KR20190071428A - Liquid crystal cell - Google Patents

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KR20190071428A KR1020170172478A KR20170172478A KR20190071428A KR 20190071428 A KR20190071428 A KR 20190071428A KR 1020170172478 A KR1020170172478 A KR 1020170172478A KR 20170172478 A KR20170172478 A KR 20170172478A KR 20190071428 A KR20190071428 A KR 20190071428A
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Abstract

The present application relates to a liquid crystal cell and a use thereof. More particularly, the present application may provide a liquid crystal cell in which a scattering mode delay phenomenon partially occurring when applying a voltage for switching from a transmission mode to a scattering mode is reduced; and a use of the liquid crystal cell. The liquid crystal cell may be applied to various light modulators such as a smart window, a window protective film, a flexible display device, a transparent display shading plate, an active retarder for 3D image display, or a viewing angle adjusting film, etc.

Description

액정셀{LIQUID CRYSTAL CELL}Liquid crystal cell {LIQUID CRYSTAL CELL}

본 출원은 액정셀 및 이의 용도에 관한 것이다.The present application relates to a liquid crystal cell and its use.

통상 투과 모드 소자는 예를 들어 외부 작용이 없는 상태에서는 투과 모드가 구현되고, 외부 작용 하에 차단 모드로 전환되며, 외부 작용이 제거되면 다시 투과 모드로 전환되는 소자이다.A normal transmission mode element is a device in which a transmission mode is realized in the absence of an external action, a switching mode is switched to an interrupting mode under an external action, and the transmission mode is switched to a transmission mode again when an external action is removed.

특허문헌 1에는 투과 모드와 산란 모드 사이의 가변이 가능한 통상 투과 모드 소자가 개시되어 있다. 특허문헌 1의 소자는 액정 내에 전도도 조절제를 첨가함으로써, 전압 비인가 시에 투과 모드에서 전압 인가 시 산란 모드로 구동하면서 차단 모드로 작동하게 된다. Patent Document 1 discloses a normal transmission mode element capable of varying between a transmission mode and a scattering mode. The device of Patent Document 1 operates in the cut-off mode while driving in the scattering mode when voltage is applied in the transmission mode when the voltage is not applied, by adding the conductivity adjusting agent in the liquid crystal.

그러나, 특허문헌 1의 액정 내에 전도도 조절제가 첨가된 통상 투과 모드 소자는 액정 내에 전도도 조절제의 첨가로 인해 대면적 구동 시에 IR Drop(Current & Resistor Drop)에 의해 전극에서 멀어진 영역은 낮은 전압이 걸리게 되고, 이로 인해 일정 영역에서 산란모드가 지연되어 육안으로 시인되는 문제가 있어, 상기 문제점을 보완할 수 있는 통상 투과 모드 소자의 개발이 필요한 실정이다.However, in the conventional transmission mode device in which the conductivity adjusting agent is added to the liquid crystal of Patent Document 1, the area away from the electrode due to addition of the conductivity adjusting agent in the liquid crystal due to IR drop (Current & Resistor Drop) Therefore, there is a problem that the scattering mode is delayed in a certain region and visually recognized. Therefore, it is necessary to develop a conventional transmission mode device which can solve the above problems.

한국공개특허 제2016-0115428호Korean Patent Publication No. 2016-0115428

본 출원은 통상 투과 모드이고, 산란 모드로 전환하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선한 액정셀 및 이의 용도를 제공하는 것이다.The present application is to provide a liquid crystal cell in which the scattering mode delay phenomenon, which is normally generated in a transmission mode and partially occurs when a voltage is applied to switch to a scattering mode, is improved, and its use.

본 출원은 액정셀에 관한 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조로 본 출원의 액정셀을 설명하며, 첨부된 도면은 예시적인 것으로, 본 출원의 액정셀이 첨부된 도면에 제한되는 것은 아니다.This application relates to a liquid crystal cell. Hereinafter, the liquid crystal cell of the present application will be described with reference to the accompanying drawings, and the attached drawings are illustrative, and the liquid crystal cell of the present application is not limited to the attached drawings.

도 1 내지 도 4는 각각 본 출원의 일 실시예에 따른 액정셀을 예시적으로 나타낸다. 도 1 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 액정셀은 제 1 기판(100), 액정층(200) 및 제 2 기판(300)을 순차로 포함한다.Figs. 1 to 4 respectively illustrate a liquid crystal cell according to an embodiment of the present application. 1 to 4, the liquid crystal cell includes a first substrate 100, a liquid crystal layer 200, and a second substrate 300 sequentially.

상기 액정셀은 통상 투과 모드 소자를 구현할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「통상 투과 모드 소자」는 외부 작용이 없는 상태(즉, 초기 상태 또는 통상 상태)에서는 투과 모드가 구현되고, 외부 작용 하에 산란 모드로 전환되며, 외부 작용이 제거되면 다시 투과 모드로 전환되는 소자를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「외부 작용」은 액정 화합물의 정렬을 변경시킬 수 있도록 수행되는 모든 종류의 작용을 의미하고, 대표적인 예로는 전압의 인가가 있다.The liquid crystal cell may be a transmissive mode device. In this specification, the term " normal transmission mode element " means that a transmission mode is realized in a state in which there is no external action (i.e., an initial state or a normal state) and is switched to a scattering mode under external action. May be referred to as a switching device. As used herein, the term " external action " refers to all kinds of actions performed to change the alignment of a liquid crystal compound, and representative examples include the application of a voltage.

상기 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 배향막(130, 330)을 포함한 상태에서 표면 조도(Ra)가 30 nm 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 배향막(130, 330)을 포함한 상태에서 표면 조도가 31 nm 이상, 32 nm 이상, 33 nm 이상, 34 nm 이상 또는 35 nm 이상일 수 있다. 상기 표면 조도의 상한은 100 nm 이하, 90 nm 이하, 80 nm 이하, 70 nm 이하, 60 nm 이하, 50 nm 이하, 45 nm 이하 또는 43 nm 이하일 수 있다. 상기 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 배향막(130, 330)을 포함한 상태에서 표면 조도(Ra)가 전술한 범위를 만족함으로써, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시에 비반응성 액정의 움직임을 개선할 수 있으므로, 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다. The first substrate 100 and / or the second substrate 300 may have a surface roughness Ra of 30 nm or more in a state including the alignment layers 130 and 330. Specifically, the first substrate 100 and / or the second substrate 300 may have a surface roughness of 31 nm or more, 32 nm or more, 33 nm or more, 34 nm or more or 35 nm or more, nm. The upper limit of the surface roughness may be 100 nm or less, 90 nm or less, 80 nm or less, 70 nm or less, 60 nm or less, 50 nm or less, 45 nm or less or 43 nm or less. The first substrate 100 and / or the second substrate 300 may be formed by switching the liquid crystal cell from the transmissive mode to the scattering mode by satisfying the above-described range of the surface roughness Ra in the state including the alignment layers 130 and 330. [ It is possible to improve the movement of the non-reactive liquid crystal, thereby improving the scattering mode delay phenomenon.

상기 표면 조도는 예를 들어 a) 기재 상에 비드, 수지 및 용매를 포함하는 조성물을 코팅 후 건조하는 공정 또는 이에 추가로 경화하는 공정; b) 기재를 몰드로 찍어내는 공정; c) 평탄한 기재를 부분 침식 가능한 용매를 이용하여 침식시키는 공정; 및 d) 평탄한 기재에 물리적인 힘을 가하는 공정에 의해 수행될 수 있다. 일 실시예에 따른 상기 표면 조도는 전극 필름(110, 310) 상에 비드(101), 수지 및 용매를 포함하는 조성물을 코팅 후 건조하여 수지층(120, 320)을 형성하고, 상기 수지층(120, 320) 상에 배향막(130, 330)을 형성하는 공정에 의해 수행될 수 있다. 다른 일 실시예에 따른 상기 표면 조도는 전극 필름(110, 310) 상에 비드(101), 배향성 수지 및 용매를 포함하는 배향막 조성물을 코팅 후 건조하여 배향막(130, 330)을 형성하는 공정에 의해 수행될 수 있다.The surface roughness may be, for example, a) a step of coating a composition comprising beads, a resin and a solvent on a substrate, followed by drying or further curing the composition; b) stamping the substrate with a mold; c) eroding the flat substrate with a partially erodible solvent; And d) applying a physical force to the flat substrate. The surface roughness according to one embodiment is obtained by coating a composition including beads 101, a resin and a solvent on electrode films 110 and 310 and then drying to form resin layers 120 and 320, 120, and 320, as shown in FIG. The surface roughness according to another embodiment is obtained by a process of coating an alignment film composition including beads 101, an orientation resin and a solvent on electrode films 110 and 310 and then drying to form alignment films 130 and 330 .

하나의 예시에서, 상기 표면 조도가 30 nm 이상인 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 전극 필름(110, 310) 및 배향막(130, 330)을 포함하고, 상기 배향막(130, 330)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(300)은 각각 전극 필름(110, 310) 및 배향막(130, 330)을 순차로 포함하고, 상기 배향막(130, 330)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함할 수 있으며, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(100)은 전극 필름(110) 및 배향막(130)을 순차로 포함하고, 상기 배향막(130)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함할 수 있으며, 제 2 기판(300)은 전극 필름(310) 및 배향막(330)을 순차로 포함하고, 상기 배향막(330)에는 비드를 포함하지 않을 수 있다.In one example, the first substrate 100 and / or the second substrate 300 having the surface roughness of 30 nm or more include the electrode films 110 and 310 and the alignment films 130 and 330, , 330, and the like. 1, the first substrate 100 and the second substrate 300 sequentially include electrode films 110 and 310 and alignment films 130 and 330, and the alignment films 130 and 130, 2, the first substrate 100 may include an electrode film 110 and an orientation film 130 in sequence, and the first substrate 100 may include an electrode film 110 and an orientation film 130, The second substrate 300 may further include an electrode film 310 and an alignment film 330 in order and the alignment film 330 may be formed with a plurality of It may not contain beads.

다른 하나의 예시에서, 상기 표면 조도가 30 nm 이상인 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 전극 필름(110, 310), 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)을 포함하고, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(300) 각각은 전극 필름(110, 310), 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)을 순차로 포함하고, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함할 수 있으며, 도 4에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판(100)은 전극 필름(110), 수지층(120) 및 배향막(130)을 순차로 포함하고, 상기 수지층(120) 및 배향막(130)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함할 수 있으며, 상기 제 2 기판(200)은 전극 필름(310), 수지층(320) 및 배향막(330)을 순차로 포함하고, 상기 수지층(320) 및 배향막(330)에는 비드를 포함하지 않을 수 있다.In another example, the first substrate 100 and / or the second substrate 300 having the surface roughness of 30 nm or more include the electrode films 110 and 310, the resin layers 120 and 320, and the alignment films 130 and 330 And may further include a bead 101 to which a part is fixed by the resin layers 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330. 3, each of the first substrate 100 and the second substrate 300 includes the electrode films 110 and 310, the resin layers 120 and 320, and the alignment films 130 and 330 in sequence The first substrate 100 may further include a bead 101 to which a part is fixed by the resin layers 120 and 320 and the orientation films 130 and 330. As shown in FIG. 4, And may further include a bead 101 including a film 110, a resin layer 120 and an orientation film 130 sequentially and having a part fixed by the resin layer 120 and the orientation film 130, The second substrate 200 may include an electrode film 310, a resin layer 320 and an alignment layer 330 in order. The resin layer 320 and the alignment layer 330 may not include beads.

하나의 예시에서, 상기 표면 조도가 30 nm 이상인 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 전극 필름(110, 310) 및 배향막(130, 330)을 포함하고, 상기 배향막(130, 330)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함하는 경우, 상기 배향막(130, 330)의 두께는 30 nm 내지 250 nm일 수 있다. 본 명세서에서 용어 「배향막의 두께」는 상기 전극 필름(110, 310) 상에 비드(101) 및 배향성 수지를 포함하는 배향막 조성물을 도포하여 배향막(130, 330)을 형성하는 과정에서, 상기 배향막(130, 330) 상에 형성된 비드(101)의 돌출된 부분의 크기를 제외하고, 상기 전극 필름(110, 310) 상에 형성된 배향막(130, 330)의 두께를 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 배향막(130, 330)의 두께는 하한이, 50 nm 이상, 70 nm 이상, 90 nm 이상, 110 nm 이상 또는 130 nm 이상일 수 있고, 상한이 230 nm 이하, 210 nm 이하, 190 nm 이하, 170 nm 이하 또는 150 nm 이하일 수 있다. 상기 배향막(130, 330)은 전술한 범위 내의 두께를 가짐으로써, 상기 비드(101)의 직경이 상기 배향막(130, 330)의 두께보다 큰 수치를 가져, 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(130, 330)을 포함하는 상태에서 우수한 표면 조도를 가질 수 있고, 이로 인해, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다.In one example, the first substrate 100 and / or the second substrate 300 having the surface roughness of 30 nm or more include the electrode films 110 and 310 and the alignment films 130 and 330, 330, the thickness of the alignment layer 130, 330 may be between 30 nm and 250 nm. In the present specification, the term " thickness of alignment film " refers to the thickness of the alignment film (130, 330) in the process of forming the alignment films 130 and 330 by applying the alignment film composition including the beads 101 and the aligning resin on the electrode films 110 and 310 330 may mean the thickness of the alignment layers 130 and 330 formed on the electrode films 110 and 310 except for the size of the protruded portion of the beads 101 formed on the electrode films 130 and 330. More specifically, the thickness of the alignment layers 130 and 330 may be 50 nm or more, 70 nm or more, 90 nm or more, 110 nm or 130 nm or more, and the upper limit may be 230 nm or less, Or less, or 170 nm or less, or 150 nm or less. The alignment layers 130 and 330 may have a thickness within the range described above so that the diameter of the beads 101 is greater than the thickness of the alignment layers 130 and 330, 2 substrate 300 may have an excellent surface roughness in a state including the alignment films 130 and 330 so that a scattering mode delay that occurs partially in the voltage application for switching the liquid crystal cell from the transmissive mode to the scattering mode The phenomenon can be improved.

이때, 상기 비드(101)의 직경은 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)의 전술한 범위의 표면 조도를 만족하기 위하여, 상기 배향막(130, 330)의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 비드(101)의 직경의 하한은 50 nm 이상, 60 nm 이상, 70 nm 이상, 80 nm 이상 또는 90 nm 이상일 수 있고, 상기 비드(101)의 직경의 상한은 500 nm 이하 또는 400 nm 이하일 수 있다. 상기 비드(101)는 전술한 범위 내의 직경을 가짐으로써, 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(130, 330)을 포함하는 상태에서 우수한 표면 조도를 가질 수 있고, 이로 인해, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다.In this case, the diameter of the beads 101 may be greater than the thickness of the alignment layers 130 and 330 to satisfy the surface roughness of the first substrate 100 and / or the second substrate 300 . For example, the lower limit of the diameter of the beads 101 may be 50 nm or more, 60 nm or more, 70 nm or more, 80 nm or more or 90 nm or more, the upper limit of the diameter of the beads 101 is 500 nm or less And may be 400 nm or less. The bead 101 has a diameter within the above range so that the first substrate 100 and / or the second substrate 300 can have excellent surface roughness including the alignment layers 130 and 330, This can improve the scattering mode delay phenomenon that occurs partially when a voltage is applied to switch the liquid crystal cell from the transmission mode to the scattering mode.

다른 하나의 예시에서, 상기 표면 조도가 30 nm 이상인 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)은 전극 필름(110, 310), 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)을 포함하고, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)에 의해 일부분이 고착된 비드(101)를 더 포함하는 경우, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)의 두께의 합은 60 nm 내지 400 nm일 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수지층 및 배향막의 두께의 합」은 상기 전극 필름(110, 310) 상에 비드(101) 및 수지를 포함하는 조성물을 도포하여 수지층(120, 320)을 형성한 후, 상기 수지층(120, 320) 상에 배향성 수지를 포함하는 배향막 조성물을 도포하여 배향막(130, 330)을 형성하는 과정에서, 상기 배향막(130, 330) 상에 형성된 비드(101)의 돌출된 부분의 크기를 제외하고, 상기 전극 필름(110, 310) 상에 형성된 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)의 두께의 합을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)의 두께의 합은 100 nm 내지 350 nm, 140 nm 내지 300 nm, 180 nm 내지 250 nm 또는 190 nm 내지 210 nm일 수 있다. 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)의 두께의 합이 전술한 범위를 만족함으로써, 상기 비드(101)의 직경이 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)의 두께의 합보다 큰 수치를 가져, 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)을 포함하는 상태에서 우수한 표면 조도를 가질 수 있고, 이로 인해, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다.In another example, the first substrate 100 and / or the second substrate 300 having the surface roughness of 30 nm or more include the electrode films 110 and 310, the resin layers 120 and 320, and the alignment films 130 and 330 The resin layers 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330 may be formed on the resin layer 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330, ) May be from 60 nm to 400 nm. In the present specification, the term " sum of the thicknesses of the resin layer and the orientation film " means that the composition including the beads 101 and the resin is applied on the electrode films 110 and 310 to form the resin layers 120 and 320, In the process of forming the alignment layers 130 and 330 by applying an alignment layer composition containing an orienting resin on the resin layers 120 and 320, the projected portions of the beads 101 formed on the alignment layers 130 and 330 The thicknesses of the resin layers 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330 formed on the electrode films 110 and 310 may be the same. Specifically, the sum of the thicknesses of the resin layers 120 and 320 and the orientation films 130 and 330 may be 100 nm to 350 nm, 140 nm to 300 nm, 180 nm to 250 nm, or 190 nm to 210 nm. When the sum of the thicknesses of the resin layers 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330 satisfies the above-described range, the diameter of the beads 101 becomes larger than the diameter of the resin layers 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330, The first substrate 100 and / or the second substrate 300 have excellent surface roughness in a state including the resin layers 120 and 320 and the orientation films 130 and 330 And thereby, it is possible to improve the scattering mode delay phenomenon that occurs partially in the voltage application for switching the liquid crystal cell from the transmissive mode to the scattering mode.

이때, 상기 비드(101)의 직경은 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)의 전술한 범위의 표면 조도를 만족하기 위하여, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)의 두께의 합보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 비드(101)의 직경의 하한은 80 nm 이상, 90 nm 이상, 100 nm 이상, 110 nm 이상 또는 120 nm 이상일 수 있고, 상기 비드(101)의 직경의 상한은 700 nm 이하, 600 nm 이하일 수 있다. 상기 비드(101)는 전술한 범위 내의 직경을 가짐으로써, 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(130, 330)을 포함하는 상태에서 우수한 표면 조도를 가질 수 있고, 이로 인해, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다.In this case, the diameter of the beads 101 may be controlled by adjusting the diameter of the resin layers 120 and 320 and the orientation films 130 and 130 to satisfy the surface roughness of the first substrate 100 and / or the second substrate 300, 330). ≪ / RTI > For example, the lower limit of the diameter of the bead 101 may be 80 nm or more, 90 nm or more, 100 nm or more, 110 nm or 120 nm or more, the upper limit of the diameter of the bead 101 is 700 nm or less, And may be 600 nm or less. The bead 101 has a diameter within the above range so that the first substrate 100 and / or the second substrate 300 can have excellent surface roughness including the alignment layers 130 and 330, This can improve the scattering mode delay phenomenon that occurs partially when a voltage is applied to switch the liquid crystal cell from the transmission mode to the scattering mode.

상기 액정층(200)의 두께는 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(130, 330)을 포함한 상태에서 상기 배향막(130, 330) 상에 돌출된 비드(101)의 크기, 즉, 비드(101)의 직경과 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)에 형성된 배향막(130, 330)의 두께의 차이, 또는 비드(101)의 직경과 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)에 형성된 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)을 포함하는 두께의 차이보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 액정층(200)의 두께는 3 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)의 두께는 하한이 4 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상, 6 ㎛ 이상 또는 7 ㎛ 이상일 수 있고, 상한이 19 ㎛ 이하, 18 ㎛ 이하, 17 ㎛ 이하, 16 ㎛ 이하 또는 15 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 액정층(200)의 두께로 바람직하게는 7 ㎛ 내지 15 ㎛일 수 있다.The thickness of the liquid crystal layer 200 is set to be greater than the thickness of the beads 101 protruded on the alignment layers 130 and 330 when the first substrate 100 and / or the second substrate 300 include the alignment layers 130 and 330, The difference between the diameter of the bead 101 and the thickness of the orientation film 130 or 330 formed on the first substrate 100 and / or the second substrate 300 or the difference between the diameter of the bead 101 and the thickness of the first The difference in thickness including the resin layers 120 and 320 and the alignment layers 130 and 330 formed on the substrate 100 and / or the second substrate 300 may be greater than the difference in thickness. For example, the thickness of the liquid crystal layer 200 may be in the range of 3 탆 to 20 탆. Specifically, the thickness of the liquid crystal layer 200 may be 4 占 퐉 or more, 5 占 퐉 or more, 6 占 퐉 or more, or 7 占 퐉 or more, and the upper limit may be 19 占 퐉 or less, 18 占 퐉, 17 占 퐉, 15 mu m or less. The thickness of the liquid crystal layer 200 is preferably from 7 탆 to 15 탆.

상기 전극 필름(110, 310)은 기재 필름 및 상기 기재 필름 상에 전극층을 포함할 수 있다.The electrode films 110 and 310 may include a base film and an electrode layer on the base film.

상기 기재 필름으로는 광학적 투명성을 가지는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 1 기재 필름으로는 광학적으로 투명한 플라스틱 필름 또는 시트를 사용하거나, 혹은 유리를 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 플라스틱 필름 또는 시트로는, DAC(diacetyl cellulose) 또는 TAC(triacetyl cellulose) 필름 또는 시트와 같은 셀룰로오스 필름 또는 시트; 노르보르넨 유도체 수지 필름 또는 시트 등의 COP(cyclo olefin copolymer) 필름 또는 시트; PMMA(poly(methyl methacrylate) 필름 또는 시트 등의 아크릴 필름 또는 시트; PC(polycarbonate) 필름 또는 시트; PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 필름 또는 시트 등과 같은 올레핀 필름 또는 시트; PVA(polyvinyl alcohol) 필름 또는 시트; PES(poly ether sulfone) 필름 또는 시트; PEEK(polyetheretherketone) 필름 또는 시트; PEI(polyetherimide) 필름 또는 시트; PEN(polyethylenenaphthatlate) 필름 또는 시트; PET(polyethyleneterephtalate) 필름 또는 시트 등과 같은 폴리에스테르 필름 또는 시트; PI(polyimide) 필름 또는 시트; PSF(polysulfone) 필름 또는 시트; PAR(polyarylate) 필름 또는 시트 또는 플루오르수지 필름 또는 시트 등이 예시될 수 있고, 일반적으로는 셀룰로오스 필름 또는 시트, 폴리에스테르 필름 또는 시트 또는 아크릴 필름 또는 시트 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 TAC 필름 또는 시트가 사용될 수 있으나, 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.As the base film, those having optical transparency can be used. For example, an optically transparent plastic film or sheet may be used as the one base film, or glass may be used. Specifically, the plastic film or sheet may be a cellulose film or sheet such as DAC (diacetyl cellulose) or TAC (triacetyl cellulose) film or sheet; A cycloolefin copolymer (COP) film or sheet such as a norbornene derivative resin film or sheet; An acrylic film or sheet such as PMMA (poly (methyl methacrylate) film or sheet; a polycarbonate film or sheet; an olefin film or sheet such as PE (polyethylene) or PP (polypropylene) film or sheet; A polyetheretherketone (PEEK) film or sheet, a polyetherimide (PEI) film or sheet, a polyethylenenaphthatate (PEN) film or sheet, a polyester film such as a PET (polyethyleneterephtalate) film or sheet, A polysulfone film or sheet, a PAR (polyarylate) film or sheet, a fluororesin film or sheet, and the like, and generally a cellulose film or sheet, a polyester film, A sheet or an acrylic film or sheet can be used, and preferably a TAC film or sheet can be used However, it can be appropriately selected in consideration of the object of the present application.

상기 전극층으로는 투명 전도성층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 전극층으로는 전도성 고분자, 전도성 금속, 전도성 나노와이어 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 금속 산화물 등을 증착하여 형성한 것을 사용할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 전극층으로는 인듐 주석 산화물(ITO)을 사용할 수 있다.As the electrode layer, a transparent conductive layer may be used. For example, the electrode layer may be formed by depositing a conductive polymer, a conductive metal, a conductive nanowire, or a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide). In one embodiment, indium tin oxide (ITO) may be used for the electrode layer.

상기 수지층(120, 320)은 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 수지는 당업계에 공지된 수지를 모두 포함할 수 있으며, 바람직하게는 경화성 수지를 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게는 광경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 광경화성 수지는 자외선에 의해 경화되는 수지를 의미하며, 아크릴레이트계 작용기를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 광경화성 수지로는 반응성 아크릴레이트 올리고머(reactive acrylate oligomer), 다관능성 아크릴레이트 단량체(multifunctional acrylate monomer) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 반응성 아크릴레이트 올리고머로는, 우레탄 아크릴레이트 올리고머(urethane acrylate oligomer), 에폭시 아크릴레이트 올리고머(epoxy acrylate oligomer), 폴리에스터 아크릴레이트(polyester acrylate), 폴리에테르 아크릴레이트(polyether acrylate) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. The resin layers 120 and 320 may include a resin. Specifically, the resin may include all resins known in the art, and may preferably include a curable resin. More preferably, it may include a photo-curable resin. The photocurable resin means a resin that is cured by ultraviolet rays, and may include an acrylate-based functional group. For example, a reactive acrylate oligomer, a multifunctional acrylate monomer, or a mixture thereof may be used as the photocurable resin. In one example, the reactive acrylate oligomer includes a urethane acrylate oligomer, an epoxy acrylate oligomer, a polyester acrylate, a polyether acrylate, Or a mixture thereof.

또한, 상기 다관능성 아크릴레이트 단량체로는, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate), 디펜타에리스리톨 하이드록시 펜타아크릴레이트(dipentaerythritol pentaacrylate), 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트(pentaerythritol tetraacrylate), 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 트리메틸렌 프로필 트리아크릴레이트(trimethylene propyl triacrylate), 프로폭시레이티드 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리메틸프로판 에톡시 트리아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 프로폭시레이티드 글리세롤 트리아크릴레이트(propoxylated glycerol triacrylate), 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트(tripropylene glycol diacrylate), 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(ethylene glycol diacrylate) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.Examples of the polyfunctional acrylate monomer include dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, trimethylene propyl triacrylate, propoxylated glycerol triacrylate, trimethylpropaneethoxy triacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, propoxylated glycerol tri Propoxylated glycerol triacrylate, tripropylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, or a mixture thereof may be used.

상기 수지는 광배향성 수지를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「광 배향성 수지」는, 예를 들면, 광조사에 의한 광이성화 반응, 광분해 반응 또는 광이합체화 반응에 의해 배향되고, 액정 배향성을 나타내는 화합물을 의미할 수 있다. 예를 들면, 광배향성 수지는 편광된 자외선 조사에 의한 광이합체 반응을 통하여 액정 배향성을 나타내는 수지일 수 있다.The resin may include a photo-alignment resin. As used herein, the term "photo-orientable resin" may mean, for example, a compound which is oriented by a photo-isomerization reaction by photoirradiation, a photo-degradation reaction, or a photo-dimerization reaction and exhibits liquid crystal alignability. For example, the photo-orientable resin may be a resin exhibiting liquid crystal alignability through a photo-dimer reaction by polarized ultraviolet irradiation.

본 명세서에서 용어 「액정 배향성」은 배향막, 광 배향성 수지 또는 상기 수지의 반응물과 인접하는 액정 분자, 액정 화합물 또는 그 전구체를 소정 방향으로 배향시킬 수 있는 성질을 의미할 수 있다.As used herein, the term " liquid crystal alignability " may mean a property capable of orienting a liquid crystal molecule, a liquid crystal compound, or a precursor thereof adjacent to an alignment film, a photo-alignment resin or a reactant of the resin in a predetermined direction.

상기 광배향성 수지는 이 분야에 다양하게 공지되어 있는 수지를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 광배향성 수지로는 예를 들어, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리아믹산 및 폴리 신나메이트로로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다.The photo-orientable resin may be a resin widely known in the art, but is not limited thereto. As the photo-orientable resin, for example, at least one selected from the group consisting of polyamide, polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid and polyninnamate can be used.

하나의 예시에서, 상기 비드(101)가 배향막(130, 330)에 의해 고착되는 경우, 상기 배향막(130, 330) 내에 분산된 상태로 존재할 수 있다. 예를 들어, 상기 비드(101)는 상기 배향막(130, 330) 내에 배향성 수지 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부로 포함될 수 있고, 구체적으로, 0.1 중량부 내지 10 중량부, 0.1 중량부 내지 5 중량부 또는 0.1 중량부 내지 3 중량부로 포함될 수 있다. 상기 비드(101)가 전술한 범위 내로 배향막(130, 330) 내에 포함됨으로써, 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(130, 330)을 포함하는 상태에서 우수한 표면 조도를 가질 수 있고, 이로 인해, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다.In one example, when the beads 101 are fixed by the alignment films 130 and 330, they may be dispersed in the alignment films 130 and 330. For example, the beads 101 may be contained in the alignment layers 130 and 330 in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the orienting resin, and specifically 0.1 to 10 parts by weight, 5 parts by weight or 0.1 part by weight to 3 parts by weight. The first substrate 100 and / or the second substrate 300 may be provided with an excellent surface roughness (i.e., an excellent surface roughness) in a state including the alignment films 130 and 330 by including the beads 101 in the alignment films 130 and 330 within the above- Thereby improving the scattering mode delay phenomenon that occurs partially in the voltage application for switching the liquid crystal cell from the transmissive mode to the scattering mode.

다른 하나의 예시에서, 상기 비드(101)가 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330)에 의해 고착되는 경우, 상기 수지층(120, 320) 및 배향막(130, 330) 내에 분산된 상태로 존재할 수 있다. 구체적으로, 상기 비드(101)는 상기 수지층(120, 320) 내에 수지 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 20 중량부로 포함될 수 있고, 구체적으로, 0.1 중량부 내지 10 중량부, 0.1 중량부 내지 5 중량부 또는 1 중량부 내지 3 중량부로 포함될 수 있다. 상기 비드(101)가 전술한 범위 내로 수지층 내에 포함됨으로써, 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(130, 330)을 포함하는 상태에서 우수한 표면 조도를 가질 수 있고, 이로 인해, 액정셀을 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선할 수 있다.In another example, when the beads 101 are fixed by the resin layers 120 and 320 and the alignment films 130 and 330, the resin layers 120 and 320 and the alignment films 130 and 330, Lt; / RTI > Specifically, the beads 101 may be contained in the resin layers 120 and 320 in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin, specifically 0.1 to 10 parts by weight, 0.1 to 5 parts by weight, Or 1 part by weight to 3 parts by weight. The first substrate 100 and / or the second substrate 300 can have excellent surface roughness in a state including the alignment films 130 and 330 by including the beads 101 in the resin layer within the above-described range , Thereby improving the scattering mode delay phenomenon that occurs partially in the voltage application for switching the liquid crystal cell from the transmission mode to the scattering mode.

상기 비드(101)의 종류로는 고분자계, 탄소계, 금속계, 복합재료계 및 산화물계로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 입자를 사용할 수 있으며, 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택하여 사용될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 비드(101)의 종류로는 고분자계로 이루어진 하나 이상의 입자를 사용할 수 있고, 구체적으로, 폴리스티렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리염화비닐(PVC), 폴리부타디엔, 폴리스티렌-코-아크릴로나이트릴(SAN), 폴리염화비닐리덴-코-염화비닐(poly(vinylidene chloride-co-vinyl chloride)), 폴리우레탄(Polyurethane) 및 폴리불화비닐리덴(PVDF)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 입자를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 폴리메틸메타크릴레이트를 사용할 수 있다.As the kind of the beads 101, at least one particle selected from the group consisting of a polymer system, a carbon system, a metal system, a composite system, and an oxide system can be used and can be appropriately selected and used in view of the object of the present application. In one example, the beads 101 may be made of one or more particles made of a polymer system, and specifically, polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), polyvinyl chloride (PVC) Butadiene, polystyrene-co-acrylonitrile (SAN), polyvinylidene chloride-co-vinyl chloride), polyurethane and polyvinylidene fluoride (PVDF) And one or more particles selected from the group consisting of polymethylmethacrylate may be used, and polymethylmethacrylate may preferably be used.

하나의 예시에서, 상기 배향막(130, 330)은 통상 투과 모드를 구현하기 위하여, 수직 배향막일 수 있다. 상기 배향막(130, 330)으로는 인접하는 액정층에 대하여 수직 배향능을 가지는 배향막이라면 특별한 제한 없이 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 러빙 배향막과 같이 접촉식 배향막 또는 광배향막 화합물을 포함하여 직선 편광의 조사 등과 같은 비접촉식 방식에 의해 배향 특성을 나타낼 수 있는 것으로 공지된 배향막을 사용할 수 있다.In one example, the alignment film 130, 330 may be a vertical alignment film, in order to realize a normally transmissive mode. As the alignment layers 130 and 330, an alignment layer having a vertically aligning ability with respect to an adjacent liquid crystal layer can be used without any particular limitation. For example, an alignment film known to be capable of exhibiting alignment characteristics by a non-contact method such as irradiation of linear polarized light including a contact alignment film or a photo alignment film compound such as a rubbing alignment film can be used.

상기 액정층(200)은 비반응성 액정을 포함할 수 있다. 상기 액정층(200) 내의 비반응성 액정은 외부 작용, 예를 들어 외부 전압의 인가 여부에 따라 배향을 변화함으로써 투과도 가변의 기능을 수행할 수 있다. 상기 비반응성 액정으로는 외부 작용의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있는 것이라면 모든 종류의 액정 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 액정 화합물로는 스멕틱(smectic) 액정 화합물, 네마틱(nematic) 액정 화합물 또는 콜레스테릭(cholesteric) 액정 화합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 외부 작용의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있도록, 액정 화합물은 예를 들어 중합성기 또는 가교성기를 가지지 않는 화합물일 수 있다. The liquid crystal layer 200 may include a non-reactive liquid crystal. The non-reactive liquid crystal in the liquid crystal layer 200 can perform a function of varying the transmittance by changing the orientation according to an external action, for example, whether an external voltage is applied. Any kind of liquid crystal compound can be used as the non-reactive liquid crystal so long as the alignment direction can be changed by application of an external action. For example, the liquid crystal compound may be a smectic liquid crystal compound, a nematic liquid crystal compound, or a cholesteric liquid crystal compound. Further, the liquid crystal compound may be a compound which does not have a polymerizable group or a crosslinkable group, for example, so that the orientation direction can be changed by application of an external action.

하나의 예시에서, 상기 비반응성 액정은 유전율 이방성이 음수일 수 있다. 본 명세서에서 용어 「유전율 이방성(△ε)」은 액정의 수평 유전율(ε//)과 수직 유전율(εㅗ)의 차이(ε// - εㅗ)를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수평 유전율(ε//)」은 액정 분자의 방향자와 인가전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수평하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미하고, 「수직 유전율(εㅗ)」은 액정 분자의 방향자와 인가전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수직하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미한다. In one example, the nonreactive liquid crystal may have a negative dielectric anisotropy. In this specification, the term "dielectric anisotropy (Δε)" can mean the difference (ε // - ε ㅗ) between the horizontal permittivity (ε //) and the vertical permittivity (ε ㅗ) of the liquid crystal. The term "horizontal permittivity (ε //)" as used herein means a permittivity value measured along the direction of the electric field in a state where a voltage is applied so that the direction of the electric field due to the director and the applied voltage of the liquid crystal molecule is substantially horizontal Refers to a dielectric constant measured along the direction of the electric field in a state where a voltage is applied so that the direction of the electric field due to the director and the applied voltage of the liquid crystal molecule is substantially perpendicular.

하나의 예시에서, 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성(△ε)의 절대값은 예를 들어 약 1 내지 20 범위 내일 수 있다. 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성(△ε)의 절대값의 하한은 1 이상, 2 이상, 3 이상, 4 이상, 5 이상, 6 이상, 7 이상, 8 이상 또는 9 이상일 수 있고, 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성(△ε)의 절대값의 상한은 20 이하, 19 이하, 18 이하, 17 이하, 16 이하, 15 이하, 14 이하, 13 이하, 12 이하 또는 11 이하일 수 있다. 상기 비반응성 액정의 유전율 이방성이 상기 범위를 만족하는 경우, 낮은 구동 전압으로도 구동이 가능하며, 우수한 헤이즈 특성을 나타낼 수 있어, 투명 모드와 산란 모드의 사이를 스위칭하는 액정셀을 구현하는 데 유리하다.In one example, the absolute value of the dielectric anisotropy ([Delta] [epsilon]) of the non-reactive liquid crystal may be within a range of, for example, about 1 to 20. The lower limit of the absolute value of the dielectric anisotropy (DELTA epsilon) of the non-reactive liquid crystal may be at least 1, at least 2, at least 3, at least 4, at least 5, at least 6, at least 7, at least 8, or at least 9, The upper limit of the absolute value of the dielectric anisotropy (? Epsilon) of the dielectric anisotropy?? Can be 20 or less, 19 or less, 18 or less, 17 or less, 16 or less, 15 or less, 14 or less, 13 or less, 12 or less or 11 or less. When the dielectric anisotropy of the non-reactive liquid crystal satisfies the above range, the liquid crystal cell can be driven with a low driving voltage, exhibits excellent haze characteristics, and can realize a liquid crystal cell switching between a transparent mode and a scattering mode Do.

하나의 예시에서, 상기 비반응성 액정의 굴절률 이방성은 목적 물성, 예를 들어, 액정셀의 헤이즈 특성을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 본 명세서에서 용어 「굴절률 이방성」은 비반응성 액정의 정상 굴절률(ordinary refractive index)과 이상 굴절률(extraordinary refractive index)의 차이를 의미할 수 있다. 상기 이상 굴절률은 비반응성 액정의 광축에 대한 굴절률을 의미하고, 상기 정상 굴절률은 비반응성 액정의 광축에 수직한 방향에 대한 굴절률을 의미할 수 있다. 액정 화합물의 굴절률 이방성은 예를 들어 0.1 이상, 0.12 이상 또는 0.15 이상 내지 0.23 이하 0.25 이하 또는 0.3이하의 범위 내에 있을 수 있다. 비반응성 액정의 굴절률 이방성이 상기 범위를 만족하는 경우, 예를 들면, 헤이즈 특성이 우수한 통상 투과 모드 소자를 구현할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 용어 「광축」은 액정이 막대(rod) 형상인 경우 액정의 장축 방향의 축을 의미할 수 있고, 액정이 원판 (Discotic) 형상인 경우 원판의 평면의 법선 방향의 축을 의미할 수 있다.In one example, the refractive index anisotropy of the non-reactive liquid crystal can be appropriately selected in consideration of the objective properties, for example, the haze characteristics of the liquid crystal cell. As used herein, the term " refractive index anisotropy " may mean a difference between an ordinary refractive index and an extraordinary refractive index of a non-reactive liquid crystal. The extraordinary refractive index means a refractive index with respect to the optical axis of the non-reactive liquid crystal, and the normal refractive index can mean a refractive index with respect to a direction perpendicular to the optical axis of the non-reactive liquid crystal. The refractive index anisotropy of the liquid crystal compound may be in the range of, for example, 0.1 or more, 0.12 or more or 0.15 or more to 0.23 or less or 0.25 or less or 0.3 or less. When the refractive index anisotropy of the non-reactive liquid crystal satisfies the above range, for example, a normal transmission mode device having excellent haze characteristics can be realized. The term " optical axis " in the present specification may mean an axis in the long axis direction of the liquid crystal when the liquid crystal has a rod shape, and may mean an axis in the normal direction of the plane of the original plate when the liquid crystal has a discotic shape. have.

상기 액정층(200)은 전도도 조절제를 더 포함할 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 의하면, 상기 액정층(200)은 동적 산란(Dynamic Scattering) 모드로 구동하는 액정층일 수 있다. 동적 산란 모드는 전기 유체 역학적 불안정 상태(EHDI; Electro hydro dynamic instability)를 유발하는 액정 모드를 의미할 수 있다. 일반적으로 동적 산란 모드 액정층은 네마틱 또는 스메틱 상의 비반응성 액정 및 EHDI를 유발하는 전도도 조절제를 포함하고, 상기 액정층(200)에 전계가 인가되는 경우 EHDI에 의해서 대류가 발생하며, 전계가 증가하면 잇달아 새로운 대류 구조가 생겨 최종적인 난류로 변화하면서 액정의 광학적 이방성과 유체 운동에 위해 강하게 빛을 산란시키게 시킨다.The liquid crystal layer 200 may further include a conductivity adjusting agent. According to an embodiment of the present invention, the liquid crystal layer 200 may be a liquid crystal layer driven in a dynamic scattering mode. The dynamic scattering mode may refer to a liquid crystal mode that causes electrohydrodynamic instability (EHDI). Generally, the dynamic scattering mode liquid crystal layer includes non-reactive liquid crystals in a nematic or smectic phase and a conductivity adjuster for inducing EHDI. When an electric field is applied to the liquid crystal layer 200, convection occurs due to EHDI, As a result, a new convection structure is formed, which ultimately changes to a turbulent flow, which causes strong scattering of light for optical anisotropy and fluid motion of the liquid crystal.

상기 EHDI를 유발하는 전도도 조절제로는 예를 들어, 이방성 염료, 반응성 모노머 및 이온성 화합물로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 액정셀은 액정층(200)에 전도도 조절제로서, 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물을 포함할 수 있다.The conductivity modifier for inducing EHDI may include, for example, one or more selected from an anisotropic dye, a reactive monomer, and an ionic compound. In one example, the liquid crystal cell may include an anisotropic dye, a reactive liquid crystal, and an ionic compound as a conductivity adjusting agent in the liquid crystal layer 200.

상기 이방성 염료는 액정셀의 차광율을 개선하여 투과도 가변에 기여할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「염료」는 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있다. 또한, 본 명세서에서, 용어 「이방성 염료」는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이방성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다. 상기 이방성 염료로는, 예를 들면, 액정의 정렬 상태에 따라 정렬될 수 있는 특성을 가지는 것으로 알려진 공지의 염료를 선택하여 사용할 수 있으며, 예를 들면, 흑색 염료(black dye)를 사용할 수 있다. 이러한 염료로는, 예를 들면, 아조 염료 또는 안트라퀴논 염료 등을 사용할 수 있다.The anisotropic dye improves the light shielding ratio of the liquid crystal cell and can contribute to varying the transmittance. As used herein, the term " dye " may refer to a material that is capable of intensively absorbing and / or modifying light within a visible light region, for example, within a wavelength range of 400 nm to 700 nm, at least partially or entirely. Further, in this specification, the term " anisotropic dye " may mean a material capable of anisotropic absorption of light in at least a part or the entire range of the visible light region. As the anisotropic dye, for example, a known dye known to have a property of being aligned according to the alignment state of the liquid crystal can be selected and used. For example, a black dye can be used. As such a dye, for example, an azo dye or an anthraquinone dye can be used.

상기 액정층(200) 내에 상기 이방성 염료를 포함하는 경우, 상기 이방성 염료는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 2.0 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 이방성 염료는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.5 중량부 내지 2.0 중량부, 1.0 중량부 내지 2.0 중량부, 1.0 중량부 내지 1.8 중량부 또는 1.0 중량부 내지 1.5 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 이방성 염료를 포함함으로써, 액정셀의 차광율을 개선하여 투과도 가변에 기여할 수 있다.When the anisotropic dye is included in the liquid crystal layer 200, the anisotropic dye may be included in an amount of 0.1 to 2.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the non-reactive liquid crystal. Specifically, the anisotropic dye may be contained in an amount of 0.5 to 2.0 parts by weight, 1.0 to 2.0 parts by weight, 1.0 to 1.8 parts by weight or 1.0 to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the non-reactive liquid crystal have. By including anisotropic dyes in the liquid crystal layer 200 within the above-described range, it is possible to improve the light shielding ratio of the liquid crystal cell, thereby contributing to varying the transmittance.

반응성 모노머로는, 액정과 혼합성이 좋은 반응성 메조겐(Reactive mesogen)을 사용할 수 있다. 본 명세서에서 반응성 메조겐은 액정성을 나타낼 수 있는 부위, 예를 들면, 메소겐 골격을 포함하고, 또한 반응성 관능기를 하나 이상 포함하는 화합물을 의미할 수 있다. 상기 반응성 관능기로는 예를 들어, 중합성 관능기 또는 가교성 관능기가 예시될 수 있다. 상기 반응성기로는 아크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일기, 메타크릴로일옥시기, 카복실기, 히드록시기, 비닐기, 에폭시기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 중합성기로서 알려진 공지의 관능기가 포함될 수 있다. 상기 반응성 메소겐은 다관능성 반응성 메소겐 또는 단관능성 반응성 메소겐을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「다관능성 반응성 메소겐」은 상기 메소겐 중에서 반응성 관능기를 2개 이상 포함하는 화합물을 의미할 수 있다. 하나의 예시에서 다관능성 반응성 메소겐은 반응성 관능기를 2개 내지 10개, 2개 내지 8개, 2개 내지 6개, 2개 내지 5개, 2개 내지 4개, 2개 내지 3개 또는 2개 포함할 수 있다. 또한, 용어 「단관능성 반응성 메소겐 」은, 상기 메소겐 중에서 하나의 반응성 관능기를 포함하는 화합물을 의미할 수 있다.As the reactive monomer, a reactive mesogen having good mixing property with liquid crystal can be used. As used herein, the reactive mesogen may refer to a compound that contains moieties capable of exhibiting liquid crystallinity, for example, a mesogen skeleton, and also includes at least one reactive functional group. As the reactive functional group, for example, a polymerizable functional group or a crosslinkable functional group can be exemplified. Examples of the reactive group include an acryloyl group, an acryloyloxy group, a methacryloyl group, a methacryloyloxy group, a carboxyl group, a hydroxy group, a vinyl group, and an epoxy group, but not limited thereto, May be included. The reactive mesogens may comprise polyfunctional reactive mesogens or monofunctional reactive mesogens. As used herein, the term " polyfunctional reactive mesogens " may refer to compounds containing two or more reactive functional groups in the mesogens. In one example, the polyfunctional reactive mesogen comprises 2 to 10, 2 to 8, 2 to 6, 2 to 5, 2 to 4, 2 to 3 or 2 reactive functional groups Can be included. In addition, the term " monofunctional reactive mesogens " may refer to compounds containing one reactive functional group in the mesogens.

상기 액정층(200) 내에 상기 반응성 모노머를 포함하는 경우, 상기 반응성 모노머는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 1 중량부 내지 20 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 반응성 모노머는 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 3 중량부 내지 18 중량부, 3 중량부 내지 13 중량부 또는 3 중량부 내지 12 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 반응성 모노머를 포함함으로써, 전도도를 효과적으로 확보하면서 우수한 물성의 액정층을 형성할 수 있다.When the reactive monomer is contained in the liquid crystal layer 200, the reactive monomer may be contained in an amount of 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the non-reactive liquid crystal. Specifically, the reactive monomer may be contained in an amount of 3 to 18 parts by weight, 3 to 13 parts by weight or 3 to 12 parts by weight based on 100 parts by weight of the non-reactive liquid crystal. By including the reactive monomer in the liquid crystal layer 200 within the above-described range, it is possible to form a liquid crystal layer having excellent physical properties while effectively ensuring conductivity.

본 명세서에서 이온성 화합물(Ionic compound)은 서로 반대되는 전하를 가진 이온들이, 예를 들어, 양이온과 음이온이, 이온 결합에 의하여 구성된 염 형태의 화합물을 의미할 수 있다. 상기 이온성 화합물은 전기적으로 중성일 수 있다. 이러한 이온성 화합물로는, 예를 들면, 질소-함유 오늄염, 황-함유 오늄염 또는 인-함유 오늄염 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 이온성 화합물로는 이온 불순물, 이온성 액체(ionic liquid) 또는 염(Salt)을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 상기 이온 불순물로는 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine-1-Oxyl Free radical을 사용할 수 있고, 상기 이온성 액체로는 TMAPF6(Trimethylaluminum-Hexafluorophosphate) 또는 BMIN-BF4([1-butyl-3-methylimideazolium]BF4)를 사용할 수 있으며, 염으로는 CTAB(Cetrimonium bromide), CTAI(Cetrimonium Iodide), CTAI3(Cetrimonium triiodide)를 사용할 수 있다.In the present specification, an ionic compound may mean a salt-type compound in which ions having opposite charges, for example, cation and anion are formed by ionic bonding. The ionic compound may be electrically neutral. Examples of such ionic compounds include, but are not limited to, a nitrogen-containing onium salt, a sulfur-containing onium salt, or a phosphorus-containing onium salt. Specifically, the ionic compound may be an ionic impurity, an ionic liquid, or a salt. For example, the ionic impurities include 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine-1- Oxyl Free radical can be used and TMAPF 6 or BMIN-BF 4 (1-butyl-3-methylimidazolium BF 4 ) can be used as the ionic liquid. CTAB (Cetrimonium bromide), CTAI (Cetrimonium Iodide), and CTAI 3 (Cetrimonium triiodide).

상기 액정층(200) 내에 상기 이온성 화합물을 포함하는 경우, 상기 이온성 화합물은 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 2 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 이온성 화합물은 상기 비반응성 액정 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 1.5 중량부, 0.1 중량부 내지 1.2 중량부, 0.1 중량부 내지 1.0 중량부 또는 0.1 중량부 내지 0.5 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 상기 액정층(200) 내에 전술한 범위 비율로 이온성 화합물을 포함함으로써, 액정층의 전도도를 효과적으로 확보할 수 있으며, 상기 이온성 화합물은 액정 화합물에 대한 용해도를 고려하여 전술한 범위의 소량을 포함할 수 있다.When the ionic compound is contained in the liquid crystal layer 200, the ionic compound may be contained in an amount of 0.1 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the non-reactive liquid crystal. Specifically, the ionic compound is contained in a ratio of 0.1 to 1.5 parts by weight, 0.1 to 1.2 parts by weight, 0.1 to 1.0 parts by weight, or 0.1 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the non-reactive liquid crystal . By including an ionic compound in the liquid crystal layer 200 within the above-described range, the conductivity of the liquid crystal layer can be effectively ensured. The ionic compound contains a small amount of the above-mentioned range in consideration of solubility in the liquid crystal compound can do.

상기 액정셀은 비반응성 액정의 초기 정렬 상태를 조절하고 전압과 같은 외부 작용의 인가 등을 통해 투과 모드와 산란 모드의 사이를 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 비반응성 액정이 수직으로 정렬된 상태로 존재하는 경우 액정셀은 투명 모드를 나타낼 수 있고, 비반응성 액정이 불규칙하게 배열된 상태로 존재하는 경우 액정셀은 산란 모드를 나타낼 수 있다.The liquid crystal cell can switch between the transmission mode and the scattering mode by adjusting the initial alignment state of the non-reactive liquid crystal and applying an external action such as a voltage. For example, when the nonreactive liquid crystal is present in a vertically aligned state, the liquid crystal cell may exhibit a transparent mode, and when the nonreactive liquid crystal is present in an irregularly arranged state, the liquid crystal cell may exhibit a scattering mode.

본 명세서에서 용어 「산란 모드」는 액정셀이 예정된 일정 수준 이상의 헤이즈를 나타내는 모드를 의미하고, 용어「투과 모드」는 광의 투과가 가능한 상태 또는 예정된 일정 수준 이하의 헤이즈를 나타내는 모드를 의미할 수 있다.The term " scattering mode " means a mode in which a liquid crystal cell exhibits haze over a predetermined level, and the term " transmissive mode " means a mode in which light is transmissive or a mode exhibiting haze below a predetermined level .

예를 들어, 산란 모드에서 액정셀은 헤이즈가 10% 이상, 15% 이상, 20% 이상, 25% 이상, 30% 이상, 35% 이상, 40% 이상, 45% 이상, 50% 이상, 55% 이상, 60% 이상, 65% 이상, 70% 이상, 75% 이상, 80% 이상, 85% 이상, 90% 이상 또는 95% 이상일 수 있다. 투명 모드에서 액정셀은, 예를 들어, 헤이즈가 10% 미만, 8% 이하, 6% 이하 또는 5% 이하일 수 있다.For example, in the scattering mode, the liquid crystal cell may have a haze of 10% or more, 15% or more, 20% or more, 25% or more, 30% or more, 35% or more, 40% or more, 45% or more, , At least 60%, at least 65%, at least 70%, at least 75%, at least 80%, at least 85%, at least 90%, or at least 95%. In the transparent mode, for example, the liquid crystal cell may have a haze of less than 10%, less than 8%, less than 6%, or less than 5%.

상기 헤이즈는 측정 대상을 투과하는 전체 투과광의 투과율에 대한 확산광의 투과율의 백분율일 수 있다. 상기 헤이즈는 헤이즈미터(hazemeter, NDH-5000SP)를 사용하여 평가할 수 있다. 헤이즈는 상기 헤이즈미터를 사용하여 다음의 방식으로 평가할 수 있다. 즉, 광을 측정 대상을 투과시켜 적분구 내로 입사시킨다. 이 과정에서 광은 측정 대상에 의하여 확산광(DT)과 평행광(PT)으로 분리되는데, 이 광들은 적분구 내에서 반사되어 수광 소자에 집광되고, 집광되는 광을 통해 상기 헤이즈의 측정이 가능하다. 즉, 상기 과정에 의한 전 투과광(TT)는 상기 확산광(DT)과 평행광(PT)의 총합(DT+PT)이고, 헤이즈는 상기 전체 투과광에 대한 확산광의 백분율(Haze(%) = 100×DT/TT)로 규정될 수 있다.The haze may be a percentage of the transmittance of the diffused light to the transmittance of the total transmitted light passing through the object to be measured. The haze can be evaluated using a hazemeter (NDH-5000SP). The haze can be evaluated in the following manner using the haze meter. That is, light is transmitted through the object to be measured and is incident into the integrating sphere. In this process, light is separated into diffused light (DT) and parallel light (PT) by the object to be measured. The light is reflected in the integrating sphere and condensed on the light receiving element, and the haze can be measured through the condensed light Do. That is, the total transmitted light TT according to the above procedure is the sum (DT + PT) of the diffused light DT and the parallel light PT and the haze is the percentage of diffused light with respect to the total transmitted light (Haze (%) = 100 X DT / TT).

상기 액정셀은 외부 작용이 인가되지 않은 상태에서 투명 모드이고, 외부 작용이 인가되는 경우 산란 모드로 스위칭될 수 있다. 상기 액정셀은 외부 작용이 인가되지 않은 상태에서, 액정층(200)이 수직 배향된 상태로 존재할 수 있다. 상기 액정층(200)에 전압을 인가하여 산란 모드를 구현할 경우 산란 모드가 발현되지 않는 영역이 사라질 때까지 일정 시간이 소요될 수 있다. 전극층에서 멀어진 액정층의 영역에는 상대적으로 낮은 전압이 걸리게 되어 산란모드 지연 현상이 발생하기 때문이다. 상기 산란 모드가 발현되지 않는 영역은 구동 시 얼룩으로 시인될 수 있으며, 상기 산란 모드가 발현되지 않는 영역이 사라질 때까지의 시간을 구동 얼룩 유지 시간으로 호칭할 수 있다. 본 출원의 액정셀은 제 1 기판(100) 및/또는 제 2 기판(300)이 배향막(120, 320)을 포함한 상태에서 표면 조도를 조절함으로써 상기 구동 얼룩 시간을 감소시킬 수 있다.The liquid crystal cell may be in a transparent mode in a state in which no external action is applied, and may be switched to a scatter mode in the case where external action is applied. The liquid crystal layer 200 may exist in a vertically aligned state in a state where no external action is applied to the liquid crystal cell. When a voltage is applied to the liquid crystal layer 200 to realize a scattering mode, it may take a certain time until the region where the scattering mode is not observed disappears. A relatively low voltage is applied to the region of the liquid crystal layer away from the electrode layer, and a scattering mode delay phenomenon occurs. The area in which the scattering mode is not expressed can be visually recognized as a stain during driving, and the time until the area where the scattering mode is not visible disappears can be referred to as a driving stain retention time. The liquid crystal cell of the present application can reduce the driving unevenness time by adjusting the surface roughness of the first substrate 100 and / or the second substrate 300 including the alignment layers 120 and 320.

하나의 예시에서, 상기 액정층(200)은 30 V의 전압 인가 시, 산란 모드를 구현하기 위한 시간이 25 초 미만일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)은 30 V의 전압 인가 시, 산란 모드를 구현하기 위한 시간이 24 초 이하, 23 초 이하, 22 초 이하 또는 21 초 이하일 수 있다. 상기 구동 얼룩 유지 시간은 짧을수록 구동 특성이 우수한 것을 의미하고, 그 하한은 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로 10초 이상, 13초 이상 또는 15초 이상일 수 있다. In one example, when applying a voltage of 30 V, the liquid crystal layer 200 may have a time of less than 25 seconds to implement the scattering mode. Specifically, when the voltage of 30 V is applied to the liquid crystal layer 200, the time for implementing the scattering mode may be 24 seconds or less, 23 seconds or less, 22 seconds or less, or 21 seconds or less. The shorter the driving unevenness holding time, the better the driving characteristic. The lower limit of the driving uneven holding time is not particularly limited, but may be generally 10 seconds or more, 13 seconds or 15 seconds or more.

또 하나의 예시에서, 상기 액정층(200)은 35 V의 전압 인가 시, 산란 모드를 구현하기 위한 시간이 11 초 미만일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)은 30 V의 전압 인가 시, 산란 모드를 구현하기 위한 시간이 10 초 이하, 9 초 이하 또는 8 초 이하일 수 있다. 상기 구동 얼룩 유지 시간은 짧을수록 구동 특성이 우수한 것을 의미하고, 그 하한은 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로 5초 이상, 6초 이상 또는 7초 이상일 수 있다. In another example, when the liquid crystal layer 200 is applied with a voltage of 35 V, the time for implementing the scattering mode may be less than 11 seconds. Specifically, when the voltage of 30 V is applied to the liquid crystal layer 200, the time for implementing the scattering mode may be 10 seconds or less, 9 seconds or less, or 8 seconds or less. The shorter the driving non-uniformity holding time, the better the driving characteristic. The lower limit of the driving non-uniform holding time is not particularly limited, but may be generally 5 seconds or more, 6 seconds or more or 7 seconds or more.

또 하나의 예시에서, 상기 액정층(200)은 40 V의 전압 인가 시, 산란 모드를 구현하기 위한 시간이 8 초 미만일 수 있다. 구체적으로, 상기 액정층(200)은 40 V의 전압 인가 시, 산란 모드를 구현하기 위한 시간이 7 초 이하, 6 초 이하 또는 5 초 이하일 수 있다. 상기 구동 얼룩 유지 시간은 짧을수록 구동 특성이 우수한 것을 의미하고, 그 하한은 특별히 제한되지 않으나, 일반적으로 2초 이상, 3초 이상 또는 4초 이상일 수 있다. In another example, when the liquid crystal layer 200 is applied with a voltage of 40 V, the time for implementing the scattering mode may be less than 8 seconds. Specifically, when the voltage of 40 V is applied to the liquid crystal layer 200, the time for implementing the scattering mode may be 7 seconds or less, 6 seconds or less, or 5 seconds or less. The shorter the driving non-uniformity holding time is, the better the driving characteristic is. The lower limit of the driving non-uniform holding time is not particularly limited, but may be generally 2 seconds or more, 3 seconds or 4 seconds or more.

본 출원은 또한, 액정셀의 용도에 관한 것이다. 예시적인 액정셀은 초기 투과 모드에서의 투과율과 전압 인가 시 산란 모드에서의 투과율의 차이가 우수하고, 산란 모드에서 우수한 헤이즈를 발현할 수 있다. 이러한 액정셀은, 스마트 윈도우, 윈도우 보호막, 플렉서블 디스플레이 소자, 투명 디스플레이용 차광판, 3D 영상 표시용 액티브 리타더(active retarder) 또는 시야각 조절 필름 등과 같은 다양한 광변조 장치에 적용될 수 있다.The present application also relates to the use of a liquid crystal cell. The exemplary liquid crystal cell is excellent in the transmittance in the initial transmission mode and the transmittance in the scattering mode when voltage is applied, and can exhibit excellent haze in the scattering mode. Such a liquid crystal cell can be applied to various optical modulation devices such as a smart window, a window protective film, a flexible display device, a transparent display shading plate, an active retarder for 3D image display, or a viewing angle adjusting film.

본 출원은 통상 투과 모드이고, 투과 모드에서 산란 모드로 스위칭하기 위한 전압 인가 시 부분적으로 발생하는 산란 모드 지연 현상을 개선한 액정셀 및 이의 용도를 제공할 수 있다. 이러한 액정셀은, 스마트 윈도우, 윈도우 보호막, 플렉서블 디스플레이 소자, 투명 디스플레이용 차광판, 3D 영상 표시용 액티브 리타더(active retarder) 또는 시야각 조절 필름 등과 같은 다양한 광변조 장치에 적용될 수 있다.The present application can provide a liquid crystal cell in which a scattering mode delay phenomenon partially occurring when a voltage for switching from a transmission mode to a scattering mode is improved, and a use thereof is provided. Such a liquid crystal cell can be applied to various optical modulation devices such as a smart window, a window protective film, a flexible display device, a transparent display shading plate, an active retarder for 3D image display, or a viewing angle adjusting film.

도 1 내지 도 4는 각각 본 출원의 일 실시예에 따른 액정셀을 예시적으로 나타낸다.
도 5 내지 7은 각각, 실시예 1, 2 및 비교예에서 제조된 제 1 기판의 제 1 배향막 또는 제 2 배향막 코팅 후 촬영한 현미경 이미지(X 200)이다.
Figs. 1 to 4 respectively illustrate a liquid crystal cell according to an embodiment of the present application.
5 to 7 are microscope images (X 200) taken after coating the first alignment layer or the second alignment layer of the first substrate manufactured in Examples 1 and 2 and Comparative Example, respectively.

이하 실시예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.The present application will be specifically described by way of the following examples, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

실시예Example 1 One

배향막 조성물의 제조Preparation of alignment film composition

수직 배향막 조성물(SE-5661, Nissan) 100 g 및 직경이 370 nm인 비드(XX-128BQ, SEKISUI사) 0.1 g을 혼합하여 배향막 조성물을 제조하였다.100 g of the composition for vertical alignment film (SE-5661, Nissan) and 0.1 g of beads having a diameter of 370 nm (XX-128BQ, manufactured by SEKISUI) were mixed to prepare an alignment film composition.

제 11st 기판의 제조 Fabrication of Substrate

상기에서 제조된 배향막 조성물을 ITO(Indium Tin Oxide) 필름 상에 mayer bar(#4)를 이용하여 250 nm 두께로 코팅하였다. 상기 코팅된 배향막 조성물을 약 130℃에서 약 5 분 동안 건조함으로써, 제 1 기판을 제조하였다.The alignment film composition prepared above was coated on ITO (Indium Tin Oxide) film to a thickness of 250 nm using a mayer bar (# 4). A first substrate was prepared by drying the coated alignment film composition at about 130 캜 for about 5 minutes.

제 2Second 기판의 제조 Fabrication of Substrate

상기에서 제조된 배향막 조성물을 ITO(Indium Tin Oxide) 필름 상에 mayer bar(#4)를 이용하여 250 nm 두께로 코팅하였다. 상기 코팅된 배향막 조성물을 약 130℃에서 약 5 분 동안 건조함으로써, 제 2 기판을 제조하였다.The alignment film composition prepared above was coated on ITO (Indium Tin Oxide) film to a thickness of 250 nm using a mayer bar (# 4). A second substrate was prepared by drying the coated alignment film composition at about 130 캜 for about 5 minutes.

액정셀의The liquid crystal cell 제조 Produce

굴절률 이방성이 0.15이고, 유전율 이방성이 -5.0인 액정 화합물(HNG730600-200, HCCH사), 이방성 염료(X12, Basf사), 반응성 액정(HCM-009, HCCH) 및 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB)를 89.0:1.0:10:0.1의 중량 비율(HNG730600-200:X12:HCM-009:CTAB)로 혼합한 액정 조성물을 상기에서 제조된 제 1 기판의 배향막 상에 1 g을 도포한 후, 상기 제 2 기판의 배향막이 상기 액정층에 접하도록 제 2 기판을 합지하여 액정층의 두께를 10 ㎛로 형성하여 도 1과 같이, 액정셀을 제조하였다.Liquid crystal compounds (HNG730600-200, HCCH), anisotropic dyes (X12, Basf), reactive liquid crystals (HCM-009, HCCH) and cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) having a refractive index anisotropy of 0.15 and a dielectric anisotropy of -5.0 (HNG730600-200: X12: HCM-009: CTAB) having a weight ratio of 89.0: 1.0: 10: 0.1 was applied on the alignment layer of the first substrate prepared above, The second substrate was laminated with the alignment layer of the substrate so as to be in contact with the liquid crystal layer to form a liquid crystal layer having a thickness of 10 mu m to produce a liquid crystal cell as shown in Fig.

실시예Example 2 2

제 2 기판의 제조 시, ITO 필름 상에 비드를 포함하지 않고, 배향막 조성물과 동일한 방식으로 제조한 배향막 조성물을 도포한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 도 2와 같이, 액정셀을 제조하였다.2, in the same manner as in Example 1, except that beads were not included on the ITO film and the orientation film composition prepared in the same manner as in the orientation film composition was applied during the production of the second substrate, Respectively.

실시예Example 3 3

수지층용 조성물의 제조Preparation of Composition for Resin Layer

용매(사이클로헥사논) 100 g에 직경이 370 nm인 비드로서, 폴리메틸메타크릴레이트(XX-128BQ, SEKISUI사) 0.1 g, 아크릴레이트(1,6-Hexanediol Acrylate) 2 g 및 개시제(Irgacure 184) 0.06 g을 혼합하여 수지층용 조성물을 제조하였다.0.1 g of polymethyl methacrylate (XX-128BQ, manufactured by SEKISUI), 2 g of acrylate (1,6-hexanediol acrylate), and 2 g of initiator (Irgacure 184 (trade name)) as a bead having a diameter of 370 nm in 100 g of a solvent (cyclohexanone) ) Were mixed to prepare a composition for a resin layer.

제 11st 기판의 제조 Fabrication of Substrate

상기에서 제조된 수지층용 조성물을 ITO(Indium Tin Oxide) 필름 상에 mayer bar(#3)를 이용하여 100 nm 두께로 코팅하였다. 상기 코팅된 조성물을 약 100℃에서 약 2 분 동안 건조하였다. 이후, 상기 건조된 조성물에 약 200 mW/cm2 세기의 자외선을 10 초 동안 조사하여 상기 ITO 필름 상에 비드의 일부분이 고착된 상태로 존재하는 수지층을 형성하였다.The composition for the resin layer prepared above was coated on ITO (Indium Tin Oxide) film to a thickness of 100 nm using a mayer bar (# 3). The coated composition was dried at about 100 < 0 > C for about 2 minutes. Then, the dried composition was irradiated with ultraviolet rays of about 200 mW / cm 2 intensity for 10 seconds to form a resin layer in which a part of the beads were adhered on the ITO film.

상기에서 제조된 수지층 상에 mayer bar(#4)를 이용하여 수직 배향막 조성물(SE-5661, Nissan)을 150 nm 두께로 코팅하고, 촬영한 현미경 이미지를 도 5에 나타내었다. 상기 코팅된 배향막 조성물을 약 130℃에서 약 5 분 동안 건조함으로써, 제 1 기판을 제조하였다.A vertical alignment layer composition (SE-5661, Nissan) was coated to a thickness of 150 nm using a mayer bar (# 4) on the resin layer prepared above, and a microscope image taken was shown in FIG. A first substrate was prepared by drying the coated alignment film composition at about 130 캜 for about 5 minutes.

제 2Second 기판의 제조 Fabrication of Substrate

상기에서 제조된 수지층용 조성물을 ITO(Indium Tin Oxide) 필름 상에 mayer bar(#3)를 이용하여 100 nm 두께로 코팅하였다. 상기 코팅된 조성물을 약 100℃에서 약 2 분 동안 건조하였다. 이후, 상기 건조된 조성물에 약 200 mW/cm2 세기의 자외선을 10 초 동안 조사하여 상기 ITO 필름 상에 비드의 일부분이 고착된 상태로 존재하는 수지층을 형성하였다.The composition for the resin layer prepared above was coated on ITO (Indium Tin Oxide) film to a thickness of 100 nm using a mayer bar (# 3). The coated composition was dried at about 100 < 0 > C for about 2 minutes. Then, the dried composition was irradiated with ultraviolet rays of about 200 mW / cm 2 intensity for 10 seconds to form a resin layer in which a part of the beads were adhered on the ITO film.

상기에서 제조된 수지층 상에 mayer bar(#4)를 이용하여 수직 배향막 조성물(SE-5661, Nissan)을 150 nm 두께로 코팅하였다. 상기 코팅된 배향막 조성물을 약 130℃에서 약 5 분 동안 건조함으로써, 제 2 기판을 제조하였다.A vertical alignment layer composition (SE-5661, Nissan) was coated to a thickness of 150 nm using a mayer bar (# 4) on the resin layer prepared above. A second substrate was prepared by drying the coated alignment film composition at about 130 캜 for about 5 minutes.

액정셀의The liquid crystal cell 제조 Produce

굴절률 이방성이 0.15이고, 유전율 이방성이 -5.0인 액정 화합물(HNG730600-200, HCCH사), 이방성 염료(X12, Basf사), 반응성 액정(HCM-009, HCCH) 및 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB)를 89.0:1.0:10:0.1의 중량 비율(HNG730600-200:X12:HCM-009:CTAB)로 혼합한 액정 조성물을 상기에서 제조된 제 1 기판의 배향막 상에 1 g을 도포한 후, 상기 제 2 기판의 배향막이 상기 액정층에 접하도록 제 2 기판을 합지하여 도 3과 같이, 액정셀을 제조하였다.Liquid crystal compounds (HNG730600-200, HCCH), anisotropic dyes (X12, Basf), reactive liquid crystals (HCM-009, HCCH) and cetyltrimethylammonium bromide (CTAB) having a refractive index anisotropy of 0.15 and a dielectric anisotropy of -5.0 (HNG730600-200: X12: HCM-009: CTAB) having a weight ratio of 89.0: 1.0: 10: 0.1 was applied on the alignment layer of the first substrate prepared above, The liquid crystal cell was fabricated as shown in Fig. 3 by laminating the second substrate so that the alignment layer of the substrate was in contact with the liquid crystal layer.

실시예Example 4 4

수지층용 조성물의 제조 시, 비드의 직경을 500 nm로 변경한 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방식으로 도 3과 같이, 액정셀을 제조하였다. 이때, 상기에서 제조된 수지층 상에 mayer bar(#4)를 이용하여 수직 배향막 조성물(SE-5661, Nissan)을 150 nm 두께로 코팅한 제 1 기판을 촬영한 현미경 이미지를 도 6에 나타내었다.A liquid crystal cell was prepared as shown in Fig. 3 in the same manner as in Example 3, except that the diameter of the beads was changed to 500 nm in the preparation of the resin layer composition. 6 shows a microscope image of a first substrate coated with 150 nm thick vertical alignment layer composition (SE-5661, Nissan) using a mayer bar (# 4) on the resin layer prepared above .

실시예Example 5 5

제 2 기판의 제조 시, ITO 필름 상에 비드를 포함하지 않고, 수지층용 조성물과 동일한 방식으로 제조한 수지층용 조성물을 도포한 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방식으로 도 4와 같이, 액정셀을 제조하였다.In the same manner as in Example 3 except that the composition for the resin layer was applied on the ITO film in the same manner as the composition for the resin layer without containing the beads, To prepare a liquid crystal cell.

비교예Comparative Example

ITO 필름 상에 비드를 포함하지 않고, 수지층용 조성물과 동일한 방식으로 제조한 수지층용 조성물을 제 1 기판 및 제 2 기판 각각에 도포한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 액정셀을 제조하였다.A liquid crystal cell was prepared in the same manner as in Example 1 except that beads were not included on the ITO film and the composition for the resin layer prepared in the same manner as the composition for the resin layer was applied to each of the first and second substrates .

평가예Evaluation example 1. 표면 조도 평가 1. Surface roughness evaluation

실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀의 제 1 기판에 대하여, AFM(NX10, Park systems사) 장비를 이용하여, 10 ㎛ × 10 ㎛ 영역에서의 표면 조도(Ra) 값을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다The surface roughness (Ra) of the first substrate of the liquid crystal cell manufactured in Examples and Comparative Examples was measured in an area of 10 mu m x 10 mu m using an AFM (NX10, Park systems, Ltd.) Are shown in Table 1 below

평가예Evaluation example 2. 구동 전압 인가에 따른 산란  2. Scattering according to driving voltage application 모드가Mode is 발현되는 시간 평가 Evaluate time to be expressed

실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀은 수직배향상태에서 10 V 정도의 저전압 인가 시에 수평 배향을 하게 되며 투과도가 감소하고, 이에 추가로 전압을 증가시키면 산란모드가 발현되면서 추가 투과도 감소 및 헤이즈가 발현되며, 전압이 30 V 내지 40 V 정도로 걸리게 되면 산란모드가 늦게 발현되는 영역이 생기게 되어 육안으로 관찰되었다. 이에 실시예 및 비교예에서 제조된 액정셀에 각각 30 V, 35 V 및 40 V의 전압을 인가하여 산란 모드 구현 시, 산란 모드가 발현되지 않은 영역이 사라질 때까지의 시간을 측정하여, 이를 구동 얼룩 유지 시간으로 정의하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The liquid crystal cell manufactured in Examples and Comparative Examples was horizontally aligned when a low voltage of about 10 V was applied in a vertically aligned state and the transmittance was decreased. When the voltage was further increased, a scattering mode was developed, And when the voltage was about 30 V to 40 V, a region where the scattering mode was expressed late was generated and observed visually. The voltage was applied to the liquid crystal cell manufactured in the examples and the comparative example to apply voltages of 30 V, 35 V, and 40 V, respectively, to measure the time until the area where the scattering mode was not observed disappears when the scattering mode is implemented, The stain retention time was defined as the retention time, and the results are shown in Table 1 below.

표면 조도(nm)Surface roughness (nm) 구동 얼룩 유지 시간(s)Driving stain retention time (s) 30 V30 V 35 V35 V 40 V40 V 실시예 1Example 1 34.234.2 2222 88 55 실시예 2Example 2 34.234.2 2222 99 55 실시예 3Example 3 35.035.0 2121 88 55 실시예 4Example 4 42.742.7 1515 77 44 실시예 5Example 5 35.035.0 2222 99 55 비교예Comparative Example 7.47.4 2525 1111 88

상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 제 1 기판 내 배향막, 또는 수지층과 배향막에 의해 일부분이 고착된 비드를 포함하는 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀의 경우, 제 1 및 제 2 기판에 비드를 포함하지 않는 비교예에서 제조된 액정셀에 비해, 제 1 기판의 표면 조도 값이 크게 나타나는 것을 확인하였다. 특히, 실시예 4에서 제조된 액정셀의 경우, 실시예 3에서 제조된 액정셀에 비해 수지층 및 배향막에 의해 일부분이 고착된 비드의 직경이 큼으로써, 표면 조도 값이 더 크게 나타나는 것을 확인하였다.As shown in Table 1, in the case of the liquid crystal cell manufactured in Examples 1 to 5 including the alignment film in the first substrate or the bead in which a part was fixed by the alignment layer and the alignment film, The surface roughness value of the first substrate is larger than that of the liquid crystal cell manufactured in the comparative example which does not include the first substrate. Particularly, in the case of the liquid crystal cell manufactured in Example 4, the diameter of the bead to which a part was fixed by the resin layer and the alignment layer was larger than that of the liquid crystal cell manufactured in Example 3, .

상기 제 1 기판의 표면 조도 값이 큰 실시예 1 내지 5에서 제조된 액정셀의 경우, 상대적으로 제 1 기판의 표면 조도 값이 작은 비교예에서 제조된 액정셀에 비해 각 전압에 따른 구동 얼룩 유지 시간이 작게 측정되는 것을 확인하였다. 특히, 실시예 4에서 제조된 액정셀의 경우, 실시예 3에서 제조된 액정셀에 비해 제 1 기판의 표면 조도 값이 더 큼으로써, 각 전압에 따른 구동 얼룩 유지 시간이 작게 측정되는 것을 확인하였다.In the case of the liquid crystal cell manufactured in Examples 1 to 5, in which the surface roughness value of the first substrate is large, compared to the liquid crystal cell produced in the comparative example in which the surface roughness value of the first substrate is relatively small, And the time was measured to be small. Particularly, in the case of the liquid crystal cell manufactured in Example 4, the surface roughness value of the first substrate was larger than that of the liquid crystal cell manufactured in Example 3, and it was confirmed that the driving stain retention time according to each voltage was measured to be small .

100: 제 1 기판
110, 310: 전극 필름
120, 320: 수지층
101: 비드
130, 330: 배향막
200: 액정층
300: 제 2 기판
100: first substrate
110, 310: electrode film
120, 320: resin layer
101: Bead
130, 330: alignment film
200: liquid crystal layer
300: second substrate

Claims (15)

제 1 기판, 액정층 및 제 2 기판을 순차로 포함하고, 상기 액정층은 전압 인가 유무에 따라 투과 모드와 산란 모드를 스위칭하며, 상기 제 1 기판 및/또는 제 2 기판은 배향막을 포함한 상태에서 표면 조도가 30 nm 이상인 액정셀.A first substrate, a liquid crystal layer, and a second substrate, wherein the liquid crystal layer switches a transmission mode and a scattering mode depending on whether a voltage is applied, and wherein the first substrate and / And a surface roughness of 30 nm or more. 제 1 항에 있어서, 상기 표면 조도가 30 nm 이상인 제 1 기판 및/또는 제 2 기판은 전극 필름 및 배향막을 포함하고, 상기 배향막에 의해 일부분이 고착된 비드를 더 포함하는 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 1, wherein the first substrate and / or the second substrate having a surface roughness of 30 nm or more includes an electrode film and an alignment film, and further comprises a bead to which a part is fixed by the alignment film. 제 1 항에 있어서, 상기 표면 조도가 표면 조도가 30 nm 이상인 제 1 기판 및/또는 제 2 기판은 전극 필름, 수지층 및 배향막을 포함하고, 상기 수지층 및 배향막에 의해 일부분이 고착된 비드를 더 포함하는 액정셀.The method according to claim 1, wherein the first substrate and / or the second substrate having a surface roughness of 30 nm or more includes an electrode film, a resin layer, and an alignment film, wherein the resin layer and the bead, Further comprising a liquid crystal cell. 제 2 항에 있어서, 상기 배향막의 두께는 30 nm 내지 250 nm인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 2, wherein the thickness of the alignment layer is from 30 nm to 250 nm. 제 4 항에 있어서, 상기 비드의 직경은 50 nm 내지 500 nm인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 4, wherein the diameter of the beads is 50 nm to 500 nm. 제 3 항에 있어서, 상기 배향막 및 수지층의 두께의 합은 60 nm 내지 400 nm인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 3, wherein the sum of the thicknesses of the alignment layer and the resin layer is 60 nm to 400 nm. 제 6 항에 있어서, 상기 비드의 직경은 80 nm 내지 700 nm인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 6, wherein the diameter of the beads is 80 nm to 700 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판 및/또는 제 2 기판은 배향막을 포함한 상태에서 표면 조도가 100 nm 이하인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 1, wherein the first substrate and / or the second substrate has a surface roughness of 100 nm or less in a state including an alignment film. 제 1 항에 있어서, 상기 액정층의 두께는 3 ㎛ 내지 20 ㎛인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 1, wherein the thickness of the liquid crystal layer is 3 占 퐉 to 20 占 퐉. 제 1 항에 있어서, 상기 액정층은 비반응성 액정 및 전도도 조절제를 포함하는 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 1, wherein the liquid crystal layer comprises a non-reactive liquid crystal and a conductivity adjusting agent. 제 10 항에 있어서, 상기 비반응성 액정은 유전율 이방성이 음수인 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 10, wherein the nonreactive liquid crystal has negative dielectric anisotropy. 제 10 항에 있어서, 상기 전도도 조절제는 이방성 염료, 반응성 액정 및 이온성 화합물로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 액정셀.11. The liquid crystal cell according to claim 10, wherein the conductivity adjusting agent comprises at least one selected from an anisotropic dye, a reactive liquid crystal, and an ionic compound. 제 1 항에 있어서, 상기 액정층은 초기 상태에서 투과 모드를 구현하고, 전압 인가 시 산란 모드를 구현하는 액정셀.The liquid crystal cell according to claim 1, wherein the liquid crystal layer implements a transmission mode in an initial state and implements a scattering mode when a voltage is applied. 제 1 항에 있어서, 상기 액정층은 30 V의 전압 인가 시, 구동 얼룩 유지 시간이 25 초 미만이고, 상기 구동 얼룩 유지 시간은 산란모드가 발현되지 않은 영역이 사라질 때까지의 시간을 의미하는 액정셀.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal layer has a driving stain retention time of less than 25 seconds when a voltage of 30 V is applied, and the driving stain retention time refers to a time until a region in which a scattering mode is not present disappears. Cell. 제 1 항의 액정셀을 포함하는 광변조 장치.A light modulation device comprising the liquid crystal cell of claim 1.
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