KR20180129789A - Tape for electronic device package - Google Patents

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KR20180129789A
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마사미 아오야마
지로우 스기야마
구니히꼬 이시구로
도루 사노
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

접착제층이 부착된 금속층을 점착 테이프로부터 픽업할 때에, 픽업 장치의 핀의 밀어 올림에 의해 금속층이 변형되어서 핀의 흔적이 발생하는 것을 억제하여, 접착제층과 피착체 사이에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있는 전자 디바이스 패키지용 테이프를 제공한다. 본 발명의 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)는 기재 필름(51)과 점착제(52)층을 갖는 점착 테이프(5)와, 점착제층(52)의 기재 필름(51)과 반대측에 적층하여 설치된 접착제층(4)과 금속층(3)의 적층체를 갖고, 금속층(3)은 인장 강도가 350MPa 이상인 것을 특징으로 한다.When the metal layer with the adhesive layer is picked up from the adhesive tape, the metal layer is deformed due to the push-up of the pins of the pickup device, thereby suppressing the occurrence of pin marks and suppressing generation of voids between the adhesive layer and the adherend A tape for an electronic device package is provided. A tape (1) for an electronic device package of the present invention comprises an adhesive tape (5) having a base film (51) and a pressure sensitive adhesive (52) layer and an adhesive Layer 4 and metal layer 3, and the metal layer 3 has a tensile strength of 350 MPa or more.

Description

전자 디바이스 패키지용 테이프Tape for electronic device package

본 발명은 전자 디바이스 패키지용 테이프에 관한 것으로서, 특히, 금속층을 갖는 전자 디바이스 패키지용 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a tape for an electronic device package, and more particularly to a tape for an electronic device package having a metal layer.

근년, 휴대 전화나 노트북 PC 등의 전자 기기는, 더한층 박형화·소형화가 요구되고 있다. 그래서, 전자 기기에 탑재하는 반도체 패키지 등의 전자 디바이스 패키지를 박형화·소형화하기 위해서, 전자 디바이스나 회로 기판의 전극수를 증가시키고, 또한 피치도 좁게 하고 있다. 이러한 전자 디바이스 패키지에는, 예를 들어, 플립 칩(FC; Flip Chip) 실장 패키지가 있다.2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices such as cellular phones and notebook PCs are required to be further thinned and miniaturized. Therefore, in order to make the electronic device package such as a semiconductor package mounted on the electronic device thin and miniaturized, the number of electrodes of the electronic device and the circuit board is increased and the pitch is also narrowed. Such electronic device packages include, for example, Flip Chip (FC) packaging packages.

플립 칩 실장 패키지에 있어서는, 상술한 바와 같이, 전극의 수가 증가하거나 협소 피치화하거나 하고 있기 때문에, 발열량의 증가가 문제로 되어 있다. 그래서, 플립 칩 실장 패키지의 방열 구조로서, 전자 디바이스의 이면에 접착제층을 통하여 금속층을 형성하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).In the flip chip packaging package, as described above, since the number of electrodes is increased or the pitch is narrowed, an increase in the amount of heat generation is a problem. Therefore, as a heat dissipating structure of a flip chip packaging package, it has been proposed to form a metal layer on the back surface of an electronic device through an adhesive layer (see, for example, Patent Document 1).

또한, 플립 칩 실장 패키지에 있어서는, 전자 디바이스의 선팽창률과 회로 기판의 선팽창률이 크게 상이한 경우가 있다. 이 경우, 전자 디바이스 패키지의 제조 과정에 있어서, 중간 제품이 가열 및 냉각되었을 때에, 전자 디바이스와 회로 기판 사이에는 팽창량 및 수축량에 차가 발생하게 된다. 이 차에 의해, 전자 디바이스 패키지에는 휨이 발생하게 된다. 이러한 휨을 억제하는 구조로서도, 전자 디바이스의 이면에 접착제층을 통하여 금속층을 형성하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).Further, in the flip chip packaging package, the coefficient of linear expansion of the electronic device and the coefficient of linear expansion of the circuit board may be significantly different from each other. In this case, in the manufacturing process of the electronic device package, when the intermediate product is heated and cooled, a difference occurs between the expansion amount and the shrinkage amount between the electronic device and the circuit board. This difference causes warpage in the electronic device package. As a structure for suppressing such deflection, it has also been proposed to form a metal layer on the back surface of an electronic device through an adhesive layer (see, for example, Patent Document 2).

또한, 플립 칩 실장 패키지에 있어서, 전자 디바이스의 이면에 접착제층을 통하여 금속층을 설치하고, 이 금속층을 레이저 마킹용의 보호층으로서 사용하는 것도 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).In addition, in the flip chip packaging package, a metal layer is provided on the back surface of an electronic device through an adhesive layer, and this metal layer is used as a protective layer for laser marking (for example, see Patent Document 3).

또한, 근년, 반도체 칩 상에 추가로 동일한 사이즈의 다른 반도체 칩을 적층하여, 삼차원 실장을 행하는 경우가 있다. 여기서, 반도체 칩 상에 동일한 사이즈의 다른 반도체 칩을 적층할 수 있도록 하기 위해서는, 양자 사이에 스페이서를 적층해 둘 필요가 있다. 반도체 칩에 있어서의 전극 패드 부분 상에도 다른 반도체 칩이 적층되어버리기 때문이다. 상기한 스페이서로서, 접착제층 부착 금속층을 사용하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 4 참조). 특허문헌 4에는, 스페이서는, 적어도 한쪽 면에 접착제층을 구비한 금속층을 갖는 스페이서용 접착 시트를, 접착제층을 접합면으로 하여 다이싱 시트에 접합하는 공정과, 스페이서용 접착 시트를 다이싱하여, 접착제층을 구비한 칩상의 스페이서를 형성하는 공정과, 스페이서를 핀에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 스페이서를, 다이싱 시트로부터 접착제층과 함께 반도체 칩을 박리할 때에 사용하는 픽업 장치에 의해, 접착제층과 함께 다이싱 시트로부터 박리하는 공정과, 접착제층을 통하여 스페이서를 피착체에 고정하는 공정에 의해 설치되는 것이 기재되어 있다.Further, in recent years, another semiconductor chip of the same size is stacked on the semiconductor chip to perform the three-dimensional mounting. Here, in order to stack other semiconductor chips of the same size on the semiconductor chip, it is necessary to stack the spacers therebetween. This is because other semiconductor chips are stacked on the electrode pad portion of the semiconductor chip. As the above-mentioned spacer, it has been proposed to use a metal layer with an adhesive layer (see, for example, Patent Document 4). In Patent Document 4, the spacer includes a step of bonding an adhesive sheet for a spacer having a metal layer having an adhesive layer on at least one side thereof to a dicing sheet with the adhesive layer as a bonding surface, and a step of dicing the adhesive sheet for spacer A step of forming a spacer on a chip having an adhesive layer; a step of pushing up the spacer by a pin and pushing up the spacer by a pick-up device used when peeling the semiconductor chip together with the adhesive layer from the dicing sheet; A step of peeling off the dicing sheet together with the adhesive layer, and a step of fixing the spacer to the adherend through the adhesive layer.

일본 특허 공개 제2007-235022호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-235022 일본 특허 제5487847호 공보Japanese Patent No. 5487847 일본 특허 제5419226호 공보Japanese Patent No. 5419226 일본 특허 제4954569호 공보Japanese Patent No. 4954569

상술한 바와 같이, 접착제층이 부착된 금속층은, 여러가지 전자 디바이스 패키지에 유용한데, 특허문헌 4에 개시되어 있는 바와 같이, 기존의 장치를 사용하여 픽업하여 피착체에 고정할 수 있다면 편리하다.As described above, the metal layer with the adhesive layer is useful for various electronic device packages. As disclosed in Patent Document 4, it is convenient if it can be picked up using an existing apparatus and fixed to an adherend.

그러나, 금속은 금속 결합에서 유래되는 소성변형되기 쉽다고 하는 특성 때문에, 픽업을 위하여 핀으로 밀어 올리면, 핀의 흔적이 남아버릴 우려가 있었다. 또한, 금속층에 적층되어 있는 접착제층은 미경화 상태 또는 반경화 상태이기 때문에 유연하다. 그 때문에, 금속층에 핀의 흔적이 발생하면 접착제층도 이것에 추종한 상태로 되어버린다. 이 상태에서 접착제층을 피착체에 접합하면, 보이드가 발생하여 패키지 크랙의 요인이 될 우려가 있다는 문제가 있었다.However, when the metal is pushed up to a pin for picking up, there is a possibility that a trace of the pin is left. Further, the adhesive layer laminated on the metal layer is flexible because it is uncured or semi-cured. For this reason, when a trace of a pin is formed in the metal layer, the adhesive layer is also in a state of following it. If the adhesive layer is adhered to the adherend in this state, there is a fear that voids may be generated and cause a package crack.

그래서, 본원 발명은, 접착제층이 부착된 금속층을 점착 테이프로부터 픽업할 때에, 픽업 장치의 핀의 밀어 올림에 의해 금속층이 변형되어서 핀의 흔적이 발생하는 것을 억제하여, 접착제층과 피착체 사이에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있는 전자 디바이스 패키지용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in the present invention, when the metal layer having the adhesive layer is picked up from the adhesive tape, the metal layer is deformed due to the push-up of the pin of the pick-up device to suppress the occurrence of pin marks, And it is an object of the present invention to provide a tape for an electronic device package capable of suppressing occurrence of voids.

이상의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 기재 필름과 점착제층을 갖는 점착 테이프와, 상기 점착제층의 상기 기재 필름과 반대측에 적층하여 설치된 접착제층과 금속층의 적층체를 갖고, 상기 금속층은, 인장 강도가 350MPa 이상인 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the tape for an electronic device package according to the present invention comprises a pressure-sensitive adhesive tape having a base film and a pressure-sensitive adhesive layer, and a laminate of an adhesive layer and a metal layer laminated on the opposite side of the pressure- And the metal layer has a tensile strength of 350 MPa or more.

상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층이, 구리 또는 알루미늄을 함유하는 것이 바람직하다.In the tape for an electronic device package, it is preferable that the metal layer contains copper or aluminum.

상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층의 구리의 함유량이 99.95% 이하인 것이 바람직하다.In the tape for an electronic device package, the content of copper in the metal layer is preferably 99.95% or less.

상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층이 구리 합금박 또는 알루미늄 합금박인 것이 바람직하다.In the tape for an electronic device package, it is preferable that the metal layer is a copper alloy foil or an aluminum alloy foil.

상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층이, 구리와, 니켈, 크롬, 지르코늄, 아연, 주석, 티타늄, 규소, 철, 망간, 마그네슘, 인 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 합금을 포함하는 것이 바람직하다.The tape for an electronic device package is characterized in that the metal layer is made of one or more kinds selected from the group consisting of copper and nickel, chromium, zirconium, zinc, tin, titanium, silicon, iron, manganese, magnesium, phosphorus and cobalt And the like.

또한, 상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층이, 알루미늄과, 니켈, 크롬, 지르코늄, 아연, 주석, 마그네슘, 구리, 망간, 티타늄, 규소, 철 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 합금을 포함하는 것이 바람직하다.The tape for an electronic device package may further comprise one or two or more selected from the group consisting of aluminum and at least one metal selected from the group consisting of nickel, chromium, zirconium, zinc, tin, magnesium, copper, manganese, titanium, It is preferable to include an alloy including more than two kinds of alloys.

또한, 상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층이 스테인리스강을 포함하는 것이어도 된다.In addition, the tape for an electronic device package may be such that the metal layer includes stainless steel.

또한, 상기 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 금속층의 열전도율이 5W/(m·K) 이상인 것이 바람직하다.In the tape for an electronic device package, the metal layer preferably has a thermal conductivity of 5 W / (m · K) or more.

또한, 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 접착제층이, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 아크릴 수지 또는 페녹시 수지, 및 (D) 표면 처리된 무기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다.It is also preferable that the adhesive tape for the electronic device package contains the epoxy resin, (B) the curing agent, (C) the acrylic resin or the phenoxy resin, and (D) the surface-treated inorganic filler .

또한, 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 상기 점착제층이, CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수가 4 내지 18인 알킬기이다.)로 표시되는 아크릴산에스테르와, 히드록실기 함유 모노머와, 분자 내에 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하여 구성되는 아크릴계 폴리머를 함유하는 것이 바람직하다.Further, the tape for an electronic device package is characterized in that the pressure-sensitive adhesive layer comprises an acrylate ester represented by CH 2 CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms), a hydroxyl group-containing monomer, It is preferable to contain an acrylic polymer comprising an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond.

본 발명에 따르면, 접착제층이 부착된 금속층을 점착 테이프로부터 픽업할 때에, 픽업 장치의 핀의 밀어 올림에 의해 금속층이 변형되어서 핀의 흔적이 발생하는 것을 억제하여, 접착제층과 피착체 사이에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.According to the present invention, when the metal layer having the adhesive layer is picked up from the adhesive tape, the metal layer is deformed due to the push-up of the pins of the pickup device, Can be suppressed.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 평면도이며, (b)는 동 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 제조 방법을 모식적으로 도시하는 설명도이며, (A)는 금속층의 접합 공정을 도시하는 긴 변 방향 단면도이며, (B)는 접착제층의 접합 공정을 도시하는 긴 변 방향 단면도이며, (C)는 프리컷 공정을 도시하는 짧은 변 방향 단면도이며, (D)는 불필요 부분의 제거 공정을 도시하는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 제조 방법을 모식적으로 도시하는 설명도이며, (A)는 점착 테이프의 접합 공정을 도시하는 짧은 변 방향 단면도이며, (B)는 프리컷 공정을 도시하는 짧은 변 방향 단면도이며, (C)는 불필요 부분의 제거 공정을 도시하는 짧은 변 방향 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 사용 방법을 모식적으로 설명하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프의 사용 방법을 모식적으로 설명하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프를 사용한 전자 디바이스 패키지의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 (a) is a plan view schematically showing the structure of a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 (b) is a cross-sectional view.
3 is a perspective view schematically showing a structure of a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is an explanatory view schematically showing a method of manufacturing a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention, wherein (A) is a cross-sectional view in the longitudinal direction showing a step of bonding metal layers, (C) is a cross-sectional view in the short-side direction showing the precut process, and (D) is a perspective view showing a process for removing unnecessary portions.
Fig. 5 is an explanatory view schematically showing a method of manufacturing a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention, wherein (A) is a cross-sectional view in the short- Sectional view in the short-side direction showing the pre-cutting process, and (C) is a sectional view in the short-side direction showing the removing process of the unnecessary portion.
6 is a cross-sectional view schematically illustrating a method of using a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view schematically illustrating a method of using a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an electronic device package using a tape for an electronic device package according to an embodiment of the present invention.

이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)를 도시하는 단면도이다. 이 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)는 기재 필름(51)과 기재 필름(51) 상에 설치된 점착제층(52)을 포함하는 점착 테이프(5)를 갖고 있으며, 점착제층(52) 상에는, 접착제층(4)과 금속층(3)의 적층체가 설치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 점착제층(52) 상에는, 접착제층(4)과, 접착제층(4)에 적층하여 설치된 금속층(3)이 설치되어 있다. 접착제층(4)과 금속층(3)의 적층체는, 양자의 밀착성을 좋게 하기 위한 프라이머층 등을 개재하여 간접적으로 적층되어 있는 양태를 포함한다.1 is a sectional view showing a tape 1 for an electronic device package according to an embodiment of the present invention. The tape 1 for an electronic device package has an adhesive tape 5 including a base film 51 and a pressure sensitive adhesive layer 52 provided on the base film 51. On the pressure sensitive adhesive layer 52, (4) and a metal layer (3). In this embodiment, on the pressure-sensitive adhesive layer 52, there are provided an adhesive layer 4 and a metal layer 3 laminated on the adhesive layer 4. The laminate of the adhesive layer 4 and the metal layer 3 includes an embodiment in which the laminate of the adhesive layer 4 and the metal layer 3 is indirectly laminated via a primer layer or the like for enhancing the adhesion of both.

본 발명의 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 점착 테이프(5)가 링 프레임(R)(도 7 참조)에 대응하는 형상으로 절단되어 있고, 금속층(3) 및 접착제층(4)도 이것에 대응하여 소정 형상으로 절단(프리컷 가공)되어 있는 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 있어서는 프리컷 가공이 이루어져 있다.As shown in Figs. 2 and 3, the tape 1 for an electronic device package of the present invention has the adhesive tape 5 cut in a shape corresponding to the ring frame R (see Fig. 7) 3) and the adhesive layer 4 are also preferably cut (pre-cut) in a predetermined shape in correspondence thereto. In the present embodiment, the pre-cut processing is performed.

본 발명의 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 금속층(3), 접착제층(4), 링 프레임(R)에 대응하는 형상으로 절단된 점착 테이프(5)(라벨부(5a))가 적층된 적층체가 복수 형성된 긴 기재 테이프(2)를 롤형으로 권취한 형태인 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 있어서는 롤형으로 권취되어 있지만, 기재 테이프(2)에 설치된 적층체가 하나씩 절단된 형태여도 된다.As shown in Figs. 2 and 3, the tape 1 for an electronic device package of the present invention comprises a metal layer 3, an adhesive layer 4, an adhesive tape 5 cut in a shape corresponding to the ring frame R In the present embodiment, the long base tape 2 is wound in a roll shape. However, the long base tape 2 may be wound around the base tape 2 in a roll- The laminate may be cut one by one.

프리컷 가공되어 롤형으로 권취되어 있는 경우, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)는 기재 테이프(2)를 갖고 있으며, 기재 테이프(2) 상에는, 소정의 평면 형상을 갖는 금속층(3)과, 금속층(3)의 기재 테이프(2)측과는 반대측에 금속층(3)과 적층하여 설치되고, 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층(4)과, 접착제층(4)을 덮고, 또한, 접착제층(4)의 주위에서 기재 테이프(2)에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상의 라벨부(5a)와 그 라벨부(5a)의 외측을 둘러싸는 주변부(5b)를 갖는 점착 테이프(5)가 설치되어 있다.2 and 3, the tape 1 for an electronic device package has a base tape 2, and on the base tape 2, a predetermined plane And an adhesive layer (4) having a predetermined planar shape and formed by laminating a metal layer (3) on the opposite side of the metal layer (3) from the side of the base tape (2) A label portion 5a having a predetermined planar shape provided to contact the base tape 2 around the adhesive layer 4 and a peripheral portion 5b surrounding the outer side of the label portion 5a, The adhesive tape 5 is provided.

라벨부(5a)는 다이싱용의 링 프레임(R)에 대응하는 형상을 갖는다. 다이싱용의 링 프레임(R)의 형상에 대응하는 형상은, 링 프레임(R)의 내측과 대략 동일한 형상이며 링 프레임(R) 내측의 크기보다 큰 상사형인 것이 바람직하다. 또한, 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다. 주변부(5b)는 라벨부(5a)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시한 바와 같이 완전히는 둘러싸지 않는 형태를 포함한다. 또한, 주변부(5b)는 설치되어 있지 않아도 된다.The label portion 5a has a shape corresponding to the ring frame R for dicing. It is preferable that the shape corresponding to the shape of the ring frame R for dicing is substantially the same shape as the inside of the ring frame R and is larger than the inside dimension of the ring frame R. [ In addition, although it is not necessarily circular, it is preferably a shape close to a circle, more preferably a circle. The peripheral portion 5b includes a shape that completely surrounds the outside of the label portion 5a and a shape that is not completely surrounded as shown in the figure. Further, the peripheral portion 5b may not be provided.

접착제층(4)은 소정의 평면 형상을 갖고 있으며, 이 평면 형상은, 점착 테이프(5)의 라벨부(5a)의 주연부에 링 프레임(R)을 접합하고, 픽업 장치의 밀어 올림 부재로 밀어 올림 가능하도록(도 7의 (C) 참조) 라벨부(5a)보다도 작은 형상으로 되어 있다. 접착제층(4)은 라벨부(5a)와 대략 동일한 형상이며 라벨부(5a)의 크기보다 작은 상사형인 것이 바람직하다. 접착제층(4)은 반드시 원형은 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다.The adhesive layer 4 has a predetermined planar shape in which the ring frame R is joined to the peripheral edge of the label portion 5a of the adhesive tape 5 and is pushed by the push- (See Fig. 7 (C)) so that the label portion 5a can be lifted up. It is preferable that the adhesive layer 4 has a substantially same shape as that of the label portion 5a and is smaller than the size of the label portion 5a. The adhesive layer 4 is not necessarily circular, but a circular shape is preferable, and a circular shape is more preferable.

금속층(3)은 접착제층(4)과는 동일한 형상으로 되어 있고, 금속층(3)에 접착제층(4)이 적층되어 있다. 여기에서 말하는 적층은, 주요 부분이 적층되어 있으면 되고, 금속층(3)과 접착제층(4)이 반드시 동일한 크기일 필요는 없지만, 제조의 편리성으로부터, 대략 동일한 형상인 것이 바람직하다. 이하에, 각 구성 요소에 대하여 설명한다.The metal layer 3 has the same shape as the adhesive layer 4 and the adhesive layer 4 is laminated on the metal layer 3. The metal layer 3 and the adhesive layer 4 do not necessarily have to be of the same size, but it is preferable that the metal layer 3 and the adhesive layer 4 have substantially the same shape from the viewpoint of manufacturing convenience. Hereinafter, each component will be described.

<기재 테이프(2)>&Lt; Base tape (2) >

기재 테이프(2)는 공지된 세퍼레이터로 구성할 수도 있지만, 전자 디바이스 패키지용 테이프의 프리컷 가공에 사용하는 기재 테이프를 그대로 사용할 수도 있다. 전자 디바이스 패키지용 테이프의 프리컷 가공에 사용하는 기재 테이프를 그대로 사용하는 경우, 기재 테이프(2)는 프리컷 가공 시에 금속층(3)을 점착 보유 지지할 필요가 있기 때문에, 예를 들어, 수지 필름과 수지 필름의 편면에 설치된 기재 테이프용 점착제층을 갖는 테이프를 적합하게 사용할 수 있다.The base tape 2 may be made of a known separator, but a base tape used for pre-cutting the tape for an electronic device package may be used as it is. In the case of using the base tape used for free cutting of the tape for electronic device package as it is, since the base tape 2 needs to adhere and hold the metal layer 3 at the time of free cutting, A tape having a pressure-sensitive adhesive layer for a substrate tape provided on one side of the film and the resin film can be suitably used.

기재 테이프(2)를 구성하는 수지 필름의 소재에는, 공지된 재료를 사용할 수 있는데, 예시한다면, 폴리에스테르(PET, PBT, PEN, PBN, PTT)계, 폴리올레핀(PP, PE)계, 공중합체(EVA, EEA, EBA)계, 또한 이들 재료를 일부 치환하고, 또한 접착성이나 기계적 강도를 향상시킨 필름을 들 수 있다. 또한, 이들 필름의 적층체여도 된다. 내열성, 평활성, 및 입수하기 쉬움의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 및 폴리에틸렌 중에서 선택되는 것이 바람직하다.As a material of the resin film constituting the base tape 2, known materials can be used. For example, a polyester (PET, PBT, PEN, PBN, PTT), a polyolefin (PP, PE) (EVA, EEA, EBA), and films in which some of these materials are partially replaced, and in which adhesiveness and mechanical strength are improved. Further, these films may be laminated. From the viewpoints of heat resistance, smoothness, and availability, it is preferable to select polyethylene terephthalate, polypropylene, and polyethylene.

기재 테이프(2)를 구성하는 수지 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 적절하게 설정해도 되지만, 10 내지 150㎛인 것이 바람직하다.The thickness of the resin film constituting the base tape 2 is not particularly limited and may be appropriately set, but it is preferably 10 to 150 占 퐉.

기재 테이프용 점착제층에 사용되는 수지로서는, 점착제에 사용되는 공지된 염소화폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있는데, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.As the resin used for the pressure-sensitive adhesive layer for a substrate tape, known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, etc. used for the pressure-sensitive adhesive can be used. An acrylic pressure- .

아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다.Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl esters, ethyl esters, isopropyl esters, butyl esters, isobutyl esters, s-butyl esters, And examples thereof include esters, isopentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Straight chain or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as hexadecyl ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, Cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) as a monomer component Stand used can be an acrylic polymer or the like. The (meth) acrylic acid ester is an acrylic acid ester and / or a methacrylic acid ester, and the term (meth) in the present invention is all synonymous.

아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하고, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components that can be copolymerized with the alkyl (meth) acrylate or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such a monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Sulfonic acid groups such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; Monomers containing phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

또한, 아크릴계 폴리머는, 가교되기 때문에, 다관능성 모노머 등도 필요에 따라서 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 모노머로서, 예를 들어, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.Further, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer and the like can also be contained as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such a polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, (Meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, and the like. These polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.

아크릴계 폴리머의 조제는 예를 들어 1종 또는 2종 이상의 성분 모노머의 혼합물에 용액 중합 방식이나 유화 중합 방식, 괴상 중합 방식이나 현탁 중합 방식 등의 적절한 방식을 적용하여 행할 수 있다. 기재 테이프용 점착제층은, 저분자량 물질의 함유를 억제한 조성이 바람직하고, 이러한 점에서 중량 평균 분자량이 30만 이상, 특히 40만 내지 300만인 아크릴계 폴리머를 주성분으로 하는 것이 바람직한 것으로부터 점착제는, 내부 가교 방식이나 외부 가교 방식 등에 의한 적절한 가교 타입으로 할 수도 있다.The preparation of the acrylic polymer can be carried out, for example, by applying a suitable method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method or a suspension polymerization method to a mixture of one kind or two or more kinds of component monomers. The pressure-sensitive adhesive layer for a substrate tape is preferably a composition in which the content of a low molecular weight substance is suppressed. In view of this, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 300,000 or more, And may be an appropriate crosslinking type by an internal crosslinking method or an external crosslinking method.

또한, 기재 테이프용 점착제층의 가교 밀도를 제어하여 점착 테이프(5)와의 박리성을 향상시키기 위해서, 예를 들어 다관능 이소시아네이트계 화합물, 다관능 에폭시계 화합물, 멜라민계 화합물, 금속염계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물, 아미노 수지계 화합물, 또는 과산화물 등의 적절한 외부 가교제를 사용하여 가교 처리하는 방식이나, 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자 화합물을 혼합하여 에너지선의 조사 등에 의해 가교 처리하는 방식 등의 적절한 방식을 채용할 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 20중량부 정도 이하, 나아가 0.1중량부 내지 20중량부 배합하는 것이 바람직하다.Further, in order to control the crosslinking density of the pressure-sensitive adhesive layer for a substrate tape to improve the peeling property with the adhesive tape 5, for example, a polyfunctional isocyanate compound, a polyfunctional epoxy compound, a melamine compound, A crosslinking treatment method using a suitable external crosslinking agent such as a chelate compound, an amino resin compound, or a peroxide, a method of mixing a low molecular compound having two or more carbon-carbon double bonds and performing crosslinking treatment by irradiation of an energy ray or the like An appropriate method can be adopted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is about 20 parts by weight or less, more preferably 0.1 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer.

기재 테이프용 점착제층의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다. 또한, 기재 테이프용 점착제층은 단층으로 구성되어도 되고, 복수층으로 구성되어 있어도 된다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer for a substrate tape is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 占 퐉. Further, the pressure-sensitive adhesive layer for a substrate tape may be composed of a single layer or a plurality of layers.

<점착 테이프(5)><Adhesive tape (5)>

점착 테이프(5)로서는, 특별히 제한은 없고, 종래의 점착 테이프를 사용할 수 있다. 점착 테이프(5)로서, 예를 들어, 기재 필름(51)에 점착제층(52)을 설치한 것을 적합하게 사용할 수 있다.The adhesive tape 5 is not particularly limited and a conventional adhesive tape can be used. As the adhesive tape 5, for example, a pressure sensitive adhesive layer 52 provided on the base film 51 can be suitably used.

기재 필름(51)으로서는, 종래 공지의 것이기만 하면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 점착제층(52)으로서 방사선 경화성의 재료를 사용하는 경우에는, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.The base film 51 is not particularly limited as long as it is a conventionally known one. In the case of using a radiation-curable material as the pressure-sensitive adhesive layer 52 described later, it is preferable to use a material having radiation permeability.

예를 들어, 그 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체 또는 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 또는 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름은 이들의 군에서 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다.Examples of the material include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as methyl acrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, methyl acrylate, Thermoplastic elastomers, and mixtures thereof. The base film may be a mixture of two or more kinds of materials selected from these groups, or may be a single layer or a multi-layered film.

기재 필름(51)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 적절하게 설정해도 되지만, 50 내지 200㎛인 것이 바람직하다.The thickness of the base film 51 is not particularly limited and may be set appropriately, but it is preferably 50 to 200 占 퐉.

기재 필름(51)과 점착제층(52)의 밀착성을 향상시키기 위해서, 기재 필름(51)의 표면에, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 표면 처리를 실시해도 된다.The surface of the base film 51 is subjected to chemical or physical surface treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage exposure, ionizing radiation treatment, etc., in order to improve the adhesion between the base film 51 and the pressure- .

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 기재 필름(51) 상에 직접적으로 점착제층(52)을 설치했지만, 밀착성을 높이기 위한 프라이머층이나, 다이싱 시의 절삭성 향상을 위한 앵커층, 응력 완화층, 정전 방지층 등을 통하여 간접적으로 설치해도 된다.In this embodiment, the pressure sensitive adhesive layer 52 is directly provided on the base film 51. However, the pressure sensitive adhesive layer 52 may be provided directly on the base film 51. However, the pressure sensitive adhesive layer 52 may be formed directly on the base film 51 by using a primer layer for improving adhesion, Or indirectly through a barrier layer or the like.

점착 테이프(5)의 점착제층(52)에 사용되는 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 점착제에 사용되는 공지된 염소화폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있는데, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer 52 of the pressure-sensitive adhesive tape 5 is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, etc. used for the pressure- An acrylic pressure sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable.

아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다.Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl esters, ethyl esters, isopropyl esters, butyl esters, isobutyl esters, s-butyl esters, And examples thereof include esters, isopentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Straight chain or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as hexadecyl ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, Cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) as a monomer component Stand used can be an acrylic polymer or the like. The (meth) acrylic acid ester is an acrylic acid ester and / or a methacrylic acid ester, and the term (meth) in the present invention is all synonymous.

아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하고, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components that can be copolymerized with the alkyl (meth) acrylate or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such a monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Sulfonic acid groups such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; Monomers containing phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

또한, 아크릴계 폴리머는, 가교되기 때문에, 다관능성 모노머 등도 필요에 따라서 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 모노머로서, 예를 들어, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.Further, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer and the like can also be contained as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such a polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, (Meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, and the like. These polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.

아크릴계 폴리머의 조제는 예를 들어 1종 또는 2종 이상의 성분 모노머의 혼합물에 용액 중합 방식이나 유화 중합 방식, 괴상 중합 방식이나 현탁 중합 방식 등의 적절한 방식을 적용하여 행할 수 있다. 점착제층은, 웨이퍼의 오염 방지 등의 점에서 저분자량 물질의 함유를 억제한 조성이 바람직하고, 이러한 점에서 중량 평균 분자량이 30만 이상, 특히 40만 내지 300만인 아크릴계 폴리머를 주성분으로 하는 것이 바람직한 것으로부터 점착제는, 내부 가교 방식이나 외부 가교 방식 등에 의한 적절한 가교 타입으로 할 수도 있다.The preparation of the acrylic polymer can be carried out, for example, by applying a suitable method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method or a suspension polymerization method to a mixture of one kind or two or more kinds of component monomers. The pressure-sensitive adhesive layer is preferably a composition in which the content of low molecular weight substances is suppressed from the viewpoint of prevention of contamination of wafers and the like. In view of this, it is preferable to use an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 300,000 or more, The pressure-sensitive adhesive may be of an appropriate crosslinking type by an internal crosslinking method or an external crosslinking method.

또한, 점착제층(52)의 가교 밀도를 제어하여 픽업성을 향상시키기 위해서, 예를 들어 다관능 이소시아네이트계 화합물, 다관능 에폭시계 화합물, 멜라민계 화합물, 금속염계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물, 아미노 수지계 화합물, 또는 과산화물 등의 적절한 외부 가교제를 사용하여 가교 처리하는 방식이나, 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자 화합물을 혼합하여 에너지선의 조사 등에 의해 가교 처리하는 방식 등의 적절한 방식을 채용할 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 20중량부 정도 이하, 나아가 0.1중량부 내지 20중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 열화 방지 등의 관점에서, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In order to control the crosslinking density of the pressure-sensitive adhesive layer 52 to improve the pick-up property, for example, a polyfunctional isocyanate compound, a polyfunctional epoxy compound, a melamine compound, a metal salt compound, a metal chelate compound, A method of performing a crosslinking treatment using a suitable external crosslinking agent such as a compound or a peroxide, a method of mixing a low-molecular compound having two or more carbon-carbon double bonds and crosslinking treatment by irradiation of an energy ray or the like can be adopted have. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is about 20 parts by weight or less, more preferably 0.1 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer. Further, in addition to the above components, additives such as various tackifiers and anti-aging agents may be used in the pressure-sensitive adhesive in order to prevent deterioration or the like.

점착제층(52)을 구성하는 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제가 바람직하다. 방사선 경화형 점착제로서는, 전술한 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 방사선 경화성의 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.As a pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 52, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive is preferred. As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, there can be cited an addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or a radiation-curable oligomer component is blended with the aforementioned pressure-sensitive adhesive.

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 병용할 수 있다.Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (Pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di . These monomer components may be used alone or in combination of two or more.

또한, 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 예를 들어 5중량부 내지 500중량부, 바람직하게는 70중량부 내지 150중량부 정도이다.Examples of the radiation-curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene. The molecular weight of the oligomer is suitably in the range of about 100 to 30,000. The amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer so that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered. Generally, it is, for example, about 5 parts by weight to 500 parts by weight, preferably about 70 parts by weight to 150 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 첨가형의 방사선 경화형 점착제 이외에, 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제도 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이 포함하지는 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중에서 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive may be a radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type using a base polymer having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, the main chain, or the main chain terminal, in addition to the addition type radiation curable pressure sensitive adhesive. The intrinsic type radiation-curing pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like, which is a low-molecular component, and does not contain a large amount, so that the oligomer component or the like does not migrate with time from the pressure-sensitive adhesive to form a pressure- It is preferable.

탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.The base polymer having a carbon-carbon double bond may be a polymer having a carbon-carbon double bond and having a sticking property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymer exemplified above.

아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계상 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method of introducing a carbon-carbon double bond to an acryl-based polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted, but it is easy to introduce a carbon-carbon double bond into a polymer side chain in terms of molecular design. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized with an acryl-based polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed Or an addition reaction is carried out.

이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이기만 하면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferred because of the ease of reaction tracking. The functional group may be present either on the acrylic polymer or on either side of the compound, provided that the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is formed by the combination of these functional groups. In the preferred combination described above, It is preferable that the compound has a carboxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ?,? -Dimethyl benzyl isocyanate and the like. . As the acryl-based polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxyl group-containing monomer, an ether compound such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether or diethylene glycol monovinyl ether is used.

내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 광중합성 화합물을 배합할 수도 있다. 당해 광중합성 화합물의 배합량은, 통상 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 30중량부 이하의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위 내이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type can use the above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond (in particular, an acrylic polymer) alone, but the radiation curable monomer component and the oligomer component May be blended. The compounding amount of the photopolymerizable compound is usually within a range of 30 parts by weight or less, preferably from 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시키는 것이 바람직하다.When the radiation-curing pressure-sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, it is preferable to include a photopolymerization initiator.

상술한 아크릴계 폴리머 중에서도, 특히 CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수가 4 내지 18인 알킬기이다.)로 표시되는 아크릴산에스테르와, 히드록실기 함유 모노머와, 분자 내에 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하여 구성되는 아크릴계 폴리머 A가 바람직하다.Among the above-mentioned acrylic polymers, acrylic esters represented by CH 2 CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms), hydroxyl group-containing monomers and radical-reactive carbon-carbon double bonds Is preferably an acrylic polymer A comprising an isocyanate compound having an isocyanate group.

아크릴산알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 4 미만이면 극성이 높아 박리력이 너무 커져서 픽업성이 저하하는 경우가 있다. 한편, 아크릴산알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 18을 초과하면, 점착제층(52)의 유리 전이 온도가 너무 높아져서, 상온에서의 접착 특성이 저하되고, 그 결과, 다이싱이나 익스팬드 시에 금속층(3)의 박리가 발생하는 경우가 있다.If the number of carbon atoms in the alkyl group of the alkyl acrylate is less than 4, the polarity is high and the peeling force becomes too large, so that the pickup property may be lowered. On the other hand, when the number of carbon atoms in the alkyl group of the alkyl acrylate is more than 18, the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer 52 becomes too high and the adhesive property at room temperature is lowered. As a result, ) May occur in some cases.

상기 아크릴계 폴리머 A는, 필요에 따라, 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다.The acrylic polymer A may contain units corresponding to other monomer components, if necessary.

아크릴계 폴리머 A에서는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물이 사용된다. 즉, 아크릴 중합체는, 상기 아크릴산에스테르나 히드록실기 함유 모노머 등의 모노머 조성물에 의한 폴리머에, 이중 결합 함유 이소시아네이트 화합물이 부가 반응된 구성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 따라서, 아크릴계 폴리머는, 그 분자 구조 내에, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화형 점착제층(자외선 경화형 점착제층 등)으로 할 수 있어, 금속층(3)과 점착제층의 박리력을 저하시킬 수 있다.In the acrylic polymer A, an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond is used. That is, it is preferable that the acrylic polymer has a structure in which a double bond-containing isocyanate compound is additionally reacted with a polymer formed by a monomer composition such as an acrylate ester or a hydroxyl group-containing monomer. Therefore, it is preferable that the acrylic polymer has a radical reactive carbon-carbon double bond in its molecular structure. This makes it possible to form an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer (ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer or the like) which is cured by irradiation with an active energy ray (ultraviolet ray or the like), and the peeling force between the metal layer 3 and the pressure-

이중 결합 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일이소시아네이트, 아크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이중 결합 함유 이소시아네이트 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the double bond-containing isocyanate compound include methacryloyl isocyanate, acryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- -Dimethylbenzyl isocyanate, and the like. The double bond-containing isocyanate compounds may be used alone or in combination of two or more.

또한, 활성 에너지선 경화형 점착제에는, 활성 에너지선 조사 전의 점착력이나, 활성 에너지선 조사 후의 점착력을 조정하기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 사용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 외부 가교제의 사용량은, 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 20 중량부 이하(바람직하게는 0.1중량부 내지 10중량부)이다. 또한, 활성 에너지선 경화형 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제, 발포제 등의 첨가제가 배합되어 있어도 된다.In addition, an external crosslinking agent may be suitably used in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive in order to adjust the adhesive strength before irradiation with active energy rays or the adhesive force after irradiation with active energy rays. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. The amount of the external crosslinking agent to be used is generally 20 parts by weight or less (preferably 0.1 part by weight to 10 parts by weight) based on 100 parts by weight of the base polymer. The active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may contain, if necessary, additives such as various known tackifiers, anti-aging agents, and foaming agents in addition to the above components.

점착제층(52)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다. 또한, 점착제층(52)은 단층으로 구성되어도 되고, 복수층으로 구성되어 있어도 된다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 52 is not particularly limited and may be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 占 퐉. The pressure-sensitive adhesive layer 52 may be composed of a single layer or a plurality of layers.

<금속층(3)>&Lt; Metal layer (3) >

금속층(3)을 구성하는 금속으로서는, 금속층(3)의 인장 강도가 350MPa 이상이라면 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 스테인리스강, 알루미늄, 철, 티타늄, 주석, 니켈 및 구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 방열성, 전자 디바이스 패키지(8)의 휨 방지의 점에서 바람직하다. 이들 중에서도, 열전도성이 높고 방열의 효과가 얻어진다는 관점에서, 구리를 포함하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 전자 디바이스 패키지(8)의 휨 방지의 관점에서는, 알루미늄을 포함하는 것이 특히 바람직하다.The metal constituting the metal layer 3 is not particularly limited as far as the tensile strength of the metal layer 3 is 350 MPa or more and is at least one selected from the group consisting of stainless steel, aluminum, iron, titanium, tin, It is preferable to include one kind in view of heat dissipation and prevention of bending of the electronic device package 8. Among them, it is particularly preferable to include copper in view of high thermal conductivity and heat radiation effect. From the viewpoint of preventing warpage of the electronic device package 8, it is particularly preferable to include aluminum.

금속층(3)은 구리와, 니켈, 크롬, 지르코늄, 아연, 주석, 티타늄, 규소, 철, 망간, 마그네슘, 인 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 합금을 포함하는 것이 바람직하다. 금속층(3)이 구리 합금을 포함하는 경우, 구리의 함유율은 99.95% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 금속층(3)은 알루미늄과, 니켈, 크롬, 지르코늄, 아연, 주석, 마그네슘, 구리, 망간, 티타늄, 규소, 철 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 합금이어도 된다. 나아가, 금속층(3)은 스테인리스강을 포함하는 것도 바람직하다. 스테인리스강은, 철을 주성분으로 하고 크롬을 함유한다. 스테인리스강은 철의 함유량이 50% 이상이며, 크롬의 함유량이 10.5% 이상, 보다 바람직하게는 11% 이상이다. 금속층(3)을 이러한 구리 합금, 알루미늄 합금 또는 스테인리스강으로 구성함으로써, 인장 강도를 높일 수 있다.The metal layer 3 includes an alloy containing at least one element selected from the group consisting of copper, nickel, chromium, zirconium, zinc, tin, titanium, silicon, iron, manganese, magnesium, phosphorus and cobalt . When the metal layer 3 contains a copper alloy, the content of copper is preferably 99.95% or less. The metal layer 3 may be an alloy containing one or more elements selected from the group consisting of aluminum and nickel, chromium, zirconium, zinc, tin, magnesium, copper, manganese, titanium, silicon, iron and cobalt do. Furthermore, it is also preferable that the metal layer 3 includes stainless steel. Stainless steel is mainly composed of iron and contains chromium. The stainless steel has an iron content of 50% or more and a chromium content of 10.5% or more, and more preferably 11% or more. By constituting the metal layer 3 with such a copper alloy, aluminum alloy or stainless steel, the tensile strength can be increased.

금속층(3)의 인장 강도가 350MPa 이상이면, 접착제층이 부착된 금속층을 점착 테이프로부터 픽업할 때에, 픽업 장치의 핀의 밀어 올림에 의해 금속층이 변형되어서 핀의 흔적이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 금속층(3)의 인장 강도는, 특별히 상한은 없지만, 박막 가공성의 관점에서, 1000MPa 이하인 것이 바람직하다. 금속층(3)의 인장 강도는, JIS Z 2241에 준해서 25℃에서 측정한 값이다.When the tensile strength of the metal layer 3 is 350 MPa or more, when the metal layer with the adhesive layer is picked up from the adhesive tape, the metal layer is deformed by the push-up of the pin of the pick-up device, . The tensile strength of the metal layer 3 is not particularly limited, but is preferably 1000 MPa or less from the viewpoint of thin film processability. The tensile strength of the metal layer 3 is a value measured at 25 占 폚 in accordance with JIS Z 2241.

금속층(3)은 열전도율이 5W/(m·K) 이상인 것이 바람직하다. 열전도율이 5W/(m·K) 이상이면, 밀봉재보다도 방열성이 우수하다. 85W/(m·K) 이상이면, 웨이퍼보다도 방열성이 우수하므로 보다 바람직하다.The metal layer 3 preferably has a thermal conductivity of 5 W / (m · K) or more. When the thermal conductivity is 5 W / (m · K) or more, the heat dissipation property is superior to that of the sealing material. When it is 85 W / (m · K) or more, it is more preferable because it is more excellent in heat dissipation than the wafer.

금속층(3)의 두께는, 5㎛ 이상 200㎛ 미만이다. 5㎛ 이상으로 함으로써, 픽업 장치의 핀의 밀어 올림에 의해 금속층이 변형되어서 핀의 흔적이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 200㎛ 미만이라면 권취 가공이 용이하다.The thickness of the metal layer 3 is not less than 5 占 퐉 and less than 200 占 퐉. By setting the thickness to 5 mu m or more, it is possible to suppress the occurrence of pin marks due to deformation of the metal layer due to the push-up of the pins of the pickup apparatus. If it is less than 200 mu m, winding processing is easy.

이러한 금속층(3)으로서는, 금속박을 사용할 수 있다.As the metal layer 3, a metal foil can be used.

<접착제층(4)>&Lt; Adhesive Layer (4) >

접착제층(4)은 접착제를 미리 필름화한 것이다.The adhesive layer (4) is a film of an adhesive in advance.

접착제층(4)은 적어도 열경화성 수지에 의해 형성되어 있고, 적어도 열경화성 수지와 열가소성 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.The adhesive layer 4 is preferably formed of at least a thermosetting resin, and is preferably formed of at least a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

열가소성 수지로서는, 예를 들어, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트) 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 응력 완화성이 우수한 점에서 아크릴 수지가, 가요성과 강도를 양립하며 고인성인 점에서 페녹시 수지가, 각각의 관점에서 반도체 소자의 신뢰성을 확보하기 쉽게 할 수 있기 때문에, 특히 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, A thermoplastic polyimide resin, a polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, a phenoxy resin, an acrylic resin, a saturated polyester resin such as PET (polyethylene terephthalate) or PBT (polybutylene terephthalate) Amide imide resins, fluorine resins and the like. The thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, acrylic resin has both flexibility and strength in that it has few ionic impurities and excellent stress relaxation property, and phenoxy resin can easily assure the reliability of semiconductor devices from the standpoint of high purity It is particularly preferable.

아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하(바람직하게는 탄소수 1 내지 18)의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 아크릴 수지란, 메타크릴 수지도 포함하는 광의의 의미이다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 도데실기(라우릴기), 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer or the like containing one or more ester of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms (preferably having 1 to 18 carbon atoms) . That is, in the present invention, an acrylic resin means a broad sense including a methacrylic resin. Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, pentyl group, isopentyl group, hexyl group, A decyl group, a dodecyl group (lauryl group), a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, an octadecyl group, and the like may be substituted with an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, .

또한, 아크릴 수지를 형성하기 위한 다른 모노머(알킬기의 탄소수가 30 이하인 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬에스테르 이외의 모노머)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산이란 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다.Further, other monomers for forming an acrylic resin (monomers other than acrylic acid or alkyl ester of methacrylic acid having an alkyl group of 30 or less in the alkyl group) are not particularly limited and include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, Acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, carboxyl group-containing monomers such as carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid or crotonic acid and the like, 2-hydroxyethyl (meth) Hydroxypropyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl Hydroxyl group-containing monomers such as 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methylacrylate, styrene sulfonic acid, allylsulfonic acid, Sulfonic acid group-containing monomers such as 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, Containing monomer such as hydroxyethyl acryloyl phosphate and the like. The term "(meth) acrylic acid" refers to acrylic acid and / or methacrylic acid, and the term "(meth)"

또한, 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 외에, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 열경화성 수지로서는, 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지를 적합하게 사용할 수 있다.Examples of the thermosetting resin include an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin and a thermosetting polyimide resin in addition to an epoxy resin and a phenol resin. The thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more. As the thermosetting resin, an epoxy resin having little content such as ionic impurities which corrodes a semiconductor element is particularly preferable. As the curing agent of the epoxy resin, a phenol resin can be suitably used.

에폭시 수지로서는, 특별히 한정은 없고, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브롬화비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루올렌형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형 에폭시 수지, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 에폭시 수지 또는 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.Examples of the epoxy resin include, but not limited to, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, brominated bisphenol A type epoxy resins, hydrogenated bisphenol A type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy Epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, trishydroxyphenyl methane type epoxy resin, tetraphenylol ethane type epoxy resin , Epoxy resins such as hydantoin type epoxy resin, trisglycidyl isocyanurate type epoxy resin and glycidyl amine type epoxy resin can be used.

에폭시 수지로서는, 예시 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 많고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.As the epoxy resin, novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin and tetraphenylol ethane type epoxy resin are particularly preferable. These epoxy resins are excellent in reactivity with a phenol resin as a curing agent and excellent in heat resistance and the like.

또한, 페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples of the phenol resin include phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butylphenol novolac resin, and nonylphenol novolak resin A phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, and a polyoxystyrene. The phenol resins may be used alone or in combination of two or more. Of these phenolic resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5당량 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 것은, 0.8당량 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 equivalents to 1.2 equivalents. That is, if the mixing ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the epoxy resin cured product tend to deteriorate.

또한, 에폭시 수지와 페놀 수지의 열경화 촉진 촉매가 사용되고 있어도 된다. 열경화 촉진 촉매로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 열경화 촉진 촉매 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 열경화 촉진 촉매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 열경화 촉진 촉매로서는, 예를 들어, 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 붕소계 경화 촉진제, 인-붕소계 경화 촉진제 등을 사용할 수 있다.In addition, a thermosetting promoting catalyst of an epoxy resin and a phenol resin may be used. The thermal curing accelerating catalyst is not particularly limited and may be appropriately selected from known thermal curing accelerating catalysts. The thermosetting promoting catalysts may be used alone or in combination of two or more. As the thermal curing accelerating catalyst, for example, amine-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, boron-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators and the like can be used.

에폭시 수지의 경화제로서는, 상술한 바와 같이 페놀 수지를 사용하는 것이 바람직하지만, 이미다졸류, 아민류, 산 무수물류 등의 공지된 경화제를 사용할 수도 있다.As the curing agent of the epoxy resin, it is preferable to use a phenol resin as described above, but known curing agents such as imidazoles, amines and acid anhydrides may also be used.

접착제층(4)은 전자 디바이스 등의 피착체(9)에 대하여 접착성(밀착성)을 갖고 있는 것이 중요하다. 그래서, 접착제층(4)을 미리 어느 정도 가교시켜 두기 위해서, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두어도 된다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.It is important that the adhesive layer 4 has adhesiveness (adhesion) to an adherend 9 such as an electronic device. Thus, in order to allow the adhesive layer 4 to be crosslinked to some extent in advance, a polyfunctional compound which reacts with the functional group at the molecular chain terminal of the polymer may be added as a crosslinking agent. As a result, it is possible to improve the adhesive property under high temperature and to improve the heat resistance.

가교제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제 외에, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제로서는, 이소시아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제가 바람직하다. 또한, 상기 가교제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The crosslinking agent is not particularly limited, and a known crosslinking agent may be used. Specifically, for example, in addition to an isocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, a peroxide crosslinking agent, a urea crosslinking agent, a metal alkoxide crosslinking agent, a metal chelate crosslinking agent, a metal salt crosslinking agent, a carbodiimide crosslinking agent, A zolin-based crosslinking agent, an aziridine-based crosslinking agent, and an amine-based crosslinking agent. As the crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent or an epoxy crosslinking agent is preferable. The crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.

또한, 본 발명에서는, 가교제를 사용하는 대신, 또는, 가교제를 사용함과 함께, 전자선이나 자외선 등의 조사에 의해 가교 처리를 실시하는 것도 가능하다.Further, in the present invention, instead of using a crosslinking agent, or using a crosslinking agent, it is also possible to carry out a crosslinking treatment by irradiation with an electron beam or ultraviolet rays.

접착제층(4)에는, 필요에 따라 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어, 충전제(필러), 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제 외에, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.Other additives may be appropriately added to the adhesive layer 4 as necessary. Other additives include, for example, fillers (fillers), flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, extender agents, anti-aging agents, antioxidants and surfactants.

충전제로서는, 무기 충전제, 유기 충전제 중 어느 것이어도 되지만, 무기 충전제가 바람직하다. 무기 충전제 등의 충전제의 배합에 의해, 접착제층(4)에 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 도모할 수 있다. 무기 충전제로서는, 예를 들어, 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화알루미늄, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등을 포함하는 여러가지 무기 분말 등을 들 수 있다. 충전제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 충전제로서는, 그 중에서도, 실리카 또는 알루미나가, 실리카로서는 특히 용융 실리카가 바람직하다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.001㎛ 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 예를 들어, 레이저 회절형 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.As the filler, any of an inorganic filler and an organic filler may be used, but an inorganic filler is preferable. By mixing a filler such as an inorganic filler, the adhesive layer 4 can be improved in heat conductivity, modulus of elasticity, and the like. Examples of the inorganic filler include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, aluminum nitride and silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, , Various kinds of inorganic powders including metals such as tin, zinc, palladium, and solder, and alloys and other carbon. The fillers may be used alone or in combination of two or more. As the filler, silica or alumina is particularly preferable, and fused silica is particularly preferable as the silica. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 0.001 탆 to 80 탆. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus.

충전제(특히 무기 충전제)의 배합량은, 유기 수지 성분에 대하여 98중량% 이하(0중량% 내지 98중량%)인 것이 바람직하고, 특히 실리카의 경우에는 0중량% 내지 70중량%, 열전도나 도전 등의 기능성 무기 충전제의 경우에는 10중량% 내지 98중량%인 것이 바람직하다.The blending amount of the filler (particularly the inorganic filler) is preferably 98% by weight or less (0% by weight to 98% by weight) based on the organic resin component, more preferably 0% by weight to 70% by weight, In the case of the functional inorganic filler of 10% by weight to 98% by weight.

또한, 난연제로서는, 예를 들어, 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 난연제는, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 실란 커플링제는, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이온 트랩제는, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. The flame retardant may be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include, for example,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, . The silane coupling agents may be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. The ion trap agent may be used alone or in combination of two or more.

접착제층(4)은 접착성과 신뢰성의 관점에서, 특히 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 아크릴 수지 또는 페녹시 수지, 및 (D) 표면 처리된 무기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다.From the viewpoints of adhesion and reliability, the adhesive layer 4 preferably contains an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an acrylic resin or a phenoxy resin, and (D) an inorganic filler surface-treated .

(A) 에폭시 수지를 사용함으로써, 높은 접착성, 내수성, 내열성을 얻을 수 있다. 에폭시 수지로서는, 상술한 공지의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. (B) 경화제는 상술한 공지된 경화제를 사용할 수 있다.By using the epoxy resin (A), high adhesiveness, water resistance and heat resistance can be obtained. As the epoxy resin, the above-mentioned known epoxy resin can be used. As the (B) curing agent, the above-mentioned known curing agents may be used.

(C) 아크릴 수지는, 가요성과 강도를 양립하며 고인성이다. 바람직한 아크릴 수지는, Tg(유리 전이 온도)가 -50℃ 내지 50℃이며, 에폭시기, 글리시딜기, 알코올성 수산기, 페놀성 수산기 또는 카르복실기를 가교성 관능기로서 갖는 모노머를 중합하여 얻은 가교성 관능기 함유 (메트)아크릴 공중합체이다. 또한, 아크릴로니트릴 등을 함유하여 고무 특성을 나타내면 보다 고인성이 얻어진다.(C) The acrylic resin is both tough and flexible in terms of flexibility and strength. Preferred acrylic resins are those having a Tg (glass transition temperature) of from -50 캜 to 50 캜 and containing a crosslinkable functional group obtained by polymerizing a monomer having an epoxy group, a glycidyl group, an alcoholic hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group as a crosslinkable functional group Meth) acrylic copolymer. Further, when toughness is exhibited by containing acrylonitrile or the like, toughness is obtained.

또한, 페녹시 수지는 분자쇄가 길어 에폭시 수지와 구조가 유사하며, 고가교 밀도의 조성물 중에서 가요성 재료로서 작용하고, 고인성을 부여하므로 고강도이면서 터프니스한 조성물이 얻어진다. 바람직한 페녹시 수지는, 주골격이 비스페놀 A형의 것이지만, 그 밖에 비스페놀 F형 페녹시 수지, 비스페놀 A/F 혼합형 페녹시 수지나 브롬화 페녹시 수지 등 시판되는 페녹시 수지를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Further, the phenoxy resin has a long molecular chain and is similar in structure to an epoxy resin. The phenoxy resin acts as a flexible material in a composition having a high bridge density and gives a high toughness, so that a composition having high strength and toughness can be obtained. The preferred phenoxy resin is bisphenol A type main skeleton, but other commercially available phenoxy resins such as bisphenol F type phenoxy resin, bisphenol A / F mixed phenoxy resin, and brominated phenoxy resin are preferable.

(D) 표면 처리된 무기 충전재로서는, 커플링제로 표면 처리된 무기 충전제를 들 수 있다. 무기 충전재로서는, 상술한 공지된 무기 충전제를 사용할 수 있는데, 바람직하게는 실리카, 알루미나이다. 커플링제로 표면 처리되어 있음으로써, 무기 충전제의 분산성이 양호해진다. 이 때문에, 유동성이 우수하므로 금속층(3)과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 무기 충전제를 고충전시킬 수 있게 되므로, 흡수율을 낮추어 내습성을 향상시킬 수 있다.(D) Surface-treated inorganic fillers include inorganic fillers surface-treated with a coupling agent. As the inorganic filler, the above-mentioned known inorganic fillers can be used, and silica and alumina are preferable. The surface treatment with a coupling agent improves the dispersibility of the inorganic filler. Therefore, since the fluidity is excellent, the adhesion with the metal layer 3 can be improved. Further, since the inorganic filler can be highly charged, the moisture absorption can be lowered and the humidity resistance can be improved.

예를 들어 실란 커플링제에 의한 무기 충전재의 표면 처리는, 공지된 방법에 의해, 실란 커플링제 용액 중에 무기 충전재를 분산시킴으로써, 무기 충전제의 표면에 존재하는 수산기와 실란 커플링제의 알콕시기 등의 가수분해기가 가수분해된 실라놀기를 반응시켜서 무기 충전제의 표면에 Si-O-Si 결합을 생성함으로써 행하여진다.For example, the surface treatment of the inorganic filler with a silane coupling agent can be carried out by dispersing an inorganic filler in a silane coupling agent solution by a known method so that a hydroxyl group present on the surface of the inorganic filler and an alkoxy group such as an alkoxy group of a silane coupling agent And the decomposer is caused to react with the hydrolyzed silanol group to generate a Si-O-Si bond on the surface of the inorganic filler.

접착제층(4)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 취급성의 관점에서, 3㎛ 이상이 바람직하고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하고, 반도체 패키지의 박형화에 기여하기 위해서 150㎛ 이하가 바람직하고, 100㎛ 이하가 보다 바람직하다. 접착제층(4)은 단층으로 구성되어도 되고, 복수층으로 구성되어 있어도 된다.Although the thickness of the adhesive layer 4 is not particularly limited, it is preferably not less than 3 mu m, more preferably not less than 5 mu m from the viewpoint of handling convenience, and is preferably not more than 150 mu m in order to contribute to the thinning of the semiconductor package, More preferably 100 μm or less. The adhesive layer 4 may be composed of a single layer or a plurality of layers.

또한, 접착제층(4)은 B 스테이지(미경화 상태 또는 반경화 상태)에 있어서 금속층(3)과의 박리력(23℃, 박리 각도 180도, 선 속도 300mm/분)이 0.3N 이상인 것이 바람직하다. 박리력이 0.3N 미만이면 개편화(다이싱) 시에, 접착제층(4)과 금속층(3) 사이에서 박리가 발생해버릴 우려가 있다.The adhesive layer 4 preferably has a peeling force (23 DEG C, peeling angle of 180 DEG, linear velocity of 300 mm / min) with the metal layer 3 in the B-stage (uncured or semi-cured state) Do. If the peeling force is less than 0.3 N, peeling may occur between the adhesive layer 4 and the metal layer 3 at the time of discretization (dicing).

접착제층(4)의 흡수율은, 1.5vol% 이하인 것이 바람직하다. 흡수율의 측정 방법은 다음과 같다. 즉, 50×50mm의 크기의 접착제층(4)(필름상 접착제)을 샘플로 하여, 샘플을 진공 건조기 중에서, 120℃, 3시간 건조시키고, 데시케이터 중에서 방냉 후, 건조 질량을 측정하여 M1로 한다. 샘플을 증류수에 실온에서 24시간 침지하고 나서 취출하고, 샘플 표면을 여과지로 닦아내고, 신속하게 칭량하여 M2로 한다. 흡수율은, 다음 식 (1)에 의해 산출된다.The water absorption rate of the adhesive layer 4 is preferably 1.5 vol% or less. The method of measuring the absorption rate is as follows. That is, the sample was dried in a vacuum drier at 120 DEG C for 3 hours, and after cooling in a desiccator, the dry mass was measured and found to be M1 (dry adhesive) . The sample is immersed in distilled water at room temperature for 24 hours and then taken out. The surface of the sample is wiped with filter paper and weighed quickly to obtain M2. The water absorption rate is calculated by the following equation (1).

Figure pct00001
Figure pct00001

여기서, d는 필름의 밀도이다.Where d is the density of the film.

흡수율이 1.5vol%를 초과하면, 흡수한 수분에 의해 땜납 리플로우 시에 패키지 크랙을 발생시킬 우려가 있다.When the water absorption rate exceeds 1.5 vol%, there is a fear that a package crack is generated at the time of solder reflow due to moisture absorbed.

접착제층(4)의 포화 흡습률은, 1.0vol% 이하인 것이 바람직하다. 포화 흡습률의 측정 방법은 다음과 같다. 즉, 직경 100mm의 원형의 접착제층(4)(필름상 접착제)을 샘플로 하여, 샘플을 진공 건조기 중에서 120℃, 3시간 건조시키고, 데시케이터 중에서 방냉 후, 건조 질량을 측정하여 M1로 한다. 샘플을 85℃, 85% RH의 항온항습조 중에서 168시간 흡습하고 나서 취출하고, 신속하게 칭량하여 M2로 한다. 포화 흡습률은, 다음 식 (2)에 의해 산출된다.The saturated moisture absorption rate of the adhesive layer 4 is preferably 1.0 vol% or less. The method of measuring the saturated moisture absorption rate is as follows. That is, a circular adhesive layer 4 (film-like adhesive) having a diameter of 100 mm is used as a sample, and the sample is dried in a vacuum drier at 120 DEG C for 3 hours. After cooling in a desiccator, the dry mass is measured to be M1 . The sample was taken out after being humidified for 168 hours in a constant-temperature and constant-humidity bath at 85 占 폚 and 85% RH, and weighed quickly to obtain M2. The saturated moisture absorption rate is calculated by the following equation (2).

Figure pct00002
Figure pct00002

여기서, d는 필름의 밀도이다.Where d is the density of the film.

포화 흡습률이 1.0vol%를 초과하면, 리플로우 시의 흡습에 의해 증기압의 값이 높아져서, 양호한 리플로우 특성을 얻지 못할 우려가 있다.If the saturated moisture absorption rate exceeds 1.0 vol%, the value of the vapor pressure increases due to the moisture absorption upon reflow, and there is a fear that good reflow characteristics may not be obtained.

접착제층(4)의 잔존 휘발분은, 3.0wt% 이하인 것이 바람직하다. 잔존 휘발 성분의 측정 방법은 다음과 같다. 즉, 50×50mm의 크기의 접착제층(4)(필름상 접착제)을 샘플로 하여, 샘플의 초기 질량을 측정하여 M1로 하고, 샘플을 열풍 순환 항온조 중에서 200℃, 2시간 가열 후, 칭량하여 M2로 한다. 잔존 휘발분은, 다음 식 (3)에 의해 산출된다.The residual volatile content of the adhesive layer 4 is preferably 3.0 wt% or less. The method of measuring the remaining volatile components is as follows. That is, an initial mass of the sample was measured to be M1 by using an adhesive layer 4 (film-like adhesive) having a size of 50 mm × 50 mm as a sample, and the sample was heated in a hot air circulating thermostat at 200 ° C. for 2 hours and weighed M2. The residual volatile matter is calculated by the following equation (3).

Figure pct00003
Figure pct00003

잔존 휘발분이 3.0wt%를 초과하면, 패키징 시의 가열에 의해 용매가 휘발하여, 접착제층(4)의 내부에 보이드가 발생하여, 패키지 크랙이 발생할 우려가 있다.If the residual volatile content exceeds 3.0 wt%, the solvent volatilizes due to heating during packaging, voids are generated in the adhesive layer 4, and package cracks may occur.

금속층(3)의 선팽창 계수의 접착제층(4)의 선팽창 계수에 대한 비(금속층(3)의 선팽창 계수/접착제층(4)의 선팽창 계수)는 0.2 이상인 것이 바람직하다. 당해 비가 0.2 미만이면 금속층(3)과 접착제층(4) 사이에서 박리가 발생하기 쉬워져, 패키징 시에 패키지 크랙이 발생하여, 신뢰성이 저하될 우려가 있다.The ratio of the linear expansion coefficient of the metal layer 3 to the linear expansion coefficient of the adhesive layer 4 (the coefficient of linear expansion of the metal layer 3 / the coefficient of linear expansion of the adhesive layer 4) is preferably 0.2 or more. If the ratio is less than 0.2, peeling easily occurs between the metal layer 3 and the adhesive layer 4, which may cause package cracking during packaging, resulting in lower reliability.

이어서, 본 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 긴 금속층(3)을 준비한다. 금속층(3)으로서는, 시판하고 있는 금속박을 사용하면 된다. 이어서, 도 4의 (A)에 도시하는 바와 같이, 금속층(3)을 긴 기재 테이프(2)의 점착면에 접합 롤러(r) 등을 사용하여 접합한다.Next, a method of manufacturing the tape 1 for an electronic device package according to the present embodiment will be described. First, a long metal layer 3 is prepared. As the metal layer 3, a commercially available metal foil may be used. Next, as shown in Fig. 4 (A), the metal layer 3 is bonded to the adhesive surface of the long base tape 2 by using the bonding roller r or the like.

별도로, 긴 필름상의 접착제층(4)을 형성한다. 접착제층(4)은 수지 조성물을 조제하고, 필름상의 층에 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상기 수지 조성물을 도포하고 건조하여(열경화가 필요한 경우 등에서는, 필요에 따라 가열 처리를 실시하여 건조하여), 접착제층(4)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 수지 조성물은, 용액이어도 되고, 분산액이어도 된다.Separately, a long film-like adhesive layer 4 is formed. The adhesive layer (4) can be formed using a conventional method of preparing a resin composition and forming it on a film-like layer. Specifically, for example, the resin composition is applied onto a suitable separator (release paper or the like) and dried (when heat curing is required, if necessary, heat treatment is performed and dried) ), And the like. The resin composition may be a solution or a dispersion.

이어서, 도 4의 (B)에 도시하는 바와 같이, 기재 테이프(2)에 접합된 금속층(3) 상에 세퍼레이터로부터 박리된 접착제층(4)을 접합 롤러(r) 등을 사용하여 접합한다.Then, as shown in Fig. 4 (B), the adhesive layer 4 peeled off from the separator is bonded to the metal layer 3 bonded to the base tape 2 by using the bonding roller r or the like.

또한, 상술에서는, 기재 테이프(2)에 금속층(3)을 접합한 후, 금속층(3) 상에 접착제층(4)을 접합하도록 했지만, 금속층(3)과 접착제층(4)을 접합한 후, 금속층(3)측의 면을 기재 테이프(2)에 접합해도 된다.In the above description, the adhesive layer 4 is bonded onto the metal layer 3 after the metal layer 3 is bonded to the base tape 2. However, after the metal layer 3 and the adhesive layer 4 are bonded , The surface on the side of the metal layer 3 may be bonded to the base tape 2.

이어서, 도 4의 (C)에 도시하는 바와 같이, 접착제층(4) 및 금속층(3)을 소정 형상(여기서는 원형 형상)으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 도 4의 (D)에 도시하는 바와 같이, 주변의 불필요 부분(6)을 기재 테이프(2)로부터 박리하여 제거한다. 이때, 외측 테두리가 원형 형상이며 격자상의 가압 절단 톱니를 사용하여, 접착제층(4) 및 금속층(3)을 반도체 칩(C)에 대응하는 크기 등의 소정의 크기로 미리 개편화해 두어도 된다.Next, as shown in Fig. 4C, the adhesive layer 4 and the metal layer 3 are pre-cut in a predetermined shape (here, circular shape) using a press cutting blade or the like, The peripheral unnecessary portion 6 is peeled off from the base tape 2 and removed. At this time, the adhesive layer 4 and the metal layer 3 may be previously separated into a predetermined size such as a size corresponding to the semiconductor chip C by using the press cutting knife in a lattice shape with the outer edge being a circular shape.

또한, 기재 테이프(2) 상에 소정 형상의 금속층(3) 및 접착제층(4)을 형성하는 방법으로서는, 상기에 한정되는 것은 아니며, 긴 금속층(3)을 긴 기재 테이프(2)에 접합하고, 소정 형상으로 펀칭하여, 불필요 부분(6)을 제거한 후, 소정 형상으로 형성된 접착제층(4)을 소정 형상의 금속층(3) 상에 접합해도 되고, 미리 각각 소정 형상으로 형성된 금속층(3)과 접착제층(4)을 기재 테이프(2)에 접합해도 되는데, 제조 공정의 간편성의 점에서, 상술한 도 4의 (A) 내지 (D)에 도시하는 공정에 의해 제조하는 것이 바람직하다.The method of forming the metal layer 3 and the adhesive layer 4 having a predetermined shape on the base tape 2 is not limited to the above but the long metal layer 3 is bonded to the long base tape 2 The adhesive layer 4 formed in a predetermined shape may be bonded onto the metal layer 3 having a predetermined shape after the unnecessary portion 6 is removed by punching the metal layer 3 in a predetermined shape, The adhesive layer 4 may be bonded to the base tape 2. In view of simplicity of the manufacturing process, it is preferable that the adhesive layer 4 is produced by the process shown in Figs. 4 (A) to 4 (D).

또한 별도로, 점착 테이프(5)를 제작한다. 기재 필름은, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다. 이어서, 기재 필름 상에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜서(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층을 형성한다. 도포 방식으로서는, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 점착제 조성물을 직접 기재 필름에 도포하고, 기재 필름 상에 점착제층을 형성해도 되고, 또한, 점착제 조성물을 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포하여 점착제층을 형성시킨 후, 그 점착제층을 기재 필름에 전사시켜도 된다. 이에 의해, 기재 필름 상에 점착제층이 형성된 점착 테이프(5)가 제작된다.Separately, the adhesive tape 5 is produced. The base film can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T die extrusion method, a co-extrusion method, a dry lamination method, and the like. Subsequently, a pressure-sensitive adhesive composition is applied onto the base film, and the pressure-sensitive adhesive layer is dried (if necessary, heated and crosslinked) to form a pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the coating method include roll coating, screen coating, gravure coating and the like. The pressure-sensitive adhesive composition may be directly applied to a base film to form a pressure-sensitive adhesive layer on the base film. Alternatively, the pressure-sensitive adhesive composition may be applied to a release paper or the like subjected to release treatment on the surface thereof to form a pressure- It may be transferred to a base film. Thus, an adhesive tape 5 having a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film is produced.

그 후, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이, 기재 테이프(2) 상에 설치된 소정 형상의 금속층(3) 및 접착제층(4)의 접착제층(4)측의 면에, 점착 테이프(5)의 점착제층(52)측의 면이 접하도록 점착 테이프(5)를 라미네이트한다.5A, a metal layer 3 having a predetermined shape provided on the base tape 2 and the adhesive layer 4 are adhered to the surface of the adhesive layer 4 on the side of the adhesive tape 4 The adhesive tape 5 is laminated such that the side of the adhesive layer 5 on the side of the adhesive layer 52 is in contact with the adhesive layer 5.

이어서, 도 5의 (B)에 도시하는 바와 같이, 점착 테이프(5)를 소정 형상으로 가압 절단날 등을 사용하여 프리컷하고, 도 5의 (C)에 도시하는 바와 같이, 주변의 불필요 부분(7)을 기재 테이프(2)로부터 박리하여 제거함으로써, 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)가 만들어진다. 또한, 그 후, 프리컷 가공에 사용한 기재 테이프(2)를 박리하고, 공지된 세퍼레이터를 점착 테이프(5)의 점착제층(52)과 접합하게 해도 된다.Next, as shown in Fig. 5B, the adhesive tape 5 is pre-cut in a predetermined shape using a press cutting blade or the like, and as shown in Fig. 5C, (7) is peeled off from the base tape (2) and removed, whereby the tape (1) for an electronic device package is produced. After that, the base tape 2 used for the pre-cut processing may be peeled off and a known separator may be bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 52 of the pressure-sensitive adhesive tape 5.

<사용 방법><How to use>

이어서, 본 실시 형태의 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)를 사용하여 전자 디바이스 패키지(8)를 제조하는 방법에 대해서, 도 6 내지 도 8을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 전자 디바이스 패키지(8)로서, 피착체(9) 상에 플립 칩 접속된 반도체 칩(C)을 예로 하여 설명한다.Next, a method of manufacturing the electronic device package 8 using the tape 1 for an electronic device package according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 6 to 8. Fig. In the present embodiment, the electronic device package 8 will be described by exemplifying a semiconductor chip C flip-chip connected to an adherend 9. Fig.

[반도체 웨이퍼(W)의 마운트 공정][Mounting process of semiconductor wafer W]

우선, 본 발명의 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)의 점착 테이프(5)와 동일한 별체의 다이싱 테이프(D)를 준비하고, 그 다이싱 테이프(D) 상의 중앙부에, 도 6의 (A)에서 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)를 접착하고, 이것을 점착 보유 지지시켜 고정함(반도체 웨이퍼(W)의 마운트 공정)과 함께, 다이싱 테이프(D)의 주연부에 링 프레임(R)을 접합한다. 이때, 다이싱 테이프(D)는, 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 접착된다. 반도체 웨이퍼(W)의 이면이란, 회로면과는 반대측의 면(비회로면, 비전극 형성면 등으로도 칭해진다)을 의미한다. 접착 방법은 특별히 한정되지 않지만, 가열 압착에 의한 방법이 바람직하다. 압착은, 통상, 압착 롤 등의 압박 수단에 의해 압박하면서 행하여진다.First, a separate dicing tape D, which is the same as the adhesive tape 5 of the tape 1 for an electronic device package of the present invention, is prepared. At the center of the dicing tape D, A ring frame R is attached to the periphery of the dicing tape D in such a manner that the semiconductor wafer W is adhered, . At this time, the dicing tape D is adhered to the back surface of the semiconductor wafer W. The back surface of the semiconductor wafer W means a surface opposite to the circuit surface (also referred to as a non-circuit surface, a non-electrode surface, or the like). The bonding method is not particularly limited, but a method by hot pressing is preferable. The pressing is usually carried out while being pressed by a pressing means such as a pressing roll.

[반도체 웨이퍼(W)의 다이싱 공정][Dicing Step of Semiconductor Wafer W]

이어서, 도 6의 (B)에서 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(W)를 소정의 크기로 절단하여 개편화(소편화)하여, 반도체 칩(C)을 제조한다. 다이싱은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼(W)의 회로면측에서 통상의 방법에 따라서 행하여진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어, 점착 테이프(5)까지 절입을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 다이싱 테이프(D)의 익스팬드를 행하는 경우, 그 익스팬드는 종래 공지된 익스팬드 장치를 사용하여 행할 수 있다.Subsequently, as shown in Fig. 6 (B), the semiconductor wafer W is diced. As a result, the semiconductor wafer W is cut to a predetermined size and fragmented (small-sized) to manufacture the semiconductor chip C. The dicing is performed, for example, on the circuit surface side of the semiconductor wafer W according to a conventional method. Further, in this step, for example, a cutting method called a full cut which infeeds up to the adhesive tape 5 can be adopted. The dicing apparatus used in this step is not particularly limited and conventionally known dicing apparatuses can be used. In addition, in the case of expanding the dicing tape D, the expanding can be performed using a conventionally known expanding device.

[반도체 칩(C)의 픽업 공정][Pick-up step of semiconductor chip (C)

도 6의 (C)에서 도시된 바와 같이, 반도체 칩(C)의 픽업을 행하여, 반도체 칩(C)을 다이싱 테이프(D)로부터 박리시킨다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 반도체 칩(C) 및 링 프레임(R)이 접합된 다이싱 테이프(D)를, 기재 필름측을 아래로 하여, 픽업 장치의 스테이지(S) 상에 적재하고, 링 프레임(R)을 고정한 상태에서, 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재(T)를 상승시켜서, 다이싱 테이프(D)를 확장한다. 이 상태에서, 개개의 반도체 칩(C)을 다이싱 테이프(D)의 기재 필름측으로부터 핀(N)에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(C)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The semiconductor chip C is picked up and the semiconductor chip C is peeled off from the dicing tape D as shown in Fig. The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, the dicing tape D to which the semiconductor chip C and the ring frame R are bonded is placed on the stage S of the pickup device with the substrate film side down, and the ring frame R The damping tape D is extended by raising the hollow cylindrical upticking member T in a state where the dicing tape D is fixed. In this state, a method of picking up the semiconductor chips C pushed up by the pins N from the base film side of the dicing tape D by picking up the individual semiconductor chips C, .

[플립 칩 접속 공정][Flip chip connecting step]

픽업한 반도체 칩(C)은, 도 6의 (D)에서 도시된 바와 같이, 기판 등의 피착체(9)에, 플립 칩 본딩 방식(플립 칩 실장 방식)에 의해 고정시킨다. 구체적으로는, 반도체 칩(C)을, 반도체 칩(C)의 회로면(표면, 회로 패턴 형성면, 전극 형성면 등으로도 칭해진다)이 피착체(9)와 대향하는 형태로, 피착체(9)에 통상의 방법에 따라서 고정시킨다. 예를 들어, 먼저 반도체 칩(C)의 회로면측에 형성되어 있는 접속부로서의 범프(10)에 플럭스를 부착시킨다. 이어서, 반도체 칩(C)의 범프(10)를 피착체(9)의 접속 패드에 피착된 접합용의 도전재(11)(땜납 등)에 접촉시켜서 압박하면서 범프(10) 및 도전재(11)를 용융시킴으로써, 반도체 칩(C)과 피착체(9)의 전기적 도통을 확보하여, 반도체 칩(C)을 피착체(9)에 고정시킬 수 있다(플립 칩 본딩 공정). 이때, 반도체 칩(C)과 피착체(9) 사이에는 공극이 형성되어 있고, 그 공극간 거리는, 일반적으로 30㎛ 내지 300㎛ 정도이다. 반도체 칩(C)과 피착체(9)의 대향면이나 간극에 잔존하는 플럭스는 세정 제거한다.The picked up semiconductor chip C is fixed to an adherend 9 such as a substrate by a flip chip bonding method (flip chip mounting method), as shown in Fig. 6 (D). Specifically, the semiconductor chip C is mounted on a circuit surface (also referred to as a surface, a circuit pattern forming surface, or an electrode forming surface) of the semiconductor chip C in such a manner as to face the adherend 9, (9) according to a conventional method. For example, the flux is first attached to the bump 10 as a connection portion formed on the circuit surface side of the semiconductor chip C. [ The bump 10 of the semiconductor chip C is brought into contact with the conductive material 11 (solder or the like) for bonding bonded to the connection pad of the adherend 9 and the bump 10 and the conductive material 11 The semiconductor chip C can be fixed to the adherend 9 (flip chip bonding step) by ensuring electrical conduction between the semiconductor chip C and the adherend 9 by melting the adhesive. At this time, voids are formed between the semiconductor chip (C) and the adherend (9), and the distance between the voids is generally about 30 mu m to 300 mu m. The flux remaining on the opposite faces of the semiconductor chip (C) and the adherend (9) and in the gap is cleaned and removed.

피착체(9)로서는, 리드 프레임이나 회로 기판(배선 회로 기판 등) 등의 각종 기판을 사용할 수 있다. 이러한 기판의 재질로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 세라믹 기판이나, 플라스틱 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예를 들어, 에폭시 기판, 비스말레이미드트리아진 기판, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다. 또한, 다른 반도체 칩을 피착체(9)로 하여 상기 반도체 칩(C)을 플립 칩 접속함으로써, 칩 온 칩 구조로 할 수도 있다.As the adherend 9, various substrates such as a lead frame and a circuit board (wiring circuit board, etc.) can be used. The material of such a substrate is not particularly limited, but a ceramic substrate or a plastic substrate can be used. Examples of the plastic substrate include an epoxy substrate, a bismaleimide triazine substrate, and a polyimide substrate. Further, another semiconductor chip may be flip-chip connected to the semiconductor chip (C) using the adherend (9) as a chip-on-chip structure.

이어서, 도 7의 (A)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)의 기재 테이프(2)를 박리하고, 금속층(3) 및 점착 테이프(5)의 점착제층(52)을 노출시키고, 점착제층(52)의 주연부를 링 프레임(R)에 고정한다.Subsequently, as shown in Fig. 7A, the base tape 2 of the tape 1 for an electronic device package according to the present embodiment is peeled off, and the pressure-sensitive adhesive layer 5 of the metal layer 3 and the pressure- (52) is exposed, and the peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive layer (52) is fixed to the ring frame (R).

이어서, 도 7의 (B)에 도시하는 바와 같이, 금속층(3) 및 접착제층(4)을 반도체 칩(C)에 대응하는 크기로 절단하여 개편화한다. 절단은, 상술한 반도체 웨이퍼(W)의 다이싱 공정과 동일한 공정에서 행할 수 있다. 또한, 금속층(3) 및 접착제층(4)을 미리 개편화하는 프리컷 가공이 되어 있는 경우에는, 본 공정은 행하지 않는다.Next, as shown in Fig. 7 (B), the metal layer 3 and the adhesive layer 4 are cut into pieces corresponding to the semiconductor chips C, and are separated. The cutting can be performed in the same step as the dicing step of the semiconductor wafer W described above. Further, in the case where the metal layer 3 and the adhesive layer 4 are subjected to pre-cut processing in advance, the present step is not performed.

이어서, 도 7의 (C)에 도시하는 바와 같이, 개편화된 금속층(3) 및 접착제층(4)을 픽업하여, 점착 테이프(5)로부터 박리시킨다. 픽업은, 상술한 반도체 칩(C)의 픽업 공정과 동일한 공정에서 행할 수 있다.7 (C), the separated metal layer 3 and the adhesive layer 4 are picked up and peeled off from the adhesive tape 5. Then, as shown in Fig. The pick-up can be performed in the same process as the pickup process of the semiconductor chip C described above.

이어서, 픽업된 금속층(3) 및 접착제층(4)의 접착제층(4)측을, 도 8에 도시하는 바와 같이, 플립 칩 접속된 반도체 칩(C)의 이면에 접합한다. 그 후, 금속층(3) 부착 반도체 칩(C)의 주변 및 반도체 칩(C)과 피착체(9)의 간극에 밀봉재(밀봉 수지 등)를 충전시켜서 밀봉한다. 밀봉은, 통상의 방법에 따라서 행하여진다. 이때, 반도체 칩(C)의 이면에 금속층(3)이 설치되어 있기 때문에, 플립 칩 본딩 공정에 있어서 반도체 칩(C)과 피착체(9)의 열팽창률차에 의해 발생한 휨이, 반도체 칩(C)과 금속층(3)의 열팽창률차에 의해 상쇄된다. 또한, 반도체 칩(C)의 이면에 금속층(3)이 설치되어 있기 때문에, 전자 디바이스로서의 사용 시의 발열이 금속층(3)에 의해 방열된다.Next, the picked-up metal layer 3 and the adhesive layer 4 side of the adhesive layer 4 are bonded to the back surface of the flip chip-connected semiconductor chip C as shown in Fig. Thereafter, a sealing material (sealing resin or the like) is filled and sealed around the periphery of the semiconductor chip C with the metal layer 3 and the gap between the semiconductor chip C and the adherend 9. The sealing is carried out according to a usual method. At this time, since the metal layer 3 is provided on the back surface of the semiconductor chip C, the warp caused by the difference in the thermal expansion coefficient between the semiconductor chip C and the adherend 9 in the flip chip bonding process, ) And the metal layer (3). Further, since the metal layer 3 is provided on the back surface of the semiconductor chip C, the heat generated when the semiconductor chip C is used as an electronic device is dissipated by the metal layer 3.

또한, 상술에서는, 금속층(3)을 반도체 칩(C)의 이면에 접착제층(4)을 통하여 직접 설치하고, 금속층(3)도 반도체 칩(C)과 함께 밀봉하는 패키지 구조에 대하여 설명했지만, 반도체 칩(C)을 밀봉한 후, 밀봉체의 상면에 금속층(3)을, 접착제층(4)을 통하여 설치하도록 해도 된다. 전자 디바이스 패키지(8)는 밀봉 시에도 휨을 발생시키기 때문에, 밀봉체의 상면에 금속층(3)을 설치함으로써, 밀봉 시의 휨을 상쇄할 수 있다.Although the package structure in which the metal layer 3 is directly provided on the back surface of the semiconductor chip C through the adhesive layer 4 and the metal layer 3 is sealed together with the semiconductor chip C has been described above, The semiconductor chip C may be sealed and then the metal layer 3 may be provided on the upper surface of the sealing member through the adhesive layer 4. [ Since the electronic device package 8 generates warpage even when being sealed, the metal layer 3 is provided on the upper surface of the sealing member, so that warping at the time of sealing can be canceled.

또한, 상술에서는, 전자 디바이스 패키지(8)로서, 피착체(9) 상에 플립 칩 접속된 반도체 칩(C)을 예로 하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 반도체 칩 상에 동일한 사이즈의 다른 반도체 칩을 적층한 전자 디바이스 패키지 구조에 있어서, 양쪽 칩 사이의 스페이서로서 본 발명의 전자 디바이스 패키지용 테이프(1)의 금속층(3)을 사용하기 위해서, 접착제층(4)을 통하여 하측의 반도체 칩 상에 금속층(3)을 설치하도록 해도 된다.In the above description, the semiconductor chip C flip-chip connected on the adherend 9 has been described as an example of the electronic device package 8. However, the present invention is not limited to this. For example, In order to use the metal layer 3 of the electronic device package tape 1 of the present invention as a spacer between both chips in an electronic device package structure in which other semiconductor chips of the same size are stacked, The metal layer 3 may be provided on the lower semiconductor chip.

또한, 본 실시 형태에서는, 점착제층(52), 접착제층(4), 금속층(3)을 이 순서대로 설치하도록 했지만, 점착제층(52), 금속층(3), 접착제층(4)을 이 순서대로 설치하도록 해도 된다. 이 경우, 접착제층(4) 상에 반도체 웨이퍼를 접합하고, 반도체 웨이퍼와 금속층(3)과 접착제층(4)을 다이싱하고, 이들을 함께 픽업할 수도 있다. 그러나, 상술한 바와 마찬가지로, 반도체 웨이퍼와 금속층(3) 및 접착제층(4)을 각각 따로 다이싱하여 픽업하고, 반도체 칩을 플립 칩 접속한 후에, 반도체 칩 상에 금속층(3)을, 접착제층(4)을 통하여 접착할 수도 있고, 이 경우, 금속층(3)의 인장 강도가 350MPa 이상이기 때문에, 핀의 흔적이 발생하지 않고, 금속층(3) 및 접착제층(4)을 점착 테이프(5)로부터 픽업할 수 있다.In this embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 52, the adhesive layer 4 and the metal layer 3 are provided in this order. However, the pressure-sensitive adhesive layer 52, the metal layer 3, As shown in FIG. In this case, a semiconductor wafer may be bonded onto the adhesive layer 4, the semiconductor wafer, the metal layer 3, and the adhesive layer 4 may be diced and picked up together. However, after the semiconductor wafer, the metal layer 3 and the adhesive layer 4 are separately diced and picked up and the semiconductor chip is flip-chip bonded, the metal layer 3 is formed on the semiconductor chip, The metal layer 3 and the adhesive layer 4 can be adhered to the adhesive tape 5 without the occurrence of pin marks since the tensile strength of the metal layer 3 is 350 MPa or more, As shown in Fig.

<실시예><Examples>

이어서, 본 발명의 효과를 더욱 명확히 하기 위해서, 실시예 및 비교예에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Next, in order to further clarify the effects of the present invention, examples and comparative examples will be described in detail, but the present invention is not limited to these examples.

(1) 점착 테이프의 제작(1) Production of adhesive tape

<점착제 조성물 (1)>&Lt; Pressure-sensitive adhesive composition (1) >

관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 (A1)로서, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 아크릴산을 포함하고, 2-에틸헥실아크릴레이트의 비율이 50몰%이며, 질량 평균 분자량 65만, 유리 전이 온도 -60℃, 수산기가 25mgKOH/g, 산가 6mgKOH/g의 아크릴계 공중합체 (a-1)을 조제하였다.(1), wherein the acrylic copolymer (A1) having a functional group is selected from the group consisting of butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate and acrylic acid, the ratio of 2-ethylhexyl acrylate is 50 mol% An acrylic copolymer (a-1) having an average molecular weight of 650,000, a glass transition temperature of -60 占 폚, a hydroxyl value of 25 mgKOH / g and an acid value of 6 mgKOH / g was prepared.

상기 아크릴계 공중합체 (a-1) 100질량부에 대하여 폴리이소시아네이트로서 코로네이트 L(도소 가부시키가이샤제)을 8질량부 첨가한 혼합물을, 아세트산에틸에 용해시키고, 교반하여 점착제 조성물 (1)을 조제하였다.8 parts by mass of Coronate L (manufactured by TOSOH CORPORATION) as a polyisocyanate was added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer (a-1) was dissolved in ethyl acetate and stirred to obtain a pressure-sensitive adhesive composition (1) Lt; / RTI &gt;

기재 필름으로서 이하의 것을 제작하였다.The following were prepared as base films.

<기재 필름 (1)>&Lt; Base material film (1) >

에틸렌-메타크릴산 공중합체의 수지 비즈를 200℃에서 용융하고, 압출기를 사용하여 두께 150㎛의 긴 필름상으로 성형하여 기재 필름 (1)을 제작하였다. 에틸렌-메타크릴산 공중합체는, 미츠이 듀퐁 폴리케미컬 가부시키가이샤제의 뉴크렐NO35C(상품명)를 사용하였다.The resin beads of the ethylene-methacrylic acid copolymer were melted at 200 占 폚 and molded into a long film having a thickness of 150 占 퐉 by using an extruder to prepare a base film (1). As the ethylene-methacrylic acid copolymer, Newcrel NO35C (trade name) manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd. was used.

<점착 테이프 (1)><Adhesive tape (1)>

이형 처리한 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에, 상기 점착제 조성물 (1)을 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시켜서 점착제층으로 한 후, 상기 기재 필름 (1)과 접합하여, 점착 테이프 (1)을 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive composition (1) was applied to a release liner including a release-treated polyethylene-terephthalate film so that the thickness after drying became 10 占 퐉 and dried at 110 占 폚 for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer, (1) to produce an adhesive tape (1).

(2) 접착제층의 제작(2) Production of adhesive layer

<접착제층 (1)>&Lt; Adhesive Layer (1) >

비스페놀 A형 페녹시 수지(신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「YP-50S」, Mw 6만, Tg 84℃) 28질량부와, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명 「YD-011」, Mw 1000, 에폭시 당량 450) 55질량부, 액체 비스페놀 A형 에폭시 수지(신닛테츠스미킨 가가쿠 가부시키가이샤, 상품명 「YD-128」, Mw 400, 에폭시 당량 190) 49질량부, 경화제로서의 이미다졸(시꼬꾸 가세이 고교 가부시키가이샤제, 상품명 「2PHZ-PW」) 9질량부, 실리카 필러(가부시키가이샤 애드마텍스제, 상품명 「SO-C2」, 평균 입경 0.5㎛) 74질량부를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시켜서, 접착제 조성물 용액을 조제하였다. 이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 5분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 20㎛의 접착제층 (1)을 제작하였다.28 parts by mass of a bisphenol A phenoxy resin (trade name &quot; YP-50S &quot;, manufactured by Shinnitetsu Sekinigaku Kagaku K.K., Mw 6,000, Tg 84 ° C) and 28 parts by mass of a solid bisphenol A type epoxy resin Ltd.), 55 parts by mass of an epoxy resin (trade name &quot; YD-011 &quot;, Mw 1000, epoxy equivalent: 450), 40 parts by mass of a liquid bisphenol A type epoxy resin (trade name: YD-128, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., , 49 parts by mass of epoxy equivalent 190), 9 parts by mass of imidazole (manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, trade name "2PHZ-PW") as a curing agent, silica filler (trade name: , Average particle diameter 0.5 mu m) were dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone to prepare an adhesive composition solution. The adhesive composition solution was coated on a releasing treatment film (release liner) including a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 占 퐉 which was subjected to silicone release treatment, and then dried at 130 占 폚 for 5 minutes. Thus, an adhesive layer 1 having a thickness of 20 m was produced.

금속층으로서 이하의 것을 준비하였다.The following metal layers were prepared.

<금속층 (1)>&Lt; Metal layer (1) >

압연 구리박(가부시키가이샤 UACJ제, 터프 피치 구리박, 두께 18㎛, 인장 강도 450MPa, 391W/m·K)Rolled copper foil (made of UACJ, tough pitch copper foil, thickness 18 占 퐉, tensile strength 450 MPa, 391 W / m 占 가)

<금속층 (2)>&Lt; Metal layer (2) >

C18040(가부시키가이샤 UACJ제, 구리 합금박, 두께 18㎛, 인장 강도 658MPa, 322W/m·K)C18040 (copper alloy foil, thickness 18 占 퐉, tensile strength 658 MPa, 322 W / m 占 제 manufactured by UACJ)

<금속층 (3)>&Lt; Metal layer (3) >

샘플 A(알루미늄 합금박, 두께 20㎛, 인장 강도 356MPa, 110W/m·K)Sample A (aluminum alloy foil, thickness 20 占 퐉, tensile strength 356 MPa, 110 W / m 占))

<금속층 (4)>&Lt; Metal layer (4) >

SUS304(신닛테츠스미킨 머티리얼즈 가부시키가이샤제, 스테인리스박, 두께 20㎛, 인장 강도 1225MPa, 16.3W/m·K)Stainless steel foil, thickness 20 占 퐉, tensile strength 1225 MPa, 16.3 W / m 占)) made of SUS304 (manufactured by Shinnitetsu Semiconductor Materials Co., Ltd.)

<금속층 (5)>&Lt; Metal layer (5) >

F0-WS(후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤제, 구리박, 두께 18㎛, 인장 강도 310MPa, 378W/m·K)F0-WS (copper foil, thickness 18 占 퐉, tensile strength 310 MPa, 378 W / m 占 제 manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.)

<금속층 (6)>&Lt; Metal layer (6) >

1085(가부시키가이샤 UACJ제, 알루미늄박, 두께 20㎛, 인장 강도 180MPa, 221W/m·K)1085 (made by UACJ, aluminum foil, thickness 20 占 퐉, tensile strength 180 MPa, 221 W / m 占))

<샘플 A><Sample A>

Si를 0.27질량%, Fe를 0.31질량%, Cu를 0.02질량%, Mn을 1.1질량%, Mg을 0.51질량%, Ti를 0.01질량% 함유하고, 잔부가 Al을 포함하는 알루미늄 합금을 용해, 반연속 주조법에 의해 조괴하고, 얻어진 주괴를 480℃의 온도에서 5h 균질화 처리한 후, 450 내지 260℃의 온도 범위에서 열간 압연을 행하여, 두께 3mm의 열간 압연판을 얻었다. 열간 압연판을 두께 0.5mm까지 냉간 압연한 후, 급속 가열로를 사용해서 400℃의 온도에서 1분간 유지하고, 20℃/s의 냉각 속도로 냉각하는 중간 열처리를 실시하고, 중간 열처리 이후에는, 냉간 압연을 반복해서 20㎛의 알루미늄 합금박으로 하였다., An aluminum alloy containing 0.27 mass% of Si, 0.31 mass% of Fe, 0.02 mass% of Cu, 1.1 mass% of Mn, 0.51 mass% of Mg, and 0.01 mass% of Ti, The obtained ingot was homogenized at a temperature of 480 占 폚 for 5 hours and then subjected to hot rolling in a temperature range of 450 to 260 占 폚 to obtain a hot rolled plate having a thickness of 3 mm. The hot-rolled sheet was cold-rolled to a thickness of 0.5 mm and then subjected to an intermediate heat treatment using a rapid heating furnace at a temperature of 400 DEG C for 1 minute and cooling at a cooling rate of 20 DEG C / s. Cold rolling was repeated to form an aluminum alloy foil of 20 mu m thickness.

(5) 전자 디바이스 패키지용 테이프의 제작(5) Production of tape for electronic device package

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

상술한 박리 라이너 상에 형성된 접착제층 (1)과 금속층 (1)을 접합 각도 120°, 압력 0.2MPa, 속도 10mm/s의 조건에서 접합하여 편면 접착 필름을 제작하였다. 점착 테이프 (1)을 링 프레임에 접합할 수 있도록 원형 형상으로, 편면 접착 필름을 점착 테이프 (1)보다 작은 원형 형상으로 프리컷하였다. 상기 편면 접착 필름의 이형 처리 필름을 박리하여 노출시킨 접착제층 (1)측과 상기 점착 테이프 (1)의 점착제층을, 편면 접착 필름의 주위에 점착제층이 노출되도록 접합하여, 도 1에 도시한 바와 같은 실시예 1에 관한 전자 디바이스 패키지용 테이프를 제작하였다.The adhesive layer 1 formed on the above-mentioned release liner and the metal layer 1 were bonded at a bonding angle of 120 DEG, a pressure of 0.2 MPa, and a speed of 10 mm / s to produce a one-sided adhesive film. The single-sided adhesive film was pre-cut into a circular shape smaller than the adhesive tape 1 in a circular shape so that the adhesive tape 1 could be bonded to the ring frame. The adhesive layer of the single-sided adhesive film thus peeled and exposed and the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape 1 are bonded to the periphery of the single-sided adhesive film so as to expose the pressure- A tape for an electronic device package according to Example 1 was prepared.

<실시예 2 내지 4, 비교예 1 내지 2>&Lt; Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 and 2 >

점착 테이프, 접착제 조성물, 금속층의 조합을 표 1에 기재된 조합으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 실시예 2 내지 4, 비교예 1 내지 2의 전자 디바이스 패키지용 테이프를 제작하였다.The tapes for electronic device package of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 were produced in the same manner as in Example 1 except that the combination of the adhesive tape, adhesive composition and metal layer was changed as shown in Table 1.

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2에 관한 전자 디바이스 패키지용 테이프에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.The following evaluations were made on the tape for the electronic device package according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2. The results are shown in Table 1.

(핀흔 억제)(Pincushion inhibition)

상기 실시예 및 비교예의 각 샘플의 전자 디바이스 패키지용 테이프의 금속층 및 접착제층을, 5mm×5mm의 크기의 개편 샘플이 생기도록 다이싱하였다. 그 후, 기재 필름측으로부터 점착제층에 공냉식 고압 수은등(80W/cm, 조사 거리 10cm)에 의해 자외선을 200mJ/㎠ 조사하였다. 전자 디바이스 패키지용 테이프 중앙부의 개편 샘플 100개에 대해서, 캐논 머시너리 가부시키가이샤제의 다이스 피커 장치(상품명 「CAP-300II」)를 사용하여 픽업 시험을 행하고, 금속층에 대한 핀흔의 유무를 확인하였다. 픽업된 금속층에 있어서, 눈으로 보아 핀의 흔적이 보이지 않는 것을 성공 샘플로 하고, 핀흔의 억제 성공률을 산출하였다. 그 산출 결과에 있어서 성공률이 90% 이상인 것을 양품으로 하여 ○, 90% 미만인 것을 불량품으로 하여 ×로 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.The metal layer and the adhesive layer of the tape for the electronic device package of each of the samples of the examples and the comparative examples were diced so as to give a 5 mm x 5 mm sized reorganized sample. Thereafter, the pressure sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 from the base film side by air-cooled high-pressure mercury lamp (80 W / cm, irradiation distance: 10 cm). 100 pieces of the regenerated samples at the central portion of the tape for the electronic device package were picked up by using a die picker device (trade name &quot; CAP-300II &quot;) manufactured by CANON MICRONARY INC., And the presence or absence of pin marks on the metal layer was checked . In the picked-up metal layer, the success rate of inhibition of pin marks was calculated as a success sample in which no pin marks were seen from the eyes. As a result of the calculation, a product having a success rate of 90% or more was evaluated as good, and a product having a rate of less than 90% was evaluated as poor. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure pct00004
Figure pct00004

표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 4에 관한 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 금속층의 인장 강도가 356MPa 이상으로 청구항에 규정된 350MPa 이상이기 때문에, 핀흔 억제 평가에 있어서 양호한 결과가 되었다.As shown in Table 1, the tape for the electronic device package according to Examples 1 to 4 had good results in the evaluation of pincushion inhibition because the tensile strength of the metal layer was 356 MPa or more and 350 MPa or more as defined in the claims.

이에 반해, 비교예 1 내지 2에 관한 전자 디바이스 패키지용 테이프는, 금속층의 인장 강도가 350MPa 미만이기 때문에, 핀흔 억제 평가에 있어서 떨어지는 결과가 되었다.On the other hand, the tape for electronic device package according to Comparative Examples 1 and 2 had a tensile strength of less than 350 MPa, resulting in a decrease in the evaluation of pincushion inhibition.

1: 전자 디바이스 패키지용 테이프
2: 기재 테이프
3: 금속층
4: 접착제층
5: 점착 테이프
5a: 라벨부
5b: 주변부
1: Tape for electronic device package
2: Base tape
3: metal layer
4: Adhesive layer
5: Adhesive tape
5a: Label section
5b: peripheral portion

Claims (10)

기재 필름과 점착제층을 갖는 점착 테이프와,
상기 점착제층의 상기 기재 필름과 반대측에 적층하여 설치된 접착제층과 금속층의 적층체를 갖고,
상기 금속층은, 인장 강도가 350MPa 이상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.
An adhesive tape having a base film and a pressure-sensitive adhesive layer,
And a laminate of an adhesive layer and a metal layer laminated on the opposite side of the pressure-sensitive adhesive layer from the base film,
Wherein the metal layer has a tensile strength of 350 MPa or more.
제1항에 있어서, 상기 금속층은, 구리 또는 알루미늄을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The tape for an electronic device package according to claim 1, wherein the metal layer contains copper or aluminum. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속층은, 구리의 함유량이 99.95% 이하인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The tape for an electronic device package according to claim 1 or 2, wherein the metal layer has a content of copper of 99.95% or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층이 구리 합금박 또는 알루미늄 합금박인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The tape for an electronic device package according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal layer is a copper alloy foil or an aluminum alloy foil. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층이, 구리와, 니켈, 크롬, 지르코늄, 아연, 주석, 티타늄, 규소, 철, 망간, 마그네슘, 인 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.5. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal layer is selected from the group consisting of copper and nickel, chromium, zirconium, zinc, tin, titanium, silicon, iron, manganese, magnesium, phosphorus and cobalt And an alloy containing one or more of the foregoing metals. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층이, 알루미늄과, 니켈, 크롬, 지르코늄, 아연, 주석, 마그네슘, 구리, 망간, 티타늄, 규소, 철 및 코발트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The metal film according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal layer is selected from the group consisting of aluminum and nickel, chromium, zirconium, zinc, tin, magnesium, copper, manganese, titanium, silicon, iron and cobalt And an alloy containing one or more of the foregoing metals. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층이, 스테인리스강을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The tape for an electronic device package according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal layer comprises stainless steel. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은, 열전도율이 5W/(m·K) 이상인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The tape for an electronic device package according to any one of claims 1 to 7, wherein the metal layer has a thermal conductivity of 5 W / (m · K) or more. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접착제층이, (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 아크릴 수지 또는 페녹시 수지, 및 (D) 표면 처리된 무기 충전재를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 8, wherein the adhesive layer comprises (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an acrylic resin or a phenoxy resin, and (D) &Lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층이, CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수가 4 내지 18인 알킬기이다.)로 표시되는 아크릴산에스테르와, 히드록실기 함유 모노머와, 분자 내에 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하여 구성되는 아크릴계 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 패키지용 테이프.The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 9, wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises an acrylate ester represented by CH 2 CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 4 to 18 carbon atoms) A tape for an electronic device package, comprising a monomer and an acrylic polymer comprising an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond in the molecule.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6440657B2 (en) * 2016-07-27 2018-12-19 古河電気工業株式会社 Tape for electronic devices
SG11201906507PA (en) * 2018-03-28 2019-11-28 Furukawa Electric Co Ltd Tape for semiconductor processing
JP6535118B1 (en) * 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 Semiconductor processing tape
KR20210138263A (en) * 2020-05-12 2021-11-19 삼성전자주식회사 A semiconductor chip mounting tape and a method of manufacturing semiconductor package using the tape

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954569B2 (en) * 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP4157898B2 (en) * 2006-10-02 2008-10-01 株式会社神戸製鋼所 Copper alloy sheet for electrical and electronic parts with excellent press punchability
JP2008124141A (en) * 2006-11-09 2008-05-29 Shin Etsu Chem Co Ltd Adhesive film for dicing/die bond
JP2010120239A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Nippon Steel Chem Co Ltd Metal-clad laminate and its production method
WO2011065252A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 電気化学工業株式会社 Adhesive sheet and electronic component
JP5762556B2 (en) * 2010-12-17 2015-08-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Cover tape for packaging heat seals and electronic components
JP6418756B2 (en) * 2013-02-28 2018-11-07 善治 堀田 Method for producing aluminum alloy conductor and method for producing electric wire using aluminum alloy conductor
JP5909606B1 (en) * 2014-07-22 2016-04-26 新日鐵住金株式会社 Steel foil for electrical storage device container, electrical storage device container and electrical storage device, and method for producing steel foil for electrical storage device container

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