KR20190073284A - Glass substrate for displays - Google Patents

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KR20190073284A
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노부아키 이카와
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에이지씨 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a glass substrate for display in which peeling electrification hardly occurs when peeling off from an adsorption stage. In one glass surface of main surfaces of the glass substrate, the surface properties thereof has a deformation rate, Rsk, of greater than zero, wherein the Rsk represents symmetrical properties between a peak part and a valley part.

Description

디스플레이용 유리 기판 {GLASS SUBSTRATE FOR DISPLAYS}[0001] GLASS SUBSTRATE FOR DISPLAYS [0002]

본 발명은 디스플레이용 유리 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a glass substrate for a display.

플랫 패널 디스플레이(FPD)에 있어서는, 유리 기판 상에 투명 전극, 반도체 소자 등을 형성한 것이 기판으로서 사용된다. 예를 들어, 액정 디스플레이(LCD)에 있어서는, 유리 기판 상에 투명 전극, TFT(Thin Film Transistor) 등이 형성된 것이 기판으로서 사용된다.In a flat panel display (FPD), a substrate in which a transparent electrode, a semiconductor element, or the like is formed on a glass substrate is used as a substrate. For example, in a liquid crystal display (LCD), a transparent electrode, a TFT (Thin Film Transistor) or the like is formed on a glass substrate is used as a substrate.

유리 기판 상으로의 투명 전극, 반도체 소자 등의 형성은, 유리 기판의 반도체 소자 형성면과는 반대측의 유리 표면을 흡착 스테이지 상에 진공 흡착에 의해 고정한 상태에서 행하여진다. 그러나, 투명 전극, 반도체 소자 등이 형성된 유리 기판을 흡착 스테이지로부터 박리할 때에, 유리 기판이 대전되어, TFT 등의 반도체 소자의 정전 파괴가 일어난다.The formation of the transparent electrode, the semiconductor element, and the like on the glass substrate is carried out while the glass surface of the glass substrate opposite to the semiconductor element formation surface is fixed on the absorption stage by vacuum adsorption. However, when the glass substrate on which the transparent electrode, the semiconductor element, or the like is formed is peeled off from the adsorption stage, the glass substrate is charged and electrostatic destruction of semiconductor elements such as TFTs occurs.

특허문헌 1은, 유리 기판의 주표면 중 한쪽 유리 표면에 대해서, 그 표면 성상이, 요철의 평균 간격에 의해 정의되는 RSm이 0.05㎛ 이상이고, 또한, 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 변형도 Rsk가 0보다도 작은 구조에 의해, 대전을 저감하는 것을 도모하고 있다.Patent Document 1 discloses a glass substrate in which the RSm value defined by the average interval of the irregularities is 0.05 μm or more and the deformation degree Rsk indicating the symmetry of the mountain portion and the valley portion is By the structure smaller than 0, the charge is reduced.

일본 특허 공개2014-201445호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-201445

그러나, 특허문헌 1과 같이, 변형도 Rsk가 0보다도 작으면, 유리 기판이 금속이나 절연체의 플레이트 등과 접촉 박리하는 면적이 증대되어, 유리 기판의 정전기의 대전이 도리어 문제가 될 가능성이 있다.However, as in Patent Document 1, if the deformation degree Rsk is less than 0, there is a possibility that the area of the glass substrate in contact with the metal or the insulator plate is increased, and the static electricity of the glass substrate may become a problem.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 흡착 스테이지로부터 박리할 때에 박리 대전이 발생하기 어려운 디스플레이용 유리 기판을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a glass substrate for a display in which peeling electrification hardly occurs when peeling off from an adsorption stage.

본 발명은, 유리 기판의 주표면 중 한쪽 유리 표면은, 그 표면 성상이, 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 변형도 Rsk가 0보다도 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판을 제공한다.The present invention provides a glass substrate for a display characterized in that the glass surface of one of the main surfaces of the glass substrate has a degree of deformation Rsk showing a symmetry of a peak and a valley with a surface property thereof being larger than zero.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판은, 흡착 스테이지로부터 박리할 때에 박리 대전이 발생하기 어렵다.In the glass substrate for a display of the present invention, peeling electrification hardly occurs when peeling off from the adsorption stage.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법의 설명도이며, 열 처리 장치의 일구성예를 도시한 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법의 설명도이며, 열 처리 장치의 다른 일구성예를 도시한 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법의 설명도이며, 플로트 유리 제조 장치의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 4는, 실시예에 있어서의 인젝터의 슬릿 폭(a), 처리 길이(b), 처리 폭(c)의 관계를 도시한 도면이다.
도 5의 (a)는, 제곱 평균 평방근 조도 Rq의 개념을 나타내는 개념도이고, 도 5의 (b)는, 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 변형도 Rsk의 개념을 나타내는 개념 도이다.
Fig. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing method of a glass substrate for a display according to an embodiment of the present invention, and is a schematic diagram showing an example of the construction of a heat treatment apparatus. Fig.
Fig. 2 is an explanatory diagram of a manufacturing method of a glass substrate for a display according to an embodiment of the present invention, and is a schematic diagram showing another structural example of the heat treatment apparatus. Fig.
3 is an explanatory diagram of a manufacturing method of a glass substrate for a display according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view schematically showing a float glass production apparatus.
Fig. 4 is a diagram showing the relationship between the slit width a, the processing length b, and the processing width c of the injector in the embodiment.
FIG. 5A is a conceptual diagram showing the concept of the root-mean-square roughness Rq, and FIG. 5B is a conceptual diagram showing the concept of the deformation Rsk showing the symmetry of the peak and valley.

[디스플레이용 유리 기판][Glass substrate for display]

이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이용 유리 기판에 대하여 설명한다.Hereinafter, a display glass substrate according to an embodiment of the present invention will be described.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 그 유리 조성은 특별히 한정되지 않고, 소다석회 실리케이트 유리, 알루미노 실리케이트 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리 등, 폭넓은 유리 조성이어도 된다.The glass substrate for display of the present embodiment is not particularly limited and may be a broad glass composition such as soda lime silicate glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, and alkali-free glass.

본원 발명자 등은, 유리 기판의 대전량을 감소시키기 위해서, 유리 기판의 주표면의 표면 성상에 착안하였다. 본원 발명자들은 예의 검토하여, 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 변형도 Rsk가 0보다도 큰 유리 기판이, 우수한 성질을 갖는다는 것을 알아내었다.The present inventors have focused on the surface properties of the main surface of the glass substrate in order to reduce the charge amount of the glass substrate. The inventors of the present invention have studied extensively and found that a glass substrate having a deformation degree Rsk of greater than 0 showing symmetry of a mountain part and a valley part has excellent properties.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 유리 기판의 주표면 중 한쪽 유리 표면은, 그 표면 성상이, 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 변형도 Rsk가 0보다도 크다.In the glass substrate for a display according to the present embodiment, the glass surface of one of the main surfaces of the glass substrate has a degree of deformation Rsk showing a symmetry of the peak and valleys,

Rsk는, 제곱 평균 평방근 조도 Rq의 삼승에 의해 무차원화한 기준 길이에 있어서, 유리 기판의 주표면에 있어서의 산부와 골부의 높이 Z(x)의 삼승 평균을 나타낸다. 바꾸어 말하면, Rsk는 왜곡도(비대칭도)를 의미하고, 평균 선(도 5의 (b)의 파선 참조)을 중심으로 했을 때의 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 지표이며, 조도 곡선의 스큐니스라고도 불린다. 여기서, 도 5의 (a)가 제곱 평균 평방근 조도 Rq의 개념을 나타내는 개념도이며, Rq는 하기의 식 (1)에 의해 구해지고, 기준 길이 l(엘)에 있어서, Z(x)의 제곱 평균 평방근을 나타내는 지표이다. 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, l은 주표면에 따른 산부와 골부의 반복의 기준 길이를 나타낸다. 또한, 도 5의 (b)가 Rsk의 개념을 나타내는 개념도이고, Rsk는 하기의 식 (2)에 의해 구해진다.Rsk represents the rank-averaged height of the height Z (x) of the peak and valley on the main surface of the glass substrate at a reference length dimensioned by the square of the root mean square roughness Rq. In other words, Rsk means a degree of distortion (asymmetry) and is an index showing the symmetry of the peak and valley with respect to the average line (see the broken line in FIG. 5 (b)), It is called. 5 (a) is a conceptual diagram showing the concept of a root-mean-square roughness Rq. Rq is obtained by the following equation (1), and the root mean square value Z (x) It is an index indicating the square root. As shown in Fig. 5 (a), 1 represents the reference length of repetition of the crests and valleys along the main surface. 5 (b) is a conceptual diagram showing the concept of Rsk, and Rsk is obtained by the following equation (2).

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, Rsk는, 그 값에 의해 파선으로 나타내는 평균 선에 대하여 하기의 같은 성질을 갖는다. As shown in Fig. 5 (b), Rsk has the following properties with respect to the average line indicated by the broken line by its value.

Rsk=0: 평균 선에 대하여 대칭(정규 분포) Rsk = 0: Symmetric with respect to the average line (normal distribution)

Rsk>0: 평균 선에 대하여 하측으로 치우쳐 있음 Rsk> 0: offset to the lower side of the average line

Rsk<0: 평균 선에 대하여 상측으로 치우쳐 있음Rsk <0: offset toward the average line

Rsk가 0보다도 큰 값을 취함으로써, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판이 금속이나 절연체와의 플레이트와 접촉 박리하는 면적이 감소되어, 유리 기판의 정전기 대전을 저감할 수 있다.As Rsk takes a value larger than 0, the area of contact between the glass substrate and the plate with the metal or the insulator is reduced, as shown in Fig. 5 (b), and the electrostatic charge of the glass substrate can be reduced .

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, Rsk가 0보다도 크고, 1.5보다도 작은 것이 바람직하다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, Rsk is preferably larger than 0 and smaller than 1.5.

Rsk가 0보다도 크면, 접촉 면적이 줄어, 정전기의 대전을 저감할 수 있고, Rsk가 1.5보다도 작으면, 유리 기판의 표면에 칩핑이 생기기 어렵게 할 수 있다.If Rsk is larger than 0, the contact area is reduced and electrostatic charge can be reduced. If Rsk is less than 1.5, chipping can be prevented from occurring on the surface of the glass substrate.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 표면 성상의 산술 평균 조도 Ra가 1nm보다도 크고, 3.0nm 이하인 것이 바람직하다. Ra는, 기준 길이 l에 있어서, Z(x)의 절댓값의 평균을 나타내는 지표이다.The arithmetic average roughness Ra of the surface property of the glass substrate for display of the present embodiment is preferably larger than 1 nm and not larger than 3.0 nm. Ra is an index indicating the average of the absolute values of Z (x) at the reference length l.

Ra가 1nm보다도 크면, 정전기의 대전을 저감할 수 있다.When Ra is larger than 1 nm, static charge can be reduced.

또한, Ra가 3.0nm 이하이면, 광의 산란이 적고, 반사광을 저감시켜, 유리의 투명성을 유지할 수 있다.When Ra is 3.0 nm or less, scattering of light is small, reflected light is reduced, and glass transparency can be maintained.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 표면 성상의 제곱 평균 평방근 조도 Rq가 1nm보다도 크고, 5.0nm 이하인 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, Rq는, 기준 길이 l에 있어서, Z(x)의 제곱 평균 평방근을 나타내는 지표이다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, the square-root-mean-square roughness Rq of the surface property is preferably larger than 1 nm and not larger than 5.0 nm. As described above, Rq is an index representing the root mean square of Z (x) in the reference length l.

Rq가 1nm보다도 크면, 정전기의 대전을 저감할 수 있다. 또한, Rq가 5.0nm 이하이면, 광의 산란이 적고, 반사광을 저감시켜, 유리의 투명성을 유지할 수 있다.If Rq is larger than 1 nm, static charge can be reduced. When Rq is 5.0 nm or less, scattering of light is small, reflected light is reduced, and glass transparency can be maintained.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 표면 성상의 최대 높이 조도 Rz가 8 내지 35nm인 것이 바람직하다. Rz는, 기준 길이 l에 있어서, 윤곽 곡선의 산 높이 Zp의 최댓값과 골 깊이 Zv의 최댓값의 합을 나타내는 지표이다. 「산」은 윤곽 곡선의 평균 선(X축)보다 상측(유리 기판측에서 공간측의 방향)의 부분이며, 「골」은 윤곽 곡선의 평균 선(X축)보다 하측(주위의 공간으로부터 유리 기판측을 향하는 방향)의 부분에 상당한다.It is preferable that the maximum height height Rz of the surface property of the glass substrate for display of the present embodiment is 8 to 35 nm. Rz is an index indicating the sum of the maximum value of the peak height Zp of the contour curve and the maximum value of the valley depth Zv at the reference length l. (The X-axis) of the outline curve, and the &quot; bone &quot; is the portion of the outline curve lower than the average line (X-axis) The direction toward the substrate side).

Rz가 8nm 이상이면, 투과율이 오르기 시작한다. 또한, Rz가 35nm 이하이면, 가시광의 λ/4(75nm)보다 작으므로, 광의 산란이 적고, 반사광을 저감시켜, 유리의 투명성을 유지할 수 있다.When Rz is 8 nm or more, the transmittance starts to increase. Further, when Rz is 35 nm or less, the scattering of light is small, the reflected light is reduced, and the transparency of the glass can be maintained since it is smaller than? / 4 (75 nm) of visible light.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 표면 성상의 최대산 높이 Rp가 3 내지 20nm인 것이 바람직하다. Rp는, 기준 길이 l에 있어서, 윤곽 곡선의 산 높이 Zp의 최댓값을 나타내는 지표이다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, the maximum peak height Rp of the surface property is preferably 3 to 20 nm. Rp is an index indicating the maximum value of the mountain height Zp of the contour curve at the reference length l.

Rp가 3nm 이상이면, 정전기의 대전을 저감할 수 있다. 또한, Rp가 20nm 이하이면, 유리 기판의 표면에 칩핑이 생기기 어렵게 할 수 있다.When Rp is 3 nm or more, the charging of static electricity can be reduced. If Rp is 20 nm or less, chipping can be made less likely to occur on the surface of the glass substrate.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 표면 성상의 최대 골 깊이 Rv가 5 내지 15nm인 것이 바람직하다. Rv는, 기준 길이 l에 있어서, 윤곽 곡선의 골 깊이 Zv의 최댓값을 나타내는 지표이다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, it is preferable that the maximum valley depth Rv of the surface property is 5 to 15 nm. Rv is an index indicating the maximum value of the valley depth Zv of the contour curve at the reference length l.

Rv가 5nm 이상이면, 정전기의 대전을 저감할 수 있다. 또한, Rv가 15nm 이하이면, 유리 기판의 표면에 칩핑이 생기기 어렵게 함과 함께, 오염물이 부착되기 어렵게 할 수 있다.When Rv is 5 nm or more, the charging of static electricity can be reduced. When the Rv is 15 nm or less, chipping is less likely to occur on the surface of the glass substrate, and contaminants are less likely to adhere.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 한쪽 유리 표면은, 표면 요철의 면 조도 중심면에서 1.0nm 이상의 높이를 갖는 제1 볼록부가 분산하여 마련되고, 제1 볼록부의 유리 표면의 면적에서 차지하는 면적 비율이 15 내지 40%인 것이 바람직하다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, one glass surface is formed by dispersing a first convex portion having a height of 1.0 nm or more from the center of the surface roughness of the surface concave and convex, and the ratio of the area occupied by the area of the glass surface of the first convex portion Is preferably 15 to 40%.

제1 볼록부의 면적 비율이 15% 이상이면, 유리를 쉽게 자르게 할 수 있고, 제1 볼록부의 면적 비율이 40% 이하이면, 유리의 투명성을 유지할 수 있다.If the area ratio of the first convex portion is 15% or more, the glass can be easily cut. If the area ratio of the first convex portion is 40% or less, transparency of the glass can be maintained.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 한쪽 유리 표면은, 표면 요철의 면 조도 중심면에서 1.5nm 이상의 높이를 갖는 제2 볼록부가 분산하여 마련되고, 제2 볼록부의 유리 표면의 면적에서 차지하는 면적 비율이 5 내지 30%인 것이 바람직하다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, one glass surface is formed by dispersing a second convex portion having a height of 1.5 nm or more on the center of the surface roughness of the surface convexo-concave, and the ratio of the area occupied by the area of the glass surface of the second convex portion Is preferably 5 to 30%.

제2 볼록부의 면적 비율이 5% 이상이면, 유리를 쉽게 자르게 할 수 있고, 제2 볼록부의 면적 비율이 30% 이하이면, 유리의 투명성을 유지할 수 있다.If the area ratio of the second convex portion is 5% or more, the glass can be easily cut. If the area ratio of the second convex portion is 30% or less, transparency of the glass can be maintained.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 유리 기판의 주표면 중 다른 쪽 유리 표면에 반도체 소자가 형성되는 것이 바람직하다.In the glass substrate for a display of the present embodiment, a semiconductor element is preferably formed on the other glass surface of the main surface of the glass substrate.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판의 치수는 특별히 한정되지 않지만, 유리 기판의 박리 대전을 억제시키기 위해서, 대형의 유리 기판에 적합하다. 구체적으로는, 기판 사이즈가 긴 변 2500mm 이상이고, 짧은 변 2200mm 이상인 것이 바람직하고, 긴 변 3130mm 이상이고, 짧은 변 2880mm 이상인 것이 보다 바람직하다.The dimensions of the glass substrate for display of the present embodiment are not particularly limited, but they are suitable for a large glass substrate in order to suppress peeling electrification of the glass substrate. Specifically, it is preferable that the substrate size is longer than 2500 mm, shorter side is 2200 mm or longer, more preferably longer side is 3130 mm or longer, and shorter side is 2880 mm or longer.

판 두께에 대해서도 특별히 한정되지 않지만, 유리 기판의 박리 대전을 억제시키기 때문에, 박판의 유리 기판에 적합하다. 구체적으로는, 1.0mm 이하인 것이 바람직하고, 0.75mm 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.45mm 이하인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the plate is not particularly limited, but it is suitable for a thin glass substrate because it suppresses peeling electrification of the glass substrate. Specifically, it is preferably 1.0 mm or less, more preferably 0.75 mm or less, and further preferably 0.45 mm or less.

본 실시 형태의 디스플레이용 유리 기판은, 무알칼리 유리인 것이 바람직하다.The display glass substrate of the present embodiment is preferably an alkali-free glass.

무알칼리 유리는, 하기 산화물 기준의 질량 백분율 표시로, SiO2를 50 내지 73%, Al2O3을 10.5 내지 24%, B2O3을 0.1 내지 12%, MgO를 0 내지 8%, CaO를 0 내지 14.5%, SrO를 0 내지 24%, BaO를 0 내지 13.5%, ZrO2를 0 내지 5% 함유하고, 또한, MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량(MgO+CaO+SrO+BaO)이 8 내지 29.5%인 것이 바람직하다.The alkali-free glass, to a weight percentage display of the oxide basis, 50 to 73%, Al 2 O 3 of 10.5 to 24%, B 2 O 3 from 0.1 to 12%, the MgO 0 to 8% of SiO 2, CaO (MgO + CaO + SrO + BaO) of 0 to 14.5%, 0 to 24% of SrO, 0 to 13.5% of BaO and 0 to 5% of ZrO 2 , Is preferably 8 to 29.5%.

또한, 무알칼리 유리는, 하기 산화물 기준의 질량 백분율 표시로, SiO2를 58 내지 66%, Al2O3을 15 내지 22%, B2O3을 5 내지 12%, MgO를 0 내지 8%, CaO를 0 내지 9%, SrO를 3 내지 12.5%, BaO를 0 내지 2% 함유하고, 또한, MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량(MgO+CaO+SrO+BaO)이 9 내지 18%인 것이 바람직하다.Further, the alkali-free glass, in weight percentages shown below oxide basis, 58 to 66% of SiO 2, Al 2 O 3 of 15 to 22%, B 2 O 3 5 to 12%, the MgO 0 to 8% , MgO, CaO, SrO and BaO in an amount of 9 to 18% (MgO + CaO + SrO + BaO), CaO in an amount of 0 to 9%, SrO in an amount of 3 to 12.5% and BaO in an amount of 0 to 2% .

또한, 무알칼리 유리는, 하기 산화물 기준의 질량 백분율 표시로, SiO2를 54 내지 73%, Al2O3를 10.5 내지 22.5%, B2O3을 0.1 내지 5.5%, MgO를 0 내지 8%, CaO를 0 내지 9%, SrO를 0 내지 16%, BaO를 0 내지 2.5% 함유하고, 또한, MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량(MgO+CaO+SrO+BaO)이 8 내지 26%인 것이 바람직하다.The alkali-free glass preferably contains 54 to 73% of SiO 2 , 10.5 to 22.5% of Al 2 O 3 , 0.1 to 5.5% of B 2 O 3 , 0 to 8% of MgO, (MgO + CaO + SrO + BaO) of from 0 to 9%, CaO to 0 to 9%, SrO to 0 to 16% and BaO to 0 to 2.5% .

[디스플레이용 유리 기판의 제조 방법][Manufacturing method of glass substrate for display]

이어서, 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법 구성예에 대하여 설명한다.Next, a constitutional example of the manufacturing method of a glass substrate for a display of the present invention will be described.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법의 설명도이며, 열 처리 장치의 일구성예를 도시한 모식도이다.Fig. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing method of a glass substrate for a display according to an embodiment of the present invention, and is a schematic diagram showing an example of the construction of a heat treatment apparatus. Fig.

도 1에 도시하는 열 처리 장치(60)에 있어서, 판유리(20)는 화살표 방향으로 반송된다. 반송 수단은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 도시하지 않은 반송 롤이다. 또한, 열처리 장치(60) 및 후술하는 열 처리 장치(62)는 도시하지 않은 히터를 구비한다.In the heat treatment apparatus 60 shown in Fig. 1, the plate glass 20 is conveyed in the direction of the arrow. The conveying means is not particularly limited, but is, for example, a conveying roll not shown. The heat treatment apparatus 60 and a heat treatment apparatus 62 described later are provided with a heater (not shown).

여기서, 판유리(20)의 하면(22)이 디스플레이용 유리 기판에 있어서의 반도체 소자 형성면이고, 판유리(20)의 상면(24)이 반도체 소자 형성면의 반대측의 유리 표면이고, 상술한 바와 같이, 반도체 소자 형성 시에는, 흡착 스테이지 상에 진공 흡착에 의해 고정된다.Here, the lower surface 22 of the plate glass 20 is the semiconductor element formation surface in the glass substrate for display, the upper surface 24 of the plate glass 20 is the glass surface opposite to the semiconductor element formation surface, , And when the semiconductor element is formed, it is fixed on the adsorption stage by vacuum adsorption.

도 1에 도시하는 열 처리 장치(60)는, 인젝터(70)를 갖고 있다. 인젝터(70)의 공급구(71)로부터 판유리(20)의 상면(24)에 분사된 기체는, 판유리(20)의 이동 방향에 대하여 순방향 또는 역방향의 유로(74)를 이동하고, 배기구(75)로 유출한다.The heat treatment apparatus 60 shown in FIG. 1 has an injector 70. The gas injected from the supply port 71 of the injector 70 onto the upper surface 24 of the plate glass 20 moves the forward or reverse flow path 74 with respect to the moving direction of the plate glass 20, ).

도 1에 도시한 인젝터(70)는, 공급구(71)로부터 배기구(75)로의 가스의 흐름이 판유리(20)의 이동 방향에 대하여 순방향과 역방향으로 균등하게 나뉘는 양쪽 설겆이대 타입의 인젝터이다.The injector 70 shown in Fig. 1 is a large-sized injector in which the flow of gas from the supply port 71 to the exhaust port 75 is evenly divided in forward and reverse directions with respect to the moving direction of the plate glass 20.

도 2는, 열 처리 장치가 다른 일구성예를 도시한 모식도이다. 도 2에 도시하는 열처리 장치(62)은 인젝터(80)을 갖고 있다. 인젝터(80)은 편측 방류 타입의 인젝터이다. 편측 방류 타입의 인젝터란, 공급구(81)로부터 배기구(85)에의 가스의 흐름이 판유리(20)의 이동 방향에 대하여 순방향 또는 역방향의 어느 것으로 고정되는 인젝터이다. 도 2에 도시하는 인젝터(80)는, 공급구(81)로부터 배기구(85)로의 유로(84)가 판유리(20)의 이동 방향에 대하여 순방향이다. 단, 이것에 한정되지 않고, 공급구(81)로부터 배기구(85)로의 유로(84)가 판유리(20)의 이동 방향에 대하여 역방향이어도 된다.2 is a schematic diagram showing another example of the structure of the heat treatment apparatus. The heat treatment apparatus 62 shown in FIG. 2 has an injector 80. The injector 80 is an unidirectional-flow-type injector. An unidirectional-flow-type injector is an injector in which the flow of gas from the supply port 81 to the discharge port 85 is fixed to either the forward direction or the reverse direction with respect to the moving direction of the plate glass 20. The injector 80 shown in Fig. 2 has a forward flow path 84 from the supply port 81 to the discharge port 85 with respect to the moving direction of the plate glass 20. However, the present invention is not limited to this, and the flow path 84 from the supply port 81 to the exhaust port 85 may be reversed with respect to the moving direction of the plate glass 20.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법에서는, 인젝터(70, 80)의 공급구(71, 81)로부터 판유리(20)의 상면(24)에 대하여 불화 수소(HF)를 함유하는 기체를 공급한다.In the method of manufacturing a glass substrate for a display of the present invention, a gas containing hydrogen fluoride (HF) is supplied to the upper surface 24 of the plate glass 20 from the supply ports 71 and 81 of the injectors 70 and 80 .

이에 의해, 반도체 소자 형성면의 반대측 유리 표면 근방의 불소 농도가, 유리 기판 내부의 불소 농도에 비하여 높아지고, 유리 기판과, 흡착 스테이지의 일함수의 차가 작아져, 유리 기판의 박리 대전을 억제할 수 있다.As a result, the fluorine concentration in the vicinity of the glass surface on the opposite side of the semiconductor element formation surface becomes higher than the fluorine concentration in the glass substrate, and the difference in work function between the glass substrate and the absorption stage becomes small, have.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법에서는, HF를 함유하는 기체를 공급할 때의 유리 표면 온도, 즉, 판유리(20)의 상면(24)의 온도를 500 내지 900℃로 한다. 유리 표면 온도를 500℃ 이상으로 함으로써 이하의 효과를 발휘한다.In the method for producing a glass substrate for a display according to the present invention, the glass surface temperature at the time of supplying a gas containing HF, that is, the temperature of the upper surface 24 of the glass plate 20 is 500 to 900 캜. By setting the glass surface temperature at 500 占 폚 or higher, the following effects are exhibited.

불소가 유리 표면 근방에 침입하고, 유리 표면 근방의 불소 농도가, 유리 기판 내부의 불소 농도에 비하여 높아진다. 유리 표면 온도는 550℃ 이상이 보다 바람직하고, 600℃ 이상이 더욱 바람직하다.Fluorine invades into the vicinity of the glass surface, and the fluorine concentration near the glass surface becomes higher than the fluorine concentration inside the glass substrate. The glass surface temperature is more preferably 550 DEG C or more, and more preferably 600 DEG C or more.

또한, 유리 표면 온도를 900℃ 이하로 함으로써 이하의 효과를 발휘한다.Further, by setting the glass surface temperature to 900 占 폚 or less, the following effects are exhibited.

유리 표면의 표면 조도 Ra가 너무 커지는 것을 억제하고, 균일한 표면 형상을 형성한다. 유리 표면 온도는 850℃ 이하가 보다 바람직하고, 800℃ 이하가 더욱 바람직하다.The surface roughness Ra of the glass surface is prevented from becoming too large, and a uniform surface shape is formed. The glass surface temperature is more preferably 850 DEG C or less, and further preferably 800 DEG C or less.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법에서는, HF를 함유하는 기체는, 열 처리 장치(60, 62)의 인젝터(70, 80) 등의 설비의 부식 방지의 관점에서, 질소(N2)나 희가스와 같은 불활성 가스를 캐리어 가스로서 사용하고, 이들 캐리어 가스와의 혼합 가스로서 판유리(20)의 상면(24)에 공급한다.In the method for producing a glass substrate for a display according to the present invention, the gas containing HF is preferably added with nitrogen (N 2 ) or the like from the viewpoint of preventing corrosion of facilities such as the injectors 70 and 80 of the heat treatment apparatuses 60 and 62 An inert gas such as a rare gas is used as a carrier gas and supplied to the upper surface 24 of the plate glass 20 as a mixed gas with these carrier gases.

인젝터(70, 80)의 공급구(71, 81)로부터 공급하는 HF를 함유하는 기체의 HF 농도를 0.5 내지 30vol%로 한다. HF 농도를 0.5vol% 이상으로 함으로써 이하의 효과를 발휘한다.The HF concentration of the HF-containing gas supplied from the supply ports 71 and 81 of the injectors 70 and 80 is 0.5 to 30 vol%. By setting the HF concentration to 0.5 vol% or more, the following effects are exhibited.

불소가 유리 표면 근방에 침입하고, 유리 표면 근방의 불소 농도가, 유리 기판 내부의 불소 농도에 비하여 높아진다.Fluorine invades into the vicinity of the glass surface, and the fluorine concentration near the glass surface becomes higher than the fluorine concentration inside the glass substrate.

HF 농도는 2vol% 이상이 보다 바람직하고, 4vol% 이상이 더욱 바람직하다.The HF concentration is more preferably 2 vol% or more, and still more preferably 4 vol% or more.

또한, HF 농도를 30vol% 이하로 함으로써 이하의 효과를 발휘한다.Further, by setting the HF concentration to 30 vol% or less, the following effects are exhibited.

유리 표면과 HF의 반응에 의해 형성되는 유리 표면의 결함이 발생하는 것을 억제하고, 유리 기판의 강도가 저하되는 것을 억제할 수 있다. HF 농도는 26vol% 이하가 보다 바람직하고, 22vol% 이하가 더욱 바람직하다.It is possible to suppress the occurrence of defects on the glass surface formed by the reaction of HF with the glass surface and to suppress the decrease of the strength of the glass substrate. The HF concentration is more preferably 26 vol% or less, and still more preferably 22 vol% or less.

인젝터(70, 80)의 공급구(71, 81)와 판유리(20)의 상면(24)의 거리 D는, 바람직하게는 5 내지 50mm이다. 거리 D는, 보다 바람직하게는 8mm 이상이다. 또한, 거리 D는, 보다 바람직하게는 30mm 이하, 더욱 바람직하게는 20mm 이하이다. 거리 D를 5mm 이상으로 함으로써, 예를 들어 지진 등에 의해 판유리(20)가 진동해도, 판유리(20)의 상면(24)과 인젝터(70, 80)의 접촉을 피할 수 있다. 한편, 거리 D를 50mm 이하로 함으로써, 기체가 장치 내부로 확산하는 것을 억제하고, 원하는 가스량에 대하여, 판유리(20)의 상면(24)에 충분한 양의 가스를 도달시킬 수 있다.The distance D between the supply openings 71 and 81 of the injectors 70 and 80 and the upper surface 24 of the plate glass 20 is preferably 5 to 50 mm. The distance D is more preferably 8 mm or more. Further, the distance D is more preferably 30 mm or less, further preferably 20 mm or less. By making the distance D 5 mm or more, contact between the upper surface 24 of the plate glass 20 and the injectors 70 and 80 can be avoided even if the plate glass 20 vibrates due to an earthquake or the like. On the other hand, by setting the distance D to 50 mm or less, the gas can be prevented from diffusing into the device, and a sufficient amount of gas can reach the upper surface 24 of the plate glass 20 with respect to a desired amount of gas.

인젝터(70, 80)의 판유리(20)의 이동 방향의 거리 L은, 바람직하게는 100 내지 500mm이다. 거리 L은, 보다 바람직하게는 150mm 이상, 더욱 바람직하게는 200mm 이상이다. 또한, 거리 L은, 보다 바람직하게는 450mm 이하, 더욱 바람직하게는 400mm 이하이다. 거리 L을 100mm 이상으로 함으로써, 공급구(71, 81)와 배기구(75, 85)를 설치할 수 있다. 특히, 인젝터(70)의 거리 L은 150mm 이상, 인젝터(80)의 거리 L은 100mm 이상인 것이 바람직하다. 한편, 거리 L을 500mm 이하로 함으로써, 인젝터(70, 80)에 의한 판유리(20)의 탈 열량을 억제할 수 있기 때문에, 복수의 히터의 출력을 억제할 수 있다.The distance L of the injectors 70 and 80 in the moving direction of the plate glass 20 is preferably 100 to 500 mm. The distance L is more preferably 150 mm or more, and still more preferably 200 mm or more. The distance L is more preferably 450 mm or less, and further preferably 400 mm or less. By setting the distance L to 100 mm or more, the supply ports 71 and 81 and the exhaust ports 75 and 85 can be provided. In particular, the distance L of the injector 70 is preferably 150 mm or more, and the distance L of the injector 80 is preferably 100 mm or more. On the other hand, by setting the distance L to 500 mm or less, it is possible to suppress the heat amount of the plate glass 20 by the injectors 70, 80, and thus the output of a plurality of heaters can be suppressed.

인젝터(70, 80)의 판유리(20)의 폭 방향의 거리는, 판유리(20)의 해당 방향의 제품 영역 이상의 거리를 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 온라인 처리로서 실시하는 경우, 바람직하게는 3000mm 이상, 보다 바람직하게는 4000mm 이상이다.It is preferable that the distance in the width direction of the plate glass 20 of the injectors 70 and 80 is longer than the product area in the corresponding direction of the plate glass 20. [ When the method for producing a glass substrate for a display according to the present invention is carried out as online processing, it is preferably at least 3000 mm, more preferably at least 4000 mm.

또한, HF를 함유하는 기체의 유속(선속도)은, 바람직하게는 20 내지 300cm/s이다. 유속(선속도)을 20cm/s 이상으로 함으로써, HF를 함유하는 기체의 기류가 안정되어, 유리 표면을 균일하게 처리할 수 있다. 유속(선속도)은, 보다 바람직하게는 50cm/s 이상, 더욱 바람직하게는 80cm/s 이상이다.The flow rate (linear velocity) of the gas containing HF is preferably 20 to 300 cm / s. By setting the flow velocity (linear velocity) to 20 cm / s or more, the air flow of the gas containing HF is stabilized, and the glass surface can be treated uniformly. The flow velocity (linear velocity) is more preferably 50 cm / s or more, and still more preferably 80 cm / s or more.

또한, 후술하는 바와 같이, 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 온라인 처리로서 실시하는 경우, 유속(선속도)을 300cm/s 이하로 함으로써, 기체가 서냉 장치의 내부로 확산하는 것을 억제한 상태에서, 유리 리본의 톱면에 충분한 양의 가스를 도달시킬 수 있다. 유속(선속도)은, 보다 바람직하게는 250cm/s 이하, 더욱 바람직하게는 200cm/s 이하이다.As described later, when the method for producing a glass substrate for a display according to the present invention is carried out as on-line treatment, the flow velocity (linear velocity) is set to 300 cm / s or less to suppress diffusion of gas into the inside of the gradual cooling apparatus A sufficient amount of gas can reach the top surface of the glass ribbon. The flow velocity (linear velocity) is more preferably 250 cm / s or less, and still more preferably 200 cm / s or less.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법은 온라인 처리로서 실시해도 되고, 오프라인 처리로서 실시해도 된다. 본 명세서에 있어서의 「온라인 처리」란, 플로트법이나 다운드로우법 등으로 성형된 유리 리본을 서냉하는 서냉 과정에 있어서, 본 발명의 방법을 적용하는 경우를 가리킨다. 한편, 「오프라인 처리」란, 성형되어 원하는 크기로 절단된 판유리에 대하여 본 발명의 방법을 적용하는 경우를 가리킨다. 따라서, 본 명세서에 있어서의 판유리는, 성형되어 원하는 크기로 커트된 판유리에다가, 플로트법이나 다운드로우법 등으로 성형된 유리 리본도 포함한다.The manufacturing method of the glass substrate for a display of the present invention may be performed as online processing or as offline processing. The &quot; on-line processing &quot; in the present specification refers to a case where the method of the present invention is applied in the slow cooling process in which the glass ribbon formed by the float method or the down-draw method is slowly cooled. On the other hand, &quot; offline processing &quot; refers to a case where the method of the present invention is applied to a plate glass which is formed and cut to a desired size. Therefore, the plate glass in this specification includes a glass ribbon molded by a float method or a down-draw method in addition to a plate glass cut into a desired size.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법은 온라인 처리로서 실시하는 것이 이하의 이유로 바람직하다.The process for producing a glass substrate for a display of the present invention is preferably carried out as online processing for the following reasons.

오프라인 처리라면, 공정을 증가시킬 필요가 있는 데 비해, 온라인 처리라면, 공정을 증가시킬 필요가 없으므로, 저비용으로 처리가 가능하게 된다. 또한, 오프라인 처리라면, HF를 함유하는 기체가, 유리 기판 사이에서, 유리 기판의 반도체 소자 형성면으로 돌아 들어가는 데 비해, 유리 리본의 온라인 처리라면, HF를 함유하는 기체가 돌아서 들어가는 것을 억제할 수 있다.If the process is offline, it is necessary to increase the process. On the other hand, if the process is on-line, there is no need to increase the process, and the process can be performed at low cost. Further, in the case of off-line processing, the gas containing HF is transferred between the glass substrates to the semiconductor element formation surface of the glass substrate. On the other hand, if the on-line treatment of the glass ribbon is carried out, have.

디스플레이용 유리 기판과 같은 판유리의 제조 수순은, 유리 원료를 용해하고 용융 유리로 하는 용해 공정과, 상기 용해 공정에서 얻어진 용융 유리를 띠 형상으로 성형하여 유리 리본으로 하는 성형 공정과, 상기 성형 공정에서 얻어진 유리 리본을 서냉하는 서냉 공정을 갖는다. 상기 성형 공정으로서는, 플로트법에 의한 플로트 성형 공정, 다운드로우법에 의한 다운드로우 성형 공정을 들 수 있다.A manufacturing process for a plate glass such as a glass substrate for a display includes a melting process in which a glass raw material is dissolved and made into a molten glass, a molding process in which a molten glass obtained in the melting process is molded into a strip to form a glass ribbon, And a slow cooling step of slowly cooling the obtained glass ribbon. Examples of the forming step include a float forming step by the float method and a down-draw forming step by the down-draw method.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 온라인 처리로서 실시하는 경우, 상기 서냉 공정에 있어서, 유리 리본의 톱면에 대하여 HF를 함유하는 기체를 공급한다.In the case where the process for producing a glass substrate for a display of the present invention is carried out as on-line treatment, a gas containing HF is supplied to the top surface of the glass ribbon in the slow cooling process.

도 3은, 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법의 설명도이며, 플로트 유리 제조 장치의 개략을 도시하는 단면도이다.3 is an explanatory diagram of a manufacturing method of a glass substrate for a display according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view schematically showing a float glass production apparatus.

도 3에 도시하는 플로트 유리 제조 장치(100)는, 유리 원료(10)를 용해하고 용융 유리(12)로 하는 용해 장치(200)와, 용해 장치(200)로부터 공급되는 용융 유리(12)을 띠 형상으로 성형하여 유리 리본(14)으로 하는 성형 장치(300)와, 성형 장치(300)로 성형된 유리 리본(14)을 서냉하는 서냉 장치(400)를 구비한다.A float glass manufacturing apparatus 100 shown in Fig. 3 comprises a dissolving apparatus 200 for dissolving a glass raw material 10 into a molten glass 12 and a molten glass 12 supplied from the dissolving apparatus 200 And a slow cooling device 400 for slowly cooling the glass ribbon 14 formed by the molding device 300. The cooling device 400 is a device for cooling the glass ribbon 14,

용해 장치(200)는, 용융 유리(12)를 수용하는 용해조(210)와, 용해조(210) 내에 수용되는 용융 유리(12)의 상방에 화염을 형성하는 버너(220)를 구비한다. 용해조(210) 내에 투입된 유리 원료(10)는, 버너(220)가 형성하는 화염으로부터의 복사열에 의해 용융 유리(12)에 서서히 용입한다. 용융 유리(12)는 용해조(210)로부터 성형 장치(300)에 연속적으로 공급된다.The melting apparatus 200 includes a melting vessel 210 for receiving the molten glass 12 and a burner 220 for forming a flame above the molten glass 12 accommodated in the melting vessel 210. The glass raw material 10 charged into the melting vessel 210 gradually fuses into the molten glass 12 by the radiant heat from the flame formed by the burner 220. The molten glass 12 is continuously supplied from the melting tank 210 to the molding apparatus 300.

성형 장치(300)는, 용융 주석(310)을 수용하는 욕조(320)를 구비한다. 성형 장치(300)는, 용융 주석(310) 상에 연속적으로 공급되는 용융 유리(12)를 용융 주석(310) 상에서 소정 방향으로 유동시킴으로써 띠 형상으로 성형하고, 유리 리본(14)으로 한다. 성형 장치(300) 내의 분위기 온도는, 성형 장치(300)의 입구로부터 출구로 향할수록 저온으로 되어 있다. 성형 장치(300) 내의 분위기 온도는, 성형 장치(300) 내에 설치되는 히터(도시하지 않음) 등으로 조정된다. 유리 리본(14)은 소정 방향으로 유동하면서 냉각되어, 욕조(320) 하류 영역에서 용융 주석(310)으로부터 인상된다. 용융 주석(310)으로부터 인상된 유리 리본(14)은, 리프트아웃 롤(510)에 의해 서냉 장치(400)로 반송된다.The molding apparatus 300 has a bath 320 for receiving the molten tin 310. The molding apparatus 300 forms the glass ribbon 14 by forming a molten glass 12 continuously flowing on the molten tin 310 in a strip shape by flowing the molten glass 12 in a predetermined direction on the molten tin 310. The temperature of the atmosphere in the molding apparatus 300 is lowered from the inlet to the outlet of the molding apparatus 300. The atmospheric temperature in the molding apparatus 300 is adjusted by a heater (not shown) or the like installed in the molding apparatus 300. The glass ribbon 14 is cooled while flowing in a predetermined direction and is pulled up from the molten tin 310 in the region downstream of the bath 320. The glass ribbon 14 pulled up from the molten tin 310 is conveyed to the slow cooling device 400 by the lift-out roll 510.

서냉 장치(400)는, 성형 장치(300)로 성형된 유리 리본(14)을 서냉한다. 서냉 장치(400)는, 예를 들어 단열 구조의 서냉로(410)와, 서냉로(410) 내에 배치되어, 유리 리본(14)을 소정 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤(420)을 포함한다. 서냉로(410) 내의 분위기 온도는, 서냉로(410)의 입구로부터 출구로 향할수록 저온으로 되어 있다. 서냉로(410) 내의 분위기 온도는, 서냉로(410) 내에 설치되는 히터(440) 등으로 조정된다. 서냉로(410)의 출구로부터 반출된 유리 리본(14)은 절단기로 소정의 크기로 절단되어, 제품으로서 출하된다.The gradual cooling apparatus 400 slowly softens the glass ribbon 14 formed by the molding apparatus 300. The slow cooling apparatus 400 includes a slow cooling furnace 410 having a heat insulating structure and a plurality of transport rolls 420 disposed in the annealing furnace 410 and transporting the glass ribbon 14 in a predetermined direction . The ambient temperature in the annealing furnace 410 is lowered from the inlet to the outlet of the annealing furnace 410. The ambient temperature in the annealing furnace 410 is adjusted by the heater 440 or the like installed in the annealing furnace 410. The glass ribbon 14 taken out from the outlet of the gradual cooling path 410 is cut to a predetermined size by a cutter and shipped as a product.

제품으로서 출하되기 전에, 필요에 따라, 유리 기판의 양쪽 표면의 적어도 한쪽을 연마하고, 유리 기판을 세정해도 된다. 또한, 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법은 온라인 처리로서 실시하는 경우, 유리 기판의 반도체 소자 형성면과는 반대측의 유리 표면이, 유리 리본(14)의 톱면에 대응하고, 반도체 소자 형성면이, 유리 리본(14)의 보텀면에 대응한다.At least one of both surfaces of the glass substrate may be polished and the glass substrate may be cleaned before shipment as a product, if necessary. The glass substrate for a display according to the present invention has a glass surface opposite to the semiconductor element formation surface of the glass substrate corresponding to the top surface of the glass ribbon 14, Corresponds to the bottom surface of the glass ribbon 14.

본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법에서는, 반도체 소자 형성면의 반대측 유리 표면 근방의 불소 농도를 유리 기판 내부의 불소 농도에 비하여 높게 함으로써, 유리 기판과, 흡착 스테이지의 일함수의 차를 작게 하고, 유리 기판의 박리 대전을 억제하기 위해서, 연마를 실시하는 경우에는 유리 리본(14)의 보텀면만을 연마하는 것이 바람직하다. 유리 기판의 반도체 소자 형성면은, 산화세륨 수용액을 공급하면서 연마구에 의해 연마한다. 연마 시에, 산화세륨 수용액의 일부는, 유리 기판의 반도체 소자 형성면과는 반대측의 유리 표면으로 돌아 들어가, 슬러리 잔사가 된다.In the method of manufacturing a glass substrate for a display according to the present invention, the fluorine concentration near the glass surface on the opposite side of the semiconductor element formation surface is made higher than the fluorine concentration inside the glass substrate to reduce the difference in work function between the glass substrate and the absorption stage , It is preferable to polish only the bottom surface of the glass ribbon 14 when performing polishing in order to suppress peeling electrification of the glass substrate. The semiconductor element formation surface of the glass substrate is polished by a polishing tool while supplying a cerium oxide aqueous solution. During polishing, a part of the aqueous cerium oxide solution migrates to the glass surface on the side opposite to the semiconductor element formation surface of the glass substrate, and becomes a slurry residue.

유리 기판의 세정은, 예를 들어 샤워 세정, 디스크 브러시를 사용한 슬러리 세정, 샤워 린스에 의해 행하여진다. 슬러리 세정은, 유리 기판의 반도체 소자 형성면과는 반대측의 유리 표면에, 슬러리(예를 들어, 산화세륨 수용액, 탄산칼슘 수용액)를 공급하면서 디스크 브러시로 연마함으로써, 반도체 소자 형성면과는 반대측의 유리 표면에 남아있는 슬러리 잔사를 제거한다.The glass substrate is cleaned by, for example, shower cleaning, slurry cleaning using a disc brush, or shower rinsing. The slurry cleaning is carried out by polishing with a disc brush while supplying a slurry (for example, a cerium oxide aqueous solution or an aqueous solution of calcium carbonate) to the glass surface on the side opposite to the semiconductor element formation surface of the glass substrate, Remove the remaining slurry residue from the glass surface.

도 3에 도시하는 플로트 유리 제조 장치(100)는, 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 온라인 처리로서 실시하기 위해서, 서냉 장치(400) 내의 유리 리본(14)의 상방에 인젝터(70, 80)가 설치되어 있고, 이 인젝터(70, 80)를 사용하여, 유리 리본(14)의 톱면에, 불화 수소(HF)를 함유하는 기체를 공급한다. 또한, 도 1, 2에 나타내는 열 처리 장치(60, 62)는, 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 온라인 처리로서 실시하는 경우, 도 3에 도시하는 서냉 장치(400)에 대응한다.The float glass manufacturing apparatus 100 shown in Fig. 3 is provided with the injectors 70, 70 disposed above the glass ribbon 14 in the gradual cooling apparatus 400 in order to perform the on- And the gas containing hydrogen fluoride (HF) is supplied to the top surface of the glass ribbon 14 by using the injectors 70 and 80. [ The heat treatment apparatuses 60 and 62 shown in Figs. 1 and 2 correspond to the gradual cooling apparatus 400 shown in Fig. 3 when the method for producing a glass substrate for a display of the present invention is carried out as online processing.

또한, 도 3에서는, 인젝터(70, 80)는, 서냉 장치(400) 내에 설치되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 플로트 유리 제조 장치는, HF를 함유하는 기체를 공급할 때의 유리 표면 온도가 500 내지 900℃이면, 인젝터를 성형 장치(300) 내에 설치해도 된다.3, the injectors 70 and 80 are provided in the gradual cooling apparatus 400. However, the float glass manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention is not limited to the glass surface temperature at the time of supplying the gas containing HF The injector may be provided in the molding apparatus 300. [

[실시예][Example]

이하, 본 발명의 실시예 및 비교예에 대하여 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은 이들의 기재에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples and comparative examples of the present invention will be described in detail. The present invention is not limited to these descriptions.

온라인 처리로서, 본 발명의 디스플레이용 유리 기판의 제조 방법을 실시하였다.As the on-line treatment, the manufacturing method of the glass substrate for display of the present invention was carried out.

도 3에 도시하는 플로트 유리 제조 장치(100)를 사용하여, 산화물 기준의 질량 백분율 표시로, SiO2: 59.5%, Al2O3: 17%, B2O3: 8%, MgO: 3.3%, CaO: 4%, SrO: 7.6%, BaO: 0.1%, ZrO2: 0.1%를 함유하고, MgO+CaO+SrO+BaO: 15%이며, 잔부가 불가피적 불순물이고, 알칼리 금속 산화물의 함유량의 합량이 0.1% 이하인, 두께 0.5mm의 무알칼리 유리판을 제조하였다.SiO 2 : 59.5%, Al 2 O 3 : 17%, B 2 O 3 : 8%, MgO: 3.3%, and the like were measured using the float glass manufacturing apparatus 100 shown in FIG. , CaO: 4%, SrO: 7.6%, BaO: 0.1%, ZrO 2: containing 0.1%, MgO + CaO + SrO + BaO: is 15%, the balance being an inevitable impurities, the content of alkali metal oxide An alkali-free glass plate having a thickness of 0.5 mm and a total content of 0.1% or less was prepared.

용해 장치(200)에서 유리 원료(10)를 용해하여 용융 유리(12)로 한 후, 용융 유리(12)를 성형 장치(300)에 공급하고, 용융 유리(12)를 띠 형상으로 성형하여 유리 리본(14)을 얻었다. 성형 장치(300)의 출구로부터 유리 리본(14)을 인출한 후, 서냉 장치(400) 내에서 서냉하였다.The molten glass 12 is melted into the molten glass 12 in the dissolving apparatus 200 and then the molten glass 12 is supplied to the molding apparatus 300 to form the molten glass 12 into a belt shape, The ribbon 14 was obtained. After the glass ribbon 14 is drawn out from the outlet of the molding apparatus 300, the glass ribbon 14 is slowly cooled in the gradual cooling apparatus 400.

서냉 장치(400) 내의 유리 리본(14)의 온도가 500℃인 위치에, 유리 리본(14)의 이동 방향의 거리 L이 300mm인 인젝터(70)를 설치하였다.An injector 70 having a distance L of 300 mm in the moving direction of the glass ribbon 14 was provided at a position where the temperature of the glass ribbon 14 in the gradual cooling apparatus 400 was 500 ° C.

도 4는, 실험예 2에 있어서의 인젝터의 슬릿 폭(a), 처리 길이(b), 처리 폭(c)의 관계를 도시한 도면이다. 상기 a(mm), b(mm), c(mm), 및 HF를 포함하는 기체의 유량(L/min), 처리 시간(sec), 선 속도(mm/sec)는 하기에 나타내는 조건으로 하였다.4 is a graph showing the relationship between the slit width (a), the processing length (b), and the processing width (c) of the injector in Experimental Example 2. The flow rate (L / min), the treatment time (sec), and the linear velocity (mm / sec) of the gas including a (mm), b (mm), c .

a: 5mma: 5mm

b: 392mmb: 392 mm

c: 1200mmc: 1200 mm

HF를 포함하는 기체의 유량: 120L/minFlow rate of gas containing HF: 120 L / min

처리 시간: 4secProcessing time: 4 sec

선 속도: 500mm/secLine speed: 500mm / sec

또한, 인젝터(70)의 공급구(71)와 유리판(20)의 상면의 거리 D는, 10mm로 설정하였다.The distance D between the supply port 71 of the injector 70 and the upper surface of the glass plate 20 was set to 10 mm.

또한, HF를 포함하는 기체를 공급 할 때의 유리 표면 온도(표 1 중, 온도라고 기재), HF 농도(vol%)는 하기 표 1에 나타내는 조건으로 하였다. 표 1 중, 예 1 내지 예 4는 실시예, 예 5는 비교예이다.The glass surface temperature (described as temperature in Table 1) and the HF concentration (vol%) at the time of supplying the gas containing HF were set as shown in Table 1 below. In Table 1, Examples 1 to 4 are Examples, and Example 5 is Comparative Example.

얻어진 유리판에 대해서, 이하에 나타내는 평가를 실시하였다.The obtained glass plate was evaluated as follows.

[유리 표면의 표면 성상 파라미터][Surface property parameter of glass surface]

상기 수순으로 얻어진 유리 기판을 폭 5mm×길이 5mm로 절단하고, 유리 기판의 유리 표면의 변형도 Rsk, 산술 평균 조도 Ra, 제곱 평균 평방근 조도 Rq, 최대 높이 조도 Rz, 최대 산 높이 Rp, 최대 골 깊이 Rv(규격 번호 JIS B0601: 2013, 규격 명칭은 제품의 기하 특성 수단(GPS)-표면 성상: 윤곽 곡선 방식-용어, 정의 및 표면 성상 파라미터)를 이하의 방법으로 측정하였다. 유리 기판의 유리 표면을, 원자간력 현미경(제품명: SPI-3800N, 세이코 인스트루먼츠사제)을 사용하여 관찰하였다. 캔틸레버는, SI-DF40P2를 사용하였다. 관찰은, 스캔 에어리어 5㎛×5㎛에 대하여 다이내믹·포스·모드를 사용하여, 스캔 레이트 1Hz로 행하였다(에어리어 내 데이터 수: 256×256). 이 관찰에 기초하여, 각 측정점에서의 표면 성상 파라미터를 산출하였다. 계산 소프트웨어는, 원자간력 현미경에 부속된 소프트웨어(소프트웨어명: SPA-400)를 사용하였다.The glass substrate obtained by the above procedures was cut into a width of 5 mm and a length of 5 mm and the deformation Rsk, the arithmetic average roughness Ra, the square-average square roughness Rq, the maximum height Rz, the maximum mountain height Rp, Rv (Specification No. JIS B0601: 2013, name of the product Geometrical characteristic means (GPS) -Surface property: Contour curve method -Term, Definition and surface property parameter) were measured by the following methods. The glass surface of the glass substrate was observed using an atomic force microscope (product name: SPI-3800N, manufactured by Seiko Instruments Inc.). The cantilever used SI-DF40P2. Observation was performed at a scan rate of 1 Hz (number of data in the area: 256x256) using a dynamic force mode for a scan area of 5 占 퐉 占 5 占 퐉. Based on this observation, surface property parameters at each measurement point were calculated. The calculation software used software (software name: SPA-400) attached to the atomic force microscope.

[유리 기판의 박리 대전량][Peeling electrification amount of glass substrate]

상기 수순으로 얻어진 유리 기판의 박리 대전량을, 이하의 방법으로 측정하였다. 폭 410mm×길이 520mm×두께 0.5mm의 유리 기판을 SUS304제의 진공 흡착 스테이지에 접촉시킨 후, 유리 기판의 흡착과 해방을 110사이클 반복하였다. 그 후, 진공 흡착 스테이지로부터, 리프트 핀을 사용하여 유리 기판을 박리하였다. 유리 기판이 진공 흡착 스테이지로부터 이격되어서 5cm 상승할 때까지의 표면 전위의 변화를 표면 전위계(제품명: MODEL 341B, 트렉·재팬사제)로 측정하였다. 측정 결과의 피크값을 박리 대전량으로 하였다.The amount of peeling electrification of the glass substrate obtained in the above procedure was measured by the following method. A glass substrate having a width of 410 mm, a length of 520 mm and a thickness of 0.5 mm was brought into contact with a vacuum adsorption stage made of SUS304, and then the adsorption and release of the glass substrate were repeated for 110 cycles. Thereafter, the glass substrate was peeled off from the vacuum adsorption stage using a lift pin. The change in surface potential until the glass substrate rose 5 cm apart from the vacuum adsorption stage was measured with a surface electrometer (product name: MODEL 341B, manufactured by Trek Japan Co.). The peak value of the measurement result was taken as the peeling electrification amount.

또한, 대전성에 대해서는, 대전량의 절댓값이 12kV 이하의 것을 ○, 12kV보다 큰 것을 ×로 하였다. 투명성에 대해서는, 이하의 A와 B를 모두 만족시키는 것을 ○로 하고 그 이외를 ×로 하였다. A: 헤이즈 미터로 0.8% 이하(스가 시껭끼: 터치식 헤이즈 컴퓨터 형식: HZ-1), B: 420nm, 440nm, 500nm, 630nm, 700nm(SHIMADZU: 분광 광도계 UV2600)의 각 파장에서 90% 이상의 분광 투과율을 나타내는 것.With regard to the chargeability, the case where the absolute value of the charge amount was 12 kV or less was rated as &amp; cir &amp; Regarding transparency, those satisfying both of the following A and B were evaluated as &amp; cir &amp; A: 90% or more of spectroscopy at each wavelength of a haze meter of 0.8% or less (Sugashikuchi: touch type haze computer model: HZ-1), B: 420 nm, 440 nm, 500 nm, 630 nm, 700 nm (SHIMADZU: spectrophotometer UV2600) It represents transmittance.

Figure pat00003
Figure pat00003

실시예의 유리 기판에 대해서는, 대전성, 투명성에 대하여 양호한 결과가 얻어졌지만, 비교예의 유리 기판에 대해서는 대전성, 투명성 중 어느 것에 대해서도 양호한 결과를 얻을 수 없었다.Good results were obtained with respect to the chargeability and transparency of the glass substrates of the examples, but good results were not obtained with respect to the chargeability and transparency of the glass substrates of the comparative examples.

본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시 양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 여러가지 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은, 당업자에 있어서 명확하다. 본 출원은, 2017년 12월 18일 출원의 일본 특허 출원2017-242075에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.Although the present invention has been described in detail with reference to specific embodiments thereof, it is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. The present application is based on Japanese Patent Application 2017-242075 filed on December 18, 2017, the contents of which are incorporated herein by reference.

10: 유리 원료
12: 용융 유리
14: 유리 리본
20: 판유리
22: 하면
24: 상면
60, 62: 열 처리 장치
70, 80: 인젝터
71, 81: 공급구
74, 84: 유로
75, 85: 배기구
100: 플로트 유리 제조 장치
200: 용해 장치
210: 용해조
220: 버너
300: 성형 장치
310: 용융 주석
320: 욕조
400: 서냉 장치
410: 서냉로
420: 반송 롤
440: 히터
510: 리프트아웃 롤
10: Glass raw material
12: molten glass
14: Glass ribbon
20: Plate glass
22: When you
24: upper surface
60, 62: Heat treatment apparatus
70, 80: injector
71, 81: supply port
74, 84: Euro
75, 85: Exhaust port
100: Float glass manufacturing apparatus
200: dissolution apparatus
210:
220: Burner
300: forming device
310: molten tin
320: Bathtub
400: slow cooling device
410: slow cooling
420: conveying roll
440: Heater
510: Lift-out roll

Claims (10)

유리 기판의 주표면 중 한쪽 유리 표면은, 그 표면 성상이, 산부와 골부의 대칭성을 나타내는 변형도 Rsk가 0보다도 큰 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.Wherein a glass surface of one of the main surfaces of the glass substrate has a deformation Rsk showing a symmetry of a peak and a valley in the surface property thereof is larger than zero. 제1항에 있어서, 상기 변형도 Rsk가 0보다도 크고, 1.5보다도 작은 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass substrate for a display according to claim 1, wherein the deformation Rsk is larger than 0 and smaller than 1.5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면 성상의 산술 평균 조도 Ra가 1nm보다도 크고, 3.0nm 이하인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass substrate for a display according to claim 1 or 2, wherein the arithmetic average roughness Ra of the surface property is larger than 1 nm and smaller than 3.0 nm. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 성상의 제곱 평균 평방근 조도 Rq가 1nm보다도 크고, 5.0nm 이하인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass substrate for a display according to any one of claims 1 to 3, wherein the square mean square roughness Rq of the surface property is larger than 1 nm and smaller than 5.0 nm. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 성상의 최대 높이 조도 Rz가 8 내지 35nm인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass substrate for a display according to any one of claims 1 to 4, wherein a maximum height Rz of the surface property is 8 to 35 nm. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 성상의 최대 산 높이 Rp가 3 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass substrate for a display according to any one of claims 1 to 5, wherein the maximum peak height Rp of the surface property is 3 to 20 nm. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 성상의 최대 골 깊이 Rv가 5 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass substrate for a display according to any one of claims 1 to 6, wherein a maximum valley depth Rv of the surface property is 5 to 15 nm. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 한쪽 유리 표면은, 표면 요철의 면 조도 중심면에서 1.0nm 이상의 높이를 갖는 제1 볼록부가 분산하여 마련되고, 상기 제1 볼록부의 상기 유리 표면의 면적에서 차지하는 면적 비율이 15 내지 40%인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass sheet according to any one of claims 1 to 7, wherein the one glass surface is provided with a first convex portion having a height of 1.0 nm or more on the surface of the convexo-concave surface, Wherein the ratio of the area occupied by the surface area is 15 to 40%. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 한쪽 유리 표면은, 표면 요철의 면 조도 중심면에서 1.5nm 이상의 높이를 갖는 제2 볼록부가 분산하여 마련되고, 상기 제2 볼록부의 상기 유리 표면의 면적에서 차지하는 면적 비율이 5 내지 30%인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 유리 기판.The glass sheet according to any one of claims 1 to 8, wherein the one glass surface is provided by dispersing a second convex portion having a height of 1.5 nm or more on a surface roughness center plane of the surface convexo-concaves, Wherein the ratio of the area occupied by the surface area is 5 to 30%. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리 기판의 주표면 중 다른 쪽 유리 표면에 반도체 소자가 형성되는, 디스플레이용 유리 기판.
The glass substrate for a display according to any one of claims 1 to 9, wherein a semiconductor element is formed on the other glass surface of the main surface of the glass substrate.
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