KR20180091576A - Apparatus for transferring substrate - Google Patents

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KR20180091576A
KR20180091576A KR1020170016970A KR20170016970A KR20180091576A KR 20180091576 A KR20180091576 A KR 20180091576A KR 1020170016970 A KR1020170016970 A KR 1020170016970A KR 20170016970 A KR20170016970 A KR 20170016970A KR 20180091576 A KR20180091576 A KR 20180091576A
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권순범
진법종
김기덕
박창균
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The present invention facilitates replacement of an etched first guide pin by forming a first through hole in a tray. The present invention provides a substrate transfer apparatus for reducing a replacement period of the first guide pin by forming the diameter of a second guide pin disposed at the periphery of the tray to be larger than the diameter of the first guide pin disposed inside the tray. The substrate transfer apparatus according to the present invention comprises: a tray on which a substrate is loaded; the first guide pin formed on the upper surface of the tray and formed between a plurality of substrates to prevent movement of the substrate; and a first through hole formed in a lower portion of the first guide pin. Therefore, the replacement period of the guide pin of the tray can be reduced.

Description

기판 이송 장치{APPARATUS FOR TRANSFERRING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TRANSFERRING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 태양전지 기판 이송 장치에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 기판 이송 장치의 트레이에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell substrate transfer apparatus, and more particularly to a tray of a substrate transfer apparatus.

태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치로서, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN 접합 구조를 포함하여 이루어져, 태양광이 입사되면 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole)과 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산하는 것이다. A solar cell is a device for converting light energy into electrical energy by utilizing the properties of a semiconductor. The solar cell includes a PN junction structure in which a P-type semiconductor and a N-type semiconductor are bonded, Holes and electrons are generated in the semiconductor due to the energy of the incident sunlight. At this time, the holes (+) move toward the P-type semiconductor due to the electric field generated at the PN junction The electrons (-) move toward the N-type semiconductor to generate electric potential, thereby producing electric power.

상기 태양전지는 박막형 태양전지와 웨이퍼형 태양전지로 구분할 수 있다. 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 웨이퍼형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체 물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이다.The solar cell can be classified into a thin film solar cell and a wafer type solar cell. The thin-film solar cell is a solar cell manufactured by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass or the like, and the wafer-type solar cell is a solar cell manufactured using a semiconductor material itself such as silicon as a substrate.

이와 같은 박막형 태양전지 또는 기판형 태양전지는 유리, 투명한 플라스틱 또는 실리콘 웨이퍼(이하에서는 '유리, 투명한 플라스틱 또는 실리콘 웨이퍼'를 '기판'으로 통칭하기로 한다) 상에 PN접합을 위한 반도체층을 형성하는 공정, 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 (+)전극 및 (-)전극을 형성하는 공정을 통해 제조된다. 또한, 기판형 태양전지의 경우 태양광이 PN접합층 내로 투과되지 않고 그 표면에서 반사되는 것을 방지하기 위해 태양광의 입사면에 반사방지층을 형성하는 공정을 추가로 수행하기도 한다.Such a thin film type solar cell or a substrate type solar cell may be formed by forming a semiconductor layer for PN junction on a glass, a transparent plastic or a silicon wafer (hereinafter, referred to as a "glass, a transparent plastic or a silicon wafer" And a step of forming a (+) electrode and a (-) electrode electrically connected to the semiconductor layer. Further, in the case of a substrate type solar cell, a step of forming an antireflection layer on the incident surface of sunlight may be further performed to prevent sunlight from being transmitted through the PN junction layer and being reflected from the surface thereof.

이와 같은 반도체층, 전극층 및 반사방지층은 증착장비 또는 스퍼터링장비 등(이하, '증착장비 또는 스퍼터링장비 등'을 '공정장비'로 통칭하기로 한다)을 이용하여 형성하게 된다.The semiconductor layer, the electrode layer, and the antireflection layer are formed using a deposition apparatus, a sputtering apparatus, or the like (hereinafter referred to as a 'deposition apparatus or a sputtering apparatus').

한편, 상기와 같은 공정장비를 이용한 일반적인 반도체 제조공정에서는 반도체 소자를 미세한 패턴으로 형성해야 하는 필요성으로 인해서 각각의 공정장비 내에서 1개의 기판만이 처리되는 것이 일반적이다.On the other hand, in a general semiconductor manufacturing process using the above process equipment, it is common that only one substrate is processed in each process equipment due to the necessity of forming a semiconductor device in a fine pattern.

그러나, 태양전지의 경우에는 미세한 패턴을 형성해야 하는 필요성이 적기 때문에 생산효율 증진을 위해서는 복수 개의 기판을 동시에 공정장비 내로 로딩하여 처리하는 것이 바람직하며, 그에 따라 복수 개의 기판을 트레이(Tray) 위에 안착시킨 상태에서 상기 트레이를 공정 장비 내로 로딩하여 복수 개의 기판을 동시에 처리하게 된다.However, in the case of a solar cell, since it is not necessary to form a fine pattern, it is preferable to load and process a plurality of substrates simultaneously in the process equipment in order to improve the production efficiency. Accordingly, The tray is loaded into the process equipment to process a plurality of substrates simultaneously.

도 1은 종래에 따른 복수 개의 기판이 안착된 트레이의 형상을 도시한 개략적인 단면도이다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional tray on which a plurality of substrates are mounted.

도 1에서 알 수 있듯이, 트레이 상에는 복수 개의 기판이 안착되어 있고, 복수 개의 기판 사이에는 제 1 가이드핀이 형성되어 있다. 이 때 제 1 가이드핀은 트레이에 고정되어 형성될 수 있다. 하지만, 제 1 가이드핀이 트레이에 고정되어 형성되는 경우 제 1 가이드핀의 직경이 작아 제 1 가이드핀이 식각되어 교체해야 할 때 상기 제 1 가이드핀을 상기 트레이 상에서 제거하기 용이하지 않은 문제가 있다. 또한, 가이드핀이 배치된 위치에 따라서 가이드핀의 식각률이 차이가 생기고 이에 따라서 식각 주기가 늘어나는 문제가 있어 왔다.As shown in FIG. 1, a plurality of substrates are placed on a tray, and a first guide pin is formed between the plurality of substrates. At this time, the first guide pin may be fixed to the tray. However, when the first guide pin is fixed to the tray, the diameter of the first guide pin is so small that it is not easy to remove the first guide pin from the tray when the first guide pin needs to be etched and replaced . In addition, there has been a problem that the etch rate of the guide pin varies depending on the position where the guide pin is disposed, thereby increasing the etch cycle.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 제 1 가이드핀의 교체시 제 1 가이드핀의 교체를 용이하게 하는 기판 이송 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate transfer apparatus that facilitates replacement of a first guide pin when replacing a first guide pin.

또한, 식각률이 다른 가이드핀의 교체시 가이드핀의 교체주기를 줄이기 위한 기판 이송 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus for reducing the replacement cycle of guide pins when the guide pins having different etching rates are replaced.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판이 적재되는 트레이, 상기 트레이의 상면에 형성되고, 상기 기판의 이동을 방지하기 위해 복수개의 상기 기판들 사이에 형성되는 제 1 가이드핀; 및 상기 제 1 가이드핀의 하부에 형성되는 제 1 관통홀을 포함하는 기판 이송 장치를 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a tray on which a substrate is loaded, a first guide pin formed on a top surface of the tray and formed between the plurality of substrates to prevent movement of the substrate, And a first through hole formed in a lower portion of the first guide pin.

또한, 상기 제 1 관통홀의 직경은 상기 제 1 가이드핀의 30% 이상 60% 이하로 형성되는 것을 포함할 수 있다.The diameter of the first through-hole may be 30% or more and 60% or less of the diameter of the first guide pin.

또한, 상기 트레이의 주변부에 더미 기판이 배치되고, 상기 더미 기판의 외곽부에 형성되는 제 2 가이드핀을 더 포함할 수 있고, 상기 제 2 가이드핀의 직경은 상기 제 1 가이드핀의 직경보다 1.3배 이상 2배 이하로 형성되는 것을 포함할 수 있다.The dummy substrate may further include a second guide pin disposed at a peripheral portion of the tray and formed at an outer portion of the dummy substrate, wherein the diameter of the second guide pin is 1.3 Fold or more and 2 times or less.

또한, 상기 제 2 가이드핀의 하부에는 제 2 관통홀이 형성되는 것을 포함할 수 있고, 상기 제 2 관통홀의 직경은 상기 제 2 가이드핀의 직경의 30% 이상 60% 이하로 형성되는 것을 포함할 수 있다. The second through-hole may include a second through-hole formed at a lower portion of the second guide pin, and the diameter of the second through-hole may be at least 30% and at most 60% of the diameter of the second guide pin .

또한, 상기 제 1 가이드핀은 상기 제 2 가이드핀 보다 식각률이 작은 물질로 형성되는 것을 포함할 수 있다.The first guide pin may be formed of a material having a lower etching rate than the second guide pin.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.

본 발명은 트레이에 제 1 관통홀을 형성하여 식각된 제 1 가이드핀의 교체를 용이하게 할 수 있다. The present invention can facilitate the replacement of the etched first guide pin by forming a first through hole in the tray.

또한, 본 발명은 트레이의 주변부에 배치된 제 2 가이드핀의 직경을 트레이의 내측에 배치된 제 1 가이드핀의 직경보다 크게 형성하여 가이드핀의 교체 주기를 감소시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, the diameter of the second guide pin disposed at the peripheral portion of the tray is made larger than the diameter of the first guide pin disposed at the inner side of the tray, thereby reducing the replacement period of the guide pin.

도 1은 종래에 따른 복수 개의 기판이 안착된 트레이를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 복수 개의 기판이 안착된 트레이를 도시한 개략적인 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 I - I` 선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 복수 개의 기판이 안착된 트레이를 도시한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 II - II` 선의 단면을 나타내는 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a tray on which a plurality of substrates are mounted according to a conventional method.
2 is a schematic perspective view illustrating a tray on which a plurality of substrates are placed according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a cross section of the line I - I 'shown in FIG.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating a tray on which a plurality of substrates are placed according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a cross section of a line II - II 'shown in FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 복수 개의 기판이 안착된 트레이를 도시한 개략적인 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 I-I` 선의 단면을 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a schematic perspective view showing a tray on which a plurality of substrates are mounted according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cross section of line I-I 'shown in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 트레이(100) 상에는 복수의 기판(10)이 적재되어 상기 기판(10)을 챔버 내로 이송할 수 있다. 상기 복수의 기판(10)은 상기 트레이(100) 상에서 일정한 간격을 가지고 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. Referring to FIGS. 2 and 3, a plurality of substrates 10 are stacked on the tray 100 to transfer the substrate 10 into the chamber. The plurality of substrates 10 may be disposed at regular intervals on the tray 100, but the present invention is not limited thereto.

상기 트레이(100)는 내열 유리로 제작된다. 이때, 상기 트레이(100)는 3 내지 10mm 정도의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판 처리 공정 및/또는 크기에 따라 변경될 수 있다. 상기의 내열 유리는 일반 유리에 비하여 다음과 같은 특징이 있다.The tray 100 is made of heat-resistant glass. At this time, the tray 100 may have a thickness of about 3 to 10 mm, but it is not limited thereto, and may be changed depending on the substrate processing process and / or size. The above heat-resistant glass has the following characteristics in comparison with ordinary glass.

첫째, 일반 규산염 유리는 SiO2-CaO-Na2O 재질로 이루어져 1400 내지 1500℃에서 유리화하지만, 내열 유리는 산화붕소(B3O3 )를 다량 포함하도록 이루어져 1600℃ 정도에서 유리화한다. 둘째, 내열 유리는 그래파이트와 비교하여 매우 저가이고, 대면적화에 유리한다. 셋째, 일반 유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.0009% 증가하지만, 내열 유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.00007% 증가한다. 따라서, 내열 유리는 일반 유리에 비교하여 열팽창율이 극히 낮아 큰 온도차에 위한 열충격에서 잘 견딜 수 있는 소재이다.First, the general silicate glass is made of SiO 2 -CaO-Na 2 O and vitrifies at 1400 to 1500 ° C., but the heat-resistant glass is made to contain a large amount of boron oxide (B 3 O 3 ) and vitrifies at about 1600 ° C. Second, the heat-resistant glass is very inexpensive as compared with graphite, and is advantageous in large-area. Third, ordinary glass increases 0.0009% of the total length per 1 ° C, but heat-resistant glass increases 0.00007% of the total length per 1 ° C. Therefore, heat-resistant glass has extremely low coefficient of thermal expansion as compared with ordinary glass, and is a material that can withstand a thermal shock for a large temperature difference.

따라서, 내열 유리는 일반 유리보다 월등하게 높은 기계적 강도, 화학적 내구성 및 낮은 열팽창률을 가지기 때문에, 트레이(100)의 모재로써 매우 적합하다.Therefore, the heat-resistant glass is highly suitable as the base material of the tray 100 because it has much higher mechanical strength, chemical durability and low thermal expansion coefficient than ordinary glass.

한편, 상기의 트레이(100)는 내열 유리 이외에도 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어질 수도 있다.Meanwhile, the tray 100 may be made of a graphite material or a high-strength carbon composite material (CC composite) in addition to heat-resistant glass.

상기 복수의 기판(10)은 상기 트레이(100) 상에서 배치되는 경우 상기 기판(10)의 위치가 상기 기판(10)의 이송 중에 변경되지 않도록 제 1 가이드핀(30)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 가이드핀(30)은 상기 트레이(100) 상에 억지끼움이나 나사를 형성하여 체결될 수 있다. 상기 제 1 가이드핀(30)은 상기 트레이(100) 상에서 일정한 간격을 가지고 형성될 수 있으나 이에 한정되지 아니하고 상기 복수의 기판(10)이 복수의 상기 제 1 가이드핀(30) 내부에 배치될 수 있다. 상기 제 1 가이드핀(30)은 상기 기판(10)의 이송 중에 상기 기판(10)의 움직임을 최소화시킬 수 있도록 배치될 수 있으며 상기 제 1 가이드핀(30)의 개수는 상기 기판(10)의 크기에 따라서 변경될 수 있다.The first guide pin 30 may be formed on the plurality of substrates 10 so that the position of the substrate 10 is not changed during transfer of the substrate 10 when the substrate 10 is disposed on the tray 100. The first guide pin 30 may be fastened or screwed on the tray 100 to be fastened. The first guide pin 30 may be formed on the tray 100 at a predetermined interval, but the present invention is not limited thereto. The plurality of substrates 10 may be disposed inside the plurality of first guide pins 30 have. The first guide pin 30 may be disposed to minimize movement of the substrate 10 during transfer of the substrate 10 and the number of the first guide pins 30 may be set to a predetermined value, It can be changed according to the size.

상기 제 1 가이드핀(30) 하부에는 제 1 관통홀(50)이 형성될 수 있다. 상기 기판 이송 장치(200)는 상기 기판(10)이 적재되는 트레이(100), 상기 트레이(100)의 상면에 형성되고, 상기 기판(10)의 이동을 방지하기 위해 복수개의 상기 기판(10)들 사이에 형성되는 제 1 가이드핀(30); 및 상기 제 1 가이드핀(30)의 하부에 형성되는 제 1 관통홀(50)을 포함하여 형성될 수 있다. A first through hole 50 may be formed under the first guide pin 30. The substrate transfer apparatus 200 includes a tray 100 on which the substrate 10 is mounted and a plurality of substrates 10 mounted on the tray 100 to prevent the substrate 10 from moving. A first guide pin (30) formed between the first guide pin (30); And a first through hole 50 formed in the lower portion of the first guide pin 30. [

상기 제 1 관통홀(50)은 상기 트레이(100)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홀(50)은 상기 제 1 가이드핀(30)이 체결되는 부분과 연속적으로 형성될 수 있고, 이에 따라서 상기 트레이(100)의 상부와 하부가 연결되는 복수의 홀이 형성될 수 있다.The first through hole 50 may be formed in the tray 100. The first through hole 50 may be formed continuously with a portion where the first guide pin 30 is fastened to thereby a plurality of holes may be formed to connect the upper portion and the lower portion of the tray 100 have.

상기 제 1 관통홀(50)의 직경은 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경의 30% 이상 60% 이하로 형성되는 것을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제 1 관통홀(50)의 직경이 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경의 30% 이하로 형성되는 경우 상기 제 1 관통홀(50)의 직경이 너무 작아서 가공이 힘들 수 있고, 상기 제 1 관통홀(50)을 통해 상기 제 1 가이드핀(30)을 제거할 때 상기 제 1 관통홀(50)이 너무 작아서 상기 제 1 가이드핀(30)의 제거가 용이하지 않을 수 있다. 상기 제 1 관통홀(50)의 직경이 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경의 60% 이상으로 형성되는 경우 상기 제 1 가이드핀(30)이 식각되는 경우 그 크기가 작아져서 상기 제 1 관통홀(50)을 통해 빠져서 상기 제 1 가이드핀(30)이 상기 기판(10)의 위치를 정하지 못할 수 있다.The diameter of the first through hole 50 may be about 30% to about 60% of the diameter of the first guide pin 30. If the diameter of the first through-hole 50 is less than 30% of the diameter of the first guide pin 30, the diameter of the first through-hole 50 is too small to be machined, When the first guide pin 30 is removed through the first through hole 50, the first through hole 50 may be too small to remove the first guide pin 30 easily. When the diameter of the first through-hole 50 is 60% or more of the diameter of the first guide pin 30, when the first guide pin 30 is etched, the size of the first through- The first guide pin 30 may not be able to locate the substrate 10 by passing through the hole 50.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 복수 개의 기판이 안착된 트레이를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 II-II` 선의 단면을 나타내는 단면도이다.FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a tray on which a plurality of substrates are placed according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along a line II-II 'shown in FIG.

도 4 및 도 5를 참조하여 설명하면, 상기 트레이(100)의 주변부에는 더미 기판(20)이 배치될 수 있다. 상기 더미 기판(20)은 상기 기판(10)의 외부에 배치되고, 상기 트레이(100)의 내부에 배치되며 상기 트레이(100)의 주변부에 배치될 수 있다. 상기 더미 기판(20)과 상기 기판(10) 사이에는 상기 제 1 가이드핀(30)이 형성될 수 있다. 상기 더미 기판(20)을 상기 트레이(100)의 상면에서 이탈하지 않도록 방지하기 위해서 제 2 가이드핀(40)이 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, a dummy substrate 20 may be disposed on the periphery of the tray 100. The dummy substrate 20 may be disposed outside the substrate 10 and may be disposed inside the tray 100 and at a peripheral portion of the tray 100. The first guide pin (30) may be formed between the dummy substrate (20) and the substrate (10). A second guide pin 40 may be formed to prevent the dummy substrate 20 from being separated from the upper surface of the tray 100.

상기 제 2 가이드핀(40)의 직경은 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경보다 크게 형성될 수 있다. 상기 제 2 가이드핀(40)은 상기 제 1 가이드핀(30)에 비해서 공정시 식각이 잘 되지 않을 수 있다. 따라서 상기 제 1 가이드핀(30) 및 상기 제 2 가이드핀(40)의 교체를 할 때 상기 제 1 가이드핀(30) 및 상기 제 2 가이드핀(40)의 식각주기를 맞추기 위해서 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경을 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경보다 크게 형성할 수 있다. 상기 제 2 가이드핀(40)은 상기 더미 기판(20)을 상기 트레이(100)의 상면 밖으로 이탈하는 것을 막는 기능을 하기 때문에 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경 보다 크기를 다양하게 변화시키는 것이 가능할 수 있다. The diameter of the second guide pin 40 may be larger than the diameter of the first guide pin 30. The second guide pin 40 may not be etched more than the first guide pin 30 during the process. When the first guide pin 30 and the second guide pin 40 are replaced with each other, in order to match the etching periods of the first guide pin 30 and the second guide pin 40, The diameter of the pin 40 may be larger than the diameter of the first guide pin 30. The second guide pin 40 functions to prevent the dummy substrate 20 from being separated from the upper surface of the tray 100. Therefore, it is necessary to vary the size of the first guide pin 30 to be larger than the diameter of the first guide pin 30 It can be possible.

상기 제 2 가이드핀(40)의 직경은 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경보다 1.3배 이상 2배 이하로 형성되는 것을 포함할 수 있다. 상기 제 2 가이드핀(40) 및 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경은 상기 가이드핀의 식각 주기와 비례할 수 있다. 따라서 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경이 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경의 1.3배 보다 작은 경우 상기 제 2 가이드핀(40)의 식각 주기가 상기 제 1 가이드핀(30)의 식각 주기에 비해 클 수 있고, 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경이 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경의 2배 보다 큰 경우 상기 제 2 가이드핀(40)의 식각 주기가 상기 제 1 가이드핀(30)의 식각 주기에 비해 작을 수 있다. 따라서 공정 중 식각되는 상기 제 1 가이드핀(30)과 상기 제 2 가이드핀(40)의 식각 주기를 일치시키기 위해서 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경은 상기 제 1 가이드핀(30)의 직경보다 1.3배 이상 2배 이하로 형성될 수 있다.The diameter of the second guide pin 40 may be 1.3 times or more and twice or less the diameter of the first guide pin 30. The diameters of the second guide pin 40 and the first guide pin 30 may be proportional to the etching period of the guide pin. Therefore, when the diameter of the second guide pin 40 is smaller than 1.3 times the diameter of the first guide pin 30, the etch cycle of the second guide pin 40 is less than the etching time of the first guide pin 30 And when the diameter of the second guide pin 40 is greater than twice the diameter of the first guide pin 30, the etch cycle of the second guide pin 40 may be greater than the diameter of the first guide pin 30, May be smaller than the etching period of the fin 30. [ The diameter of the second guide pin 40 is set to be larger than the diameter of the first guide pin 30 to match the etching period of the first guide pin 30 and the second guide pin 40, And can be formed to be 1.3 times or more and 2 times or less.

상기 제 1 가이드핀(30)은 상기 제 2 가이드핀(40)보다 식각률이 작은 물질로 형성되는 것을 포함할 수 있다. 상기 제 2 가이드핀(40)은 상기 제 1 가이드핀(30) 보다 식각이 덜 되기 때문에 상기 제 1 가이드핀(30)이 상기 제 2 가이드핀(40)보다 식각률이 작게 형성되는 경우 상기 제 1 가이드핀(30)과 상기 제 2 가이드핀(40)의 식각주기를 일치시킬 수 있다.The first guide pin 30 may be formed of a material having a lower etching rate than the second guide pin 40. Since the second guide pin 40 is less etched than the first guide pin 30 when the first guide pin 30 is formed to have an etching rate lower than that of the second guide pin 40, The etching period of the guide pin 30 and that of the second guide pin 40 can be matched.

상기 제 2 가이드핀(40)의 하부에는 제 2 관통홀(60)이 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홀(60)은 상기 트레이(100)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홀(60)은 상기 제 2 가이드핀(40)이 체결되는 부분과 연속적으로 형성될 수 있고, 이에 따라서 상기 트레이(100)의 상부와 하부가 연결되는 복수의 홀이 형성될 수 있다.A second through hole 60 may be formed in the lower portion of the second guide pin 40. The second through hole 60 may be formed in the tray 100. The second through-hole 60 may be formed continuously with a portion of the second guide pin 40 to which the second guide pin 40 is coupled. Accordingly, a plurality of holes may be formed to connect the upper portion and the lower portion of the tray 100 have.

상기 제 2 관통홀(60)의 직경은 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경의 30% 이상 60% 이하로 형성되는 것을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홀(60)의 직경이 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경의 30% 이하로 형성되는 경우 상기 제 2 관통홀(60)의 직경이 너무 작아서 가공이 힘들 수 있고, 상기 제 2 관통홀(60)을 통해 상기 제 2 가이드핀(40)을 제거할 때 상기 제 2 관통홀(60)이 너무 작아서 상기 제 2 가이드핀(40)의 제거가 용이하지 않을 수 있다. 상기 제 2 관통홀(60)의 직경이 상기 제 2 가이드핀(40)의 직경의 60% 이상으로 형성되는 경우 상기 제 2 가이드핀(40)이 식각되는 경우 그 크기가 작아져서 상기 제 2 관통홀(60)을 통해 빠져서 상기 제 2 가이드핀(40)이 상기 기판(10)의 위치를 정하지 못할 수 있다.The diameter of the second through-hole 60 may be 30% or more and 60% or less of the diameter of the second guide pin 40. When the diameter of the second through-hole 60 is less than 30% of the diameter of the second guide pin 40, the diameter of the second through-hole 60 is too small to be machined, The second through hole 60 may be too small to remove the second guide pin 40 when the second guide pin 40 is removed through the second through hole 60. When the diameter of the second through hole 60 is 60% or more of the diameter of the second guide pin 40, the second guide pin 40 is reduced in size when the second guide pin 40 is etched, The second guide pin 40 may not be able to locate the substrate 10 by passing through the hole 60.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10: 기판 20: 더미 기판
30: 제 1 가이드핀 40: 제 2 가이드핀
50: 제 1 관통홀 60: 제 2 관통홀
100: 트레이 200: 기판 이송 장치10: substrate 20: dummy substrate
30: first guide pin 40: second guide pin
50: first through hole 60: second through hole
100: Tray 200: Substrate transferring device

Claims (7)

기판이 적재되는 트레이,
상기 트레이의 상면에 형성되고, 상기 기판의 이동을 방지하기 위해 복수개의 상기 기판들 사이에 형성되는 제 1 가이드핀; 및
상기 제 1 가이드핀의 하부에 형성되는 제 1 관통홀을 포함하는 기판 이송 장치.A tray on which a substrate is loaded,
A first guide pin formed on an upper surface of the tray and formed between the plurality of substrates to prevent movement of the substrate; And
And a first through hole formed in a lower portion of the first guide pin. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 관통홀의 직경은 상기 제 1 가이드핀의 30% 이상 60% 이하로 형성되는 것을 포함하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
And the diameter of the first through hole is formed to be 30% or more and 60% or less of the first guide pin. 제 1 항에 있어서,
상기 트레이의 주변부에 더미 기판이 배치되고, 상기 더미 기판의 외곽부에 형성되는 제 2 가이드핀을 더 포함하는 기판 이송 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a second guide pin formed on a peripheral portion of the tray, the second guide pin formed on an outer frame portion of the dummy substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 가이드핀의 직경은 상기 제 1 가이드핀의 직경보다 1.3배 이상 2배 이하로 형성되는 것을 포함하는 기판 이송 장치.The method of claim 3,
And the diameter of the second guide pin is formed to be 1.3 times or more and twice or less than the diameter of the first guide pin. 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 가이드핀의 하부에는 제 2 관통홀이 형성되는 것을 포함하는 기판 이송 장치.The method of claim 3,
And a second through hole is formed in a lower portion of the second guide pin. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 관통홀의 직경은 상기 제 2 가이드핀의 직경의 30% 이상 60% 이하로 형성되는 것을 포함하는 기판 이송 장치.6. The method of claim 5,
And the diameter of the second through-hole is not less than 30% and not more than 60% of the diameter of the second guide pin. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 가이드핀은 상기 제 2 가이드핀 보다 식각률이 작은 물질로 형성되는 것을 포함하는 기판 이송 장치.
The method of claim 3,
Wherein the first guide pin is formed of a material having a lower etching rate than the second guide pin.
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