KR20190063617A - Liquid crystal display device - Google Patents

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안병건
김다은
한상훈
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

Disclosed is a liquid crystal display device. According to the liquid crystal display device, a light source, a switching element array layer, a liquid crystal layer, a light filter layer, and a wavelength conversion layer are sequentially arranged, and when voltage is applied, the light filter layer emits at least one of red light, green light, and blue light to the wavelength conversion layer. In the liquid crystal display device, a pixel electrode to which a pixel voltage is applied is provided in the switching element array layer. The liquid crystal display device may have a different laid electrode structure in which the pixel electrode and a common electrode are spaced apart from each other with the liquid crystal layer interposed therebetween, wherein a common voltage is applied to a metal pattern layer forming the light filter layer, and a vertical electric field is formed between the pixel electrode and the metal pattern layer when voltage is applied. The liquid crystal display device may have the same laid electrode structure in which the switching element array layer further includes the common electrode. The light filter layer further includes a barrier layer for reducing the vertical electric field formed between the metal pattern layer and the switching element array layer, and a horizontal electric field is formed between the pixel electrode and the common electrode when the voltage is applied.

Description

액정표시장치 {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

발명은 액정표시장치에 관한 것이다.The invention relates to a liquid crystal display device.

디스플레이 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 디스플레이 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: liquid crystal display)와, 유기발광다이오드 표시장치(OLED: organic light emitting diode display device)가 디스플레이 장치(display device)로 주로 활용되고 있다.The display device is a device for visually displaying data. 2. Description of the Related Art [0002] As an information society develops, there is a growing demand for display devices for displaying images. Recently, a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED) display devices are mainly used as display devices.

색필터(color filter)는 광원에서 나오는 빛에서, 예를 들어, 적색 파장대의 빛, 녹색 파장대의 빛, 청색 파장대의 빛을 투과시키고 그 이외의 다른 파장의 빛을 흡수하여 디스플레이 장치가 적색, 녹색, 청색을 구현할 수 있도록 하는 광학부품이다. 색필터는 표현하고자 하는 소정 색상의 파장대의 빛을 제외한 다른 파장대의 빛을 흡수하므로, 광 투과율 내지 광 효율이 저하될 수 있다.A color filter transmits light from a light source, for example, light of a red wavelength band, light of a green wavelength band, and light of a blue wavelength band, and absorbs light of other wavelengths, , And blue. The color filter absorbs light of a different wavelength band except light of a predetermined color range to be expressed, so that light transmittance or light efficiency may be lowered.

전자기파에서 특정 편광만을 편광시키기 위하여 평행한 도전체 선을 배열시키는 평행 전도 전선 어레이를 일반적으로 와이어 그리드(wire grid)라고 한다. 해당 빛의 파장보다 작은 주기를 가지는 와이어 그리드 구조는 비편광 입사광에 대해 와이어 방향의 편광은 반사하고 와이어 방향에 수직인 편광은 투과하는 편광 특성을 가진다. 이는 흡수형 편광판에 비하여 반사된 편광을 재이용할 수 있다는 장점이 있지만, 가시영역에서 도전체 선의 배열 주기가 100 nm 이하여야 높은 편광 효율을 가지므로, 높은 패터닝 기술이 요구된다. A parallel conducting wire array that arranges parallel conductor wires to polarize only specific polarized light in an electromagnetic wave is generally referred to as a wire grid. The wire grid structure having a period smaller than the wavelength of the light has a polarization characteristic that reflects polarized light in the wire direction with respect to unpolarized incident light and transmits polarized light perpendicular to the wire direction. This has the advantage that the polarized light reflected from the absorption type polarizing plate can be reused, but a patterning technique is required because the alignment period of the conductor lines in the visible region should be 100 nm or less so that the polarizing efficiency is high.

발명은 광효율 및 공정성이 개선된 액정표시장치를 제공하고자 한다. An object of the invention is to provide a liquid crystal display device with improved light efficiency and processability.

발명은, 광효율, 공정성 및 색재현 특성이 개선된 액정표시장치를 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device improved in light efficiency, fairness and color reproduction characteristics.

발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the invention are not limited to those mentioned above, and the problems which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

액정표시장치는, 광원, 스위칭 소자 어레이층, 액정층, 광 필터층 및 파장 변환층이 순서대로 배치되며, 전압 인가 시, 상기 광 필터층이, 적색광, 녹색광 및 청색광 중 적어도 하나를 상기 파장 변환층으로 출사한다. 상기 액정표시장치는, 화소 전압이 인가되는 화소 전극이 상기 스위칭 소자 어레이층에 구비된다. A liquid crystal display device includes a light source, a switching element array layer, a liquid crystal layer, an optical filter layer, and a wavelength conversion layer arranged in this order. When the voltage is applied, the optical filter layer converts at least one of red light, It exits. In the liquid crystal display device, a pixel electrode to which a pixel voltage is applied is provided in the switching element array layer.

상기 액정표시장치는, 상기 액정층을 사이에 두고 상기 화소 전극과 공통 전극이 이격되게 배치된, 이상층 전극 구조(different laid electrode structure)를 가질 수 있고, 이 때, 상기 광 필터층을 구성하는 금속 패턴층으로 공통 전압이 인가되며, 전압 인가 시, 상기 화소 전극과 상기 금속 패턴층의 사이에 수직 전계가 형성된다.The liquid crystal display device may have a different laid electrode structure in which the pixel electrode and the common electrode are spaced apart from each other with the liquid crystal layer interposed therebetween. A common voltage is applied to the pattern layer, and when a voltage is applied, a vertical electric field is formed between the pixel electrode and the metal pattern layer.

상기 액정표시장치는, 상기 스위칭 소자 어레이층이 상기 공통 전극을 더 포함하는 동일층 전극 구조(same laid electrode structure)를 가질 수 있고, 이 때, 상기 광 필터층은, 상기 금속 패턴층과 상기 스위칭 소자 어레이층 사이에 형성되는 수직 전계를 저감시키는 배리어층을 더 포함하며, 전압 인가 시, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극의 사이에 수평 전계가 형성된다. The liquid crystal display may have the same laid electrode structure in which the switching element array layer further includes the common electrode, wherein the optical filter layer is formed of the metal pattern layer and the switching element And a barrier layer for reducing a vertical electric field formed between the array layers, wherein a horizontal electric field is formed between the pixel electrode and the common electrode when a voltage is applied.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

발명은 광효율 및 공정성이 개선된 액정표시장치를 제공할 수 있다. The invention can provide a liquid crystal display device with improved light efficiency and fairness.

발명은, 광효율, 공정성 및 색재현 특성이 개선된 액정표시장치를 제공할 수 있다.The invention can provide a liquid crystal display device improved in light efficiency, fairness and color reproduction characteristics.

발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 이상층 전극 구조를 가진 액정표시장치에 관한 모식적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 액정표시장치에 사용된, 광 필터층의 모식적인 사시도이다.
도 3은 도 1의 액정표시장치에 색순도 향상층을 적용한기 전과 후의 색순도 향상 결과를 보여주는 이미지이다.
도 4는 동일층 전극 구조를 가진 액정표시장치에 관한 모식적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 액정표시장치에 사용된, 광 필터층의 모식적인 사시도이다.
1 is a schematic sectional view of a liquid crystal display device having an abnormal layer electrode structure.
2 is a schematic perspective view of an optical filter layer used in the liquid crystal display device of FIG.
3 is an image showing the result of improvement in color purity before and after applying the color purity enhancement layer to the liquid crystal display of Fig.
4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having the same layer electrode structure.
5 is a schematic perspective view of an optical filter layer used in the liquid crystal display of FIG.

발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되는 실시형태들과 실험예들을 참조하면 명확해질 것이다. 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 기술의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 그 기술의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니됨을 유의해야 한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

또한, 발명은 이하에서 개시되는 내용에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하에서 개시되는 내용은 발명의 개시가 완전하도록 하며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이고, 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. It is to be understood that the invention is not limited to the details of the disclosure herein described, but may be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the exemplary embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. And the invention is only defined by the scope of the claims.

관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 기술의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략할 수 있다. A detailed description of the related art may be omitted if it is determined that the technical gist of the present invention may be blurred.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. The dimensions and relative sizes of layers and regions in the figures may be exaggerated for clarity of illustration.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것으로, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 제1 구성요소는 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one element from another, and it goes without saying that the first element may be the second element unless specifically stated otherwise.

명세서 전체에서, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 각 구성요소는 단수일 수도 있고 복수일 수도 있다. Throughout the specification, each element may be singular or plural, unless specifically stated otherwise.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함하는(including)", "가진(having)" 이라고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. It is to be understood that throughout the specification, when an element is referred to as being "having", "having", or "having" an element, it should be understood that this does not exclude other elements, It can be included.

명세서 전체에서, "A 및/또는 B" 라고 할 때, 이는 특별한 반대되는 기재가 없는 한, A, B 또는 A 및 B 를 의미하며, "C 내지 D" 라고 할 때, 이는 특별한 반대되는 기재가 없는 한, C 이상이고 D 이하인 것을 의미한다.In the specification, "A and / or B" means A, B, or A and B unless otherwise indicated, and "C to D" C means more than C and D or less.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.It is to be understood that when an element or layer is referred to as being "on" or " on "of another element or layer, All included. On the other hand, a device being referred to as "directly on" or "directly above " indicates that no other device or layer is interposed in between.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation.

이하, 도면을 참고하여, 발명에 대해 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 이상층 전극 구조(different laid electrode structure)를 가진 액정표시장치에 관한 모식적인 단면도이다. 이상층 전극 구조를 가진 액정표시장치는, 액정층을 사이에 두고 화소 전극과 공통 전극이 이격되게 배치된다. 이상층 전극 구조를 가진 액정표시장치에, 전압이 인가된 때, 화소 전극과 공통 전극의 사이에는 수직 전계가 형성된다. 이상층 전극 구조를 가진 액정표시장치는, 액정층 내의 액정 분자가 수직 전계에 의해 구동될 수 있다. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a different laid electrode structure. In a liquid crystal display device having an ideal layer electrode structure, a pixel electrode and a common electrode are arranged apart from each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. In a liquid crystal display device having an ideal layer electrode structure, when a voltage is applied, a vertical electric field is formed between the pixel electrode and the common electrode. In a liquid crystal display device having an ideal layer electrode structure, liquid crystal molecules in the liquid crystal layer can be driven by a vertical electric field.

이상층 전극 구조를 가진 액정표시장치의 예로는, VA(Vertical Alignment) 모드 액정표시장치 또는 TN(Twisted Nematic) 모드 액정표시장치를 들 수 있다. 설명의 편의를 위해, 이하에서는, VA 모드 액정표시장치를 예로 들어, 이상층 전극 구조를 가진 액정표시장치를 설명하기로 한다. Examples of the liquid crystal display device having the abnormal layer electrode structure include a VA (Vertical Alignment) mode liquid crystal display device or a TN (Twisted Nematic) mode liquid crystal display device. For convenience of explanation, a liquid crystal display device having an abnormal layer electrode structure will be described as an example of a VA mode liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, VA 모드 액정표시장치(100)는, 광원(BLU), 편광판층(POL), 기판(SUB-1), 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array), 액정층(LCL), 광 필터층(TCF-1) 및 파장 변환층(CCM)이 순서대로 배치된다. 1, the VA mode liquid crystal display 100 includes a light source BLU, a polarizer plate POL, a substrate SUB-1, a switching element array layer TFT-Array, a liquid crystal layer LCL, The optical filter layer (TCF-1) and the wavelength conversion layer (CCM) are arranged in this order.

VA 모드 액정표시장치(100)는, 화소 전극(PE)이 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)에 구비되며, 공통 전극(CE)이 광 필터층(TCF-1)에 구비된다. 도 1에 도시된 VA 모드 액정표시장치(100)는 노멀리 블랙(normally black) 모드의 경우를 예시하며, 이 경우, VA 모드 액정표시장치(100)에 전압이 인가된 때, 화소 전극(PE)과 광 필터층(TCF-1)의 사이에는, 수직 전계가 형성된다. VA 모드 액정표시장치(100)에 전압이 인가된 때, 초기 수직 배향된 액정 분자(LC)는 그것의 방향자가 수직 전계에 수직되게 배열되고, 편광판층(POL)을 경유하여 편광된 빛이 액정층(LCL)을 경유하여, 광 필터층(TCF-1)로 입사될 수 있다. 광 필터층(TCF-1)로 입사된 빛은, 적색 파장대의 빛, 녹색 파장대의 빛, 청색 파장대의 빛 중 적어도 어느 하나가 되어, 광 필터층(TCF-1)으로부터 방출될 수 있다. In the VA mode liquid crystal display device 100, the pixel electrode PE is provided in the switching element array layer (TFT-Array), and the common electrode CE is provided in the optical filter layer TCF-1. The VA mode liquid crystal display 100 shown in FIG. 1 illustrates a case of a normally black mode. In this case, when a voltage is applied to the VA mode liquid crystal display 100, ) And the optical filter layer (TCF-1), a vertical electric field is formed. When a voltage is applied to the VA mode liquid crystal display device 100, the initially vertically aligned liquid crystal molecules LC are arranged so that their directors are perpendicular to the vertical electric field, and the polarized light is transmitted through the polarizing plate layer POL, (TCF-1) via the layer LCL. Light incident on the optical filter layer (TCF-1) may be emitted from the optical filter layer (TCF-1) by being at least one of light in a red wavelength band, light in a green wavelength band, and light in a blue wavelength band.

예를 들어, 광 필터층(TCF-1)이 청색 파장대의 빛을 파장 변환층(CCM)으로 출사한 때, 파장 변환층(CCM)은 청색 파장대의 빛을, 이에 비해 장파장대인 녹색 파장대의 빛, 적색 파장대의 빛으로 변환시킬 수 있다. 청색 파장대의 빛의 일부가 파장 변환층(CCM)을 경유하지 않은 채, 외부로 출사되고, 청색 파장대의 빛의 다른 일부가 파장 변환층(CCM)을 경유하여, 녹색 파장대의 빛과 적색 파장대의 빛으로 변환되는 것에 의해, VA 모드 액정표시장치(100)에 전압이 인가된 때, VA 모드 액정표시장치(100)는, 적색, 녹색, 청색을 구현할 수 있다. For example, when the optical filter layer (TCF-1) emits light in the blue wavelength band to the wavelength conversion layer (CCM), the wavelength conversion layer (CCM) emits light in the blue wavelength band, It can be converted into light of a red wavelength band. A part of the light of the blue wavelength band is emitted to the outside without passing through the wavelength conversion layer (CCM), and another part of the light of the blue wavelength band passes through the wavelength conversion layer (CCM) The VA mode liquid crystal display device 100 can realize red, green, and blue colors when a voltage is applied to the VA mode liquid crystal display device 100. [

광 필터층(TCF-1)은 금속 패턴층(MP)을 포함하는데, 금속 패턴층(MP)은 공통 전극의 역할을 할 수 있다. 금속 패턴층(MP)에는 공통 전압이 유지되며, 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)의 화소 전극(PE)에 화소 전압이 인가된 때, 화소 전극(PE)과 금속 패턴층(MP)의 사이에는, 수직 전계가 형성된다. The optical filter layer TCF-1 includes a metal pattern layer MP, and the metal pattern layer MP may serve as a common electrode. A common voltage is maintained in the metal pattern layer MP and a voltage is applied between the pixel electrode PE and the metal pattern layer MP when a pixel voltage is applied to the pixel electrode PE of the switching element array layer A vertical electric field is formed.

광원(BLU)은 직광형 백라이트 유닛, 사이드형 백라이트 유닛 등일 수 있으며, 도 1에 도시된 사이드형 백라이트 유닛으로만 제한되지 않는다. 사이드형 백라이트 유닛은, 도광판(LG)과 도광판(LG)의 측면에 배치된 발광다이오드 칩(LS)을 포함한다. 발광다이오드 칩(LS)에서 출사된 빛은, 도광판(LG)으로 입사되어, 광 경로가 광원(BLU)의 상부에 배치된 편광판층(POL) 및/또는 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array) 측으로 바뀐다. 광원(BLU)에서 편광판층(POL) 및/또는 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)으로 출사되는 빛은, 백색광 또는 청색광 등일 수 있다. The light source BLU may be a direct light type backlight unit, a side type backlight unit, or the like, and is not limited to the side type backlight unit shown in FIG. The side-type backlight unit includes a light-guide plate LG and a light-emitting diode chip LS disposed on the sides of the light guide plate LG. The light emitted from the light emitting diode chip LS is incident on the light guide plate LG so that the light path is directed toward the polarizing plate layer POL and / or the switching element array layer (TFT-Array) disposed on the upper portion of the light source BLU Change. The light emitted from the light source BLU to the polarizing plate layer POL and / or the switching element array layer (TFT-Array) may be white light, blue light, or the like.

편광판층(POL)은, 광원(BLU)의 상부에 배치된다. 편광판층(POL)은, 광원(BLU)으로부터 출사된 빛 중에서, 편광축과 동일한 방향으로 진동하는 빛만 투과시키고, 그 외의 빛은 흡수 또는 반사하여 특정 방향의 편광을 만들 수 있다. 편광판층(POL)의 예로는, 흡수형 편광판을 들 수 있으며, 흡수형 편광판은, 예를 들어, 요오드 또는 이색성 염료가 염착된, PVA계 편광필름으로 구성될 수 있다. 편광판층(POL)의 예로는, 반사형 편광판을 들 수 있으며, 반사형 편광판의 예로는, 와이어 그리드 편광판(WGP)을 들 수 있다.The polarizing plate layer POL is disposed on the upper portion of the light source BLU. The polarizing plate layer POL can transmit only the light oscillating in the same direction as the polarization axis among the light emitted from the light source BLU and absorb or reflect the other light to make polarized light in a specific direction. An example of the polarizing plate layer (POL) is an absorption type polarizing plate, and the absorption type polarizing plate may be composed of, for example, a PVA polarizing film in which iodine or a dichroic dye is dyed. An example of the polarizing plate layer POL is a reflection type polarizing plate, and an example of a reflection type polarizing plate is a wire grid polarizing plate (WGP).

기판(SUB-1)은, 편광판층(POL)의 상부에 배치된다. 기판(SUB-1)은, 가시광선을 투과시킬 수 있는 것이면, 재질이나 용도는 공정에 맞게 적절하게 선택될 수 있다. 기판(SUB-1)은, 예를 들어, 유리, 석영(Quartz), 아크릴, TAC(triacetylcellulose), COP(cyclic olefin copolymer), COC(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylene naphthalate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyether sulfone), PAR(polyarylate) 등의 다양한 고분자 화합물 등으로 구성될 수 있지만, 이것들 만으로 제한되는 것은 아니다. The substrate SUB-1 is disposed on the upper side of the polarizing plate layer POL. If the substrate SUB-1 is capable of transmitting visible light, the material and application can be appropriately selected in accordance with the process. The substrate SUB-1 may be made of glass, quartz, acrylic, triacetylcellulose (TAC), cyclic olefin copolymer (COP), cyclic olefin polymer (COC), polycarbonate (PC), polyethylene naphthalate (PET) , Polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyarylate (PAR), and the like.

스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)은, 기판(SUB-1)의 상부에 배치된다. 구체적으로, 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)은, 기판(SUB-1) 상에 배치된, 게이트 배선(미도시), 데이터 배선(미도시), 스토리지 배선(미도시), 배리어층, 스위칭 소자, 예를 들어, 박막트랜지스터들(thin film transistors), 화소 전압이 인가되는 화소 전극(PE) 등을 포함하여 구성될 수 있다. 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차 배열되는 것에 의해, 화소(미도시)가 정의될 수 있으며, 화소는 부화소(미도시)로 구획될 수 있다. 부화소(미도시)는, 제1 부화소(미도시), 제2 부화소(미도시), 및 제3 부화소(미도시) 등으로 구분될 수 있으며, 제1 부화소(미도시)는 적색 화소, 제2 부화소(미도시)는 녹색 화소, 제3 부화소(미도시)는 청색 화소일 수 있다. The switching element array layer (TFT-Array) is disposed on the substrate SUB-1. Specifically, the switching element array layer (TFT-Array) includes a gate wiring (not shown), a data wiring (not shown), a storage wiring (not shown), a barrier layer, For example, thin film transistors, a pixel electrode (PE) to which a pixel voltage is applied, and the like. A pixel (not shown) can be defined by the intersection of the gate wiring (not shown) and the data wiring (not shown), and the pixel can be partitioned into sub-pixels (not shown). The subpixel (not shown) may be divided into a first subpixel (not shown), a second subpixel (not shown), and a third subpixel (not shown) (Not shown) may be a red pixel, a second sub-pixel (not shown) may be a green pixel, and a third sub-pixel (not shown) may be a blue pixel.

액정층(LCL)은, 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)의 상부에 배치된다. 액정층(LCL)을 구성하는 액정 조성물은, 음의 유전율 이방성을 가진다. VA 모드 액정표시장치(100)에 전압이 인가되지 않은 때(OFF), 액정 분자(LC)는 화소 전극(PE)과 금속 패턴층(MP)의 사이에 수직하게 초기 배향되어, VA 모드 액정표시장치(100)가 블랙(black)을 구현하지만, VA 모드 액정표시장치(100)에 전압이 인가된 때(ON), 액정 분자(LC)는, 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)의 사이에 형성되는 수직 전계에 대해, 방향자가 수직이 되게 배향되어, VA모드 액정표시장치(100)는, 적색, 녹색, 청색 등을 구현할 수 있다. The liquid crystal layer LCL is disposed on the upper side of the switching element array layer (TFT-Array). The liquid crystal composition constituting the liquid crystal layer (LCL) has a negative dielectric anisotropy. When the voltage is not applied to the VA mode liquid crystal display device 100 (OFF), the liquid crystal molecules LC are vertically and vertically aligned between the pixel electrode PE and the metal pattern layer MP, When the voltage is applied to the VA mode liquid crystal display device 100 (ON), the liquid crystal molecules LC are aligned in the same direction as the pixel electrodes PE and the common electrodes CE The VA mode liquid crystal display device 100 can realize red, green, blue, and the like.

광 필터층(TCF-1)은, 액정층(LCL)의 상부에 배치된다. 광 필터층(TCF-1)은, 특정 파장대의 빛을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 도 2는 도 1의 액정표시장치(100)에 사용된, 광 필터층(TCF-1)의 모식적인 사시도이다. 광 필터층(TCF-1)에 대해서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하기로 한다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 광 필터층(TCF-1)은, 기저층(SUB-2), 제1 유전체층(DE-1), 유전체층(DE-2) 및 금속 패턴층(MP)이 순서대로 배치된다.The optical filter layer (TCF-1) is disposed on the upper side of the liquid crystal layer (LCL). The optical filter layer (TCF-1) can selectively transmit light of a specific wavelength band. 2 is a schematic perspective view of an optical filter layer (TCF-1) used in the liquid crystal display 100 of FIG. The optical filter layer (TCF-1) will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. Referring to FIGS. 1 and 2, the optical filter layer TCF-1 includes a base layer SUB-2, a first dielectric layer DE-1, a dielectric layer DE-2, and a metal pattern layer MP .

기저층(SUB-2)은, 액정층(LCL)과 파장 변환층(CCM)의 사이에 배치된다. 기저층(SUB-2)은, 제2 유전체층(DE-2)에 비해 굴절률이 낮다. 기저층(SUB-2)은, Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO2, SiON 등을 포함할 수 있다. 기저층(SUB-2)은, 제1 유전체층(DE-1)에 비해 굴절률이 낮다.The base layer SUB-2 is disposed between the liquid crystal layer LCL and the wavelength conversion layer CCM. The refractive index of the base layer SUB-2 is lower than that of the second dielectric layer DE-2. The base layer SUB-2 may include Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO 2 , SiON, and the like. The refractive index of the base layer SUB-2 is lower than that of the first dielectric layer DE-1.

제1 유전체층(DE-1)은, 기저층(SUB-2)과 금속 패턴층(MP)의 사이에 배치된다. 제1 유전체층(DE-1)은, Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO2, SiON 등을 포함할 수 있다. The first dielectric layer DE-1 is disposed between the base layer SUB-2 and the metal pattern layer MP. A first dielectric layer (DE-1) it is, and may include Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO 2, SiON or the like.

제2 유전체층(DE-2)은, 제1 유전체층(DE-1)과 금속 패턴층(MP)의 사이에 배치된다. 제2 유전체층(DE-2)은, Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO2, SiON 등을 포함할 수 있다. 제2 유전체층(DE-2)은, 제1 유전체층(DE-1)에 비해 굴절률이 낮다.The second dielectric layer DE-2 is disposed between the first dielectric layer DE-1 and the metal pattern layer MP. A second dielectric layer (DE-2) may comprise a Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO 2, SiON or the like. The second dielectric layer DE-2 has a lower refractive index than the first dielectric layer DE-1.

금속 패턴층(MP)은, 기저층(SUB-2)과 파장 변환층(CCM)의 사이에 배치되고, 공통 전압이 인가된다. 금속 패턴층(MP)은, 금속 재질의 단위 블록(UN)이 소정의 배열주기(Px, Py)를 가지고 상호 이격되어, 제2 유전체층(DE-2) 상에 배열되며, 금속 재질의 단위 블록(U)은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등으로 구성될 수 있다. 금속 패턴층(MP)에서 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열은, 금속 재질의 단위 블록(UN)이 x 방향과 y 방향에서 모두 소정의 배열주기(Px, Py)를 가지고 상호 이격된 형태로 도 2에 도시된 것으로만 제한되지 않는다. 다시 말하면, 도시되지는 않았으나, 금속 패턴층(MP)은 금속 재질의 단위 블록(UN)이, x 방향 또는 y 방향 중 어느 한 방향에서만 소정의 배열주기(x 방향의 경우, 소정의 배열주기가 Px, y 방향의 경우 소정의 배열주기가 Py)를 가지고, 상호 이격되게 배열된 것 또한 포함한다.The metal pattern layer MP is disposed between the base layer SUB-2 and the wavelength conversion layer CCM, and a common voltage is applied. The metal pattern layer MP is formed by stacking a unit block UN made of metal with a predetermined arrangement period Px and Py and arranged on the second dielectric layer DE- (U) may be composed of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), chromium (Cr), copper (Cu) The arrangement of the unit blocks UN of metallic material in the metal pattern layer MP is such that the metallic unit blocks UN are spaced apart from each other with predetermined arrangement periods Px and Py in the x and y directions, As shown in Fig. In other words, although not shown, the metal pattern layer MP may be formed by stacking a metal unit block UN in a predetermined arrangement period (in the x direction, a predetermined arrangement period is Px, and a predetermined arrangement period Py in the y direction, and are arranged so as to be spaced apart from each other.

광 필터층(TCF-1)은, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py)에 해당되는 특정 파장대의 빛 만을 투과시키고, 다른 파장대의 빛을 반사하는 반사형 편광판의 역할을 할 수 있다. 광 필터층(TCF-1)은 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py)를 조절함으로써, 특정 색상의 파장대의 빛을 선택적으로 출사하는 컬러필터의 역할을 할 수 있다. The optical filter layer TCF-1 serves as a reflection type polarizing plate that transmits only light of a specific wavelength band corresponding to the arrangement period (Px and / or Py) of the unit block UN made of metal and reflects light of other wavelength band can do. The optical filter layer TCF-1 can serve as a color filter that selectively emits light of a specific color wavelength band by adjusting the arrangement period Px and / or Py of the unit block UN made of metal.

광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장을 가시광선 대역으로 설정하는 경우, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py)는 100 nm 내지 500 nm 일 수 있다. 전자빔 리소그라피(E-beam lithography), 나노 임프린트 리소그라피(nano imprint lithography), 블록 공중합체의 자기조립을 이용한 패터닝 등을 이용하여, 100 nm 이하의 선폭을 가진 금속 재질의 단위 블록(UN)을 패터닝하는 것이 가능하다. When the transmission central wavelength of the optical filter layer (TCF-1) is set to the visible light band, the arrangement period (Px and / or Py) of the unit block UN made of metal may be 100 nm to 500 nm. (UN) having a line width of 100 nm or less is patterned using electron beam lithography (E-beam lithography), nano imprint lithography, patterning using self-assembly of a block copolymer, It is possible.

전자빔 리소그라피는 대면적 공정이 불가능하며, 나노 임프린트 리소그라피는, 금속층의 패터닝을 위한 수지 패턴의 전사 후, 스탬프를 제거하는 과정에서, 수지 패턴의 일부가 스탬프와 함께 박리되어, 나노 패턴 불량이 발생될 수 있으며, 이를 해결하기 위한 리-워크(re-work)시 공정성이 저하되는 문제가 있으며, 실질적으로 대면적화가 어려운 단점이 있다. 한편, 블록 공중합체의 자기조립을 이용한 패터닝은, 블록 공중합체의 소수성 블록과 친수성 블록을 정렬하기 위한 가이드 패턴이 필요하여 공정이 복잡해지며, 적절한 블록 공중합체의 합성에 한계가 있다. In the process of removing the stamp after the transfer of the resin pattern for patterning the metal layer, a part of the resin pattern is peeled together with the stamp and the nano-pattern defect is generated in the nanoimprint lithography There is a problem in that the fairness is lowered in the re-work for resolving the problem, and it is disadvantageous in that it is difficult to substantially increase the area. On the other hand, the patterning using the self-assembly of the block copolymer requires a guide pattern for aligning the hydrophobic block with the hydrophilic block of the block copolymer, complicating the process and limiting the synthesis of a suitable block copolymer.

한편, 광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장은, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py) 뿐만이 아니라, 제1 유전체층(DE-1)의 두께 및/또는 굴절율, 제2 유전체층(DE-2)의 두께 및/또는 굴절율, 기저층(SUB-2)의 두께 및/또는 굴절율을 조절하는 것에 의해서도 제어될 수 있다. 광 필터층(TCF-1)은, 제1 유전체층(DE-1)의 두께 및/또는 굴절율, 제2 유전체층(DE-2)의 두께 및/또는 굴절율, 기저층(SUB-2)의 두께 및/또는 굴절율을 조절하여, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 최소 배열주기를 대략 250 nm 내지 300 nm 로 제어할 수 있으므로, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기 만으로, 특정 색상의 빛의 파장대에 해당되는 투과 중심 파장을 제어하며, 높은 편광 효율을 얻기 위해, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기를 100 nm 이하로 하여야 하는 와이어 그리드 편광판에 비해, 공정성의 면에서 유리한 장점이 있다. On the other hand, the transmission center wavelength of the optical filter layer TCF-1 is not limited to the arrangement period Px and / or Py of the unit block UN of the metal but also the thickness and / or the refractive index of the first dielectric layer DE- , The thickness and / or refractive index of the second dielectric layer (DE-2), the thickness and / or the refractive index of the base layer (SUB-2). The optical filter layer TCF-1 may have a thickness and / or a refractive index of the first dielectric layer DE-1, a thickness and / or a refractive index of the second dielectric layer DE-2, a thickness of the base layer SUB-2 and / Since the minimum arrangement period of the unit block UN made of metal can be controlled to be about 250 nm to 300 nm by adjusting the refractive index, Compared to the wire grid polarizer in which the unit period of the unit block (UN) of the metal material is set to be 100 nm or less in order to control the corresponding transmission central wavelength and obtain high polarization efficiency, there is an advantage in terms of processability.

예를 들어, 광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장이 적색 파장대의 빛의 파장에 해당되는 경우, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py)는, 약 285 nm 일 수 있고, 광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장이 녹색 파장대의 빛의 파장에 해당되는 경우, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py)는, 약 355 nm 일 수 있으며, 광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장이 청색 파장대의 빛의 파장에 해당되는 경우, 금속 재질의 단위 블록(UN)의 배열주기(Px 및/또는 Py)는, 약 395 nm 일 수 있다.For example, when the transmission central wavelength of the optical filter layer (TCF-1) corresponds to the wavelength of light of the red wavelength band, the arrangement period (Px and / or Py) of the unit block UN made of metal is about 285 nm And the arrangement period Px and / or Py of the unit block UN of the metal material is about 355 nm when the center wavelength of transmission of the optical filter layer TCF-1 corresponds to the wavelength of light of the green wavelength band And the arrangement period Px and / or Py of the unit block UN of the metal material is about 395 nm when the center wavelength of transmission of the optical filter layer TCF-1 corresponds to the wavelength of light of the blue wavelength band Lt; / RTI >

예를 들어, 기저층(SUB-2)과 제2 유전체층(DE-2)의 굴절율이 동일한 경우, 광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장은, 하기 식 (1) 및 식 (2)에 의해 결정될 수 있다. For example, when the refractive indexes of the base layer SUB-2 and the second dielectric layer DE-2 are the same, the transmission central wavelength of the optical filter layer TCF-1 is expressed by the following equations (1) and Can be determined.

Figure pat00001
식 (1)
Figure pat00001
Equation (1)

상기 식 (1)에서, Hh는 제1 유전체층(DE-1)의 두께이며, n1은 기저층(SUG-2) 및 제2 유전체층(DE-2)의 굴절율, n2는 제1 유전체층(DE-1)의 굴절율이고, kn1, kn2는 각각 제2 유전체층(DE-2)의 굴절율, 제1 유전체층(DE-1)의 굴절율에서의 파장 별 전파 상부이며, βw는 도파 모드의 전파 상수를 나타낸다. ρ는 TE(단위 블록의 배열방향과 수직인 입사 편광)의 경우에 0 이며, TM(단위 블록의 배열방향과 수평한 입사 편광)이 경우에는 1로 나타내어진다.N1 is the refractive index of the base layer SUG-2 and the refractive index of the second dielectric layer DE-2, and n2 is the refractive index of the first dielectric layer DE-1 (DE-1). In the formula (1), Hh is the thickness of the first dielectric layer DE- And kn1 and kn2 are the propagation rates of the second dielectric layer DE-2 and the first dielectric layer DE-1, respectively, and w represents the propagation constant of the waveguide mode. rho is 0 in the case of TE (incident polarized light perpendicular to the arrangement direction of the unit blocks), and 1 in the case of TM (incident polarized light parallel to the array direction of the unit blocks).

Figure pat00002
식 (2)
Figure pat00002
Equation (2)

상기 식 (2)에서,

Figure pat00003
는 금속 패턴층(MP)에 회절되는 회절 성분의 크기를 의미하며, Λ 는 금속 패턴층(MP)의 배열주기(Px 및/또는 Py) 를 나타낸다.In the above formula (2)
Figure pat00003
Denotes the size of the diffraction component diffracted to the metal pattern layer MP and A denotes the arrangement period (Px and / or Py) of the metal pattern layer MP.

상기 식 (1)의 도파모드의 전파 상수 βw와 상기 식 (2)의 회절성분의 크기

Figure pat00004
가 같아지는 파장에서 투과 현상이 일어난다.The propagation constant? W of the waveguide mode of the formula (1) and the magnitude of the diffraction component of the formula (2)
Figure pat00004
The transmission phenomenon occurs at the same wavelength.

한편, 제1 유전체층(DE-1)의 두께(h1), 제2 유전체층(DE-2)의 두께(h2) 및 기저층(SUB-2)의 두께(h3)를 모두 더한 두께(h1+h2+h3)는, 금속 패턴층(MP)이 공통 전극으로서 역할을 수행하여, 화소 전극(PE)과 금속 패턴층(MP)의 사이에 형성되는 수직 전계를 약화시키지 않거나, 차폐시키지 않는 수준이면, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 2 ㎛ 미만일 수 있고, 1.5 ㎛ 이하일 수도 있으며, 1 ㎛ 이하일 수도 있다. (H1 + h2 + h2 + h2 + h2 + h2 + h2 + h2 + h2 + h2 + h3 are formed at a level at which the metal pattern layer MP serves as a common electrode and does not weaken or shield the vertical electric field formed between the pixel electrode PE and the metal pattern layer MP, But is not limited to, for example, less than 2 占 퐉, may be 1.5 占 퐉 or less, and may be 1 占 퐉 or less.

파장 변환층(CCM)은, 광 필터층(TCF-1)의 상부에 배치된다. 파장 변환층(CCM)은, 단파장의 빛을 장파장으로 변환할 수 있다. 파장 변환층(CCM)에는 단파장의 빛을 흡수하여 장파장의 빛으로 변환시켜 방출하는 색변환 물질(color conversion material: CCM)이 포함된다. The wavelength conversion layer (CCM) is disposed on top of the optical filter layer (TCF-1). The wavelength conversion layer (CCM) can convert light of a short wavelength into a long wavelength. The wavelength conversion layer (CCM) includes a color conversion material (CCM) that absorbs light having a short wavelength and converts the light into light having a long wavelength.

파장 변환층(CCM)은 제1 변환부(CCM-1)와, 제1 변환부(CCM-1)에 비해 단파장의 빛을 출사하는 제2 변환부(CCM-2)를 포함할 수 있다. 파장 변환층(CCM)은, 제1 변환부(CCM-1)와 제2 변환부(CCM-2)이 서로 이격되게 배열되어 형성된, 스트라이프형, 모자이크형, 델타형 등의 소정의 패턴을 가질 수 있다. The wavelength conversion layer CCM may include a first conversion unit CCM-1 and a second conversion unit CCM-2 that emits light of a shorter wavelength than the first conversion unit CCM-1. The wavelength conversion layer CCM has a predetermined pattern such as a stripe type, a mosaic type, or a delta type formed by arranging the first conversion unit CCM-1 and the second conversion unit CCM-2 apart from each other .

예를 들어, 광 필터층(TCF-1)의 투과 중심 파장대의 빛이 청색광의 파장대인 경우, 청색광이 파장 변환층(CCM)으로 입사된 때, 제1 변환부(CCM-1)는, 예를 들어, 적색광(R)을 출사할 수 있고, 제2 변환부(CCM-2)는, 예를 들어, 녹색광(G)을 출사할 수 있다. 이 경우, 파장 변환층(CCM)은 적색광(R)을 발광하는 제1 변환부(CCM-1)와 녹색광(G)을 발광하는 제2 변환부(CCM-2)로 구성될 수 있으며, 제1 변환부(CCM―1)와 제2 변환부(CCM-2)는 각각 적색 화소와 녹색 화소에 중첩되게 배치될 수 있고, 광 필터층(TCF-1)로부터 출사된 청색광(B)은, 파장 변환층(CCM)을 경유하지 않은 채, 청색 화소와 중첩되는 영역에서 외부로 표현될 수 있다.For example, when the light at the central transmission wavelength band of the optical filter layer (TCF-1) is the wavelength band of blue light, when the blue light is incident on the wavelength conversion layer (CCM), the first conversion section The second conversion unit CCM-2 can emit, for example, the green light G. In this case, In this case, the wavelength conversion layer CCM may be composed of a first conversion unit CCM-1 for emitting red light R and a second conversion unit CCM-2 for emitting green light G, 1 conversion section CCM-1 and the second conversion section CCM-2 may be arranged so as to overlap with the red pixel and the green pixel respectively and the blue light B emitted from the optical filter layer TCF- Can be expressed externally in the region overlapping with the blue pixel without passing through the conversion layer (CCM).

한편, 제1 변환부(CCM-1)와 제2 변환부(CCM-2)는, 색변환 물질과 감광성 수지 등을 포함하는 전구체 물질을 이용하여 포토리소그라피 공정 등을 통해 형성될 수 있다. The first conversion unit CCM-1 and the second conversion unit CCM-2 may be formed through a photolithography process or the like using a precursor material including a color conversion material and a photosensitive resin.

색변환 물질은, 예를 들어, 양자점(Quantum Dot), 형광염료 또는 이들의 조합일 수 있다. 형광염료는, 예를 들어, 유기 형광물질, 무기 형광물질 및 이들의 조합을 포함한다. The color conversion material may be, for example, a Quantum Dot, a fluorescent dye, or a combination thereof. Fluorescent dyes include, for example, organic fluorescent materials, inorganic fluorescent materials, and combinations thereof.

양자점은, II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있지만, 이들 만으로 제한되지 않는다. II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어 진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로 는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.The quantum dot may be selected from, but not limited to, a Group II-VI compound, a Group III-V compound, a Group IV-VI compound, a Group IV element, a Group IV compound, or a combination thereof. Group II-VI compounds are selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS and mixtures thereof; A trivalent element selected from the group consisting of CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS, Small compounds; And a silane compound selected from the group consisting of HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe and mixtures thereof. The III-V compound is selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and mixtures thereof; A trivalent compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP and mixtures thereof; And a photonic compound selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb and mixtures thereof. Group IV-VI compounds are selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A triple compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And a silane compound selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof. Group IV elements may be selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof. The IV group compound may be the element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. At this time, the elemental compound, the trivalent compound or the silane compound may be present in the particle at a uniform concentration, or may be present in the same particle by dividing the concentration distribution into a partially different state. One quantum dot may also have a core / shell structure surrounding other quantum dots. The interface between the core and the shell may have a concentration gradient in which the concentration of the element present in the shell becomes lower toward the center.

양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다. The quantum dot may have a full width of half maximum (FWHM) of the emission wavelength spectrum of about 45 nm or less, preferably about 40 nm or less, more preferably about 30 nm or less, and the color purity or color reproducibility . Also, light emitted through the quantum dots is emitted in all directions, so that a wide viewing angle can be improved.

또한, 양자점의 형태는 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.The shape of the quantum dots is not particularly limited, but may be a generally used form, and more specifically, a nanoparticle of a spherical shape, a pyramidal shape, a multi-arm or a cubic shape, a nanotube, Nanofibers, nano-sized particles, and the like can be used.

형광염료는, 예를 들어, 적색 형광염료, 녹색 형광염료, 그 이외의 제3의 색상의 빛을 발광하는 염료 또는 이들의 조합일 수 있다. The fluorescent dye may be, for example, a red fluorescent dye, a green fluorescent dye, a dye emitting light of a third color other than that, or a combination thereof.

적색 형광염료는, 녹색 파장대의 빛을 흡수하여 적색 파장대의 빛을 발광하는 물질로, 예를 들어, (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, 카즌(CaAlSiN3), CaMoO4, Eu2Si5N8 중 적어도 하나일 수 있다. 또한, 적색 형광염료는, 예를 들어, 617 nm 내지 637 nm 에서 최대 발광피크를 가지며, 반치폭(FWHM)이 40 nm 내지 50 nm인 물질일 수 있다. 구체 예에서, 적색 형광염료로는, 627 nm 에서 최대 발광피크를 가지며, 반치폭(FWHM)이 44 nm인 물질이 사용될 수 있다. 다만, 적색 형광염료가 전술한 예들 만으로 제한되지 않는다. (Ca, Sr, Ba) S, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 , and Caustic CaAlSiN 3 ), CaMoO 4 , and Eu 2 Si 5 N 8 . Further, the red fluorescent dye may be, for example, a substance having a maximum emission peak at 617 nm to 637 nm and a half-width (FWHM) of 40 nm to 50 nm. In an embodiment, as the red fluorescent dye, a material having a maximum emission peak at 627 nm and a half width (FWHM) of 44 nm may be used. However, the red fluorescent dye is not limited to the above-mentioned examples.

녹색 형광염료는 청색 파장대의 빛을 흡수하여 녹색 파장대의 빛을 발광하는 물질로, 예를 들어, 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바리움마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON, (Sr1-xBax)Si2O2N2 중 적어도 하나일 수 있다. 또한, 녹색 형광염료는, 예를 들어, 510 nm 내지 525 nm 에서 최대 발광피크를 가지며, 반치폭(FWHM)이 60 nm 내지 70 nm인 물질일 수 있다. 구체 예에서, 녹색 형광염료로는, 520 nm 에서 최대 발광피크를 가지며, 반치폭(FWHM)이 62 nm인 제1 녹색 형광염료와, 511 nm 에서 최대 발광피크를 가지며, 반치폭(FWHM)이 64 nm인 제2 녹색 형광염료가 사용될 수 있다. 다만, 녹색 형광염료가 전술한 예들 만으로 제한되지 않는다.Green fluorescent dye is a material that emits light of a green wavelength band by absorbing light of a blue wavelength band, for example, yttrium aluminum garnet (yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba) 2 SiO 4, SrGa 2 S 4, barium magnesium aluminate (BAM), alpha-siAlON (α-siAlON), sialon between the beta (β-siAlON), Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12, Tb 3 Al 5 O 12, BaSiO 4, CaAlSiON, ( Sr 1-x Ba x ) Si 2 O 2 N 2 . Further, the green fluorescent dye may be, for example, a substance having a maximum emission peak at 510 nm to 525 nm and a half-width (FWHM) of 60 nm to 70 nm. In a specific example, the green fluorescent dye has a first green fluorescent dye having a maximum emission peak at 520 nm and a full width at half maximum (FWHM) of 62 nm, a maximum emission peak at 511 nm, a full width at half maximum (FWHM) of 64 nm A second green fluorescent dye can be used. However, the green fluorescent dye is not limited to the above-mentioned examples.

VA모드 액정표시장치(100)는, 선택적으로, 파장 변환층(CCM)의 상부에 배치된 색순도 향상층(YCF)을 더 포함할 수도 있다. 색순도 향상층(YCF)은, 파장 변환층(CCM)에서 출사된 빛 중에서, 파장대 400 nm 내지 450 nm 의 빛(청색광(B))을 흡수하여, 색순도 향상층(YCF)에서 출사되는 빛에서 청색광(B)의 혼색을 제거함으로써, VA모드 액정표시장치(100)의 색순도를 향상시킬 수 있다. The VA mode liquid crystal display device 100 may further optionally include a color purity improving layer (YCF) disposed on top of the wavelength converting layer (CCM). The color purity enhancement layer YCF absorbs light (blue light B) in the wavelength range of 400 nm to 450 nm in the light emitted from the wavelength conversion layer CCM, The color purity of the VA mode liquid crystal display device 100 can be improved.

광 필터층(TCF-1)이 청색광(B)을 파장 변환층(CCM)으로 출사할 때, 제1 변환부(CCM-1)는, 예를 들어, 적색광(R)을 출사할 수 있으며, 이 때, 제1 변환부(CCM-1)에 중첩되게 배치된 영역은, 제1 변환부(CCM-1)에서 출사된 적색광(R)에 혼색된 청색광(B)을 흡수하여, VA모드 액정표시장치(100)의 적색 순도를 향상시킬 수 있고, 제2 변환부(CCM-2)에 중첩되게 배치된 영역은, 제2 변환부(CCM-2)에서 출사된 녹색광(G)에 혼색된 청색광(B)을 흡수하여, VA모드 액정표시장치(100)의 녹색 순도를 향상시킬 수 있다. When the optical filter layer TCF-1 outputs the blue light B to the wavelength conversion layer CCM, the first conversion section CCM-1 can emit, for example, the red light R, The area superimposed on the first conversion unit CCM-1 absorbs the blue light B mixed in the red light R emitted from the first conversion unit CCM-1, The area of the second conversion unit CCM-2 that is arranged to overlap with the second conversion unit CCM-2 can improve the red purity of the device 100, and the blue light mixed with the green light G emitted from the second conversion unit CCM- The green purity of the VA mode liquid crystal display device 100 can be improved.

이 경우, 색순도 향상층(YCF)은 제1 변환부(CCM-1) 및 제2 변환부(CCM-2)와 중첩되는 영역에만, 배치될 수 있다. 색순도 향상층(YCF)은, 제1 변환부(CCM-1) 및 제2 변환부(CCM-2)와 중첩되게, 스트라이프형, 모자이크형, 델타형 등의 소정의 패턴으로 배열될 수도 있고, 제1 변환부(CCM-1) 및 제2 변환부(CCM-2)와 중첩되는 영역에서, 제1 변환부(CCM-1) 및 제2 변환부(CCM-2)의 패턴에 관계없이, 단일만으로 형성될 수도 있다.In this case, the color purity enhancement layer YCF may be disposed only in the region overlapping with the first conversion section CCM-1 and the second conversion section CCM-2. The color purity enhancement layer YCF may be arranged in a predetermined pattern such as a stripe shape, a mosaic shape or a delta shape so as to overlap with the first conversion portion CCM-1 and the second conversion portion CCM-2, Irrespective of the pattern of the first conversion unit CCM-1 and the second conversion unit CCM-2 in the area overlapping with the first conversion unit CCM-1 and the second conversion unit CCM-2, It may be formed as a single piece.

색순도 향상층(YCF)은, 황색 염료와 고분자 화합물을 포함하여 구성될 수 있다. 황색 염료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 아조계 황색 염료일 수 있으며, 아조계 황색 염료의 예로는, C.I 반응성 황색염료(C.I. reactive yellow)를 들 수 있으며, C.I 반응성 황색 염료의 예로는, C.I Reactive Yellow 1, 2, 3, 4, 5, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 22, 23, 25, 35, 36:1, 37, 39, 42, 44, 45:1, 55, 57, 66, 72, 76, 78, 81, 84, 85, 86, 95, 105, 107, 121, 133, 135, 138, 143, 145, 148, 151, 154, 156, 157, 158, 160, 161, 162, 164, 167, 174, 176, 178, 179, 184, 185, 186, 193, 201, 202, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212 및 213 등을 들 수 있다. The color purity improving layer (YCF) may comprise a yellow dye and a polymer compound. The yellow dye is not particularly limited but may be, for example, an azo yellow dye. Examples of the azo yellow dye include CI reactive yellow. Examples of the CI reactive yellow dye include, CI Reactive Yellow 1, 2, 3, 4, 5, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 22, 23, 25, 35, 36: , 57, 66, 72, 76, 78, 81, 84, 85, 86, 95, 105, 107, 121, 133, 135, 138, 143, 145, 148, 151, 154, 156, 157, 158, 160 , 161, 162, 164, 167, 174, 176, 178, 179, 184, 185, 186, 193, 201, 202, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212 and 213 have.

도 3은 도 1의 액정표시장치에 색순도 향상층을 적용한기 전과 후의 색순도 향상 결과를 보여주는 이미지이다. 도 3의 (A)는 색순도 향상층(YCF) 적용 전, 적색 파장대 빛(Blue/R CCM), 녹색 파장대의 빛(Blue/G CCM), 청색 파장대(Blue)의 빛의 투과율이고, (B)는 색순도 향상층(YCF) 적용 후, 적색 파장대 빛(Y-Blue/R CCM), 녹색 파장대의 빛(Y-Blue/G CCM), 청색 파장대(Blue)의 빛의 투과율이다. 3 is an image showing the result of improvement in color purity before and after applying the color purity enhancement layer to the liquid crystal display of Fig. 3A shows the transmittance of light of red wavelength band (blue / R CCM), green wavelength band (Blue / G CCM), and blue wavelength band (blue) before application of the color purity improvement layer (YCF) ) Is the transmittance of light of red wavelength band (Y-Blue / R CCM), green wavelength band (Y-Blue / G CCM) and blue wavelength band (Blue) after applying the color purity enhancement layer (YCF).

도 1 및 도 3을 참조하면, 광 필터층(TCF-1)으로부터 청색광이 출사된 때, 예를 들어, 제1 변환부(CCM-1)와 색순도 향상층(YCF)을 경유하여 출사된 적색광(R)과, 예를 들어, 제2 변환부(CCM-2)와 색순도 향상층(YCF)을 경유하여 출사된 녹색광(G)에서, 청색광(B) 피크가 차단되어, 적색, 녹색, 청색의 순색 재현이 가능하다.1 and 3, when blue light is emitted from the optical filter layer (TCF-1), for example, red light (red light) emitted through the first conversion unit CCM- A blue light B peak is blocked in the green light G emitted via the color conversion layer R and the second conversion portion CCM-2 and the color purity improving layer YCF to form red, green, and blue It is possible to reproduce pure color.

구체적으로, 도 3의 (A)를 참조하면, 색순도 향상층(YCF) 적용 전에는, 제1 변환부(CCM-1)에서 출사된 적색광(Blue/R CCM)과 제2 변환부(CCM-2)에서 출사된 녹색광(Blue/G CCM)에는, 청색광(Blue)이 포함되어 있다. 도 3의 (B)를 참조하면, 색순도 향상층(YCF) 적용 후에는, 제1 변환부(CCM-1)와 색순도 향상층(YCF)을 경유하여 출사된 적색광(Y-Blue/R CCM)과 제2 변환부(CCM-2)와 색순도 향상층(YCF)을 경유하여 출사된 녹색광(Y-Blue/G CCM)에는, 청색광(Blue)이 포함되어 있지 않다. 3 (A), before applying the color purity enhancement layer YCF, the red light (Blue / R CCM) emitted from the first conversion unit CCM-1 and the red light (Blue / R CCM) Green light (Blue / G CCM) emitted from a light source (not shown) includes blue light. 3 (B), after applying the color purity enhancement layer YCF, red light (Y-Blue / R CCM) emitted via the first conversion portion CCM-1 and the color purity enhancement layer YCF, The blue light (Blue) is not included in the green light (Y-Blue / G CCM) emitted via the second conversion unit (CCM-2) and the color purity improving layer (YCF).

도 4는 동일층 전극 구조(same laid electrode structure) 를 가진 액정표시장치에 관한 모식적인 단면도이다. 동일층 전극 구조를 가진 액정표시장치는, 화소 전극과 공통 전극이 동일층에 배치되며, 동일층 전극 구조를 가진 액정표시장치에 전압이 인가된 때, 화소 전극과 공통 전극의 사이에는 수평 전계가 형성된다. 4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having the same laid electrode structure. In a liquid crystal display device having the same layer electrode structure, when a voltage is applied to a liquid crystal display device having a pixel electrode and a common electrode in the same layer and having the same layer electrode structure, a horizontal electric field is generated between the pixel electrode and the common electrode .

동일층 전극 구조를 가진 액정표시장치의 예로는, IPS(In-Plane Switching) 모드 액정표시장치 또는 FFS(Fringe Field Switching) 모드 액정표시장치를 들 수 있다. 설명의 편의를 위해, 이하에서는, IPS 모드 액정표시장치를 예로 들어, 동일층 전극 구조를 가진 액정표시장치를 설명하기로 한다. 동일층 전극 구조를 가진 액정표시장치는, 액정층 내의 액정 분자가 횡전계에 의해 구동될 수 있다. Examples of the liquid crystal display device having the same layer electrode structure include an IPS (In-Plane Switching) mode liquid crystal display device or an FFS (Fringe Field Switching) mode liquid crystal display device. For convenience of explanation, a liquid crystal display device having the same-layer electrode structure will be described as an example of an IPS mode liquid crystal display device. In a liquid crystal display device having the same layer electrode structure, liquid crystal molecules in the liquid crystal layer can be driven by a transverse electric field.

이하에서는, 도 4에 도시된 IPS 모드 액정표시장치(200)와 도 1에 도시된 VA모드 액정표시장치(100)의 차이점에 대해서만 상세하게 설명하기로 하고, 다른 구성요소에 관한 상세한 설명은 앞서 설명한 바 있으므로, 생략하기로 한다.Hereinafter, only the difference between the IPS mode liquid crystal display device 200 shown in FIG. 4 and the VA mode liquid crystal display device 100 shown in FIG. 1 will be described in detail. Since it has been explained, it will be omitted.

도 1 및 도 4를 참조하면, IPS 모드 액정표시장치(200)는, 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)이 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)를 모두 포함하는 점에서, 액정층(LCL)을 사이에 두고 화소 전극(PE)와 공통 전극의 역할을 하는 금속 패턴층(도 2의 MP)이 서로 이격되게 배치된 VA 모드 액정표시장치(100)와 차이가 있다. IPS 모드 액정표시장치(200)는, 액정층(LCL)을 구성하는 액정 조성물이, 양의 유전율 이방성을 가지는 점에서, 액정층(LCL)을 구성하는 액정 조성물이, 음의 유전율 이방성을 가지는 VA 모드 액정표시장치(100)와 차이가 있다.1 and 4, the IPS mode liquid crystal display device 200 is a liquid crystal display device in which a switching element array layer (TFT-Array) includes both a pixel electrode PE and a common electrode CE, Mode liquid crystal display device 100 in which a pixel electrode PE and a metal pattern layer (MP in FIG. 2) serving as a common electrode are arranged apart from each other with a gap between the pixel electrode PE and the liquid crystal cell LCL. The IPS mode liquid crystal display 200 is a liquid crystal display device in which the liquid crystal composition constituting the liquid crystal layer LCL has positive dielectric constant anisotropy because the liquid crystal composition constituting the liquid crystal layer LCL has a negative dielectric anisotropy, Mode liquid crystal display device 100 according to the present invention.

IPS 모드 액정표시장치(200)에 전압이 인가된 때(ON), 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)에 사이에 형성된 수평 전계에 대해, 액정 분자(LC)의 방향자가 평행하게 배열되어, IPS모드 액정표시장치(200)는, 적색, 녹색, 청색 등으로 표현된 영상을 표시할 수 있다. When the voltage is applied (ON) to the IPS mode liquid crystal display device 200, the directors of the liquid crystal molecules LC are arranged in parallel to the horizontal electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE , And the IPS mode liquid crystal display device 200 can display images represented by red, green, and blue colors.

IPS 모드 액정표시장치(200)는, 광 필터층(TCF-2)이 배리어층(BA)을 더 포함하는 점에서, 배리어층(BA)을 포함하지 않는 광 필터층(TCF-1)을 가진 VA 모드 액정표시장치(100)와 차이가 있다.The IPS mode liquid crystal display device 200 has the VA mode having the optical filter layer TCF-1 not including the barrier layer BA in that the optical filter layer TCF-2 further includes the barrier layer BA. Which is different from the liquid crystal display device 100.

도 5는 도 4의 액정표시장치(200)에 사용된, 광 필터층(TCF-2)의 모식적인 사시도이다.5 is a schematic perspective view of an optical filter layer (TCF-2) used in the liquid crystal display device 200 of FIG.

광 필터층(TCF-2)은, 배리어층(BA), 기저층(SUB-2), 제1 유전체층(DE-1), 제2 유전체층(DE-2), 및 금속 패턴층(MP) 이 순서대로 배치된 구조를 가진다. 배리어층(BA)은, 기저층(SUB-2)과 액정층(LCL)의 사이에 배치된다.The optical filter layer TCF-2 is formed by sequentially stacking the barrier layer BA, the base layer SUB-2, the first dielectric layer DE-1, the second dielectric layer DE-2, and the metal pattern layer MP in this order . The barrier layer BA is disposed between the base layer SUB-2 and the liquid crystal layer LCL.

이하에서는, 도 5에 도시된 광 필터층(TCF-2)과 도 2에 도시된 광 필터층(TCF-1)의 차이점에 대해서만 상세하게 설명하기로 하고, 다른 구성요소에 관한 상세한 설명은 앞서 설명한 바 있으므로, 생략하기로 한다.Hereinafter, only differences between the optical filter layer TCF-2 shown in FIG. 5 and the optical filter layer TCF-1 shown in FIG. 2 will be described in detail. Therefore, it is omitted.

도 2 및 도 5를 참조하면, 광 필터층(TCF-2)은, 금속 패턴층(MP)과, 스위칭 소자 어레이층(TFT-Array)의 화소 전극(PE) 및/또는 공통 전극(CE)의 사이에 형성될 수 있는 수직 전계를 감소시키는 배리어층(BA)이 더 포함한다. 이 점에서, 광 필터층(TCF-2)은, 배리어층(BA)을 포함하지 않는 광 필터층(TCF-1)과 차이가 있다.2 and 5, the optical filter layer TCF-2 includes a metal pattern layer MP and a pixel electrode PE and / or a common electrode CE of a switching element array layer (TFT-Array) And a barrier layer (BA) for reducing the vertical electric field that can be formed between the barrier layer (BA) and the barrier layer (BA). In this respect, the optical filter layer (TCF-2) differs from the optical filter layer (TCF-1) not including the barrier layer (BA).

배리어층(BA)은 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)의 사이에 형성된 수평 전계가, 금속 패턴층(MP)과 화소 전극(PE) 및/또는 공통 전극(CE)의 사이에서 형성될 수 있는 수직 전계의 영향을 받지 않도록 하기 위한 것이다. 금속 패턴층(MP)과 화소 전극(PE) 및/또는 공통 전극(CE)의 사이에서 형성될 수 있는 수직 전계가 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)의 사이에 형성된 수평 전계에 미치는 영향을 최소화 내지 제거하기 위해서, 배리어층(BA)의 두께(H)는, 제1 유전체층(DE-1)의 두께(h1), 제2 유전체층(DE-2)의 두께(h2) 및 기저층(SUB-2)의 두께(h3)를 모두 더한 두께(h1+h2+h3)에 비해 두꺼울 수도 있다.The barrier layer BA is formed such that a horizontal electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE is formed between the metal pattern layer MP and the pixel electrode PE and / So as not to be influenced by the vertical electric field. The influence of the vertical electric field which can be formed between the metal pattern layer MP and the pixel electrode PE and / or the common electrode CE on the horizontal electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE The thickness H of the barrier layer BA is set so that the thickness h1 of the first dielectric layer DE-1, the thickness h2 of the second dielectric layer DE-2 and the thickness h2 of the base layer SUB (H1 + h2 + h3) obtained by adding all the thicknesses h1 and h2 of the thicknesses h1 and h2.

배리어층(BA)의 두께(H)는, 액정층(LCL) 내의 액정 분자(LC)가 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE)의 사이에 형성된 수평 전계에 의해 구동될 수 있도록, 금속 패턴층(MP)과 화소 전극(PE) 및/또는 공통 전극(CE)의 사이에서 형성될 수 있는 수직 전계를 최소화시킬 수 있거나 차폐할 수 있는 정도이면, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 2㎛ 이상일 수 있고, 구체적으로, IPS 모드 액정표시장치(200)의 박막화 측면에서, 2 ㎛ 내지 5 ㎛ 일 수 있다.The thickness H of the barrier layer BA is set such that the liquid crystal molecules LC in the liquid crystal layer LCL can be driven by a horizontal electric field formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, Provided that the vertical electric field that can be formed between the layer MP and the pixel electrode PE and / or the common electrode CE can be minimized or shielded, for example, And more specifically, from the viewpoint of thinning of the IPS mode liquid crystal display device 200, it may be 2 탆 to 5 탆.

배리어층(BA)은, 예를 들어, Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO2, SiON 등으로 구성될 수 있다. 제1 유전체층(DE-1)의 굴절률은, 제2 유전체층(DE-2) 및/또는 기저층(SUB-2)의 굴절률에 비해 높다. 또한, 제1 유전체층(DE-1)의 굴절률은 배리어층(BA)의 굴절률에 비해 높다.The barrier layer BA may be composed of, for example, Si, SiC, ZnS, AlN, BN, GaTe, AgI, TiO 2 , SiON, or the like. The refractive index of the first dielectric layer DE-1 is higher than the refractive index of the second dielectric layer DE-2 and / or the base layer SUB-2. In addition, the refractive index of the first dielectric layer DE-1 is higher than that of the barrier layer BA.

도시되지는 않았으나, IPS 모드 액정표시장치(200)에서, 광 필터층(TCF-2)가, 배리어층(BA)을 포함하지 않는 경우, 제1 유전체층(DE-1)의 두께(h1), 제2 유전체층(DE-2)의 두께(h2) 및 기저층(SUB-2)의 두께(h3)의 총 합이, 2㎛ 이상일 수 있으며, 구체적으로, 2 ㎛ 내지 5 ㎛ 또는 3 ㎛ 내지 5 ㎛ 일 수도 있다. Though not shown, when the optical filter layer TCF-2 does not include the barrier layer BA in the IPS mode liquid crystal display device 200, the thickness h1 of the first dielectric layer DE- The total sum of the thickness h2 of the dielectric layer DE-2 and the thickness h3 of the base layer SUB-2 may be 2 탆 or more and specifically 2 탆 to 5 탆 or 3 탆 to 5 탆 It is possible.

발명에 따른, 이상층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 필터층이 공통 전극, 컬러필터 및 반사형 편광판의 역할을 동시에 수행할 수 있으므로, 기존의 이상층 전극 구조의 액정표시장치와 달리, 별개의 부품으로 공통 전극, 컬러필터 및 편광판이 요구되지 않아서, 구조를 단순화할 수 있으며, 공정성을 향상시킬 수 있다. In the liquid crystal display device having the abnormal layer electrode structure according to the present invention, since the optical filter layer can simultaneously perform the role of the common electrode, the color filter, and the reflection type polarizing plate, unlike the liquid crystal display device of the conventional abnormal layer electrode structure, A common electrode, a color filter, and a polarizing plate are not required as components, so that the structure can be simplified and the processability can be improved.

발명에 따른, 이상층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 필터층이 컬러필터 및 반사형 편광판의 역할을 수행함에 있어서, 금속 패턴층의 단위 블록의 배열주기, 제1 및 제2 유전체층의 두께 및 굴절율, 기저층의 두께 및 굴절율을 통해, 광 필터층의 투과 중심 파장을 결정하므로, 기존의 와이어 그리드 편광판에서와 같이, 단위 블록의 배열주기를 100 nm 이하로 패터닝하지 않은 경우에도 높은 편광 효율을 얻을 수 있어서 공정성을 향상시킬 수 있고, 소정 색상의 파장대의 빛을 제외한 다른 파장대의 빛을 흡수하는 기존의 컬러필터와 달리, 광 필터층을 통과하는 빛의 광 효율이 저하되지 않는 장점이 있다. 이로 인해, 이상층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 효율과 공정성이 개선될 수 있다.In the liquid crystal display device having the abnormal layer electrode structure according to the invention, in the case where the optical filter layer functions as a color filter and a reflective polarizer, the alignment period of the unit blocks of the metal pattern layer, the thicknesses of the first and second dielectric layers, , The transmission central wavelength of the optical filter layer is determined through the thickness and the refractive index of the base layer. Thus, even when the arrangement period of the unit blocks is not 100 nm or less, as in the conventional wire grid polarizer, high polarization efficiency can be obtained There is an advantage in that the light efficiency of the light passing through the optical filter layer is not lowered unlike the conventional color filter which can improve the processability and absorb light of other wavelength band except light of a predetermined wavelength range. As a result, the liquid crystal display device having the abnormal layer electrode structure can be improved in light efficiency and processability.

발명에 따른, 이상층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 필터층이 금속 패턴층을 포함하고, 금속 패턴층의 상부에 파장 변환층이 배치되어, 파장 변환층에서 발광된 빛의 일부를 재사용할 수 있으므로, 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the invention, in the liquid crystal display device having the abnormal layer electrode structure, the optical filter layer includes the metal pattern layer, and the wavelength conversion layer is disposed on the upper part of the metal pattern layer so that part of the light emitted from the wavelength conversion layer can be reused Therefore, there is an advantage that the light efficiency can be improved.

발명에 따른, 이상층 전극 구조의 액정표시장치는, 파장 변환층의 상부에 색순도 향상층을 더 포함하는 경우, 제1 변환부와 제2 변환부로부터 출사되는 적색광과 녹색광에 각각 혼색된 청색광의 제거하여, 색순도를 향상시킴으로써, 고색재현 특성을 가질 수 있는 장점이 있다.In the liquid crystal display device having the abnormal layer electrode structure according to the present invention, when the color conversion layer further includes a color purity enhancement layer, the liquid crystal display device of the present invention is a liquid crystal display device having a blue color light mixture of red light and green light emitted from the first conversion portion and the second conversion portion And the color purity is improved, whereby the color reproduction characteristic can be obtained.

발명에 따른, 동일층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 필터층이 컬러필터 및 반사형 편광판의 역할을 동시에 수행할 수 있으므로, 기존의 이중층 전극 구조의 액정표시장치와 달리, 별개의 부품으로 컬러필터 및 반사형 편광판이 요구되지 않아서, 구조를 단순화할 수 있으며, 공정성을 향상시킬 수 있다. The liquid crystal display device having the same layer electrode structure according to the present invention can perform the function of the color filter and the reflection type polarizing plate at the same time. Therefore, unlike the conventional liquid crystal display device having the double layer electrode structure, And the reflection type polarizing plate are not required, so that the structure can be simplified and the processability can be improved.

발명에 따른, 동일층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 필터층이 컬러필터 및 반사형 편광판의 역할을 수행함에 있어서, 금속 패턴층의 단위 블록의 배열주기, 제1 및 제2 유전체층의 두께 및 굴절율, 기저층의 두께 및 굴절율을 통해, 광 필터층의 투과 중심 파장을 결정하므로, 기존의 와이어 그리드 편광판에서와 같이, 단위 블록의 배열주기를 100 nm 이하로 패터닝하지 않은 경우에도 높은 편광 효율을 얻을 수 있어서 공정성을 향상시킬 수 있고, 소정 색상의 파장대의 빛을 제외한 다른 파장대의 빛을 흡수하는 기존의 컬러필터와 달리, 광 필터층을 통과하는 빛의 광 효율이 저하되지 않는 장점이 있다. 이로 인해, 동일층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 효율과 공정성이 개선될 수 있다.In the liquid crystal display device having the same layer electrode structure according to the invention, in the case where the optical filter layer functions as a color filter and a reflective polarizer, the alignment period of the unit blocks of the metal pattern layer, the thicknesses of the first and second dielectric layers, , The transmission central wavelength of the optical filter layer is determined through the thickness and the refractive index of the base layer. Thus, even when the arrangement period of the unit blocks is not 100 nm or less, as in the conventional wire grid polarizer, high polarization efficiency can be obtained There is an advantage in that the light efficiency of the light passing through the optical filter layer is not lowered unlike the conventional color filter which can improve the processability and absorb light of other wavelength band except light of a predetermined wavelength range. As a result, the liquid crystal display device having the same layer electrode structure can be improved in light efficiency and processability.

발명에 따른, 동일층 전극 구조의 액정표시장치는, 광 필터층이 금속 패턴층을 포함하고, 금속 패턴층의 상부에 파장 변환층이 배치되어, 파장 변환층에서 발광된 빛의 일부를 재사용할 수 있으므로, 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the invention, in the liquid crystal display device of the same layer electrode structure, the optical filter layer includes the metal pattern layer, the wavelength conversion layer is disposed on the upper part of the metal pattern layer, and a part of the light emitted from the wavelength conversion layer can be reused Therefore, there is an advantage that the light efficiency can be improved.

발명에 따른, 동일층 전극 구조의 액정표시장치는, 파장 변환층의 상부에 색순도 향상층을 더 포함하는 경우, 제1 변환부와 제2 변환부로부터 출사되는 적색광과 녹색광에 각각 혼색된 청색광의 제거하여, 색순도를 향상시킴으로써, 고색재현 특성을 가질 수 있는 장점이 있다.In the liquid crystal display device having the same layer electrode structure according to the invention, when the color conversion layer further includes a color purity enhancement layer, the liquid crystal display device of the same layer has a structure in which blue light And the color purity is improved, whereby the color reproduction characteristic can be obtained.

이상 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나, 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 각 실시예에 개시된 내용들을 조합하여 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100, 200: 액정표시장치
CCM: 파장 변환층
YCF: 색순도 향상층
PE: 화소 전극
CE: 공통 전극
TCF: 광 필터층
TFT-Array: 스위칭 소자 어레이층
POL: 편광판층
LCL: 액정층
BLU: 광원
100, 200: liquid crystal display
CCM: wavelength conversion layer
YCF: color purity improvement layer
PE: pixel electrode
CE: Common electrode
TCF: optical filter layer
TFT-Array: switching element array layer
POL: polarizer layer
LCL: liquid crystal layer
BLU: Light source

Claims (8)

광원;
단파장의 빛을 장파장으로 변환하는 파장 변환층;
상기 광원과 상기 파장 변환층의 사이에 배치되고, 화소 전극들을 포함하는 스위칭 소자 어레이층;
상기 파장 변환층과 상기 스위칭 소자 어레이층의 사이에 배치되고, 액정 분자(LC)를 포함하는 액정층; 및
상기 파장 변환층과 상기 액정층의 사이에 배치되고, 공통 전압이 인가되는 금속 패턴층을 포함하며, 특정 파장대의 빛을 선택적으로 투과시키는 광 필터층;
을 포함하며,
전압 인가 시, 상기 화소 전극들과 상기 금속 패턴층의 사이에 수직 전계가 형성된,
액정표시장치.
Light source;
A wavelength conversion layer for converting light of a short wavelength into a long wavelength;
A switching element array layer disposed between the light source and the wavelength conversion layer and including pixel electrodes;
A liquid crystal layer disposed between the wavelength conversion layer and the switching element array layer and including liquid crystal molecules (LC); And
An optical filter layer disposed between the wavelength conversion layer and the liquid crystal layer and including a metal pattern layer to which a common voltage is applied, the optical filter layer selectively transmitting light of a specific wavelength band;
/ RTI >
Wherein when a voltage is applied, a vertical electric field is formed between the pixel electrodes and the metal pattern layer,
Liquid crystal display device.
제1 항에 있어서,
적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 중, 상기 적색 화소 및 상기 녹색 화소에 중첩되게 배치되고, 상기 청색광을 흡수하는 색순도 향상층; 을 더 포함하고,
상기 파장 변환층이 상기 색순도 향상층과 상기 광 필터층의 사이에 배치된,
액정표시장치.
The method according to claim 1,
A color purity enhancement layer disposed over the red pixel and the green pixel out of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel to absorb the blue light; Further comprising:
Wherein the wavelength conversion layer is disposed between the color purity enhancement layer and the optical filter layer,
Liquid crystal display device.
제2 항에 있어서,
상기 광원이, 상기 스위칭 소자 어레이층으로 청색광을 출사하고,
상기 파장 변환층이 상기 적색광 및 상기 녹색광을 출사하는,
액정표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the light source emits blue light to the switching element array layer,
Wherein the wavelength conversion layer emits the red light and the green light,
Liquid crystal display device.
제1 항에 있어서,
상기 광 필터층은,
상기 액정층과 상기 파장 변환층의 사이에 배치된 기저층,
상기 기저층과 상기 파장 변환층의 사이에 배치되어 공통 전압이 유지되는 금속 패턴층,
상기 기저층과 상기 금속 패턴층의 사이에 배치된 제1 유전체층, 및
상기 제1 유전체층과 상기 금속 패턴층의 사이에 배치되고, 상기 제1 유전체층에 비해 굴절률이 낮은, 제2 유전체층,
을 포함하고, 상기 기저층은, 상기 제2 유전체층에 비해 굴절률이 낮은,
액정표시장치.
The method according to claim 1,
The optical filter layer includes:
A base layer disposed between the liquid crystal layer and the wavelength conversion layer,
A metal pattern layer disposed between the base layer and the wavelength conversion layer and maintaining a common voltage,
A first dielectric layer disposed between the base layer and the metal pattern layer,
A second dielectric layer disposed between the first dielectric layer and the metal pattern layer and having a lower refractive index than the first dielectric layer,
Wherein the base layer has a refractive index lower than that of the second dielectric layer,
Liquid crystal display device.
광원;
단파장의 빛을 장파장으로 변환하는 파장 변환층;
상기 광원과 상기 파장 변환층의 사이에 배치되고, 화소 전압이 인가되는 화소 전극과 공통 전압이 인가되는 공통 전극을 모두 포함하는 스위칭 소자 어레이층;
상기 파장 변환층과 상기 스위칭 소자 어레이층의 사이에 배치되고, 액정 분자(LC)를 포함하는 액정층; 및
상기 파장 변환층과 상기 액정층의 사이에 배치되고, 설정된 전압이 인가되는 금속 패턴층을 포함하며, 특정 파장대의 빛을 선택적으로 투과시키는 광 필터층; 을 포함하며,
상기 광 필터층은, 전압 인가 시, 상기 스위칭 소자 어레이층과 상기 금속 패턴층 사이의 수직 전계를 감소시키는 배리어층을 상기 금속 패턴층과 상기 액정층의 사이에 더 포함하며,
전압 인가 시, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극의 사이에 수평 전계가 형성된,
액정표시장치.
Light source;
A wavelength conversion layer for converting light of a short wavelength into a long wavelength;
A switching element array layer disposed between the light source and the wavelength conversion layer and including a pixel electrode to which a pixel voltage is applied and a common electrode to which a common voltage is applied;
A liquid crystal layer disposed between the wavelength conversion layer and the switching element array layer and including liquid crystal molecules (LC); And
An optical filter layer disposed between the wavelength conversion layer and the liquid crystal layer and including a metal pattern layer to which a predetermined voltage is applied, the optical filter layer selectively transmitting light of a specific wavelength band; / RTI >
The optical filter layer further includes a barrier layer between the metal pattern layer and the liquid crystal layer for reducing a vertical electric field between the switching element array layer and the metal pattern layer when a voltage is applied,
Wherein when a voltage is applied, a horizontal electric field is formed between the pixel electrode and the common electrode,
Liquid crystal display device.
제5 항에 있어서,
적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 중, 상기 적색 화소 및 상기 녹색 화소에 중첩되게 배치되고, 상기 청색광을 흡수하는 색순도 향상층;을 더 포함하고,
상기 파장 변환층이 상기 색순도 향상층과 상기 광 필터층의 사이에 배치된,
액정표시장치.
6. The method of claim 5,
Further comprising a color purity enhancement layer disposed over the red pixel and the green pixel out of the red pixel, the green pixel, and the blue pixel to absorb the blue light,
Wherein the wavelength conversion layer is disposed between the color purity enhancement layer and the optical filter layer,
Liquid crystal display device.
제6 항에 있어서,
상기 광원이, 상기 스위칭 소자 어레이층으로 청색광을 출사하고,
상기 파장 변환층이 상기 적색광 및 상기 녹색광을 출사하는,
액정표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the light source emits blue light to the switching element array layer,
Wherein the wavelength conversion layer emits the red light and the green light,
Liquid crystal display device.
제5 항에 있어서,
상기 광 필터층은,
상기 액정층과 상기 파장 변환층의 사이에 배치된 기저층,
상기 기저층과 상기 파장 변환층의 사이에 배치되어 공통 전압이 유지되는 금속 패턴층,
상기 기저층과 상기 금속 패턴층의 사이에 배치된 제1 유전체층,
상기 제1 유전체층과 상기 금속 패턴층의 사이에 배치되고, 상기 제1 유전체층에 비해 굴절률이 낮은, 제2 유전체층, 및
상기 기저층과 상기 액정층의 사이에 배치되어, 스위칭 소자 어레이층과 상기 금속 패턴층 사이의 수직 전계를 감소시키는 배리어층,
을 포함하고, 상기 기저층과 상기 배리어층은, 상기 제2 유전체층에 비해 굴절률이 낮은,
액정표시장치.
6. The method of claim 5,
The optical filter layer includes:
A base layer disposed between the liquid crystal layer and the wavelength conversion layer,
A metal pattern layer disposed between the base layer and the wavelength conversion layer and maintaining a common voltage,
A first dielectric layer disposed between the base layer and the metal pattern layer,
A second dielectric layer disposed between the first dielectric layer and the metal pattern layer and having a lower refractive index than the first dielectric layer,
A barrier layer which is disposed between the base layer and the liquid crystal layer and reduces a vertical electric field between the switching element array layer and the metal pattern layer,
Wherein the base layer and the barrier layer have a refractive index lower than that of the second dielectric layer,
Liquid crystal display device.
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