KR20180088140A - Laser processing method and apparatus - Google Patents

Laser processing method and apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20180088140A
KR20180088140A KR1020170012844A KR20170012844A KR20180088140A KR 20180088140 A KR20180088140 A KR 20180088140A KR 1020170012844 A KR1020170012844 A KR 1020170012844A KR 20170012844 A KR20170012844 A KR 20170012844A KR 20180088140 A KR20180088140 A KR 20180088140A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
width
length
processed
lens
Prior art date
Application number
KR1020170012844A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102584242B1 (en
Inventor
선상필
박헌욱
지호진
조민영
Original Assignee
에이피시스템 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이피시스템 주식회사 filed Critical 에이피시스템 주식회사
Priority to KR1020170012844A priority Critical patent/KR102584242B1/en
Publication of KR20180088140A publication Critical patent/KR20180088140A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102584242B1 publication Critical patent/KR102584242B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10038—Amplitude control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H01L51/003—
    • H01L51/0097—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

The present invention relates to a method and an apparatus for processing a laser. The method comprises the steps of: acquiring area information of an object to be processed; generating a laser beam; and irradiating the laser beam to the object to be processed while adjusting the size of the laser beam along the acquired area information, thereby reducing energy loss by adjusting the size of the laser beam to be irradiated to the object to be processed.

Description

레이저 처리방법 및 레이저 처리장치{Laser processing method and apparatus}[0001] The present invention relates to a laser processing method and apparatus,

본 발명은 레이저 처리방법 및 레이저 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 크기를 조절하여 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 레이저 처리방법 및 레이저 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing method and a laser processing apparatus, and more particularly, to a laser processing method and a laser processing apparatus capable of reducing energy loss by adjusting the size of a laser beam irradiated to a material to be processed.

차세대 디스플레이로 얇고 가벼울 뿐만 아니라 충격에도 강하며 휘거나 굽힐 수 있는 다양한 형태로 제작할 수 있는 플렉서블 디스플레이(Flexible display)에 대한 연구가 많이 진행되고 있으며, 일부는 현재 실현 중에 있다. Flexible displays that can be fabricated in various forms that are not only thin and light but also strong against impact and bend or bend can be developed in the next generation display. Some of them are currently being realized.

모재 기판으로 유리 기판 또는 사파이어 기판을 사용하는 실리콘 트랜지스터의 경우, 낮은 플렉서블 특성과 모재 기판의 제한성으로 인하여 플렉서블 디스플레이에 적용하기 곤란한 문제점이 있다. 이에, 플렉서블 반도체 소자를 제조하는 방법으로 박형유리판을 기판으로 이용하는 방법, 금속판을 기판으로 사용하는 방법, 플라스틱 기판을 사용하는 방법 등의 연구가 진행되고 있다.In the case of a silicon transistor using a glass substrate or a sapphire substrate as a base substrate, it is difficult to apply it to a flexible display due to the low flexibility characteristics and the limitation of the base substrate. Therefore, as a method of manufacturing a flexible semiconductor device, a method of using a thin glass plate as a substrate, a method of using a metal plate as a substrate, and a method of using a plastic substrate are being studied.

플렉서블 디스플레이를 구현하기 위한 일 예를 설명하면, TFT 회로와 발광 소자인 OLED가 특정한 구조로 필름 상에 형성되어야 하는데, 필름은 취급성이 용이하지 않아 캐리어 글라스(Carrier glass)에 필름을 붙이 상태에서 TFT 형성 공정을 진행한다. 따라서, 필름 상에 TFT를 형성한 후 캐리어 글라스로부터 필름을 떼어내는 박리작업이 필요하며, 이는 레이저 리프트 오프(LLO: Laser lift off) 방식으로 수행된다. 즉, 레이저의 조사에 의해 캐리어 글라스와 필름 사이의 접착제에 에너지를 가해 접착력을 감소시켜 캐리어 글라스와 필름을 분리할 수 있다.An example for implementing a flexible display will be described. A TFT circuit and an OLED, which is a light emitting element, have to be formed on a film in a specific structure. The film is not easy to handle, so a film is stuck on a carrier glass The TFT forming process proceeds. Therefore, a peeling operation is required in which a TFT is formed on a film and then the film is peeled off from the carrier glass, which is performed by a laser lift off (LLO) method. That is, energy is applied to the adhesive between the carrier glass and the film by irradiation of the laser to reduce the adhesive force, thereby separating the carrier glass and the film.

그러나 종래의 레이저 빔의 크기가 캐리어 글라스의 지름 이상으로 고정되어 있기 때문에, 레이저 빔이 캐리어 글라스의 외측 영역까지 조사된다. 이에, 캐리어 글라스의 외측영역으로 레이저 빔이 조사되는 면적만큼 에너지 손실이 발생하는 문제가 있다. 따라서, 레이저 빔의 발진 횟수가 증가하고, 레이저 리프트 오프 장치에 구비되는 렌즈가 쉽게 오염되어 유지보수 비용이 증가할 수 있다.However, since the size of the conventional laser beam is fixed to be equal to or larger than the diameter of the carrier glass, the laser beam is irradiated to the outer region of the carrier glass. Thus, there is a problem that an energy loss occurs in an area outside the carrier glass by an area irradiated with the laser beam. Therefore, the number of times of oscillation of the laser beam is increased, and the lens provided in the laser lift-off device is easily contaminated, which may increase the maintenance cost.

KRKR 2012-00693022012-0069302 AA

본 발명은 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 레이저 처리방법 및 레이저 처리장치를 제공한다.The present invention provides a laser processing method and a laser processing apparatus capable of reducing an energy loss of a laser beam irradiated by an object to be processed.

본 발명은 레이저를 이용한 공정의 생산성과 효율성을 향상시킬 수 있는 레이저 처리방법 및 레이저 처리장치를 제공한다.The present invention provides a laser processing method and a laser processing apparatus capable of improving productivity and efficiency of a process using a laser.

본 발명은 피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정; 레이저 빔을 발생시키는 과정; 및 상기 획득한 면적 정보를 따라 레이저 빔의 크기를 조절하면서 상기 피처리물에 조사하는 과정;을 포함한다.The present invention relates to a process for obtaining area information of an object to be processed; Generating a laser beam; And irradiating the object to be processed while adjusting the size of the laser beam according to the obtained area information.

상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은, 상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절하는 과정을 포함한다.The step of adjusting the size of the laser beam includes a step of adjusting at least one of a width and a length of the laser beam.

상기 피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정은, 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정하는 과정을 포함하고, 상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은, 상기 피처리물 또는 상기 레이저 빔을 이동시키면서, 상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절하는 과정을 포함한다.Wherein the step of acquiring the area information of the object to be processed includes a step of measuring at least one of a width and a length of the object to be processed and the step of adjusting the size of the laser beam comprises: And adjusting at least one of a width and a length of the laser beam.

상기 피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정은, 일방향으로 상기 피처리물을 복수의 구간으로 나누는 과정; 및 각 구간에서 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정하는 과정;을 포함한다.The step of acquiring the area information of the object to be processed may include: dividing the object into a plurality of sections in one direction; And measuring at least one of a width and a length of the object to be processed in each section.

상기 각 구간에서 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정하는 과정은, 각 구간에서 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나가 최대가 되는 부분에서 측정하는 과정을 포함한다.The step of measuring at least one of the width and the length of the object to be processed in each of the sections includes a step of measuring at least one of the width and the length of the object to be processed in each section.

상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은, 각 구간에서 측정되는 상기 피처리물의 최대 폭 및 최대 길이 중 적어도 어느 하나의 측정값 이상으로, 상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 하나를 조절하는 과정을 포함한다.The process of adjusting the size of the laser beam may include adjusting at least one of a width and a length of the laser beam at least one of a maximum width and a maximum length of the object to be measured, .

각 구간 내에 레이저 빔의 크기가 유지되는 안정화 영역이 위치하고, 안정화 영역들 사이에는 레이저 빔의 크기가 변경되는 변화 영역이 위치한다.A stabilization region in which the size of the laser beam is maintained is located within each section, and a change region in which the size of the laser beam is changed is located between the stabilization regions.

상기 레이저 빔을 조사하면서, 상기 레이저 빔의 크기를 모니터링하는 과정; 및 상기 레이저 빔의 폭 또는 길이가 상기 피처리물의 폭 또는 길이보다 짧으면 상기 레이저 빔의 폭 또는 길이를 증가시키는 과정;을 더 포함한다.Monitoring the size of the laser beam while irradiating the laser beam; And increasing the width or length of the laser beam if the width or length of the laser beam is shorter than the width or length of the object to be processed.

상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은, 조사되는 레이저 빔의 길이를 증가시키면 조사되는 레이저 빔의 폭을 감소시키고, 조사되는 레이저 빔의 폭을 증가시키면 조사되는 레이저 빔의 길이를 감소시키는 과정을 포함한다.The step of adjusting the size of the laser beam is a process of reducing the width of the irradiated laser beam by increasing the length of the irradiated laser beam and decreasing the length of the irradiated laser beam by increasing the width of the irradiated laser beam .

상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 어느 하나는 상기 피처리물의 폭 또는 길이보다 짧고, 다른 하나는 같거나 길게 조절될 수 있으며, 일방향으로 갈수록 상기 피처리물은 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나가 변화된다.One of the width and the length of the laser beam may be shorter than the width or length of the object to be processed and the other may be adjusted to be equal to or longer than the width and length of the object to be processed. .

상기 피처리물은, 기판, 및 상기 기판에 부착되는 지지판을 포함하고, 상기 기판과 상기 지지판을 분리할 수 있다.The object to be processed includes a substrate and a support plate attached to the substrate, and the substrate and the support plate can be separated from each other.

본 발명은 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부; 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 폭을 조절하도록 상기 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 장축 조절부; 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 길이를 조절하도록 상기 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 단축 조절부; 및 상기 피처리물의 크기에 맞춰 상기 장축 조절부와 상기 단축 조절부 중 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 제어부;를 포함한다.The present invention provides a laser processing apparatus comprising: a laser generating unit for generating a laser beam; A long axis adjusting unit disposed in a path of the laser beam to adjust a width of the laser beam irradiated by the object to be processed; A uniaxial adjuster disposed in a path of the laser beam to adjust a length of the laser beam irradiated by the object; And a control unit for controlling the operation of at least one of the long axis adjusting unit and the short axis adjusting unit in accordance with the size of the object to be processed.

상기 장축 조절부는, 제1 장축렌즈; 상기 제1 장축렌즈와 이격되는 제2 장축렌즈; 및 상기 제1 장축렌즈와 상기 제2 장축렌즈 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 장축 구동기;를 포함한다.The long axis adjuster includes: a first long axis lens; A second long axis lens spaced from the first long axis lens; And a long axis driver capable of moving at least one of the first long axis lens and the second long axis lens.

상기 단축 조절부는, 제1 단축렌즈; 상기 제1 단축렌즈와 이격되는 제2 단축렌즈; 및 상기 제1 단축렌즈와 상기 제2 단축렌즈 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 단축 구동기;를 포함한다.The short axis adjusting unit may include: a first uniaxial lens; A second uniaxial lens spaced from the first uniaxial lens; And a single axis actuator capable of moving at least one of the first uniaxial lens and the second uniaxial lens.

상기 제어부는, 상기 피처리물의 크기 정보를 수신할 수 있는 수신기; 상기 수신기와 연결되어 상기 장축 조절부와 상기 단축 조절부 중 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 조절기;를 포함한다.Wherein the control unit comprises: a receiver capable of receiving size information of the object to be processed; And a controller connected to the receiver and controlling operation of at least one of the long axis adjusting unit and the single axis adjusting unit.

상기 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 크기를 측정할 수 있는 측정부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 측정부와 연결되어 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있다.The apparatus may further include a measuring unit capable of measuring a size of the laser beam irradiated to the object, and the controller may be connected to the measuring unit to adjust a size of the laser beam.

본 발명의 실시 예들에 따르면 피처리물의 크기의 맞춰 레이저 빔을 조사할 수 있다. 이에, 레이저 빔이 피처리물의 외측 영역까지 조사되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 레이저 빔의 에너지가 손실되는 것을 억제하거나 방지하여 레이저를 이용한 공정의 속도를 개선할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the laser beam can be irradiated according to the size of the object to be processed. Thus, it is possible to suppress or prevent the laser beam from being irradiated to the outer region of the object to be processed. Thus, loss of energy of the laser beam can be suppressed or prevented to improve the speed of the process using the laser.

또한, 공정 속도가 개선되어 레이저 처리장치에 구비되는 렌즈나 미러가 공정 중에 사용되는 시간이 감소할 수 있다. 이에, 렌즈나 미러의 수명이 향상되고, 장치의 유지보수가 용이해질 수 있다.Further, the process speed is improved, and the time for which the lens or mirror provided in the laser processing apparatus is used during the process can be reduced. Thus, the life of the lens or mirror is improved, and the maintenance of the apparatus can be facilitated.

또한, 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 단위 면적당 에너지가 균일해지도록 레이저 빔의 장축과 단축을 조절할 수 있다. 따라서, 피처리물 전체로 동일한 에너지의 레이저 빔이 조사되어, 공정의 생산성과 효율성을 향상시킬 수 있다.Further, the long and short axes of the laser beam can be adjusted so that the energy per unit area of the laser beam irradiated by the object to be processed becomes uniform. Therefore, the laser beam of the same energy is irradiated to the whole of the object to be processed, and productivity and efficiency of the process can be improved.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 장축 조절부의 작동구조를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 단축 조절부의 작동구조를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리방법을 나타내는 플로우 차트.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물에 레이저 빔이 조사되는 방식을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 피처리물에 레이저 빔이 조사되는 방식을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 안정화 영역과 변화 영역의 위치를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 복수의 구간에서 레이저 빔의 크기를 조절하기 위한 장축 렌즈와 단축 렌즈의 위치 변화를 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a structure of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention; Fig.
2 is a view showing an operation structure of a long axis adjusting unit according to an embodiment of the present invention;
3 is a view showing an operating structure of a shortening control unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart showing a laser processing method according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a manner in which a laser beam is irradiated to an object to be processed according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a manner in which a laser beam is irradiated to an object to be processed according to another embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing the positions of the stabilization area and the change area according to the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram illustrating a positional change of a long axis lens and a single axis lens for adjusting the size of a laser beam in a plurality of sections according to an embodiment of the present invention; FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. To illustrate the invention in detail, the drawings may be exaggerated and the same reference numbers refer to the same elements in the figures.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치의 구조를 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 장축 조절부의 작동구조를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 단축 조절부의 작동구조를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a view showing a structure of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing an operating structure of a long axis adjusting unit according to an embodiment of the present invention, FIG. And Fig.

도 1을 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리장치(100)는, 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부(110), 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 폭을 조절하도록 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 장축 조절부(120), 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 길이를 조절하도록 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 단축 조절부(130), 및 피처리물(W)의 크기에 맞춰 장축 조절부(120)와 단축 조절부(130) 중 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 제어부(140)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a laser processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a laser generating unit 110 for generating a laser beam, a laser beam generating unit 110 for adjusting a width of a laser beam irradiated to the object W, A single axis adjusting unit 130 disposed on the path of the laser beam to adjust the length of the laser beam irradiated on the object W and a single axis adjusting unit 130 arranged on the path of the object W And a control unit 140 for controlling the operation of at least one of the long axis adjusting unit 120 and the single shaft adjusting unit 130 according to the size of the long axis adjusting unit 120 and the single axis adjusting unit 130. [

또한, 레이저 처리장치(100)는, 피처리물(W)을 지지하는 스테이지(170), 및 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 크기 및 에너지를 모니터링할 수 있는 측정부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 피처리물(W)은, 기판, 및 기판에 부착되는 지지판을 포함할 수 있는데, 레이저 처리장치(100)는 기판과 지지판을 분리하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 기판은 웨이퍼일 수 있고, 지지판은 글라스일 수 있다. 따라서, 레이저 처리장치(100)는 웨이퍼와 글라스 사이의 접착제에 에너지를 가해 접착력을 감소시켜 웨이퍼와 글라스를 분리할 수 있다. 이러한 레이저 처리장치(100)는, 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정이나, 노광 공정에서 노광 패터닝(Expoure Patterning) 후 레이저 디본딩(Laser Debonding) 작업 시 사용될 수 있다.The laser processing apparatus 100 further includes a stage 170 for supporting the object W and a measurement unit for monitoring the size and energy of the laser beam irradiated by the object W ). At this time, the object W may include a substrate and a support plate attached to the substrate, and the laser processing apparatus 100 may be an apparatus for separating the substrate from the support plate. For example, the substrate may be a wafer, and the support plate may be a glass. Therefore, the laser processing apparatus 100 can separate the wafer from the glass by reducing the adhesive force by applying energy to the adhesive between the wafer and the glass. The laser processing apparatus 100 may be used in a laser lift off (LLO) process or laser debonding after exposing patterning in an exposure process.

피처리물(W)은 일방향으로 갈수록 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나가 변화될 수 있다. 예를 들어, 피처리물(W)의 형상이 원형인 경우, 피처리물의 전단부에서 중심부로 갈수록 폭이 넓어졌다가 중심부에서 후단부로 갈수록 폭이 좁아질 수 있다. 이에, 일정한 폭을 가지는 레이저 빔을 조사하면, 피처리물(W) 외측으로 조사되는 레이저 빔의 양이 증가할 수 있다. 따라서, 피처리물(W)의 변화되는 폭에 맞춰 레이저 빔의 폭을 조절하므로 피처리물(W) 외측으로 조사되는 레이저 빔의 양을 감소시킬 수 있다. 그러나 피처리물(W)의 재질, 구조, 및 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.At least one of the width and the length may be changed in the one direction. For example, when the object to be processed W is circular, the width becomes wider from the front end to the center of the article to be processed, and becomes narrower from the center to the rear end. Thus, when a laser beam having a constant width is irradiated, the amount of the laser beam irradiated to the outside of the W can be increased. Accordingly, the width of the laser beam is adjusted in accordance with the changed width of the W to be processed, so that the amount of the laser beam irradiated to the outside of the W can be reduced. However, the material, structure, and shape of the object W are not limited to these, and may vary.

스테이지(170)는 상부면에는 레이저 빔이 조사될 때 처리되는 피처리물(W)이 안착될 수 있다. 스테이지(170)는 구동유닛(미도시)에 연결되어 일방향으로 이동할 수 있다. 이에, 스테이지(170) 상에 안착된 피처리물(W)이 스테이지(170)에 의해 이동할 수 있다. 따라서, 레이저 빔을 조사하는 상태에서 피처리물(W)을 이동시키면 피처리물(W) 전체가 처리될 수 있다.The upper surface of the stage 170 can be placed with a workpiece W to be processed when the laser beam is irradiated. The stage 170 is connected to a driving unit (not shown) and can move in one direction. Thus, the workpiece W placed on the stage 170 can be moved by the stage 170. Therefore, when the object W is moved in a state of irradiating the laser beam, the entire object W can be processed.

레이저 발생부(110)는 레이저 빔을 발생시키는 역할을 한다. 이용하고자 하는 레이저 빔의 파장에 따라 KrF 엑시머 레이저와, ArF 엑시머 레이저 등 다양한 종류의 것이 채용될 수 있다. 이때, 레이저 빔 광원의 종류는 글라스와 지지판 사이의 결합에너지에 따라 결정될 수 있다.The laser generating unit 110 serves to generate a laser beam. Depending on the wavelength of the laser beam to be used, various types of KrF excimer laser and ArF excimer laser may be employed. At this time, the kind of the laser beam light source can be determined according to the coupling energy between the glass and the support plate.

또한, 레이저 발생부(110)에는 셔터(미도시)가 구비될 수 있다. 셔터는 레이저 빔의 경로를 차단하는 역할을 한다. 셔터의 적어도 일부분이 레이저 빔의 경로에 위치하면 레이저 빔의 경로를 차단하고, 레이저 빔의 경로의 외측에 위치하면 레이저 빔의 경로를 개방할 수 있다. 이때, 레이저 발생부(110)에서 발생시킨 레이저 빔은 라인 빔 형태로 발생되거나 가공될 수 있고, 장축 조절부(120)와 단축 조절부(130)를 통과하면서 폭과 길이가 조절될 수 있다.The laser generating unit 110 may include a shutter (not shown). The shutter serves to cut off the path of the laser beam. When at least a part of the shutter is located in the path of the laser beam, the path of the laser beam is blocked, and when the shutter is located outside the path of the laser beam, the path of the laser beam can be opened. At this time, the laser beam generated by the laser generating unit 110 may be generated or processed in the form of a line beam, and the width and length of the laser beam may be adjusted while passing through the long axis adjusting unit 120 and the short axis adjusting unit 130.

예를 들어, 레이저 빔은 피처리물(W)의 폭 방향으로 연장되는 라인 빔 형태로 조사될 수 있다. 이에, 레이저 빔의 길이는 피처리물(W)의 길이보다 짧을 수 있고, 레이저 빔의 폭은 피처리물(W)의 폭보다 크거나 같게 조절할 수 있다. 이에, 레이저 빔을 조사하는 상태에서 피처리물(W)을 레이저 빔의 길이방향(또는, 전후방향)으로 이동시키면, 레이저 빔이 피처리물(W) 전체에 조사될 수 있다. 그러나 레이저 빔의 폭과 길이의 위치는 서로 변경될 수 있고, 레이저 빔의 형상도 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.For example, the laser beam can be irradiated in the form of a line beam extending in the width direction of the object W to be processed. Thus, the length of the laser beam can be shorter than the length of the object W, and the width of the laser beam can be adjusted to be equal to or greater than the width of the object W. Thus, when the object W is moved in the longitudinal direction (or in the forward and backward direction) of the laser beam in a state of irradiating the laser beam, the laser beam can be irradiated to the entire object W to be processed. However, the positions of the width and the length of the laser beam can be changed from each other, and the shape of the laser beam is not limited to this, and may vary.

장축 조절부(120)는 레이저 발생부(110)의 전방에 위치하고, 레이저 빔의 진행경로 상에 배치되어 피처리물로 조사되는 레이저 빔(L)의 폭(또는, 장축)을 조절하는 역할을 한다. 장축 조절부(120)는, 제1 장축렌즈(121), 제1 장축렌즈(121)와 이격되는 제2 장축렌즈(122), 및 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122) 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 장축 구동기(123)를 포함할 수 있다.The long axis adjusting unit 120 is disposed in front of the laser generating unit 110 and is disposed on the path of the laser beam to adjust the width (or the long axis) of the laser beam L irradiated to the object to be processed do. The long axis adjusting unit 120 includes a first long axis lens 121 and a second long axis lens 122 separated from the first long axis lens 121 and a second long axis lens 121 and a second long axis lens 122, And a long axis driver 123 that can move at least one of the first and second axes.

제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122)는 전후방향으로 서로 이격될 수 있고, 제2 장축렌즈(122)의 전방에 제1 장축렌즈(121)가 위치할 수 있다. 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122)의 형상에 의해 레이저 빔(L)은 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122)를 통과하면서 굴절되어 폭이 조절될 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면 제2 장축렌즈(122)가 전방으로(또는, 미러(150) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 폭이 증가하고, 후방으로(또는, 레이저 발생부(110) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 폭이 감소할 수 있다.The first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 may be spaced from each other in the front and rear direction and the first long axis lens 121 may be positioned in front of the second long axis lens 122. The laser beam L is refracted while passing through the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 by the shape of the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122, have. 2, when the second long axis lens 122 is moved forward (or toward the mirror 150), the width of the laser beam L increases and the laser beam L 110), the width of the laser beam L can be reduced.

장축 구동기(123)는 제1 장축렌즈(121) 및 제2 장축렌즈(122) 중 적어도 어느 하나와 연결될 수 있고, 제1 장축렌즈(121) 및 제2 장축렌즈(122) 중 적어도 어느 하나를 전후진시킬 수 있다. 예를 들어, 장축 구동기(123)는 모터일 수 있다. 그러나 장축 구동기(123)가 제1 장축렌즈(121)나 제2 장축렌즈(122)를 이동시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The long axis actuator 123 may be connected to at least one of the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 and may be connected to at least one of the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 It can be moved forward and backward. For example, the long axis driver 123 may be a motor. However, the method of moving the first long axis lens 121 or the second long axis lens 122 by the long axis driver 123 is not limited to this and may be various.

이때, 장축 구동기(123)는 제2 장축렌즈(122)에만 설치될 수 있다. 레이저 빔(L)의 폭(또는, 장축)은 길이(또는, 단축)에 비해 변화되는 양이 적을 수 있다. 즉, 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122) 중 하나만 이동시켜도 공정 중에 레이저 빔(L)의 폭을 용이하게 변경할 수 있다. 또한, 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122)의 위치를 함께 조절하면 레이저 빔(L)의 초점이 피처리물(W)에 맞춰지지 않을 수도 있다. 따라서, 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122) 중 하나에만 장축 구동기(123)를 설치할 수 있다. 이에, 장비구조 및 제어구조가 단순해질 수 있다. 그러나 장축 조절부(120)의 구조는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.At this time, the long axis driver 123 may be installed only in the second long axis lens 122. The width (or the major axis) of the laser beam L may be less than the length (or the minor axis). That is, even if only one of the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 is moved, the width of the laser beam L can be easily changed during the process. Also, if the positions of the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 are adjusted together, the focus of the laser beam L may not be aligned with the object W. Therefore, the long axis driver 123 can be installed only in one of the first major axis lens 121 and the second major axis lens 122. Thus, the equipment structure and control structure can be simplified. However, the structure of the long axis adjusting unit 120 is not limited to this and may be various.

단축 조절부(130)는 레이저 발생부(110)의 전방에 위치하고, 레이저 빔(L)의 진행경로 상에 배치되어 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔(L)의 길이(또는, 단축)을 조절하는 역할을 한다. 이때, 단축 조절부(130)는 장축 조절부(120)의 전방에 위치할 수 있다. 그러나 단축 조절부(130)의 위치는 이에 한정되지 않고, 장축 조절부(120)가 단축 조절부(130)의 전방에 위치할 수도 있다.The short axis adjusting unit 130 is disposed in front of the laser generating unit 110 and disposed on the path of the laser beam L so as to adjust the length of the laser beam L ). At this time, the uniaxiality adjusting unit 130 may be positioned in front of the long axis adjusting unit 120. [ However, the position of the single axis adjusting unit 130 is not limited to this, and the long axis adjusting unit 120 may be positioned in front of the single axis adjusting unit 130.

또한, 단축 조절부(130)는, 제1 단축렌즈(131), 제1 단축렌즈(131)와 이격되는 제2 단축렌즈(132), 및 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132) 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 단축 구동기를 포함한다.The uniaxial adjuster 130 includes a first uniaxial lens 131 and a second uniaxial lens 132 spaced apart from the first uniaxial lens 131. The first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 131 132) for moving at least one of the first and second axes.

제1 단축렌즈(121)와 제2 단축렌즈(122)는 전후방향으로 서로 이격될 수 있고, 제2 단축렌즈(122)의 전방에 제1 단축렌즈(121)가 위치할 수 있다. 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132)의 형상에 의해 레이저 빔(L)은 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132)를 통과하면서 굴절되어 폭이 조절될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하면 제1 단축렌즈(131)가 전방으로(또는, 미러(150) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 길이가 감소하고, 후방으로(또는, 레이저 발생부(110) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 길이가 증가할 수 있다. 제2 단축렌즈(132)가 전방으로(또는, 미러(150) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 길이가 증가하고, 후방으로(또는, 레이저 발생부(110) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 길이가 짧아질 수 있다. The first uniaxial lens 121 and the second uniaxial lens 122 may be spaced apart from each other in the front-rear direction, and the first uniaxial lens 121 may be positioned in front of the second uniaxial lens 122. The laser beam L is refracted while passing through the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 by the shapes of the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132, have. 3, when the first uniaxial lens 131 moves forward (or toward the mirror 150), the length of the laser beam L decreases and the length of the laser beam L decreases 110), the length of the laser beam L may increase. When the second uniaxial lens 132 moves forward (or toward the mirror 150), the length of the laser beam L increases and moves backward (or toward the laser generating portion 110) L can be shortened.

단축 구동기는 제1 단축렌즈(131) 및 제2 단축렌즈(132) 중 적어도 어느 하나와 연결될 수 있고, 제1 단축렌즈(131) 및 제2 단축렌즈(132) 중 적어도 어느 하나를 전후진시킬 수 있다. 예를 들어, 단축 구동기는 모터일 수 있다. 그러나 단축 구동기가 제1 단축렌즈(131)나 제2 단축렌즈(132)를 이동시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The single axis actuator may be connected to at least one of the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 and may be configured to move at least one of the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 back and forth . For example, the single axis actuator may be a motor. However, the method in which the single-axis actuator moves the first uniaxial lens 131 or the second uniaxial lens 132 is not limited to this and may vary.

이때, 단축 구동기는 복수개가 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 단축렌즈(131)에 설치되는 제1 단축 구동기(133)와 제2 단축렌즈(132)에 설치되는 제2 단축 구동기(134)가 구비될 수 있다. 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132) 중 하나만 이동시키는 경우, 레이저 빔(L)의 폭을 변화시키기 위해 하나의 렌즈가 이동해야 하는 거리가 증가하고, 렌즈를 이동시키는데 많은 시간이 소요된다. 따라서, 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132) 모두를 이동시켜 각 렌즈가 이동하는 거리를 감소시키고, 신속하게 레이저 빔(L)의 폭을 조절할 수 있다. 그러나 단축 조절부(130)의 구조는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.At this time, a plurality of single axis actuators may be provided. For example, the first uniaxial actuator 133 installed in the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial actuator 134 installed in the second uniaxial lens 132 may be provided. When only one of the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 is moved, the distance that one lens needs to move in order to change the width of the laser beam L increases, . Accordingly, both the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 can be moved to reduce the moving distance of each lens, and the width of the laser beam L can be adjusted quickly. However, the structure of the uniaxiality adjusting unit 130 is not limited to this and may vary.

미러(150)는 장축 조절부(120)와 단축 조절부(130)의 전방에 위치하고, 레이저 빔의 진행방향을 변경하는 역할을 한다. 하나 또는 복수개가 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 미러(151), 및 제1 미러(151)의 상측에 위치하는 제2 미러(152)가 구비될 수 있다. 제1 미러(151)는 제2 미러(152)를 향하여 레이저 빔을 반사시키고, 제2 미러(152)는 렌즈(160)를 향하여 레이저 빔을 반사시킬 수 있다. 그러나 미러(150)의 구비되는 개수나 배치되는 구조는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The mirror 150 is positioned in front of the long axis adjusting unit 120 and the single axis adjusting unit 130 and serves to change the traveling direction of the laser beam. One or a plurality may be provided. For example, the first mirror 151 and the second mirror 152 positioned above the first mirror 151 may be provided. The first mirror 151 reflects the laser beam toward the second mirror 152 and the second mirror 152 reflects the laser beam toward the lens 160. However, the number of the mirrors 150 and the arrangement of the mirrors 150 are not limited to these, and may be various.

렌즈(160)는 스테이지(170)의 상측에 위치할 수 있다. 렌즈(160)는 미러(150)에서 반사되는 레이저 빔을 축소시키는 역할을 한다. 레이저 빔이 축소되면 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지 밀도를 증가시킬 수 있다. 이에, 피처리물(W)을 효과적으로 처리할 수 있다.The lens 160 may be positioned above the stage 170. The lens 160 serves to reduce the laser beam reflected by the mirror 150. When the laser beam is reduced, the energy density of the laser beam irradiated to the W can be increased. Thus, the object W can be effectively treated.

제어부(140)는 피처리물의 크기에 맞춰 레이저 빔의 크기를 조절하는 역할을 한다. 제어부(140)는, 피처리물(W)의 크기 정보를 수신할 수 있는 수신기(미도시), 수신기와 연결되어 장축 조절부(120)와 단축 조절부(130) 중 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 조절기(미도시)를 포함한다.The controller 140 controls the size of the laser beam according to the size of the object to be processed. The control unit 140 is connected to a receiver that can receive the size information of the object W and at least one of operations of the long axis adjusting unit 120 and the single axis adjusting unit 130 (Not shown).

수신기는 피처리물(W)의 크기 정보를 수신하는 역할을 한다. 예를 들어, 작업자가 피처리물(W)의 크기를 수신기에 직접 입력할 수도 있고, 별도의 측정기기가 피처리물(W)의 크기를 측정하여 수신기로 전달할 수도 있다. 이에, 수신기에 피처리물(W)의 길이와 폭에 대한 정보가 입력될 수 있다.The receiver serves to receive size information of the object W to be processed. For example, the operator may directly input the size of the object W to the receiver, or a separate measuring device may measure the size of the object W and transmit the measured size to the receiver. Thus, information on the length and width of the object W can be input to the receiver.

조절기는 수신기와 연결되고, 피처리물(W)의 크기에 맞추어 조사되는 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있다. 즉, 조절기는 장축 구동기(123) 및 단축 구동기와 연결될 수 있고, 장축 구동기(123)와 단축 구동기의 작동을 제어하여 조사되는 레이저 빔의 폭과 길이를 조절할 수 있다.The controller is connected to the receiver and can adjust the size of the laser beam irradiated according to the size of the object W. [ That is, the regulator can be connected to the long axis driver 123 and the single axis driver, and the operation of the long axis driver 123 and the single axis driver can be controlled to adjust the width and length of the irradiated laser beam.

측정부(미도시)는 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 크기(또는, 면적) 및 에너지를 측정할 수 있다. 측정부는 렌즈(160)에 설치되거나 렌즈(160)와 이격되어 설치될 수 있다. The measuring unit (not shown) can measure the size (or area) and the energy of the laser beam irradiated by the object to be processed. The measuring unit may be installed on the lens 160 or may be installed apart from the lens 160.

측정부는 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 폭과 길이를 측정하여 레이저 빔의 면적을 측정할 수 있다. 이에, 제어부(140)에 의해 조절되는 레이저 빔의 크기가 피처리물(W)의 면적에 맞춰서 조절되었는지 측정부를 통해 모니터링할 수 있다. 예를 들어, 피처리물의 폭보다 크거나 작은 폭으로 레이저 빔이 조사되면, 측정부는 이를 감지하여 제어부(140)에 신호를 보낼 수 있고, 제어부(140)는 측정부의 신호에 맞춰 레이저 빔의 크기를 재조절할 수 있다. 따라서, 레이저 빔의 크기가 피처리물(W)의 크기에 맞춰 정확하게 조절될 수 있다.The measuring section can measure the area of the laser beam by measuring the width and the length of the laser beam irradiated by the object W. Accordingly, it can be monitored through the measuring unit whether the size of the laser beam controlled by the control unit 140 is adjusted according to the area of the object W to be processed. For example, when the laser beam is irradiated with a width larger or smaller than the width of the object to be processed, the measuring unit senses the laser beam and can send a signal to the controller 140. The controller 140 controls the size of the laser beam Can be readjusted. Therefore, the size of the laser beam can be accurately adjusted to the size of the object W to be processed.

또한, 측정부는 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지를 측정할 수 있다. 이에, 단위 면적당 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일한지 측정할 수 있다. 따라서, 단위 면적당 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일하지 않으면, 측정부가 제어부(140)에 신호를 보낼 수 있고, 제어부(140)는 측정부의 신호에 맞춰 레이저 빔의 에너지가 균일해지도록 레이저 빔의 크기를 재조절할 수 있다. Further, the measuring section can measure the energy of the laser beam irradiated by the object W. Thus, it is possible to measure whether or not the energy of the laser beam irradiated by the workpiece W per unit area is uniform. Therefore, if the energy of the laser beam to be irradiated on the workpiece W per unit area is not uniform, the measurement unit can send a signal to the control unit 140, and the control unit 140 can control the energy of the laser beam The size of the laser beam can be readjusted so as to be uniform.

이처럼 피처리물(W)의 크기의 맞춰 레이저 빔을 조사할 수 있기 때문에, 레이저 빔이 피처리물(W)의 외측 영역까지 조사되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 레이저 빔의 에너지가 손실되는 것을 억제하거나 방지하여 레이저를 이용한 공정의 속도를 개선할 수 있다.As described above, since the laser beam can be irradiated according to the size of the object W, it is possible to suppress or prevent the laser beam from being irradiated to the outer region of the object W. Thus, loss of energy of the laser beam can be suppressed or prevented to improve the speed of the process using the laser.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리방법을 나타내는 플로우 차트이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물에 레이저 빔이 조사되는 방식을 나타내는 도면이다. 하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리방법에 대해 설명하기로 한다.FIG. 4 is a flow chart showing a laser processing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view showing a manner in which a laser beam is irradiated to an object to be processed according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a laser processing method according to an embodiment of the present invention will be described.

도 4를 참조하면 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 처리방법은, 피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정(S100), 레이저 빔을 발생시키는 과정(S200), 및 획득한 면적 정보를 따라 레이저 빔의 크기를 조절하면서 피처리물에 조사하는 과정(S300)을 포함한다. Referring to FIG. 4, a laser processing method according to an exemplary embodiment of the present invention includes a step S100 of obtaining area information of an object to be processed, a step S200 of generating a laser beam, And irradiating the object to be processed while adjusting the size (S300).

이때, 피처리물(W)은, 기판, 및 기판에 부착되는 지지판을 포함할 수 있는데, 레이저 처리장치(100)는 기판과 지지판을 분리하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 기판은 웨이퍼일 수 있고, 지지판은 글라스일 수 있다. 따라서, 레이저 처리방법으로 웨이퍼와 글라스 사이의 접착제에 에너지를 가해 접착력을 감소시켜 웨이퍼와 글라스를 분리할 수 있다. 이러한 레이저 처리방법은, 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정이나, 노광 공정에서 노광 패터닝(Expoure Patterning) 후 레이저 디본딩(Laser Debonding) 작업 시 적용될 수 있다. 피처리물(W)은 원형으로 형성되어 일방향으로 갈수록 폭이 변화될 수 있다. 그러나 피처리물(W)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.At this time, the object W may include a substrate and a support plate attached to the substrate, and the laser processing apparatus 100 may be an apparatus for separating the substrate from the support plate. For example, the substrate may be a wafer, and the support plate may be a glass. Therefore, energy can be applied to the adhesive between the wafer and the glass by the laser processing method to reduce the adhesive force, thereby separating the wafer from the glass. Such a laser processing method may be applied in a laser lift off (LLO) process or laser debonding after exposing patterning in an exposure process. The object W to be processed is formed in a circular shape, and its width may change as it goes from one direction to another. However, the structure and shape of the object W are not limited to these, and may vary.

우선, 스테이지(170) 상에 피처리물(W)을 안착시키고, 피처리물(W)의 면적 정보를 획득할 수 있다. 피처리물(W)의 면적은 별도의 측정기기를 통해 측정될 수도 있고, 작업자가 사전에 알고 있는 값을 이용할 수도 있다.First, the object W is placed on the stage 170, and the area information of the object W can be acquired. The area of the object W to be processed may be measured by a separate measuring instrument or may be a value known to the operator in advance.

레이저 발생부(110)에서는 피처리물(W)의 폭 방향으로 연장되는 라인빔 형태의 레이저 빔을 발생시킬 수 있다. 레이저 빔은 장축 조절부(120), 단축 조절부(130)를 지나 미러(150)에 반사되어 렌즈(160)를 향하고, 렌즈(160)를 통과하여 피처리물(W)의 상부면에 조사될 수 있다.In the laser generating unit 110, a laser beam in the form of a line beam extending in the width direction of the object W can be generated. The laser beam is reflected by the mirror 150 through the long axis adjusting unit 120 and the single axis adjusting unit 130 and is directed to the lens 160. The laser beam is irradiated onto the upper surface of the object W through the lens 160 .

이때, 피처리물(W)의 크기에 맞춰 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔(L)의 크기를 조절할 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 제1 장축렌즈(121)와 제2 장축렌즈(122) 중 적어도 어느 하나의 위치를 조절하여 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔(L)의 폭을 조절할 수 있고, 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132) 중 적어도 어느 하나의 위치를 조절하여 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔(L)의 길이를 조절할 수 있다. 이에, 레이저 빔(L)의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절할 수 있다.At this time, the size of the laser beam L irradiated to the W can be adjusted according to the size of the W. For example, when the position of at least one of the first long axis lens 121 and the second long axis lens 122 disposed in the progress path of the laser beam is adjusted and the laser beam L irradiated to the W- And adjusts the position of at least one of the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 disposed on the progress path of the laser beam so as to adjust the position of the laser beam It is possible to adjust the length of the lid L. Thus, at least one of the width and the length of the laser beam L can be adjusted.

레이저 빔(L)의 크기는 레이저 빔을 조사하기 전에 획득한 피처리물(W)의 면적 정보에 따라 조절될 수 있다. 즉, 피처리물(W)의 폭 및 길이 값들이 제어부(140)에 입력되고, 제어부(140)는 장축 구동기(123) 및 단축 구동기의 작동을 제어할 수 있다. 피처리물(W)의 길이방향(또는, 전후방향)으로 피처리물(W) 또는 조사되는 레이저 빔(L)을 이동시키면서, 피처리물(W)의 크기에 맞춰 조사되는 레이저 빔(L)의 크기(폭 또는 길이)를 변경할 수 있다.The size of the laser beam L can be adjusted in accordance with the area information of the object W to be obtained before irradiating the laser beam. That is, the width and length values of the object W are input to the controller 140, and the controller 140 can control the operation of the long axis actuator 123 and the single axis actuator. The laser beam L irradiated according to the size of the object W while moving the object W or the laser beam L to be irradiated in the longitudinal direction (or the back and forth direction) (The width or the length) of the image data.

예를 들어, 피처리물(W)이 원형인 경우, 전단부에서 후단부로 가면서 피처리물(W)의 폭(또는, 길이)이 계속 변화된다. 이에, 피처리물(W)의 면전 정보를 회득하기 위해 피처리물(W)의 일방향으로 이동하면서 피처리물(W)의 폭(또는, 길이)을 연속적으로 측정할 수 있다. 또는, 피처리물(W)의 폭(또는, 길이)의 변화량을 연속적으로 측정할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 순차적으로 피처리물(W)의 폭(또는, 길이)을 측정할 수도 있다.For example, when the workpiece W is circular, the width (or length) of the workpiece W is continuously changed from the front end portion to the rear end portion. Thus, the width (or length) of the article W can be continuously measured while moving in one direction of the article W in order to obtain the presence information of the article W to be processed. Alternatively, the variation amount of the width (or length) of the object W can be continuously measured. However, the present invention is not limited to this, and the width (or length) of the object W may be measured sequentially.

레이저 빔(L)은 라인빔 형태로 형성되기 때문에, 레이저 빔의 폭 및 길이 중 어느 하나는 피처리물(W)의 폭 또는 길이보다 짧고, 다른 하나는 같거나 길게 조절될 수 있다. 레이저 빔(L)이 폭 방향으로 연장형성되는 경우, 레이저 빔의 길이는 피처리물(W)의 길이보다 짧기 때문에, 레이저 빔(L)과 피처리물(W)을 정지시킨 상태에서는 피처리물(W) 전체로 레이저 빔을 조사할 수 없다. 이에, 레이저 빔(L) 및 피처리물(W) 중 적어도 어느 하나를 이동시켜 레이저 빔이 피처리물(W) 전체로 조사되게 할 수 있다.Since the laser beam L is formed in the form of a line beam, any one of the width and length of the laser beam may be shorter than the width or length of the object W and the other may be adjusted to be equal or longer. When the laser beam L is extended in the width direction, since the length of the laser beam is shorter than the length of the object W, in the state where the laser beam L and the object W are stopped, The entire water W can not be irradiated with the laser beam. Accordingly, at least any one of the laser beam L and the object W can be moved so that the laser beam is irradiated onto the entirety of the object W to be processed.

이때, 일방향(또는, 전후방향)으로 갈수록 피처리물은 폭 변화되는 경우, 도 5와 같이 피처리물(W) 또는 레이저 빔을 이동시키면서, 레이저 빔(L)의 폭을 변화되는 피처리물(W)의 폭에 맞춰 연속적으로 변화시켜 조사할 수 있다. 이에, 레이저 빔이 피처리물(W)의 형상에 맞춰 조사될 수 있고, 레이저 빔이 피처리물(W)의 외측 영역으로 조사되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 에너지 손실을 감소시키고, 레이저 빔으로 피처리물(W)을 효과적으로 신속하게 처리할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 피처리물(W)의 길이에 맞춰 레이저 빔의 길이가 연속적으로 조절될 수도 있고, 레이저 빔의 폭과 길이가 함께 조절될 수도 있으며, 폭과 길이의 방향이 바뀔 수도 있다. 또한, 레이저 빔이 순차적으로 조사될 수도 있다.At this time, in the case where the width of the article to be processed changes in the one direction (or in the back and forth direction), the width of the laser beam L is changed while moving the article W or the laser beam, Can be continuously changed in accordance with the width of the wafer W and irradiated. Thus, the laser beam can be irradiated in conformity with the shape of the object W, and it is possible to suppress or prevent the laser beam from being irradiated to the outer region of the object W. Therefore, the energy loss can be reduced, and the object W can be efficiently and quickly processed by the laser beam. However, the present invention is not limited to this, and the length of the laser beam may be continuously adjusted in accordance with the length of the object W, the width and length of the laser beam may be adjusted together, and the direction of the width and length may be changed . Also, the laser beam may be sequentially irradiated.

또한, 레이저 빔을 조사하면서, 레이저 빔(L)의 크기를 모니터링할 수 있다. 조사되는 레이저 빔(L)의 폭이 피처리물(W)의 폭보다 짧으면 상기 레이저 빔의 폭을 증가시킬 수 있다. 이에, 피처리물(W)로 레이저 빔이 조사되는 영역에 발생하는 것을 차단할 수 있고, 피처리물(W) 전체를 안정적으로 처리할 수 있다.Further, the size of the laser beam L can be monitored while irradiating the laser beam. If the width of the laser beam L to be irradiated is shorter than the width of the object W, the width of the laser beam can be increased. This prevents the object W from being generated in the region irradiated with the laser beam, and can stably process the entire object W.

한편, 레이저 빔의 크기는 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 단위 면적당 에너지에 따라 변경될 수도 있다. 예를 들어, 레이저 빔의 단위 면적당 에너지량 변화를 감소시키기 위해, 조사되는 레이저 빔(L)의 길이를 증가시키면 조사되는 레이저 빔(L)의 폭을 감소시키고, 조사되는 레이저 빔(L)의 폭을 증가시키면 조사되는 레이저 빔(L)의 길이를 감소시킬 수 있다. 이에, 피처리물(W)의 폭(또는, 길이)에 맞춰 레이저 빔의 크기가 변경되더라도 단위 면적당 에너지량은 균일해질 수 있다. 따라서, 피처리물(W) 전체에 균일한 에너지가 공급되어 피처리물(W) 전체가 동일한 조건에서 처리될 수 있다.On the other hand, the size of the laser beam may be changed according to the energy per unit area of the laser beam irradiated by the W- For example, if the length of the irradiated laser beam L is increased to reduce the change in energy amount per unit area of the laser beam, the width of the irradiated laser beam L is reduced, Increasing the width can reduce the length of the laser beam L to be irradiated. Thus, even if the size of the laser beam is changed in accordance with the width (or length) of the object W, the amount of energy per unit area can be made uniform. Therefore, uniform energy is supplied to the entire object W, and the entire object W can be processed under the same conditions.

또한, 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지를 모니터링할 수 있다. 즉, 단위 면적당 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일한지 측정할 수 있다. 따라서, 단위 면적당 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일하지 않으면, 레이저 빔의 에너지가 균일해지도록 레이저 빔의 크기를 재조절할 수 있다. Further, the energy of the laser beam irradiated by the object W can be monitored. That is, it is possible to measure whether or not the energy of the laser beam irradiated by the workpiece W per unit area is uniform. Therefore, if the energy of the laser beam irradiated to the W-treated product per unit area is not uniform, the size of the laser beam can be adjusted so that the energy of the laser beam becomes uniform.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 피처리물에 레이저 빔이 조사되는 방식을 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 안정화 영역과 변화 영역의 위치를 나타내는 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 복수의 구간에서 레이저 빔의 크기를 조절하기 위한 장축 렌즈와 단축 렌즈의 위치 변화를 나타내는 도면이다. 하기에서는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 레이저 처리방법에 대해 설명하기로 한다.FIG. 6 is a view showing a manner in which a laser beam is irradiated to an object to be processed according to another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a view showing positions of a stabilization region and a change region according to an embodiment of the present invention, Is a diagram illustrating positional changes of a long axis lens and a single axis lens for adjusting the size of a laser beam in a plurality of sections according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a laser processing method according to another embodiment of the present invention will be described.

우선, 피처리물(W)의 면적 정보를 획득할 수 있는데, 일방향으로 피처리물(W)을 복수의 구간으로 나눈 후, 각 구간에서 피처리물(W)의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정할 수 있다.First, the area information of the article W to be processed can be obtained. After the article W is divided into a plurality of sections in one direction, at least one of the width and the length of the article W in each section Can be measured.

예를 들어, 도 6과 같이 피처리물(W)의 길이방향(또는, 전후방향)으로 피처리물(W)을 전단부에서부터 후단부까지 제1 구간, 제2 구간, 제3 구간, 제4 구간, 제5 구간으로 나눌 수 있고, 각 구간에서 피처리물(W)의 폭을 측정할 수 있다. 이때, 각 구간에서 측정되는 폭은, 각 구간에서 피처리물(W)의 폭이 최대가 되는 부분에서 측정된 값일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 다양한 방법 및 개수로 구간을 나눌 수 있고, 피처리물의 폭과 길이의 방향은 변경될 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, the article W is divided into a first section, a second section, a third section, and a third section from the front end portion to the rear end portion in the longitudinal direction The fourth section, and the fifth section, and the width of the object W in each section can be measured. At this time, the width measured in each section may be a value measured at a portion where the width of the object W reaches a maximum in each section. However, the present invention is not limited to this, and various methods and the number of sections can be divided, and the direction of the width and length of the object to be processed can be changed.

그 다음, 레이저 빔을 발생시킬 수 있고, 피처리물(W)의 구간별로 조사되는 레이저 빔의 길이 및 폭 중 적어도 어느 하나를 조절할 수 있다. 도 7을 참조하면 각 구간 내에 레이저 빔의 크기가 유지되는 안정화 영역이 위치하고, 안정화 영역들 사이에 레이저 빔의 크기가 변경되는 변화 영역이 위치한다. Then, a laser beam can be generated, and at least one of the length and the width of the laser beam irradiated for each section of the object W can be adjusted. Referring to FIG. 7, a stabilizing region in which the size of the laser beam is maintained is located in each section, and a changing region in which the size of the laser beam is changed is located between the stabilizing regions.

이때, 일 구간에서 타 구간으로 진입하기 전, 진입하는 중, 및 진입한 후 중 어느 한 지점부터 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있다. 예를 들어, 일 구간의 폭이 타 구간의 폭보다 작은 경우, 레이저 빔이 일 구간에서 타 구간으로 넘어가지 넘어가기 전에 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절할 수 있다. 일 구간에서 피처리물(W)의 폭과 길이에 맞춰진 레이저 빔을 타 구간에 진입하기 전에 타 구간의 피처리물(W)의 폭과 길이에 맞춰 조절할 수 있다. 즉, 일 구간을 기준으로 맞춰진 레이저 빔이 타 구간에 조사되면, 타 구간의 폭이 크기 때문에, 피처리물에 레이저 빔이 조사되지 않는 영역이 발생할 수 있다. 따라서, 타 구간에 레이저 빔이 진입하기 전에 미리 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있다.At this time, the size of the laser beam can be adjusted from one point before entering the other section to the other section, during entering, and after entering. For example, when the width of one section is smaller than the width of another section, at least one of the width and length of the laser beam can be adjusted before the laser beam passes from one section to another section. The laser beam adjusted to the width and length of the W to be processed can be adjusted in accordance with the width and length of the W to be processed in the other section before entering the other section. That is, when the laser beam focused on one section is irradiated on the other section, the width of the other section is large, so that a region where the laser beam is not irradiated on the article to be processed may occur. Therefore, the size of the laser beam can be adjusted in advance before the laser beam enters the other section.

한편, 일 구간의 폭이 타 구간의 폭보다 큰 경우, 레이저 빔이 일 구간에서 타 구간으로 넘어가지 넘어간 후에 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절할 수 있다. 일 구간에서 피처리물(W)의 폭과 길이에 맞춰진 레이저 빔을 타 구간에 진입한 후에 타 구간의 피처리물(W)의 폭과 길이에 맞춰 조절할 수 있다. 즉, 타 구간을 기준으로 레이저 빔의 폭을 미리 조절하면, 타 구간의 폭이 작기 때문에, 일 영역에서 레이저 빔의 크기가 조절되면서 피처리물에 레이저 빔이 조사되지 않는 영역이 발생할 수 있다. 따라서, 타 구간에 레이저 빔이 진입한 후에 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있다. If the width of one section is greater than the width of another section, at least one of the width and length of the laser beam can be adjusted after the laser beam has passed from one section to another section. It is possible to adjust the width and the length of the object W in the other section after entering the other section with the laser beam aligned with the width and length of the object W in one section. That is, if the width of the laser beam is previously adjusted based on the other section, since the width of the other section is small, a region where the laser beam is not irradiated on the article to be processed may occur while the size of the laser beam is adjusted in one area. Therefore, the size of the laser beam can be adjusted after the laser beam enters the other section.

변화 영역의 크기가 증가되면 레이저 빔의 에너지가 안정적이지 못한 영역이 증가하여 피처리물(W) 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일하지 못할 수 있다. 이에, 레이저 빔의 크기를 신속하게 변경하여 변화 영역의 크기는 감소시키고, 에너지가 일정한 안정화 영역의 크기는 증가시킬 수 있다. 레이저 빔의 크기를 신속하게 변경하기 위해 장축 렌즈들과 단축 렌즈들의 위치를 동시에 함께 조절할 수 있다.When the size of the change area is increased, the energy of the laser beam is not stable and the energy of the laser beam to be irradiated may become uneven. Accordingly, the size of the change area can be reduced by rapidly changing the size of the laser beam, and the size of the stabilization area where the energy is constant can be increased. The positions of the long axis lenses and the single axis lenses can be adjusted together at the same time in order to quickly change the size of the laser beam.

각 구간에서 피처리물(W)의 폭이 최소가 되는 부분에서 측정된 값을 기준으로 레이저 빔의 폭을 조절하면, 각 구간에서 폭이 최대가 되는 부분 중 일부 영역으로 레이저 빔이 조사되지 않을 수 있다. 이에, 각 구간에서 피처리물(W) 전체로 레이저 빔이 조사될 수 있도록 폭이 제일 큰 부분을 기준으로 레이저 빔의 폭을 조절할 수 있다. When the width of the laser beam is adjusted based on the measured value at the portion where the width of the object W is minimum in each section, the laser beam is not irradiated to a portion of the portion where the width becomes maximum in each section . Accordingly, the width of the laser beam can be adjusted with respect to the portion having the largest width so that the laser beam can be irradiated to the entire object W in each section.

또한, 레이저 빔의 크기는 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 에너지에 따라 변경될 수도 있다. 즉, 조사되는 레이저 빔의 단위 면적당 에너지량이 균일해지도록 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있다.Further, the size of the laser beam may be changed depending on the energy of the laser beam irradiated to the object to be processed. That is, the size of the laser beam can be adjusted so that the energy amount per unit area of the irradiated laser beam becomes uniform.

이때, 제1 단축렌즈(131)가 전방으로(또는, 미러(150) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 길이가 감소하고, 제1 단축렌즈(131)가 후방으로(또는, 레이저 발생부(110) 측으로) 이동하면 레이저 빔의 길이가 증가할 수 있다. 제2 단축렌즈(132)가 전방으로(또는, 미러(150) 측으로) 이동하면 레이저 빔의 길이가 증가하고, 제2 단축렌즈(132)가 후방으로(또는, 레이저 발생부(110) 측으로) 이동하면 레이저 빔(L)의 길이가 감소할 수 있다. At this time, when the first uniaxial lens 131 moves forward (or toward the mirror 150), the length of the laser beam L decreases and the first uniaxial lens 131 moves rearward (or, (Toward the light emitting element 110 side), the length of the laser beam may increase. When the second uniaxial lens 132 moves forward (or toward the mirror 150), the length of the laser beam increases and the second uniaxial lens 132 moves backward (or toward the laser generation unit 110) The length of the laser beam L can be reduced.

또한, 제2 장축렌즈(122)가 전방으로(또는, 미러(150) 측으로) 이동하면 레이저 빔의 폭이 증가하고, 제1 단축렌즈(131)와 제2 단축렌즈(132)가 후방으로(또는, 레이저 발생부(110) 측으로) 이동하면 레이저 빔의 폭이 감소할 수 있다.When the second long axis lens 122 moves forward (or toward the mirror 150), the width of the laser beam increases and the first uniaxial lens 131 and the second uniaxial lens 132 move backward Or toward the laser generation unit 110 side), the width of the laser beam may decrease.

예를 들어, 도 8을 참조하면 피처리물(W)이 원형인 경우 피처리물(W)의 중심부에 위치한 제3 구간은 다른 구간들에 비해 폭(A3)과 길이(B3)가 크다. 제1 단축렌즈(131), 제2 단축렌즈(132) 및 제2 장축렌즈(122)의 영점은 제3 구간에 조사되는 레이저 빔의 크기를 기준으로 맞춰질 수 있다. 이에, 제1 단축렌즈(131), 제2 단축렌즈(132) 및 제2 장축렌즈(122)의 처음 위치는 모두 0일 수 있다. For example, referring to FIG. 8, when the article W is circular, the third section located at the center of the article W has a larger width A3 and a longer length B3 than the other sections. The zero point of the first uniaxial lens 131, the second uniaxial lens 132, and the second major axis lens 122 can be adjusted based on the size of the laser beam irradiated in the third section. Thus, the initial positions of the first uniaxial lens 131, the second uniaxial lens 132, and the second major axis lens 122 may all be zero.

레이저 빔이 조사되기 시작하는 구간인 제1 구간과 레이저 빔의 조사가 끝나는 제5 구간에서의 레이저 빔의 폭(A1)은 다른 영역들에 비해 제일 작다. 따라서, 제2 장축렌즈(122)는 전방으로 이동하여 -2 위치에 위치할 수 있고, 레이저 빔의 폭(A1)은 감소할 수 있다. 이때, 제1 구간(또는, 제5 구간)은 제2 구간(또는, 제4 구간)에 비해 폭이 좁기 때문에, 제2 구간에 비해 레이저 빔의 길이(B1)를 증가시킬 수 있고, 제1 단축렌즈(131)는 1 위치에 위치시키고, 제2 단축렌즈(132)는 -1 위치에 위치시킬 수 있다. 이에, 면적당 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일해질 수 있다.The width A1 of the laser beam in the first section in which the laser beam starts to be irradiated and in the fifth section in which the irradiation of the laser beam ends is smallest in comparison with the other regions. Therefore, the second long axis lens 122 can move forward and be located at the -2 position, and the width A1 of the laser beam can be reduced. At this time, since the width of the first section (or the fifth section) is narrower than that of the second section (or the fourth section), the length B1 of the laser beam can be increased compared to the second section, The single-axis lens 131 may be positioned at the 1 position, and the second uniaxial lens 132 may be positioned at the -1 position. Thus, the energy of the laser beam irradiated per area can be made uniform.

피처리물의 전단부(또는, 후단부)와 중심부 사이에 위치한 제2 구간과 제4 구간은 제1 구간(또는, 제5 구간)보다 폭은 크고, 제3 구간보다는 폭이 작다. 따라서, 제2 장축렌즈(122)의 위치를 -1 위치에 위치시킬 수 있고, 레이저 빔의 폭(A2)은 제1 구간(또는, 제5 구간)에서보다는 크고, 제3 구간보다는 작아질 수 있다. 이때, 제2 구간(또는, 제4 구간)은 제1 구간(또는, 제5 구간)에 비해 폭이 크기 때문에, 제2 구간에 비해 레이저 빔의 길이(B2)를 감소시킬 수 있고, 제1 단축렌즈(131)는 1 위치에 위치시키고, 제2 단축렌즈(132)는 0 위치에 위치시킬 수 있다. 이에, 면적당 조사되는 레이저 빔의 에너지가 균일해질 수 있다. 그러나 조사되는 레이저 빔의 크기를 조절하기 위해 단축렌즈들과 장축렌즈를 이동시키는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The second section and the fourth section located between the front end (or the rear end) and the center of the article to be processed are wider than the first section (or the fifth section) and smaller than the third section. Therefore, the position of the second long axis lens 122 can be positioned at the -1 position, and the width A2 of the laser beam can be made larger than in the first section (or the fifth section) and smaller than that in the third section have. At this time, since the width of the second section (or the fourth section) is larger than that of the first section (or the fifth section), the length B2 of the laser beam can be reduced compared to the second section, The single-axis lens 131 may be positioned at the 1 position, and the second uniaxial lens 132 may be positioned at the 0 position. Thus, the energy of the laser beam irradiated per area can be made uniform. However, the method of moving the uniaxial lenses and the long axis lenses to adjust the size of the laser beam to be irradiated is not limited to this and may vary.

이때, 구간의 개수를 증가시키면, 조사되는 레이저 빔이 피처리물(W)의 원래 형상과 더 유사하게 조사될 수 있다. 이에, 피처리물(W)의 형상에 맞춰 레이저 빔이 조사되어 피처리물(W) 외측으로 조사되는 레이저 빔의 양을 더 많이 감소시킬 수 있다.At this time, if the number of sections is increased, the irradiated laser beam can be irradiated more similar to the original shape of the object W to be processed. Therefore, the amount of the laser beam irradiated to the outside of the article W to be irradiated with the laser beam can be further reduced in accordance with the shape of the article W to be processed.

반대로, 구간의 개수를 감소시키면, 레이저 빔의 크기를 조절하는 횟수가 감소한다. 레이저 빔의 크기가 변경될 때 피처리물(W)로 공급되는 에너지 밀도가 변할 수 있다. 이에, 구간의 개수를 감소시켜 레이저 빔의 크기가 변경되는 횟수를 감소시키면 레이저 빔의 에너지가 변하는 것을 감소시킬 수 있다. 따라서, 피처리물(W) 전체에 용이하게 균일한 양의 에너지로 레이저 빔을 조사할 수 있고, 피처리물(W)을 효과적으로 처리할 수 있다. Conversely, if the number of sections is reduced, the number of times the size of the laser beam is adjusted decreases. The energy density supplied to the object W may change when the size of the laser beam is changed. Accordingly, if the number of sections is reduced and the number of times the size of the laser beam is changed is reduced, the variation of the energy of the laser beam can be reduced. Therefore, it is possible to easily irradiate the entire object W with a uniform amount of energy, and effectively treat the object W to be processed.

이처럼 피처리물(W)의 크기의 맞춰 레이저 빔을 조사할 수 있기 때문에, 레이저 빔이 피처리물(W)의 외측 영역까지 조사되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 따라서, 레이저 빔의 에너지가 손실되는 것을 억제하거나 방지하여 레이저를 이용한 공정의 속도를 개선할 수 있다.As described above, since the laser beam can be irradiated according to the size of the object W, it is possible to suppress or prevent the laser beam from being irradiated to the outer region of the object W. Thus, loss of energy of the laser beam can be suppressed or prevented to improve the speed of the process using the laser.

또한, 공정 속도가 개선되어 레이저 처리장치에 구비되는 렌즈나 미러가 공정 중에 사용되는 시간이 감소할 수 있다. 이에, 렌즈나 미러의 수명이 향상되고, 장치의 유지보수가 용이해질 수 있다.Further, the process speed is improved, and the time for which the lens or mirror included in the laser processing apparatus is used during the process can be reduced. Thus, the life of the lens or mirror is improved, and the maintenance of the apparatus can be facilitated.

또한, 피처리물(W)로 조사되는 레이저 빔의 단위 면적당 에너지가 균일해지도록 레이저 빔의 장축과 단축을 조절할 수 있다. 따라서, 피처리물(W) 전체로 동일한 에너지의 레이저 빔이 조사되어, 공정의 생산성과 효율성을 향상시킬 수 있다.In addition, the long and short axes of the laser beam can be adjusted so that the energy per unit area of the laser beam irradiated by the object W becomes uniform. Therefore, the entire object W to be irradiated is irradiated with a laser beam having the same energy, so that productivity and efficiency of the process can be improved.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to the specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims, as well as the appended claims.

100: 레이저 처리장치 110: 레이저 발생부
120: 장축 조절부 130: 단축 조절부
140: 제어부 150: 미러
160: 렌즈 170: 스테이지100: laser processing apparatus 110: laser generating unit
120: Long axis adjusting unit 130: Short axis adjusting unit
140: controller 150: mirror
160: lens 170: stage

Claims (16)

피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정;
레이저 빔을 발생시키는 과정; 및
상기 획득한 면적 정보를 따라 레이저 빔의 크기를 조절하면서 상기 피처리물에 조사하는 과정;을 포함하는 레이저 처리방법.Acquiring area information of the object to be processed;
Generating a laser beam; And
And irradiating the object to be processed while adjusting a size of the laser beam along the acquired area information. 청구항 1에 있어서,
상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은,
상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절하는 과정을 포함하는 레이저 처리방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of adjusting the size of the laser beam comprises the steps of:
And adjusting at least one of a width and a length of the laser beam. 청구항 1에 있어서,
상기 피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정은, 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정하는 과정을 포함하고,
상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은, 상기 피처리물 또는 상기 레이저 빔을 이동시키면서, 상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 조절하는 과정을 포함하는 레이저 처리방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of obtaining the area information of the object to be processed includes a step of measuring at least one of a width and a length of the object to be processed,
Wherein the step of adjusting the size of the laser beam comprises adjusting at least one of a width and a length of the laser beam while moving the object or the laser beam. 청구항 1에 있어서,
상기 피처리물의 면적 정보를 획득하는 과정은,
일방향으로 상기 피처리물을 복수의 구간으로 나누는 과정; 및
각 구간에서 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정하는 과정;을 포함하는 레이저 처리방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of acquiring the area information of the object to be processed comprises the steps of:
Dividing the object into a plurality of sections in one direction; And
And measuring at least one of a width and a length of the object to be processed in each section. 청구항 4에 있어서,
상기 각 구간에서 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나를 측정하는 과정은,
각 구간에서 상기 피처리물의 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나가 최대가 되는 부분에서 측정하는 과정을 포함하는 레이저 처리방법.The method of claim 4,
Measuring at least one of a width and a length of the object to be processed in each of the sections,
And measuring at a portion where at least one of a width and a length of the object to be processed becomes the maximum in each section. 청구항 5에 있어서,
상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은,
각 구간에서 측정되는 상기 피처리물의 최대 폭 및 최대 길이 중 적어도 어느 하나의 측정값 이상으로, 상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 적어도 하나를 조절하는 과정을 포함하는 레이저 처리방법.The method of claim 5,
Wherein the step of adjusting the size of the laser beam comprises the steps of:
And adjusting at least one of a width and a length of the laser beam to be greater than or equal to a measured value of at least one of a maximum width and a maximum length of the to-be-measured object measured in each section. 청구항 6에 있어서,
각 구간 내에 레이저 빔의 크기가 유지되는 안정화 영역이 위치하고, 안정화 영역들 사이에는 레이저 빔의 크기가 변경되는 변화 영역이 위치하는 레이저 처리방법.The method of claim 6,
Wherein a stabilization region in which the size of the laser beam is maintained is located within each section and a change region in which the size of the laser beam is changed is located between the stabilization regions. 청구항 1에 있어서,
상기 레이저 빔을 조사하면서, 상기 레이저 빔의 크기를 모니터링하는 과정; 및
상기 레이저 빔의 폭 또는 길이가 상기 피처리물의 폭 또는 길이보다 짧으면 상기 레이저 빔의 폭 또는 길이를 증가시키는 과정;을 더 포함하는 레이저 처리방법.The method according to claim 1,
Monitoring the size of the laser beam while irradiating the laser beam; And
And increasing the width or length of the laser beam if the width or length of the laser beam is shorter than the width or length of the object to be processed. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 과정은,
조사되는 레이저 빔의 길이를 증가시키면 조사되는 레이저 빔의 폭을 감소시키고, 조사되는 레이저 빔의 폭을 증가시키면 조사되는 레이저 빔의 길이를 감소시키는 과정을 포함하는 레이저 처리방법.The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the step of adjusting the size of the laser beam comprises the steps of:
Reducing the width of the irradiated laser beam by increasing the length of the irradiated laser beam and decreasing the length of the irradiated laser beam by increasing the width of the irradiated laser beam. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저 빔의 폭 및 길이 중 어느 하나는 상기 피처리물의 폭 또는 길이보다 짧고, 다른 하나는 같거나 길게 조절될 수 있으며,
일방향으로 갈수록 상기 피처리물은 폭 및 길이 중 적어도 어느 하나가 변화되는 레이저 처리방법. The method according to any one of claims 1 to 8,
One of the width and the length of the laser beam may be shorter than the width or length of the object to be processed and the other may be adjusted to be the same or longer,
Wherein at least one of a width and a length of the object to be processed changes in one direction. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 피처리물은, 기판, 및 상기 기판에 부착되는 지지판을 포함하고,
상기 기판과 상기 지지판을 분리할 수 있는 레이저 처리방법.The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the object to be processed includes a substrate and a support plate attached to the substrate,
And the substrate and the support plate can be separated from each other. 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부;
피처리물로 조사되는 레이저 빔의 폭을 조절하도록 상기 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 장축 조절부;
피처리물로 조사되는 레이저 빔의 길이를 조절하도록 상기 레이저 빔의 진행경로에 배치되는 단축 조절부; 및
상기 피처리물의 크기에 맞춰 상기 장축 조절부와 상기 단축 조절부 중 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 제어부;를 포함하는 레이저 처리장치.A laser generator for generating a laser beam;
A long axis adjusting unit disposed in a path of the laser beam to adjust a width of the laser beam irradiated by the object to be processed;
A uniaxial adjuster disposed in a path of the laser beam to adjust a length of the laser beam irradiated by the object; And
And controlling the operation of at least one of the long axis adjusting unit and the single axis adjusting unit according to the size of the object to be processed. 청구항 12에 있어서,
상기 장축 조절부는,
제1 장축렌즈;
상기 제1 장축렌즈와 이격되는 제2 장축렌즈; 및
상기 제1 장축렌즈와 상기 제2 장축렌즈 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 장축 구동기;를 포함하는 레이저 처리장치.The method of claim 12,
Wherein the long-
A first lens barrel;
A second long axis lens spaced from the first long axis lens; And
And a long axis driver capable of moving at least one of the first long axis lens and the second long axis lens. 청구항 12에 있어서,
상기 단축 조절부는,
제1 단축렌즈;
상기 제1 단축렌즈와 이격되는 제2 단축렌즈; 및
상기 제1 단축렌즈와 상기 제2 단축렌즈 중 적어도 어느 하나를 이동시킬 수 있는 단축 구동기;를 포함하는 레이저 처리장치.The method of claim 12,
The short-
A first uniaxial lens;
A second uniaxial lens spaced from the first uniaxial lens; And
And a single axis actuator capable of moving at least one of the first uniaxial lens and the second uniaxial lens. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 피처리물의 크기 정보를 수신할 수 있는 수신기;
상기 수신기와 연결되어 상기 장축 조절부와 상기 단축 조절부 중 적어도 어느 하나의 작동을 제어하는 조절기;를 포함하는 레이저 처리장치.The method according to any one of claims 12 to 14,
Wherein,
A receiver capable of receiving size information of the object to be processed;
And a controller coupled to the receiver for controlling operation of at least one of the long axis adjusting unit and the single axis adjusting unit. 청구항 15에 있어서,
상기 피처리물로 조사되는 레이저 빔의 크기를 측정할 수 있는 측정부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 측정부와 연결되어 레이저 빔의 크기를 조절할 수 있는 레이저 처리장치.16. The method of claim 15,
Further comprising a measurement unit capable of measuring a size of a laser beam irradiated to the object to be processed,
Wherein the control unit is connected to the measuring unit to adjust the size of the laser beam.
KR1020170012844A 2017-01-26 2017-01-26 Laser processing method and apparatus KR102584242B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170012844A KR102584242B1 (en) 2017-01-26 2017-01-26 Laser processing method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170012844A KR102584242B1 (en) 2017-01-26 2017-01-26 Laser processing method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180088140A true KR20180088140A (en) 2018-08-03
KR102584242B1 KR102584242B1 (en) 2023-10-05

Family

ID=63250152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170012844A KR102584242B1 (en) 2017-01-26 2017-01-26 Laser processing method and apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102584242B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111435638A (en) * 2019-01-11 2020-07-21 三星显示有限公司 Laser crystallization device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010109558A (en) * 2000-05-30 2001-12-12 장인순 Method and apparatus for monitoring the size variation and the focus shift of a weld pool in laser welding
KR20040020605A (en) * 2002-08-31 2004-03-09 주식회사 에셀텍 A Laser Apparatus for Cutting through a Flat Workpiece and Cutting Method of Brittle Material, especially Glass Using Same
KR20100093560A (en) * 2008-01-07 2010-08-25 가부시키가이샤 아이에이치아이 Laser anneal method and device
KR20120069302A (en) 2010-12-20 2012-06-28 디앤에이 주식회사 Laser lift off apparatus
JP2016129165A (en) * 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam lithography apparatus
KR101649959B1 (en) * 2016-03-21 2016-08-22 주식회사 제이티에스인더스트리 Galvano Scanner control and epilation Treatment Handpiece using Pore recognition

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010109558A (en) * 2000-05-30 2001-12-12 장인순 Method and apparatus for monitoring the size variation and the focus shift of a weld pool in laser welding
KR20040020605A (en) * 2002-08-31 2004-03-09 주식회사 에셀텍 A Laser Apparatus for Cutting through a Flat Workpiece and Cutting Method of Brittle Material, especially Glass Using Same
KR20100093560A (en) * 2008-01-07 2010-08-25 가부시키가이샤 아이에이치아이 Laser anneal method and device
KR20120069302A (en) 2010-12-20 2012-06-28 디앤에이 주식회사 Laser lift off apparatus
JP2016129165A (en) * 2015-01-09 2016-07-14 株式会社ニューフレアテクノロジー Charged particle beam lithography apparatus
KR101649959B1 (en) * 2016-03-21 2016-08-22 주식회사 제이티에스인더스트리 Galvano Scanner control and epilation Treatment Handpiece using Pore recognition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111435638A (en) * 2019-01-11 2020-07-21 三星显示有限公司 Laser crystallization device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102584242B1 (en) 2023-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10695870B2 (en) Laser processing apparatus
JP5199789B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
JP5165557B2 (en) System for realizing interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US8319143B2 (en) Laser processing apparatus
JP4956987B2 (en) Laser crystallization apparatus and crystallization method
JP6813719B1 (en) Optical system for generating irradiation lines
US7964035B2 (en) Crystallization apparatus and crystallization method
US20090184234A1 (en) Method for adjusting position of laser emitting device
JP6608519B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
US9044819B2 (en) Laser processing apparatus
US20050247683A1 (en) Method and apparatus to increase throughput of processes using pulsed radiation sources
JP2004311906A (en) Laser processing device and laser processing method
JP5590086B2 (en) System and method for realizing interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
TWI750164B (en) Laser processing apparatus and laser processing method using the same
JP2007214388A (en) Crystallizing device and positioning stage
KR20180088140A (en) Laser processing method and apparatus
TW201805099A (en) Laser processing apparatus and wafer producing method
JP2014113606A (en) Laser machining apparatus and laser machining method
JP2005116729A (en) Laser processing apparatus and method therefor
JP2003053578A (en) Method and device for adjusting profile of laser beam
KR102397423B1 (en) Laser apparatus and driving method thereof
WO2019181637A1 (en) Laser machining device and laser machining method
JPH07108468B2 (en) Laser processing equipment
JP7466080B2 (en) Laser annealing apparatus and laser annealing method
JP7481128B2 (en) Apparatus and method for modifying a wafer surface

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant