KR20190024458A - Feedback device and method for providing thermal using the same - Google Patents

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KR20190024458A
KR20190024458A KR1020170111464A KR20170111464A KR20190024458A KR 20190024458 A KR20190024458 A KR 20190024458A KR 1020170111464 A KR1020170111464 A KR 1020170111464A KR 20170111464 A KR20170111464 A KR 20170111464A KR 20190024458 A KR20190024458 A KR 20190024458A
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이경수
오옥균
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Abstract

Disclosed are a feedback device and a method for providing thermal feedback using the same, capable of effectively dissipating waste heat generated in the feedback device. The feedback device according to an embodiment of the present invention comprises: a thermoelectric module including a flexible substrate, a thermoelectric element that is arranged on the substrate and that performs thermoelectric operations for thermal feedback, the operations including a heating operation and a heat absorbing operation, and a contact surface arranged on the substrate, and that outputs the thermal feedback by transferring heat that is generated by the thermoelectric operations to a user through the substrate and the contact surface; and a feedback controller arranged so as to control the thermoelectric module, wherein the feedback controller controls the thermoelectric module so that a temperature of the contact surface is maintained within a certain temperature range during the entire thermoelectric operation time period after the temperature of the contact surface reaches the maximum temperature, and so that the temperature of the contact surface periodically rises or drops by a predetermined threshold value or more after reaching the certain temperature range.

Description

피드백 디바이스 및 이를 이용하는 열적 피드백 제공 방법{FEEDBACK DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING THERMAL USING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a feedback device,

본 발명은 열적 피드백을 출력하는 피드백 디바이스 및 이를 이용하는 열적 피드백 제공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a feedback device for outputting thermal feedback and a method for providing thermal feedback using the feedback device.

근래 들어 가상 현실(VR, Virtual Reality)이나 증강 현실(AR, Augmented Reality)에 대한 기술이 발달함에 따라 콘텐츠에 관한 사용자 몰입도를 증대시키기 위해 다양한 감각을 통한 피드백을 제공하려는 수요가 증대되고 있다. 특히, 2016년 세계가전전시회(CES: Consumer Electronics Show)에서는 미래 유망 기술 중 하나로 가상 현실 기술을 들기도 했다. 이러한 추세와 맞물려, 현재 주로 시각과 청각에 국한된 사용자 경험(UX: User eXperience)에서 벗어나, 향후 후각이나 촉각을 비롯한 인간의 모든 감각에 대한 사용자 경험을 제공하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.Recently, as technology for virtual reality (VR) or augmented reality (AR) has been developed, demand for providing feedback through various senses in order to increase user engagement with contents is increasing. Particularly, at the Consumer Electronics Show (CES) in 2016, virtual reality technology was introduced as one of promising technologies for the future. In parallel with this trend, research is being actively carried out to provide a user experience for all human senses including smell and tactile sensation in the future, away from the user experience (UX: User experience) mainly limited to visual and auditory sense.

열전 소자(TE: ThermoElement)는 펠티에 효과(Peltier effect)에 의해 전기 에너지를 인가받아 발열 반응이나 흡열 반응을 일으키는 소자로서 사용자에게 열적 피드백을 제공하는데 이용될 것으로 기대되어 왔으나, 주로 평판 기판을 이용한 기존의 열전 소자는 사용자의 신체 부위에 밀착되기 어려워 그 응용이 제한되어 왔다.Thermoelement (TE) is a device that generates an exothermic reaction or an endothermic reaction by receiving electric energy by a Peltier effect, and has been expected to be used for providing thermal feedback to a user. However, The application of the thermoelectric element has been limited since it is difficult to adhere to the body part of the user.

그러나, 최근에 유연 열전 소자(FTE: Flexible ThermoElement)의 개발이 성공 단계에 접어듦에 따라, 종래의 열전 소자의 문제점을 극복하고 사용자에게 효과적으로 열적 피드백을 전달할 수 있을 것으로 기대되고 있다.However, recently, development of a flexible thermoelement (FTE) has come to a successful stage, and it is expected to overcome the problems of a conventional thermoelectric device and to transmit thermal feedback effectively to a user.

본 발명의 일 과제는, 사용자에게 열적 피드백을 제공하는 피드백 디바이스 및 이를 이용하는 열적 피드백 제공 방법을 제공하는 것이다.An aspect of the present invention is to provide a feedback device that provides thermal feedback to a user and a method of providing thermal feedback using the feedback device.

본 발명의 다른 일 과제는, 피드백 디바이스에서 발생되는 폐열을 효과적으로 방출시키는 피드백 디바이스를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a feedback device that effectively releases waste heat generated in a feedback device.

본 발명의 또 다른 일 과제는, 냉감 전달 성능이 향상된 피드백 디바이스를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a feedback device with improved cooling transfer performance.

본 발명의 또 다른 일 과제는, 열적 피드백에 대한 사용자의 인지 정도를 향상시키는 열적 피드백 제공 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a method of providing thermal feedback that improves the user's perception of thermal feedback.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments and that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims .

본 발명의 일 양상에 따르면, 피드백 디바이스는 유연성을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 열적 피드백을 위한 열전 동작 - 상기 열전 동작은 발열 동작 및 흡열 동작을 포함함 - 을 수행하는 열전 소자 및 상기 기판에 배치되는 접촉면을 포함하고, 상기 열전 동작을 통해 발생한 열을 상기 기판 및 상기 접촉면을 통해 상기 사용자에게 전달함으로써 상기 열적 피드백을 출력하는 열전 모듈; 및 상기 열전 모듈을 제어하도록 마련되는 피드백 컨트롤러를 포함하고, 상기 피드백 컨트롤러는, 전체 열전 동작 시간 구간동안, 상기 접촉면의 온도가 최대 온도에 도달한 후 소정의 온도구간에서 상기 접촉면의 온도가 유지되도록 상기 열전 모듈을 제어하되, 상기 접촉면의 온도가 상기 소정의 온도구간에 도달한 후 주기적으로 미리 정해진 임계치 이상의 온도 상승 또는 온도 하강이 발생하도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a feedback device comprising: a flexible substrate; a thermoelectric element disposed on the substrate and performing thermoelectric operation for thermal feedback, the thermoelectric operation including a heating operation and an endothermic operation; A thermoelectric module including a contact surface disposed on a substrate and outputting the thermal feedback by transmitting heat generated through the thermoelectric action to the user through the substrate and the contact surface; And a feedback controller configured to control the thermoelectric module, wherein the feedback controller controls the temperature of the contact surface to be maintained at a predetermined temperature interval after the temperature of the contact surface reaches the maximum temperature during the entire thermoelectric operation time interval And controls the thermoelectric module to control the thermoelectric module so that a temperature rise or a temperature lower than a predetermined threshold periodically occurs after the temperature of the contact surface reaches the predetermined temperature range.

본 발명의 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that the solution of the problem of the present invention is not limited to the above-mentioned solutions, and the solutions which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art to which the present invention belongs It will be possible.

본 발명에 의하면, 사용자에게 열적 피드백을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide thermal feedback to the user.

또 본 발명에 의하면, 피드백 디바이스에서 발생되는 폐열을 효과적으로 방출시킬 수 있다.According to the present invention, the waste heat generated in the feedback device can be effectively released.

또 본 발명에 의하면, 사용자에게 냉감을 보다 효과적으로 전달할 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to transmit cold feeling to the user more effectively.

또 본 발명에 의하면, 열적 피드백에 대한 사용자의 인지 정도를 향상시킬 수 있다.Further, according to the present invention, the user's perception of thermal feedback can be improved.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스의 구현예에 관한 것이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구성에 관한 블록도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈의 구성에 관한 블록도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 일 형태에 관한 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 다른 형태에 관한 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 또 다른 형태에 관한 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 다시 또 다른 형태에 관한 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 온감 피드백을 제공하기 위한 발열 동작에 관한 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시예에 따른 온감 피드백의 강도에 관한 그래프이다.
도 21은 본 발명의 실시예에 따른 냉감 피드백을 제공하기 위한 발열 동작에 관한 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시예에 따른 냉감 피드백의 강도에 관한 그래프이다.
도 23은 본 발명의 실시예에 따른 전압 조절을 이용한 온감/냉감 피드백의 강도에 관한 그래프이다.
도 24는 본 발명의 실시예에 따른 동일 온도 변화량을 갖는 온감/냉감 피드백에 관한 그래프이다.
도 25는 본 발명의 실시예에 따른 전압 조절 방식의 열 그릴 동작에 관한 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시예에 따른 전압 조절 방식에서 중립 열 그릴 피드백을 제공하기 위한 전압에 관한 표이다.
도 27은 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부를 설명하기 위한 도면이다.
도 28은 본 발명의 실시예에 따른 방열부를 설명하기 위한 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 31은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 32는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 33은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 34는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.
도 35는 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부(3000)의 액체 함유량에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 36은 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부의 크로스 링크 밀도에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 37은 본 발명의 실시예에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 38은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 제공부의 크로스 링크 밀도에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 39는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 제공부의 크로스 링크 밀도에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 40은 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부의 통액성에 따른 액체 전달을 설명하기 위한 도면이다.
도 41은 본 발명의 실시예에 따른 열 전달부의 기능에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 42 및 도 43은 본 발명의 실시예에 따른 열 방출부의 기능에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 44는 본 발명의 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구성에 관한 블록도이다.
도 45는 본 발명의 실시예에 따른 열 버퍼 물질의 속성을 설명하기 위한 도면이다.
도 46은 본 발명의 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 47은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 48은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 49는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 50은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 51은 본 발명의 실시예에 따른 열 버퍼 물질에 의하여 향상되는 냉감 제공 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 52는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질에 의하여 향상되는 냉감 제공 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 53은 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)에서 사용자에게 제공하는 열의 온도에 대한 그래프에 관한 도면이다..
도 54는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 전압 인가를 이용한 사용자 인지 성능 향상 방법을 나타낸 동작 흐름도이다.
도 55는 본 발명의 실시예에 따른 전압 크기 조절에 의한 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 56은 본 발명의 실시예에 따른 전압 인가 시점 조절에 의한 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 57은 본 발명의 실시예에 따른 복수의 전압 인가에 따른 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하기 위한 도면이다.
도 58은 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어를 통한 사용자 인지 성능 향상 방법을 나타낸 동작 흐름도이다.
도 59는 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작의 제어를 위한 주기를 설명하기 위한 도면이다.
도 60은 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어를 통한 사용자 인지 성능 향상 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 61은 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어에 의한 접촉면의 온도변화를 설명하기 위한 도면이다
도 62는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 동작 제어에 의한 접촉면의 온도변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 63 내지 도 65는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전 동작 제어에 의한 접촉면의 온도변화를 설명하기 위한 도면이다.
1 to 12 relate to an embodiment of a feedback device according to an embodiment of the present invention.
13 is a block diagram of a configuration of a feedback device 100 according to an embodiment of the present invention.
14 is a block diagram of a configuration of a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a view of one embodiment of a thermoelectric module 1000 according to an embodiment of the present invention.
16 is a view showing another embodiment of the thermoelectric module 1000 according to the embodiment of the present invention.
17 is a view showing another embodiment of the thermoelectric module 1000 according to the embodiment of the present invention.
FIG. 18 is a view showing yet another embodiment of the thermoelectric module 1000 according to the embodiment of the present invention.
19 is a diagram illustrating a heating operation for providing warm feedback according to an embodiment of the present invention.
20 is a graph showing the strength of the warm feedback according to the embodiment of the present invention.
21 is a diagram illustrating a heating operation for providing cold feedback according to an embodiment of the present invention.
22 is a graph showing the strength of cold feedback according to an embodiment of the present invention.
23 is a graph illustrating the strength of warm / cold feedback using voltage regulation according to an embodiment of the present invention.
24 is a graph relating to warm / cool feedback with the same temperature change amount according to an embodiment of the present invention.
25 is a diagram illustrating a voltage regulating thermal grill operation according to an embodiment of the present invention.
26 is a table of voltages for providing neutral column grill feedback in a voltage regulation scheme according to an embodiment of the present invention.
27 is a view for explaining a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
28 is a view for explaining a heat dissipating unit according to an embodiment of the present invention.
29 is a diagram illustrating a structure of a feedback device according to an embodiment of the present invention.
30 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.
31 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.
32 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.
33 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.
34 is a diagram illustrating the structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.
FIG. 35 is a view for explaining the waste heat releasing performance according to the liquid content of the liquid supplier 3000 according to the embodiment of the present invention.
36 is a view for explaining the liquid absorption performance and the liquid holding performance according to the cross link density of the liquid supply portion according to the embodiment of the present invention.
37 is a view for explaining waste heat releasing performance according to the liquid absorbing performance and the liquid retaining performance according to the embodiment of the present invention.
38 is a view for explaining the liquid absorption performance and the liquid holding performance according to the cross link density of the liquid supply portion according to another embodiment of the present invention.
Fig. 39 is a view for explaining the liquid absorption performance and the liquid holding performance according to the cross link density of the liquid supply portion according to another embodiment of the present invention. Fig.
40 is a view for explaining liquid transfer according to the liquid permeability of the liquid supply portion according to the embodiment of the present invention.
FIG. 41 is a view for explaining waste heat discharge performance according to the function of the heat transfer unit according to the embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 42 and FIG. 43 are views for explaining the waste heat discharging performance according to the function of the heat discharging unit according to the embodiment of the present invention.
Figure 44 is a block diagram of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.
45 is a view for explaining the properties of a thermal buffer material according to an embodiment of the present invention.
46 is a diagram illustrating a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to an embodiment of the present invention is applied.
47 is a view showing a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.
Figure 48 is a diagram illustrating the structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.
49 is a view showing a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.
50 is a view showing a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.
FIG. 51 is a view for explaining a cooler providing performance improved by the thermal buffer material according to the embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 52 is a view for explaining a cooler providing performance improved by a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention. FIG.
Figure 53 is a plot of the temperature of the heat provided to the user in the feedback device 100 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 54 is a flowchart illustrating a method for improving a user perception performance using a plurality of voltage impressions according to an embodiment of the present invention.
FIG. 55 is a diagram for explaining the cooling / heating performance of the feedback device 100 by adjusting the voltage magnitude according to the embodiment of the present invention.
FIG. 56 is a diagram for explaining the cooling / heating performance of the feedback device 100 by controlling the voltage application time according to the embodiment of the present invention.
57 is a view for explaining the cooling / heating performance of the feedback device 100 according to the application of a plurality of voltages according to the embodiment of the present invention.
58 is a flowchart illustrating a method for improving user perception through thermoelectric operation control according to an embodiment of the present invention.
59 is a diagram for explaining a cycle for controlling the thermoelectric action according to the embodiment of the present invention.
FIG. 60 is a diagram for explaining a method for improving user perception through thermoelectric operation control according to an embodiment of the present invention.
61 is a view for explaining the temperature change of the contact surface by the thermoelectric operation control according to the embodiment of the present invention
62 is a view for explaining the temperature change of the contact surface by thermoelectric operation control according to another embodiment of the present invention.
63 to 65 are diagrams for explaining the temperature change of the contact surface by thermoelectric operation control according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the present invention and not to limit the scope of the invention. Should be interpreted to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention.

본 명세서에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하여 가능한 현재 널리 사용되고 있는 일반적인 용어를 선택하였으나 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 의도, 관례 또는 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 다만, 이와 달리 특정한 용어를 임의의 의미로 정의하여 사용하는 경우에는 그 용어의 의미에 관하여 별도로 기재할 것이다. 따라서 본 명세서에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가진 실질적인 의미와 본 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 한다.Although the terms used in the present invention have been selected in consideration of the functions of the present invention, they are generally used in general terms. However, the present invention is not limited to the intention of the person skilled in the art to which the present invention belongs . However, if a specific term is defined as an arbitrary meaning, the meaning of the term will be described separately. Accordingly, the terms used herein should be interpreted based on the actual meaning of the term rather than on the name of the term, and on the content throughout the description.

본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것으로 도면에 도시된 형상은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 필요에 따라 과장되어 표시된 것일 수 있으므로 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The drawings attached hereto are intended to illustrate the present invention easily, and the shapes shown in the drawings may be exaggerated and displayed as necessary in order to facilitate understanding of the present invention, and thus the present invention is not limited to the drawings.

본 명세서에서 본 발명에 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 이에 관한 자세한 설명은 필요에 따라 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a detailed description of known configurations or functions related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be obscured.

1. 피드백 디바이스1. Feedback device

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a feedback device 100 according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)는 사용자에게 열적 피드백을 제공하는 기기이다. 구체적으로 피드백 디바이스(100)는 발열 동작이나 흡열 동작을 수행하여 사용자에게 열을 인가하거나 사용자로부터 열을 흡수함으로써 사용자에게 열적 피드백을 제공할 수 있다. The feedback device 100 according to an embodiment of the present invention is a device that provides thermal feedback to a user. In particular, the feedback device 100 may provide thermal feedback to the user by performing a heating operation or an endothermic operation to apply heat to the user or absorb heat from the user.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)는 발전을 수행하여 전력을 제공하는 기기이다. 구체적으로, 피드백 디바이스(100)는 피드백 디바이스(100) 내부에서의 온도차이를 통해 기전력을 발생시킴으로써 전력을 제공할 수 있다.In addition, the feedback device 100 according to another embodiment of the present invention is a device that performs power generation to provide power. Specifically, the feedback device 100 can provide power by generating an electromotive force through a temperature difference within the feedback device 100.

1.1. 피드백 디바이스의 동작1.1. Operation of Feedback Device

1.1.1. 열적 피드백1.1.1. Thermal feedback

열적 피드백이란 주로 사용자의 신체에 분포되어 있는 열 감각 기관을 자극하여 사용자가 열적 감각을 느끼도록 하는 열적 자극으로 일종으로, 본 명세서에서 열적 피드백은 사용자의 열 감각 기관을 자극하는 모든 열적 자극을 포괄적으로 아우르는 것으로 해석되어야 한다. Thermal feedback is a type of thermal stimulation that stimulates the user's thermal sense mainly by stimulating the thermal sensory organs distributed in the user's body. In this specification, the thermal feedback is a comprehensive stimulation of the user's thermal sensory organs .

열적 피드백의 대표적인 예로는 온감 피드백과 냉감 피드백을 들 수 있다. 온감 피드백은 사용자가 온감을 느끼도록 피부에 분포한 온점(hot spot)에 온열을 인가하는 것을 의미하며 냉감 피드백은 사용자가 냉감을 느끼도록 피부에 분포된 냉점(cold spot)에 냉열을 인가하는 것을 의미한다. Representative examples of thermal feedback include warm feedback and cold feedback. The warm feedback means applying a warmth to a hot spot distributed on the skin so that the user feels warm and the cold feedback is to apply a cold heat to a cold spot distributed on the skin so that the user feels cold feeling it means.

여기서, 열은 양의 스칼라 형태로 표현되는 물리량이므로 '냉열을 인가한다'는 표현이 물리적 관점에서 엄밀한 표현은 아닐 수 있지만, 본 명세서에서는 설명의 편의를 위하여 열이 인가되는 현상에 대해서 온열이 인가되는 것으로 표현하고, 그 역이 되는 현상, 즉 열을 흡수하는 현상에 대하여는 냉열이 인가되는 것으로 표현하기로 한다.Here, since the column is a physical quantity represented by a positive scalar shape, the expression 'applying cold heat' may not be strictly expressed from a physical point of view, but in the present specification, for convenience of description, And the opposite phenomenon, that is, a phenomenon in which heat is absorbed, is referred to as cold heat is applied.

또한, 본 명세서에서 열적 피드백에는 온감 피드백 및 냉감 피드백 이외에도 열 그릴 피드백(thermal grill feedback)이 더 포함될 수 있다. 온열과 냉열이 동시에 주어지는 경우 사용자는 이를 개별적인 온감과 냉감으로 인식하는 대신 통감으로 인식하게 되는데 이러한 감각을 소위 열 그릴 환감(TGI: Thermal Grill Illusion, 이하 '열 통감'이라고 함)이라고 한다. 즉, 열 그릴 피드백은 온열과 냉열을 복합적으로 인가하는 열적 피드백을 의미하며, 주로 온감 피드백과 냉감 피드백을 동시에 출력함으로써 제공될 수 있다. 또 열 그릴 피드백은 통감에 가까운 감각을 제공하는 측면에서 열 통감 피드백으로 지칭될 수도 있다. 열 그릴 피드백과 관련된 보다 자세한 설명은 후술될 것이다.In addition, thermal feedback in this specification may further include thermal grill feedback in addition to warm feedback and cold feedback. When the heat and the cold are given at the same time, the user perceives it as a sensation instead of recognizing it as individual warmth and cold sensation. This sensation is referred to as a so-called thermal grill (TGI). That is, the thermal grill feedback means thermal feedback that applies a combination of heat and cold heat, and can be provided mainly by simultaneously outputting warm feedback and cold feedback. Thermal grill feedback may also be referred to as thermal sensory feedback in terms of providing a sensation close to intuition. A more detailed description of the thermal grill feedback will be provided later.

1.1.2. 전력 발전1.1.2. Power generation

피드백 디바이스(100)는 전력을 발전할 수 있다. 앞서 설명한 열적 피드백의 경우 후술할 열전 모듈(1200)에 전력이 인가되어 발열동작 또는 흡열동작이 수행되는 동작인 반면, 전력 발전의 경우에는 열전 모듈(1200)에서의 온도차에 의해 전력이 발생되는 동작을 의미할 수 있다.The feedback device 100 may develop power. In the case of the thermal feedback described above, power is generated by the temperature difference in the thermoelectric module 1200 in the case of power generation while the power is applied to the thermoelectric module 1200 to be described later to perform the heat generation operation or the heat absorption operation. . ≪ / RTI >

1.2. 피드백 디바이스의 응용예1.2. Application example of feedback device

상술한 피드백 디바이스(100)는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 이하에서는 피드백 디바이스(100)의 대표적인 몇몇 구현예에 관하여 언급하기로 한다. The feedback device 100 described above may be implemented in various forms. Hereinafter, some representative implementations of the feedback device 100 will be described.

1.2.1. 게이밍 콘트롤러(gaming controller)1.2.1. Gaming controller

피드백 디바이스(100)의 대표적인 구현예 중 하나로 게이밍 콘트롤러를 들 수 있다. 여기서, 게이밍 콘트롤러는 게임 환경에서 사용자의 조작을 입력받는 입력 수단을 의미할 수 있다. 게이밍 콘트롤러는 주로 게임 콘솔 장치, 컴퓨터, 태블릿, 스마트 폰 등의 게임을 구동시키는 각종 장치들과 연동되어 게임에 이용되는 사용자 조작을 입력받는 역할을 한다. 물론, 휴대용 게임기의 경우에는 기기 자체에 게이밍 콘트롤러가 일체를 이뤄 탑재되기도 한다. One typical implementation of the feedback device 100 is a gaming controller. Here, the gaming controller may mean an input means for receiving a user's operation in a game environment. The gaming controller plays a role of receiving a user operation used in a game in cooperation with various devices for driving games such as a game console device, a computer, a tablet, and a smart phone. Of course, in the case of a portable game machine, the gaming controller may be integrated into the device itself.

최근 게임 환경은 기존의 TV나 모니터를 통해 출력되는 게임 화면에 사용자의 조작을 반영하던 전통적인 형태에서 벗어나 오큘러스(Oculus)社의 리프트(Rift)TM나 마이크로소프트(Microsoft)社의 홀로렌즈(Hololens) TM 등과 같은 두부 장착형 교시 기기(HMD: Head Mounted Display)를 이용한 가상 현실 내지는 증강 현실로까지 변모하고 있다. 이처럼 새로운 게임 환경에서 게이밍 콘트롤러는 단순한 입력 수단에서 벗어나 게임 몰입감을 증대시키기 위해 사용자에게 각종 피드백을 제공하는 출력 수단으로까지 그 역할을 확장하고 있는 추세이다. 그 일 예로 소니(Sony)社의 플레이스테이션(Playstation)TM용 듀얼 쇼크(Dual Shock)TM에는 사용자에게 촉각 피드백(tactile feedback)을 출력하는 진동 기능이 탑재되어 있다. Recently, the game environment has been changed from the conventional form reflecting the user's operation on the game screen outputted through the conventional TV or monitor, and the user can use the Oculus Rift TM or Microsoft's Hololens ) TM or a head mounted display (HMD) such as a head mounted display device (HMD) is being transformed into a virtual reality or augmented reality. In such a new game environment, the gaming controller is expanding its role as a means of outputting various feedbacks to the user in order to increase the immersion feeling of the game by leaving the simple input means. For example, Sony's Dual Shock ™ for Playstation ™ is equipped with a vibration function that outputs tactile feedback to the user.

본 명세서에서 게이밍 콘트롤러로 구현된 피드백 디바이스(100)는 사용자에게 열적 피드백을 제공함으로써 기존에 사용자가 느끼지 못했던 열적 감각을 인터렉티브 요소로 게임에 추가시켜 보다 높은 게임 몰입도를 유도할 수 있다. The feedback device 100 implemented as a gaming controller herein may provide a user with thermal feedback to add a thermal sensation that the user has not previously felt to the game as an interactive element, thereby inducing higher game immersion.

1.2.2. 웨어러블 디바이스(wearable device)1.2.2. A wearable device

피드백 디바이스(100)의 다른 구현예로는 웨어러블 디바이스(100b)를 고려해 볼 수 있다. Other embodiments of feedback device 100 may consider wearable device 100b.

여기서, 웨어러블 디바이스(100b)는 사용자의 신체에 착용되어 다양한 기능을 수행하는 기기를 의미할 수 있다. 보다 편리한 기술을 추구하는 최근 트렌드에 따라 점차 인간-기계 인터페이스(HMI: Human-Machine Interface)에 관한 관심이 높아지면서 다양한 웨어러블 디바이스들(100b)이 개발되고 있는데, 웨어러블 디바이스(100b)에 열적 피드백 기능을 도입함으로써 보다 새로운 사용자 경험이 가능해질 수 있다. Here, the wearable device 100b may mean a device that is worn on the user's body and performs various functions. In recent trends toward pursuing more convenient technologies, various wearable devices 100b have been developed with increasing interest in a human-machine interface (HMI). The wearable device 100b is provided with a thermal feedback function A new user experience can be made possible.

도 1 내지 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구현예 중 웨어러블 디바이스(100b)에 관한 것이다.1 to 12 relate to a wearable device 100b in an embodiment of a feedback device 100 according to an embodiment of the present invention.

웨어러블 디바이스(100b)는 도 1에 도시된 것과 유사하게 손목에 착용하는 워치 타입(100a-1), 도 2에 도시된 것과 유사하게 밴드 타입(100a-2), 도 3에 도시된 것과 유사하게 손목 밴드(스트랩) 타입(100a-3), 도 4에 도시된 것과 유사하게 암 밴드(암 슬리브) 타입(100a-4), 도 5에 도시된 것과 유사하게 장갑처럼 손에 끼울 수 있는 글러브 타입(100a-5), 도 6, 7에 도시된 것과 유사하게 머리에 쓸 수 있는 모자 타입(100a-6, 100a-7), 도 8에 도시된 것과 유사하게 사용자에 신체에 두를 수 있는 스카프 타입(100a-8), 도 9에 도시된 것과 유사하게 옷처럼 입을 수 있는 슈트 타입(100a-9), 도 10에 도시된 것과 유사하게 사용자가 입을 수 있는 조끼 타입(100a-10), 도 11에 도시된 것과 유사하게 신발처럼 신을 수 있는 슈즈 타입(100a-11), 도 12에 도시된 것과 유사하게 양말처럼 신을 수 있는 양말 타입(100a-12) 등과 같이 그 명칭 그대로 사용자의 신체 각부에 장착되는 다양한 형태로 개발되고 있다. The wearable device 100b includes a watch type 100a-1 worn on the wrist similar to that shown in Fig. 1, a band type 100a-2 similar to that shown in Fig. 2, (Arm-sleeve) type 100a-4 similar to that shown in Fig. 4, a glove type which can be put in the hand like a glove similar to that shown in Fig. 5, a wrist strap type (100a-6, 100a-7) that can be used on the head similarly to that shown in Figs. 6 and 7, a scarf that can be put on the wearer's body Type suit 100a-9, a wearable suit type 100a-9 similar to that shown in Fig. 9, a user wearable vest type 100a-10 similar to that shown in Fig. 10, A shoe type 100a-11 that can be worn like a shoe similar to that shown in Fig. 11, a shoe type 100a-11 that can be worn like a sock Such as a sock type (100a-12), and the like.

상술한 게이밍 콘트롤러(100a)에서와 마찬가지로 웨어러블 디바이스(100b)에서도 사용자의 신체와 접촉하는 부위를 통해 사용자에게 열적 피드백을 제공하도록 설계될 수 있다. 도 1 내지 도 12를 참조하면, 각 형태의 웨어러블 디바이스(100a)에서 사용자의 신체에 열적 피드백을 제공하는 부위, 즉 접촉면(1600)이 표시되어 있다. 물론, 접촉면(1600)의 위치가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 웨어러블 디바이스(100a)에 있어서 도면과 다른 부위에 접촉면(1600)이 마련되는 것도 가능함은 물론이다.As with the gaming controller 100a described above, the wearable device 100b can also be designed to provide thermal feedback to the user through a site in contact with the user's body. Referring to Figs. 1 to 12, a portion, that is, a contact surface 1600, which provides thermal feedback to the user's body in each type of wearable device 100a, is shown. Of course, the position of the contact surface 1600 is not limited to the drawings, and it is needless to say that the wearable device 100a may be provided with the contact surface 1600 at a portion different from the view.

1.2.3. 그 외1.2.3. etc

이상에서는 피드백 디바이스(100)의 구현예 중 게이밍 콘트롤러(100a)와 웨어러블 디바이스(100b)에 대하여 설명하였으나, 피드백 디바이스(100)의 구현예가 이로 한정되는 것은 아니다. Although the gaming controller 100a and the wearable device 100b have been described above as examples of the feedback device 100, the embodiment of the feedback device 100 is not limited thereto.

실질적으로 피드백 디바이스(100)는 열적 피드백 기능이 유용하게 이용되는 어떠한 기기로도 구현될 수 있다. 이해를 돕기 위한 몇몇 예시를 소개하면, 피드백 디바이스(100)는 환자의 열 감각을 테스트하기 위한 의료 기기에 응용되거나, 운전자의 손에 적당한 열감을 제공하거나 경고 신호를 제공하려는 목적으로 자동차의 스티어링 휠에 응용될 수도 있다. 이외에도 피드백 디바이스(100)는 학생에게 열 감각을 제공하여 교육 효과를 높이기 위해 교육용 설비에 이용되거나 영화관의 의자 등에 장착되어 사용자에게 시청각 감각에 더해 열적 감각을 제공하여 영화 몰입 효과를 증대시키기 위해 이용될 수도 있을 것이다.Substantially the feedback device 100 may be implemented with any device in which the thermal feedback function is usefully utilized. For example, the feedback device 100 may be applied to a medical device for testing a patient's thermal sensation, or may be provided with a steering wheel (not shown) of a vehicle for the purpose of providing a moderate heat sensation in the hands of the driver, . In addition, the feedback device 100 may be used in an educational facility or a chair of a movie theater to provide a sense of heat to the student to enhance the educational effect, thereby providing the user with a thermal sensation in addition to the audiovisual sense, It might be.

1.3. 피드백 디바이스의 구성1.3. Configuration of Feedback Device

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구성에 관하여 설명한다. Hereinafter, the configuration of the feedback device 100 according to the embodiment of the present invention will be described.

도 13은 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구성에 관한 블록도이다.13 is a block diagram of a configuration of a feedback device 100 according to an embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 및 액체 제공부(3000)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 13, the feedback device 100 may include a thermoelectric module 1000, a heat dissipation unit 2000, and a liquid supplier 3000.

열전 모듈(1000)은 열적 피드백을 출력할 수 있다. 열적 피드백은 사용자의 신체와 접촉하는 접촉면(1600)과 상기 접촉면(1600)에 연결되는 열전 소자를 포함하는 열전 모듈(1000)이 전원 인가에 따라 열전 소자에 발생하는 온열이나 냉열을 접촉면(1600)을 통해 사용자 신체에 인가하는 것에 의해 출력될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 열전 모듈(1000)은 피드백 디바이스(100)가 아닌 외부 디바이스와 통신을 수행하는 통신 모듈(미도시)을 통해 외부 디바이스로부터 수신되는 열적 피드백 신호를 따라 발열 동작이나 흡열 동작 또는 열 그릴 동작을 수행하여 열적 피드백을 출력할 수 있고, 사용자는 출력되는 열적 피드백에 의해 열적 경험을 체험할 수 있다. 또한, 열전 모듈(1000) 주변에 온도차가 발생되는 경우 기전력이 발생되고, 열전 모듈(1000)은 상기 기전력을 이용하여 전력을 제공할 수 있다.The thermoelectric module 1000 can output thermal feedback. Thermal feedback is performed by applying heat or cold heat generated on the thermoelectric element to the contact surface 1600 according to application of power by a thermoelectric module 1000 including a contact surface 1600 in contact with the user's body and a thermoelectric element connected to the contact surface 1600, Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > In an embodiment of the present invention, the thermoelectric module 1000 generates a thermal or heat-absorbing operation along with a thermal feedback signal received from an external device via a communication module (not shown) that communicates with an external device other than the feedback device 100 Or thermal grill operation to output thermal feedback, and the user can experience a thermal experience by outputting thermal feedback. Also, when a temperature difference is generated around the thermoelectric module 1000, an electromotive force is generated, and the thermoelectric module 1000 can provide power using the electromotive force.

방열부(2000)는 열전모듈(1000)에서 발생되는 폐열을 피드백 디바이스(100)의 외부로 방출하는 구성을 나타낼 수 있다. 여기서, 폐열은 피드백 디바이스(100)에서 발생한 열중 사용자에게 열적 경험을 제공하는데 사용되는 열 이외의 나머지 열을 의미할 수 있다. 예를 들어, 열전 모듈(1000)에서 열적 피드백이 출력된 이후 피드백 디바이스(100)에 잔존하는 잔열은 폐열에 포함될 수 있다. 방열부(2000)에 대해서는 도 28에서 보다 자세하게 설명한다.The heat dissipating unit 2000 may discharge the waste heat generated in the thermoelectric module 1000 to the outside of the feedback device 100. Here, the waste heat may refer to the remaining heat other than the heat used to provide a thermal experience to the user in heat generated in the feedback device 100. For example, the residual heat remaining in the feedback device 100 after the thermal feedback is output in the thermoelectric module 1000 may be included in the waste heat. The heat dissipating unit 2000 will be described in more detail with reference to FIG.

액체 제공부(3000)는 방열부(2000)에서 잠열의 형태로 폐열을 방출하도록 마련된 구성을 나타낼 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000)에 액체를 제공할 수 있고, 상기 방열부(2000)에 제공된 액체는, 열전 모듈(1000)로부터 전달된 폐열에 의해 기화될 수 있다. 상기 기화로 인하여 보다 많은 양의 폐열이 외부로 방출될 수 있다. 또한, 상기 기화로 인하여 피드백 디바이스(100)의 온도가 하강될 수 있다. 예를 들어, 상기 증발된 액체는 방열부(2000)에 제공되었으나 증발되지 않은 액체로부터 열을 빼앗을 수 있고, 이로 인해 방열부(2000)에 제공되었으나 증발되지 않은 액체의 온도는 낮아질 수 있다. 액체 제공부(3000)에 대해서는 도 27에서 보다 자세하게 설명한다.The liquid supplier 3000 may be configured to discharge waste heat in the heat dissipating unit 2000 in the form of latent heat. In the embodiment of the present invention, the liquid supplier 3000 may supply liquid to the heat dissipating unit 2000, and the liquid provided to the heat dissipating unit 2000 may be vaporized by the waste heat transferred from the thermoelectric module 1000 . A larger amount of waste heat can be discharged to the outside due to the vaporization. Also, the temperature of the feedback device 100 may be lowered due to the vaporization. For example, the evaporated liquid may be supplied to the heat dissipating unit 2000, but it may take heat from the non-evaporated liquid, thereby lowering the temperature of the liquid that has been supplied to the heat dissipating unit 2000 but not evaporated. The liquid supplier 3000 will be described in more detail with reference to FIG.

1.3.1. 열전 모듈1.3.1. Thermoelectric module

1.3.1.1. 열전 모듈의 개요1.3.1.1. Thermoelectric module overview

열전 모듈(1000)은 발열 동작, 흡열 동작 또는 열 그릴 동작을 수행함으로써 사용자에게 온열 및 냉열을 전달하는 열적 피드백을 출력할 수 있다. 상술한 발열 동작, 흡열 동작 또는 열 그릴 동작을 수행하기 위해 열전 모듈(1000)은 펠티에 소자 등의 열전 소자(thermoelectric element such as a Peltier element)를 이용할 수 있다.The thermoelectric module 1000 may output thermal feedback to transmit heat and cold to the user by performing a heat generating operation, an endothermic operation, or a thermal grill operation. The thermoelectric module 1000 may use a thermoelectric element such as a Peltier element to perform the heat generating operation, the heat absorbing operation, or the thermal grill operation.

펠티에 효과는 1834년 쟝 펠티에(Jean Peltier)에 의해 발견된 열전 현상으로, 이종(異種)의 금속을 접합한 뒤 전류를 흘리면 전류의 방향에 따라 한쪽에서는 발열 반응이 발생하고 다른 쪽에서는 냉각 반응이 발생하는 현상을 의미한다. 펠티에 소자는 이러한 펠티에 효과를 일으키는 소자로서, 펠티에 소자는 초기에는 비스무트와 안티몬과 같은 이종 금속 접합체로 만들어졌으나 최근에는 보다 높은 열전 효율을 갖도록 두 개의 금속판 사이에 N-P 반도체를 배열하는 방식으로 제조되고 있다. The Peltier effect is a thermoelectric phenomenon discovered by Jean Peltier in 1834. When a different kind of metal is bonded and then the current flows, an exothermic reaction occurs on one side and a cooling reaction occurs on the other side This means the phenomenon that occurs. Peltier devices are devices that produce such a Peltier effect. Peltier devices are initially made of dissimilar metal assemblies such as bismuth and antimony, but in recent years they have been manufactured in such a way that NP semiconductors are arranged between two metal plates to have higher thermoelectric efficiency .

펠티에 소자는 전류가 인가되면 양쪽 금속판에서 발열과 흡열이 즉각적으로 유도되며, 전류 방향에 따라 발열과 흡열의 전환이 가능하고, 전류량에 따라 발열이나 흡열 정도도 비교적 정밀하게 조절 가능하므로 열적 피드백을 위한 발열 동작이나 흡열 동작에 이용되기 적절하다. 특히, 최근 유연 열전 소자(flexible thermoelectric element)가 개발됨에 따라 사용자의 신체에 대해 접촉이 용이한 형태로 제조가 가능해져 피드백 디바이스(100)로서의 상업적 이용 가능성이 증대되고 있다. The Peltier device is able to instantly induce heat and endothermic currents on both metal plates when current is applied and to convert heat and endothermic currents according to the current direction and to adjust the heat and endothermic degree relatively precisely according to the amount of current, It is suitable to be used for heat generation operation and heat absorption operation. In particular, with the development of flexible thermoelectric elements, it has become possible to manufacture the flexible thermoelectric element in a form that can be easily contacted to the user's body, and thus the possibility of commercial use as the feedback device 100 is increasing.

이에 따라 열전 모듈(1000)은 상술한 열전 소자에 전기가 인가됨에 따라 발열 동작이나 흡열 동작을 수행할 수 있다. 물리적으로는 전기를 인가받은 열전 소자에서는 발열 반응과 흡열 반응이 동시에 일어나지만, 본 명세서에서는 열전 모듈(1000) 관해 사용자의 신체에 접하는 면이 열을 발생시키는 것을 발열 동작으로, 열을 흡수하는 것을 흡열 동작으로 정의한다. 예를 들어, 열전 소자는 기판(1220) 상에 N-P 반도체를 배치하여 구성될 수 있는데, 여기에 전류가 인가되면 일측에서는 발열이 이루어지고 타측에서는 흡열이 이루어진다. 여기서, 사용자의 신체를 향한 측면을 전면, 그 반대 측면을 배면으로 하면, 열전 모듈(1000)에 대하여 전면에서 발열, 배면에서 흡열이 일어나는 것을 발열 동작을 수행하는 것으로 정의하고, 그 반대로 전면에서 흡열, 후면에서 발열이 일어나는 것을 흡열 동작을 수행하는 것으로 정의할 수 있다. Accordingly, the thermoelectric module 1000 can perform the heat generating operation or the heat absorbing operation as electricity is applied to the thermoelectric element. Physically, an exothermic reaction and an endothermic reaction occur at the same time in a thermoelectric element to which electricity is applied. However, in the present specification, in the present specification, the surface of the thermoelectric module 1000 that is in contact with the user generates heat, It is defined as endothermic operation. For example, a thermoelectric element can be constructed by disposing an N-P semiconductor on a substrate 1220, where heat is generated at one side and heat is absorbed at the other side. Here, if the side facing the body of the user is a front side and the opposite side is a rear side, heat generation at the front surface and heat absorption at the back surface of the thermoelectric module 1000 are defined as performing a heat generation operation, , And heat generation at the rear surface can be defined as performing an endothermic operation.

또 열전 효과는 열전 소자에 흐르는 전하에 의해 유도되므로, 열전 모듈(1000)의 발열 동작이나 흡열 동작을 유도하는 전기에 대해서 전류 관점으로 서술하는 것도 가능하지만, 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 일괄적으로 전압 관점에서 서술하기로 한다. 다만, 이는 설명의 편의를 위한 것에 불과하며 전압 관점에서의 서술에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하 '당업자'라고 함)가 이를 전류 관점으로 치환하여 해석하는 것에 발명적 사고가 필요한 것도 아니므로, 본 발명이 전압 관점으로 한정 해석되어서는 아니됨을 밝혀둔다. Since the thermoelectric effect is induced by the electric charge flowing through the thermoelectric element, it is possible to describe the electric current inducing the heat generation operation or the heat absorption operation of the thermoelectric module 1000 from the viewpoint of current. However, in the present specification, In terms of voltage. However, this is merely for the sake of convenience of description, and it is understood that a person having a general knowledge in the technical field to which the present invention belongs (hereinafter referred to as a "person skilled in the art" It should be noted that the present invention should not be construed as limited in terms of the voltage, since it is not necessary to cause accidents.

또한, 열전 모듈(1000)은 열전 모듈(1000)의 온도 차이를 이용하여 전력을 제공할 수 있다. 제벡 효과(Seebeck effect)는 1821년 토마스 존슨 제벡(Thomas Johnson Seeback)에 의해 발견된 열전 현상으로 이종의 금속판을 접합한 뒤 이종의 금속판에 온도차이를 인가하면, 열기전력의 발생되어 고온부의 전자들이 페르미 준위보다 더 높은 운동 에너지를 갖게되어 저온부로 확산되어 전위차를 발생함으로써 전력을 제공하는 현상을 의미한다. 제벡 소자는 이러한 제벡 효과를 일으키는 소자로서, 펠티에 소자와 마찬가지로 두 개의 금속판 사이에 N-P 반도체를 배열하는 방식으로 제조되고 있다. 본 명세서에서, 열전 모듈(100)은 열전 모듈(100)에 인가되는 에너지에 따라 상술한 펠티에 효과 또는 제벡 효과를 제공할 수 있는 구성으로 이해될 수 있다.In addition, the thermoelectric module 1000 can provide power using the temperature difference of the thermoelectric module 1000. The Seebeck effect is a thermoelectric phenomenon discovered by Thomas Johnson Seeback in 1821, when a different kind of metal plate is bonded and then a different temperature is applied to a different metal plate, Which is higher than the Fermi level and diffuses to the low temperature part to generate a potential difference to provide power. The JEBEC device is a device that produces such a Seebeck effect, and is manufactured by arranging N-P semiconductors between two metal plates like a Peltier device. In this specification, the thermoelectric module 100 can be understood as a configuration capable of providing the Peltier effect or the Seebeck effect according to the energy applied to the thermoelectric module 100.

1.3.1.2. 열전 모듈의 구성1.3.1.2. Configuration of thermoelectric module

도 14는 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈의 구성에 관한 블록도이다.14 is a block diagram of a configuration of a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 열전 모듈(1000)는 기판(1220), 열전 쌍 어레이(1240), 접촉면(1600), 전원단자(1260), 전력 저장부(1270) 및 피드백 콘트롤러(1400)를 포함할 수 있다.14, a thermoelectric module 1000 includes a substrate 1220, a thermocouple array 1240, a contact surface 1600, a power terminal 1260, a power storage 1270, and a feedback controller 1400 .

접촉면(1600)은 사용자의 신체에 직접 접촉해 열전 모듈(1000)에서 발생하는 온열 또는 냉열을 사용자의 피부로 전달한다. 다시 말해, 피드백 디바이스(100)의 외면 중 사용자의 신체에 직접 또는 간접 접촉하는 부위가 접촉면(1600)이 될 수 있다. 또한, 접촉면(1600)은 피드백 디바이스(100)의 내면에 배치될 수도 있다. 예를 들어, 접촉면(1600)은 피드백 디바이스(100)의 케이싱 중 사용자가 파지하는 파지부에 형성될 수 있고, 피드백 디바이스(100)가 도 3과 같은 손목 밴드 타입의 웨어러블 디바이스인 경우에는 손목 밴드의 내부면의 전체 또는 일부가 접촉면(1600)이 될 수 있다.The contact surface 1600 directly contacts the user's body to transmit heat or cold heat generated from the thermoelectric module 1000 to the user's skin. In other words, the portion of the external surface of the feedback device 100 that is in direct or indirect contact with the user's body may be the contact surface 1600. In addition, the contact surface 1600 may be disposed on the inner surface of the feedback device 100. For example, the contact surface 1600 may be formed in the grip portion of the user of the feedback device 100, and when the feedback device 100 is a wearable device of the wrist band type as shown in Fig. 3, All or a part of the inner surface of the contact surface 1600 may be the contact surface 1600. [

일 예로, 접촉면(1600)은 열전 모듈(1000)에서 발열 동작 또는 흡열 동작을 수행하는 열전 쌍 어레이(1240)의 외면(사용자의 신체 방향)에 직간접적으로 부착되는 레이어로 제공될 수 있다. 이러한 형태의 접촉면(1600)은 열전 쌍 어레이(1240)와 사용자의 피부 사이에 배치되어 열 전달을 수행할 수 있다. 이를 위해 접촉면(1600)은 열전 쌍 어레이(1240)로부터 사용자 신체로의 열 전달이 잘 이루어지도록 열 전도도가 높은 재질로 제공될 수 있다. 또 레이어 타입의 접촉면(1600)은 열전 쌍 어레이(1240)가 외부에 직접 노출되는 것을 방지하여 열전 쌍 어레이(1240)를 외부 충격으로부터 보호하는 역할도 가진다.The contact surface 1600 may be provided as a layer directly or indirectly attached to the outer surface of the thermocouple array 1240 performing the heat generating operation or the heat absorbing operation in the thermoelectric module 1000 (direction of the user's body). This type of contact surface 1600 may be disposed between the thermocouple array 1240 and the skin of the user to perform heat transfer. To this end, the contact surface 1600 may be provided with a material having a high thermal conductivity so that heat transfer from the thermocouple array 1240 to the user's body is well performed. The layer type contact surface 1600 also prevents direct exposure of the thermocouple array 1240 to the outside, thereby protecting the thermocouple array 1240 from external impacts.

한편, 이상에서는 접촉면(1600)이 열전 쌍 어레이(1240)의 외면에 배치되는 별도의 구성인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 열전 쌍 어레이(1240)의 외면 그 자체가 접촉면(1600)이 되는 것도 가능하다. 다시 말해, 열전 쌍 어레이(1240)의 전면의 일부 또는 전부가 접촉면(1600)이 될 수 있는 것이다.In the above description, the contact surface 1600 is disposed on the outer surface of the thermocouple array 1240. However, the outer surface of the thermocouple array 1240 itself may be the contact surface 1600 . In other words, some or all of the front surface of the thermocouple array 1240 can be the contact surface 1600.

기판(1220)은 단위 열전 쌍(1241)을 지지하는 역할을 하며 절연 소재로 제공된다. 예를 들어, 기판(1220)의 소재로는 세라믹을 선택할 수 있다. 또 기판(1220)은 평판 형상의 것을 이용할 수도 있지만 반드시 그러한 것은 아니다. The substrate 1220 serves to support the unit thermocouples 1241 and is provided as an insulating material. For example, ceramics can be selected as the material of the substrate 1220. The substrate 1220 may have a flat plate shape, but this is not necessarily the case.

기판(1220)은 다양한 형상의 접촉면(1600)을 가지는 여러 종류의 피드백 디바이스(100)에 범용적으로 이용 가능한 유연성을 갖도록 유연 소재로 제공될 수도 있다. 예를 들어, 웨어러블 디바이스 타입의 피드백 디바이스(100)에서는 피드백 디바이스(100)가 사용자에게 접촉하는 부위가 곡면 형상인 것이 대부분인데, 이러한 곡면 부위에 열전 모듈(1000)을 사용하기 위해서는 열전 모듈(1000)이 유연성을 갖는 것이 중요할 수 있다. 이를 위해 기판(1220)에 이용되는 유연 소재의 예로는, 유리 섬유(glass fiber)나 유연성 플라스틱이 있을 수 있다. 또한, 경우에 따라, 열전 모듈(1000)에 기판(1220)이 포함되지 않을 수 있다. 이 경우, 열전 쌍 어레이(1240)에서 발생되는 온열 또는 냉열이 기판(1220)을 거치지 않고 접촉면(1600)으로 직접 전달될 수 있다.The substrate 1220 may be provided with a flexible material so as to have flexibility that is universally available for various types of feedback devices 100 having contact surfaces 1600 of various shapes. For example, in the case of the wearable device type feedback device 100, the portion where the feedback device 100 contacts the user is a curved surface. In order to use the thermoelectric module 1000 at the curved surface portion, ) May be important to have flexibility. Examples of the flexible material used for the substrate 1220 for this purpose include glass fiber and flexible plastic. In some cases, the thermoelectric module 1000 may not include the substrate 1220. In this case, the heat or cold heat generated in the thermocouple array 1240 can be directly transferred to the contact surface 1600 without passing through the substrate 1220.

열전 쌍 어레이(1240)는 복수의 단위 열전 쌍(1241)으로 구성된다. 일 실시예에서, 열전 쌍 어레이(1240)는 기판(1220) 상에 배치될 수 있다. 단위 열전 쌍(1241)으로는 서로 상이한 금속 쌍(예를 들어, 비스무트와 안티몬 등)을 이용할 수 있지만, 주로는 N형과 P형의 반도체 쌍을 이용할 수 있다. The thermocouple array 1240 is composed of a plurality of unit thermocouples 1241. In one embodiment, the thermocouple array 1240 may be disposed on a substrate 1220. As the unit thermocouples 1241, different pairs of metals (for example, bismuth and antimony) can be used, but mainly N-type and P-type semiconductor pairs can be used.

단위 열전 쌍(1241)에서 반도체 쌍은 일단에서 전기적으로 연결되며, 타단에서 단위 열전 쌍(1241)과 전기적으로 연결된다. 반도체 쌍 간(1241a, 1241b) 또는 인접 반도체와의 전기적 연결은 기판(1220)에 배치되는 도체 부재(1242)에 의해 이루어진다. 도체 부재(1242)는 구리나 은 등의 도선이나 전극일 수 있다. In the unit thermocouple 1241, the semiconductor pair is electrically connected at one end and electrically connected to the unit thermocouple 1241 at the other end. Electrical connection between the semiconductor pair 1241a and 1241b or the adjacent semiconductor is performed by a conductor member 1242 disposed on the substrate 1220. [ The conductor member 1242 may be a lead or an electrode such as copper or silver.

단위 열전 쌍(1241)의 전기적 연결은 주로 직렬 연결로 이루어질 수 있으며, 서로 직렬로 연결된 단위 열전 쌍(1241)은 열전 쌍 그룹(1250)을 이루고, 다시 열전 쌍 그룹(1250)은 열전 쌍 어레이(1240)를 이룰 수 있다. The unit thermocouples 1241 may be electrically connected in series. The unit thermocouples 1241 connected in series form a thermocouple group 1250, and the thermocouple group 1250 may be a thermocouple array 1240).

전원 단자(1260)는 열전 모듈(1000)에 전원을 인가할 수 있다. 전원 단자(1260)로 인가되는 전원의 전압값 및 전류의 방향에 따라 열전 쌍 어레이(1240)는 열을 발생시키거나 열을 흡수할 수 있다. 보다 구체적으로 전원 단자(1260)는 하나의 열전 쌍 그룹(1250)에 대하여 두 개씩 연결될 수 있다. 따라서, 열전 쌍 그룹(1250)이 여러 개인 경우에는 각각의 열전 쌍 그룹(1250)별로 두 개의 전원 단자(1260)가 배치될 수도 있다. 이러한 연결 방식에 의하면 열전 쌍 그룹(1250) 별로 전압값이나 전류 방향을 개별 제어하여, 발열 및 흡열 중 어느 것을 수행할지 여부와 발열이나 흡열 시 그 정도가 조절될 수 있다. The power terminal 1260 can apply power to the thermoelectric module 1000. The thermocouple array 1240 can generate heat or absorb heat according to the voltage value of the power source applied to the power source terminal 1260 and the direction of the current. More specifically, the power terminals 1260 may be connected to one thermoelectric couple group 1250 by two. Accordingly, when there are a plurality of thermoelectric couple groups 1250, two power terminals 1260 may be arranged for each thermoelectric couple group 1250. According to this connection method, the voltage value and the current direction are individually controlled for each thermoelectric couple group 1250, and it is possible to control whether heat generation or endothermic performance is performed, and the degree of heat generation or endothermic generation can be controlled.

또 후술하겠지만, 전원 단자(1260)는 피드백 콘트롤러(1400)에 의해 출력된 전기 신호를 인가 받으며, 이에 따라 결과적으로 피드백 콘트롤러(1400)는 전기 신호의 방향이나 크기를 조절하여 열전 모듈(1000)의 발열 동작 및 흡열 동작을 제어할 수 있을 것이다. 또 열전 쌍 그룹(1250)이 복수인 경우에는 각각의 전원 단자(1260)에 인가되는 전기 신호를 개별 조절하여 열전 쌍 그룹(1250) 별로 개별 제어하는 것도 가능할 것이다. As will be described later, the power supply terminal 1260 receives the electrical signal output from the feedback controller 1400, and as a result, the feedback controller 1400 adjusts the direction or size of the electrical signal, The heat generation operation and the heat absorption operation can be controlled. Further, when there are a plurality of thermoelectric couple groups 1250, it is also possible to separately control the electric signals applied to the power terminals 1260 individually for each thermoelectric couple group 1250.

또한, 전원 단자(1260)은 전력 저장부(1270)으로부터 전원을 획득할 수도 있고, 외부 전력원으로부터 전원을 획득할 수 있다.Also, the power supply terminal 1260 can acquire power from the power storage unit 1270 and obtain power from an external power source.

또한, 전력 저장부(1270)는 전력을 저장할 수 있다. 전력 저장부(1270)에서 저장된 전력은 전원 단자(1260)를 통해 열전 모듈(1000)에 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 열전 쌍 어레이(1240)에 열이 인가되어 열전 쌍 어레이(1240)에 온도차가 발생되는 경우, 열전 쌍 어레이(1240)은 전력을 발생할 수 있고, 전력 저장부(1270)는 열전 쌍 어레이(1240)에서 발생된 전력을 저장할 수 있다.In addition, the power storage unit 1270 can store power. The power stored in the power storage unit 1270 may be provided to the thermoelectric module 1000 through the power terminal 1260. [ In an embodiment of the present invention, when heat is applied to the thermocouple array 1240 to generate a temperature difference in the thermocouple array 1240, the thermocouple array 1240 can generate power and the power storage 1270 May store the power generated in thermocouple array 1240. [

피드백 콘트롤러(1400)는 전원 단자(1260)를 통해 열전 쌍 어레이(1240)에 전기 신호를 인가할 수 있다. 피드백 콘트롤러(1400)는 열전 모듈(1000)의 열전 소자에 전압을 인가하여 발열 동작 또는 흡열 동작을 수행하도록 열전 모듈(1000)을 제어할 수 있다. 또한 피드백 콘트롤러(1400)는 외부 디바이스와 피드백 유닛(1000) 간의 신호 처리를 수행할 수도 있다. 예를 들어, 피드백 콘트롤러(1400)는 통신 모듈(미도시)을 통해 외부 디바이스로부터 열적 피드백에 관한 정보를 수신하고, 열적 피드백에 관한 정보를 해석하여 열적 피드백의 종류나 강도를 판단하고, 판단 결과에 따라 전기 신호를 생성, 전원 단자(1260)에 인가함으로써 열전 쌍 어레이(1240)가 열적 피드백을 출력하도록 할 수 있다. The feedback controller 1400 may apply an electrical signal to the thermocouple array 1240 via the power terminal 1260. [ The feedback controller 1400 may control the thermoelectric module 1000 to apply a voltage to the thermoelectric element of the thermoelectric module 1000 to perform the heat generating operation or the heat absorbing operation. The feedback controller 1400 may also perform signal processing between the external device and the feedback unit 1000. For example, the feedback controller 1400 receives information about thermal feedback from an external device through a communication module (not shown), analyzes information about the thermal feedback to determine the type and strength of the thermal feedback, And the thermocouple array 1240 can output thermal feedback by applying an electrical signal to the power terminal 1260. [

이를 위해 피드백 콘트롤러(1400)는 각종 정보의 연산 및 처리를 수행하고 처리 결과에 따라 열전 쌍 어레이(1240)에 전기 신호를 출력하여 열전 쌍 어레이(1240)의 동작을 제어할 수 있다. 또한, 피드백 콘트롤러(1400)는 열전 쌍 어레이(1240)에서 전력이 발생되는 경우, 발생되는 전력에 대해 제어할 수 있다. 예를 들어, 피드백 콘트롤러(1400)는 발생되는 전력을 전력 저장부(1270)에 저장할지 또는 발생되는 전력을 열전 쌍 얼레이(1240)로부터 전원단자(1260)에 바로 공급할지 여부를 결정할 수 있다.For this, the feedback controller 1400 performs calculation and processing of various information, and outputs an electric signal to the thermocouple array 1240 according to the processing result to control the operation of the thermocouple array 1240. In addition, the feedback controller 1400 can control the generated power when the power is generated in the thermocouple array 1240. For example, the feedback controller 1400 may determine whether to store the generated power in the power storage unit 1270 or to supply the generated power directly from the thermocouple array 1240 to the power supply terminal 1260.

피드백 콘트롤러(1400)는 하드웨어나 소프트웨어 또는 이들의 조합에 따라 컴퓨터나 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. 하드웨어적으로 피드백 콘트롤러(1400)는 전기적인 신호를 처리하여 제어 기능을 수행하는 전자 회로 형태로 제공될 수 있으며, 소프트웨어적으로는 하드웨어적 회로를 구동시키는 프로그램이나 코드 형태로 제공될 수 있다. The feedback controller 1400 may be implemented as a computer or similar device depending on the hardware, software, or combination thereof. The hardware of the feedback controller 1400 may be provided in the form of an electronic circuit that processes an electrical signal to perform a control function, and may be provided in a form of a program or a code for driving a hardware circuit in software.

또한, 피드백 디바이스(100)에는 상술한 열전 모듈(1000)이 복수로 제공되는 것도 가능하다. 예를 들어, 피드백 디바이스(100)가 복수의 접촉부를 가지는 경우, 각 접촉부마다 열전 모듈(1000)이 탑재될 수 있다. 이와 같이 하나의 피드백 디바이스(100)에 복수의 열전 모듈(1000)이 제공되는 경우, 피드백 디바이스(100)에는 각 열전 모듈(1000) 별로 피드백 콘트롤러(1400)이 마련되거나 또는 전체 열전 모듈(1000)을 통합 관리하는 하나의 피드백 콘트롤러가 마련될 수 있다. 또한 피드백 디바이스(100)가 복수로 제공될 때에는 각 피드백 디바이스(100)에 하나 또는 복수의 열전 모듈(1000)이 배치될 수 있다.Also, the feedback device 100 may be provided with a plurality of the thermoelectric modules 1000 described above. For example, if the feedback device 100 has a plurality of contacts, the thermoelectric module 1000 may be mounted for each contact. When the plurality of thermoelectric modules 1000 are provided in the feedback device 100 as described above, the feedback device 100 may be provided with the feedback controller 1400 or the entire thermoelectric module 1000 for each thermoelectric module 1000, A single feedback controller may be provided. Also, when a plurality of feedback devices 100 are provided, one or a plurality of thermoelectric modules 1000 may be disposed in each feedback device 100.

1.3.1.3. 열전 모듈의 형태1.3.1.3. Thermoelectric module type

이상에서 설명한 열전 모듈(1000)의 구성에 대한 설명을 바탕으로 열전 모듈(1000)의 몇몇 대표적인 형태들에 관하여 설명한다. Some representative aspects of the thermoelectric module 1000 will be described based on the description of the configuration of the thermoelectric module 1000 described above.

도 15는 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 일 형태에 관한 도면이다.FIG. 15 is a view of one embodiment of a thermoelectric module 1000 according to an embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 열전 모듈(1000)의 일 형태에서 한 쌍의 기판(1220)이 서로 마주보도록 제공된다. 두 기판(1220) 중 하나의 기판(1220)의 외측에는 접촉면(1600)이 위치하여, 열전 모듈(1000)에서 발생한 열을 사용자의 신체로 전달할 수 있다. 또 기판(1220)으로 유연성 기판(1220)으로 이용하면, 열전 모듈(1000)에 유연성이 부여될 수 있다. Referring to FIG. 15, a pair of substrates 1220 are provided so as to face each other in one form of the thermoelectric module 1000. A contact surface 1600 is positioned outside one of the two substrates 1220 to transmit heat generated by the thermoelectric module 1000 to the user's body. If the substrate 1220 is used as the flexible substrate 1220, the thermoelectric module 1000 can be provided with flexibility.

기판(1220) 사이에는 복수의 단위 열전 쌍(1241)이 위치된다. 각 단위 열전 쌍(1241)은 N형 반도체와 P형 반도체의 반도체 쌍으로 구성된다. 각각의 단위 열전 쌍(1241)에서 N형 반도체와 P형 반도체는 일단에서 도체 부재(1242)에 의해 서로 전기적으로 연결된다. 또 임의의 단위 열전 쌍(1241)의 N형 반도체와 P형 반도체의 타단이 각각 인접한 단위 열전 쌍(1241)의 P형 반도체와 N형 반도체의 타단과 도체 부재(1242)에 의해 서로 전기적으로 연결되는 방식으로 단위 소자 간의 전기적 연결이 이루어진다. 이에 따라 단위 연결 소자들이 직렬 연결되어 하나의 열전 쌍 그룹(1250)을 이루게 된다. 본 형태에서는 열전 쌍 어레이(1240) 전체가 하나의 열전 쌍 그룹(1250)으로 이루어지고 있으며, 전원 단자(1260) 사이에서 전체 단위 열전 쌍(1241)이 직렬 연결되어 있으므로 열전 모듈(1000)은 그 전면 전체에 걸쳐 동일한 동작을 수행한다. 즉, 전원 단자(1260)에 일 방향으로 전원이 인가되면 열전 모듈(1000)은 발열 동작을 수행하며, 반대 방향으로 전원이 인가되면 흡열 동작을 수행할 수 있다. A plurality of unit thermoelectric pairs 1241 are positioned between the substrates 1220. Each unit thermoelectric couple 1241 is composed of a semiconductor pair of an N-type semiconductor and a P-type semiconductor. The N-type semiconductor and the P-type semiconductor are electrically connected to each other at one end by a conductor member 1242 in each unit thermoelectric couple 1241. The other ends of the N-type semiconductor and the P-type semiconductor of the unit thermoelectric couple 1241 are electrically connected to each other by the other end of the P-type semiconductor and the N-type semiconductor of the adjacent unit thermoelectric couple 1241 and the conductor member 1242 The electrical connection between the unit elements is achieved. Accordingly, the unit connection elements are connected in series to form one thermoelectric couple group 1250. In this embodiment, the entire thermocouple array 1240 is composed of one thermoelectric couple group 1250, and the whole thermoelectric couple 1241 is connected in series between the power terminals 1260, The same operation is performed across the entire surface. That is, when power is applied to the power terminal 1260 in one direction, the thermoelectric module 1000 performs the heat generating operation, and when the power is applied in the opposite direction, the heat conducting module 1000 performs the heat absorbing operation.

도 16은 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 다른 형태에 관한 도면이다. 16 is a view showing another embodiment of the thermoelectric module 1000 according to the embodiment of the present invention.

도 16을 참조하면, 열전 모듈(1000)의 다른 형태는 상술한 일 형태와 유사하다. 다만, 본 형태에서는 열전 쌍 어레이(1240)가 복수의 열전 쌍 그룹(1250)을 가지며 각각의 열전 쌍 그룹(1250)이 각각의 전원 단자(1260)와 연결됨에 따라 열전 쌍 그룹(1250) 별 개별 제어가 가능하다. 예를 들면, 도 16에서 제1 열전 쌍 그룹(1250)과 제2 열전 쌍 그룹(1250)에 서로 다른 방향의 전류를 인가하여 제1 열전 쌍 그룹(1250)은 발열 동작(이때의 전류 방향을 '정방향'으로 함)을, 제2 열전 쌍 그룹(1250)은 흡열 동작(이때의 전류 방향을 '역방향'으로 함)을 수행하도록 할 수 있다. 다른 예를 들면, 제1 열전 쌍 그룹(1250)의 전원 단자(1260)와 제2 열전 쌍 그룹(1250)의 전원 단자(1260)에 서로 상이한 전압값을 인가하여 제1 열전 쌍 그룹(1250)과 제2 열전 쌍 그룹(1250)이 서로 상이한 정도의 발열 동작 또는 흡열 동작을 수행하도록 할 수도 있다. 16, another form of the thermoelectric module 1000 is similar to the above-described one form. In this embodiment, the thermoelectric couple array 1240 has a plurality of thermoelectric couple groups 1250 and the thermoelectric couple groups 1250 are connected to the respective power terminals 1260, Control is possible. For example, in FIG. 16, currents in different directions are applied to the first thermo couple group 1250 and the second thermo pair group 1250 so that the first thermo pair group 1250 performs a heat generation operation 'Forward'), and the second thermo couple group 1250 may perform an endothermic operation (the current direction at this time is referred to as 'reverse'). A different voltage value may be applied to the power terminal 1260 of the first thermocouple group 1250 and the power terminal 1260 of the second thermocouple group 1250 to form the first thermocouple group 1250, And the second thermo couple group 1250 may perform a heat generating operation or a heat absorbing operation to a degree different from each other.

한편, 도 16에서는 열전 쌍 어레이(1240)에서 열전 쌍 그룹(1250)이 일차원 어레이로 배열되는 것으로 도시하고 있으나, 이와 달리 열전 쌍 그룹(1250)이 이차원 어레이로 배열되도록 하는 것도 가능하다. In FIG. 16, the thermoelectric couple groups 1250 are arranged in a one-dimensional array in the thermoelectric couple array 1240. Alternatively, the thermoelectric couple groups 1250 may be arranged in a two-dimensional array.

도 17은 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 또 다른 형태에 관한 도면이다. 도 17을 참조하면, 이차원 어레이로 배치된 열전 쌍 그룹(1250)을 이용하면 보다 세분화된 지역 별 동작 제어가 가능할 수 있다. 17 is a view showing another embodiment of the thermoelectric module 1000 according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 17, using the thermocouple group 1250 arranged in a two-dimensional array, it is possible to more finely control the operation of each region.

또 한편, 상술한 열전 모듈(1000)의 형태들에서는 한 쌍의 마주보는 기판(1220)을 이용하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 단일의 기판(1220)을 이용하는 것도 가능하다. In the meantime, although the above-described forms of the thermoelectric module 1000 are described as using a pair of opposing substrates 1220, it is also possible to use a single substrate 1220 alternatively.

도 18은 본 발명의 실시예에 따른 열전 모듈(1000)의 다시 또 다른 형태에 관한 도면이다. 도 18을 참조하면, 단일 기판(1220)에 단위 열전 쌍(1241)과 도체 부재(1242)가 단일 기판(1220)에 매립되는 방식으로 배치될 수 있다. 이를 위해 기판(1220)으로 유리 섬유 등을 이용하는 것이 가능하다. 이와 같은 형태의 단일 기판(1220)을 이용하면 열전 모듈(1000)에 보다 높은 유연성을 부여할 수 있다. FIG. 18 is a view showing yet another embodiment of the thermoelectric module 1000 according to the embodiment of the present invention. Referring to FIG. 18, a unit thermoelectric couple 1241 and a conductor member 1242 may be embedded in a single substrate 1220 in a single substrate 1220. It is possible to use glass fiber or the like as the substrate 1220 for this purpose. By using a single substrate 1220 of this type, more flexibility can be given to the thermoelectric module 1000.

이상에서 설명한 열전 모듈(1000)의 다양한 형태는 당업자에게 자명한 범위 내에서 조합되거나 변형될 수 있다. 예를 들어, 열전 모듈(1000)의 각 형태에서는 열전 모듈(1000)의 전면에 접촉면(1600)이 열전 모듈(1000)과 별개의 레이어로 형성되는 것으로 설명하였으나, 열전 모듈(1000)의 전면 자체가 접촉면(1600)이 될 수 있다. 예를 들면, 상술한 열전 모듈(1000)의 일 형태에서는 일 기판(1220)의 외측면이 접촉면(1600)이 될 수 있는 식이다. The various forms of the thermoelectric module 1000 described above can be combined or modified within a range that is obvious to a person skilled in the art. For example, in each mode of the thermoelectric module 1000, the contact surface 1600 is formed on the front surface of the thermoelectric module 1000 as a separate layer from the thermoelectric module 1000. However, May be the contact surface 1600. For example, in one embodiment of the thermoelectric module 1000 described above, the outer surface of one substrate 1220 can be the contact surface 1600. [

1.3.1.4. 열적 피드백 출력 1.3.1.4. Thermal feedback output

이하에서는 피드백 디바이스(100)에 의해 수행하는 열적 피드백 출력 동작에 관하여 설명하기로 한다. Hereinafter, the thermal feedback output operation performed by the feedback device 100 will be described.

피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000)이 발열 동작이나 흡열 동작을 수행함에 따라 열적 피드백을 출력할 수 있다. 열적 피드백에는 온감 피드백, 냉감 피드백 및 열 그릴 피드백이 포함될 수 있다. The feedback device 100 may output thermal feedback as the thermoelectric module 1000 performs a heating operation or an endothermic operation. Thermal feedback may include warm feedback, cold feedback, and thermal grill feedback.

여기서, 온감 피드백은 열전 모듈(1000)이 발열 동작을 수행하여 출력될 수 있고, 냉감 피드백은 흡열 동작을 수행하여 출력될 수 있다. 또 열 그릴 피드백은 발열 동작과 흡열 동작이 복합된 열 그릴 동작을 통해 출력될 수 있다. Here, the warm-feeling feedback can be outputted by the thermoelectric module 1000 performing the heat-generating operation, and the cold-feeling feedback can be outputted by performing the heat-absorbing operation. Also, the thermal grill feedback can be output through a thermal grill operation in which a heat generating operation and a heat absorbing operation are combined.

한편, 피드백 디바이스(100)는 위의 열적 피드백을 다양한 강도로 출력할 수 있다. 열적 피드백의 강도는 열전 모듈(1000)의 피드백 콘트롤러(1400)가 전원 단자(1260)를 통해 열전 쌍 어레이(1240)에 인가하는 전압의 크기를 조절하는 등의 방식으로 조절될 수 있다. 여기서, 전압의 크기를 조절하는 방식은 듀티 신호를 평활한 뒤 최종적으로 열전 소자에 인가되는 전원을 인가하는 방식을 포함한다. 즉, 듀티 신호의 듀티 레이트를 조절함으로써 전압의 크기를 조절하는 것 역시 전압의 크기를 조절하는 것에 포함되는 것으로 봐야할 것이다.On the other hand, the feedback device 100 can output the above thermal feedback at various intensities. The intensity of the thermal feedback can be adjusted in such a manner that the feedback controller 1400 of the thermoelectric module 1000 adjusts the magnitude of the voltage applied to the thermocouple array 1240 through the power terminal 1260. [ Here, the method of controlling the magnitude of the voltage includes a method of smoothing the duty signal and finally applying power to the thermoelectric element. That is, adjusting the voltage level by adjusting the duty rate of the duty signal may also be considered to be included in adjusting the voltage level.

이하에서는 발열 동작, 흡열 동작 및 열 그릴 동작에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the heat generating operation, the heat absorbing operation and the heat grill operation will be described in more detail.

1.3.1.4.1. 발열/흡열 동작1.3.1.4.1. Heat / heat absorption operation

피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000)로 발열 동작을 수행하여 사용자에게 온감 피드백을 제공할 수 있다. 유사하게 열전 모듈(1000)로 흡열 동작을 수행하여 사용자에게 냉감 피드백을 제공할 수 있다. The feedback device 100 may perform a heating operation with the thermoelectric module 1000 to provide warm feedback to the user. Similarly, the thermoelectric module 1000 may perform a heat absorbing operation to provide cold feedback to the user.

도 19는 본 발명의 실시예에 따른 온감 피드백을 제공하기 위한 발열 동작에 관한 도면이고, 도 20은 본 발명의 실시예에 따른 온감 피드백의 강도에 관한 그래프이다. FIG. 19 is a diagram illustrating a heating operation for providing warm feedback according to an embodiment of the present invention, and FIG. 20 is a graph relating to strength of warm feedback in accordance with an embodiment of the present invention.

도 19를 참조하면, 발열 동작은 피드백 콘트롤러(1400)가 열전 쌍 어레이(1240)에 정방향 전류를 인가함에 따라 접촉면(1600) 방향에 발열 반응을 유도시켜 수행될 수 있다. 여기서, 피드백 콘트롤러(1400)가 열전 쌍 어레이(1240)에 일정한 전압(이하에서는 발열 반응을 일으키는 전압을 '정전압'으로 지칭함)을 인가하면 열전 쌍 어레이(1240)는 발열 동작을 개시하는데, 접촉면(1600)의 온도는 도 20에 도시된 것과 같이 시간에 따라서 포화 온도까지 상승하게 된다. 따라서, 사용자는 발열 동작 개시 초기에는 온감을 느끼지 못하거나 미약하게 느끼며, 포화 온도에 도달하기까지 온감이 상승하는 것을 느낀 뒤, 일정 시간이 경과한 이후로는 포화 온도에 해당하는 온감 피드백을 제공받게 된다. Referring to FIG. 19, the heat generating operation may be performed by inducing an exothermic reaction in the direction of the contact surface 1600 as the feedback controller 1400 applies the forward current to the thermocouple array 1240. Here, when the feedback controller 1400 applies a constant voltage (hereinafter referred to as a "constant voltage") to the thermocouple array 1240, the thermocouple array 1240 starts the heat generating operation, 1600 is raised to the saturation temperature with time as shown in Fig. Therefore, the user feels that the user does not feel warm or weak feeling at the beginning of the heat generation operation, feels warmth until the temperature reaches the saturation temperature, and then provides warm feedback corresponding to the saturation temperature after a certain period of time do.

도 21은 본 발명의 실시예에 따른 냉감 피드백을 제공하기 위한 발열 동작에 관한 도면이고, 도 22는 본 발명의 실시예에 따른 냉감 피드백의 강도에 관한 그래프이다. FIG. 21 is a diagram illustrating a heating operation for providing cold feedback according to an embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a graph illustrating strength of cold feedback according to an embodiment of the present invention.

도 21을 참조하면, 흡열 동작은 피드백 콘트롤러(1400)가 열전 쌍 어레이(1240)에 역방향 전류를 인가함에 따라 접촉면(1600) 방향에 흡열 반응을 유도시켜 수행될 수 있다. 여기서, 피드백 콘트롤러(1400)가 열전 쌍 어레이(1240)에 일정한 전압(이하에서는 흡열 반응을 일으키는 전압을 '역전압'으로 지칭함)을 인가하면 열전 쌍 어레이(1240)는 흡열 동작을 개시하는데, 접촉면(1600)의 온도는 도 22에 도시된 것과 같이 시간에 따라서 포화 온도까지 상승하게 된다. 따라서, 사용자는 흡열 동작 개시 초기에는 냉감을 느끼지 못하거나 미약하게 느끼며, 포화 온도에 도달하기까지 냉감이 상승하는 것을 느낀 뒤, 일정 시간이 경과한 이후로는 포화 온도에 해당하는 냉감 피드백을 제공받게 된다.Referring to FIG. 21, the heat absorption operation may be performed by inducing an endothermic reaction in the direction of the contact surface 1600 as the feedback controller 1400 applies a reverse current to the thermocouple array 1240. Here, when the feedback controller 1400 applies a constant voltage (hereinafter referred to as a reverse voltage) to the thermocouple array 1240, the thermocouple array 1240 starts the heat absorbing operation, The temperature of the heat exchanger 1600 rises to the saturation temperature with time as shown in Fig. Therefore, the user feels that the user does not feel cold feeling at the beginning of the heat absorbing operation, feels weak, feels that the cool feeling rises until reaching the saturation temperature, and then receives the cool feeling feedback corresponding to the saturation temperature after a certain time has elapsed do.

한편, 열전 소자에 전원을 인가하면 열전 소자에서는 그 양측에서 발생하는 발열 반응과 흡열 반응에 더하여 전기 에너지가 열 에너지로 전환되면서 열이 발생한다. 따라서, 열전 쌍 어레이(1240)에 동일한 크기의 전압을 전류의 방향만 바꾸어 인가하는 경우에는 발열 동작에 따른 온도 변화량이 흡열 동작에 따른 온도 변화량보다 클 수 있다. 여기서, 온도 변화량은 열전 모듈(1000)이 동작하지 않는 상태에서의 초기 온도와 포화 온도 간의 온도 차이를 의미한다. On the other hand, when power is applied to a thermoelectric element, in addition to an exothermic reaction and an endothermic reaction occurring on both sides of the thermoelectric element, electric energy is converted into heat energy and heat is generated. Therefore, when a voltage of the same magnitude is applied to the thermocouple array 1240 by changing only the direction of the current, the temperature change amount due to the heat generation operation may be larger than the temperature change amount due to the heat absorption operation. Here, the temperature change amount means a temperature difference between the initial temperature and the saturation temperature in a state where the thermoelectric module 1000 is not operated.

한편, 이하에서는 열전 소자가 전기 에너지를 이용하여 수행하는 발열 동작 및 흡열 동작에 관하여 포괄적으로 '열전 동작'이라고 지칭하기로 한다. 또 추가적으로 이하에서 후술될 열 그릴 동작 역시 발열 동작 및 흡열 동작이 복합된 동작이므로 열 그릴 동작 역시 '열전 동작'의 일종으로 해석될 수 있다.Hereinafter, the heat generating operation and the heat absorbing operation performed by the thermoelectric element using electric energy will be collectively referred to as " thermoelectric conversion operation ". In addition, since the thermal grill operation to be described below is also a combined operation of the heat generating operation and the heat absorbing operation, the thermal grill operation can also be interpreted as a kind of 'thermoelectric operation'.

1.3.1.4.2. 발열/흡열 동작의 강도 제어1.3.1.4.2. Strength control of heat / heat absorption operation

상술한 바와 같이 열전 모듈(1000)이 발열 동작이나 흡열 동작을 수행할 시, 피드백 콘트롤러(1400)는 인가되는 전압의 크기를 조정함으로써 열전 모듈(1000)의 발열 정도나 흡열 정도를 제어할 수 있다. 따라서, 피드백 콘트롤러(1400)가 전류의 방향을 조정하여 온감 피드백과 냉감 피드백 중 제공할 열 피드백의 종류를 선택하는 것에 더해, 전압의 크기를 조정하여 온감 피드백이나 냉감 피드백의 강도를 조절할 수 있다. As described above, when the thermoelectric module 1000 performs the heat generating operation or the heat absorbing operation, the feedback controller 1400 can control the heat generation degree or the heat absorption degree of the thermoelectric module 1000 by adjusting the magnitude of the voltage applied thereto . Therefore, the feedback controller 1400 can adjust the direction of the current to select the type of thermal feedback to provide during the warm feedback and the cold feedback, and adjust the magnitude of the voltage to adjust the strength of the warm feedback or cold feedback.

도 23은 본 발명의 실시예에 따른 전압 조절을 이용한 온감/냉감 피드백의 강도에 관한 그래프이다.23 is a graph illustrating the strength of warm / cold feedback using voltage regulation according to an embodiment of the present invention.

예를 들어, 도 23을 살펴보면 피드백 콘트롤러(1400)는 5단계의 전압값을 정방향 또는 역방향으로 인가함으로써, 피드백 디바이스(100)가 사용자에게 온감 피드백 5단계와 냉감 피드백 5단계의 총 10가지의 열적 피드백을 제공할 수 있다. For example, referring to FIG. 23, the feedback controller 1400 applies a voltage value of five levels in a forward direction or a backward direction, thereby allowing the feedback device 100 to provide the user with a total of ten thermal Feedback can be provided.

여기서, 도 23에서는 온감 피드백과 냉감 피드백이 각각 동일한 개수의 강도 등급을 가지는 것으로 도시하고 있으나, 반드시 온감 피드백과 냉감 피드백의 강도 등급의 개수가 동일해야 하는 것은 아니며 서로 상이할 수도 있다. In FIG. 23, the warm feedback and the cold feedback are shown to have the same number of strength classes, respectively. However, the number of strength classes of warm feedback and cold feedback is not necessarily the same and may be different from each other.

또 여기서, 동일한 크기의 전압값을 이용하여 전류 방향을 바꿔줌으로써 온감 피드백과 냉감 피드백을 구현하는 것으로 도시하고 있으나, 온감 피드백을 위해 인가되는 전압값의 크기와 냉감 피드백을 위해 인가되는 전압값의 크기가 서로 동일할 필요도 없다. Here, it is shown that the warm-up feedback and the cold feedback are implemented by changing the current direction using the same-sized voltage value. However, since the magnitude of the voltage value applied for the warm-up feedback and the voltage value applied for the cold feedback Need not be equal to each other.

특히, 동일한 전압을 인가하여 발열 동작과 흡열 동작을 수행하는 경우, 일반적으로 발열 동작에 따른 온감 피드백의 온도 변화량이 흡열 동작에 따른 온도 변화량보다 크므로, 도 24에 도시된 것과 유사하게 냉감 피드백 시에 동일 등급의 온감 피드백에 인가되는 전압보다 큰 전압을 인가하여 서로 대응되는 강도 등급에서 동일한 온도 변화량을 보이도록 하는 것도 가능하다. 도 24는 본 발명의 실시예에 따른 동일 온도 변화량을 갖는 온감/냉감 피드백에 관한 그래프이다.In particular, when the heat generation operation and the heat absorption operation are performed by applying the same voltage, since the temperature change amount of the warm feedback in accordance with the heat generation operation is generally larger than the temperature change amount due to the heat absorption operation, It is also possible to apply a voltage higher than the voltage applied to the warm-feeling feedback of the same rating to the same degree of temperature variation in the corresponding strength classes. 24 is a graph relating to warm / cool feedback with the same temperature change amount according to an embodiment of the present invention.

상술한 바와 같이 열적 피드백의 강도를 조절하면 사용자에게 단순히 온감과 냉감을 제공하는 것에서 벗어나, 강한 온감, 약한 온감, 강한 냉감, 약한 냉감 등의 세분화된 열적 피드백을 제공할 수 있다. 이처럼 다양하게 세분화된 열적 피드백을 게임 환경이나 가상/증강 현실 환경 등에서 사용자에게 보다 높은 몰입감을 제공할 수 있으며, 의료 기기에 적용되는 경우라면 환자의 감각을 보다 정밀하게 검사할 수 있는 장점이 있다.As described above, by adjusting the intensity of the thermal feedback, it is possible to provide subtle thermal feedback such as strong warmth, weak warmth, strong cold feeling, and weak cold feeling, apart from simply providing warmth and cold feeling to the user. Such various types of thermal feedback can provide a higher degree of immersion for the user in a game environment or a virtual / augmented reality environment, and it is possible to inspect a patient's senses more precisely when applied to a medical device.

1.3.1.4.3. 열 그릴 동작1.3.1.4.3. Thermal grill motion

피드백 디바이스(100)는 온감 피드백 및 냉각 피드백 이외에도 열 그릴 피드백을 제공할 수 있다. 열 통감이란 사람의 신체에 온점과 냉점이 동시에 자극되는 이를 경우 온감과 냉감으로 인식하지 못하고 통감으로 인식되는 것을 의미한다. 따라서, 피드백 디바이스(100)는 발열 동작과 흡열 동작을 복합 수행하는 열 그릴 동작을 통해 사용자에게 열 그릴 피드백을 제공할 수 있다. Feedback device 100 may provide thermal grill feedback in addition to warm-up feedback and cooling feedback. Thermal sensation means that when a person's body is stimulated at the same time with the warmth and coldness, it is perceived as a sensation without recognizing it as warmth and cold feeling. Thus, the feedback device 100 can provide thermal grill feedback to the user through a thermal grill operation that combines the exothermic and endothermic actions.

한편, 피드백 디바이스(100)는 열 그릴 피드백을 제공하기 위한 다양한 방식의 열 그릴 동작을 수행할 수 있는데, 이에 관해서는 열 그릴 피드백의 종류에 대하여 설명한 뒤 후술하기로 한다.Meanwhile, the feedback device 100 may perform various types of thermal grill operations to provide thermal grill feedback, which will be described later, after describing the types of thermal grill feedback.

열 그릴 피드백에는 중립 열 그릴 피드백, 온열 그릴 피드백 및 냉열 그릴 피드백이 포함될 수 있다. Thermal grill feedback may include neutral thermal grill feedback, hot grill feedback, and cold grill feedback.

여기서, 중립 열 그릴 피드백, 온열 그릴 피드백, 냉열 그릴 피드백은 각각 사용자에게 중립 열 통감, 온열 통감, 냉열 통감을 유발한다. 중립 열 통감은 온감 및 냉감 없이 통감만 느껴지는 것을 의미하고, 온열 통감이란 온감에 더하여 통감이 느껴지는 것을 의미하고, 냉열 통감이란 냉감에 더하여 통감이 느껴지는 것을 의미할 수 있다. Here, the neutral column grill feedback, the hot grill feedback, and the cold grill feedback cause the user to generate neutral heat, heat, and cold and heat, respectively. Neutral heat sensation means sensation without feelings of warmness and coldness. Thermal sensation means feeling sensation in addition to warmth, and cold sensation can mean feeling sensation in addition to feeling cold.

중립 열 통감은 사용자가 느끼는 온감과 냉감의 강도가 소정 비율 범위에 해당하는 경우 유발된다. 중립 열 통감을 느끼는 비율(이하 '중립 비율'이라 함)은 열적 피드백을 제공받는 신체 부위마다 상이할 수 있으며 동일한 신체 부위라고 하더라도 개인 별로 다소 상이할 수 있으나, 대개의 경우 냉감의 강도가 온감의 강도보다 크게 주어지는 상황에서 중립 열 통감이 느껴지는 경향이 있다.Neutral heat sensation is caused when the user feels warmth and cold sensation falls within a predetermined ratio range. The percentage of neutral fever sensation (hereinafter referred to as 'neutral ratio') can be different for each part of the body that is provided with thermal feedback, and even if it is the same body part, it may be slightly different for each individual. In a situation where the strength is given larger than the strength, there is a tendency to feel a neutral heat sensation.

여기서, 열적 피드백의 강도는 피드백 디바이스(100)가 접촉면(1600)에 접한 신체 부위에 가하는 열량 내지는 해당 신체 부위로부터 흡수하는 열량일 수 있다. 따라서, 일정한 면적에 일정한 시간 동안 열적 피드백이 가해지는 경우, 열적 피드백의 강도는 열적 피드백이 가해지는 대상 부위의 온도에 대한 온감이나 냉감의 온도의 차이값으로 표현될 수 있다. Here, the intensity of the thermal feedback may be the amount of heat that the feedback device 100 applies to the body part that is in contact with the contact surface 1600, or the amount of heat that the feedback device 100 absorbs from the body part. Therefore, when thermal feedback is applied to a certain area for a certain period of time, the intensity of the thermal feedback can be expressed as the difference between the warmth of the target site to which the thermal feedback is applied or the temperature of the cold feeling.

한편, 사람의 체온은 대개 36.5~36.9℃ 사이이며, 피부의 온도는 개인마다 또 부위마다 차이가 있으나 평균적으로 약 30~32℃로 알려져 있다. 손바닥의 온도는 평균적인 피부 온도보다 다소 높은 약 33℃ 정도이다. 물론, 상술한 온도 수치들은 개인에 따라 다소 다를 수 있으며, 동일인이라도 어느 정도 변동될 수는 있다.On the other hand, human body temperature is usually between 36.5 and 36.9 ℃, and skin temperature varies from person to person, but it is known to be about 30 ~ 32 ℃ on average. The temperature of the palm is about 33 ℃, which is slightly higher than the average skin temperature. Of course, the temperature values described above may be somewhat different depending on the individual, and even the same person may vary to some extent.

일 실험예에 따르면, 33℃의 손바닥에 약 40℃의 온감과 약 20℃의 냉감이 주어지는 경우 중립 열 통감이 느껴지는 것을 확인하였다. 이는 손바닥 온도를 기준으로 볼 때 +7℃의 온감과 -13℃의 냉감이 주어진 것이며, 따라서 온도 관점에서의 중립 비율은 1.86에 해당할 수 있다. According to one experimental example, it was confirmed that a sensation of neutral heat was felt when a warm feeling of about 40 ° C and a cold sensation of about 20 ° C were given to the palm of 33 ° C. This is due to the warmth of + 7 ° C and coldness of -13 ° C, based on the palm temperature, so the neutral ratio in terms of temperature may be equivalent to 1.86.

이로부터 확인할 수 있듯이 대부분의 사람의 경우에는 온감과 냉감이 각각 동일한 크기의 신체 영역에 대하여 지속적으로 가해지는 경우에 접촉 대상인 피부에 대해 온감이 유발하는 온도차에 대한 냉감이 유발하는 온도차의 비율로 표현되는 중립 비율은 약 1.5~5의 범위이다. 또 온열 통감은 중립 비율보다 온감의 크기가 큰 경우에 느껴질 수 있으며, 냉열 통감은 중립 비율보다 냉감의 크기가 큰 경우에 느껴질 수 있다.As can be seen from the above, in most people, when the warmth and cold sensation are continuously applied to the same sized body area, the skin sensation is expressed by the ratio of the temperature difference caused by the cold sensation to the sensible temperature difference The neutral ratio is in the range of about 1.5 to 5. In addition, the thermal sensation can be felt when the warmth is larger than the neutral ratio, and the cold sensation can be felt when the cold sensation is larger than the neutral ratio.

본 발명의 실시예에서, 피드백 디바이스(1600)는 전압 조절 방식으로 열 그릴 동작을 수행할 수 있다. 전압 조절 방식의 열 그릴 동작은 열전 쌍 어레이(1240)가 복수의 열전 쌍 그룹(1250)으로 구성된 피드백 디바이스(1600)에 적용될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the feedback device 1600 may perform a thermal grill operation in a voltage regulated manner. The voltage regulating thermal grill operation can be applied to the feedback device 1600 in which the thermocouple array 1240 is comprised of a plurality of thermocouple groups 1250.

구체적으로 전압 조절 방식의 열 그릴 동작은, 피드백 콘트롤러(1400)가 열전 쌍 그룹(1250)의 일부에 정방향 전압을 인가하여 발열 동작을 수행시키고 다른 일부에 역방향 전압을 인가하여 흡열 동작을 수행시켜, 열전 모듈(1000)이 온감 피드백과 냉감 피드백을 동시에 제공함에 따라 이루어질 수 있다. Specifically, in the voltage regulating thermal grill operation, the feedback controller 1400 performs a heat generating operation by applying a forward voltage to a part of the thermoelectric couple group 1250 and applies an inverse voltage to another part to perform a heat absorbing operation, The thermoelectric module 1000 may be provided by simultaneously providing warm feedback and cold feedback.

도 25는 본 발명의 실시예에 따른 전압 조절 방식의 열 그릴 동작에 관한 도면이다. 25 is a diagram illustrating a voltage regulating thermal grill operation according to an embodiment of the present invention.

도 25를 참조하면, 열전 쌍 어레이(1240)는 복수의 라인을 형성하도록 배치되는 복수의 열전 쌍 그룹(1250)을 포함한다. 여기서 피드백 콘트롤러(1400)는 제1 열전 쌍 그룹들(1250-1, 예를 들어 홀수 라인의 열전 쌍 그룹들)은 발열 동작을 수행하도록 하고 제2 열전 쌍 그룹들(1250-2, 예를 들어 짝수 라인의 열전 쌍 그룹들)은 흡열 동작을 수행하도록 전원을 인가할 수 있다. 이처럼 열전 쌍 그룹들(1250)이 라인 배치에 따라 발열 동작과 흡열 동작을 교번적으로 수행하면 사용자는 온감과 냉감이 동시에 전달받게 돼 결과적으로 열 그릴 피드백을 제공받을 수 있다. 여기서, 홀수 라인과 짝수 라인의 구분은 임의적인 것이므로 그 반대가 되어도 무방하다.Referring to Figure 25, a thermocouple array 1240 includes a plurality of thermocouple groups 1250 arranged to form a plurality of lines. Here, the feedback controller 1400 allows the first thermocouple groups 1250-1 (e.g., the thermocouple groups of the odd-numbered lines) to perform a heat-generating operation and the second thermocouple groups 1250-2 The even thermocouple groups of even lines) can be powered to perform an endothermic operation. If the thermocouple groups 1250 alternately perform the heat generating operation and the heat absorbing operation according to the line arrangement, the user can receive warm and cold sensation at the same time, and as a result, thermal grill feedback can be provided. Here, the distinction between the odd-numbered lines and the even-numbered lines is arbitrary, and vice versa.

여기서, 피드백 디바이스(100)은 제1 열전 쌍 그룹들(1250-1)의 발열 동작에 따른 포화 온도와 제2 열전 쌍 그룹들(1250-2)의 흡열 동작에 따른 포화 온도가 중립 비율에 따르도록 제어함으로써 중립 열 그릴 피드백을 제공할 수 있다.Here, the feedback device 100 determines whether the saturation temperature of the first thermo couple pairs 1250-1 and the saturation temperature of the second thermo pair pairs 1250-2 are in accordance with the neutral ratio So as to provide neutral column grill feedback.

도 26은 본 발명의 실시예에 따른 전압 조절 방식에서 중립 열 그릴 피드백을 제공하기 위한 전압에 관한 표이다.26 is a table of voltages for providing neutral column grill feedback in a voltage regulation scheme according to an embodiment of the present invention.

예를 들어, 도 26을 참조하면 피드백 콘트롤러(1400)가 열전 모듈(1000)에 각각 5개의 정전압과 역전압을 인가할 수 있으며, 열전 모듈(1000)이 이에 따라 각각 5등급의 발열 동작과 흡열 동작을 수행하며, 동일한 등급의 발열 동작과 흡열 동작에 따른 온도 변화량의 크기가 동일하며, 각 등급 간의 온도 변화량의 크기가 일정한 피드백 디바이스(100)를 가정하면, 중립 비율이 3으로 세팅된 경우 피드백 콘트롤러(1400)는 제1 열전 쌍 그룹(1250-1)에 대해서 크기가 가장 작은 등급인 제1 등급의 정전압을 인가하고 제2 열전 쌍 그룹(1250-2)에 대해서 제3 등급의 역전압을 인가함으로써 열전 모듈(1000)이 중립 열 통각 피드백을 제공할 수 있다. 유사하게 중립 비율이 2.5인 경우라면 중립 열 그릴 피드백을 제공하기 위해 피드백 콘트롤러(1400)는 제1 열전 쌍 그룹(1250-1)에 대해서 제2 등급의 정전압을 인가하고 제2 열전 쌍 그룹(1250-2)에 대해서는 제5 등급의 역전압을 인가할 수 있다. 또는 중립 비율이 4인 경우에는 피드백 콘트롤러(1400)는 제1 열전 쌍 그룹(1250-1)에 대하여 제1 등급의 정전압을, 제2 열전 쌍 그룹(1250-2)에 대해서는 제4 등급의 역전압을 인가하여 중립 열 그릴 피드백을 발생시킬 수 있다. 또는 중립 비율이 2인 경우에는 피드백 콘트롤러(1400)는 제1 등급의 정전압과 제2 등급의 역전압을 인가하거나 또는 제2 등급의 정전압과 제4 등급의 역전압을 인가함으로써 중립 열 통감을 제공할 수 있다. 이때에는 전자의 중립 열 통감(제1 등급 정전압과 제2 등급의 역전압을 이용한 경우)이 후자의 중립 열 통감(제2 등급의 정전압과 제4 등급의 역전압을 이용한 경우)의 강도가 더 강하게 될 수 있다. 즉, 열 그릴 피드백의 경우에도 그 강도 조절이 가능한 것이다. 한편, 중립 열 통감을 제공하는 방식에 대하여 상술한 내용은 예시적인 것으로, 본 발명이 이로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 열적 피드백의 등급수가 5단계일 필요가 없으며, 냉열, 온열 등급의 개수가 상이한 것도 가능하다. 또 각 등급의 온도 변화량 간격이 일정해야 하는 것도 아니며, 이를 테면 각 등급의 전압 간격이 일정할 수도 있다. 26, for example, the feedback controller 1400 may apply five constant voltages and reverse voltages to the thermoelectric module 1000, respectively, and the thermoelectric module 1000 accordingly generates heat of the fifth grade, Assuming that the feedback device 100 has the same magnitude of the temperature change amount due to the heat-generating operation of the same grade and the same temperature change amount between the respective grades, if the neutral ratio is set to 3, The controller 1400 applies a constant voltage of the first class, which is the smallest grade to the first thermocouples group 1250-1, and a reverse voltage of the third class, to the second thermocouples group 1250-2. The thermoelectric module 1000 can provide neutral thermal thermal feedback. Similarly, if the neutral ratio is 2.5, the feedback controller 1400 applies a second-level constant voltage to the first thermo couple group 1250-1 and a second thermo couple group 1250-1 to provide neutral thermal grill feedback, -2), a reverse voltage of the fifth grade can be applied. Or if the neutral ratio is 4, the feedback controller 1400 outputs the first-level constant voltage to the first thermo couple group 1250-1 and the fourth-grade station to the second thermo pair group 1250-2 A voltage can be applied to generate neutral thermal grill feedback. Or if the neutral ratio is 2, the feedback controller 1400 provides a neutral thermal sensation by applying a constant voltage of the first class and a reverse voltage of the second class, or by applying a constant voltage of the second class and a reverse voltage of the fourth class can do. At this time, the neutral neutrality of the electrons (when the first-level constant voltage and the second-class reverse voltage are used) is greater than the latter neutral heat conduction (when the second-class constant voltage and the fourth-class reverse voltage are used) It can be strong. That is, even in the case of thermal grill feedback, its strength can be adjusted. On the other hand, the above description regarding the manner of providing the neutral heat trapping is illustrative, and the present invention is not limited thereto. For example, it is not necessary that the number of classes of the thermal feedback is five, and the number of the cold heat and the heat grade may be different. Also, the temperature interval of each grade should not be constant, for example, the voltage interval of each grade may be constant.

또 피드백 콘트롤러(1400)는 정전압과 역전압을 중립 비율 이하가 되도록 조정함으로써 온열 그릴 피드백을 제공하거나 중립 비율 이상이 되도록 조정함으로써 냉열 그릴 피드백을 제공할 수 있다. The feedback controller 1400 may also provide the hot grill feedback by adjusting the constant voltage and reverse voltage to be below the neutral ratio or by adjusting the neutral grid ratio to be above the neutral ratio.

예를 들어, 다시 도 26을 참조하면 피드백 콘트롤러(1400)는 중립 비율이 3으로 세팅된 경우 제1 열전 쌍 그룹(1250-1)에 대하여 제1 등급 정전압을 인가하고 제2 열전 쌍 그룹(1250-2)에 제 1 등급이나 제2 등급의 역전압을 인가하면, 열전 모듈(1000)에서 중립 비율보다 낮은 비율로 열감과 통감을 발생시키므로 사용자에게 온감과 통감을 동시에 느끼는 온열 그릴 피드백을 제공할 수 있다. 한편, 이때 정전압이 반드시 중립 열 그릴 피드백에 이용되는 정전압일 필요는 없다. 다시 말해 피드백 콘트롤러(1400)는 4등급의 정전압과 4등급의 역전압을 이용하여 열전 모듈(1000)이 온열 그릴 피드백을 제공하도록 할 수도 있을 것이다.For example, referring back to FIG. 26, if the neutral ratio is set to 3, the feedback controller 1400 applies the first-level constant voltage to the first thermo couple group 1250-1 and the second thermo couple group 1250-1 -2) is applied to the thermoelectric module 1000, the thermoelectric module 1000 generates a thermal sensation and a sensation at a rate lower than the neutral ratio, thereby providing a warm grill feedback to the user simultaneously feeling warmth and sensation . On the other hand, at this time, the constant voltage need not always be the constant voltage used for the neutral column grill feedback. In other words, the feedback controller 1400 may use the fourth-level constant voltage and the fourth-degree reverse voltage to allow the thermoelectric module 1000 to provide thermal grill feedback.

냉열 그릴 피드백의 경우에는 피드백 콘트롤러(1400)가 중립 비율이 3으로 세팅된 경우, (1등급, 4등급)이나 (1등급, 5등급)의 (정전압, 역전압)을 열전 모듈(1000)에 인가할 수 있다. In the case of the cold grill feedback, when the feedback controller 1400 sets the neutral ratio to 3, the (first and fourth grades) or (first and fifth grades) (constant voltage and reverse voltage) .

다만, 온열 그릴 피드백이나 냉열 그릴 피드백을 제공하려는 경우, 중립 비율로부터 크게 벗어난 비율로 정전압과 역전압을 인가하는 경우에는 사용자가 통감이 느끼지 못하는 문제가 있을 수 있으므로, 중립 비율에 가까운 비율이 되도록 정전압/역전압의 등급을 조절하는 것이 바람직할 수도 있다. However, in case of providing a hot grill feedback or a cold grill feedback, when the constant voltage and the reverse voltage are applied at a rate largely deviated from the neutral ratio, there is a problem that the user does not feel a sense of enthusiasm. Therefore, / It may be desirable to adjust the rating of the reverse voltage.

1.3.2. 액체 제공부1.3.2. Liquid supply

도 27은 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부를 설명하기 위한 도면이다.27 is a view for explaining a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.

도 27을 참조하면, 액체 제공부(3000)는 폐열이 방열부(2000)에서 잠열의 형태로 방출되도록, 후술할 방열부(2000)에 액체를 제공하는 구성을 의미할 수 있다. 여기서, 액체는 물, 알코올, 메탄올 등 폐열을 흡수하여 상기 폐열에 의해 증발될 수 있는 액체는 모두 포함될 수 있다. 상기 액체는 흡수되는 폐열량이 상기 액체 고유의 기화열에 도달할 경우에 증발될 수 있다. 즉, 상기 액체가 증발될 때, 상기 고유의 기화열에 대응되는 폐열이 방열부(2000)에서 피드백 디바이스(100)의 외부로 방출될 수 있다.Referring to FIG. 27, the liquid supplier 3000 may be configured to provide a liquid to the heat dissipation unit 2000, which will be described later, so that the waste heat is discharged in the form of latent heat in the heat dissipation unit 2000. Here, the liquid may include all of the liquid that can absorb the waste heat such as water, alcohol, and methanol and evaporate by the waste heat. The liquid can be evaporated when the amount of waste heat absorbed reaches the inherent vaporization heat of the liquid. That is, when the liquid is evaporated, the waste heat corresponding to the inherent vaporization heat may be discharged to the outside of the feedback device 100 in the heat dissipation unit 2000.

액체 제공부(3000)는 액체 보유부(3100)를 포함할 수 있고, 액체 보유부(3100)는 방열부(2000)에 액체를 제공하기 위해 소정량의 액체를 보유할 수 있다. 액체 보유부(3100)의 성능에 따라 액체 보유부(3100)가 보유할 수 있는 최대 액체량이 결정될 수 있다.The liquid supply portion 3000 may include a liquid holding portion 3100 and the liquid holding portion 3100 may hold a predetermined amount of liquid to provide a liquid to the heat dissipating portion 2000. [ The maximum amount of liquid that can be held by the liquid holding portion 3100 can be determined according to the performance of the liquid holding portion 3100. [

본 발명의 실시예에서, 액체 보유부(3100)는 소정의 시간동안 소정량의 액체를 보유할 수 있는 물질인 액체 보유 물질을 포함할 수 있는데, 일 예로, 액체 보유부(3100)는 하이드로겔(hydrogel)의 일종인 고흡수성 수지(Super Absorbent Polymer, SAP)를 포함할 수 있다. 고흡수성 수지는 고분자 사슬간에 크로스 링킹(Cross-linking, 가교결합)을 통한 3차원의 망상구조 또는 단일 구조에서 친수기의 도입에 따라 액체를 흡수하는 폴리머를 나타낼 수 있다. 즉, 고흡수성 수지는 3차원 망상구조 또는 단일구조를 가지면서 다량의 친수기를 가지고 있는 고분자로 수불용성과 친수성을 동시에 가질 수 있다. In an embodiment of the present invention, the liquid retention portion 3100 may include a liquid retention material that is a material capable of retaining a predetermined amount of liquid for a predetermined period of time. In one example, (Super Absorbent Polymer, SAP), which is a kind of hydrogel. The superabsorbent resin may represent a polymer that absorbs liquid upon introduction of a hydrophilic group in a three-dimensional network structure through cross-linking (cross-linking) between polymer chains or in a single structure. That is, the superabsorbent resin has a three-dimensional network structure or a single structure and has a large amount of hydrophilic groups, and can have water insolubility and hydrophilicity at the same time.

또한, 액체 제공부(3000)의 성능의 예로는 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능이 있다. 액체 흡수 성능은 액체 제공부(3000)의 단위 질량당 액체 흡수량을 나타내는 것으로, 일 예로, 고흡수성 수지는 고흡수성 수지의 질량의 수십배 내지 수백배의 질량을 갖는 액체를 흡수할 수 있다. 또한, 액체 보유 성능은 외부로부터 소정의 압력이 가해졌을 때 액체 제공부(3000)가 액체를 외부로 방출하지 않고 보유하는 정도를 나타내는 것이다. 이러한 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능은, 액체 제공부(3000)가 고흡수성 수지인 경우, 고흡수성 수지의 크로스 링크 밀도에 따라 결정될 수 있다. 이는 크로스 링크의 밀도에 따라, 고흡수성 수지의 고분자 사슬간의 크로스 링킹 정도가 결정되기 때문이다. 즉, 고흡수성 수지는 속성은 크로스 링크 밀도에 따라 결정되며, 이는 도 36 내지 도 39에서 보다 상세하게 설명한다. 물론, 이 외에도, 액체 보유부(3100)는 액체 보유 능력 및 액체 방출 능력을 갖는 다른 물질을 포함할 수 있다.In addition, examples of the performance of the liquid supplier 3000 include liquid absorption performance and liquid holding performance. The liquid absorption performance represents the liquid absorption amount per unit mass of the liquid supplier 3000, and in one example, the superabsorbent resin can absorb a liquid having a mass several tens to several hundreds times the mass of the superabsorbent resin. The liquid retaining performance indicates the extent to which the liquid supplier 3000 holds the liquid without releasing it to the outside when a predetermined pressure is applied from the outside. Such liquid absorbing performance and liquid retaining performance can be determined according to the cross link density of the superabsorbent resin when the liquid supplier 3000 is a superabsorbent resin. This is because the degree of cross linking between the polymer chains of the superabsorbent resin is determined depending on the density of the cross link. That is, the property of the superabsorbent resin is determined according to the cross link density, which will be described in more detail in FIG. 36 to FIG. Of course, in addition to this, the liquid holding portion 3100 may include other materials having liquid holding ability and liquid releasing ability.

일 실시예에서, 액체 제공부(3000)는 피드백 디바이스(100)에서 물리적으로 분리될 수 있다. 일 예로, 액체 제공부(3000)는 피드백 디바이스(100)에서 분리된 상태에서 액체를 흡수할 수 있다. 또한, 액체 제공부(3000)는 다른 액체 제공부로 교체될 수도 있다.In one embodiment, the liquid dispenser 3000 may be physically separated in the feedback device 100. In one example, the liquid dispenser 3000 is capable of absorbing liquid in the separated state at the feedback device 100. [ In addition, the liquid supplier 3000 may be replaced with another liquid supply portion.

1.3.3. 방열부1.3.3. The heat-

도 28은 본 발명의 실시예에 따른 방열부를 설명하기 위한 도면이다.28 is a view for explaining a heat dissipating unit according to an embodiment of the present invention.

도 28을 참조하면, 방열부(2000)는 열전 모듈(1000)에서 발생되는 폐열을 피드백 디바이스(100)의 외부로 방출할 수 있다. 전술한 바와 같이, 폐열은 피드백 디바이스(100)에서 발생한 열 중 사용자에게 열적 경험을 제공하는데 사용되는 열 이외의 나머지 열을 의미할 수 있다. 예를 들어, 열 출력 모듈(1000)에서 열적 피드백이 출력된 이후 피드백 디바이스(100)에 잔존하는 잔열은 폐열에 포함될 수 있다. 이러한 폐열이 소량일 경우에는 폐열이 사용자에게 영향을 주지 않지만, 상기 폐열의 양이 일정수준 이상일 경우에는 피드백 디바이스(100)의 부품이 열화될 수 있고, 상기 폐열에 의하여 사용자에게 불필요한 열감이 전달되어 사용자의 열적 경험이 저하될 수 있다. 이러한 폐열에 따른 문제점을 해결하기 위해, 방열부(2000)는 폐열을 피드백 디바이스(100)의 외부로 방출할 수 있다.Referring to FIG. 28, the heat dissipating unit 2000 can discharge the waste heat generated from the thermoelectric module 1000 to the outside of the feedback device 100. As noted above, the waste heat may refer to any heat other than the heat that is used to provide the user with a thermal experience of the heat generated by the feedback device 100. For example, the residual heat remaining in the feedback device 100 after thermal feedback is output in the thermal output module 1000 may be included in the waste heat. When the amount of waste heat is small, the waste heat does not affect the user. However, when the amount of the waste heat is higher than a certain level, the components of the feedback device 100 may be deteriorated and unnecessary heat is transmitted to the user by the waste heat The user's thermal experience may be degraded. In order to solve such a problem due to the waste heat, the heat dissipating unit 2000 can discharge the waste heat to the outside of the feedback device 100.

본 발명의 실시예에서, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)를 포함할 수 있다. 열 전달부는(2100)는 열전 모듈(1000)로부터 폐열을 전달받고, 상기 폐열을 열 방출부(2200)에 전달하도록 마련되고, 열 방출부(2200)는 폐열을 피드백 디바이스(100)의 밖으로 방출할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the heat dissipating unit 2000 may include a heat transmitting unit 2100 and a heat emitting unit 2200. The heat transfer part 2100 is provided to receive the waste heat from the thermoelectric module 1000 and to transfer the waste heat to the heat release part 2200. The heat release part 2200 discharges the waste heat to the outside of the feedback device 100 can do.

본 발명이 실시예에서, 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)는 물리적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 열 전달부(2100)와 열 방출부(2200)은 직접적으로 닿아 있어서, 열 전달부(2100)로부터 폐열이 직접 열 방출부에 전달할 수 있다. 다른 예를 들어, 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)는 물리적인 매개체를 통해 연결될 수 있다. 이 경우, 폐열은 열 전달부(2100)로부터 상기 매개체를 통해 열 방출부(2200)로 전달될 수 있다. 일 예로, 상기 물리적인 매개체는 액체 제공부(3000)가 될 수 있고, 이 경우, 열 전달부(2100)와 열 방출부(2200)가 연결되어 있지 않더라도, 폐열은 액체 제공부(3000)를 통해 열 전달부(2100)로부터 열 방출부(2200)로 전달될 수 있다.In this embodiment of the present invention, the heat transfer portion 2100 and the heat radiation portion 2200 may be implemented in various forms. In one embodiment, heat transfer portion 2100 and heat dissipation portion 2200 may be physically connected. For example, the heat transfer part 2100 and the heat releasing part 2200 are directly in contact with each other, so that waste heat can be directly transferred to the heat releasing part from the heat transfer part 2100. As another example, the heat transfer portion 2100 and the heat radiation portion 2200 may be connected through a physical medium. In this case, the waste heat can be transferred from the heat transfer part 2100 to the heat emission part 2200 through the medium. In this case, even if the heat transfer part 2100 and the heat releasing part 2200 are not connected to each other, the waste heat may be supplied to the liquid supplier 3000 May be transmitted from the heat transfer portion 2100 to the heat emitting portion 2200.

또한, 다른 실시예에서, 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)는 물리적으로 연결되지 않을 수 있다. 이 경우, 열 전달부(2100)로부터 폐열이 간접적으로 열 방출부에 전달할 수 있다. 예를 들어, 폐열은 열 전달부(2100)로부터 공기를 통해 전달될 수 있다.Further, in another embodiment, the heat transfer portion 2100 and the heat releasing portion 2200 may not be physically connected. In this case, waste heat can indirectly be transferred from the heat transfer portion 2100 to the heat releasing portion. For example, the waste heat may be transferred from the heat transfer portion 2100 through air.

또한, 또 다른 실시예에서, 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)는 일체형으로 구현될 수 있다. 즉, 일체형의 방열부(2000)에서 폐열의 전달 및 폐열의 방출이 함께 수행될 수 있다.Further, in another embodiment, the heat transfer portion 2100 and the heat radiation portion 2200 may be integrally formed. That is, the transfer of the waste heat and the discharge of the waste heat in the integrated heat dissipation unit 2000 can be performed together.

또한, 또 다른 실시예에서, 방열부(2000)는 열 방출부 (2200)만으로 구성될 수 있다. 이 경우, 열 방출부(2200)는 외부로부터 폐열을 획득한 후 바로 폐열을 외부로 방출할 수 있다.Furthermore, in another embodiment, the heat dissipating unit 2000 may be composed of only the heat dissipating unit 2200. In this case, the heat releasing part 2200 can immediately discharge the waste heat to the outside after acquiring waste heat from the outside.

이와 같이, 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)는 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 언급되지 않았어도 폐열의 전달 및/또는 폐열의 방출은 수행하는 구성은 방열부(2000)로써 구현될 수 있다.As described above, the heat transfer portion 2100 and the heat radiation portion 2200 can be implemented in various embodiments, and the configuration for performing the transfer of the waste heat and / or the discharge of the waste heat, .

일 실시예에서, 방열부(2000)는 피드백 디바이스(100)에서 물리적으로 분리될 수 있다. 일 예로, 방열부(2000)는 피드백 디바이스(100)에서 분리되어 다른 방열부로 교체될 수 있다.In one embodiment, the heat sink 2000 can be physically separated in the feedback device 100. For example, the heat dissipating unit 2000 may be separated from the feedback device 100 and replaced with another heat dissipating unit.

2. 피드백 디바이스에서의 폐열 방출2. Emission of waste heat in the feedback device

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출에 대해 설명한다.Hereinafter, the waste heat emission of the feedback device 100 according to the embodiment of the present invention will be described.

2.1 개요2.1 Overview

전술한 바와 같이, 피드백 디바이스(100)의 열전 모듈(1000)이 열전동작을 수행할 경우, 폐열이 발생될 수 있다. 이러한 폐열은 사용자의 열적경험에 직간접적으로 영향을 줄 수 있다. 구체적인 예로서, 도 53은 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)에서 사용자에게 제공하는 열의 온도에 대한 그래프를 나타낸다. 예를 들어, 도 53의 그래프에서, x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타내며, 선(5301)은 시간에 따른 열전모듈(1000)의 접촉면(1600)의 온도를 나타낸다.As described above, when the thermoelectric module 1000 of the feedback device 100 performs a thermoelectric action, waste heat may be generated. Such waste heat can directly or indirectly affect the user's thermal experience. As a specific example, FIG. 53 shows a graph of the temperature of the heat provided to the user in the feedback device 100 according to an embodiment of the present invention. For example, in the graph of FIG. 53, the x-axis represents time, the y-axis represents temperature, and line 5301 represents the temperature of contact surface 1600 of thermoelectric module 1000 with time.

본 발명의 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 사용자에게 냉감을 전달하는 쿨링 디바이스로서 동작할 수 있다. 이 경우, 열전 모듈(1000)의 열전 쌍 어레이(1240)은 흡열 동작을 수행하고, 접촉면(1600)에 냉열을 전달할 수 있다. 접촉면(1600)에 냉열이 전달됨에 따라, 접촉면(1600)의 온도는 하강할 수 있다. 이 때, 폐열이 발생되지 않는다면, 접촉면(1600)의 온도는 선(5302)에 따라 형성되어, 구간(5311)에서 최저 온도에 도달한 후, 구간(5312)에서 상기 최저 온도를 유지할 수 있다. 그러나, 열전 쌍 어레이(1240)이 흡열 동작을 수행함에 따라, 열전 모듈(1000)내에서 폐열이 축적될 수 있고, 상기 폐열에 영향을 받아 접촉면의 온도는 최소 온도에 도달한후 온도가 상승하여, 소정의 온도 구간(5322)에서 온도가 유지될 수 있다. 이에 따라, 폐열을 고려할 경우의 접촉면(1260)의 최저 온도는 폐열을 고려하지 않을 경우의 접촉면의 최저 온도보다 높아질 수 있다. 그리고, 폐열을 고려할 경우, 폐열로 인하여, 구간(5312)에서 접촉면(1600)의 온도는 구간(5311)에서의 최소온도보다 높아질 수 있다. In an embodiment of the present invention, feedback device 100 may operate as a cooling device that conveys cool to the user. In this case, the thermocouple array 1240 of the thermoelectric module 1000 performs a heat absorbing operation and can transmit cold heat to the contact surface 1600. As the cool heat is transferred to the contact surface 1600, the temperature of the contact surface 1600 can be lowered. At this time, if no waste heat is generated, the temperature of the contact surface 1600 is formed along the line 5302, and the minimum temperature can be maintained in the section 5312 after reaching the minimum temperature in the section 5311. However, as the thermocouple array 1240 performs the heat absorbing operation, waste heat can be accumulated in the thermoelectric module 1000, and the temperature of the contact surface is affected by the waste heat and then the temperature rises after reaching the minimum temperature , The temperature can be maintained at a predetermined temperature interval 5322. [ Accordingly, the lowest temperature of the contact surface 1260 when the waste heat is taken into consideration can be made higher than the lowest temperature of the contact surface when waste heat is not taken into consideration. In consideration of the waste heat, the temperature of the contact surface 1600 in the section 5312 may be higher than the minimum temperature in the section 5311 due to the waste heat.

또한, 폐열을 고려할 경우의 접촉면(1600)의 온도와 폐열을 고려하지 않을 경우의 접촉면(1600)의 온도의 차이는 피드백 디바이스(100)에서 폐열을 얼만큼 잘 방출하는지에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 피드백 디바이스(100)에서 폐열이 잘 방출되는 경우에는 상기 온도 차이가 줄어드는 반면, 폐열이 잘 방출되지 않는 경우에는 온도 차이가 증가될 수 있다. 따라서, 피드백 디바이스(100)의 성능에 있어서, 폐열의 방출 능력은 중요한 요소이다. 이하에서는 폐열 방출 성능을 향상시키기 위한 피드백 디바이스(100)의 구성에 구체적으로 설명한다.The difference between the temperature of the contact surface 1600 and the temperature of the contact surface 1600 when the waste heat is not taken into account when the waste heat is taken into account can be varied depending on how much the waste heat is emitted from the feedback device 100 as well. For example, when the waste heat is well discharged in the feedback device 100, the temperature difference is reduced, whereas when the waste heat is not released well, the temperature difference may be increased. Thus, in the performance of the feedback device 100, the ability of the waste heat to discharge is an important factor. Hereinafter, the configuration of the feedback device 100 for improving the waste heat releasing performance will be described in detail.

2.2. 폐열 전달 경로에 따른 폐열 방출 성능2.2. Performance of waste heat emission according to waste heat transfer path

2.2.1. 개요2.2.1. summary

폐열 전달 경로는 폐열의 발생되는 곳으로부터 폐열의 방출되는 곳까지의 경로로 정의될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)에서, 폐열 전달 경로는 폐열이 발생하는 열전 모듈(1000)로부터 폐열이 방출되는 방열부(2000)까지의 경로를 의미할 수 있다. 물론, 이 경우, 피드백 디바이스(100)의 구조에 따라 폐열 전달 경로에는 액체 제공부(3000)와 같은 다른 구성요소도 포함될 수 있다.The waste heat transfer path can be defined as the path from the generation of waste heat to the discharge of waste heat. In the feedback device 100 according to the embodiment of the present invention, the waste heat transfer path may refer to a path from the thermoelectric module 1000 where waste heat is generated to the heat dissipation unit 2000 where waste heat is discharged. Of course, in this case, depending on the structure of the feedback device 100, the waste heat transfer path may also include other components such as the liquid supplier 3000.

본 발명의 일 실시예에서, 폐열 전달 경로가 짧을수록 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다. 왜냐하면, 제1 피드백 디바이스 및 제2 피드백 디바이스의 구성요소의 구조, 재질 등 다른 조건이 모두 동일하다는 가정하에, 폐열 전달 경로가 길다는 것은 폐열이 피드백 디바이스(100)에 머무르는 시간이 증가된다는 것을 의미하고, 폐열 전달 경로가 짧다는 것은 폐열이 피드백 디바이스(100)에 머무르는 시간이 감소된다는 것을 의미할 수 있기 때문이다. 따라서, 폐열 방출 구조에 따라 폐열 방출 성능이 달라질 수 있으며, 이하에서는 폐열 전달 경로에 따른 폐열 방출 성능에 대해 자세하게 설명한다.In one embodiment of the present invention, the shorter the waste heat transfer path, the higher the waste heat releasing performance can be. Because the waste heat transfer path is long, assuming that all the other conditions such as the structure, material, and the like of the components of the first feedback device and the second feedback device are the same, it means that the time for the waste heat to stay in the feedback device 100 is increased And the fact that the waste heat transfer path is short may mean that the time for the waste heat to stay in the feedback device 100 is reduced. Accordingly, the waste heat releasing performance can be changed according to the waste heat releasing structure. Hereinafter, the waste heat releasing performance according to the waste heat transfer path will be described in detail.

2.2.2. 여러가지 실시예에 따른 페열 방출 경로2.2.2. In accordance with various embodiments,

2.2.2.1. 제1 실시예2.2.2.1. First Embodiment

도 29는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.29 is a diagram illustrating a structure of a feedback device according to an embodiment of the present invention.

도 29를 참조하면, 도 29는 제1 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 단면도를 나타내는 것으로, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다. 여기서, 열전 모듈(1000)의 하면은 사용자에게 열적 피드백을 제공하도록, 사용자와 직간접적으로 접촉될 수 있다. 예를 들어, 피드백 디바이스가 도 3과 같은 손목 밴드 타입의 웨어러블 디바이스인 경우에는, 웨어러블 디바이스가 사용자에게 착용될 때, 사용자와 접촉하는 부분에 열전 모듈(1000)이 위치하고, 사용자와 접촉하지 않는 부분에 방열부(2000)가 위치할 수 있다. 또한, 방열부(2000)에서 폐열이 전달되는 부분은 열 전달부(2100)(예를 들어, 방열부(2000)의 하면 및 측면)가 될 수 있고, 폐열이 잠열 형태로 증발되는 부분은 열 방출부(2200)(예를 들어, 방열부(2000)의 상면)가 될 수 있다. 29 is a cross-sectional view of a feedback device 100 according to the first embodiment. The feedback device 100 is stacked in order of a thermoelectric module 1000 and a heat dissipating part 2000, The supplying unit 3000 may be disposed inside the heat dissipating unit 2000. Here, the lower surface of the thermoelectric module 1000 may be in direct or indirect contact with the user to provide thermal feedback to the user. For example, when the wearable device is a wristband type wearable device as shown in Fig. 3, when the wearable device is worn by the user, the thermoelectric module 1000 is positioned at a portion contacting the user, The heat dissipating unit 2000 can be positioned. The portion where the waste heat is transferred from the heat dissipating unit 2000 may be the heat transfer unit 2100 (for example, the lower surface and the side surface of the heat dissipating unit 2000) Emitting portion 2200 (for example, the upper surface of the heat-radiating portion 2000).

그리고, 본 발명의 예시적인 실시예에서, 액체 제공부(3000)로부터의 액체가 열전 모듈(1000)에 전달되지 않도록, 액체 제공부(3000)와 열전 모듈(1000) 사이에는 액체 차단물질(예를 들어, 방수막, 방수 필름)이 배치될 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, a liquid blocking material (for example, liquid) is provided between the liquid supplier 3000 and the thermoelectric module 1000 so that the liquid from the liquid supplier 3000 is not transferred to the thermoelectric module 1000 For example, a waterproof film, a waterproof film) may be disposed.

제1 실시예에서, 열전 모듈(1000)이 흡열 동작을 수행할 경우, 열전 모듈(1000)의 하면에는 냉열이 전달되고, 열전모듈(1000)의 상면에는 온열이 전달되고, 이러한 온열은 사용자의 열적 경험을 저해시키는 폐열이 될 수 있다. 이 경우, 폐열은 열전모듈(1000)에서 열 전달부(2100) 및 액체 제공부(3000)를 통해 열 방출부(2200)에 전달되고, 열 방출부(2200)에서 폐열이 방출될 수 있다. 즉, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 열 전달부(2100), 액체 제공부(3000) 및 열 방출부(2200)로 형성될 수 있다. 이 때, 액체 제공부(3000)는 열 방출부(2200)에 액체 제공부(3000)가 함유한 액체를 제공할 수 있고, 열 방출부(2200)에서, 액체 제공부(3000)에서 제공받은 액체가 폐열로 인해 증발될 수 있다. 상기 액체의 증발에 따라, 폐열은 피드백 디바이스(100)의 외부로 방출될 수 있다.In the first embodiment, when the thermoelectric module 1000 performs a heat absorbing operation, cold heat is transmitted to the lower surface of the thermoelectric module 1000, and heat is transmitted to the upper surface of the thermoelectric module 1000, It can be a waste heat that hinders the thermal experience. In this case, the waste heat may be transferred from the thermoelectric module 1000 to the heat release portion 2200 through the heat transfer portion 2100 and the liquid supply portion 3000, and waste heat may be discharged from the heat emission portion 2200. That is, the waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000, the heat transfer portion 2100, the liquid supplier 3000, and the heat releasing portion 2200. At this time, the liquid supplier 3000 can supply the liquid contained in the liquid supplier 3000 to the heat discharger 2200, and the liquid supplier 3000 can supply the liquid supplied from the liquid supplier 3000 The liquid can evaporate due to waste heat. Depending on the evaporation of the liquid, the waste heat may be released to the outside of the feedback device 100.

또한, 본 발명의 실시예에서, 열 방출부(2200)는 재질에 따라, 특정 방향으로의 액체 전달 방향성을 가질 수 있다. 예를 들어, 열 방출부(2200)는 상하방향의 액체 전달 방향성을 가질 수도 있으며, 좌우방향으로의 액체 전달 방향성을 가질 수도 있다. 제1 실시예에서는, 열 방출부(2200)의 하단에서 열 방출부(2200)으로 액체가 전달될 수 있다. 이에 따라, 제1 실시예에서는, 열 방출부(2200)가 상하 방향의 액체 전달 방향성을 갖는 것이 폐열 방출 성능 향상에 유리할 수 있다.Further, in the embodiment of the present invention, the heat releasing portion 2200 may have a liquid delivery direction in a specific direction, depending on the material. For example, the heat releasing portion 2200 may have liquid transfer directionality in the up-and-down direction and liquid transfer direction in the left-right direction. In the first embodiment, liquid can be transferred from the lower end of the heat releasing portion 2200 to the heat releasing portion 2200. [ Accordingly, in the first embodiment, the heat radiating portion 2200 having the liquid transfer directionality in the up and down direction may be advantageous for improving the waste heat releasing performance.

또한, 본 발명의 실시예에서, 열 방출부(2200)는 재질에 따라, 특정 방향으로의 증발 방향성을 가질 수 있다. 예를 들어, 열 방출부(2200)는 상 방향의 증발 방향성을 가질 수도 있으며, 측면방향으로의 증발 방향성을 가질 수도 있다. 제1 실시예에서는, 열 방출부(2200)의 상단에서 공기중으로 액체의 증발이 수행될 수 있다. 이에 따라, 제1 실시예에서는, 열 방출부(2200)가 상 방향의 증발 방향성을 갖는 것이 폐열 방출 성능 향상에 유리할 수 있다.Further, in the embodiment of the present invention, the heat releasing portion 2200 may have evaporation directionality in a specific direction depending on the material. For example, the heat releasing portion 2200 may have an upward evaporation directionality or a lateral direction evaporation directionality. In the first embodiment, evaporation of liquid from the upper end of the heat releasing portion 2200 into the air can be performed. Accordingly, in the first embodiment, it is advantageous for the heat releasing portion 2200 to have the upward evaporative directionality to improve the waste heat releasing performance.

또한, 제1 실시예에 따른 구조에서, 액체 제공부(3000)의 두께에 따라 폐열 전달 경로의 길이가 달라질 수 있다. 예를 들어, 도 29의 예에서, 액체 제공부(3000)의 두께가 a인 경우의 폐열 전달 경로보다, 액체 제공부(3000)의 두께가 b인 경우의 폐열 전달 경로가 짧을 수 있다. 폐열 전달 경로가 단축됨에 따라, 폐열이 액체 제공부(3000)에 머무는 시간이 짧아질 수 있고, 이로 인해, 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능은 향상될 수 있다.In addition, in the structure according to the first embodiment, the length of the waste heat transfer path may vary depending on the thickness of the liquid supplier 3000. For example, in the example of FIG. 29, the waste heat transfer path when the thickness of the liquid supplier 3000 is b may be shorter than the waste heat transfer path when the thickness of the liquid supplier 3000 is a. As the waste heat transfer path is shortened, the time for the waste heat to stay in the liquid supplier 3000 can be shortened, whereby the waste heat release performance of the feedback device 100 can be improved.

일 실시예에서, 액체 제공부(3000)의 두께가 얇아지게 되면, 액체 제공부(3000)가 함유하는 액체의 양이 적어질 수 있다. 액체 제공부(3000)에 액체가 고갈되면 액체를 보충해야 되는데, 액체 제공부(3000)의 두께가 얇아짐에 따라 액체가 고갈되는 시간 역시 짧아질 수 있다. 즉, 액체 제공부(3000)의 두께에 따라, 피드백 디바이스(1000)의 폐열 방출 성능과 액체 제공부(3000)의 액체 보유 성능은 트레이드 오프(trade off) 관계가 될 수 있다.In one embodiment, when the thickness of the liquid supplier 3000 is reduced, the amount of liquid contained in the liquid supplier 3000 may be reduced. When the liquid dispenser 3000 is depleted, the liquid must be replenished. As the thickness of the liquid dispenser 3000 becomes thinner, the depletion time of the liquid may also be shortened. That is, depending on the thickness of the liquid supplier 3000, the waste heat releasing performance of the feedback device 1000 and the liquid retaining performance of the liquid supplier 3000 may be in a trade off relationship.

2.2.2.2. 제2 실시예2.2.2.2. Second Embodiment

도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.30 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 30을 참조하면, 도 30은 제2 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 단면도를 나타낸다. 제2 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000) 및 방열부(2000) 순으로 적층되고, 제1 실시예에서와 달리, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)는 방열부(2000)의 양측면에 배치될 수 있다. 또한, 열전 모듈(1000)의 측면에는 지지부(5000)가 배치되고, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)는 지지부(5000)의 상단에 배치될 수 있다. 여기서, 지지부(5000)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 또는 액체 제공부(3000-a, 3000-b) 중 적어도 하나를 지지하는 구성으로 마련될 수 있다. 또한, 본 발명의 예시적인 실시예에서, 지지부(5000)는 열전 모듈(1000)에서 발생되는 열을 사용자에게 전달하지 않고 차단할 수 있다. 또한, 지지부(5000)는 액체 제공부(3000-a, 3000-b)에서 방출되는 액체를 사용자에게 전달하지 않고 차단할 수 있다. 또한, 지지부(5000)는 사용자와 접촉하도록 배치될 수 있다.Referring to Fig. 30, Fig. 30 shows a cross-sectional view of a feedback device 100 according to the second embodiment. In the second embodiment, the feedback device 100 is laminated in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000. Unlike the first embodiment, the liquid supplier 3000-a and 3000- And may be disposed on both sides of the unit 2000. A support portion 5000 is disposed on the side surface of the thermoelectric module 1000 and the liquid supplier 3000-a and 3000-b can be disposed on the upper portion of the support portion 5000. The support unit 5000 may be configured to support at least one of the thermoelectric module 1000, the heat dissipation unit 2000, and the liquid supplies 3000-a and 3000-b. Further, in the exemplary embodiment of the present invention, the supporter 5000 can block the heat generated in the thermoelectric module 1000 without transmitting it to the user. Also, the supporter 5000 can block the liquid discharged from the liquid supplier 3000-a and 3000-b without delivering it to the user. Further, the support portion 5000 may be arranged to be in contact with the user.

또한, 도 30에서, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)가 일체형인 형상으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)가 분리된 형상으로 구성될 수도 있다. 또한, 도 30에서는 액체 제공부(3000-a, 3000-b)의 높이가 방열부(2000)의 높이보다 큰 것으로 도시되었지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)의 높이는 방열부(2000)의 높이보다 작거나 같을 수도 있다.30, the heat dissipating unit 2000 includes a heat transfer unit 2100 and a heat dissipation unit 2200. However, the heat dissipation unit 2000 is not limited to the heat dissipation unit 2100 And the heat releasing portion 2200 may be formed in a separated shape. Although the height of the liquid supplier 3000-a and 3000-b is larger than the height of the heat dissipating unit 2000 in FIG. 30, the present invention is not limited thereto. May be less than or equal to the height of the heat dissipating unit 2000.

제2 실시예에서, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)는 열전 모듈(1000)의 상부와 접촉하지 않음에 따라, 열전 모듈(1000)로부터 폐열을 전달받지 않을 수 있다. 이에 따라, 폐열은 열전 모듈(1000)로부터 방열부(2000)에 직접 전달되고 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000) 및 방열부(2000)로 형성될 수 있다. 이에 따라, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)가 폐열 전달 경로에 포함된 경우보다 페열 전달 경로가 단축되고, 이로 인해 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다.In the second embodiment, the liquid supplier 3000-a, 3000-b does not contact the upper portion of the thermoelectric module 1000, so that waste heat may not be transferred from the thermoelectric module 1000. Accordingly, the waste heat may be directly transferred from the thermoelectric module 1000 to the heat dissipation unit 2000, and the waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000 and the heat dissipation unit 2000. Accordingly, the heat transfer path can be shortened as compared with the case where the liquid supplier (3000-a, 3000-b) is included in the waste heat transfer path, thereby improving the waste heat discharge performance.

또한, 제2 실시예에서, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)가 방열부(2000)의 측면에 배치됨에 따라, 방열부(2000)는 액체 제공부(3000-a, 3000-b)로부터 측면에서 액체를 제공받을 수 있다. 이 때, 방열부(2000)는 전 영역에 걸쳐 열전 모듈(1000)로부터 폐열을 전달받음에 따라 전 영역에 걸쳐 폐열이 방출되어야 할 필요가 있다. 따라서, 방열부(2000)가 좌우 방향의 액체 전달 방향성을 가질 경우 방열부의 중앙부분에까지 액체가 전달될 수 있으므로, 제2 실시예에서는, 방열부(2000)가 좌우 방향의 액체 전달 방향성을 갖는 것이 폐열 방출 성능 향상에 유리할 수 있다.In addition, in the second embodiment, since the liquid supplier 3000-a, 3000-b is disposed on the side surface of the heat dissipating unit 2000, the heat dissipating unit 2000 includes the liquid supplying unit 3000- The liquid can be supplied from the side. At this time, the heat dissipating unit 2000 needs to discharge waste heat over the entire area as the waste heat is received from the thermoelectric module 1000 over the entire area. Accordingly, when the heat dissipating unit 2000 has the liquid transfer directionality in the lateral direction, the liquid can be transferred to the central portion of the heat dissipating unit. Therefore, in the second embodiment, the heat dissipating unit 2000 has the liquid transfer directionality in the left- It can be advantageous for improving waste heat emission performance.

다만, 실시예에 따라, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)가 방열부(2000)의 측면에 배치됨에 따라, 방열부(2000)의 중앙영역보다 방열부(2000)의 바깥영역에 보다 많은 액체가 전달될 수 있다. 이 경우, 동일한 시간동안, 액체를 보다 많이 함유한 상기 바깥영역에서의 폐열 방출량이 상기 중앙영역의 폐열 방출량보다 많을 수 있다. 물론, 방열부(2000)가 높은 좌우 방향의 액체 전달 방향성을 가지거나 오랜 시간동안 액체 제공부(3000-a, 3000-b)에서 방열부(2000)로 액체가 전달됨에 따라 방열부(2000)의 중앙영역과 방열부(2000)의 바깥영역의 액체 함유량이 유사한 경우, 상기 바깥영역에서의 폐열 방출량과 상기 중앙영역의 폐열 방출량 역시 유사할 수 있다.According to the embodiment, since the liquid supplier 3000-a and 3000-b are disposed on the side surface of the heat dissipating unit 2000, the liquid supplier 3000- More liquid can be delivered. In this case, for the same period of time, the waste heat emission amount in the outer region containing more liquid may be larger than the waste heat emission amount in the central region. Of course, when the heat dissipating unit 2000 has a liquid transfer direction in a high lateral direction or liquid is delivered from the liquid supplier 3000-a and 3000-b to the heat dissipating unit 2000 for a long time, The amount of waste heat in the outer region and the amount of waste heat in the central region may be similar to each other.

2.2.2.3. 제3 실시예2.2.2.3. Third Embodiment

도 31은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.31 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 31을 참조하면, 도 31은 제3 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 단면도를 나타낸다. 제3 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000) 및 방열부(2000) 순으로 적층되고, 열전 모듈(1000)의 측면에는 지지부(5000)가 배치되고, 액체 제공부(3000)는 지지부(5000)의 상단 및 방열부(2000)의 측면에 배치될 수 있다. 다만, 제2 실시예와 달리, 제3 실시예에서는 액체 제공부(3000)가 방열부(2000)의 일측면에만 배치될 수 있다. Referring to FIG. 31, FIG. 31 shows a cross-sectional view of a feedback device 100 according to the third embodiment. In the third embodiment, the feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000, the supporter 5000 is disposed on the side of the thermoelectric module 1000, May be disposed on the upper end of the support part (5000) and the side surface of the heat dissipating part (2000). However, unlike the second embodiment, the liquid supplier 3000 may be disposed only on one side of the heat dissipating unit 2000 in the third embodiment.

제3 실시예에서, 제2 실시예와 마찬가지로, 액체 제공부(3000)는 열전 모듈(1000)의 상부와 접촉하지 않음에 따라, 열전 모듈(1000)로부터 폐열을 전달받지 않을 수 있다. 이에 따라, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000) 및 방열부(2000)로 형성될 수 있고, 액체 제공부(3000) 가 폐열 전달 경로에 포함된 경우보다 페열 전달 경로가 단축되며, 이로 인해 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다.In the third embodiment, similarly to the second embodiment, the liquid supplier 3000 may not receive the waste heat from the thermoelectric module 1000 as it does not contact the top of the thermoelectric module 1000. Accordingly, the waste heat transfer path can be formed by the thermoelectric module 1000 and the heat dissipation unit 2000, and the heat transfer path is shortened compared with the case where the liquid supply unit 3000 is included in the waste heat transfer path, Performance can be improved.

또한, 제3 실시예에서는 액체 제공부(3000)가 방열부(2000)의 일측면에 배치됨에 따라 방열부(2000)의 상기 일측면에서 다른 일측면으로 액체가 전달될 수 있다. 다만, 방열부(2000)는 전 영역에 걸쳐 열전 모듈(1000)로부터 폐열을 전달받음에 따라 전 영역에 걸쳐 폐열이 방출되어야 할 필요가 있다. 따라서, 상기 액체 제공부(3000)와 접한 일측면이 아닌 다른 일측면에서도 폐열이 효과적으로 방출되게 하기 위해서는, 방열부(2000)가 좌우 방향의 액체 전달 방향성을 가져야 할 수 있다.Also, in the third embodiment, since the liquid supplier 3000 is disposed on one side of the heat dissipating unit 2000, the liquid can be transferred from one side to the other side of the heat dissipating unit 2000. However, the heat dissipating unit 2000 needs to discharge waste heat over the entire area as the waste heat is received from the thermoelectric module 1000 over the entire area. Therefore, in order to effectively discharge the waste heat from one side other than the one side contacting with the liquid supplier 3000, the heat dissipating unit 2000 may have liquid transfer directionality in the left and right direction.

또한, 실시예에 따라, 액체 제공부(3000)가 방열부(2000)가 일측면에 배치됨으로 인해, 방열부(2000)의 다른 일측면보다 상기 일측면에 보다 많은 액체가 전달될 수 있다. 이 경우, 동일한 시간동안, 상기 일측면에서의 폐열 방출량이 상기 다른 일측면에서의 폐열 방출량보다 많을 수 있다. 물론, 방열부(2000)가 높은 좌우 방향의 액체 전달 방향성을 가지거나 오랜 시간동안 액체 제공부(3000)에서 방열부(2000)로 액체가 전달됨에 따라 방열부(2000)의 일측면 및 다른 일측면에서의 액체 함유량이 유사한 경우, 상기 일측면에서의 폐열 방출량과 상기 다른 일측면에서의 폐열 방출량 역시 유사할 수 있다.Further, according to the embodiment, since the liquid supplier 3000 is disposed on one side of the heat dissipating unit 2000, more liquid can be delivered to the one side than the other side of the heat dissipating unit 2000. In this case, during the same period of time, the amount of waste heat emission in one aspect may be larger than the amount of waste heat emission in the other aspect. Of course, since the heat dissipating unit 2000 has high liquid transfer directionality in the left and right direction or the liquid is delivered from the liquid supplier 3000 to the heat dissipating unit 2000 for a long time, When the liquid content on the side is similar, the amount of waste heat emission on the one side may be similar to the amount of waste heat emission on the other side.

2.2.2.4. 제4 실시예2.2.2.4. Fourth Embodiment

도 32는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.32 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 32를 참조하면, 도 32는 제4 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 단면도를 나타낸다. 제4 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 액체 제공부(3000-a, 3000-b)/방열부(2000) 순으로 배치되고, 특히, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)는 방열부(2000)의 일부 측면 및 일부 하면에 배치될 수 있다.Referring to Fig. 32, Fig. 32 shows a cross-sectional view of a feedback device 100 according to the fourth embodiment. In the fourth embodiment, the feedback device 100 is disposed in the order of the thermoelectric module 1000, the liquid supplier 3000-a, 3000-b, and the heat dissipater 2000, , 3000-b) may be disposed on some side and part of the bottom surface of the heat dissipation unit 2000.

앞선 실시예들과 달리, 제4 실시예에서, 폐열 전달 경로는 2가지 경로로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 액체 제공부(3000-a, 3000-b) 및 방열부(2000)로 형성되고, 제2 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000) 및 방열부(2000)로 형성될 수 있다. 제2 폐열 전달 경로에서는, 폐열 중 일부가 액체 제공부(3000-a, 3000-b)를 통해 방열부(2000)로 전달될 수 있다. 이에 따라, 제2, 3 실시예와 달리 제2 폐열 전달 경로의 길이는 액체 제공부(3000-a, 3000-b)의 두께에 따라 달라질 수 있다. 다만, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)가 방열부(2000)의 내부에 배치됨에 따라, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)가 측면에 배치된 경우보다 방열부(2000)에 전달되는 액체의 양은 증가될 수 있고, 이에 따라 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다. 또한, 방열부(2000)는 액체 제공부(3000-a, 3000-b)로부터 액체를 측면뿐 아니라 하단에서도 전달받을 수 있다. 따라서, 방열부(2000)가 좌우 방향의 액체 전달 방향성 및 상하방향의 액체 전달 방향을 동시에 가질 경우 폐열 방출 성능이 더욱 향상될 수 있다.Unlike the previous embodiments, in the fourth embodiment, the waste heat transfer path can be composed of two paths. For example, the first waste heat transfer path is formed by the thermoelectric module 1000, the liquid supplier 3000-a, 3000-b, and the heat dissipating unit 2000, The heat dissipating unit 2000 may be formed. In the second waste heat transfer path, a part of the waste heat may be transferred to the heat dissipating unit 2000 through the liquid supplier 3000-a, 3000-b. Accordingly, unlike the second and third embodiments, the length of the second waste heat transfer path may vary depending on the thickness of the liquid supplier 3000-a and 3000-b. However, since the liquid supplier 3000-a, 3000-b is disposed inside the heat dissipating unit 2000, the heat dissipating unit 2000 ) Can be increased, and thus the waste heat releasing performance can be improved. Also, the heat dissipating unit 2000 can receive the liquid from the liquid supplier 3000-a and 3000-b, not only on the side surface but also on the bottom surface. Therefore, when the heat dissipating unit 2000 has the liquid transfer directionality in the lateral direction and the liquid transfer direction in the vertical direction, the waste heat releasing performance can be further improved.

2.2.2.5. 제5 실시예2.2.2.5. Fifth Embodiment

도 33은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.33 is a diagram illustrating a structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 33을 참조하면, 도 33은 제5 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 단면도를 나타낸다. 제5 실시예에서. 피드백 디바이스(100)는 도 29의 제1 실시예와 같이 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다.Referring to Fig. 33, Fig. 33 shows a cross-sectional view of a feedback device 100 according to the fifth embodiment. In the fifth embodiment. The feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000 as in the first embodiment of FIG. 29, and the liquid supplier 3000 may be disposed inside the heat dissipating unit 2000 .

이 때, 제5 실시예에서는 방열부(2000) 상에 보호부(2500)가 배치될 수 있다. 여기서, 보호부(2500)는 피드백 디바이스(100)를 외부로부터 보호하는 구성으로 마련될 수 있다.At this time, in the fifth embodiment, the protection unit 2500 may be disposed on the heat dissipation unit 2000. Here, the protection unit 2500 may be configured to protect the feedback device 100 from the outside.

본 발명의 일 실시예에서, 보호부(2500)는 방열부(2000)를 둘러싸는 형태로 배치되되, 보호부(2500)와 방열부(2000) 사이에 소정 공간이 마련될 수 있다. 또한, 보호부(2500)는 여러가지 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 보호부(2500)는 네트형 플라스틱 또는 실리콘 등 액체를 흡수하지 않는 재질로 구성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the protective portion 2500 is disposed to surround the heat dissipating portion 2000, and a predetermined space may be provided between the protective portion 2500 and the heat dissipating portion 2000. In addition, the protective portion 2500 may be formed of various materials. For example, the protective portion 2500 may be made of a material that does not absorb liquid, such as net-type plastic or silicone.

구체적으로, 방열부(2000)는 액체 제공부(2000)에서 제공되는 액체로 인하여 젖을 수 있고, 이러한 상황에서 사용자의 손이 방열부(2000)에 접촉하게 되면 사용자의 손은 상기 액체로 인하여 축축해질 수 있다. 그러나, 피드백 디바이스(100)에 보호부(2500)가 배치되게 되면, 사용자의 손은 보호부(2500)에 의하여 방열부(2000)에 닿지 않을 수 있다. 이로 인해, 사용자의 편의성이 향상될 수 있다.Specifically, the heat dissipating unit 2000 may be wetted by the liquid provided in the liquid supplier 2000, and when the user's hand touches the heat dissipating unit 2000 in such a situation, . However, when the protection unit 2500 is disposed on the feedback device 100, the user's hand may not touch the heat dissipation unit 2000 by the protection unit 2500. As a result, the convenience of the user can be improved.

또한, 보호부(2500) 내부의 소정의 공간이 마련됨에 따라, 제5 실시예에서의 폐열 방출 경로는 제1 실시예에서와 같이 열전 모듈(1000), 열 전달부(2100), 액체 제공부(3000) 및 열 방출부(2200)로 형성될 수 있으며, 제5 실시예에서도 제1 실시예에서의 폐열 방출 성능이 유지될 수 있다.In addition, since a predetermined space is provided in the protective portion 2500, the waste heat releasing path in the fifth embodiment is similar to that of the first embodiment in that the thermoelectric module 1000, the heat transfer portion 2100, The heat dissipation unit 3000 and the heat dissipation unit 2200. In the fifth embodiment, the waste heat dissipation performance in the first embodiment can be maintained.

그리고, 도 33에서는 제1 실시예에서 보호부(2500)가 적용된 구조에 대해 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제5 실시예에서의 보호부(2500)는 전술한 제2 실시예 내지 제4 실시예 모두에 적용될 수 있다.33, the protection unit 2500 according to the fifth embodiment is similar to the protection unit 2500 according to the second to fourth embodiments described above. However, It can be applied to all of the embodiments.

2.2.2.6. 제6 실시예2.2.2.6. Sixth Embodiment

도 34는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구조를 나타낸 도면이다.34 is a diagram illustrating the structure of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 34를 참조하면, 도 33은 제6 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 단면도를 나타낸다. 제6 실시예에서. 피드백 디바이스(100)는 도 29의 제1 실시예와 같이 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 34, FIG. 33 shows a cross-sectional view of a feedback device 100 according to a sixth embodiment. In the sixth embodiment. The feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000 as in the first embodiment of FIG. 29, and the liquid supplier 3000 may be disposed inside the heat dissipating unit 2000 .

이 때, 제1 실시예와 달리, 방열부(2000) 내부에는 제2 액체 제공부(3500)가 포함할 수 있다. 제2 액체 제공부(3500)는 액체를 방열부(2000) 뿐만 아니라 액체 제공부(3000)에 제공하도록 마련될 수 있다. 이를 위해, 액체 제공부(3000)보다 액체 흡수 능력이 향상된 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 액체 제공부(3500)는 스폰지와 같은 액체 흡수성이 높은 물질로 구성될 수 있고, 고흡수성 수지로 구성될 수도 있다. 이 때, 제2 액체 제공부(3500) 및 액체 제공부(3000) 모두 고흡수성 수지로 구성될 경우, 제2 액체 제공부(3500)를 구성하는 고흡수성 수지의 액체 흡수 능력은 액체 제공부(3000)를 구성하는 고흡수성 수지의 액체 흡수 능력보다 높을 수 있다.In this case, unlike the first embodiment, the second liquid supply unit 3500 may be included in the heat dissipation unit 2000. The second liquid supplier 3500 may be provided to supply the liquid to the liquid supplier 3000 as well as the heat dissipating unit 2000. For this, the liquid supply unit 3000 may be made of a material having improved liquid absorption ability. For example, the second liquid supply unit 3500 may be composed of a high liquid absorbing material such as a sponge, and may be composed of a super absorbent resin. When both the second liquid supply unit 3500 and the liquid supply unit 3000 are constructed of a super absorbent resin, the liquid absorbent capacity of the super absorbent resin constituting the second liquid supply unit 3500 is adjusted by the liquid supply unit Absorbing resin constituting the liquid-absorbent resin layer (3).

일 실시예에서, 액체 제공부(3000)는 외부로부터 액체를 공급받고, 공급받은 액체를 흡수할 수 있다. 액체 제공부(3000)의 액체 흡수 성능에 따라, 액체 제공부(3000)가 공급받은 액체를 흡수하는데 다소 오랜 시간이 걸릴 수 있다. 이 경우, 액체 제공부(3000)가 소정량의 액체를 보유할때까지 외부로부터 지속적으로 액체를 제공받아야 할 수 있고, 몇몇 실시예에서, 액체 제공부(3000)가 외부로부터 액체를 제공받는 동안에는 피드백 디바이스(100)를 사용하지 못할 수도 있다. 이 때, 피드백 디바이스(100)에 제2 액체 제공부(3500)가 포함될 경우, 제2 액체 제공부(3500)의 액체 흡수 능력은 액체 제공부(3000)보다 높으므로 제2 액체 제공부(3500)는 액체 제공부(3000)가 소정량의 액체를 보유하기까지의 시간보다 짧은 시간에 상기 소정량의 액체를 보유할 수 있다. 이에 따라, 제2 액체 제공부(3500)는 상기 소정량의 액체를 액체 제공부(3000)에 제공할 수 있다. 즉, 외부로부터 액체가 제공되지 않아도, 액체 제공부(3000)는 제2 액체 제공부(3500)로부터 액체를 흡수할 수 있다. 다시말해, 피드백 디바이스(100)에 제2 액체 제공부(3500)가 포함될 경우, 제2 액체 제공부(3500)의 액체 흡수 능력으로 인해 액체 제공부(3000)가 외부로부터 액체를 제공받는 시간이 감소될 수 있고, 이로 인해 피드백 디바이스(100)를 사용할 수 있는 시간이 많아질 수 있다.In one embodiment, the liquid supplier 3000 can receive liquid from the outside and absorb the supplied liquid. Depending on the liquid absorbing performance of the liquid supplier 3000, it may take a long time for the liquid supplier 3000 to absorb the supplied liquid. In this case, the liquid supplier 3000 may have to continuously receive the liquid from the outside until it holds a predetermined amount of liquid. In some embodiments, while the liquid supplier 3000 is being supplied with liquid from the outside The feedback device 100 may not be used. In this case, when the feedback device 100 includes the second liquid supply unit 3500, since the liquid absorption capacity of the second liquid supply unit 3500 is higher than that of the liquid supply unit 3000, the second liquid supply unit 3500 Can hold the predetermined amount of liquid in a time shorter than the time until the liquid supplier 3000 holds a predetermined amount of liquid. Accordingly, the second liquid supplier 3500 can provide the predetermined amount of liquid to the liquid supplier 3000. That is, even if no liquid is supplied from the outside, the liquid supplier 3000 can absorb the liquid from the second liquid supplier 3500. In other words, when the second liquid supply unit 3500 is included in the feedback device 100, the time for which the liquid supply unit 3000 is supplied with liquid from the outside due to the liquid absorption capability of the second liquid supply unit 3500 And thus, the time for which the feedback device 100 can be used can be increased.

또한, 피드백 디바이스(100)에 제2 액체 제공부(3500)가 포함됨에 따라 피드백 디바이스(100)가 보유하는 액체량은 전반적으로 증가될 수 있다. 이에 따라, 피드백 디바이스(100)는 제2 액체 제공부(3500)가 포함되지 않은 경우보다 오랜시간동안 폐열을 외부에 방출할 수 있다.Also, as the second liquid supply 3500 is included in the feedback device 100, the amount of liquid retained by the feedback device 100 can be increased overall. Accordingly, the feedback device 100 can release the waste heat to the outside for a longer time than when the second liquid supplier 3500 is not included.

그리고, 도 34에서는 제1 실시예에서 제2 액체 제공부(3500)가 적용된 구조에 대해 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제6 실시예에서의 제2 액체 제공부(3500)는 전술한 제2 실시예 내지 제5 실시예 모두에 적용될 수 있다.34, the structure in which the second liquid supplier 3500 is applied in the first embodiment has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the second liquid supplier 3500 in the sixth embodiment is not limited to the above- It can be applied to all of the second to fifth embodiments.

또한, 본 명세서에서는 제1 실시예 내지 제6 실시예를 예시적으로 폐열 전달 경로에 따른 폐열 방출 경로 및 폐열 방출 성능에 대해 설명하였지만, 본 발명의 사상은 이에 한정되는 것은 아니며, 폐열이 전달되는 다양한 실시예 역시 본 발명의 사상에 적용될 수 있다.Although the first to sixth embodiments of the present invention have been described with respect to the waste heat releasing path and the waste heat releasing performance according to the waste heat transfer path as an example, the present invention is not limited thereto, Various embodiments are also applicable to the concept of the present invention.

2.3. 피드백 디바이스의 각 구성요소의 특성에 따른 폐열 방출 성능2.3. Based on the characteristics of each component of the feedback device,

2.3.1. 액체 제공부의 특성에 따른 폐열 방출 성능2.3.1. The performance of waste heat emission according to the characteristics of the liquid supply part

본 발명의 실시예에서, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000)에 액체를 제공할 수 있고, 방열부(2000)에 어떠한 양의 액체를 어떠한 속도로 제공하는지는 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능에 직접적으로 영향을 줄 수 있다. 그리고, 액체 제공부(3000)가 방열부(2000)에 어떠한 양의 액체를 어떠한 속도로 제공하는지는 액체 제공부의 특성에 따라 결정될 수 있다. 이하에서는, 액체 제공부(3000)의 특성에 따른 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능에 대해 상세하게 설명한다.In an embodiment of the present invention, the liquid supplier 3000 may provide a liquid to the heat dissipating unit 2000, and the rate at which the liquid to be supplied to the heat dissipating unit 2000 is supplied to the feedback device 100 It can directly affect the waste heat discharge performance. The rate at which the liquid supply unit 3000 provides the liquid to the heat dissipation unit 2000 at what speed can be determined according to the characteristics of the liquid supply unit. Hereinafter, the waste heat releasing performance of the feedback device 100 according to the characteristics of the liquid supplier 3000 will be described in detail.

2.3.1.1. 액체 함유량에 따른 폐열 방출 성능2.3.1.1. Performance of waste heat discharge according to liquid content

도 35은 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부(3000)의 액체 함유량에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.35 is a view for explaining waste heat releasing performance according to the liquid content of the liquid supplier 3000 according to the embodiment of the present invention.

도 35을 참조하면, 도 35의 그래프는 고흡수성 수지의 질량에 따른 발전 효율을 나타낸다. 액체 제공부(3000)의 액체 보유부(3100)는 액체 보유 물질을 포함할 수 있고, 액체 보유 물질의 질량에 따라 액체 제공부(3000)가 함유할 수 있는 액체의 양이 달라질 수 있다. 예를 들어, 액체 보유부(3100)가 고흡수성 수지인 경우, 고흡수성 수지의 질량에 따라 액체 제공부(3000)가 함유하는 액체의 전체 양이 달라질 수 있다. 그리고, 액체 제공부(3000)가 함유하는 액체 양에 따라서 폐열 방출 성능 역시 달라질 수 있다.Referring to Fig. 35, the graph of Fig. 35 shows the power generation efficiency according to the mass of the superabsorbent resin. The liquid retaining portion 3100 of the liquid supplier 3000 may contain a liquid retaining material and the amount of liquid that the liquid retainer 3000 may contain may vary depending on the mass of the liquid retaining material. For example, when the liquid holding portion 3100 is a superabsorbent resin, the total amount of the liquid contained in the liquid providing portion 3000 may vary depending on the mass of the superabsorbent resin. The amount of the liquid contained in the liquid supplier 3000 may also vary depending on the amount of liquid.

구체적으로, 도 35의 그래프에서, x축은 시간(분)을 나타내고, y축은 피드백 디바이스(100)에서 발전되는 전압(mV)를 나타낸다. 도 35의 그래프에서, 경향(3501)은 고분자성 수지가 0.1g일 경우의 피드백 디바이스(100)의 발전효율을 나타내고, 경향(3502)은 고분자성 수지가 0.5g일 경우의 피드백 디바이스(100)의 발전효율을 나타내고, 경향(3503)은 고분자성 수지가 1.0g일 경우의 피드백 디바이스(100)의 발전효율을 나타낼 수 있다. 도 35의 그래프에서, 경향(3501)보다 경향(3503)에서의 발전량이 높은 것을 확인할 수 있다. 이는, 고분자성 수지의 질량이 높을수록 열전 모듈(1000)에서의 온도차가 높아지는 것을 의미하고, 열전 모듈(1000)에서 온도차가 높아지는 것은 피드백 디바이스(100)에서 폐열 방출 성능이 향상되는 것을 나타낼 수 있다. 따라서, 도 35의 그래프는 고분자성 수지의 질량이 높을수록 폐열 방출 성능이 향상되는 것을 나타낼 수 있다. 그리고, 액체 제공부(3000)의 액체 함유량이 높을수록 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능이 높아질 수 있음이 확인될 수 있다. Specifically, in the graph of Fig. 35, the x-axis represents time (minute), and the y-axis represents voltage (mV) generated in feedback device 100. [ 35, trend 3501 represents the power generation efficiency of the feedback device 100 when the polymer resin is 0.1 g, and trend 3502 represents the power generation efficiency of the feedback device 100 when the polymer resin is 0.5 g. And the tendency 3503 represents the power generation efficiency of the feedback device 100 when the polymer resin is 1.0 g. In the graph of FIG. 35, it can be seen that the amount of power generation at the tendency 3503 is higher than the tendency 3501. This means that the higher the mass of the polymeric resin, the higher the temperature difference in the thermoelectric module 1000, and the higher the temperature difference in the thermoelectric module 1000 can indicate that the waste heat release performance is improved in the feedback device 100 . Therefore, the graph of FIG. 35 can show that the higher the mass of the polymer resin, the better the waste heat releasing performance. It can be confirmed that the higher the liquid content of the liquid supplier 3000, the higher the waste heat releasing performance of the feedback device 100 can be.

2.3.1.2. 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능에 따른 폐열 방출 성능2.3.1.2. Performance of waste heat emission according to liquid absorption performance and liquid holding performance

도 36는 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부의 크로스 링크 밀도에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능을 설명하기 위한 도면이다.36 is a view for explaining the liquid absorption performance and the liquid holding performance according to the cross link density of the liquid supply portion according to the embodiment of the present invention.

도 36를 참조하면, (a)는 저밀도의 크로스 링크를 갖는 고흡수성 수지를 포함하는 액체 제공부(3000-36a)를 나타내고, (b)는 고밀도의 크로스 링크를 갖는 고흡수성 수지를 포함하는 액체 제공부(3000-36b)를 나타낸다. 전술한 바와 같이, 크로스 링크의 밀도에 따라 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능이 결정될 수 있다. 구체적으로, 액체 제공부(3000-36a)의 경우, 저밀도의 크로스 링크를 가짐에 따라 고흡수성 수지의 고분자 사슬간의 크로스 링킹 정도가 낮을 수 있다. 이에 따라, 고분자 사슬에 함유될 수 있는 액체의 양이 증가됨에 따라, 액체 제공부(3000-36a)의 액체 흡수 성능이 향상될 수 있다. 반면, 고분자 사슬에 압력이 가해질 경우, 고분자 사슬의 크로스 링킹 정도가 낮음에 따라, 고분자 사슬에 함유된 액체는 쉽게 방출될 수 있고, 이로 인해, 액체 제공부(3000-36a)의 액체 보유 성능은 낮아질 수 있다.Referring to Fig. 36, (a) shows a liquid supplier 3000-36a including a superabsorbent resin having a low density cross link, (b) shows a liquid containing a superabsorbent resin having a high density cross link And shows the supplies (3000-36b). As described above, depending on the density of the cross link, the liquid absorbing performance and the liquid retaining performance can be determined. Specifically, in the case of the liquid supplier (3000-36a), the degree of cross linking between the polymer chains of the superabsorbent resin may be low because of having a low density cross link. Thus, as the amount of the liquid that can be contained in the polymer chain is increased, the liquid absorbing performance of the liquid supplier (3000-36a) can be improved. On the other hand, when pressure is applied to the polymer chain, the degree of cross linking of the polymer chains is low, so that the liquid contained in the polymer chains can be easily released, whereby the liquid retaining performance of the liquid supplier (3000-36a) Can be lowered.

반면, 액체 제공부(3000-36b)의 경우, 고밀도의 크로스 링크를 가짐에 따라 고흡수성 수지의 고분자 사슬간의 크로스 링킹 정도가 높을 수 있다. 이에 따라, 고분자 사슬이 많은양의 액체를 보유하기 어려워 액체 제공부(3000-36b)의 액체 흡수 성능이 낮아진다. 또한, 고분자 사슬이 보다 견고해짐에 따라 고분자 사슬에 압력이 가해지더라도 고분자 사슬에 함유된 액체는 쉽게 방출되지 않을 수 있다. 이에 따라, 액체 제공부(3000-36b)의 액체 보유 성능은 향상될 수 있다. 정리하면, 크로스 링크의 밀도에 따라 액체 제공부(3000)의 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능은 트레이드 오프 관계가 될 수 있다.On the other hand, in the case of the liquid supplier (3000-36b), the degree of cross linking between the polymer chains of the super absorbent resin can be high because of having the high density cross link. As a result, the polymer chain is difficult to hold a large amount of liquid, and the liquid absorbing performance of the liquid supplier (3000-36b) is lowered. Further, as the polymer chains become more rigid, the liquid contained in the polymer chains may not be easily released even when pressure is applied to the polymer chain. Thus, the liquid retaining performance of the liquid supplier (3000-36b) can be improved. In summary, depending on the density of the cross link, the liquid absorbing performance and liquid retaining performance of the liquid supplier 3000 may have a trade-off relationship.

도 37은 본 발명의 실시예에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.37 is a view for explaining waste heat releasing performance according to the liquid absorbing performance and the liquid retaining performance according to the embodiment of the present invention.

도 37을 참조하면, (a)는 고흡수성 수지의 크로스 링크 밀도에 다른 발전 효율을 나타낸 그래프이고, (b)는 (a)의 그래프의 값을 나타낸 표이다.Referring to FIG. 37, (a) is a graph showing power generation efficiencies different from cross link densities of a superabsorbent resin, and (b) is a table showing values of the graph of (a).

(a)의 그래프에서, x축은 시간(분)을 나타내고, y축은 피드백 디바이스(100)에서 발전되는 단위 영역당 발전량을 나타내는 전력 밀도(μW/cm2)를 나타낸다. (a)의 그래프에서, 선(3701)은 액체 제공부(3000)가 고밀도의 크로스 링크를 갖는 고흡수성 수지를 포함할 경우의 피드백 디바이스(100)에서 출력되는 전력의 전력 밀도를 나타내고, 선(3702)은 액체 제공부(3000)가 저밀도의 크로스 링크를 갖는 고흡수성 수지를 포함할 경우의 피드백 디바이스(100)에서 출력되는 전력의 전력 밀도를 나타낸다. (a)의 그래프 및 (b)의 표에서 보는바와 같이, 크로스 링크가 저밀도일때의 피드백 디바이스(100)의 발전 효율이 크로스 링크가 고밀도일때의 피드백 디바이스(100)의 발전 효율보다 높을 수 있다. 이는 크로스 링크의 저밀도일수록 열전 모듈(1000)에서의 온도차가 높아지는 것을 의미하고, 열전 모듈(1000)에서 온도차가 높아지는 것은 피드백 디바이스(100)에서 폐열 방출 성능이 향상되는 것을 나타낼 수 있다. 즉, 크로스 링크가 저밀도일수록 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능이 향상되는 것을 확인할 수 있는데, 이는 크로스 링크가 저밀도일수록 액체 흡수 성능이 향상되고 및 액체 보유 성능이 낮아짐에 따라, 방열부(2000)에 전달되는 액체량이 증가되기 때문일 수 있다.In the graph of (a), the x axis represents time (minutes), represents the power density (μW / cm 2) represents the power generation amount per unit area that is developed in the y-axis feedback device 100. (a), line 3701 represents the power density of the power output from the feedback device 100 when the liquid supplier 3000 includes a superabsorbent resin having a high density of cross links, 3702 represents the power density of the power output from the feedback device 100 when the liquid supplier 3000 includes a superabsorbent resin having a low density cross link. the power generation efficiency of the feedback device 100 when the cross link is low can be higher than the power generation efficiency of the feedback device 100 when the cross link is high density as shown in the graph of FIG. This means that the lower the density of the cross link, the higher the temperature difference in the thermoelectric module 1000, and the higher the temperature difference in the thermoelectric module 1000 can indicate that the waste heat release performance is improved in the feedback device 100. That is, it can be seen that the lower the density of the cross link, the higher the waste heat releasing performance of the feedback device 100. This is because as the cross link has a lower density, the liquid absorbing performance is improved and the liquid retaining performance is lowered, Lt; RTI ID = 0.0 > amount < / RTI >

도 38은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 제공부의 크로스 링크 밀도에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능을 설명하기 위한 도면이다.38 is a view for explaining the liquid absorption performance and the liquid holding performance according to the cross link density of the liquid supply portion according to another embodiment of the present invention.

도 38을 참조하면, (a) 및 (b)에서 액체 제공부(3000)의 크로스 링크의 밀도는 두가지 영역으로 구분될 수 있다. (a)에서, 액체 제공부(3000-38a)의 제1 영역(3000-38a1)은 저밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성되고, 제2 영역(3000-38a2)은 고밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성될 수 있다. 이에 따라, 액체 제공부(3000-38a)의 하부 영역은 높은 액체 흡수 성능 및 낮은 액체 보유 성능을 갖고, 상부 영역은 낮은 액체 흡수 성능 및 높은 액체 보유 성능을 가질 수 있다. Referring to FIG. 38, in (a) and (b), the density of the cross link of the liquid supplier 3000 can be divided into two regions. (a), the first region 3000-38a1 of the liquid supplier 3000-38a is made of a polymer resin having a low density cross link, and the second region 3000-38a2 is made of a high density cross link And the like. Accordingly, the lower region of the liquid supplier 3000-38a has a high liquid-absorbing performance and a low liquid-retaining performance, and the upper region can have a low liquid-absorbing performance and a high liquid-retaining performance.

반대로, (b)에서는 액체 제공부(3000-38b)의 제1 영역(3000-38b1)은 저밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성되고, 제2 영역(3000-38b2)은 고밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성될 수 있고, 이에 따라, 액체 제공부(3000-38b)의 하부 영역은 낮은 액체 흡수 성능 및 높은 액체 보유 성능을 갖고, 상부 영역은 높은 액체 흡수 성능 및 낮은 액체 보유 성능을 가질 수 있다.Conversely, in (b), the first regions 3000-38b1 of the liquid supplier 3000-38b are made of a polymer resin having a low-density cross link, and the second regions 3000-38b2 are composed of a high- The lower region of the liquid supplier 3000-38b has low liquid absorption performance and high liquid holding performance, and the upper region has high liquid absorption performance and low liquid holding performance Lt; / RTI >

또한, (b)의 경우, 액체 제공부(3000-38b)의 제2 영역(3000-38b2)은 도 34에서 설명한 제2 액체 제공부(3500)의 기능을 수행할 수 있다. 이는 제2 영역(3000-38b2)의 액체 흡수 성능이 제1 영역(3000-38b1)의 성능보다 높기 때문일 수 있다. 이에 따라, 외부에서 액체가 제공되지 않은 경우에도 제1 영역(3800-38b1)은 제2 영역(3000-38b2)로부터 액체를 제공받을 수 있고, 이에 따라, 액체 제공부(3800-38b)가 외부로부터 액체를 제공받는 시간이 줄어들게 되므로, 피드백 디바이스(100)의 가용시간이 증가될 수 있다.In the case of (b), the second region 3000-38b2 of the liquid supplier 3000-38b can perform the function of the second liquid supplier 3500 described with reference to FIG. This may be because the liquid absorption performance of the second region 3000-38b2 is higher than that of the first region 3000-38b1. Accordingly, the first region 3800-38b1 can be supplied with the liquid from the second region 3000-38b2 even when the liquid is not supplied from the outside, The available time of the feedback device 100 can be increased.

본 발명의 실시예에서, 영역(3000-38a1, 3000-38b2)과 같이 높은 액체 흡수 성능 및 낮은 액체 보유 성능을 가질 경우, 방열부(2000)가 영역(3000-38a1, 3000-38b2)에 접하도록 배치되는 것이, 방열부(2000)에의 액체 전달에 유리할 수 있다.In the embodiment of the present invention, when the heat dissipating portion 2000 has a high liquid absorbing performance and a low liquid retaining performance such as the regions 3000-38a1 and 3000-38b2, the heat dissipating portion 2000 contacts the regions 3000-38a1 and 3000-38b2 It may be advantageous to transfer the liquid to the heat dissipating unit 2000. [

또한, 영역(3000-38a2, 3000-38b1)과 같이 낮은 액체 흡수 성능 및 높은 액체 보유 성능을 가질 경우, 액체 제공부(3000-38a, 3000-38b)의 외부로 액체가 쉽게 방출되지 않을 수 있다. 이에 따라, 영역(3000-38a2, 3000-38b1)이 사용자에게 닿기 쉬운 영역에 배치될 경우, 사용자에게 액체가 전달되지 않음에 따라 사용자의 신체가 영역(3000-38a2, 3000-38b1)에 닿아도 사용자가 불쾌감을 느끼지 않게 될 수 있다.Further, when the liquids have low liquid-absorbing performance and high liquid-retaining performance, such as the regions 3000-38a2 and 3000-38b1, the liquid may not easily be discharged to the outside of the liquid supplier 3000-38a, 3000-38b . Accordingly, when the regions 3000-38a2 and 3000-38b1 are disposed in areas that are easily accessible to the user, even if the user's body touches the areas 3000-38a2 and 3000-38b1 as the liquid is not delivered to the user The user may feel uncomfortable.

또한, 도 38에서는 크로스 링크의 밀도에 따른 영역을 상하부로 구분하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 영역은 좌우영역으로 구분될 수도 있고, 3개 이상의 영역으로 구분될 수도 있다.In FIG. 38, the region according to the density of the cross link is divided into the upper and lower portions. However, the region is not limited thereto, and the region may be divided into right and left regions, or may be divided into three or more regions.

도 39는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 제공부의 크로스 링크 밀도에 따른 액체 흡수 성능 및 액체 보유 성능을 설명하기 위한 도면이다.Fig. 39 is a view for explaining the liquid absorption performance and the liquid holding performance according to the cross link density of the liquid supply portion according to another embodiment of the present invention. Fig.

도 39를 참조하면, (a) 및 (b)에서 액체 제공부(3000-39a, 3000-39b)의 크로스 링크의 밀도는 두 가지 영역으로 구분될 수 있다. (a)에서 액체 제공부(3000-39a)의 제2 영역(3000-39a2)은 제1 영역(3000-39a1)을 둘러쌀 수 있다. 이 때, 제1 영역(3000-39a1)은 저밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성될 수 있고, 제2 영역(3000-39a2)은 고밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성될 수 있다. 이에 따라, 액체 제공부(3000-39a)의 내부 영역은 높은 액체 흡수 성능 및 낮은 액체 보유 성능을 갖고, 외부 영역은 낮은 액체 흡수 성능 및 높은 액체 보유 성능을 가질 수 있다.Referring to FIG. 39, in (a) and (b), the density of the cross link of the liquid supplier 3000-39a, 3000-39b can be divided into two regions. (a), the second region 3000-39a2 of the liquid supplier 3000-39a may surround the first region 3000-39a1. At this time, the first region 3000-39a1 may be made of a polymer resin having a low density cross link, and the second region 3000-39a2 may be made of a polymer resin having a high density cross link . Accordingly, the inner region of the liquid supplier 3000-39a has a high liquid absorption performance and a low liquid holding performance, and the outer region can have a low liquid absorption performance and a high liquid holding performance.

이 경우, 내부 영역에서 많은양의 액체를 보유하고, 외부 영역에서는 액체를 쉽게 방출하지 않음에 따라 액체 제공부(3000-39a)는 지속적으로 액체를 보유할 수 있다. 또한, 피드백 디바이스(100)에서 발생하는 폐열량이 적을 경우, 액체 제공부(3000-39a)는 상기 폐열을 방출시킬 만한 충분한 액체를 방열부(2000)에 제공할 수 있다. 따라서, 이 경우에는 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 효과가 향상되고, 피드백 디바이스(100)의 사용 시간도 증가될 수 있다.In this case, the liquid supplier (3000-39a) can continuously hold the liquid because it holds a large amount of liquid in the inner region and does not easily emit the liquid in the outer region. In addition, when the amount of waste heat generated in the feedback device 100 is small, the liquid supplier 3000-39a can provide the heat dissipating unit 2000 with a sufficient amount of liquid to discharge the waste heat. Therefore, in this case, the waste heat release effect of the feedback device 100 can be improved, and the use time of the feedback device 100 can be increased.

반대로, (b)에서는 (a)에서와 마찬가지로 제2 영역(3000-39b2)이제1 영역(3000-39b1)을 둘러쌀 수 있다. 이 때, 제1 영역(3000-39b1)은 고밀도의 크로스 링크를 갖는 고분자성 수지로 구성될 수 있고, 제2 영역(3000-39b2)은 고밀도의 크로스 링크를 갖는 저분자성 수지로 구성됨에 따라, 액체 제공부(3000-39b)의 내부 영역은 낮은 액체 흡수 성능 및 높은 액체 보유 성능을 갖고, 외부 영역은 높은 액체 흡수 성능 및 낮은 액체 보유 성능을 가질 수 있다.Conversely, in (b), as in (a), the second area 3000-39b2 can now surround one area 3000-39b1. At this time, the first regions 3000-39b1 may be made of a polymer resin having a high density cross link, and the second regions 3000-39b2 are made of a low molecular resin having a high density cross link, The inner region of the liquid supplier 3000-39b has low liquid absorption performance and high liquid holding performance, and the outer region can have high liquid absorption performance and low liquid holding performance.

이 경우, 내부 영역에서 액체를 쉽게 방출하지 않고, 외부 영역에서 많은 양의 액체를 보유함에 따라, 초기에 많은 양의 액체가 방열부(2000)에 제공되되 점점 방열부(2000)에 전달되는 액체량이 감소될 수 있다. 이는, 초기에 냉감 피드백이 집중적으로 수행되어 초기에 폐열이 많이 축적될 경우의 피드백 디바이스(100)의 방열에 유리할 수 있다.In this case, since a large amount of liquid is initially stored in the outer region without easily discharging the liquid in the inner region, a large amount of liquid is initially supplied to the heat dissipating portion 2000, The amount can be reduced. This may be beneficial for the heat dissipation of the feedback device 100 when cold feedback is initially concentrated and the waste heat initially accumulates a lot.

2.3.1.3. 통액성에 따른 폐열 방출 성능2.3.1.3. Discharge performance due to liquid permeability

도 40은 본 발명의 실시예에 따른 액체 제공부의 통액성에 따른 액체 전달을 설명하기 위한 도면이다.40 is a view for explaining liquid transfer according to the liquid permeability of the liquid supply portion according to the embodiment of the present invention.

도 40을 참조하면, 액체 제공부(3000)의 구성에 따라 액체에 대한 통액성이 달라질 수 있다. 여기서, 통액성은 고분자성 수지가 액체를 흡수하여 팽윤됐을 시 고분자성 수지들 사이로 액체가 전달되는 정도를 나타내는 물성으로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 40, liquid permeability to liquid may vary depending on the configuration of the liquid supplier 3000. Here, the liquid-permeability can be defined as a physical property indicating the degree of transfer of liquid between the polymeric resins when the polymeric resin swells and absorbs the liquid.

(a)의 경우, 액체 제공부(3000)의 고분자성 수지의 부피가 비교적 균일하게 배치될 수 있다. 고분자성 수지의 부피가 균일함에 따라, 고분자성 수지들 사이의 빈 공간이 적어질 수 있고, 이로 인해 액체가 고분자성 수지 사이를 통과하기 어려워져 통액성이 적어질 수 있다.(a), the volume of the polymeric resin of the liquid supplier 3000 can be relatively uniformly arranged. As the volume of the polymeric resin is uniform, the void space between the polymeric resins may be reduced, thereby making it difficult for the liquid to pass between the polymeric resins, and the liquid-permeability may be reduced.

(b)의 경우, 액체 제공부(3000)의 고분자성 수지가 균일하지 않게 배치될 수 있다. 예를 들어, 큰 부피의 고분자성 수지 사이에 작은 부피의 고분자성 수지가 배치될 수 있다. 이 경우, 고분자성 수지가 팽윤될 경우에도 고분자성 수지들 사이에 빈 공간이 생길 수 있고, 상기 빈 공간으로 인하여 액체가 고분자성 수지들 사이를 쉽게 통과하게 되어 통액성이 증가될 수 있다.(b), the polymeric resin of the liquid supplier 3000 can be arranged unevenly. For example, a small volume of polymeric resin may be placed between large volumes of polymeric resins. In this case, even when the polymeric resin is swollen, voids may be formed between the polymeric resins, and the liquid space may easily pass between the polymeric resins due to the empty space, thereby increasing the liquid permeability.

정리하면, 고분자성 수지의 배치 형태에 따라 액체 제공부(3000)의 통액성이 결정될 수 있고, 통액성이 적은 (a)의 경우보다 통액성이 높은 (b)의 경우에 액체가 보다 쉽게 전달될 수 있다. 그리고, 통액성이 높은 (b)의 경우에 보다 많은 액체가 방열부(2000)로 쉽게 전달될 수 있고, 이에 따라, 폐열 방출 성능 역시 향상될 수 있다.In summary, the liquid permeability of the liquid supplier 3000 can be determined depending on the arrangement of the polymeric resin, and in the case of (b) where liquid permeability is higher than that in case of (a) . Further, in the case of (b) having a high liquid permeability, more liquid can be easily transferred to the heat dissipating unit 2000, and thus the waste heat discharging performance can be improved.

2.3.2. 방열부의 특성에 다른 폐열 방출 성능2.3.2. Different heat discharge performance characteristics

2.3.2.1. 열 전달부의 속성에 따른 폐열 방출 성능2.3.2.1. The heat discharge performance according to the property of heat transfer part

도 41은 본 발명의 실시예에 따른 열 전달부의 기능에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 41 is a view for explaining waste heat discharge performance according to the function of the heat transfer unit according to the embodiment of the present invention. FIG.

도 41을 참조하면, 방열부(200)는 열 전달부(2100)를 포함할 수 있고, 열 전달부(2100)는 다양한 재질로 구성될 수 있다. (a) 내지 (c)의 그래프는 열 전달부(2100)가 서로 다른 재질로 구성될 때의 피드백 디바이스(1000)가 흡열 동작을 수행할 경우의 접촉면(1600)에서의 온도변화를 나타낸다. 구체적으로는, (a) 내지 (c)의 그래프는 도 29에서와 같이 열 전달부(2100)가 방열부(2000)의 하단에 배치되고 열전 모듈(1000)과 접할 경우의 접촉면(1600)에서의 온도변화를 나타내고, 각 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타낼 수 있다. 또한, (a) 내지 (c)의 그래프에서, 선(4101, 4111, 4121)은 주변온도를 나타내고, 선(4102, 4112, 4122)는 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 41, the heat dissipating unit 200 may include a heat transfer unit 2100, and the heat transfer unit 2100 may be formed of various materials. (a) to (c) show the temperature change at the contact surface 1600 when the feedback device 1000 performs an endothermic operation when the heat transfer portion 2100 is made of different materials. More specifically, the graphs (a) to (c) show the relationship between the heat transfer portion 2100 and the thermoelectric module 1000 when the heat transfer portion 2100 is disposed at the lower end of the heat dissipating portion 2000, , The x-axis of each graph represents time, and the y-axis represents temperature. In the graphs (a) to (c), lines 4101, 4111 and 4121 indicate the ambient temperature, and lines 4102, 4112 and 4122 indicate the temperature of the contact surface 1600.

본 발명의 몇몇 실시예에서, (a)는 열 전달부(2100)가 집열 기능을 갖는 재질로 구성되고, (b)는 열 전달부(2100)가 액체를 흡수하는 기능을 나타내는 흡습 기능이 좋은 재질로 구성되며, (c)는 열 전달부(2100)가 방수 기능이 좋은 재질로 구성될 수 있다.In some embodiments of the present invention, in (a), the heat transfer portion 2100 is made of a material having a heat collection function, (b) is a structure in which the heat transfer portion 2100 has a function of absorbing liquid (C), the heat transfer portion 2100 may be made of a material having a good waterproof function.

(a) 내지 (c)의 그래프에서 나타나는 바와 같이, (a) 내지 (c)의 그래프에서 선(4101, 4111, 4121)과 선(4102, 4112, 4122)의 온도차이는 크기 않으며, 선(4102, 4112, 4122)의 경향성이 유사할 수 있다. 이러한 점을 고려할 때, 열 전달부(2100)가 방열부(2000)의 하단에 배치될 경우에서의 열 전달부(2100)의 기능 및/또는 재질은 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능과는 다소 관련성이 낮은 것으로 확인될 수 있다. 이는, (a) 내지 (c)의 그래프에서의 재질들과 같이 일반적인 섬유 재질 간에 열전도도의 차이가 크기 않은 것에 기인할 수 있다.the temperature difference between the lines 4101, 4111 and 4121 and the lines 4102, 4112 and 4122 in the graphs of (a) to (c) is not large, 4102, 4112, 4122 may have similar tendencies. Considering this point, the function and / or the material of the heat transfer portion 2100 in the case where the heat transfer portion 2100 is disposed at the lower end of the heat dissipating portion 2000 is different from that of the feedback device 100 It can be confirmed that it is somewhat less relevant. This can be attributed to the difference in thermal conductivity between general fiber materials, such as the materials in the graphs (a) to (c).

다만, 열 전달부(2100)가 일반적인 재질보다 열전도 성능이 높은 재질로 구성되는 경우, 열전 모듈(1000)로부터의 폐열이 열 방출부(2200)로 보다 잘 전달됨에 따라, 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다.However, when the heat transfer unit 2100 is made of a material having higher thermal conductivity than a general material, the waste heat from the thermoelectric module 1000 is more easily transmitted to the heat releasing unit 2200, The waste heat discharge performance can be improved.

2.3.2.2. 열 방출부의 속성에 따른 폐열 방출 성능2.3.2.2. The heat discharge performance according to the properties of the heat release part

도 42 및 도 43은 본 발명의 실시예에 따른 열 방출부의 기능에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 42 and FIG. 43 are views for explaining the waste heat discharging performance according to the function of the heat discharging unit according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에서, 방열부(2000)는 열 방출부(2200)를 포함할 수 있고, 열 방출부(2200)는 다양한 재질로 구성될 수 있다. 도 42의 (a) 및 (b)의 그래프 및 도 43의 (a) 내지 (d)의 그래프는 열 방출부(2200)가 서로 다른 재질로 구성될 때의 피드백 디바이스(1000)가 흡열 동작을 수행할 경우의 접촉면(1600)에서의 온도변화를 나타낸다. 구체적으로, 도 42 및 도 43의 그래프는 도 29에서와 같이 열 방출부(2200)가 방열부(2000)의 상단에 배치되고 열전 모듈(1000)과 접할 경우의 접촉면(1600)에서의 온도변화를 나타내고, 각 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타낼 수 있다. 또한, 도 42 및 도 43의 그래프에서, 선(4201, 4211, 4301, 4311, 4321, 4331)은 주변온도를 나타내고, 선(4202, 4212, 4302, 4312, 4322, 4332)는 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다.In an embodiment of the present invention, the heat dissipation unit 2000 may include a heat dissipation unit 2200, and the heat dissipation unit 2200 may be composed of various materials. The graphs of FIGS. 42A and 42B and the graphs of FIGS. 43A to 43D show how the feedback device 1000 when the heat releasing portion 2200 is made of different materials performs an endothermic operation And the temperature change at the contact surface 1600 when performing the operation. Specifically, the graph of FIG. 42 and FIG. 43 shows the temperature change at the contact surface 1600 when the heat releasing portion 2200 is disposed at the upper end of the heat releasing portion 2000 and contacts the thermoelectric module 1000, , The x-axis of each graph represents time, and the y-axis represents temperature. In the graphs of FIGS. 42 and 43, lines 4201, 4211, 4301, 4311, 4321 and 4331 indicate the ambient temperature and lines 4202, 4212, 4302, 4312, 4322 and 4332 indicate the contact surface 1600, Lt; / RTI >

도 42를 참조하면, (a)는 열 방출부(2200)가 통기 기능을 갖는 재질로 구성되고, (b)는 열 방출부(2200)가 방수 기능을 갖는 재질로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 42, (a) shows a structure in which the heat emitting portion 2200 is made of a material having a ventilation function, and (b) in FIG. 42, the heat emitting portion 2200 is made of a material having a waterproof function.

(a)의 그래프에서, 선(4202)은 초기에 온도가 하강된 후 온도가 일정 범위 내에서 유지되는 반면, (b)의 그래프에서, 선(4212)은 초기에 온도가 하강된 후 온도가 지속적으로 상승할 수 있다. 즉, (b)의 그래프보다 (a)의 그래프가 폐열 방출 성능이 우수한 것이 확인될 수 있다. 이와 같이 (a)와 (b)의 그래프가 상이하게 나타나는 것은 열 방출부(2200)가 서로 다른 기능을 갖는 것에 기인할 수 있다. 구체적으로, 열 방출부(2200)에서는 액체 제공부(3000)로부터 전달받은 액체를 통해 폐열이 잠열 형태로 방출될 수 있다. 이 때, (a)의 경우에는 열 방출부(2200)의 통기 기능으로 인해 상기 액체가 증발되기 쉬워 폐열이 활발하게 방출된다. 반면, (b)의 경우에는 열 방출부(2200)의 방수 기능으로 인해, 상기 액체가 증발하기 어려워지고, 이에 따라 폐열의 방출이 어려워 질 수 있다.(a), the line 4202 maintains the temperature within a certain range after the temperature is initially lowered, whereas in the graph of (b), the line 4212 shows the temperature after the temperature is initially lowered It can rise continuously. That is, it can be confirmed that the graph (a) is superior to the graph (b) in terms of the waste heat releasing performance. The reason why the graphs (a) and (b) are different from each other is that the heat releasing portion 2200 has different functions. Specifically, in the heat releasing part 2200, the waste heat can be released in a latent heat form through the liquid delivered from the liquid supplier 3000. At this time, in case of (a), the liquid is easily evaporated due to the ventilation function of the heat releasing part 2200, so that waste heat is actively emitted. On the other hand, in the case of (b), due to the water-proofing function of the heat releasing part 2200, the liquid is hardly evaporated, and therefore the discharge of waste heat may become difficult.

도 43을 참조하면, (a) 및 (b)는 비교적 단시간 동안의 열전 모듈(1000)의 흡열 동작에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이고, (c) 및 (d)는 비교적 장시간 동안의 열전 모듈(1000)의 흡열 동작에 따른 폐열 방출 성능을 설명하기 위한 도면이다. (a) 내지 (d) 모두 흡습 기능 및 통기 기능을 갖는 재질로 구성되되, (b) 및 (d)의 흡습 기능 및 통기 기능이 (a) 및 (c)보다 높은 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, (a) 내지 (d)의 열 방출부(2200)는 에틸렌 비닐 알코올 섬유, 폴리 에틸렌 비닐 알코올(Ethylene vinyl alcohol, EVOH)섬유, 특수이형단면 원사, 고환기성 소재 등 어느 하나의 재질일 수도 있다.43 (a) and (b) are views for explaining the waste heat releasing performance according to the heat absorbing operation of the thermoelectric module 1000 for a relatively short period of time, and (c) and (d) Heat discharging performance of the thermoelectric module 1000 according to a heat absorbing operation. (a) to (d) are made of a material having a hygroscopic function and a vent function, and the hygroscopic function and vent function of (b) and (d) may be composed of materials higher than those of (a) and (c). For example, the heat releasing portion 2200 of (a) to (d) may be made of any one material such as ethylene vinyl alcohol fiber, ethylene vinyl alcohol (EVOH) fiber, special modified cross- Lt; / RTI >

(a) 및 (b)의 그래프에서, 선(4302, 4312)은 초기에 온도가 하강된 후 온도가 일정 범위 내에서 유지될 수 있다. 이에 따라, 열 방출부(2200)의 흡습 기능 및 통기 기능의 차이는 비교적 단시간 동안에는 폐열 방출 성능에 영향을 미치지 않는 것이 확인될 수 있다.In the graphs (a) and (b), the lines 4302 and 4312 can be maintained at a temperature within a certain range after the temperature is initially lowered. Accordingly, it can be confirmed that the difference between the hygroscopic function and the ventilating function of the heat releasing part 2200 does not affect the waste heat releasing performance in a relatively short time.

반면, (c)의 그래프에서 선(4322)은 초기에 온도가 하강된 후 온도가 지속적으로 상승하는 반면, (d)의 그래프에서 선(4332)는 초기에 온도가 하강한 후에도 온도가 일정범위 내에서 유지될 수 있다. 즉, 열전 모듈(1000)에서 흡열 동작이 장기간 수행될 경우, 열 방출부(2200)의 흡습 기능 및 통기 기능이 좋을수록 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다. 이에 따라, 열전 모듈(1000)에서 흡열 동작이 장기간 지속될수록, 피드백 디바이스(100)의 폐열 방출 성능에 있어서 열 방출부(2200)의 흡습 기능 및 통기 기능이 영향을 미칠 수 있다.On the other hand, in the graph (c), the line 4322 continuously increases in temperature after the temperature is initially lowered. On the other hand, in the graph (d), the line 4332 indicates that even after the temperature is initially lowered, Lt; / RTI > That is, when the heat absorbing operation is performed for a long time in the thermoelectric module 1000, the better the moisture absorbing function and the ventilating function of the heat releasing portion 2200, the more the waste heat releasing performance can be improved. Accordingly, as the heat absorbing operation of the thermoelectric module 1000 is continued for a long time, the moisture absorbing function and the ventilating function of the heat releasing portion 2200 may affect the waste heat releasing performance of the feedback device 100.

3. 피드백 디바이스에서의 냉감 제공 성능3. Cooling performance in feedback device

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 냉감 제공 성능에 대해 설명한다.Hereinafter, the cooling performance of the feedback device 100 according to the embodiment of the present invention will be described.

3.1. 개요3.1. summary

전술한 바와 같이, 피드백 디바이스(100)가 쿨링 디바이스로 동작하여, 열전 모듈(1000)이 흡열 동작을 수행할 경우, 사용자에게는 냉감이 제공되는 반면, 피드백 디바이스(100)의 내부에는 폐열이 발생하게 된다. 그리고, 상기 폐열은 피드백 디바이스(100)의 방열부(2000)를 통해 외부로 방출될 수 있다.As described above, when the feedback device 100 operates as a cooling device, and the thermoelectric module 1000 performs an endothermic operation, a cool feeling is provided to the user, while waste heat is generated in the feedback device 100 do. The waste heat may be discharged to the outside through the heat dissipation unit 2000 of the feedback device 100.

다만, 동일한 양의 폐열이 발생 및 방출될 경우에도, 피드백 디바이스(100)의 구성에 따라 사용자에게 전달되는 냉감은 달라질 수 있다. 예를 들어, 피드백 디바이스(100)에 폐열을 일정 기간동안 외부로 방출시키지 않고 폐열을 흡수하는 물질이 배치될 경우, 상기 물질로 인하여, 일정 시간동안 보다 많은 양의 폐열이 피드백 디바이스(100)에 축적되더라도, 피드백 디바이스(100)의 표면온도가 높아지지 않을 수 있고, 이로 인해 사용자에게 냉감이 보다 잘 제공될 수 있다.However, even when the same amount of waste heat is generated and discharged, the cold feeling transmitted to the user may vary depending on the configuration of the feedback device 100. For example, when the waste heat absorbing material is disposed in the feedback device 100 without releasing waste heat for a certain period of time, the material causes a larger amount of waste heat to be fed to the feedback device 100 Even if accumulated, the surface temperature of the feedback device 100 may not be increased, which may provide a cool feeling to the user.

이하에서는, 냉감 제공 성능을 향상시키기 위한 피드백 디바이스(100)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the configuration of the feedback device 100 for improving the cool feeling providing performance will be described in detail.

3.2. 열 버퍼 물질3.2. Thermal buffer material

3.2.1. 개요3.2.1. summary

도 44는 본 발명의 다른 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 구성에 관한 블록도이다.Figure 44 is a block diagram of a feedback device 100 according to another embodiment of the present invention.

도 44를 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 전술한 바와 같이 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 및 액체 제공부(3000)를 포함할 수 있다. 또한, 피드백 디바이스(100)는 열 버퍼 물질(4000)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 열 버퍼 물질(4000)은 열 버퍼 물질(4000)의 외부에서 소정양의 열을 흡수하여 보유하는 물질을 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 44, the feedback device 100 may include a thermoelectric module 1000, a heat dissipation unit 2000, and a liquid supplier 3000 as described above. In addition, the feedback device 100 may further include a thermal buffer material 4000. Here, the thermal buffer material 4000 may represent a material that absorbs and retains the heat of the environment outside the thermal buffer material 4000.

열 버퍼 물질(4000)이 소정양의 열을 흡수하여 보유함에 따라, 상기 열 버퍼 물질(4000)에 흡수되는 폐열이 추가적으로 발생되는 시간 동안, 상기 폐열에 의해 사용자의 열전 경험이 저해되는 정도가 줄어들고, 사용자에게 전달되는 냉열의 양이 많아질 수 있다.As the thermal buffer material 4000 absorbs and retains the heat of the particular environment, the degree to which the waste heat hinders the user's heat transfer experience is reduced during the time during which additional waste heat is absorbed into the thermal buffer material 4000 , The amount of cold heat transmitted to the user can be increased.

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 열 버퍼 물질(4000)은 독립적인 물질 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 열 버퍼 물질(4000)은 방열부(2000)의 일부 영역에 복수개의 독립적인 물질 형상으로 배치될 수 있다. 다른 예를 들어, 열 버퍼 물질(4000)은 레이어(layer) 형상으로 제공될 수도 있다. 일 예로, 열 버퍼 물질(4000)은 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 또는 액체 제공부(3000)의 적어도 하나의 일면에 레이어 형상으로 배치될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the thermal buffer material 4000 may be provided in various shapes. For example, the thermal buffer material 4000 may be provided in an independent material form. For example, the thermal buffer material 4000 may be disposed in a plurality of independent material shapes in a portion of the heat dissipating portion 2000. As another example, the thermal buffer material 4000 may be provided in a layered form. For example, the thermal buffer material 4000 may be arranged in a layer shape on at least one surface of the thermoelectric module 1000, the heat dissipating unit 2000, or the liquid supplier 3000.

물론, 독립적인 물질 형상 또는 레이어 형상이 아니더라도, 열 버퍼 물질(4000)은 피드백 디바이스(100)에 포함 가능한 어떠한 형상으로도 제공될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)은 피드백 디바이스(100)로부터 분리될 수 있다. 일 예로, 열 버퍼 물질(4000)는 피드백 디바이스(100)에서 분리되어 다른 열 버퍼 물질로 교체될 수 있다. 다른 일 예로, 열 버퍼 물질(4000)이 열을 흡수할 경우, 상기 열이 피드백 디바이스(100)의 외부에서 방출되도록 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에서 분리될 수 있다.Of course, the thermal buffer material 4000 may be provided in any shape that may be included in the feedback device 100, although it is not an independent material shape or layer shape. Also, in one embodiment, the thermal buffer material 4000 may be separate from the feedback device 100. [ In one example, the thermal buffer material 4000 may be separated from the feedback device 100 and replaced with another thermal buffer material. In another example, when the thermal buffer material 4000 absorbs heat, the thermal buffer material 4000 may be separated at the feedback device 100 such that the heat is emitted outside of the feedback device 100.

3.2.2. 열 버퍼 물질의 속성3.2.2. Properties of the thermal buffer material

도 45는 본 발명의 실시예에 따른 열 버퍼 물질의 속성을 설명하기 위한 도면이다.45 is a view for explaining the properties of a thermal buffer material according to an embodiment of the present invention.

도 45를 참조하면, 그래프는 열에너지 축적에 따른 열 버퍼 물질(4000)의 온도 변화를 나타낼 수 있다. 구간 (a)에서 구간 (c)로 갈수록, 열 버퍼 물질(4000)에 인가되는 열의 양은 증가될 수 있다.Referring to FIG. 45, the graph may show a temperature change of the thermal buffer material 4000 with thermal energy accumulation. The amount of heat applied to the thermal buffer material 4000 can be increased from section (a) to section (c).

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)은 소정양의 열을 축적할 수 있다. 이 때, 소정양의 열을 축적하는 소장의 시간동안 열 버퍼 물질(4000)은 외부에 상기 열을 방출하지 않을 수 있다.In an embodiment of the present invention, the thermal buffer material 4000 can accumulate the heat of the small crystal. At this time, the thermal buffer material 4000 may not emit the heat to the outside during the period of the small intestine accumulating the heat of the certain area.

구체적으로, 구간 (a)에서, 열 버퍼 물질(4000)에 열이 인가되고, 구간 (a) 동안 열 버퍼 물질(4000)의 온도는 상승할 수 있다. 이후, 구간 (b)동안 열 버퍼 물질(4000)은 열을 흡수하는 반면, 열 버퍼 물질의 온도는 높아지지 않을 수 있다. 이는, 열 버퍼 물질(4000)이 구간 (b)에서 인가되는 열을 저장하고 있기 때문이다. 본 발명의 실시예에서, 열이 인가됨에 따라, 열 버퍼 물질(4000)에서 상변화가 발생될 수 있다. 예를 들어, 구간 (b)에서, 열 버퍼 물질(4000)은 흡수되는 열을 상변화에 이용하고, 이에 따라, 구간 (b)에서는 고체와 액체, 액체와 기체 또는 고체와 기체가 공존하는 상태가 되며, 구간 (b)에서 구간 (c)에 도달할 때, 열 버퍼 물질(4000)은 고체에서 액체, 액체에서 기체 또는 고체에서 액체로 상이 변화할 수 있다. 이와 같이, 구간 (b)에서 열 버퍼 물질(4000)이 상변화될 경우, 열 버퍼 물질(4000)은 상전이 물질(PhaseChange Material, PCM)이 될 수 있다. 또한, 구간 (c)에서, 열 버퍼 물질(4000)에 인가되는 열은 열 버퍼 물질(4000)이 수용할 수 있는 열의 양을 초과할 수 있다. 이 경우, 인가되는 열에 의하여, 열 버퍼 물질(4000)의 온도는 상승될 수 있다.Specifically, in period (a), heat is applied to the thermal buffer material 4000, and the temperature of the thermal buffer material 4000 may rise during the period (a). Thereafter, during period (b) the thermal buffer material 4000 will absorb heat, while the temperature of the thermal buffer material may not increase. This is because the thermal buffer material 4000 stores the heat applied in the interval b. In an embodiment of the present invention, as heat is applied, a phase change in the thermal buffer material 4000 can occur. For example, in section (b), the thermal buffer material (4000) utilizes the absorbed heat for the phase change, so that in section (b), solid and liquid, liquid and gas, or solid and gas coexist And when the interval (c) is reached in the interval (b), the thermal buffer material 4000 may change from solid to liquid, from liquid to gas or from solid to liquid. In this way, when the thermal buffer material 4000 is phase-changed in the period (b), the thermal buffer material 4000 can be a phase change material (PCM). Also, in interval c, the heat applied to the thermal buffer material 4000 may exceed the amount of heat that the thermal buffer material 4000 can accommodate. In this case, by the applied heat, the temperature of the thermal buffer material 4000 can be raised.

본 발명의 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 열 버퍼 물질(4000)을 이용하여 피드백 디바이스의 내부 온도를 제어할 수 있다. 구체적으로, 피드백 디바이스(100)는 열전 동작이 수행됨에 따라 피드백 디바이스 내부에서 폐열이 발생되는 경우 폐열을 상기 피드백 디바이스의 외부로 방출할 수 있고, 방출되는 폐열보다 발생되는 폐열의 양이 많을 경우, 제1 온도 범위까지 피드백 디바이스 내부의 온도를 상승시킬 수 있다. 이 때, 피드백 디바이스(100)는 열 버퍼 물질(400)을 이용하여 피드백 디바이스 내부의 온도 상승이 지연되도록 소정의 시간동안 피드백 디바이스 내부의 온도를 제1 온도 범위로 유지할 수 있다. 즉, 피드백 디바이스(100)는 사용자가 피드백 디바이스에 접촉하는 접촉면에서의 폐열에 따른 온도 상승을 지연시킬 수 있다. 구체적으로, 열 버퍼 물질(4000)은 폐열을 흡수하여 소정의 시간동안 열 버퍼 물질(4000)의 표면의 온도가 제2 온도 범위로 유지되도록 제어할 수 있다. 이 때, 제2 온도 범위의 최고 온도는 제1 온도 범위의 최고 온도보다 낮을 수 있다. 즉, 열 버퍼 물질(4000)의 표면 온도는 피드백 디바이스(100)의 내부의 표면 온도보다 낮을 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 피드백 디바이스(100) 내부의 구조에 따라, 제2 온도 범위의 최고 온도는 제1 온도 범위의 최고 온도 이상일 수 있고, 이는 열 버퍼 물질(4000)의 표면 온도는 피드백 디바이스(100)의 내부의 온도 이상인 것을 의미할 수 있다. 그리고, 일 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)은 상전이 물질을 포함할 수 있고, 이에 따라, 열 버퍼 물질(4000)의 표면의 온도가 제2 온도 범위로 유지되는 동안 열 버퍼 물질(4000)의 내부에서 상전이가 발생될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the feedback device 100 may use the thermal buffer material 4000 to control the internal temperature of the feedback device. Specifically, when the waste heat is generated in the feedback device as the thermoelectric operation is performed, the feedback device 100 can discharge the waste heat to the outside of the feedback device. When the waste heat generated from the waste heat is larger than the waste heat, The temperature inside the feedback device can be raised to the first temperature range. At this time, the feedback device 100 may use the thermal buffer material 400 to maintain the temperature inside the feedback device within the first temperature range for a predetermined time such that the temperature rise inside the feedback device is delayed. That is, the feedback device 100 may delay the temperature rise due to the waste heat at the contact surface where the user contacts the feedback device. Specifically, the thermal buffer material 4000 can absorb waste heat and control the temperature of the surface of the thermal buffer material 4000 to remain in the second temperature range for a predetermined time. At this time, the maximum temperature in the second temperature range may be lower than the maximum temperature in the first temperature range. That is, the surface temperature of the thermal buffer material 4000 may be lower than the surface temperature of the interior of the feedback device 100. Depending on the structure inside the feedback device 100, the maximum temperature in the second temperature range may be greater than or equal to the highest temperature in the first temperature range, It may mean more than the temperature inside the device 100. [ In one embodiment, the thermal buffer material 4000 may include a phase change material, so that the thermal buffer material 4000 is heated while the temperature of the surface of the thermal buffer material 4000 is maintained in the second temperature range. A phase transition may occur in the inside of the semiconductor device.

전술한 바와 같이, 열 버퍼 물질(4000)이 상전이 물질을 포함할 경우, 열 버퍼 물질(4000)은 상전이로 인하여 보다 많은 열을 보유할 수 있다. 이하에서는 상전이 물질에 대해 상세하게 설명한다.As described above, when the thermal buffer material 4000 includes a phase change material, the thermal buffer material 4000 may retain more heat due to the phase transition. Hereinafter, the phase transition material will be described in detail.

상전이 물질은 융해열이 높은 물질로, 특정 온도에서 녹거나 굳음으로써 대량의 열에너지를 저장하거나 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 상전이 물질은 화학 결합을 통해 열을 저장하거나 방출할 수 있다. 일 예로, 상전이 물질이 고체에서 액체로 상이 변하는 물질일 경우, 상전이 물질이 고체일 때 열이 인가되면, 상전이 물질의 온도가 증가되고, 상전이 물질의 온도가 상전이 물질의 녹는점 또는 전이 온도에 도달하게 되면, 상전이 물질이 계속하여 열을 흡수하는 반면, 상전이 물질의 온도는 증가되지 않는다. 이 때, 상전이 물질은 고체에서 액체로 상전이가 이뤄진다. 이후, 상전이 물질에 열이 인가되지 않게 되면, 상전이 물질은 축적된 열을 외부로 방출하게 되고 이에 따라, 상전이 물질의 상은 액체에서 고체로 복귀될 수 있다. 이와 같이, 상전이 물질은 초기 온도에서 전이 온도까지 온도가 증가하지만 전이 온도에 도달한 이후에는 상전이가 완료될 때까지 온도가 증가되지 않는다. 그리고, 상전이 물질마다 고유의 전이온도를 가질 수 있고, 상전이 물질이 열 버퍼 물질(4000)로 구성될 경우에는, 상전이 물질의 전이온도는 피드백 디바이스(100) 내부의 온도 변화 구간 내에 포함되어야 할 수 있다. 만약, 상전이 물질의 전이온도가 피드백 디바이스(100) 내부의 온도 변화 구간 내에 포함되지 않을 경우, 피드백 디바이스(100) 내부에서 폐열이 축적되어도, 상전이 물질에서 상전이가 발생되지 않고, 이에 따라, 상전이 물질의 온도가 지속적으로 상승됨으로써, 상전이 물질이 열 버퍼 물질(4000)로서의 역할을 수행할 수 없게 된다. 예를 들어, 상전이 물질의 전이 온도는 5℃~60℃ 사이 또는 20℃~40℃ 사이에 존재할 수 있다.Phase transition materials are materials with high heat of fusion and can be stored or released in large quantities by melting or solidifying at specific temperatures. In one embodiment, the phase transition material may store or release heat through chemical bonding. For example, when the phase change material is a solid-to-liquid phase change material, when the phase change material is solid, when the heat is applied, the temperature of the phase change material increases and the temperature of the phase change material reaches the melting point or transition temperature , The phase transition material continues to absorb heat, while the phase transition material temperature does not increase. At this time, the phase transition material is phase transition from solid to liquid. Thereafter, when no heat is applied to the phase-change material, the phase-change material releases the accumulated heat to the outside, so that the phase of the phase-change material can be returned from the liquid to the solid. Thus, the phase transition material increases in temperature from the initial temperature to the transition temperature, but after the transition temperature is reached, the temperature is not increased until the phase transition is completed. If the phase change material is composed of the thermal buffer material 4000, the transition temperature of the phase change material may be included within the temperature change period within the feedback device 100 have. If the transition temperature of the phase change material is not included in the temperature variation period of the feedback device 100, phase transition is not generated in the phase change material even if waste heat accumulates in the feedback device 100, The phase transition material can not function as the thermal buffer material 4000. For example, the transition temperature of the phase transition material can be between 5 ° C and 60 ° C or between 20 ° C and 40 ° C.

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)에 이용되는 상전이 물질은 다양한 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상전이 물질은 수화염화칼슘, 리튬질소산화물, 망초 등을 포함하는 수화무기염, DMP(Dimethyl Propanediol), HMP(Hexamethyl Propanediol), 자일리톨(xylitol), 에리스리톨(Erythritol) 등을 포함하는 다가 알코올, PET(polyethylene terephthalate)-PEG(polyethylene glycol) 공중합체, PEG, PTMG(polytetramethyl glycol), 파라핀을 포함하는 선형 사슬 탄화수소를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the phase change material used in the thermal buffer material 4000 may be composed of various materials. For example, the phase change material may include an inorganic salt including hydrated inorganic salts including hydrated calcium chloride, lithium nitrogen oxides and magnesium oxide, DMP (dimethylpropanediol), HMP (hexamethylpropanediol), xylitol, erythritol, Alcohol, a polyethylene terephthalate (PEG) -PEG (polyethylene glycol) copolymer, PEG, polytetramethyl glycol (PTMG), paraffin.

또한, 본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)에 이용되는 상전이 물질은 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 상전이 물질은 마이크로 캡슐에 포함되어 구현될 수도 있고, 직물에 충진되어 구현될 수도 있으며, 코팅되어 구현될 수 있다. Further, in an embodiment of the present invention, the phase change material used in the thermal buffer material 4000 may be implemented in various forms. For example, the phase change material may be embedded in a microcapsule, filled in a fabric, or coated.

3.2.3. 여러가지 실시예에 따른 열 버퍼 물질의 적용3.2.3. Application of thermal buffer materials according to various embodiments

3.2.3.1. 제1 실시예3.2.3.1. First Embodiment

도 46은 본 발명의 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.46 is a diagram illustrating a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to an embodiment of the present invention is applied.

도 46을 참조하면, 도 29의 제1 실시예와 같이, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다. 또한, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)로 구성될 수 있다. 그리고, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 열 전달부(2100), 액체 제공부(3000) 및 열 방출부(2200)로 형성될 수 있다.29, the feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000, and the liquid supplier 3000 includes a heat dissipating unit 2000 ). ≪ / RTI > The heat dissipation unit 2000 may include a heat transfer unit 2100 and a heat dissipation unit 2200. The waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000, the heat transfer part 2100, the liquid supplier 3000, and the heat releasing part 2200.

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)은 독립적인 물질로 구성되어 열 방출부(2200)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 열 버퍼 물질(4000)은 상전이 물질 중 자일리톨 및/또는 에리스리톨로 구성될 수 있다. 여기서, 자일리톨 및 에리스리톨은 당알코올로 수분과 반응하여 흡열반응을 일으켜 주변의 열기를 빼앗음으로써, 냉감성을 느끼게 하는 성분일 수 있다. In an embodiment of the present invention, the thermal buffer material 4000 may be composed of an independent material and disposed in the heat releasing portion 2200. For example, the thermal buffer material 4000 may comprise xylitol and / or erythritol in the phase change material. Here, xylitol and erythritol react with moisture with sugar alcohol to cause an endothermic reaction, thereby depriving the surrounding heat, and thus, may be a component that makes cold sensation feel.

보다 구체적인 예로서, 자일리톨 및/또는 에리스리톨로 구성된 열 버퍼 물질(4000)이 열 방출부(2200)에 배치되는 경우, 열 버퍼 물질(4000)은 액체 제공부(3000)로부터 전달된 액체와 반응하여 흡열반응을 일으킬 수 있고, 열 버퍼 물질(4000)의 주변의 폐열을 흡수할 수 있다. 이 경우, 열 버퍼 물질(4000)에 의해 피드백 디바이스(100)에서의 폐열이 소정 시간동안 적어짐에 따라, 피드백 디바이스(100)의 냉감 전달 성능이 향상될 수 있다.As a more specific example, when a thermal buffer material 4000 composed of xylitol and / or erythritol is disposed in the heat releasing portion 2200, the thermal buffer material 4000 reacts with the liquid delivered from the liquid providing portion 3000 Endothermic reaction and can absorb the waste heat in the vicinity of the thermal buffer material 4000. [ In this case, as the waste heat in the feedback device 100 is reduced by the thermal buffer material 4000 for a predetermined time, the cooling transfer performance of the feedback device 100 can be improved.

또한, 사용자가 열 방출부(2200)에 닿을 경우, 열 버퍼 물질(4000)은 사용자로부터 열을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 사용자는 열 버퍼 물질(4000)로 인하여 보다 강하게 냉감을 느낄 수 있다.In addition, when the user touches the heat release portion 2200, the thermal buffer material 4000 can absorb heat from the user. Accordingly, the user can feel a stronger sense of coolness due to the thermal buffer material 4000.

3.2.3.2. 제2 실시예3.2.3.2. Second Embodiment

도 47은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.47 is a view showing a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.

도 47를 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다. 이 때, 열 버퍼 물질(4000)은 방열부(2000)와 열전 모듈(1000) 사이에 배치될 수 있다. 여기서, 열 버퍼 물질(4000)은 레이어의 형태로 구현될 수 있다. 또한, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)로 구성될 수 있다. 그리고, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 열 버퍼 물질(4000), 열 전달부(2100), 액체 제공부(3000) 및 열 방출부(2200)로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 47, the feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000, and the liquid supplier 3000 may be disposed inside the heat dissipating unit 2000. At this time, the thermal buffer material 4000 may be disposed between the heat dissipation unit 2000 and the thermoelectric module 1000. Here, the thermal buffer material 4000 may be implemented in the form of a layer. The heat dissipation unit 2000 may include a heat transfer unit 2100 and a heat dissipation unit 2200. The waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000, the thermal buffer material 4000, the heat transfer portion 2100, the liquid supplier 3000, and the heat releasing portion 2200.

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)이 열전 모듈(1000)과 열 전달부(2100) 사이에 배치됨에 따라, 소정 시간동안 피드백 디바이스(100) 내부에 축적되는 폐열의 양이 감소되게 되고, 열전 모듈(1000)에서 열 전달부(2100)로의 폐열의 전달이 지연(delay)될 수 있다. 구체적인 예로서, 열전 모듈(1000)이 흡열 동작을 수행할 경우, 열전 모듈(1000)에서 폐열이 발생될 수 있다. 그리고, 발생된 폐열이 열 버퍼 물질(4000)에 전달될 경우, 폐열에 의해 열 버퍼 물질(4000)의 온도는 전이 온도까지 상승하게 되지만, 열 버퍼 물질(4000)의 상전이가 완료될 때까지 열 버퍼 물질(4000)의 온도는 전이 온도로 유지될 수 있다. 이 때, 열 버퍼 물질(4000)의 온도가 전이온도로 유지되는 동안에는 열 버퍼 물질(4000)이 폐열을 흡수함에 따라 피드백 디바이스(100) 내부에 폐열이 축적되지 않으며, 열 버퍼 물질(4000)로부터 열 전달부(2100)에 전이온도 보다 높은 온도를 갖는 폐열이 전달되지 않을 수 있다. 이후, 열 버퍼 물질(4000)의 상전이가 완료될 경우에 비로소 전이온도 보다 높은 온도를 갖는 폐열이 피드백 디바이스(100) 내부에 추가적으로 축적되며, 상기 폐열이 열 전달부(2100)로 전달될 수 있다. 이와 같이, 열 버퍼 물질(4000)이 상기 전이 온도로 유지되는 동안에 피드백 디바이스(100) 내부에 폐열의 양은 열 버퍼 물질(4000)이 포함되지 않는 경우보다 감소하며, 상기 전이 온도로 유지되는 동안에 폐열이 사용자의 열적 경험에 미치는 영향이 적어짐에 따라, 피드백 디바이스(100)의 냉감 제공 성능이 향상될 수 있다.In an embodiment of the present invention, as the thermal buffer material 4000 is disposed between the thermoelectric module 1000 and the heat transfer portion 2100, the amount of waste heat accumulated within the feedback device 100 for a predetermined time is reduced And the transfer of waste heat from the thermoelectric module 1000 to the heat transfer part 2100 can be delayed. As a specific example, when the thermoelectric module 1000 performs an endothermic operation, waste heat may be generated in the thermoelectric module 1000. When the generated waste heat is transferred to the thermal buffer material 4000, the temperature of the thermal buffer material 4000 is raised to the transition temperature by the waste heat, but the thermal buffer material 4000 is heated until the phase transition of the thermal buffer material 4000 is completed The temperature of the buffer material 4000 can be maintained at the transition temperature. At this time, as the temperature of the thermal buffer material 4000 is maintained at the transition temperature, waste heat is not accumulated in the feedback device 100 as the thermal buffer material 4000 absorbs the waste heat, Waste heat having a temperature higher than the transition temperature may not be transferred to the heat transfer portion 2100. Thereafter, when phase transition of the thermal buffer material 4000 is completed, waste heat having a temperature higher than the transition temperature is additionally accumulated inside the feedback device 100, and the waste heat can be transferred to the heat transfer part 2100 . Thus, while the thermal buffer material 4000 is maintained at the transition temperature, the amount of waste heat inside the feedback device 100 is reduced compared to the case where the thermal buffer material 4000 is not included, As the influence on the thermal experience of the user is reduced, the cool feeling providing performance of the feedback device 100 can be improved.

3.2.3.3. 제3 실시예3.2.3.3. Third Embodiment

도 48은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.Figure 48 is a diagram illustrating the structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.

도 48을 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다. 이 때, 열 버퍼 물질(4000)은 열전 모듈(1000) 하부에 배치될 수 있다. 여기서, 열 버퍼 물질(4000)은 레이어의 형태로 구현될 수 있다. 또한, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)로 구성될 수 있다. 그리고, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 열 전달부(2100), 액체 제공부(3000) 및 열 방출부(2200)로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 48, the feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000, and the liquid supplier 3000 may be disposed inside the heat dissipating unit 2000. At this time, the thermal buffer material 4000 may be disposed under the thermoelectric module 1000. Here, the thermal buffer material 4000 may be implemented in the form of a layer. The heat dissipation unit 2000 may include a heat transfer unit 2100 and a heat dissipation unit 2200. The waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000, the heat transfer part 2100, the liquid supplier 3000, and the heat releasing part 2200.

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(4000)의 전이 온도는 열전 모듈(1000)에서 발생되는 냉열보다 높을 수 있다. 이에 따라, 상기 냉열에 의해서는 열 버퍼 물질(4000)의 상전이가 이뤄지지 않으며, 열 버퍼 물질(4000)은 사용자에 대한 냉열 전달에 영향을 미치지 않을 수 있다.In an embodiment of the present invention, the transition temperature of the thermal buffer material 4000 may be higher than the cold heat generated in the thermoelectric module 1000. Accordingly, the phase change of the thermal buffer material 4000 is not performed by the cold heat, and the thermal buffer material 4000 may not affect the cold / heat transfer to the user.

또한, 열전 모듈(1000)이 흡열 동작을 지속적으로 수행함에 따라, 사용자에게 냉열이 전달되는 반면, 피드백 디바이스(1000)의 내부에는 페열이 축적될 수 있다. 그리고, 폐열이 방출되는 양보다 폐열이 발생되는 양이 많을 경우, 폐열은 상기 폐열 전달 경로 외에 다른 곳에서도 축적될 수 있다. 이로 인해, 사용자에게 냉열뿐만 아니라 폐열도 함께 전달될 수 있다. 그러나, 열 버퍼 물질(4000)이 열전 모듈(1000)의 하단에 배치됨에 따라, 열 버퍼 물질(4000)은 상기 축적되는 폐열을 흡수하여 저장할 수 있다. 그리고, 열 버퍼 물질(4000)은 전이 온도에 도달한 후 일정한 온도를 유지할 수 있다. 이에 따라, 열 버퍼 물질(4000)이 사용자에게 전달되는 폐열을 차단함으로써, 피드백 디바이스(100)의 냉감 제공 성능은 향상될 수 있다.In addition, as the thermoelectric module 1000 continuously performs the heat absorption operation, cold heat is transmitted to the user, while the heat can be accumulated in the feedback device 1000. If the amount of waste heat generated is larger than the amount of waste heat released, the waste heat may be accumulated in other places than the waste heat transfer path. As a result, not only cold but also waste heat can be transmitted to the user. However, as the thermal buffer material 4000 is disposed at the bottom of the thermoelectric module 1000, the thermal buffer material 4000 can absorb and store the accumulated waste heat. Then, the thermal buffer material 4000 can maintain a constant temperature after reaching the transition temperature. Thus, by blocking the waste heat that the thermal buffer material 4000 is delivered to the user, the cold feel of the feedback device 100 can be improved.

3.2.3.4. 제4 실시예3.2.3.4. Fourth Embodiment

도 49는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.49 is a view showing a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.

도 49를 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000), 방열부(2000) 순으로 적층되어 있으며, 액체 제공부(3000)는 방열부(2000) 내부에 배치될 수 있다. 이 때, 열 버퍼 물질(4000)은 방열부(2000) 내부의 액체 제공부(3000) 하단에 배치될 수 있다. 여기서, 열 버퍼 물질(4000)은 레이어의 형태로 구현될 수 있다. 또한, 방열부(2000)는 열 전달부(2100) 및 열 방출부(2200)로 구성될 수 있다. 그리고, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 열 전달부(2100), 열 버퍼 물질(4000), 액체 제공부(3000) 및 열 방출부(2200)로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 49, the feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000, and the liquid supplier 3000 may be disposed inside the heat dissipating unit 2000. At this time, the thermal buffer material 4000 may be disposed at the lower end of the liquid supplier 3000 inside the heat dissipating unit 2000. Here, the thermal buffer material 4000 may be implemented in the form of a layer. The heat dissipation unit 2000 may include a heat transfer unit 2100 and a heat dissipation unit 2200. The waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000, the heat transfer portion 2100, the thermal buffer material 4000, the liquid supplier 3000, and the heat releasing portion 2200.

본 발명의 실시예에서, 열 버퍼 물질(1000)이 액체 제공부(3000)의 하단에 배치됨에 따라, 소정 시간동안 피드백 디바이스(100) 내부에 축적되는 폐열의 양이 감소되게 되고, 열 전달부(2100)에서 액체 제공부(3000)로의 폐열의 전달이 지연(delay)될 수 있다. 구체적인 예로서, 열전 모듈(1000)에서 발생된 폐열이 열 전달부(2100)를 거쳐 열 버퍼 물질(4000)에 전달될 경우, 폐열에 의해 열 버퍼 물질(4000)의 온도는 전이 온도까지 상승하게 되지만, 열 버퍼 물질(4000)의 상전이가 완료될 때까지 열 버퍼 물질(4000)의 온도는 전이 온도로 유지될 수 있다. 이 때, 열 버퍼 물질(4000)의 온도가 전이온도로 유지되는 동안에는 열 버퍼 물질(4000)이 폐열을 흡수함에 따라 피드백 디바이스(100) 내부에 축적되는 폐열량이 줄어들고, 열 버퍼 물질(4000)로부터 액체 제공부(3000)에 전이온도 보다 높은 온도를 갖는 폐열이 전달되지 않을 수 있다. 이로 인해, 열 출력 모듈(4000)의 온도가 전이 온도로 유지되는 동안에 폐열이 사용자의 열적 경험에 미치는 영향이 적어짐에 따라, 피드백 디바이스(100)의 냉감 제공 성능이 향상될 수 있다.In the embodiment of the present invention, as the thermal buffer material 1000 is disposed at the lower end of the liquid supplier 3000, the amount of waste heat accumulated in the feedback device 100 for a predetermined time is reduced, The transfer of waste heat from the liquid supply unit 2100 to the liquid supply unit 3000 may be delayed. As a specific example, when the waste heat generated in the thermoelectric module 1000 is transferred to the thermal buffer material 4000 through the heat transfer part 2100, the temperature of the thermal buffer material 4000 is raised by the waste heat to the transition temperature But the temperature of the thermal buffer material 4000 can be maintained at the transition temperature until the phase transition of the thermal buffer material 4000 is completed. At this time, as the temperature of the thermal buffer material 4000 is maintained at the transition temperature, the amount of waste heat accumulated in the feedback device 100 decreases as the thermal buffer material 4000 absorbs the waste heat, Waste heat having a temperature higher than the transition temperature may not be delivered to the liquid supplier 3000. As a result, the cooling performance of the feedback device 100 can be improved as the influence of the waste heat on the user's thermal experience while the temperature of the heat output module 4000 is maintained at the transition temperature is reduced.

3.2.3.5. 제5 실시예3.2.3.5. Fifth Embodiment

도 50은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질이 적용된 피드백 디바이스의 구조를 나타낸 도면이다.50 is a view showing a structure of a feedback device to which a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention is applied.

도 50을 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열전 모듈(1000) 및 방열부(2000) 순으로 적층되고, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)는 방열부(2000)의 양측면에 배치될 수 있다. 또한, 열전 모듈(1000)의 측면에는 지지부(5000)가 배치되고, 액체 제공부(3000-a, 3000-b)는 지지부(5000)의 상단에 배치될 수 있다. 그리고, 열 버퍼 물질(4000)은 레이어 형상으로 열적 모듈(1000) 및 방열부(2000) 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 폐열 전달 경로는 열전 모듈(1000), 열 버퍼 물질(4000) 및 방열부(2000)로 형성될 수 있다. 도 30에서 설명한 바와 같이, 폐열 전달 경로에서 액체 제공부(3000-a, 3000-b)가 제외됨에 따라, 폐열 전달 경로는 짧아지게 되고, 이로 인해 폐열 방출 성능이 향상될 수 있다.50, the feedback device 100 is stacked in the order of the thermoelectric module 1000 and the heat dissipating unit 2000, and the liquid supplier 3000-a and 3000-b are stacked on both sides of the heat dissipating unit 2000 . A support portion 5000 is disposed on the side surface of the thermoelectric module 1000 and the liquid supplier 3000-a and 3000-b can be disposed on the upper portion of the support portion 5000. The thermal buffer material 4000 may be disposed between the thermal module 1000 and the heat dissipating unit 2000 in the form of a layer. Accordingly, the waste heat transfer path may be formed by the thermoelectric module 1000, the thermal buffer material 4000, and the heat dissipating part 2000. As described in Fig. 30, as the liquid supplier (3000-a, 3000-b) is excluded from the waste heat transfer path, the waste heat transfer path is shortened, and thus the waste heat discharge performance can be improved.

또한, 열 버퍼 물질(4000)이 열전 모듈(1000)과 방열부(2000) 사이에 배치되고, 전이 온도 구간에서 열 버퍼 물질(4000)의 온도가 상승되지 않음에 따라, 열 버퍼 물질(4000)이 전이 온도로 유지되는 시간 동안 피드백 디바이스(100) 내부에 축적되는 폐열의 양이 감소되게 되고, 열전 모듈(1000)에서 방열부(2000)로의 폐열의 전달이 지연(delay)될 수 있다. 이와 같이, 열 출력 모듈(4000)의 온도가 전이 온도로 유지되는 동안에 폐열이 사용자의 열적 경험에 미치는 영향이 적어짐에 따라, 피드백 디바이스(100)의 냉감 제공 성능이 향상될 수 있다.In addition, as the thermal buffer material 4000 is disposed between the thermoelectric module 1000 and the heat sink 2000 and the temperature of the thermal buffer material 4000 is not increased in the transition temperature range, The amount of the waste heat accumulated in the feedback device 100 during the time that the temperature is maintained at this transition temperature is reduced and the transfer of waste heat from the thermoelectric module 1000 to the heat dissipating unit 2000 may be delayed. As described above, since the influence of the waste heat on the thermal experience of the user while the temperature of the heat output module 4000 is maintained at the transition temperature is reduced, the cooling providing performance of the feedback device 100 can be improved.

도 51은 본 발명의 실시예에 따른 열 버퍼 물질에 의하여 향상되는 냉감 제공 성능을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 51 is a view for explaining a cooler providing performance improved by the thermal buffer material according to the embodiment of the present invention. FIG.

도 51을 참조하면, 도 51의 그래프는 피드백 디바이스(100)에서 사용자에게 제공하는 열의 온도를 나타낸 것으로, 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타낸다. 또한, 선(5101)은 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함되지 않을 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타내고, 선(5102)은 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함된 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다.Referring to FIG. 51, the graph of FIG. 51 shows the temperature of the column provided to the user in the feedback device 100, wherein the x-axis of the graph represents time and the y-axis represents temperature. Line 5101 represents the temperature of the contact surface 1600 when the thermal buffer material 4000 is not included in the feedback device 100 and line 5102 represents the temperature of the thermal buffer material 4000 in the feedback device 100 The temperature of the contact surface 1600 in the case where the contact surface 1600 is included.

도 51의 그래프에서, 선(5102)은 선(5101)보다 낮은 최저 온도를 나타내며, 선(5102)이 포화온도에 도달하는 시간은 선(5101)이 포화온도에 도달하는 시간보다 늦을 수 있다. 이는, 제2 실시예 내지 제5 실시예에서 전술한 것과 같이, 열 버퍼 물질(4000)에 의해 소정 시간동안 피드백 디바이스(100) 내부에 축적되는 폐열의 양이 감소되고, 열전 모듈(1000)에서 다른 구성요소로의 폐열의 전달이 지연되는 것에 기인할 수 있다. 따라서, 도 51의 그래프에서 나타나는 바와 같이, 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함될 경우, 사용자는 보다 낮은 온도의 냉감을 보다 지속적으로 제공받을 수 있다.51, line 5102 represents the lowest temperature below line 5101 and the time at which line 5102 reaches the saturation temperature may be later than the time at which line 5101 reaches saturation temperature. This is because the amount of waste heat accumulated inside the feedback device 100 for a predetermined time by the thermal buffer material 4000 is reduced as described above in the second to fifth embodiments, And the transfer of waste heat to other components is delayed. Thus, as shown in the graph of FIG. 51, when the thermal buffer material 4000 is included in the feedback device 100, the user can be more continuously provided with a lower temperature cold feeling.

도 52는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열 버퍼 물질에 의하여 향상되는 냉감 제공 성능을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 52 is a view for explaining a cooler providing performance improved by a thermal buffer material according to another embodiment of the present invention. FIG.

도 52를 참조하면, (a)는 시간에 따라 발전되는 전력의 밀도를 나타낸 그래프고, (b)는 시간에 따라 발전되는 전력의 전압 크기를 나타낸 그래프이다.Referring to FIG. 52, (a) is a graph showing the density of electric power generated over time, and (b) is a graph showing a voltage magnitude of electric power generated according to time.

(a)의 그래프에서, x축은 시간을 나타내고, y축은 피드백 디바이스(100)에서 발전되는 단위 영역당 발전량을 나타내는 전력 밀도(uW/cm2)를 나타낸다. 그리고, (b)의 그래프에서, x축은 시간을 나타내고, y축은 피드백 디바이스(100)에서 발전되는 전력의 전압 크기(mV)를 나타낸다.(a), the x-axis represents time and the y-axis represents the power density (uW / cm2) representing the amount of power generation per unit area generated in the feedback device 100. (B), the x-axis represents time, and the y-axis represents the voltage magnitude (mV) of the electric power generated in the feedback device 100.

(a) 및 (b)의 그래프에서, 선(5201)은 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함되지 않을 경우의 전력밀도를 나타내고, 선(5211)은 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함되지 않을 경우의 전압을 나타내고, 선(5202)은 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함될 경우의 전력밀도를 나타내고, 선(5212)는 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함될 경우의 전압을 나타낼 수 있다. line 5201 represents the power density when the thermal buffer material 4000 is not included in the feedback device 100 and line 5211 represents the thermal buffer material 4000. In the graph of Figures 5A and 5B, Line 5202 represents the voltage density when not included in the feedback device 100 and line 5202 represents the power density when the thermal buffer material 4000 is included in the feedback device 100 and line 5212 represents the thermal buffer material (4000) is included in the feedback device (100).

(a) 및 (b)의 그래프에서 나타낸 것과 같이, 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함되지 않을 경우보다, 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함될 경우의 전력 밀도 또는 전압, 즉, 발전 효율이 높을 수 있다. 이는 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함될 경우에 열전 모듈(1000)에서의 온도차가 높아지는 것을 의미하고, 열전 모듈(1000)에서 온도차가 높아지는 것은 피드백 디바이스(100)에서 폐열 방출 성능이 향상되는 것을 나타낼 수 있으며, 폐열 방출 성능이 향상되는 것은 결국 냉감 전달 성능 역시 향상되는 것을 의미할 수 있다. 따라서, 열 버퍼 물질(4000)이 피드백 디바이스(100)에 포함될 경우, 사용자에 대한 냉감 전달 성능이 향상되며, 발전 효율 역시 향상될 수 있다.the power when the thermal buffer material 4000 is included in the feedback device 100 is greater than when the thermal buffer material 4000 is not included in the feedback device 100 as shown in the graphs of FIGS. Density or voltage, that is, power generation efficiency may be high. This means that the temperature difference in the thermoelectric module 1000 is increased when the thermal buffer material 4000 is included in the feedback device 100 and that the temperature difference in the thermoelectric module 1000 is higher than that in the feedback device 100, Can be improved, and the improvement of the waste heat discharge performance can mean that the cold transfer performance is also improved. Thus, when the thermal buffer material 4000 is included in the feedback device 100, the cooling transfer performance for the user is improved and the power generation efficiency can also be improved.

4. 피드백 디바이스의 사용자 인지 성능 향상 방법4. How to improve user recognition performance of feedback device

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)의 사용자 인지 성능 향상 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method for improving the user's perception of the feedback device 100 according to the embodiment of the present invention will be described.

4.1. 개요4.1. summary

전술한 바와 같이, 피드백 디바이스(100)는 흡열 동작을 수행하여 사용자에게 냉감 피드백을 제공할 수 있다. 이에 따라, 사용자는 피드백 디바이스(100)로부터 냉감을 인지할 수 있다.As described above, the feedback device 100 may perform an endothermic operation to provide cold feedback to the user. Accordingly, the user can recognize the cold feeling from the feedback device 100. [

피드백 디바이스(100)는 냉감 피드백의 제공 여부를 제어할 수 있고, 냉감 피드백의 강도를 조절할 수 있다. 또한, 피드백 디바이스(100)에서 흡열 동작이 수행됨에 따라, 피드백 디바이스(100)에 폐열이 축적되고, 상기 사용자에게 제공되는 냉감 피드백은 상기 축적되는 피드백에 영향을 받을 수 있다. 이러한 요인들로 인해, 사용자는 다양한 시간에 다양한 강도의 냉감 피드백을 제공받을 수 있으며, 이에 따라, 사용자가 인지하는 냉감 정도는 달라질 수 있다. The feedback device 100 can control whether or not to provide cold feedback, and can adjust the strength of the cold feedback. Further, as the heat absorbing operation is performed in the feedback device 100, waste heat is accumulated in the feedback device 100, and the cold feedback provided to the user may be affected by the accumulated feedback. Due to these factors, the user may be provided with cold feedback of various strengths at various times, and accordingly, the degree of coolness perceived by the user may vary.

보다 구체적으로, 도 53는 본 발명의 실시예에 따른 피드백 디바이스(100)에서 사용자에게 제공하는 열의 온도에 대한 그래프에 관한 도면이다. 도 53의 그래프에서, x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타내며, 선(5301)은 시간에 따른 열전모듈(1000)의 접촉면(1600)의 온도를 나타낸다. 도 53에서, 열전 모듈(100)에는 하나의 크기를 갖는 소정의 전압이 인가됨에 따라, 열전 모듈(1000)은 흡열 동작을 수행하고, 접촉면(1600)에 상기 흡열 동작에 따른 냉열이 전달됨에 따라, 접촉면(1600)의 온도는 하강할 수 있다. 다만, 열전 모듈(1000)이 흡열 동작을 수행함에 따라, 피드백 디바이스(100)내에서 폐열이 축적될 수 있고, 상기 폐열에 영향을 받아 접촉면(1600)의 온도는 최소 온도에 도달한 후 온도가 상승하게 되어, 소정의 온도 구간(5322)의 온도가 유지될 수 있다.More specifically, Figure 53 is a plot of the temperature of the heat provided to the user in feedback device 100 according to an embodiment of the present invention. 53, the x-axis represents time, the y-axis represents temperature, and the line 5301 represents the temperature of the contact surface 1600 of the thermoelectric module 1000 with respect to time. In FIG. 53, as a predetermined voltage having a size is applied to the thermoelectric module 100, the thermoelectric module 1000 performs an endothermic operation, and as the cool heat due to the heat absorption operation is transferred to the contact surface 1600 , The temperature of the contact surface 1600 may drop. However, as the thermoelectric module 1000 performs a heat absorbing operation, waste heat may accumulate in the feedback device 100, and the temperature of the contact surface 1600 may be affected by the waste heat, So that the temperature of the predetermined temperature section 5322 can be maintained.

본 발명의 몇몇 실시예에서, 냉열이 전달되는 성능을 나타내는 냉열 전달 성능은 3가지 지표로 구성될 수 있다. 첫번째 냉열 전달 성능의 지표는 얼마나 빠른 속도로 최저 온도에 도달하는지를 나타내는 최저 온도 도달 시간이다. 도 53의 예에서, 최저 온도 도달 시간은 구간(5311)이 될 수 있다. 만약, 접촉면(1600)의 온도가 보다 빨리 최저 온도에 도달하여 구간(5311)이 단축된다면, 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능은 향상될 수 있다. 두번째 냉열 전달 성능의 지표는, 얼마나 오랫동안 접촉면의 온도가 지속되는지를 나타내는 지속 시간이다. 피드백 디바이스(100)에서 폐열이 많이 축적된다면, 축적되는 폐열로 인하여 접촉면의 온도(1600)가 특정 온도에 유지되지 못하고 상승되고, 뜨거워지는 피드백 디바이스(100)로 인해 사용자에게 냉열이 정상적으로 전달되지 못하기 때문이다. 도 53의 예에서, 지속 시간은 접촉면(1600)의 온도가 온도구간(5322)로 유지되는 시간이 될 수 있다. 만약, 접촉면(1600)의 온도가 보다 온도구간(5322)에서 오랫동안 지속될 경우, 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능은 향상될 수 있다. 세번째 냉열 전달 성능의 지표는 상기 지속시간 동안의 접촉면(1600)의 온도를 나타내는 지속 온도이다. 전술한 바와 같이, 접촉면(1600)의 온도는 폐열로 인하여 최저 온도를 유지할 수는 없지만, 피드백 디바이스(100)에서 상기 폐열이 방출되므로, 접촉면(1600)의 온도가 최저 온도보다 높은 온도를 유지할 수 있고, 상기 높은 온도는 지속 온도가 될 수 있다. 이 때, 지속 온도의 온도값이 높아지게 되면 뜨거워지는 피드백 디바이스(100)로 인해 사용자에게 냉열이 정상적으로 전달되지 못하게 된다. 도 53의 예에서, 지속 온도는 온도구간(5322)이 될 수 있다. 만약, 온도구간(5322)의 온도가 낮아진다면, 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능은 향상될 수 있다. In some embodiments of the present invention, the heat transfer performance indicative of the performance to which cold heat is transferred may be composed of three indicators. An indicator of the first heat transfer performance is the minimum temperature arrival time, which indicates how fast the minimum temperature is reached. In the example of FIG. 53, the minimum temperature reaching time may be the interval 5311. FIG. If the temperature of the contact surface 1600 reaches the minimum temperature sooner and the section 5311 is shortened, the heat transfer performance of the feedback device 100 can be improved. An indicator of the second heat transfer performance is the duration, which indicates how long the temperature of the contact surface is maintained. If a large amount of waste heat is accumulated in the feedback device 100, the temperature 1600 of the contact surface can not be maintained at a specific temperature due to accumulated waste heat, and the feedback device 100, which is heated, . In the example of FIG. 53, the duration may be the time at which the temperature of the contact surface 1600 is maintained at the temperature interval 5322. If the temperature of the contact surface 1600 continues for a longer time in the temperature interval 5322, the heat transfer performance of the feedback device 100 may be improved. An index of the third heat transfer performance is a continuous temperature that represents the temperature of the contact surface 1600 for the duration. As described above, the temperature of the contact surface 1600 can not maintain the lowest temperature due to waste heat, but since the waste heat is released in the feedback device 100, the temperature of the contact surface 1600 can be maintained at a temperature higher than the minimum temperature And the high temperature can be a sustained temperature. At this time, if the temperature value of the sustain temperature becomes higher, the feedback device 100 that is heated will not normally transmit cold heat to the user. In the example of FIG. 53, the sustain temperature may be the temperature interval 5322. FIG. If the temperature of the temperature section 5322 is lowered, the cooling / heating performance of the feedback device 100 can be improved.

또한, 냉열 전달 성능 지표가 좋아질수록, 대체로 사용자의 냉감 인지 정도는 향상될 수 있다. 냉열 전달 성능 지표가 좋다는 것은 피드백 디바이스(100)가 폐열의 영향을 적게 받는다는 것이고, 이로 인해 사용자는 폐열의 영향이 적은 냉감 피드백을 제공받게 됨으로써 사용자의 냉감 인지 정도가 향상될 수 있다.Further, as the cold / heat transfer performance index improves, the degree of cold feeling of the user can be generally improved. The fact that the cool / heat transfer performance index is good means that the feedback device 100 is less influenced by the waste heat, so that the user can be provided with cold feedback with little influence of the waste heat, thereby improving the user's cold feeling.

또한, 본 발명의 실시예에서, 열전 모듈(1000)에 인가되는 전압값이 변경되거나, 서로 다른 전압값을 갖는 복수의 전압이 인가될 경우, 접촉면(1600)의 최저온도 및 상기 접촉면(1600)의 온도가 유지되는 온도구간(5322)가 변경될 수 있다. 또한, 열전 모듈(1000)에 인가되는 전압의 인가 시점이 변경될 경우에도 접촉면(1600)의 최저온도 및 상기 접촉면(1600)의 온도가 유지되는 온도구간(5322)도 변경될 수 있다. 결국, 열전 모듈(1000)에 인가되는 전압의 크기, 전압 인가 시점에 따라 사용자에게 제공되는 냉열이 달라지고, 냉열 전달 성능의 지표인 최저 온도 도달 시간, 지속 시간, 지속 온도 역시 달라지게 되어, 피드백 디바이스(100)에서 제공되는 냉감 피드백에 의해 사용자가 냉감을 인지하는 정도 역시 달라지게 된다.Also, in the embodiment of the present invention, when the voltage value applied to the thermoelectric module 1000 is changed or a plurality of voltages having different voltage values are applied, the minimum temperature of the contact surface 1600 and the contact temperature of the contact surface 1600, The temperature section 5322 in which the temperature of the temperature sensor 532 is maintained can be changed. Also, when the application time of the voltage applied to the thermoelectric module 1000 is changed, the minimum temperature of the contact surface 1600 and the temperature interval 5322 where the temperature of the contact surface 1600 is maintained can be changed. As a result, the cold heat provided to the user changes according to the magnitude of the voltage applied to the thermoelectric module 1000 and the voltage application time, and the minimum temperature arrival time, duration, and sustain temperature, which are indicators of the cooling / The degree to which the user perceives cold feeling is also changed by the cold feedback provided by the device 100. [

이하에서는, 여러가지 조건에 의해 사용자에게 제공되는 냉열이 달라지는 상황에서, 사용자의 냉감 인지를 향상시키는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of improving the cold feeling of the user in a situation where the cold heat provided to the user varies depending on various conditions will be described.

4.2. 복수의 전압 인가를 통한 사용자 인지 성능 향상 방법4.2. How to improve user perception by applying multiple voltages

도 54는 본 발명의 실시예에 따른 복수의 전압 인가를 이용한 사용자 인지 성능 향상 방법을 나타낸 동작 흐름도이다.FIG. 54 is a flowchart illustrating a method for improving a user perception performance using a plurality of voltage impressions according to an embodiment of the present invention.

도 54를 참조하면, 피드백 디바이스(100)가 냉감 피드백을 제공할 경우, 피드백 디바이스(100)는 사용자의 냉감 인지 성능이 향상되도록, 열전 모듈(100)에 인가하는 전압의 전압값 및 전압의 인가 시점에 대해 결정할 수 있다. 만약, 피드백 디바이스(100)가 2가지 크기의 전압값을 2가지 인가시점에서 인가하는 것을 결정할 경우, 피드백 디바이스(100)는 제1 시점에서 제1 전압값을 인가할 수 있다(5410). 또한, 피드백 디바이스(100)는 제2 시점에서 제2 전압값을 인가할 수 있다(5420). 그리고, 단계(5410) 및 단계(5420)가 수행됨에 따라, 사용자의 냉감 인지 성능은 향상될 수 있다. 이하에서는 단계(5410) 및 단계(5420)에 대해 보다 상세하게 설명한다. 다만, 도 54에서는 2가지 크기의 전압값을 2가지 인가시점에서 인가하는 실시예가 설명되었지만 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 피드백 디바이스(100)의 사용자 인지 성능 향상 방법은 피드백 디바이스(100)는 3가지 크기 이상의 전압값을 다양한 인가시점에서 인가하는 경우에도 적용될 수 있다.Referring to FIG. 54, when the feedback device 100 provides cold feedback, the feedback device 100 controls the voltage value of the voltage applied to the thermoelectric module 100 and the voltage You can decide on the time. If the feedback device 100 determines to apply a two-magnitude voltage value at two points in time, the feedback device 100 may apply a first voltage value at a first time (5410). Also, the feedback device 100 may apply a second voltage value at a second time point (5420). And, as steps 5410 and 5420 are performed, the cool feeling or performance of the user can be improved. Steps 5410 and 5420 are described in more detail below. However, the feedback device 100 according to the present invention is not limited to the feedback device 100, and the feedback device 100 may be configured so that the voltage value of the two sizes is applied at two different points in time. Can be applied to a case where voltage values of three or more sizes are applied at various application time points.

도 55는 본 발명의 실시예에 따른 전압 크기 조절에 의한 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 55 is a diagram for explaining the cooling / heating performance of the feedback device 100 by adjusting the voltage magnitude according to the embodiment of the present invention.

도 55를 참조하면, 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타내며, 선(5301)은 도 53에서와 같이, 하나의 크기의 전압인 Va가 인가될 때의 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다. 이 때, 단계(5410) 및 단계(5420)에 따라서, 선(5301)은 다른 양태로 나타날 수 있다.Referring to FIG. 55, the x-axis of the graph represents time, the y-axis represents temperature, and the line 5301 represents the temperature of the contact surface 1600 when a voltage Va of one magnitude is applied, . At this time, according to step 5410 and step 5420, line 5301 may appear in another aspect.

구체적으로, 본 발명의 몇몇 실시예에서, 단계(5410)에서, 피드백 디바이스(100)는 제1 시점(t1)에서 제1 전압(V1)을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전압(V1)이 전압(Va)과 동일할 경우, 접촉면(1600)의 온도는 선(5301)과 동일하게 나타날 수 있다.Specifically, in some embodiments of the invention, at step 5410, the feedback device 100 may apply the first voltage V1 at a first time instant tl. In one embodiment, if the first voltage V1 is equal to the voltage Va, the temperature of the contact surface 1600 may appear the same as the line 5301.

그러나, 일 실시예에서, 제1 전압(V1)은 전압(Va)보다 크기가 작을 수 있다. 이 경우, 열전 모듈(1000)은 전압(Va)이 인가된 경우보다 작은 강도의 열적 피드백을 출력하고, 이에 따라, 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도는 전압(Va)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도보다 높을 수 있다. 따라서, 구간(5311)에서, 접촉면(1600)의 온도는 선(5301)보다 높게 표현될 수 있다.However, in one embodiment, the first voltage V1 may be smaller than the voltage Va. In this case, the thermoelectric module 1000 outputs thermal feedback of a smaller intensity than when the voltage Va is applied, so that the expected temperature at the contact surface 1600 when the first voltage V1 is applied is May be higher than the expected temperature at the contact surface 1600 when the voltage Va is applied. Therefore, in the section 5311, the temperature of the contact surface 1600 can be expressed higher than the line 5301. [

반면, 전압(Va)이 인가된 경우보다 적은 강도의 열적 피드백이 출력됨에 따라, 제1 전압(V1)이 인가될 경우, 전압(Va)이 인가된 경우보다 적은 양의 폐열이 발생될 수 있다. 이에 따라, 접촉면(1600)의 온도가 상기 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도에 도달하기까지의 시간을 나타내는 최저 온도 도달 시간은, 전압(Va)가 인가될 경우보다 단축될 수 있다. 다만, 경우에 따라, 제1 전압(V1)의 크기에 따라 상기 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 접촉면에서(1600)의 기대온도에 도달하는 시간이 상대적으로 오래 걸릴 수도 있다. 이는 발생되는 폐열양이 적음에도 불구하고, 몇몇 열전 쌍 어레이(1240)가 초기 온도 하강 속도가 느린 것에 기인할 수 있다. 즉, 초기 온도 도달 속도는 발생되는 폐열의 양 뿐만 아니라 열전 쌍 어레이(1240)의 특성과 관련될 수도 있다.On the other hand, when the first voltage V1 is applied, a smaller amount of waste heat can be generated than when the voltage Va is applied, as the thermal feedback is outputted with a lower intensity than when the voltage Va is applied . Accordingly, the minimum temperature reaching time, which is the time to reach the expected temperature at the contact surface 1600 when the contact surface 1600 is applied with the first voltage V1, It can be shortened. However, depending on the magnitude of the first voltage V1, it may take a relatively long time to reach the expected temperature of the contact surface 1600 when the first voltage V1 is applied. This may be due to the fact that some thermocouple arrays 1240 are slow in the initial temperature descent rate, although the amount of waste heat generated is small. That is, the initial temperature arrival rate may be related to the amount of waste heat generated as well as the characteristics of the thermocouple array 1240.

그리고, 구간(5312)에서 전압(Va)이 인가되는 것을 가정할 때, 구간(5311)에서 제1 전압(V1)이 인가되는 경우, 구간(5311)에서 전압(Va)가 인가된 경우보다 구간(5311)에서 발생되는 폐열양이 적으므로, 구간(5312)에서의 상기 지속 시간은 길어질 수 있다. 또한, 적은양의 폐열이 발생됨에 따라 구간(5312)에서의 상기 지속 온도는 낮아질 수 있다.When the first voltage V1 is applied in the section 5311 and the voltage Va is applied in the section 5311, Since the amount of waste heat generated in the section 5311 is small, the duration in the section 5312 can be prolonged. Further, as the small amount of waste heat is generated, the above-mentioned continuous temperature in the section 5312 can be lowered.

다른 일 실시예에서, 제1 전압(V1)은 전압(Va)보다 크기가 클 수 있다. 이 경우, 열전 모듈(1000)은 전압(Va)이 인가된 경우보다 높은 강도의 열적 피드백을 출력하고, 이에 따라, 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도는 전압(Va)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도보다 낮을 수 있다. 따라서, 구간(5311)에서, 접촉면(1600)의 온도는 선(5301)보다 낮게 표현될 수 있다.In another embodiment, the first voltage V1 may be greater than the voltage Va. In this case, the thermoelectric module 1000 outputs a higher-intensity thermal feedback when the voltage Va is applied, so that the expected temperature at the contact surface 1600 when the first voltage V1 is applied is May be lower than the expected temperature at the contact surface 1600 when the voltage Va is applied. Therefore, in the interval 5311, the temperature of the contact surface 1600 can be expressed lower than the line 5301. [

또한, 몇몇 열전 쌍 어레이(1240)는 인가되는 전압의 크기가 높아질수록 기대 온도에 도달하는 시간이 짧아질 수 있다. 이 경우, 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 최저 온도 도달 시간은 전압(Va)가 인가될 경우보다 단축될 수 있다.In addition, the time for reaching the expected temperature can be shortened as the magnitude of the voltage applied to some thermocouple arrays 1240 increases. In this case, the minimum temperature arrival time when the first voltage V1 is applied may be shorter than when the voltage Va is applied.

반면, 전압(Va)이 인가된 경우보다 높은 강도의 열적 피드백이 출력됨에 따라, 전압(Va)이 인가된 경우보다 많은 양의 폐열이 발생될 수 있다. 이 경우, 폐열량이 임계치 이상 누적될 경우, 상기 폐열이 접촉면(1600)의 온도에 영향을 미칠 수 있고, 이에 따라, 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 최저 온도 도달 시간은 전압(Va)가 인가될 경우보다 길어질 수도 있다.On the other hand, when the voltage Va is applied, a larger amount of waste heat can be generated than when the voltage Va is applied, as the thermal feedback of higher intensity is outputted. In this case, when the waste heat amount is accumulated over the threshold value, the waste heat may affect the temperature of the contact surface 1600, so that the minimum temperature arrival time when the first voltage V1 is applied is the voltage Va. May be longer than when it is applied.

그리고, 구간(5312)에서 전압(Va)이 인가되는 것을 가정할 때, 구간(5311)에서 제1 전압(V1)이 인가되는 경우, 구간(5311)에서 전압(Va)가 인가된 경우보다 구간(5311)에서 발생되는 폐열양이 많으므로, 구간(5312)에서의 상기 지속 시간은 단축될 수 있다. 또한, 많은양의 폐열이 발생됨에 따라 구간(5312)에서의 상기 지속 온도는 높아질 수 있다. 물론 이는 발생되는 폐열의 양에 따라 다르며, 구간(5312)에서 전압(Va)가 인가될 경우의 폐열량과 제1 전압(V1)이 인가될 경우의 폐열양의 차이가 크지 않다면, 상기 지속 시간 및 상기 지속 온도는 구간(5312)에서 전압(Va)가 인가될 경우와 유사하게 나타낼 수 있다.When the first voltage V1 is applied in the section 5311 and the voltage Va is applied in the section 5311, Since the amount of waste heat generated in the section 5311 is large, the duration in the section 5312 can be shortened. Further, as the large amount of waste heat is generated, the above-mentioned continuous temperature in the section 5312 can be increased. If the difference between the waste heat amount when the voltage Va is applied in the section 5312 and the waste heat amount when the first voltage V1 is applied is not large, And the sustain temperature may be similar to the case where the voltage Va is applied in the period 5312. [

또한, 본 발명의 몇몇 실시예에서, 단계(5420)에서, 피드백 디바이스(100)는 제2 시점(t2)에서 제2 전압(V2)을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전압(V1)과 제2 전압(V2)이 전압(Va)과 동일할 경우, 접촉면(1600)의 온도는 선(5301)과 동일하게 나타날 수 있다.Further, in some embodiments of the present invention, at step 5420, the feedback device 100 may apply the second voltage V2 at a second time instant t2. In one embodiment, if the first voltage V1 and the second voltage V2 are equal to the voltage Va, the temperature of the contact surface 1600 may be the same as the line 5301.

그러나, 일 실시예에서, 제2 전압(V2)은 전압(Va)보다 크기가 작을 수 있다. 이 경우, 열전 모듈(1000)은 전압(Va)이 인가된 경우보다 작은 강도의 열적 피드백을 출력하고, 이에 따라, 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도는 전압(Va)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도보다 높을 수 있다. 따라서, 구간(5312)에서 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 온도는 전압(Va)이 인가될 경우보다 높을 수 있다.However, in one embodiment, the second voltage V2 may be smaller than the voltage Va. In this case, the thermoelectric module 1000 outputs thermal feedback of a smaller intensity than when the voltage Va is applied, so that the expected temperature at the contact surface 1600 when the second voltage V2 is applied is May be higher than the expected temperature at the contact surface 1600 when the voltage Va is applied. Therefore, the sustain temperature when the second voltage V2 is applied in the period 5312 may be higher than when the voltage Va is applied.

다만, 전압(Va)이 인가된 경우보다 적은 강도의 열적 피드백이 출력됨에 따라, 제2 전압(V2)이 인가될 경우 전압(Va)이 인가된 경우보다 적은 양의 폐열이 발생될 수 있다. 만약, 전압(Va)이 인가될 경우의 지속 온도가 폐열로 인해 높게 나타난 경우, 제2 전압(V2)이 인가될 경우에 적은 양의 폐열이 발생되어, 제2 전압(V2)이 인가될 경우에는 지속온도가 폐열의 영향을 적게 받게될 수 있다. 이로 인해, 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도는 전압(Va)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도보다 높음에도 불구하고, 경우에 따라, 구간(5312)에서 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 온도는 전압(Va)이 인가될 경우보다 낮을 수 있다.However, when the second voltage V2 is applied, a smaller amount of waste heat may be generated than when the voltage Va is applied, as the thermal feedback is outputted with less intensity than when the voltage Va is applied. If the continuous temperature when the voltage Va is applied is high due to waste heat, a small amount of waste heat is generated when the second voltage V2 is applied, and when the second voltage V2 is applied The sustained temperature may be less affected by the waste heat. This allows the expected temperature at the contact surface 1600 when the second voltage V2 is applied to be higher than the expected temperature at the contact surface 1600 when the voltage Va is applied, The sustain temperature when the second voltage V2 is applied in the period 5312 may be lower than when the voltage Va is applied.

그리고, 제2 전압(V2)이 인가될 경우 전압(Va)이 인가된 경우보다 적은 양의 폐열이 발생됨에 따라, 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 시간은 전압(Va)이 인가된 경우보다 길어질 수 있다.When the second voltage V2 is applied, a smaller amount of waste heat is generated than when the voltage Va is applied. Therefore, the duration when the second voltage V2 is applied is the voltage Va is applied It can be longer.

다른 일 실시예에서, 제2 전압(V2)은 전압(Va)보다 크기가 클 수 있다. 이 경우, 열전 모듈(1000)은 전압(Va)이 인가된 경우보다 높은 강도의 열적 피드백을 출력하고, 이에 따라, 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도는 전압(Va)이 인가될 경우의 접촉면(1600)에서의 기대 온도보다 낮을 수 있다. 따라서, 구간(5312)에서 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 온도는 전압(Va)이 인가될 경우보다 낮을 수 있다.In another embodiment, the second voltage V2 may be greater than the voltage Va. In this case, the thermoelectric module 1000 outputs a higher-intensity thermal feedback when the voltage Va is applied, so that the expected temperature at the contact surface 1600 when the second voltage V2 is applied is May be lower than the expected temperature at the contact surface 1600 when the voltage Va is applied. Therefore, the sustain temperature when the second voltage V2 is applied in the period 5312 may be lower than when the voltage Va is applied.

다만, 전압(Va)이 인가된 경우보다 높은 강도의 열적 피드백이 출력됨에 따라, 제2 전압(V2)이 인가될 경우 전압(Va)이 인가된 경우보다 많은 양의 폐열이 발생될 수 있다. 경우에 따라, 지속온도는 폐열에 영향을 받을 수 있고, 이 경우에는 구간(5312)에서 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 온도는 전압(Va)이 인가될 경우보다 높을 수 있다. 그리고, 제2 전압(V2)이 인가될 경우 전압(Va)이 인가된 경우보다 많은 양의 폐열이 발생됨에 따라, 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 시간은 전압(Va)이 인가된 경우보다 짧아질 수 있다. 물론, 발생되는 폐열양 또는 피드백 디바이스(100)의 특성에 따라, 지속시간은 폐열의 영향을 적게 받을수도 있으며, 이 경우, 제2 전압(V2)이 인가될 경우의 지속 시간은 전압(Va)이 인가된 경우보다 유사할 수 있다However, when the second voltage V2 is applied, a larger amount of waste heat may be generated than when the voltage Va is applied, as the thermal feedback of the higher intensity is output when the voltage Va is applied. In some cases, the sustain temperature may be affected by the waste heat, and in this case, the sustain temperature when the second voltage V2 is applied in the period 5312 may be higher than when the voltage Va is applied. When the second voltage V2 is applied, a larger amount of waste heat is generated than when the voltage Va is applied. Therefore, the duration when the second voltage V2 is applied is the voltage Va is applied Can be shortened. Of course, depending on the amount of waste heat generated or characteristics of the feedback device 100, the duration may be less affected by the waste heat. In this case, the duration when the second voltage V2 is applied is the voltage Va, May be more similar than if they were authorized

이에 따라, 피드백 디바이스(100)는 최저 온도 도달 시간이 짧아지고, 지속 시간이 길어지고 및 지속 온도가 낮아지도록 열전 모듈(1000)에 인가되는 전압을 결정하고, 단계(5410) 및 단계(5420)을 통하여, 상기 결정된 전압을 인가함으로써, 냉열 전달 성능을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the feedback device 100 determines the voltage applied to the thermoelectric module 1000 so that the minimum temperature arrival time is shortened, the duration is lengthened, and the continuous temperature is lowered, and steps 5410 and 5420 are repeated. And the determined voltage is applied to the heat exchanger.

도 56은 본 발명의 실시예에 따른 전압 인가 시점 조절에 의한 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 56 is a diagram for explaining the cooling / heating performance of the feedback device 100 by controlling the voltage application time according to the embodiment of the present invention.

도 56을 참조하면, 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타내며, 선(5301)은 도 53에서와 같이, 하나의 크기의 전압인 Va가 지속적으로 인가될 때의 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다. 이 때, 단계(5410) 및 단계(5420)에 따라서, 선(5301)은 다른 형태로 나타날 수 있다.Referring to FIG. 56, the x-axis of the graph represents time, the y-axis represents temperature, and the line 5301 represents the voltage of the contact surface 1600 when Va of one magnitude is continuously applied, Temperature. At this time, according to step 5410 and step 5420, line 5301 may appear in a different form.

구체적으로, 본 발명의 몇몇 실시예에서, 단계(5410)에서, 피드백 디바이스(100)는 제1 시점(t1)에서 제1 전압(V1)을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전압(V1)이 전압(Va)과 동일할 경우, 접촉면(1600)의 온도는 선(5301)과 동일하게 나타날 수 있다.Specifically, in some embodiments of the invention, at step 5410, the feedback device 100 may apply the first voltage V1 at a first time instant tl. In one embodiment, if the first voltage V1 is equal to the voltage Va, the temperature of the contact surface 1600 may appear the same as the line 5301.

또한, 일 실시예에서, 단계(5420)에서, 피드백 디바이스(100)는 제2 시점(t2)에서 제2 전압(V2)을 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전압(V1)과 제2 전압(V2)이 전압(Va)과 동일할 경우, 접촉면(1600)의 온도는 선(5301)과 동일하게 나타날 수 있다.Also, in one embodiment, at step 5420, the feedback device 100 may apply the second voltage V2 at a second time instant t2. In one embodiment, if the first voltage V1 and the second voltage V2 are equal to the voltage Va, the temperature of the contact surface 1600 may be the same as the line 5301.

그러나, 일 실시예에서, 제1 전압(V1)이 제2 전압(V2)보다 크고, 도 56의 제2 시점(t2)이 도 53에서 접촉면(1600)의 온도가 최저 온도에 도달한 시점보다 빠를 수 있다. 이 경우, 도 56의 제2 시점(t2)은 제1 전압(V1)에 의해 접촉면(1600)의 온도가 최저온도에 도달하기 전 시점일 수 있고, 이에 따라, 접촉면(1600)의 온도는 최저 온도에 도달하지 못할 수 있고, 이에 따라, 사용자는 의도된 냉열을 전달받지 못할 수 있다.However, in one embodiment, the first voltage V1 is larger than the second voltage V2, and the second time point t2 in FIG. 56 is shorter than the time point at which the contact surface 1600 reaches the minimum temperature in FIG. It can be fast. 56 may be the time before the temperature of the contact surface 1600 reaches the minimum temperature by the first voltage V1 so that the temperature of the contact surface 1600 reaches the lowest temperature The temperature may not be reached, and thus the user may not receive the intended cold heat.

반면, 다른 일 실시예에서, 제1 전압(V1)이 제2 전압(V2)보다 크고, 도 56의 제2 시점(t2)은 도 53에서 접촉면(1600)의 온도가 최저온도에 도달하는 시점보다 느릴 수 있다. 이 경우, 도 56의 제2 시점(t2)은 제1 전압(V1)에 의해 접촉면(1600)의 온도가 최저온도에 도달한 이후 시점일 수 있고, 접촉면(1600)의 온도는 최저 온도를 유지할 수 있다. 다만, 제1 시점(t1)부터 제2 시점(t2) 사이의 시간 동안, 제1 전압(V1)이 지속적으로 인가됨에 따라, 제2 전압(V2)가 인가되는 경우보다 많은 양의 폐열이 발생될 수 있다. 이로 인해, 접촉면(1600)의 온도는 최저온도를 유지하지 못하고 온도가 높아질 수 있으며, 발생된 폐열은 제2 시점(t2) 이후의 접촉면(1600)의 온도에도 영향을 줄 수 있고, 경우에 따라, 폐열로 인해, 상기 지속 시간은 짧아지고, 상기 지속 온도는 높아질 수 있다. 물론, 발생되는 폐열양 또는 피드백 디바이스(100)의 특성에 따라, 지속시간은 폐열의 영향을 적게 받을수도 있으며, 이 경우, 도 56의 제2 시점(t2)이 도 53에서 접촉면(1600)의 온도가 최저온도에 도달하는 시점보다 늦더라도, 접촉면(1600)의 온도는 최저 온도를 유지할 수도 있고, 상기 지속 시간 및 상기 지속 시간에 미치는 영향이 적을 수도 있다.56, the first voltage V1 is greater than the second voltage V2, and the second time point t2 of FIG. 56 is a time point when the temperature of the contact surface 1600 reaches the minimum temperature in FIG. Can be slower. In this case, the second time point t2 in FIG. 56 may be a time point after the temperature of the contact surface 1600 reaches the minimum temperature by the first voltage V1, and the temperature of the contact surface 1600 may be maintained at the minimum temperature . However, as the first voltage V1 is continuously applied during the period from the first time point t1 to the second time point t2, a larger amount of waste heat is generated than when the second voltage V2 is applied . As a result, the temperature of the contact surface 1600 does not maintain the minimum temperature, and the temperature may increase, and the generated waste heat may also affect the temperature of the contact surface 1600 after the second time point t2, , Due to waste heat, the duration can be shortened and the sustain temperature can be increased. Of course, depending on the amount of waste heat generated or the characteristics of the feedback device 100, the duration may be less affected by the waste heat. In this case, the second time point t2 in FIG. Although the temperature is later than the point at which the temperature reaches the minimum temperature, the temperature of the contact surface 1600 may maintain the lowest temperature and the effect on the duration and duration may be less.

따라서, 피드백 디바이스(100)는 접촉면(1600)의 온도가 최저온도에 도달하고, 지속 시간 및 지속 온도가 향상되도록 전압의 인가 시점을 결정하고, 단계(5410) 및 단계(5420)을 통하여, 상기 결정된 시점에 전압을 인가함으로써, 냉열 전달 성능을 향상시킬 수 있다.Thus, the feedback device 100 determines the application time of the voltage such that the temperature of the contact surface 1600 reaches the minimum temperature, the duration and the continuous temperature are improved, and, via steps 5410 and 5420, By applying the voltage at the determined time point, the cooling / heating performance can be improved.

도 57은 본 발명의 실시예에 따른 복수의 전압 인가에 따른 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하기 위한 도면이다.57 is a view for explaining the cooling / heating performance of the feedback device 100 according to the application of a plurality of voltages according to the embodiment of the present invention.

도 57을 참조하면, 도 55 및 도 56의 예에서는 두가지 크기의 전압을 인가하는 실시예를 기초로 피드백 디바이스(100)의 냉열 전달 성능을 설명하였지만, 본 발명에는 도 57에서와 같이 세가지 이상의 크기의 전압을 인가하는 실시예 역시 적용될 수 있다.Referring to FIG. 57, in the examples of FIGS. 55 and 56, the cooling / heating performance of the feedback device 100 is described based on the embodiment of applying voltages of two sizes. However, in the present invention, May be applied.

도 57에서, 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타내며, 선(5701)은 제1 전압(V1) 내지 제5 전압(V5)가 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다.57, the x-axis of the graph represents time, the y-axis represents temperature, and the line 5701 represents the temperature of the contact surface 1600 when the first voltage V1 to the fifth voltage V5 are applied have.

본 발명의 실시예에서, 피드백 디바이스(100)가 냉감 피드백을 제공할 경우, 피드백 디바이스(100)는 사용자의 냉감 인지 성능이 향상되도록, 열전 모듈(100)에 인가하는 복수의 전압의 크기 및 상기 복수의 전압의 인가 시점에 대해 결정할 수 있다.In an embodiment of the present invention, when the feedback device 100 provides cold feedback, the feedback device 100 controls the magnitude of the plurality of voltages applied to the thermoelectric module 100, It is possible to determine the application timing of a plurality of voltages.

도 57의 예에서, 제1 전압(V1) 내지 제5 전압(V5)은 순차적으로 높은 전압값을 가질 수 있다. 즉, 제1 전압(V1)이 가장 낮은 전압값을 갖고, 제5 전압(V5)가 가장 높은 전압값을 갖도록 설정될 수 있다. 또한, 제1 전압(V1) 내지 제5 전압(V5)은 각각 제1 시점(t1) 내지 제5 시점(t2)에 인가되도록 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 시점(t1) 내지 제2 시점(t2) 사이에서, 접촉면(1600)의 온도는 최저온도에 도달한 후, 폐열에 의하여 점차 온도가 상승될 수 있다. 그리고, 제2 시점(t2) 내지 제3 시점(t3) 사이에서 제2 전압(V2)가 인가되면, 온도가 일시적으로 하강한 후 상승할 수 있다. 또한, 제3 시점(t3) 내지 제4 시점(t4) 사이, 제4 시점(t4) 내지 제5 시점(t5) 사이에서도, 제3 전압(V3) 또는 제4 전압(V4)가 인가되면, 접촉면(1600)의 온도가 일시적으로 하강한 후 상승할 수 있다. 그리고, 제5 시점(t5)이후에서, 제5 전압(V5)이 인가되면, 온도가 일시적으로 하강된 후 상승하되 특정온도에서 온도가 유지될 수 있다.In the example of FIG. 57, the first voltage V1 to the fifth voltage V5 may sequentially have a high voltage value. That is, the first voltage V1 has the lowest voltage value and the fifth voltage V5 has the highest voltage value. The first voltage V1 to the fifth voltage V5 may be set to be applied from the first time point t1 to the fifth time point t2, respectively. In one embodiment, between the first time point t1 and the second time point t2, the temperature of the contact surface 1600 may be gradually increased by the waste heat after reaching the lowest temperature. When the second voltage V2 is applied between the second time point t2 and the third time point t3, the temperature may temporarily rise and then rise. When the third voltage V3 or the fourth voltage V4 is applied between the third time point t3 and the fourth time point t4 and between the fourth time point t4 and the fifth time point t5, The temperature of the contact surface 1600 may rise temporarily and then rise. Then, after the fifth time point t5, when the fifth voltage V5 is applied, the temperature is temporarily lowered and then the temperature is maintained at a specific temperature while being raised.

이와 같이, 경우에 따라, 순차적으로 높은 크기의 전압을 인가될 경우, 높은 크기의 전압이 인가될 경우에 접촉면(1600)의 기대 온도가 낮아지므로, 접촉면(1600)의 온도는 점차 감소되거나 유지될 수 있다. 또한, 제2 시점(t2) 내지 제5 시점(t5)에서 일시적으로 온도가 하강됨에 따라, 사용자는 해당 시점에서 강한 냉감을 느낄 수 있다. In this case, when a high-order voltage is sequentially applied, the expected temperature of the contact surface 1600 is lowered when a high-voltage voltage is applied, so that the temperature of the contact surface 1600 is gradually reduced or maintained . Also, as the temperature is temporarily lowered from the second time point t2 to the fifth time point t5, the user can feel a strong cold feeling at that time point.

이에 따라, 피드백 디바이스(100)는 피드백 디바이스(100)의 특성에 맞게 복수의 전압 및 복수의 전압의 인가시점을 결정하고, 상기 복수의 인가시점에 상기 복수의 전압을 인가함으로써, 냉열 전달 성능을 향상시킬 수 있다. 물론, 도 57에서는 전압값이 순차적으로 높아지는 실시예를 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 열전 모듈(1000)에 인가되는 복수의 전압값의 크기는 다양하게 설정될 수 있다.Accordingly, the feedback device 100 determines the application timing of the plurality of voltages and the plurality of voltages in accordance with the characteristics of the feedback device 100, and applies the plurality of voltages at the plurality of application time points, Can be improved. Of course, the description has been made with reference to the embodiment in which the voltage value sequentially increases in FIG. 57, but the present invention is not limited thereto. The magnitude of the plurality of voltage values applied to the thermoelectric module 1000 can be variously set.

4.3. 열전 동작 제어를 통한 사용자 인지 향상 방법4.3. How to Improve User Perception by Controlling Thermoelectric Motion

전술한 바와 같이, 일 실시예에서, 피드백 디바이스(100)가 흡열 동작을 수행할 때, 접촉면(1600)의 온도는 최저 온도에 도달한 후, 폐열로 인해 접촉면(1600)의 온도가 다소 상승하여 소정의 온도범위 내의 온도인 지속 온도에 도달할 수 있다. 이러한 접촉적(1600)의 온도 변화로부터 사용자는 냉감을 제공받을 수 있다.As described above, in one embodiment, when the feedback device 100 performs an endothermic operation, after the temperature of the contact surface 1600 reaches the minimum temperature, the temperature of the contact surface 1600 rises slightly due to the waste heat It is possible to reach a continuous temperature which is a temperature within a predetermined temperature range. From this temperature change of the contact 1600, the user can be provided with a cool feeling.

다만, 피드백 디바이스(100)로부터 냉열이 지속적으로 전달되더라도, 사용자는 일정 수준의 냉감을 느끼지 못할 수 있다. 특히, 피드백 디바이스(100)가 지속 온도를 유지하는 구간에서, 사용자는 냉감 인지가 저하될 수 있고, 경우에 따라서는 사용자가 냉감을 느끼지 못할 수도 있다. 이는, 사람의 감각기의 특성에 기인한 것인데, 사람의 감각기는 특정 강도의 자극이 지속되면 해당 강도의 자극을 느낄 수 없으며, 상기 특정 강도의 자극에 비해 일정 비율 이상의 자극이 인가되어야만 자극의 변화를 인지할 수 있다. 이는 베버의 법칙(Weber's law)으로도 설명이 가능하다. However, even if cold heat is continuously transmitted from the feedback device 100, the user may not feel a certain level of cold feeling. In particular, in the interval in which the feedback device 100 maintains the sustained temperature, the user may be in a cold sense, and in some cases the user may not feel cold. This is due to the characteristics of the human senses. The human senses can not feel the intensity of the stimulus when the stimulus of a certain intensity persists. If the stimulus is applied at a certain rate or more than the stimulus of the specific intensity, It can be recognized. This can be explained by Weber's law.

이하에서는, 이러한 사람의 감각기의 특성에 불구하고, 피드백 디바이스(100)가 사용자의 냉감 인지를 향상시키기 위한 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method for improving whether the feedback device 100 is a cold feeling of the user, regardless of the characteristics of the person's senses, will be described.

도 58은 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어를 통한 사용자 인지 성능 향상 방법을 나타낸 동작 흐름도이다.58 is a flowchart illustrating a method for improving user perception through thermoelectric operation control according to an embodiment of the present invention.

도 58을 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열전 동작의 수행 및 열전 동작의 수행 중단을 통해 사용자의 냉감 인지를 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 58, the feedback device 100 may improve the cool feeling of the user through the execution of the thermoelectric action and the interruption of the thermoelectric action.

구체적으로, 피드백 디바이스(100)는 열전 동작을 수행하는 제1 주기 및 열전 동작을 중단하는 제2 주기를 결정할 수 있다. 그리고, 피드백 디바이스(100)는 제1 주기 동안 열전 동작을 수행할 수 있다(5810). 또한. 피드백 디바이스(100)는 제2 주기 동안 열전 동작을 중단할 수 있다(5820). 또한, 피드백 디바이스는 사용자에게 냉감을 제공하는 동안 단계(5810) 및 단계(5820)을 반복적으로 수행할 수 있고, 이에 따라, 사용자의 인지 성능이 향상될 수 있다. 이하에서는 단계(5810) 및 단계(5820)에 대해 보다 상세하게 설명한다.Specifically, the feedback device 100 may determine a first period of performing the thermoelectric action and a second period of interrupting the thermoactivity. The feedback device 100 may then perform a thermoelectric operation during a first period (5810). Also. The feedback device 100 may stop the thermoelectric action during the second period (5820). In addition, the feedback device may repeatedly perform steps 5810 and 5820 while providing a cool feeling to the user, thereby improving the cognitive performance of the user. Steps 5810 and 5820 are described in more detail below.

도 59는 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작의 제어를 위한 주기를 설명하기 위한 도면이다.59 is a diagram for explaining a cycle for controlling the thermoelectric action according to the embodiment of the present invention.

도 59를 참조하면, 그래프의 x축은 시간을 나타내고, y축은 전압을 나타낼 수 있다. 피드백 디바이스(100)는 특정 크기의 전압을 인가 및 비인가하여 열전 동작을 제어할 수 있다. 여기서, 열전 동작은 발열 동작 및 흡열 동작을 포함할 수 있다. 예를 들어, 피드백 디바이스(100)가 제1 주기(T1) 동안 특정 전압값을 갖는 제1 전압을 인가하면 열전 모듈(100)은 제1 전압에 따른 냉감 피드백을 출력하고, 제2 주기(T2)동안 제1 전압의 인가를 중단하면, 열전 모듈(100)은 상기 냉감 피드백을 출력하지 않을 수 있다. 그리고, 피드백 디바이스(100)는 사용자의 냉감 인지 정도가 향상되도록, 전체 주기(T)에 따라 제1 주기(T1) 및 제2 주기(T2)에 따른 제1 전압의 인가 및 인가 중단을 반복할 수 있다. 도 59에서는 동일한 전압을 인가할 경우의 열전 동작의 제어를 중심으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 전압값을 갖는 복수의 전압을 인가할 경우도 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어를 통한 사용자 인지 성능 향상 방법에 적용될 수 있다.59, the x-axis of the graph represents time, and the y-axis represents voltage. The feedback device 100 can control the thermoelectric operation by applying and not applying a voltage of a certain magnitude. Here, the thermoelectric operation may include an exothermic operation and an exothermic operation. For example, when the feedback device 100 applies a first voltage having a specific voltage value during the first period T1, the thermoelectric module 100 outputs cold feedback according to the first voltage, and the second period T2 ), The thermoelectric module 100 may not output the cold feedback. The feedback device 100 repeats the application and stop of the first voltage according to the first period T1 and the second period T2 according to the entire period T so that the degree of cool feeling of the user is improved . 59, the control of the thermoelectric conversion operation when the same voltage is applied is mainly described. However, the present invention is not limited to this. When a plurality of voltages having different voltage values are applied, the thermoelectric conversion control The present invention can be applied to a method for enhancing the perceived performance of a user via the Internet.

도 60은 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어를 통한 사용자 인지 성능 향상 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 60 is a view for explaining a method for improving user perception through thermoelectric operation control according to an embodiment of the present invention.

도 60을 참조하면, 피드백 디바이스(100)는 열적 모듈(100)에 특정 전압값을 갖는 제1 전압을 인가할 수 있다. 도 60의 예에서, 제1 전압은 냉감 피드백의 출력에 이용되는 전압일 수 있다.Referring to FIG. 60, the feedback device 100 may apply a first voltage having a specific voltage value to the thermal module 100. In the example of Fig. 60, the first voltage may be the voltage used for the output of the cold feedback.

도 60의 그래프에서, x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타낼 수 있으며, 선(6020)은 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다. 도 60에서, 제1 전압이 열전 모듈(100)에 인가됨에 따라, 접촉면의 온도(1600)는 초기 온도에서 최저 온도로 도달한 후, 특정 온도구간 내에서 유지될 수 있다. 그러나, 접촉면(1600)의 온도가 특정 온도구간에서 장시간 유지되면, 전술한 베버의 법칙에 의해 사용자의 냉감 인지 정도가 낮아질 수 있다. 이를 위해, 피드백 디바이스(1600)는 단계(5810)에서, 제1 주기동안 열전 동작을 수행하고, 단계(5820)에서, 제2 주기동안 열전 동작을 중단할 수 있다. 이에 따라, 접촉면(1600)의 온도는 상기 특정 온도 구간에 도달한 후 주기적으로 소정범위 이상의 온도 상승 및 온도 하강이 이뤄질 수 있다. 예를 들어, 접촉면(1600)의 온도가 상기 특정 온도 구간에 도달한 후, 제2 주기동안 소정 범위 이상 온도가 상승한 후, 제1 주기 동안 상승된 온도에서 소정 범위 이상 온도가 하강될 수 있다. 여기서 상기 소정 범위는 상기 특정 온도 구간보다 넓은 온도 범위를 의미할 수 있다. 이로 인해, 사용자는 주기적인 온도 하강에 따른 냉열을 전달받고, 상기 냉열에 의하여 사용자는 보다 잘 냉감을 인지할 수 있다.In the graph of FIG. 60, the x-axis may represent time, the y-axis may represent temperature, and line 6020 may represent the temperature of contact surface 1600. 60, as the first voltage is applied to the thermoelectric module 100, the temperature of the contact surface 1600 can be maintained within a certain temperature range after reaching the lowest temperature at the initial temperature. However, if the temperature of the contact surface 1600 is maintained for a long time in a specific temperature range, the degree of cold feeling of the user can be lowered by the Weber's law described above. To this end, the feedback device 1600 may perform a thermoelectric operation during a first period, at step 5810, and stop thermoelectric operation during a second period, at step 5820. [ Accordingly, the temperature of the contact surface 1600 may be periodically increased or decreased by more than a predetermined range after reaching the specific temperature range. For example, after the temperature of the contact surface 1600 has reached the specific temperature range, the temperature may be lowered by a predetermined range or more at an elevated temperature for the first period after the temperature rises over a predetermined range for the second period. Here, the predetermined range may mean a temperature range that is wider than the specific temperature range. Accordingly, the user receives cold heat according to the periodic temperature drop, and the user can recognize the cold feeling better by the cold heat.

또한, 선(6021)은 접촉면(1600)의 온도가 특정 온도구간에서 지속되는 동안 피드백 디바이스(100)에서 단계(5810) 및 단계(5820)이 반복적으로 수행될 경우의 접촉면(1600)의 온도 변화를 나타낸다. 이에 대해서는, 도 61 및 도 62에서 상세하게 설명한다.The line 6021 also indicates the temperature change of the contact surface 1600 when the step 5810 and the step 5820 are repeatedly performed in the feedback device 100 while the temperature of the contact surface 1600 continues at a certain temperature interval. . This will be described in detail in Fig. 61 and Fig.

도 61은 본 발명의 실시예에 따른 열전 동작 제어에 의한 접촉면의 온도변화를 설명하기 위한 도면이다.61 is a view for explaining the temperature change of the contact surface by the thermoelectric operation control according to the embodiment of the present invention.

도 61을 참조하면, 도 61의 그래프는 피드백 디바이스(100)가 단계(5810) 및 단계(5820)을 반복적으로 수행할 경우의 접촉면(1600)의 온도 변화를 나타낼 수 있다. 도 61의 그래프에서 나타난 바와 같이, 접촉면(1600)의 온도는 제1 온도(temp 1) 및 제2 온도(temp 2)의 구간 내에서 온도 상승 및 온도 하강을 반복할 수 있다. 이러한 온도 상승 및 온도 하강에 따라, 사용자의 냉감 인지 성능이 향상될 수 있다.Referring to Fig. 61, the graph of Fig. 61 may show the temperature change of the contact surface 1600 when the feedback device 100 repeatedly performs steps 5810 and 5820. [ As shown in the graph of FIG. 61, the temperature of the contact surface 1600 can repeat the temperature rise and the temperature fall within the section of the first temperature (temp 1) and the second temperature (temp 2). Depending on the temperature rise and the temperature fall, the cool feeling or performance of the user can be improved.

본 발명의 실시예에서, 제1 온도(temp 1) 및 제2 온도(temp 2)의 온도차가 임계 온도차 이상일 경우에 사용자의 냉감 인지 성능이 향상될 수 있다. 제1 온도(temp 1) 및 제2 온도(temp 2)의 온도차가 상기 임계 온도차 이하일 경우에는, 사용자에게 일정 수준 이상의 자극이 인가되지 않고, 베버의 법칙에 따라, 사용자가 냉열의 변화를 인지하기 어렵기 때문이다.In the embodiment of the present invention, the cool feeling or performance of the user can be improved when the temperature difference between the first temperature (temp 1) and the second temperature (temp 2) is equal to or greater than the threshold temperature difference. When the temperature difference between the first temperature (temp 1) and the second temperature (temp 2) is equal to or less than the threshold temperature difference, the user is not stimulated to a certain level or higher, and according to Weber's law, It is difficult.

본 발명의 몇몇 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 상기 임계 온도차를 미리 설정할 수 있다. 베버의 법칙에 따라, 사용자에게 새롭게 전달되는 냉열의 온도가 이전에 사용자에게 전달된 냉열의 온도 대비 일정 비율 이상 차이가 나야만 사용자가 냉감 변화를 인지할 수 있다. 이에 따라, 상기 임계 온도차는 사용자에게 이전에 전달된 냉열에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 접촉면(1600)의 온도가 특정 범위 내에서 유지되는 경우, 피드백 디바이스(1600)는 상기 특정 범위의 온도를 확인하고, 상기 특정 범위의 온도를 이용하여 상기 임계 온도차를 설정할 수 있다.In some embodiments of the invention, the feedback device 100 may preset the threshold temperature difference. According to Weber's law, the user can recognize the cold change only if the temperature of the new heat transmitted to the user differs by a predetermined ratio or more with respect to the temperature of the cold received beforehand to the user. Accordingly, the threshold temperature difference may be changed according to the cold heat previously transmitted to the user. Accordingly, when the temperature of the contact surface 1600 is maintained within a certain range, the feedback device 1600 can confirm the temperature of the specific range and set the threshold temperature difference using the temperature in the specific range.

또한, 본 발명의 몇몇 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 접촉면(1600)에서 상기 임계 온도차가 발생되도록 제어할 수 있다. 구체적으로, 단계(5810) 및 단계(5820)에서의 접촉면(1600)의 온도 변화량은, 단계(5810) 및 단계(5820)에서 열전 모듈(100)에 인가되는 전압의 크기, 열전 동작이 수행되는 제1 주기 및 열전 동작이 중단되는 제2 주기 중 적어도 하나에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 제2 주기가 짧을 경우, 접촉면(1600)의 온도가 높아지는 시간이 짧아지게 되고, 이에 따라, 상기 온도 변화량은 감소될 수 있다. 또한, 제1 주기가 짧을 경우, 접촉면(1600)의 온도가 낮아지는 시간이 짧아지게 되고, 이에 따라, 상기 온도 변화량은 감소될 수 있다. 그리고, 단계(5810) 및 단계(5820)에서 열전 모듈(100)에 인가되는 전압의 크기가 클 경우, 상기 접촉면(1600)의 온도 변화량은 증가될 수 있다. 피드백 디바이스(100)는 상기 임계 온도차를 설정하고, 접촉면(1600)의 온도 변화량이 상기 임계 온도차 이상이 되도록, 단계(5810) 및 단계(5820)에서 열전 모듈(100)에 인가되는 전압의 크기, 열전 동작이 수행되는 제1 주기 및 열전 동작이 중단되는 제2 주기 중 적어도 하나를 조절할 수 있다.Further, in some embodiments of the present invention, the feedback device 100 may control to cause the threshold temperature difference to be generated at the contact surface 1600. Specifically, the amount of temperature change of the contact surface 1600 in steps 5810 and 5820 is determined by the magnitude of the voltage applied to the thermoelectric module 100 in steps 5810 and 5820, The first cycle and the second cycle in which the thermoelectric operation is interrupted. For example, if the second period is short, the time at which the temperature of the contact surface 1600 becomes high is shortened, and accordingly, the temperature change amount can be reduced. In addition, when the first period is short, the time for lowering the temperature of the contact surface 1600 is shortened, and accordingly, the temperature change amount can be reduced. If the magnitude of the voltage applied to the thermoelectric module 100 in steps 5810 and 5820 is large, the amount of temperature change of the contact surface 1600 may be increased. The feedback device 100 sets the threshold temperature difference and determines the magnitude of the voltage applied to the thermoelectric module 100 in steps 5810 and 5820 so that the temperature change amount of the contact surface 1600 is greater than or equal to the threshold temperature difference, At least one of a first period in which the thermoelectric operation is performed and a second period in which the thermoelectric operation is interrupted.

도 62는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 동작 제어에 의한 접촉면의 온도변화를 설명하기 위한 도면이다.62 is a view for explaining the temperature change of the contact surface by thermoelectric operation control according to another embodiment of the present invention.

도 62를 참조하면, 피드백 디바이스(100)가 단계(5810) 및 단계(5820)을 반복적으로 수행할 경우의 접촉면(1600)의 온도 변화를 나타낼 수 있다. 도 62의 그래프에서 나타난 바와 같이, 접촉면(1600)의 온도는 제1 온도(temp 1) 및 제2 온도(temp 2)의 구간 내에서 온도 상승 및 온도 하강을 주기적으로 반복할 수 있다. 이 때, 제1 온도(temp 1) 및 제2 온도(temp 2)의 구간 내에서, 접촉면(1600)의 온도가 상승하는 시간을 나타내는 제1 시간(t1) 및 접촉면(1600)의 온도가 하강하는 시간을 나타내는 제2 시간(t2)의 시간 비율은 다양하게 나타낼 수 있다. (a)의 예에서, 제1 시간(t1) 및 제2 시간(t2)은 서로 동일할 수 있다. 그러나, (b)의 예에서, 제1 시간(t1)이 제2 시간(t2)보다 짧을 수 있는 반면, (c)의 예에서는, 제1 시간(t1)이 제2 시간(t2)보다 길 수 있다. Referring to Figure 62, the feedback device 100 may indicate a temperature change of the contact surface 1600 when it repeatedly performs steps 5810 and 5820. [ As shown in the graph of FIG. 62, the temperature of the contact surface 1600 can be periodically repeated in temperature rise and temperature fall within the interval of the first temperature (temp 1) and the second temperature (temp 2). At this time, within the interval of the first temperature (temp 1) and the second temperature (temp 2), the first time t1 indicating the time when the temperature of the contact surface 1600 rises and the temperature of the contact surface 1600 falling The time ratio of the second time t2 indicating the time at which the time t2 is displayed can be variously displayed. In the example of (a), the first time t1 and the second time t2 may be equal to each other. However, in the example of (b), the first time t1 may be shorter than the second time t2, while in the example of (c), the first time t1 is longer than the second time t2 .

본 발명의 실시예에서, 피드백 디바이스(100)는 제1 시간(t1) 및 제2 시간(t2)의 시간 비율을 조절할 수 있다. 구체적으로, 피드백 디바이스(100)가 냉감 피드백을 출력할 때, 상기 제1 시간(t1)은 열전 동작이 중단되는 시간이고, 상기 제2 시간(t2)는 열전 동작이 수행되는 시간이다. 또한, 피드백 디바이스(100)가 온감 피드백을 출력할 때, 상기 제1 시간(t1)은 열전 동작이 수행되는 시간이고, 상기 제2 시간(t2)는 열전 동작이 중단되는 시간이다. 피드백 디바이스(100)는 열전 동작을 수행하는 시간 및 열전 동작을 중단하는 시간을 조절하여, 사용자의 인지 정도가 향상되도록 상기 제1 시간(t1) 및 상기 제2 시간(t2)의 시간 비율을 조절할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the feedback device 100 may adjust the time ratio of the first time tl and the second time t2. Specifically, when the feedback device 100 outputs cold feedback, the first time t1 is the time when the thermoelectric action is interrupted, and the second time t2 is the time when the thermoelectric action is performed. Also, when the feedback device 100 outputs the warm-up feedback, the first time t1 is the time at which the thermoelectric action is performed, and the second time t2 is the time at which the thermoelectric action is interrupted. The feedback device 100 adjusts the time ratio of the first time t1 and the second time t2 so as to improve the perception of the user by adjusting the time for performing the thermoelectric action and the time for interrupting the thermoelectric action .

예를 들어, 본 발명의 일부 실시예에서, 피드백 디바이스(100)가 냉감 피드백을 출력하는 경우, 접촉면(1600)의 온도가 상승하는 구간보다 하강하는 구간이 짧은 것이 사용자의 냉감 인지에 유리할 수 있다. 이 경우, 피드백 디바이스(100)는 (c)와 같이, 상기 제2 시간(t2)이 상기 제1 시간(t1)보다 짧도록 열전 모듈(1000)을 제어할 수 있다.For example, in some embodiments of the present invention, when the feedback device 100 outputs cold feedback, it may be advantageous for the user to be cool if the interval over which the temperature of the contact surface 1600 rises is shorter . In this case, the feedback device 100 may control the thermoelectric module 1000 such that the second time t2 is shorter than the first time t1, as shown in (c).

또한, 피드백 디바이스(100)가 온감 피드백을 출력하는 경우, 접촉면(1600)의 온도가 상승하는 구간이 하강하는 구간이 짧은 것이 사용자의 온감 인지에 유리할 수 있다. 이 경우, 피드백 디바이스(100)는 (b)와 같이, 상기 제1 시간(t1)이 상기 제2 시간(t2)보다 짧도록 열전 모듈(1000)을 제어할 수 있다.In addition, when the feedback device 100 outputs warm feedback, it is advantageous that the section where the temperature rising portion of the contact surface 1600 falls is short is a warmth of the user. In this case, the feedback device 100 may control the thermoelectric module 1000 such that the first time t1 is shorter than the second time t2, as shown in (b).

도 63 내지 도 65는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전 동작 제어에 의한 접촉면의 온도변화를 설명하기 위한 도면이다.63 to 65 are diagrams for explaining the temperature change of the contact surface by thermoelectric operation control according to another embodiment of the present invention.

도 63을 참조하면, 도 63 내지 도 65의 그래프는 피드백 디바이스(100)가 단계(5810) 및 단계(5820)을 반복적으로 수행할 경우의 접촉면(1600)의 온도 변화를 나타낼 수 있다. 다만, 도 63 내지 도 65의 그래프는 열전 동작이 수행되는 제1 주기 및 열전 동작이 중단되는 제2 주기가 상이할 수 있다. 구체적으로, 도 63의 그래프는 제1 주기가 59.5초, 제2 주기가 0.5초, 전체주기가 60초로 설정되고, 도 64의 그래프는 제1 주기가 58초, 제2 주기가 2초, 전체주기가 60초로 설정되며, 도 65의 그래프는 제1 주기가 50초, 제2 주기가 10초, 전체주기가 60초로 설정될 수 있다. 또한, 도 63 내지 도 65의 그래프는 열전 모듈(1000)에 다양한 강도의 전압이 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도변화를 나타낼 수 있다. 구체적으로, 도 63 내지 도 65의 그래프에서, x축은 시간을 나타내고, y축은 온도를 나타내며, 선(6001, 6101, 6201)은 주변 온도를 나타내고, 선(6010, 6110, 6210)은 제1 전압이 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타내고, 선(6020, 6120, 6220)은 제2 전압이 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타내고, 선(6030, 6130, 6230)은 제3 전압이 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타내고, 선(6040, 6140, 6240)은 제4 전압이 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타낼 수 있다. 여기서, 제1 전압, 제2 전압, 제3 전압 및 제4 전압 순으로 전압의 크기가 클 수 있다.Referring to Fig. 63, the graphs of Figs. 63-65 may illustrate the temperature variation of the contact surface 1600 when the feedback device 100 repeatedly performs steps 5810 and 5820. In Fig. However, the graphs of FIGS. 63 to 65 may be different from the first period in which the thermoelectric operation is performed and the second period in which the thermoelectric operation is interrupted. Specifically, in the graph of FIG. 63, the first cycle is set to 59.5 seconds, the second cycle is set to 0.5 second, and the whole cycle is set to 60 seconds. In the graph of FIG. 64, the first cycle is 58 seconds, the second cycle is 2 seconds, The period is set to 60 seconds, and the graph of FIG. 65 can be set to 50 seconds for the first period, 10 seconds for the second period, and 60 seconds for the entire period. In addition, the graphs of FIGS. 63 to 65 may show a temperature change of the contact surface 1600 when a voltage of various strength is applied to the thermoelectric module 1000. Specifically, in the graphs of FIGS. 63 to 65, the x-axis represents time, the y-axis represents temperature, lines 6001, 6101 and 6201 represent ambient temperature, and lines 6010, 6110, The lines 6020, 6120 and 6220 represent the temperature of the contact surface 1600 when the second voltage is applied and the lines 6030, 6130 and 6230 represent the temperature of the contact surface 1600 when the second voltage is applied, 3 shows the temperature of the contact surface 1600 when the voltage is applied and lines 6040, 6140 and 6240 indicate the temperature of the contact surface 1600 when the fourth voltage is applied. Here, the first voltage, the second voltage, the third voltage, and the fourth voltage may be large in magnitude.

본 발명의 실시예에서, 도 63 내지 도 65의 그래프에서 나타난 바와 같이, 피드백 디바이스(1600)가 단계(5810) 및 단계(5820)를 반복적으로 수행함에 따라, 접촉면(1600)의 온도가 특정 온도로 유지되는 구간에서도, 소정의 온도범위 내에서 온도 상승 및 온도 하강이 반복될 수 있다. 이러한 온도 상승 및 온도 하강에 따라, 사용자의 냉감 인지 성능이 향상될 수 있다.In an embodiment of the present invention, as the feedback device 1600 repeatedly performs steps 5810 and 5820, as shown in the graphs of Figures 63-65, The temperature rise and the temperature fall can be repeated within a predetermined temperature range. Depending on the temperature rise and the temperature fall, the cool feeling or performance of the user can be improved.

또한, 본 발명의 다른 실시예에서, 도 63 내지 도 65의 그래프에서 나타난 바와 같이, 전체 주기에서 제2 주기의 비율이 높을수록 제1 주기에서의 접촉면(1600)의 온도와 제2 주기에서의 접촉면(1600)의 온도의 차이는 커질 수 있다. 예를 들어, 제2 전압이 인가될 경우의 접촉면(1600)의 온도를 나타낸 선(6020, 6120, 6220)을 비교할 때, 동일한 크기의 전압이 인가될 경우에도, 열전 동작이 수행되지 않는 제2 주기가 길어질수록, 제1 주기에서의 접촉면(1600)의 온도와 제2 주기에서의 접촉면(1600)의 온도의 차이는 커질 수 있다.Further, in another embodiment of the present invention, as shown in the graphs of FIGS. 63 to 65, the higher the ratio of the second period in the whole period, the higher the temperature of the contact surface 1600 in the first period, The difference in temperature of the contact surface 1600 can be large. For example, when comparing the lines 6020, 6120, and 6220 representing the temperature of the contact surface 1600 when the second voltage is applied, even when the voltages of the same magnitude are applied, The longer the period, the larger the difference between the temperature of the contact surface 1600 in the first period and the temperature of the contact surface 1600 in the second period.

본 발명의 실시예에서, 피드백 디바이스(1600)는 제1 주기 및 제2 주기를 적절히 조절하여 사용자의 인지 정도가 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 도 61에서 전술한 사용자가 냉감 변화를 인지할 수 있는 온도차이를 나타내는 임계 온도차가 제1 임계치보다 적고, 도 63에서의 제1 주기에서의 접촉면(1600)의 온도와 제2 주기에서의 접촉면(1600)의 온도의 차이가 상기 제1 임계치 보다 클 경우, 피드백 디바이스(100)가 도 63에서의 제1 주기 및 제2 주기에 따라 단계(5810) 및 단계(5820)을 수행한다면, 사용자는 냉감의 변화를 인지할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the feedback device 1600 may adjust the first and second periods appropriately to improve the perception of the user. For example, when the threshold temperature difference indicating the temperature difference at which the user can recognize the cold change is smaller than the first threshold, the temperature of the contact surface 1600 in the first period in Fig. 63, If the feedback device 100 performs the steps 5810 and 5820 in accordance with the first period and the second period in FIG. 63, if the difference in temperature of the contact surface 1600 in the feedback device 100 is greater than the first threshold , The user can perceive a change in cold feeling.

다른 예를 들어, 상기 임계 온도차가 상기 제1 임계치보다는 높으나, 상기 제1 임계치보다 높은 제2 임계치보다는 적고, 도 64에서의 제1 주기에서의 접촉면(1600)의 온도와 제2 주기에서의 접촉면(1600)의 온도의 차이가 상기 제2 임계치 보다 클 경우, 피드백 디바이스(100)는 도 64에서의 제1 주기 및 제2 주기에 따라 단계(5810) 및 단계(5820)을 수행하여 사용자 인지 성능을 향상시킬 수 있다. 다만, 이 경우, 도 65에서의 제1 주기에서의 접촉면(1600)의 온도와 제2 주기에서의 접촉면(1600)의 온도의 차이 역시 상기 제2 임계치 보다 클수 있으므로, 피드백 디바이스(100)가 도 65에서의 제1 주기 및 제2 주기에 따라 단계(5810) 및 단계(5820)을 수행하여도 사용자 인지 성능이 향상될 수 있다. 다만, 도 64의 제2 주기에 비해 도 65의 제2 주기가 길고, 이로 인해 도 64에서의 온도 상승량보다 도 65에서의 온도 상승량이 높을 수 있다. 다만, 경우에 따라, 온도 상승량이 높을 경우 사용자에게 온감이 전달될 수 있다. 따라서, 사용자에게 온감이 전달되지 않으면서 사용자의 냉감 인지 정도를 향상시키기 위하여, 상기 임계 온도차가 상기 제2 임계치보다 적을 경우, 피드백 디바이스(100)는 도 64에서의 제1 주기 및 제2 주기에 따라 단계(5810) 및 단계(5820)을 수행할 수 있다.In another example, if the threshold temperature difference is higher than the first threshold but less than a second threshold higher than the first threshold, and the temperature of the contact surface 1600 in the first period in FIG. The feedback device 100 performs steps 5810 and 5820 in accordance with the first period and the second period in Figure 64 to determine whether the user perception performance 1600 is greater than the second threshold, Can be improved. However, in this case, since the difference between the temperature of the contact surface 1600 in the first period in FIG. 65 and the temperature of the contact surface 1600 in the second period is also larger than the second threshold value, Performing steps 5810 and 5820 in accordance with the first period and the second period at 65 may also improve user perception performance. However, the second period of FIG. 65 is longer than the second period of FIG. 64, and therefore the temperature rise amount in FIG. 65 may be higher than the temperature increase amount of FIG. 64. However, in some cases, warmth may be delivered to the user if the temperature rise is high. Therefore, if the threshold temperature difference is less than the second threshold value, the feedback device 100 may be operated in the first period and the second period in FIG. 64 to improve the degree of cool feeling of the user while the warmth is not transmitted to the user. And may perform steps 5810 and 5820 accordingly.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.The method according to an embodiment may be implemented in the form of a program command that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, and the like, alone or in combination. The program instructions to be recorded on the medium may be those specially designed and configured for the embodiments or may be available to those skilled in the art of computer software. Examples of computer-readable media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tape; optical media such as CD-ROMs and DVDs; magnetic media such as floppy disks; Magneto-optical media, and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include machine language code such as those produced by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware devices described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operations of the embodiments, and vice versa.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

Claims (18)

피드백 디바이스에 있어서,
유연성을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 열적 피드백을 위한 열전 동작 - 상기 열전 동작은 발열 동작 및 흡열 동작을 포함함 - 을 수행하는 열전 소자 및 상기 기판에 배치되는 접촉면을 포함하고, 상기 열전 동작을 통해 발생한 열을 상기 기판 및 상기 접촉면을 통해 상기 사용자에게 전달함으로써 상기 열적 피드백을 출력하는 열전 모듈; 및
상기 열전 모듈을 제어하도록 마련되는 피드백 컨트롤러를 포함하고,
상기 피드백 컨트롤러는,
전체 열전 동작 시간 구간동안, 상기 접촉면의 온도가 최대 온도에 도달한 후 소정의 온도구간에서 상기 접촉면의 온도가 유지되도록 상기 열전 모듈을 제어하되,
상기 접촉면의 온도가 상기 소정의 온도구간에 도달한 후 주기적으로 미리 정해진 임계치 이상의 온도 상승 또는 온도 하강이 발생하도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
In a feedback device,
A substrate having flexibility; a thermoelectric element disposed on the substrate and performing thermoelectric operation for thermal feedback, the thermoelectric operation including a heating operation and an endothermic operation; and a contact surface disposed on the substrate, A thermoelectric module for outputting the thermal feedback by transmitting heat generated by the operation to the user through the substrate and the contact surface; And
And a feedback controller provided to control the thermoelectric module,
The feedback controller includes:
Controlling the thermoelectric module such that the temperature of the contact surface is maintained at a predetermined temperature interval after the temperature of the contact surface reaches the maximum temperature during the entire thermoelectric operation time interval,
And controls the thermoelectric module so that a temperature rise or a temperature fall exceeding a predetermined threshold periodically occurs after the temperature of the contact surface reaches the predetermined temperature section.
Feedback device.
제1항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 피드백 디바이스가 상기 사용자에게 냉감을 제공하도록, 상기 열전 모듈이 상기 흡열 동작을 수행하게 하는 제1 전압을 상기 열전 모듈에 인가하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
The method according to claim 1,
The feedback controller includes:
Wherein the feedback device applies a first voltage to the thermoelectric module to cause the thermoelectric module to perform the heat absorbing operation so as to provide a cool feeling to the user.
Feedback device.
제2항에 있어서,
상기 피드백 디바이스는,
듀티 신호 형태인 상기 제1 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
3. The method of claim 2,
The feedback device comprising:
And applying the first voltage in the form of a duty signal.
Feedback device.
제2항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 전체 열전 동작 시간 구간동안, 상기 접촉면의 온도가 초기 온도에서 최저 온도에 도달한 후, 소정의 포화 온도 구간에서 상기 접촉면의 온도가 유지되도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
3. The method of claim 2,
The feedback controller includes:
Controlling the thermoelectric module so that the temperature of the contact surface is maintained at a predetermined saturation temperature interval after the temperature of the contact surface reaches the lowest temperature from the initial temperature during the entire thermoelectric operation time interval.
Feedback device.
제4항에 있어서,
상기 소정의 포화 온도 구간은 상기 최저온도보다 높고, 상기 초기 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
5. The method of claim 4,
Wherein the predetermined saturation temperature section is higher than the lowest temperature and lower than the initial temperature.
Feedback device.
제4항에 있어서,
상기 열전 모듈이 상기 흡열 동작을 수행함에 따라 상기 피드백 디바이스 내부에 폐열이 축적되고,
상기 접촉면의 온도는 상기 폐열에 의해 상기 최저 온도에서 상기 소정의 포화 온도 구간으로 온도가 상승되는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
5. The method of claim 4,
As the thermoelectric module performs the heat absorbing operation, waste heat is accumulated in the feedback device,
Wherein the temperature of the contact surface is raised by the waste heat from the lowest temperature to the predetermined saturation temperature section.
Feedback device.
제6항에 있어서,
상기 피드백 디바이스는 상기 폐열 중 적어도 일부를 상기 피드백 디바이스의 외부로 방출하는 방열부를 더 포함하고,
상기 방열부에 의해 상기 폐열 중 적어도 일부가 상기 피드백 디바이스의 외부로 방출됨에 따라, 상기 접촉면의 온도가 상기 포화 온도 구간에서 유지되는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
The method according to claim 6,
Wherein the feedback device further comprises a heat dissipation portion for emitting at least a part of the waste heat to the outside of the feedback device,
Characterized in that the temperature of the contact surface is maintained at the saturation temperature section as at least a part of the waste heat is discharged to the outside of the feedback device by the heat dissipating section.
Feedback device.
제2항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 접촉면의 온도가 상기 포화 온도 구간에 도달한 후 주기적으로 미리 정해진 임계치 이상의 온도 상승 또는 온도 하강이 발생하도록, 상기 흡열 동작이 수행되는 제1 시간 및 상기 흡열 동작이 수행되지 않는 제2 시간이 주기적으로 반복되도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
3. The method of claim 2,
The feedback controller includes:
A first time at which the heat absorbing operation is performed and a second time at which the heat absorbing operation is not performed are periodically performed so that a temperature rise or a temperature lowering beyond a predetermined threshold periodically occurs after the temperature of the contact surface reaches the saturation temperature section The control unit controls the thermoelectric module so that the thermoelectric module is repeatedly performed.
Feedback device.
제8항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간이 주기적으로 반복되도록, 상기 제1 시간동안 상기 제1 전압을 상기 열전 모듈에 인가하고, 상기 제2 시간 동안 상기 제1 전압을 상기 열전 모듈에 인가하지 않는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
9. The method of claim 8,
The feedback controller includes:
Applying the first voltage to the thermoelectric module during the first time such that the first time and the second time are periodically repeated and not applying the first voltage to the thermoelectric module during the second time Features,
Feedback device.
제8항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간동안의 상기 접촉면의 온도 변화량이 상기 사용자가 온도 변화를 인지할 수 있는 온도 차이를 나타내는 임계 온도차 이상이 되도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
9. The method of claim 8,
The feedback controller includes:
Wherein the control unit controls the thermoelectric module such that the temperature change amount of the contact surface during the first time and the second time is equal to or greater than a threshold temperature difference indicating a temperature difference that the user can recognize the temperature change.
Feedback device.
제10항에 있어서,
상기 임계 온도차는 상기 포화 온도 구간에 따라 변경되는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
11. The method of claim 10,
Wherein the threshold temperature difference is varied according to the saturation temperature interval.
Feedback device.
제10항에 있어서,
상기 접촉면의 온도 변화량은 상기 제1 시간 및 상기 제2 시간의 비율에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
11. The method of claim 10,
Wherein the temperature change amount of the contact surface is adjusted according to a ratio of the first time and the second time.
Feedback device.
제12항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 포화 온도 구간을 확인하고, 상기 포화 온도 구간을 기초로 상기 임계 온도차를 설정하고,
상기 접촉면의 온도 변화량이 상기 임계 온도차 이상이 되도록 상기 제1 시간 및 상기 제2 시간의 비율을 설정하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
13. The method of claim 12,
The feedback controller includes:
Determining the saturation temperature interval, setting the threshold temperature difference based on the saturation temperature interval,
Wherein the ratio of the first time and the second time is set so that the temperature change amount of the contact surface is equal to or greater than the threshold temperature difference.
Feedback device.
제13항에 있어서,
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간의 비율이 제1 비율일 때의 상기 접촉면의 온도 변화량이 제1 온도 변화량이고,
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간의 비율이 제2 비율일 때의 상기 접촉면의 온도 변화량이 제2 온도 변화량이며,
상기 제1 온도 변화량 및 상기 제2 온도 변화량이 상기 임계 온도차 이상이며, 상기 제1 온도 변화량보다 상기 제2 온도 변화량이 높을 경우,
상기 피드백 콘트롤러는,
상기 접촉면의 온도 변화량이 상기 제1 온도 변화량이 되도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
14. The method of claim 13,
Wherein the temperature change amount of the contact surface when the ratio of the first time and the second time is the first ratio is the first temperature change amount,
Wherein the temperature change amount of the contact surface when the ratio of the first time and the second time is the second ratio is the second temperature change amount,
When the first temperature change amount and the second temperature change amount are equal to or more than the threshold temperature difference and the second temperature change amount is higher than the first temperature change amount,
The feedback controller includes:
And controls the thermoelectric module so that the temperature change amount of the contact surface becomes the first temperature change amount.
Feedback device.
제8항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간의 합이 60초보다 작도록 설정하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스.
9. The method of claim 8,
The feedback controller includes:
And the sum of the first time and the second time is set to be smaller than 60 seconds.
Feedback device.
제8항에 있어서,
상기 피드백 컨트롤러는,
상기 제1 시간 대비 상기 제2 시간의 비율이 0.9 이상이 되도록 상기 열전 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는,
피드백 디바이스,
9. The method of claim 8,
The feedback controller includes:
Wherein the thermoelectric module is controlled such that a ratio of the first time to the second time is 0.9 or more.
Feedback device,
유연성을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 냉감 피드백을 위한 흡열 동작을 수행하는 열전 소자 및 상기 기판에 배치되는 접촉면을 포함하고, 상기 열전 동작을 통해 발생한 냉열을 상기 기판 및 상기 접촉면을 통해 상기 사용자에게 전달함으로써 상기 냉감 피드백을 출력하는 열전 모듈; 및
상기 열전 모듈을 제어하도록 마련되는 피드백 컨트롤러를 포함하는 피드백 디바이스에 의해 수행되는 사용자의 냉감 향상 방법으로서,
전체 열전 동작 시간 구간동안, 상기 접촉면의 온도가 최대 온도에 도달한 후 소정의 온도구간에서 상기 접촉면의 온도가 유지되도록 상기 열전 모듈을 제어하는 단계; 및
상기 접촉면의 온도가 상기 소정의 온도구간에 도달한 후 주기적으로 미리 정해진 임계치 이상의 온도 상승 또는 온도 하강이 발생하도록 상기 열전 모듈을 제어하는 단계
를 포함하는,
냉감 향상 방법.
A substrate having flexibility; a thermoelectric element disposed on the substrate, the thermoelectric element performing a heat absorbing operation for cold feedback; and a contact surface disposed on the substrate, wherein the cool heat generated through the thermoelectric action is transmitted to the substrate A thermoelectric module for outputting the cold feedback by transmitting to the user; And
A method for improving a user's frigidity performed by a feedback device comprising a feedback controller provided to control the thermoelectric module,
Controlling the thermoelectric module such that the temperature of the contact surface is maintained at a predetermined temperature interval after the temperature of the contact surface reaches the maximum temperature during the entire thermoelectric operation time interval; And
Controlling the thermoelectric module such that a temperature rise or a temperature lower than a predetermined threshold occurs periodically after the temperature of the contact surface reaches the predetermined temperature range
/ RTI >
How to Improve Coolness.
제17항의 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for performing the method of claim 17.
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