KR20190021511A - Control System of Dispersion and Direction of Arc Ion Beam Using Magnetic Field and Plasma Surface Treatment System - Google Patents

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KR20190021511A
KR20190021511A KR1020170106009A KR20170106009A KR20190021511A KR 20190021511 A KR20190021511 A KR 20190021511A KR 1020170106009 A KR1020170106009 A KR 1020170106009A KR 20170106009 A KR20170106009 A KR 20170106009A KR 20190021511 A KR20190021511 A KR 20190021511A
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영하 전
여기호
김남욱
문준용
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(주)제이 앤 엘 테크
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Abstract

An objective of the present invention is to provide a device for controlling dispersion and a direction of an arc ion beam capable of dispersing an ion beam, enlarging a diameter, controlling a direction, and applying an ion beam to a large area substrate at a lower cost and in a simplified configuration. According to the objective of the present invention, the present invention provides the device controlling an emission direction of an ion beam generated from a cathodic arc source by disposing an electromagnet or permanent magnet between the cathodic arc source and a substrate to be coated and using a magnetic field change using an electrical signal of the electromagnet or mechanical movement (rotation or reciprocating motion) of the permanent magnet, and a large area surface treatment system.

Description

자장을 이용한 아크 이온빔 분산 및 방향 제어 장치와 이를 활용한 플라즈마 표면 처리 시스템{Control System of Dispersion and Direction of Arc Ion Beam Using Magnetic Field and Plasma Surface Treatment System}TECHNICAL FIELD The present invention relates to an arc ion beam dispersion and direction control apparatus using a magnetic field and a plasma surface processing system using the arc ion beam dispersion and direction control apparatus,

본 발명은 아크 이온빔 제어 기술 및 이를 이용한 플라즈마 표면처리 기술에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 아크 이온빔의 분산 및 방향 제어에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to an arc ion beam control technique and a plasma surface treatment technique using the arc ion beam control technique, and more particularly, to an arc ion beam dispersion and direction control.

아크 이온빔을 이용한 표면처리 기술은 박막 증착이나 에칭, 표면 개질 등이 있다. 특히, 아크 이온빔은 기재 표면에 이온을 주입하므로 기재 표면의 내식성, 마찰특성, 전기적 특성, 광학적 특성 등을 강화시킬 수 있어 맞춤형 표면처리에 응용될 수 있는 장점이 있다. 이러한 아크 이온빔을 이용하여 기재 표면을 균일하게 처리하기 위해서는 이온빔의 구경을 크게 하여야 하는데 이는 기술적인 어려움과 더불어 한계를 지닌다. 대부분의 이온빔의 구경은 동전 크기 정도로 이온빔을 스캔한다하여도 대면적 기재에 적용하기 어렵다. 즉, 방출 이온빔에 대한 방향 제어 없이 기재에 직선 방향으로 주사되었던 기존 방식의 경우, 증착 면적은 아크 이온 빔을 발생하는 음극 타겟(target)의 면적에 비례한다. Surface treatment techniques using arc ion beams include thin film deposition, etching, and surface modification. Particularly, since the arc ion beam injects ions into the surface of the substrate, the corrosion resistance, friction characteristics, electrical characteristics, optical characteristics, and the like of the surface of the substrate can be enhanced. In order to uniformly treat the surface of the substrate using such an arc ion beam, the diameter of the ion beam must be increased, which is a technical problem and has limitations. Most of the diameter of the ion beam is difficult to apply to the large-sized substrate even if the ion beam is scanned to the extent of the coin size. That is, in the conventional method in which the target is linearly scanned to the substrate without controlling the direction of the emitted ion beam, the deposition area is proportional to the area of the negative target that generates the arc ion beam.

따라서 대면적 기재에 대한 표면처리를 하고자 할 경우, 이온 빔의 구경을 대면적화할 수 없기 때문에 여러 개의 이온빔 소스를 사용하는데 이는 고비용의 설비비와 이온빔 제어의 어려움 및 높은 소모전력으로 인해 더더욱 적용하기 어려운 문제를 나타낸다. 이온빔의 우수한 표면처리 능력에도 불구하고 그 적용분야는 반도체 제조 분야에 한정되어 있는 이유가 상기와 같은 고비용 구조와 대면적 처리의 한계라고도 볼 수 있다. Therefore, when the surface treatment of a large-sized substrate is performed, it is impossible to make the diameter of the ion beam large, so a plurality of ion beam sources are used, which is difficult to apply due to high cost of equipment, difficulty in controlling the ion beam, Indicates a problem. Despite the excellent surface treatment ability of the ion beam, its application field is limited to the semiconductor manufacturing field, which is also considered to be the limit of the high cost structure and the large area treatment as described above.

등록번호 10-1434676호에서는 전기장을 이용한 빔 편향 기술에 대해 기재한다. 상기 공보에서는, 영구자석이 아닌 전극(애노드와 캐소드)을 빔 이동 경로에 직접 노출 시켜 빔 조사 방향을 변경하며, 이온 빔이 자나가는 경로에 전극이 배치되므로, 이온빔의 분산을 통한 구경 확대나 대면적 기재의 표면처리에는 적용될 수 없다. 상기 공보 이외에도 이온 빔의 발산 각도 제어나 정밀도 향상에 대한 기술이 공개되어 있지만 이온 빔의 경로 내에 제어 수단을 배치하기 때문에 상기 제어 수단에 의해 일어나는 코팅 물질 오염 등의 문제로 증착공정에는 적용될 수 없다. Registration No. 10-1434676 describes a beam deflection technique using an electric field. In this publication, the beam irradiation direction is changed by directly exposing the electrodes (the anode and the cathode) not the permanent magnet to the beam movement path, and the electrodes are disposed in the path where the ion beam is externally exposed. It can not be applied to surface treatment of an area substrate. In addition to the above publication, a technique for controlling the divergence angle of the ion beam and improving the accuracy is disclosed, but since the control means is disposed in the path of the ion beam, it can not be applied to the deposition process due to contamination of the coating material caused by the control means.

따라서 본 발명의 목적은 이온빔을 분산시켜 구경을 확대하고 방향을 제어하여 대면적 기재의 표면처리에 적용할 수 있는 아크 이온빔 분산 및 방향 제어 장치를 좀 더 저비용 및 간소화된 구성으로 제공하고자 하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an arc ion beam dispersion and direction control device which can be applied to the surface treatment of a large-area substrate by dispersing the ion beam and enlarging the aperture and controlling the direction, at a lower cost and simplified configuration.

상기 목적에 따라 본 발명은, 음극 아크 소스(cathodic arc source)와 코팅을 요하는 기재(substrate) 사이 구간에 전자석 또는 영구자석을 배치하여 전자석의 전기적 신호를 이용한 자장 변화 또는 영구자석의 기계적 움직임(회전 혹은 왕복 운동)을 이용하여 음극 아크 소스로부터 발생한 이온 빔(ion beam)의 방출 방향을 제어하는 아크 이온빔 분산 및 방향 제어 장치 및 대면적 표면처리 시스템을 제공한다. According to the present invention, an electromagnet or permanent magnet is disposed between a cathodic arc source and a substrate to be coated so that a magnetic field change using an electric signal of the electromagnet or a mechanical movement of the permanent magnet An arc ion beam dispersion and direction control device and a large area surface treatment system for controlling the direction of emission of an ion beam generated from a cathode arc source by using a rotating or reciprocating motion.

상기에서, 영구자석을 배치하는 경우, 모터만으로 자석을 구동할 수 있어 전류를 인가하여야 하는 전자석에 비해 전력 소모가 적어 더욱 바람직하다. 이 경우, 영구자석은 이온빔의 단면을 기준으로 이온빔 들레의 2곳에 지름을 따라 배치되거나, 4곳에 정방형으로 배치되며, 영구자석을 동기화하여 회전시킴으로써 이온빔을 분산시켜 구경을 확대하고 확대된 이온빔을 상하좌우로 편향시켜 대면적 기재에 대해 균일한 표면처리를 실시하게 한다. In the above, when the permanent magnets are disposed, the magnets can be driven only by the motor, which is more preferable because the power consumption is less than that of the electromagnets which must apply the current. In this case, the permanent magnets are arranged along the diameter of the ion beam at two places on the basis of the cross section of the ion beam, or are arranged in four places in the square, and the permanent magnet is rotated in synchronization to disperse the ion beam to enlarge the aperture, So that uniform surface treatment is performed on the large-area substrate.

상기에서, 전자석을 사용하는 경우, 코일의 권선수와 전류 값을 제어하여 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 그러나 이러한 경우, 전자석을 위한 전원을 구비하여야 하고 전력소모가 높아 영구자석을 사용하는 경우만큼 바람직하지는 않다. In the above case, when the electromagnet is used, the same effect can be obtained by controlling the winding speed and the current value of the coil. However, in such a case, a power source for the electromagnet must be provided and power consumption is high, which is not as preferable as in the case of using permanent magnets.

즉, 본 발명은, 이온 소스;That is, the present invention provides an ion source comprising: an ion source;

상기 이온 소스 전단에 배치되어 상기 이온 소스에 의해 방출된 이온에 의해 하전 된 물질 입자를 포함한 이온빔을 방출시키는 타겟;A target disposed at a front end of the ion source to emit an ion beam containing material particles charged by the ions emitted by the ion source;

상기 타겟으로 방출된 하전 된 물질 입자 빔이 입사되어 표면처리 되는, 챔버 내에 배치되는 기재; 및A substrate disposed within the chamber in which a charged particle beam emitted to the target is incident and surface treated; And

상기 이온 소스와 상기 기재 사이에 배치되되, 이온빔을 둘러싼 주변 외측에 배치되어 이온 빔을 분산시키고 이온빔의 방향을 제어하기 위한 자석;을 구비하여,And a magnet disposed between the ion source and the substrate and disposed at a periphery outside the ion beam to disperse the ion beam and control the direction of the ion beam,

상기 자석의 자장을 제어함으로써 상기 이온빔의 구경과 방향을 제어하여 상기 기재가 차지하는 면적을 상기 이온빔이 커버 하여 균일한 표면처리가 이루어지도록 한 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.And controlling the magnetic field of the magnet to control the diameter and direction of the ion beam to cover the area occupied by the base material so that the ion beam covers the surface to perform a uniform surface treatment.

상기에 있어서, 상기 이온 소스는, 아크 이온 플레이팅(arc ion plating), FCVA(filtered cathodic vacuum arc), 가스 이온 플레이팅(gas ion plating), 선형 아온 건(linear ion gun), 또는 스퍼터 소스(sputter source) 중 어느 하나를 포함하여, 기체, 액체 또는 고체의 전구체 물질을 이온화시켜 표면 개질을 필요로 하는 기재에 이온 빔을 주사하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.In the above, the ion source may be an arc ion plating, a filtered cathodic vacuum arc (FCVA), a gas ion plating, a linear ion gun, or a sputter source wherein the ion beam is injected into a substrate which needs to be surface-modified by ionizing a gas, liquid, or solid precursor material, including any one of a sputter source.

상기에 있어서, 상기 자석의 종류, 자장의 세기, 자석의 크기, 자석이 배치된 위치, 자장의 회전에 따라 이온 빔의 경로와 표면 개질 특성을 제어하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.The surface treatment system according to the present invention controls the ion beam path and the surface modification characteristic according to the type of the magnet, the intensity of the magnetic field, the size of the magnet, the position of the magnet, and the rotation of the magnetic field.

상기에 있어서, 상기 자석은, 폐라이트계 자석에 해당되는 스트론튬(Strontium)자석, 바륨(Barium)자석, 희토류계 자석인 네오디뮴(Nd-Fe-B)자석, 사마륨(Smco)자석, 알리코계 자석인 알리코(Alnico)자석, 또는 전자석 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.In the above, the magnet may be a strontium magnet, a barium magnet, a rare earth magnet, a neodymium (Nd-Fe-B) magnet, a samarium (Smco) magnet, An AlNiCo magnet, or an Alnico magnet, or an electromagnet.

상기에 있어서, 자기장 활용, 이온 빔의 분산을 통해 개질 되는 기재의 표면의 면적과 개질 처리의 균일도를 향상시키기 위해 형성되는 자기장의 측정값은 1000 내지 10000G 범위의 자기장인 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다. In the above, the measurement value of the magnetic field, which is formed in order to improve the area of the surface of the base material to be modified through the use of the magnetic field and the dispersion of the ion beam and the uniformity of the modifying treatment, Wherein the magnetic field is a magnetic field in a range of the magnetic field.

상기에 있어서, 상기 자석의 크기는, 이온 빔의 구경 크기에 상응하여 하나의 자석 또는 다수의 자석을 연결하여 배열하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.In this case, the size of the magnet is determined by connecting one magnet or a plurality of magnets in accordance with the diameter of the ion beam.

상기에 있어서, 방출되는 이온 빔을 상기 자석에 의한 자기장으로 당기거나 밀어내어 이온 빔의 범위를 확장시켜 표면처리 되어야 하는 기재들의 표면을 커버하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.Wherein the surface of the substrate to be surface-treated is covered by expanding the range of the ion beam by pulling out or pushing out the emitted ion beam into the magnetic field by the magnet.

상기에 있어서, 상기 자석의 구동은, N극과 S극이 공존하는 자석의 이극성을 이온 빔의 제어에 활용될 수 있도록 자석의 회전, 왕복, 규칙적 또는 불규칙적 운동을 하게 제어되는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템을 제공한다.In the above, the driving of the magnet is controlled so as to rotate, reciprocate, regularly or irregularly move the magnet so that the polarity of the magnet in which the N pole and the S pole coexist can be utilized for controlling the ion beam Thereby providing a surface treatment system.

본 발명에 따르면, 음극 아크 소스의 이온빔을 분산시켜 구경을 확대함으로써 대면적 기재의 표면처리에 적합하게 되며, 분산된 이온빔의 방향을 제어함으로써 대면적 기재의 표면처리를 균일하게 실시할 수 있다. According to the present invention, the ion beam of the cathode arc source is dispersed to enlarge the aperture, which is suitable for the surface treatment of the large-area substrate. By controlling the direction of the dispersed ion beam, the surface treatment of the large-area substrate can be uniformly performed.

상기에서, 이온빔의 분산과 방향 제어시 모터만으로 영구자석의 구동 제어를 이용하므로 전자석과 같이 각 코일 별로 전원을 요하지 않기 때문에 구성이 간소화되고 전력 소모도 더 낮아 설비비와 생산비를 낮출 수 있다. In the above, since the control of the dispersion and the direction of the ion beam uses the drive control of the permanent magnet only by the motor, since the power is not required for each coil like the electromagnet, the configuration is simplified and the power consumption is lower.

도 1은 본 발명에 따른, 아크 이온빔 분산 및 방향 제어 가능한 표면처리 시스템의 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 아크 이온빔 표면처리 시스템의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따라 아크 이온빔의 방향 제어를 통해 대면적 기재의 표면처리를 실시하는 것을 보여주는 단며도이다.
1 is a cross-sectional view of an arc ion beam dispersion and direction controllable surface treatment system in accordance with the present invention.
2 is a cross-sectional view of an arc ion beam surface treatment system according to the prior art.
FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views showing the surface treatment of the large-area substrate through directional control of the arc ion beam according to the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른, 아크 이온빔 분산 및 방향 제어 가능한 표면처리 시스템의 단면도이고 도 2는 종래 기술에 따른 아크 이온빔 표면처리 시스템의 단면도이다. 본 발명의 동작 및 본 발명이 종래 기술에 대해 지니는 유리한 점을 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 1 is a cross-sectional view of an arc ion beam dispersion and direction controllable surface treatment system according to the present invention, and Fig. 2 is a cross-sectional view of an arc ion beam surface treatment system according to the prior art. The operation of the present invention and the advantages of the present invention over the prior art will be briefly described as follows.

본 발명에 따른 아크 이온빔 시스템에 의한 아크 이온 플레이팅 순서는 아래와 같이 실시된다.The arc ion plating process by the arc ion beam system according to the present invention is performed as follows.

타겟(2) 표면에 전원을 연결하여 고전류를 인가한다.A power source is connected to the surface of the target 2 to apply a high current.

타겟 표면 트리거(3) 등을 이용하여 전하 축적, 전류 밀도 상승을 통한 아크 플라즈를 생성한다.The target surface trigger 3 or the like is used to generate an arc plasma through charge accumulation and current density increase.

생성된 아크 플라즈마 스팟은 타겟(2) 표면을 돌아다니며 타겟 물질을 용융(혹은 탈락)시킨다. The generated arc plasma spot travels around the surface of the target 2 to melt (or drop) the target material.

용융된 입자들은 이온화되고 타겟 전면 방향으로 날아가 기재(substrate)에 부착되면서 증착이 진행된다. The molten particles are ionized and flow toward the target front side and adhere to the substrate, and deposition proceeds.

증착을 목적으로 사용되는 아크 이온 빔 소스에 있어 아크 이온 빔의 면적(증착 면적)은 타겟(target) 면적에 비례한다. In an arc ion beam source used for deposition purposes, the area of the arc ion beam (deposition area) is proportional to the target area.

이온 소스(1)로부터 방출된 이온빔의 면적(구경)은 기재(substrate)까지의 거리에 따라 넓어질 수 있으나, 이러한 경우, 이온 빔의 중심부와 외곽부의 이온 밀도 차이는 증착 두께 편차를 발생시켜 코팅이나 표면처리 균일도가 낮아진다. The area (diameter) of the ion beam emitted from the ion source 1 may be widened according to the distance to the substrate, but in this case, the ion density difference between the central part and the outer part of the ion beam causes a deposition thickness deviation, And the uniformity of the surface treatment is lowered.

따라서 이러한 이온 빔의 이온 밀도차를 보완할 필요가 있다. Therefore, it is necessary to compensate the ion density difference of the ion beam.

아크 코팅 장치에 있어서, 방출되는 이온 빔 면적 내에서의 이온 밀도 차에 의한 횡 방향 두께 균일도 차이는 기재를 거치하는 지그 시스템(jig system)의 회전(공자전) 운용을 통해 해결 가능하다.In an arc coating apparatus, the difference in the uniformity of the lateral thickness due to the difference in ion density within the area of the emitted ion beam can be solved through the rotation (pre-confinement) operation of the jig system for mounting the substrate.

그러나 종 방향 두께 불균일에 대해서는 지그 시스템만으로 개선이 어렵고 결국 종 방향(수직)의 유효 증착 면적은 좁아질 수밖에 없는 상황이다.However, it is difficult to improve longitudinal thickness unevenness only by the jig system, and thus the effective deposition area in the vertical direction (vertical) is inevitably narrowed.

이를 개선하기 위해서는 종 방향으로 다량의 아크 이온 빔 소스를 장착, 종방향 증착 면적을 넓히는 방법이 있다. 그러나 각 아크 소스의 구축과 사용에는 상당한 비용이 소요되고 다량의 아크 소스 연동 시 제어가 복잡해지는 문제가 있다. To improve this, there is a method of mounting a large amount of arc ion beam sources in the longitudinal direction and widening the longitudinal deposition area. However, there is a problem that the construction and use of each arc source is considerably expensive and the control becomes complicated when a large amount of arc sources are interlocked.

이에 따라 본 발명은 아크 이온 빔의 이동에 있어 주변 자기장의 극성 방향에 따라 이온 입자들이 당겨지거나 밀리는 특성을 관찰하여 자장에 의한 이온 빔 제어를 시도하였다. Accordingly, in the movement of the arc ion beam, the present invention attempts to control the ion beam by the magnetic field by observing the characteristics of the ion particles being pulled or pushed according to the polarity direction of the peripheral magnetic field.

즉, 아크 이온 빔 소스(1)로부터 방출된 빔이 통과하는 구간 외곽에 영구자석을 둠으로써 인위적인 이온 빔의 편향이 가능함을 확인하였고, 진공 챔버 외곽에 영구자석을 설치하고 영구자석에 대해 기계적 움직임(회전, 왕복, 불규칙 등)을 주어 기재에 주사되는 이온 빔의 편향을 규칙적으로 제어함으로써 종 방향 증착 면적을 넓히는 것이 가능하게 되었다. That is, it was confirmed that an artificial ion beam could be deflected by placing a permanent magnet on the outer periphery of a section through which the beam emitted from the arc ion beam source 1 passes, and a permanent magnet was provided outside the vacuum chamber, (Rotation, reciprocation, irregularity, and the like), and it is possible to widen the longitudinal deposition area by regularly controlling the deflection of the ion beam scanned on the substrate.

이온 빔 편향에 사용되는 영구자석의 움직임을 위해 스텝 모터 등을 이용하였으며, 증착 영역을 상, 중, 하 구간으로 나누어 각 구역별로 이온 빔의 주사 시간을 달리함으로써 증착 두께 균일도 역시 극대화할 수 있다. In order to move the permanent magnet used for the ion beam deflection, a step motor or the like is used. By dividing the deposition region into the upper, middle, and lower sections and varying the scanning time of the ion beam in each region, the uniformity of the deposition thickness can also be maximized.

특히 영구 자석을 이용하여 자장 및 이온 빔 방출 방향을 제어하는 본 발명의 표면처리 방식은 영구 자석의 종류와 세기, 형상, 설치 위치 및 운동 방법(회전, 왕복, 속도) 등 다양한 방법으로 제어가 가능하며, 이를 위해 요구되는 장치의 구성 역시 자석 고정 기구, 모터, 제어 장치로 상대적으로 간결하여 상용 설비 적용에 대한 비용 절감과 복합 소스 활용 편리성 측면에서 큰 장점을 나타낸다. In particular, the surface treatment method of the present invention for controlling the direction of magnetic field and ion beam emission by using a permanent magnet can be controlled by various methods such as type, intensity, shape, installation position and motion method (rotation, reciprocation, speed) And the configuration of the device required for this is also relatively simple as a magnet fixing device, a motor, and a control device, thus showing a great advantage in terms of cost reduction in application of a commercial facility and convenience in utilizing a composite source.

도 1의 표면처리 시스템의 구성을 좀 더 상세히 살펴본다.The configuration of the surface treatment system of FIG. 1 will be described in more detail.

아크 이온 소스(1)를 공정 챔버에 연결하여 설치하고 챔버 내에 이온 빔에 의해 표면처리 될 기재를 배치하기 위한 지그(7)가 설치되어 있다. 상기 지그(7)는 다수의 기재를 고정할 수 있게 되어있고 지그(7) 자체는 자전하는 자전 턴 테이블(8-2)에 고정되며, 공전하는 턴테이블(8-1)에 자전 턴 테이블(8-2)이 고정되어 기재는 자전 및 공전하게 된다. 공자전은 상술한 바와 같이 이온 빔의 횡방향 이온 밀도차이를 극복하여 준다. There is provided a jig 7 for connecting the arc ion source 1 to the process chamber and for arranging the substrate to be surface-treated by the ion beam in the chamber. The jig 7 is capable of fixing a plurality of base materials and the jig 7 itself is fixed to a rotating turn table 8-2 and the rotation turn table 8 -2) is fixed so that the substrate is rotated and revolved. The confinement phase overcomes the difference in ion density in the lateral direction of the ion beam as described above.

아크 이온 소스(1)의 전단에 배치된 타겟(2)은 아크 이온빔에 의해 하전 된 물질 입자를 포함한 이온 빔을 제공한다. 이온의 초기생성을 위해 트리거(3)가 쇼트를 일으킨다. 하전입자 중 매크로 입자를 걸러내기 위해 기재에 입사되기 전에 배플(5)을 거치도록 챔버로 진입하는 연결 통로에 배플(5)을 배치하였고, 상기 배플(5) 주변 외측에 전자석(4)을 배치하여 매크로 입자 경로를 미세조종하여 배플(5)에 의해 효율적으로 걸러지도록 하였다. 매크로 입자를 걸러낸 하전 입자들의 흐름인 이온빔이 챔버에 입사하기 전 이온빔의 경로를 상하좌우로 제어할 수 있는 자석(6)이 이온빔이 지나가는 통로 주변 외측에 배치된다. 상기 자석(6)은 영구자석 또는 전자석으로 구성될 수 있으며, 전자석의 경우 전류를 공급 및 제어할 수 있는 별도의 전원(즉, 이온 소스 구동 전원 외의 전원)을 구비하여야 하므로 설비가 번거롭고 부피가 커지며 소모 전력이 높아지고 발열이 심해 영구자석으로 구성하는 것이 더 바람직하다. 영구자석의 경우, 모터에 의해 구동되어 자장 형성을 위한 전류공급용 전원을 설치할 필요가 없어 설비가 간소화되고 발열이 없으며 전력 소모도 훨씬 적어진다. The target 2 disposed at the front end of the arc ion source 1 provides an ion beam containing material particles charged by the arc ion beam. Trigger 3 causes a short for initial generation of ions. A baffle 5 is disposed in a connecting passage that enters the chamber so as to pass through the baffle 5 before entering the substrate to filter the macro particles among the charged particles and an electromagnet 4 is placed outside the baffle 5 So that the macroparticle path is finely manipulated and efficiently filtered by the baffle 5. A magnet 6 capable of controlling the path of the ion beam up, down, left, and right before the ion beam, which is the flow of charged particles filtered out of the macro particle, enters the chamber is disposed outside the passage through which the ion beam passes. The magnet 6 may be made of a permanent magnet or an electromagnet. In the case of an electromagnet, a separate power source (i.e., a power source other than the ion source driving power source) capable of supplying and controlling a current is required, It is more preferable to constitute the permanent magnet because the consumed electric power is high and the heat generation is severe. In the case of a permanent magnet, it is not necessary to provide a current supplying power source for forming a magnetic field by being driven by a motor, so that facilities are simplified, no heat is generated, and power consumption is also reduced.

즉, 본 실시예에 따르면, 방출된 이온 빔의 방향을 규칙적인 자장 변화를 통해 제어하여, 기재에 주사되는 이온 빔을 상하 혹은 좌우 방향으로 분산 (dispersion)시킬 수 있다. 이로 인해 이온빔의 구경을 키울 수 있어 대면적 표면처리에 적합하게 된다. That is, according to this embodiment, the direction of the emitted ion beam can be controlled through a regular magnetic field change, so that the ion beam scanned on the substrate can be dispersed in the vertical and horizontal directions. As a result, the diameter of the ion beam can be increased, which is suitable for large-area surface treatment.

자석의 배열은 이온 빔 둘레에 방사 대칭형으로 이루어지며, 상하 또는 좌우에 한 쌍(2개)의 자석이 배열되거나 상하좌우로 4개의 자석이 배열될 수 있다. 자석은 회전구동되어 극성을 주기적으로 변화시키되, 방사상으로 배열된 자석들 간의 극성을 서로 연계시켜 동기화하거나 조화시켜 이온 빔의 구경을 키우는 분산이 일어나게 하고, 이온 빔의 방향을 변화시켜 넓은 면적에 걸쳐 배열된 기재에 대해 이온 빔이 모두 조사되게 한다. The arrangement of the magnets is formed radially symmetrical around the ion beam, and one pair (two) of magnets may be arranged vertically or horizontally, or four magnets may be arranged vertically and horizontally. The magnet is rotationally driven to periodically change the polarity. The polarity between radially arranged magnets is synchronized with each other to synchronize or harmonize the ion beam to increase the diameter of the ion beam. The ion beam is changed in direction Causing the ion beam to be irradiated onto the arrayed substrate.

도 3과 도 4는 각각 이온 빔이 상향과 하향으로 편향된 것을 보여준다. FIGS. 3 and 4 show that the ion beam is deflected upward and downward, respectively.

이들 도면을 보면, 편향되지 않은 이온 빔에 비해 상향 된 이온 빔은 타겟(2)의 중심선을 이온 빔의 최하단부가 되고, 하향 된 이온 빔은 타겟(2)의 중심선을 이온 빔의 최상단부가 되게 제어하고 있는 것을 알 수 있다. Referring to these drawings, the ion beam that is upward relative to the un-deflected ion beam becomes the lowermost end of the ion beam and the center line of the target 2 becomes the bottom end of the ion beam. .

도 3과 도 4에서 영구자석은 이온 빔의 경로 주변에 상하로 배치되어 회전운동하며, 상하로 배치된 두 개의 영구자석은 동기화되어 회전된다. 도 3에서의 영구자석의 배향과 도 4에서의 배향은 영구자석이 180도 이상 회전하여 서로 다르며, 그에 따라 도 3에서의 이온 빔은 하향 이동하였고 도 4에서의 이온 빔은 상향 이동하였음을 보인다. In FIGS. 3 and 4, the permanent magnets are arranged in the up and down direction around the path of the ion beam, and the two permanent magnets arranged in the vertical direction are rotated synchronously. The orientation of the permanent magnet in Fig. 3 and the orientation in Fig. 4 are different from each other by rotating the permanent magnets by more than 180 degrees so that the ion beam in Fig. 3 moves downward and the ion beam in Fig. 4 moves upward .

이러한 이온 빔의 상향, 정방향, 하향 상태에 따른 이온 밀도를 분석하여 이온 빔을 상향, 정방향, 하향 상태로 두는 시간을 제어하면 이온 빔을 편향시키지 않을 때 처리될 수 있는 면적에 대비하여 2배 이상의 면적에 균일한 이온 빔 처리를 할 수 있다. By analyzing the ion density according to the upward, downward, and downward states of the ion beam, it is possible to control the time to place the ion beam in the upward, forward, and downward directions, so that the ion beam can not be deflected more than twice Uniform ion beam processing can be performed on the area.

즉, 이온 빔의 상향과 하향으로 편향된 상태를 이용하여 기재가 있는 증착 영역을 상, 중, 하 구간으로 나누어 각 구역별로 이온 빔의 주사 시간을 달리하여 증착되거나 표면처리 되는 면적 전체의 증착 두께 내지 표면처리 정도를 균일화할 수 있다. 이를 위해, 영구자석에 대해 기계적 움직임(회전, 왕복, 불규칙 등)을 주어 기재에 주사되는 이온 빔의 편향을 규칙적으로 제어함으로써 결과적으로 종 방향 증착 면적이 넓혀진 효과를 나타낸다. 영구자석의 회전운동, 왕복운동과 이들의 혼합 내지 규칙적 반복 운동에 따라 이온 빔은 수직적인 상향/하향 운동은 그 상향 각도와 하향 각도가 달라질 수 있고, 상향/하향 상태를 유지하는 시간이 달라질 수 있다. 뿐만 아니라 좌우로도 편향될 수 있으며, 자석의 불규칙적인 운동을 통해 불규칙적인 이온 빔의 이동이 전체적으로는 대면적에 균일한 처리 결과를 가져올 수 있다. 이러한 자석의 운동 및 이온 빔의 편향 제어는 이온 빔 자체 내의 이온밀도 분석 후 시뮬레이션을 통해 미리 처리하고자 하는 기재와의 상호작용을 고려하여 설정될 수 있다. That is, by using the state in which the ion beam is deflected upward and downward, the deposition region having the substrate is divided into the upper, middle, and lower sections, and the deposition thickness or thickness of the entire area, The degree of surface treatment can be made uniform. For this purpose, mechanical movement (rotation, reciprocation, irregularity, etc.) is applied to the permanent magnet to control the deflection of the ion beam scanned on the substrate regularly, resulting in the effect of enlarging the longitudinal deposition area. The upward and downward motions of the ion beam can be changed in the upward direction and the downward angle depending on the rotational motion and the reciprocating motion of the permanent magnet and the mixing or regular repetitive motion of the permanent magnet and the time for maintaining the upward / have. In addition, it can be deflected to the left and right, and irregular movement of the ion beam through the irregular movement of the magnet can result in uniform treatment on the large area as a whole. The motion of the magnet and the deflection control of the ion beam can be set in consideration of the interaction with the substrate to be processed in advance through simulation after analyzing the ion density in the ion beam itself.

상기 이온 소스는, 아크 이온 플레이팅(arc ion plating), FCVA(filtered cathodic vacuum arc), 가스 이온 플레이팅(gas ion plating), 선형 이온 건(linear ion gun), 또는 스퍼터 소스(sputter source) 중 어느 하나를 포함하여, 기체, 액체 또는 고체의 전구체 물질을 이온화시켜 표면 개질을 필요로 하는 기재에 이온 빔을 주사한다. The ion source may be one or more of arc ion plating, filtered cathodic vacuum arc (FCVA), gas ion plating, a linear ion gun, or a sputter source Ionizing the gas, liquid, or solid precursor material, including any one, to ion beam the substrate that needs surface modification.

또한, 상기에서 자석은, 폐라이트계 자석에 해당되는 스트론튬(Strontium)자석, 바륨(Barium)자석, 희토류계 자석인 네오디뮴(Nd-Fe-B)자석, 사마륨(Smco)자석, 알리코계 자석인 알리코(Alnico)자석, 또는 전자석일 수 있다. In addition, the magnet may be a strontium magnet, a barium magnet, a rare earth magnet, a neodymium (Nd-Fe-B) magnet, a samarium (Smco) magnet, An Alnico magnet, or an electromagnet.

상기 자석의 크기는, 이온 빔의 구경 크기에 상응하여 어느 정도 크기를 지닌 한 종류의 자석을 배치할 수도 있지만, 크기가 작은 다수의 자석을 연결하여 배열할 수도 있다. The size of the magnets may be one type of magnets having a certain size corresponding to the size of the aperture of the ion beam, but a plurality of magnets having a small size may be connected and arranged.

자장은 방출되는 이온 빔을 상기 자석에 의한 자기장으로 당기거나 밀어내어 이온 빔의 범위를 확장시켜 표면처리 되어야 하는 기재들의 표면을 커버 하게 되며, 기재가 분포하는 면적이 넓은 대면적에도 균일한 표면처리가 가능하게 된다. The magnetic field extends the range of the ion beam by pulling out or pushing out the emitted ion beam to the magnetic field by the magnet to cover the surface of the substrates to be surface treated, .

상기 자석의 구동은, N극과 S극이 공존하는 자석의 이극성을 이온 빔의 제어에 활용될 수 있도록 자석으로 하여금 회전운동, 왕복운동, 규칙적 또는 불규칙적 운동을 하도록 제어된다. The driving of the magnet is controlled so that the magnet is rotated, reciprocated, regularly or irregularly moved so that the polarity of the magnet in which the N pole and the S pole coexist can be utilized for controlling the ion beam.

도 2와 같이 종래 고정된 아크 이온 빔에 의해 기재 표면에 구현되는 결과물(증착 혹은 식각)은 주사된 빔의 중심과 외곽에서 큰 균일도 차이를 나타내지만, 상기와 같은 이온 빔의 조사 방식은 기재에 대한 표면 처리 결과를 매우 균일하게 한다. 표면처리에는 증착, 에칭, 질화 등 다양한 공정이 모두 포함될 수 있다. As shown in FIG. 2, the result of deposition (etching or etching) on the substrate surface by the conventional arc ion beam shows a large uniformity difference between the center and the outline of the scanned beam. However, So that the surface treatment result on the surface is very uniform. The surface treatment may include various processes such as deposition, etching, and nitriding.

특히, 영구 자석을 이용하여 자장 및 이온 빔 방출 방향을 제어하는 방식의 경우, 영구 자석의 종류와 세기, 형상, 설치 위치 및 운동 방법(예를 들면, 회전, 왕복, 속도)을 변수로 하여 다양하게 실시될 수 있다. 이를 위해 요구되는 장치의 구성은 자석 고정 기구, 모터, 모터 제어 장치 등으로 설비가 간결하여 상용 설비 적용에 대한 비용 절감과 복합 소스 활용 용이성 측면에서 큰 장점을 지닌다. Particularly, in the case of controlling the direction of magnetic field and ion beam emission by using permanent magnets, various types of permanent magnets may be used as variables, such as the type and intensity of the permanent magnet, the shape, the installation position, and the motion method (for example, rotation, . The equipment required for this purpose is a magnet fixing device, a motor, a motor control device, and the like, so that it has a great advantage in terms of cost reduction in application of commercial facilities and ease of use of composite sources.

상기에서 자석에 의한 자성의 세기는 1,000~10,000G 범위이다. The intensity of the magnetic force by the magnet is in the range of 1,000 to 10,000 G.

자석의 자성의 세기 외에 자석과 이온 빔과의 거리도 매우 중요한 변수이다. In addition to the magnetic strength of the magnet, the distance between the magnet and the ion beam is also a very important variable.

또한, 영구자석의 세부 제어 사항으로는 동작 방식과 속도가 있다. In addition, the details of the control of the permanent magnet include the operating mode and the speed.

즉, 동작 방식에는 영구자석의 회전운동과 왕복 운동이 있으며, 이는 스텝 모터 또는 서보 모터 등의 구동 장치에 의해 자석의 움직임이 제어된다. That is, there are a rotational motion and a reciprocating motion of the permanent magnet, and the motion of the magnet is controlled by a driving device such as a step motor or a servo motor.

자석의 위치(position)별 유지시간, 구동 속도는 PLC(Power Line Communication)에 의해 제어 가능하며, 코팅 유효 존 또는 코팅 효율에 따라 구동장치를 제어함으로써 목표로 하는 대면적화 및 코팅 균일도 개선 효과를 얻을 수 있다.The retention time and driving speed for each position of the magnet can be controlled by PLC (Power Line Communication). By controlling the driving device according to the coating effective zone or the coating efficiency, the targeted large area and coating uniformity can be improved .

예를 들면, 코팅 유효 존에서 상중하 중에 중의 증착 속도가 높을 경우 구동장치의 제어를 통해 상부와 하부의 노출 시간을 늘려 상중하에 균일한 증착이 가능하게 한다.For example, in a coating effective zone, when the deposition rate in a heavy load is high, the exposure time of the upper and lower portions is increased through control of the driving device, thereby enabling uniform deposition under a heavy load.

자석의 크기는 빔 이송 출구(outlet) 단면적의 30~80%가 되게 하는 것이 바람직하다.The size of the magnet is preferably 30 to 80% of the cross sectional area of the beam transfer outlet.

자석의 배치는 빔 이송 경로의 상단 및/또는 하단으로 하는 것이 바람직하며, 이송되는 빔의 중심에서 수직 방향으로 100 내지 300mm, 바람직하게는 150~250mm 간격을 두는 것이 바람직하며, 자석과 이온 빔의 간격은 이온 빔의 제어 속도와 이온 빔의 편향 범위 등에 영향을 미쳐 매우 중요한 변수가 된다. Preferably, the magnets are arranged at the top and / or bottom of the beam transport path and are spaced from 100 to 300 mm, preferably 150 to 250 mm, in the vertical direction from the center of the transported beam, The interval is a very important parameter because it affects the control speed of the ion beam and the deflection range of the ion beam.

타겟으로부터 기재에 이르는 거리 중 자석의 위치는 아크 이온빔 소스부로부터 빔 출구부인 챔버 입구에 장착한다. The position of the magnet in the distance from the target to the substrate is mounted from the arc ion beam source part to the chamber entrance which is the beam exit part.

자석의 회전 또는 왕복 운동은 스텝 모터 또는 서보 모터 등 구동 모터의 PLC 제어로 실시된다. The rotation or reciprocation of the magnet is performed by PLC control of the drive motor such as step motor or servo motor.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 제작을 할 수 있다는 것은 자명하다.It is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but is defined by the scope of the claims, and those skilled in the art can make various changes and modifications within the scope of the claims It is self-evident.

1: 아크 이온 소스
2: 타겟
3: 트리거
4: 전자석
5: 배플
6: 자석
7: 지그
8-1, 8-2: 턴 테이블
1: arc ion source
2: Target
3: Trigger
4: Electromagnet
5: Baffle
6: Magnet
7: Jig
8-1, 8-2: Turn table

Claims (8)

이온 소스;
상기 이온 소스 전단에 배치되어 상기 이온 소스에 의해 방출된 이온에 의해 하전 된 물질 입자를 포함한 이온빔을 방출시키는 타겟;
상기 타겟으로 방출된 하전 된 물질 입자 빔이 입사되어 표면처리 되는, 챔버 내에 배치되는 기재; 및
상기 이온 소스와 상기 기재 사이에 배치되되, 이온빔을 둘러싼 주변 외측에 배치되어 이온 빔을 분산시키고 이온빔의 방향을 제어하기 위한 자석;을 구비하며,
상기 자석의 자장을 제어함으로써 상기 이온빔의 구경과 방향을 제어하여 상기 기재가 차지하는 면적을 상기 이온빔이 커버 하여 이온빔이 처리하는 면적 전체에 대해 균일한 표면처리가 이루어지도록 한 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.
Ion source;
A target disposed in front of the ion source to emit an ion beam containing material particles charged by the ions emitted by the ion source;
A substrate disposed within the chamber in which a charged particle beam emitted to the target is incident and surface treated; And
And a magnet disposed between the ion source and the substrate and disposed at a periphery outside the ion beam to disperse the ion beam and control the direction of the ion beam,
Controlling the magnetic field of the magnet so as to control the diameter and direction of the ion beam to cover the area occupied by the base material so that the ion beam covers the surface of the ion beam, .
제1항에 있어서, 상기 이온 소스는, 아크 이온 플레이팅(arc ion plating), FCVA(filtered cathodic vacuum arc), 가스 이온 플레이팅(gas ion plating), 선형 아온 건(linear ion gun), 또는 스퍼터 소스(sputter source) 중 어느 하나를 포함하여, 기체, 액체 또는 고체의 전구체 물질을 이온화시켜 표면 개질을 필요로 하는 기재에 이온 빔을 주사하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.The method of claim 1, wherein the ion source is selected from the group consisting of arc ion plating, filtered cathodic vacuum arc (FCVA), gas ion plating, linear ion gun, Wherein the ion beam is scanned onto a substrate that requires surface modification by ionizing a gas, liquid, or solid precursor material, including any one of a sputter source. 제1항에 있어서, 상기 자석의 종류, 자장의 세기, 자석의 크기, 자석이 배치된 위치, 자장의 회전 운동 중 하나 이상을 제어함에 따라 이온 빔의 경로와 표면 개질 특성을 제어하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.The method of claim 1, wherein the ion beam path and the surface modification characteristic are controlled by controlling at least one of the type of the magnet, the intensity of the magnetic field, the size of the magnet, the position of the magnet, Surface treatment system. 제3항에 있어서, 상기 자석은, 폐라이트계 자석에 해당되는 스트론튬(Strontium)자석, 바륨(Barium) 자석, 희토류계 자석인 네오디뮴(Nd-Fe-B) 자석, 사마륨(Smco)자석, 알리코계 자석인 알리코(Alnico) 자석, 또는 전자석 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.The magnet according to claim 3, wherein the magnet is at least one selected from the group consisting of a strontium magnet, a barium magnet, a rare earth magnet, a neodymium (Nd-Fe-B) magnet, a samarium (Smco) An Alnico magnet as a magnet, or an electromagnet. 제1항에 있어서, 상기 기재는 공전과 자선이 이루어지는 턴 테이블에 의해 공전과 자전되어 횡방향의 이온 빔 처리 균일도를 향상시키고, 상기 자석의 자장을 제어하여 종방향의 이온 빔 처리 균일도를 향상시킨 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템. The ion beam processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is revolved and revolved by a turntable on which revolving and charring are performed to improve the uniformity of ion beam processing in the transverse direction and to control the magnetic field of the magnet to improve uniformity of ion beam processing in the longitudinal direction Wherein the surface treatment system is a surface treatment system. 제3항에 있어서, 상기 자석의 크기는, 이온 빔의 구경 크기에 상응하여 하나의 자석 또는 다수의 자석을 연결하여 배열하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.The surface treatment system according to claim 3, wherein the size of the magnet is arranged by connecting one magnet or a plurality of magnets in correspondence with the size of the aperture of the ion beam. 제3항에 있어서, 방출되는 이온 빔을 상기 자석에 의한 자기장으로 당기거나 밀어내어 이온 빔의 범위를 확장시켜 표면처리 되어야 하는 기재들의 표면을 커버하는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.4. The surface treatment system according to claim 3, wherein the surface of the substrates to be surface-treated is covered by expanding the range of the ion beam by pulling out or pushing out the emitted ion beam into the magnetic field by the magnet. 제3항에 있어서, 상기 자석의 구동은, N극과 S극이 공존하는 자석의 이극성을 이온 빔의 제어에 활용될 수 있도록 자석의 회전, 왕복, 규칙적 또는 불규칙적 운동을 하도록 제어되는 것을 특징으로 하는 표면처리 시스템.
4. The method according to claim 3, characterized in that driving of the magnet is controlled so as to rotate, reciprocate, regularly or irregularly move the magnet so that the polarity of the magnet in which the N pole and the S pole coexist can be utilized for controlling the ion beam Gt;
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