KR20180093754A - MIT Application Circuit using MIT Device, Electrical and Electronic System including the Same and Driving Method of the Same - Google Patents

MIT Application Circuit using MIT Device, Electrical and Electronic System including the Same and Driving Method of the Same Download PDF

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Abstract

Disclosed are an MIT application circuit applying an MIT element, capable of protecting a system by automatically controlling an output current using the MIT element, an electrical and electronic system including the same, and a driving method thereof. The present invention can maintain a balance state by automatically repeating operations of increasing and decreasing the output current using the MIT application circuit without system down when an overcurrent and an over-temperature due to the overcurrent are generated in the system. Therefore, the present invention can protect the system by maintaining a constant current and a constant temperature of a safe state with a current level not to exceed a predetermined temperature.

Description

MIT소자를 적용한 MIT응용회로, 이를 포함하는 전기전자 시스템 및 그 구동방법{MIT Application Circuit using MIT Device, Electrical and Electronic System including the Same and Driving Method of the Same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an MIT application circuit, an electric / electronic system including the MIT application circuit,

본 발명은 온도 및 전류를 제한하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MIT(Metal Insulator Transition) 소자가 시스템의 발열량을 감지하여 시스템 내의 특정 부분의 온도가 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절할 수 있는 MIT소자를 적용한 MIT응용회로, 이를 포함하는 전기전자 시스템 및 그 구동방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a method of controlling a temperature and a current, and more particularly, an MIT (Metal Insulator Transition) device detects a calorific value of the system and automatically adjusts a current so that a temperature of a specific part in the system does not exceed a predetermined temperature An MIT application circuit using the MIT device, and an electric and electronic system including the MIT application circuit and a driving method thereof.

LED 구동회로, 휴대폰 충전용 어댑터, 모터 Driver등 많은 시스템에서 일정한 전류를 공급하기 위해 정전류 IC를 사용하고 있으며, 이 정전류 IC는 전류감지용 저항에서의 전압강하를 내부 레퍼런스 전압과 비교하여 그 레퍼런스 전압 이상의 전압강하가 발생하지 않도록 내부 스위치의 ON/OFF를 반복하여 일정한 전류를 유지하게 된다. 이러한 전류감지용 저항의 저항값이 클수록 작은 전류가 흐르고, 저항값이 작을수록 큰 전류가 흐르게 된다.In many systems, such as LED driver circuits, mobile phone charging adapters, and motor drivers, constant current ICs are used to supply a constant current. This constant current IC compares the voltage drop in the current sensing resistor with the internal reference voltage, The internal switch is repeatedly turned on and off so that a constant current is maintained. The larger the resistance value of the current sensing resistor, the smaller the current flows, and the smaller the resistance value, the larger the current flows.

하지만, 이러한 종래의 시스템은 열발생 상태와 무관하게 일정한 전류가 흐르기 때문에 시스템의 신뢰성 및 수명에 악영향을 줄 수 있다. 또한, 퓨즈(Fuse), Bi-metal, Self Protected MOSFET 등의 회로나 종래의 MIT소자를 적용한 시스템은 과온도나 과전류 발생시 시스템을 다운(System down)시킴으로써 시스템을 보호하는 방식이기 때문에 시스템 다운시 시스템을 재설정해야 하는 번거로움이 발생되고, 이에 따른 경제적 손실이 발생된다.However, such a conventional system can adversely affect the reliability and lifetime of the system because a constant current flows regardless of the heat generation state. In addition, since a system using a fuse, a Bi-metal, a self-protected MOSFET, or a conventional MIT device is used to protect the system by downing the system in the event of an over-temperature or an over-current, It is troublesome to reset the system and an economic loss occurs.

한국등록특허 10-0744551Korean Patent No. 10-0744551

본 발명이 이루고자 하는 제1 기술적 과제는 MIT소자를 적용한 MIT응용회로를 이용하여 시스템 내의 특정 부분의 온도가 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절할 수 있는 MIT소자를 적용한 MIT응용회로를 제공하는데 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an MIT application circuit using an MIT device capable of automatically adjusting a current so that a temperature of a specific part in a system does not exceed a predetermined temperature by using an MIT application circuit using an MIT device have.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 제2 기술적 과제는 상기 제1 기술적 과제의 MIT응용회로를 이용하여 과전류 및 과온도 발생시 시스템을 다운 시키지 않고, 자동으로 출력전류를 제어하여 시스템을 보호할 수 있는 MIT응용회로를 포함하는 전기전자시스템을 제공하는데 있다.According to a second aspect of the present invention, there is provided an MIT application circuit capable of protecting a system by automatically controlling an output current without causing a system to go down when an overcurrent and an overtemperature are generated using the MIT application circuit of the first technical object And an electric and electronic system including the circuit.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 제3 기술적 과제는 상기 제1 기술적 과제를 달성하기 위한 동작방법을 제공하는데 있다.According to a third aspect of the present invention, there is provided an operation method for accomplishing the first technical object.

상술한 제1 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자; 상기 MIT소자에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값에 따라 출력전류를 제어하는 FET; 및 상기 FET의 게이트에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값과 함께 상기 FET의 게이트-소스 전압을 결정하는 고정저항을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an MIT device including: a metal-insulator transition (MIT) device generating an abrupt metal-insulator transition according to ambient temperature; An FET connected to the MIT device and controlling an output current according to a resistance value of the MIT device; And a fixed resistor connected to the gate of the FET and determining a gate-source voltage of the FET together with a resistance value of the MIT device.

상기 MIT소자는 상기 FET의 게이트와 소스에 연결될 수 있다.The MIT device may be connected to the gate and source of the FET.

상기 MIT소자의 저항값이 낮아지는 특정 온도를 기준으로 상기 MIT소자의 저항값이 하락하면, 상기 FET의 드레인-소스의 저항값은 상승될 수 있다.If the resistance value of the MIT device is decreased based on a specific temperature at which the resistance value of the MIT device is lowered, the resistance value of the drain-source of the FET may be increased.

상기 MIT소자가 감지하는 온도가 상기 MIT소자의 임계온도 이상으로 상승하면 상기 FET의 드레인-소스의 저항값이 상승하여 출력전류를 감소시키고, 상기 출력전류의 감소에 의해 발열량이 감소하면 상기 드레인-소스 저항값이 하락하여 출력전류를 상승시키는 과정이 반복될 수 있다.When the temperature sensed by the MIT device rises above a critical temperature of the MIT device, the resistance value of the drain-source of the FET rises to reduce the output current, and when the heating value decreases due to the decrease of the output current, The process of raising the output current by decreasing the source resistance value may be repeated.

상기 MIT소자를 적용한 MIT응용회로는, DC정전압에서 인가되는 전압에 의해 빛을 발광하는 LED 발광 시스템에 상기 MIT응용회로가 부하와 직렬로 연결되고, 상기 DC정전압에서 인가되는 전압에 따라 상기 MIT응용회로의 동작 여부가 결정될 수 있다.The MIT application circuit to which the MIT device is applied includes a MIT application circuit connected in series with a load to a LED light emission system that emits light by a voltage applied at a DC constant voltage, The operation of the circuit can be determined.

상기 MIT소자는 상기 FET의 게이트와 소스에 직렬로 연결되고, 상기 고정저항은 상기 FET의 게이트에 연결될 수 있다.The MIT device is connected in series to the gate and the source of the FET, and the fixed resistor can be connected to the gate of the FET.

상기 DC정전압에서 상기 LED로 정상 전압이 인가될 경우, 상기 FET의 저항값은 낮게 설정되고, 상기 DC정전압에서 상기 LED로 정상 전압보다 높은 초과전압이 인가되어 상기 LED에서 발열되는 온도가 상승될 경우, 상기 FET의 저항값이 상승되어 상기 MIT응용회로에 상기 초과전압이 인가될 수 있다.When a normal voltage is applied to the LED at the DC constant voltage, a resistance value of the FET is set to a low value, and when an excess voltage higher than a normal voltage is applied to the LED at the DC constant voltage, , The resistance value of the FET may be increased and the excess voltage may be applied to the MIT application circuit.

상기 MIT소자를 적용한 MIT응용회로는, DC정전류에서 인가되는 전류에 의해 빛을 발광하는 LED 발광 시스템에 상기 MIT응용회로가 부하와 병렬로 연결되고, 상기 DC정전류에서 인가되는 전류에 따라 상기 MIT응용회로의 동작 여부가 결정될 수 있다.The MIT application circuit to which the MIT device is applied is connected to the load in parallel with the MIT application circuit in an LED light emitting system that emits light by a current applied in a DC constant current, The operation of the circuit can be determined.

상기 고정저항은 상기 FET의 게이트와 소스에 직렬로 연결되고, 상기 MIT소자는 상기 FET의 게이트에 연결될 수 있다.The fixed resistor may be connected in series to the gate and the source of the FET, and the MIT device may be connected to the gate of the FET.

상기 DC정전류에서 상기 LED로 정상 전류가 인가될 경우, 상기 FET의 저항값은 높게 설정되고, 상기 DC정전류에서 상기 LED로 정상 전류보다 높은 초과전류가 인가되어 상기 LED에서 발열되는 온도가 상승될 경우, 상기 FET의 저항값이 하락하여 상기 MIT응용회로에 상기 초과전류가 인가될 수 있다.When a normal current is applied to the LED at the DC constant current, the resistance value of the FET is set to a high value. When the DC constant current is supplied with an excess current higher than the normal current at the DC constant current, , The resistance value of the FET may drop, and the excess current may be applied to the MIT application circuit.

상기 고정저항은 저항값이 다른 복수개의 저항을 포함하고, 상기 FET에서 발생되는 온도를 제어하도록 상기 복수개의 저항 중 어느 하나의 저항을 선택하는 저항선택 스위치를 더 포함할 수 있다.The fixed resistor may include a plurality of resistors having different resistance values, and may further include a resistance selection switch for selecting one of the plurality of resistors to control a temperature generated in the FET.

상술한 제2 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자; 상기 MIT소자에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값에 따라 출력전류를 제어하는 FET; 및 상기 FET의 게이트에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값과 함께 상기 FET의 게이트-소스 전압을 결정하는 고정저항을 포함하는 MIT응용회로에 있어서, 상기 MIT응용회로와 연결된 전기전자회로를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an MIT device including: a metal-insulator transition (MIT) device generating an abrupt metal-insulator transition according to ambient temperature; An FET connected to the MIT device and controlling an output current according to a resistance value of the MIT device; And a fixed resistor connected to the gate of the FET and determining a gate-source voltage of the FET together with a resistance value of the MIT device, the MIT application circuit comprising an electrical and electronic circuit connected to the MIT application circuit .

상기 전기전자회로는 정전류 시스템, 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템, LED 드라이버 IC 시스템, 모터 드라이버 IC 시스템 및 AC 직결형 LED 시스템을 포함할 수 있다.The electrical and electronic circuit may include a constant current system, an AC / DC adapter system for a charger, an LED driver IC system, a motor driver IC system, and an AC direct LED system.

상기 MIT응용회로는 상기 전기전자회로에 구비된 센싱저항(Sensing Resistor)에 직렬로 연결될 수 있다.The MIT application circuit may be connected in series to a sensing resistor provided in the electric / electronic circuit.

상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템은, 상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 출력단에 연결되고, 회로 내에서 발생되는 열을 감지하여 감지된 열의 정도에 따라 상기 MIT응용회로를 동작시키는 열감지 FET를 더 포함할 수 있다.The AC / DC adapter system for a charger includes a heat sensing FET connected to an output terminal of the AC / DC adapter system for the charger, which senses heat generated in the circuit and operates the MIT application circuit according to the degree of sensed heat .

상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템은, 상기 MIT응용회로와 병렬로 연결되고, 회로 내에서 발생되는 열에 의해 출력전류가 완전 차단되는 것을 방지하기 위한 차단방지저항을 더 포함할 수 있다.The AC / DC adapter system for the charger may further include a blocking prevention resistor connected in parallel with the MIT application circuit, for preventing the output current from being completely blocked by heat generated in the circuit.

상술한 제3 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자에서 주위의 온도를 감지하는 단계; 상기 MIT소자에서 감지된 온도를 상기 MIT소자의 임계 온도와 비교하는 단계; 및 상기 감지된 온도와 상기 임계 온도의 비교에 따라 상기 MIT소자와 연결된 FET가 출력전류를 제어하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: sensing ambient temperature in an MIT device in which a rapid metal-insulator transition is generated according to ambient temperature; Comparing the sensed temperature of the MIT device with a threshold temperature of the MIT device; And controlling an output current of the FET connected to the MIT device according to a comparison between the sensed temperature and the threshold temperature.

상기 FET가 출력전류를 제어하는 단계는, 상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 높으면, 상기 FET가 턴-온(turn-on)되고, 상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 낮으면, 상기 FET가 턴-오프(turn-off)될 수 있다.Wherein the step of controlling the output current of the FET comprises the steps of: when the sensed temperature is higher than the threshold temperature, the FET is turned on; and if the sensed temperature is lower than the critical temperature, And can be turned off.

상기 FET가 출력전류를 제어하는 단계는, 상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 높으면, 상기 FET의 저항값이 증가하여 출력전류를 감소시키는 출력전류 감소단계; 및 상기 출력전류가 감소하여 상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 낮아지면, 상기 FET의 저항값이 감소하여 출력전류를 증가시키는 출력전류 증가단계를 포함하고, 상기 출력전류 감소단계 및 상기 출력전류 증가단계를 반복하여 동작시킴으로써 출력전류 또는 감지되는 온도를 일정하게 유지될 수 있다.Wherein the step of controlling the output current of the FET includes: decreasing an output current by increasing a resistance value of the FET when the sensed temperature is higher than the threshold temperature; And an output current increasing step of decreasing a resistance value of the FET to increase an output current when the output current decreases and the sensed temperature becomes lower than the critical temperature, By repeating the steps, the output current or the sensed temperature can be kept constant.

상술한 본 발명에 따르면, 종래의 시스템 보호 방식은 Fuse, Bi-metal, Self Protected MOSFET 등과 같이 위험상황이 되었을 때 시스템 다운(System down)에 의해 시스템을 보호하는 방식이지만, 본 발명에 따른 MIT응용회로를 포함하는 시스템은 과전류 또는 과온도가 발생되었을 때 시스템을 다운시키지 않고 시스템의 동작을 유지할 수 있으며, 정해진 온도를 초과하지 않는 전류 수준으로 안전상태의 정온도, 정전류를 유지하여 시스템을 보호할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, the conventional system protection method protects the system by system down when a dangerous situation such as Fuse, Bi-metal, Self Protected MOSFET or the like occurs. However, the MIT application The system including the circuit can maintain the operation of the system without causing the system to go down when the overcurrent or overtemperature is generated. It also protects the system by maintaining the constant temperature and constant current in the safe state with the current level not exceeding the predetermined temperature There are advantages to be able to.

또한, 본 발명에 따른 MIT응용회로를 다양한 전기전자시스템에 적용하여 과전류 또는 과온도 발생시 시스템을 다운시키지 않고 안전상태를 유지함으로써 시스템 다운에 따른 경제적 손실을 방지할 수 있다.In addition, by applying the MIT application circuit according to the present invention to various electric and electronic systems, it is possible to prevent the economic loss due to the system down by maintaining the safety state without causing the system to go down during the overcurrent or overheating.

더 나아가, 복수의 고정저항이 포함된 MIT응용회로를 방열판에 연결하여 방열판에서 발생되는 열을 활용함으로써 손난로와 같은 온도를 이용하는 시스템에 적용할 수 있다.Further, the present invention can be applied to a system using a temperature such as a hand stove by utilizing the heat generated from the heat sink by connecting an MIT application circuit including a plurality of fixed resistors to the heat sink.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 MIT응용회로의 구조를 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 MIT소자 및 고정저항에 대한 온도 변화에 따른 저항 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 MIT소자에 대한 온도 변화에 따른 게이트-소스 전압 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 MIT소자에 대한 온도 변화에 따른 드레인-소스 저항 변화를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 MIT응용회로의 동작방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 종래의 정전류 IC가 포함된 정전류 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 7은 본 발명의 MIT응용소자를 포함하는 정전류 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 8은 본 발명의 MIT응용소자를 포함하는 정전류 시스템이 평형상태에 도달하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제1 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 10은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제2 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 11은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제3 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 12는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 LED 드라이버 IC 시스템을 나타내는 회로도이다.
도 13은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 모터 드라이버IC 시스템을 나타내는 회로도이다.
도 14는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 AC 직결형 LED 시스템을 나타내는 회로도이다.
도 15는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다.
도 16은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 드라이버 IC 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다.
도 17은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 AC 직결형 LED 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다.
도 18은 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 직렬로 연결된 정전압 시스템을 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 직렬로 연결된 정전압 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다.
도 20은 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 병렬로 연결된 정전류 시스템을 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 병렬로 연결된 정전류 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다.
도 22는 본 발명의 MIT응용회로를 이용한 다른 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 23은 본 발명의 MIT응용회로를 이용한 다른 실시예에 따른 테스트 결과를 나타내는 그래프이다.1 is a circuit diagram showing a structure of an MIT application circuit of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing changes in resistance of the MIT device and the fixed resistor according to the temperature change of the present invention. FIG.
FIG. 3 is a graph showing a gate-source voltage change according to a temperature change of the MIT device of the present invention. FIG.
FIG. 4 is a graph showing drain-source resistance change with temperature change for the MIT device of the present invention. FIG.
5 is a diagram for explaining an operation method of an MIT application circuit according to the present invention.
6 is a block diagram illustrating a constant current system including a conventional constant current IC.
7 is a block diagram illustrating a constant current system including an MIT application device of the present invention.
8 is a view showing a process of reaching an equilibrium state of a constant current system including the MIT application device of the present invention.
9 is a circuit diagram showing a first embodiment of an AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.
10 is a circuit diagram showing a second embodiment of an AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.
11 is a circuit diagram showing a third embodiment of an AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.
12 is a circuit diagram showing an LED driver IC system including the MIT application circuit of the present invention.
13 is a circuit diagram showing a motor driver IC system including the MIT application circuit of the present invention.
14 is a circuit diagram showing an AC direct LED system including the MIT application circuit of the present invention.
15 is a graph showing the operation test results of the AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.
16 is a graph showing the operation test results of the driver IC system including the MIT application circuit of the present invention.
17 is a graph showing an operation test result of an AC direct-coupled LED system including the MIT application circuit of the present invention.
18 is a diagram illustrating a constant voltage system in which an MIT application circuit of the present invention is connected in series with a load.
19 is a graph showing the operation test results of the constant voltage system in which the MIT application circuit of the present invention is connected in series with the load.
20 is a diagram illustrating a constant current system in which an MIT application circuit of the present invention is connected in parallel with a load.
FIG. 21 is a graph showing an operation test result of a constant current system in which an MIT application circuit of the present invention is connected in parallel with a load.
22 is a circuit diagram showing another embodiment using the MIT application circuit of the present invention.
23 is a graph showing test results according to another embodiment using the MIT application circuit of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to the accompanying drawings, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, .

도 1은 본 발명의 MIT응용회로의 구조를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a structure of an MIT application circuit of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)는 MIT소자(101), FET(102) 및 고정저항(103)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an MIT application circuit 100 according to the present invention includes an MIT device 101, a FET 102, and a fixed resistor 103.

MIT소자(101)는 주위의 온도에 따라 특정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition) 현상을 활용하여 만든 소자이다. 본 발명에서는 상기 MIT소자(101)는 FET(102)의 게이트와 소스에 직렬로 연결될 수 있으며, 상기 FET(102)의 게이트에는 고정저항(103)이 직렬로 연결될 수 있다.The MIT device 101 is an element made by utilizing a sudden metal-insulator transition phenomenon at a specific threshold temperature according to the ambient temperature. In the present invention, the MIT device 101 may be connected in series to the gate and the source of the FET 102, and a fixed resistor 103 may be connected in series to the gate of the FET 102.

상기 고정저항(103)은 상기 FET(102)의 턴온 또는 턴오프를 결정하는 기준점을 설정하기 위한 기준저항(Reference Resistor)일 수 있다.The fixed resistor 103 may be a reference resistor for setting a reference point for determining whether the FET 102 is turned on or off.

본 발명에 따른 MIT응용회로(100)는 FET(102)의 게이트와 소스에 MIT소자(101)를 직렬로 연결함으로써, MIT소자(101)의 주위 온도가 MIT소자(101)의 특정온도(임계온도) 이상으로 상승하게 되면, MIT소자(101)의 저항값은 급격히 하락하게 되고, FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)도 급격히 하락되어, FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)은 해당 온도 주변에서 급격히 상승하게 된다. 결과적으로, FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)의 상승으로 인해 본 발명의 MIT응용회로(100)를 포함하는 전기전자시스템의 출력전류는 감소되어, MIT소자(101)의 주위 온도가 MIT소자(101)의 임계온도 이하로 하락될 수 있다.The MIT application circuit 100 according to the present invention can be realized by connecting the MIT device 101 in series with the gate and the source of the FET 102 so that the ambient temperature of the MIT device 101 becomes higher than the specific temperature The resistance value of the MIT device 101 is rapidly lowered and the gate-source voltage V GS of the FET 102 also drops sharply so that the drain-source resistance of the FET 102 R DS ) rises rapidly around the temperature. As a result, due to the rise of the drain-source resistance R DS of the FET 102, the output current of the electrical and / or electronic system including the MIT application circuit 100 of the present invention is reduced and the ambient temperature of the MIT element 101 Can be lowered below the critical temperature of the MIT device 101. [

도 2는 본 발명의 MIT소자 및 고정저항에 대한 온도 변화에 따른 저항 변화를 나타내는 그래프이다. 도 3은 본 발명의 MIT소자에 대한 온도 변화에 따른 게이트-소스 전압 변화를 나타내는 그래프이다. 또한, 도 4는 본 발명의 MIT소자에 대한 온도 변화에 따른 드레인-소스 저항 변화를 나타내는 그래프이다.FIG. 2 is a graph showing changes in resistance of the MIT device and the fixed resistor according to the temperature change of the present invention. FIG. FIG. 3 is a graph showing a gate-source voltage change according to a temperature change of the MIT device of the present invention. FIG. 4 is a graph showing drain-source resistance variation with temperature change for the MIT device of the present invention.

도 2 내지 도 4를 참조하여 MIT소자(101)의 주위 온도 변화에 따른 본 발명의 MIT응용회로(100)에 대한 동작특성을 상세히 설명하면, MIT소자(101)의 주변온도가 도 2에서와 같이 점차적으로 상승할 경우, 주변온도가 대략 75~85℃에서 MIT소자(101)의 저항값이 급격히 하락하게 되는 것을 확인할 수 있다. 이때, FET(102)의 게이트와 소스에 걸리는 전압 즉, VGS는 VGS=(VDD*MIT 저항값)/(MIT 저항값+고정 저항값)이므로 도 3에서와 같이, 게이트와 소스에 걸리는 전압도 급격히 하락하게 되며, 이로 인해 FET(102)의 드레인과 소스 사이의 저항인 RDS(ON)은 도 4에서와 같이, 해당 온도 주변에서 급격히 상승하게 된다.2 to 4, the operation characteristics of the MIT application circuit 100 according to the present invention according to the ambient temperature change of the MIT device 101 will be described in detail. It can be confirmed that the resistance value of the MIT device 101 drops sharply at an ambient temperature of approximately 75 to 85 ° C. Since the voltage applied to the gate and the source of the FET 102, that is, V GS is V GS = (V DD * MIT resistance) / (MIT resistance + fixed resistance value) The applied voltage also drops sharply. As a result, the resistance R DS (ON) between the drain and the source of the FET 102 rapidly rises around the corresponding temperature as shown in FIG.

도 5는 본 발명에 따른 MIT응용회로의 동작방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for explaining an operation method of an MIT application circuit according to the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)의 동작방법은, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자(101)에서 주위의 온도를 감지하는 단계(S110), 상기 MIT소자(101)에서 감지된 온도를 상기 MIT소자(101)의 임계온도와 비교하는 단계(S120) 및 상기 감지된 온도와 상기 임계온도의 비교에 따라 상기 MIT소자(101)와 연결된 FET(102)가 출력전류를 제어하는 단계(S130)를 포함한다.5, an operation method of an MIT application circuit 100 according to the present invention is a method of operating an MIT device 101 in which an abrupt metal-insulator transition is generated according to ambient temperature, (S120) comparing the sensed temperature of the MIT device 101 with the threshold temperature of the MIT device 101 and comparing the detected temperature with the threshold temperature of the MIT device 101 (S130) in which the FET 102 connected to the FET 101 controls the output current.

즉, MIT응용회로(100)를 포함하는 시스템에서 과전류 또는 과온도가 발생되어 시스템 내에서 온도가 상승하면 MIT소자(101)는 이를 감지하고, 감지된 온도가 MIT소자(101)의 임계온도보다 높은지 낮은지를 판단한다.That is, when an overcurrent or an over-temperature occurs in a system including the MIT application circuit 100 and the temperature rises in the system, the MIT device 101 senses the overcurrent or overtemperature, and when the sensed temperature is higher than the critical temperature of the MIT device 101 Judge whether it is high or low.

만약, 감지된 온도가 임계온도보다 낮으면 MIT소자(101)와 연결된 FET(102)는 턴-오프 상태가 되고, 감지된 온도가 임계온도보다 높으면 FET(102)는 턴-온 상태가 된다.If the sensed temperature is lower than the critical temperature, the FET 102 connected to the MIT device 101 is turned off. If the sensed temperature is higher than the critical temperature, the FET 102 is turned on.

일예로, 감지된 온도가 MIT소자(101)의 임계온도보다 높으면 MIT소자(101)의 저항값은 하락하게 되고, MIT소자(101)의 저항값이 하락되면 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)이 감소되어 FET(102)의 드레인-소스 저항값(RDS)이 감소된다. 따라서, 시스템 내에서 출력되는 출력전류를 감소시킬 수 있다.For example, when the sensed temperature is higher than the critical temperature of the MIT device 101, the resistance value of the MIT device 101 is lowered. When the resistance value of the MIT device 101 is lowered, (V GS ) is reduced and the drain-source resistance R DS of the FET 102 is reduced. Therefore, the output current output in the system can be reduced.

또한, 출력전류의 감소에 따라 시스템에서 발열되는 온도가 임계온도보다 낮아지면, MIT소자(101)의 저항값은 다시 증가하게 되고, 이에 따라 FET(102)의 드레인-소스 저항값(RDS)이 증가되어 출력전류를 다시 증가시킨다.The resistance value of the MIT device 101 increases again when the temperature generated by the system decreases as the output current decreases and the drain-source resistance value R DS of the FET 102 accordingly increases. Is increased to increase the output current again.

상기한 바와 같이, 출력전류를 감소시키고, 증가시키는 동작을 반복함으로써 시스템 내의 전류 및 온도가 일정하게 유지되는 평형상태도 도달할 수 있다.As described above, by repeating the operation of decreasing and increasing the output current, the equilibrium state in which the current and the temperature in the system are kept constant can be reached.

이러한 본 발명의 MIT응용회로(100)의 동작을 이용하여 MIT응용회로(100)를 전기전자시스템에 적용하면 전기전자시스템 내에서 발생되는 과온도 및 과전류를 방지할 수 있으므로 시스템을 다운시키지 않고도 시스템을 안전하게 보호할 수 있다.When the MIT application circuit 100 is applied to the electrical and / or electronic system using the operation of the MIT application circuit 100 of the present invention, it is possible to prevent the over temperature and the over current generated in the electrical / electronic system. Therefore, Can be safely protected.

도 6은 종래의 정전류 IC가 포함된 정전류 시스템을 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram illustrating a constant current system including a conventional constant current IC.

도 6을 참조하면, 종래의 정전류 IC가 포함된 정전류 시스템은 정전류 IC(10), 정전류 IC(10)의 CS(Current Sensing) 핀에 연결된 센싱저항(Sensing Resistor, Rs) 및 정전류 IC(10)와 연결된 부하(Load)(20)를 포함할 수 있다.6, the conventional constant current system including the constant current IC includes a constant current IC 10, a sensing resistor Rs connected to the current sensing pin CS of the constant current IC 10 and a constant current IC 10, And a load 20 connected to the load 20.

일반적으로 정전류 IC(10)는 부하(20)로 흐르는 전류를 일정하게 유지하고, 전압을 변화시키는 회로를 칭한다. 이러한 정전류 IC(10)는 CS핀의 전압을 내부 레퍼런스 전압과 비교한 결과로써 부하(20)로 흐르는 출력전류의 크기를 조절할 수 있다.In general, the constant current IC 10 refers to a circuit that keeps the current flowing to the load 20 constant and changes the voltage. The constant current IC 10 can adjust the magnitude of the output current flowing to the load 20 as a result of comparing the voltage of the CS pin with the internal reference voltage.

또한, 정전류 IC(10)의 CS핀에 센싱저항(Rs)을 연결하여 부하(20)에 흐르는 출력전류의 크기를 조절할 수 있다. 즉, 센싱저항(Rs)과 출력전류의 크기는 반비례하므로, 센싱저항(Rs)값이 클수록 출력 전류는 작아지며, 센싱저항(Rs)값이 작을수록 출력전류는 커지게 된다.Also, the sensing resistor Rs may be connected to the CS pin of the constant current IC 10 to adjust the magnitude of the output current flowing through the load 20. That is, since the sensing resistance Rs and the output current are in inverse proportion to each other, the output current decreases as the sensing resistance Rs increases, and the output current increases as the sensing resistance Rs decreases.

도 7은 본 발명의 MIT응용회로가 적용된 정전류 시스템을 나타내는 블록도이다.7 is a block diagram illustrating a constant current system to which the MIT application circuit of the present invention is applied.

도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)가 연결된 정전류 시스템(200)은 정전류 IC(201), 정전류 IC의 CS(Current Sensing) 핀에 연결된 센싱저항(Rs), 정전류 IC와 연결된 부하(Load)(202) 및 MIT응용회로(100)를 포함한다.7, the constant current system 200 to which the MIT application circuit 100 according to the present invention is connected includes a constant current IC 201, a sensing resistor Rs connected to a current sensing pin of a constant current IC, A connected load 202 and an MIT application circuit 100.

상기 정전류 IC(201), 센싱저항(Rs) 및 정전류 IC(201)와 연결된 부하(Load)(202)는 도 5에 도시한 회로 구성과 동일할 수 있다. 다만, 본 발명에 따른 정전류 시스템은 정전류 IC(201)에 연결된 센싱저항(Rs)에 MIT응용회로(100)가 직렬로 연결될 수 있다.The constant current IC 201, the sensing resistor Rs and the load 202 connected to the constant current IC 201 may be the same as the circuit configuration shown in FIG. However, in the constant current system according to the present invention, the MIT application circuit 100 may be connected in series to the sensing resistor Rs connected to the constant current IC 201.

정전류 시스템(200)의 동작에 있어서, 정전류 시스템(200) 내에서 전류 상승에 따른 과온도 또는 과전류가 발생되어 시스템 주위의 온도가 상승되면 MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)가 이를 감지하게 되고, MIT소자(101)가 감지한 주위의 온도가 MIT소자(101)의 특정온도(임계온도)보다 높으면 MIT소자(101)의 저항값이 급격히 하락하게 된다.In the operation of the constant current system 200, when an over-temperature or an over-current occurs due to a current rise in the constant current system 200 and the temperature around the system is raised, the MIT element 101 of the MIT application circuit 100 senses And the ambient temperature sensed by the MIT device 101 is higher than the specific temperature (critical temperature) of the MIT device 101, the resistance value of the MIT device 101 drops sharply.

또한, MIT소자(101)의 저항값이 하락하게 되면 MIT소자(101)와 연결된 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)도 급격히 하락됨으로써, FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)은 해당 온도 주변에서 급격히 상승하게 된다. 결과적으로, 정전류 IC(201)에서 감지하는 전압 V=IF×(Rs+Ron)에서 Rs+Ron의 전체저항이 커지기 때문에 동일한 전류라 하더라도 감지되는 전압이 높아져 기 세팅된 온도에 맞는 정전류(Lower Current)가 흐를 수 있도록 부하(202)로 흐르는 출력전류가 감소하게 된다.When the resistance value of the MIT device 101 is lowered, the gate-source voltage V GS of the FET 102 connected to the MIT device 101 also drops sharply, DS ) rises rapidly around the temperature. As a result, since the total resistance of Rs + Ron increases at the voltage V = I F × (Rs + Ron) sensed by the constant current IC 201, the voltage sensed even by the same current becomes higher and the constant current The output current flowing to the load 202 decreases so that the current flows.

출력전류가 감소하여 시스템에서 발생되는 온도가 MIT소자(101)의 임계온도 이하로 하락하게 되면, 본 발명의 MIT응용회로(100)는 다시 출력전류를 증가시키는 방향으로 동작하게 된다.When the output current decreases and the temperature generated in the system drops below the critical temperature of the MIT device 101, the MIT application circuit 100 of the present invention operates in a direction to increase the output current again.

즉, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 정전류 시스템(200)은 과전류에 의해 온도가 상승하면 MIT응용회로(100)에 의해 출력전류를 감소시키고, 출력전류가 감소되어 온도가 하락하면 MIT응용회로(100)에 의해 출력전류를 다시 증가시키는 동작을 반복함으로써 시스템(200)의 전류 및 온도가 일정하게 유지되는 평형상태를 유지할 수 있다.That is, the constant current system 200 including the MIT application circuit 100 according to the present invention reduces the output current by the MIT application circuit 100 when the temperature rises due to the overcurrent, The MIT application circuit 100 repeats the operation of increasing the output current again so that the equilibrium state in which the current and the temperature of the system 200 are kept constant can be maintained.

도 8은 본 발명의 MIT응용소자를 포함하는 정전류 시스템이 평형상태에 도달하는 과정을 나타내는 도면이다.8 is a view showing a process of reaching an equilibrium state of a constant current system including the MIT application device of the present invention.

도 8을 참조하여 본 발명에 따른 MIT응용소자를 포함하는 정전류 시스템이 평형상태에 도달하는 과정을 하기에 상세히 설명한다.The process of reaching the equilibrium state of the constant current system including the MIT application device according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 8에 도시한 바와 같이, 시스템에 과전류 또는 과온도가 발생되면, 시스템의 센싱저항(Rs)에 직렬로 연결된 MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)가 과전류 또는 과온도에 따른 상승된 온도를 감지하게 된다. MIT소자(101)는 감지된 온도가 MIT소자(101)의 임계온도와 비교하여 감지된 온도가 임계온도보다 높으면 MIT소자(101)의 저항값은 감소하게 되고, 저항값의 감소에 따라 MIT소자(101)와 연결된 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)이 감소된다. 결국 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS) 감소에 따라 FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)이 감소됨으로써 부하로 흐르는 출력전류를 감소시켜 시스템(200)의 온도를 낮출 수 있다.8, when an overcurrent or an over-temperature occurs in the system, the MIT device 101 of the MIT application circuit 100 connected in series to the sensing resistor Rs of the system is turned on in response to an overcurrent or an overcurrent The temperature is sensed. If the sensed temperature is higher than the critical temperature of the MIT device 101 and the sensed temperature is higher than the critical temperature, the resistance value of the MIT device 101 is decreased. As the resistance value is decreased, The gate-source voltage V GS of the FET 102 connected to the gate electrode 101 is reduced. The drain-source resistance R DS of the FET 102 is reduced as the gate-source voltage V GS of the FET 102 decreases so that the output current flowing to the load is reduced to lower the temperature of the system 200 have.

또한, 출력전류가 감소되어 시스템(200)에서 발열되는 온도가 감소하게 되면 MIT소자(101)의 저항값은 다시 증가하게 되고, 저항값의 증가에 따라 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)은 다시 증가하게 된다. FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)이 증가하면 FET(102)의 드레인-소스 저항값(RDS)은 하락하게 되고, 이에 따라 감소됐던 부하에 흐르는 출력전류는 다시 증가된다. 이러한 MIT응용회로(100)에 의해 높았던 출력전류를 감소시키고, 감소된 출력전류를 다시 증가시키는 동작을 반복함으로써 시스템(200) 내의 전류 및 온도가 일정하게 유지되는 평형상태에 도달하게 된다.Further, when the output current is reduced and the temperature of the heat generated in the system 200 is reduced, the resistance value of the MIT device 101 is increased again, and the gate-source voltage V GS ) increases again. As the gate-source voltage V GS of the FET 102 increases, the drain-source resistance R DS of the FET 102 drops, and the output current flowing to the reduced load is increased again. By repeating the operation of increasing the output current by the MIT application circuit 100 and increasing the reduced output current again, the equilibrium state in which the current and temperature in the system 200 are kept constant is reached.

종래의 과온도 또는 과전류를 방지하기 위한 방식으로 사용되었던 퓨즈(Fuse), Bi-metal, Self Protected MOSFET 등의 회로나 종래의 MIT소자(101)를 적용한 시스템은 과온도나 과전류 발생시 시스템을 다운(System down)시킴으로써 시스템을 보호하는 방식이기 때문에 시스템 다운시 시스템을 재설정해야 하는 번거로움이 발생되고, 이에 따른 경제적 손실이 발생되는 단점이 있었으나, 본 발명의 MIT응용회로(100)를 적용한 전기전자시스템은 과온도 또는 과전류 발생시 시스템을 다운 시키지 않고, 출력전류를 감소, 증가시키는 동작을 반복함으로써 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절하여 평형상태를 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 MIT응용회로(100)를 적용한 전기전자시스템은 시스템을 다운시키는 종래의 방법보다 시스템의 신뢰성 및 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.A conventional system using a circuit such as a fuse, a Bi-metal, or a self-protected MOSFET or a conventional MIT device 101, which has been used in a conventional over temperature or over current protection system, The MIT application circuit 100 according to the present invention is applied to the electric and electronic system 100 according to the present invention, The system can be maintained in an equilibrium state by automatically adjusting the current so as not to exceed the predetermined temperature by repeating the operation of decreasing or increasing the output current without causing the system to go down when the overheat or overcurrent occurs. Therefore, the electrical and / or electronic system to which the MIT application circuit 100 of the present invention is applied has the advantage of extending the reliability and life of the system more than the conventional method of downsizing the system.

도 9는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제1 실시예를 나타내는 회로도이다.9 is a circuit diagram showing a first embodiment of an AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제1 실시예(300)는 전원입력부(301), 전원정류 및 평활부(302), 정전류IC부(303), 출력부(304) 및 MIT응용회로(100)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, a first embodiment 300 of a charger AC / DC adapter system including an MIT application circuit 100 according to the present invention includes a power input unit 301, a power rectification and smoothing unit 302, A constant current IC unit 303, an output unit 304, and an MIT application circuit 100.

전원입력부(301)에서는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300)의 전원을 입력한다. 전원은 일예로, AC 220V가 입력될 수 있다.The power input unit 301 receives power from the AC / DC adapter system 300 for a charger. As an example of the power source, AC 220V may be input.

전원정류 및 평활부(302)는 전원입력부(301)에서 입력된 AC 입력전원을 정류 및 평활하여 DC전원으로 변환하게 된다.The power rectification and smoothing unit 302 rectifies and smoothes the AC input power input from the power input unit 301 and converts the AC input power into DC power.

DC전원으로 변환된 입력전원은 정전류IC부(303)의 센싱저항(Rs)을 통해 정전류가 출력될 수 있다. 즉, 전류 감지용 저항인 센싱저항(Rs)에서의 전압강하에 따라 출력 전류값이 결정되는데, 센싱저항(Rs)에서의 전압강하를 내부 내퍼런스 전압과 비교하여 레퍼런스 전압 이상의 전압강하가 발생하지 않도록 내부 스위치의 ON/OFF를 반복함으로써 일정한 전류를 유지하게 된다. 이러한 센싱저항(Rs)은 저항값이 클수록 작은 전류를 출력하고, 저항값이 작을수록 큰 전류를 출력하게 된다.A constant current can be output through the sensing resistor Rs of the constant current IC unit 303. [ That is, the output current value is determined according to the voltage drop in the sensing resistor Rs for sensing the current. The voltage drop in the sensing resistor Rs is compared with the internal reference voltage so that a voltage drop over the reference voltage occurs So that a constant current is maintained by repeating ON / OFF of the internal switch. The sensing resistor Rs outputs a smaller current as the resistance value increases and outputs a larger current as the resistance value decreases.

따라서, 상기 과정에 의해 정전류IC부(303)에서 출력된 정전류는 출력부(304) 내에 구비된 트랜스포머에 의해 부하에서 필요로 하는 전압으로 감압 및 감압된 전원을 출력하게 된다.Accordingly, the constant current output from the constant current IC unit 303 according to the above-described process is output to the voltage required by the load by the transformer provided in the output unit 304.

하지만 이러한 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템은 회로 내에서 발생되는 열발생 상태와 무관하게 일정한 정류가 흐르기 때문에 시스템의 신뢰성 및 수명에 악영향을 줄 수 있다.However, the AC / DC adapter system for the charger has a constant rectification irrespective of the heat generation state in the circuit, which may adversely affect the reliability and life of the system.

따라서, 본 발명에 따른 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300)은 상기 정전류IC부에 연결된 센싱저항(Rs)에 MIT응용회로(100)가 직렬로 연결된다.Accordingly, in the AC / DC adapter system 300 for a charger according to the present invention, the MIT application circuit 100 is connected in series to the sensing resistor Rs connected to the constant current IC unit.

MIT응용회로(100)는 상술한 바와 같이, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이가 발생되는 MIT소자(101), 게이트 및 소스에 상기 MIT소자(101)가 직렬로 연결된 FET(102) 및 상기 FET(102)의 게이트에 연결된 고정저항(103)을 포함할 수 있다.As described above, the MIT application circuit 100 includes an MIT device 101 in which abrupt metal-insulator transition is generated according to ambient temperature, an FET 102 in which the MIT device 101 is connected in series to a gate and a source, And a fixed resistor 103 connected to the gate of the FET 102.

본 발명에 따른 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300)에서 과전류 또는 과전류에 따른 과온도가 발생되어 회로 내에서 발열량이 증가하면 MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)가 이를 감지하게 되고, MIT소자(101)가 감지한 주위의 온도가 MIT소자(101)의 특정온도(임계온도)보다 높으면 MIT소자(101)의 저항값이 급격히 하락하게 된다.When the overheating due to the overcurrent or the overcurrent occurs in the AC / DC adapter system 300 according to the present invention, the MIT device 101 of the MIT application circuit 100 senses the increase in the amount of heat generated in the circuit, If the ambient temperature sensed by the MIT element 101 is higher than the specific temperature (critical temperature) of the MIT element 101, the resistance value of the MIT element 101 drops sharply.

MIT소자(101)의 저항값이 하락하면 MIT소자(101)와 연결된 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)도 급격히 하락됨으로써, FET(102)의 드레인과-소스 저항(RDS)은 해당 온도 주변에서 급격히 상승하게 된다. 따라서, 부하로 출력되는 출력전류는 하락하게 되고, 출력전류가 하락하게 되면, 상기 도 5에서 설명한 방법에 의해 출력전류가 다시 상승과 하락을 반복하도록 MIT응용회로(100)가 동작하여 출력전류는 일정한 값에 수렴(saturation)하게 되어 결과적으로 일정한 온도를 유지할 수 있게 된다.When the resistance value of the MIT device 101 falls, the gate-source voltage V GS of the FET 102 connected to the MIT device 101 also drops sharply so that the drain-to-source resistance R DS of the FET 102, The temperature rises sharply around the temperature. Therefore, when the output current is decreased and the output current is decreased, the MIT application circuit 100 operates so that the output current is repeatedly increased and decreased again by the method described with reference to FIG. 5, It is possible to maintain a constant temperature as a result of saturation at a constant value.

즉, 시스템 내에서 과온도 또는 과전류 발생시 본 발명에 따른 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300)은 회로를 보호하기 위해 시스템을 다운 시키지 않고, MIT응용회로(100)에 의해 출력전류를 감소 및 증가시키는 동작을 반복함으로써 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절하여 평형상태를 유지할 수 있다.That is, the AC / DC adapter system 300 for a charger according to the present invention, when over-temperature or over-current occurs in the system, reduces and increases the output current by the MIT application circuit 100 without shutting down the system in order to protect the circuit. So that the equilibrium state can be maintained by automatically adjusting the current so as not to exceed the predetermined temperature.

도 10은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제2 실시예를 나타내는 회로도이다.10 is a circuit diagram showing a second embodiment of an AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제2 실시예(400)는 도 10에 도시한 바와 같이 제1 실시예의 회로구성에서 출력부(304)에 열감지 FET(401)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, a second embodiment 400 of a charger AC / DC adapter system including an MIT application circuit 100 according to the present invention, as shown in FIG. 10, The FET 304 may further include a thermal sense FET 401.

MIT응용회로(100)와 열감지 FET(401)를 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(400)의 하나의 패키지 내에 배치시킴으로써 열감지 FET(102)에서 발생되는 열을 MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)가 감지하게 할 수 있다.The heat generated from the heat sensing FET 102 is transferred to the MIT application circuit 100 through the MIT application circuit 100 and the heat sensing FET 401 in one package of the AC / DC adapter system 400 for the charger. So that the device 101 can detect it.

즉, 시스템 내의 고온 발생 지역에 MIT소자(101)를 배치하기 어려울 경우, 열감지 FET(401)를 시스템의 출력부(304)에 배치하여 발열체로 사용함으로써 열감지 FET(401)에서 발생되는 열을 MIT소자(101)가 감지하여 MIT응용회로(100)를 동작시킴으로써 전류 및 온도의 평형유지를 할 수 있다.That is, when it is difficult to arrange the MIT element 101 in the high-temperature generation region in the system, the heat-sensing FET 401 is disposed in the output portion 304 of the system and used as a heating element, The MIT device 101 can sense the current and the temperature equilibrium by operating the MIT application circuit 100.

일반적으로 회로에서 소비되는 전력은 P=I2×R이므로, 열감지 FET(401)에서의 주울열은 출력전류의 제곱과 열감지 FET(401)의 드레인-소스 저항값(RDS)의 곱과 같다. 즉, 열감지 FET(401)의 발열량은 드레인-소스 저항값(RDS)에 비례하게 되므로 특정 드레인-소스 저항값(RDS)을 갖는 FET를 선정함으로써 MIT응용회로(100)가 동작되는 전류량 조정이 가능하게 된다. 일예로, 작은 드레인-소스 저항값(RDS)을 갖는 FET를 사용하면 높은 전류에서 전류 및 온도 제한 동작이 수행되고, 큰 드레인-소스 저항값(RDS)을 갖는 FET를 사용하면 낮은 전류에서 전류 및 온도 제한 동작이 수행된다.Since the power consumed in the circuit is generally P = I 2 x R, the joule heat in the heat sensing FET 401 is the product of the square of the output current and the drain-source resistance R DS of the heat sensing FET 401 Respectively. That is, the thermal calorific value of the FET (401) is the drain-source resistance, so a certain drain proportional to (R DS)-source resistance value the amount of current the MIT application circuit 100 operates by selection of an FET having a (R DS) Adjustment becomes possible. For example, using a FET with a small drain-source resistance value (R DS ) allows current and temperature limited operation at high currents, and using a FET with a large drain-source resistance value (R DS ) Current and temperature limiting operations are performed.

도 11은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제3 실시예를 나타내는 회로도이다.11 is a circuit diagram showing a third embodiment of an AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 제3 실시예(500)는 도 10에 도시한 바와 같이 제1 실시예의 회로구성에서 차단방지저항(501)을 더 포함할 수 있다. 좀 더 상세하게는 차단방지저항은 MIT응용회로(100)와 병렬로 연결되되, FET(102)의 드레인과 소스에 병렬로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 11, a third embodiment 500 of a charger AC / DC adapter system including an MIT application circuit 100 according to the present invention, as shown in FIG. 10, And may further include a protection resistor 501. More particularly, the blocking resistor may be connected in parallel with the MIT application circuit 100, but in parallel with the drain and source of the FET 102.

상기한 제1 실시예(300)의 구성의 경우 전류에 의한 온도 상승이 아닌 주변온도 자체가 상승하여 FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)이 증가할 경우 출력전류의 완전차단이 발생될 수 있다. 따라서, 주변온도 상승에 의한 시스템의 온도가 상승되어 시스템이 완전 차단되는 현상을 방지할 필요가 있는 경우, MIT응용회로(100)에 병렬로 차단방지저항(501)을 연결하면 된다.In the case of the configuration of the first embodiment 300 described above, when the ambient temperature itself does not rise due to the current but the drain-source resistance R DS of the FET 102 increases, . Therefore, when it is necessary to prevent the system from being completely shut off due to an increase in the temperature of the system due to an increase in ambient temperature, a blocking prevention resistor 501 may be connected to the MIT application circuit 100 in parallel.

즉, 주변온도가 상승하여 FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)이 아무리 커지더라도 FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)은 차단방지저항(501)의 저항값과의 병렬 저항값을 갖게 되므로, 전체 저항값의 최대치는 센싱저항(Rs)의 저항값과 차단방지저항(501)의 저항값의 합인 Rs+Rp 이상이 될 수 없게 된다. 따라서, 전류에 의한 온도 상승이 아닌 주변온도 자체의 상승에 의해 시스템의 온도가 상승 되더라도 MIT응용회로(100)에 병렬로 차단방지저항(501)을 연결하면 시스템에 흐르는 전류가 완전 차단되는 것을 방지할 수 있다.That is, the drain of the ambient temperature rises FET (102) - even if the source resistance (R DS), no matter how much larger the drain of the FET (102) - in parallel with the resistance of the source resistance (R DS) to block anti-resistance 501 The maximum value of the total resistance value can not be equal to or greater than Rs + Rp which is the sum of the resistance value of the sensing resistor Rs and the resistance value of the blocking resistor 501. [ Therefore, even if the temperature of the system is raised due to the rise of the ambient temperature itself rather than the temperature rise by the current, connecting the blocking prevention resistor 501 to the MIT application circuit 100 in parallel prevents the current flowing in the system from being completely blocked can do.

도 12는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 LED 드라이버 IC 시스템을 나타내는 회로도이다.12 is a circuit diagram showing an LED driver IC system including the MIT application circuit of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 LED 드라이버 IC 시스템(600)은 전원입력부(601), 드라이버IC부(602), 전류센싱부(603), 출력부(604) 및 MIT응용회로(100)를 포함할 수 있다.12, an LED driver IC system 600 including an MIT application circuit 100 according to the present invention includes a power input unit 601, a driver IC unit 602, a current sensing unit 603, an output unit 604 and an MIT application circuit 100.

전원입력부(601)는 본 발명의 LED 드라이버 IC 시스템(600)에 전원을 공급할 수 있다. 전원은 일예로, DC 전원이 입력될 수 있으며, 전원입력부(601)는 AC 전원을 정류 및 평활하여 DC 전원으로 변환하는 정류부 및 평활부가 추가로 형성될 수 있다.The power input unit 601 can supply power to the LED driver IC system 600 of the present invention. For example, a DC power source may be input, and the power input unit 601 may further include a rectifying unit and a smoothing unit for rectifying, smoothing, and converting AC power to DC power.

드라이버IC부(602)는 커패시터를 통해 평활된 전원전압(VCC)을 이용하여 동작에 필요한 전압을 생성할 수 있다. 또한, 드라이버IC부(602)는 전원입력부(601)에서 출력된 DC 전원을 입력받고, LED에서 필요로 하는 전류 및 전압을 생성하여 출력부(604)를 통해 LED에 공급될 수 있다.The driver IC portion 602 can generate a voltage required for operation using the smoothed power supply voltage VCC through the capacitor. The driver IC unit 602 receives the DC power output from the power input unit 601, generates a current and a voltage required by the LED, and is supplied to the LED through the output unit 604.

전류센싱부(603)는 센싱저항(Rs)에 인가되는 전압을 드라이버IC부(602)로 피드백하는 기능을 수행할 수 있다. 일예로 전류센싱부(603)는 센싱저항(Rs)값이 클수록 작은 전류가 출력되고, 센싱저항(Rs)값이 작을수록 큰 전류가 출력될 수 있다.The current sensing unit 603 can perform a function of feeding back the voltage applied to the sensing resistor Rs to the driver IC unit 602. [ For example, the current sensing unit 603 outputs a smaller current as the sensing resistance Rs is larger, and a larger current can be output as the sensing resistance Rs is smaller.

이러한 LED 드라이버 IC 시스템(600)은 회로 내에서 발생되는 열발생 상태와 무관하게 일정한 전류가 흐르기 때문에 시스템의 신뢰성 및 수명에 악영향을 줄 수 있다.Since the LED driver IC system 600 has a constant current regardless of the heat generation state generated in the circuit, the reliability and life of the system can be adversely affected.

따라서, 본 발명에 따른 LED 드라이버 IC 시스템(600)은 상기 드라이버IC부(602)에 연결된 센싱저항(Rs)에 MIT응용회로(100)가 직렬로 연결될 수 있다.Therefore, in the LED driver IC system 600 according to the present invention, the MIT application circuit 100 may be connected in series to the sensing resistor Rs connected to the driver IC portion 602.

MIT응용회로(100)는 상술한 바와 같이, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이가 발생되는 MIT소자(101), 게이트 및 소스에 상기 MIT소자(101)가 직렬로 연결된 FET(102) 및 상기 FET(102)의 게이트에 연결된 고정저항(103)을 포함할 수 있다.As described above, the MIT application circuit 100 includes an MIT device 101 in which abrupt metal-insulator transition is generated according to ambient temperature, an FET 102 in which the MIT device 101 is connected in series to a gate and a source, And a fixed resistor 103 connected to the gate of the FET 102.

본 발명에 따른 LED 드라이버 IC 시스템(600)에서 과전류 또는 과전류에 따른 과온도가 발생되어 시스템 내에서 발열량이 증가하면 MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)가 이를 감지하게 되고, MIT소자(101)가 감지한 주위의 온도가 MIT소자(101)의 특정온도(임계온도)보다 높으면 MIT소자(101)의 저항값이 급격히 하락하게 된다.When the overheating due to overcurrent or overcurrent occurs in the LED driver IC system 600 according to the present invention and the amount of heat generated in the system is increased, the MIT device 101 of the MIT application circuit 100 senses this, 101 is higher than a specific temperature (critical temperature) of the MIT element 101, the resistance value of the MIT element 101 drops sharply.

MIT소자(101)의 저항값이 하락하면 MIT소자(101)와 연결된 FET(102)의 게이트-소스 전압(VGS)도 급격히 하락됨으로써, FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)은 해당 온도 주변에서 급격히 상승하게 된다. 따라서, 부하로 출력되는 출력전류는 하락하게 되고, 출력전류가 하락하게 되면, 상기 도 7에서 설명한 방법에 의해 출력전류가 다시 상승과 하락을 반복하도록 MIT응용회로(100)가 동작하여 출력전류는 일정한 값에 수렴(saturation)하게 되어 결과적으로 일정한 온도를 유지할 수 있게 된다.When the resistance value of the MIT device 101 falls, the gate-source voltage V GS of the FET 102 connected to the MIT device 101 also drops sharply so that the drain-source resistance R DS of the FET 102 becomes The temperature rises sharply around the temperature. Therefore, when the output current is reduced and the output current is decreased, the MIT application circuit 100 operates so that the output current is repeatedly increased and decreased again by the method described with reference to FIG. 7, It is possible to maintain a constant temperature as a result of saturation at a constant value.

즉, 시스템 내에서 과온도 또는 과전류 발생시 본 발명에 따른 LED 드라이버 IC 시스템(600)은 시스템을 보호하기 위해 시스템을 다운 시키지 않고, MIT응용회로(100)에 의해 출력전류를 감소 및 증가시키는 동작을 반복함으로써 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절하여 평형상태를 유지할 수 있다.That is, the LED driver IC system 600 according to the present invention when the over-temperature or the over-current occurs in the system does not cause the system to go down to protect the system, and the operation to reduce and increase the output current by the MIT application circuit 100 By repeating this, the current can be automatically adjusted so as not to exceed the predetermined temperature, so that the equilibrium state can be maintained.

도 13은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 모터 드라이버IC 시스템을 나타내는 회로도이다.13 is a circuit diagram showing a motor driver IC system including the MIT application circuit of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명에 따른 모터 드라이버IC 시스템(700)의 기본 동작은 센싱저항(Rs)을 통해 피드백 된 전압을 내부 레퍼런스 전압과 비교하여 정전류를 생성한다.Referring to FIG. 13, the basic operation of the motor driver IC system 700 according to the present invention generates a constant current by comparing a voltage fed back through a sensing resistor Rs with an internal reference voltage.

본 발명에 따른 모터 드라이버IC 시스템(700)에도 상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300,400,500) 및 LED 드라이버 IC 시스템(600)에서와 같이 모터 드라이버IC 시스템(700)에 배치된 센싱저항(Rs)에 동일한 MIT응용회로(100)가 직렬로 연결될 수 있다.The sensing resistor Rs disposed in the motor driver IC system 700 as in the AC / DC adapter system 300, 400, 500 for the charger and the LED driver IC system 600 is also connected to the motor driver IC system 700 according to the present invention. The same MIT application circuit 100 can be connected in series.

따라서, MIT응용회로(100)에 의해 모터 드라이버IC 시스템(700) 내에서 과온도 또는 과전류가 발생되면, MIT응용회로(100)의 동작에 의해 시스템을 다운 시키지 않고 출력전류를 감소 및 증가시키는 동작을 반복하여 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절함으로써 평형상태를 유지할 수 있다.Accordingly, when an over-temperature or an over-current is generated in the motor driver IC system 700 by the MIT application circuit 100, the operation to reduce or increase the output current without causing the system to go down by the operation of the MIT application circuit 100 So that the equilibrium state can be maintained by automatically controlling the current so as not to exceed the predetermined temperature.

도 14는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 AC 직결형 LED 시스템을 나타내는 회로도이다.14 is a circuit diagram showing an AC direct LED system including the MIT application circuit of the present invention.

도 14를 참조하면, 본 발명에 따른 AC 직결형 LED 시스템(800)은 AC를 DC로 정류하는 정류부(801), LED에서 필요로 하는 전류를 유지하는 드라이버IC부(802), 센싱저항(Rs)에 인가되는 전압을 드라이버IC부로 피드백하는 전류센싱부(803), LED에 전원을 공급하는 출력부(804) 및 전류센싱부의 센싱저항(Rs)에 연결된 MIT응용회로(100)를 포함한다.Referring to FIG. 14, the AC direct LED system 800 according to the present invention includes a rectifying unit 801 for rectifying AC to DC, a driver IC unit 802 for maintaining current required for the LED, a sensing resistor Rs And an MIT application circuit 100 connected to the sensing resistor Rs of the current sensing unit. The current sensing unit 803 supplies a voltage to the driver IC unit.

본 발명에 따른 AC 직결형 LED 시스템(800)에도 상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300,400,500), LED 드라이버 IC 시스템(600) 및 모터 드라이버IC 시스템(700)에서와 같이 동일한 MIT응용회로(100)가 센싱저항(Rs)과 직렬로 연결될 수 있다.The AC direct LED system 800 according to the present invention can be applied to the same MIT application circuit 100 as in the charger AC / DC adapter system 300, 400, 500, the LED driver IC system 600 and the motor driver IC system 700, And may be connected in series with the sensing resistance Rs.

따라서, MIT응용회로(100)에 의해 AC 직결형 LED 시스템(800) 내에서 과온도 또는 과전류가 발생되면, MIT응용회로(100)의 동작에 의해 시스템을 다운 시키지 않고 출력전류를 감소 및 증가시키는 동작을 반복하여 일정 온도를 초과하지 않도록 전류를 자동으로 조절함으로써 평형상태를 유지할 수 있다.Accordingly, when an over-temperature or an over-current is generated in the AC direct-coupled LED system 800 by the MIT application circuit 100, the output current is reduced and increased without causing the system to go down by the operation of the MIT application circuit 100 The balance can be maintained by automatically regulating the current so that it does not exceed a certain temperature by repeating the operation.

도 15는 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다. 즉, 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300,400,500)에 MIT응용회로(100)를 적용했을 때 센싱저항(Rs)의 저항값에 따른 전류 및 온도를 측정한 측정 결과를 나타낸다.15 is a graph showing the operation test results of the AC / DC adapter system for a charger including the MIT application circuit of the present invention. That is, the measurement result of the current and temperature according to the resistance value of the sensing resistor Rs when the MIT application circuit 100 is applied to the AC / DC adapter system 300, 400, 500 for the charger is shown.

도 15를 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템(300,400,500)은 정상 동작 전류인 2.1A 및 정상 동작 온도인 80℃와 비교했을 때, 작은 저항값을 갖는 센싱저항(Rs)을 적용하더라도 전류는 2.15A, 온도는 85℃를 초과하지 않는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 15, the AC / DC adapter system 300, 400, 500 for a charger including the MIT application circuit 100 according to the present invention has a small resistance It can be confirmed that the current does not exceed 2.15 A and the temperature does not exceed 85 캜 even when the sensing resistor Rs having a value is applied.

도 16은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 드라이버 IC 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다. 즉, 드라이버 IC 시스템(600,700)에 MIT응용회로(100)를 적용했을 때 센싱저항(Rs)의 저항값에 따른 전류 및 온도를 측정한 측정 결과를 나타낸다.16 is a graph showing the operation test results of the driver IC system including the MIT application circuit of the present invention. That is, the measurement result of measuring the current and temperature according to the resistance value of the sensing resistor Rs when the MIT application circuit 100 is applied to the driver IC system 600, 700 is shown.

도 16을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 드라이버 IC 시스템(600,700)은 정상 동작 전류인 120mA 및 정상 동작 온도인 80℃와 비교했을 때, 작은 저항값을 갖는 센싱저항(Rs)을 적용하더라도 전류는 130mA, 온도는 85℃를 초과하지 않는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 16, the driver IC system 600, 700 including the MIT application circuit 100 according to the present invention has a sensing resistance having a small resistance value when compared with a normal operating current of 120 mA and a normal operating temperature of 80 deg. (Rs), the current is 130 mA and the temperature does not exceed 85 ° C.

도 17은 본 발명의 MIT응용회로를 포함하는 AC 직결형 LED 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다. 즉, AC 직결형 LED 시스템(800)에 MIT응용회로(100)를 적용했을 때 센싱저항(Rs)의 저항값에 따른 전류 및 온도를 측정한 측정 결과를 나타낸다.17 is a graph showing an operation test result of an AC direct-coupled LED system including the MIT application circuit of the present invention. That is, the measurement result of the current and temperature according to the resistance value of the sensing resistor Rs when the MIT application circuit 100 is applied to the AC direct-coupled LED system 800 is shown.

도 17을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)를 포함하는 AC 직결형 LED 시스템(800)은 정상 동작 전류인 25mA 및 정상 동작 온도인 81℃와 비교했을 때, 작은 저항값을 갖는 센싱저항(Rs)을 적용하더라도 전류는 29mA, 온도는 85℃를 초과하지 않는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 17, the AC direct LED system 800 including the MIT application circuit 100 according to the present invention has a small resistance value when compared with a normal operation current of 25 mA and a normal operation temperature of 81 DEG C. Even if the sensing resistance Rs is applied, it can be confirmed that the current is 29 mA and the temperature does not exceed 85 캜.

도 18은 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 직렬로 연결된 정전압 시스템을 나타내는 도면이다.18 is a diagram illustrating a constant voltage system in which an MIT application circuit of the present invention is connected in series with a load.

도 18을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)는 정전압 시스템에 있어서 부하와 직렬로 연결될 수 있다. 상기 정전압 시스템은 일예로, LED를 발광하는 LED 발광 시스템일 수 있으나, 상기 MIT응용회로(100)가 적용되는 정전압 시스템을 이에 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 18, the MIT application circuit 100 according to the present invention may be connected in series with a load in a constant voltage system. The constant voltage system may be, for example, an LED light emitting system that emits LEDs, but is not limited to the constant voltage system to which the MIT application circuit 100 is applied.

상기 LED(112)를 포함하는 LED 발광 시스템에 있어서 LED(112)와 직렬로 연결된 MIT응용회로(100)는, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이가 발생되는 MIT소자(101), 게이트 및 소스에 상기 MIT소자(101)가 직렬로 연결된 FET(102) 및 상기 FET(102)의 게이트에 연결된 고정저항(103)을 포함할 수 있다.In the LED light emitting system including the LED 112, the MIT application circuit 100 connected in series with the LED 112 includes an MIT device 101, a gate, and a gate electrode, which generate abrupt metal- A FET 102 having a source connected to the MIT device 101 in series and a fixed resistor 103 connected to the gate of the FET 102.

시스템이 정상 동작하여 DC정전압(111)에서 인가되는 전압이 LED(112)로 정상적으로 인가되는 경우는 FET(102)의 저항값이 낮아 FET(102)에 인가되는 전압도 낮게 된다. 하지만, LED(112)에 인가되는 전압이 정상동작 이상의 이상전압이 인가되어 LED(112)에서 발열되는 온도가 상승하게 되면, MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)는 LED(112)에서 발열되는 온도를 감지하게 된다.When the system operates normally and a voltage applied from the DC constant voltage 111 is normally applied to the LED 112, the resistance value of the FET 102 is low and the voltage applied to the FET 102 is also low. However, when the voltage applied to the LED 112 is higher than the normal operation and the temperature of the LED 112 is increased, the MIT device 101 of the MIT application circuit 100 is turned on by the LED 112 And senses an exothermic temperature.

감지된 온도가 MIT소자(101)의 임계온도보다 높으면 MIT소자(101)에 의해 FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)이 증가되고, FET(102)의 저항 증가에 따라 LED에 인가되던 전압 중 초과된 전압이 FET(102)에 인가됨으로써 LED(112)에 인가되는 전압이 항상 일정하게 유지되도록 할 수 있다.When the sensed temperature is higher than the critical temperature of the MIT device 101, the drain-source resistance R DS of the FET 102 is increased by the MIT device 101, The voltage applied to the LED 112 can be kept constant at all times by applying an excess voltage to the FET 102. [

또한, 초과전압이 FET(102)에 인가되면 FET(102)에서 발열이 발생되어 MIT소자(101)가 감지하는 부하의 온도에 영향을 주게 됨으로써 시스템의 전체적인 특성에 영향이 미칠 수 있다. 따라서, 이러한 FET(102)의 발열에 따른 시스템의 영향을 줄이기 위해 FET(102)와 MIT소자(101)는 별도 패키징하는 것이 바람직하며, FET(102)는 방열이 잘되는 위치에 배치하여 FET(102)의 발열에 따른 시스템의 영향을 최소화하는 것이 바람직하다.In addition, when an excess voltage is applied to the FET 102, heat is generated in the FET 102, which affects the temperature of the load sensed by the MIT element 101, thereby affecting the overall characteristics of the system. Therefore, the FET 102 and the MIT device 101 are preferably separately packaged in order to reduce the influence of the system due to the heat generation of the FET 102. The FET 102 is disposed in a position where the heat dissipation is good, It is desirable to minimize the influence of the system due to the heat generation of the battery.

도 19는 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 직렬로 연결된 정전압 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다. 즉, 본 발명의 MIT응용회로(100)를 LED에 직렬로 연결 했을 때 LED(112)의 전압, FET(102)의 전압 및 LED(112)에 흐르는 전류를 측정한 측정 결과를 나타낸다.19 is a graph showing the operation test results of the constant voltage system in which the MIT application circuit of the present invention is connected in series with the load. That is, a measurement result obtained by measuring the voltage of the LED 112, the voltage of the FET 102, and the current flowing through the LED 112 when the MIT application circuit 100 of the present invention is connected in series to the LED is shown.

도 19를 참조하면, 인가되는 전압의 증가분만큼 MIT응용회로(100) 내의 FET(102)에 걸리는 전압이 증가하여 LED(112)에 인가되는 전압은 일정하게 유지되며, 결과적으로 LED(112)에는 일정한 전류가 흐르는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 19, the voltage applied to the FET 102 in the MIT application circuit 100 is increased by an increment of the applied voltage, so that the voltage applied to the LED 112 is kept constant. As a result, It can be confirmed that a constant current flows.

도 20은 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 병렬로 연결된 정전류 시스템을 나타내는 도면이다.20 is a diagram illustrating a constant current system in which an MIT application circuit of the present invention is connected in parallel with a load.

도 20을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)는 정전류 시스템에 있어서 부하와 병렬로 연결될 수 있다. 상기 정전류 시스템은 일예로, LED를 발광하는 LED 발광 시스템일 수 있으나, 상기 MIT응용회로(100)가 적용되는 정전류 시스템을 이에 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 20, the MIT application circuit 100 according to the present invention may be connected in parallel with a load in a constant current system. The constant current system may be, for example, an LED light emitting system that emits LEDs, but is not limited to the constant current system to which the MIT application circuit 100 is applied.

상기 LED(122)를 포함하는 LED 발광 시스템에 있어서 LED(122)와 병렬로 연결된 MIT응용회로(100)는, 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이가 발생되는 MIT소자(101), 상기 MIT소자(101)가 게이트에 연결되는 FET(102) 및 상기 FET(102)의 게이트와 소스에 연결된 고정저항(103)을 포함할 수 있다.The MIT application circuit 100 connected in parallel with the LED 122 in the LED light emitting system including the LED 122 includes an MIT device 101 in which abrupt metal-insulator transition is generated according to the ambient temperature, A FET 102 in which a device 101 is connected to a gate and a fixed resistor 103 connected to the gate and source of the FET 102.

도 18의 MIT응용회로(100)가 직렬로 연결된 정전압 시스템에서는 LED(112)가 정상동작일 경우, MIT응용회로(100) 내의 FET(102)는 낮은 저항값을 갖게 되어 FET(102)에 인가되는 전압도 낮은 전압이 인가된다.In the constant voltage system in which the MIT application circuit 100 of FIG. 18 is connected in series, when the LED 112 is operating normally, the FET 102 in the MIT application circuit 100 has a low resistance value, And a low voltage is applied.

하지만, 도 20의 MIT응용회로(100)가 병렬로 연결된 정전류 시스템에서는 LED(122)가 정상동작일 경우, MIT응용회로(100) 내의 FET(102)는 높은 저항값을 갖게 되어 DC정전류(121)에서 인가되는 전류가 LED(122)로 전부 흐르도록 한다. 만약, LED(122)에 흐르는 전류가 정상동작 이상의 전류가 인가되어(과전류) LED(122)에서 발생되는 온도가 급격히 증가되는 고온 상황이 되면, LED(122)와 병렬 연결된 MIT응용회로(100)의 MIT소자(101)에서 발열되는 온도를 감지하게 된다.However, in the constant current system in which the MIT application circuit 100 of FIG. 20 is connected in parallel, when the LED 122 is in a normal operation, the FET 102 in the MIT application circuit 100 has a high resistance value, So that the current applied to the LED 122 is entirely caused to flow. If the current flowing in the LED 122 is in a high temperature condition in which a current exceeding the normal operation is applied (overcurrent) and the temperature generated by the LED 122 rapidly increases, the MIT application circuit 100 connected in parallel with the LED 122, The temperature of the MIT device 101 is detected.

감지된 온도가 MIT소자(101)의 임계온도보다 높으면 MIT소자(101)에 의해 FET(102)의 드레인-소스 저항(RDS)이 감소하게 되고, FET(102)의 저항 감소에 따라 LED(122)에 인가되던 전류 중 초과된 전류가 FET(102)에 흐르게 함으로써 LED(122)에 흐르는 전류를 항상 일정하게 유지되도록 할 수 있다.If the sensed temperature is higher than the critical temperature of the MIT device 101, the drain-source resistance R DS of the FET 102 is reduced by the MIT device 101 and the LED 102 The current flowing through the LED 122 can be kept constant at all times by flowing an excess of the current applied to the FET 102 to the FET 102. [

또한, 초과전류가 FET(102)에 인가되면 FET(102)에서 발열이 발생되어 MIT소자(101)가 감지하는 부하의 온도에 영향을 주게 됨으로써 시스템의 전체적인 특성에 영향이 미칠 수 있다. 따라서, 이러한 FET(102)의 발열에 따른 시스템의 영향을 줄이기 위해 FET(102)와 MIT소자(101)는 별도 패키징하는 것이 바람직하며, FET(102)는 방열이 잘되는 위치에 배치하여 FET(102)의 발열에 따른 시스템의 영향을 최소화하는 것이 바람직하다.In addition, when an excess current is applied to the FET 102, heat is generated in the FET 102, which affects the temperature of the load sensed by the MIT element 101, thereby affecting the overall characteristics of the system. Therefore, the FET 102 and the MIT device 101 are preferably separately packaged in order to reduce the influence of the system due to the heat generation of the FET 102. The FET 102 is disposed in a position where the heat dissipation is good, It is desirable to minimize the influence of the system due to the heat generation of the battery.

도 21은 본 발명의 MIT응용회로가 부하와 병렬로 연결된 정전류 시스템의 동작 테스트 결과를 나타내는 그래프이다. 즉, 본 발명의 MIT응용회로(100)를 LED(122)에 병렬로 연결 했을 때 LED(122)에 흐르는 전류, FET(102)에 흐르는 전류 및 온도의 변화를 측정한 측정 결과를 나타낸다.FIG. 21 is a graph showing an operation test result of a constant current system in which an MIT application circuit of the present invention is connected in parallel with a load. That is, the measurement results obtained by measuring the current flowing through the LED 122, the current flowing through the FET 102, and the temperature when the MIT application circuit 100 of the present invention is connected in parallel to the LED 122 are shown.

도 21를 참조하면, 인가되는 전류의 증가분만큼 MIT응용회로(100) 내의 FET(102)에 흐르는 전류가 증가하여 LED(122)에 흐르는 전류는 일정하게 유지되며, 결과적으로 LED(122)에는 일정한 전류가 흐르는 것을 확인할 수 있다.21, the current flowing through the FET 102 in the MIT application circuit 100 increases by an amount corresponding to an increase in the applied current, so that the current flowing through the LED 122 is kept constant. As a result, It can be confirmed that a current flows.

도 22은 본 발명의 MIT응용회로의 다른 실시예를 나타내는 회로도이다.22 is a circuit diagram showing another embodiment of the MIT application circuit of the present invention.

도 22을 참조하면, 본 발명에 따른 MIT응용회로(100)의 다른 실시예(900)는 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이가 발생되는 MIT소자(901), 게이트 및 소스에 상기 MIT소자(901)가 직렬로 연결된 FET(902) 및 상기 FET(902)의 게이트에 연결된 복수의 고정저항(903)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 고정저항은 저항값(903)이 다른 두 개 이상의 저항이 FET(902)의 게이트와 연결된 형태일 수 있다. 즉, 사용자는 MIT응용회로(100)를 사용 용도에 맞게 복수의 고정저항(903) 중 원하는 저항을 스위치를 이용하여 선택함으로써 MIT응용회로(100)를 동작시킬 수 있다.22, another embodiment 900 of the MIT application circuit 100 according to the present invention includes an MIT device 901 in which a rapid metal-insulator transition is generated according to ambient temperature, And a plurality of fixed resistors 903 connected to the gates of the FETs 902. The FETs 902 are connected in series. The plurality of fixed resistors may have a configuration in which two or more resistances having different resistance values 903 are connected to the gates of the FETs 902. That is, the user can operate the MIT application circuit 100 by selecting a desired one of the plurality of fixed resistors 903 by using the switch according to the use purpose of the MIT application circuit 100.

일예로써, 본 발명에 따른 복수의 고정저항(903)을 포함하는 MIT응용회로(100)는 도 22에 도시한 바와 같이, 전원(904), 전원 스위치(905) 및 저항선택 스위치(906)를 MIT응용회로(100)와 함께 구성할 수 있다.As shown in FIG. 22, the MIT application circuit 100 including a plurality of fixed resistors 903 according to the present invention includes a power source 904, a power switch 905, and a resistance selection switch 906 And can be configured together with the MIT application circuit 100.

전원 스위치(905)를 ON하여 전류가 흐를 경우, MIT응용회로(100)의 FET(902) 자체가 갖는 저항 때문에 수식 P=I2×R에 의해 전류의 제곱에 비례하는 주울열이 발생된다. 온도가 상승하면 온도 상승에 따라 MIT소자(901)의 저항값이 감소하게 되고, 복수의 고정저항(903) 중 선택된 고정저항과 MIT소자(901)의 전압 분배에 의해 FET(902)가 오프된다. FET(902)가 오프되면 전류가 차단됨으로 인해 온도 하락이 발생되고 이에 따라 MIT소자(901)의 저항값이 증가하게 되어 FET(902)는 다시 ON되어 온도가 상승하게 된다.Joule heat proportional to the square of the current is generated by the equation P = I 2 x R because of the resistance of the FET 902 itself of the MIT application circuit 100 when the power switch 905 is turned on and current flows. When the temperature rises, the resistance value of the MIT element 901 decreases according to the temperature rise, and the FET 902 is turned off by the voltage distribution of the MIT element 901 and the selected fixed resistor among the plurality of fixed resistors 903 . When the FET 902 is turned off, the current is cut off and the temperature is lowered. As a result, the resistance value of the MIT device 901 is increased, and the FET 902 is turned on again to raise the temperature.

이러한 FET(902)의 ON, OFF를 반복하여 온도를 내리고, 올리는 과정이 반복됨으로써 MIT응용회로(100)는 일정한 온도를 유지하게 된다. 즉, 복수의 고정저항(903) 중 선택된 고정저항의 저항값에 따라 유지되는 온도의 조정이 가능해진다. 일예로, 복수의 고정저항(903) 중 저항값이 작은 고정저항을 선택할수록 높은 온도가 유지되고, 저항값이 큰 고정저항을 선택할수록 낮은 온도가 유지된다.By repeatedly turning ON and OFF the FET 902 to lower and raise the temperature, the MIT application circuit 100 maintains a constant temperature. In other words, it is possible to adjust the temperature maintained in accordance with the resistance value of the selected fixed resistor among the plurality of fixed resistors 903. For example, a higher temperature is maintained as the fixed resistance having a smaller resistance value is selected among the plurality of fixed resistance 903, and a lower temperature is maintained as the fixed resistance having a larger resistance value is selected.

이러한 온도 조정이 가능한 MIT응용회로(100)의 특성을 이용하여, 발열이 요구되는 응용회로, 일예로써, 별도의 방열판을 부착하여 구성함으로써 정온도 유지 및 온도 조절이 가능한 손난로 등에 활용될 수 있다. 일예로, 손난로 등에 활용되었을 때 MIT응용회로(100)에 부착하는 방열판의 크기에 따라 외부로 전달되는 온도 레벨이 결정될 수 있다. 즉, 외부에서 느끼는 온도는 상기 방열판이 클수록 낮아지고, 방열판이 작을수록 높아지게 된다.By using the characteristic of the MIT application circuit 100 capable of adjusting the temperature, an application circuit requiring heat generation, for example, a separate heat sink can be attached to the heat source, . For example, the temperature level to be transmitted to the outside can be determined according to the size of the heat sink attached to the MIT application circuit 100 when used in a hand-warming furnace or the like. That is, the temperature sensed by the outside becomes lower as the heat sink is larger, and becomes higher as the heat sink is smaller.

도 23은 본 발명의 MIT응용회로를 이용한 다른 실시예에 따른 테스트 결과를 나타내는 그래프이다. 즉, 복수의 고정저항(903)을 포함하는 MIT응용회로(100)에 방열판을 연결하여 구성한 후, 고정저항에 따라 방열판에서 발생되는 온도 변화를 측정한 측정 결과이다.23 is a graph showing test results according to another embodiment using the MIT application circuit of the present invention. That is, a measurement result obtained by connecting a heat sink to an MIT application circuit 100 including a plurality of fixed resistors 903, and then measuring a temperature change occurring in the heat sink according to a fixed resistor.

도 23를 참조하면, 저항값이 다른 4개의 고정저항 중 저항값이 작을수록 방열판에서 발생되는 온도는 높은 온도가 측정됨을 확인할 수 있으며, 고정저항의 저항값에 상관없이 시간이 지날수록 정온도가 유지됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 23, it can be seen that the lower the resistance value among the four fixed resistances having different resistance values, the higher the temperature generated in the heat sink is measured. Regardless of the resistance value of the fixed resistance, It can be confirmed that it is maintained.

상술한 바와 같이, 본 발명의 MIT소자를 이용한 MIT응용회로, 이를 포함하는 전기전자 시스템 및 그 구동방법은, 시스템의 과전류 및 과전류에 따른 과온도가 발생 되었을 때 시스템을 다운시켜 시스템을 보호하는 방식이 아닌, 과전류 및 과온도가 발생되었을 때 MIT응용회로를 이용하여 출력전류를 감소 및 증가시키는 동작을 자동으로 반복하여 실시함으로써 평형상태를 유지할 수 있기 때문에 시스템을 다운시킬 필요가 없으며, 정해진 온도를 초과하지 않는 전류 수준으로 안전상태의 정온도, 정전류를 유지하여 시스템을 보호할 수 있는 장점이 있다.As described above, the MIT application circuit using the MIT device of the present invention, the electric and electronic system including the MIT device, and the driving method thereof are applicable to a system in which the system is protected by downing the system when an over- It is possible to maintain the equilibrium state by automatically repeating the operation of decreasing and increasing the output current by using the MIT application circuit when the overcurrent and overtemperature are generated, so there is no need to down the system and the predetermined temperature There is an advantage that the system can be protected by keeping the constant temperature and constant current of the safety state at the current level not exceeding the limit.

또한, 본 발명에 따른 MIT응용회로를 다양한 전기전자시스템에 적용하여 과전류 및 과온도 발생시 시스템을 다운시키지 않고 안전상태를 유지함으로써 시스템 다운에 따른 경제적 손실을 방지할 수 있다.In addition, by applying the MIT application circuit according to the present invention to various electric and electronic systems, it is possible to prevent the economic loss due to the system down by maintaining the safety state without causing the system to go down during the overcurrent and overtemperature.

더 나아가, 복수의 고정저항이 포함된 MIT응용회로를 방열판에 연결하여 방열판에서 발생되는 열을 활용함으로써 손난로와 같은 온도를 이용하는 시스템에 적용할 수 있다.Further, the present invention can be applied to a system using a temperature such as a hand stove by utilizing the heat generated from the heat sink by connecting an MIT application circuit including a plurality of fixed resistors to the heat sink.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

100 : MIT응용회로 101 : MIT소자
102 : FET 103 : 고정저항
200 : 정전류 시스템
300,400,500 : 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템
600 : LED 드라이버 IC 시스템 700 : 모터 드라이버IC 시스템
800 : AC 직결형 LED 시스템100: MIT application circuit 101: MIT device
102: FET 103: Fixed resistor
200: constant current system
300, 400, 500: AC / DC adapter system for charger
600: LED driver IC system 700: Motor driver IC system
800: AC direct LED system

Claims (19)

주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자;
상기 MIT소자에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값에 따라 출력전류를 제어하는 FET; 및
상기 FET의 게이트에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값과 함께 상기 FET의 게이트-소스 전압을 결정하는 고정저항을 포함하는 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.An MIT device in which an abrupt metal-insulator transition is generated according to the ambient temperature;
An FET connected to the MIT device and controlling an output current according to a resistance value of the MIT device; And
And a fixed resistor connected to the gate of the FET and determining the gate-source voltage of the FET together with the resistance of the MIT device. 제1항에 있어서,
상기 MIT소자는 상기 FET의 게이트와 소스에 연결되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.The method according to claim 1,
Wherein the MIT device is coupled to the gate and source of the FET. 제1항에 있어서,
상기 MIT소자의 저항값이 낮아지는 특정 온도를 기준으로 상기 MIT소자의 저항값이 하락하면, 상기 FET의 드레인-소스의 저항값은 상승하는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.The method according to claim 1,
Wherein the resistance value of the drain-source of the FET rises when the resistance value of the MIT device is lowered based on a specific temperature at which the resistance value of the MIT device is lowered. 제1항에 있어서,
상기 MIT소자가 감지하는 온도가 상기 MIT소자의 임계온도 이상으로 상승하면 상기 FET의 드레인-소스의 저항값이 상승하여 출력전류를 감소시키고, 상기 출력전류의 감소에 의해 발열량이 감소하면 상기 드레인-소스 저항값이 하락하여 출력전류를 상승시키는 과정이 반복되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.The method according to claim 1,
When the temperature sensed by the MIT device rises above a critical temperature of the MIT device, the resistance value of the drain-source of the FET rises to reduce the output current, and when the heating value decreases due to the decrease of the output current, And the process of raising the output current is repeated as the source resistance value is lowered. 제1항에 있어서, 상기 MIT소자를 적용한 MIT응용회로는,
DC정전압에서 인가되는 전압에 의해 빛을 발광하는 LED 발광 시스템에 상기 MIT응용회로가 부하와 직렬로 연결되고,
상기 DC정전압에서 인가되는 전압에 따라 상기 MIT응용회로의 동작 여부가 결정되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.2. The MIT application circuit according to claim 1, wherein the MIT application circuit comprises:
The MIT application circuit is connected in series with the load to an LED light emitting system which emits light by a voltage applied at a DC constant voltage,
Wherein the operation of the MIT application circuit is determined according to a voltage applied at the DC constant voltage. 제5항에 있어서,
상기 MIT소자는 상기 FET의 게이트와 소스에 직렬로 연결되고, 상기 고정저항은 상기 FET의 게이트에 연결되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.6. The method of claim 5,
Wherein the MIT device is serially connected to the gate and source of the FET and the fixed resistor is connected to the gate of the FET. 제5항에 있어서,
상기 DC정전압에서 상기 LED로 정상 전압이 인가될 경우, 상기 FET의 저항값은 낮게 설정되고,
상기 DC정전압에서 상기 LED로 정상 전압보다 높은 초과전압이 인가되어 상기 LED에서 발열되는 온도가 상승될 경우, 상기 FET의 저항값이 상승되어 상기 MIT응용회로에 상기 초과전압이 인가되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.6. The method of claim 5,
When a normal voltage is applied to the LED at the DC constant voltage, the resistance value of the FET is set low,
Wherein an excess voltage higher than a steady voltage is applied to the LED at the DC constant voltage so that the temperature of the LED is increased to increase the resistance of the FET so that the excess voltage is applied to the MIT application circuit. MIT application circuit applying. 제1항에 있어서, 상기 MIT소자를 적용한 MIT응용회로는,
DC정전류에서 인가되는 전류에 의해 빛을 발광하는 LED 발광 시스템에 상기 MIT응용회로가 부하와 병렬로 연결되고,
상기 DC정전류에서 인가되는 전류에 따라 상기 MIT응용회로의 동작 여부가 결정되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.2. The MIT application circuit according to claim 1, wherein the MIT application circuit comprises:
The MIT application circuit is connected in parallel with the load to an LED light emitting system that emits light by a current applied at a DC constant current,
Wherein the operation of the MIT application circuit is determined according to a current applied in the DC constant current. 제8항에 있어서,
상기 고정저항은 상기 FET의 게이트와 소스에 직렬로 연결되고, 상기 MIT소자는 상기 FET의 게이트에 연결되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.9. The method of claim 8,
Wherein the fixed resistor is connected in series to the gate and source of the FET, and the MIT device is connected to the gate of the FET. 제8항에 있어서,
상기 DC정전류에서 상기 LED로 정상 전류가 인가될 경우, 상기 FET의 저항값은 높게 설정되고,
상기 DC정전류에서 상기 LED로 정상 전류보다 높은 초과전류가 인가되어 상기 LED에서 발열되는 온도가 상승될 경우, 상기 FET의 저항값이 하락하여 상기 MIT응용회로에 상기 초과전류가 인가되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.9. The method of claim 8,
When a steady current is applied to the LED at the DC constant current, the resistance value of the FET is set high,
Wherein an excess current is applied to the MIT application circuit due to a decrease in the resistance value of the FET when an excess current higher than a normal current is applied to the LED at the DC constant current to raise the temperature of the LED, MIT application circuit applying. 제1항에 있어서,
상기 고정저항은 저항값이 다른 복수개의 저항을 포함하고,
상기 FET에서 발생되는 온도를 제어하도록 상기 복수개의 저항 중 어느 하나의 저항을 선택하는 저항선택 스위치를 더 포함하는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로.The method according to claim 1,
Wherein the fixed resistor includes a plurality of resistors having different resistance values,
Further comprising a resistance selection switch for selecting any one of the plurality of resistors to control a temperature generated in the FET. 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자;
상기 MIT소자에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값에 따라 출력전류를 제어하는 FET; 및
상기 FET의 게이트에 연결되고, 상기 MIT소자의 저항값과 함께 상기 FET의 게이트-소스 전압을 결정하는 고정저항을 포함하는 MIT응용회로에 있어서,
상기 MIT응용회로와 연결된 전기전자회로를 포함하는 MIT응용회로를 적용한 전기전자회로 시스템.An MIT device in which an abrupt metal-insulator transition is generated according to the ambient temperature;
An FET connected to the MIT device and controlling an output current according to a resistance value of the MIT device; And
And a fixed resistor coupled to the gate of the FET and determining a gate-source voltage of the FET along with a resistance value of the MIT device,
And an MIT application circuit including an electrical and / or electronic circuit connected to the MIT application circuit. 제12항에 있어서,
상기 전기전자회로는 정전류 시스템, 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템, LED 드라이버 IC 시스템, 모터 드라이버 IC 시스템 및 AC 직결형 LED 시스템을 포함하는 MIT응용회로를 적용한 전기전자회로 시스템.13. The method of claim 12,
The electric / electronic circuit is an electric / electronic circuit system using an MIT application circuit including a constant current system, an AC / DC adapter system for a charger, an LED driver IC system, a motor driver IC system, and an AC direct LED system. 제12항에 있어서,
상기 MIT응용회로는 상기 전기전자회로에 구비된 센싱저항(Sensing Resistor)에 직렬로 연결되는 것인 MIT응용회로를 적용한 전기전자회로 시스템.13. The method of claim 12,
Wherein the MIT application circuit is serially connected to a sensing resistor provided in the electric / electronic circuit. 제13항에 있어서, 상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템은,
상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템의 출력단에 연결되고, 회로 내에서 발생되는 열을 감지하여 감지된 열의 정도에 따라 상기 MIT응용회로를 동작시키는 열감지 FET를 더 포함하는 MIT응용회로를 적용한 전기전자회로 시스템.14. The AC / DC adapter system for a charger according to claim 13,
And a heat sensing FET connected to an output terminal of the AC / DC adapter system for the charger, for sensing the heat generated in the circuit and operating the MIT application circuit according to the degree of the sensed heat, Circuit system. 제13항에 있어서, 상기 충전기용 AC/DC 어뎁터 시스템은,
상기 MIT응용회로와 병렬로 연결되고, 회로 내에서 발생되는 열에 의해 출력전류가 완전 차단되는 것을 방지하기 위한 차단방지저항을 더 포함하는 MIT응용회로를 적용한 전기전자회로 시스템.14. The AC / DC adapter system for a charger according to claim 13,
And an anti-blocking resistor connected in parallel with the MIT application circuit, the anti-blocking resistor preventing the output current from being completely blocked by heat generated in the circuit. 주위의 온도에 따라 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 MIT소자에서 주위의 온도를 감지하는 단계;
상기 MIT소자에서 감지된 온도를 상기 MIT소자의 임계 온도와 비교하는 단계; 및
상기 감지된 온도와 상기 임계 온도의 비교에 따라 상기 MIT소자와 연결된 FET가 출력전류를 제어하는 단계를 포함하는 MIT소자를 적용한 MIT응용회로의 동작방법.Sensing an ambient temperature in an MIT device in which abrupt metal-insulator transition is generated according to ambient temperature;
Comparing the sensed temperature of the MIT device with a threshold temperature of the MIT device; And
And controlling an output current of the FET connected to the MIT device according to a comparison between the sensed temperature and the threshold temperature. 제15항에 있어서, 상기 FET가 출력전류를 제어하는 단계는,
상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 높으면, 상기 FET가 턴-온(turn-on)되고,
상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 낮으면, 상기 FET가 턴-오프(turn-off)되는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로의 동작방법.16. The method of claim 15, wherein the step of controlling the output current of the FET comprises:
If the sensed temperature is higher than the threshold temperature, the FET is turned on,
And the FET is turned off if the sensed temperature is lower than the threshold temperature. ≪ Desc / Clms Page number 19 > 제17항에 있어서, 상기 FET가 출력전류를 제어하는 단계는,
상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 높으면, 상기 FET의 저항값이 증가하여 출력전류를 감소시키는 출력전류 감소단계; 및
상기 출력전류가 감소하여 상기 감지된 온도가 상기 임계 온도보다 낮아지면, 상기 FET의 저항값이 감소하여 출력전류를 증가시키는 출력전류 증가단계를 포함하고,
상기 출력전류 감소단계 및 상기 출력전류 증가단계를 반복하여 동작시킴으로써 출력전류 또는 감지되는 온도를 일정하게 유지시키는 것인 MIT소자를 적용한 MIT응용회로의 동작방법.18. The method of claim 17, wherein the step of controlling the output current of the FET comprises:
An output current reducing step of decreasing an output current by increasing a resistance value of the FET if the sensed temperature is higher than the critical temperature; And
And increasing an output current by decreasing the resistance value of the FET when the detected output current decreases and the sensed temperature becomes lower than the threshold temperature,
Wherein the output current decreasing step and the output current increasing step are repeatedly operated to keep the output current or the sensed temperature constant.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744551B1 (en) 2005-10-12 2007-08-01 한국전자통신연구원 Temperature sensor using abrupt MIT device and alarm comprising the same sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102663966B1 (en) * 2023-11-20 2024-05-10 반암 주식회사 Heating system and electroic device having the same

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