KR20190060968A - Material saving color pixel forming system without fmm - Google Patents

Material saving color pixel forming system without fmm Download PDF

Info

Publication number
KR20190060968A
KR20190060968A KR1020190062181A KR20190062181A KR20190060968A KR 20190060968 A KR20190060968 A KR 20190060968A KR 1020190062181 A KR1020190062181 A KR 1020190062181A KR 20190062181 A KR20190062181 A KR 20190062181A KR 20190060968 A KR20190060968 A KR 20190060968A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat
resistant block
pixel
block
heater
Prior art date
Application number
KR1020190062181A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
장수창
정광호
김형수
최상규
Original Assignee
주식회사 야스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 야스 filed Critical 주식회사 야스
Priority to KR1020190062181A priority Critical patent/KR20190060968A/en
Publication of KR20190060968A publication Critical patent/KR20190060968A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H01L27/322—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L27/3211—
    • H01L51/5036—
    • H01L51/529—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

The present invention is to provide an improved method capable of using an organic material deposited on a heat-resistant block without waste with respect to a technology for forming a pixel without an FMM using the heat-resistant block. To this end, according to a color pixel forming system of the present invention, a heater is arranged along a pattern in which unit pixels are repeatedly arranged on an upper portion of a heat-resistant block, a part corresponding to a pixel pattern at a lower portion of the heat-resistant block includes a light transmitting part, and a reflection block including a mirror reflecting light for a part excepting for the part corresponding to the pixel pattern or a shield part made of a light absorption material is arranged, wherein the heat-resistant block and the reflection block are movable with respect to each other. Also, the organic material for forming the pixel is deposited on the heat-resistant block, a substrate is arranged on the heat-resistant block, the heater is irradiated with a laser from a lower portion of the heat-resistant block toward the heater to evaporate the organic material deposited on the heater at a position corresponding to the pixel pattern so as to be deposited on the substrate, the deposited substrate is carried out, and then a new substrate is carried in. In addition, the heat-resistant block is moved in parallel by a predetermined interval to irradiate the laser to the organic material remaining on the heat-resistant block again, and the organic material deposited on the heater is evaporated to be deposited on a new substrate.

Description

ＦＭＭ이 없는 재료절감형 컬러 화소 형성 시스템{MATERIAL SAVING COLOR PIXEL FORMING SYSTEM WITHOUT FMM}Technical Field [0001] The present invention relates to a material-saving color pixel forming system without FMM,

본 발명은 마이크로 LED, LCD, 또는 OLED 컬러 화소 형성에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 OLED R,G,B 화소를 FMM(Fine Metal Mask) 없이 형성하되 재료를 절약할 수 있는 기술에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro LED, LCD, or OLED color pixel formation, and more particularly, to a technique for forming OLED R, G, and B pixels without FMM (Fine Metal Mask)

OLED는 디스플레이 소자, 조명 소자로서 각광받고 있다. 특히 디스플레이 소자로서 밝은 화면과 빠른 응답속도, 우수한 명암비 등, 많은 장점을 지니고 있다. 이러한 OLED 디스플레이에 있어서, R,G,B 개별 소자를 형성하여 화면을 구현하기보다, 이들을 모두 혼합한 화이트 OLED를 만들고 여기에 컬러 필터를 적용하여 화면을 구현하고 있다. OLEDs are gaining popularity as display devices and lighting devices. Especially, as a display device, it has many advantages such as a bright screen, fast response speed and excellent contrast ratio. In such an OLED display, rather than implementing a screen by forming individual R, G, and B elements, a white OLED is formed by mixing all of these elements, and a color filter is applied to the screen to implement a screen.

한편, 각각의 R,G,B 개별 소자를 형성하는 경우, 화소 패턴이 형성된 FMM(Fine Metal Mask)를 기판에 부착시켜 물질을 증착한다. 도 1에 FMM를 적용하여 화소를 형성하는 과정을 도시하였다. 이러한 경우, 증착 공정 중 FMM 변형으로 인해 수율이 매우 낮다. 이러한 문제는 마이크로 LED, LCD를 제작하는 기술에서도 동일하게 일어난다. On the other hand, when individual R, G, and B elements are formed, an FMM (Fine Metal Mask) in which pixel patterns are formed is attached to a substrate to deposit a material. FIG. 1 shows a process of forming pixels by applying FMM. In this case, the yield is very low due to FMM deformation during the deposition process. This problem also occurs in the technology of manufacturing micro LED and LCD.

한편, FMM의 제작난이도와 상기와 같은 공정 중 변형 문제를 해결하기 위해, FMM 없이 화소 증착을 실시하려는 시도가 이루어지고 있으며, 이는 다음과 같다.Meanwhile, attempts have been made to perform pixel deposition without FMM in order to solve manufacturing difficulty of FMM and deformation problem in the above-mentioned process.

내열 블럭에 금속으로 화소 형태의 메쉬 패턴을 형성하고, 그 위에 화소 형성을 위한 유기물을 증착한 후, 내열 블럭 상단에 틈새를 두고 기판을 배치한다. 이 상태에서 내열 블럭을 가열하면, 열전달률이 큰 금속 부분이 블럭의 다른 부분보다 더 고온으로 가열되어 금속 부분 위에 증착된 유기물이 증발되고 기판에 증착됨으로써 화소를 형성한다. 이러한 방식은 FMM를 요하지 않는다는 점에서 의미가 있지만, 내열 블럭 전체를 고온으로 가열해야 한다는 점에서 비효율적이며, 최근 화소가 메쉬 형태의 패턴에서 아일랜드 형태의 패턴으로 전환됨에 따라 적용의 한계를 지닌다. A pixel pattern mesh pattern is formed on the heat resistant block, an organic material for forming a pixel is deposited on the mesh pattern, and a substrate is disposed with a gap at the top of the heat block. When the heat-resistant block is heated in this state, a metal portion having a high heat transfer rate is heated to a higher temperature than other portions of the block, organic substances deposited on the metal portion are evaporated and deposited on the substrate to form a pixel. This method is meaningful in that it does not require FMM, but it is inefficient in that the entire heat-resistant block must be heated to a high temperature. Recently, since the pixels are converted from the mesh pattern to the island pattern, the application is limited.

그 외, 대한민국 공개특허 10-2014-0055229호 등은 FMM 없이 화소를 형성하기 위해 R, G, B 영역에 공통층으로 화소를 형성하는 기술을 제안한다. 그러나 상기 공보에 따른 기술은 일부 층 형성에서만 FMM를 요하지 않고 나머지 공정에서는 FMM을 적용하여야 한다. In addition, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2014-0055229 proposes a technique of forming pixels as common layers in the R, G, and B regions in order to form pixels without FMM. However, the technology according to the above publication does not require FMM only in some layer formation, and FMM should be applied in the remaining processes.

상기 문제점들을 개선하기 위해 본 발명자들에 의해 제안되고 본 출원인에 의해 출원된 대한민국 특허출원 10-2017-0076804호에서는 내열 블럭에 화소 패턴을 따라 히터를 배치한 후 유기물을 증착하고, 화소 부분을 제외한 부분에 빛을 반사하는 거울을 배치한 후, 내열 블럭의 하부에서 히터를 향해 레이저를 조사(助射) 화소 패턴이 기판에 증착되게 하는 기술을 개시한다.In order to solve the above problems, Korean Patent Application No. 10-2017-0076804 proposed by the present inventors and filed by the applicant of the present invention discloses a method in which a heater is disposed along a pixel pattern in a heat-resistant block, an organic material is deposited, And a laser beam is irradiated from the lower portion of the heat-resistant block toward the heater to cause the pixel pattern to be deposited on the substrate.

상기 기술에 따르면, 화소에 해당하는 부분만 레이저에 의해 가열 용융되어 기판에 화소를 형성하며, 내열 블럭에는 사용되지 않은 유기물이 매우 많이 남아있다. 유기물은 고가품으로 생산비에 상당 부분을 차지하므로, 화소 이외 부분에 남겨 진 유기물을 버리게 되는 것은 낭비이자 생산비를 높이는 문제를 지니는 것으로 개선 방안을 요한다. According to the above technique, only a portion corresponding to a pixel is heated and melted by a laser to form a pixel on a substrate, and a large amount of unused organic material remains in the heat-resistant block. Since organic matter is a high-priced product, it occupies a large part of the production cost. Therefore, it is a waste and a problem of raising a production cost that an organic matter left in a portion other than a pixel is discarded.

따라서 본 발명의 목적은 내열 블럭을 이용하여 FMM 없이 화소를 형성하는 기술에 대해 내열 블럭 위에 증착된 유기물을 낭비 없이 사용할 수 있는, 개선된 방안을 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an improved method of using organic materials deposited on a heat-resistant block without waste, with respect to a technique of forming a pixel without FMM using a heat-resistant block.

상기 목적에 따라 본 발명은, According to the present invention,

기판; Board;

기판에 화소를 형성하기 위해 일면에 유기물이 올려진 투명성이 있는 내열 블럭; 및A heat-resistant block having transparency in which an organic material is placed on one surface to form a pixel on the substrate; And

상기 내열 블럭의 이면에 배치되는 반사 블럭;을 포함하는 화소 형성 시스템으로서,And a reflective block disposed on a back surface of the heat-resistant block,

상기 내열 블럭의 일면은 화소 형성을 위해 화소 패턴을 따라 형성된 요철부와 One side of the heat-resistant block includes a concavo-convex portion formed along the pixel pattern for pixel formation,

상기 요철부는 히터를 구비하고,Wherein the concave-convex portion includes a heater,

상기 히터를 포함한 상기 내열 블럭 면에 유기물이 올려져 있고,The organic material is placed on the heat-resistant block surface including the heater,

상기 반사 블럭의 일면은 상기 내열 블럭의 이면에 접하고 상기 반사 블럭의 이면은, 상기 히터가 배치된 곳에 빛이 도달하도록 해당부분에 광 투과부를 구비하고, 그 이외의 영역은 광을 차폐하는 차폐부를 구비하고,One side of the reflective block is in contact with the back surface of the heat-resistant block, and the back surface of the reflective block is provided with a light transmitting portion in the corresponding portion so that light reaches the place where the heater is disposed. Respectively,

상기 내열 블럭과 상기 반사 블럭은 상대적으로 이동될 수 있고,The heat-resistant block and the reflective block can be relatively moved,

상기 광 투과부를 통해 레이저 광이 투과되게 함으로써, 상기 내열 블럭에서 상기 히터는 선택적으로 가열되어 상기 히터 위에 올려진 유기물만 선택적으로 증발되어 기판 상에 화소를 형성하는 것을 특징으로 하는 화소 형성 시스템을 제공한다.Wherein the heater is selectively heated to selectively evaporate the organic material on the heater to form a pixel on the substrate by allowing laser light to pass through the light transmitting portion, do.

상기에 있어서, 상기 히터는 기판에 형성될 화소 패턴을 따라 배열되되, 화소 사이 부분에도 화소 패턴을 따라 배열되어, 하나의 기판에 1차로 화소를 형성한 다음, 상기 내열 블럭 또는 반사 블럭을 편이시켜 상기 광 투과부가 화소 사이 부분에 배열된 히터에 맞게 정렬되어 다른 기판에 대해 2차로 화소를 형성하는 것을 특징으로 하는 화소 형성 시스템을 제공한다.The heaters are arranged along a pixel pattern to be formed on the substrate, and are arranged along a pixel pattern in a portion between the pixels to form pixels on a single substrate, and then the heat-resistant block or the reflection block is shifted Wherein the light transmitting portion is aligned with a heater arranged at a portion between the pixels to form a second pixel with respect to the other substrate.

상기에 있어서, 2차로 화소를 형성한 다음, 다시 상기 내열 블럭 또는 반사 블럭을 편이시켜 상기 광 투과부가 화소 사이 부분에 배열된 또 다른 히터에 맞게 정렬하여 또 다른 기판에 대해 3차로 화소를 형성하며, 이후 내열 블럭 또는 반사 블럭의 편이 및 화소 형성 공정이 계속 반복 실시될 수 있는 것을 특징으로 하는 화소 형성 시스템을 제공한다.In the above, the pixels are formed in a second order, and then the heat-resistant block or the reflection block is shifted again to align the light-transmitting portion with another heater arranged in a portion between the pixels to form a third pixel with respect to another substrate , And thereafter the shift of the heat-resistant block or the reflection block and the pixel formation process can be repeatedly carried out repeatedly.

상기에 있어서, 상기 기판에 형성되는 화소는 아일랜드 타입인 것을 특징으로 하는 화소 형성 시스템을 제공한다.In this case, the pixel formed on the substrate is an island type.

상기에 있어서, 상기 내열 블럭에 형성된 화소 패턴의 요철부들은 식각 공정 또는 증착 공정을 통해 형성된 것을 특징으로 하는 화소 형성 시스템을 제공한다.In this case, the recesses and protrusions of the pixel pattern formed on the heat-resistant block are formed through an etching process or a deposition process.

본 발명에 따르면, FMM 없이 R,G,B 컬러 화소를 아일랜드 타입으로 용이하게 형성할 수 있으며, 유기물을 낭비 없이 활용할 수 있어 생산비를 절감할 수 있다. According to the present invention, R, G, and B color pixels can be easily formed as an island type without FMM, and organic materials can be utilized without waste, thereby reducing production costs.

즉, 화소형성용 유기물이 증착된 히터을 레이저로 가열하는 경우에도, 내열 블럭 배면에 형성된 광 치폐부가 화소가 있는 부분만 레이저를 투과시키고 나머지 부분은 반사시키기 때문에 화소가 증착되어야 하는 지점에 정확히 증착되고 주변으로 퍼지는 문제를 방지할 수 있으며, 레이저를 선 또는 면으로 배열한 광원을 적용하여 빠른 시간 안에 화소를 기판에 증착시킬 수 있고, 대면적 기판에 화소를 형성하는데 유리하다. That is, even when the heater on which the pixel-forming organic material is deposited is heated by the laser, only the portion where the light-shielding portion formed on the heat-resistant block back surface has the pixel is reflected and the remaining portion is reflected, It is possible to deposit a pixel on a substrate in a short time by applying a light source in which a laser is arranged in a line or a plane and it is advantageous to form a pixel on a large area substrate.

또한, 내열 블럭 위에 증착된 유기물을 화소 패턴을 따라 1차로 증착한 다음 잔여된 유기물은 새 기판에 다시 내열 블럭을 이동시켜 2차, 3차로 증착시킬 수 있어 낭비되는 유기물이 거의 없어 고가의 유기물을 낭비하지 않아 생산비를 낮출 수 있다. In addition, the organic materials deposited on the heat-resistant block are firstly deposited along the pixel pattern, and the remaining organic materials can be deposited in the second and third stages by moving the heat-resistant block to the new substrate. Thus, It does not waste and can reduce the production cost.

도 1은 종래 기술에 따라 FMM를 적용하여 컬러 화소를 형성하는 방식을 설명하는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따라 FMM 없이 유도가열방식으로 화소를 증착하는 방식을 설명하는 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따라 FMM 없이 레이저를 이용하여 화소를 증착하는 방식을 설명하는 개략적인 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명에 따라 FMM 없이 레이저를 이용하여 화소를 증착하되, 유기물의 낭비를 방지할 수 있도록 변형된 실시예에 대한 구성도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of forming color pixels by applying FMM according to a conventional technique.
2 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of depositing a pixel by an inductive heating method without FMM according to the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of depositing a pixel using a laser without FMM according to the present invention.
FIGS. 4 to 7 are views illustrating a method of depositing a pixel using a laser without FMM according to an embodiment of the present invention, so as to prevent waste of organic matter.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예를 설명하기 위한 화소 증착 시스템의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a pixel deposition system for explaining an embodiment of the present invention.

화소를 형성하고자 하는 기판(100)과 틈새를 두고 내열 블럭(200)이 배치되며, FMM 없이 상기 내열 블럭(200)에 올려진 화소형성용 유기물(400)이 직접 상기 기판(100)에 증착되어 화소를 형성한다.A heat-resistant block 200 is disposed with a gap between the substrate 100 on which a pixel is to be formed and the pixel-forming organic material 400 deposited on the heat-resisting block 200 without FMM is directly deposited on the substrate 100 Thereby forming a pixel.

상기 내열 블럭(200)의 상부에 화소 패턴이 오목부(210)로 형성되어 있다. 화소는 아일랜드 타입 또는 메쉬 타입일 수 있으며, 그 외 특별한 다른 형상으로 변형된 경우에도 그에 맞추어 오목부를 형성할 수 있다. A pixel pattern is formed on the heat-resisting block 200 as a concave portion 210. The pixel may be of an island type or a mesh type, and even if it is deformed into another special shape, a concave portion may be formed.

상기 오목부(210) 저면에 유도가열체(300)가 배치되고, 유도가열체(300)가 배치된 상태에서 내열 블럭(200)의 상부 전면에 화소형성용 유기물(400)이 올려진다. The induction heating body 300 is disposed on the bottom surface of the concave portion 210 and the pixel forming organic material 400 is placed on the upper surface of the heat resistant block 200 in a state where the induction heating body 300 is disposed.

상기 내열 블럭(200)의 배면에는 유도가열체(300)가 배치된 부분을 제외한 나머지 부분에는 자기력선속 밀도 변화에 의한 유도가열이 이루어지지 않는 물질로 된 차폐부(250)를 배치한다. 즉, 상기 내열 블럭(200)의 배면은 화소 패턴을 따라 개구부를 갖는 차폐부(250)로 덮이게 된다. A shielding portion 250 made of a material which is not induction-heated due to a change in the density of the magnetic force lines is disposed on the back surface of the heat-resistant block 200 except the portion where the induction heating body 300 is disposed. That is, the back surface of the heat-resistant block 200 is covered with the shielding part 250 having an opening along the pixel pattern.

이와 같이 구성한 상태에서, 내열 블럭(200)의 하부에 고주파 유도가열기를 배치하고 고주파 유도가열을 실시하면, 상기 내열 블럭(200)의 유도가열체(300)가 선택적으로 가열되고 그에 따라 유도가열체(300) 위에 올려진 유기물(400)만이 증발되어 기판(100) 상에 증착된다. 기판(100)과 내열 블럭(200)의 상면과의 틈새를 최소화하면 유기물은 분산되지 않고 정확한 위치에 기판에 증착된다. 내열 블럭(200) 배면에 설치된 차폐부(250)가 유도가열을 일으킬 수 있는 자기력 선속의 변화를 차폐하기 때문에 화소에 해당되는 부분 이외의 영역에 올려진 유기물은 전혀 가열되지 않아 정교한 화소의 형성이 가능하다.When the high-frequency induction heater is disposed in the lower part of the heat-resistant block 200 and high-frequency induction heating is performed in this state, the induction heating body 300 of the heat-resistant block 200 is selectively heated, Only the organic material 400 deposited on the sieve 300 is evaporated and deposited on the substrate 100. If the gap between the substrate 100 and the upper surface of the heat-resistant block 200 is minimized, the organic material is deposited on the substrate at the correct position without being dispersed. Since the shielding part 250 provided on the back surface of the heat-resistant block 200 shields the change of the magnetic flux which may induce induction heating, the organic substances placed on the area other than the part corresponding to the pixel are not heated at all, It is possible.

상기에서, 내열 블럭(200)은 실리콘, 석영, 세라믹 등의 재질로 구성될 수 있고, 유도가열체(300)는 도체로 구성되고, 차폐부(250)는 자기력선을 흡수 및 차폐할 수 있는 자성체로 만든다. The heat-resistant block 200 may be made of a material such as silicon, quartz, ceramics, etc. The induction heating body 300 is made of a conductor, and the shielding part 250 is made of a magnetic material capable of absorbing and shielding magnetic lines of force .

유도가열을 위한 코일에 인가되는 전압은 수백 kHz 내지 MHz 수준의 고주파 전원을 이용한다.The voltage applied to the coil for induction heating uses a high frequency power of several hundreds kHz to MHz.

본 발명의 또 다른 실시예는 도 3과 같이 레이저를 이용하는 것이다. Another embodiment of the present invention uses a laser as shown in FIG.

내열 블럭(200)의 상부 구성은 도 2의 실시예와 거의 동일하지만, 유도가열기가 아닌 레이저 가열을 이용하기 때문에 유도가열체가 아닌 히터(350)를 오목부(210) 안에 배치한다. 또한, 내열 블럭(200)의 배면에는 상기 히터(350)가 배치된 곳 이외의 부분을 차폐하는 차폐부(270)를 설치하되, 도 2와 달리 레이저를 반사하는 거울 또는 빛을 흡수하는 광 흡수재로 구성한다. 즉, 내열 블럭(200) 아래에 레이저 광원(500)을 배치하여 레이저를 조사하면, 차폐부가 없는 곳은 레이저 빔이 투과되어 상기 히터(350)를 가열하여 유기물이 증발되고, 차폐부(270)는 레이저 빔을 반사 또는 흡수하여 히터(350) 이외의 부분은 가열되지 않게 한다. 따라서 레이저 빔이 화소를 형성하고자 하는 부분에만 선택적으로 조사되어 아일랜드 타입의 화소를 매우 정밀하게 형성할 수 있게 된다. The upper part of the heat-resistant block 200 is almost the same as the embodiment of FIG. 2, but the heater 350, not the induction heating body, is disposed in the recess 210 because laser heating is used instead of induction heating. A shielding portion 270 for shielding a portion other than where the heater 350 is disposed is provided on the rear surface of the heat-resistant block 200. Unlike FIG. 2, a mirror or a light- . That is, when the laser light source 500 is disposed under the heat-resistant block 200 and the laser is irradiated, the laser beam is transmitted through the shielding portion 270 to heat the heater 350, The laser beam is reflected or absorbed so that the portion other than the heater 350 is not heated. Therefore, the laser beam is selectively irradiated only to a portion where a pixel is to be formed, so that an island-type pixel can be formed with high precision.

상기에서 내열 블럭(200)은 빛이 투과될 수 있는 투명 소재로 구성되어야 하며, 석영이나 투명 세라믹, 내열 유리 등으로 구성할 수 있고, 히터(350)는 텅스텐 등의 일반적인 히터 소재 또는 광-열 전환 효율(레이저 빔을 흡수하여 열로 전환하는 효율을 뜻함)이 좋은 세라믹 재 등으로 구성할 수 있다. The heat-resistant block 200 may be made of a transparent material through which light can be transmitted, and may be made of quartz, transparent ceramics, heat-resistant glass, etc. The heater 350 may be a general heater material such as tungsten, And a ceramic material having a good conversion efficiency (which means an efficiency of absorbing a laser beam to convert it into heat).

또한, 광원(500)은 점 광원 외에 레이저 광원을 선 또는 면으로 배열한 선광원이나 면광원일 수 있고, 기판의 대면적화에 따라 선택적으로 구성할 수 있다. In addition, the light source 500 may be a linear light source or a planar light source in which a laser light source is arranged in a line or a plane, in addition to a point light source, and can be selectively configured according to the size of the substrate.

내열 블럭(200) 상부에 화소 패턴을 따라 오목부(210), 유도가열체 또는 히터을 형성하는 방법은 리소그라피 등의 방법을 사용할 수 있고, 그 위에 유기물을 올리는 것은 증발원에 의한 증착에 의할 수 있다. 그러나 예시한 방법에 한정되지 않고 다른 방법에 의할 수 있다. A method of forming the concave portion 210, the induction heating body or the heater along the pixel pattern on the heat-resistant block 200 may be lithography or the like, and the organic material may be deposited thereon by deposition using an evaporation source . However, the present invention is not limited to the illustrated method, but may be implemented by other methods.

상기와 같은 방식에 따르면, FMM 없이도 R,G,B 화소를 정밀하게 형성할 수 있다. 상술한 바와 같이, 화소는 아일랜드 타입으로 형성하는 것이 바람직하나 메쉬 타입으로 형성하는 경우에도 상기 방식이 적용될 수 있다. According to the above-described method, R, G, and B pixels can be precisely formed without FMM. As described above, it is preferable that the pixel is formed as an island type, but the above method can also be applied to a case of forming a mesh type.

도 2 및 도 3은 기판이 내열 블럭 위에 배치되는 것을 나타내지만, 반대로 기판이 내열 블럭 아래에 배치되거나 기판과 내열 블럭이 연직으로 배치되어도 동일 방식을 적용할 수 있다. 2 and 3 show that the substrate is disposed on the heat-resistant block, but conversely, the same method can be applied when the substrate is disposed below the heat-resistant block or when the substrate and the heat-resistant block are vertically arranged.

또한, 상기에서 오목부로 나타낸 부분은 볼록부로 변형될 수 있다. 유도가열체나 금속 히터를 상기 볼록부에 형성하고 나머지는 상술한 동일 방식이 적용된다. Further, the portion indicated by the recess in the above may be deformed into the convex portion. An induction heating body or a metal heater is formed on the convex portion and the same method as described above is applied to the rest.

한편, 상술한 바와 같이 한 차례 증착 공정을 실시한 후에 내열 블럭 위에는 상당량의 유기물이 남아있어 이들을 버리지 않고 활용할 필요가 있어 아래와 같은 변형 실시예를 제안한다. On the other hand, since a considerable amount of organic substances remains on the heat-resistant block after performing the one-time deposition process as described above, it is necessary to utilize them without throwing away, suggesting the following modified embodiment.

도 4 내지 도 7은 상기 실시예를 변형하여 고가의 유기물을 낭비하지 않도록 한 실시예를 설명하기 위한 개략도들이다.FIGS. 4 to 7 are schematic views for explaining an embodiment in which the embodiment is modified so as not to waste expensive organic matter.

도 4와 도 3의 차이점 중 하나는 도 3의 내열 블럭의 상하부분을 분리하여 상부를 내열 블럭(200), 하부를 반사 블럭(600)으로 구성한 것이다. One of the differences between FIG. 4 and FIG. 3 is that upper and lower parts of the heat-resistant block of FIG. 3 are separated and the upper part is composed of the heat-resisting block 200 and the lower part is composed of the reflection block 600.

또한, 내열 블럭(200)의 상부에 배열되는 히터(350)는 도 3에 비해 대략 2 내지 9 배 정도 많아진다. 즉, 히터는 화소에 해당하는 면적만큼 반복하여 형성되며, 하나의 기판에 형성되어야 하는 화소 패턴은 물론, 그 화소 패턴들 사이의 간격 부분에도 형성되어 하나 이상의 기판에 화소를 형성하게 된다. 이때에도 히터들 사이는 약간의 간격을 두어 서로 분리되게 하여야 한다. 이는 히터 가열에 따른 물질 증발로 형성되는 화소의 경계가 흐려지지 않게 하기 위함이다. In addition, the heater 350 arranged on the upper part of the heat-resistant block 200 is approximately 2 to 9 times larger than that of FIG. That is, the heater is repeatedly formed by an area corresponding to a pixel, and is formed not only on a pixel pattern to be formed on one substrate but also on a space between the pixel patterns to form a pixel on one or more substrates. At this time, the heaters should be separated from each other with a slight gap therebetween. This is to prevent the boundary of the pixel formed by evaporation of the material from being heated by the heater from being blurred.

도 4에서 히터(350)가 형성되는 오목부는 순차적으로 도면부호 210, 211, 212가 부여되어 있다. 이들은 마치 하나의 반복 주기 세트와 같이 인식될 수 있다. 즉, 1차 오목부/2차 오목부/3차 오목부가 하나의 주기로 반복된 것처럼 볼 수 있고 각 차수의 오목부에 형성되는 히터와 그 위의 유기물은 기판에 증착되는 화소 패턴이 된다. In FIG. 4, the recesses 210, 211, and 212 are sequentially provided with the recess 350 in which the heater 350 is formed. These can be recognized as if they were a set of repetition cycles. That is, it can be seen that the primary concave / the secondary concave / the tertiary concave are repeated in one cycle, and the heater formed on the concave portion of each order and the organic matter thereon become a pixel pattern to be deposited on the substrate.

오목부 사이의 간격은 볼록부(220)로 되어 히터들은 서로 분리된다. 이러한 구성은 1차 오목부(210)에 있는 히터가 1차적으로 가열되어 화소를 형성한 다음, 내열 블럭(200)을 이동시켜 2차 오목부(211)의 유기물로 또 다른 화소를 형성하려 함이다. 즉, 2차 오목부(211)의 위치를 광 투과부(280)가 있는 위치로 정렬되게 하여 2차 오목부(211)의 물질이 2차로 증발된다. 한 차례 더 내열 블럭(200)이 이동되어 3차 오목부(212)에 있는 물질이 3차로 증발되게 할 수 있음을 도 4 및 도 5에 보였다. The gap between the concave portions becomes the convex portion 220, and the heaters are separated from each other. In this configuration, the heater in the first concave portion 210 is primarily heated to form a pixel, and then the heat-resistant block 200 is moved to form another pixel from the organic material in the second concave portion 211 to be. That is, the position of the second concave portion 211 is aligned with the position of the light transmitting portion 280, and the material of the second concave portion 211 is evaporated secondarily. 4 and 5 that the heat-resistant block 200 is moved once more so that the material in the tertiary recess 212 can be evaporated third.

화소의 폭이 D이고 화소 간 간격이 d라 하면, 내열 블럭(200)의 이동량은 D+d가 될 것이다. 화소 폭과 화소 간의 간격에 따라 내열 블럭(200) 이동 횟수 및 증착 횟수가 결정될 것이다. 도 4 및 도 5에서는 3차 증착까지 가능함을 보이고 있으나 이는 예시적이다. 즉, 3차 증착 이후에 계속하여 내열 블럭을 편이시키고 화소를 형성하는 과정이 반복실시될 수 있다. If the width of the pixel is D and the interval between pixels is d, the movement amount of the heat-resistant block 200 will be D + d. The number of times of movement of the heat-resisting block 200 and the number of times of deposition are determined according to the pixel width and the interval between the pixels. In FIGS. 4 and 5, it is shown that the third deposition is possible, but this is exemplary. That is, the process of shifting the heat-resistant block and forming pixels after the third deposition can be repeatedly performed.

또한, 내열 블럭(200)은 그대로 두고 기판과 반사 블럭이 이동될 수도 있지만 이는 얼라인에 들어가는 노력과 시간상 낭비이다. Also, the substrate and the reflective block may be moved while leaving the heat-resistant block 200 as it is, but this is an effort and time wasted in entering the alignment.

화소 증착을 위한 공정 과정을 순차로 설명하면 다음과 같다. The process steps for the pixel deposition will be described in sequence as follows.

*상기 내열 블럭(200) 상에 식각 공정을 실시하여 오목부들을 형성하고 그 안에 히터를 형성한다.The etching process is performed on the heat-resisting block 200 to form recesses and form a heater therein.

상기 내열 블럭(200) 위에는 유기물이 증착된다. The organic material is deposited on the heat-resistant block 200.

내열 블럭(200) 하단에 이와 별도로 배치되는 반사 블럭(600)의 배면에는 광 투과부(280)가 형성되어 있고 그 외에는 광을 반사하거나 흡수하는 차폐부(270)가 형성되어 있다. A light transmitting portion 280 is formed on the back surface of the reflective block 600 separately disposed at the lower end of the heat resistant block 200 and a shielding portion 270 for reflecting or absorbing light is formed.

기판(편의상 제1 기판이라 함)이 내열 블럭(200) 상부에 반입되고, 내열 블럭(200) 하단에 반사 블럭(600)이 배치되되, 광 투과부(280)가 내열 블럭의 히터 중 1차 오목부(210)의 위치에 있는 히터에 오도록 얼라인 된다. 기판의 반입은 반사 블럭의 얼라인 후에 이루어질 수도 있다. The first substrate is carried on the heat-resistant block 200 and the reflective block 600 is disposed on the lower end of the heat-resistant block 200. The light- And is aligned to the heater located at the position of the portion 210. The carrying-in of the substrate may be performed after the reflection block is aligned.

다음, 레이저를 반사 블럭(600)의 광 투과부(280)를 통해 조사하여 이에 얼라인된 히터가 가열되고 그에 따라 기판에 화소가 형성된다(1차 화소 형성 공정).Next, the laser is irradiated through the light transmitting portion 280 of the reflection block 600 to heat the aligned heater, thereby forming a pixel on the substrate (primary pixel forming step).

다음, 화소가 형성된 제1기판은 반출되고 새로운 기판(편의상 제2 기판이라 함)이 반입된다. Next, the first substrate on which pixels are formed is taken out and a new substrate (referred to as a second substrate for convenience) is carried.

내열 블럭(200)은 광 투과부(280)에 2차 오목부(211)가 얼라인 되도록 이동된다. 2차 오목부(211)는 1차 오목부(210)에 대해 순차적으로 가장 근접한 오목부이다. The heat-resistant block 200 is moved so that the second concave portion 211 is aligned with the light transmitting portion 280. The secondary concave portion 211 is a concave portion that is sequentially closest to the primary concave portion 210.

레이저를 다시 반사 블럭(600)의 광 투과부(280)를 통해 조사하여 2차 오목부(211)에 있는 히터가 가열되고 해당 부분에 있던 유기물이 증발하여 새로운 기판에 화소가 형성된다(2차 화소 형성 공정). 도 5에는 반사 블럭(600)이 편이되어 1차 오목부(210)는 빈 상태이고 2차 오목부(211)에 대해 레이저 광이 조사되어 물질이 증발되는 것을 보여준다. The laser is again irradiated through the light transmitting portion 280 of the reflection block 600 to heat the heater in the second concave portion 211 and evaporate the organic material in the portion to form a pixel on the new substrate Forming process). 5, the reflection block 600 is shifted to show that the first concave portion 210 is empty and the second concave portion 211 is irradiated with a laser beam to evaporate the material.

다음은 상기 과정을 반복하여 3차 오목부(212)에 있는 물질이 증발되게 하여 3차 화소 형성 공정을 실시한다. 즉, 내열 블럭(200)이 편이 되고 3차 화소 형성 공정이 실시된다. Next, the above process is repeated to cause the material in the third concave portion 212 to evaporate, thereby performing a tertiary pixel forming process. That is, the heat-resistant block 200 is shifted and a tertiary pixel forming process is performed.

이와 같이 하여 내열 블럭(200)에 증착된 유기물들이 거의 남김없이 화소 형성에 사용되어 고가의 유기물의 낭비가 크게 줄어든다.As described above, the organic materials deposited on the heat-resistant block 200 are used for pixel formation almost without leaving much waste of expensive organic materials.

상기에서는 제1 기판과 제2 기판에 대해 한 번에 증착된 내열 블럭 위의 유기물로 화소를 형성하는 것에 대해 설명하였지만, 화소 패턴이 조밀한 경우, 하나의 기판에 대해 내열 블럭을 이동시켜가며 1차 내지 3차 화소 형성 공정을 실시하여 화소 패턴을 형성하게 할 수도 있다. In the above description, the pixel is formed of the organic material on the heat-resistant block deposited on the first substrate and the second substrate at once. However, when the pixel pattern is dense, the heat-resistant block is moved to one substrate It is also possible to form the pixel pattern by performing the second to third pixel forming process.

한편, 상기 도 4 및 도 5의 오목부들은 내열 블럭(200)에 대해 식각 공정을 실시하여 형성되지만, 도 6과 도 7은 상기 오목부들을 형성하기 위해 상대적으로 볼록부(220)를 증착한 것을 보여준다. 볼록부(220)의 재질은 SiNx, SiO2 등으로 이루어질 수 있다. 그 외 내열 블럭의 편이 동작을 이용하여 화소 형성 공정을 여러 차례 실시하는 과정은 도 4 및 5에 대한 것과 동일하다. 4 and FIG. 5 are formed by performing an etching process on the heat-resistant block 200, but FIGS. 6 and 7 illustrate the case where the convex portions 220 are relatively deposited to form the concave portions . The material of the convex portion 220 may be SiN x , SiO 2, or the like. The process of performing the pixel forming process a plurality of times using the other heat-resistant block shifting operation is the same as that shown in Figs. 4 and 5.

상기에서 내열 블럭 오목부에 형성되는 히터는 오목부가 아닌 볼록부에 형성될 수 있고 그에 따라 광 투과부는 히터가 있는 볼록부에 정렬되는 식으로 변형 실시될 수 있다. The heater formed in the heat block recess may be formed in the convex portion instead of the concave portion so that the light transmitting portion is aligned with the convex portion having the heater.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiment, but is capable of many modifications and variations within the scope of the appended claims. It is self-evident.

100: 기판
200: 내열 블럭
210, 211, 212: 오목부
220: 볼록부
250, 270: 차폐부
280: 광 투과부
300: 유도가열체
350: 히터
400: 유기물
500: 광원
600: 반사 블럭100: substrate
200: heat-resistant block
210, 211, and 212:
220: convex portion
250, 270: shielding part
280: light transmitting portion
300: induction heating element
350: heater
400: organic matter
500: light source
600: reflection block

Claims (1)

기판;
기판에 화소를 형성하기 위해 일면에 유기물이 올려진 투명성이 있는 내열 블럭; 및
상기 내열 블럭의 이면에 배치되는 반사 블럭;을 포함하는 화소 형성 시스템으로서,
상기 내열 블럭의 일면은 화소 형성을 위해 화소 패턴을 따라 형성된 오목부와
상기 오목부는 내부에 히터를 구비하고,
상기 히터를 포함한 상기 내열 블럭 면에 유기물이 올려져 있고,
상기 반사 블럭의 일면은 상기 내열 블럭의 이면에 접하고 상기 반사 블럭의 이면은, 상기 히터가 배치된 곳에 빛이 도달하도록 해당부분에 광 투과부를 구비하고, 그 이외의 영역은 광을 차폐하는 차폐부를 구비하고,
상기 내열 블럭과 상기 반사 블럭은 상대적으로 이동될 수 있고,
상기 광 투과부를 통해 레이저 광이 투과되게 함으로써, 상기 내열 블럭에서 상기 히터는 선택적으로 가열되어 상기 히터 위에 올려진 유기물만 선택적으로 증발되어 기판 상에 화소를 형성하며,
상기 히터는 기판에 형성될 화소 패턴을 따라 배열되되, 화소 사이 부분에도 화소 패턴을 따라 배열되어, 하나의 기판에 1차로 화소를 형성한 다음, 상기 내열 블럭 또는 반사 블럭을 편이시켜 상기 광 투과부가 화소 사이 부분에 배열된 히터에 맞게 정렬되어 다른 기판에 대해 2차로 화소를 형성하고, 2차로 화소를 형성한 다음, 다시 상기 내열 블럭 또는 반사 블럭을 편이시켜 상기 광 투과부가 화소 사이 부분에 배열된 또 다른 히터에 맞게 정렬하여 또 다른 기판에 대해 3차로 화소를 형성하며, 이후 내열 블럭 또는 반사 블럭의 편이 및 화소 형성 공정이 계속 반복 실시될 수 있는 것을 특징으로 하는 화소 형성 시스템.





Board;
A heat-resistant block having transparency in which an organic material is placed on one surface to form a pixel on the substrate; And
And a reflective block disposed on a back surface of the heat-resistant block,
One side of the heat-resistant block includes a concave portion formed along the pixel pattern for pixel formation
Wherein the concave portion has a heater inside,
The organic material is placed on the heat-resistant block surface including the heater,
One side of the reflective block is in contact with the back surface of the heat-resistant block, and the back surface of the reflective block is provided with a light transmitting portion in the corresponding portion so that light reaches the place where the heater is disposed. Respectively,
The heat-resistant block and the reflective block can be relatively moved,
And the laser light is transmitted through the light transmitting portion, the heater is selectively heated in the heat-resistant block to selectively evaporate only the organic material placed on the heater to form a pixel on the substrate,
The heaters are arranged along a pixel pattern to be formed on a substrate and are arranged along a pixel pattern in a portion between the pixels to form pixels on a single substrate and then the heat resistant block or the reflective block is shifted, A plurality of pixels are formed in a second order with respect to another substrate, a pixel is formed in a second order, and then the heat-resistant block or the reflection block is shifted again to align the light- And the pixels are formed in a third order with respect to another substrate by aligning them with another heater, and then the shift of the heat-resistant block or the reflective block and the pixel formation process can be repeatedly performed repeatedly.





KR1020190062181A 2019-05-27 2019-05-27 Material saving color pixel forming system without fmm KR20190060968A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190062181A KR20190060968A (en) 2019-05-27 2019-05-27 Material saving color pixel forming system without fmm

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190062181A KR20190060968A (en) 2019-05-27 2019-05-27 Material saving color pixel forming system without fmm

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170097981A Division KR101985086B1 (en) 2017-08-02 2017-08-02 Material saving color pixel forming system without fmm

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200059776A Division KR102198441B1 (en) 2020-05-19 2020-05-19 Material saving color pixel forming system without fmm

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190060968A true KR20190060968A (en) 2019-06-04

Family

ID=66811044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190062181A KR20190060968A (en) 2019-05-27 2019-05-27 Material saving color pixel forming system without fmm

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190060968A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023070369A1 (en) * 2021-10-27 2023-05-04 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Micro light-emitting diode display and manufacturing method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023070369A1 (en) * 2021-10-27 2023-05-04 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Micro light-emitting diode display and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104425219B (en) The metal mask for manufacturing the method for metal mask and being formed using this method
CA3013205C (en) Multi-layer photo definable glass with integrated devices
CN104062842B (en) A kind of mask plate and its manufacturing method, process unit
CN104617124B (en) Organic light emitting diode display
CN105924018A (en) Coated glass or glass ceramic article
CN106007345A (en) Method for changing the geometry of glass ceramics and coated glass ceramic article produced by such method
US20080041816A1 (en) Systems and methods for manufacturing wire grid polarizers
US20090135282A1 (en) Visible imaging device with a colour filter
KR20190060968A (en) Material saving color pixel forming system without fmm
US20190329358A1 (en) Process for producing a hotplate for a hob
CN103958724B (en) For migration mask and its manufacture method of local evaporation substrate
US20190044068A1 (en) Mask plate
WO2006109921A1 (en) Manufacturing method of slanted-pyramid microlens and its application to light guide plate
US8697319B2 (en) Exposure method, color filter manufacturing method, and exposure device
KR101985086B1 (en) Material saving color pixel forming system without fmm
JP2020152939A (en) Method of manufacturing vapor deposition mask
CN1154879C (en) Phase shift mask and method for fabricating same
KR101663818B1 (en) Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same
CN103018808A (en) Photon sieve and manufacturing method thereof
KR102198441B1 (en) Material saving color pixel forming system without fmm
WO2001069316A1 (en) Exposure controlling photomask and production method therefor
CN106654059B (en) The production method of dimmer board and luminescent device
KR20180137304A (en) Color pixel forming method and system without fmm
US11355708B2 (en) Method for manufacturing display substrate, method for manufacturing mask plate and display device
CN103918348A (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
A107 Divisional application of patent