KR20190023905A - Gas supply apparatus, gas sensor chip testing apparatus including same and method for testing the gas sensor chip testing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 가스 공급장치 및 가스 검출 센서 칩 시험장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 표면 플라즈몬 공명을 이용한 가스 검출 센서 칩 시험용 가스 공급 장치 및 이를 포함하는 가스 검출 센서 칩 시험 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply apparatus and a gas detection sensor chip testing apparatus, and more particularly, to a gas supply apparatus for gas detection sensor chip testing using surface plasmon resonance and a gas detection sensor chip testing apparatus including the same.
현재 가스 센싱 시스템으로 널리 보고되어 있는 유형은 화학저항(chemoresistive) 센서, 색채계(colorimetric) 센서, 가스크로마토그래피/질량분석법(GC/MS) 등이 있다(T. Chen et al., Sensors and Actuators B 131 (2008) 301-305 참조). Currently known types of gas sensing systems include chemoresistive sensors, colorimetric sensors, and gas chromatography / mass spectrometry (GC / MS) (T. Chen et al., Sensors and Actuators B 131 (2008) 301-305).
이러한 종래의 가스 센싱 기술들은 각각의 장점들에도 불구하고 개선될 부분들이 많다. 예를 들어, 반도체 특성을 갖는 금속산화물을 이용한 화학저항 센서는 100℃ 이상의 고온에서 측정하여야 좋은 감도를 나타내기 때문에 고온의 구동 온도가 요구되는 단점이 있다. 또한, GC/MS 기법은 센서로서의 감도가 높지만 분석 특성상 휴대할 수 있는 간편한 기기에 부적합하다는 문제점이 있다. These conventional gas sensing technologies, despite their advantages, have many parts to be improved. For example, a chemical resistance sensor using a metal oxide having semiconductor characteristics has a disadvantage in that a high temperature driving temperature is required because it exhibits a good sensitivity at a temperature higher than 100 캜. In addition, the GC / MS method has a problem that it is unsuitable for a simple device which is high in sensitivity as a sensor, but is portable due to its analysis characteristic.
한편, 최근에는 체내에서 배출되는 가스를 검지하여 질병 진단에 활용하는 센싱 기술이 보급되고 있다. 이러한 센싱 기술은 사람의 날숨을 통해 입안의 세균들이 대사하며 방출하는 H2S 등 여러 휘발성 유기화합물(VOC)을 센싱하여 사람의 질병을 진단하는 것이다.On the other hand, in recent years, a sensing technology for detecting the gas emitted from the body and utilizing the gas for diagnosis of diseases has been spreading. This sensing technology is to diagnose human diseases by sensing various volatile organic compounds (VOC) such as H 2 S released by metabolism of germs in the mouth through human exhalation.
이와 같이 질병을 진단하기 위해 사람의 날숨을 분석하는 기술은 날숨의 높은 습도(80% 이상)에서 분석 가능한 신뢰성과 안정성, ppb 수준의 농도에 감응하는 민감도, 및 날숨 속에 포함되어 있는 수많은 방해 가스종의 영향을 배제할 수 있는 높은 선택도가 요구된다. 이러한 이유로 사람의 날숨에 포함되어 있는 화학물질 또는 세균 등 생체물질의 종류나 농도를 선택적으로 감지하기 위한 가스 검출 센서는, 다른 센서 기술에 비하여 기술 개발 난이도가 높아 현재까지 의료기기 등으로 상용화되기 어려웠다.The technique of analyzing human exhalation to diagnose the disease as described above is characterized by reliability and stability that can be analyzed at high humidity (more than 80%) of exhalation, sensitivity to ppb level of concentration, and a number of obstructive gas species A high degree of selectivity is required to eliminate the influence of the above-mentioned problems. For this reason, a gas detection sensor for selectively detecting the type or concentration of a biomolecule such as a chemical substance or a bacterium included in a person's exhalation has a higher degree of technological development than other sensor technologies and thus has not been commercialized as a medical device up to now .
본 발명은 표면 플라즈몬 공명을 이용한 가스 검출 센서 칩 시험용 가스를 용이하게 공급하는 가스 공급 장치, 이를 포함하는 가스 검출센서 칩 시험 장치 및 가스 검출센서 칩 시험 방법을 제공하는데 발명의 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a gas supply device for easily supplying gas for gas detection sensor chip test using surface plasmon resonance, a gas detection sensor chip test device and gas detection sensor chip test method including the same.
본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치는 제1 가스가 저장된 제1 가스 탱크, 제2 가스가 저장된 제2 가스 탱크, 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스를 혼합하여 상기 제1 가스의 농도를 희석시키는 희석 챔버, 상기 제1 가스 탱크와 상기 희석 챔버를 연결하는 제1 연결 파이프, 상기 제2 가스 탱크와 상기 희석 챔버를 연결하는 제2 연결 파이프, 상기 희석 챔버에 연결되어 상기 희석 챔버에서 혼합된 혼합가스를 시험 대상체에 공급하기 위한 제1 공급 파이프, 상기 제2 연결파이프에서 분지되어 상기 제2 가스를 시험 대상체에 공급하기 위한 제2 공급 파이프 및 상기 제1 공급 파이프에서 분지되고, 상기 제1 공급 파이프의 내부 압력을 조절하기 위한 역류 방지 파이프를 포함하고, 상기 제1 공급 파이프 및 상기 제2 공급 파이프 중 어느 하나가 개방되도록 제어되어 상기 혼합가스 또는 상기 제2 가스가 시험 대상체에 공급될 수 있다.A gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first gas tank in which a first gas is stored, a second gas tank in which a second gas is stored, a first gas tank in which the first gas and the second gas are mixed, A first connection pipe connecting the first gas tank and the dilution chamber, a second connection pipe connecting the second gas tank and the dilution chamber, a second connection pipe connecting the dilution chamber and the dilution chamber, A first supply pipe for supplying a mixed gas to a test object, a second supply pipe branched from the second connection pipe to supply the second gas to the test object, and a second supply pipe branched from the first supply pipe, And a backflow preventive pipe for regulating an internal pressure of the first supply pipe, wherein one of the first supply pipe and the second supply pipe is opened So that the mixed gas or the second gas can be supplied to the test object.
본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치에서 상기 제1 가스는 휘발성 유기 화합물(VOC)을 포함하고, 상기 제2 가스는 질소(N2)를 포함할 수 있다.본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치에서 상기 제1 가스는 포름 알데히드(HCHO), 톨루엔, 자일렌, 아세톤 및 이산화질소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention, the first gas may include a volatile organic compound (VOC), and the second gas may include nitrogen (N 2 ). In an embodiment of the present invention The first gas may comprise at least one of formaldehyde (HCHO), toluene, xylene, acetone and nitrogen dioxide.
ㅍ 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치에서 상기 제1 연결 파이프 및 상기 제2 연결 파이프에는 상기 희석 챔버로 유입되는 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브 및 유량계가 구비되고, 상기 개폐 밸브의 개폐 동작에 의해 상기 제1 가스의 농도가 조절될 수 있다.In the gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention, the first connection pipe and the second connection pipe are provided with an on-off valve for controlling the amount of the first gas and the second gas flowing into the dilution chamber, And the concentration of the first gas can be adjusted by opening and closing operations of the opening and closing valve.
본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치에서 상기 제1 공급 파이프에는 상기 제1 공급 파이프를 통과하는 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브 및 유량계가 구비되며, 상기 역류 방지 파이프는 상기 제1 공급 파이프에 구비되는 개폐 밸브를 통과하지 못한 가스가 외부로 배출되어 상기 제1 공급 파이프 내부 압력이 상기 희석 챔버의 내부 압력보다 낮게 유지될 수 있다.In the gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention, the first supply pipe is provided with an opening / closing valve and a flow meter for adjusting the amount of gas passing through the first supply pipe, The gas which has not passed through the opening and closing valve provided in the pipe may be discharged to the outside so that the pressure inside the first supply pipe can be kept lower than the internal pressure of the dilution chamber.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치는 본 발명의 실시예들에 따른 가스 공급 장치, 상기 제1 공급 파이프 및 상기 제2 공급 파이프와 연결되어 상기 제1 공급 파이프 또는 상기 제2 공급 파이프 중 어느 하나에서 배출되는 가스를 센싱하는 가스 검출 센서 칩, 상기 가스 검출 센서 칩 일측에 배치되는 프리즘, 상기 프리즘을 통과하여 상기 가스 검출 센서 칩에 도달하는 광을 발산하는 광원 및 상기 가스 검출 센서 칩에서 반사된 광을 검출하는 검출기를 포함할 수 있다.The apparatus for testing a gas detection sensor chip according to another embodiment of the present invention comprises a gas supply device according to the embodiments of the present invention, a gas supply device connected to the first supply pipe and the second supply pipe, A gas detection sensor chip for sensing a gas emitted from one of the supply pipes, a prism disposed on one side of the gas detection sensor chip, a light source for emitting light reaching the gas detection sensor chip through the prism, And a detector for detecting light reflected from the sensor chip.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에서 상기 가스 검출 센서 칩은, 기재, 상기 기재의 상면에 형성된 금속층, 상기 금속층의 상면에 형성된 금속 산화물층 및 상기 금속 산화물층의 표면에 결합된 리간드 화합물을 포함할 수 있다.In the gas detection sensor chip testing apparatus according to another embodiment of the present invention, the gas detection sensor chip includes a substrate, a metal layer formed on the upper surface of the substrate, a metal oxide layer formed on the metal layer, Gt; ligand < / RTI > compounds.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에서 상기 금속층은 표면 플라즈몬 공명(SPR)을 일으키는 금속을 포함할 수 있다.In the apparatus for testing a gas detection sensor chip according to another embodiment of the present invention, the metal layer may include a metal causing surface plasmon resonance (SPR).
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에서 상기 금속은 금(Au), 백금(Pt) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In the apparatus for testing a gas detection sensor chip according to another embodiment of the present invention, the metal may include at least one of gold (Au), platinum (Pt), and silver (Ag).
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에서 상기 금속 산화물층은 TiO2, SiO2, ZnO, In2O3, WO3 및 SnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속산화물 입자를 포함할 수 있다.In the apparatus for testing a gas detection sensor chip according to another embodiment of the present invention, the metal oxide layer may include at least one metal oxide particle selected from the group consisting of TiO2, SiO2, ZnO, In2O3, WO3 and SnO2.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에서 상기 리간드 화합물은 아민기, 카복실기, 수산기, 메틸기, 티올기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 관능기를 포함하는 화합물로 구비될 수 있다.In the apparatus for testing a gas detection sensor chip according to another embodiment of the present invention, the ligand compound may be a compound containing at least one functional group selected from the group consisting of an amine group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a methyl group and a thiol group.
본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치상기 리간드 화합물은 포스포니트릴릭클로라이드 트라이머(PNCT)로부터 유래된 화합물일 수 있다.A gas detection sensor chip test apparatus according to another embodiment of the present invention The ligand compound may be a compound derived from a phosphonitrile chloride trimer (PNCT).
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험방법은 제1 가스가 포함된 제1 가스 탱크와 제2 가스가 포함된 제2 가스 탱크를 개방하여 희석챔버에 유입시키는 제1 단계, 상기 희석챔버에 유입된 상기 제1 가스의 농도를 기설정된 농도로 조절하는 제2 단계, 상기 희석챔버에서 농도가 조절된 상기 제1 가스를 배출하여 가스 검출 센서 칩에 공급하는 제3 단계, 상기 가스 검출 센서 칩에 빛을 발산하고, 반사되는 빛을 검출하여 굴절률 변화를 측정하는 제4 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for testing a gas detection sensor chip, comprising: a first step of opening a first gas tank containing a first gas and a second gas tank containing a second gas into a dilution chamber; A second step of adjusting the concentration of the first gas introduced into the dilution chamber to a predetermined concentration, a third step of discharging the first gas whose concentration is adjusted in the dilution chamber and supplying the first gas to the gas detection sensor chip, And a fourth step of emitting light to the detection sensor chip and detecting a reflected light to measure a refractive index change.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험방법은 상기 제2 가스만을 상기 가스 검출 센서 칩에 공급하여 비교 데이터를 취득하는 제5 단계를 더 포함할 수 있다.The method of testing a gas detection sensor chip according to still another embodiment of the present invention may further include a fifth step of supplying only the second gas to the gas detection sensor chip to obtain comparison data.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험방법에서 상기 제2 단계 내지 상기 제4 단계를 반복적으로 실시하되, 상기 제2 단계에서 조절되는 상기 제1 가스의 농도는 다양하게 변화될 수 있다.In the method of testing a gas detection sensor chip according to another embodiment of the present invention, the second to the fourth steps are repeatedly performed, and the concentration of the first gas controlled in the second step may be varied have.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공명을 이용한 가스 검출 센서 칩 시험용 가스 공급 장치는 용이하게 다양한 농도의 가스를 제조하여 시험 대상 센서 칩에 공급할 수 있다.The gas supply device for gas detection sensor chip test using surface plasmon resonance according to an embodiment of the present invention can easily produce various concentrations of gas and supply the gas to the test object sensor chip.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치는 용이하게 다양한 농도의 시험 가스에 대한 가스 검출 센서 칩을 시험할 수 있다.Also, the gas detection sensor chip testing apparatus according to an embodiment of the present invention can easily test gas detection sensor chips for various concentrations of test gas.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치의 개략 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에 구비되는 가스 검출 센서 칩의 구성 및 이를 이용한 검출 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치의 개략적인 동작상태를 보여주는 구조도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치에서 포름알데히드 가스의 농도조절을 위해 사용되는 포름알데히드 가스 및 질소 가스의 유량을 기재한 참고도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험 방법의 개략 흐름도이다. 1 is a schematic structural view of a gas detection sensor chip testing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a configuration of a gas detection sensor chip included in a gas detection sensor chip testing apparatus according to an embodiment of the present invention and a detection method using the same.
3 is a structural view showing a schematic operation state of a gas detection sensor chip testing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a reference diagram for describing flow rates of formaldehyde gas and nitrogen gas used for controlling the concentration of formaldehyde gas in a gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic flowchart of a method of testing a gas detection sensor chip according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 상세한 설명에 앞서, 이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Prior to the detailed description of the present invention, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or preliminary meaning, and the inventor may designate his own invention in the best way It should be construed in accordance with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be appropriately defined as a concept of a term to describe it. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention. Therefore, various equivalents It should be understood that water and variations may be present.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음을 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that, in the drawings, the same components are denoted by the same reference symbols as possible. Further, the detailed description of known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some of the elements in the accompanying drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown, and the size of each element does not entirely reflect the actual size.
또한, 본 명세서에서 상측, 하측, 측면 등의 표현은 도면에 도시를 기준으로 설명한 것이며, 해당 대상의 방향이 변경되면 다르게 표현될 수 있음을 미리 밝혀둔다.It is to be noted that the expressions such as the upper side, the lower side, the side face, etc. in the present specification are described based on the drawings in the drawings and can be expressed differently when the direction of the corresponding object is changed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치(1)의 개략 구조도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치에 구비되는 가스 검출 센서 칩의 구성 및 이를 이용한 검출 방법을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 1 is a schematic structural view of a gas detection sensor
도 1 및 도 2를 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 칩 시험 장치(1)는 가스 공급 장치(100), 가스 검출 센서 칩(200), 프리즘(300), 광원(400) 및 검출기(500)를 포함할 수 있다.1 and 2, a gas detection sensor
가스 공급 장치(100)는 시험이 필요한 다양한 종류의 가스를 제조하여 가스 검출 센서 칩에 공급할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급 장치(100)는 다양한 농도의 포름알데히드(HCHO)를 제조하여 가스 검출 센서 칩(200)에 공급할 수 있다. The gas supply device 100 can supply various types of gases required for testing to the gas detection sensor chip. For example, the gas supply device 100 can supply various concentrations of formaldehyde (HCHO) to the gas
이러한 가스 공급 장치(100)는 제1 가스 탱크(10), 제2 가스 탱크(20), 희석 챔버(30), 제1 연결 파이프(40), 제2 연결 파이프(50), 제1 공급 파이프(60), 제2 공급 파이프(70), 역류 방지 파이프(80)를 포함할 수 있다.The gas supply apparatus 100 includes a
제1 가스 탱크(10)에는 제1 가스가 저장될 수 있다. 제1 가스는 가스 검출 센서 칩 시험에서 검출하고자 하는 다양한 종류의 가스로 구비될 수 있으며, 일 예로서, 제1 가스는 휘발성 유기 화합물(VOC)을 포함하는 가스일 수 있다. 보다 상세히는, 제1 가스는 포름알데히드(HCHO), 톨루엔, 자일렌 및 아세톤 중 적어도 하나를 포함하는 가스일 수 있다. 제1 가스를 포름알데히드(HCHO)로 구비하는 경우, 제1 가스 탱크(10)에 저장되는 포름알데히드(HCHO)의 농도는 10.7ppmv에 해당할 수 있다.The
이러한 제1 가스 탱크(10)는 제1 연결 파이프(40)에 의해 희석 챔버(dilution chamber, 30)에 연결될 수 있다. 다시 말해, 제1 연결 파이프(40)는 제1 가스 탱크(10)에 저장된 제1 가스를 희석 챔버(30)로 이동시키기 위한 통로 역할을 할 수 있다. 또한, 제1 연결 파이프(40)에는 제1 연결 파이프(40)를 통과하는 제1 가스의 유량을 측정하는 유량계(F), 제1 연결 파이프(40)의 내부 압력을 측정하는 압력계(P) 및 제1 연결 파이프(40)의 개폐를 조절하는 개폐 밸브(V)가 구비될 수 있다. 이하에서 설명할 다양한 파이프에는 유량계, 압력계 및 밸브가 구비될 수 있으며, 설명의 편의를 위해 동일한 부재에 대해서는 동일한 도면 기호를 사용하기로 한다.The
제2 가스 탱크(20)에는 제2 가스가 저장될 수 있다. 제2 가스는 제1 가스의 농도를 조절하기 위해 구비되는 것으로서, 불활성 기체가 사용될 수 있다. 예를 들어, 제2 가스는 질소(N2)를 포함하는 가스일 수 있다.The
제2 가스 탱크(20)는 제2 연결 파이프(50)에 의해 희석 챔버(30)에 연결될 수 있다. 제2 연결 파이프(50)는 제2 가스 탱크(20)에 저장된 제2 가스를 희석 챔버(30)로 이동시키기 위한 통로 역할을 수행할 수 있다. 또한, 제2 연결 파이프(50)에는 제2 연결 파이프(50)를 통과하는 제2 가스의 유량을 측정하는 유량계(F), 제2 연결 파이프(50)의 내부 압력을 측정하는 압력계(P) 및 제2 연결 파이프의 개폐를 조절하는 밸브(V)가 구비될 수 있다.The
한편, 제2 연결 파이프(50)는 제2 공급 파이프(70)와 연통되게 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 파이프(70)는 제2 연결 파이프(50)의 일측에서 연장되어 구비될 수 있다. 제2 공급 파이프(70)는 시험 대상체, 즉, 검출 센서 칩(200)에 제2 가스를 공급하기 위해 구비되는 것으로서, 가스 검출 센서 칩(200)으로부터 측정된 제2 가스와 관련된 데이터는 비교군 데이터로 사용될 수 있다.Meanwhile, the
희석 챔버(30)는 제1 가스의 농도를 조절하기 위해 구비되는 것으로서, 제1 연결 파이프(40) 및 제2 연결 파이프(50)를 통해 제1 가스 탱크(10) 및 제2 가스 탱크(20)에 연결될 수 있다. 여기서, 제1 연결 파이프(40) 및 제2 연결 파이프(50)에는 희석 챔버(30)로 유입되는 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브(V) 및 유량계(F)가 구비될 수 있다. 따라서, 사용자는 개폐 밸브(V)의 개폐 시간, 개폐 넓이 등을 조절하여, 희석 챔버(30)로 유입되는 제 1 가스 및 제2 가스의 유량을 조절할 수 있다. 결과적으로, 희석 챔버(30)에서는 제1 가스가 제2 가스와 혼합되어 제1 가스의 농도가 소정의 농도로 조절될 수 있다. 이하에서는 희석 챔버(30)에서 소정의 농도로 제1 가스의 농도가 조절된 제1 가스와 제2 가스의 혼합가스를 '혼합가스'로서 설명한다.The
희석 챔버(30)에는 제1 공급 파이프(60)가 연결될 수 있다. 제1 공급 파이프(60)는 희석 챔버(30)를 통과한 혼합가스를 시험 대상체, 즉, 검출 센서 칩(200)에 공급하기 위해 구비될 수 있다. 이때, 제1 공급 파이프(60)에는 검출 센서 칩(200)으로 공급되는 혼합가스의 양을 제어하기 위한 유량계(F) 및 개폐 밸브(V)가 구비될 수 있다.The
한편, 제1 공급 파이프(60)의 내부 압력이 희석 챔버(30)의 내부 압력보다 높아지는 경우, 혼합가스가 희석 챔버(30)로 역류하여, 제1 연결 파이프(40) 또는 제2 연결 파이프(50)로 흐르게 되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 제1 공급 파이프(60)의 내부 압력을 희석 챔버(30)의 내부 압력보다 낮게 유지할 필요가 있으며, 이를 위해 역류 방지 파이프(80)가 구비될 수 있다.On the other hand, when the internal pressure of the
역류 방지 파이프(80)는 제1 공급 파이프(60)의 내부 압력을 희석 챔버(30)의 내부 압력보다 낮게 유지하기 위해 구비되는 것으로서 제1 공급 파이프(60)의 일측에서 제1 공급 파이프(60)와 연통되게 분지되어 구비될 수 있다. 역류 방지 파이프(80)에는 압력계(P) 및 개폐 밸브(V)가 구비될 수 있으며, 역류 방지 파이프(80)는 개폐 밸브(V)를 오픈하여 제1 공급 파이프(60)를 통해 시험 대상체로 배출되지 않은 혼합가스를 외부로 배출할 수 있다.The
가스 검출 센서 칩(200)은 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상을 이용하여, 가스를 검출하는 것으로서 기재(210), 금속층(220), 금속 산화물층(230) 및 리간드 화합물(240)을 포함할 수 있다.The gas
기재(210)는 금속층(220)의 기저층으로서 금속층을 지지하는 역할을 수행할 수 있다. 기재(210)는 광을 투과시킬 수 있는 투명기재로 구비될 수 있으며, 예를 들어, 기재(210)는 유리판, 투명 플라스틱 등으로 구비될 수 있다.The
금속층(220)은 기재(210)의 상면에 형성될 수 있으며, 표면 플라즈몬 공명(SPR)을 일으킬 수 있는 금속을 포함하여 구비될 수 있다. 예를 들어, 해당 금속은 금(Au), 백금(Pt) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
표면 플라즈몬 공명(SPR)은 금이나 은과 같은 금속과 유전체 사이의 경계에서 금속 표면에 존재하는 전자의 집단적 진동을 말하며, 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상이 발생하는 경우, 금속과 이에 인접한 유전 물질의 경계면을 따라 표면 전자기파가 발생하게 된다. 따라서, 금속층(220)에서 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상이 발생하는 경우, 이를 광학적 방법으로 감지할 수 있다.Surface plasmon resonance (SPR) refers to the collective oscillation of electrons present on a metal surface at the interface between a metal and a dielectric such as gold or silver. When surface plasmon resonance (SPR) occurs, the metal and its adjacent dielectric material Surface electromagnetic waves are generated along the interface. Therefore, when a surface plasmon resonance (SPR) phenomenon occurs in the
금속 산화물층(230)은 금속층(220)의 상면에 형성되어 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상을 증폭시킬 수 있다. 이에 따라, 금속 산화물층(230)은 가스 검출 센서 칩(200)의 감도를 향상시킬 수 있다.The
이러한 금속 산화물층(230)은 예를 들어 TiO2, SiO2, ZnO, In2O3, WO3 및 SnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속산화물 입자를 포함할 수 있으며, 10~1000 nm 범위, 또는 300~800 nm 범위의 두께를 가질 수 있다. 리간드 화합물(240)은 상기 금속 산화물층(230)의 표면에 가스 분자와 선택적으로 결합할 수 있다. 이러한 결합에 따라 표면 플라즈몬 공명(SPR) 신호가 변화될 수 있으며, 이의 차이를 분석하여 목적 가스를 검출할 수 있다.The
리간드 화합물(240)의 종류는 검출하려는 가스에 따라 선택될 수 있다. 예를 들어, 리간드 화합물(240)은 아민기, 카복실기, 수산기, 메틸기 및 티올기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 관능기를 가질 수 있다. 또한, 상기 리간드 화합물은 아민기를 갖는 고분자, 저분자 또는 생체분자 화합물일 수 있다. 예를 들어, 상기 리간드 화합물은 폴리에틸렌이민(PEI), C1-C15알킬아민 및 콜라겐로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종일 수 있다.The kind of the
더하여, 리간드 화합물(240)은 검출하려는 가스에 특화된 관능기를 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 금속 산화물층(230) 상에 보편적 감지층을 형성하고, 이의 표면을 가스 분자와 선택적으로 결합할 수 있는 관능기를 갖도로 개질하여, 구성을 더욱 다양화할 수 있다. 일 예로서, 상기 리간드 화합물은 포스포니트릴릭클로라이드 트라이머(phosphonitrilic chloride trimer, PNCT)로부터 유래된 화합물일 수 있다. 여기서, 상기 PNCT로부터 유래된 화합물은 가스 분자와 선택적으로 결합하는 관능기로 치환된 PNCT일 수 있다.In addition, the
프리즘(300)은 가스 검출 센서 칩(200)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 프리즘(300)은 기재(210)의 하면에 부착되어 광의 경로를 제어하는 광학적 기능을 제공할 수 있다. 광원(400)으로부터 발산된 광은 프리즘(300)에 입사하여 금속층(220)의 하면에 도달할 수 있고, 이후 금속층(220)의 하면에 반사되어 프리즘(300)으로부터 나오는 광이 검출기(500)에서 검출될 수 있다.The
이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 시험 장치(1)의 개략적인 동작과정을 설명한다.Hereinafter, a schematic operation procedure of the gas detection
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 시험 장치의 개략적인 동작상태를 보여주는 구조도이다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치에서 공급되는 가스는 필요에 따라 다양한 가스가 사용될 수 있지만 이하에서는 설명의 편의를 위해, 제1 가스는 포름알데히드 가스로 구비되고, 제2 가스는 질소 가스로 구비되는 구성을 예로 들어 설명한다.3 is a structural view showing a schematic operation state of a gas detection sensor testing apparatus according to an embodiment of the present invention. Herein, for convenience of explanation, the first gas is provided as formaldehyde gas and the second gas is supplied as formaldehyde gas, although the gas supplied from the gas supply apparatus according to an embodiment of the present invention may be various gases as needed, And a nitrogen gas as an example.
도 3을 참조하면, 제1 가스 탱크(10)에서 소정의 포름알데히드 가스가 희석 챔버(30)로 유입되고, 이에 대응하여 제2 가스 탱크(20)에서도 소정의 질소 가스가 희석 챔버(30)로 유입될 수 있다. 희석 챔버(30)에서는 포름알데히드 가스의 농도가 조절 될 수 있으며, 예를 들어, 포름알데히드 가스의 농도는 0.2ppmv에서 10.7ppmv로 조절될 수 있다. 상기 포름알데히드 가스의 농조 조절을 위해 희석 챔버(30)로 유입되는 포름알데히드 가스 및 질소 가스의 유량은 도 4에 기재되어 있다. 3, a predetermined formaldehyde gas is introduced into the
희석 챔버(30)에서 농도가 조절된 포름알데히드 가스는 제1 공급 파이프(60)의 밸브(V) 및 유량계(F)를 통과하여 가스 검출 센서 칩(200)에 공급될 수 있다. 이때, 비교군과의 비교를 위해, 가스 검출 센서 칩(200)에 공급되는 포름알데히드 가스의 유량은 일정할 필요가 있다. 따라서, 제1 공급 파이프(60)에 구비되는 밸브(V)는 제1 공급 파이프(60)를 통과하는 포름알데히드 가스의 유량을 일정하게 제어할 수 있다. 예를 들어, 가스 검출 센서 칩(200)에 공급되는 포름알데히드의 유량은 10sccm에 해당할 수 있다. The concentration-regulated formaldehyde gas in the
이때, 제1 공급 파이프(60)를 통과하는 포름 알데히드 가스의 양보다. 희석 챔버(30)에서 배출되는 포름알데히드 가스의 유량이 많은 경우, 제1 공급 파이프(60)의 밸브(V)와 희석 챔버(30) 사이의 내부 압력이 증가할 수 있으며, 내부 압력 증가에 따라 포름알데히드 가스가 희석 챔버(30)로 역류하는 문제가 생길 수 있다. 이러한 역류 현상을 방지하기 위해, 제1 공급 파이프(60)의 밸브(V)와 희석 챔버(30) 사이에는 포름알데히드 가스를 외부로 배출하는 역류 방지 파이프(80)가 구비될 수 있다.At this time, the amount of formaldehyde gas passing through the first supply pipe (60) When the flow rate of the formaldehyde gas discharged from the
한편, 가스 검출 센서 칩(200)에 포름알데히드 가스가 공급되는 경우 광원(400)은 빛을 발산할 수 있으며, 광원(400)에서 발산된 빛은 프리즘(300)을 통과하여, 가스 검출 센서 칩(200)에 도달할 수 있고, 가스 검출 센서 칩(200)에 도달한 빛은 반사되어 검출기(500)에 도달할 수 있다. 이때, 포름알데히드 가스가 가스 검출 센서 칩(200)에 유입되는 경우, 가스 검출 센서 칩(200)에서는 표면 플라즈몬 공명이 일어나게 되고 이에 따라 빛의 굴절률 변화가 생긴다. 검출기(500)는 이러한 빛의 굴절률 변화를 판별하여, 포름알데히드 가스를 검출할 수 있다.When the gas
한편, 상기와 같이 판별되는 굴절률 변화를 비교 확인할 수 있는 비교군 데이터가 필요할 수 있다. 이러한 비교군 데이터는 아래와 같이 획득될 수 있다.On the other hand, comparative group data that can compare and confirm the refractive index changes discriminated as described above may be required. This comparison group data can be obtained as follows.
제2 가스 탱크(20)에 저장된 질소 가스는 제2 연결 파이프(50) 및 제2 공급 파이프(70)를 통과하여 가스 검출센서 칩(200)에 공급될 수 있다. 여기서, 질소 가스는 포름알데히드 가스와의 비교를 위해 일정하게 공급될 필요가 있다. 따라서, 제2 공급 파이프(70)에 구비되는 밸브(V)는 제2 공급 파이프(70)를 통과하는 질소 가스의 유량을 일정하게 제어할 수 있다. 예를 들어, 가스 검출 센서 칩(200)에 공급되는 질소 가스의 유량은 10sccm에 해당할 수 있다. The nitrogen gas stored in the
질소 가스가 가스 검출센서 칩(200)에 공급된 상태에서 빛의 굴절률을 검출하는 방법은 전술한 포름알데히드 가스가 공급되는 경우 빛의 굴절률을 검출하는 방법과 동일하다.A method of detecting the refractive index of light in a state where nitrogen gas is supplied to the gas
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출 센서 시험장치는 질소 가스를 가스 검출센서 칩(200)에 공급하여 빛의 굴절률에 대한 비교군 데이터가 획득될 수 있다. As described above, in the apparatus for testing a gas detection sensor according to an embodiment of the present invention, nitrogen gas is supplied to the gas
이하에서는 도 6을 더 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method for testing a gas detection sensor chip according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험 방법의 개략 흐름도이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험방법은, 제1 가스가 포함된 제1 가스 탱크와 제2 가스가 포함된 제2 가스 탱크를 개방하여 희석챔버에 유입시키는 제1 단계(S10), 상기 희석챔버에 유입된 상기 제1 가스의 농도를 기설정된 농도로 조절하는 제2 단계(S20), 상기 희석챔버에서 농도가 조절된 상기 제1 가스를 배출하여 가스 검출 센서 칩에 공급하는 제3 단계(S30), 상기 가스 검출 센서 칩에 빛을 발산하고, 반사되는 빛을 검출하여 굴절률 변화를 측정하는 제4 단계(S40) 및 상기 제2 가스만을 상기 가스 검출 센서 칩에 공급하여 비교 데이터를 취득하는 제5 단계(S50)를 포함할 수 있다. 6 is a schematic flowchart of a method of testing a gas detection sensor chip according to an embodiment of the present invention. 6, a method for testing a gas detection sensor chip according to an embodiment of the present invention includes opening a first gas tank containing a first gas and a second gas tank containing a second gas, A second step S20 of adjusting the concentration of the first gas introduced into the dilution chamber to a preset concentration, discharging the first gas whose concentration has been adjusted in the dilution chamber, A third step S30 of supplying the gas to the detection sensor chip, a fourth step S40 of emitting light to the gas detection sensor chip and detecting the reflected light to measure a refractive index change, And a fifth step (S50) of supplying the data to the sensor chip and obtaining the comparison data.
제1 단계(S10)에서 희석챔버(30)에 유입되는 제1 가스는 휘발성 유기 화합물(VOC)을 포함할 수 있으며, 제2 가스는 질소(N2)를 포함할 수 있다. 희석챔버(30)에 제1 가스와 제2 가스가 유입되면, 희석챔버(30)에서는 제1 가스의 농도를 기설정된 농도로 조절하는 제2 단계(S20)가 수행될 수 있다. 이어서, 제1 가스의 농도가 기설정된 농도로 조절되면, 제1 가스를 배출하여 가스 검출 센서 칩(200)에 공급하는 제3 단계(S30)가 수행될 수 있다. 이때 제1 가스는 별도의 채널을 통해 가스 검출 센서 칩(200)에 공급될 수 있다.가스 검출 센서 칩(200)에 제1 가스가 공급된 경우, 광원(400)은 가스 검출 센서 칩(200)에 빛을 발산하고, 검출기(500)는 가스 검출 센서 칩(200)으로부터 반사된 빛을 검출하여, 굴절률을 측정하는 제4 단계(S40)가 수행될 수 있다. 이와 같은 제1 내지 제4 단계는 반복적으로 실시될 수 있으며, 반복하여 실시될 때마다 제1 가스의 농도가 변화할 수 있다.The may include a first gas of volatile organic compounds (VOC) entering the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 검출센서 칩 시험 방법에서는 비교 데이터를 획득하기 위해 제2 가스만을 가스 검출 센서 칩(2000에 공급하여 굴절률 데이터를 측정하는 제5 단계(S50)가 수행될 수 있다. 여기서, 비교 데이터 획들을 위한 제5 단계(S50)는 제1 내지 제4 단계를 먼저 실시한후 수행될 수 있을 뿐만 아니라, 제1 내지 제4 단계가 실시되기 전에 실시될 수 있다. Meanwhile, in the method of testing a gas detection sensor chip according to an embodiment of the present invention, only the second gas is supplied to the gas detection sensor chip 2000 to obtain the comparison data, and the fifth step S50 of measuring the refractive index data is performed Here, the fifth step S50 for the comparison data strokes may be performed after the first to fourth steps are performed first, but also before the first to fourth steps are performed.
상기에서는 본 발명에 따른 실시예를 기준으로 본 발명의 구성과 특징을 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상과 범위 내에서 다양하게 변경 또는 변형할 수 있음은 본 발명의 속하는 기술분야의 통상의 기술자들에게 명백한 것이며, 따라서 이와 같은 변경 또는 변형은 첨부된 특허청구범위에 속함을 밝혀둔다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those of ordinary skill in the art that such changes or modifications are within the scope of the appended claims.
1: 가스 검출 센서 칩 시험장치 10: 제1 가스 탱크
20: 제2 가스 탱크 30: 희석 챔버
40: 제1 연결 파이프 50: 제2 연결 파이프
60: 제1 공급 파이프 70: 제2 공급 파이프
80: 역류 방지 파이프 100: 가스 공급 장치
200: 가스 검출 센서 칩 300: 프리즘
400: 광원 500: 검출기1: Gas detection sensor chip testing apparatus 10: First gas tank
20: second gas tank 30: dilution chamber
40: first connection pipe 50: second connection pipe
60: first supply pipe 70: second supply pipe
80: backflow prevention pipe 100: gas supply device
200: gas detection sensor chip 300: prism
400: light source 500: detector
Claims (15)
제2 가스가 저장된 제2 가스 탱크;
상기 제1 가스 및 상기 제2 가스를 혼합하여 상기 제1 가스의 농도를 희석시키는 희석 챔버;
상기 제1 가스 탱크와 상기 희석 챔버를 연결하는 제1 연결 파이프;
상기 제2 가스 탱크와 상기 희석 챔버를 연결하는 제2 연결 파이프;
상기 희석 챔버에 연결되어 상기 희석 챔버에서 혼합된 혼합가스를 시험 대상체에 공급하기 위한 제1 공급 파이프;
상기 제2 연결파이프에서 분지되어 상기 제2 가스를 시험 대상체에 공급하기 위한 제2 공급 파이프; 및
상기 제1 공급 파이프에서 분지되고, 상기 제1 공급 파이프의 내부 압력을 조절하기 위한 역류 방지 파이프;를 포함하고,
상기 제1 공급 파이프 및 상기 제2 공급 파이프 중 어느 하나가 개방되도록 제어되어 상기 혼합가스 또는 상기 제2 가스가 시험 대상체에 공급되는 가스 공급 장치.A first gas tank in which a first gas is stored;
A second gas tank in which a second gas is stored;
A dilution chamber for mixing the first gas and the second gas to dilute the concentration of the first gas;
A first connection pipe connecting the first gas tank and the dilution chamber;
A second connecting pipe connecting the second gas tank and the dilution chamber;
A first supply pipe connected to the dilution chamber to supply a mixed gas mixed in the dilution chamber to a test object;
A second supply pipe branched from the second connecting pipe to supply the second gas to the test object; And
And a backflow prevention pipe branched from the first supply pipe for regulating an internal pressure of the first supply pipe,
Wherein either the first supply pipe or the second supply pipe is controlled to be opened so that the mixed gas or the second gas is supplied to the test object.
상기 제1 가스는 휘발성 유기 화합물(VOC)을 포함하고, 상기 제2 가스는 질소(N2)를 포함하는 가스 공급 장치.The method according to claim 1,
Gas supply to the second and first gas comprises a volatile organic compound (VOC), the second gas comprises nitrogen (N 2).
상기 제1 가스는 포름알데히드(HCHO), 톨루엔, 자일렌, 아세톤 및 이산화질소 중 적어도 하나를 포함하는 가스 공급 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first gas comprises at least one of formaldehyde (HCHO), toluene, xylene, acetone, and nitrogen dioxide.
상기 제1 연결 파이프 및 상기 제2 연결 파이프에는 상기 희석 챔버로 유입되는 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브 및 유량계가 구비되고,
상기 개폐 밸브의 개폐 동작에 의해 상기 제1 가스의 농도가 조절되는 가스 공급 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first connection pipe and the second connection pipe are provided with an on-off valve and a flow meter for adjusting the amount of the first gas and the second gas flowing into the dilution chamber,
Wherein the concentration of the first gas is adjusted by the opening / closing operation of the opening / closing valve.
상기 제1 공급 파이프에는 상기 제1 공급 파이프를 통과하는 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브 및 유량계가 구비되며,
상기 역류 방지 파이프는 상기 제1 공급 파이프에 구비되는 개폐 밸브를 통과하지 못한 가스가 외부로 배출되어 상기 제1 공급 파이프 내부 압력이 상기 희석 챔버의 내부 압력보다 낮게 유지되는 가스 공급 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first supply pipe is provided with an open / close valve and a flow meter for adjusting the amount of gas passing through the first supply pipe,
Wherein the backflow preventive pipe is configured such that a gas that has not passed through the opening and closing valve provided in the first supply pipe is discharged to the outside so that the pressure inside the first supply pipe is kept lower than the internal pressure of the dilution chamber.
상기 제1 공급 파이프 및 상기 제2 공급 파이프와 연결되어 상기 제1 공급 파이프 또는 상기 제2 공급 파이프 중 어느 하나에서 배출되는 가스를 센싱하는 가스 검출 센서 칩;
상기 가스 검출 센서 칩 일측에 배치되는 프리즘;
상기 프리즘을 통과하여 상기 가스 검출 센서 칩에 도달하는 광을 발산하는 광원; 및
상기 가스 검출 센서 칩에서 반사된 광을 검출하는 검출기;를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치.A gas supply apparatus according to any one of claims 1 to 5,
A gas detection sensor chip connected to the first supply pipe and the second supply pipe to sense a gas exhausted from either the first supply pipe or the second supply pipe;
A prism disposed on one side of the gas detection sensor chip;
A light source that emits light reaching the gas detection sensor chip through the prism; And
And a detector for detecting light reflected from the gas detection sensor chip.
상기 가스 검출 센서 칩은,
기재;
상기 기재의 상면에 형성된 금속층;
상기 금속층의 상면에 형성된 금속 산화물층; 및
상기 금속 산화물층의 표면에 결합된 리간드 화합물;을 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치.The method according to claim 6,
Wherein the gas detection sensor chip comprises:
materials;
A metal layer formed on the upper surface of the substrate;
A metal oxide layer formed on an upper surface of the metal layer; And
And a ligand compound bonded to the surface of the metal oxide layer.
상기 금속층은 표면 플라즈몬 공명(SPR)을 일으키는 금속을 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the metal layer comprises a metal causing surface plasmon resonance (SPR).
상기 금속은 금(Au), 백금(Pt) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the metal comprises at least one of gold (Au), platinum (Pt), and silver (Ag).
상기 금속 산화물층은 TiO2, SiO2, ZnO, In2O3, WO3 및 SnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속산화물 입자를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the metal oxide layer comprises at least one metal oxide particle selected from the group consisting of TiO2, SiO2, ZnO, In2O3, WO3 and SnO2.
상기 리간드 화합물은 아민기, 카복실기, 수산기, 메틸기, 티올기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 관능기를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the ligand compound comprises at least one functional group selected from the group consisting of an amine group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a methyl group, and a thiol group.
상기 리간드 화합물은 포스포니트릴릭클로라이드 트라이머(PNCT)로부터 유래된 화합물인 가스 검출 센서 시험 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the ligand compound is a compound derived from a phosphonitrile chloride trimer (PNCT).
상기 희석챔버에 유입된 상기 제1 가스의 농도를 기설정된 농도로 조절하는 제2 단계;
상기 희석챔버에서 농도가 조절된 상기 제1 가스를 배출하여 가스 검출 센서 칩에 공급하는 제3 단계; 및
상기 가스 검출 센서 칩에 빛을 발산하고, 반사되는 빛을 검출하여 굴절률 변화를 측정하는 제4 단계;를 포함하는 가스 검출센서 칩 시험 방법.A first step of opening a first gas tank containing a first gas and a second gas tank containing a second gas into a dilution chamber;
A second step of adjusting a concentration of the first gas introduced into the dilution chamber to a predetermined concentration;
A third step of discharging the first gas whose concentration is adjusted in the dilution chamber and supplying the first gas to the gas detection sensor chip; And
And a fourth step of emitting light to the gas detection sensor chip and detecting a reflected light to measure a refractive index change.
상기 제2 가스만을 상기 가스 검출 센서 칩에 공급하여 비교 데이터를 취득하는 제5 단계를 더 포함하는 가스 검출센서 칩 시험 방법.14. The method of claim 13,
And a fifth step of supplying only the second gas to the gas detection sensor chip to obtain comparison data.
상기 제2 단계 내지 상기 제4 단계를 반복적으로 실시하되,
상기 제2 단계에서 조절되는 상기 제1 가스의 농도는 다양하게 변화되는 가스 검출 센서 칩 시험 방법.14. The method of claim 13,
The second step to the fourth step are repeatedly performed,
Wherein the concentration of the first gas controlled in the second step varies in various ways.
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KR20220158394A (en) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 차의과학대학교 산학협력단 | Device to test system for sensing gas and method to test system for sensing gas |
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T. Chen et al., Sensors and Actuators B 131 (2008) 301-305. |
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KR20220158394A (en) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 차의과학대학교 산학협력단 | Device to test system for sensing gas and method to test system for sensing gas |
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