KR20190053332A - Different material joint body and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a heterogeneous material assembly, which has excellent bonding force between heterogeneous materials, and a manufacturing method thereof. The heterogeneous material assembly of the present invention comprises: a metal layer including a protrusion and a flat surface; a first resin layer provided on the flat surface of the metal layer; and a second resin layer provided on the metal layer and the first resin layer.

Description

이종 소재 접합체 및 이의 제조방법{DIFFERENT MATERIAL JOINT BODY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a bonded material of heterogeneous materials and a method of manufacturing the same.

본 발명은 이종 소재 접합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a heterogeneous material conjugate and a method of manufacturing the same.

일반적으로 금속과 수지와 같은 이종 소재 간의 접합은, 각 소재 고유의 물리적, 화학적 특성과 표면 상태가 다르기 때문에, 용이하지 않은 경우가 대부분이다.Generally, joining between different materials such as metal and resin is not easy because the physical and chemical characteristics inherent to each material and the surface state are different.

이와 같은 이종 소재 사이의 접합을 위하여 시도될 수 있는 기술은 접착제를 이용한 결합, 기계적 조임, 용접(welding), 인서트 사출 등으로 분류할 수 있다. 이 중에서도, 접착제를 이용하는 방법은 사용 방법이 간단하다는 장점이 있으므로, 전자 제품에서 이종 소재 간 접합 시 사용되는 대표적이면서도 고전적인 방식으로 가장 많이 사용되고 있다.Techniques that can be attempted for joining such disparate materials include bonding using adhesives, mechanical fastening, welding, and insert injection. Among them, the method of using an adhesive is advantageous in that it is simple to use, and therefore, it is most widely used in a representative and classic method used for bonding different materials in electronic products.

접착제를 이용하거나, 기계적 조임을 사용하는 공정은 비교적 쉬운 방식으로 이종 소재 접합을 가능하게 하나, 접합부가 외관에 그대로 드러나는 문제점이 발생하였다. Processes using adhesives or mechanical fasteners have made it possible to bond dissimilar materials in a relatively easy way, but the joints are exposed on the exterior.

상기의 문제점을 해결하기 위하여, 금속 소재의 표면 상에 특정한 형상의 패턴을 형성하여 이종 소재를 접합하여 접합력을 향상시키는 방법이 도입된 바 있으나, 접합력 향상 효과가 미미한 문제점이 있었다.In order to solve the above problems, there has been proposed a method of forming a pattern of a specific shape on a surface of a metal material to bond the dissimilar materials to improve the bonding force, but the effect of improving the bonding force is insufficient.

이에, 비교적 간단한 공정을 사용하면서도, 접합부가 외관에 그대로 드러나지 않고, 이종 소재 간의 접합력을 향상시키기 위한 방법에 대한 연구가 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for research on a method for improving the bonding force between different kinds of materials without using the relatively simple process but without revealing the joints to the outside.

한국 등록특허공보 제10-1499665호Korean Patent Registration No. 10-1499665

본 발명은 이종 소재 접합체 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.The present invention provides a heterogeneous material conjugate and a method for producing the same.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the present invention is not limited to the above-mentioned problems and other problems which are not mentioned can be understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시상태는, 일면 상에, 2 이상의 에칭 홈, 상기 에칭 홈에 인접하여 구비된 돌출부 및 평탄면을 포함하는 금속층; 상기 금속층의 평탄면 상에 구비되고, 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장에서의 광반사율이 10 % 이하인 제1 수지층; 및 상기 금속층 및 상기 제1 수지층 상에 구비되는 제2 수지층을 포함하고, 상기 제2 수지층은 상기 에칭 홈의 내부, 상기 금속층 표면과 돌출부 사이에 채워져 상기 금속층에 고정되는 이종 소재 접합체를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a metal layer including at least two etching grooves, a projection provided adjacent to the etching groove, and a flat surface; A first resin layer provided on a flat surface of the metal layer and having a light reflectance of 10% or less at any wavelength of 840 nm to 1064 nm; And a second resin layer provided on the metal layer and the first resin layer, wherein the second resin layer is filled in the etching groove, between the surface of the metal layer and the protrusion, and is fixed to the metal layer, to provide.

본 발명의 다른 실시상태는 상기 이종 소재 접합체의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a method of manufacturing the heterogeneous material conjugate.

본 발명의 일 실시상태는 일면 상에 제1 수지층이 구비된 금속층을 준비하는 단계; 상기 제1 수지층이 구비된 금속층의 표면에 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속층의 일면 상에, 에칭 홈 및 돌출부를 형성하는 금속층 에칭 단계; 및 상기 에칭된 금속층의 일면 상에 제2 수지층을 구비한 후, 제2 레이저를 조사하여 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계;를 포함하는 상기 이종 소재 접합체의 제조방법을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a metal layer having a first resin layer on one surface; A metal layer etching step of irradiating a surface of the metal layer having the first resin layer with a first laser to form an etching groove and a protrusion on one surface of the metal layer; And providing a second resin layer on one side of the etched metal layer, and then joining the metal layer and the second resin layer by irradiating a second laser to the method of manufacturing the dissimilar material bonded body .

본 발명의 일 실시상태에 따른 이종 소재 접합체는 서로 다른 물성을 가지는 이종 소재 간의 접합력이 우수한 장점이 있다.The dissimilar materials bonded body according to one embodiment of the present invention has an advantage of excellent bonding strength between dissimilar materials having different physical properties.

본 발명의 일 실시상태에 따른 이종 소재 접합체의 제조방법은 레이저를 이용한 이종 소재의 접합 과정에서 발생하는 레이저 에너지 손실을 최소화한 장점이 있다.The method of manufacturing a hetero-material bonded body according to an embodiment of the present invention has an advantage of minimizing the loss of laser energy generated in the process of bonding different materials using laser.

본 발명의 일 실시상태에 따른 이종 소재 접합체의 제조방법은 간단한 방법으로 이종 소재 간의 접합력을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to one embodiment of the present invention, there is an advantage in that the bonding strength between different materials can be improved by a simple method.

도 1 은 본 발명의 일 실시상태에 따라 제1 수지층이 구비된 금속층의 측단면 및 표면의 모식도를 나타낸 것이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시상태에 따른 금속층 에칭 단계의 모식도를 나타낸 것이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시상태에 따른 이종 소재 접합체의 제조방법의 모식도를 나타낸 것이다.
도 4 는 실시예 1 의 제1 수지층이 구비된 금속층의 단면을 주사 전자 현미경으로 촬영한 이미지이다.
도 5 는 비교예 1 의 제1 수지층이 구비된 금속층의 단면을 주사 전자 현미경으로 촬영한 이미지이다.
1 is a schematic view of a side surface and a surface of a metal layer provided with a first resin layer according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view of a metal layer etching step according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic view of a method of manufacturing a heterogeneous material joined body according to an embodiment of the present invention.
4 is an image of a cross section of a metal layer provided with the first resin layer of Example 1 by scanning electron microscope.
5 is an image of a section of the metal layer provided with the first resin layer of Comparative Example 1 taken by a scanning electron microscope.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In this specification, when a part is referred to as " including " an element, it is to be understood that it may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

본 명세서에 있어서, 어떤 구성요소가 어떤 부분에 "구비"된다고 할 때, 이는 특별하거나 제한된 방법을 통하여 형성된 것이 아니라, 어떤 부분 상에 위치하거나 마련되는 것을 의미할 수 있다.In the present specification, when an element is referred to as being " equipped " with a certain element, it is not formed through a special or limited method, but may be located or provided on any element.

본 명세서에 있어서, 해당 부재의 두께는 해당 부재의 측면의 주사 전자 현미경(SEM; Scanning Electron Microscope S-4800, HITACHI 社) 이미지에서 대응되는 축척과 비교하여 측정되거나, 두께 게이지(gauge)를 이용하여 측정되는 것일 수 있다.In the present specification, the thickness of the member is measured in comparison with a corresponding scale in an image of a scanning electron microscope (SEM; Scanning Electron Microscope S-4800, HITACHI) on the side of the member or by using a thickness gauge It can be measured.

본 명세서에 있어서, 광반사율은 Shimadzu 社의 Spolid 3700 장비를 이용하여 측정된 특정 파장에서의 광반사율일 수 있다.In the present specification, the light reflectance may be a light reflectance at a specific wavelength measured using a Shidadzu Spolid 3700 instrument.

본 발명자들은, 종래의 이종 소재, 구체적으로 금속과 수지를 레이저를 이용하여 접합하는 과정에서, 수지를 투과한 레이저의 에너지가 금속 표면에서 반사되어 손실되어 접합 공정의 에너지 효율이 낮은 문제점이 있음을 확인하고, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 부단히 연구한 결과, 본 발명에 이르게 되었다.The inventors of the present invention have found that there is a problem that energy of a laser transmitted through a resin is reflected and lost on the surface of a metal in the process of joining a conventional dissimilar material, specifically, a metal and a resin by using a laser, The present inventors have made intensive studies to solve these problems and have come to the present invention.

구체적으로, 본 발명자들은 레이저를 이용한 금속과 수지의 접합시 광반사율이 높은 금속층에 의하여 레이저 에너지가 효과적으로 전달되지 못하는 점을 극복하기 위하여, 접합 대상인 금속층과 수지층 사이에 광흡수율이 높은 추가의 수지층을 구비하였다. 이에 따라, 접합 대상인 금속층과 수지층을 접합하기 위한 레이저 조사시, 광흡수율이 높은 추가의 수지층이 레이저 에너지를 효과적으로 흡수하여 수지층을 효과적으로 용융시킬 수 있으며, 이에 따라 금속과 수지와의 접합력을 크게 향상할 수 있음을 확인하고, 하기와 같은 본 발명을 개발하였다.In order to overcome the problem that the laser energy is not effectively transferred by the metal layer having a high light reflectivity when the metal and the resin are bonded by laser, the inventors of the present invention have found that, between the metal layer to be bonded and the resin layer, ≪ / RTI > Accordingly, when the laser beam is applied to bond the metal layer and the resin layer to be bonded, an additional resin layer having a high light absorptivity can effectively absorb the laser energy and effectively melt the resin layer, thereby increasing the bonding force between the metal and the resin The present invention has been developed as follows.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 실시상태는, 일면 상에, 2 이상의 에칭 홈, 상기 에칭 홈에 인접하여 구비된 돌출부 및 평탄면을 포함하는 금속층; 상기 금속층의 평탄면 상에 구비되고, 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장에서의 광반사율이 10 % 이하인 제1 수지층; 및 상기 금속층 및 상기 제1 수지층 상에 구비되는 제2 수지층을 포함하고, 상기 제2 수지층은 상기 에칭 홈의 내부, 상기 금속층 표면과 돌출부 사이에 채워져 상기 금속층에 고정되는 이종 소재 접합체를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a metal layer including at least two etching grooves, a projection provided adjacent to the etching groove, and a flat surface; A first resin layer provided on a flat surface of the metal layer and having a light reflectance of 10% or less at any wavelength of 840 nm to 1064 nm; And a second resin layer provided on the metal layer and the first resin layer, wherein the second resin layer is filled in the etching groove, between the surface of the metal layer and the protrusion, and is fixed to the metal layer, to provide.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 일면 상에, 2 이상의 에칭 홈, 상기 에칭 홈에 인접하여 구비된 돌출부 및 평탄면을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal layer may include two or more etching grooves, protrusions provided adjacent to the etching grooves, and a flat surface on one surface.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 티타늄 (Ti), 아연(Zn) 등의 순수 금속; 및 스테인리스스틸(Stainless Steel; STS) 등의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 레이저 조사에 의하여 가공이 용이하며, 열 전도도가 높은 것이면 당업계에서 알려진 것 중에서 자유롭게 선택될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal layer is made of a pure metal such as aluminum (Al), titanium (Ti), or zinc (Zn); And an alloy such as stainless steel (STS). However, the present invention is not limited thereto, and it can be freely selected from among those known in the art if it is easy to process by laser irradiation and has high thermal conductivity.

본 명세서에서, 용어 "열 전도도(Thermal Conductivity)"는 어떤 물질이 전도에 의하여 열을 전달할 수 있는 능력을 나타내는 물성치를 의미할 수 있다.As used herein, the term " Thermal Conductivity " may mean a property that indicates the ability of a substance to transfer heat by conduction.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층의 형태는, 레이저 에칭이 가능하고, 수지와의 접합이 원활하게 이루어질 수 있는 형태라면 특별한 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들어, 평면, 곡면을 포함하는 원통형 및 다면체 등일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the shape of the metal layer can be applied without particular limitation as long as it can be laser-etched and can be smoothly bonded to the resin. For example, Cylindrical, polyhedral, or the like.

본 명세서에서, 에칭 홈은 하기 기술하는 바와 같은 레이저 조사에 따른 에칭을 통하여 금속층에 형성되고, 금속층에서 식각되는 홈 영역을 의미할 수 있다. 상기 에칭 홈은 연속 또는 불연속된 형태로 존재할 수 있으며, 일 예로 연속된 라인의 형태로 구비될 수 있다. In this specification, the etching groove may be a groove region formed in the metal layer through etching according to laser irradiation as described below, and etched in the metal layer. The etch grooves may be continuous or discontinuous, and may be provided in the form of a continuous line, for example.

본 명세서에서, 평탄면은 금속층의 일면 상에 에칭 홈 및 돌출부가 형성된 영역 외의 영역을 의미할 수 있고, 구체적으로 에칭에 따라 금속층 표면의 변형이 일어나지 않은 영역을 의미할 수 있다.In this specification, the flat surface may mean an area other than the area where the etching grooves and protrusions are formed on one surface of the metal layer, and specifically, the area where the surface of the metal layer is not deformed by etching.

또한, 상기 금속층은 상기 에칭 홈에 인접하여 구비되는 돌출부를 포함할 수 있고, 상기 돌출부는 상기 금속층의 일면 상에 구비될 수 있다. 나아가, 상기 돌출부는 상기 에칭 홈의 진행 방향에 따라 연속적으로 이어지거나, 일부 불연속적으로 이어질 수 있다. 구체적으로, 상기 돌출부는 에칭 홈 형성 시 발생하는 금속층의 잔여물들이 에칭 홈에 인접하며 외부로 돌출되어 응집된 버(burr)를 의미할 수 있다.The metal layer may include protrusions adjacent to the etch grooves, and the protrusions may be formed on one surface of the metal layer. Further, the protrusions may be continuously connected or partially discontinuously along the direction of the etching groove. Specifically, the protruding portion may be a burr formed by the residues of the metal layer that are formed when the etching trench is formed, adjacent to the etching trench and protruding outward and agglomerated.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 돌출부는 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 돌출부는 상기 에칭 홈에 인접한 금속층 표면에 구비될 수 있으며, 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 돌출된 것일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the projection may be provided in a direction away from the etching groove. Specifically, the protrusion may be provided on the surface of the metal layer adjacent to the etch groove, or may protrude in a direction away from the etch groove.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈이 상기 금속층 상에 2 이상의 연속된 라인으로 형성되는 경우, 상기 돌출부는 상기 연속된 라인으로 형성된 에칭홈에서 멀어지는 방향으로 금속층 상에 구비될 수 있다. 연속된 라인으로 형성된 에칭 홈이 서로 평행한 방향으로 구비되는 경우, 상기 돌출부는 에칭 홈 사이에 구비되는 평탄면을 감싸는 형태로 서로 마주보는 형상이 될 수 있다. 이와 같은 경우, 레이저를 이용한 상기 제2 수지층과 상기 금속층의 접합시, 상기 제1 수지층을 상기 금속층에 보다 강하게 고정시킬 수 있는 장점을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the etching grooves are formed in two or more continuous lines on the metal layer, the protrusions may be provided on the metal layer in a direction away from the etching grooves formed by the continuous lines. When the etching grooves formed in the continuous lines are provided in the directions parallel to each other, the protrusions may be formed to face each other in a manner to surround the flat surface provided between the etching grooves. In this case, the first resin layer can be more firmly fixed to the metal layer when the second resin layer and the metal layer are joined using a laser.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 돌출부의 일측 말단은 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향, 구체적으로 상기 에칭 홈의 중심축으로부터 멀어지는 방향으로 구비될 수 있다. 그리고, 동시에 상기 돌출부의 타측 말단은 상기 돌출부의 일측 말단과 반대 방향인 에칭 홈의 중심축 방향으로 구비될 수 있다. 이에 따라, 상기 에칭 홈의 중심축 방향으로 구비된 상기 돌출부의 타측 말단은 상기 에칭 홈의 입구를 형성할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, one end of the projection may be provided in a direction away from the etching groove, specifically, in a direction away from the center axis of the etching groove. At the same time, the other end of the protrusion may be provided in the direction of the center axis of the etching groove, which is opposite to the one end of the protrusion. Accordingly, the other end of the projection provided in the center axis direction of the etching groove can form an inlet of the etching groove.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 돌출부는 상기 금속층 표면에 대하여 예각을 이루며 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비된 상기 돌출부와 상기 금속층의 표면이 이루는 각도가 예각일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the protrusion may be formed at an acute angle with respect to the surface of the metal layer. Specifically, the angle formed between the protruding portion provided in a direction away from the etching groove and the surface of the metal layer may be an acute angle.

즉, 상기 돌출부는 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비될 수 있고, 상기 돌출부는 상기 금속층 표면과 예각을 이루며 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 돌출부와 상기 금속층 표면의 연장선이 이루는 각도가 예각일 수 있다.That is, the protrusion may be provided in a direction away from the etching groove, and the protrusion may be formed at an acute angle with the surface of the metal layer. Specifically, the angle formed by the protrusion and the extension line of the surface of the metal layer may be an acute angle.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 돌출부와 상기 금속층 표면이 이루는 각도는 30 ° 이상 80 ° 이하, 30 ° 이상 70 ° 이하, 35 ° 이상 80 ° 이하, 35 ° 이상 70 ° 이하, 35 ° 이상 60 ° 이하, 40 ° 이상 70 ° 이하, 또는 40 ° 이상 60 ° 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the angle formed between the protruding portion and the surface of the metal layer is 30 to 80, 30 to 70, 35 to 80, 35 to 70, 60 degrees or less, 40 degrees or more and 70 degrees or less, or 40 degrees or more and 60 degrees or less.

상기 범위 내에서, 하기 설명하는 제2 레이저 조사에 따라 용융되는 제2 수지층이 상기 에칭 홈 내부 및 상기 돌출부 사이에 충분히 채워질 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 수지층이 상기 금속층에 충분한 접합력으로 고정될 수 있으므로, 상기 금속층의 제2 수지층과의 접합력을 향상시킬 수 있다.Within this range, a second resin layer, which is melted in accordance with the second laser irradiation described below, can be sufficiently filled in the etch groove and between the protrusions. Accordingly, since the second resin layer can be fixed to the metal layer with a sufficient bonding force, the bonding strength of the metal layer to the second resin layer can be improved.

또한, 상기 돌출부의 일측 말단에서 타측 말단까지의 길이는 25 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 또는 35 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있다.The length from one end to the other end of the projecting portion is not less than 25 占 퐉 and not more than 80 占 퐉, not less than 25 占 퐉 nor more than 70 占 퐉, not less than 30 占 퐉 nor more than 80 占 퐉, not less than 30 占 퐉 nor more than 70 占 퐉, Mu m or more and 70 mu m or less, or 35 mu m or more and 50 mu m or less.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 돌출부의 높이는 30 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 90 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 90 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 90 ㎛ 이하, 또는 50 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the height of the protrusion is not less than 30 占 퐉 and not more than 100 占 퐉, not less than 30 占 퐉 nor more than 90 占 퐉, not less than 40 占 퐉 nor more than 100 占 퐉, not less than 40 占 퐉 nor more than 90 占 퐉, 50 mu m or more and 90 mu m or less, or 50 mu m or more and 80 mu m or less.

상기 돌출부와 상기 금속층 표면이 이루는 각도, 돌출부의 길이 및 돌출부의 높이가 상기 범위 내인 경우, 상기 제2 수지층이 상기 금속층의 홈부 및 돌출부에 충분히 고정되어, 상기 금속층과 상기 제2 수지층과의 접합력이 크게 향상될 수 있다.The second resin layer is sufficiently fixed to the groove and the protrusion of the metal layer when the angle between the protrusion and the surface of the metal layer, the length of the protrusion, and the height of the protrusion are within the above range, The bonding force can be greatly improved.

본 명세서에서, 돌출부의 높이는 상기 돌출부의 금속층 표면과 인접하지 않은 일측 말단 지점에서 금속층 표면으로 연장된 수직선의 길이를 의미할 수 있다.In this specification, the height of the protrusion may mean the length of a vertical line extending from the one end end point not adjacent to the surface of the metal layer of the protrusion to the surface of the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 하나의 에칭 홈의 진행 방향과 다른 하나의 에칭 홈의 진행 방향은 평행하거나 교차할 수 있다. 또한, 상기 하나의 에칭 홈의 진행 방향과 다른 하나의 에칭 홈의 진행 방향이 교차하는 경우, 직각 또는 비직각으로 교차할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the progress direction of one etching groove and the progress direction of another etching groove may be parallel or intersect. In addition, when the direction of the one etching groove intersects with the direction of the other etching groove, they may intersect at right angles or at right angles.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 하나의 에칭 홈의 진행 방향과 다른 하나의 에칭 홈의 진행 방향이 교차하는 경우, 상기 금속층의 평탄면 상에 상기 에칭 홈으로 둘러싸인 영역, 구체적으로 돌출부로 둘러싸인 영역이 형성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, when the progress direction of one etching groove intersects with the progress direction of another etching groove, a region surrounded by the etching groove on the flat surface of the metal layer, specifically, Can be formed.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈은 상기 금속층 상에 2 이상의 연속된 라인으로 형성될 수 있으며, 상기 2 이상의 연속된 라인은 상기 금속층 상에 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 에칭 홈은 상기 금속층 상에 2 이상의 패턴 라인으로 구비될 수 있으며, 상기 금속층 상의 평탄면은 상기 패턴 라인으로 구획되는 패턴 단위체를 이룰 수 있다. 상기 패턴은 규칙 또는 불규칙 패턴일 수 있으며, 구체적으로, 삼각형, 사각형 또는 허니컴의 패턴 단위체를 포함하는 메쉬 패턴일 수 있다, 이 경우, 상기 돌출부는 상기 패턴 단위체를 둘러싸는 울타리 형태로 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the etch groove may be formed in two or more continuous lines on the metal layer, and the two or more continuous lines may form a pattern on the metal layer. Specifically, the etching groove may be formed as two or more pattern lines on the metal layer, and the flat surface on the metal layer may be divided into the pattern lines. The pattern may be a rule or an irregular pattern. Specifically, the pattern may be a mesh pattern including a triangular, square, or honeycomb pattern unit. In this case, the protrusion may be provided in the form of a fence surrounding the pattern unit .

본 명세서에서, 용어 "에칭 홈의 진행 방향"은 상기 에칭 홈이 상기 금속층의 표면 상에서 연속적으로 구비되는 방향을 의미할 수 있다.In this specification, the term " advancing direction of the etching groove " may mean a direction in which the etching groove is continuously provided on the surface of the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈 입구 폭에 대한 상기 에칭 홈 깊이의 비는 1 : 3 내지 1 : 14, 구체적으로 1 : 3 내지 1 : 13 일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the ratio of the etching groove depth to the etching groove entrance width may be 1: 3 to 1: 14, specifically 1: 3 to 1: 13.

본 명세서에서, 상기 에칭 홈의 입구 폭은 상기 에칭 홈의 상기 금속층 표면에 대응되는 부분에서, 일측 말단부터 타측 말단까지의 길이를 의미할 수 있다.In this specification, the entrance width of the etching groove may mean a length from one end to the other end in a portion corresponding to the surface of the metal layer of the etching groove.

본 명세서에서, 상기 에칭 홈의 깊이는 상기 에칭 홈의 최저 지점에서 상기 에칭 홈 입구로 연장된 수직선의 길이를 의미할 수 있다.In this specification, the depth of the etching groove may mean the length of a vertical line extending from the lowest point of the etching groove to the etching groove entrance.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈 입구 폭은 10 ㎛ 이상 25 ㎛ 이하, 또는 10 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하일 수 있다. 또한, 상기 에칭 홈의 깊이는 50 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 240 ㎛ 이하, 60 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하 또는 60 ㎛ 이상 240 ㎛ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the width of the etching groove inlet may be 10 탆 or more and 25 탆 or less, or 10 탆 or more and 20 탆 or less. The depth of the etching groove may be 50 탆 or more and 250 탆 or less, 50 탆 or more and 240 탆 or less, 60 탆 or more and 250 탆 or less, or 60 탆 or more and 240 탆 or less.

상기 범위 내에서, 상기 제2 수지층이 상기 금속층의 에칭 홈부 및 돌출부에 충분히 고정되어, 상기 금속층과 상기 제2 수지층과의 접합력이 크게 향상될 수 있다.Within the above range, the second resin layer is sufficiently fixed to the etching trenches and the protrusions of the metal layer, so that the bonding force between the metal layer and the second resin layer can be greatly improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈 입구 폭에 대한 상기 에칭 홈 중간 폭의 비는 1 : 1.3 내지 1 : 3 일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the ratio of the etching groove intermediate width to the etching groove entrance width may be 1: 1.3 to 1: 3.

나아가, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈의 중간 폭은 15 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 또는 20 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하일 수 있다.Furthermore, according to an embodiment of the present invention, the intermediate width of the etching groove may be 15 탆 or more and 30 탆 or less, or 20 탆 or more and 30 탆 or less.

상기 범위 내에서, 하기 설명하는 제2 레이저 조사에 따라 용융된 제2 수지층의 상기 에칭 홈 내부의 금속과 접촉할 수 있는 면적이 최대화될 수 있고, 이에 따라 상기 금속층과 상기 제2 수지층 사이의 접합력이 향상될 수 있다.Within this range, the area of contact with the metal in the etched groove of the second resin layer melted by the second laser irradiation, which will be described below, can be maximized, so that the area between the metal layer and the second resin layer Can be improved.

본 명세서에서, 상기 에칭 홈 중간 폭은 상기 에칭 홈의 깊이가 절반이 되는 지점에서, 상기 금속층의 표면과 평행한 방향으로 진행되는 가상의 선분의 길이를 의미할 수 있다.In this specification, the etching groove intermediate width may mean a length of an imaginary line segment running in a direction parallel to the surface of the metal layer at a point where the depth of the etching groove is half.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈의 중심축 사이의 거리는 50㎛ 이상 1,000㎛ 이하, 50㎛ 이상 800㎛ 이하, 80㎛ 이상 1,000㎛ 이하, 80㎛ 이상 800㎛ 이하, 80㎛ 이상 500㎛ 이하, 100㎛ 이상 500㎛ 이하, 80㎛ 이상 250㎛ 이하, 또는 100㎛ 이상 250㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the distance between the center axes of the etching grooves is 50 占 퐉 to 1,000 占 퐉, 50 占 퐉 to 800 占 퐉, 80 占 퐉 to 1,000 占 퐉, 80 占 퐉 to 800 占 퐉, Mu m or less, 100 mu m or more and 500 mu m or less, 80 mu m or more and 250 mu m or less, or 100 mu m or more and 250 mu m or less.

상기 범위 내인 경우, 마주보며 구비되는 2 이상의 돌출부가 서로 접하게 되어 하기 설명하는 제2 레이저 조사에 따라 용융된 제2 수지층이 상기 금속층의 평탄면 상에 공급되지 못하는 문제점을 방지할 수 있다. 또한, 상기 범위 내에서, 상기 금속층과 상기 제1 및 제2 수지층과의 접합 면적을 최대화하여 이들 간의 접합력을 크게 향상시킬 수 있다.If the thickness is within the above range, two or more protrusions facing each other may be in contact with each other, thereby preventing the second resin layer, which is melted according to the second laser irradiation described below, from being supplied onto the flat surface of the metal layer. In addition, within the above range, the bonding area between the metal layer and the first and second resin layers can be maximized and the bonding force between them can be greatly improved.

본 명세서에서, 상기 에칭 홈의 중심축 사이의 거리는, 상기 에칭 홈이 상기 금속층 상에 연속된 라인, 즉, 패턴 라인을 형성하는 경우, 평행하게 인접하는 패턴 라인 간의 거리를 의미할 수 있다.In this specification, the distance between the center axes of the etching grooves may mean the distance between adjacent pattern lines in parallel when the etching grooves form a continuous line, that is, a pattern line, on the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체는 상기 금속층의 평탄면 상에 구비된 제1 수지층을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the dissimilar material joined body may include a first resin layer provided on a flat surface of the metal layer.

상기 금속층의 평탄면 상에 상기 제1 수지층이 구비됨으로써, 상기 금속층을 하기 설명하는 바와 같은 레이저 조사에 따라 제2 수지층과 접합하는 과정에서 상기 금속층의 레이저 에너지 반사를 방지할 수 있고, 이에 따른 공급된 레이저 에너지의 손실을 방지할 수 있다.Since the first resin layer is provided on the flat surface of the metal layer, laser energy reflection of the metal layer can be prevented during the process of joining the metal layer with the second resin layer according to laser irradiation as described below. The loss of the supplied laser energy can be prevented.

구체적으로, 상기 에칭 홈 및 돌출부가 형성되고, 제1 수지층이 구비되기 전의 금속층은 915 nm 파장에서의 광반사율이 20 % 이상일 수 있다. 이는 하기 설명하는 제2 레이저를 조사하여 상기 금속층과 제2 수지층을 접합하는 과정에서, 조사된 제2 레이저의 20 % 이상이 상기 금속층에 전달되지 못하고 반사되는 것을 의미할 수 있다.Specifically, the etching grooves and protrusions are formed, and the metal layer before the first resin layer is provided may have a light reflectance of at least 20% at a wavelength of 915 nm. This may mean that at least 20% of the irradiated second laser beam is not transmitted to the metal layer and is reflected in the course of bonding the metal layer and the second resin layer by irradiating the second laser described below.

한편, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층의 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장에서의 광반사율은 10 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수지층의 915 nm 파장에서의 광반사율은 10% 이하일 수 있다. Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, the light reflectance of the first resin layer at any wavelength of 840 nm to 1064 nm may be 10% or less. Specifically, the light reflectance of the first resin layer at a wavelength of 915 nm may be 10% or less.

상기 840 nm 내지 1064 nm의 파장의 빛은 상기 이종 소재 접합체를 형성하기 위한 레이저의 파장 범위일 수 있다. 상기 레이저 파장은 적용되는 소재 등에 따라 적절하게 선택될 수 있으며, 상기 광반사율 및 광흡수율은 각각 레이저광에 대한 반사율 및 흡수율일 수 있다.The light having a wavelength of 840 nm to 1064 nm may be in a wavelength range of the laser for forming the heterogeneous material conjugate. The laser wavelength may be appropriately selected according to the material to be applied, and the light reflectance and the light absorption rate may be reflectance and absorption rate for laser light, respectively.

상기 이종 소재 접합체는 상기 금속층 대비 상대적으로 낮은 광반사율을 가지는 제1 수지층을 포함함으로써, 레이저를 이용한 상기 금속층과 상기 제2 수지층과의 접합시, 레이저 에너지를 효과적으로 흡수하여 상기 금속층과 제2 수지층의 접합이 원활하게 수행되도록 할 수 있다. 구체적으로, 상기 이종 소재 접합체가 상기 금속층의 평탄면 상에 상기 제1 수지층을 포함하는 경우, 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하기 위하여 조사되는 제2 레이저가 금속층에서 반사되지 않고, 상기 제1 수지층에서 흡수될 수 있다. 나아가, 제1 수지층에 흡수된 레이저 에너지는 상기 금속층에 전달되어, 효과적으로 열에너지를 발생시킬 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층은 충분히 용융되어 상기 금속층에 고정될 수 있다. 즉, 상기 제1 수지층의 낮은 광반사율에 의하여, 상기 제1 수지층 및 상기 제2 수지층은 충분히 용융되어 상기 금속층의 에칭 홈, 및/또는 돌출부에 충분히 고정될 수 있다.Wherein the dissimilar material bonded body includes a first resin layer having a relatively low light reflectance as compared to the metal layer so that when bonding the metal layer and the second resin layer using a laser, The bonding of the resin layer can be performed smoothly. Specifically, when the dissimilar material bonded body includes the first resin layer on the flat surface of the metal layer, the second laser irradiated to bond the metal layer and the second resin layer is not reflected from the metal layer, It can be absorbed in the first resin layer. Further, the laser energy absorbed in the first resin layer is transferred to the metal layer to generate heat energy effectively, so that the first resin layer and the second resin layer can be sufficiently melted and fixed to the metal layer . That is, the first resin layer and the second resin layer are sufficiently melted and can be sufficiently fixed to the etching grooves and / or protrusions of the metal layer by the low light reflectance of the first resin layer.

본 명세서에서, 용어 광반사율은 조사되는 광량 대비 반사되는 광량을 백분율로 나타낸 것을 의미할 수 있다.In this specification, the term light reflectance may mean that the amount of light reflected with respect to the irradiated light amount is expressed as a percentage.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층은 상기 금속층의 평탄면 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수지층은 상기 금속층 상의 에칭 홈 및 돌출부를 제외한 영역에 구비될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first resin layer may be provided on the flat surface of the metal layer. Specifically, the first resin layer may be provided in an area excluding the etching grooves and the protrusions on the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 에칭 홈이 상기 금속층 상에 2 이상의 패턴 라인으로 구비되어, 상기 평탄면이 상기 패턴 라인으로 구획되는 패턴 단위체를 이루는 경우, 상기 제1 수지층은 상기 패턴 단위체를 이루는 평탄면 상에 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 수지층은 돌출부로 둘러싸인 형상으로 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the etching grooves are provided in at least two pattern lines on the metal layer, and the flat surface is a pattern unit body partitioned by the pattern lines, On the flat surface. In this case, the first resin layer may be formed in a shape surrounded by the protrusions.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층의 두께는 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 또는 20 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the first resin layer may be 10 μm or more and 50 μm or less, 10 μm or more and 40 μm or less, 20 μm or more and 50 μm or less, or 20 μm or more and 40 μm or less.

상기 범위 내에서, 상기 제1 수지층은 상기 이종 소재 접합체의 제조 과정에서 조사되는 레이저의 에너지가 상기 금속층에 충분히 전달되도록 할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 수지층과 금속층 접합을 위하여 제2 레이저 조사시 상기 제1 수지층 및/또는 상기 제2 수지층이 충분히 용융될 수 있고, 상기 금속층의 에칭 홈, 돌출부 및 평탄면 사이에 충분히 채워질 수 있다. 이에 따라, 상기 금속층과 상기 제2 수지층의 접합력이 크게 향상될 수 있다.Within the above range, the first resin layer can sufficiently transfer the laser energy irradiated in the manufacturing process of the dissimilar material joined body to the metal layer. Accordingly, the first resin layer and / or the second resin layer can be sufficiently melted during the second laser irradiation for the metal layer bonding with the second resin layer, and the first resin layer and / It can be sufficiently filled. Accordingly, the bonding force between the metal layer and the second resin layer can be greatly improved.

구체적으로, 상기 범위에 미달되는 경우 상기 금속층이 제2 수지층과 접합을 위한 레이저를 반사시키는 문제점을 해결하지 못할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상기 금속층 상의 돌출부와 상기 금속층 표면 사이에 제2 레이저 조사에 따라 용융된 제2 수지층이 원활하게 공급되지 못하여 상기 금속층이 제2 수지층과 원활하게 접합되지 못하는 문제점이 발생할 수 있다.Specifically, when the thickness of the metal layer is less than the above range, the metal layer may fail to reflect the laser for bonding with the second resin layer. If the range is exceeded, The molten second resin layer may not be smoothly supplied by laser irradiation, so that the metal layer may not be smoothly bonded to the second resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층은 상기 금속층의 평탄면 상에 스프레터 코팅, 스핀 코팅 등과 같은 일반적인 코팅 방식을 이용하여 구비될 수 있다. 바람직하게는 상기 금속층과 제1 수지층의 접합력 향상을 위하여, 상기 제1 수지층은 상기 평탄면 상에 전착(electrodeposition) 방식을 통하여 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first resin layer may be formed on a flat surface of the metal layer using a general coating method such as a spray coating method, a spin coating method, or the like. Preferably, the first resin layer may be provided on the flat surface through an electrodeposition method in order to improve a bonding strength between the metal layer and the first resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층은 양이온성 수지 및 착색제를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수지층이 양이온성 수지 및 착색제를 포함함으로써, 전술한 범위의 반사율을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first resin layer may include a cationic resin and a colorant. Specifically, by including the cationic resin and the colorant in the first resin layer, the reflectance in the above-mentioned range can be realized.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층은 양이온성 수지를 포함함으로써, 상기 전착 방식을 통하여 상기 금속층 상에 충분한 접합력으로 구비될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first resin layer includes a cationic resin, so that the first resin layer can be provided with a sufficient bonding force on the metal layer through the electrodeposition method.

이에 따라, 상기 제1 수지층에 조사된 제2 레이저의 에너지를 금속층에 효율적으로 전달시킬 수 있으며, 이렇게 전달된 레이저의 에너지를 전달받은 금속층에서 발생하는 열 에너지에 의하여, 하기 설명하는 제2 수지층이 충분히 용융되고, 상기 제2 수지층이 충분히 상기 금속층에 고정될 수 있다.Accordingly, the energy of the second laser irradiated on the first resin layer can be efficiently transferred to the metal layer, and by the thermal energy generated in the metal layer to which the transferred laser energy is transmitted, The layer is sufficiently melted and the second resin layer can be sufficiently fixed to the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 양이온성 수지는 극성 관능기 함유 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 극성 관능기 함유 수지는 하나 이상의 극성 관능기가 결합된 수지를 의미할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the cationic resin may include a resin containing a polar functional group. Specifically, the polar functional group-containing resin may mean a resin to which at least one polar functional group is bonded.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 극성 관능기는 히드록시기(-OH) 및 카르복시기(-COOH) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the polar functional group may include at least one of a hydroxyl group (-OH) and a carboxyl group (-COOH), but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 양이온성 수지는 극성 관능기 함유 에폭시 수지, 극성 관능기 함유 멜라민 수지 및 극성 관능기 함유 우레탄 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 전착 방식을 통하여 상기 금속층 상에 구비될 수 있는 것 중에서 자유롭게 선택될 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the cationic resin may include at least one of a polar functional group-containing epoxy resin, a polar functional group-containing melamine resin and a polar functional group-containing urethane resin, And may be freely selected from among those that can be used, and are not particularly limited.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층은 상기 착색제를 포함함으로써, 하기 설명하는 바와 같이 제2 수지층과 접합을 위하여 금속층 측에 조사되는 제2 레이저의 에너지를 반사하지 않고, 충분히 흡수할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the first resin layer includes the colorant so that the energy of the second laser irradiated on the metal layer side for bonding with the second resin layer is not reflected, Can be absorbed.

한편, 착색제를 포함하지 않는 경우, 하기 설명하는 바와 같은 제2 레이저가 그대로 투과되고, 투과된 상기 레이저의 에너지는 반사되어 상기 금속층에 충분히 전달되지 못하는 문제점이 발생할 수 있다.On the other hand, when the colorant is not included, the second laser as described below may be transmitted as it is, and the energy of the transmitted laser may be reflected and not sufficiently transmitted to the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 착색제는 안료(pigment)를 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the coloring agent may include a pigment.

본 명세서에서, 안료는 물 및/또는 유기 용매에 녹지 않는 고체 상의 분말 형태의 착색제를 의미할 수 있다.In the present specification, the pigment may mean a coloring agent in powder form in solid phase which is insoluble in water and / or an organic solvent.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 안료는 무기 안료 및 유기 안료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the pigment may include at least one of an inorganic pigment and an organic pigment.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 무기 안료는 착색 안료, 체질 안료, 방청 안료 등을 포함할 수 있다. 다만, 하기 설명하는 바와 같은 제2 레이저에 의하여 분해되지 않고, 상기 제2 레이저의 에너지를 흡수하여 금속층으로 전달할 수 있는 무기물 중에서 자유롭게 선택되는 것일 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the inorganic pigment may include a coloring pigment, an extender pigment, an anticorrosive pigment and the like. However, the material may be freely selected from among inorganic materials that are not decomposed by the second laser as described below and can absorb the energy of the second laser and transmit it to the metal layer, and are not particularly limited.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 착색 안료는 카본 블랙, 벵갈라 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the coloring pigment may include, but not limited to, carbon black, spinach, and the like.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 체질 안료는 카올린, 활석, 규산 알루미늄, 탄산칼슘, 운모 및 점토 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the extender pigment may include, but is not limited to, kaolin, talc, aluminum silicate, calcium carbonate, mica and clay.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 방청 안료는 인산아연, 인산철, 인산알루미늄, 인산칼슘, 아인산아연, 사이안화아연, 산화아연, 트라이폴리인산알루미늄, 몰리브덴산아연, 몰리브덴산알루미늄, 몰리브덴산칼슘 및 인몰리브덴산알루미늄, 인몰리므덴산알루미늄아연 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the anticorrosive pigment is selected from the group consisting of zinc phosphate, iron phosphate, aluminum phosphate, calcium phosphate, zinc phosphite, zinc cyanide, zinc oxide, aluminum triphosphate, zinc molybdate, aluminum molybdate Calcium, aluminum aluminum phosphomolybdate, zinc aluminum aluminum phosphite, and the like, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 안료는 아조계 안료, 프탈로시아닌계 안료, 레이크계 안료, 티오인디고계 안료, 페리논계 안료, 퀴나크리돈계 안료 및 퀴나프탈론계 안료 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the organic pigment includes at least one of an azo pigment, a phthalocyanine pigment, a rake pigment, a thioindigo pigment, a perinone pigment, a quinacridone pigment and a quinaphthalone pigment But is not limited thereto.

본 발명의 일 실시상태에 따라 에칭 홈, 돌출부, 평탄면 및 제1 수지층이 구비된 금속층의 측단면(A) 및 표면(B)의 모식도를 도 1 에 나타내었다.Fig. 1 is a schematic view of a side surface A and a surface B of a metal layer provided with an etching groove, a projection, a flat surface and a first resin layer according to an embodiment of the present invention.

도 1 의 (A) 에 따르면, 상기 금속층 표면에 에칭 홈(10)이 구비될 수 있고, 돌출부(20a, 20b)가 상기 에칭 홈(10)에 인접하며, 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비될 수 있다.1 (A), an etching groove 10 may be formed on the surface of the metal layer, protrusions 20a and 20b may be provided adjacent to the etching groove 10, .

또한, 상기 돌출부(20a, 20b)는 상기 금속층의 일부가 상기 금속층의 표면으로부터 융기된(uplifted) 형태로 구비된 것을 의미할 수 있고, 상기 돌출부는 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 돌출되는 형태로 구비될 수 있다. 나아가, 서로 마주보는 돌출부(20b 및 20c) 사이에, 그리고 상기 금속층의 평탄면(30) 상에 제1 수지층(31)이 구비될 수 있다.The protrusions 20a and 20b may be formed as a part of the metal layer uplifted from the surface of the metal layer. The protrusions may protrude in a direction away from the etch groove . Furthermore, a first resin layer 31 may be provided between the protruding portions 20b and 20c facing each other and on the flat surface 30 of the metal layer.

구체적으로, 상기 하나의 에칭 홈(10)에 인접하여 상기 금속층 표면에 구비된 돌출부(20b)와 상기 다른 하나의 에칭 홈에 인접하여 상기 금속층 표면에 구비된 돌출부(20c)가 서로 마주보는 형태로 구비될 수 있고, 상기 서로 마주보는 형태로 구비된 돌출부 사이 및 상기 금속층의 평탄면(30) 상에 상기 제1 수지층(31)이 구비될 수 있다.Specifically, a protrusion 20b adjacent to the one etching groove 10 and a protrusion 20c adjacent to the other etching groove are formed on the surface of the metal layer so as to face each other And the first resin layer 31 may be provided on the flat surface 30 of the metal layer, between the protrusions provided opposite to each other.

나아가, 도 1 의 (B) 에 따르면, 상기 하나의 에칭 홈(10)의 진행 방향(X)과 다른 하나의 에칭 홈(10)의 진행 방향(Y)이 직각으로 교차하여 상기 금속층 표면 상에 메쉬 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기 돌출부(20)는 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비되고, 상기 에칭 홈(10)의 진행 방향(X 및 Y)에 따라 연속적으로 구비될 수 있다.1 (B), the direction X of the one etching groove 10 and the direction Y of the other etching groove 10 intersect at right angles, A mesh pattern can be formed. The protrusions 20 may be provided in a direction away from the etch grooves and may be provided continuously along the proceeding directions X and Y of the etch grooves 10.

또한, 상기 돌출부(20)로 둘러싸이는 영역이 정사각 또는 직사각 형태로 형성될 수 있고, 상기 금속층의 평탄면(30) 상에 제1 수지층(31)이 구비될 수 있다. 이와 같이, 상기 에칭 홈에 의하여 금속층 표면에 메쉬 패턴이 형성되고, 에칭 홈에 의하여 구획되는 평탄면 상에 제1 수지층이 구비되는 경우, 하기 설명하는 바와 같이 제2 레이저를 조사하여 금속층과 제2 수지층을 접합하는 과정에서, 조사되는 제2 레이저 에너지가 상기 금속층 표면에서 반사되는 것을 최소화하여 상기 금속층과 제2 수지층의 접합이 원활하게 진행될 수 있다.In addition, the region surrounded by the protrusion 20 may be formed in a square or rectangular shape, and the first resin layer 31 may be provided on the flat surface 30 of the metal layer. When a mesh pattern is formed on the surface of the metal layer by the etching grooves and the first resin layer is provided on the flat surface defined by the etching grooves as described above, In the process of bonding the two resin layers, the reflection of the second laser energy on the surface of the metal layer is minimized, so that the bonding of the metal layer and the second resin layer can proceed smoothly.

이와 같은 격자 구조 라인 패턴이 형성된 금속층을 포함하는 이종 소재 접합체는 상기 금속층과 상기 제2 수지층 사이의 접합력은 물론, 공기가 통하지 않는 기밀성(氣密性) 및 물(water)이 통하지 않는 수밀성(水密性)의 구현이 가능할 수 있다.The dissimilar material bonded body including the metal layer on which the lattice-structured line pattern is formed has adhesion strength between the metal layer and the second resin layer as well as airtightness and airtightness Watertightness) can be realized.

본 명세서에서, 용어 "기밀성"은 기공의 형성 없이 상기 금속층과 상기 제2 수지층이 접합된 것을 의미할 수 있다. In the present specification, the term " airtightness " may mean that the metal layer and the second resin layer are bonded without forming pores.

구체적으로, 상기 기밀성은 일정 시간 및 공압(pneumatic) 하에서 압력 손실을 측정함으로써 확인될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층과 제2 수지층이 접합된 이종 소재 접합체를 준비한 후 30.52 PSIG (2bar) 의 공압으로 30 초 동안 측정한 이종 소재 접합체의 내부 압력이 0.057 PSIG 이하인 경우, 상기 이종 소재 접합체가 기밀성이 확보된 것으로 평가될 수 있다.Specifically, the airtightness can be confirmed by measuring the pressure loss under a certain period of time and under pneumatic pressure. For example, if the heterogeneous material conjugate with the metal layer and the second resin layer is prepared and the internal pressure of the heterogeneous material conjugate measured for 30 seconds at a pneumatic pressure of 30.52 PSIG (2 bar) is less than 0.057 PSIG, Confidentiality can be judged as secured.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체는 보조 금속층을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dissimilar material joined body may further include an auxiliary metal layer.

또한, 상기 이종 소재 접합체가 보조 금속층을 더 포함하는 경우, 상기 보조 금속층은 상기 금속층과 상기 제1 수지층 사이에 구비될 수 있다. In addition, when the dissimilar material bonded body further includes an auxiliary metal layer, the auxiliary metal layer may be provided between the metal layer and the first resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체는 금속층, 상기 금속층의 일면 상에 구비된 보조 금속층, 상기 보조 금속층의 일면 상에 구비된 제1 수지층, 및 상기 금속층 및 상기 제1 수지층 상에 구비된 제2 수지층을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the dissimilar material bonded body includes a metal layer, an auxiliary metal layer provided on one surface of the metal layer, a first resin layer provided on one surface of the auxiliary metal layer, And a second resin layer provided on the first resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체는 상기 보조 금속층을 더 포함함으로써, 상기 금속층 및 상기 제1 수지층 사이의 접합력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층과 제1 수지층이 분리되는 것을 방지하기 위하여, 상기 금속층 및 제1 수지층 각각과 우수한 접합력을 가지는 보조 금속층을 구비하여 상기 이종 금속 접합체의 금속층과 제1/제2 수지층 간의 접합력을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dissimilar material joined body further includes the auxiliary metal layer, so that the bonding force between the metal layer and the first resin layer can be improved. In order to prevent separation of the metal layer and the first resin layer, an auxiliary metal layer having an excellent bonding strength with each of the metal layer and the first resin layer may be provided so that the metal layer of the dissimilar metal bonding body and the first / Can be improved.

상기 보조 금속층은 상기 금속층과 동일하거나 상이한 종류 금속 및/또는 합금을 포함할 수 있으며, 레이저 조사에 의하여 패턴 형성이 용이하며, 열 전도율이 우수한 것이면 그 종류가 특별히 제한되지는 않는다.The auxiliary metal layer may include a metal and / or an alloy of the same or different type as the metal layer. The auxiliary metal layer may be patterned easily by laser irradiation, and the kind thereof is not particularly limited as long as the thermal conductivity is excellent.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 보조 금속층의 두께는 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하, 7 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하, 또는 7 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thickness of the auxiliary metal layer may be 5 mu m or more and 20 mu m or less, 5 mu m or more and 15 mu m or less, 7 mu m or more and 20 mu m or less, or 7 mu m or more and 15 mu m or less.

상기 보조 금속층의 두께가 상기 범위 내인 경우, 상기 금속층의 제1 수지층에 대한 접합력을 향상시킬 수 있고, 하기 설명하는 제2 레이저 조사 시 제2 레이저의 에너지가 효율적으로 상기 금속층에 전달되도록 할 수 있다. 나아가, 상기 보조 금속층의 두께가 상기 범위 내인 경우, 제2 수지층이 상기 금속층의 평탄면과 돌출부 사이에 삽입될 수 있는 공간을 적절히 확보할 수 있다, When the thickness of the auxiliary metal layer is within the above range, the bonding strength of the metal layer to the first resin layer can be improved, and the energy of the second laser can be efficiently transferred to the metal layer have. Furthermore, when the thickness of the auxiliary metal layer is within the above-mentioned range, it is possible to appropriately secure a space in which the second resin layer can be inserted between the flat surface of the metal layer and the protruding portion.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체는 상기 금속층 및 상기 제1 수지층 상에 구비되는 제2 수지층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 수지층은 상기 에칭 홈의 내부, 상기 금속층 표면과 돌출부 사이에 채워져 상기 금속층에 고정될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dissimilar material bonded body may include the metal layer and a second resin layer provided on the first resin layer. The second resin layer may be filled in the etch groove, between the surface of the metal layer and the protrusion, and may be fixed to the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 수지층은 폴리프로필렌(Polypropylene; PP) 수지, 폴리아미드(Polyamide; PA) 수지, 폴리페닐렌옥사이드(Polyphenylene Oxide; PPO) 수지, 보강재 함유 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 구성될 수 있으나, 그 종류가 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 보강재는 유리섬유(glass fiber), 탈크(talc) 및 탄소섬유(carbon fiber)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 그 종류가 제한되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention, the second resin layer may be formed of a polypropylene (PP) resin, a polyamide (PA) resin, a polyphenylene oxide (PPO) , But the kind is not limited. The reinforcing material may be at least one selected from the group consisting of glass fiber, talc, and carbon fiber, but the type of the reinforcing material is not limited.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 수지층은 하기 설명하는 제2 레이저 조사에 의하여 용융되어 상기 에칭홈의 내부, 상기 금속층 표면 및 상기 돌출부 사이에 채워질 수 있다. 이에 따라 상기 제2 수지층은 상기 에칭 홈 및 돌출부가 구비된 금속층에 고정될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second resin layer may be melted by the second laser irradiation described below and filled in the inside of the etching groove, between the metal layer surface and the protrusion. Accordingly, the second resin layer may be fixed to the metal layer provided with the etching grooves and the protrusions.

상기 이종 소재 접합체는 상기 금속층, 제1 수지층 및 제2 수지층이 순차적으로 구비된 부분을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 이종 소재 접합체가 보조 금속층을 더 포함하는 경우 상기 이종 소재 접합체는 상기 금속층, 보조 금속층, 제1 수지층 및 제2 수지층이 순차적으로 구비된 부분을 포함할 수 있다.The dissimilar material bonded body may include a portion in which the metal layer, the first resin layer, and the second resin layer are sequentially provided. More specifically, when the dissimilar material bonded body further includes an auxiliary metal layer, the dissimilar material bonded body may include a portion where the metal layer, the auxiliary metal layer, the first resin layer, and the second resin layer are sequentially provided.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 수지층의 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장에서의 광투과율은 30 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 수지층의 915 nm 파장에서의 광투과율은 30 % 이상일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the light transmittance of the second resin layer at any wavelength of 840 nm to 1064 nm may be 30% or more. Specifically, the light transmittance of the second resin layer at a wavelength of 915 nm may be 30% or more.

즉, 상기 제2 수지층과 상기 금속층을 접합하기 위하여, 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장, 일 예로 915 nm 파장의 레이저가 조사되는 경우, 상기 조사된 레이저의 에너지의 30 % 이상이 상기 제2 수지층을 투과할 수 있다.That is, when a laser having a wavelength of 840 nm to 1064 nm, for example, 915 nm, is irradiated to bond the second resin layer and the metal layer, more than 30% It is possible to transmit the second resin layer.

이에 따라, 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하기 위하여 조사되는 레이저의 에너지가 효율적으로 상기 제1 수지층 및/또는 상기 금속층으로 전달될 수 있다. 나아가, 상기 금속층에 전달된 레이저의 에너지는 열에너지로 전환될 수 있으며, 상기 금속층에서 전환된 열에너지에 의하여 상기 제1 수지층 및/또는 상기 제2 수지층이 용융될 수 있다.Accordingly, the energy of the laser irradiated to bond the metal layer and the second resin layer can be efficiently transferred to the first resin layer and / or the metal layer. Furthermore, the energy of the laser transferred to the metal layer can be converted into thermal energy, and the first resin layer and / or the second resin layer can be melted by the heat energy converted in the metal layer.

또한, 상기 용융된 제2 수지층은 상기 금속층의 에칭 홈 내부, 돌출부, 평탄면 및 제1 수지층 상에 채워질 수 있고, 이에 따라 상기 금속층과 상기 제1 수지층 및/또는 제2 수지층의 원활한 접합이 가능하게 될 수 있다.The molten second resin layer may be filled in the etching groove of the metal layer, the protrusion, the flat surface, and the first resin layer, so that the metal layer and the first resin layer and / Thereby enabling smooth joining.

반면, 상기 제2 수지층의 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장, 일 예로 915 nm 파장에서의 광투과율이 30 % 미만인 경우, 제2 수지층과 금속층의 접합을 위하여 조사된 레이저가 제2 수지층에 과도하게 흡수되어 제2 수지층의 표면이 변형되는 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 상기 범위에 미달되는 경우, 상기 금속층 및 제2 수지층 사이의 접합력이 크게 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다.On the other hand, when the light transmittance of the second resin layer at any wavelength of 840 nm to 1064 nm, for example, at a wavelength of 915 nm is less than 30%, the laser irradiated for the bonding of the second resin layer and the metal layer, There is a problem that the surface of the second resin layer is deformed due to excessive absorption into the resin layer. In addition, when the thickness is less than the above range, the bonding strength between the metal layer and the second resin layer may be greatly reduced.

본 발명의 또 다른 실시상태는 이종 소재 접합체의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a heterogeneous material conjugate.

본 발명의 일 실시상태는, 일면 상에 제1 수지층이 구비된 금속층을 준비하는 단계; 상기 제1 수지층이 구비된 금속층의 표면에 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속층의 일면 상에, 에칭 홈 및 돌출부를 형성하는 금속층 에칭 단계; 및 상기 에칭된 금속층의 일면 상에 제2 수지층을 구비한 후, 제2 레이저를 조사하여 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계;를 포함하는 상기 이종 소재 접합체의 제조방법을 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a metal layer having a first resin layer on one surface; A metal layer etching step of irradiating a surface of the metal layer having the first resin layer with a first laser to form an etching groove and a protrusion on one surface of the metal layer; And providing a second resin layer on one side of the etched metal layer, and then joining the metal layer and the second resin layer by irradiating a second laser to the method of manufacturing the dissimilar material bonded body .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체의 제조방법은 일면 상에 제1 수지층이 구비된 금속층을 준비하는 단계를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of the dissimilar material bonded body further comprises preparing a metal layer having a first resin layer on one surface thereof.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 수지층 및 상기 금속층 사이에 보조 금속층이 구비될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, an auxiliary metal layer may be provided between the first resin layer and the metal layer.

상기 제1 수지층은 전술한 바와 같이 전착 방법을 이용하여 상기 금속층 상에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first resin layer may be formed on the metal layer using an electrodeposition method as described above, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 보조 금속층이 구비되는 방법은 특별히 제한되지 않는다.The method of providing the auxiliary metal layer is not particularly limited.

또한, 상기 금속층, 제1 수지층, 보조 금속층 등에 대한 설명은 전술한 바와 같다.The metal layer, the first resin layer, the auxiliary metal layer, and the like are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 이종 소재 접합체의 제조방법은 상기 금속층의 표면에 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속층의 일면 상에 에칭 홈 및 돌출부를 형성하는 금속층 에칭 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the manufacturing method of the dissimilar material bonded body includes a metal layer etching step of irradiating a surface of the metal layer with a first laser to form an etching groove and a protrusion on one surface of the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저는 상기 제1 수지층에서 상기 금속층 방향으로 조사될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first laser may be irradiated in the direction of the metal layer from the first resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저는 상기 제1 수지층의 표면에 조사될 수 있고, 구체적으로 상기 제1 레이저는 상기 금속층의 표면에 초점을 맞추어 조사될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first laser can be irradiated onto the surface of the first resin layer, and specifically, the first laser can be irradiated with a focus on the surface of the metal layer.

상기 에칭 홈은 전술한 바와 같이, 연속된 라인을 형성할 수 있으며, 이는 상기 제1 레이저의 연속적인 조사에 의하여 형성될 수 있다. 나아가, 상기 금속층 표면의 평탄면은 상기 제1 레이저가 조사되지 않은 영역을 의미할 수 있다.The etch grooves can form a continuous line, as described above, which can be formed by successive irradiation of the first laser. Furthermore, the flat surface of the surface of the metal layer may refer to a region where the first laser is not irradiated.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저가 조사되는 영역 상의 제1 수지층 및/또는 보조 금속층은 상기 제1 레이저 조사에 따라 제거될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first resin layer and / or the auxiliary metal layer on the region irradiated with the first laser may be removed in accordance with the first laser irradiation.

즉, 상기 제1 레이저가 조사되는 영역에는 금속층 상에 에칭 홈 및 돌출부가 형성될 수 있고, 상기 제1 레이저가 조사되지 않은 영역은 금속층의 평탄면 및 상기 제1 수지층이 순차적으로 구비될 수 있다.That is, an etching groove and a protrusion may be formed on the metal layer in the region irradiated with the first laser, and a region where the first laser is not irradiated may be formed on the flat surface of the metal layer and the first resin layer have.

또한, 상기 제1 레이저가 조사되지 않은 영역에 포함되는 상기 제1 수지층의 두께는 하기 설명하는 바와 같은 조건의 제1 레이저 조사에 의해서는 변하지 않을 수 있다. 즉, 하기 설명하는 바와 같은 조건의 제1 레이저가 조사되지 않은 영역은 상기 제1 레이저의 조사에 의하여 영향을 받지 않을 수 있다.The thickness of the first resin layer included in the region where the first laser is not irradiated may not be changed by the first laser irradiation under the conditions described below. That is, the region to which the first laser is not irradiated under the conditions described below may not be affected by the irradiation of the first laser.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저가 상기 금속층에 조사됨으로써, 상기 제1 레이저의 진행 방향에 따라 상기 금속층 상에 에칭 홈이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 레이저의 진행 방향과 상기 에칭 홈의 진행 방향은 서로 일치할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an etching groove may be formed on the metal layer in accordance with the traveling direction of the first laser by irradiating the metal layer with the first laser. That is, the traveling direction of the first laser and the traveling direction of the etching groove may coincide with each other.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저 조사에 따라 상기 금속층 표면에 패턴 라인을 형성하는 에칭 홈이 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an etching groove for forming a pattern line on the surface of the metal layer may be formed according to the first laser irradiation.

또한, 상기 금속층을 제1 레이저 조사를 통하여 에칭하는 경우, 전술한 바와 같이, 돌출부가 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 상기 금속층 표면에 형성될 수 있다.Further, when the metal layer is etched through the first laser irradiation, as described above, the projecting portion may be formed on the surface of the metal layer in a direction away from the etching groove.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저 조사에 의하여, 상기 금속층 표면에 에칭 홈이 형성되는 동시에, 돌출부가 상기 에칭 홈에 인접하여, 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 형성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, an etching groove may be formed on the surface of the metal layer by the first laser irradiation, and a protrusion may be formed adjacent to the etching groove and away from the etching groove.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저 조사에 의하여, 상기 금속층 표면에 에칭 홈이 형성되는 동시에, 돌출부가 상기 에칭 홈에 인접하여, 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 형성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, an etching groove may be formed on the surface of the metal layer by the first laser irradiation, and a protrusion may be formed adjacent to the etching groove and away from the etching groove.

또한, 상기 에칭 홈 및 돌출부에 대한 설명은 전술한 바와 같다.The etching grooves and protrusions are as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 조사에 따라 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 돌출부가 형성되는 경우, 상기 돌출부의 반대 방향 말단은 상기 에칭 홈 중심축을 향하여 용융될 수 있고, 이에 따라 상대적으로 좁은 입구 폭을 가지는 에칭 홈을 형성할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when protrusions are formed in a direction away from the etching groove in accordance with the irradiation of the first laser, the opposite ends of the protrusions can be melted toward the etching groove central axis, An etching groove having a relatively narrow entrance width can be formed.

본 발명의 일 실시상태에 따른 금속층 에칭 단계의 모식도를 도 2 에 나타내었다.A schematic view of the metal layer etching step according to one embodiment of the present invention is shown in Fig.

도 2 에 따르면, 금속층, 보조 금속층 및 제1 수지층이 순차적으로 구비된 적층체 측에 제1 레이저를 조사하는 경우, 전술한 바와 같은 형태로 상기 금속층 상에 에칭 홈 및 돌출부가 형성되고, 상기 제1 레이저가 조사되지 않은 영역에는 평탄면이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, when the first laser is irradiated on the side of the laminate having the metal layer, the auxiliary metal layer and the first resin layer sequentially, etching grooves and protrusions are formed on the metal layer in the above- A flat surface may be formed in a region where the first laser is not irradiated.

구체적으로, 상기 제1 레이저가 조사된 영역에는 에칭 홈 및 돌출부가 형성될 수 있고, 상기 제1 레이저가 조사되지 않은 영역 상의 서로 마주보는 돌출부 사이의 상기 금속층의 평탄면 상에 제1 수지층이 구비될 수 있다.Specifically, etching grooves and protrusions may be formed in the region irradiated with the first laser, and a first resin layer may be formed on the flat surface of the metal layer between opposing protrusions on the region not irradiated with the first laser .

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저는 10 W 이상 100 W 이하, 10 W 이상 70 W 이하, 30 W 이상 100 W 이하, 또는 30 W 이상 70 W 이하의 출력의 파이버 펄스 레이저일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first laser may be a fiber pulsed laser having an output of 10 W or more and 100 W or less, 10 W or more and 70 W or less, 30 W or more and 100 W or less, or 30 W or more and 70 W or less and output have.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저는 파이버 펄스 레이저일 수 있고, 상기 제1 레이저는 10 W 이상 100 W 이하, 10 W 이상 70 W 이하, 30 W 이상 100 W 이하, 또는 30 W 이상 70 W 이하의 출력으로 조사될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first laser may be a fiber pulsed laser, and the first laser may be 10 W to 100 W, 10 W to 70 W, 30 W to 100 W, or 30 W Or more and 70 W or less.

또한, 상기 제1 레이저의 출력 범위 내에서, 상기 언급한 바와 같은 에칭 홈, 돌출부를 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 범위에 미달되는 경우 전술한 형태의 에칭 홈 및 돌출부를 형성할 수 없는 문제점이 발생할 수 있다. In addition, within the output range of the first laser, the above-mentioned etching grooves and protrusions can be formed. Specifically, when the thickness is less than the above range, the above-described etching groove and protrusion can not be formed.

나아가, 상기 범위를 초과하는 경우 조사된 레이저의 에너지가 금속층 표면으로 분산됨으로써 상기 제1 레이저가 직접 조사되지 않은 영역 상의 제1 수지층이 박리되는 문제점이 발생할 수 있다. 즉, 상기 금속층 에칭 단계는 상기 범위의 강한 출력을 가지는 펄스 레이저를 좁은 영역에 집전시켜 조사함으로써, 상기 제1 수지층 및/또는 보조 금속층을 제거하며, 금속층의 일 영역에 에칭 홈 및 돌출부를 효과적으로 형성할 수 있다.Further, when the amount of the laser beam exceeds the above range, the energy of the irradiated laser beam is dispersed on the surface of the metal layer, so that the first resin layer on the region where the first laser beam is not directly irradiated may peel off. That is, in the metal layer etching step, the first resin layer and / or the auxiliary metal layer are removed by collecting and irradiating a pulsed laser having a strong output in the above range in a narrow region, and etching grooves and projections in one region of the metal layer are effectively .

본 명세서에서, 용어 "파이버 펄스 레이저"는 시간적으로 발진·정지가 있는 이저로서, 광학 섬유를 공진기로 이용한 레이저를 의미할 수 있다.In this specification, the term " fiber pulsed laser " may refer to a laser using an optical fiber as a resonator, which has oscillation and stoppage in time.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 파장은 1,000 nm 이상 1,100 nm 이하 중 어느 한 지점의 파장일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the wavelength of the first laser may be a wavelength of any one of 1,000 nm to 1,100 nm.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 조사 속도(scanning rate)는 100 mm/s 이상 500 mm/s 이하, 100 mm/s 이상 400 mm/s 이하, 200 mm/s 이상 500 mm/s 이하, 또는 200 mm/s 이상 400 mm/s 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first laser has a scanning rate of 100 mm / s or more and 500 mm / s or less, 100 mm / s or more and 400 mm / s or less, 200 mm / / s, or between 200 mm / s and 400 mm / s.

본 명세서에서, 레이저의 조사 속도는 조사되는 레이저의 일 지점에서 타 지점까지 이동하는 속도를 의미할 수 있다.In this specification, the irradiation speed of the laser may mean the speed of movement from one point to another point of the irradiated laser.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 반복 속도(repetition rate)는 30 kHz 이상 100 kHz 이하, 30 kHz 이상 80 kHz 이하, 50 kHz 이상 100 kHz 이하, 50 kHz 이상 80 kHz 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the repetition rate of the first laser may be 30 kHz or more and 100 kHz or less, 30 kHz or more and 80 kHz or less, 50 kHz or more and 100 kHz or less, 50 kHz or more and 80 kHz or less .

본 명세서에서, 상기 레이저의 반복 속도는, 펄스 레이저의 초당 진동수를 의미할 수 있다.In the present specification, the repetition rate of the laser may mean the frequency per second of the pulse laser.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 펄스 폭(pulse width)은 100 ns 이상 400 ns 이하, 100 ns 이상 300 ns 이하, 200 ns 이상 400 ns 이하, 또는 200 ns 이상 300 ns 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the pulse width of the first laser may be 100 ns or more and 400 ns or less, 100 ns or more and 300 ns or less, 200 ns or more and 400 ns or less, or 200 ns or more and 300 ns or less have.

본 명세서에서, 펄스 폭은 펄스의 상승 시간과 하강 시간에서 진폭이 절반이 되는 시각의 간격을 의미할 수 있다.In this specification, the pulse width may mean a time interval at which the amplitude becomes half at the rise time and the fall time of the pulse.

상기 조사 속도, 반복 속도, 및 펄스 폭 범위 내의 레이저가 조사됨으로써, 상기 제1 수지층이 구비된 금속층에 전술한 에칭 홈 및 돌출부가 충분히 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 범위 외의 레이저가 조사되는 경우, 상기 금속층이 절단 또는 파단되거나, 에칭 홈 및 돌출부가 충분히 형성되지 못하는 문제점이 발생할 수 있다.By irradiating the laser within the irradiation speed, repetition rate, and pulse width range, the above-mentioned etching grooves and projections can be sufficiently formed in the metal layer provided with the first resin layer. Specifically, when the laser beam is irradiated outside the above-described range, the metal layer may be cut or broken, and etching grooves and projections may not be formed sufficiently.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 반복 횟수는 2 회 이상 10 회 이하, 또는 2 회 이상 5 회 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the number of repetitions of the first laser may be 2 or more and 10 or less, or 2 or more and 5 or less.

상기 범위 내에서, 금속층 상에 충분한 크기의 돌출부 및 에칭 홈이 형성될 수 있고 이에 따라 상기 금속층과 상기 제2 수지층의 접합력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 범위에 미달되는 경우 돌출부의 크기가 앵커링(anchoring) 구조를 형성하기에 충분하지 못할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상기 금속층이 파괴되는 문제점이 발생할 수 있다.Within this range, protrusions and etching grooves of sufficient size can be formed on the metal layer, thereby improving the bonding strength between the metal layer and the second resin layer. Specifically, when the thickness is less than the above range, the size of the protrusion may not be sufficient to form an anchoring structure, and if the thickness exceeds the above range, the metal layer may be damaged.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 스폿 크기는 15 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 또는 35 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서, 전술한 조건의 에칭 홈이 금속층 상에 형성되도록 할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the spot size of the first laser may be in the range of 15 탆 or more and 50 탆 or less, 25 탆 or more and 50 탆 or less, 30 탆 or more and 50 탆 or less, or 35 탆 or more and 50 탆 or less. Within the above range, etching grooves having the above-described conditions can be formed on the metal layer.

본 명세서에서, 스폿 크기(spot size, 또는 beam size)는, 상기 레이저의 초점의 일측 말단에서 타측 말단까지의 최대 거리를 의미할 수 있다.In this specification, the spot size (or beam size) may mean the maximum distance from one end to the other end of the focus of the laser.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 레이저의 조사 간격은 50 ㎛ 이상 1,000 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이상 800 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 1,000 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 800 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하 또는 100 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the irradiation interval of the first laser is 50 mu m or more and 1,000 mu m or less, 50 mu m or more and 800 mu m or less, 80 mu m or more and 1,000 mu m or less, 80 mu m or more and 800 mu m or less, Or less and 100 m or more and 500 m or less, 80 m or more and 250 m or less, or 100 m or more and 250 m or less.

또한, 상기 제1 레이저의 조사 간격은 전술한 에칭 홈의 중심 축 사이의 거리와 동일할 수 있다. 즉, 상기 제1 레이저 조사에 따라 상기 금속층 상에 라인 패턴을 형성하는 경우, 서로 평행하여 이격된 라인 패턴 상의 거리와 상기 제1 레이저의 조사 간격이 동일할 수 있다.The irradiation interval of the first laser may be the same as the distance between the central axes of the etching grooves described above. That is, when a line pattern is formed on the metal layer in accordance with the first laser irradiation, the distance on the line pattern spaced parallel to each other may be equal to the irradiation interval of the first laser.

상기 범위 내의 조사 간격을 가지는 제1 레이저를 조사하는 경우, 하나의 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비된 돌출부 및 다른 하나의 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비되는 다른 돌출부가 접합되어 금속층 평탄면 상에 하기 설명하는 바와 같은 제2 레이저 조사에 따라 용융되는 제2 수지층이 공급되지 못하는 문제점을 방지할 수 있다. When the first laser having the irradiation interval within the above range is irradiated, the protrusions provided in the direction away from one etching groove and the other protrusions provided in the direction away from the other etching groove are bonded to each other, It is possible to prevent the problem that the second resin layer melted in accordance with the second laser irradiation is not supplied.

또한, 상기 제1 레이저 조사 조건 범위 내에서, 하기 설명하는 제2 레이저 조사에 따라 용융된 제2 수지층이 상기 에칭 홈 내부, 상기 돌출부 및 금속층 표면에 충분히 공급되도록 할 수 있고, 이에 따라 상기 금속층과 상기 제2 수지층의 접합력을 크게 향상시킬 수 있다.In addition, the second resin layer melted in accordance with the second laser irradiation described below can be sufficiently supplied to the inside of the etching groove, the projecting portion and the surface of the metal layer within the range of the first laser irradiation condition, And the bonding strength between the first resin layer and the second resin layer can be greatly improved.

본 발명의 일 실시상태는, 상기 에칭된 금속층의 일면 상에 제2 수지층을 구비한 후, 제2 레이저를 조사하여 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계를 포함한다.One embodiment of the present invention includes a step of bonding a metal layer and the second resin layer by irradiating a second laser after providing a second resin layer on one side of the etched metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 수지층에 대한 설명은 전술한 바와 같다.According to one embodiment of the present invention, the description of the second resin layer is as described above.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계는 상기 제2 레이저 조사에 따라, 상기 제2 수지층이 용융되어 상기 제2 수지층이 상기 금속층에 접합되도록 할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, in the step of bonding the metal layer and the second resin layer, the second resin layer is melted according to the second laser irradiation so that the second resin layer is bonded to the metal layer .

구체적으로, 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계는 상기 제2 레이저 조사에 따라 용융된 제2 수지층이 상기 금속층의 표면, 제1 수지층의 표면, 에칭 홈 및 상기 돌출부 사이에 채워져 금속층과 접합되는 것일 수 있다.Specifically, in the step of joining the metal layer and the second resin layer, a second resin layer melted by the second laser irradiation is filled between the surface of the metal layer, the surface of the first resin layer, the etching groove, and the protrusions Metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저는 50 W 이상 2,000 W 이하의 출력의 다이오드 레이저일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second laser may be a diode laser having an output of 50 W or more and 2,000 W or less.

즉, 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계는 상기 에칭된 금속층의 일면 상에 제2 수지층을 구비한 후 상기 출력 범위의 다이오드 레이저를 조사하여 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 것일 수 있다.That is, the step of joining the metal layer and the second resin layer may include providing a second resin layer on one side of the etched metal layer, irradiating the diode laser in the output range to bond the metal layer and the second resin layer, .

본 명세서에서, 다이오드 레이저는 순방향 반도체 접합을 능동 매질로 사용하여 발생되는 레이저를 의미할 수 있다.In this specification, a diode laser may refer to a laser generated by using a forward semiconductor junction as an active medium.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 다이오드 레이저 조사에 따라, 상기 제2 수지층을 용융시켜 상기 제2 수지층이 상기 금속층에 접합되도록 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second resin layer may be melted by the diode laser irradiation so that the second resin layer is bonded to the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저는 상기 제2 수지층에서 상기 금속층 방향으로 조사될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second laser may be irradiated in the direction of the metal layer from the second resin layer.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저는 상기 제2 수지층 및/또는 상기 제1 수지층에 접하는 상기 금속층의 표면에 초점을 맞추어 조사될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second laser can be irradiated with a focus on the surface of the metal layer that is in contact with the second resin layer and / or the first resin layer.

나아가, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저는 상기 제1 수지층 및/또는 상기 제2 수지층을 투과하여 조사될 수 있다.Furthermore, according to an embodiment of the present invention, the second laser can be irradiated through the first resin layer and / or the second resin layer.

즉, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저는 상기 제2 수지층에서 상기 금속층 방향으로, 상기 제2 수지층 및/또는 상기 제2 수지층에 접하는 상기 금속층의 표면에 초점을 맞추어, 상기 제2 수지층 및/또는 상기 제1 수지층을 투과하여 조사되는 것일 수 있다.That is, according to one embodiment of the present invention, the second laser focuses the surface of the metal layer in contact with the second resin layer and / or the second resin layer in the direction of the metal layer from the second resin layer , And the second resin layer and / or the first resin layer.

상기 제1 수지층은 높은 광흡수율을 가지므로, 상기 제2 레이저의 에너지를 효과적으로 흡수하여, 상기 금속층에 상기 제2 레이저의 에너지를 효율적으로 전달할 수 있다. 그리고, 상기 금속층으로 전달된 제2 레이저의 에너지는 열 에너지로 전환되어, 상기 제1 수지층 및/또는 상기 제2 수지층을 용융시킬 수 있다.Since the first resin layer has a high light absorption rate, energy of the second laser can be effectively absorbed and energy of the second laser can be efficiently transferred to the metal layer. The energy of the second laser transferred to the metal layer may be converted into thermal energy to melt the first resin layer and / or the second resin layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 전술한 방법으로 상기 제2 레이저를 조사하여 접합시키는 경우, 상기 금속층과 상기 제2 수지층 및/또는 상기 금속층과 상기 제1 수지층의 접합에 소요되는 시간을 단축하고, 열전도에 의한 접합 효율을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the second laser is irradiated and bonded by the above-described method, the time required for bonding the metal layer and the second resin layer and / or the metal layer to the first resin layer is And the bonding efficiency by heat conduction can be improved.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저에 의해 상기 제1 수지층 및/또는 제2 수지층이 용융될 수 있다. 상기 제2 레이저에 의하여 용융된 제1 수지층은 상기 금속층의 마주보며 구비된 돌출부 및 상기 금속층의 평탄면 상에 접합될 수 있다. 그리고, 상기 제2 레이저에 의하여 용융된 제2 수지층은 상기 금속층의 표면, 상기 제1 수지층의 표면, 상기 에칭 홈 및 상기 돌출부에 사이에 채워져 상기 금속층에 고정될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first resin layer and / or the second resin layer can be melted by the second laser. The first resin layer melted by the second laser may be bonded onto the flat surface of the metal layer and the protruding portion provided opposite to the metal layer. The second resin layer melted by the second laser may be filled between the surface of the metal layer, the surface of the first resin layer, the etching groove, and the protrusion to be fixed to the metal layer.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 제2 레이저의 파장은 근적외선 영역의 파장일 수 있다. 구체적으로 상기 제2 레이저의 파장은, 840 nm 이상 1064 nm 이하의 범위 중 일 지점의 파장일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the wavelength of the second laser may be the wavelength of the near infrared region. Specifically, the wavelength of the second laser may be a wavelength of one point out of a range of 840 nm to 1064 nm.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저의 스폿 크기는 100 ㎛ 이상 5,000 ㎛ 이하일 수 있으며, 제2 레이저가 조사되는 소재의 종류에 따라 적절히 조절될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the spot size of the second laser may be 100 μm or more and 5,000 μm or less, and may be appropriately adjusted according to the kind of the material to which the second laser is irradiated.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저의 조사 속도는 10 mm/s 이상 1,000 mm/s 이하일 수 있으며, 제2 레이저가 조사되는 소재의 종류에 따라 적절히 조절될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the irradiation speed of the second laser may be 10 mm / s or more and 1,000 mm / s or less, and may be appropriately adjusted according to the type of material to which the second laser is irradiated.

본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 레이저의 조사 횟수는 1회 이상 50회 이하일 수 있으며, 제2 레이저가 조사되는 소재의 종류에 따라 적절히 조절될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the number of times of irradiation of the second laser may be 1 or more and 50 or less, and may be appropriately adjusted according to the kind of the material to which the second laser is irradiated.

상기 이종 소재 접합체의 제조방법의 모식도를 도 3 에 나타내었다.A schematic diagram of the production method of the dissimilar material bonded body is shown in Fig.

도 3 에 따르면, 제1 레이저 조사에 따라 일면 상에 에칭 홈 및 돌출부가 형성되고, 평탄면 상에 제1 수지층이 구비된 금속층 상에 제2 수지층을 구비하고, 상기 제2 수지층이 구비된 금속층 측에 제2 레이저를 조사하면, 제1 수지층 및/또는 제2 수지층이 용융되어 상기 에칭 홈, 금속층의 평탄면, 및 돌출부 상에 채워져 상기 제1 수지층과 상기 제2 수지층이 상기 금속층 측에 고정될 수 있다.3, an etching groove and a protrusion are formed on one surface in accordance with a first laser irradiation, a second resin layer is formed on a metal layer having a first resin layer on a flat surface, The first resin layer and / or the second resin layer is melted and filled on the etching grooves, the flat surface of the metal layer, and the protrusions when the second laser is irradiated on the metal layer side, so that the first resin layer and the second resin layer A layer may be fixed to the metal layer side.

본 발명의 일 실시상태에 따른 이종 소재 접합체 제조방법 이용하게 되면, 상기 금속층과 상기 제1 수지층 및/또는 상기 금속층과 제2 수지층 계면의 수지가 용융되면서, 상기 용융된 제1 수지층 및/또는 상기 용융된 제2 수지층이 상기 금속층 표면은 물론, 에칭 된 금속층의 에칭 홈(groove), 및 상기 금속층 표면에 형성된 돌출부 사이에도 유입됨으로써, 더욱 단단한 고정(앵커링, anchoring) 효과가 발생할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the metal layer, the first resin layer and / or the resin at the interface between the metal layer and the second resin layer are melted, and the molten first resin layer and / Or the molten second resin layer may flow into the etched grooves of the etched metal layer as well as the surface of the metal layer and between the protrusions formed on the surface of the metal layer so that a harder anchoring effect may occur have.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 기존의 이종 소재 접합 방법과 달리 화학 유해물질에 의한 환경 오염이나 양산공정 관리가 어려운 등의 문제점이 발생할 우려가 없고, 또한, 공정 단계를 최소화하여 운영 효율을 향상시킬 수 있으며, 기밀성 및 수밀성의 구현이 가능한 이종 소재 접합체를 제공할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, there is no possibility of environmental pollution due to chemical harmful substances or difficulty in mass production control unlike the existing dissimilar material joining method. In addition, Can be improved, and a heterogeneous material joined body capable of realizing airtightness and watertightness can be provided.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.

[[ 실시예Example 1] One]

금속층으로서 두께 약 1 mm 의 철(Fe)층, 상기 금속층 상에 보조 금속층으로서 두께 약 10 ㎛ 의 아연층을 적층하였다.An iron (Fe) layer having a thickness of about 1 mm as a metal layer, and a zinc layer having a thickness of about 10 mu m as an auxiliary metal layer were laminated on the metal layer.

그리고, 918 nm 파장에서의 광반사율이 약 7 % 이고, 두께 약 30 ㎛ 인 제1 수지층을 전착 방법을 이용하여 상기 보조 금속층 상에 형성하였다.Then, a first resin layer having a light reflectance of about 7% at a wavelength of 918 nm and a thickness of about 30 탆 was formed on the auxiliary metal layer using an electrodeposition method.

상기 적층된 금속층, 보조 금속층 및 제1 수지층 측에 상기 제1 수지층에서 상기 금속층 방향으로 출력 50 W 인 파이버 펄스 레이저를, 70 kHz 의 반복 속도, 220 ns 의 펄스 폭 및 300 mm/s 의 조사 속도로 5 회 조사하여 금속층을 에칭하였다.A fiber pulsed laser having an output of 50 W in the direction of the metal layer from the first resin layer on the side of the laminated metal layer, the auxiliary metal layer and the first resin layer was irradiated at a repetition rate of 70 kHz, a pulse width of 220 ns, And the metal layer was etched by irradiation at an irradiation speed of 5 times.

나아가, 제2 수지층으로서, 25 wt%의 유리 섬유를 포함하는 폴리아미드 수지를 준비하였다. 상기 폴리아미드 수지의 두께는 두께 1.5 mm이었다.Further, as the second resin layer, a polyamide resin containing 25 wt% of glass fibers was prepared. The thickness of the polyamide resin was 1.5 mm.

상기 에칭된 금속층 및 상기 제2 수지층을 각각 20 mm x 60 mm 크기로 재단한 후, 상기 에칭된 금속층 상에 상기 제2 수지층을 1 cm 길이로 중첩되도록 고정하였다. 그리고, 상기 제2 수지층에서 상기 금속층 방향으로 915 nm 파장, 스폿 사이즈 3 mm, 출력 300 W의 다이오드 레이저를 10 mm/s 의 조사 속도로 1회 조사하여 이종 소재 접합체를 제조하였다.The etched metal layer and the second resin layer were each cut to a size of 20 mm x 60 mm, and then the second resin layer was fixed on the etched metal layer so as to overlap with the length of 1 cm. Then, in the second resin layer, a diode laser with a wavelength of 915 nm, a spot size of 3 mm, and an output power of 300 W was irradiated once at an irradiation speed of 10 mm / s in the direction of the metal layer to prepare a dissimilar material bonded body.

도 4 는 실시예 1 의 제1 수지층이 구비된 금속층의 단면을 주사 전자 현미경으로 촬영한 이미지이다. 구체적으로 도 4 의 (A) 는 금속층의 측단면, (B) 는 금속층의 표면의 주사 전자 현미경 이미지이다. 도 4 의 (A) 에 따르면, 파이버 펄스 레이저가 조사된 영역에는 에칭 홈(10) 및 돌출부(20)가 형성되는 것을 확인할 수 있었고, 파이버 펄스 레이저가 조사되지 않은 영역에는 제1 수지층(31)이 금속층의 평탄면(30) 상에 구비된 것을 확인할 수 있었다. 또한, 도 4 의 (B) 에 따르면, 상기 제1 수지층(31)은 상기 금속층의 라인 패턴 내에, 구체적으로 상기 에칭 홈(10), 보다 구체적으로 돌출부(20)에 의한 라인 패턴으로 형성된 영역 내부에 구비되는 것을 확인할 수 있었다.4 is an image of a cross section of a metal layer provided with the first resin layer of Example 1 by scanning electron microscope. 4 (A) is a side cross-sectional view of the metal layer, and (B) is a scanning electron microscope image of the surface of the metal layer. 4A, it can be seen that the etching groove 10 and the protruding portion 20 are formed in the region irradiated with the fiber pulse laser. In the region where the fiber pulse laser is not irradiated, the first resin layer 31 ) Was provided on the flat surface 30 of the metal layer. 4 (B), the first resin layer 31 is formed in the line pattern of the metal layer, specifically in the region formed by the etching groove 10, more specifically, the line pattern of the projections 20 As shown in FIG.

[[ 비교예Comparative Example 1]  One]

파이버 펄스 레이저의 조사 횟수를 1 회로 조절한 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방법으로 이종 소재 접합체를 제조하였다.A heterogeneous material conjugate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the number of irradiation of the fiber pulsed laser was controlled to be one cycle.

도 5 는 비교예 1 의 제1 수지층이 구비된 금속층의 단면을 주사 전자 현미경으로 촬영한 이미지이다. 도 5 에 따르면, 금속층 에칭을 위한 파이버 펄스 레이저 조사량이 부족하여 돌출부, 에칭 홈이 제2 수지층이 충분히 공급될 수 있도록 형성되지 못한 것을 확인할 수 있었다.5 is an image of a section of the metal layer provided with the first resin layer of Comparative Example 1 taken by a scanning electron microscope. According to FIG. 5, it can be confirmed that the projecting portion and the etching groove can not be formed so that the second resin layer can be sufficiently supplied due to insufficient fiber pulsed laser irradiation amount for metal layer etching.

[[ 비교예Comparative Example 2] 2]

별도의 보조 금속층 및 제1 수지층을 구비하지 않고, 파이버 펄스 레이저를 2 회 조사하여 금속층을 에칭한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 이종 소재 접합체를 제조하였다.A heterogeneous material conjugate was prepared in the same manner as in Example 1, except that a separate auxiliary metal layer and a first resin layer were not provided and the metal layer was etched by irradiating the fiber pulsed laser twice.

[[ 비교예Comparative Example 3] 3]

파이버 펄스 레이저를 이용하여 금속층을 에칭하지 않은 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 이종 소재 접합체를 제조하고자 하였으나, 금속층과 제2 수지층이 접합되지 않아 이종 소재 접합체의 형성이 불가능하였다.It was attempted to fabricate a heterogeneous material conjugate by performing the same method as in Example 1 except that the metal layer was not etched using a fiber pulse laser. However, since the metal layer and the second resin layer were not bonded, it was impossible to form a heterogeneous material conjugate .

[이종 소재 접합체의 인장 강도 및 [Tensile Strength of Dissimilar Material Joints and 융착Fusion 폭 측정] Width measurement]

실시예 1 및 비교예 1 내지 비교예 2 에 따른 이종 소재 접합체의 접합력을 나타내기 위하여, 이들의 인장 강도를 측정하였다.The tensile strengths of these materials were measured to show the bonding strength of the dissimilar materials bonded bodies according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 2. [

상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 비교예 2 에 따른 이종 소재 접합체를 만능 시험기(Ultimate Test Machine, INSTRON 5969)를 사용하여, 10 mm/min 의 인장 속도로 인장을 가하였을 때의 분리 또는 파단이 일어나는 인장 강도(MPa)를 측정하였다.The dissimilar material bonded body according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 2 was subjected to tensile test at a tensile speed of 10 mm / min using an ultimate test machine (INSTRON 5969) The resulting tensile strength (MPa) was measured.

또한, 상기 이종 소재 접합체 상의 융착 폭으로서, 제2 레이저 조사에 의하여 제2 수지층의 표면 상에 형성된 용융 영역의 양측 말단의 길이, 구체적으로 상기 제2 레이저 조사 방향과 수직인 방향에서의 상기 용융 영역의 양측 말단의 길이를 측정하였다.The fusing width on the dissimilar material bonded body is preferably such that the length of both ends of the fused region formed on the surface of the second resin layer by the second laser irradiation, specifically, the melting point in the direction perpendicular to the second laser irradiation direction The lengths of both ends of the region were measured.

상기 인장 강도 및 융착 폭의 측정 결과를 하기 표 1 에 나타내었다.The measurement results of the tensile strength and the fusing width are shown in Table 1 below.

구분division 인장 강도(MPa)Tensile Strength (MPa) 융착 폭(mm)Fusing width (mm) 실시예 1Example 1 12.512.5 3.53.5 비교예 1Comparative Example 1 측정불가Not measurable 측정불가Not measurable 비교예 2Comparative Example 2 11.511.5 2.82.8

표 1 에 따르면, 금속층의 평탄면 상에 제2 레이저에 대한 반사율이 약 7 % 인 제1 수지층이 구비된 이종 소재 접합체에 관한 실시예 1 은 금속층에 효율적으로 제2 레이저의 에너지가 전달될 수 있으므로, 높은 인장 강도 및 넓은 융착 폭을 가지는 것을 확인할 수 있었다.According to Table 1, the first embodiment of the heterogeneous material joined body including the first resin layer having the reflectance of about 7% with respect to the second laser on the flat surface of the metal layer efficiently transfers the energy of the second laser to the metal layer It can be confirmed that it has a high tensile strength and a wide welding width.

한편, 에칭 홈 및 돌출부가 충분히 형성되지 못한 비교예 1의 경우, 손으로 쉽게 금속층과 제2 수지층이 분리되어, 인장 강도를 측정할 수 없는 수준의 접합력을 나타내었다. 또한, 제1 수지층이 구비되지 않은 금속층을 포함하는 비교예 2 는 실시예 1에 비하여, 융착 폭이 좁고, 상대적으로 낮은 인장 강도 값을 가지는 것을 확인할 수 있었다.On the other hand, in the case of Comparative Example 1 in which etching grooves and protrusions were not sufficiently formed, the metal layer and the second resin layer were easily separated by hand, and the bonding strength was such that the tensile strength could not be measured. In addition, it was confirmed that Comparative Example 2 including a metal layer without the first resin layer had a narrow welding width and a relatively low tensile strength value as compared with Example 1.

이를 통하여, 금속층 상에 제1 레이저를 조사하여 라인 패턴 형성시, 금속층 상에 제1 수지층을 구비하여 금속층을 에칭하고, 상기 에칭된 금속층을 제2 수지층과 접합하여 이종 소재 접합체를 제조하는 경우, 금속층의 제2 레이저 조사에 따른 에너지의 흡수율이 증가되어 이종 소재 접합체의 접합 강도를 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있었다.In this way, when forming a line pattern by irradiating a first laser on the metal layer, the first resin layer is provided on the metal layer to etch the metal layer, and the etched metal layer is bonded to the second resin layer to produce the dissimilar material bonded body , It was confirmed that the absorption rate of the energy according to the second laser irradiation of the metal layer is increased and the bonding strength of the dissimilar material bonded body can be improved.

상기 내용을 종합하여 보면, 금속층의 에칭을 통한 에칭 홈 및 돌출부의 형성, 및 광반사율이 낮은 제1 수지층을 구비하는 경우, 이종 소재 사이의 높은 접합력을 구현할 수 있는 것을 확인할 수 있다.In summary, it can be seen that a high bonding strength between different kinds of materials can be realized when etching grooves and projections are formed through etching of a metal layer and a first resin layer having a low light reflectance is provided.

10: 에칭 홈
20: 돌출부
30: 평탄면
31: 제1 수지층
10: etching groove
20:
30: Flat surface
31: First resin layer

Claims (15)

일면 상에, 2 이상의 에칭 홈, 상기 에칭 홈에 인접하여 구비된 돌출부 및 평탄면을 포함하는 금속층;
상기 금속층의 평탄면 상에 구비되고, 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장에서의 광반사율이 10 % 이하인 제1 수지층; 및
상기 금속층 및 상기 제1 수지층 상에 구비되는 제2 수지층을 포함하고,
상기 제2 수지층은 상기 에칭 홈의 내부, 상기 금속층 표면과 돌출부 사이에 채워져 상기 금속층에 고정되는 이종 소재 접합체.
A metal layer including two or more etching grooves, projections provided adjacent to the etching grooves, and a flat surface on one surface;
A first resin layer provided on a flat surface of the metal layer and having a light reflectance of 10% or less at any wavelength of 840 nm to 1064 nm; And
And a second resin layer provided on the metal layer and the first resin layer,
And the second resin layer is filled in the etching groove, between the surface of the metal layer and the projection, and is fixed to the metal layer.
청구항 1 에 있어서,
상기 제2 수지층의 840 nm 내지 1064 nm 중 어느 하나의 파장에서의 광투과율은 30 % 이상인 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
Wherein the second resin layer has a light transmittance of 30% or more at any one of wavelengths of 840 nm to 1064 nm.
청구항 1 에 있어서,
상기 제1 수지층의 두께는 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first resin layer is 10 占 퐉 or more and 50 占 퐉 or less.
청구항 1 에 있어서,
상기 이종 소재 접합체는 보조 금속층을 더 포함하고,
상기 보조 금속층은 상기 금속층과 상기 제1 수지층 사이에 구비되는 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
Wherein the dissimilar material bonded body further comprises an auxiliary metal layer,
Wherein the auxiliary metal layer is provided between the metal layer and the first resin layer.
청구항 4 에 있어서,
상기 보조 금속층의 두께는 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 것인 이종 소재 접합체.
The method of claim 4,
Wherein the auxiliary metal layer has a thickness of 5 mu m or more and 20 mu m or less.
청구항 1 에 있어서,
상기 에칭 홈 입구 폭에 대한 상기 에칭 홈 깊이의 비는 1 : 3 내지 1 : 14 인 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
Wherein a ratio of the depth of the etching groove to the width of the etching groove inlet is 1: 3 to 1:14.
청구항 1 에 있어서,
상기 에칭 홈 입구 폭에 대한 상기 에칭 홈 중간 폭의 비는 1 : 1.3 내지 1 : 3 인 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
Wherein a ratio of the etching groove intermediate width to the etching groove entrance width is 1: 1.3 to 1: 3.
청구항 1 에 있어서,
상기 돌출부는 상기 에칭 홈으로부터 멀어지는 방향으로 구비되고,
상기 돌출부는 상기 금속층 표면과 예각을 이루며 구비되는 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
The projecting portion is provided in a direction away from the etching groove,
And the projecting portion is formed at an acute angle with the surface of the metal layer.
청구항 1 에 있어서,
상기 돌출부의 일측 말단에서 타측 말단까지의 길이는 25 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하인 것인 이종 소재 접합체.
The method according to claim 1,
And the length from one end to the other end of the projecting portion is not less than 25 占 퐉 and not more than 80 占 퐉.
일면 상에 제1 수지층이 구비된 금속층을 준비하는 단계;
상기 제1 수지층이 구비된 금속층의 표면에 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속층의 일면 상에, 에칭 홈 및 돌출부를 형성하는 금속층 에칭 단계; 및
상기 에칭된 금속층의 일면 상에 제2 수지층을 구비한 후, 제2 레이저를 조사하여 상기 금속층과 상기 제2 수지층을 접합하는 단계;를 포함하는 청구항 1 에 따른 이종 소재 접합체의 제조방법.
Preparing a metal layer having a first resin layer on one surface thereof;
A metal layer etching step of irradiating a surface of the metal layer having the first resin layer with a first laser to form an etching groove and a protrusion on one surface of the metal layer; And
The method of claim 1, further comprising: providing a second resin layer on one side of the etched metal layer, and then irradiating a second laser to bond the metal layer and the second resin layer.
청구항 10 에 있어서,
상기 제1 레이저는 10 W 이상 100 W 이하의 출력의 파이버 펄스 레이저인 것인 이종 소재 접합체의 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the first laser is a fiber pulse laser having an output of 10 W or more and 100 W or less.
청구항 10 에 있어서,
상기 제1 레이저는 30 kHz 이상 100 kHz 이하의 반복 속도, 100 mm/s 이상 500 mm/s 이하의 조사 속도 및 100 ns 이상 400 ns 이하의 펄스 폭으로 조사되는 것인 이종 소재 접합체의 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the first laser is irradiated at a repetition rate of 30 kHz or more and 100 kHz or less, an irradiation speed of 100 mm / s or more and 500 mm / s or less, and a pulse width of 100 ns or more and 400 ns or less.
청구항 10 에 있어서,
상기 제1 레이저는 2 회 이상 10 회 이하의 조사 횟수로 조사되는 것인 이종 소재 접합체의 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the first laser is irradiated twice or more and 10 times or less.
청구항 10 에 있어서,
상기 제2 레이저는 50 W 이상 2,000 W 이하의 출력의 다이오드 레이저인 것인 이종 소재 접합체의 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the second laser is a diode laser having an output of 50 W or more and 2,000 W or less.
청구항 10 에 있어서,
상기 제2 레이저는 100 ㎛ 이상 5,000 ㎛ 이하의 스폿 크기, 10 mm/s 이상 1,000 mm/s 이하의 조사 속도 및 1 회 이상 50 회 이하의 조사 횟수로 조사되는 것인 이종 소재 접합체의 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the second laser is irradiated at a spot size of 100 占 퐉 or more and 5,000 占 퐉 or less, an irradiation speed of 10 mm / s or more and 1,000 mm / s or less, and a number of times of irradiation of 50 times or less.
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