm to 300 nm. 제 6 항에 있어서,
상기 마이크로 캐비티의 공진 파장을 λ라고 할 때, 상기 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 nλ/2 (n은 자연수)를 만족하도록 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택되는 발광 소자.The method according to claim 6,
Wherein a diameter of each of the patterns on the phase-modulated surface, a height of each pattern, and a plurality of patterns are set so that the optical length of the micro-cavities satisfies n? / 2 (n is a natural number) Is selected. 제 1 항에 있어서,
상기 발광 구조체는:
상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층;을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
The light emitting structure includes:
A hole injection layer disposed on the first electrode;
A hole transport layer disposed on the hole injection layer;
An organic light emitting layer disposed on the hole transporting layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
And an electron injection layer disposed on the electron transport layer. 제 1 파장의 빛을 방출하는 제 1 화소; 및
제 1 파장과 다른 제 2 파장의 빛을 방출하는 제 2 화소;를 포함하며,
상기 제 1 화소와 제 2 화소의 각각은:
위상 변조 표면을 구비하는 금속 반사층;
상기 금속 반사층의 상기 위상 변조 표면 상에 배치된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 배치된 발광 구조체; 및
상기 발광 구조체 상에 배치된 제 2 전극;을 포함하고,
상기 위상 변조 표면은 다수의 나노 광 공진 구조를 포함하고, 상기 나노 광 공진 구조는 입사광의 자기장 성분이 나노 규모의 패턴들의 주변부에서 공진하여 형성되는 실린더 타입의 마그네틱 공진기이고,
상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극은 공진 파장을 갖는 마이크로 캐비티를 구성하며, 상기 마이크로 캐비티의 공진 파장은 상기 나노 광 공진 구조에 의한 위상 지연과 상기 금속 반사층과 상기 제 2 전극 사이의 광학적 거리에 의해 결정되는 디스플레이 장치.A first pixel for emitting light of a first wavelength; And
And a second pixel that emits light of a second wavelength different from the first wavelength,
Wherein each of the first pixel and the second pixel comprises:
A metal reflective layer having a phase modulating surface;
A first electrode disposed on the phase-modulated surface of the metal reflective layer;
A light emitting structure disposed on the first electrode; And
And a second electrode disposed on the light emitting structure,
The phase modulation surface includes a plurality of nanotube light resonance structures, and the nanotube light resonance structure is a cylinder type magnetic resonator in which a magnetic field component of incident light is formed by resonating at peripheral portions of nanoscale patterns,
Wherein the metal reflection layer and the second electrode constitute a micro cavity having a resonance wavelength, and the resonance wavelength of the micro cavity is determined by a phase delay due to the nanofiber resonance structure and an optical distance between the metal reflection layer and the second electrode . 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 투명 전극이고 상기 제 2 전극은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과 전극인 디스플레이 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a transflective electrode that reflects a part of light and transmits a part of the light. 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 반사성 금속으로 이루어지며, 상기 제 2 전극의 두께는 10 nm 내지 20 nm인 디스플레이 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the second electrode is made of a reflective metal, and the thickness of the second electrode is 10 nm to 20 nm. 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 투명 전극이고 상기 제 2 전극은 반사 전극이며,
상기 금속 반사층은 빛의 일부를 반사하고 일부를 투과시키는 반투과성을 갖는 디스플레이 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a reflective electrode,
Wherein the metal reflection layer reflects a part of light and transmits a part of the light. 제 16 항에 있어서,
상기 금속 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금으로 이루어지는 디스플레이 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the metal reflective layer is made of silver (Ag) or an alloy containing silver. 제 16 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면은 규칙적 또는 불규칙적으로 배열된 다수의 패턴들을 포함하는 발광 소자.17. The method of claim 16,
Wherein the phase modulating surface comprises a plurality of patterns arranged regularly or irregularly. 제 21 항에 있어서,
상기 제 1 화소의 마이크로 캐비티의 공진 파장이 제 1 파장에 대응하도록 상기 제 1 화소의 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택되며, 상기 제 2 화소의 마이크로 캐비티의 공진 파장이 제 2 파장에 대응하도록 상기 제 2 화소의 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택되는 디스플레이 장치.22. The method of claim 21,
The diameter of each pattern of the phase modulation surface of the first pixel, the height of each pattern, and the period of the plurality of patterns are selected so that the resonance wavelength of the micro cavity of the first pixel corresponds to the first wavelength, The diameter of each pattern of the phase-modulated surface of the second pixel, the height of each pattern, and the period of the plurality of patterns are selected so that the resonant wavelength of the micro-cavity of two pixels corresponds to the second wavelength. 제 21 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 상기 패턴들의 주변 공간 내에 상기 제 1 전극의 일부가 채워져 있는 디스플레이 장치.22. The method of claim 21,
Wherein a portion of the first electrode is filled in a peripheral space of the patterns of the phase modulation surface. 제 21 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 제 2 화소의 각각은 상기 위상 변조 표면의 상기 패턴들의 주변 공간 내에 채워진 유전체를 더 포함하는 디스플레이 장치.22. The method of claim 21,
Wherein each of the first and second pixels further comprises a dielectric filled in a peripheral space of the patterns of the phase modulating surface. 제 21 항에 있어서,
상기 제 1 화소와 제 2 화소의 각각은 상기 위상 변조 표면과 상기 제 1 전극 사이에 배치된 유전체층을 더 포함하며, 위상 변조 표면의 상기 패턴들의 주변 공간 내에 상기 유전체층의 일부가 채워져 있는 디스플레이 장치.22. The method of claim 21,
Wherein each of the first and second pixels further comprises a dielectric layer disposed between the phase modulating surface and the first electrode and wherein a portion of the dielectric layer is filled in a peripheral space of the patterns of the phase modulating surface. 제 21 항에 있어서,
상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경은 50 nm 내지 150 nm이고, 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 높이는 0 nm 내지 150 nm이며, 상기 위상 변조 표면의 상기 다수의 패턴의 주기는 100 nm 내지 300 nm인 디스플레이 장치.22. The method of claim 21,
Wherein the diameter of each pattern of the phase modulating surface is 50 nm to 150 nm, the height of each pattern of the phase modulating surface is 0 nm to 150 nm, the period of the plurality of patterns of the phase modulating surface is 100 nm 300 nm. 제 21 항에 있어서,
상기 마이크로 캐비티의 공진 파장을 λ라고 할 때, 상기 마이크로 캐비티의 광학적 길이가 nλ/2 (n은 자연수)를 만족하도록 상기 위상 변조 표면의 각각의 패턴의 직경, 각각의 패턴의 높이 및 다수의 패턴의 주기가 선택되는 디스플레이 장치.22. The method of claim 21,
Wherein a diameter of each of the patterns on the phase-modulated surface, a height of each pattern, and a plurality of patterns are set so that the optical length of the micro-cavities satisfies n? / 2 (n is a natural number) Is selected. 제 27 항에 있어서,
상기 제 1 파장을 λ1 상기 제 2 파장을 λ2라 할 때, 상기 제 1 화소의 마이크로 캐비티의 광학적 길이는 nλ1/2이며, 상기 제 2 화소의 마이크로 캐비티의 광학적 길이는 nλ2/2이고,
상기 제 1 화소에서 상기 제 2 전극과 상기 위상 변조 표면 사이의 광학적 길이와 상기 제 2 화소에서 상기 제 2 전극과 상기 위상 변조 표면 사이의 광학적 길이가 동일한 디스플레이 장치.28. The method of claim 27,
When the first wavelength λ 1 and the second wavelength LA λ 2, the optical length of the micro-cavities of the first pixel is nλ 1/2, the optical length of the micro-cavities of the second pixel is nλ 2/2 ego,
Wherein an optical length between the second electrode and the phase-modulating surface in the first pixel and an optical length between the second electrode and the phase-modulating surface in the second pixel are equal. 제 16 항에 있어서,
상기 발광 구조체는:
상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치된 것으로, 제 1 파장의 빛과 제 2 파장의 빛을 모두 발생시키는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층;을 포함하는 디스플레이 장치.17. The method of claim 16,
The light emitting structure includes:
A hole injection layer disposed on the first electrode;
A hole transport layer disposed on the hole injection layer;
An organic light emitting layer disposed on the hole transport layer and generating both light of the first wavelength and light of the second wavelength;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
And an electron injection layer disposed on the electron transport layer. 제 16 항에 있어서,
상기 발광 구조체는:
상기 제 1 전극 상에 배치된 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 배치된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층;을 포함하며,
상기 제 1 화소의 유기 발광층은 제 1 파장의 빛을 발생시키도록 구성되고, 상기 제 2 화소의 유기 발광층은 제 2 파장의 빛을 발생시키도록 구성되는 디스플레이 장치.17. The method of claim 16,
The light emitting structure includes:
A hole injection layer disposed on the first electrode;
A hole transport layer disposed on the hole injection layer;
An organic light emitting layer disposed on the hole transporting layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer; And
And an electron injection layer disposed on the electron transport layer,
Wherein the organic light emitting layer of the first pixel is configured to emit light of a first wavelength and the organic light emitting layer of the second pixel is configured to emit light of a second wavelength.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023043943A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-23 Meta Platforms Technologies, Llc Light emission display element and device with polarized and angularly-controlled output
US11653528B2 (en) 2020-03-03 2023-05-16 Samsung Electronics Co.. Ltd. Light emitting device and display apparatus including the same
KR20230152332A (en) * 2022-04-27 2023-11-03 고려대학교 산학협력단 Color-tunable organic light emitting diode based on photonic crystal structure
US11889717B2 (en) 2021-09-16 2024-01-30 Meta Platforms Technologies, Llc Light emission display element and device with polarized and angularly-controlled output
US11943952B2 (en) 2020-08-03 2024-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including nanostructures and display apparatus including the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090091706A (en) * 2006-11-24 2009-08-28 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 Electrode for a light-emitting device of the oled type

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090091706A (en) * 2006-11-24 2009-08-28 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 Electrode for a light-emitting device of the oled type

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11653528B2 (en) 2020-03-03 2023-05-16 Samsung Electronics Co.. Ltd. Light emitting device and display apparatus including the same
US11943952B2 (en) 2020-08-03 2024-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including nanostructures and display apparatus including the same
WO2023043943A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-23 Meta Platforms Technologies, Llc Light emission display element and device with polarized and angularly-controlled output
US11889717B2 (en) 2021-09-16 2024-01-30 Meta Platforms Technologies, Llc Light emission display element and device with polarized and angularly-controlled output
KR20230152332A (en) * 2022-04-27 2023-11-03 고려대학교 산학협력단 Color-tunable organic light emitting diode based on photonic crystal structure

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