KR20190045114A - Semiconductor Device - Google Patents

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KR20190045114A
KR20190045114A KR1020190046436A KR20190046436A KR20190045114A KR 20190045114 A KR20190045114 A KR 20190045114A KR 1020190046436 A KR1020190046436 A KR 1020190046436A KR 20190046436 A KR20190046436 A KR 20190046436A KR 20190045114 A KR20190045114 A KR 20190045114A
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백승헌
박경웅
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한국과학기술원
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Abstract

The present invention relates to a semiconductor device, comprising: a first electrode; and first and second cells connected to the first electrode, wherein each of the first and second cells includes a first magnetic layer connected to the first electrode. Electrical or magnetic characteristics of the first magnetic layer can be adjusted by a current applied to the first electrode. A magnetization direction of the first magnetic layer may be changed by a magnitude of the current applied to the first electrode and threshold currents for changing magnetization directions of the first cell and the second cell may be different. The first and second cells may further include a second magnetic layer disposed on the first magnetic layer. The semiconductor device may further comprise a current control switch for controlling the current applied to the first electrode. The semiconductor device according to embodiments of the present invention has a high speed of storage, recognition, and transfer of information, and low power consumption. In addition, the semiconductor device can be highly integrated, thereby improving performance and reducing manufacturing costs.

Description

반도체 소자{Semiconductor Device}[0001]

본 발명은 반도체 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device.

최근 연구되고 있는 반도체 소자에는 자기 메모리 소자, 상변환 소자 등이 있으며, 그 중 하나인 자기 메모리 소자는 속도가 빠르고 작동전압이 낮은 데다 비휘발성 성질을 갖기 때문에 메모리 소자로서 이상적인 조건을 갖추고 있다. 일반적으로 자기 메모리 소자는 미국특허 제 5,699,293호에 개시되어 있는 바와 같이 1개의 자기저항 센서와 1개의 트랜지스터로 단위셀이 구성될 수 있다. Recent semiconductor devices include magnetic memory devices, phase change devices, and magnetic memory devices, which have high speed, low operating voltage, and nonvolatile properties, are ideal conditions for memory devices. Generally, a magnetic memory element can be constituted by one magnetoresistive sensor and one transistor as a unit cell as disclosed in U.S. Patent No. 5,699,293.

자기 메모리 소자의 기본 구조는 두 강자성 물질이 절연층에 의해서 분리되어 있는 자기터널접합 구조(제1 자성전극/절연체/제 2 자성전극)를 포함한다. 이 소자의 저항이 두 자성체의 상대적인 자화 방향에 따라서 달라지는 자기 저항으로 정보를 저장한다. 두 자성층의 자화 방향 제어는 스핀 분극 전류로 제어가 가능하고, 이는 전자가 가지고 있는 각운동량이 자기 모멘트에 전달되어 토크를 발생시키는 스핀전달토크 (Spin transfer torque)라고 한다. The basic structure of a magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction structure (first magnetic electrode / insulator / second magnetic electrode) in which two ferromagnetic materials are separated by an insulating layer. The resistance of this device stores information by magnetoresistance, which depends on the relative magnetization directions of the two magnetic materials. The magnetization direction control of the two magnetic layers can be controlled by the spin polarization current, which is called a spin transfer torque which generates torque by transferring the angular momentum possessed by the electrons to the magnetic moment.

스핀전달토크로 자화 방향을 제어하기 위해서는 스핀 분극 전류가 자성물질 내로 통과를 해야 하지만, 최근 스핀전류를 발생시키는 중금속을 자성체와 인접하게 하여 수평 전류 인가로 자성체의 자화반전을 이루는 기술, 즉 스핀오빗토크(Spin orbit torque) 기술이 제안되었다 [US 8416618, Writable magnetic memory element, US 2014-0169088, Spin Hall magnetic apparatus, method and application, KR1266791, 면내전류와 전기장을 이용한 자기메모리 소자]. In order to control the magnetization direction with the spin transfer torque, a spin polarization current has to pass through the magnetic material. However, recently, a technique of making magnetization inversion of a magnetic body by applying a horizontal current to a heavy metal adjacent to the magnetic body to generate a spin current, Spin orbit torque technology has been proposed [US 8416618, Writable magnetic memory element, US 2014-0169088, Spin Hall magnetic apparatus, method and application, KR 1266791, magnetic memory element using in-plane current and electric field].

미국특허 제5,699,293호U.S. Patent No. 5,699,293 미국특허 제5,986,925호U.S. Patent No. 5,986,925

본 발명은 정보의 저장, 인식 및 전달 속도가 빠르고, 전력 소모가 낮은 반도체 소자의 제공을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a fast storage, recognition and transfer speed of information and low power consumption.

또한, 고도의 집적화가 가능하여 반도체 소자의 성능 향상 및 제조 비용 감소한다.In addition, high integration is possible, thereby improving the performance and manufacturing cost of the semiconductor device.

또한, 각 셀의 자화 특성을 제조 후 변경함으로써 다양한 분야에 적용 가능하다. Further, the present invention can be applied to various fields by changing the magnetization characteristics of each cell after manufacturing.

본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자는, 제1 전극; 및 상기 제1 전극에 연결된 제1 셀 및 제2 셀;을 포함하고, 상기 제1 셀 및 제2 셀은 각각 상기 제1 전극에 연결된 제1 자성층을 포함한다. A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes: a first electrode; And a first cell and a second cell connected to the first electrode, wherein the first cell and the second cell each include a first magnetic layer connected to the first electrode.

상기 제1 셀 및 제2 셀은 상기 제1 전극에 인가되는 전류에 의해 상기 제1 자성층의 전기적 또는 자기적 특성이 조절될 수 있다.The electric or magnetic characteristics of the first magnetic layer may be adjusted by the currents applied to the first and second electrodes.

상기 제1 셀 및 제2 셀은 상기 제1 전극에 인가되는 전류의 크기 의해 상기 제1 자성층의 자화 방향이 변경되고, 상기 제1 셀 및 제2 셀의 자화 방향 변경의 임계전류가 서로 다를 수 있다.The magnetization direction of the first magnetic layer is changed by the magnitude of the current applied to the first electrode and the first cell and the threshold current for changing the magnetization direction of the first cell and the second cell are different from each other have.

상기 제1 셀 및 제2 셀은 상기 제1 자성층 상에 배치된 제2 자성층을 더 포함할 수 있다.The first and second cells may further include a second magnetic layer disposed on the first magnetic layer.

상기 제1 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first magnetic layer may include at least one of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), silicon (Si), platinum (Pt), palladium .

상기 제1 전극에 인가되는 전류를 제어하는 전류 제어 스위치;를 포함할 수 있다.And a current control switch for controlling a current applied to the first electrode.

본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자는, 제1 전극; 상기 제1 전극에 인가되는 전류를 제어하는 전류 제어 스위치; 및 상기 스위치에 의해 제어된 전류에 의하여 자화 방향이 제어되는 제1 셀 및 제2 셀;을 포함한다.A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes: a first electrode; A current control switch for controlling a current applied to the first electrode; And a first cell and a second cell in which a magnetization direction is controlled by a current controlled by the switch.

상기 제1 셀 및 제2 셀은 상기 제1 전극에 공급되는 전류에 의해 자화 방향이 변경될 수 있다.The magnetization direction of the first cell and the second cell may be changed by the current supplied to the first electrode.

상기 제1 셀 및 제2 셀의 자화 방향 임계 전류는 서로 다를 수 있다.The threshold currents in the magnetization direction of the first cell and the second cell may be different from each other.

본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자는, 제1 전극; 상기 제1 전극과 연결된 셀; 및 상기 셀과 전기적으로 연결되어 상기 셀에 전압을 인가하는 셀 제어 전극;을 포함하고, 상기 셀 제어 전극에 의해 인가되는 전압에 의해 상기 셀의 전기적 또는 자기적 특성이 조절된다.A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes: a first electrode; A cell connected to the first electrode; And a cell control electrode electrically connected to the cell to apply a voltage to the cell, wherein an electric or magnetic characteristic of the cell is controlled by a voltage applied by the cell control electrode.

상기 셀 제어 전극에 의해 인가되는 전압은 상기 셀의 자화 방향 변경에 대한 임계전류를 제어할 수 있다.The voltage applied by the cell control electrode may control the threshold current for the change of the magnetization direction of the cell.

상기 셀은 제1 자성층을 포함하고, 상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압은 상기 제1 자성층의 전기적 또는 자기적 특성을 조절할 수 있다.The cell includes a first magnetic layer, and a voltage applied to the cell control electrode can control electric or magnetic characteristics of the first magnetic layer.

상기 셀은 2 이상이고, 상기 셀에 연결된 각각의 셀 제어 전극은 상기 셀의 전기적 또는 자기적 특성을 각각 제어할 수 있다.The cell is at least two, and each cell control electrode connected to the cell can control the electrical or magnetic characteristics of the cell, respectively.

상기 2 이상의 셀의 전기적 또는 자기적 특성은 상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압에 의해 서로 다르게 제어될 수 있다.The electrical or magnetic characteristics of the two or more cells may be controlled differently by voltages applied to the cell control electrodes.

상기 제1 전극에 연결되고, 상기 제1 전극으로의 전류를 제어하는 전류 제어 스위치를 더 포함할 수 있다.And a current control switch connected to the first electrode and controlling a current to the first electrode.

상기 제1 전극에 공급되는 전류에 의해 상기 셀의 자화 방향이 제어될 수 있다.The magnetization direction of the cell can be controlled by the current supplied to the first electrode.

상기 셀은 제1 자성층 및 상기 제1 자성층 상에 배치된 절연층을 포함하고, 상기 셀 제어 전극은 상기 절연층 상에 배치될 수 있다.The cell may include a first magnetic layer and an insulating layer disposed on the first magnetic layer, and the cell control electrode may be disposed on the insulating layer.

상기 셀은 제1 자성층, 상기 제1 자성층 상에 배치된 절연층 및 상기 절연층을 포상에 배치된 제2 자성층을 포함하고, 상기 셀 제어 전극은 상기 제2 자성층 상에 배치될 수 있다.The cell may include a first magnetic layer, an insulating layer disposed on the first magnetic layer, and a second magnetic layer disposed on the insulating layer, and the cell control electrode may be disposed on the second magnetic layer.

본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자는 정보의 저장, 인식 및 전달 속도가 빠르고, 전력 소모가 낮다. A semiconductor device according to an embodiment of the present invention has a fast storage, recognition and transfer speed of information, and low power consumption.

또한, 고도의 집적화가 가능하여 반도체 소자의 성능 향상 및 제조 비용 감소의 효과가 있다. In addition, it is possible to achieve high integration, thereby improving the performance of the semiconductor device and reducing the manufacturing cost.

또한, 각 셀의 자화 특성을 제조 후 변경함으로써 다양한 분야에 적용 가능하다. Further, the present invention can be applied to various fields by changing the magnetization characteristics of each cell after manufacturing.

도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다.
도 2는 제1 자성층 및 제2 자성층의 자화 방향의 거동을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자에서 변칙 홀 효과(AHE: Anomalous Hall Effect) 전압 측정을 설명하기 위해 도시한 것이다.
도 4는 자기장에 따른 제1 셀 및 제2 셀의 상태 변화를 도시한 것이다.
도 5는 전류에 따른 제1 셀 및 제2 셀의 상태 변화를 도시한 것이다.
도 6은 자기장에 따른 전체 셀의 자화 방향 변화를 도시한 것이다.
도 7은 전류에 따른 전체 셀의 자화 방향 변화를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다.
도 10은 도 9의 반도체 소자가 자기장이 없는 환경에서 제1 자성층의 자화방향이 제1 전극에 인가된 전류에 의해 변화함을 도시한 것이다.
도 11은 각각 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다.
도 12는 도 11의 반도체 소자의 변칙 홀 저항을 측정하기 위한 실험 모식도를 도시한 것이다.
도 13 내지 도 15는 도 12를 이용하여 측정한 변칙 홀 저항을 도시한 것이다.
도 16은 각각 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다.
도 17은 실험 셀의 모식도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다. 1 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 shows the behavior of the first and second magnetic layers in the magnetization direction.
FIG. 3 illustrates anomalous Hall effect (AHE) voltage measurement in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4 shows state changes of the first cell and the second cell according to the magnetic field.
5 shows state changes of the first cell and the second cell according to the current.
6 shows the change of the magnetization direction of the entire cell according to the magnetic field.
FIG. 7 shows the change in magnetization direction of the entire cell according to the current.
8 shows a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
9 illustrates a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
Fig. 10 shows that the magnetization direction of the first magnetic layer changes in accordance with the current applied to the first electrode in the environment where the semiconductor element of Fig. 9 has no magnetic field.
11 shows a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, respectively.
12 is a schematic diagram of an experiment for measuring anomalous hole resistance of the semiconductor device of FIG.
Figs. 13 to 15 show the anomalous hole resistances measured using Fig. 12. Fig.
Figure 16 shows a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, respectively.
17 is a schematic diagram of the experimental cell.
Figure 18 shows a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
19 illustrates a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.　 또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.　 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 "포함"한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements. In the drawings, like reference numerals are used throughout the drawings. In addition, " including " an element throughout the specification does not exclude other elements unless specifically stated to the contrary.

도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(1000)를 도시한 것이고, 도 2는 제1 자성층(1211, 1221) 및 제2 자성층(1213, 1223)의 자화 방향의 거동을 도시한 것이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(1000)는, 제1 전극(1100) 및 상기 제1 전극(1100)에 연결된 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)을 포함하고, 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 상기 제1 전극(1100)에 연결된 제1 자성층(1211, 1221)을 포함한다. 또한, 상기 제1 전극(1100)에 인가되는 전류를 제어하는 전류 제어 스위치를 더 포함할 수 있다.FIG. 1 shows a semiconductor device 1000 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows the behavior of the first magnetic layers 1211 and 1221 and the second magnetic layers 1213 and 1223 in the magnetization direction. 1 and 2, a semiconductor device 1000 according to an embodiment of the present invention includes a first electrode 1100, a first cell 1210 connected to the first electrode 1100, The first and second cells 1210 and 1220 include first and second magnetic layers 1211 and 1221 connected to the first electrode 1100. The first electrode 1100 may further include a current control switch for controlling a current applied to the first electrode 1100.

제1 전극(1100)은 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)에 전류를 공급할 수 있으며, 구체적으로 상기 전류는 자성체의 자화 방향을 제어하는 스핀 분극 전류일 수 있다. 상기 제1 전극(1100) 상에 흐르는 전류에 의해 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 전기적 또는 자기적 특성이 변경될 수 있다. 상기 제1 전극(1100)은 각 셀의 특성을 변화 시키므로, 반도체 소자(1000)에 있어서, 쓰기 선(write line)의 역할을 할 수 있다. The first electrode 1100 may supply current to the first cell 1210 and the second cell 1220. Specifically, the current may be a spin polarization current for controlling the magnetization direction of the magnetic substance. The electric or magnetic characteristics of the first cell 1210 and the second cell 1220 can be changed by the current flowing on the first electrode 1100. [ Since the first electrode 1100 changes characteristics of each cell, the first electrode 1100 can function as a write line in the semiconductor device 1000.

상기 제1 전극(1100)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게, 상기 제1 전극(1100)은 중금속을 포함할 수 있다. 제1 전극(1100)이 중금속을 포함함으로써 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1211, 1221)의 자화 방향 등의 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. 이와 같이 스핀오빗토크를 이용하기 때문에 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(1000)는 정보의 저장, 인식 및 전달 속도가 빠르고, 전력 소모가 낮다. The first electrode 1100 may include a conductive material. More preferably, the first electrode 1100 may include a heavy metal. The first electrode 1100 includes a heavy metal to change the magnetic characteristics of the first and second magnetic layers 1211 and 1221 of the first cell 1210 and the second cell 1220. Since the spin orbit torque is used in this manner, the semiconductor device 1000 according to the embodiment of the present invention has a fast storage, recognition, and transfer speed of information and low power consumption.

제1 자성층(1211, 1221)은 자화 방향 등의 자기적 특성의 변화가 가능한 자유 자성층일 수 있다. 상기 제1 자성층(1211, 1221)의 자기적 특성은 주위의 전기 및 자기 특성에 의해 변경될 수 있다. 또한, 제1 전극(1100)-제1 자성층(1211, 1221)의 적층면에 대하여 수직이방성을 가질 수 있다. The first magnetic layers 1211 and 1221 may be a free magnetic layer capable of changing magnetic properties such as a magnetization direction. The magnetic characteristics of the first magnetic layers 1211 and 1221 can be changed by surrounding electric and magnetic characteristics. Further, the first electrode 1100 and the first magnetic layers 1211 and 1221 may have perpendicular anisotropy with respect to the lamination plane.

상기 제1 자성층(1211, 1221)은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first magnetic layers 1211 and 1221 may be formed of at least one of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), silicon (Si), platinum (Pt), palladium . ≪ / RTI >

이 때, 상기 제1 자성층(1211, 1221)은 자화 방향이 적층 방향에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 자성층(1211, 1221)은 전기적 또는 자기적 특성, 특히 자화 방향이 상기 제1 전극(1100) 상에 흐르는 수평 전류에 의해 변할 수 있다.At this time, the first magnetic layers 1211 and 1221 may have perpendicular anisotropy characteristics by aligning the magnetization directions perpendicular to the lamination direction. The first and second magnetic layers 1211 and 1221 can be changed in electrical or magnetic characteristics, particularly magnetization direction, by a horizontal current flowing on the first electrode 1100.

상기 제1 전극(1100)에 전류가 흐르는 경우라도 상기 제1 자성층(1211, 1221)의 자기적 특성을 변화시키는 데 충분한 정도의 전류가 흐르지 않는 때에는, 상기 제1 자성층(1211, 1221)의 자기적 특성은 변하지 않는다. 상기 제1 전극(1100)에 상기 제1 자성층(1211, 1221)의 자기적 특성을 변화시키는 데 충분한 정도의 전류가 흘러야 상기 제1 자성층(1211, 1221)의 자기적 특성이 변하게 되며, 이 때의 전류 값을 제1 자성층(1211, 1221)의 임계전류라고 할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(1100)에 임계전류 이상의 전류를 흐름으로써 상기 제1 자성층(1211, 1221)의 전기적 또는 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. Even when a current flows through the first electrode 1100, the current flows through the first magnetic layer 1211 and the second magnetic layer 1221 when the current does not flow enough to change the magnetic characteristics of the first magnetic layers 1211 and 1221 The enemy character does not change. The magnetic characteristics of the first magnetic layers 1211 and 1221 change when a current sufficient to change the magnetic characteristics of the first magnetic layers 1211 and 1221 is applied to the first electrode 1100, Can be regarded as a critical current of the first magnetic layers 1211 and 1221. [ That is, the electric or magnetic characteristics of the first magnetic layers 1211 and 1221 can be changed by flowing a current equal to or higher than a critical current to the first electrode 1100.

제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 각각의 제1 자성층(1211, 1221)의 임계전류를 다르게 설정함으로써, 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1211, 1221)의 자기적 특성을 선택적으로 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 셀(1210)의 제1 자성층(1211)의 임계전류 값이 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1221)의 임계전류 값 보다 큰 경우에는, 제1 전극(1100)에 제1 셀(1210)의 제1 자성층(1211)의 임계전류 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1221)의 임계전류 값 보다 작은 전류를 흐르더라도 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220) 모두 자기적 특성의 변화가 없다. 이와 달리, 제1 전극(1100)에 제1 셀(1210)의 제1 자성층(1211)의 임계전류 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1221)의 임계전류 값 보다 큰 전류를 흐르면 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220) 모두 자기적 특성이 변하게 된다. 이와 달리, 제1 전극(1100)에 제1 셀(1210)의 제1 자성층(1211)의 임계전류 값 보다 작고 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1221)의 임계전류 값 보다 큰 전류를 흐르면 상기 제1 셀(1210)의 자기적 특성은 변화가 없으나 상기 제2 셀(1220) 의 자기적 특성은 변하게 된다.The threshold currents of the first and second magnetic layers 1211 and 1221 of the first cell 1210 and the second cell 1220 are set differently, It is possible to selectively change the magnetic characteristics of the magnetic layers 1211 and 1221. For example, when the critical current value of the first magnetic layer 1211 of the first cell 1210 is greater than the critical current value of the first magnetic layer 1221 of the second cell 1220, Even if a critical current of the first magnetic layer 1211 of the first cell 1210 and a current of less than the critical current value of the first magnetic layer 1221 of the second cell 1220 are applied to the first cell 1210 and the second cell 1220, All of the two cells 1220 have no change in magnetic characteristics. Alternatively, when a current larger than the critical current of the first magnetic layer 1211 of the first cell 1210 and the critical current of the first magnetic layer 1221 of the second cell 1220 flows through the first electrode 1100, The magnetic properties of both the first cell 1210 and the second cell 1220 are changed. A current larger than the critical current value of the first magnetic layer 1211 of the first cell 1210 and larger than the critical current value of the first magnetic layer 1221 of the second cell 1220 is applied to the first electrode 1100 The magnetic characteristics of the first cell 1210 do not change but the magnetic characteristics of the second cell 1220 change.

이와 같이, 제1 전극(1100) 상에 배치된 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 제1 전극(1100)에 인가되는 전류의 크기를 통하여 각 셀의 자기적 특성을 동시 또는 선택적으로 변화시킬 수 있다.As described above, the first cell 1210 and the second cell 1220 disposed on the first electrode 1100 can sense the magnetic characteristics of the respective cells simultaneously or simultaneously through the magnitude of the current applied to the first electrode 1100 Can be selectively changed.

상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 각각 제1 자성층(1211, 1221) 및 제2 자성층(1213, 1223)이 절연층(1212, 1222)에 의해 구분된 자기터널접합구조를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 상기 제1 자성층(1211, 1221) 상에 절연층(1212, 1222)에 배치될 수 있고, 상기 절연층(1212, 1222) 상에 제2 자성층(1213, 1223)이 배치됨으로써 상기 절연층(1212, 1222)을 사이에 두고 제1 자성층(1211, 1221) 및 제2 자성층(1213, 1223)이 마주하도록 배치될 수 있다. The first cell 1210 and the second cell 1220 have magnetic tunnel junction structures in which the first magnetic layers 1211 and 1221 and the second magnetic layers 1213 and 1223 are separated by the insulating layers 1212 and 1222, . More specifically, the first cell 1210 and the second cell 1220 may be disposed on the insulating layers 1212 and 1222 on the first magnetic layers 1211 and 1221 and the insulating layers 1212 and 1222 The first magnetic layers 1211 and 1221 and the second magnetic layers 1213 and 1223 can be disposed to face each other with the insulating layers 1212 and 1222 interposed therebetween by disposing the second magnetic layers 1213 and 1223 on the second magnetic layers 1213 and 1223, .

상기 제2 자성층(1213, 1223)은 자화 방향이 고정된 고정 자성층일 수 있으며, 적층면에 대하여 수직한 방향의 자화 방향을 갖는 물질, 즉 수직이방성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second magnetic layers 1213 and 1223 may be a fixed magnetic layer having a fixed magnetization direction and may include a material having a magnetization direction perpendicular to the lamination plane, that is, a material having perpendicular anisotropy. More specifically, the second magnetic layers 1213 and 1223 may be formed of at least one selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, B, Si, Si, Zr, Pt), palladium (Pd), and alloys thereof.

또한, 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 자성층 및 반강자성층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 인공 반강자성층일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 자성층/전도층/자성층의 3층 구조의 인공 반강자성 구조일 수 있으며, 반강자성층은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 철(Fe), 망간(Mn) 및 이들의 합금 또는 Ni, Co, Fe의 산화물 및 그 합금의 물질로 이루어지고, 인공 반강자성 구조는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금으로 구성된 자성층과 루테늄(Ru), 구리(Cu), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W) 등의 전도층으로 구성될 수 있다.The second magnetic layers 1213 and 1223 may include a magnetic layer and an antiferromagnetic layer. Also, The second magnetic layers 1213 and 1223 It may be an artificial antiferromagnetic layer. More specifically, the second magnetic layers 1213 and 1223 may be an artificial antiferromagnetic structure having a three-layered structure of a magnetic layer / a conductive layer / a magnetic layer, and the antiferromagnetic layer may include iridium (Ir), platinum (Pt) (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), or the like, ), Silicon (Si), zirconium (Zr), platinum (Pt), palladium (Pd), and alloys thereof and a magnetic layer made of ruthenium (Ru), copper (Cu), platinum (Pt), tantalum (Ti), tungsten (W), or the like.

상기 제2 자성층(1213, 1223) 및 제1 자성층(1211, 1221) 사이에는 절연층(1222)이 배치될 수 있다. 상기 절연층(1222)은 제2 자성층(1213, 1223)과 제1 자성층(1211, 1221) 사이에서 전류의 흐름을 제한하는 역할을 한다. An insulating layer 1222 may be disposed between the second magnetic layers 1213 and 1223 and the first magnetic layers 1211 and 1221. The insulating layer 1222 serves to restrict the current flow between the second magnetic layers 1213 and 1223 and the first magnetic layers 1211 and 1221.

상기 절연층(1222)은 특별히 제한되지 않지만, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화탄탈 및 산화지르코늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The insulating layer 1222 is not particularly limited, but may include at least one of aluminum oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, and zirconium oxide.

상기 제1 자성층(1211, 1221), 절연층(1222) 및 제2 자성층(1213, 1223)은 박막 증착을 위한 일반적인 공정, 예를 들면 원자층 증착(ALD), 화학 증착(CVD), 물리 증착(PVD)의 방법으로 형성할 수 있다. 각각의 두께는 수 nm 내지 수십 nm 일 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.The first magnetic layers 1211 and 1221, the insulating layer 1222 and the second magnetic layers 1213 and 1223 are formed by a general process for thin film deposition such as atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD) (PVD) method. Each thickness may be from several nm to several tens nm, and is not particularly limited.

상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 제2 자성층(1213, 1223)은 제2 전극(1300)과 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(1300)을 통해 각 셀의 전기 및 자성적 특성을 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(1300)은 반도체 소자(1000)에 있어서 읽기 선(read line)의 역할을 할 수 있다. The second magnetic layers 1213 and 1223 of the first cell 1210 and the second cell 1220 may be connected to the second electrode 1300. The electrical and magnetic characteristics of each cell can be determined through the second electrode 1300. Therefore, the second electrode 1300 may serve as a read line in the semiconductor device 1000.

상기 제2 전극(1300)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(1300)은 특별히 제한되지 않으며, 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The second electrode 1300 may include a conductive material. The second electrode 1300 is not particularly limited and may include at least one of nickel (Ni), tungsten (W), copper (Cu), and alloys thereof.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 전기적 또는 자기적 특성은 상기 제1 전극(1100)에 인가되는 전류의 크기에 의해 변화될 수 있다. 이 때, 각 셀에 포함되는 제1 자성층(1211, 1221)의 자화 방향 등의 자기적 특성이 변화될 수 있다. 이와 같이 제1 자성층(1211, 1221)의 자화 방향의 변화는 상기 제1 전극(1100)에 흐르는 전류의 크기 또는 주위의 자기장의 크기에 의존할 수 있다. As described above, the electrical or magnetic characteristics of the first cell 1210 and the second cell 1220 can be changed according to the magnitude of the current applied to the first electrode 1100. At this time, the magnetic characteristics such as the magnetization directions of the first magnetic layers 1211 and 1221 included in each cell can be changed. The change in the magnetization direction of the first magnetic layers 1211 and 1221 may depend on the magnitude of the current flowing in the first electrode 1100 or the magnitude of the surrounding magnetic field.

이때, 제2 전극(1300)에 흐르는 전류는 각 셀의 전기 또는 자기적 특성을 판단할 수 있는 정도의 크기이면 충분하기 때문에, 제1 자성층(1211, 1221) 및 제2 자성층(1213, 1223)의 자기적 특성을 변화시키기 않는다. The first and second magnetic layers 1211 and 1221 and the second and third magnetic layers 1213 and 1223 are formed on the second electrode 1300, It does not change the magnetic properties of the magnet.

도 2를 참조하면, 제1 자성층(1211)의 자화 방향은, 위아래로 향하는 화살표가 의미하는 바와 같이 두 방향으로 변할 수 있다. 이와 반대로, 제2 자성층(1213)의 자화 방향은, 위로만 향하는 화살표가 의미하는 바와 같이 변하지 않을 수 있다. Referring to FIG. 2, the magnetization direction of the first magnetic layer 1211 can be changed in two directions, as indicated by the upward and downward arrows. On the contrary, the magnetization direction of the second magnetic layer 1213 may not change as indicated by an arrow pointing upward.

본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(1000)는, 제1 전극(1100); 상기 제1 전극(1100)에 인가되는 전류를 제어하는 전류 제어 스위치; 및 상기 스위치에 의해 제어된 전류에 의하여 자화 방향이 제어되는 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220);을 포함할 수 있다.A semiconductor device 1000 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 1100; A current control switch for controlling a current applied to the first electrode 1100; And a first cell 1210 and a second cell 1220 whose magnetization direction is controlled by a current controlled by the switch.

상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 앞서 설명한 바와 같이, 주위의 전류 또는 자기에 의해 자기적 특성이 변할 수 있는 제1 자성층(1211, 1221)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 자성층(1211, 1221) 상에 배치된 절연층(1212, 1222), 상기 절연층(1212, 1222) 상에 배치된 제2 자성층(1213, 1223) 및 상기 제2 자성층(1213, 1223)에 연결된 제2 전극(1300)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 자성층(1211, 1221), 절연층(1212, 1222), 제2 자성층(1213, 1223), 제1 전극(1100) 및 제2 전극(1300)에 관한 내용은 앞서 설명한 것과 일치할 수 있다. As described above, the first cell 1210 and the second cell 1220 may include first magnetic layers 1211 and 1221 whose magnetic characteristics can be changed by surrounding electric current or magnetism. In addition, the insulating layers 1212 and 1222 disposed on the first magnetic layers 1211 and 1221, the second magnetic layers 1213 and 1223 disposed on the insulating layers 1212 and 1222, and the second magnetic layer 1213 And 1223, respectively. The contents of the first magnetic layers 1211 and 1221, the insulating layers 1212 and 1222, the second magnetic layers 1213 and 1223, the first electrode 1100 and the second electrode 1300 may be the same as those described above have.

상기 제1 전극(1100)에 인가되는 전류는 전류 제어 스위치를 통하여 제어된다. 상기 전류 제어 스위치가 온(On) 상태가 되면 상기 제1 전극(1100)에 전류가 흐르게 되고, 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1211, 1221)은 상기 제1 전극(1100)에 흐르는 전류의 영향을 받게 된다. 이로 인하여, 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 상기 제1 전극(1100)에 공급되는 전류에 의해 자화 방향이 변경될 수 있다.The current applied to the first electrode 1100 is controlled through a current control switch. When the current control switch is turned on, current flows through the first electrode 1100 and the first magnetic layers 1211 and 1221 of the first cell 1210 and the second cell 1220 are electrically connected to the first electrode 1100, The current flowing through the first electrode 1100 is affected. Accordingly, the magnetization direction of the first cell 1210 and the second cell 1220 can be changed by the current supplied to the first electrode 1100.

상기 전류 제어 스위치는 반도체 소자(1000)에서 전류 또는 전압 제어에 사용되는 스위치일 수 있으며, 재료, 형상 및 기능이 특별히 제한되지 않는다. 특히, 상기 전류 제어 스위치는 DRAM 등의 쓰기 선(write line)에 인가되는 전류를 제어하는데 사용되는 스위치일 수 있다. 도 8에 전류 제어 스위치(2400)의 일 예가 도시되어 있다.The current control switch may be a switch used for current or voltage control in the semiconductor device 1000, and the material, shape, and function are not particularly limited. In particular, the current control switch may be a switch used to control a current applied to a write line of a DRAM or the like. An example of the current control switch 2400 is shown in Fig.

상기 전류 제어 스위치가 온(On) 상태가 됨으로써, 상기 제1 전극(1100)에 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1211, 1221)의 자화 방향 등의 자기적 특성을 변경하기에 충분한 정도의 전류가 인가되면 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 자기적 특성이 변경된다. The first electrode 1210 and the second cell 1220 are magnetized in the magnetization direction of the first magnetic layer 1211 and 1221 by the current control switch being turned on, The magnetic characteristics of the first cell 1210 and the second cell 1220 are changed when a current sufficient to change the characteristic of the first cell 1210 and the second cell 1220 is applied.

상기 전류 제어 스위치가 온(On) 상태가 됨으로써, 상기 제1 전극(1100)에 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 제1 자성층(1211, 1221) 중 어느 하나의 자화 방향 등의 자기적 특성만을 변경하기에 충분한 정도의 전류가 인가되면 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 자기적 특성이 선택적으로 변경된다. When the current control switch is turned on, the first electrode 1100 is magnetized in any one of the first and second magnetic layers 1211 and 1221 of the first cell 1210 and the second cell 1220, The magnetic characteristics of the first cell 1210 and the second cell 1220 are selectively changed when a current sufficient to change only the magnetic characteristics of the first cell 1210 and the second cell 1220 is applied.

상기 전류 제어 스위치가 오프(Off) 상태가 되면 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 자기적 특성은 변경된 상태로 유지되어 정보가 셀에 저장될 수 있다. When the current control switch is turned off, the magnetic characteristics of the first cell 1210 and the second cell 1220 are maintained in the changed state, so that information can be stored in the cell.

제2 전극(1300)에 전극을 인가하고 각 셀의 전기적 또는 자기적 특성 값을 읽으면 각 셀의 자기적 특성, 즉 각 셀에 저장된 정보를 알 수 있다. When the electrodes are applied to the second electrode 1300 and the electric or magnetic characteristic values of the cells are read, the magnetic characteristics of each cell, that is, the information stored in each cell, can be known.

앞서 설명한 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(1000)에서, 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)은 자기적 특성을 변화하는 전류의 크기, 즉 임계전류는 서로 다를 수 있다. 이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 임계전류가 서로 다른 셀의 거동을 설명한다. In the semiconductor device 1000 according to the embodiment of the present invention described above, the first cell 1210 and the second cell 1220 may have different magnitudes of currents that change magnetic characteristics, that is, threshold currents. Hereinafter, the behavior of cells with different threshold currents will be described with reference to FIGS. 3 to 5. FIG.

도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(1000)에서 변칙 홀 효과(AHE: Anomalous Hall Effect) 전압 측정을 설명하기 위해 도시한 것이고, 도 4는 도 3의 측정 방법을 이용하여 자기장에 따른 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 상태 변화를 도시한 것이고, 도 5는 도 3의 측정 방법을 이용하여 전류에 따른 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 상태 변화를 도시한 것이다. 구체적으로 상기 도 4 및 도 5는 각 셀의 제1 자성층(1211, 1221)의 상태 변화를 도시한 것이다.FIG. 3 is a diagram illustrating anomalous Hall effect (AHE) voltage measurement in a semiconductor device 1000 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 illustrates states of the first cell 1210 and the second cell 1220 according to the current using the measuring method of FIG. 3, and FIG. Change. 4 and 5 illustrate state changes of the first magnetic layers 1211 and 1221 of each cell.

도 3과 같이 제1 전극(1100)에 전류를 인가하고 외부 자기장이 존재하는 상태에서 서로 임계전류가 상이한 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)을 배치함으로, 상기 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 변칙 홀 저항(RH: Anomalous Hall Resistance)의 변화를 측정할 수 있다. 3, a first cell 1210 and a second cell 1220 having different threshold currents are disposed in a state where an electric current is applied to the first electrode 1100 and an external magnetic field is present, And anomalous Hall Resistance (R H ) of the second cell 1220 can be measured.

도 4를 참조하면, 자기장의 크기에 따라 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 자화 방향이 상(Up) 및 하(Down)으로 개별적으로 변화함으로 알 수 있고, 이로부터 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 자기적 특성이 서로 상이함을 알 수 있다. Referring to FIG. 4, the magnetization directions of the first cell 1210 and the second cell 1220 can be seen to change upward and downward according to the magnitude of the magnetic field, It can be seen that the magnetic properties of the cell 1210 and the second cell 1220 are different from each other.

또한, 도 5를 참조하면, 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 자화 방향이 제1 전극(1100)에 인가되는 전류에 따라 상(Up) 및 하(Down)로 반전됨을 알 수 있다. 제1 셀(1210)의 경우, 상(Up)에서 하(Down)로 자화 방향이 변화되는 임계 전류는 -11.5mA이고, 하(Down)에서 상(Up)으로 자화 방향이 변화되는 임계 전류는 +9.5mA이다. 제2 셀(1220)의 경우, 상(Up)에서 하(Down)로 자화 방향이 변화되는 임계 전류는 -13.5mA이고, 하(Down)에서 상(Up)으로 자화 방향이 변화되는 임계 전류는 +11.5mA이다. 5, it can be seen that the magnetization directions of the first cell 1210 and the second cell 1220 are reversed to Up and Down according to the current applied to the first electrode 1100 . In the case of the first cell 1210, the threshold current at which the magnetization direction is changed from Up to down is -11.5 mA and the threshold current at which the magnetization direction is changed from Down to Up is + 9.5mA. In the case of the second cell 1220, the threshold current at which the magnetization direction is changed from Up to Down is -13.5 mA and the threshold current at which the magnetization direction is changed from Down to Up is + 11.5mA.

도 6 및 도 7을 통해 도 3의 반도체 소자(1000)에 포함된 복수의 셀이 하나의 전류 제어 스위치를 이용하여 제어되는 방법을 설명한다.6 and 7, a method in which a plurality of cells included in the semiconductor device 1000 of FIG. 3 are controlled using one current control switch will be described.

도 6 및 도 7은 도 3의 반도체 소자(1000)의 자화 방향 변화를 도시한 것이다. 도 6은 전체 셀의 자화 방향 변화를 도시한 것으로, 자기장에 따른 전체 셀의 자화방향을 보여준다. 도 7은 전체 셀의 자화 방향 변화를 도시한 것으로, 제1 전극에 흐르는 전류를 변화시킴에 따라 변칙 홀 전압이 변화하는 것을 보여준다. 구체적으로 도 6 및 도 7에서 제1자성층의 자화 방향 변화를 도시 한 것이다.Figs. 6 and 7 show changes in the magnetization direction of the semiconductor device 1000 of Fig. FIG. 6 shows the magnetization direction change of the entire cell, and shows the magnetization direction of the entire cell according to the magnetic field. FIG. 7 shows changes in the magnetization direction of all the cells, and shows that the anisotropic Hall voltage changes as the current flowing through the first electrode is changed. Specifically, FIGS. 6 and 7 show changes in the magnetization direction of the first magnetic layer.

도 7을 참조하면, 반도체 소자(1000)의 제1 전극(1100)에 -13.5mA의 전류를 인가한 경우 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220) 모두 자화 방향이 하(Down) 방향으로 변화된다. 이는 인가된 전류 -13.5mA가 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 상(Up)-하(Down) 방향의 임계전류과 같거나 크기 때문이다. 다음으로 제1 전극(1100)에 +9.5mA를 인가하면 제1 셀(1210)의 자화 방향만 하(Down)에서 상(Up) 방향으로 변경된다. 이는 인가된 전류 +9.5mA는 제1 셀(1210)의 하(Down)-상(Up) 방향의 임계전류에 해당하지만 제2 셀(1220)의 하(Down)-상(Up) 방향의 임계전류보다 작기 때문이다. 다음으로 제1 전극(1100)에 +11.5mA를 인가하면 제2 셀(1220)의 자화 방향도 하(Down)에서 상(Up) 방향으로 변경된다. 이는 인가된 전류 +11.5mA가 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220)의 하(Down)-상(Up) 방향의 임계전류과 같거나 크기 때문이다. 다음으로 제1 전극(1100)에 -11.5mA를 인가하면 제1 셀(1210)의 자화 방향만 상(Up)에서 하(Down) 방향으로 변경된다. 이는 인가된 -11.5mA가 제1 셀(1210)의 상(Up)-하(Down) 방향의 임계전류에 해당하지만 제2 셀(1220)의 상(Up)-하(Down) 방향의 임계전류보다 작기 때문이다. 다음으로 제1 전극(1100)에 -13.5mA를 인가하면 제1 셀(1210) 및 제2 셀(1220) 모두 자화 방향이 하(Down) 방향으로 변화된다. 다음으로 제1 전극(1100)에 +9.5mA를 인가하면 제1 셀(1210)의 자화 방향만 하(Down)에서 상(Up) 방향으로 변경된다. 이와 같이 각 셀의 자화 방향을 제어함으로써 반도체 소자(1000)의 변칙 홀 저항(RH: Anomalous Hall Resistance) 값이 멀티 레벨을 가질 수 있다. 7, when a current of -13.5 mA is applied to the first electrode 1100 of the semiconductor device 1000, both the first cell 1210 and the second cell 1220 are magnetized in the downward direction . This is because the applied current of -13.5 mA is equal to or greater than the threshold current in the Up-down direction of the first cell 1210 and the second cell 1220. Next, when + 9.5 mA is applied to the first electrode 1100, only the magnetization direction of the first cell 1210 changes from the down direction to the up direction. This is because the applied current + 9.5 mA corresponds to the critical current in the down-up direction of the first cell 1210 but the critical current in the down-up direction of the second cell 1220 Current. Next, when + 11.5 mA is applied to the first electrode 1100, the magnetization direction of the second cell 1220 also changes from the down direction to the up direction. This is because the applied current + 11.5 mA is equal to or greater than the threshold current in the down-up direction of the first cell 1210 and the second cell 1220. Next, when -11.5 mA is applied to the first electrode 1100, only the magnetization direction of the first cell 1210 is changed from the Up direction to the Down direction. This is because the applied -11.5 mA corresponds to the threshold current in the up-down direction of the first cell 1210 but the threshold current in the up-down direction of the second cell 1220 . Next, when -13.5 mA is applied to the first electrode 1100, the magnetization direction of both the first cell 1210 and the second cell 1220 changes toward the down direction. Next, when + 9.5 mA is applied to the first electrode 1100, only the magnetization direction of the first cell 1210 changes from the down direction to the up direction. By controlling the magnetization direction of each cell as described above, the value of the anomalous Hall Resistance (R H ) of the semiconductor device 1000 can be multi-level.

상기한 바와 같이, 도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 전극(1100)에 연결된 복수의 셀을 포함하는 반도체 소자(1000)에 있어서, 상기 제1 전극(1100)의 전류를 제어함으로써 멀티 레벨의 변칙 홀 저항(RH: Anomalous Hall Resistance)을 구현할 수 있다. 6 and 7, in the semiconductor device 1000 including a plurality of cells connected to the first electrode 1100, the current of the first electrode 1100 is controlled by controlling the current of the first electrode 1100, (R H : Anomalous Hall Resistance).

도 8은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(2000)를 도시한 것이다. 도 8을 참조하면, 제1 전극(2100)에 보다 많은 수의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)이 연결된 반도체 소자(2000)의 형상을 이해할 수 있다. Figure 8 illustrates a semiconductor device 2000 according to another embodiment of the present invention. 8, a shape of a semiconductor device 2000 to which a greater number of cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250, and 2260 are connected to the first electrode 2100 can be understood.

도 8에서 제1 전극(2100)에 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)이 연결되고, 제1 전극(2100)에 인가되는 전류는 제1 전극(2100)에 연결된 하나의 전류 제어 스위치(2400)에 의해 제어된다. 상기 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)은 자기적 특성의 변화에 대한 임계전류가 서로 상이할 수 있다. 이 때, 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)의 임계전류 값 중에서 가장 낮은 임계전류 값 보다 낮은 값의 전류를 제1 전극(2100)에 인가하면 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)의 자기적 특성은 변하지 않는다. 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)의 임계전류 값 중에서 가장 큰 임계전류 값 보다 같거나 높은 값의 전류를 제1 전극(2100)에 인가하면 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)의 자기적 특성은 모두 변한다. 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)의 임계전류 값 중에서 가장 큰 임계전류 값과 가장 낮은 임계전류 값 사이의 전류를 제1 전극(2100)에 인가하면 6개 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260) 중에서 일부의 셀만 자기적 특성이 변할 수 있다. 6, six cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250 and 2260 are connected to the first electrode 2100 and a current applied to the first electrode 2100 is connected to the first electrode 2100 The current control switch 2400 of FIG. The six cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250, and 2260 may have different threshold currents for changes in magnetic characteristics. If a current having a value lower than the lowest threshold current value among the threshold current values of the six cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250, and 2260 is applied to the first electrode 2100, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260) do not change. When a current having a value equal to or higher than the threshold current value of the six cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250, and 2260 is applied to the first electrode 2100, six cells 2210 and 2220 , 2230, 2240, 2250, 2260) are all changed. When a current between the highest critical current value and the lowest critical current value among the critical current values of the six cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250, and 2260 is applied to the first electrode 2100, , 2220, 2230, 2240, 2250, 2260).

이 경우, 6개의 셀(2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260)을 통하여 구현할 수 있는 정보(예를 들면, 변칙 홀 저항(RH: Anomalous Hall Resistance))은 다음과 같다. 반도체 소자의 쓰기 선(write line)에 데이터를 상(Up) 방향으로 초기화하는 전류를 인가하여 6개 셀의 자기 방향을 상(Up)으로 초기화한 경우에는, 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-하(Down), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 하(Down)-하(Down), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 상(Up)- 상(Up)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 상(Up)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down)의 8가지일 수 있다. 또한, 반도체 소자의 쓰기 선(write line)에 데이터를 하(Down) 방향으로 초기화하는 전류를 인가하여 6개 셀의 자기 방향을 하(Down)로 초기화한 경우에는, 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon), 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)-상(Up), 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 상(Up)-상(Up), 하(Dwon)- 하(Dwon)- 하(Dwon)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up), 하(Dwon)- 하(Dwon)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up), 하(Dwon)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up)의 8가지일 수 있다. 따라서, 6개의 셀을 통해 구현할 수 있는 정보는, 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-하(Down), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 하(Down)-하(Down), 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 상(Up)- 상(Up)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 상(Up)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-하(Down), 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)-상(Up), 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 상(Up)-상(Up), 하(Down)- 하(Down)- 하(Down)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up), 하(Down)- 하(Down)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up), 하(Down)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)- 상(Up)-상(Up)의 12가지 일 수 있다. 즉, n 개의 셀을 통해 2n 개의 정보를 구현할 수 있다.In this case, information (for example, anomalous Hall resistance (R H )) that can be implemented through the six cells 2210, 2220, 2230, 2240, 2250 and 2260 is as follows. When a current for initializing data in the Up direction is applied to a write line of a semiconductor device to initialize the magnetic directions of six cells to Up, - Up - Up - Up - Up - Up - Up - Up - Up - Up - Up - Up-Up-Up-Up-Down-Down, Up-Up-Up- - Down - Down, Up - Up - Down - Down - Down - Up - Down - -Down -Down -Down -Down, Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down -Down-Down-Down-Down-Down- ≪ / RTI > When a current for initializing data in a down direction is applied to a write line of a semiconductor device and a magnetic direction of six cells is initialized to a down direction, Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Up, Dwon - Dwon - Dwon - Dwon - Up - Up, Dwon - Dwon - Dwon - Up - Up - Dwon - Dwon - Up - Up - Up - Up, Dwon - Upper - Up-Up-Up-Up-Up-Up-Up-Up-Up- Up). Therefore, the information that can be implemented through the six cells is an up-phase-up-phase-up-phase-up-phase, an up-phase Up - Up - Up - Down - Up - Up - Up - Up - Down - Down - Up - Up - Up - Down - Down - Up - Up - Down - Down Down - Down - Down - Up - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Down - Up - Up - Down - Down - Down - Down - Up - Up - Down - Down - Up - Up - Up - Up - Down - Up - Up - Up - Up, Down - Up - Up-up-up-up-up-up-up Up. That is, 2n pieces of information can be implemented through n cells.

하나의 셀에 하나의 스위치가 연결되어 셀을 제어하는 경우에는 하나의 스위치가 2가지의 정보를 제어할 수 있다. 도 8에 도시된 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(2000)의 경우는 하나의 스위치로 6개 셀의 각각의 상태를 제어할 수 있기 때문에 12가지의 정보를 제어할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(2000)는 하나의 셀에 하나의 스위치가 연결된 종래의 반도체 소자에 비하여 스위치의 개수에 대한 높은 정보 집적도를 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(2000)는 고도의 집적화가 가능하여 반도체 소자(2000)의 성능 향상 및 제조 비용 감소의 효과가 있다. When one switch is connected to one cell to control the cell, one switch can control two kinds of information. In the case of the semiconductor device 2000 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 8, 12 states can be controlled because each state of six cells can be controlled by one switch. Therefore, the semiconductor device 2000 according to the embodiment of the present invention can have a high information density with respect to the number of switches compared to a conventional semiconductor device in which one switch is connected to one cell. Therefore, the semiconductor device 2000 according to the embodiment of the present invention can be highly integrated, thereby improving the performance of the semiconductor device 2000 and reducing the manufacturing cost.

도 9는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(3000)를 도시한 것이다. 도 9를 참조하면, 제1 전극(3100)은 상부 전극 및 하부 전극으로 구분될 수 있다. 상기 하부 전극은 중금속, 특히 탄탈륨(Ta)을 포함할 수 있고, 상기 상부 전극은 상기 하부 전극 상에 배치되고 반강자성물질, 특히 이리륨-망간(IrMn)을 포함할 수 있다. 9 shows a semiconductor device 3000 according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, the first electrode 3100 may be divided into an upper electrode and a lower electrode. The lower electrode may comprise heavy metals, in particular tantalum (Ta), and the upper electrode may be disposed on the lower electrode and may comprise an antiferromagnetic material, especially iridium-manganese (IrMn).

도 10은 도 9의 반도체 소자(3000)가 자기장이 없는 환경에서 제1 자성층(3211)의 자화방향이 제1 전극(3100)에 인가된 전류에 의해 변화함을 도시한 것이다. 도 10에서 제1 전극(3100)의 하부 전극은 탄탈륨(Ta), 상부 전극은 이리륨-망간(IrMn), 제1 자성층(3211)은 CoFeB, 절연층(3212)은 MgO를 포함하여 반도체 소자(3000)를 제작한 후, 제1 전극(3100)에 전류를 인가하여 변칙 홀 저항을 측정하였다. 도 10을 참조하면, 반강자성물질을 포함하는 상부 전극 상에 자성물질을 포함하는 제1 강자성층을 배치함으로써 외부의 자기장을 인가하지 않은 상태에서 상기 제1 자성층(3211)의 자기적 특성을 보다 쉽게 변화시킬 수 있다. FIG. 10 shows that the magnetization direction of the first magnetic layer 3211 is changed by the current applied to the first electrode 3100 in an environment in which the semiconductor device 3000 of FIG. 9 has no magnetic field. 10, the lower electrode of the first electrode 3100 is made of tantalum, the upper electrode is made of iridium-manganese (IrMn), the first magnetic layer 3211 is made of CoFeB, and the insulating layer 3212 is made of MgO, (3000), and then an electric current was applied to the first electrode (3100) to measure anomalous hole resistance. 10, a first ferromagnetic layer containing a magnetic material is disposed on an upper electrode including an anti-ferromagnetic material, so that the magnetic characteristics of the first magnetic layer 3211 can be determined in a state where no external magnetic field is applied It can be easily changed.

도 11은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(6000)를 도시한 것이다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(6000)는, 제1 전극(6100); 상기 제1 전극(6100)과 연결된 셀(6210, 6220); 및 상기 셀(6210, 6220)과 전기적으로 연결되어 상기 셀에 전압을 인가하는 셀 제어 전극(6510, 6520);을 포함하고, 상기 셀 제어 전극(6510, 6520)에 의해 인가되는 전압에 의해 상기 셀(6210, 6220)의 전기적 또는 자기적 특성을 조절한다. 이 때, 상기 셀 제어 전극(6510, 6520) 및 셀(6210, 6220) 사이에 게이트 절연층(6610, 6620)을 더 포함할 수 있다.11 shows a semiconductor device 6000 according to another embodiment of the present invention. 11, a semiconductor device 6000 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 6100; Cells 6210 and 6220 connected to the first electrode 6100; And cell control electrodes 6510 and 6520 electrically connected to the cells 6210 and 6220 and applying a voltage to the cells, And adjusts the electrical or magnetic properties of the cells 6210 and 6220. At this time, a gate insulating layer 6610 and 6620 may be further disposed between the cell control electrodes 6510 and 6520 and the cells 6210 and 6220.

이 때, 상기 셀 제어 전극(6510, 6520)에 인가되는 전압을 조절하는 셀 제어 스위치를 더 포함할 수 있다.The cell control switch may further include a cell control switch for controlling a voltage applied to the cell control electrodes 6510 and 6520.

상기 셀 제어 전극(6510, 6520)에 의해 인가되는 전압이 일정한 값을 넘는 경우 상기 셀(6210, 6220)의 전기적 또는 자기적 특성이 변화될 수 있다. If the voltage applied by the cell control electrodes 6510 and 6520 exceeds a predetermined value, the electrical or magnetic characteristics of the cells 6210 and 6220 may be changed.

상기 셀(6210, 6220)은 셀 제어 전극(6510, 6520)에 의해 인가되는 전압에 의해 전기적 또는 자기적 특성이 변화될 수 있는 물질 및 구성을 포함한다. 상기 전기적 또는 자기적 특성은 상기 셀(6210, 6220)의 자화 방향 변경에 대한 임계전류의 크기일 수 있다.The cells 6210 and 6220 include materials and configurations in which the electrical or magnetic characteristics can be changed by the voltage applied by the cell control electrodes 6510 and 6520. The electrical or magnetic characteristic may be the magnitude of the threshold current for the change of the magnetization direction of the cells 6210 and 6220.

상기 셀 제어 전극(6510, 6520)에 의해 인가된 전압에 의해 변화된 셀(6210, 6220)의 특성에 의해, 셀(6210, 6220)에 정보를 입력하는 데 필요한 조건이 변경될 수 있다. 예를 들면, 셀(6210, 6220)에 전압을 인가하여 상기 셀(6210, 6220)의 자화 방향 변경에 대한 임계전류 값을 변경할 수 있다. 이 경우 쓰기 선(write line)에 특정 전류를 인가하더라도 셀(6210, 6220)의 자화 방향이 변경되지 않을 수 있다. 즉, 셀(6210, 6220)의 쓰기에 대한 조건을 변경할 수 있고, 이에 따라 반도체 소자의 쓰기 선(write line)에 인가되는 전류 값, 용량 등을 제어할 수 있다. The conditions required for inputting information to the cells 6210 and 6220 can be changed by the characteristics of the cells 6210 and 6220 changed by the voltages applied by the cell control electrodes 6510 and 6520. [ For example, a voltage may be applied to the cells 6210 and 6220 to change the threshold current value for the magnetization direction change of the cells 6210 and 6220. In this case, even if a specific current is applied to the write line, the magnetization directions of the cells 6210 and 6220 may not change. That is, the conditions for the writing of the cells 6210 and 6220 can be changed, so that the current value, capacity, and the like applied to the write line of the semiconductor device can be controlled.

또한, 상기 셀(6210, 6220)은 2 이상이고, 상기 셀(6210, 6220)에 연결된 각각의 셀 제어 전극(6510, 6520)에 의해 인가되는 전압에 의해 상기 셀(6210, 6220)의 전기적 특성을 각각 제어할 수 있다. 상기 각각의 셀 제어 전극(6510, 6520)을 통해 인가되는 전압을 통하여 각각의 셀(6210, 6220)에 서로 다른 전압을 인가함으로써 상기 셀(6210, 6220)에 정보를 입력하는 데 필요한 전류 값이 다르게 설정되도록 할 수 있다. In addition, the number of the cells 6210 and 6220 is two or more, and the electrical characteristics of the cells 6210 and 6220 are determined by the voltages applied by the respective cell control electrodes 6510 and 6520 connected to the cells 6210 and 6220, Respectively. A current value required for inputting information to the cells 6210 and 6220 by applying different voltages to the respective cells 6210 and 6220 through voltages applied through the respective cell control electrodes 6510 and 6520 It can be set differently.

상기 셀(6210, 6220)은 제1 자성층(6211, 6221)을 포함하고, 상기 셀 제어 전극(6510, 6520)에 인가되는 전압은 상기 제1 자성층(6211, 6221)의 전기적 또는 자기적 특성을 조절할 수 있다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(6000)는 제1 전극(6100); 상기 제1 전극(6100)과 전기적으로 연결되고, 제1 자성층(6211, 6221)을 포함하는 셀(6210, 6220); 상기 제1 자성층(6211, 6221) 상에 배치된 절연층(6610, 6620) 및 상기 절연층(6610, 6620) 상에 배치된 셀 제어 전극(6510, 6520)을 포함할 수 있다. 상기 셀 제어 전극(6510, 6520)에 가해지는 전압에 의해 상기 제1 자성층(6211, 6221)의 전기적 또는 자기적 성질이 변할 수 있다. 이와 같이 각각의 셀 제어 전극(6510, 6520)을 통해 각각의 셀(6210, 6220)의 특성을 변화시킬 수 있다. The cells 6210 and 6220 include first magnetic layers 6211 and 6221 and the voltage applied to the cell control electrodes 6510 and 6520 is a function of the electrical or magnetic characteristics of the first magnetic layers 6211 and 6221 Can be adjusted. 11, a semiconductor device 6000 according to an embodiment of the present invention includes a first electrode 6100; Cells (6210, 6220) electrically connected to the first electrode (6100) and including first magnetic layers (6211, 6221); Insulating layers 6610 and 6620 disposed on the first magnetic layers 6211 and 6221 and cell control electrodes 6510 and 6520 disposed on the insulating layers 6610 and 6620. The electrical or magnetic properties of the first magnetic layers 6211 and 6221 can be changed by the voltage applied to the cell control electrodes 6510 and 6520. Thus, the characteristics of the cells 6210 and 6220 can be changed through the respective cell control electrodes 6510 and 6520.

도 12는 도 11의 반도체 소자의 변칙 홀 저항을 측정하기 위한 실험 모식도를 도시한 것이고, 도 13 내지 도 15는 도 12를 이용하여 측정한 변칙 홀 저항을 도시한 것이다.FIG. 12 is a schematic diagram of an experiment for measuring anomalous Hall resistance of the semiconductor device of FIG. 11, and FIGS. 13 to 15 show anomalous Hall resistance measured by using FIG.

도 12에서 제1 전극(6100)은 Ta를 이용하여 5 nm 두께로 형성하였고, 제1 자성층을 포함하는 제1 셀 및 제2 셀(6610, 6620)은 CoFeB를 이용하여 1 nm 두께로 형성하였으며, 절연층은 상기 제1 셀 및 제2 셀(6610, 6620) 상에 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(AlOx), 산화지르코늄(ZrOx)을 각각 1.6 nm, 1.5 nm, 40 nm 두께로 형성하였고, 제1 및 제2 셀 제어 전극(6510, 6520)은 루테늄(Ru)을 이용하여 형성하였다. 도 12에서 각각의 셀(6210, 6220)상에 배치된 셀 제어 전극(6510, 6520)에 각각 VG1 및 VG2을 인가하였고, 제1 전극(6100)에 전류를 인가하였다. VG1 및 VG2은 - 수십 V에서 + 수십 V까지 변경하여 인가하였다. In FIG. 12, the first electrode 6100 is formed to a thickness of 5 nm using Ta, and the first and second cells 6610 and 6620 including the first magnetic layer are formed to a thickness of 1 nm using CoFeB (MgO), aluminum oxide (AlOx) and zirconium oxide (ZrOx) were formed to a thickness of 1.6 nm, 1.5 nm and 40 nm on the first and second cells 6610 and 6620, respectively And the first and second cell control electrodes 6510 and 6520 are formed using ruthenium (Ru). VG1 and VG2 are respectively applied to the cell control electrodes 6510 and 6520 disposed on the respective cells 6210 and 6220 in FIG. 12, and a current is applied to the first electrode 6100. V G1 and V G2 were changed from several tens V to several tens V and applied.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 제1 및 제2 셀 제어 전극(6510, 6520)에 + 전압을 인가하면 보자력(HC) 및 임계전류(JC)가 감소하고, 반대로 - 전압을 인가하면 보자력(HC) 및 임계전류(JC)가 증가함을 알 수 있다. 이와 같이 VG1 및 VG2에 의해 변화된 보자력(HC) 및 임계전류(JC)는 VG1 및 VG2을 제거하여도 유지되는 비휘발성 특성을 갖는다. 이를 통하여, 각각의 셀의 자기적 또는 전기적 성질이 셀 제어 전극에 가해지는 전압에 의해 조절될 수 있음을 알 수 있다. Referring to FIGS. 13 to 15, when a positive voltage is applied to the first and second cell control electrodes 6510 and 6520, the coercive force H C and the threshold current J C decrease. It can be seen that the coercive force (H C ) and the critical current (J C ) increase. Thus it changed the coercivity (H C) and critical current (J C) by a V G1 and V G2 has a non-volatile property is also maintained by removing the V G1 and V G2. Through this, it can be seen that the magnetic or electrical properties of each cell can be controlled by the voltage applied to the cell control electrode.

도 16은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자를 도시한 것이다. 도 16을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(7000)는 제1제1 자전극(7100); 상기 제1 전극(7100)와 전기적으로 연결되고, 제1 자성층(7211, 7221), 상기 제1 자성층(7211, 7221) 상에 배치된 절연층(7212, 7222) 및 상기 절연층(7212, 7222) 상에 배치된 제2 자성층(7213, 7223)을 포함하는 셀; 및 상기 제2 자성층(7213, 7223) 상에 배치된 셀 제어 전극(7510, 7520)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2 자성층(7213, 7223) 아래에 배치된 절연층(7212, 7222)은 게이트 절연층의 역할을 할 수 있다. 상기 셀 제어 전극(7510, 7520)은 제2 자성층(7213, 7223)에 전류를 인가하고, 상기 제2 자성층(7213, 7223)에 인가되는 전압에 의해 상기 제1 자성층(7211, 7221)의 전기적 또는 자기적 성질이 변할 수 있다. 이와 같이 각각의 셀 제어 전극(7510, 7520)을 통해 각각의 셀(7210, 7220)의 특성을 변화시킬 수 있다.16 illustrates a semiconductor device according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 16, a semiconductor device 7000 according to an embodiment of the present invention includes a first first-letter electrode 7100; Insulating layers 7212 and 7222 electrically connected to the first electrode 7100 and disposed on the first magnetic layers 7211 and 7221 and the first magnetic layers 7211 and 7221 and the insulating layers 7212 and 7222 A second magnetic layer 7213, 7223 disposed on the second magnetic layer 7213; And cell control electrodes 7510 and 7520 disposed on the second magnetic layers 7213 and 7223. [ In this case, the insulating layers 7212 and 7222 disposed under the second magnetic layers 7213 and 7223 can serve as a gate insulating layer. The cell control electrodes 7510 and 7520 apply a current to the second magnetic layers 7213 and 7223 and electrically connect the first and second magnetic layers 7211 and 7221 to the first and second magnetic layers 7213 and 7223, Or the magnetic properties may change. Thus, the characteristics of the cells 7210 and 7220 can be changed through the respective cell control electrodes 7510 and 7520.

도 16의 구조의 반도체에서 제2 자성층(7213, 7223)에 가해지는 전압에 의해 제1 자성층(7211, 7221)의 전기적 또는 자기적 성질이 변함은 Wei-Gang Wang 등의 논문(Electric-field-assisted switching in magnetic tunnel　junctions, Nature Materials, Volume: 11, Pages: 64-68, Year published: (2012))의 실험 결과에 의해 입증되었다. 상기 논문에서는 도 17에서 도시된 구조의 실험 셀을 만들어 실험하였다. 상기 실험에서 실험 셀(8000)은 제1 자성층(8100), 상기 제1 자성층(8100) 상에 배치된 절연층(8200) 및 상기 절연층(8200) 상에 배치된 제2 자성층(8300)으로 형성하였다. 상기 제1 자성층(8100)은 CoFeB를 1.3 nm 두께로 형성하였고, 상기 절연층(8200)은 MgO를 1.4 nm 두께로 형성하였고, 상기 제2 자성층(8300)은 CoFeB를 1.6 nm 두께로 형성하였다. 상기 제1 자성층(8100) 및 제2 자성층(8300)에 각각 전극을 연결하여 제2 자성층(8300)에 전압을 인가하였다. 이 때, 제2 자성층(8300)이 게이트 전극으로 작용하고 절연층(8200)이 게이트 산화막으로 작용하여 제1 자성층(8100)의 전기적 및 자기적 특성이 변경됨이 관찰되었다.The change in electric or magnetic properties of the first magnetic layers 7211 and 7221 due to the voltage applied to the second magnetic layers 7213 and 7223 in the semiconductor of the structure of FIG. 16 is described in Wei-Gang Wang, et al. assisted switching in magnetic tunnel junctions, Nature Materials, Volume: 11, Pages: 64-68, Year published: (2012)). In the above paper, an experimental cell having the structure shown in FIG. 17 was fabricated and tested. In this experiment, the test cell 8000 includes a first magnetic layer 8100, an insulating layer 8200 disposed on the first magnetic layer 8100, and a second magnetic layer 8300 disposed on the insulating layer 8200 . The first magnetic layer 8100 was formed of CoFeB to a thickness of 1.3 nm, the insulating layer 8200 of MgO was formed to a thickness of 1.4 nm, and the second magnetic layer 8300 of CoFeB was formed to a thickness of 1.6 nm. An electrode was connected to the first magnetic layer 8100 and the second magnetic layer 8300 to apply a voltage to the second magnetic layer 8300. It is observed that the second magnetic layer 8300 acts as a gate electrode and the insulating layer 8200 acts as a gate oxide film to change the electrical and magnetic characteristics of the first magnetic layer 8100.

도 11 및 도 16의 실시 예에서, 상기 제1 전극은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게, 상기 제1 전극은 중금속을 포함할 수 있다. 제1 전극이 중금속을 포함함으로써 셀의 제1 자성층의 자화 방향 등의 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. 이와 같이 스핀오빗토크를 이용하기 때문에 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자는 정보의 저장, 인식 및 전달 속도가 빠르고, 전력 소모가 낮다. In the embodiment of Figures 11 and 16, the first electrode may comprise a conductive material. More preferably, the first electrode may comprise a heavy metal. The first electrode includes a heavy metal, so that the magnetic characteristics such as the magnetization direction of the first magnetic layer of the cell can be changed. Since the spin orbit torque is used in this way, the semiconductor device according to the embodiment of the present invention has a fast storage, recognition and transfer speed of information and low power consumption.

제1 자성층은 자화 방향 등의 자기적 특성의 변화가 가능한 자유 자성층일 수 있다. 상기 제1 자성층의 자기적 특성은 주위의 전기 및 자기 특성에 의해 변경될 수 있다. 또한, 제1 전극-제1 자성층의 적층면에 대하여 수직이방성을 가질 수 있다. The first magnetic layer may be a free magnetic layer capable of changing the magnetic properties such as the magnetization direction. The magnetic characteristics of the first magnetic layer can be changed by surrounding electric and magnetic characteristics. Further, it may have perpendicular anisotropy with respect to the lamination plane of the first electrode-first magnetic layer.

상기 제1 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first magnetic layer may include at least one of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), silicon (Si), platinum (Pt), palladium .

이 때, 상기 제1 자성층은 자화 방향이 적층 방향에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 자성층은 전기적 또는 자기적 특성, 특히 자화 방향이 상기 제1 전극 상에 흐르는 수평 전류에 의해 변할 수 있다.At this time, the magnetization direction of the first magnetic layer may be perpendicular to the direction of stacking, and may have perpendicular anisotropy characteristics. In addition, the first magnetic layer may be changed in electrical or magnetic characteristics, in particular, in the direction of magnetization by the horizontal current flowing on the first electrode.

상기 제1 전극에 전류가 흐르는 경우라도 상기 제1 자성층의 자기적 특성을 변화시키는 데 충분한 정도의 전류가 흐르지 않는 때에는, 상기 제1 자성층의 자기적 특성은 변하지 않는다. 상기 제1 전극에 상기 제1 자성층의 자기적 특성을 변화시키는 데 충분한 정도의 전류가 흘러야 상기 제1 자성층의 자기적 특성이 변하게 되며, 이 때의 전류 값을 제1 자성층의 임계전류라고 할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극에 임계전류 이상의 전류를 흐름으로써 상기 제1 자성층의 전기적 또는 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. The magnetic characteristics of the first magnetic layer do not change when a current of sufficient magnitude to change the magnetic characteristics of the first magnetic layer does not flow even when a current flows through the first electrode. The magnetic characteristics of the first magnetic layer are changed by flowing a current of sufficient magnitude to change the magnetic characteristics of the first magnetic layer to the first electrode and the current value at this time is referred to as a threshold current of the first magnetic layer have. That is, the electric or magnetic characteristics of the first magnetic layer can be changed by flowing a current equal to or higher than the threshold current to the first electrode.

도 16을 참조하면, 상기 2 이상의 셀은 각각 제1 자성층(7211, 7221) 및 제2 자성층(7213, 7223)이 절연층(7212, 7222)에 의해 구분된 자기터널접합구조를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 2 이상의 셀은 상기 제1 자성층 상에 절연층을 포함할 수 있고, 상기 절연층 상에 제2 자성층이 배치됨으로써 상기 절연층을 사이에 두고 제1 자성층 및 제2 자성층이 마주하도록 배치될 수 있다. 16, the two or more cells may include a magnetic tunnel junction structure in which first and second magnetic layers 7211 and 7221 and second magnetic layers 7213 and 7223 are separated by insulating layers 7212 and 7222, respectively . More specifically, the two or more cells may include an insulating layer on the first magnetic layer, and the second magnetic layer is disposed on the insulating layer, so that the first magnetic layer and the second magnetic layer face each other with the insulating layer therebetween .

상기 제2 자성층은 자화 방향이 고정된 고정 자성층일 수 있으며, 적층면에 대하여 수직한 방향의 자화 방향을 갖는 물질, 즉 수직이방성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제2 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second magnetic layer may be a fixed magnetic layer having a fixed magnetization direction and may include a material having a magnetization direction perpendicular to the lamination plane, that is, a material having perpendicular anisotropy. More specifically, the second magnetic layer may include at least one of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), silicon (Si), silicon (Si), zirconium (Zr), platinum Pd) and alloys thereof.

또한, 상기 제2 자성층은 자성층 및 반강자성층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 자성층은 인공 반강자성층을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 자성층은 반강자성층 및 자성층/전도층/자성층의 3층 구조의 인공 반강자성 구조일 수 있으며, 반강자성층은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 철(Fe), 망간(Mn) 및 이들의 합금 또는 NiOx, CoOx, FeOx 등의 물질로 이루어지고, 인공 반강자성 구조는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금으로 구성된 자성층과 루테늄(Ru), 구리(Cu), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W) 등의 전도층으로 구성될 수 있다.In addition, the second magnetic layer may include a magnetic layer and an antiferromagnetic layer. Also, the second magnetic layer may include an artificial antiferromagnetic layer. More specifically, the second magnetic layer may be an artificial antiferromagnetic structure having a three-layer structure of an antiferromagnetic layer and a magnetic layer / conductive layer / magnetic layer, and the antiferromagnetic layer may include iridium (Ir), platinum (Pt) (Ni), boron (B), silicon (Si), nickel (Ni), aluminum (Ni), manganese (Mn) and alloys thereof or NiOx, CoOx, FeOx and the like. (Ru), copper (Cu), platinum (Pt), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (Ta), and a magnetic layer composed of a zirconium (Zr), a platinum (W) or the like.

도 16에서와 같이 상기 제2 자성층 및 제1 자성층 사이에는 절연층이 배치될 수 있다. 상기 절연층은 제2 자성층과 제1 자성층 사이를 전류의 흐름을 제한하는 역할을 한다.As shown in FIG. 16, an insulating layer may be disposed between the second magnetic layer and the first magnetic layer. The insulating layer serves to restrict a current flow between the second magnetic layer and the first magnetic layer.

상기 절연층은 특별히 제한되지 않지만, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화탄탈 및 산화지르코늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The insulating layer is not particularly limited, but may include at least one of aluminum oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, and zirconium oxide.

도 11 및 도 16을 참조하면, 상기 2 이상의 셀의 제2 자성층은 제2 전극과 연결될 수 있다. 상기 제2 전극을 통해 각 셀의 전기 및 자성적 특성을 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극은 반도체 소자에 있어서 읽기 선(read line)의 역할을 할 수 있다. Referring to FIGS. 11 and 16, the second magnetic layer of the two or more cells may be connected to the second electrode. And electrical and magnetic characteristics of each cell can be determined through the second electrode. Therefore, the second electrode may serve as a read line in the semiconductor device.

상기 제2 전극은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극은 특별히 제한되지 않으며, 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The second electrode may include a conductive material. The second electrode is not particularly limited and may include at least one of nickel (Ni), tungsten (W), copper (Cu), and an alloy thereof.

도 18은 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(5000)를 도시한 것이다. 도 18에서 제1 전극(5100)에 6개의 셀이 연결되고, 제1 전극(5100)에 인가되는 전류는 제1 전극(5100)에 연결된 하나의 전류 제어 스위치(5400)에 의해 제어된다. 상기 6개의 셀은 각각 연결된 셀 제어 전극(5510, 5520, 5530, 5540, 5550, 5560)을 통해 인가된 전압에 의해 의해 자기적 특성의 변화에 대한 임계전류가 서로 상이하도록 설정될 수 있다. 이 때, 6개의 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260)의 임계전류 값 중에서 가장 낮은 임계전류 값 보다 낮은 값의 전류를 제1 전극(5100)에 인가하면 6개의 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260)의 자기적 특성은 변하지 않는다. 6개의 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260)의 임계전류 값 중에서 가장 큰 임계전류 값 보다 같거나 높은 값의 전류를 제1 전극(5100)에 인가하면 6개의 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260)의 자기적 특성은 모두 변한다. 6개의 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260)의 임계전류 값 중에서 가장 큰 임계전류 값과 가장 낮은 임계전류 값 사이의 전류를 제1 전극(5100)에 인가하면 6개 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260) 중에서 일부의 셀만 자기적 특성이 변한다.18 shows a semiconductor device 5000 according to another embodiment of the present invention. In FIG. 18, six cells are connected to the first electrode 5100, and the current applied to the first electrode 5100 is controlled by one current control switch 5400 connected to the first electrode 5100. The six cells may be set such that the threshold currents for changes in the magnetic characteristics are different from each other by voltages applied through the cell control electrodes 5510, 5520, 5530, 5540, 5550, and 5560, respectively. If a current having a value lower than the lowest critical current value of the six cells 5210, 5220, 5230, 5240, 5250, and 5260 is applied to the first electrode 5100, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260) do not change. When a current having a value equal to or higher than the largest threshold current value among the threshold current values of the six cells 5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260 is applied to the first electrode 5100, six cells 5210, 5220 , 5230, 5240, 5250, 5260) are all changed. When a current between the highest critical current value and the lowest critical current value of the six cells 5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260 is applied to the first electrode 5100, six cells 5210 , 5220, 5230, 5240, 5250, 5260).

이 경우, 6개의 셀(5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260)을 통하여 구현할 수 있는 정보(예를 들면, 변칙 홀 저항(RH: Anomalous Hall Resistance))는 64개, 즉 2n 개일 수 있다. 앞서 도 8의 경우와 달리, 각각의 셀의 전기적 또는 자기적 특성을 셀 제어 전극(5510, 5520, 5530, 5540, 5550, 5560)을 통해 인가되는 전압을 이용하여 제어할 수 있기 때문에 정보 집적도가 높다.In this case, the six-cell (5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260) (for example, the anomalous Hall resistance (R H: Anomalous Hall Resistance)) information that can be implemented through a is 64, that is, 2 n clear up . Unlike the case of FIG. 8, since the electric or magnetic characteristics of each cell can be controlled by using the voltage applied through the cell control electrodes 5510, 5520, 5530, 5540, 5550, and 5560, high.

이와 같이, 반도체 소자(5000)를 제조한 후 셀의 전기적 또는 자기적 특성을 변경함으로써 사용자가 필요에 따라 반도체의 특성을 제어할 수 있다. As described above, by changing the electrical or magnetic characteristics of the cell after manufacturing the semiconductor device 5000, the user can control the characteristics of the semiconductor as needed.

도 19는 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(4000)를 도시한 것이다. 도 19를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예를 따르는 반도체 소자(4000)는, 제1 전극(4100); 상기 제1 전극(4100)과 연결된 셀(4210, 4220); 및 상기 셀(4210, 4220)과 연결되고, 상기 셀(4210, 4220)의 전기적 또는 자기적 특성을 조절하는 셀 제어 전극(4510, 4520); 를 포함한다. 이 때, 상기 셀 제어 전극(4510, 4520)에 인가되는 전압을 제어하는 셀 제어 스위치를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 셀 제어 전극(4510, 4520) 및 셀(4210, 4220) 사이에 게이트 절연층(4610, 4620)을 더 포함할 수 있다. 19 shows a semiconductor device 4000 according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 19, a semiconductor device 4000 according to another embodiment of the present invention includes a first electrode 4100; Cells 4210 and 4220 connected to the first electrode 4100; Cell control electrodes 4510 and 4520 connected to the cells 4210 and 4220 and regulating electrical or magnetic characteristics of the cells 4210 and 4220; . In this case, a cell control switch for controlling a voltage applied to the cell control electrodes 4510 and 4520 may be further included. In addition, a gate insulating layer 4610 and 4620 may be further disposed between the cell control electrodes 4510 and 4520 and the cells 4210 and 4220.

상기 셀(4210, 4220)은 제1 자성층(4211, 4221)을 포함하고, 상기 셀 제어 전극(4510, 4520)는 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 전기적 또는 자기적 특성을 조절할 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(4100)에 공급되는 전류에 의해 상기 셀(4210, 4220)의 자화 방향이 제어될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(4100)에 연결되고, 상기 제1 전극(4100)으로의 전류를 제어하는 전류 제어 스위치를 더 포함할 수 있다.The cells 4210 and 4220 include first magnetic layers 4211 and 4221 and the cell control electrodes 4510 and 4520 can control electric or magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221. Also, the magnetization directions of the cells 4210 and 4220 can be controlled by the current supplied to the first electrode 4100. The first electrode 4100 may further include a current control switch connected to the first electrode 4100 and controlling a current to the first electrode 4100.

상기 셀 제어 전극(4510, 4520)는 셀(4210, 4220)의 전기적 또는 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. 상기 셀 제어 전극(4510, 4520)은 상기 셀(4210, 4220)에 전압을 인가할 수 있으며, 상기 셀 제어 전극(4510, 4520)에 가해지는 전압이 일정한 값을 넘는 경우 상기 셀(4210, 4220)의 전기적 또는 자기적 특성이 변화될 수 있다. The cell control electrodes 4510 and 4520 may change the electrical or magnetic characteristics of the cells 4210 and 4220. The cell control electrodes 4510 and 4520 may apply a voltage to the cells 4210 and 4220 and the cells 4210 and 4220 may be turned on when the voltage applied to the cell control electrodes 4510 and 4520 exceeds a predetermined value. ) May be changed.

상기 셀(4210, 4220)은 셀 제어 전극(4510, 4520)에 인가되는 전압에 의해 전기적 또는 자기적 특성이 변화될 수 있는 물질 및 구성을 포함한다. 상기 셀 제어 전극(4510, 4520)에 의해 변화되는 셀(4210, 4220)의 특성은 상기 셀(4210, 4220)의 자화 방향 변경에 대한 임계전류의 크기일 수 있다.The cells 4210 and 4220 include materials and configurations in which the electric or magnetic characteristics can be changed by a voltage applied to the cell control electrodes 4510 and 4520. The characteristics of the cells 4210 and 4220 changed by the cell control electrodes 4510 and 4520 may be the magnitudes of the threshold currents for changing the magnetization directions of the cells 4210 and 4220.

상기 셀 제어 전극(4510, 4520)에 의해 변화된 셀(4210, 4220)의 특성에 의해, 셀(4210, 4220)에 정보를 입력하는 데 필요한 조건이 변경될 수 있다. 예를 들면, 셀 제어 전극(4510, 4520)를 통해 셀(4210, 4220)에 전압을 인가하여 상기 셀(4210, 4220)의 자화 방향 변경에 대한 임계전류 값을 변경할 수 있다. 이 경우 쓰기 선(write line)에 특정 전류를 인가하더라도 셀(4210, 4220)의 자화 방향이 변경되지 않을 수 있다. 즉, 셀(4210, 4220)의 쓰기에 대한 조건을 변경할 수 있고, 이에 따라 반도체 소자(4000)의 쓰기 선(write line)에 인가되는 전류 값, 용량 등을 제어할 수 있다. The conditions required for inputting information to the cells 4210 and 4220 may be changed depending on the characteristics of the cells 4210 and 4220 changed by the cell control electrodes 4510 and 4520. For example, a voltage may be applied to the cells 4210 and 4220 via the cell control electrodes 4510 and 4520 to change the threshold current value for the magnetization direction change of the cells 4210 and 4220. In this case, even if a specific current is applied to the write line, the magnetization directions of the cells 4210 and 4220 may not be changed. That is, the conditions for the writing of the cells 4210 and 4220 can be changed, and thus the current value, capacity, and the like applied to the write line of the semiconductor device 4000 can be controlled.

또한, 상기 셀(4210, 4220)은 2 이상이고, 상기 셀(4210, 4220)에 연결된 각각의 셀 제어 전극(4510, 4520)는 상기 셀(4210, 4220)의 전기적 특성을 각각 제어할 수 있다. 상기 각각의 셀 제어 전극(4510, 4520)을 통하여 각각의 셀(4210, 4220)에 서로 다른 전압을 인가함으로써 상기 셀(4210, 4220)에 정보를 입력하는 데 필요한 전류 값이 다르게 설정되도록 할 수 있다. The cell control electrodes 4510 and 4520 connected to the cells 4210 and 4220 can control the electrical characteristics of the cells 4210 and 4220, respectively, . The current values required for inputting information to the cells 4210 and 4220 may be set differently by applying different voltages to the respective cells 4210 and 4220 through the respective cell control electrodes 4510 and 4520 have.

상기 제1 전극(4100)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게, 상기 제1 전극(4100)은 중금속을 포함할 수 있다. 제1 전극(4100)이 중금속을 포함함으로써 셀(4210, 4220)의 제1 자성층(4211, 4221)의 자화 방향 등의 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. 이와 같이 스핀오빗토크를 이용하기 때문에 본 발명의 실시 예를 따르는 반도체 소자(4000)는 정보의 저장, 인식 및 전달 속도가 빠르고, 전력 소모가 낮다. The first electrode 4100 may include a conductive material. More preferably, the first electrode 4100 may include a heavy metal. Since the first electrode 4100 includes a heavy metal, the magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 of the cells 4210 and 4220, such as the magnetization direction, can be changed. Since the spin orbit torque is used in this manner, the semiconductor device 4000 according to the embodiment of the present invention has a fast storage, recognition and transfer speed of information and low power consumption.

제1 자성층(4211, 4221)은 자화 방향 등의 자기적 특성의 변화가 가능한 자유 자성층일 수 있다. 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 자기적 특성은 주위의 전기 및 자기 특성에 의해 변경될 수 있다. 또한, 제1 전극(4100)-제1 자성층(4211, 4221)의 적층면에 대하여 수직이방성을 가질 수 있다. The first magnetic layers 4211 and 4221 may be a free magnetic layer capable of changing the magnetic properties such as the magnetization direction. The magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 can be changed by surrounding electric and magnetic characteristics. In addition, the first electrode 4100 and the first magnetic layers 4211 and 4221 may have vertical anisotropy with respect to the laminated surface.

상기 제1 자성층(4211, 4221)은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first magnetic layers 4211 and 4221 may be formed of at least one of Fe, Co, Ni, B, Si, Pt, Pd, . ≪ / RTI >

이 때, 상기 제1 자성층(4211, 4221)은 자화 방향이 적층 방향에 수직 방향으로 정렬되어 수직 이방성 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 자성층(4211, 4221)은 전기적 또는 자기적 특성, 특히 자화 방향이 상기 제1 전극(4100) 상에 흐르는 수평 전류에 의해 변할 수 있다.At this time, the first magnetic layers 4211 and 4221 may have perpendicular anisotropy characteristics by aligning magnetization directions perpendicular to the lamination direction. The first and second magnetic layers 4211 and 4221 may have electrical or magnetic characteristics, in particular, a magnetization direction may be changed by a horizontal current flowing on the first electrode 4100.

상기 제1 전극(4100)에 전류가 흐르는 경우라도 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 자기적 특성을 변화시키는 데 충분한 정도의 전류가 흐르지 않는 때에는, 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 자기적 특성은 변하지 않는다. 상기 제1 전극(4100)에 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 자기적 특성을 변화시키는 데 충분한 정도의 전류가 흘러야 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 자기적 특성이 변하게 되며, 이 때의 전류 값을 제1 자성층(4211, 4221)의 임계전류라고 할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(4100)에 임계전류 이상의 전류를 흐름으로써 상기 제1 자성층(4211, 4221)의 전기적 또는 자기적 특성을 변화시킬 수 있다. Even when a current flows through the first electrode 4100, when a current of sufficient magnitude to change the magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 does not flow, the magnetic fields of the first magnetic layers 4211 and 4221 The enemy character does not change. The magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 are changed when a current sufficient to change the magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 flows through the first electrode 4100, Can be regarded as a critical current of the first magnetic layers 4211 and 4221. [ That is, the electric or magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 can be changed by flowing a current equal to or higher than a critical current to the first electrode 4100.

상기 셀 제어 전극(4510, 4520)를 이용하여 2 이상의 셀(4210, 4220)의 각각의 제1 자성층(4211, 4221)의 임계전류를 다르게 설정함으로써, 상기 2 이상의 셀(4210, 4220)의 각각의 제1 자성층(4211, 4221)의 자기적 특성을 선택적으로 변화시킬 수 있다.The threshold currents of the first magnetic layers 4211 and 4221 of the two or more cells 4210 and 4220 are set differently by using the cell control electrodes 4510 and 4520, The magnetic characteristics of the first magnetic layers 4211 and 4221 can be selectively changed.

상기 2 이상의 셀(4210, 4220)은 각각 제1 자성층(4211, 4221) 및 제2 자성층(4213, 4223)이 절연층(4212, 4222)에 의해 구분된 자기터널접합구조를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 2 이상의 셀(4210, 4220)은 상기 제1 자성층(4211, 12221) 상에 절연층(4212, 4222)에 배치될 수 있고, 상기 절연층(4212, 4222) 상에 제2 자성층(4213, 4223)이 배치됨으로써 상기 절연층(4212, 4222)을 사이에 두고 제1 자성층(4211, 4221) 및 제2 자성층(4213, 4223)이 마주하도록 배치될 수 있다. The two or more cells 4210 and 4220 may include a magnetic tunnel junction structure in which first and second magnetic layers 4211 and 4221 and second magnetic layers 4213 and 4223 are separated by insulating layers 4212 and 4222, respectively. More specifically, the two or more cells 4210 and 4220 may be disposed on the insulating layers 4212 and 4222 on the first magnetic layers 4211 and 4221 and on the insulating layers 4212 and 4222, The first magnetic layers 4211 and 4221 and the second magnetic layers 4213 and 4223 can be disposed to face each other with the insulating layers 4212 and 4222 therebetween by disposing the magnetic layers 4213 and 4223.

상기 제2 자성층(4213, 12223)은 자화 방향이 고정된 고정 자성층일 수 있으며, 적층면에 대하여 수직한 방향의 자화 방향을 갖는 물질, 즉 수직이방성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제2 자성층(4213, 12223)은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second magnetic layers 4213 and 12223 may be a fixed magnetic layer having a fixed magnetization direction and may include a material having a magnetization direction perpendicular to the lamination plane, that is, a material having perpendicular anisotropy. More specifically, the second magnetic layers 4213 and 12223 may be formed of at least one of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), silicon (Si), silicon (Si), zirconium (Zr) Pt), palladium (Pd), and alloys thereof.

또한, 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 자성층 및 반강자성층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 인공 반강자성층일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 자성층(1213, 1223)은 자성층/전도층/자성층의 3층 구조의 인공 반강자성 구조일 수 있으며, 반강자성층은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 철(Fe), 망간(Mn) 및 이들의 합금 또는 Ni, Co, Fe의 산화물 및 그 합금의 물질로 이루어지고, 인공 반강자성 구조는 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 지르코늄(Zr), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 이들의 합금으로 구성된 자성층과 루테늄(Ru), 구리(Cu), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W) 등의 전도층으로 구성될 수 있다.The second magnetic layers 1213 and 1223 may include a magnetic layer and an antiferromagnetic layer. Also, the second magnetic layers 1213 and 1223 may be artificial antiferromagnetic layers. More specifically, the second magnetic layers 1213 and 1223 may be an artificial antiferromagnetic structure having a three-layered structure of a magnetic layer / a conductive layer / a magnetic layer, and the antiferromagnetic layer may include iridium (Ir), platinum (Pt) (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), or the like, ), Silicon (Si), zirconium (Zr), platinum (Pt), palladium (Pd), and alloys thereof and a magnetic layer made of ruthenium (Ru), copper (Cu), platinum (Pt), tantalum (Ti), tungsten (W), or the like.

상기 제2 자성층(4213, 4223) 및 제1 자성층(4211, 4221) 사이에는 절연층(4212, 4222)이 배치될 수 있다. 상기 절연층(4212, 4222)은 제2 자성층(4213, 4223)과 제1 자성층(4211, 4221) 사이의 전류의 흐름을 제한하는 역할을 한다.Insulating layers 4212 and 4222 may be disposed between the second magnetic layers 4213 and 4223 and the first magnetic layers 4211 and 4221. The insulating layers 4212 and 4222 serve to limit the current flow between the second magnetic layers 4213 and 4223 and the first magnetic layers 4211 and 4221.

상기 절연층(4212, 4222)은 특별히 제한되지 않지만, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화탄탈 및 산화지르코늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The insulating layers 4212 and 4222 are not particularly limited, but may include at least one of aluminum oxide, magnesium oxide, tantalum oxide, and zirconium oxide.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다. The present invention is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

1000, 2000, 3000, 4000, 8000: 반도체 소자
1100, 2100, 3100, 4100, 7100: 제1 전극
1210, 3210, 4210, 6210: 제1 셀
1220, 3220, 4220, 6220: 제2 셀
2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260, 5210, 5220, 5230, 5240, 5250, 5260: 셀
1211, 1221, 3211, 32221, 4211, 4221, 6211, 6221, 7211, 7221, 8100: 제1 자성층
1212, 12222, 3212, 32222, 4212, 4222, 7212, 7222, 8200: 절연층
1213, 1223, 3213, 32223, 4213, 4223, 7213, 7223, 8300: 제2 자성층
1300, 2300, 3300, 5300: 제2 전극
4610, 4620, 6610, 6620: 게이트 절연층
4510, 4520, 5510, 5520, 5530, 5540, 5550, 5560, 6510, 6520, 7510, 7520: 셀 제어 전극
2400, 5400: 전류 제어 스위치1000, 2000, 3000, 4000, 8000: Semiconductor device
1100, 2100, 3100, 4100, 7100:
1210, 3210, 4210, 6210:
1220, 3220, 4220, 6220:
2210, 2220, 2230, 2240, 2250, 2260, 5210, 5220, 5230, 5240, 5250,
1211, 1221, 3211, 32221, 4211, 4221, 6211, 6221, 7211, 7221, 8100:
1212, 12222, 3212, 32222, 4212, 4222, 7212, 7222, 8200:
1213, 1223, 3213, 32223, 4213, 4223, 7213, 7223, 8300:
1300, 2300, 3300, 5300:
4610, 4620, 6610, 6620: Gate insulating layer
4510, 4520, 5510, 5520, 5530, 5540, 5550, 5560, 6510, 6520, 7510,
2400, 5400: Current control switch

Claims (6)

자유 자성층, 절연층 및 고정 자성층이 각각 순차적으로 적층되며, 상기 자유 자성층 및 고정 자성층은 적층면에 대해 수직한 방향의 수직 자기 이방성을 가지는 셀;
상기 셀의 자유 자성층과 전기적으로 연결되며, 상기 자유 자성층의 자화방향 변경을 위한 수평전류가 인가되는 제1 전극; 및
상기 셀의 고정 자성층과 연결되며, 상기 자화방향 변경에 대한 임계전류값의 크기를 변경시키는 전압을 인가하는 셀 제어 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은
반강자성 물질을 포함하고, 상기 자유 자성층과 접하는 상부전극; 및
중금속을 포함하고, 상기 상부전극의 하부면에 위치하는 하부전극을 포함하는 반도체 소자.
A free magnetic layer, an insulating layer, and a stationary magnetic layer sequentially stacked on the substrate, wherein the free magnetic layer and the stationary magnetic layer have perpendicular magnetic anisotropy in a direction perpendicular to the lamination plane;
A first electrode electrically connected to the free magnetic layer of the cell and to which a horizontal current for changing the magnetization direction of the free magnetic layer is applied; And
And a cell control electrode connected to the stationary magnetic layer of the cell and applying a voltage for changing the magnitude of the threshold current value for the magnetization direction change,
The first electrode
An upper electrode including an anti-ferromagnetic material and in contact with the free magnetic layer; And
And a lower electrode disposed on the lower surface of the upper electrode, the lower electrode including a heavy metal.
제1항에 있어서,
상기 셀은 상기 제1 전극에 인가되는 수평전류가 상기 임계전류값 이상이면, 상기 자유 자성층의 자화 방향을 변경시키는 반도체 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the cell changes the magnetization direction of the free magnetic layer if the horizontal current applied to the first electrode is greater than or equal to the threshold current value.
제1항에 있어서,
상기 자유 자성층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 붕소(B), 규소(Si), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 및 그 합금 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the free magnetic layer includes at least one of iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), boron (B), silicon (Si), platinum (Pt), palladium (Pd), and alloys thereof.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극에 인가되는 수평전류를 제어하는 전류 제어 스위치;를 포함하는 반도체 소자.
The method according to claim 1,
And a current control switch for controlling a horizontal current applied to the first electrode.
제1항에 있어서,
상기 셀은 2 이상이고, 상기 셀에 연결된 각각의 셀 제어 전극은 상기 셀의 임계전류값의 크기를 각각 제어하며, 상기 임계전류값의 크기는 상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압에 의해 서로 다르게 제어된 반도체 소자.
The method according to claim 1,
Wherein each of the cell control electrodes connected to the cell controls the magnitude of the threshold current value of the cell and the magnitude of the threshold current value is differently controlled by the voltage applied to the cell control electrode, / RTI >
제1 전극;
상기 제1 전극과 연결된 셀; 및
상기 셀과 전기적으로 연결되어 상기 셀에 전압을 인가하는 셀 제어 전극을 포함하는 것으로,
상기 셀은
상기 제1 전극에 흐르는 수평 전류에 의해 자화 방향의 변화가 가능한 자유 자성층으로, 적층면에 대해 수직이방성을 가지는 제1 자성층;
자화 방향이 고정된 고정 자성층으로, 적층면에 대해 수직이방성을 가지는 제2 자성층; 및
상기 제1 자성층과 제2 자성층 사이에 배치되어, 상기 제1 자성층과 제2 자성층 사이의 전류의 흐름을 제한하는 절연층이 적층된 자기터널접합구조를 포함하고,
상기 셀은
상기 셀 제어 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 제1 자성층의 자화 방향 변경을 위한 임계전류의 크기가 변경되고, 상기 임계전류에 따라 상기 제1 전극에 인가하는 수평전류의 크기가 조절되며,
상기 제1 전극은
반강자성 물질을 포함하고, 상기 자유 자성층과 접하는 상부전극; 및
중금속을 포함하고, 상기 상부전극의 하부면에 위치하는 하부전극을 포함하는 반도체 소자. A first electrode;
A cell connected to the first electrode; And
And a cell control electrode electrically connected to the cell to apply a voltage to the cell,
The cell
A first magnetic layer having a perpendicular magnetic anisotropy with respect to a laminated surface, the first magnetic layer being a free magnetic layer capable of changing a magnetization direction by a horizontal current flowing to the first electrode;
A second magnetic layer having a perpendicular magnetization direction fixed and a perpendicular anisotropy with respect to the lamination plane; And
And a magnetic tunnel junction structure which is disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer and in which an insulating layer that limits the flow of current between the first magnetic layer and the second magnetic layer is laminated,
The cell
The magnitude of the threshold current for changing the magnetization direction of the first magnetic layer is changed according to the voltage applied to the cell control electrode, the magnitude of the horizontal current applied to the first electrode is adjusted according to the threshold current,
The first electrode
An upper electrode including an anti-ferromagnetic material and in contact with the free magnetic layer; And
And a lower electrode disposed on the lower surface of the upper electrode, the lower electrode including a heavy metal.
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