KR20180133534A - A system, method, and computer program product for detecting defects in a target component manufactured using consistent modulation for a target component and a reference component - Google Patents

A system, method, and computer program product for detecting defects in a target component manufactured using consistent modulation for a target component and a reference component Download PDF

Info

Publication number
KR20180133534A
KR20180133534A KR1020187035024A KR20187035024A KR20180133534A KR 20180133534 A KR20180133534 A KR 20180133534A KR 1020187035024 A KR1020187035024 A KR 1020187035024A KR 20187035024 A KR20187035024 A KR 20187035024A KR 20180133534 A KR20180133534 A KR 20180133534A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
modulation
target component
component
result
Prior art date
Application number
KR1020187035024A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102190835B1 (en
Inventor
알렌 파크
마틴 플리할
Original Assignee
케이엘에이-텐코 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이-텐코 코포레이션 filed Critical 케이엘에이-텐코 코포레이션
Publication of KR20180133534A publication Critical patent/KR20180133534A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102190835B1 publication Critical patent/KR102190835B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Abstract

타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 일관된 변조를 갖는 제조된 디바이스가 제공된다. 제조된 디바이스는 제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트를 포함한다. 제조된 디바이스는 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트를 포함하는 타겟 콤포넌트를 위한 적어도 2개의 기준 콤포넌트를 더 포함하고, 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트는 각각 제1 변조를 갖는다. 또한, 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포너트에 대하여 일관된 변조를 사용하여 제조된 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위한 시스템, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품이 제공된다.A fabricated device is provided that has a consistent modulation between a target component and a reference component. The fabricated device comprises a target component with a first modulation. The fabricated device further comprises at least two reference components for a target component comprising a first reference component and a second reference component, wherein the first reference component and the second reference component each have a first modulation. There is also provided a system, method, and computer program product for detecting a defect in a target component manufactured using consistent modulation for a target component and a reference component nut.

Figure P1020187035024
Figure P1020187035024

Description

타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트에 대한 일관된 변조를 사용하여 제조된 타깃 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위한 시스템, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품A system, method, and computer program product for detecting defects in a target component manufactured using consistent modulation for a target component and a reference component

본 출원은 여기에 전체가 기준로 포함된 미국 가출원 62/331,567(출원일 : 2016년 5월 4일 수요일)의 이익을 주장한다.This application claims the benefit of U.S. Provisional Application No. 62 / 331,567, filed May 4, 2016, which is hereby incorporated by reference in its entirety.

본 발명은 제조된 콤포넌트의 검사에 관련되고, 특히 제조된 콤포넌트에서의 결함을 검출하는 것에 관련된다.The present invention relates to the inspection of manufactured components, and more particularly to detecting defects in manufactured components.

최근, 제조된 디바이스의 타겟 콤포넌트를 제조된 디바이스의 기준 콤포넌트에 대하여 비교함으로써 제조된 콤포넌트(예컨대, 웨이퍼)에서의 결함이 검출될 수 있다. 검사 시스템은 비교 목적을 위해 타겟과 기준 콤포넌트의 이미지들을 취함으로써 이것을 달성한다. 특히, 결함을 검출하는 단계는 흔히, 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트들 중 하나 사이의 비교와 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트들 중 다른 하나 사이의 다른 비교인 2개의 별도의 결과를 생성하기 위한 2개의 별도의 비교를 수행하는 단계를 포함한다. 2개의 별도의 비교 결과 사이의 임의의 유사성은 일반적으로 타겟 콤포넌트에서의 결함의 지표(indicator)로서 사용된다.Recently, a defect in a manufactured component (e.g., a wafer) can be detected by comparing the target component of the manufactured device against the reference component of the manufactured device. The inspection system accomplishes this by taking images of the target and reference components for comparison purposes. In particular, the step of detecting defects is often performed by two separate comparisons to produce two separate results, one between the target component and one of the reference components, and another comparison between the target component and the other one of the reference components . Any similarity between the two separate comparison results is generally used as an indicator of the defect in the target component.

종래 기술인 도 1은, 각각 파라미터(예컨대, 포커스(F) 및 노출(E))의 상이한 조합에 의해 변조되는 동일 패턴인 컬럼(column)(102)에서의 복수의 타겟 콤포넌트를 갖고, 또한 타겟 콤포넌트의 컬럼의 양측에 위치하며 각각이 동일한 패턴의 공칭(즉, 변조되지 않은) 버전인 컬럼(104, 106)에서의 복수의 기준 콤포넌트를 가진 웨이퍼의 종래의 레이아웃을 도시한다. 따라서, 컬럼(102) 내의 타겟 콤포넌트들 중 임의의 특정 콤포넌트에 대하여, 컬럼(104)로부터의 기준 콤포넌트 및 컬럼(106)로부터의 기준 콤포넌트는 특정 타겟 콤포넌트(박스(108) 기준)에서의 결함의 검출을 위해 사용될 수 있다. 기준 콤포넌트가 타켓 콤포넌트에 인접한 것으로 도시되었지만, 모든 경우에 필수적인 것은 아니다. 예를 들어, 다른 웨이퍼 구성에서, 임의의 특정 타겟 콤포넌트에 대한 기준 콤포넌트는 필수적으로 인접한 것은 아니지만 특정 타겟 콤포넌트에 가장 근접한 콤포넌트일 수 있다.1 of the prior art has a plurality of target components in a column 102 that are the same pattern modulated by different combinations of parameters (e.g., focus F and exposure E), respectively, And a plurality of reference components in columns 104 and 106, each positioned on either side of a column of columns 104 and 106, each of which is a nominal (i.e., unmodulated) version of the same pattern. Thus, for any particular one of the target components in the column 102, the reference component from the column 104 and the reference component from the column 106 may be used as a reference component for a particular target component (based on the box 108) Can be used for detection. Although the reference component is shown as being adjacent to the target component, it is not necessary in all cases. For example, in other wafer configurations, a reference component for any particular target component may be a component that is not necessarily contiguous but closest to a particular target component.

불행하게도, 전술한 결함 검출을 수행하기 위한 종래의 방법은 부정확한 결과를 유도하는 기술을 포함한다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 결함을 증폭시키기 위해 타겟 콤포넌트가 변조된다. 이것은 타켓 콤포넌트에서의 결함과 비결함 모두를 증폭시킨다. 그러나 기준 콤포넌트는 전통적으로 공칭(nominal)이다. 이어서, 타겟 콤포넌트만 변조하면 사실상 결함이 없을 때 타겟 및 기준 콤포넌트의 유사한 구조가 상이하게 표시된다. 따라서, 전통적으로 식별된 결함의 수가 지나치게 높을 수 있으며, 이는 잘못 식별된 결함으로부터 실제 결함을 분별할 수 있는 능력을 제한한다.Unfortunately, conventional methods for performing the above-described defect detection include techniques for deriving imprecise results. For example, as described above, the target component is modulated to amplify the defect. This amplifies both defects and non-deficiencies in the target component. However, the reference component is traditionally nominal. Subsequently, modulating only the target component will display a similar structure of the target and reference components differently when there is virtually no defect. Thus, the number of traditionally identified defects may be too high, which limits the ability to discern actual defects from misidentified defects.

종래 기술 도 2는 타겟 콤포넌트만의 변조가 채택된 종래의 결함 검출 방법의 효과의 예시를 나타낸다. 도 2에서, 타겟 콤포넌트에 대한 변조가 증가함에 따라, 타겟 콤포넌트의 각 파트(결함 및 비결함 포함)의 사이즈도 증가하고, 이에 따라 실제 결함에 관계 없이 파트별로 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트가 구별된다. 도시된 바와 같이, 더 높은 변조에서 비교로부터 얻어지는 상이한 이미지는 더 낮은 변조보다 추가적인 차이점을 포함한다. 전술한 종래 기술을 개시하는 기존 특허는 U.S. Patent No. 8,213,704 and U.S. Patent No. 6,902,855를 포함하고, 그 설명은 전체가 참고문헌으로 인용된다.2 shows an example of the effect of the conventional defect detection method adopting the modulation of only the target component. In Fig. 2, as the modulation for the target component increases, the size of each part (including defects and non-defects) of the target component also increases, so that the target component and the reference component are distinguished for each part regardless of the actual defect. As shown, the different images obtained from the comparison in the higher modulation include further differences than the lower modulation. Existing patents disclosing the above prior art are described in U.S. Pat. Patent No. 8,213,704 and U.S. Pat. Patent No. 6,902,855, the disclosure of which is incorporated herein by reference in its entirety.

따라서, 제조된 콤포넌트에서의 결함 검출에 사용되는 종래 기술과 관련된 이들 및/또는 다른 문제점을 해결할 필요가 있다.Accordingly, there is a need to address these and / or other problems associated with the prior art used for defect detection in fabricated components.

일 실시형태에서, 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 일관된 변조를 갖는 제조된 디바이스가 제공된다. 제조된 디바이스는 제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트를 포함한다. 제조된 디바이스는 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트를 포함하는 타겟 콤포넌트를 위한 적어도 2개의 기준 콤포넌트를 더 포함하고, 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트는 각각 제1 변조를 갖는다.In one embodiment, a fabricated device is provided that has a consistent modulation between a target component and a reference component. The fabricated device comprises a target component with a first modulation. The fabricated device further comprises at least two reference components for a target component comprising a first reference component and a second reference component, wherein the first reference component and the second reference component each have a first modulation.

다른 실시형태에서, 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포너트에 대하여 일관된 변조를 사용하여 제조된 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위한 시스템, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품이 제공된다. 사용에서, 제조된 디바이스의 타겟 콤포넌트의 제1 이미지가 수신되고, 타겟 콤포넌트는 제1 변조를 갖는다. 또한, 타겟 콤포넌트에 대한 제조된 디바이스의 제1 기준 콤포넌트의 제2 이미지가 수신되고, 제1 기준 콤포넌트는 제1 변조를 갖는다. 또한, 타겟 콤포넌트에 대한 제조된 디바이스의 제2 기준 콤포넌트의 제3 이미지가 수신되고, 제2 기준 콤포넌트는 제1 변조를 갖는다. 또한, 제1 이미지와 제2 이미지 사이의 차이를 표시하는 제1 결과를 생성하기 위해 제1 이미지와 제2 이미지의 제1 비교가 수행되고, 제1 이미지와 제3 이미지 사이의 차이를 표시하는 제2 결과를 생성하기 위해 제1 이미지와 제3 이미지의 제2 비교가 수행되고, 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위해 제1 결과와 제2 결과 사이의 제3 비교가 수행된다.In another embodiment, a system, method, and computer program product are provided for detecting a defect in a target component manufactured using consistent modulation for a target component and a reference compo- nent. In use, a first image of a target component of the fabricated device is received, and the target component has a first modulation. Also, a second image of a first reference component of the fabricated device for the target component is received, and the first reference component has a first modulation. Also, a third image of a second reference component of the fabricated device for the target component is received, and the second reference component has a first modulation. Also, a first comparison of the first image and the second image is performed to produce a first result indicative of the difference between the first image and the second image, and the difference between the first image and the second image A second comparison of the first and third images is performed to produce a second result, and a third comparison between the first and second results is performed to detect defects in the target component.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼의 예시적 레이아웃을 나타낸다.
도 2는 종래 기술에 따른, 타겟 콤포넌트만의 변조가 채택된 종래의 결함 검출 방법의 효과의 예시를 나타낸다.
도 3a는 본 명세서에 개시된 하나 이상의 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 일 실시형태를 예시하는 블록 다이어그램을 나타낸다.
도 3b는 제조된 디바이스 상에서의 결함을 검출하도록 구성된 검사 시스템의 일 실시형태의 측면도를 예시하는 개략적 다이어그램이다.
도 4는 실시형태에 따른, 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 일관된 변조를 갖는 제조된 디바이스를 예시한다.
도 5는 실시형태에 따른, 결함 검출을 위해 일관되게 변조된 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트를 비교하기 위한 방법을 예시한다.
도 6은 실시형태에 따른, 증가된 변조에서 점진적으로 제거되는 검출된 결함을 예시한다.
도 7은 실시형태에 따른, 상이한 변조에 대한 패턴으로 검출된 결함의 수의 함수로서 생성되는 통계를 예시한다.
Figure 1 shows an exemplary layout of a wafer according to the prior art.
Fig. 2 shows an example of the effect of the conventional defect detection method adopting the modulation of only the target component according to the prior art.
3A illustrates a block diagram illustrating one embodiment of a non-volatile computer readable medium including program instructions executable on a computer system to perform the one or more computer-implemented methods disclosed herein.
Figure 3B is a schematic diagram illustrating a side view of an embodiment of an inspection system configured to detect defects on the fabricated device.
4 illustrates a fabricated device with consistent modulation between a target component and a reference component, according to an embodiment.
5 illustrates a method for comparing a reference component with a target component that is consistently modulated for defect detection, in accordance with an embodiment.
Figure 6 illustrates a detected defect that is gradually removed in an increased modulation, in accordance with an embodiment.
Figure 7 illustrates statistics generated as a function of the number of defects detected in a pattern for different modulation, according to an embodiment.

이하의 설명은, 결함을 검출하기 위해 일관되게 변조된 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트를 비교하는 시스템, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품뿐만 아니라, 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 일관된 변조를 갖는 제조된 디바이스를 개시한다. 이하에서 설명되는 다양한 실시형태를 포함하는 이 시스템, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품은 도 3b를 기준하여 아래에 설명되는 바와 같은, (예를 들어, 웨이퍼 검사, 레티클 검사, 레이저 스캐닝 검사 시스템 등) 임의의 검사 시스템과 관련하여 구현될 수 있다는 것을 알아야한다.The following discussion discloses a manufactured device having a consistent modulation between a target component and a reference component, as well as a system, method, and computer program product that compares a reference component with a target component that is consistently modulated to detect a defect . The system, method, and computer program product, including the various embodiments described below, may be implemented in any of a variety of ways (e.g., wafer inspection, reticle inspection, laser scanning inspection systems, etc.) And the like.

추가 실시형태는 일관되게 변조된 타겟 콤포넌트 및 기준 컴포넌트를 사용하여 결함을 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 이러한 일 실시형태가 도 3a에 도시되어 있다. 특히, 도 3a에 도시된 바와 같이, 컴퓨터 판독 가능 매체(300)는 컴퓨터 시스템(304) 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들(302)을 포함한다. 컴퓨터 구현 방법은 도 5를 참조하여 후술되는 방법의 단계들을 포함한다. 프로그램 명령어들이 실행될 수 있는 컴퓨터 구현 방법은 여기에 개시된 임의의 다른 동작들을 포함할 수 있다.Additional embodiments are directed to non-volatile computer readable media for storing program instructions executable on a computer system to perform a computer implemented method for detecting a defect using a consistently modulated target component and a reference component. One such embodiment is shown in Figure 3A. 3A, computer readable medium 300 includes program instructions 302 executable on computer system 304. In one embodiment, The computer implemented method includes the steps of the method described below with reference to FIG. Computer-implemented methods by which program instructions may be executed may include any of the other operations described herein.

여기에 개시된 이러한 방법들을 구현하는 프로그램 명령어들(302)은 컴퓨터 판독 가능 매체(300)에 저장될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는, 공지된 자기 또는 광학 디스크, 또는 자기 테이프 또는 임의의 다른 적합한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체와 같은 저장 매체일 수 있다. 선택에 따라, 컴퓨터 판독 가능 매체(300)는 컴퓨터 시스템(304) 내에 위치될 수 있다.Program instructions 302 implementing the methods disclosed herein may be stored in computer readable media 300. [ The computer-readable medium may be a known magnetic or optical disk, or a storage medium such as magnetic tape or any other suitable non-volatile computer readable medium. Optionally, the computer readable medium 300 may be located within the computer system 304.

프로그램 명령어들은 다른 것들 중에서 절차 기반 기술, 콤포넌트 기반 기술 및/또는 객체 지향 기술을 포함하는 다양한 방법 중 임의의 방법으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 프로그램 명령어들은, 요구에 따라, ActiveX controls, C++ objects, JavaBeans, Microsoft Foundation Classes ("MFC"), 또는 다른 기술들이나 방법들을 사용하여 구현될 수 있다.Program instructions may be implemented in any of a variety of ways, including, among others, procedural based, component based, and / or object oriented techniques. For example, program instructions may be implemented on demand, using ActiveX controls, C ++ objects, JavaBeans, Microsoft Foundation Classes ("MFC"), or other techniques or methods.

컴퓨터 시스템(304)은 퍼스널 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 장비, 인터넷 장비, 또는 다른 디바이스를 포함하는 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, 용어 "컴퓨터 시스템"은 메모리 매체로부터의 명령어들을 실행하는 하나 이상의 프로세서들을 가진 임의의 디바이스를 포괄하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 컴퓨터 시스템(304)은 병렬 프로세서와 같은 공지된 임의의 적합한 프로세서를 포함할 수도 있다. 또한, 컴퓨터 시스템 (304)은, 독립형 툴(tool) 또는 네트워크형 툴로서, 고속 프로세싱 및 소프트웨어를 갖는 컴퓨터 플랫폼을 포함할 수 있다.Computer system 304 may take a variety of forms, including personal computer systems, image computers, mainframe computer systems, workstations, network equipment, Internet equipment, or other devices. In general, the term "computer system" can be broadly defined to encompass any device having one or more processors executing instructions from a memory medium. Computer system 304 may include any suitable processor known in the art, such as a parallel processor. In addition, the computer system 304 may include a computer platform with high-speed processing and software, such as a stand-alone tool or a network-like tool.

추가 실시형태는 제조된 디바이스 상에서의 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 관련된다. 이러한 시스템의 일 실시형태가 도 3b에 도시되어 있다. 시스템은 여기에 개시된 바와 같은 실시형태로 구성되는 웨이퍼(또는 다른 디바이스) 상에서 제조되는 콤포넌트를 위한 출력을 생성하도록 구성된 검사 시스템(305)을 포함한다. 시스템은 도 4를 참조하여 후술되는 동작들을 수행하도록 구성되는 하나 이상의 컴퓨터 시스템도 포함한다. 하나 이상의 컴퓨터 시스템은 여기에 개시된 임의의 실시형태에 따른 동작들을 수행하도록 구성될 수 있다. 컴퓨터 시스템(들) 및 시스템은 여기에 개시된 임의의 다른 동작들을 수행하도록 구성될 수 있고, 또한 여기에 개시된 바와 같이 구성될 수 있다.A further embodiment relates to a system configured to detect defects on a fabricated device. One embodiment of such a system is shown in Figure 3B. The system includes an inspection system 305 configured to generate an output for a component to be fabricated on a wafer (or other device) configured in an embodiment as disclosed herein. The system also includes one or more computer systems configured to perform the operations described below with reference to FIG. One or more computer systems may be configured to perform operations in accordance with any of the embodiments disclosed herein. The computer system (s) and system may be configured to perform any of the other operations described herein, and may be configured as disclosed herein.

도 3b에 도시된 실시형태에서, 컴퓨터 시스템들 중 하나는 EDA(electronic automation design) 툴의 일부이고, 검사 시스템 및 다른 컴퓨터 시스템은 EDA 툴의 일부가 아니다. 이 컴퓨터 시스템은 예컨대, 도 3a를 참조하여 전술한 컴퓨터 시스템(304)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 컴퓨터 시스템들 중 하나는 EDA 툴(306)에 포함된 컴퓨터 시스템(308)일 수 있다. EDA 툴(306) 및 이러한 툴에 포함된 컴퓨터 시스템(308)은 모든 상업적으로 이용 가능한 EDA 툴을 포함할 수 있다.In the embodiment shown in Figure 3B, one of the computer systems is part of an electronic automation design (EDA) tool, and the inspection system and other computer systems are not part of the EDA tool. The computer system may include, for example, the computer system 304 described above with reference to FIG. For example, as shown in FIG. 3B, one of the computer systems may be a computer system 308 included in the EDA tool 306. The EDA tool 306 and the computer system 308 included in such a tool may include all commercially available EDA tools.

검사 시스템(305)은, 광으로 웨이퍼를 스캐닝하고, 스캐닝 중에 웨이퍼로부터 광을 검출함으로써, 웨이퍼 상에 제조되는 콤포넌트를 위한 출력을 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 검사 시스템(305)은 공지된 임의의 적합한 광원을 포함할 수 있는 광원(320)을 포함한다. 광원으로부터의 광은 광원으로부터 웨이퍼(322)로 광을 지향시키도록 구성될 수 있는 빔 스플리터(318)로 지향될 수 있다. 광원(320)은, 하나 이상의 집광 렌즈, 시준 렌즈, 릴레이 렌즈, 대물 렌즈, 애퍼처(aperture), 스펙트럼 필터, 편광 콤포넌트 등과 같은 임의의 다른 적합한 엘리먼트 (미도시)에 연결될 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 광은 수직 입사각으로 웨이퍼(322)로 지향될 수 있다. 그러나, 광은 거의 수직 및 경사 입사를 포함하는 임의의 적합한 입사각으로 웨이퍼(322)로 지향될 수 있다. 또한, 광 또는 다수의 광 빔이 하나 이상의 입사각으로 순차적으로 또는 동시에 웨이퍼(322)로 지향될 수 있다. 검사 시스템(305)은 임의의 적합한 방식으로 웨이퍼(322) 위로 광을 스캔하도록 구성될 수 있다.The inspection system 305 can be configured to generate an output for a component to be fabricated on a wafer by scanning the wafer with light and detecting light from the wafer during scanning. For example, as shown in FIG. 3B, the inspection system 305 includes a light source 320 that may include any suitable light source known in the art. The light from the light source may be directed to a beam splitter 318, which may be configured to direct light from the light source to the wafer 322. Light source 320 may be coupled to any other suitable element (not shown) such as one or more condenser lenses, collimating lenses, relay lenses, objectives, apertures, spectral filters, polarization components, As shown in FIG. 3B, the light may be directed to the wafer 322 at a normal incidence angle. However, the light can be directed to the wafer 322 at any suitable angle of incidence including nearly vertical and oblique incidence. Also, the light or a plurality of light beams may be directed to the wafer 322 sequentially or simultaneously at one or more incident angles. The inspection system 305 can be configured to scan the light onto the wafer 322 in any suitable manner.

웨이퍼(322)로부터의 광은 스캐닝 중에 검사 시스템(305)의 하나 이상의 채널에 의해 집광 및 검출될 수 있다. 예를 들어, 수직에 가까운 각도로 웨이퍼(322)로부터 반사된 광(즉, 입사각이 수직일 때 정반사된 광)은 빔 스플리터(318)를 통해 렌즈(314)로 통과할 수 있다. 렌즈(314)는 도 3b에 도시된 바와 같이 굴절 광학 엘리먼트를 포함할 수 있다. 또한, 렌즈(314)는 하나 이상의 굴절 광학 엘리먼트 및/또는 하나 이상의 반사 광학 엘리먼트를 포함할 수 있다. 렌즈(314)에 의해 집광된 광은 검출기(312)로 포커싱될 수 있다. 검출기(312)는 CCD(charge coupled device) 또는 다른 타입의 이미징 검출기와 같은 공지된 임의의 적합한 검출기를 포함할 수 있다. 검출기(312)는 렌즈(314)에 의해 집광된 반사 광에 응답하는 출력을 생성하도록 구성된다. 따라서, 렌즈(314) 및 검출기(312)는 검사 시스템(305)의 하나의 채널을 형성한다. 검사 시스템(305)의 이 채널은 공지된 임의의 다른 적합한 광학 콤포넌트(미도시)를 포함할 수 있다.The light from the wafer 322 may be focused and detected by one or more channels of the inspection system 305 during scanning. For example, light reflected from the wafer 322 at an angle close to the vertical (i.e., light regularly reflected when the angle of incidence is vertical) can pass through the beam splitter 318 to the lens 314. The lens 314 may comprise a refractive optical element as shown in FIG. 3B. The lens 314 may also include one or more refractive optical elements and / or one or more reflective optical elements. The light condensed by the lens 314 can be focused by the detector 312. [ Detector 312 may comprise any suitable detector known in the art, such as a charge coupled device (CCD) or other type of imaging detector. The detector 312 is configured to produce an output in response to the reflected light condensed by the lens 314. [ Thus, lens 314 and detector 312 form one channel of inspection system 305. This channel of inspection system 305 may include any other suitable optical component (not shown) known in the art.

도 3b에 도시된 검사 시스템은 웨이퍼(322)로부터 정반사된 광을 검출하도록 구성되고, 검사 시스템(305)은 BF 검사 시스템으로 구성된다. 그러나, 이러한 검사 시스템(305)은 또한 다른 타입의 웨이퍼 검사를 위해 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 검사 시스템은 하나 이상의 다른 채널(미도시)을 포함할 수도 있다. 다른 채널(들)은, 산란 광 채널(scattered light channel)로서 구성된 렌즈 및 검출기와 같은 여기에 개시된 임의의 광학 콤포넌트를 포함할 수 있다. 렌즈 및 검출기는 또한 여기에 개시된 바와 같이 구성될 수 있다. 이러한 방식으로 검사 시스템(305)은 DF 검사를 위해 구성될 수도 있다.The inspection system shown in FIG. 3B is configured to detect the regularly reflected light from the wafer 322, and the inspection system 305 is configured with a BF inspection system. However, this inspection system 305 can also be configured for other types of wafer inspection. For example, the inspection system shown in FIG. 3B may include one or more other channels (not shown). Other channel (s) may include any optical components disclosed herein, such as a lens and a detector configured as a scattered light channel. The lens and detector may also be configured as disclosed herein. In this manner, inspection system 305 may be configured for DF inspection.

검사 시스템(305)은 여기에 개시된 방법들의 하나 이상의 단계를 수행하도록 구성된 컴퓨터 시스템(310)을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 전술한 광학 엘리먼트는 광학 서브시스템(311)에 연결된 컴퓨터 시스템(310)을 포함할 수도 있는 검사 서브시스템(305)의 광학 서브시스템(311)을 형성할 수 있다. 이러한 방식으로, 스캐닝 중에 검출기(들)에 의해 생성되는 출력은 컴퓨터 시스템(310)에 제공될 수 있다. 예를 들어, (예를 들어, 공지의 임의의 적합한 전송 매체를 포함할 수 있는 도 3b에서 점선으로 도시된 하나 이상의 전송 매체에 의해) 컴퓨터 시스템(310)이 검출기에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록, 컴퓨터 시스템(310)은 검출기(312)에 연결될 수 있다.The inspection system 305 may include a computer system 310 configured to perform one or more steps of the methods disclosed herein. For example, the optical element described above may form the optical subsystem 311 of the inspection subsystem 305, which may include a computer system 310 coupled to the optical subsystem 311. In this manner, the output generated by the detector (s) during scanning can be provided to the computer system 310. [ For example, when the computer system 310 receives an output generated by the detector (e.g., by one or more transmission media, shown in phantom in Figure 3B, which may include any suitable transmission medium known in the art) The computer system 310 may be coupled to the detector 312. [

검사 시스템(305)의 컴퓨터 시스템(310)은 여기에 개시된 임의의 동작들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 컴퓨터 시스템(310)은 여기에 개시된 바와 같은 결함 검출을 수행하기 위해 구성될 수 있다. 또한, 컴퓨터 시스템(310)은 여기에 개시된 임의의 다른 단계들을 수행하도록 구성될 수 있다. 또한, 여기에 개시된 일부 동작들은 상이한 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있지만, 상기 방법의 모든 동작들은, 검사 시스템(305) 또는 독립 컴퓨터 시스템과 같은 단일 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있다. 또한, 컴퓨터 시스템(들) 중 하나 이상은 Bhaskar 등의 2012년 2월 28일자로 허여된 미국 특허 제8,126,255호에 기술된 것과 같은 가상 검사기로서 구성될 수 있고, 이는 본 명세서에서 완전히 설명된 것처럼 참고 문헌으로 포함된다.The computer system 310 of the inspection system 305 may be configured to perform any of the operations described herein. For example, computer system 310 may be configured to perform defect detection as described herein. In addition, the computer system 310 may be configured to perform any of the other steps described herein. Further, some of the operations described herein may be performed by different computer systems, but all of the operations of the method may be performed by a single computer system, such as the inspection system 305 or an independent computer system. In addition, one or more of the computer system (s) may be configured as a virtual tester, such as that described in U.S. Patent No. 8,126,255, issued Feb. 28, 2012 to Bhaskar et al. ≪ / RTI >

컴퓨터 시스템(308)에 의해 생성되는 디자인을 포함할 수 있는 컴퓨터 시스템(308)에 의해 생성된 출력을 컴퓨터 시스템(310)이 수신할 수 있도록, 전술한 EDA 툴(306)과 같은 다른 툴에 포함될 수 있는 컴퓨터 시스템(308)과 같은 검사 시스템의 일부가 아닌 다른 컴퓨터 시스템에 검사 시스템(305)의 컴퓨터 시스템(310)이 연결될 수도 있다. 예를 들어, 2개의 컴퓨터 시스템은, 팹 데이터데이스와 같은 공유형 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 의해 효과적으로 연결되거나, 2개의 컴퓨터 시스템 사이에 정보가 전송될 수 있도록 전술한 바와 같은 전송 매체에 의해 연결될 수 있다.May be included in another tool, such as the EDA tool 306 described above, so that the computer system 310 can receive the output generated by the computer system 308, which may include a design generated by the computer system 308 The computer system 310 of the inspection system 305 may be coupled to another computer system that is not part of an inspection system, such as a computer system 308, For example, two computer systems may be effectively connected by a shared computer-readable storage medium, such as a fab data record, or may be connected by a transmission medium as described above such that information may be transferred between the two computer systems. have.

여기서 제공된 도 3b는 여기에 개시된 시스템 실시형태에 포함될 수 있는 검사 시스템의 구성을 일반적으로 예시하기 위한 것이다. 명백하게, 여기에서 설명된 검사 시스템 구성은 상용 검사 시스템을 디자인할 때 정상적으로 수행되는 검사 시스템의 성능을 최적화하도록 변경될 수 있다. 또한, 여기에 기술된 시스템은 KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수할 수 있는 29xx/28xx 시리즈의 툴과 같은 기존의 검사 시스템을 사용하여(예를 들어, 기존의 검사 시스템에 대하여 여기에서 설명된 기능을 추가함으로써) 구현될 수 있다. 일부 이러한 시스템들에 대해, 여기에 설명된 방법들은(예를 들어, 시스템의 다른 기능에 부가하여) 시스템의 선택적 기능으로서 제공될 수 있다. 대안적으로, 여기에 설명된 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "처음부터(from scratch)" 설계될 수 있다.3b provided herein is intended to generally illustrate the configuration of a test system that may be included in the system embodiments disclosed herein. Obviously, the inspection system configuration described herein can be modified to optimize the performance of inspection systems that are normally performed when designing a commercial inspection system. In addition, the system described herein may be implemented using an existing inspection system, such as the 29xx / 28xx series of tools commercially available from KLA-Tencor (for example, ). ≪ / RTI > For some such systems, the methods described herein may be provided as optional features of the system (e.g., in addition to other functions of the system). Alternatively, the system described herein may be designed "from scratch" to provide a completely new system.

도 4는 실시형태에 따른, 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 일관된 변조를 갖는 제조된 디바이스를 예시한다. 도시된 바와 같이, 제조된 디바이스는 타겟 콤포넌트의 각각의 중앙 컬럼(404A-D)을 갖는 복수의 컬럼 세트(402A-D)를 포함한다. 제조된 디바이스는 또한 타겟 콤포넌트를 위한 기준 콤포넌트를 가는 중앙 컬럼(404A-D)의 각 세트에 인접한 2개의 컬럼(406A-D, 408A-D)을 포함한다. 제조된 디바이스의 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트는 유사한 패턴을 갖는다. 또한, 각각의 컬럼 세트(402A-D)의 각 로우(row)에서의 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트는, 일관된 변조(예컨대, +4, +3 등)를 갖고, 변조 세트를 형성한다. 또한 도시된 바와 같이, 각 변조 세트는 상이한 변조를 갖는다.4 illustrates a fabricated device with consistent modulation between a target component and a reference component, according to an embodiment. As shown, the fabricated device includes a plurality of column sets 402A-D having respective central columns 404A-D of the target component. The fabricated device also includes two columns 406A-D, 408A-D adjacent to each set of fine central columns 404A-D with a reference component for the target component. The target component and the reference component of the fabricated device have a similar pattern. In addition, the target and reference components in each row of each of the column sets 402A-D have consistent modulation (e.g., +4, +3, etc.) and form a modulation set. As also shown, each modulation set has a different modulation.

따라서 패턴에 대한 결함 검출은, 각 변조 세트에 대해 개별적으로 수행될 수 있으며, 이는 공칭 기준 컴포넌트를 변조된 타겟 컴포넌트와 비교할 때 발생하는 차이를 제거한다. 예를 들어, 제조된 디바이스가 웨이퍼인 경우, 변조 세트 내의 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트는 웨이퍼 상에 위치하는 동일한 패턴을 갖는 개별 다이가 되어, 타겟 다이 상에서 결함이 검출될 수 있다. 이러한 결함 검출의 예시적 실시형태는 아래의 순차적 도면에 대한 참조로 더 상세히 설명된다.Thus, defect detection for the pattern can be performed separately for each modulation set, which eliminates differences that occur when comparing the nominal reference component to the modulated target component. For example, if the fabricated device is a wafer, target components and reference components in the modulation set become separate dies with the same pattern located on the wafer, so that defects can be detected on the target die. Exemplary embodiments of such defect detection are described in further detail below with reference to sequential figures.

타겟 콤포넌트(404A-D)의 각각의 컬럼은 기준 콤포넌트(406A-D, 408A-D)의 인접한 컬럼과 함께 어느 한쪽에 위치하는 것으로 도시되어 있지만, 제조된 콤포넌트는 다른 실시형태에서는 상이한 레이아웃을 갖도록, 예를 들어, 타겟 콤포넌트(404A-D)는 기준 콤포넌트(406A-D, 408A-D)의 컬럼들 사이에 위치될 필요가 없고, 그리고/또는 기준 콤포넌트(406A-D, 408A-D)의 컬럼은 타겟 콤포넌트(404A-D)의 컬럼에 인접할 필요가 없도록 구성될 수 있다. 또한, 도 4는 다수의 컬럼 세트(402A-D) 각각에서의 다수의 변조 세트를 도시하고 있지만, 제조된 디바이스는 다수의 변조 세트를 갖는 것에 한정될 필요가 없다는 것에 주목해야 한다. 그러나, 예를 들어 도시된 바와 같이, 제조된 디바이스가 다수의 컬럼 세트(402A-D)를 갖도록 구성함으로써, 제조된 디바이스를 사용하여 결함 검출(후술됨)을 위한 데이터 수집을 최대화하기 위해, 제조된 디바이스 상의 이용 가능한 공간이 활용될 수 있다.Although each column of target components 404A-D is shown as being located on either side with adjacent columns of the reference components 406A-D, 408A-D, the manufactured component may be configured to have a different layout in other embodiments For example, the target component 404A-D does not need to be located between the columns of the reference components 406A-D, 408A-D and / or the reference components 406A-D, 408A- The columns may be configured so that they do not need to be adjacent to the columns of target components 404A-D. It should also be noted that while FIG. 4 shows multiple sets of modulation in each of multiple column sets 402A-D, the fabricated device need not be limited to having multiple modulation sets. However, in order to maximize data collection for defect detection (described below) using the fabricated device, by configuring the fabricated device to have multiple column sets 402A-D, as shown, for example, The available space on the device can be utilized.

특히, 단순화된 실시형태(미도시)에서, 제조된 디바이스는 단일 변조 세트, 즉 제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트 및 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트를 포함하는 타겟 콤포넌트에 대한 적어도 2개의 기준 콤포넌트를 포함할 수 있고, 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트는 각각 제1 변조를 갖는다. 이러한 변조 세트는 전술한 구성들 중 임의의 구성을 가질 수 있다.In particular, in a simplified embodiment (not shown), the fabricated device includes a single modulation set, a target component with a first modulation, and at least two reference components for a target component comprising a first reference component and a second reference component And the first reference component and the second reference component each have a first modulation. Such a modulation set may have any of the configurations described above.

본 개시의 콘텍스트에서, 변조는 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트의 하나 이상의 파라미터의 임의의 증폭(양 또는 음)이 될 수 있다. 따라서, 변조는 노출, 포커스 등 또는 이들의 임의의 조합이 될 수 있다. 단지 예시로서, 각각의 변조 세트 내에서, 그것에 적용되는 변조는 특정 노출 값과 특정 포커스 값의 조합을 포함할 수 있다. 여기에 참조로 포함된 U.S. Patent No. 8,213,704는 제조된 디바이스의 콤포넌트를 변조하기 위한 기술을 개시하고 있다.In the context of this disclosure, the modulation may be any amplification (positive or negative) of one or more parameters of the target component and the reference component. Thus, the modulation may be exposure, focus, etc., or any combination thereof. By way of example only, within each modulation set, the modulation applied to it may include a combination of a specific exposure value and a specific focus value. U.S. Pat. Patent No. No. 8,213,704 discloses a technique for modulating the components of a manufactured device.

도 5는 실시형태에 따른, 결함 검출을 위해 일관되게 변조된 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트를 비교하기 위한 방법(500)을 예시한다. 일관되게 변조된 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트는 도 4를 참조하여 전술한 바와 같은 제조된 콤포넌트 상에 위치될 수 있다. 위에서 제공된 설명 및 규정은 본 실시형태에 동일하게 적용될 수 있다.Figure 5 illustrates a method 500 for comparing a reference component with a target component that has been consistently modulated for defect detection, in accordance with an embodiment. The consistently modulated target and reference components may be located on a manufactured component as described above with reference to FIG. The descriptions and regulations provided above can be equally applied to this embodiment.

동작(502)에 도시된 바와 같이, 제조된 디바이스의 타겟 콤포넌트의 제1 이미지가 수신되고, 타겟 콤포넌트는 제1 변조를 갖는다. 제1 이미지는 검사 시스템의 콜렉터(collector)로부터 수신될 수 있다. 또한, 동작(504)에서, 타겟 콤포넌트에 대한 제조된 디바이스의 제1 기준 콤포넌트의 제2 이미지가 (예를 들어, 콜렉터로부터) 수신되고, 제1 기준 콤포넌트는 제1 변조를 갖는다. 또한, 동작(506)에서, 타겟 콤포넌트에 대한 제조된 디바이스의 제2 기준 콤포넌트의 제3 이미지가 (예를 들어, 콜렉터로부터) 수신되고, 제2 기준 콤포넌트는 제1 변조를 갖는다. 본 실시형태에서, 타겟 콤포넌트, 제1 기준 콤포넌트, 및 제2 기준 콤포넌트는 제조된 디바이스 상의 변조 세트 내에 위치될 수 있다.As shown in operation 502, a first image of a target component of the fabricated device is received, and the target component has a first modulation. The first image may be received from a collector of the inspection system. Also, at operation 504, a second image of a first reference component of the fabricated device for the target component is received (e.g., from a collector), and the first reference component has a first modulation. Also, at operation 506, a third image of a second reference component of the fabricated device for the target component is received (e.g., from a collector), and the second reference component has a first modulation. In this embodiment, the target component, the first reference component, and the second reference component may be located in the modulation set on the fabricated device.

또한, 동작(508)에서, 제1 이미지와 제2 이미지 사이의 차이를 나타내는 제1 결과를 생성하기 위해 제1 이미지와 제2 이미지의 제1 비교가 수행된다. 검사 시스템 및/또는 개별 컴퓨터 시스템의 프로세서에 의해 비교가 수행될 수 있다. 동작(510)에서, 제1 이미지와 제3 이미지 사이의 차이를 나타내는 제2 결과를 생성하기 위해 제1 이미지와 제3 이미지의 제2 비교가 (예를 들어, 프로세서에 의해) 수행된다. 또한, 동작(512)에서, 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위해 제1 결과와 제2 결과 사이의 제3 비교가 (예를 들어, 프로세서에 의해) 수행된다.Also, at operation 508, a first comparison of the first image and the second image is performed to produce a first result indicative of the difference between the first image and the second image. A comparison may be performed by the inspection system and / or the processor of the individual computer system. At operation 510, a second comparison of the first image and the third image is performed (e.g., by the processor) to produce a second result indicative of the difference between the first image and the third image. Also, at operation 512, a third comparison between the first and second results is performed (e.g., by the processor) to detect defects in the target component.

실시형태에서, 타겟 콤포넌트의 결함을 검출하기 위해 제1 결과와 제2 결과를 비교하는 단계는 제1 결과와 제2 결과(예를 들어, 차이 이미지에서) 사이의 비교 차이로부터 결정하는 단계, 및 각각의 결정된 차이(예를 들어, 차이 이미지에서의 각 아이템(item))을 타겟 콤포넌트에서의 결함으로 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 제1 결과와 제2 결과 사이의 유사성은 타겟 콤포넌트에서의 결함으로 인식될 필요가 없을 수 있다. 환언하면, 각각의 결정된 차이는, 차이 이미지 상의 결정된 차이의 위치에 대응하는 타겟 콤포넌트 상의 위치가 제조된 디바이스의 결함이라는 것을 나타낼 수 있다.In an embodiment, comparing the first result to the second result to detect defects in the target component comprises determining from a comparison difference between the first result and the second result (e.g., in the difference image) And detecting each determined difference (e.g., each item in the difference image) as a defect in the target component. Thus, the similarity between the first and second results may not need to be recognized as a defect in the target component. In other words, each determined difference may indicate that the location on the target component corresponding to the location of the determined difference on the difference image is a defect in the fabricated device.

결함을 검출하기 위해 일관되게 변조된 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트(예를 들어, 변조 세트에서)를 사용함으로써, 타겟 콤포넌트를 변조하는 것만으로부터 얻어지는 차이(종래 리술에 관하여 개시된 바와 같은)가 제거될 수 있다. 이것은, 잘못된 양성 검출(false-positive detection)를 제거함으로써 실제 결함의 더 정확한 검출을 가능하게 할 수 있다. 특히, 집중된 차이 이미지로 인하여 결함 위치가 보다 정확하게 식별될 수 있다.By using a consistently modulated target component and a reference component (e.g., in a modulation set) to detect a defect, the difference (as disclosed with respect to the prior art) obtained only from modulating the target component can be eliminated . This can enable more accurate detection of actual defects by eliminating false-positive detection. In particular, the defect location can be more accurately identified due to the concentrated difference image.

선택 사항으로서, 타겟 콤포넌트에서의 결함은 제1 결과와 제2 결과의 제3 비교에 적용되는 미리 정의된 임계치에 기초하여 검출될 수 있다. 미리 정의된 임계치는 제1 결과 및 제2 결과 상의 대응하는 위치가 상이하다고 여겨지도록 궁극적으로 그 위치에서 결함이 검출되도록 하기 위해 충족되어야 하는 차이 임계치일 수 있다. 환언하면, 제1 결과와 제2 결과가 미리 정의된 임계치를 사용하여 결정된 임의의 특정 위치에서 충분히 상이하다면, 타겟 콤포넌트 상의 대응하는 위치는 결함으로 결정될 수 있다.Optionally, a defect in the target component may be detected based on a predefined threshold applied to a third comparison of the first result and the second result. The predefined threshold may be a difference threshold that must be met to ensure that the defect is ultimately detected at that location so that the first location and the corresponding location on the second result are considered to be different. In other words, if the first and second results are sufficiently different at any particular location determined using a predefined threshold, the corresponding location on the target component may be determined to be defective.

일관되게 변조된 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트가 변조 세트에 사용되는 경우, 타겟 콤포넌트만을 변조하는 종래 기술의 결과로부터 잘못된 양성 검출의 결핍의 결과로서 미리 정의된 임계치가 감소될 수 있다. 예를 들어, 잠재적인 잘못된 양성 결함 검출을 설명하기 위해 종래 기술에서는 더 큰 임계치가 통상적으로 요구된다. 또한, 변조 세트 내의 기준 콤포넌트 및 타겟 콤포넌트들은 동일한 변조를 갖는 유사한 패턴이기 때문에, 이들은 유사한 배경 노이즈 레벨을 가질 수 있으므로, 더 작은 임계치가 이용될 수 있게 한다. 상술한 본 실시형태의 감소된 임계치는 검사가 더욱 민감하여 더 작은 결함을 검출할 수 있게 한다.If a consistently modulated target component and a reference component are used in the modulation set, the predefined threshold can be reduced as a result of the lack of false positive detection from the results of the prior art modulating only the target component. For example, a larger threshold is typically required in the prior art to account for potential false positive defect detection. Also, since the reference component and the target components in the modulation set are similar patterns with the same modulation, they can have similar background noise levels, allowing smaller thresholds to be used. The reduced threshold value of the above-described embodiment allows the inspection to be more sensitive and to detect smaller defects.

도 6은 실시형태에 따른, 증가된 변조에서 점진적으로 제거되는 검출된 결함을 예시한다. 실시형태에서, 도 5에 설명된 방법(500)은, 유사한 패턴을 가지며 패턴의 결함을 검출하기 위한 상이한 변조를 갖는 제조된 디바이스의 복수의 타겟 콤포넌트 각각에 대해 수행될 수 있다. 예를 들어, 방법(500)은 도 4에 도시된 변조 세트 각각에 대해 반복될 수 있다. 또 다른 옵션으로서, 추가적인 변조 세트는 도 4에 도시된 것과 유사한 방식으로 하나 이상의 제조된 디바이스에 걸쳐 있지만, 상이한 변조에 대해 위치될 수 있어, 방법(500)은 다수의 제조된 디바이스에 걸친 변조 세트의 각각에 대해 반복될 수 있다.Figure 6 illustrates a detected defect that is gradually removed in an increased modulation, in accordance with an embodiment. In an embodiment, the method 500 described in FIG. 5 may be performed for each of a plurality of target components of a fabricated device having a similar pattern and having different modulation for detecting defects in the pattern. For example, the method 500 may be repeated for each of the modulation sets shown in FIG. As another option, the additional modulation set may span one or more fabricated devices in a manner similar to that shown in FIG. 4, but may be positioned for different modulation, so that the method 500 may be implemented with a modulation set ≪ / RTI >

도 6에 도시된 바와 같이, 패턴의 더 낮은 변조에서, 더 적은 결함이 검출된다. 이것은, 타겟 콤포넌트 및 기준 콤포넌트 내에서의 패턴의 적은 증폭으로 인해 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 차이가 덜 보이기 때문에 발생한다. 패턴의 변조가 증가함에 따라, 검출되는 결함의 수가 또한 증가할 수 있다. 다시 말하면, 이것은 증폭이 더 커짐에 따라 타겟 콤포넌트와 기준 콤포넌트 사이의 차이가 더 잘 보이기 때문이다. 그러나, 더 높은 변조를 위한 이미지가, 이전에 차이를 갖는 것으로 식별된 위치가 현재 유사하다고 식별될 수 있음을 나타내면, 더 낮은 변조에서 검출된 결함은 제거될 수 있다. 이러한 방식으로, 패턴에 대해 검출된 일부 결함은 도 5의 방법(500)이 각각의 증가하는 변조에 대해 반복될 때 점진적으로 제거될 수 있다. 결과적으로, 결함 수는 검사 시스템에 의해 자동으로 보정될 수 있다. 그러나, 낮은 변조에서 검출된 결함 중 일부는 체계적이고 공간적으로 무작위인 경우 높은 변조에서 여전히 확인될 수 있다.As shown in Fig. 6, at the lower modulation of the pattern, fewer defects are detected. This occurs because the difference between the target component and the reference component is less visible due to the small amplification of the pattern in the target component and the reference component. As the modulation of the pattern increases, the number of detected defects may also increase. In other words, this is because the difference between the target component and the reference component is more visible as the amplification becomes larger. However, if an image for higher modulation indicates that the position previously identified as having a difference can be identified as currently similar, then the detected defect in the lower modulation can be eliminated. In this way, some of the defects detected for the pattern can be gradually removed when the method 500 of FIG. 5 is repeated for each incremental modulation. As a result, the number of defects can be automatically corrected by the inspection system. However, some of the detected defects in low modulation can still be identified in high modulation if they are systematic and spatially random.

또한, 도 5와 관련하여 상술한 미리 정의된 임계치, 즉 결함을 나타내는 차이를 식별하기 위한 임계치로 사용되는 임계치는 다양한 변조 세트에 대해 수행되는 방법(500)의 각 인스턴스(instance)에 대해 동일할 수 있다. 동일한 미리 정의된 임계치의 사용은 각 변조 세트의 콤포넌트에 걸쳐 일관된 변조의 결과로서 가능할 수 있다.In addition, the thresholds used as thresholds for identifying the predefined thresholds, i.e. differences representing defects discussed above with respect to FIG. 5, are the same for each instance of the method 500 performed for the various modulation sets . The use of the same predefined threshold may be possible as a result of consistent modulation across the components of each modulation set.

도 7은 실시형태에 따른, 상이한 변조에 대한 패턴으로 검출된 결함의 수의 함수로서 생성되는 통계를 예시한다. 도시된 바와 같이, 어느 정도, 패턴에서 검출된 결함의 수는 변조가 증가함에 따라 증가할 수 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 보다 낮은 변조에서 검출된 결함은 보다 높은 변조에서 제거될 수 있고, 따라서 어느 포인트에서 변조가 증가함에 따라 검출된 결함의 수가 정체되거나(plateau) 감소될 수 있다. 따라서, 통계는 검출된 결함의 수가 최대화되는 곡선을 나타낼 수 있다. 이 포인트와 연관된 변조는 제조된 디바이스에서의 결함을 검출하는 데 최적인 것으로 식별될 수 있다. 특정 패턴에 대한 최적의 변조를 식별하는 것은 랜덤 결함에 의해 지배되는 다이를 커버하기 위한 충분한 변조로 미래의 웨이퍼가 적절히 제조될 수 있게 한다. 또한, 증가하는 변조는 각각의 임계 패턴 타입에 의한 체계적인 결함으로 인한 결함을 안정화시킬 수 있다.Figure 7 illustrates statistics generated as a function of the number of defects detected in a pattern for different modulation, according to an embodiment. As shown, to some extent, the number of defects detected in the pattern may increase as the modulation increases. However, as described above, defects detected at lower modulations can be eliminated at higher modulations, so that the number of detected defects can plateau and decrease as the modulation at any point increases. Thus, the statistics can indicate a curve that maximizes the number of detected defects. The modulation associated with this point can be identified as being optimal for detecting defects in the fabricated device. Identifying the optimal modulation for a particular pattern allows future wafers to be properly fabricated with sufficient modulation to cover the die dominated by random defects. In addition, increasing modulation can stabilize defects due to systematic defects by each critical pattern type.

다수의 실시형태가 위에서 설명되었지만, 한정이 아닌 예시만을 위해 제시되었다는 것을 이해해야 한다. 따라서, 바람직한 실시형태의 폭과 범위는 상술한 예시적인 실시형태들 중 어느 것에 의해서도 제한되어서는 안되며, 다음의 청구 범위 및 그 등가물에 따라서만 정의되어야 한다.While a number of embodiments have been described above, it should be understood that they have been presented by way of example only, and not limitation. Accordingly, the breadth and scope of the preferred embodiments should not be limited by any of the above-described exemplary embodiments, but should be defined only in accordance with the following claims and their equivalents.

Claims (21)

제조된 디바이스에 있어서,
제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트; 및
각각 상기 제1 변조를 갖는 제1 기준 콤포넌트 및 제2 기준 콤포넌트를 포함하는 상기 타겟 콤포넌트를 위한 적어도 2개의 기준 콤포넌트
를 포함하는, 제조된 디바이스.
In the manufactured device,
A target component having a first modulation; And
At least two reference components for the target component, each first reference component having a first modulation and a second reference component,
/ RTI >
제1항에 있어서,
상기 제조된 디바이스는 웨이퍼인 것인, 제조된 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the fabricated device is a wafer.
제2항에 있어서,
상기 타겟 콤포넌트 및 상기 적어도 2개의 기준 콤포넌트는 상기 웨이퍼 상에 위치된 유사한 패턴을 가진 개별 다이이거나 레이클인 것인, 제조된 디바이스.
3. The method of claim 2,
Wherein the target component and the at least two reference components are individual dies with similar patterns located on the wafer or are racquets.
제1항에 있어서,
상기 제1 변조는 특정 노출값 및 특정 포커스 값의 조합을 포함하는 것인, 제조된 디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the first modulation comprises a combination of a specific exposure value and a particular focus value.
제1항에 있어서,
상기 타겟 콤포넌트에 대하여 유사한 패턴을 각각 갖고 각각 상이한 변조를 갖는 복수의 추가 타겟 콤포넌트를 더 포함하는, 제조된 디바이스.
The method according to claim 1,
Further comprising a plurality of additional target components each having a similar pattern for the target component and each having a different modulation.
제5항에 있어서,
변조 세트를 형성하기 위해 상기 추가 타겟 콤포넌트 각각에 대하여 제1 추가 기준 콤포넌트 및 제2 추가 기준 콤포넌트를 포함하는 적어도 2개의 추가 기준 콤포넌트를 더 포함하고,
상기 변조 세트에서의 상기 적어도 2개의 추가 기준 콤포넌트는 상기 추가 타겟 콤포넌트에 대하여 유사한 패턴을 갖고 상기 변조 세트에서의 상기 추가 타겟 콤포넌트와 동일한 변조를 갖는 것인, 제조된 디바이스.
6. The method of claim 5,
Further comprising at least two additional reference components comprising a first additional reference component and a second additional reference component for each of the additional target components to form a modulation set,
Wherein the at least two additional reference components in the modulation set have a similar pattern for the additional target component and have the same modulation as the additional target component in the modulation set.
제6항에 있어서,
상기 타겟 콤포넌트 및 각각의 상기 복수의 추가 타겟 콤포넌트는 상기 제조된 디바이스의 단일 제1 컬럼(column)에 위치되고, 상기 제1 기준 콤포넌트 및 각각의 상기 제1 추가 기준 콤포넌트는 상기 제조된 디바이스의 단일 제2 컬럼에 위치되고, 상기 제2 기준 콤포넌트 및 각각의 상기 제2 추가 기준 콤포넌트는 상기 제조된 디바이스의 단일 제3 컬럼에 위치되는 것인, 제조된 디바이스.
The method according to claim 6,
Wherein the target component and each of the plurality of additional target components are located in a single first column of the manufactured device and wherein the first reference component and each of the first additional reference components comprise a single Wherein the second reference component and each of the second additional reference components are located in a single third column of the fabricated device.
제7항에 있어서,
상기 제1 컬럼은 상기 제2 컬럼과 상기 제3 컬럼 사이에 위치되는 것인, 제조된 디바이스.
8. The method of claim 7,
Wherein the first column is positioned between the second column and the third column.
제7항에 있어서,
상기 제1, 제2, 및 제3 컬럼은 서로에 대해 인접한 것인, 제조된 디바이스.
8. The method of claim 7,
Wherein the first, second, and third columns are adjacent to each other.
방법에 있어서,
제조된 디바이스의, 제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트의 제1 이미지를 수신하는 단계;
상기 타겟 콤포넌트에 대한 상기 제조된 디바이스의, 상기 제1 변조를 갖는 제1 기준 콤포넌트의 제2 이미지를 수신하는 단계;
상기 타겟 콤포넌트에 대한 상기 제조된 디바이스의, 상기 제1 변조를 갖는 제2 기준 콤포넌트의 제3 이미지를 수신하는 단계;
제1 이미지와 제2 이미지 사이의 차이를 나타내는 제1 결과를 생성하기 위해 상기 제1 이미지와 상기 제2 이미지의 제1 비교를 수행하는 단계;
상기 제1 이미지와 제3 이미지 사이의 차이를 나타내는 제2 결과를 생성하기 위해 상기 제1 이미지와 상기 제3 이미지의 제2 비교를 수행하는 단계; 및
상기 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위해 상기 제1 결과와 상기 제2 결과 사이의 제3 비교를 수행하는 단계
를 포함하는, 방법.
In the method,
Receiving a first image of a manufactured device of a target component having a first modulation;
Receiving a second image of the fabricated device for the target component, the second image of a first reference component having the first modulation;
Receiving a third image of the fabricated device for the target component, the third image of a second reference component having the first modulation;
Performing a first comparison of the first image and the second image to produce a first result indicative of a difference between the first image and the second image;
Performing a second comparison of the first image and the third image to produce a second result indicative of a difference between the first image and the third image; And
Performing a third comparison between the first result and the second result to detect a defect in the target component
/ RTI >
제10항에 있어서,
상기 제1, 제2, 및 제3 이미지는 검사 시스템의 콜렉터(collector)로부터 수신되는 것인, 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the first, second, and third images are received from a collector of the inspection system.
제11항에 있어서,
상기 제1 비교, 제2 비교, 및 제3 비교는 상기 검사 시스템의 프로세서에 의해 수행되는 것인, 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the first comparison, the second comparison, and the third comparison are performed by a processor of the inspection system.
제10항에 있어서,
상기 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위해 상기 제1 결과와 상기 제2 결과를 비교하는 단계는,
상기 제1 결과와 상기 제2 결과 사이의 비교 차이로부터 결정하는 단계; 및
각각의 결정된 차이를 상기 타겟 콤포넌트에서의 결함으로서 검출하는 단계
를 포함하는 것인, 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein comparing the first result to the second result to detect a defect in the target component comprises:
Determining from a comparison difference between the first result and the second result; And
Detecting each determined difference as a defect in the target component
≪ / RTI >
제13항에 있어서,
상기 제1 결과와 상기 제2 결과 사이의 유사성은 상기 타겟 콤포넌트에서의 결함으로서 식별되지 않는 것인, 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the similarity between the first result and the second result is not identified as a defect in the target component.
제10항에 있어서,
상기 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하는 것은 상기 제3 비교에 적용되는 미리 정의된 임계치에 기초하는 것인, 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein detecting a defect in the target component is based on a predefined threshold applied to the third comparison.
제10항에 있어서,
상기 방법은, 패턴에서의 결함을 검출하기 위해 유사한 패턴을 갖고 상이한 변조를 갖는 제조된 디바이스의 복수의 타겟 콤포넌트 각각에 대해 수행되는 것인, 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the method is performed for each of a plurality of target components of a fabricated device having a similar pattern and different modulation to detect defects in the pattern.
제16항에 있어서,
상기 검출된 결함이 상기 제1 결과와 상기 제2 결과 사이의 유사성과 관련되는 높은 변조로부터 결정될 때, 각각의 증가하는 변조에 대하여 상기 방법이 반복됨에 따라 상기 유사 패턴에 대해 검출된 결함을 점진적으로 제거하는 단계를 더 포함하는, 방법.
17. The method of claim 16,
When the detected defect is determined from a high modulation that is related to the similarity between the first result and the second result, the defect detected for the similar pattern as the method is repeated for each incremental modulation, ≪ / RTI >
제16항에 있어서,
상기 패턴에서의 결함을 검출하기 위해 상기 상이한 변조에 대하여 반복되는 각각의 제3 비교에 동일한 미리 정의된 임계치가 적용되는 것인, 방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the same predefined threshold is applied to each third comparison repeated for the different modulation to detect defects in the pattern.
제16항에 있어서,
상기 상이한 변조 각각에 대하여 상기 패턴에서 검출된 결함의 수의 함수로서 통계가 형성되고, 상기 통계는 결함을 검출하기 위한 최적의 변조를 식별하는데 사용되는 것인, 방법.
17. The method of claim 16,
Wherein statistics are formed as a function of the number of defects detected in the pattern for each of the different modulations and wherein the statistics are used to identify optimal modulation to detect defects.
비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에서 구현되는 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
상기 컴퓨터 프로그램 제품은,
제조된 디바이스의, 제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트의 제1 이미지를 수신하는 단계;
상기 타겟 콤포넌트에 대한 상기 제조된 디바이스의, 상기 제1 변조를 갖는 제1 기준 콤포넌트의 제2 이미지를 수신하는 단계;
상기 타겟 콤포넌트에 대한 상기 제조된 디바이스의, 상기 제1 변조를 갖는 제2 기준 콤포넌트의 제3 이미지를 수신하는 단계;
제1 이미지와 제2 이미지 사이의 차이를 나타내는 제1 결과를 생성하기 위해 상기 제1 이미지와 상기 제2 이미지의 제1 비교를 수행하는 단계;
상기 제1 이미지와 제3 이미지 사이의 차이를 나타내는 제2 결과를 생성하기 위해 상기 제1 이미지와 상기 제3 이미지의 제2 비교를 수행하는 단계; 및
상기 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위해 상기 제1 결과와 상기 제2 결과 사이의 제3 비교를 수행하는 단계
를 포함하는 방법을 수행하기 위해 프로세서에 의해 실행되도록 구성된 코드를 포함하는 것인, 컴퓨터 프로그램 제품.
A computer program product embodied in a non-transitory computer readable medium,
The computer program product comprising:
Receiving a first image of a manufactured device of a target component having a first modulation;
Receiving a second image of the fabricated device for the target component, the second image of a first reference component having the first modulation;
Receiving a third image of the fabricated device for the target component, the third image of a second reference component having the first modulation;
Performing a first comparison of the first image and the second image to produce a first result indicative of a difference between the first image and the second image;
Performing a second comparison of the first image and the third image to produce a second result indicative of a difference between the first image and the third image; And
Performing a third comparison between the first result and the second result to detect a defect in the target component
The code being configured to be executed by a processor to perform a method comprising:
검사 시스템에 있어서,
콜렉터; 및
프로세서
를 포함하고,
상기 콜렉터는,
제조된 디바이스의, 제1 변조를 갖는 타겟 콤포넌트의 제1 이미지를 수집하고,
상기 타겟 콤포넌트에 대한 상기 제조된 디바이스의, 상기 제1 변조를 갖는 제1 기준 콤포넌트의 제2 이미지를 수집하고,
상기 타겟 콤포넌트에 대한 상기 제조된 디바이스의, 상기 제1 변조를 갖는 제2 기준 콤포넌트의 제3 이미지를 수집하도록
구성되고,
상기 프로세서는,
제1 이미지와 제2 이미지 사이의 차이를 나타내는 제1 결과를 생성하기 위해 상기 제1 이미지와 상기 제2 이미지의 제1 비교를 수행하고,
상기 제1 이미지와 제3 이미지 사이의 차이를 나타내는 제2 결과를 생성하기 위해 상기 제1 이미지와 상기 제3 이미지의 제2 비교를 수행하고,
상기 타겟 콤포넌트에서의 결함을 검출하기 위해 상기 제1 결과와 상기 제2 결과 사이의 제3 비교를 수행하도록
구성되는 것인, 검사 시스템.
In the inspection system,
Collector; And
Processor
Lt; / RTI >
The collector
Collecting a first image of a manufactured device, a first image of a target component having a first modulation,
To acquire a second image of the manufactured device for the target component, a second image of a first reference component having the first modulation,
To acquire a third image of a second reference component having the first modulation of the manufactured device for the target component
Respectively,
The processor comprising:
Performing a first comparison of the first image and the second image to produce a first result indicative of a difference between the first image and the second image,
Performing a second comparison of the first image and the third image to produce a second result indicative of a difference between the first image and the third image,
To perform a third comparison between the first result and the second result to detect a defect in the target component
Wherein the inspection system comprises:
KR1020187035024A 2016-05-04 2017-05-04 A system, method, and computer program product for detecting defects in a target component manufactured using consistent modulation for the target component and reference component KR102190835B1 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662331567P 2016-05-04 2016-05-04
US62/331,567 2016-05-04
US15/194,436 2016-06-27
US15/194,436 US9940705B2 (en) 2016-05-04 2016-06-27 System, method and computer program product for detecting defects in a fabricated target component using consistent modulation for the target and reference components
PCT/US2017/031147 WO2017192908A1 (en) 2016-05-04 2017-05-04 System, method and computer program product for detecting defects in a fabricated target component using consistent modulation for the target and reference components

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180133534A true KR20180133534A (en) 2018-12-14
KR102190835B1 KR102190835B1 (en) 2020-12-14

Family

ID=60203409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187035024A KR102190835B1 (en) 2016-05-04 2017-05-04 A system, method, and computer program product for detecting defects in a target component manufactured using consistent modulation for the target component and reference component

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9940705B2 (en)
KR (1) KR102190835B1 (en)
CN (1) CN109075101B (en)
IL (1) IL262229B (en)
TW (1) TWI717508B (en)
WO (1) WO2017192908A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113110887B (en) * 2021-03-31 2023-07-21 联想(北京)有限公司 Information processing method, device, electronic equipment and storage medium

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070031026A1 (en) * 2005-08-05 2007-02-08 Masaki Kurihara Method and apparatus for reviewing defects of semiconductor device
US20090252403A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Minoru Harada Method and its apparatus for reviewing defects
US20100226562A1 (en) * 2004-12-07 2010-09-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020158197A1 (en) * 1999-01-12 2002-10-31 Applied Materials, Inc AFM-based lithography metrology tool
US6392229B1 (en) * 1999-01-12 2002-05-21 Applied Materials, Inc. AFM-based lithography metrology tool
US7796801B2 (en) * 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
EP1523696B1 (en) 2002-07-15 2016-12-21 KLA-Tencor Corporation Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
CN102037550B (en) * 2008-05-21 2012-08-15 恪纳腾公司 Substrate matrix to decouple tool and process effects
US8041106B2 (en) * 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
US8223327B2 (en) * 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
US8295580B2 (en) * 2009-09-02 2012-10-23 Hermes Microvision Inc. Substrate and die defect inspection method
WO2011083540A1 (en) 2010-01-05 2011-07-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ Method and device for testing defect using sem
JP5695924B2 (en) * 2010-02-01 2015-04-08 株式会社ニューフレアテクノロジー Defect estimation apparatus, defect estimation method, inspection apparatus, and inspection method
US8488055B2 (en) * 2010-09-30 2013-07-16 Apple Inc. Flash synchronization using image sensor interface timing signal
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9355208B2 (en) 2013-07-08 2016-05-31 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9536299B2 (en) 2014-01-16 2017-01-03 Kla-Tencor Corp. Pattern failure discovery by leveraging nominal characteristics of alternating failure modes
JP6253450B2 (en) * 2014-02-28 2017-12-27 オリンパス株式会社 Image processing apparatus, image processing method, and program
CN107077079B (en) * 2014-09-01 2018-12-14 Asml荷兰有限公司 It measures the method for the attribute of object construction, check equipment, lithography system and device making method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100226562A1 (en) * 2004-12-07 2010-09-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
US20070031026A1 (en) * 2005-08-05 2007-02-08 Masaki Kurihara Method and apparatus for reviewing defects of semiconductor device
US20090252403A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Minoru Harada Method and its apparatus for reviewing defects

Also Published As

Publication number Publication date
US20170323434A1 (en) 2017-11-09
WO2017192908A1 (en) 2017-11-09
TW201742004A (en) 2017-12-01
CN109075101B (en) 2020-06-19
TWI717508B (en) 2021-02-01
KR102190835B1 (en) 2020-12-14
US9940705B2 (en) 2018-04-10
IL262229A (en) 2018-11-29
IL262229B (en) 2020-07-30
CN109075101A (en) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160071256A1 (en) Detecting Defects on a Wafer Using Defect-Specific Information
CN108885185B (en) Systems, methods, and computer program products for correcting difference images generated from comparisons of target and reference dies
WO2019173746A1 (en) Detecting die repeating programmed defects located in backgrounds with non-repeating features
KR102223706B1 (en) Systems, methods and computer program products for identifying manufactured component defects using local adaptation thresholds
KR102190835B1 (en) A system, method, and computer program product for detecting defects in a target component manufactured using consistent modulation for the target component and reference component
US10262408B2 (en) System, method and computer program product for systematic and stochastic characterization of pattern defects identified from a semiconductor wafer
US11139216B2 (en) System, method and non-transitory computer readable medium for tuning sensitivities of, and determining a process window for, a modulated wafer
US10475178B1 (en) System, method and computer program product for inspecting a wafer using a film thickness map generated for the wafer

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant