KR20180123854A - 부스트 기능을 갖는 전력 증폭 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치는, 바이어스 전압을 생성하고, 배터리 전압 및 기준전압을 이용하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 동작 전압를 제공하고, 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하고, 상기 파워 증폭 회로는 상기 동작 전압을 검출하여 검출전압을 상기 제어 회로에 제공하고, 상기 제어 회로는 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어한다.

Description

부스트 기능을 갖는 전력 증폭 장치{POWER AMPLIFIER WITH BOOST FUNCTION}
본 발명은 부스트 기능을 갖는 전력 증폭 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 파워 증폭 모듈(PAM: Power Amplifier Module)은 송신기(transmitter)로부터 출력되는 RF 신호를 증폭하여 안테나로 전달할 수 있다. PAM은 다양한 주파수 대역을 지원하기 때문에 다수의 스위치와 필터, 그리고 RF 신호를 증폭하는 다수의 파워 증폭기(PA: Power Amplifier)를 포함 할 수 있다.
이러한 PAM의 성능 평가 항목은 다양한 기준에 의해 평가되는데, 주요 항목은 최대 출력, 효율, 선형성 등이 있으며, 또한, PAM는 휴대폰에서 전류를 상대적으로 많이 사용하는 부품이기 때문에 전류 소모 역시 중요한 항목이다.
PAM의 전류 소모를 줄이기 위한 하나의 방법으로, APT (Average Power Tracking) 또는 ET (Envelope Tracking)가 이용될 수 있다. APT는 평균 출력 파워에 따라 VCC를 조절하여 효율을 높이는 방법이고, ET (Envelope Tracking)는 PA의 전원 전압을 RF 신호의 엔벨로프(envelope)를 따라 변하게 하는 방법으로, ET에 대해 부연하면, ET는 RF 신호중 진폭이 작은 부분에 대해서는 PA 전원 전압을 낮추어 평균적인 전류 소모를 줄이고, 반대로 RF 신호중 진폭이 큰 부분에 대해서는 PA 전원 전압을 높여 선형성이 열화 되지 않게 하는 방법이다.
이러한 APT는 일정 시간 동안의 평균 값을 VCC가 따라가는 방법인데 비해, ET는 순시 출력을 따라가기 때문에 엔벨로프 신호(Envelope Signal)를 동시에 따라가는 VCC를 생성하기 위한 ET 모듈레이터(modulator)가 별로도 필요하다.
최근 고전압 전력 증폭기에 대한 연구가 많이 이루어지고 있는데, 고전압 전력 증폭기는 배터리 전압(VBAT)보다 높은 VCC를 사용하여 배터리 전압을 승압하는 직류 부스터(DC booster)를 포함하는 전력 증폭기를 포함할 수 있으며, 직류 부스터(DC booster)를 이용하여 배터리 전압을 3~4배 높게 승압시켜 PA(power amplifier)의 효율을 개선하는 방법이다.
고전압 전력 증폭기는 로드 임피던스(load impedance)의 증가로 정합(matching)을 위한 회로 크기를 감소시킬 수 있고 효율을 개선할 수 있다는 장점이 있다. 하지만, 이러한 고전압 PA를 적용하기 위해서는 DC/DC 컨버터(DC booster) IC가 추가로 필요하게 되어 전체 모듈 사이즈는 오히려 커지는 단점이 있다.
기존의 고전압 전력 증폭기는 바이어스 회로, HV 전원 회로, 및 HV 전력 증폭기를 포함할 수 있다.
기존의 고전압 전력 증폭기가 하나의 모듈로 구현 될 때, 상기 바이어스 회로, HV 전원 회로, 및 HV 전력 증폭기 각각이 IC 또는 조립체로 구현되는 경우, 적어도 3개의 IC 또는 조립체가 필요하고, 특히 바이어스 회로는 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정으로 제작되고, HV 전원 회로는 LD-MOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 공정으로 제작되며, HV 전력 증폭기는 HBT (Hetero-junction Bipolar Transister) 공정으로 제작되는 등, 바이어스 회로, HV 전원 회로 및 HV 전력 증폭기 각각은 서로 다른 별도의 제작 공정의 3개의 집적회로(IC)로 제작되어야 하기 때문에, 기존의 고전압 전력 증폭기는 전체 사이즈를 줄이는데 한계가 있는 문제점이 있다.
한국 공개특허 제2016-0100800호 공보
본 발명의 일 실시 예는, 서로 다른 공정으로 제작되는 집적회로의 개수를 줄일 수 있는 전력 증폭 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의해, 바이어스 전압을 생성하고, 배터리 전압 및 기준전압을 이용하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 동작 전압을 제공하고, 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하고, 상기 파워 증폭 회로는 상기 동작 전압을 검출하여 검출전압을 상기 제어 회로에 제공하고, 상기 제어 회로는 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어하는 전력 증폭 장치가 제안된다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시 예에 의해, 바이어스 전압을 생성하고, 배터리 전압 및 기준전압을 이용하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로; 및 상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 동작 전압을 제공하고, 상기 배터리 전압, 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하고, 상기 파워 증폭 회로는 상기 동작 전압을 검출하여 검출전압을 상기 제어 회로에 제공하고, 상기 제어 회로는 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어하고, 상기 파워 증폭 회로는 구동 증폭기와 파워 증폭기를 포함하고, 상기 구동 증폭기는 상기 배터리 전압 및 상기 바이어스 전압을 공급받아 동작하고, 상기 파워 증폭기는 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압을 공급받아 동작하는 전력 증폭 장치가 제안된다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 서로 다른 공정으로 제작되는 집적회로의 개수를 줄임으로써 사이즈를 줄일 수 있고, 또한 배터리 전압을 승압하는 부스트 전압을 피드백 제어할 수 있고, 이에 따라 보다 동작 전원을 정밀하게 제어할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치의 일 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치의 다른 일 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고전압 파워 제어기의 일 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 주요 신호에 대한 타임챠트의 일 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치의 다른 일 예시도이다.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 본 발명의 실시 예들은 서로 조합되어 여러 가지 새로운 실시 예가 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치의 일 예시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치의 다른 일 예시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치는, 제어 회로(100) 및 파워 증폭 회로(200)를 포함한다.
상기 제어 회로(100)는, 바이어스 전압(Vbias)을 생성하고, 배터리 전압(VBAT) 및 기준전압(Vref)을 이용하여 제어 신호(Vc)를 생성할 수 있다.
일 예로, 상기 제어 회로(100)는, 바이어스 회로(110) 및 고전압 파워 제어기(120)를 포함할 수 있다.
상기 바이어스 회로(110)는 상기 배터리 전압(VBAT)을 이용하여 상기 바이어스 전압(Vbias) 및 상기 기준전압(Vref)을 생성할 수 있다.
상기 고전압 파워 제어기(120)는, 상기 배터리 전압(VBAT) 및 상기 기준전압(Vref)을 이용하여 상기 제어 신호(Vc)를 생성하고, 상기 검출전압(Vd)에 따라 상기 제어 신호(Vc)를 제어할 수 있다.
상기 파워 증폭 회로(200)는, 상기 제어 신호(Vc)에 따라 상기 배터리 전압(VBAT)을 승압하여 동작 전압(Vcc)을 제공하고, 상기 바이어스 전압(Vbias) 및 상기 동작 전압(Vcc)에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭할 수 있다.
일 예로, 상기 동작 전압(Vcc)은 사전에 설정되는 주파수 밴드 또는 파워 모드에 따라 서로 다를 수 있으며, 이 경우, 상기 제어 신호(Vc)는 사전에 설정되는 주파수 밴드 또는 파워 모드에 적합한 신호가 될 수 있다.
또한, 상기 파워 증폭 회로(200)는 상기 동작 전압(Vcc)을 검출하여 검출전압(Vd)을 상기 제어 회로(100)에 제공할 수 있다. 상기 제어 회로(100)는 상기 검출전압(Vd)에 따라 상기 제어 신호(Vc)를 제어할 수 있다.
일 예로, 상기 파워 증폭 회로(200)는, 부스터 회로(210) 및 증폭 회로(220)를 포함할 수 있다.
다른 일 예로, 상기 파워 증폭 회로(200)는, 직류 부스터 회로(210), 증폭 회로(220) 및 피드백 검출회로(230)를 포함할 수 있다.
상기 직류 부스터 회로(210)는, 상기 제어 신호(Vc)에 따라 상기 배터리 전압(VBAT)을 승압하여 상기 동작 전압(Vcc)을 제공할 수 있다.
일 예로, 상기 직류 부스터 회로(210)는 인덕터(L1), 스위치 트랜지스터(Q1) 및 다이오드(D1)를 포함할 수 있다. 상기 인덕터(L1)는 배터리 전압(VBAT) 단자에 접속된 일단과, 상기 스위치 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 접속된 타단을 포함한다. 상기 스위치 트랜지스터(Q1)는 상기 인덕터(L1)의 타단에 접속된 컬렉터, 상기 제어 신호(Vc)를 입력받는 베이스, 그리고 접지에 접속된 에미터를 포함한다. 상기 다이오드(D1)는, 상기 스위치 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 접속된 애노드 및 상기 피드백 검출회로(230)에 접속된 캐소드를 포함한다.
상기 제어 신호(Vc)에 따라 상기 스위치 트랜지스터(Q1)가 스위칭 동작을 수행하고, 이러한 스위칭 동작에 따라 상기 인덕터(L1)에 축적된 에너지의 전압이 다이오드(D1)를 통해 정류되는 일련의 과정을 통해서 상기 배터리 전압(VBAT)(예, 3.2V~4.7V)이 보다 높은 동작 전압(Vcc)(예, 12V~20V)으로 승압될 수 있다.
상기 증폭 회로(220)는, 상기 바이어스 전압(Vbias) 및 상기 동작 전압(Vcc)에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭할 수 있다.
상기 피드백 검출회로(230)는 상기 동작 전압(Vcc)을 검출하여 상기 검출전압(Vd)을 상기 고전압 파워 제어기(120)에 제공할 수 있다.
일 예로, 상기 피드백 검출회로(230)는 상기 직류 부스터 회로(210)의 출력단과 접지로 직렬로 접속된 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)을 포함할 수 있고, 상기 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2) 사이의 접속노드에서 상기 검출전압(Vd)을 상기 제어 회로(100)에 제공할 수 있다.
도 1을 참조하면, 상기 증폭 회로(220)는 파워 증폭기(PA)를 포함할 수 있다. 상기 파워 증폭기(PA)는 상기 바이어스 전압(Vbias) 및 상기 동작 전압(Vcc)을 공급받아 동작할 수 있으며, 상기 입력되는 신호를 증폭하여 출력할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 파워 증폭 회로(200)는 구동 증폭기(DA)와 파워 증폭기(PA)를 포함할 수 있다.
상기 구동 증폭기(DA)는 상기 배터리 전압(VBAT) 및 상기 바이어스 전압(Vbias)을 공급받아 동작하여, 상기 입력되는 신호를 증폭하여 출력할 수 있다.
또한, 상기 파워 증폭기(PA)는 상기 바이어스 전압(Vbias) 및 상기 동작 전압(Vcc)을 공급받아 동작하여, 상기 구동 증폭기(DA)로부터의 신호를 증폭하여 출력할 수 있다.
도 1 및 도 2에서, C1은 동작 전압(Vcc)에서 리플과 같은 교류 노이즈를 제거하기 위한 교류 접지용 커패시터이다.
또한, 상기 제어 회로(100)는, CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정으로 제작될 수 있는 제1 접적회로(IC1)가 될 수 있다. 여기서, 상기 제1 커패시터(C1)와 제1 인덕터(L1)는 도 1 및 도 2와는 달리, 제1 접적회로(IC1)의 외부에 배치될 수 있다.
상기 파워 증폭 회로(200)는, HBT (Hetero-junction Bipolar Transister) 공정으로 제작될 수 있는 제2 집적회로(IC2)가 될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 고전압 파워 제어기의 일 예시도이다.
도 3을 참조하면, 상기 고전압 파워 제어기(120)는, 전압 입력 회로(121), 오차 증폭 회로(122), 비교 회로(123) 및 구동 회로(124)를 포함할 수 있다.
상기 전압 입력 회로(121)는, 상기 검출전압(Vd)을 분할하여 피드백 전압(Vf)을 제공할 수 있다. 일 예로, 상기 전압 입력 회로(121)는 상기 검출전압(Vd)을 입력받는 단자와 접지 사이에 직렬로 접속된 제3 저항(R3) 및 제4 저항(R4)을 포함할 수 있고, 상기 제3 저항(R3) 및 제4 저항(R4) 사이의 접속노드에서 상기 피드백 전압(Vf)을 제공할 수 있다.
상기 오차 증폭 회로(122)는, 상기 피드백 전압(Vf)과 상기 기준전압(Vref)과의 오차 전압(Ve)을 제공할 수 있다. 일 예로, 상기 오차 증폭 회로(122)는 제1 연산 증폭기(A1), 제5 저항(R5), 2개의 커패시터(C2,C4)를 포함할 수 있다. 상기 제1 연산 증폭기(A1)는 상기 피드백 전압(Vf)과 상기 기준전압(Vref)을 비교하여, 두 전압간의 차이에 대응되는 오차 전압(Ve)을 제공할 수 있다.
상기 비교 회로(123)는, 상기 오차 전압(Ve)과 삼각파 전압(Vramp)을 비교하여 펄스파 전압(Vpwm)을 제공할 수 있다. 일 예로, 상기 비교 회로(123)는 제2 연산 증폭기(A2)를 포함할 수 있다. 상기 제2 연산 증폭기(A2)는 상기 오차 전압(Ve)과 삼각파 전압(Vramp)을 비교하여, 상기 오차 전압(Ve)이 삼각파 전압(Vramp)보다 낮으면 로우레벨 전압과, 상기 오차 전압(Ve)이 삼각파 전압(Vramp)보다 높으면 하이레벨 전압을 갖는 펄스파 전압(Vpwm)을 제공할 수 있다.
그리고, 상기 구동 회로(124)는, 상기 펄스파 전압(Vpwm)을 상기 제어 신호(Vc)로 변환할 수 있다. 일 예로, 상기 구동 회로(124)는, 상기 펄스파 전압(Vpwm)의 레벨을 상기 직류 부스터 회로(210)를 제어할 수 있는 상기 제어 신호(Vc)의 레벨로 변환할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 주요 신호에 대한 타임챠트의 일 예시도이다.
도 4에서, Ve는 오차 증폭 회로(122)에서 출력되며, 상기 피드백 전압(Vf)과 상기 기준전압(Vref)간의 차이 전압에 해당되는 전압이다. Vramp는 비교 회로(123)에서 상기 오차 전압(Ve)과 비교하기 위한 삼각파 형태의 전압이다.
Vc는 구동 회로(124)에서, 직류 부스터 회로(210)를 제어하기 위해 펄스파 전압(Vpwm)의 레벨이 변환된 전압이다. Vcc는 상기 직류 부스터 회로(210)에서 출력되는 동작 전압이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치의 다른 일 예시도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치는 제어 회로(100) 및 파워 증폭 회로(200)를 포함할 수 있고, 상기 파워 증폭 회로(200)는 복수의 제1, 제2 및 제n 파워 증폭 회로(200-1,200-2~200-n)를 포함할 수 있다.
상기 제1, 제2 및 제n 파워 증폭 회로(200-1,200-2~200-n) 각각은 도 1에 도시된 파워 증폭 회로의 구조가 될 수 있고, 또는 도 2에 도시된 파워 증폭 회로의 구조가 될 수 있으며, 서로 다른 주파수 밴드에 대해 동작할 수 있고, 서로 다른 파워 모드로 동작할 수 있다.
상기 제어 회로(100)는 상기 제1, 제2 및 제n 파워 증폭 회로(200-1,200-2~200-n)를 제어하여, 주파수 밴드를 선택하거나 파워 모드를 조절할 수 있다.
또한, 상기 제어 회로(100)는, CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정으로 제작될 수 있는 제1 접적회로(IC1)가 될 수 있고, 상기 파워 증폭 회로(200)는, HBT (Hetero-junction Bipolar Transister) 공정으로 제작될 수 있는 제2 집적회로(IC2)가 될 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 실시 예에 의하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭 장치가, 2개의 제1 집적회로 및 제2 집적회로로 구현되므로, 전체 파워 장치의 크기를 줄일 수 있고, 재료비를 절감할 수 있는 장점이 있다.
100: 제어 회로
110: 바이어스 회로
120: 고전압 파워 제어기
121: 전압 입력 회로
122: 오차 증폭 회로
123: 비교 회로
124: 구동 회로
200: 파워 증폭 회로
210: 직류 부스터 회로
220: 파워증폭기
230: 피드백 검출회로
Vcc: 동작 전압
VBAT: 배터리 전압
Vbias: 바이어스 전압
Vref: 기준전압
Vc: 제어 신호
DA: 구동 증폭기
PA: 파워 증폭기

Claims (12)

  1. 바이어스 전압을 생성하고, 배터리 전압 및 기준전압을 이용하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로; 및
    상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 동작 전압을 제공하고, 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하고,
    상기 파워 증폭 회로는 상기 동작 전압을 검출하여 검출전압을 상기 제어 회로에 제공하고,
    상기 제어 회로는 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어하는 전력 증폭 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 회로는,
    상기 배터리 전압을 이용하여 상기 바이어스 전압 및 상기 기준전압을 생성하는 바이어스 회로;
    상기 배터리 전압 및 상기 기준전압을 이용하여 상기 제어 신호를 생성하고, 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어하는 고전압 파워 제어기;
    를 포함하는 전력 증폭 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 파워 증폭 회로는,
    상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 상기 동작 전압을 제공하는 직류 부스터 회로;
    상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭하는 증폭 회로; 및
    상기 동작 전압을 검출하여 상기 검출전압을 상기 고전압 파워 제어기에 제공하는 피드백 검출회로;
    를 포함하는 전력 증폭 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 고전압 파워 제어기는
    상기 검출전압을 분할하여 피드백 전압을 제공하는 전압 입력 회로;
    상기 피드백 전압과 상기 기준전압과의 오차 전압을 제공하는 오차 증폭 회로;
    상기 오차 전압과 삼각파 전압을 비교하여 펄스파 전압을 제공하는 비교 회로; 및
    상기 펄스파 전압을 상기 제어 신호로 변환하는 구동 회로;
    를 포함하는 전력 증폭 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제어 회로는,
    CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정으로 제작되는 전력 증폭 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 파워 증폭 회로는,
    HBT (Hetero-junction Bipolar Transister) 공정으로 제작되는 전력 증폭 장치.
  7. 바이어스 전압을 생성하고, 배터리 전압 및 기준전압을 이용하여 제어 신호를 생성하는 제어 회로; 및
    상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 동작 전압을 제공하고, 상기 배터리 전압, 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압에 따라 동작하여, 입력되는 신호를 증폭하는 파워 증폭 회로; 를 포함하고,
    상기 파워 증폭 회로는 상기 동작 전압을 검출하여 검출전압을 상기 제어 회로에 제공하고,
    상기 제어 회로는 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어하고,
    상기 파워 증폭 회로는 구동 증폭기와 파워 증폭기를 포함하고, 상기 구동 증폭기는 상기 배터리 전압 및 상기 바이어스 전압을 공급받아 동작하고, 상기 파워 증폭기는 상기 바이어스 전압 및 상기 동작 전압을 공급받아 동작하는
    전력 증폭 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어 회로는,
    상기 배터리 전압을 이용하여 상기 바이어스 전압 및 상기 기준전압을 생성하는 바이어스 회로; 및
    상기 배터리 전압 및 상기 기준전압을 이용하여 상기 제어 신호를 생성하고, 상기 검출전압에 따라 상기 제어 신호를 제어하는 고전압 파워 제어기;
    를 포함하는 전력 증폭 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 파워 증폭 회로는,
    상기 제어 신호에 따라 상기 배터리 전압을 승압하여 상기 동작 전압을 제공하는 직류 부스터 회로;
    상기 구동 증폭기와 파워 증폭기를 포함하여, 입력되는 신호를 증폭하는 증폭 회로; 및
    상기 동작 전압을 검출하여 상기 검출전압을 상기 고전압 파워 제어기에 제공하는 피드백 검출회로;
    를 포함하는 전력 증폭 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 고전압 파워 제어기는
    상기 검출전압을 분할하여 피드백 전압을 제공하는 전압 입력 회로;
    상기 피드백 전압과 상기 기준전압과의 오차 전압을 제공하는 오차 증폭 회로;
    상기 오차 전압과 삼각파 전압을 비교하여 펄스파 전압을 제공하는 비교 회로; 및
    상기 펄스파 전압을 상기 제어 신호로 변환하는 구동 회로;
    를 포함하는 전력 증폭 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제어 회로는,
    CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정으로 제작되는 전력 증폭 장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 파워 증폭 회로는,
    HBT (Hetero-junction Bipolar Transister) 공정으로 제작되는 전력 증폭 장치.
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