KR20190074180A - Substrate processing apparatus having RF filter unit and substrate processing method using the same - Google Patents

Substrate processing apparatus having RF filter unit and substrate processing method using the same Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus having an RF filter unit and a substrate processing method using the same. According to the present invention, disclosed is a substrate processing apparatus, including: a process chamber (100) having an inner space (S) for processing a substrate; a gas spraying unit (200) connected with an RF power unit (900) of the outside; a substrate support unit (300) having a heater unit (400) for heating a substrate (10); a heater power unit (500) supplying power for heating the heater unit (400); an RF filter unit (600) including a plurality of RF filters (610), a temperature sensor unit (800) and a switching circuit unit (620); and a control unit switching electric connection of the plurality of RF filters (610).

Description

RF 필터부를 포함하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법{Substrate processing apparatus having RF filter unit and substrate processing method using the same}[0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus including an RF filter unit and a substrate processing method using the RF filter unit,

본 발명은 RF 필터부를 포함하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 공급되는 전력신호에서 RF 성분을 필터링 하는 RF 필터부를 포함하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus including an RF filter unit and a substrate processing method using the substrate processing apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate processing apparatus using an RF filter unit for filtering RF components in a power signal supplied to a substrate processing apparatus, And a substrate processing method using the same.

일반적으로, 기판처리를 수행하는 기판처리장치는, 기판을 처리하기 위한 내부공간이 형성된 공정챔버와, 공정챔버 상측에 설치되어 내부공간으로 공정가스를 분사하며 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부와 연결되는 가스분사부와, 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하며, 기판을 가열하기 위한 히터부를 구비하는 기판지지부와, 히터부를 가열하기 위한 전원을 공급하는 히터전원부를 포함한다.In general, a substrate processing apparatus for performing a substrate processing includes a process chamber having an internal space for processing a substrate, an external RF power source unit disposed above the process chamber for spraying the process gas into the internal space, A substrate supporting portion provided in the process chamber and supporting the substrate and having a heater portion for heating the substrate, and a heater power supply portion for supplying power for heating the heater portion.

그런데, 상기 기판처리장치는 가스분사부와 기판지지부 사이에 RF 전원부에 의한 플라즈마가 형성되므로, 히터전원부에 RF 성분이 유입될 수 있고, 이는 안정적인 히팅이 필요한 공정에 부정적인 영향을 미칠 수 있다.In the substrate processing apparatus, plasma is generated by the RF power source part between the gas spraying part and the substrate supporting part, so that RF components may flow into the heater power source part, which may adversely affect a process requiring stable heating.

이에 따라, 종래의 기판처리장치는, 히터전원부에 유입되는 RF 성분을 제거하는 RF 필터가 추가로 설치되는데, RF 필터의 지속적인 작동에 의한 발열로 인해 RF 필터와 그 밖의 부품들이 손상(탄화)되는 문제점이 있다.Accordingly, in the conventional substrate processing apparatus, an RF filter for removing RF components flowing into the heater power supply unit is additionally provided. The RF filter and other components are damaged (carbonized) due to the heat generated by the continuous operation of the RF filter There is a problem.

그런데, 종래의 기판처리장치는, 발열로 인한 부품의 손상을 방지하여 RF 필터의 안정적인 작동을 가능하게 하고 작동수명을 연장할 수 있는 방법을 제시하지 못하고 있다.However, the conventional substrate processing apparatus does not provide a method of preventing the damage of parts due to heat generation, enabling stable operation of the RF filter, and extending operating life.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 기판처리장치에 구비된 히터부전원부에 유입되는 RF 성분을 제거하는 RF 필터를 복수개 구비하고 RF 필터의 온도값에 따라 RF 필터부들에 대한 전기적 연결을 스위칭함으로써, RF 필터의 고온에 의한 손상(탄화) 없이 안정적으로 작동할 수 있게 하며 그에 따라 RF 필터부의 작동수명을 증대시킬 수 있는 RF 필터부를 포함하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing apparatus which are equipped with a plurality of RF filters for removing RF components flowing into a heater section power supply section of a substrate processing apparatus, And a RF filter unit capable of operating stably without damage (carbonization) due to high temperature of the RF filter by switching the connection, thereby increasing the operating life of the RF filter unit, and a substrate processing method using the same .

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 기판을 처리하기 위한 내부공간(S)이 형성된 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 내부공간(S)으로 공정가스를 분사하며, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부(900)와 연결되는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하며, 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(400)를 구비하는 기판지지부(300)와; 상기 히터부(400)를 가열하기 위한 전원을 공급하는 히터전원부(500)와; 상기 히터전원부(500)와 상기 히터부(400) 사이에 전기적으로 연결되어 상기 히터부(400)를 통해 상기 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 복수의 RF 필터(610)들과, 상기 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도센서부(800)와, "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터부(400) 사이" 및 "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 스위칭회로부(620)를 포함하는 RF 필터부(600)와; 각 온도센서로부터 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 스위칭회로부(620)를 통해 상기 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber 100 in which an internal space S for processing a substrate is formed; A gas injector 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the internal space S and connected to an external RF power source unit 900 for generating plasma; A substrate support 300 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10 and having a heater unit 400 for heating the substrate 10; A heater power supply unit 500 for supplying power to the heater unit 400; A plurality of RF filters 610 electrically connected between the heater power supply unit 500 and the heater unit 400 for filtering RF components flowing into the heater power supply unit 500 through the heater unit 400, And a plurality of temperature sensors for measuring the temperature of the plurality of RF filters 610. The temperature sensor unit 800 includes a plurality of RF filters 610 and the heater unit 400, An RF filter unit 600 including a switching circuit unit 620 for switching an electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply unit 500; And a controller for switching the electrical connection of the plurality of RF filters (610) through the switching circuit unit (620) when a temperature value measured from each temperature sensor is out of a preset temperature value. .

상기 스위칭회로부(620)는, 상기 히터전원부(500)로부터 복수의 RF 필터(610)들 중 적어도 두 개와 전기적으로 연결되는 두 개의 신호전달라인(710, 720)을 포함하는 신호전달선부(700)를 포함할 수 있다.The switching circuit unit 620 includes a signal transmission line unit 700 including two signal transmission lines 710 and 720 electrically connected to at least two of the plurality of RF filters 610 from the heater power supply unit 500, . ≪ / RTI >

상기 히터전원부(500)는, 상기 히터부(400)로 교류전원을 공급할 수 있다.The heater power supply unit 500 may supply AC power to the heater unit 400.

상기 RF 필터부(600)는, 세 개의 RF 필터(610)를 포함할 수 있다.The RF filter unit 600 may include three RF filters 610.

이때, 상기 세 개의 RF 필터(610)들 중 두 개는, 상기 두 개의 신호전달라인(710, 720)과 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, two of the three RF filters 610 may be electrically connected to the two signal transmission lines 710 and 720.

상기 제어부는, 상기 신호전달라인(710, 720)과 전기적으로 연결된 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 해당 RF 필터(610) 대신 온도값이 미리 설정된 온도값 이내인 다른 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭할 수 있다.When the temperature value of the RF filter 610 electrically connected to the signal transmission lines 710 and 720 is out of a predetermined temperature value, the controller may control the RF filter 610 such that the temperature value is within a predetermined temperature value It is possible to switch the electrical connection to another RF filter 610.

상기 온도센서부(800)는, 비접촉 방식으로 온도를 측정하는 비접촉 온도센서를 포함할 수 있다.The temperature sensor unit 800 may include a non-contact temperature sensor for measuring the temperature in a non-contact manner.

또한, 본 발명은, 기판을 처리하기 위한 내부공간(S)이 형성된 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 내부공간(S)으로 공정가스를 분사하며, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부(900)와 연결되는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하며, 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(400)를 구비하는 기판지지부(300)와; 상기 히터부(400)를 가열하기 위한 전원을 공급하는 히터전원부(500)와; 상기 히터전원부(500)와 상기 히터부(400) 사이에 전기적으로 연결되어 상기 히터부(400)를 통해 상기 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 복수의 RF 필터(610)들과, 상기 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도센서부(800)와, "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터부(400) 사이" 및 "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 스위칭회로부(620)를 포함하는 RF 필터부(600)를 포함하는 기판처리장치를 이용한 기판처리방법을 개시한다.Further, the present invention provides a process chamber comprising: a process chamber (100) having an internal space (S) for processing a substrate; A gas injector 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the internal space S and connected to an external RF power source unit 900 for generating plasma; A substrate support 300 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10 and having a heater unit 400 for heating the substrate 10; A heater power supply unit 500 for supplying power to the heater unit 400; A plurality of RF filters 610 electrically connected between the heater power supply unit 500 and the heater unit 400 for filtering RF components flowing into the heater power supply unit 500 through the heater unit 400, And a plurality of temperature sensors for measuring the temperature of the plurality of RF filters 610. The temperature sensor unit 800 includes a plurality of RF filters 610 and the heater unit 400, A substrate processing apparatus using the substrate processing apparatus including the RF filter unit 600 including the switching circuit unit 620 for switching the electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply unit 500 .

상기 기판처리방법은, 각 온도센서로부터 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 스위칭회로부(620)를 통해 상기 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭할 수 있다.The substrate processing method may switch the electrical connection of the plurality of RF filters 610 through the switching circuit unit 620 when the temperature value measured from each temperature sensor is out of a preset temperature value.

상기 기판처리방법은, 상기 히터부(400) 및 상기 히터전원부(500)와 전기적으로 연결된 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 스위칭회로부(620)를 통해 해당 RF 필터(610) 대신 온도값이 미리 설정된 온도값 이내인 다른 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭할 수 있다.When the temperature value of the RF filter 610 electrically connected to the heater unit 400 and the heater power supply unit 500 is out of a preset temperature value, the substrate processing method may be performed by the switching circuit unit 620, Instead of the filter 610, the electrical connection can be switched to another RF filter 610 whose temperature value is within a predetermined temperature value.

본 발명에 따른 RF 필터부를 포함하는 기판처리장치는, 기판처리장치에 구비된 히터부전원부에 유입되는 RF 성분을 제거하는 RF 필터를 복수개 구비하고 RF 필터의 온도값에 따라 RF 필터부들에 대한 전기적 연결을 스위칭함으로써, RF 필터의 고온에 의한 손상(탄화) 없이 안정적으로 작동할 수 있게 하며 그에 따라 RF 필터부의 작동수명을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.A substrate processing apparatus including an RF filter unit according to the present invention includes a plurality of RF filters for removing RF components flowing into a heater unit power supply unit included in the substrate processing apparatus and electrically connected to the RF filter units according to temperature values of the RF filters. By switching the connection, there is an advantage that it is possible to operate stably without damage (carbonization) by the high temperature of the RF filter, thereby increasing the operating life of the RF filter part.

구체적으로, RF 필터가 지속적 동작하는 경우 발열에 의해 RF 필터부를 구성하는 부품들의 손상이 발생할 수 있는데, 본 발명은 이러한 현상을 방지하기 위하여 RF 필터의 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우 해당 RF 필터 대신 다른 RF 필터(측정된 온도값이 미리 설정된 온도값 이내에 있는 RF 필터)를 사용함으로써, RF 필터가 작동에 따른 발열에 의해 탄화되어 파손되는 것을 사전에 방지할 수 있고, 그에 따라 부품 교체 없이 RF 필터부의 지속적인 작동을 가능하게 할 수 있으며, RF 필터부의 작동수명을 크게 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Particularly, when the RF filter is continuously operated, damage to parts constituting the RF filter unit may occur due to heat generation. In order to prevent such a phenomenon, the present invention is applied to a case where the measured temperature value of the RF filter is out of a preset temperature value By using another RF filter (an RF filter whose measured temperature value is within a predetermined temperature value) instead of the RF filter, it is possible to prevent the RF filter from being carbonized and damaged by the heat generated by the operation, It is possible to enable continuous operation of the RF filter unit without replacement and there is an advantage that the operating life of the RF filter unit can be greatly improved.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 정면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치의 구성 일부의 전기적 연결관계를 보여주는 개념도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 1의 기판처리장치의 구성 일부의 전기적 연결관계 및 작동관계를 보여주는 개념도이다.
도 5는, 도 1의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a front view showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a conceptual diagram showing an electrical connection relationship of a part of the substrate processing apparatus of FIG.
Figs. 4A and 4B are conceptual diagrams showing an electrical connection relationship and an operation relationship of a part of the substrate processing apparatus of Fig. 1. Fig.
5 is a cross-sectional view showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus of FIG.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 기판을 처리하기 위한 내부공간(S)이 형성된 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 상측에 설치되어 내부공간(S)으로 공정가스를 분사하며, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부(900)와 연결되는 가스분사부(200)와; 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하며, 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(400)를 구비하는 기판지지부(300)와; 히터부(400)를 가열하기 위한 전원을 공급하는 히터전원부(500)와; 히터전원부(500)와 히터부(400) 사이에 전기적으로 연결되어 히터부(400)를 통해 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 복수의 RF 필터(610)들과, 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도센서부(800)와, "복수의 RF 필터(610)와 히터부(400) 사이" 및 "복수의 RF 필터(610)와 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 스위칭회로부(620)를 포함하는 RF 필터부(600)와; 각 온도센서로부터 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 스위칭회로부(620)를 통해 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭하는 제어부를 포함한다.1 to 5, a substrate processing apparatus according to the present invention includes: a process chamber 100 having an internal space S for processing a substrate; A gas injector 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the internal space S and connected to an external RF power source unit 900 for generating plasma; A substrate support 300 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10 and having a heater unit 400 for heating the substrate 10; A heater power supply unit 500 for supplying power for heating the heater unit 400; A plurality of RF filters 610 electrically connected between the heater power supply unit 500 and the heater unit 400 to filter RF components flowing into the heater power supply unit 500 through the heater unit 400, A temperature sensor unit 800 including a plurality of temperature sensors for measuring the temperatures of the RF filters 610 and a plurality of RF filters 610 and 610 between the plurality of RF filters 610 and the heater unit 400, ) And the heater power supply unit 500, and a switching circuit unit 620 for switching the electrical connection between the heater power supply unit 500 and the heater power supply unit 500. [ And a control unit for switching the electrical connection of the plurality of RF filters 610 through the switching circuit unit 620 when the measured temperature value from each temperature sensor is out of a predetermined temperature value.

본 발명의 처리대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 10 to be treated according to the present invention may be any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, an LCD manufacturing substrate, an OLED manufacturing substrate, a solar cell manufacturing substrate, a transparent glass substrate, or the like.

그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 내부공간(S) 내에서 증착, 식각 등 플라즈마를 이용한 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 PECVD 공정 등 어떠한 공정도 가능하다.The substrate processing performed by the substrate processing apparatus according to the present invention can be any process such as a PECVD process in a substrate processing process for performing substrate processing using plasma such as deposition, etching or the like in a closed internal space S.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 내부공간(S)를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 may have various configurations as a configuration for forming an internal space S for substrate processing.

예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the process chamber 100 may include a chamber body 110 having an opening formed on the upper side thereof, and an inner space S formed with the chamber body 110 in a detachably coupled manner to the opening of the chamber body 110 And an upper lead 120 which is formed on the upper surface.

그리고 상기 공정챔버(100)는, 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.And, the process chamber 100 may be formed with one or more gates 111 for introducing and discharging the substrate 10.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 내부공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다. The process chamber 100 may be connected or installed with a power supply system for performing substrate processing, a pressure control of the internal space S, and an exhaust system for exhausting.

상기 가스분사부(200)는, 공정챔버(100) 상측에 설치되어 내부공간(S)으로 공정가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injecting unit 200 may be installed on the upper side of the process chamber 100 to inject the process gas into the inner space S and may have various configurations.

예로서, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 일측에 형성되는 가스유입부(미도시)와, 가스유입부를 통해 유입된 공정가스를 확산시키는 하나 이상의 확산플레이트(미도시)와, 확산된 공정가스를 내부공간(S)을 향해 분사하는 복수의 분사홀(미도시)들을 포함할 수 있다.For example, the gas injector 200 may include a gas inlet (not shown) formed at one side of the upper lead 120, at least one diffusion plate (not shown) for diffusing the process gas introduced through the gas inlet, And a plurality of ejection holes (not shown) for ejecting the diffused process gas toward the inner space S.

그리고, 상기 가스분사부(200)는, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부(900)와 연결될 수 있다.The gas injector 200 may be connected to an external RF power source 900 to generate plasma.

상기 RF전원부(900)는, 가스분사부(200)에 전기적으로 연결되어 가스분사부(200)에 RF전원을 공급하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The RF power source 900 may be configured to supply RF power to the gas injector 200 by being electrically connected to the gas injector 200.

상기 RF전원부(900)에 의해, 가스분사부(200) 및 후술하는 기판지지부(300) 사이에 RF전력에 의한 플라즈마가 형성될 수 있다.A RF power plasma may be formed between the gas spraying unit 200 and a substrate supporting unit 300 described later by the RF power source unit 900.

상기 기판지지부(300)는, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate supporting unit 300 may be installed in the process chamber 100 to support the substrate 10, and may have various configurations.

예로서, 상기 기판지지부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상면에 기판(10)을 지지하는 기판지지면이 형성된 지지플레이트(310)와, 지지플레이트(310)의 저면에 결합되고 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동 되는 샤프트부(320)를 포함할 수 있다.1, the substrate support unit 300 includes a support plate 310 having a substrate support surface for supporting a substrate 10 on an upper surface thereof, a support plate 310 coupled to a bottom surface of the support plate 310 And a shaft portion 320 which is moved up and down by a vertical driving portion (not shown).

상기 지지플레이트(310)는, 기판(10)의 평면형상에 대응되는 형상의 플레이트로 이루어질 수 있다.The support plate 310 may be formed of a plate having a shape corresponding to the plane shape of the substrate 10.

그리고, 상기 기판지지부(300)는, RF 전원부(900)와 연결된 가스분사부(200)와 함께 플라즈마를 발생시키기 위해 전기적으로 접지될 수 있다.The substrate supporting unit 300 may be electrically grounded to generate a plasma together with the gas injecting unit 200 connected to the RF power source unit 900.

한편, 상기 기판지지부(300)는, 내부에 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(400)를 구비할 수 있다.The substrate supporting unit 300 may include a heater unit 400 for heating the substrate 10 therein.

상기 히터부(400)는, 기판지지부(300)에 설치되어 기판지지부(300)에 지지된 기판(10)을 가열하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The heater unit 400 may be configured to heat the substrate 10 mounted on the substrate supporting unit 300 and supported by the substrate supporting unit 300.

예로서, 상기 히터부(400)는, 외부 전력신호에 의해 발열되는 부재로서 다양한 재질 및 형상이 가능하며, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판지지부(300)의 지지플레이트(310)에 내장되어 설치될 수 있다.For example, the heater unit 400 may be made of various materials and shapes by being heated by an external power signal, and may be embedded in the support plate 310 of the substrate support unit 300 as shown in FIG. 2 Can be installed.

상기 히터전원부(500)는, 히터부(400)에 전력신호를 공급하기 위한 구성으로 공정챔버(100)의 외측에 설치되며, 교류전원 또는 직류전원을 히터부(400)로 공급할 수 있다.The heater power supply unit 500 is installed outside the process chamber 100 in order to supply a power signal to the heater unit 400 and can supply AC power or DC power to the heater unit 400.

이때, 상기 기판처리장치는, 히터전원부(500)와 히터부(400)를 전기적으로 연결하는 신호전달선부(700)를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a signal transmission line unit 700 for electrically connecting the heater power supply unit 500 and the heater unit 400.

상기 신호전달선부(700)는, 히터전원부(500)와 히터부(400) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다면 다양한 구성이 가능하고, 예로서 도선이 보호부재로 피복된 케이블로 구성될 수 있다.The signal transmission line unit 700 may have various configurations as long as it can electrically connect the heater power unit 500 and the heater unit 400. For example, the signal transmission line unit 700 may be formed of a cable in which the wire is covered with a protection member.

또한, 상기 신호전달선부(700)는, 기판지지부(300)의 샤프트부(320) 내측에 형성되는 빈 공간에 배치되어 샤프트부(320)를 타고 올라가 지지플레이트(310) 내부에 내장된 히터부(400)와 전기적으로 연결될 수 있다.The signal transmission line unit 700 is disposed in an empty space formed inside the shaft portion 320 of the substrate support unit 300 and rides on the shaft unit 320 to form a heater unit (Not shown).

상기 신호전달선부(700)는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 히터전원부(500)가 교류전원인 경우, 교류전원을 전달하기 위한 두 개의 신호전달라인(710, 720)을 포함할 수 있다.3 to 5, the signal transmission line unit 700 may include two signal transmission lines 710 and 720 for transmitting alternating current power when the heater power supply unit 500 causes an alternating current. have.

상기 RF 필터부(600)는, 히터부(400)를 통해 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The RF filter unit 600 is configured to filter RF components flowing into the heater power unit 500 through the heater unit 400 and may have various configurations.

구체적으로, 상기 RF 필터부(600)는, 일단에서 히터부(400)와 전기적으로 연결되고 타단에서 히터전원부(500)와 전기적으로 연결되어, RF 성분을 필터링할 수 있다.Specifically, the RF filter unit 600 may be electrically connected to the heater unit 400 at one end and may be electrically connected to the heater power unit 500 at the other end to filter RF components.

예로서, 상기 RF 필터부(600)는, 히터전원부(500)와 히터부(400) 사이에 전기적으로 연결되어 히터부(400)를 통해 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 복수의 RF 필터(610)들과, 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도센서부(800)와, "복수의 RF 필터(610)와 히터부(400) 사이" 및 "복수의 RF 필터(610)와 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 스위칭회로부(620)를 포함할 수 있다.For example, the RF filter unit 600 may include an RF filter unit 600 electrically connected between the heater power unit 500 and the heater unit 400 to filter RF components flowing into the heater power unit 500 through the heater unit 400 A temperature sensor unit 800 including a plurality of RF filters 610 and a plurality of temperature sensors for measuring the temperatures of the plurality of RF filters 610; 400 and between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply unit 500. The switching circuit unit 620 is connected to the RF power supply unit 500,

상기 RF 필터(610)는, 신호전달선부(700)를 통해 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 제거하기 위한 RF 필터(LPF, HPF)이며, 회로적 구성으로 저항(R), 커패시터(C), 인덕터(L) 등의 회로소자가 배치된 회로기판으로 구성될 수 있다.The RF filter 610 is an RF filter (LPF, HPF) for removing RF components flowing into the heater power supply unit 500 through the signal transmission line unit 700. The RF filter 610 is a circuit in which a resistor R, a capacitor C, and an inductor L may be arranged.

상기 복수의 RF 필터(610)들은 RF 필터로서 동일한 성능 및 기능을 수행하기 위하여 각각 동일하게 구성됨이 바람직하다.The plurality of RF filters 610 are preferably identical to each other in order to perform the same functions and functions as RF filters.

이때, 상기 RF 필터부(600)는, 복수의 RF 필터(610)들과 후술하는 스위칭회로부(620)를 수용하는 필터본체부(602)를 포함할 수 있다.The RF filter unit 600 may include a plurality of RF filters 610 and a filter body unit 602 that receives a switching circuit unit 620 to be described later.

상기 필터본체부(602)는, 복수의 RF 필터(610)들과 스위칭회로부(620)를 수용하는 하우징으로 다양한 재질 및 형상으로 이루어질 수 있다.The filter body portion 602 is a housing that accommodates a plurality of RF filters 610 and a switching circuit portion 620, and may be made of various materials and shapes.

상기 필터본체부(602)는, 신호전달선부(700)와 결합되는 결합단자와, 내부에 수용된 RF 필터(610)의 과열을 방지하는 쿨링팬(604)을 구비할 수 있다.The filter body portion 602 may include a coupling terminal coupled to the signal transmission line portion 700 and a cooling fan 604 for preventing overheating of the RF filter 610 housed therein.

상기 온도센서부(800)는, 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The temperature sensor unit 800 may be configured to measure the temperature of a plurality of RF filters 610 and may have a variety of configurations.

상기 온도센서부(800)는, 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위해 각 RF 필터에 대응되는 복수의 온도센서를 포함할 수 있다.The temperature sensor unit 800 may include a plurality of temperature sensors corresponding to respective RF filters for measuring the temperature of the plurality of RF filters 610.

상기 온도센서는, RF 필터(610)의 적어도 하나의 온도측정지점에 대응되어 필터본체부(602) 내측에 설치될 수 있다.The temperature sensor may be installed inside the filter body portion 602 in correspondence with at least one temperature measurement point of the RF filter 610.

특히, 상기 온도센서부(800)는 RF 필터(610) 중 고온에 취약하여 탄화되기 쉬운 부분을 온도측정지점으로 하여 온도를 측정함이 바람직하며, 도 5에 도시된 바와 같이, 보다 안정적인 RF 필터부(600)의 작동을 위하여 하나의 RF 필터(610)에 대해 복수의 온도측정지점들에 대응되어 복수의 온도센서가 설치될 수 있다.Particularly, it is preferable that the temperature sensor unit 800 measures the temperature of the RF filter 610 by using a portion which is vulnerable to high temperature and is liable to be carbonized as a temperature measurement point. As shown in FIG. 5, A plurality of temperature sensors may be installed corresponding to a plurality of temperature measurement points for one RF filter 610 for operation of the unit 600. [

또한, 상기 온도센서부(800)는, 비접촉 방식으로 온도측정지점의 온도를 측정하는 비접촉 온도센서(예로서, 적외선 온도센서 등)로 구성됨이 바람직하다.The temperature sensor unit 800 preferably includes a non-contact temperature sensor (for example, an infrared temperature sensor) that measures the temperature of the temperature measurement point in a non-contact manner.

상기 스위칭회로부(620)는, "복수의 RF 필터(610)와 히터부(400) 사이" 및 "복수의 RF 필터(610)와 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The switching circuit unit 620 is configured to switch the electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater unit 400 and between the plurality of RF filters 610 and the heater power unit 500 Configuration is possible.

예로서, 상기 스위칭회로부(620)는, 복수의 RF 필터(610)들과 히터부(400) 사이에서 복수의 RF 필터(610)들과 히터부(400) 사이의 전기적 연결을 스위칭하는 제1스위칭회로부(620a)와, 복수의 RF 필터(610)들과 히터전원부(500) 사이에서 복수의 RF 필터(610)들과 히터전원부(500) 사이의 전기적 연결을 스위칭 하는 제2스위칭회로부(620b)를 포함할 수 있다.For example, the switching circuit unit 620 may include a plurality of RF filters 610 and a plurality of RF filters 610 between the plurality of RF filters 610 and the heater unit 400 to switch the electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater unit 400 A second switching circuit 620b for switching the electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply 500 between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply 500, ).

상기 제1스위칭회로부(620a)는, 일단에서 신호전달선부(700)를 통해 히터부(400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제2스위칭회로부(620b)는, 일단에서 신호전달선부(700)를 통해 히터전원부(500)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first switching circuit unit 620a may be electrically connected to the heater unit 400 through the signal transmission line unit 700 at one end. Similarly, the second switching circuit unit 620b may be electrically connected to the heater power supply unit 500 through the signal transmission line unit 700 at one end.

상기 제1스위칭회로부(620a) 및 제2스위칭회로부(620b)의 복수의 RF 필터(610)들에 대한 스위칭 동작에 따라 RF 필터(610)가 히터부(400) 및 히터전원부(500)와 전기적으로 연결되어 동작하거나 또는 RF 필터(610)의 일단(또는 양단)이 개방(단선)되어 동작하지 않을 수 있다.The RF filter 610 is electrically connected to the heater unit 400 and the heater power supply unit 500 according to the switching operation of the plurality of RF filters 610 of the first switching circuit unit 620a and the second switching circuit unit 620b Or one end (or both ends) of the RF filter 610 may be opened (disconnected) and may not operate.

한편, 상기 복수의 RF 필터(610)들 중 적어도 하나는 스위칭회로부(620)에 의해 "히터부(400) 및 히터전원부(500) 중 적어도 하나"와 전기적으로 연결되지 않아 작동되지 않는 대기상태의 예비필터일 수 있다. At least one of the plurality of RF filters 610 is not electrically connected to at least one of the heater unit 400 and the heater power supply unit 500 by the switching circuit unit 620, May be a preliminary filter.

예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 히터전원부(500)가 교류전원인 경우 두 개의 신호전달라인(710, 720)이 적어도 두 개의 RF 필터(610)에 전기적으로 연결되어야 하기 때문에, 상기 RF 필터부(600)는 적어도 세 개 이상의 RF 필터(610)들을 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, since the two signal transmission lines 710 and 720 must be electrically connected to at least two RF filters 610 when the heater power supply unit 500 causes an AC voltage, The filter unit 600 may include at least three RF filters 610.

이때, 상기 적어도 세 개 이상의 RF 필터(610)들 중 두 개의 RF 필터(610)들은, 스위칭회로부(620)를 통해 두 개의 신호전달라인(710, 720)과 전기적으로 연결되어 각 신호전달라인(710, 720)을 지나는 RF 성분을 필터링할 수 있다. 따라서, 상기 적어도 세 개 이상의 RF 필터(610)들 중 나머지는, 신호전달라인(710, 720)과 전기적으로 연결되지 않아 동작하지 않는 대기상태의 예비필터로 기능할 수 있다.The two RF filters 610 of the at least three RF filters 610 are electrically connected to the two signal transmission lines 710 and 720 through the switching circuit unit 620, 710, and 720 of the RF signal. Therefore, the rest of the at least three RF filters 610 may function as a standby pre-filter that does not operate because it is not electrically connected to the signal transmission lines 710 and 720.

상기 제어부는, 각 온도센서로부터 측정된 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 스위칭회로부(620)를 통해 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The control unit switches the electrical connection of the plurality of RF filters 610 through the switching circuit unit 620 when the temperature value of the RF filter 610 measured by each temperature sensor is out of a preset temperature value Various configurations are possible.

즉, 상기 제어부는, 복수의 RF 필터(610)들에 대한 스위칭회로부(620)의 스위칭 동작을 제어할 수 있다.That is, the control unit may control the switching operation of the switching circuit unit 620 with respect to the plurality of RF filters 610.

예로서, 상기 제어부는, 스위칭회로부(620)에 전기적으로 연결된 상기 RF 필터(610)들 중 적어도 어느 하나의 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 해당 RF 필터(610) 대신 측정된 온도 값이 미리 설정된 온도값 이내인 다른 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭하도록 스위칭회로부(620)를 제어할 수 있다.For example, when the measured temperature value of at least one of the RF filters 610 electrically connected to the switching circuit unit 620 is out of a preset temperature value, It is possible to control the switching circuit 620 to switch the electrical connection to another RF filter 610 whose temperature value is within a predetermined temperature value.

여기서, 상기 제어부는, 온도센서부(800)에서 측정된 온도값을 기초로 스위칭회로부(620)의 스위칭 동작을 제어 할 수 있다.Here, the control unit may control the switching operation of the switching circuit unit 620 based on the temperature value measured by the temperature sensor unit 800.

상기 제어부는, 지속적인 동작에 의해 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 해당 RF 필터(610)가 적정한 온도를 벗어나 과열된 것으로 판단하여 해당 RF 필터(610)와 스위칭회로부(620)의 전기적 연결을 차단하고 스위칭회로부(620)가 해당 RF 필터(610) 대신 다른 RF 필터(610)가 전기적으로 연결되도록 제어할 수 있다.When the temperature value of the RF filter 610 is out of the preset temperature value by the continuous operation, the controller determines that the RF filter 610 is out of the proper temperature and overheated, and the RF filter 610 and the switching circuit The switching circuit unit 620 may control the other RF filter 610 to be electrically connected to the RF filter 610 instead of the RF filter 610.

구체적으로, 상기 제어부는, 스위칭회로부(620)에 의해 히터부(400) 및 히터전원부(500)에 전기적으로 연결되어 작동 중인 RF 필터(610)의 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 해당 RF 필터(610)가 고온에 손상(탄화)될 가능성이 높은 것으로 판단할 수 있다.Specifically, when the measured temperature value of the RF filter 610, which is electrically connected to the heater unit 400 and the heater power supply unit 500 by the switching circuit unit 620 and is in operation, deviates from a preset temperature value , It can be determined that there is a high possibility that the RF filter 610 is damaged (carbonized) at a high temperature.

그에 따라, 상기 제어부는, 스위칭회로부(620)가 해당 RF 필터(610) 대신 측정된 온도 값이 미리 설정된 온도값 이내인 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭하도록 제어할 수 있다.Accordingly, the control unit may control the switching circuit unit 620 to switch the electrical connection to the RF filter 610 whose measured temperature value is within a predetermined temperature value instead of the RF filter 610.

예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 RF 필터부(600)가 제1 RF 필터(610a), 제2 RF 필터(610b) 및 제2 RF 필터(610c)를 포함하는 경우, 스위칭회로부(620)는 제 1RF 필터(610a) 및 제2 RF 필터(610b)와 전기적으로 연결되어 제1 RF 필터(610a) 및 제2 RF 필터(610b)가 히터부(400) 및 히터전원부(500)와 전기적으로 연결되도록 할 수 있다. 여기서, 제3 RF 필터(610c)는 작동하지 않는 대기상태로서 상술한 예비필터로 기능할 수 있다.3, when the RF filter unit 600 includes a first RF filter 610a, a second RF filter 610b, and a second RF filter 610c, the switching circuit unit 620 are electrically connected to the first RF filter 610a and the second RF filter 610b so that the first RF filter 610a and the second RF filter 610b are electrically connected to the heater unit 400 and the heater power unit 500 So that they can be electrically connected. Here, the third RF filter 610c may function as a preliminary filter described above as a standby state in which it does not operate.

상기 제1 RF 필터(610a)가 지속적으로 작동되는 과정에서, 제1 RF 필터(610a)의 측정된 온도가 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 제어부는, 도 4a에 도시된 바와 같이, 스위칭회로부(620)가 제1 RF 필터(610a)와의 전기적 연결을 차단하고 제1 RF 필터(610a) 대신 측정된 온도 값이 미리 설정된 온도값 이내인 제3 RF 필터(610c)와 전기적으로 연결되도록 제어할 수 있다(제1 RF 필터(610a) 대신 제3 RF 필터(610c)로 전기적 연결을 스위칭).4A, when the measured temperature of the first RF filter 610a is out of a predetermined temperature value in the course of the first RF filter 610a being continuously operated, The first RF filter 610a is electrically disconnected from the first RF filter 610a and the first RF filter 610a is controlled to be electrically connected to the third RF filter 610c whose measured temperature value is within a preset temperature value (Switching the electrical connection to the third RF filter 610c instead of the first RF filter 610a).

비슷하게, 상기 제2 RF 필터(610b)가 지속적으로 작동되는 과정에서, 제2 RF 필터(610b)의 측정된 온도가 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 제어부는, 도 4b에 도시된 바와 같이, 스위칭회로부(620)가 제2 RF 필터(610b)와의 전기적 연결을 차단하고 제2 RF 필터(610b) 대신 측정된 온도 값이 미리 설정된 온도값 이내인 제3 RF 필터(610c)와 전기적으로 연결되도록 제어할 수 있다(제2 RF 필터(610b) 대신 제3 RF 필터(610c)로 전기적 연결을 스위칭).Similarly, when the measured temperature of the second RF filter 610b deviates from a preset temperature value in the course of the continuous operation of the second RF filter 610b, The switching circuit unit 620 may be electrically disconnected from the second RF filter 610b and may be electrically connected to the third RF filter 610c whose measured temperature value is within a predetermined temperature value instead of the second RF filter 610b (Switching the electrical connection to the third RF filter 610c instead of the second RF filter 610b).

즉, 본 발명에 따른 RF 필터부(600)는, 작동하지 않고 대기상태인 예비필터를 하나 이상 포함함으로써, 작동 중인 다른 RF 필터(610)가 미리 설정된 온도값 이상으로 과열되는 경우 해당 RF 필터(610) 대신 예비필터를 활용할 수 있어, RF 필터부(600)의 과열로 인한 파손을 사전에 방지할 수 있고 그에 따라 RF 필터부(600)의 유지보수 간격을 크게 늘려 작동수명을 향상시킬 수 있다.That is, the RF filter unit 600 according to the present invention includes one or more preliminary filters that are not in operation and are in a standby state, so that when another RF filter 610 in operation is overheated to a predetermined temperature value or higher, It is possible to prevent damage due to overheating of the RF filter unit 600 in advance and to thereby greatly increase the maintenance interval of the RF filter unit 600 and to improve the operating life .

다른 측면에서, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 상술한 구성을 포함하는 기판처리장치에서 수행될 수 있다.In another aspect, the substrate processing method according to the present invention can be performed in a substrate processing apparatus including the above-described configuration.

상기 기판처리방법은, 각 온도센서로부터 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 스위칭회로부(620)를 통해 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭할 수 있다.The substrate processing method may switch the electrical connection of the plurality of RF filters 610 through the switching circuit unit 620 when the temperature value measured from each temperature sensor is out of a preset temperature value.

구체적으로, 상기 기판처리방법은, 히터부(400) 및 히터전원부(500)와 전기적으로 연결된 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 스위칭회로부(620)를 통해 해당 RF 필터(610) 대신 온도값이 미리 설정된 온도값 이내인 다른 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭할 수 있다.Specifically, when the temperature value of the RF filter 610, which is electrically connected to the heater unit 400 and the heater power supply unit 500, deviates from a predetermined temperature value, the substrate processing method may be performed by the switching circuit unit 620, Instead of the filter 610, the electrical connection can be switched to another RF filter 610 whose temperature value is within a predetermined temperature value.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

10: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 기판지지부
400: 히터부 500: 히터전원부10: substrate 100: process chamber
200: gas injecting part 300: substrate supporting part
400: heater part 500: heater power part

Claims (7)

기판을 처리하기 위한 내부공간(S)이 형성된 공정챔버(100)와;
상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 내부공간(S)으로 공정가스를 분사하며, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부(900)와 연결되는 가스분사부(200)와;
상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하며, 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(400)를 구비하는 기판지지부(300)와;
상기 히터부(400)를 가열하기 위한 전원을 공급하는 히터전원부(500)와;
상기 히터전원부(500)와 상기 히터부(400) 사이에 전기적으로 연결되어 상기 히터부(400)를 통해 상기 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 복수의 RF 필터(610)들과, 상기 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도센서부(800)와, "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터부(400) 사이" 및 "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 스위칭회로부(620)를 포함하는 RF 필터부(600)와;
각 온도센서로부터 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 스위칭회로부(620)를 통해 상기 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber (100) in which an internal space (S) for processing a substrate is formed;
A gas injector 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the internal space S and connected to an external RF power source unit 900 for generating plasma;
A substrate support 300 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10 and having a heater unit 400 for heating the substrate 10;
A heater power supply unit 500 for supplying power to the heater unit 400;
A plurality of RF filters 610 electrically connected between the heater power supply unit 500 and the heater unit 400 for filtering RF components flowing into the heater power supply unit 500 through the heater unit 400, And a plurality of temperature sensors for measuring the temperature of the plurality of RF filters 610. The temperature sensor unit 800 includes a plurality of RF filters 610 and the heater unit 400, An RF filter unit 600 including a switching circuit unit 620 for switching an electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply unit 500;
And a controller for switching the electrical connection of the plurality of RF filters (610) through the switching circuit unit (620) when a temperature value measured from each temperature sensor is out of a preset temperature value. . 청구항 1에 있어서,
상기 스위칭회로부(620)는, 상기 히터전원부(500)로부터 복수의 RF 필터(610)들 중 적어도 두 개와 전기적으로 연결되는 두 개의 신호전달라인(710, 720)을 포함하는 신호전달선부(700)를 포함하며,
상기 히터전원부(500)는, 상기 히터부(400)로 교류전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The switching circuit unit 620 includes a signal transmission line unit 700 including two signal transmission lines 710 and 720 electrically connected to at least two of the plurality of RF filters 610 from the heater power supply unit 500, / RTI >
Wherein the heater power supply unit (500) supplies AC power to the heater unit (400). 청구항 2에 있어서,
상기 RF 필터부(600)는, 세 개의 RF 필터(610)를 포함하며,
상기 세 개의 RF 필터(610)들 중 두 개는, 상기 두 개의 신호전달라인(710, 720)과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
The RF filter unit 600 includes three RF filters 610,
Wherein two of the three RF filters (610) are electrically connected to the two signal transmission lines (710, 720). 청구항 3에 있어서,
상기 제어부는,
상기 신호전달라인(710, 720)과 전기적으로 연결된 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 해당 RF 필터(610) 대신 온도값이 미리 설정된 온도값 이내인 다른 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein,
When the temperature value of the RF filter 610 electrically connected to the signal transmission lines 710 and 720 is out of a predetermined temperature value, the RF filter 610 may be replaced with another RF filter whose temperature value is within a preset temperature value 610). ≪ / RTI > 청구항 1에 있어서,
상기 온도센서부(800)는, 비접촉 방식으로 온도를 측정하는 비접촉 온도센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the temperature sensor unit (800) includes a non-contact temperature sensor for measuring temperature in a non-contact manner. 기판을 처리하기 위한 내부공간(S)이 형성된 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 내부공간(S)으로 공정가스를 분사하며, 플라즈마를 발생시키기 위해 외부의 RF 전원부(900)와 연결되는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100) 내에 설치되어 기판(10)을 지지하며, 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(400)를 구비하는 기판지지부(300)와; 상기 히터부(400)를 가열하기 위한 전원을 공급하는 히터전원부(500)와; 상기 히터전원부(500)와 상기 히터부(400) 사이에 전기적으로 연결되어 상기 히터부(400)를 통해 상기 히터전원부(500)로 유입되는 RF 성분을 필터링하기 위한 복수의 RF 필터(610)들과, 상기 복수의 RF 필터(610)들의 온도를 측정하기 위한 복수의 온도센서를 포함하는 온도센서부(800)와, "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터부(400) 사이" 및 "상기 복수의 RF 필터(610)와 상기 히터전원부(500) 사이"의 전기적 연결을 스위칭하기 위한 스위칭회로부(620)를 포함하는 RF 필터부(600)를 포함하는 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
각 온도센서로부터 측정된 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 스위칭회로부(620)를 통해 상기 복수의 RF 필터(610)들의 전기적 연결을 스위칭하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.A process chamber (100) in which an internal space (S) for processing a substrate is formed; A gas injector 200 installed above the process chamber 100 to inject a process gas into the internal space S and connected to an external RF power source unit 900 for generating plasma; A substrate support 300 installed in the process chamber 100 to support the substrate 10 and having a heater unit 400 for heating the substrate 10; A heater power supply unit 500 for supplying power to the heater unit 400; A plurality of RF filters 610 electrically connected between the heater power supply unit 500 and the heater unit 400 for filtering RF components flowing into the heater power supply unit 500 through the heater unit 400, And a plurality of temperature sensors for measuring the temperature of the plurality of RF filters 610. The temperature sensor unit 800 includes a plurality of RF filters 610 and the heater unit 400, A substrate processing apparatus using the substrate processing apparatus including the RF filter unit 600 including the switching circuit unit 620 for switching the electrical connection between the plurality of RF filters 610 and the heater power supply unit 500 As a result,
And switches the electrical connection of the plurality of RF filters (610) through the switching circuit unit (620) when the temperature value measured from each temperature sensor is out of a preset temperature value. 청구항 6에 있어서,
상기 히터부(400) 및 상기 히터전원부(500)와 전기적으로 연결된 RF 필터(610)의 온도값이 미리 설정된 온도값을 벗어나는 경우, 상기 스위칭회로부(620)를 통해 해당 RF 필터(610) 대신 온도값이 미리 설정된 온도값 이내인 다른 RF 필터(610)로 전기적 연결을 스위칭하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.The method of claim 6,
When the temperature value of the RF filter 610 electrically connected to the heater unit 400 and the heater power supply unit 500 is out of a preset temperature value, Is switched to another RF filter (610) whose value is within a predetermined temperature value.
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