KR20180113770A - V-probe apparatus for solar Cell Wafer Inspection Equipment - Google Patents

V-probe apparatus for solar Cell Wafer Inspection Equipment Download PDF

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KR20180113770A KR1020170045287A KR20170045287A KR20180113770A KR 20180113770 A KR20180113770 A KR 20180113770A KR 1020170045287 A KR1020170045287 A KR 1020170045287A KR 20170045287 A KR20170045287 A KR 20170045287A KR 20180113770 A KR20180113770 A KR 20180113770A
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Abstract

Disclosed is a V-probe apparatus for cell wafer inspection. The V-probe apparatus for cell wafer inspection includes a support plate supported on the ground; a holder vertically formed on an upper portion of the support plate; a mounting table formed on an upper end of the holder and on which a wafer is mounted; a fixing table spaced apart from an upper portion of the mounting table and having a space formed therein; a lifting unit connecting the mounting table and the fixing table and causing the fixing table to move up and down; a plurality of test units installed on the fixing table and supplying current and voltage to the wafer; an inspection illumination device formed on an upper portion of the mounting table for irradiating the wafer with light; a power supply unit for supplying different electrodes to the mounting table and the fixing table; and a control unit for controlling the illumination device for inspection, the test unit, and the power supply unit, wherein the test unit includes a light emitting means for passing light of an inspection illumination device so as to prevent a shadow from being formed on the wafer. Accordingly, since the light transmittance can be ensured so that the light irradiated from the inspection illumination device is not shaded due to the test unit, the yield of the wafer for the solar cell can be improved. It is easy to assemble and separate each bus bar, maintenance is easy, and the bus bar can be individually replaced, thereby remarkably reducing the maintenance cost.

Description

쏠라셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치{V-probe apparatus for solar Cell Wafer Inspection Equipment}(V-probe apparatus for solar cell wafer inspection apparatus)

개시되는 내용은 쏠라셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 태양광 웨이퍼의 표면에 형성된 칩핑 또는 오염(stain) 등의 결함의 유무를 검사함에 있어서, 웨이퍼 표면에 검사불능영역이 존재하지 않도록 하여 정확한 웨이퍼 표면 검사가 이루어지도록 하는 쏠라셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에 관한 것이다. The present invention relates to a V-probe apparatus for inspecting a solar cell wafer, and more particularly, to a V-probe apparatus for inspecting the presence or absence of defects such as chipping or stain formed on a surface of a solar photovoltaic wafer, To a V-probe apparatus for inspection of a solar cell wafer.

본 명세서에서 달리 표시되지 않는 한, 이 섹션에 설명되는 내용들은 이 출원의 청구항들에 대한 종래 기술이 아니며, 이 섹션에 포함된다고 하여 종래 기술이라고 인정되는 것은 아니다.Unless otherwise indicated herein, the contents set forth in this section are not prior art to the claims of this application and are not to be construed as prior art to be included in this section.

웨이퍼는 단결정 실리콘으로 구성된 단결정 웨이퍼(single crystalline wafer)와 다결정 실리콘으로 구성된 다결정 웨이퍼(poly crystalline wafer)으로 분류된다. The wafers are classified into single crystalline wafers composed of single crystal silicon and poly crystalline wafers composed of polycrystalline silicon.

단결정 웨이퍼는 주로 반도체용으로 사용되고, 다결정 웨이퍼는 주로 태양광 모듈용으로 사용된다.Monocrystalline wafers are mainly used for semiconductors, and polycrystalline wafers are mainly used for photovoltaic modules.

쏠라 셀의 제조에 사용되는 태양전지 셀용 웨이퍼는 다결정 실리콘 잉곳을 여러 개의 직육방체로 절단하여 잉곳 부재(이렇게 분할된 잉곳 부재를 브릭(brick) 또는 칼럼(column)이라 함)를 제조하고, 잉곳 부재를 와이어 쏘(wire saw) 절단 방식 등을 이용하여 두께가 얇은 웨이퍼로 슬라이싱함으로써 제조된다.A wafer for a solar cell used in the manufacture of a solar cell is obtained by cutting a polycrystalline silicon ingot into a plurality of rectangular parallelepipeds to produce an ingot member (a brick or a column is thus divided into ingot members) Is manufactured by slicing a thin wafer into a wafer using a wire saw cutting method or the like.

잉곳 부재를 와이어 쏘 절단 방식을 이용하여 절단할 때 와이어와 잉곳이 만나는 부분에 연마재(abrasive)가 함유된 슬러리(slurry)를 분사하여 잉곳 부재를 얇은 웨이퍼로 슬라이싱하거나, 다이아몬드 미립자와 같은 미세한 연마재가 고착되어 있는 와이어를 이용하여 잉곳 부재를 슬라이싱하는 방식이 사용되고 있다.When the ingot member is cut using a wire saw cutting method, a slurry containing abrasive is sprayed on a portion where the wire meets the ingot, so that the ingot member is sliced with a thin wafer or a fine abrasive such as diamond fine particles A method of slicing an ingot member by using a fixed wire is used.

이렇게 제조된 웨이퍼는 웨이퍼를 처리하는 각각의 공정 전후로 웨이퍼에 오염물질이 잔류하는지 여부 및 웨이퍼에 칩핑과 같은 결함이 있는지 여부를 검사하는 검사공정을 수행하게 된다. The wafer thus manufactured is subjected to an inspection process to check whether or not the wafer remains contaminated before and after each process of treating the wafer and whether there is a defect such as chipping on the wafer.

웨이퍼의 표면에 형성된 칩핑 또는 오염(stain) 등 결함 유무를 검사하기 위해서는 웨이퍼 표면에 전체적으로 균일한 빛을 조사하면서 셀 웨이퍼의 표면을 검사하여 웨이퍼 표면의 검사영역 내에 칩핑 또는 오염(stain) 등의 결함이 존재하는지 여부를 판단하게 된다. In order to check whether there is any defect such as chipping or stain formed on the surface of the wafer, it is necessary to inspect the surface of the cell wafer while irradiating uniformly light on the surface of the wafer as a whole, and to inspect the wafer surface for defects such as chipping or stain Is present or not.

쏠라셀의 검사 및 측정방식은 E/L 방법(Electro luminescence Inspection)과 IV(Electric current & Voltage) 방법이 있다. Electro luminescence inspection (E / L) and electric current & voltage (IV) methods are available for inspection and measurement of solar cells.

E/L방법은 암실내에서 쏠라셀에 저 전류를 인가하면 근적외선 파장의 발광하는 빛을 이용하여 셀 패턴의 단락, 미세 균열, 오염 등을 검사하게 된다.In the E / L method, when a low current is applied to the solar cell in the arm room, short-circuit, microcracks, and contamination of the cell pattern are inspected using light emitted by the near-infrared wavelength.

IV방법은 쏠라셀에 빛을 인가한 후 발생된 전류와 전압량을 측정하여 효율을 검사하는 방식이다. IV method is a method of measuring the efficiency by measuring the current and voltage generated after applying light to the solar cell.

이외에 암실내에서 쏠라셀에 일정량의 조명을 비춰 셀의 색상 별로 구분하는 것으로 모듈 제작시 같은 색상의 셀로 조합할 수 있는 색상 검사법이 있다.In addition, there is a color test method that can be combined with a cell of the same color in the module production by dividing the solar cell with a certain amount of light by the color of the cell.

또한 쏠라셀에 저전류를 인가하고 주파수에 맞는 레이저 값을 인가하여 검사하는 P/L 방법이 있다. There is also a P / L method in which a low current is applied to the solar cell and a laser value matching the frequency is applied.

한국 공개특허 10-2013-0030530호.Korean Patent Publication No. 10-2013-0030530.

개시되는 내용은 쏠라셀에 형성된 미세폭(Fine Pitch) 전극에 가능한 많은 수직접촉핀(Vertical Contact Pin)이 접촉할 수 있도록 배치하여 최대의 전류 및 전압을 측정할 수 있도록 하여 최대 효율의 정밀한 검사가 가능한 쏠라셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에 관련된다. The contents of the disclosure are arranged so that as many vertical contact pins as possible contact the fine pitch electrode formed on the solar cell so that the maximum current and voltage can be measured, Probe device for solar cell wafer inspection as far as possible.

또한 진공압을 통해 쏠라셀이 수직접촉핀에 직접 접촉될 수 있도록 함으로써 단순한 구조로 제작 가능하고, 반도체 Test 공정에서 경험하고 검증된 수직 접촉 방법을 활용하여 구조적으로 안정된 저가형 검사 장치에 관련된다. In addition, the solar cell can be directly contacted with the vertical contact pin through the vacuum pressure, so that it can be manufactured with a simple structure and is structurally stable using a vertical contact method experienced and verified in a semiconductor test process.

실시예의 목적은, 진공흡입홀이 상부에 다수 형성되고 일측에 진공흡입포트가 형성되어 외부로부터 진공흡입력이 발생되어 진공흡입홀을 통해 진공흡입되도록 하는 진공홀더; 진공홀더의 상부에 부착되는 피씨비; 피씨비의 상면 및 하면의 가장자리에 부착되어 진공 영역을 형성하는 패킹; 피씨비의 상부에 결합되며 셀 웨이퍼가 안착되는 진공블럭;을 포함하고, 상기 피씨비는, 기판의 상면에 연속적으로 교호 형성되는 양극 전원이 공급되는 양극 핑거와 음극 전원이 공급되는 음극 핑거; 양극 핑거에 한쌍으로 형성되는 양극 전압핀홀더과 양극 전류핀홀더; 음극 핑거에 한쌍으로 형성되는 음극 전압핀홀더과 음극 전류핀홀더;을 포함하며, 상기 양극 전압핀홀더, 음극 전류핀홀더, 음극 전압핀홀더, 음극 전류핀홀더을 각각 연결하는 도전선이 복수개 형성되어 이루어진 쏠라셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에 의해 달성될 수 있다. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a vacuum cleaner and a vacuum cleaner having the vacuum suction hole and the vacuum suction hole. A PCB attached to the top of the vacuum holder; A packing attached to the upper and lower edges of the PCB to form a vacuum region; A cathode finger coupled to the upper portion of the substrate and having a cell wafer mounted thereon, the cathode being provided with a cathode finger and a cathode power source supplied with anode power, the anode finger being alternately formed on the upper surface of the substrate; An anode voltage pin holder and a cathode current pin holder formed in pairs in the anode finger; And a plurality of conductive wires connecting the anode voltage pin holder, the cathode current pin holder, the cathode voltage pin holder, and the cathode current pin holder, wherein the anode voltage pin holder and the cathode current pin holder are formed as a pair in the cathode finger And a V-probe device for solar cell wafer inspection.

개시된 실시예에 따르면, 박판형 쏠라셀을 검사하기 위해 기구를 사용하지 않고 진공압에 의해 고정시킬 수 있어 파손을 방지할 수 있으며, 전류와 전압의 음극 및 양극에 대응하는 4개의 단자를 구비한 피씨비를 적용함으로써 전류, 전압 측정의 정확도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the disclosed embodiments, it is possible to fix the thin plate type solar cell by vacuum pressure without using a mechanism for inspecting the thin plate type solar cell and to prevent breakage, and it is possible to prevent breakage by using a PCB having four terminals corresponding to a cathode and an anode of current and voltage It is possible to improve the accuracy of current and voltage measurement.

도 1은 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치를 나타낸 사시도,
도 2는 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치를 나타낸 분해사시도,
도 3은 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에 대한 부분 절개 사시도,
도 4는 상기 도 3에 대한 정단면도,
도 5는 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에서 '피씨비'에 대한 개념도,
도 6은 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에서 '피씨비'를 나타낸 평면도.1 is a perspective view showing a V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the present embodiment,
2 is an exploded perspective view showing a V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the present embodiment,
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view of a V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the present embodiment,
FIG. 4 is a front sectional view of FIG. 3,
5 is a conceptual diagram of 'PCB' in the V-probe apparatus for cell wafer inspection according to the present embodiment,
FIG. 6 is a plan view showing a 'PCB' in the V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the present embodiment. FIG.

이하 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

하기에서 설명될 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이며, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. It does not mean anything.

또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있으며, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있고, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 함을 밝혀둔다. In addition, the sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation, and the terms defined specifically in consideration of the configuration and operation of the present invention may vary depending on the intention or custom of the user, operator It should be noted that the definitions of these terms should be made on the basis of the contents throughout this specification.

첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치를 나타낸 사시도, 도 2는 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치를 나타낸 분해사시도, 도 3은 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에 대한 부분 절개 사시도, 도 4는 상기 도 3에 대한 정단면도, 도 5는 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에서 '피씨비'에 대한 개념도, 도 6은 본 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치에서 '피씨비'를 나타낸 평면도이다.1 is a perspective view showing a V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the present embodiment, FIG. 2 is an exploded perspective view showing a V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the present embodiment, and FIG. FIG. 4 is a front sectional view of the V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the embodiment, FIG. 4 is a front sectional view of the V-probe apparatus for the cell wafer inspection according to the embodiment, FIG. FIG. 6 is a plan view showing a 'PCB' in the V-probe device for inspecting a cell wafer according to the present embodiment.

도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치는, 진공흡입홀이 상부에 다수 형성되고 일측에 진공흡입포트(120)가 형성되어 외부로부터 진공흡입력이 발생되어 진공흡입홀을 통해 진공흡입되도록 하는 진공홀더(100); 진공홀더(100)의 상부에 부착되는 피씨비(200); 피씨비(200)의 상면 및 하면의 가장자리에 부착되어 진공 영역을 형성하는 패킹(300); 피씨비(200)의 상부에 결합되며 셀 웨이퍼(W)가 안착되는 진공블럭(400);을 포함하여 구성된다. As shown in FIGS. 1 to 6, in the V-probe apparatus for inspecting a cell wafer according to the embodiment, a plurality of vacuum suction holes are formed at the upper portion and a vacuum suction port 120 is formed at one side, A vacuum holder 100 for generating and evacuating vacuum through the vacuum suction holes; A PCB 200 attached to the upper portion of the vacuum holder 100; A packing 300 attached to the upper and lower edges of the PCB 200 to form a vacuum region; And a vacuum block 400 coupled to an upper portion of the PCB 200 and on which the cell wafer W is mounted.

상기 진공홀더(100)는 대략 사각형으로 형성되며, 측면에 다수의 진공흡입포트(120)가 형성되어 이 진공흡입포트(120)에 외부의 진공발생장치(미도시)의 호스가 연결되도록 하고, 내부에는 진공흡입관(미도시)이 배열되며, 상면에는 다수의 진공흡입홀이 형성된다. The vacuum holder 100 is formed in a substantially rectangular shape and has a plurality of vacuum suction ports 120 formed on the side thereof to connect a hose of an external vacuum generator device (not shown) to the vacuum suction port 120, A vacuum suction pipe (not shown) is arranged inside, and a plurality of vacuum suction holes are formed on the upper surface.

따라서 진공흡입력이 발생되면 다수의 진공흡입홀에 균일하게 흡입압이 발생됨으로써 그 상부의 셀 웨이퍼(W)를 하방으로 당기면서 흡착하게 된다. Accordingly, when a vacuum suction force is generated, a suction pressure is uniformly generated in a plurality of vacuum suction holes, so that the upper portion of the cell wafer W is attracted while being pulled downward.

진공 홀더(100)의 상면에는 복수의 정렬 핀(150)이 수직하게 형성된다. 정렬 핀(150)은 후술될 프레임(600)이 관통 결합되며 정확한 위치를 잡을 수 있게 보조하게 된다. A plurality of alignment pins 150 are vertically formed on the upper surface of the vacuum holder 100. The alignment pin 150 is inserted through the frame 600 to be described later and assists in positioning the alignment frame 150 accurately.

상기 피씨비(200)는 도 5에 도시된 바와 같이, 상면에 연속적으로 교호 형성되는 양극 전원이 공급되는 양극 핑거(220)와 음극 전원이 공급되는 음극 핑거(210); 양극 핑거(220)에 한쌍으로 형성되는 양극 전압핀홀더(230)과 양극 전류핀홀더(240); 음극 핑거(210)에 한쌍으로 형성되는 음극 전압핀홀더(250)과 음극 전류핀홀더(260);을 포함한다. As shown in FIG. 5, the PCB 200 includes a cathode finger 220 to which a cathode power is supplied, and a cathode finger 210 to which a cathode power is supplied; An anode voltage pin holder 230 and a cathode current pin holder 240 formed in pairs in the anode finger 220; And a negative electrode voltage pin holder 250 and a negative electrode current pin holder 260 formed in pairs in the negative electrode fingers 210.

또한 양극 전압핀홀더(230), 양극 전류핀홀더(240), 음극 전압핀홀더(250), 음극 전류핀홀더(260)을 각각 연결하는 도전선(L1~L4)이 복수개 형성되어 이루어진다. A plurality of conductive lines L1 to L4 for connecting the anode voltage pin holder 230, the anode current pin holder 240, the cathode voltage pin holder 250 and the cathode current pin holder 260 are formed.

피씨비(200)의 상면에 직선형상의 양극 핑거(220)와 음극 핑거(210)가 동일한 간격으로 번갈아가면서 형성된다. A linear anode finger 220 and a cathode finger 210 are alternately formed at equal intervals on the upper surface of the PCB 200.

양극 핑거(220) 및 음극 핑거(210) 각각은 폭은 200㎛, 양극 핑거(220)와 음극 핑거(210) 간의 거리는 500㎛가 바람직하다. The width of each of the anode finger 220 and the cathode finger 210 is preferably 200 mu m and the distance between the anode finger 220 and the cathode finger 210 is preferably 500 mu m.

양극 전압핀홀더(230)과 양극 전류핀홀더(240) 및 도전선(L1,L2)가 한쌍을 이루며 양극 핑거(220)에 접촉되어 형성된다. A pair of anode voltage pin holders 230 and anode current pin holders 240 and conductive lines L1 and L2 are formed in contact with the anode fingers 220. [

음극 전압핀홀더(250)과 음극 전류핀홀더(260) 및 도전선(L3,L4)가 한쌍을 이루면 음극 핑거(210)에 접촉되어 형성된다. The negative electrode voltage pin holder 250 and the negative electrode current pin holder 260 and the conductive lines L3 and L4 are formed in contact with the negative electrode finger 210. [

상기 진공블럭(400)은 피씨비(200)의 형상과 동일한 사각형으로 형성되고, 바람직하게는 피씨비(200)의 면적 보다 약간 크게 형성된다.The vacuum block 400 is formed in the same rectangular shape as the shape of the PCB 200, and is preferably formed to be slightly larger than the area of the PCB 200.

진공블럭(400)에는 상하 관통되는 다수의 핀홀더(430)가 형성되고, 각각의 핀홀더(430)에는 접속핀(500)이 삽입되어 결합된다.A plurality of pin holders 430 are formed in the vacuum block 400 so as to pass through the upper and lower portions of the vacuum block 400. The connection pins 500 are inserted into the pin holders 430 to be coupled.

핀홀더(430)는 진공블럭(400)에 수직하게 결합되며 상하 관통 형성된 파이프(432)와, 파이프(432)의 상부 내측으로 삽입되는 캡(434)으로 구성된다. The pin holder 430 is composed of a pipe 432 formed vertically through the vacuum block 400 and a cap 434 inserted into the upper portion of the pipe 432.

파이프(432)의 내부에 접속핀(500)이 삽입되고, 캡(434)의 내측에 탐침(520)이 삽입되며, 캡(434)은 파이프(432) 보다 직경이 작게 형성되어 상하로 슬라이딩될 수 있다. The connection pin 500 is inserted into the pipe 432 and the probe 520 is inserted into the cap 434. The cap 434 is formed to be smaller in diameter than the pipe 432 and is slid up and down .

바람직하게는 핀홀더(430)의 상부 일부분이 진공블럭(400)의 상면으로 돌출되어 노출되도록 하고, 접속핀(500)의 상단이 핀홀더(430)의 상단으로부터 상부로 돌출되어 셀 웨이퍼(W)를 지지하도록 하고, 상기 접속핀(500)의 하단이 피씨비(200)에 연결되도록 한다. The upper part of the pin holder 430 protrudes upward from the top of the pin holder 430 so that the upper part of the connection pin 500 protrudes upward from the top of the pin holder 430, So that the lower end of the connection pin 500 is connected to the PCB 200.

상기 접속핀(500)은, 핀홀더(430)에 삽입되는 판상부(540)와, 상기 판상부(540)의 상부에 가늘게 형성되는 탐침(520)과, 상기 판상부(540)의 하부에 가늘게 형성되는 연결바(560)와, 상기 연결바(560)의 하부에 형성되어 피씨비(200)에 접촉되는 하단바(580)로 이루어진다. The connection pin 500 includes a plate upper part 540 inserted into the pin holder 430, a probe 520 formed thinly on the upper part of the plate upper part 540, And a lower bar 580 formed at a lower portion of the connecting bar 560 and contacting the PCB 200. [

판상부(540)와 하단바(580) 사이를 연결하는 연결바(560)는 가늘게 형성됨으로서 탄성력을 발휘할 수 있고, 아울러 탐침(520)도 연결바(560)와 동일 또는 유사하게 가늘게 형성됨으로써 약간의 탄성력을 발휘할 수 있게 된다. The connection bar 560 connecting between the plate upper part 540 and the lower end bar 580 is formed thin so as to exert an elastic force and the probe 520 is formed to have the same or similar shape as the connection bar 560, It is possible to exert an elastic force of

따라서 진공흡입력에 의해 셀 웨이퍼(W)가 하방으로 당겨짐에 따라 탐침 및 연결바(560)가 일시적으로 휘어지면서 탄발력이 생성되고, 진공흡입력이 해제되면 복원력이 작용함에 따라 셀 웨이퍼(W)를 밀어 상승시키게 된다. Accordingly, as the cell wafer W is pulled downward by the vacuum suction force, the probe and the connecting bar 560 are temporarily bent to generate the elastic force, and when the vacuum suction force is released, the restoring force acts on the cell wafer W Pushing it upward.

도 6에 도시된 바와 같이, 피씨비(200)의 일측에는 전압용 커넥터(C3)가 형성되고, 전압용 커넥터(C3)는 음극 전압핀홀더(250)과 양극 전압핀홀더(230)에 각기 연결된 도전선(L3,L1)이 연결되어 구성된다. 6, the voltage connector C3 is formed on one side of the PCB 200 and the voltage connector C3 is connected to the negative voltage pin holder 250 and the positive voltage pin holder 230, respectively And the conductive lines L3 and L1 are connected.

상기 피씨비(200)의 타측에는 음극 전류핀홀더(260)에 연결된 도전선(L4)이 연결되는 음극 커넥터(C1)와, 양극 전류핀홀더(240)에 연결된 도전선(L2)이 연결되는 양극 커넥터(C2)가 형성된다. A cathode connector C1 to which a conductive line L4 connected to a cathode current pin holder 260 is connected and a cathode connector C1 to which a conductive line L2 connected to the anode current pin holder 240 is connected, The connector C2 is formed.

전압용 커넥터(C3)는 중간에 형성되고, 그 양측으로 음극 커넥터(C1) 및 양극 커넥터(C2)가 형성된다. The voltage connector C3 is formed in the middle, and the negative electrode connector C1 and the positive electrode connector C2 are formed on both sides thereof.

한편 상기 피씨비(200)의 외곽에 프레임(600)이 결합된다. 프레임(600)의 일측에는 전압용 커넥터(C3), 양극 커넥터(C2) 및 음극 커넥터(C1)가 삽입되도록 홈이 형성된다. On the other hand, the frame 600 is coupled to the outer periphery of the PCB 200. A groove is formed on one side of the frame 600 to insert the voltage connector C3, the positive electrode connector C2, and the negative electrode connector C1.

상기 프레임(600)은 대략 사각형으로 형성되고, 중앙에는 셀 웨이퍼(W)가 삽입되는 공간(620)이 형성되고, 가장자리에는 정렬 핀(150)에 대응되는 통공이 형성된다.The frame 600 is formed in a substantially rectangular shape, and a space 620 through which the cell wafer W is inserted is formed at the center, and a through hole corresponding to the alignment pin 150 is formed at the edge.

따라서 프레임(600)의 통공에 정렬 핀(150)이 관통하여 결합됨으로써 정확한 위치를 잡아 결합될 수 있게 된다. Accordingly, the aligning pin 150 is coupled to the through hole of the frame 600 to be precisely positioned and coupled.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described.

진공홀더(100)의 상부에 피씨비(200)를 부착하고, 피씨비(200)의 상부에 진공블럭(400)을 장착하되, 피씨비(200)의 상,하면 테두리에는 패킹(300)이 삽입되어 진공흡입력이 누설되지 않도록 기밀작업을 한다. A vacuum pump 200 is attached to the upper portion of the vacuum holder 100 and a vacuum block 400 is mounted on the upper portion of the PCB 200. A packing 300 is inserted into upper and lower edges of the PCB 200, Airtight work is done to prevent leakage of suction force.

이후 진공블럭(400)의 외주연에 형성된 정렬 핀(150)에 프레임(600)을 결합시켜 정위치에 위치되도록 하고, 프레임(600)의 중앙 공간(620)에 셀 웨이퍼(W)를 삽입하여 진공블럭(400)의 상면에 안착되도록 한다.The frame 600 is coupled to the alignment pin 150 formed on the outer periphery of the vacuum block 400 and the cell wafer W is inserted into the central space 620 of the frame 600 And is seated on the upper surface of the vacuum block 400.

안착된 셀 웨이퍼(W)는 접속핀(500)의 상부 탐침(520)에 지지되어 진공블럭(400)의 상면과 이격되어 소정 높이에 위치하게 된다. The mounted cell wafer W is supported by the upper probe 520 of the connection pin 500 and is spaced apart from the upper surface of the vacuum block 400 and positioned at a predetermined height.

이후 진공블럭(400)에 진공흡입력이 작동되면, 진공흡입력에 의해 셀 웨이퍼(W)가 하방으로 당겨짐에 따라 탐침(520) 및 연결바(560)가 일시적으로 만곡지게 휘어지면서 진공블럭(400)의 상면에 근접할때까지 하강하게 된다. When the vacuum suction force is applied to the vacuum block 400, the probe 520 and the connection bar 560 are temporarily curved and bent as the cell wafer W is pulled downward by the vacuum suction force, As shown in FIG.

이렇게 셀 웨이퍼(W)가 하강하면서 가압된 접속핀(500)의 하단바가 피씨비(200)에 접촉됨으로써 양극 및 음극 전압과 양극 및 음극 전류가 인가되면서 특성을 검사하게 되고, 불량여부를 판단하게 된다. As the cell wafer W is lowered, the lower end bar of the pressurized connection pin 500 is contacted with the PCB 200, so that the anode and cathode voltages, the anode and cathode currents are applied, and the characteristics are inspected, .

이후 진공흡입력이 해제되면 접속핀(500)의 복원력에 의해 셀 웨이퍼(W)를 밀어 상승시킴으로서 접속핀(500)의 하단바가 피씨비(200)와 이격되어 대기 상태에 놓이게 된다. When the vacuum suction force is released, the cell wafer W is pushed up by the restoring force of the connection pin 500, so that the lower end bar of the connection pin 500 is separated from the PCB 200 and is in a standby state.

비록 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the invention, and all such changes and modifications are intended to be within the scope of the appended claims. It is self-evident.

100 : 진공홀더 200 : 피씨비
300 : 패킹 400 : 진공블럭
W : 셀 웨이퍼 120 : 진공흡입포트
210 : 음극 핑거 220 : 양극 핑거
230 : 양극 전압핀홀더 240 : 양극 전류핀홀더
250 : 음극 전압핀홀더 260 : 음극 전류핀홀더
L1~L4 : 도전선 400 : 진공블럭
430 : 핀홀더 500 : 접속핀
520 : 탐침 540 : 판상부
560 : 연결바 580 : 하단바100: Vacuum holder 200:
300: Packing 400: Vacuum block
W: Cell wafer 120: Vacuum suction port
210: cathode finger 220: anode finger
230: anode voltage pin holder 240: anode current pin holder
250: Cathode voltage pin holder 260: Cathode current pin holder
L1 to L4: conductive line 400: vacuum block
430: pin holder 500: connecting pin
520: probe 540: plate top
560: connection bar 580: bottom bar

Claims (6)

진공흡입홀이 상부에 다수 형성되고 일측에 진공흡입포트가 형성되어 외부로부터 진공흡입력이 발생되어 진공흡입홀을 통해 진공흡입되도록 하는 진공홀더;
진공홀더의 상부에 부착되는 피씨비;
피씨비의 상면 및 하면의 가장자리에 부착되어 진공 영역을 형성하는 패킹;
피씨비의 상부에 결합되며 셀 웨이퍼가 안착되는 진공블럭;을 포함하고,
상기 피씨비는
기판의 상면에 연속적으로 교호 형성되는 양극 전원이 공급되는 양극 핑거와 음극 전원이 공급되는 음극 핑거;
양극 핑거에 한쌍으로 형성되는 양극 전압핀홀더과 양극 전류핀홀더;
음극 핑거에 한쌍으로 형성되는 음극 전압핀홀더과 음극 전류핀홀더;을 포함하며,
상기 양극 전압핀홀더, 음극 전류핀홀더, 음극 전압핀홀더, 음극 전류핀홀더을 각각 연결하는 도전선이 복수개 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 쏠라셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치. A vacuum holder in which a plurality of vacuum suction holes are formed at the upper portion and a vacuum suction port is formed at one side so that a vacuum suction force is generated from the outside to vacuum suction through the vacuum suction hole;
A PCB attached to the top of the vacuum holder;
A packing attached to the upper and lower edges of the PCB to form a vacuum region;
A vacuum block coupled to an upper portion of the PCB and having a cell wafer mounted thereon,
The above-
A cathode finger to which a cathode power is supplied and a cathode finger to which an anode power is continuously alternately formed on an upper surface of a substrate;
An anode voltage pin holder and a cathode current pin holder formed in pairs in the anode finger;
A cathode voltage pin holder and a cathode current pin holder formed in pairs in the cathode finger,
And a plurality of conductive wires connecting the anode voltage pin holder, the cathode current pin holder, the cathode voltage pin holder, and the cathode current pin holder, respectively, are formed. 제 1항에 있어서,
상기 진공블럭은
상하 관통되게 다수의 핀홀더가 형성되고, 각각의 핀홀더에는 접속핀이 삽입되며,
상기 접속핀의 상단이 상면으로 노출되어 셀 웨이퍼를 지지하고,
상기 접속핀의 하단이 피씨비에 연결되는 것을 특징으로 하는 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치. The method according to claim 1,
The vacuum block
A plurality of pin holders are formed so as to pass through the upper and lower portions, connection pins are inserted into the respective pin holders,
An upper end of the connection pin is exposed to the upper surface to support the cell wafer,
And the lower end of the connection pin is connected to the PCB. 제 2항에 있어서,
상기 접속핀은
핀홀더에 삽입되는 판상부;
상기 판상부의 상부에 가늘게 형성되는 탐침;
상기 판상부의 하부에 가늘게 형성되는 연결바;
상기 연결바의 하부에 형성되어 피씨비에 접촉되는 하단바;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치. 3. The method of claim 2,
The connecting pin
A plate top inserted into the pin holder;
A probe thinly formed on an upper portion of the plate;
A connection bar formed at a lower portion of the upper portion of the plate;
A lower bar formed at a lower portion of the connection bar and contacting the PCB;
Wherein the V-probe device is a V-probe device for inspecting a cell wafer. 제 1항에 있어서,
상기 피씨비의 일측에는 전압용 커넥터가 형성되고,
상기 전압용 커넥터는 음극 전압핀홀더과 양극 전압핀홀더에 각기 연결된 도전선이 연결되는 것을 특징으로 하는 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치. The method according to claim 1,
A voltage connector is formed on one side of the PCB,
Wherein the voltage connector is connected to a negative voltage pin holder and a positive voltage pin holder, respectively. 제 4항에 있어서,
상기 피씨비의 타측에는 음극 전류핀홀더에 연결된 도전선이 연결되는 음극 커넥터와, 양극 전류핀홀더에 연결된 도전선이 연결되는 양극 커넥터가 형성된 것을 특징으로 하는 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치.5. The method of claim 4,
And a cathode connector to which a conductive line connected to a cathode current pin holder is connected and a cathode connector to which a conductive line connected to a cathode current pin holder is connected are formed on the other side of the PCB. 제 3항에 있어서,
상기 피씨비의 외곽에 결합되며 프레임과,
상기 프레임의 상면에 결합되며 중앙에는 셀 웨이퍼가 삽입되는 공간이 형성되고,
상기 프레임의 상면에 복수의 정렬 핀이 형성된 것을 특징으로 하는 셀 웨이퍼 검사용 V-프로브장치.

The method of claim 3,
A frame coupled to an outer periphery of the PCB,
A space coupled to an upper surface of the frame and having a cell wafer inserted therein,
And a plurality of alignment pins are formed on an upper surface of the frame.

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