KR20190032714A - Apparatus for cutting a substrate and method for cutting a substrate - Google Patents

Apparatus for cutting a substrate and method for cutting a substrate Download PDF

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Abstract

An apparatus for cutting a substrate includes: a laser light source emitting a laser beam; a scanner controlling a scanning field of the laser beam; an F-theta lens having a small area on a flat surface compared to a cutting area of a substrate to be processed; a suction unit including a suction area having a small area on the flat surface compared to the cutting area of the substrate to be processed; and a stage moving in a first direction and a second direction on the flat surface while the substrate to be processed is mounted thereon.

Description

기판 절단 장치 및 기판 절단 방법{APPARATUS FOR CUTTING A SUBSTRATE AND METHOD FOR CUTTING A SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate cutting apparatus,

본 기재는 기판 절단 장치 및 기판 절단 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cutting apparatus and a substrate cutting method.

일반적으로, 표시 장치의 일례로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display), 액정 표시 장치(liquid crystal display) 및 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel) 등이 있다.2. Description of the Related Art Generally, an organic light emitting display, a liquid crystal display, and a plasma display panel are examples of display devices.

이러한 표시 장치는 기판 절단 장치 및 기판 절단 방법에 의해 기판을 절단하여 제조된다.Such a display device is manufactured by cutting a substrate by a substrate cutting device and a substrate cutting method.

기판 절단 시 기판으로부터 발생되는 불순물을 제거할 필요가 있다.It is necessary to remove impurities generated from the substrate when the substrate is cut.

일 실시예는, 기판 절단 시 기판으로부터 발생되는 불순물을 용이하게 제거하는 기판 절단 장치 및 기판 절단 방법을 제공하고자 한다.One embodiment of the present invention is to provide a substrate cutting apparatus and a substrate cutting method for easily removing impurities generated from a substrate upon cutting the substrate.

일 측면은 피처리 기판의 절단 영역을 절단하는 기판 절단 장치에 있어서, 레이저 빔을 발진하는 레이저 광원, 상기 레이저 광원과 대응하며, 상기 레이저 빔의 스캐닝 필드(scanning field)를 제어하는 스캐너, 상기 스캐너와 상기 피처리 기판 사이에 고정되며, 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 에프세타 렌즈(F-theta lens), 상기 에프세타 렌즈와 상기 피처리 기판 사이에 고정되며, 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 석션 영역을 포함하는 석션 유닛, 그리고 상기 피처리 기판이 안착되며, 평면적으로 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지를 포함하는 기판 절단 장치를 제공한다.A substrate cutting apparatus for cutting a cut region of a substrate to be processed, the substrate cutting apparatus comprising: a laser light source for oscillating a laser beam; a scanner corresponding to the laser light source and controlling a scanning field of the laser beam; An F-theta lens fixed between the F-theta substrate and the substrate to be processed, the F-theta lens having a small area in plan view with respect to the cutting area of the substrate to be processed, A suction unit comprising: a suction unit including a suction area having a small area in plan view relative to the cutting area of a substrate to be processed; and a suction unit which is mounted on the substrate and which moves in a first direction and a second direction that intersects the first direction A substrate cutting apparatus including a stage is provided.

상기 레이저 빔의 상기 스캐닝 필드의 테두리는 상기 에프세타 렌즈의 중앙 대비 테두리와 더 가까울 수 있다.The rim of the scanning field of the laser beam may be closer to the center contrast rim of the Fseta lens.

상기 레이저 빔이 조사되는 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역의 테두리는 상기 석션 영역의 중앙 대비 테두리와 더 가까울 수 있다.The rim of the cutting area of the substrate to be irradiated with the laser beam may be closer to the center contour of the suction area.

상기 스테이지의 상기 제1 방향으로의 이동 거리는 상기 제1 방향과 평행한 상기 스캐닝 필드의 일 테두리의 길이 대비 짧을 수 있다.The moving distance of the stage in the first direction may be shorter than the length of one edge of the scanning field in parallel with the first direction.

상기 석션 유닛은 상기 석션 영역의 주변 영역에 위치하는 적어도 하나의 석션부를 포함할 수 있다.The suction unit may include at least one suction portion located in a peripheral region of the suction region.

또한, 일 측면은 피처리 기판의 절단 영역을 절단하는 기판 절단 방법에 있어서, 상기 피처리 기판 상에 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 석션 영역을 포함하는 석션 유닛과 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 에프세타 렌즈(F-theta lens)를 순차적으로 고정하는 단계, 상기 피처리 기판을 평면적으로 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이동시키는 단계, 그리고 상기 피처리 기판의 이동에 대응하여 상기 에프세타 렌즈로 조사되는 제1 레이저 빔의 스캐닝 필드를 제어하여 상기 에프세타 렌즈 및 상기 석션 유닛을 통과한 제2 레이저 빔을 이용해 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역을 절단하는 단계를 포함하는 기판 절단 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate cutting method for cutting a cut region of a substrate to be processed on one side, comprising: a suction unit including a suction region having a small area in plan view relative to the cut region on the substrate; Sequentially fixing an F-theta lens having a small area in plan view with respect to a cutting area, moving the substrate in a plane in a first direction and a second direction intersecting the first direction And controlling a scanning field of the first laser beam to be irradiated onto the substrate to correspond to the movement of the substrate to be processed, wherein the second laser beam passes through the Frester lens and the suction unit, And cutting the cut region.

상기 제1 레이저 빔의 상기 스캐닝 필드의 테두리는 상기 에프세타 렌즈의 중앙 대비 테두리와 더 가까울 수 있다.The rim of the scanning field of the first laser beam may be closer to the center contrast rim of the Fseta lens.

상기 제2 레이저 빔이 조사되는 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역의 테두리는 상기 석션 영역의 중앙 대비 테두리와 더 가까울 수 있다.The rim of the cutting area of the substrate to be irradiated with the second laser beam may be closer to the center contour of the suction area.

상기 피처리 기판의 상기 제1 방향으로의 이동 거리는 상기 제1 방향과 평행한 상기 스캐닝 필드의 일 테두리의 길이 대비 짧을 수 수 있다.The moving distance of the substrate to be processed in the first direction may be shorter than the length of one edge of the scanning field parallel to the first direction.

상기 석션 영역은 테두리의 흡입력이 중앙 대비 더 클 수 있다.The suction area of the suction area may be larger than the center suction force.

일 실시예에 따르면, 기판 절단 시 기판으로부터 발생되는 불순물을 용이하게 제거하는 기판 절단 장치 및 기판 절단 방법이 제공된다.According to one embodiment, there is provided a substrate cutting apparatus and a substrate cutting method for easily removing impurities generated from a substrate upon cutting the substrate.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 나타낸 측면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 나타낸 평면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 기판 절단 장치의 효과를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a side view of a substrate cutting apparatus according to one embodiment.
2 is a plan view of a substrate cutting apparatus according to an embodiment.
3 is a plan view for explaining the effect of the substrate cutting apparatus according to one embodiment.
4 is a flowchart showing a substrate cutting method according to another embodiment.
5 is a plan view for explaining a substrate cutting method according to another embodiment.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In addition, since the sizes and thicknesses of the respective components shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of explanation, the present invention is not necessarily limited to those shown in the drawings. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. In the drawings, for the convenience of explanation, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated.

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Also, when a portion such as a layer, a film, an area, a plate, etc. is referred to as being "on" or "on" another portion, this includes not only the case where the other portion is "directly on" . Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Also, to be "on" or "on" the reference portion is located above or below the reference portion and does not necessarily mean "above" or "above" toward the opposite direction of gravity .

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Also, throughout the specification, when an element is referred to as " including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 설명한다.Hereinafter, a substrate cutting apparatus according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 나타낸 측면도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 나타낸 평면도이다.1 is a side view of a substrate cutting apparatus according to one embodiment. 2 is a plan view of a substrate cutting apparatus according to an embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 절단 장치는 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리를 따라 레이저 빔을 조사하여 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)을 절단한다. 여기서 피처리 기판(10)은 절단 후 표시 장치로서 형성될 수 있다. 일례로, 피처리 기판(10)은 플렉서블 기판 상에 유기 발광 소자 및 편광판 등의 광학 필름이 적층된 기판일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 1 and 2, a substrate cutting apparatus according to an embodiment irradiates a laser beam along a rim of a cut region CA of a target substrate 10 to form a cut region CA ). Here, the substrate 10 to be processed may be formed as a display device after cutting. For example, the substrate to be processed 10 may be a substrate on which an optical film such as an organic light emitting device and a polarizing plate is laminated on a flexible substrate, but is not limited thereto.

일 실시예에 따른 기판 절단 장치는 레이저 광원(100), 스캐너(200), 에프세타 렌즈(F-theta lens)(300), 석션 유닛(400), 그리고 스테이지(500)를 포함한다.The substrate cutting apparatus according to an embodiment includes a laser light source 100, a scanner 200, an F-theta lens 300, a suction unit 400, and a stage 500.

레이저 광원(100)은 스캐너(200)로 제1 레이저 빔(LB1)을 발진한다.The laser light source 100 oscillates the first laser beam LB1 with the scanner 200. [

레이저 광원(100)으로부터 발진된 제1 레이저 빔(LB1)은 루비 레이저, 유리 레이저, YAG 레이저, YLF 레이저와 같은 고체 레이저, 또는 엑시머 레이저, 헬륨-네온 레이저와 같은 기체 레이저를 포함할 수 있다.The first laser beam LB1 emitted from the laser light source 100 may include a solid state laser such as a ruby laser, a glass laser, a YAG laser, a YLF laser, or a gas laser such as an excimer laser or a helium-neon laser.

스캐너(200)는 레이저 광원(100)과 대응하여 위치한다. 스캐너(200)는 제1 레이저 빔(LB1)의 스캐닝 필드(scanning field)(SF)를 제어한다. 스캐너(200)에 의해 제어된 스캐닝 필드(SF)의 테두리는 에프세타 렌즈(300)의 중앙 대비 테두리와 더 가깝다. 스캐닝 필드(SF)는 평면적으로 사각형 형태의 절단 영역(CA)에 대응하여 원형의 에프세타 렌즈(300)의 테두리를 따라 평면적으로 사각형 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 다각형 형태, 원 형태, 또는 타원 형태를 가질 수 있다.The scanner 200 is positioned corresponding to the laser light source 100. The scanner 200 controls the scanning field SF of the first laser beam LB1. The border of the scanning field SF controlled by the scanner 200 is closer to the center contrast rim of the F. The scanning field SF may have a rectangular shape in plan view along the rim of the circular F-theta lens 300 corresponding to a rectangular cut-out area CA in a plan view. However, the scanning field SF may have various polygonal shapes, , Or an elliptical shape.

스캐너(200)는 복수의 반사 미러들을 포함하는 갈바노 스캐너일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 스캐너(200)는 레이저 광원(100)으로부터 입사된 제1 레이저 빔(LB1)의 제1 방향(X) 및 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 제어하여 에프세타 렌즈(300)로 조사되는 제1 레이저 빔(LB1)의 스캐닝 필드(SF)를 제어한다.The scanner 200 may be a galvanometer scanner including a plurality of reflection mirrors, but is not limited thereto. The scanner 200 is controlled in a first direction X of the first laser beam LB1 incident from the laser light source 100 and in a second direction Y intersecting the first direction X to form an F- 300 to scan the scanning field SF of the first laser beam LB1.

에프세타 렌즈(300)는 스캐너(200)와 피처리 기판(10) 사이에 고정된다. 에프세타 렌즈(300)는 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 평면적으로 작은 면적을 가진다.The F-theta lens 300 is fixed between the scanner 200 and the substrate 10 to be processed. The Fresnel lens 300 has a small area in plan view with respect to the cut area CA of the substrate 10 to be processed.

에프세타 렌즈(300)는 스캐너(200)로부터 조사된 제1 레이저 빔(LB1)의 폭을 축소시킬 수 있다. 에프세타 렌즈(300)는 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다.The Fresnel lens 300 can reduce the width of the first laser beam LB1 irradiated from the scanner 200. [ The Fresnel lens 300 may have a variety of known structures.

제1 레이저 빔(LB1)으로부터 에프세타 렌즈(300)를 통과한 제2 레이저 빔(LB2)은 석션 유닛(400)의 석션 영역(SA)을 통과하여 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리로 조사된다. The second laser beam LB2 having passed through the Fresnel lens 300 from the first laser beam LB1 passes through the suction area SA of the suction unit 400 and passes through the cutting area CA ).

에프세타 렌즈(300)는 스캐너(200)와 일체로 연결되어 고정될 수 있다.The F-theta lens 300 may be integrally connected to the scanner 200 and fixed thereto.

석션 유닛(400)은 에프세타 렌즈(300)와 피처리 기판(10) 사이에 고정된다. 석션 유닛(400)은 스캐너(200)로부터 에프세타 렌즈(300) 및 석션 유닛(400)을 통과한 제2 레이저 빔(LB2)을 이용해 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)을 절단할 때, 피처리 기판(10)으로부터 발생된 불순물을 흡입하여 피처리 기판(10)으로부터 불순물을 제거한다. 석션 유닛(400)은 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 석션 영역(SA)을 포함한다.The suction unit 400 is fixed between the Fresnel lens 300 and the substrate 10 to be processed. The suction unit 400 cuts the cut region CA of the target substrate 10 using the second laser beam LB2 that has passed through the Fresnel lens 300 and the suction unit 400 from the scanner 200 The impurities generated from the target substrate 10 are sucked and the impurities are removed from the target substrate 10. The suction unit 400 includes a suction area SA having a small area in plan view with respect to a cut area CA of the substrate 10 to be processed.

레이저 빔이 조사되는 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리는 석션 영역(SA)의 중앙 대비 테두리와 더 가깝다.The edge of the cut region CA of the substrate 10 to which the laser beam is irradiated is closer to the center contour edge of the suction region SA.

석션 유닛(400)은 석션 영역(SA)의 주변 영역에 위치하는 적어도 하나의 석션부(410)를 포함한다. 석션 영역(SA) 전체에 걸쳐서 흡입력이 발생되며, 석션부(410)가 위치하는 석션 영역(SA)의 테두리의 흡입력은 석션 영역(SA)의 중앙 대비 더 크다.The suction unit 400 includes at least one suction part 410 located in the peripheral region of the suction area SA. A suction force is generated over the entire suction area SA and the suction force of the rim of the suction area SA where the suction part 410 is located is larger than the center of the suction area SA.

석션 유닛(400)은 에프세타 렌즈(300)와 일체로 연결되어 고정될 수 있다.The suction unit 400 may be integrally connected to the F-theta lens 300 and fixed thereto.

석션 유닛(400)의 석션 영역(SA)은 제2 레이저 빔(LB2)의 통로이다.The suction area SA of the suction unit 400 is a passage of the second laser beam LB2.

석션 유닛(400)은 적어도 하나의 배기구, 적어도 하나의 흡입구, 적어도 하나의 펌프 등을 포함할 수 있다. 석션 유닛(400)은 피처리 기판(10)으로부터 발생된 불순물을 흡입할 수 있다면, 공지된 다양한 구조를 가질 수 있다.The suction unit 400 may include at least one exhaust port, at least one suction port, at least one pump, and the like. The suction unit 400 may have various known structures as long as it can suck impurities generated from the substrate 10 to be processed.

스테이지(500)는 피처리 기판(10)을 안착한다. 스테이지(500)는 평면적으로 제1 방향(X) 및 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 이동한다.The stage 500 seats the substrate 10 to be processed. The stage 500 moves in a first direction X and a second direction Y that intersects the first direction X in a plan view.

스테이지(500)의 제1 방향(X)으로의 제1 이동 거리(MD1)는 제1 방향(X)과 평행한 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)의 제1 길이 대비 짧을 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 스테이지(500)의 제2 방향(Y)으로의 제2 이동 거리(MD2)는 제2 방향(Y)과 평행한 스캐닝 필드(SF)의 타 테두리(OL2)의 제2 길이 대비 짧을 수 있다.The first moving distance MD1 in the first direction X of the stage 500 may be shorter than the first length OL1 of the scanning field SF parallel to the first direction X, But is not limited thereto. The second moving distance MD2 in the second direction Y of the stage 500 may be shorter than the second length of the other edge OL2 of the scanning field SF parallel to the second direction Y. [

일례로, 스테이지(500)의 제1 방향(X)으로의 제1 이동 거리(MD1)는 16.5mm일 수 있고, 제2 방향(Y)으로의 제2 이동 거리(MD2)는 80mm일 수 있다. 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)의 제1 길이는 52mm일 수 있다. 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)와 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리 사이의 간격은 14mm일 수 있다.In one example, the first movement distance MD1 in the first direction X of the stage 500 may be 16.5 mm and the second movement distance MD2 in the second direction Y may be 80 mm . The first length of one edge OL1 of the scanning field SF may be 52 mm. The interval between the edge OL1 of the scanning field SF and the edge of the cut region CA of the substrate 10 may be 14 mm.

다른 예로, 스테이지(500)의 제1 방향(X)으로의 제1 이동 거리(MD1)는 0mm일 수 있고, 제2 방향(Y)으로의 제2 이동 거리(MD2)는 60mm이 수 있다. 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)의 제1 길이는 68mm일 수 있다. 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)와 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리 사이의 간격은 5mm일 수 있다.As another example, the first moving distance MD1 in the first direction X of the stage 500 may be 0 mm, and the second moving distance MD2 in the second direction Y may be 60 mm. The first length of one edge OL1 of the scanning field SF may be 68 mm. The interval between the edge OL1 of the scanning field SF and the edge of the cut area CA of the substrate 10 may be 5 mm.

이하, 도 3을 참조하여, 상술한 일 실시예에 따른 기판 절단 장치의 효과를 설명한다.Hereinafter, the effect of the substrate cutting apparatus according to the above-described embodiment will be described with reference to FIG.

도 3은 일 실시예에 따른 기판 절단 장치의 효과를 설명하기 위한 평면도들이다. 도 3의 (A)는 대비예에 따른 기판 절단 장치의 일부 구성을 나타낸 평면도이다. 도 3의 (B)는 일 실시예에 따른 기판 절단 장치의 일부 구성을 나타낸 평면도이다. 도 3의 (A) 및 (B)에서는 설명의 편의를 위해 에프세타 렌즈는 도시하지 않았다.3 is a plan view for explaining the effect of the substrate cutting apparatus according to one embodiment. 3 (A) is a plan view showing a part of the configuration of a substrate cutting apparatus according to a contrast example. FIG. 3 (B) is a plan view showing a part of the configuration of the substrate cutting apparatus according to one embodiment. 3 (A) and 3 (B), an F-theta lens is not shown for convenience of explanation.

도 3의 (A)를 참조하면, 대비예에 따른 기판 절단 장치는 석션 영역(SA)의 중앙을 통과한 제2 레이저 빔(LB2)이 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리에 조사된다. 3A, the substrate cutting apparatus according to the comparative example is configured such that the second laser beam LB2, which has passed through the center of the suction area SA, .

이로 인해, 대비예에 따른 기판 절단 장치는 제2 레이저 빔(LB2)이 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리를 따라 조사될 때, 스테이지(500)가 제1 방향(X)으로 제3 이동 거리(MD3) 이동하고 제2 방향(Y)으로 제4 이동 거리(MD4) 이동하여 제1 루트(LT1)로 이동한다. 이때, 석션 영역(SA)의 60% 이상의 영역이 피처리 기판(10)과 비중첩한다. 절단 영역(CA)의 일 지점과 석션 영역(SA)의 테두리 사이의 간격은 25mm일 수 있다.The substrate cutting apparatus according to the comparative example is configured such that the stage 500 is moved in the first direction X when the second laser beam LB2 is irradiated along the rim of the cut region CA of the substrate 10 to be processed, The third moving distance MD3 moves in the second direction Y and the fourth moving distance MD4 moves to the first route LT1. At this time, an area of 60% or more of the suction area SA is not overlapped with the substrate 10 to be processed. The distance between one edge of the cutting area CA and the edge of the suction area SA may be 25 mm.

이로 인해 대비예에 따른 기판 절단 장치는 피처리 기판(10)으로부터 발생되는 불순물의 흡입 효율이 저하된다.Therefore, the efficiency of suction of impurities generated from the substrate to be processed 10 is reduced in the substrate cutting apparatus according to the comparative example.

도 3의 (B)를 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 절단 장치는 석션 영역(SA)의 중앙 대비 테두리와 더 가까운 부분을 통과한 제2 레이저 빔(LB2)이 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리에 조사된다. 3B, a substrate cutting apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate holding mechanism (not shown) for holding a substrate W on which a second laser beam LB2, which has passed through a portion closer to the center contour of the suction area SA, And is irradiated to the edge of the cut region CA.

이로 인해, 일 실시예에 따른 기판 절단 장치는 제2 레이저 빔(LB2)이 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리를 따라 조사될 때, 스테이지(500)가 제1 방향(X)으로 제3 이동 거리(MD3) 대비 작은 제1 이동 거리(MD1) 이동하고 제2 방향(Y)으로 제4 이동 거리(MD4) 대비 작은 제2 이동 거리(MD2) 이동하여 제1 루트(LT1) 대비 짧은 제2 루트(LT2)로 이동한다. 이때, 석션 영역(SA)의 60% 이상의 영역이 피처리 기판(10)과 중첩한다. 절단 영역(CA)의 일 지점과 석션 영역(SA)의 테두리 사이의 간격은 14mm일 수 있다.The substrate cutting apparatus according to the embodiment is configured such that when the second laser beam LB2 is irradiated along the rim of the cut region CA of the substrate 10 to be processed, The first movement distance MD1 is smaller than the third movement distance MD3 and the second movement distance MD2 is smaller than the fourth movement distance MD4 in the second direction Y, ) To the short second route LT2. At this time, an area of 60% or more of the suction area SA overlaps the substrate 10 to be processed. The distance between one edge of the cut area CA and the edge of the suction area SA may be 14 mm.

또한, 석션 영역(SA)의 테두리의 흡입력이 석션 영역(SA)의 중앙 대비 더 크기 때문에, 절단 영역(CA)의 테두리로부터 발생된 불순물이 용이하게 석션 영역(SA)에 흡입된다. 이로 인해, 일 실시예에 따른 기판 절단 장치는 대비예에 따른 기판 절단 장치 대비 피처리 기판(10)으로부터 발생되는 불순물의 흡입 효율이 향상된다. Since the suction force of the rim of the suction area SA is larger than the center of the suction area SA, the impurities generated from the rim of the cut area CA are easily sucked into the suction area SA. Accordingly, the substrate cutting apparatus according to the embodiment improves the efficiency of suction of impurities generated from the substrate 10 compared to the substrate cutting apparatus according to the comparative example.

이상과 같이, 일 실시예에 따른 기판 절단 장치는, 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 에프세타 렌즈(300)의 면적 및 석션 유닛(400)의 석션 영역(SA)의 면적이 작더라도, 피처리 기판(10)으로부터 발생된 불순물의 흡입 효율이 향상된다.As described above, in the substrate cutting apparatus according to the embodiment, the area of the F-theta lens 300 and the area of the suction area SA of the suction unit 400 are smaller than the cut area CA of the target substrate 10 The suction efficiency of the impurities generated from the substrate 10 to be processed is improved.

또한, 일 실시예에 따른 기판 절단 장치는 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 에프세타 렌즈(300)의 면적 및 석션 유닛(400)의 석션 영역(SA)의 면적이 작음으로써, 절단 영역(CA) 대비 에프세타 렌즈의 면적이 더 큰 절단 장치 대비 적은 비용으로 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)을 절단할 수 있다. 즉, 피처리 기판(10)에 대한 절단 비용이 최소화된 기판 절단 장치가 제공된다.The substrate cutting apparatus according to an embodiment of the present invention can reduce the area of the Fresnel lens 300 and the suction area SA of the suction unit 400 compared to the cutting area CA of the substrate 10, The cutting area CA of the substrate 10 can be cut at a lower cost than the cutting device CA having a larger area of the F-theta lens than the cutting area CA. That is, a substrate cutting apparatus having a minimized cutting cost with respect to the target substrate 10 is provided.

이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법을 설명한다.Hereinafter, a substrate cutting method according to another embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.

다른 실시예에 따른 기판 절단 방법은 상술한 일 실시예에 따른 기판 절단 장치를 이용해 수행할 수 있으나, 이에 한정되지는 않고 또 다른 기판 절단 장치를 이용해 수행할 수 있다.The substrate cutting method according to another embodiment may be performed by using the substrate cutting apparatus according to the embodiment described above, but the present invention is not limited thereto, and another substrate cutting apparatus can be used.

도 4는 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5는 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법을 설명하기 위한 평면도이다.4 is a flowchart showing a substrate cutting method according to another embodiment. 5 is a plan view for explaining a substrate cutting method according to another embodiment.

도 4 및 도 5를 참조하면, 우선 피처리 기판(10) 상에 석션 유닛과 에프세타 렌즈(300)를 순차적으로 고정한다(S100).4 and 5, a suction unit and an F-theta lens 300 are sequentially fixed on the substrate 10 (S100).

구체적으로, 피처리 기판(10) 상에 절단 영역(CA) 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 석션 영역(SA)을 포함하는 석션 유닛과 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 에프세타 렌즈(300)를 순차적으로 고정한다.Specifically, a suction unit including a suction area SA having a small area in plan view with respect to the cut area CA on the substrate to be processed 10 and a cut-out area CA smaller than the cut area CA of the target substrate 10 And the Fresnel lens 300 having an area is successively fixed.

다음, 피처리 기판(10)을 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이동시킨다(S200).Next, the substrate 10 is moved in the first direction X and the second direction Y (S200).

구체적으로, 피처리 기판(10)을 평면적으로 제1 방향(X) 및 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 이동시킨다.Specifically, the substrate to be processed 10 is moved in a planar direction in a first direction X and a second direction Y intersecting the first direction X.

다음, 제1 레이저 빔의 스캐닝 필드(SF)를 제어하여 제2 레이저 빔(LB2)을 이용해 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)을 절단한다(S300).Next, the scanning field SF of the first laser beam is controlled to cut the cut area CA of the substrate 10 using the second laser beam LB2 (S300).

구체적으로, 피처리 기판(10)의 이동에 대응하여 에프세타 렌즈(300)로 조사되는 제1 레이저 빔의 스캐닝 필드(SF)를 제어하여 에프세타 렌즈(300) 및 석션 유닛의 석션 영역(SA)을 통과한 제2 레이저 빔(LB2)을 이용해 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)을 절단한다.Specifically, in response to the movement of the substrate 10, the scanning field SF of the first laser beam irradiated onto the Fresnel lens 300 is controlled to move the Fresnel lens 300 and the suction area SA The cutting region CA of the substrate 10 is cut by using the second laser beam LB2 that has passed through the second laser beam LB2.

제1 레이저 빔의 스캐닝 필드(SF)의 테두리는 에프세타 렌즈(300)의 중앙 대비 테두리와 더 가깝게 제어된다.The rim of the scanning field SF of the first laser beam is controlled closer to the center contrast rim of the F.

제2 레이저 빔(LB2)이 조사되는 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리는 석션 영역(SA)의 중앙 대비 테두리와 더 가깝게 위치된다.The edge of the cutting area CA of the substrate 10 to which the second laser beam LB2 is irradiated is located closer to the center contour edge of the suction area SA.

피처리 기판(10)의 제1 방향(X)으로의 제1 이동 거리(MD1)는 제1 방향(X)과 평행한 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)의 제1 길이 대비 짧다. 즉, 스캐닝 필드(SF)의 일 테두리(OL1)의 길이 대비 피처리 기판(10)은 제1 방향(X)으로 더 적게 이동한다.The first moving distance MD1 in the first direction X of the substrate 10 is shorter than the first length OL1 of the scanning field SF parallel to the first direction X. [ That is, the substrate to be processed 10 moves less in the first direction X than the length of one edge OL1 of the scanning field SF.

이와 같이, 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법은 제2 레이저 빔(LB2)이 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)의 테두리를 따라 조사될 때, 피처리 기판(10)이 제1 방향(X)으로 적게 이동하고, 석션 영역(SA)의 60% 이상의 영역이 피처리 기판(10)과 중첩한다. 또한, 석션 영역(SA)의 테두리의 흡입력이 석션 영역(SA)의 중앙 대비 더 크기 때문에, 절단 영역(CA)의 테두리로부터 발생된 불순물이 용이하게 석션 영역(SA)에 흡입된다. As described above, in the substrate cutting method according to another embodiment, when the second laser beam LB2 is irradiated along the rim of the cut region CA of the target substrate 10, (X), and an area of at least 60% of the suction area SA overlaps the substrate 10 to be processed. Since the suction force of the rim of the suction area SA is larger than the center of the suction area SA, the impurities generated from the rim of the cut area CA are easily sucked into the suction area SA.

이로 인해, 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법은 피처리 기판(10)으로부터 발생되는 불순물의 흡입 효율이 향상된다.Therefore, in the substrate cutting method according to another embodiment, the efficiency of suction of impurities generated from the substrate to be processed 10 is improved.

이상과 같이, 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법은, 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 에프세타 렌즈(300)의 면적 및 석션 영역(SA)의 면적이 작더라도, 피처리 기판(10)으로부터 발생된 불순물의 흡입 효율이 향상된다.As described above, according to the substrate cutting method according to another embodiment, even if the area of the F-theta lens 300 and the area of the suction area SA are smaller than the cut area CA of the target substrate 10, The efficiency of suction of the impurities generated from the substrate 10 is improved.

또한, 다른 실시예에 따른 기판 절단 방법은 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA) 대비 에프세타 렌즈(300)의 면적 및 석션 영역(SA)의 면적이 작음으로써, 절단 영역(CA) 대비 에프세타 렌즈의 면적이 더 큰 절단 방법 대비 적은 비용으로 피처리 기판(10)의 절단 영역(CA)을 절단할 수 있다. 즉, 피처리 기판(10)에 대한 절단 비용이 최소화된 기판 절단 방법이 제공된다.In the substrate cutting method according to another embodiment of the present invention, the area of the F-theta lens 300 and the area of the suction area SA are smaller than the cut area CA of the target substrate 10, The cutting area CA of the substrate 10 can be cut at a lower cost than the cutting method having a larger area of the Ephtaeta lens. That is, a substrate cutting method in which the cutting cost for the substrate to be processed 10 is minimized is provided.

본 이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Of the right.

레이저 광원(100), 스캐너(200), 에프세타 렌즈(300), 석션 유닛(400), 스테이지(500)A laser light source 100, a scanner 200, an F-theta lens 300, a suction unit 400, a stage 500,

Claims (10)

피처리 기판의 절단 영역을 절단하는 기판 절단 장치에 있어서,
레이저 빔을 발진하는 레이저 광원;
상기 레이저 광원과 대응하며, 상기 레이저 빔의 스캐닝 필드(scanning field)를 제어하는 스캐너;
상기 스캐너와 상기 피처리 기판 사이에 고정되며, 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 에프세타 렌즈(F-theta lens);
상기 에프세타 렌즈와 상기 피처리 기판 사이에 고정되며, 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 석션 영역을 포함하는 석션 유닛; 그리고
상기 피처리 기판이 안착되며, 평면적으로 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이동하는 스테이지
를 포함하는 기판 절단 장치.A substrate cutting apparatus for cutting a cut region of a substrate to be processed,
A laser light source for emitting a laser beam;
A scanner corresponding to the laser light source and controlling a scanning field of the laser beam;
An F-theta lens fixed between the scanner and the target substrate, the F-theta lens having an area smaller than the cutting area of the target substrate in a plan view;
A suction unit fixed between the Frester lens and the substrate to be processed, the suction unit including a suction area having a smaller area in plan view than the cut area of the substrate to be processed; And
Wherein the substrate to be processed is placed on a stage and moves in a first direction and a second direction that intersects the first direction in a plan view,
. 제1항에서,
상기 레이저 빔의 상기 스캐닝 필드의 테두리는 상기 에프세타 렌즈의 중앙 대비 테두리와 더 가까운 기판 절단 장치.The method of claim 1,
Wherein a rim of the scanning field of the laser beam is closer to a center contour of the Freschel lens. 제1항에서,
상기 레이저 빔이 조사되는 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역의 테두리는 상기 석션 영역의 중앙 대비 테두리와 더 가까운 기판 절단 장치.The method of claim 1,
Wherein the rim of the cutting area of the substrate to be irradiated with the laser beam is closer to the center contour of the suction area. 제1항에서,
상기 스테이지의 상기 제1 방향으로의 이동 거리는 상기 제1 방향과 평행한 상기 스캐닝 필드의 일 테두리의 길이 대비 짧은 기판 절단 장치.The method of claim 1,
Wherein a moving distance of the stage in the first direction is shorter than a length of one edge of the scanning field in parallel with the first direction. 제1항에서,
상기 석션 유닛은 상기 석션 영역의 주변 영역에 위치하는 적어도 하나의 석션부를 포함하는 기판 절단 장치.The method of claim 1,
Wherein the suction unit includes at least one suction portion located in a peripheral region of the suction region. 피처리 기판의 절단 영역을 절단하는 기판 절단 방법에 있어서,
상기 피처리 기판 상에 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 석션 영역을 포함하는 석션 유닛과 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역 대비 평면적으로 작은 면적을 가지는 에프세타 렌즈(F-theta lens)를 순차적으로 고정하는 단계;
상기 피처리 기판을 평면적으로 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이동시키는 단계; 그리고
상기 피처리 기판의 이동에 대응하여 상기 에프세타 렌즈로 조사되는 제1 레이저 빔의 스캐닝 필드를 제어하여 상기 에프세타 렌즈 및 상기 석션 유닛을 통과한 제2 레이저 빔을 이용해 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역을 절단하는 단계
를 포함하는 기판 절단 방법.A substrate cutting method for cutting a cut region of a substrate to be processed,
A sucking unit including a suction area having a small area in plan view with respect to the cut area and an F-theta lens having a small area in plan view with respect to the cut area of the target substrate, ;
Moving the substrate to be processed in a planar manner in a first direction and a second direction intersecting the first direction; And
And controlling the scanning field of the first laser beam irradiated by the F-theta lens in accordance with the movement of the substrate to be processed so that the cutting of the substrate to be processed by using the second laser beam passing through the F- Step of cutting the region
≪ / RTI > 제6항에서,
상기 제1 레이저 빔의 상기 스캐닝 필드의 테두리는 상기 에프세타 렌즈의 중앙 대비 테두리와 더 가까운 기판 절단 방법.The method of claim 6,
Wherein a rim of the scanning field of the first laser beam is closer to a center contour of the Fseta lens. 제6항에서,
상기 제2 레이저 빔이 조사되는 상기 피처리 기판의 상기 절단 영역의 테두리는 상기 석션 영역의 중앙 대비 테두리와 더 가까운 기판 절단 방법.The method of claim 6,
Wherein a rim of the cut region of the substrate to be irradiated with the second laser beam is closer to a center contour of the suction region. 제6항에서,
상기 피처리 기판의 상기 제1 방향으로의 이동 거리는 상기 제1 방향과 평행한 상기 스캐닝 필드의 일 테두리의 길이 대비 짧은 기판 절단 방법.The method of claim 6,
Wherein the moving distance of the substrate to be processed in the first direction is shorter than the length of one edge of the scanning field parallel to the first direction. 제6항에서,
상기 석션 영역은 테두리의 흡입력이 중앙 대비 더 큰 기판 절단 방법.The method of claim 6,
Wherein the suction region is greater in suction force at the rim than at the center.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008213043A (en) * 2007-02-08 2008-09-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Method and apparatus for cutting radiograph conversion plate
KR20110024553A (en) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 Substrate cutting appartus and method for cutting substrate using the same
KR20140020776A (en) * 2012-08-07 2014-02-19 한국기계연구원 Laser machining device using fresnel zone plate and substrate cutting method using the device
KR20140022983A (en) * 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 Laser cutting apparatus and method using laser beam absorption unit
KR20160056464A (en) * 2014-11-11 2016-05-20 삼성디스플레이 주식회사 laser cutting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008213043A (en) * 2007-02-08 2008-09-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Method and apparatus for cutting radiograph conversion plate
KR20110024553A (en) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 Substrate cutting appartus and method for cutting substrate using the same
KR20140020776A (en) * 2012-08-07 2014-02-19 한국기계연구원 Laser machining device using fresnel zone plate and substrate cutting method using the device
KR20140022983A (en) * 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 Laser cutting apparatus and method using laser beam absorption unit
KR20160056464A (en) * 2014-11-11 2016-05-20 삼성디스플레이 주식회사 laser cutting device

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