KR20190035161A - Method for manufacturing silicon pattern using silica substrate and device manufactured by the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 실리콘 패턴 제조 기법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리카 기판을 이용하여 실리콘 패턴을 제조하기 위한 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon pattern manufacturing technique, and more particularly, to a method for manufacturing a silicon pattern using a silica substrate and a device manufactured by the method.
산업기술의 발전으로 다양한 기능 구현과 소형화가 요구되는 추세에 따라 가볍고, 얇고 강하며, 작은 크기의 유연성 있는 전자부품들이 요구되고 있다. 이러한 전자 부품들의 제조에 있어 실리콘은 필수적으로 사용되는 재료이며, 제조를 위해 선행되는 고품질의 실리콘 패터닝은 공정의 핵심 단계일 뿐만 아니라, 고성능의 전자부품 제조에 있어 매우 중요하다.With the development of industrial technology, various functional implementations and miniaturization are required, so that lightweight, thin, strong, and small size flexible electronic parts are required. Silicon is an essential material in the manufacture of these electronic components, and the high quality of silicon patterning preceding it for manufacturing is not only a key step in the process, but also very important in the manufacture of high performance electronic components.
현재 실리콘 패턴을 제조하는 방법은 실리콘 웨이퍼나 실리콘 산화물 기판 위에 증착, 어널링, 포토리소그래피, 에칭 등의 반복 공정을 거칠 뿐만 아니라, 공정 중 고진공, 고온, 유독성 화학 에칭 공정, 포토마스크 제작 등이 요구되기 때문에 복잡하고 효율성이 떨어진다. 즉, 기존 LTPS(Low Temperature Poly-silicon) 공정에서는 기판 상에 a-Si를 증착한 후 ELA(Excimer Laser annealing을 통해 a-Si를 p-Si로 재결정시켜서 기판상 p-Si 박막을 형성시키고, 그 후 포토리소그래피와 에칭을 통해 p-Si 패턴을 형성시킨다. 이 공정에서 쓰이는 엑시머 레이저(Excimer Laser)는 매우 짧은 파장을 가지며 기본적인 가격과 유지비가 상당하다. 또한 ELA(Excimer Laser Annealing) 후 레이저 어블레이션(Laser ablation)을 통해 실리콘의 일부를 제거하여 패턴을 형성하는 경우가 있으나 낮은 퀄리티를 보인다. 일 예로, 등록특허공보 제10-0741926호에는 폴리 실리콘 패턴 형성 방법을 제안하고 있다. 이 방법은 고가의 광학장비 없이도 미세한 패턴을 형성할 수는 있지만, 여전히 복잡하고 효율성이 떨어진다.At present, the method of manufacturing a silicon pattern requires a repeated process such as deposition, annealing, photolithography, and etching on a silicon wafer or a silicon oxide substrate, but also requires a high vacuum, a high temperature, a toxic chemical etching process, It is complicated and inefficient. That is, in a conventional low temperature poly-silicon (LTPS) process, a-Si is deposited on a substrate, and a-Si is recrystallized by p-Si through excimer laser annealing to form a p- Then, a p-Si pattern is formed by photolithography and etching. Excimer lasers used in this process have a very short wavelength, and have a substantial basic cost and maintenance cost. Also, after excimer laser annealing (ELA) For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-0741926 proposes a method of forming a polysilicon pattern, in which a part of silicon is removed by laser ablation to form a pattern, Although it can form fine patterns without expensive optical equipment, it is still complicated and inefficient.
따라서, 이러한 기존의 실리콘 패턴 제조 방법의 문제점을 해결하기 위해 저비용이면서 고효율을 갖는 유연한 실리콘 패턴을 제조하기 위한 방법이 필요하다. Accordingly, there is a need for a method for fabricating a flexible silicon pattern having low cost and high efficiency in order to solve the problems of the conventional silicon pattern manufacturing method.
이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 다양한 결정 상태를 갖는 실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판 위에 박막을 증착한 후 레이저 빔을 조사하여 박막을 산화시키면서 실리카를 환원하여 실리콘 패턴을 형성하도록 한, 실리카 기판을 이용한 실리콘 패턴 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to overcome the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises depositing a thin film on a substrate containing silica or silica having various crystal states, irradiating a laser beam to oxidize the thin film, A method of manufacturing a silicon pattern using a silica substrate, and a device manufactured by the method.
다만, 본 발명의 목적은 상기 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be variously modified without departing from the spirit and scope of the present invention.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 관점에 따른 실리콘 패턴 제조 방법은 다양한 결정 상태를 갖는 실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판 상에 소정의 산화 서열을 갖는 물질을 이용하여 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 및 상기 박막의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 상기 박막의 일부가 산화되면서 인접한 실리카가 환원되어 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method for fabricating a silicon pattern using a material having a predetermined oxidation sequence on a substrate including silica or silica having various crystalline states, A thin film forming step; And a pattern forming step of irradiating a laser beam to a predetermined patterning area of the thin film to oxidize a part of the thin film in the patterning area to reduce the adjacent silica to form a silicon pattern.
또한, 상기 소정의 산화 서열을 갖는 물질은, 실리카보다 높은 산화 서열을 갖는 금속 물질 또는 비금속 물질일 수 있다.In addition, the substance having the predetermined oxidation sequence may be a metal substance or a non-metal substance having an oxidation sequence higher than that of silica.
또한, 상기 패턴 형성 단계에서는, 상기 박막이 상기 인접한 실리카로부터 산소를 가져와 산화되어 상기 실리콘 패턴 위에 산화막 패턴이 형성될 수 있다.Also, in the pattern formation step, the thin film may oxidize oxygen from the adjacent silica to form an oxide film pattern on the silicon pattern.
또한, 본 발명에 따른 실리콘 패턴 제조 방법은 상기 박막의 전부 또는 일부를 제거하는 박막 제거 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a silicon pattern according to the present invention may further comprise a thin film removing step of removing all or a part of the thin film.
또한, 상기 박막 제거 단계에서는, 소정의 에칭 방식을 이용하여 상기 박막의 산화되지 않은 부분 또는 산화된 부분이 선택적으로 제거될 수 있다.In addition, in the thin film removing step, the unoxidized or oxidized portion of the thin film can be selectively removed using a predetermined etching method.
이처럼 본 발명은 다양한 결정 상태를 갖는 실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판 위에 박막을 증착한 후 레이저 빔을 조사하여 박막을 산화시키면서 실리카를 환원하여 실리콘 패턴을 형성하도록 함으로써, 기존의 복잡한 공정을 모두 거칠 필요가 없고 고가의 장비가 필요하지 않으며, 유해한 유독성 물질이 요구되지 않기 때문에 공정 과정 및 공정 비용을 줄일 수 있다.As described above, the present invention deposits a thin film on a silica-based or silica-containing substrate having various crystal states and then irradiates a laser beam to oxidize the thin film while reducing silica to form a silicon pattern, There is no need for expensive equipment, no harmful toxic substances are required, and process and process costs can be reduced.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above effects, and may be variously extended without departing from the spirit and scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴 제조 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 단계를 나타내는 도면이다.
도 7은 실리콘 영역에서의 라만 스펙트라를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a method of manufacturing a silicon pattern according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 5 are views for explaining a process of manufacturing a silicon pattern according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a pattern forming step according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing Raman spectra in a silicon region.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 실리카 기판을 이용한 실리콘 패턴 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스를 설명한다. 디스플레이, 태양 전지 등 다양한 전자 소자들은 실리콘의 반도체적인 성질을 이용하여 작동되기 때문에 전자 소자 제조에 있어서 실리콘은 필수적인 물질이다. 하지만 실리콘 패턴을 제조하기 위해서는 복잡한 공정, 고가의 장비, 다양한유해한 유독성 물질이 요구되기 때문에 현재 좋지 못한 공정 효율을 보이고 있어 이를 해결하기 위한 방안이 필요한 실정이다. 따라서, 본 발명에서는 다양한 결정 상태를 갖는 실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판 위에 박막을 증착한 후 레이저 빔을 조사하여 박막을 산화시키면서 실리카를 환원하여 실리콘 패턴을 형성하도록 한, 새로운 패턴 제조 방안을 제안한다.Hereinafter, a method of manufacturing a silicon pattern using a silica substrate according to an exemplary embodiment of the present invention and a device manufactured by the method will be described with reference to the accompanying drawings. Since various electronic devices such as displays and solar cells operate using the semiconductor properties of silicon, silicon is an essential material in the manufacture of electronic devices. However, in order to manufacture silicon patterns, complicated processes, expensive equipment and various harmful toxic substances are required. Therefore, the present process has a bad process efficiency and a solution is needed. Accordingly, in the present invention, a thin film is deposited on a substrate containing silica or silica having various crystal states, and a silicon pattern is formed by oxidizing the thin film while reducing the silica by irradiating a laser beam. do.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴 제조 방법을 나타내는 도면이고, 도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴 제조 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a method of manufacturing a silicon pattern according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are views for explaining a process of manufacturing a silicon pattern according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴 제조 방법은 박막 형성 단계(S110), 패턴 형성 단계(S120), 박막 제거 단계(S130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a method of fabricating a silicon pattern according to an embodiment of the present invention may include a thin film forming step (S110), a pattern forming step (S120), and a thin film removing step (S130).
1) 박막 형성 단계(S120)에서는, 도 2와 같이 다양한 결정 상태를 갖는 실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판(이하, 실리카 기판이라 한다)(10) 위에 박막(20)을 형성할 수 있다. 이때, 박막은 소정의 산화서열을 갖는 물질 즉, 금속 물질이나 비금속 물질이 사용될 수 있는데, 특히, 실리카보다 높은 산화서열을 갖는 금속 물질 예를들어, 알루미늄 등이나 비금속 물질 예를 들어, 리튬(Li), 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg) 등이 사용될 수 있다. 여기서 산화 서열은 물질이 산소와 결합해 산화되려는 반응성의 크기를 나타내는데, 물질마다 산소와 결합해 산화되려는 반응성의 크기가 다르다.1) In the thin film forming step (S120), the
이때, 박막을 형성하는 방식으로는 예를들어, 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(physical vapoALD(Atomic Layer Deposition) 등 다양한 증착 방법이 사용될 수 있다. 이러한 다양한 증착 방법뿐만 아니라, 소정의 산화서열을 갖는 물질들의 도금, 이온 용액과 파티클 용액의 코팅으로도 박막 형성이 가능할 수 있다.Various deposition methods such as evaporation, sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition) and PVD (physical vapor deposition) may be used as the method of forming the thin film. In addition to the deposition method, plating of materials having a predetermined oxidation sequence and coating of an ionic solution and a particle solution may be possible to form a thin film.
또한, 이렇게 다양한 증착 방법으로 형성되는 박막은 마이크로미터(㎛) 수준의 박막뿐 아니라 나노미터(nm) 수준의 나노 박막을 포괄하는 개념일 수 있다.In addition, the thin film formed by the various deposition methods may be a concept covering not only a thin film of micrometer (탆) level but also a nanometer thin film of nanometer (nm) level.
2)패턴 형성 단계(S130)에서는, 도 3과 같이 실리카 기판(10)의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저(30)로 레이저 빔을 조사하여 광력에 의해 해당 실리카를 환원시켜 실리콘 패턴(40)을 형성하면서, 환원된 실리카에 인접한 박막을 산화시켜 실리콘 패턴(40) 위에 산화막 패턴(50)을 형성할 수 있다.3, a patterned region of the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 단계를 나타내는 도면이다.6 is a view showing a pattern forming step according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴을 형성하는 단계(S120)는 영역 설정 단계(S121), 레이저 조사 단계(S122), 환원 단계(S123)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, a step S120 of forming a silicon pattern according to an embodiment of the present invention may include a region setting step S121, a laser irradiation step S122, and a reducing step S123.
2-1)영역 설정 단계(S121)에서는, 실리카 기판에 레이저 빔을 조사할 영역 즉, 패터닝 영역이 미리 설정될 수 있다. 이러한 패터닝 영역은 실리카 기판에 설정될 수 있는데, 예를들어, 박막과 인접한 부분에 형성될 수 있다. 이렇게 박막과 인접한 부분에 패터닝 영역을 설정하는 이유는 실리카가 환원되는 과정에서 발생되는 산소를 박막에 제공하기 위함이다. 또한, 설정된 패터닝 영역으로 레이저를 이동시켜 레이저 빔의 초점이 조절될 수 있다. 예를들어, 기판을 고정한 상태에서 레이저를 이동시키거나, 레이저를 고정한 상태에서 기판을 이동시킬 수 있다. 이때, 기판은 이동 수단 위에 올려지기 때문에 이동 수단을 이동시킴으로써 기판을 이동시킬 수 있다. 이렇게 이동 수단을 이용하여 레이저 또는 기판을 이동시키며 패터닝 영역에 레이저를 조사하는 방법 이외에 갈바노 스캐너(galvano scanner)를 사용하여 레이저 빔을 이동시키며 조사하는 방법, 그리고 이 두 가지 방법을 결합하여 사용하는 방법 들이 사용될 수 있다.2-1) In the region setting step (S121), a region to be irradiated with a laser beam on the silica substrate, that is, a patterning region may be set in advance. Such a patterning region can be set on a silica substrate, for example, on a portion adjacent to the thin film. The reason for setting the patterning region in the portion adjacent to the thin film is to provide the oxygen generated in the process of reducing the silica to the thin film. Further, the focus of the laser beam can be adjusted by moving the laser to the set patterning area. For example, the laser can be moved while the substrate is fixed, or the substrate can be moved while the laser is fixed. At this time, since the substrate is placed on the moving means, it is possible to move the substrate by moving the moving means. In addition to the method of moving the laser or the substrate using the moving means and irradiating the laser to the patterning region, a method of moving and irradiating the laser beam using a galvano scanner, and a method of combining the two methods Methods can be used.
이렇게 패터닝 영역으로 레이저를 이동시킨 후 레이저 빔의 초점이 조절되는데, 예를들어 레이저 빔을 발생하는 빔 발생부와 레이저 빔을 집속하는 빔 집속부 사이의 거리가 조절되어 초점이 조절될 수 있다. 또한, 형성하고자 하는 실리콘 패턴의 면적이나 두께에 영향을 미칠 수 있는 공정 온도, 레이저 빔 이동 속도(scan rate), 레이저 빔의 출력, 펄스폭, 반복율(repetition rate) 등이 조절될 수 있다.After the laser is moved to the patterning area, the focus of the laser beam is adjusted. For example, the distance between the beam generating part for generating the laser beam and the beam focusing part for focusing the laser beam can be adjusted and the focus can be adjusted. Also, the process temperature, the laser beam movement speed (scan rate), the output power of the laser beam, the pulse width, the repetition rate, etc., which may affect the area and thickness of the silicon pattern to be formed, can be adjusted.
2-2)레이저 조사 단계(S122)에서는, 설정된 패터닝 영역에 초점이 조절된 레이저 빔을 조사할 수 있다. 여기서, 레이저 빔은 실리카 기판 상에 조사될 수 있다. 이러한 레이저 빔은 예를 들어, fs(femtoseconds)에서 ms(milliseconds)까지의 펄스 레이저, CW(Continuous Wave) 레이저, QCW(Quasicontinuous-wave) 레이저를 포함할 수 있다.2-2) In the laser irradiation step S122, the laser beam whose focus is adjusted to the set patterning area can be irradiated. Here, the laser beam can be irradiated onto the silica substrate. Such a laser beam may include, for example, a pulse laser from fs (femtoseconds) to ms (milliseconds), a CW (Continuous Wave) laser, or a QCW (Quasicontinuous-wave) laser.
이때, 본 발명에서는 기판의 일부를 통과하여 레이저 빔을 패터닝 영역에 조사하는 경우를 일 예로 설명하고 있지만, 반드시 이에 한정되지 않고 기판을 통과하지 않고 레이저 빔을 패터닝 영역에 조사할 수 있다. 즉, 기판을 기준으로 기판의 하부에서 레이저 빔을 조사하거나 기판의 상부에서 레이저 빔을 조사할 수 있다.In the present invention, a case where a laser beam is irradiated to a patterning region through a part of a substrate is described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and a laser beam can be irradiated to a patterning region without passing through a substrate. That is, it is possible to irradiate a laser beam at a lower portion of the substrate or a laser beam at an upper portion of the substrate with respect to the substrate.
또한, 본 발명에서는 하나의 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하는 경우를 일 예로 설명하고 있지만, 반드시 이에 한정되지 않고 다수의 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사할 수 있다. 예를들어, 어레이 렌즈 등의 다중 초점 장치를 이용하여 다수의 패터닝 영역을 다중으로 초점화하여 레이저 빔을 조사할 수 있다.In the present invention, the case of irradiating one patterning region with a laser beam is described as an example, but the present invention is not limited to this, and a laser beam can be irradiated to a plurality of patterning regions. For example, a laser beam can be irradiated by multiple focuses of a plurality of patterning regions using a multi-focal point apparatus such as an array lens.
또한, 본 발명에서는 ELA(Excimer Laser Annealing)처럼 라인빔이나 면 전체에 레이저 빔을 조사하는 방법으로 면에 실리콘 영역을 생성할 수 있다.In addition, in the present invention, a silicon region can be generated on a surface by irradiating a line beam or an entire surface with a laser beam such as Excimer Laser Annealing (ELA).
2-3)환원 단계(S123)에서는, 레이저 빔이 패터닝 영역에 조사되는 경우 레이저 빔에 의해 가열되는 박막의 온도가 올라가면서 박막이 실리카의 산소를 가져와 산화되어 산화막 패턴이 형성되면서 해당 실리카가 실리콘으로 환원되어 실리콘 패턴이 형성될 수 있다. 이때, 레이저 빔이 조사된 패터닝 영역에 있는 실리카만이 실리콘으로 환원됨에 따라 실리콘 패턴이 선택적으로 형성될 수 있다. 반면, 레이저 빔이 조사되지 않는 영역에 있는 실리카는 환원이 이루어지지 않는다.2-3) In the reducing step S123, when the laser beam is irradiated to the patterning region, the thin film heated by the laser beam is brought up to oxidize the silica and oxidize to form an oxide film pattern, To form a silicon pattern. At this time, the silicon pattern can be selectively formed as only the silica in the patterned region irradiated with the laser beam is reduced to silicon. On the other hand, the silica in the region where the laser beam is not irradiated is not reduced.
3)박막 제거 단계(S130)에서는, 실리카 기판 위에 형성된 박막의 전부 또는 일부를 제거할 수 있다.3) In the thin film removing step (S130), all or part of the thin film formed on the silica substrate can be removed.
3-1)박막 제거 단계(S130)에서는, 도 4와 같이 실리카 기판(10) 위에 형성된 박막의 전부를 제거하여 실리카 기판(10)에 실리콘 패턴(40)이 존재하도록 할 수 있다. 여기서, 박막의 전부는 산화 여부와 무관하게 실리카 기판 상에 형성된 박막을 모두 의미할 수 있다.3-1) In the step of removing the thin film (S130), the entirety of the thin film formed on the
3-2)박막 제거 단계(S130)에서는, 도 5와 같이 실리카 기판(10) 위에 형성된 박막의 일부를 선택적으로 제거하여 실리카 기판(10)에 실리콘 패턴(40)과 그 실리콘 패턴(40) 위에 형성된 산화막 패턴(50)이 존재하도록 할 수 있다. 여기서, 박막의 일부는 산화되지 않은 박막뿐 아니라 산화된 박막을 의미할 수 있다. 이렇게 박막의 일부를 선택적으로 제거하는 이유는 적용하고자 하는 디바이스에 따라 산화되지 않은 박막 또는 산화된 박막이 필요할 수 있기 때문이다.5, a part of the thin film formed on the
이때, 박막은 에칭 예컨대, 습식 에칭(wet etching)이나 건식 에칭(dry etching)을 이용하여 제거될 수 있다. 예를들어, 실리카와 실리콘에 손상을 주지 않는 에칭액을 사용한 습식 에칭을 이용하거나 에칭 챔버 내에서 플라즈마를 사용한 건식 에칭을 이용하여 제거될 수 있다.At this time, the thin film may be removed by using etching, for example, wet etching or dry etching. For example, wet etching using an etchant that does not damage silica and silicon may be used, or may be removed using a dry etch using plasma in the etch chamber.
도 7은 실리콘 영역에서의 라만 스펙트라를 나타내는 도면이다.7 is a diagram showing Raman spectra in a silicon region.
도 7을 참조하면, 실리콘 영역에서의 라만 스펙트라(raman spectra)를 보여주는데, 우측의 그래프를 보면 좌측의 실리콘 영역에서 피크를 보이고 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 7, a Raman spectra in a silicon region is shown, and a graph on the right side shows a peak in the silicon region on the left side.
이러한 본 발명으로 제조할 수 있는 디바이스는 예를들어, 디스플레이, 태양전지, 배터리 등의 실리콘을 이용하는 응용제품일 수 있다.Such a device that can be manufactured according to the present invention may be, for example, an application using silicon such as a display, a solar cell, and a battery.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
10: 실리카 기판
20: 박막
30: 레이저
40: 실리콘 패턴
50: 산화막 패턴10: Silica substrate
20: Thin film
30: Laser
40: silicon pattern
50: oxide film pattern
Claims (6)
상기 박막의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 상기 박막의 일부가 산화되면서 인접한 실리카가 환원되어 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계;를 포함하는, 실리콘 패턴 제조 방법.A thin film forming step of forming a thin film using a material having a predetermined oxidation sequence on a substrate including silica or silica having various crystalline states; And
And a pattern forming step of irradiating a laser beam to a predetermined patterning area of the thin film to oxidize a part of the thin film in the patterning area to reduce the adjacent silica to form a silicon pattern.
상기 소정의 산화 서열을 갖는 물질은, 실리카보다 높은 산화 서열을 갖는 금속 물질 또는 비금속 물질인, 실리콘 패턴 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the substance having the predetermined oxidation sequence is a metal substance or a non-metal substance having an oxidation sequence higher than that of silica.
상기 패턴 형성 단계에서는, 상기 박막이 상기 인접한 실리카로부터 산소를 가져와 산화되어 상기 실리콘 패턴 위에 산화막 패턴이 형성되는, 실리콘 패턴 제조 방법.The method according to claim 1,
In the pattern forming step, the thin film brings oxygen from the adjacent silica and is oxidized to form an oxide film pattern on the silicon pattern.
상기 박막의 전부 또는 일부를 제거하는 박막 제거 단계;를 더 포함하는, 실리콘 패턴 제조 방법.The method according to claim 1,
And removing the entire or a part of the thin film.
상기 박막 제거 단계에서는, 소정의 에칭 방식을 이용하여 상기 박막의 산화되지 않은 부분 또는 산화된 부분이 선택적으로 제거되는, 실리콘 패턴 제조 방법.5. The method of claim 4,
In the thin film removing step, an unoxidized portion or an oxidized portion of the thin film is selectively removed using a predetermined etching method.
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