KR20180136703A - Crystalline solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 결정질 태양전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 태양전지의 전류 수집을 용이하게 하여 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 결정질 태양전지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
태양 전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. Solar cells are devices that convert light energy into electrical energy using the properties of semiconductors.
태양 전지는 P(positive)형 반도체층과 N(negative)형 반도체층을 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양 전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체 쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체 쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.The solar cell has a PN junction structure in which a P (positive) semiconductor layer and an N (negative) semiconductor layer are bonded to each other. When sunlight enters the solar cell having such a structure, Holes and electrons are generated in the semiconductor. At this time, the holes (+) move toward the P-type semiconductor due to the electric field generated at the PN junction, and the electrons (-) move toward the N-type semiconductor So that electric potential can be generated.
이와 같은 태양 전지는 일반적으로 기판형 태양 전지와 박막형 태양 전지로 구분할 수 있다. Such a solar cell generally can be classified into a substrate type solar cell and a thin film type solar cell.
상기 기판형 태양 전지는 실리콘과 같은 반도체 기판을 반도체층으로 하여 태양 전지를 제조한 것으로, 제조 비용이 높은 반면에 광전 변환 효율이 높다는 장점을 갖는다. 상기 박막형 태양 전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체층을 형성하여 태양 전지를 제조한 것으로, 광전 변환 효율이 낮은 반면에 제조 비용이 낮다는 장점이 있다.The substrate type solar cell is a solar cell manufactured by using a semiconductor substrate such as silicon as a semiconductor layer. The solar cell has advantages of high manufacturing cost and high photoelectric conversion efficiency. The thin film type solar cell is a solar cell manufactured by forming a semiconductor layer in the form of a thin film on a substrate such as glass, and has advantages of low photoelectric conversion efficiency and low manufacturing cost.
전술한 기판형 태양 전지는 반도체 기판을 식각하는 텍스처링(Texturing) 공정, 반도체층 형성 공정, 및 전극 형성 공정 등을 거쳐 제조된다. 이러한 기판형 태양 전지의 각 제조 공정에서는 수십 매의 반도체 기판을 적재할 수 있는 기판 트레이(Tray)를 사용하고 있다. 예를 들어, 기판형 태양 전지의 제조 공정 중 한 공정인 박막 증착 공정(일 예로, 플라즈마 증착 공정)을 수행하기 위한 기판 처리 장치는 반도체 기판들이 일정한 간격으로 적재된 기판 트레이 상에 소정의 박막 물질을 동시에 증착하게 된다.The above-described substrate type solar cell is manufactured through a texturing process for etching a semiconductor substrate, a semiconductor layer forming process, and an electrode forming process. In each manufacturing process of such a substrate type solar cell, a substrate tray capable of stacking several tens of semiconductor substrates is used. For example, a substrate processing apparatus for performing a thin film deposition process (for example, a plasma deposition process), which is one of processes for manufacturing a substrate-type solar cell, includes a step of forming a predetermined thin film material Are simultaneously deposited.
도 1은 일반적인 태양전지를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing a general solar cell.
도 1을 참조하여 설명하면, 일반적인 태양전지는 기판(1) 상에 핑거라인 전극(3)과 버스 바 전극(2)이 배치되어 상기 핑거라인 전극(3)에서 태양광으로 형성된 광전자(photon)가 전자, 정공으로 분리되어 상기 핑거라인 전극(3)과 상기 버스 바 전극(2)으로 수집된다.1, a general solar cell includes a
이와 같은 종래의 태양전지는 상기 핑거라인 전극(3)과 상기 버스 바 전극(2)이 동일한 간격으로 배치되어 전자, 정공의 수집 효율이 떨어질 수 있고, 이에 따라 태양전지의 효율이 감소하는 문제가 있었다. 더욱 구체적으로 상기 기판(1) 상의 표면 저항이 큰 경우 높은 저항 차에 의하여 태양전지의 전류 흐름이 원활하지 않아 fill factor(FF)의 감소로 인한 효율이 저하될 수 있는 문제가 있어 왔다.In such a conventional solar cell, the
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 기판의 표면 저항이 큰 영역에 핑거라인 전극을 조밀하게 배치하여 전자 및 정공의 수집 효율을 향상시킬 수 있는 결정질 태양전지를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a crystalline solar cell capable of improving the collecting efficiency of electrons and holes by densely arranging finger line electrodes in a region where a surface resistance of a substrate is large .
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 결정질 태양전지는 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환층; 상기 광전 변환층 상에 형성된 제 2 전극; 상기 제 2 전극에 접속된 복수의 핑거라인 전극; 및 상기 제 2 전극에 접속되고 상기 핑거라인 전극과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극을 포함하고, 상기 기판의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 상기 기판의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭보다 작은 것을 포함할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a crystalline solar cell comprising: a first electrode formed on a substrate; A photoelectric conversion layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the photoelectric conversion layer; A plurality of finger line electrodes connected to the second electrode; And a plurality of bus bar electrodes connected to the second electrode and crossing vertically with the finger line electrodes to collect electrons or holes collected from the finger line electrodes, And a width between the line electrodes may be smaller than a width between the plurality of finger line electrodes at the center of the substrate.
또한, 상기 기판의 외곽부에서 상기 기판의 중심부로 갈수록 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 점차적으로 감소하고, 상기 기판의 중심부에서 다시 상기 기판의 반대측 외곽부로 갈수록 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 점차적으로 증가하는 것을 포함할 수 있고, 상기 기판의 최외곽부에 배치된 제 1 핑거라인 전극은 상기 기판의 상면의 일단으로부터 0.5mm 내지 2.5mm 사이에 배치되는 것을 포함할 수 있다. In addition, the width between the plurality of finger-line electrodes gradually decreases from the outer edge of the substrate to the center of the substrate, and gradually decreases from the central portion of the substrate to the outer- The width may include a gradual increase and the first finger line electrode disposed at the outermost portion of the substrate may be disposed between 0.5 mm and 2.5 mm from one end of the upper surface of the substrate.
또한, 상기 핑거라인 전극의 폭은 상기 기판의 최외곽부에서 가장 큰 것을 포함할 수 있고, 상기 복수의 핑거라인 전극은 대칭으로 배치되는 것을 포함할 수 있다. In addition, the width of the finger line electrode may include a largest one of the outermost portions of the substrate, and the plurality of finger line electrodes may be disposed symmetrically.
또한, 상기 복수의 핑거라인 전극 및 상기 복수의 버스 바 전극의 면적은 상기 기판의 면적의 1% 이상 5% 이하로 형성되는 것을 포함할 수 있다. The area of the plurality of finger line electrodes and the plurality of bus bar electrodes may be 1% or more and 5% or less of the area of the substrate.
본 발명은 또한, 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환층; 상기 광전 변환층 상에 형성된 제 2 전극; 상기 제 2 전극에 접속된 복수의 핑거라인 전극; 및 상기 제 2 전극에 접속되고 상기 핑거라인 전극과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극을 포함하고, 상기 기판의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 제 1 폭, 상기 기판의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 제 2 폭이고, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭보다 작은 것을 포함할 수 있다.The present invention also provides a liquid crystal display comprising: a first electrode formed on a substrate; A photoelectric conversion layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the photoelectric conversion layer; A plurality of finger line electrodes connected to the second electrode; And a plurality of bus bar electrodes connected to the second electrode and crossing vertically with the finger line electrodes to collect electrons or holes collected from the finger line electrodes, A width between the line electrodes is a first width, a width between the plurality of finger line electrodes at a center portion of the substrate is a second width, and the first width is smaller than the second width.
본 발명은 또한, 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환층; 상기 광전 변환층 상에 형성된 제 2 전극; 상기 제 2 전극에 접속된 복수의 핑거라인 전극; 및 상기 제 2 전극에 접속되고 상기 핑거라인 전극과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극을 포함하는 결정질 태양전지에 있어서, 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 상기 태양전지의 표면 저항의 크기에 따라 결정되는 것을 포함할 수 있다.The present invention also provides a liquid crystal display comprising: a first electrode formed on a substrate; A photoelectric conversion layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the photoelectric conversion layer; A plurality of finger line electrodes connected to the second electrode; And a plurality of bus bar electrodes connected to the second electrode and vertically crossing the finger line electrodes to collect electrons or holes collected from the finger line electrodes, wherein the plurality of finger lines The width between the electrodes may be determined depending on the magnitude of the surface resistance of the solar cell.
또한, 상기 태양전지의 표면 저항은 상기 태양전지의 외곽부가 상기 태양전지의 중심부보다 큰 것을 포함할 수 있고, 상기 태양전지의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 상기 태양전지의 중심부에서의 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭보다 작은 것을 포함할 수 있다.The surface resistance of the solar cell may include an outer portion of the solar cell larger than a central portion of the solar cell, and a width between the plurality of finger- And a width between the plurality of finger-line electrodes in the first electrode.
또한, 상기 복수의 핑거라인 전극 중 상기 태양전지의 최외곽에 배치된 제 1 핑거라인 전극 및 상기 제 1 핑거라인 전극과 가장 인접한 제 2 핑거라인 전극에서 상기 제 1 핑거라인 전극의 폭은 상기 제 2 핑거라인 전극의 폭보다 크고, 상기 태양전지의 최외곽에 배치된 상기 핑거라인 전극을 제외하고 나머지 상기 핑거라인 전극의 폭은 동일한 것을 포함할 수 있다. The width of the first finger line electrode in the first finger line electrode disposed at the outermost portion of the solar cell and the second finger line electrode closest to the first finger line electrode among the plurality of finger line electrodes may be a width The width of the finger line electrodes may be the same as the width of the finger line electrodes other than the finger line electrodes disposed at the outermost portion of the solar cell.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.
기판의 표면 저항이 큰 태양전지의 외곽부에 핑거라인 전극을 조밀하게 배치하여 전자 및 정공의 수집 효율이 향상되어 태양전지의 효율이 향상될 수 있고, 태양전지의 전류 흐름을 원활하게 하여 필 펙터(fill factor)를 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.The finger line electrodes are densely arranged on the outer surface of the solar cell having a large surface resistance of the substrate to improve the efficiency of collecting electrons and holes to improve the efficiency of the solar cell and smooth the current flow of the solar cell, the efficiency of the solar cell can be improved by increasing the fill factor.
도 1은 일반적인 태양전지를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 평면도이다.1 is a view schematically showing a general solar cell.
2 is a perspective view schematically showing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically showing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view schematically showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
5 is a plan view schematically showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view schematically showing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시 예에 따른 결정질 태양전지는 기판(10) 상에 형성된 제 1 전극(20); 상기 제 1 전극(20) 상에 형성된 광전 변환층(30); 상기 광전 변환층(30) 상에 형성된 제 2 전극(50); 상기 제 2 전극(50)에 접속된 복수의 핑거라인 전극(100); 및 상기 제 2 전극(50)에 접속되고 상기 핑거라인 전극(100)과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극(100)으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극(200)을 포함하고, 상기 기판(10)의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 상기 기판(10)의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭보다 작은 것을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, a crystalline solar cell according to an embodiment of the present invention includes a
상기 기판(10)은 유리 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 또는 플렉시블 기판이 될 수 있다. 상기 기판(10)으로 유리 기판을 사용할 경우 태양전지의 생산 단자를 줄일 수 있다. 반면에, 상기 기판(10)으로 금속 기판, 플라스틱 기판 또는 플렉시블 기판을 사용할 경우 태양전지의 박형화 및 경량화를 가능하게 할 수 있고, 플렉시블 태양전지를 제조할 수 있다. 예를 들어, 금속 기판은 알루미늄 또는 스테인리스 재질로 이루어질 수 있고, 플렉시블 기판은 박형(50 ~ 200 ㎛의 두께) 유리, 금속 호일, 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다. 여기서, 플라스틱 재질은 PC(Polycarbonate), PET(Polyethylene terephthalate), PES(Polyethersulfone), PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate), PEEK(Polyetheretherketone) 등의 열가소성 세미결정성 고분자(Thermoplastic Semicrystalline Polymer) 재질로 이루어질 수 있다.The
상기 제 1 전극(20)은 상기 기판(10)의 전면에 형성되어 상기 광전 변환층(30)에 의해 생성되는 정공이 이동하는 (+) 전극의 역할을 한다. 이때, 상기 제 1 전극(20)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, 또는 Ag+Al+Zn 등과 같은 금속물질을 이용하여 형성하거나, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H 등과 같은 투명한 도전물질(TCO, Transparent Conductive Oxide)로 이루어 질 수 있다.The
한편, 상기 제 1 전극(20)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등에 의해 상기 기판(10) 전면에 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H 등과 같은 투명한 도전물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제 1 전극(20)은 대략 1㎛의 두께로 형성될 수 있다.The
이러한, 상기 제 1 전극(20)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하기 위해서 텍스처(Texturing) 가공 공정을 통해 요철구조를 가지도록 형성될 수 있다. 텍스처 가공 공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 가공하는 공정으로서, 포토리소그라피법(photolithography)을 이용한 식각공정, 화학용액을 이용한 이방성 식각공정(anisotropic etching), 또는 기계적 스크라이빙(mechanical scribing)을 이용한 홈 형성 공정 등을 통해 수행할 수 있다.Since the
상기 광전 변환층(30)은 상기 제 1 전극(20)의 전면에 반도체 물질로 형성되어 태양 광에 의해 생성되는 정공 및 전자의 드리프트(Drift)를 통해 소정의 전력을 생성한다. 여기서, 상기 광전 변환층(30)은 실리콘계 반도체 물질로 형성될 수 있다.The photoelectric conversion layer 30 is formed of a semiconductor material on the entire surface of the
상기 광전 변환층(30)은, P형 반도체 물질층, I형 반도체 물질층 및 N형 반도체 물질층이 순서대로 적층된 PIN 구조의 반도체층으로 형성될 수 있다.The photoelectric conversion layer 30 may be formed of a semiconductor layer of a PIN structure in which a P-type semiconductor material layer, an I-type semiconductor material layer, and an N-type semiconductor material layer are sequentially stacked.
상기 N형 반도체 물질층은 N형 도핑물질(예컨대, 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P) 등의 5족 원소 물질)로 도핑된 반도체를 의미하며, 상기 I형 반도체 물질층은 진성 반도체를 의미하며, 상기 P형 반도체 물질층은 P형 도핑 물질(예컨대, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 3족 원소 물질)로 도핑된 반도체를 의미한다. 여기서, 상기 I형 반도체 물질층 대신에 상기 N형 또는 P형 반도체 물질층 보다 얇은 두께의 상기 N형 또는 P형 반도체 물질층이 형성될 수도 있고, 상기 I형 반도체 물질층 대신에 상기 N형 또는 P형 반도체 물질층 보다 도핑 농도가 낮은 N형 또는 P형 반도체 물질층이 형성될 수 있다.The N-type semiconductor material layer means a semiconductor doped with an N-type doping material (for example, a Group 5 element material such as antimony (Sb), arsenic (As) And the P-type semiconductor material layer means a semiconductor doped with a P-type doping material (for example, a Group III element material such as boron (B), gallium (Ga), or indium (In)). Here, instead of the I-type semiconductor material layer, the N-type or P-type semiconductor material layer having a thickness thinner than the N-type or P-type semiconductor material layer may be formed, An N-type or P-type semiconductor material layer having a lower doping concentration than the P-type semiconductor material layer can be formed.
이와 같이 상기 광전 변환층(30)이 PIN 구조의 반도체층으로 형성되면, 상기 I형 반도체 물질층이 상기 P형 반도체 물질층과 상기 N형 반도체 물질층에 의해 공핍(Depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(Drift)되어 각각 상기 P형 반도체 물질층 및 상기 N형 반도체 물질층에서 수집되게 된다.When the photoelectric conversion layer 30 is formed of a semiconductor layer having a PIN structure, the I-type semiconductor material layer is depleted by the P-type semiconductor material layer and the N-type semiconductor material layer, And holes and electrons generated by the sunlight are drifted by the electric field to be collected in the p-type semiconductor material layer and the n-type semiconductor material layer, respectively.
한편, 상기 광전 변환층(30)이 PIN 구조의 반도체층으로 형성될 경우에는 상기 제 1 전극(20) 상에 상기 P형 반도체 물질층을 형성한 후, 그 위에 상기 I형 반도체 물질층 및 상기 N형 반도체 물질층을 형성하는 것이 바람직한데, 그 이유는 일반적으로 정공의 드리프트 이동도(drift mobility)가 전자의 드리프트 이동도에 의해 낮기 때문에 입사광에 의한 수집효율을 극대화하기 위해서 상기 P형 반도체 물질층을 수광면에 가깝게 형성하기 위함이다.When the photoelectric conversion layer 30 is formed of a semiconductor layer having a PIN structure, the P-type semiconductor material layer is formed on the
또한, 상기 광전 변환층(30)은 탠덤(Tandem) 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(30)은 PIN 구조의 비정질 반도체물질 또는 PIN 구조의 미세결정질 반도체물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 비정질 반도체물질은 단파장의 광을 잘 흡수하고, 미세결정질 반도체물질은 장파장의 광을 잘 흡수하는 특성이 있기 때문에, 비정질 반도체물질과 미세결정질 반도체물질을 조합할 경우 광흡수효율이 증진될 수 있다. In addition, the photoelectric conversion layer 30 may have a tandem structure. The photoelectric conversion layer 30 may be formed of an amorphous semiconductor material having a PIN structure or a microcrystalline semiconductor material having a PIN structure. Since the amorphous semiconductor material absorbs light having a short wavelength and the microcrystalline semiconductor material has a property to absorb light having a long wavelength, the light absorption efficiency can be enhanced when the amorphous semiconductor material and the microcrystalline semiconductor material are combined have.
또한, 상기 광전 편환층은 트리플(Triple) 구조를 가지도록 형성될 수 있다.In addition, the photoelectric conversion layer may be formed to have a triple structure.
상기 투명 도전층(40)은 상기 제 1 전극(20)과 동일한 투명 도전물질로 형성될 수 있으며, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H 등과 같은 투명한 도전물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 투명 도전층(40)은 대략 100㎚ 정도의 두께로 형성될 수 있다. 이러한, 상기 투명 도전층(40)은 상기 광전 변환층(30)을 투과한 태양광을 산란시켜 다양한 각으로 진행시킴과 아울러 상기 제 2 전극(50)에서 반사되어 상기 광전 변환층(30)으로 재입사되는 광의 비율을 증가시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시킨다. 상술한 상기 투명 도전층(40)은 생략될 수도 있다.The transparent conductive layer 40 may be formed of the same transparent conductive material as the
상기 제 2 전극(50)은 상기 광전 변환층(30)의 전면에 형성된다. 상기 제 2 전극(50)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속재질을 이용한 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다. 이때, 프린팅 공정은 스크린 프린팅(Screen Printing), 잉크젯 프린팅(Inkjet Printing), 그라비아 프린팅(Gravure Printing), 그라비아 오프셋 프린팅(Gravure Offset Printing), 리버스 프린팅(Reverse Printing), 플렉소 프린팅(Flexo Printing), 또는 마이크로 콘택 프린팅(Micro Contact Printing) 방법이 될 수 있다. 여기서, 스크린 프린팅 방법은 스크린 위에 잉크를 올리고, 일정 압력으로 스퀴지(Squeegee)를 가압하면서 이동시켜 스크린의 메쉬를 통해 잉크를 전사하는 방식이다. 잉크젯 프린팅 방법은 매우 작은 잉크 방울을 기판에 충돌시켜 프린팅하는 방식이다. 그라비아 프린팅 방법은 평평한 비화선부에 묻어 있는 잉크를 닥터 블레이드로 제거하고 에칭되어 오목한 화선부에 묻어 있는 잉크만을 기판에 전이시켜 프린팅하는 방식이다.The
그라비아 오프셋 프린팅 방법은 잉크를 인쇄판에서 블랑켓에 전사하고 그 블랑켓의 잉크를 다시 기판에 전사하는 방식이다. 리버스 프린팅 방법은 용매를 잉크로 이용하여 프린팅하는 방식이다. 플렉소 프린팅 방법은 양각되어 있는 부분에 잉크를 묻혀서 이를 프린트하는 방식이다. 마이크로 콘택 프린팅 방법은 스탬프에 원하는 물질을 올려 도장처럼 찍어 프린팅하는 방식이다.The gravure offset printing method is a method in which ink is transferred from a printing plate to a blanket and the ink of the blanket is transferred to the substrate again. The reverse printing method is a method of printing using a solvent as an ink. The flexo printing method is a method of printing ink with embossed portions. The microcontact printing method is a method of printing a desired material on a stamp and printing it as a paint.
또한, 상기 제 2 전극(50)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, Ag+Al+Zn, ITO, FTO, ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2 , SnO2:F, ZnO:Ga2O3 , ZnO:Al2O3 , SnO2 :Sb2O3 등과 같은 도전물질을 이용한 MOCVD 공정, PECVD 공정, 또는 스퍼터링 공정 등을 포함하는 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.The
상기 핑거라인 전극(100)은 생성된 전자나 정공 등을 수집하기 위하여 상기 광전 변환층(30)의 표면에 상기 광전 변환층(30) 전면에 걸쳐 형성될 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)은 태양광이 입사하는 면에 형성되는 전극이므로 복수개의 가는 선들이 인접하여 연이어 나열된 형상으로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 아니하고 최대한 광입사영역을 확보할 수 있도록 다른 형상으로도 배치될 수 있다. The
상기 핑거라인 전극(100)은 높은 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)은 금속을 포함할 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)은 전기전도성이 높은 금속으로 형성될 수 있고, 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 또는 금(Au)이 사용될 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)은 이러한 금속에 유기물, 용매 및 유리프릿 등을 혼합하여 페이스트로 만들고 이를 인쇄하고 소성하는 방식으로 형성되거나, 또는 시드(seed)층을 이용한 도금공정으로 형성될 수도 있다.The
상기 핑거라인 전극(100)은 상기 버스 바 전극(200)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)을 통해 수집된 전자 또는 정공을 상기 버스 바 전극(200)으로 이동시킬 수 있다. The
상기 복수의 핑거라인 전극(100)은 대칭으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 핑거라인 전극(100)은 상기 기판(10) 상에 평행하게 배치될 수 있고, 상기 기판(10)의 중앙을 기준으로 대칭으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 핑거라인 전극(100)은 상기 기판(10)의 주변부에서 상기 기판(10)의 일단과 반대측의 타단에서 동일하게 대칭으로 형성될 수 있다. 아래에서는 상기 기판(10)의 일단을 기준으로 설명한다.The plurality of
상기 버스 바 전극(200)은 상기 제 2 전극(50)에 접속되고 상기 핑거라인 전극(100)와 수직으로 교차 연결될 수 있다. 상기 버스 바 전극(200)은 상기 핑거라인 전극(100)과 상기 제 2 전극(50)에 공통으로 접속되도록 형성됨으로써 상기 광전 변환층(30)에 의해 생성되는 전자가 이동하는 (-) 전극의 역할을 한다. 이때, 상기 버스 바 전극(200)은 상기 제 2 전극(50)의 양측 가장자리 부분 각각에 형성될 수 있으나 이에 한정되지 아니한다. 이러한, 상기 버스 바 전극(200)은 Ag, Al, Ag+Al, Ag+Mg, Ag+Mn, Ag+Sb, Ag+Zn, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu, Ag+Al+Zn 또는 Ag+Sn+Cu 등과 같이 도전성이 우수하고 용융점이 낮은 금속물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 버스 바 전극(200)은 구리(Cu) 재질의 금속물질과 산화 방지를 위해 금속재질에 코팅된 은(Ag)과 주석(Sn)의 합금(AgSn) 재질의 코팅물질을 포함하여 구성될 수 있다.The
본 발명에 따른 결정질 태양전지는 기판(10) 상에 형성된 제 1 전극(20); 상기 제 1 전극(20) 상에 형성된 광전 변환층(30); 상기 광전 변환층(30) 상에 형성된 제 2 전극(50); 상기 제 2 전극(50)에 접속된 복수의 핑거라인 전극(100); 및 상기 제 2 전극(50)에 접속되고 상기 핑거라인 전극(100)과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극(100)으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극(200)을 포함하는 결정질 태양전지에 있어서, 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 상기 태양전지의 표면 저항의 크기에 따라 결정될 수 있다. A crystalline solar cell according to the present invention includes a first electrode (20) formed on a substrate (10); A photoelectric conversion layer (30) formed on the first electrode (20); A second electrode (50) formed on the photoelectric conversion layer (30); A plurality of finger line electrodes (100) connected to the second electrode (50); And a plurality of
상기 태양전지의 표면 저항의 크기가 큰 영역에 상기 복수의 핑거라인 전극(100)은 조밀하게 배치될 수 있다. 상기 태양전지의 표면 저항의 크기가 큰 영역에 상기 복수의 핑거라인 전극(100)이 조밀하게 배치되는 경우 전자 및 정공의 수집 효율이 향상되어 태양전지의 효율이 향상될 수 있고, 태양전지의 전류 흐름을 원활하게 하여 필 팩터(fill factor)를 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.The plurality of
상기 태양전지의 표면 저항은 상기 태양전지의 외곽부가 상기 태양전지의 중심부보다 클 수 있고, 따라서 상기 태양전지의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 상기 태양전지의 중심부에서의 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭보다 작을 수 있다. 상기 태양전지의 표면 저항은 상기 태양전지의 외곽부에서 상기 태양전지의 중심부보다 클 수 있고, 이 경우 상기 태양전지의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭이 상기 태양전지의 중심부에서 보다 조밀하게 배치될 수 있다.The surface resistance of the solar cell may be larger than the center portion of the solar cell, so that the width between the plurality of
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 태양전지를 개략적으로 나타내는 평면도이다.3 to 5 are plan views schematically showing a solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 5는 설명의 편의상 상기 기판(10)의 한 쪽 모서리만을 도시하였고, 상기 기판(10) 상에 상기 핑거라인 전극(100) 및 상기 버스 바 전극(200)이 형성된 것으로 도시하였다. 3 to 5 show only one edge of the
도 3 내지 도 5를 참고하여 설명하면, 상기 기판(10)의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 상기 기판(10)의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭보다 작게 형성될 수 있다. 상기 기판(10)의 외곽부에서 상기 기판(10)의 중심부로 갈수록 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 점차적으로 감소하고, 상기 기판(10)의 중심부에서 다시 상기 기판(10)의 반대측 외곽부로 갈수록 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 점차적으로 증가할 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)은 상기 기판(10) 상에 배치된 상기 제 2 전극(50) 상에 서로 평행하게 배치될 수 있다. 3 to 5, a width between the plurality of
본 발명에 따른 결정질 태양전지는 기판(10) 상에 형성된 제 1 전극(20); 상기 제 1 전극(20) 상에 형성된 광전 변환층(30); 상기 광전 변환층(30) 상에 형성된 제 2 전극(50); 상기 제 2 전극(50)에 접속된 복수의 핑거라인 전극(100); 및 상기 제 2 전극(50)에 접속되고 상기 핑거라인 전극(100)과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극(100)으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극(200)을 포함하고, 상기 기판(10)의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 제 1 폭, 상기 기판(10)의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 사이의 폭은 제 2 폭이고, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭보다 작은 것을 포함할 수 있다.A crystalline solar cell according to the present invention includes a first electrode (20) formed on a substrate (10); A photoelectric conversion layer (30) formed on the first electrode (20); A second electrode (50) formed on the photoelectric conversion layer (30); A plurality of finger line electrodes (100) connected to the second electrode (50); And a plurality of
상기 기판(10) 상에 배치된 상기 복수의 핑거라인 전극(100)은 상기 기판(10)의 일단으로부터 차례대로 제 1 핑거라인 전극(110), 제 2 핑거라인 전극(120), 제 3 핑거라인 전극(130), 제 4 핑거라인 전극(140) 등으로 배치될 수 있다. 상기 제 1 핑거라인 전극(110)과 상기 제 2 핑거라인 전극(120) 사이의 폭을 제 1 폭(D1)이라 하고, 상기 제 3 핑거라인 전극(130)과 제 4 핑거라인 전극(140) 사이의 폭을 제 2 폭(D2)라 하면, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭 보다 작게 형성될 수 있다. The plurality of
도 4를 참고하여 설명하면, 상기 기판(10)의 최외곽부에 배치된 상기 제 1 핑거라인 전극(110)은 상기 기판(10)의 상면의 일단으로부터 0.5mm 내지 2.5mm 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 1 핑거라인 전극(110)과 상기 기판(10)의 일단 사이의 거리는 D4로 나타낼 수 있다. 상기 기판(10)의 최외곽부에 배치된 상기 제 1 핑거라인 전극(110)이 상기 기판(10)의 상면의 일단으로부터 0.5mm 이내로 배치되는 경우 상기 핑거라인 전극(100)이 상기 기판(10)의 일단과 너무 가깝게 배치되어 전자 또는 정공의 수집 효율이 감소될 수 있다. 상기 기판(10)의 최외곽부에 배치된 상기 제 1 핑거라인 전극(110)이 상기 기판(10)의 상면의 일단으로부터 2.5mm 이상으로 배치되는 경우 상기 기판(10)의 일단의 영역에서 수집되는 전자 또는 정공을 수집하기 어려워 태양전지의 효율이 감소할 수 있다.4, the first
도 3 및 도 4에서 상기 기판(10)의 일단과 상기 제 1 핑거라인 전극(110) 사이의 거리를 각각 D3와 D4로 표시하였고, 상기 D4는 상기 D3보다 작게 배치될 수 있다. 상기 D4는 상기 D3 보다 작게 배치되어 태양전지의 상단의 최외곽 부분의 데드 존(dead zone)을 개선하여 전류의 수집을 원활하게 할 수 있다.In FIGS. 3 and 4, distances between one end of the
도 5를 참고하여 설명하면 본 발명에 따른 결정질 태양전지는 상기 핑거라인 전극(100)의 폭은 상기 기판(10)의 최외곽부에서 가장 크게 형성될 수 있다. 즉 상기 제 1 핑거라인 전극(110)의 폭은 상기 제 2 핑거라인 전극(120), 상기 제 3 핑거라인 전극(130)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 상기 제 1 핑거라인 전극(110)의 폭은 상기 제 2 핑거라인 전극(120), 상기 제 3 핑거라인 전극(130)의 폭보다 크게 형성되어 태양전지의 상단의 최외곽 부분의 데드 존(dead zone)을 개선하여 전류의 수집을 원활하게 할 수 있다. 상기 핑거라인 전극(100)의 폭은 상기 기판(10)의 최외곽부에서 가장 크게 형성될 수 있다고 서술하였으나 상기 태양전지의 표면 저항이 큰 영역에서 상기 핑거라인 전극(100)의 폭을 크게 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, in the crystalline solar cell according to the present invention, the width of the
상기 복수의 핑거라인 전극(100) 및 상기 복수의 버스 바 전극(200)의 면적은 상기 기판(10)의 면적의 1% 이상 5% 이하로 형성될 수 있다. 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 및 상기 복수의 버스 바 전극(200)의 면적은 상기 기판(10)의 면적의 1% 이하로 형성되는 경우 전자 및 정공의 수집이 원활하게 이루어지지 않을 수 있고, 상기 복수의 핑거라인 전극(100) 및 상기 복수의 버스 바 전극(200)의 면적은 상기 기판(10)의 면적의 5% 이상으로 형성되는 경우 상기 기판(10)의 상면의 수광 면적이 감소하여 태양전지의 효율이 감소할 수 있다.The area of the plurality of
상기 복수의 핑거라인 전극(100) 중 상기 태양전지의 최외곽에 배치된 제 1 핑거라인 전극(110) 및 상기 제 1 핑거라인 전극(110)과 가장 인접한 제 2 핑거라인 전극(120)에서 상기 제 1 핑거라인 전극(110)의 폭은 상기 제 2 핑거라인 전극(120)의 폭보다 크고, 상기 태양전지의 최외곽에 배치된 상기 핑거라인 전극(100)을 제외하고 나머지 상기 핑거라인 전극(100)의 폭은 동일하게 형성될 수 있다. 이 경우 상기 제 1 핑거라인 전극(110)의 폭이 다른 핑거라인 전극(100)의 폭보다 크게 형성될 수 있고, 상기 태양전지의 반대측의 최외곽에 배치된 상기 핑거라인 전극(100)의 폭은 상기 제 1 핑거라인 전극(110)의 폭과 동일하게 형성될 수 있으나 이에 한정되지 아니하고, 상기 제 1 핑거라인 전극(110) 및 상기 제 2 핑거라인 전극(120)의 폭이 다른 핑거라인 전극(100)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.A first
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
10: 기판 20: 제 1 전극
30: 광전 변환층 40: 투명 도전층
50: 제 2 전극 100: 핑거라인 전극
200: 버스 바 전극 110: 제 1 핑거라인 전극
120: 제 2 핑거라인 전극10: substrate 20: first electrode
30: photoelectric conversion layer 40: transparent conductive layer
50: second electrode 100: finger line electrode
200: bus bar electrode 110: first finger line electrode
120: second finger line electrode
Claims (11)
상기 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환층;
상기 광전 변환층 상에 형성된 제 2 전극;
상기 제 2 전극에 접속된 복수의 핑거라인 전극; 및
상기 제 2 전극에 접속되고 상기 핑거라인 전극과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극을 포함하고,
상기 기판의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 상기 기판의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭보다 작은 것을 포함하는 결정질 태양전지.A first electrode formed on a substrate;
A photoelectric conversion layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the photoelectric conversion layer;
A plurality of finger line electrodes connected to the second electrode; And
And a plurality of bus bar electrodes connected to the second electrode and vertically crossing the finger line electrodes to collect electrons or holes collected from the finger line electrodes,
Wherein a width between the plurality of finger line electrodes at an outer portion of the substrate is smaller than a width between the plurality of finger line electrodes at a central portion of the substrate.
상기 기판의 외곽부에서 상기 기판의 중심부로 갈수록 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 점차적으로 감소하고, 상기 기판의 중심부에서 다시 상기 기판의 반대측 외곽부로 갈수록 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 점차적으로 증가하는 것을 포함하는 결정질 태양전지.The method according to claim 1,
The width between the plurality of finger line electrodes gradually decreases from the outer frame portion of the substrate to the central portion of the substrate, and the width between the plurality of finger line electrodes increases from the center portion of the substrate to the outer frame portion opposite to the substrate, Lt; RTI ID = 0.0 > increasing < / RTI >
상기 기판의 최외곽부에 배치된 제 1 핑거라인 전극은 상기 기판의 상면의 일단으로부터 0.5mm 내지 2.5mm 사이에 배치되는 것을 포함하는 결정질 태양전지. The method according to claim 1,
Wherein the first finger line electrode disposed at the outermost portion of the substrate is disposed between 0.5 mm and 2.5 mm from one end of the upper surface of the substrate.
상기 핑거라인 전극의 폭은 상기 기판의 최외곽부에서 가장 큰 것을 포함하는 결정질 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the width of the finger line electrode is the largest at the outermost portion of the substrate.
상기 복수의 핑거라인 전극은 대칭으로 배치되는 것을 포함하는 결정질 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of finger line electrodes are arranged symmetrically.
상기 복수의 핑거라인 전극 및 상기 복수의 버스 바 전극의 면적은 상기 기판의 면적의 1% 이상 5% 이하로 형성되는 것을 포함하는 결정질 태양전지.The method according to claim 1,
Wherein an area of the plurality of finger line electrodes and the plurality of bus bar electrodes is 1% or more and 5% or less of the area of the substrate.
상기 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환층;
상기 광전 변환층 상에 형성된 제 2 전극;
상기 제 2 전극에 접속된 복수의 핑거라인 전극; 및
상기 제 2 전극에 접속되고 상기 핑거라인 전극과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극을 포함하고,
상기 기판의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 제 1 폭, 상기 기판의 중심부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 제 2 폭이고, 상기 제 1 폭은 상기 제 2 폭보다 작은 것을 포함하는 결정질 태양전지.A first electrode formed on a substrate;
A photoelectric conversion layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the photoelectric conversion layer;
A plurality of finger line electrodes connected to the second electrode; And
And a plurality of bus bar electrodes connected to the second electrode and vertically crossing the finger line electrodes to collect electrons or holes collected from the finger line electrodes,
Wherein a width between the plurality of finger line electrodes at a periphery of the substrate is a first width and a width between the plurality of finger line electrodes at a center portion of the substrate is a second width, Crystalline solar cells containing small ones.
상기 제 1 전극 상에 형성된 광전 변환층;
상기 광전 변환층 상에 형성된 제 2 전극;
상기 제 2 전극에 접속된 복수의 핑거라인 전극; 및
상기 제 2 전극에 접속되고 상기 핑거라인 전극과 수직으로 교차 연결되어 상기 핑거라인 전극으로부터 수집된 전자 또는 정공을 수집하는 복수의 버스 바 전극을 포함하는 결정질 태양전지에 있어서,
상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 상기 태양전지의 표면 저항의 크기에 따라 결정되는 것을 포함하는 결정질 태양전지.A first electrode formed on a substrate;
A photoelectric conversion layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the photoelectric conversion layer;
A plurality of finger line electrodes connected to the second electrode; And
And a plurality of bus bar electrodes connected to the second electrode and perpendicularly crossing the finger line electrodes to collect electrons or holes collected from the finger line electrodes,
Wherein a width between the plurality of finger line electrodes is determined according to a magnitude of a surface resistance of the solar cell.
상기 태양전지의 표면 저항은 상기 태양전지의 외곽부가 상기 태양전지의 중심부보다 큰 것을 포함하는 결정질 태양전지.9. The method of claim 8,
Wherein a surface resistance of the solar cell includes an outer portion of the solar cell larger than a center portion of the solar cell.
상기 태양전지의 외곽부에서 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭은 상기 태양전지의 중심부에서의 상기 복수의 핑거라인 전극 사이의 폭보다 작은 것을 포함하는 결정질 태양전지.10. The method of claim 9,
Wherein a width between the plurality of finger line electrodes at an outer portion of the solar cell is smaller than a width between the plurality of finger line electrodes at a central portion of the solar cell.
상기 복수의 핑거라인 전극 중 상기 태양전지의 최외곽에 배치된 제 1 핑거라인 전극 및 상기 제 1 핑거라인 전극과 가장 인접한 제 2 핑거라인 전극에서 상기 제 1 핑거라인 전극의 폭은 상기 제 2 핑거라인 전극의 폭보다 크고, 상기 태양전지의 최외곽에 배치된 상기 핑거라인 전극을 제외하고 나머지 상기 핑거라인 전극의 폭은 동일한 것을 포함하는 결정질 태양전지.
9. The method of claim 8,
Wherein a width of the first finger line electrode in a first finger line electrode disposed at an outermost portion of the solar cell and a second finger line electrode closest to the first finger line electrode among the plurality of finger line electrodes, Wherein the width of the finger electrode is greater than the width of the line electrode and the width of the remaining finger line electrodes is the same except for the finger line electrode disposed at the outermost portion of the solar cell.
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