KR20180087699A - Oled lighting element and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20180087699A KR1020170012051A KR20170012051A KR20180087699A KR 20180087699 A KR20180087699 A KR 20180087699A KR 1020170012051 A KR1020170012051 A KR 1020170012051A KR 20170012051 A KR20170012051 A KR 20170012051A KR 20180087699 A KR20180087699 A KR 20180087699A
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Abstract

The present invention relates to an OLED lighting element capable of adjusting a light emitting property by using a strong micro-resonant effect, and a manufacturing method thereof. The OLED lighting element comprises: a first substrate with a transparent material; a color conversion part formed on one surface of the first substrate; a transparent first electrode part formed on the other surface of the first substrate; a first blue light emitting part formed over the first electrode part, and including an organic light emitting material emitting blue light; and a second electrode part formed over the first blue light emitting part. The color conversion part is dispersed with a quantum dot material converting at least a part of the blue light emitted from the first blue light emitting part into light having a relatively long wavelength. The first electrode part is a metal/dielectric (MD) electrode which includes a metal layer in contact with the first substrate and a first dielectric layer in contact with the first blue light emitting part.

Description

ＯＬＥＤ 조명 소자 및 그 제조 방법{OLED LIGHTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an OLED lighting element,

본 발명은 OLED 조명 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 강 미소공진(Strong Microcavity) 효과를 이용하여 발광 특성을 조절할 수 있는 OLED 조명 소자와 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an OLED lighting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an OLED lighting device capable of adjusting light emission characteristics using a strong microcavity effect and a manufacturing method thereof.

일반적으로 OLED(Organic light-emitting diode)는 1987년 이스트만 코닥(Eastman Kodak)에서 유기 물질에서의 전기적인 발광현상을 발견한 이후 빠른 속도로 발전해 왔으며, AMOLED 등과 같이 디스플레이 소자로서의 개발이 진행되었다.In general, organic light-emitting diodes (OLEDs) have been developed at Eastman Kodak in 1987 after rapidly finding an electric luminescence phenomenon in an organic material, and developed as a display device such as AMOLED.

최근에는 특수 및 일반 조명이나 디스플레이 장치의 백라이트 등에 응용되는 조명용의 OLED에 대한 관심이 높아지고 있다. 각각의 화소에서 색상을 조절하여 발광하는 디스플레이 소자와 달리, 조명용 OLED는 소자 전체가 넓은 스펙트럼을 나타내는 백색으로 발광하기 때문에 백색 OLED로 표현한다.In recent years, there has been a growing interest in OLEDs for illumination applications such as special and general lighting or backlight of display devices. Unlike a display device that emits light by adjusting the color of each pixel, an OLED for illumination is expressed by a white OLED because the entire device emits white light showing a broad spectrum.

백색으로 발광하는 조명용 백색 OLED를 구현하기 위해서는 여러 파장의 빛을 혼합하기 구조로서 적층형(tandem 또는 stack) 구조가 일반적으로 사용되고 있다.In order to realize a white OLED for white light emission, a tandem or stack structure is generally used as a structure for mixing light of various wavelengths.

도 1은 종래의 적층형 백색 OLED(10)의 구조를 도시한 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing the structure of a conventional stacked white OLED 10.

2개의 발광부를 적층한 탠덤 구조의 백색 OLED(10)는 빛이 발산되는 투명 재질의 기판(20)과 투명 재질의 제1 전극(30)과 빛을 발광하는 2개의 발광부(70, 80)와 발광부(70, 80) 사이에 배치된 중간 연결자(95) 및 제2 전극(90)으로 구성된다. 제1 발광부(70)는 청색 발광층(51b) 및 황색 발광층(50y)을 포함하고, 제2 발광부(80)는 녹색 발광층(51g)과 적색 발광층(51r)을 포함한다. 제1 발광부(70)는 정공 주입층(35) 및 전자 수송층(65)을 포함하고, 제2 발광부(80)는 전자 수송층(55) 및 전공 수송층(45)을 포함한다.A white OLED 10 having a tandem structure in which two light emitting portions are stacked is composed of a substrate 20 of a transparent material through which light is emitted, a first electrode 30 made of a transparent material, two light emitting portions 70 and 80 for emitting light, And an intermediate connector 95 and a second electrode 90 disposed between the light emitting units 70 and 80. The first light emitting portion 70 includes a blue light emitting layer 51b and the yellow light emitting layer 50y and the second light emitting portion 80 includes a green light emitting layer 51g and a red light emitting layer 51r. The first light emitting portion 70 includes a hole injection layer 35 and an electron transporting layer 65 and the second light emitting portion 80 includes an electron transporting layer 55 and a major transporting layer 45.

상술한 바와 같은 종래의 OLED 조명 소자는 백색광을 형성하기 위하여 적어도 하나의 탠덤 구조가 요구되므로 소자 제조 시 공정 수가 증가하는 문제점이 있고, 상술한 문제점을 해결하기 위하여 청색 유기 발광 소자에 적색 및 녹색 색변환층을 결합하여 구조를 단순화하는 경우에는 색변환층에서 청색광의 피크점을 크게 시프트시키기 어려운 바, 청색광을 백색광으로 변환시키기 어려운 문제점이 있다.In order to solve the above-mentioned problem, the conventional OLED lighting device as described above requires at least one tandem structure in order to form white light. Therefore, When the conversion layers are combined to simplify the structure, it is difficult to shift the peak point of the blue light in the color conversion layer to a large extent, which makes it difficult to convert blue light into white light.

대한민국 공개특허 10-2011-0089128Korean Patent Publication No. 10-2011-0089128

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 OLED 및 양자점을 이용하여 조명 소자를 제작함에 있어서 OLED의 강 미소공진 구조를 이용하여 조명의 색좌표를 용이하게 조절할 수 있는 OLED 조명 소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide an OLED lighting device capable of easily adjusting a color coordinate of an illumination using an OLED and a strong micro-resonance structure in manufacturing an illumination device using the quantum dot, The purpose of the method is to provide.

상기 목적을 달성하기 위한 제1 실시예는, 투명한 재질의 제1 기판; 상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부; 상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부; 상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및 상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며, 상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고, 상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 제1 유전체층을 포함하는 MD(Metal/Dielectric) 전극이다.According to a first embodiment of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first substrate made of a transparent material; A color conversion unit formed on one surface of the first substrate; A transparent first electrode portion formed on the other surface of the first substrate; A first blue light emitting portion formed on the first electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light; And a second electrode part formed on the first blue light emitting part, wherein the color converting part disperses quantum dot material converting at least a part of the blue light emitted from the first blue light emitting part into light having a relatively long wavelength, And the first electrode part is a metal (MD) electrode including a metal layer in contact with the first substrate and a first dielectric layer in contact with the first blue light emitting part.

여기서, 상기 제1 전극부는, 상기 금속층 및 상기 제1 기판 사이에 제2 유전체층을 더 포함할 수 있다.The first electrode unit may further include a second dielectric layer between the metal layer and the first substrate.

또한, 상기 제1 유전체층의 두께는, 1nm 이상 150nm 이하일 수 있다.The thickness of the first dielectric layer may be 1 nm or more and 150 nm or less.

한편, 상기 금속층은 Ag 재질일 수 있다. Meanwhile, the metal layer may be made of Ag.

또한, 상기 제1 유전체층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.Also, the first dielectric layer may be a material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 and V 2 O 5 .

한편, 상기 제1 유전체층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료일 수 있다.Meanwhile, the first dielectric layer may be an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.

한편, 상기 제2 유전체층은, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.Meanwhile, the second dielectric layer may be a material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 , V 2 O 5 , SiO 2 and SiN x.

또한, 상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상일 수 있다.The quantum dot material dispersed in the color conversion portion may be one or more of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.

상기 목적을 달성하기 위한 제2 실시예는, 투명한 재질의 제1 기판; 상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부; 상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부; 상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및 상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며, 상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고, 상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 ITO 재질의 제1 투명 전극층을 포함한다.According to a second embodiment of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first substrate made of a transparent material; A color conversion unit formed on one surface of the first substrate; A transparent first electrode portion formed on the other surface of the first substrate; A first blue light emitting portion formed on the first electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light; And a second electrode part formed on the first blue light emitting part, wherein the color converting part disperses quantum dot material converting at least a part of the blue light emitted from the first blue light emitting part into light having a relatively long wavelength, The first electrode part includes a metal layer in contact with the first substrate and a first transparent electrode layer made of ITO in contact with the first blue light emitting part.

여기서, 상기 제1 전극부는, 상기 금속층 및 상기 제1 기판 사이에 ITO 재질의 제2 투명 전극층을 더 포함할 수 있다.The first electrode unit may further include a second transparent electrode layer made of ITO between the metal layer and the first substrate.

또한, 상기 제1 투명 전극층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하일 수 있다.In addition, the thickness of the first transparent electrode layer may be 1 nm or more and 150 nm or less.

한편, 상기 금속층은 Ag 재질일 수 있다.Meanwhile, the metal layer may be made of Ag.

또한, 상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상일 수 있다.The quantum dot material dispersed in the color conversion portion may be one or more of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.

상기 목적을 달성하기 위한 제3 실시예는, 제2 기판; 상기 제2 기판 위에 형성된 제3 전극부; 상기 제3 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부; 상기 제2 청색 발광부 위에 형성된 투명한 제4 전극부; 및 상기 제4 전극부 위에 형성된 색변환부를 포함하여 구성되며, 상기 색변환부는 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고, 상기 제4 전극부는 상기 제2 청색 발광부에 접하는 금속층 및 상기 색변환부에 접하는 제3 유전체층을 포함하는 MD(Metal/Dielectric) 전극이다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a second substrate; A third electrode part formed on the second substrate; A second blue light emitting portion formed on the third electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light; A transparent fourth electrode part formed on the second blue light emitting part; And a color conversion unit formed on the fourth electrode unit, wherein the color conversion unit includes: a quantum dot material for converting at least a part of the blue light emitted from the second blue light emitting unit into light having a relatively long wavelength, The fourth electrode portion is an MD (Metal / Dielectric) electrode including a metal layer in contact with the second blue light emitting portion and a third dielectric layer in contact with the color converting portion.

여기서, 상기 색변환부 및 상기 제3 유전체층 사이에 상기 제3 유전체층 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 봉지층은, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층한 구조일 수 있다.Here, the sealing layer may further include a sealing layer for protecting the organic material in the third dielectric layer between the color converting portion and the third dielectric layer, and the sealing layer may be a multilayer structure of an organic layer and an inorganic layer.

또한, 상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질일 수 있다.In addition, the organic layer may be an acrylate-based material.

한편, 상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있는 구조일 수 있다.Meanwhile, the organic layer may have a structure in which a quantum dot material that converts at least a part of blue light emitted from the second blue light emitting portion into light of relatively long wavelength is dispersed in an acrylate resin.

또한, 상기 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.Also, the inorganic layer may be a material selected from SiO2, SiNx, and Al2O3.

또한, 상기 제2 청색 발광부는, 상기 제3 전극부 위에 형성된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 전달층; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층; 상기 청색 발광층 위에 형성된 전자 전달층; 및 상기 전자 전달층 위에 형성된 전자 주입층을 포함하고, 상기 정공 주입층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하일 수 있다.The second blue light emitting portion may include a hole injection layer formed on the third electrode portion, A hole transport layer formed on the hole injection layer; A blue light emitting layer formed on the hole transporting layer and including an organic light emitting material emitting blue light; An electron transport layer formed on the blue light emitting layer; And an electron injection layer formed on the electron transport layer, and the thickness of the hole injection layer may be 1 nm or more and 150 nm or less.

한편, 상기 금속층은 Ag 재질일 수 있다. Meanwhile, the metal layer may be made of Ag.

또한, 상기 정공 주입층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.The hole injection layer may be a material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .

한편, 상기 정공 주입층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료일 수 있다.Meanwhile, the hole injection layer may be an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.

한편, 상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상일 수 있다.Meanwhile, the quantum dot material dispersed in the color conversion portion may be at least one of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 제4 실시예는, 제2 기판; 상기 제2 기판 위에 형성된 제3 전극부; 상기 제3 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부; 상기 제2 청색 발광부 위에 형성된 투명한 제4 전극부; 및 상기 제4 전극부 위에 형성된 색변환부를 포함하여 구성되며, 상기 색변환부는 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고, 상기 제4 전극부는 상기 제2 청색 발광부에 접하는 금속층 및 상기 색변환부에 접하는 ITO 재질의 제3 투명 전극층을 포함한다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a second substrate; A third electrode part formed on the second substrate; A second blue light emitting portion formed on the third electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light; A transparent fourth electrode part formed on the second blue light emitting part; And a color conversion unit formed on the fourth electrode unit, wherein the color conversion unit includes: a quantum dot material for converting at least a part of the blue light emitted from the second blue light emitting unit into light having a relatively long wavelength, The fourth electrode part includes a metal layer in contact with the second blue light-emitting part and a third transparent electrode layer made of ITO in contact with the color conversion part.

또한, 상기 제2 청색 발광부는, 상기 제3 전극부 위에 형성된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 전달층; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층; 상기 청색 발광층 위에 형성된 전자 전달층; 및 상기 전자 전달층 위에 형성된 전자 주입층을 포함하고, 상기 정공 주입층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하일 수 있다.The second blue light emitting portion may include a hole injection layer formed on the third electrode portion, A hole transport layer formed on the hole injection layer; A blue light emitting layer formed on the hole transporting layer and including an organic light emitting material emitting blue light; An electron transport layer formed on the blue light emitting layer; And an electron injection layer formed on the electron transport layer, and the thickness of the hole injection layer may be 1 nm or more and 150 nm or less.

한편, 상기 금속층은 Ag 재질일 수 있다. Meanwhile, the metal layer may be made of Ag.

또한, 상기 정공 주입층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.The hole injection layer may be a material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .

한편, 상기 정공 주입층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료일 수 있다.Meanwhile, the hole injection layer may be an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.

한편, 상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상일 수 있다.Meanwhile, the quantum dot material dispersed in the color conversion portion may be at least one of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 제5 실시예는, 투명한 재질인 제1 기판의 일면 상에 금속층 및 제1 유전체층을 순차적으로 적층하여 MD(Metal/Dielectric) 전극 구조의 제1 전극부를 형성하는 단계; 상기 제1 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부를 형성하는 단계; 상기 제1 청색 발광부 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 기판의 타면 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함한다.According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plasma display panel, comprising: forming a first electrode portion of a MD (Metal / Dielectric) electrode structure by sequentially laminating a metal layer and a first dielectric layer on one surface of a first substrate, ; Forming a first blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the first electrode portion; Forming a second electrode portion on the first blue light emitting portion; And forming a color conversion unit on which the quantum dot material for converting blue light into light having a relatively long wavelength is dispersed on the other surface of the first substrate.

한편, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기판의 일면에 제1 유전체층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성한다.Meanwhile, in the step of forming the first electrode part, a first dielectric layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm on one surface of the first substrate.

또한, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성할 수 있다. In addition, in the step of forming the first electrode part, the metal layer may be formed of an Ag material.

한편, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 유전체층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성할 수 있다.Meanwhile, in the step of forming the first electrode part, the first dielectric layer may be formed of one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .

한편, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 유전체층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성할 수 있다.Meanwhile, in forming the first electrode unit, the first dielectric layer may be formed of an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA, and HATCN.

또한, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 적층 전에 상기 제1 기판의 일면 상에 제2 유전체층을 적층하고, 상기 제2 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질을 사용할 수 있다.In the forming of the first electrode part, a second dielectric layer is laminated on one surface of the first substrate before the metal layer is laminated. In the process of forming the second dielectric layer, MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 , V 2 O 5 , SiO 2 and SiN x may be used.

한편, 상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시킬 수 있다.Meanwhile, in the step of forming the color conversion portion, one or more quantum dot materials for converting blue light into red light and quantum dot materials for converting blue light into green light may be dispersed.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 제6 실시예는, 투명한 재질인 제1 기판의 일면 상에 금속층 및 ITO 재질의 제1 투명 전극층을 순차적으로 적층하여 제1 전극부를 형성하는 단계; 상기 제1 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부를 형성하는 단계; 상기 제1 청색 발광부 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 기판의 타면 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함한다.According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plasma display panel, comprising: forming a first electrode part by sequentially laminating a metal layer and a first transparent electrode layer made of ITO on a first surface of a transparent substrate; Forming a first blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the first electrode portion; Forming a second electrode portion on the first blue light emitting portion; And forming a color conversion unit on which the quantum dot material for converting blue light into light having a relatively long wavelength is dispersed on the other surface of the first substrate.

또한, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기판의 일면에 상기 제1 투명 전극층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성할 수 있다.In addition, the first transparent electrode layer may be formed to a thickness of 1 nm to 150 nm on one surface of the first substrate in the step of forming the first electrode portion.

한편, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성할 수 있다.Meanwhile, in the step of forming the first electrode part, the metal layer may be formed of an Ag material.

또한, 상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 적층 전에 상기 제1 기판의 일면 상에 제2 유전체층을 적층하고, 상기 제2 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질을 사용할 수 있다.In the forming of the first electrode part, a second dielectric layer is laminated on one surface of the first substrate before the metal layer is laminated. In the process of forming the second dielectric layer, MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 , V 2 O 5 , SiO 2 and SiN x may be used.

한편, 상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시킬 수 있다.Meanwhile, in the step of forming the color conversion portion, one or more quantum dot materials for converting blue light into red light and quantum dot materials for converting blue light into green light may be dispersed.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 제7 실시예는, 제2 기판의 일면 상에 제3 전극부를 형성하는 단계; 상기 제3 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부를 형성하는 단계; 상기 제2 청색 발광부 상에 금속층 및 제3 유전체층을 순차적으로 적층하여 MD(Metal/Dielectric) 전극 구조의 제4 전극부를 형성하는 단계; 상기 제4 전극부 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함한다.According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a third electrode part on one surface of a second substrate; Forming a second blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the third electrode portion; Depositing a metal layer and a third dielectric layer sequentially on the second blue light emitting portion to form a fourth electrode portion having an MD (Metal / Dielectric) electrode structure; And forming a color conversion unit on which the quantum dot material for converting the blue light into the relatively long wavelength light is dispersed on the fourth electrode unit.

한편, 상기 제2 청색 발광부를 형성하는 단계는, 상기 제3 전극부 위에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층 위에 정공 전달층을 형성하는 단계; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층을 형성하는 단계; 상기 청색 발광층 위에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 전달층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 정공 주입층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성할 수 있다.The forming of the second blue light emitting part may include forming a hole injection layer on the third electrode part, Forming a hole transport layer on the hole injection layer; Forming a blue light emitting layer on the hole transport layer and including an organic light emitting material emitting blue light; Forming an electron transport layer on the blue light emitting layer; And forming an electron injection layer on the electron transport layer, wherein the hole injection layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm.

또한, 상기 제4 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성할 수 있다. In addition, in the step of forming the fourth electrode part, the metal layer may be formed of an Ag material.

한편, 상기 정공 주입층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성할 수 있다.Meanwhile, the hole injection layer may be formed of one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .

한편, 상기 정공 주입층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성할 수 있다.Meanwhile, the hole injection layer may be formed of an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.

또한, 상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시킬 수 있다.Further, in the step of forming the color conversion portion, one or more quantum dot materials for converting blue light into red light and quantum dot materials for converting blue light into green light may be dispersed.

한편, 상기 제4 전극부를 형성하는 단계 이후 색변환부를 형성하는 단계 전에, 상기 제4 전극부 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an encapsulation layer for protecting the organic material in the fourth electrode unit before forming the color conversion unit after forming the fourth electrode unit.

또한, 상기 제4 전극부를 형성하는 단계 이후 색변환부를 형성하는 단계 전에, 상기 제4 전극부 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an encapsulation layer for protecting the organic material in the fourth electrode unit before forming the color conversion unit after forming the fourth electrode unit.

한편, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층하는 단계를 포함할 수 있다.On the other hand, the step of forming the sealing layer may include a step of laminating the organic layer and the inorganic layer in a multi-layer structure.

또한, 상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질로 형성될 수 있다.Also, the organic layer may be formed of an acrylate-based material.

한편, 상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질을 분산하여 형성할 수 있다.Meanwhile, the organic layer may be formed by dispersing a quantum dot material, which converts at least a part of blue light emitted from the second blue light emitting portion into light of a relatively long wavelength, in an acrylate-based resin.

또한, 상기 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질로 형성될 수 있다.In addition, the inorganic layer may be formed of one material selected from SiO2, SiNx, and Al2O3.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 제8 실시예는, 제2 기판의 일면 상에 제3 전극부를 형성하는 단계; 상기 제3 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부를 형성하는 단계; 상기 제2 청색 발광부 상에 금속층 및 ITO 재질의 제3 투명 전극층을 순차적으로 적층하여 제4 전극부를 형성하는 단계; 및 상기 제4 전극부 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함한다.According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plasma display panel, comprising: forming a third electrode part on one surface of a second substrate; Forming a second blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the third electrode portion; Forming a fourth electrode part by sequentially laminating a metal layer and a third transparent electrode layer made of ITO on the second blue light emitting part; And forming a color conversion unit on which the quantum dot material for converting the blue light into the relatively long wavelength light is dispersed on the fourth electrode unit.

여기서, 상기 제2 청색 발광부를 형성하는 단계는, 상기 제3 전극부 위에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층 위에 정공 전달층을 형성하는 단계; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층을 형성하는 단계; 상기 청색 발광층 위에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 전달층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 정공 주입층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성할 수 있다.The forming of the second blue light emitting portion may include forming a hole injection layer on the third electrode portion, Forming a hole transport layer on the hole injection layer; Forming a blue light emitting layer on the hole transport layer and including an organic light emitting material emitting blue light; Forming an electron transport layer on the blue light emitting layer; And forming an electron injection layer on the electron transport layer, wherein the hole injection layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm.

또한, 상기 제4 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성할 수 있다.In addition, in the step of forming the fourth electrode part, the metal layer may be formed of an Ag material.

한편, 상기 정공 주입층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성할 수 있다.Meanwhile, the hole injection layer may be formed of one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .

한편, 상기 정공 주입층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성할 수 있다.Meanwhile, the hole injection layer may be formed of an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.

또한, 상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시킬 수 있다.Further, in the step of forming the color conversion portion, one or more quantum dot materials for converting blue light into red light and quantum dot materials for converting blue light into green light may be dispersed.

상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 금속층을 포함하는 MD 전극을 이용하여 OLED에서 강 미소공진 특성을 유도하고, MD 전극 중 유기층과 인접한 유전체층의 두께 변화를 통해서 미소공진 특성을 조절함으로써, 청색광의 스펙트럼 조절 및 청색광에 의해 여기된 양자점층의 색변환 조절이 용이한 효과가 있다.The present invention having the above-described structure can be applied to a light emitting device in which the MD resonance characteristics are induced in the OLED by using the MD electrode including the metal layer and the micro resonance characteristics are controlled by changing the thickness of the dielectric layer adjacent to the organic layer in the MD electrode, And the color conversion control of the quantum dot layer excited by the blue light is facilitated.

도 1은 종래의 적층형 백색 OLED의 구조를 도시한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예 및 제3 실시예에 의한 OLED 조명 소자의 구조를 도시한 모식도이다.
도 3은 본 발명에 의한 제1 전극부를 적용한 OLED 조명 소자의 공진 향상 팩터를 ITO 투명 전극을 적용한 공진 향상 팩터에 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 4는 ITO 투명 전극에 의해 청색광이 변환되는 형태를 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명에 의한 OLED 조명 소자의 제1 전극부 내 제1 유전체층의 두께 변화에 대응하여 청색광이 변환되는 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명에 의한 OLED 조명 소자의 색좌표 변화를 ITO 투명 전극을 적용한 OLED 조명 소자의 색좌표 변화에 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예 및 제4 실시예에 의한 OLED 조명 소자의 구조를 도시한 모식도이다.1 is a schematic diagram showing the structure of a conventional stacked white OLED.
2 is a schematic diagram showing the structure of an OLED lighting device according to the first and third embodiments of the present invention.
FIG. 3 is a graph showing a resonance enhancement factor of an OLED lighting device to which a first electrode unit according to the present invention is applied, in comparison with a resonance enhancement factor to which an ITO transparent electrode is applied.
4 is a graph showing a mode in which blue light is converted by the ITO transparent electrode.
FIG. 5 is a graph showing a change in blue light corresponding to a change in thickness of a first dielectric layer in a first electrode portion of an OLED lighting device according to the present invention. FIG.
6 is a graph showing a color coordinate change of an OLED lighting device according to the present invention compared with a color coordinate change of an OLED lighting device to which an ITO transparent electrode is applied.
7 is a schematic diagram showing a structure of an OLED lighting device according to a second embodiment and a fourth embodiment of the present invention.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 2는 본 발명의 제3 실시예에 따라 제조되고 제1 실시예에 따른 구조를 갖는 OLED 조명 소자의 구조를 도시한 모식도로, 제1 실시예의 OLED 조명 소자는, 제1 기판(100), 색변환부(200), 제1 전극부(300), 제1 청색 발광부(400) 및 제2 전극부(500)를 포함하며, 이하에서는 구조와 함께 제조 방법을 설명한다.FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of an OLED lighting device manufactured according to a third embodiment of the present invention and having a structure according to the first embodiment, wherein the OLED lighting device of the first embodiment includes a first substrate 100, A first electrode unit 300, a first blue light emitting unit 400, and a second electrode unit 500. Hereinafter, a structure and a fabrication method will be described.

제1 실시예의 OLED 조명 소자는 아래쪽으로 빛이 발산하는 구조이므로 제1 기판(100)은 투명한 재질, 예를 들면, 유리 재질의 기판을 사용할 수 있다.Since the OLED lighting device of the first embodiment has a structure in which light is emitted downward, the first substrate 100 may be made of a transparent material, for example, a glass substrate.

제1 기판(100)의 일면 위에 형성된 색변환부(200)는 제1 청색 발광부(400)에서 생성된 청색광의 적어도 일부를 장파장의 빛으로 변환하여 제1 기판(100)에 접하는 면의 반대쪽으로 발산한다. 색변환부(200)는, 수지 내에 양자점 물질, 예를 들면, 적색 양자점 또는 녹색 양자점이 분산되어 있거나, 적색 양자점 및 녹색 양자점이 분산되어 있다. 즉, 양자점 물질은 제1 청색 발광부(400)에서 생성된 청색광을 받아서 상대적으로 에너지가 낮은 장파장의 빛으로 파장을 변환하여 다시 발산하며, 청색광과 장파장으로 변환된 빛이 결합하여 발산된다. 이때, 백색광의 구현을 위해서는 청색광 이외의 파장 범위의 빛이 결합되어야 하므로, 양자점 물질에서 변환되는 빛의 파장은 청색보다 낮은 에너지 범위를 다양하게 조합할 수 있다. 예를 들면, 청색을 녹색으로 변환하는 양자점 물질 또는 청색을 적색으로 변환하는 양자점 물질을 분산시킨 색변환부(200)를 형성하면, 양자점 물질의 사이를 통과하여 색변환부(200)에서 변환되지 않은 청색광과 색변환부(200)에서 변환된 녹색광 또는 적색광이 결합되어 2파장의 백색광을 구현할 수 있다. 다른 방법으로, 청색을 녹색으로 변환하는 양자점 물질과 청색을 적색으로 변환하는 양자점 물질을 함께 분산시킨 색변환부(200)를 형성하면, 양자점 물질의 사이를 통과하여 색변환부(200)에서 변환되지 않은 청색광과 색변환부(200)에서 변환된 녹색광 및 적색광이 결합되어 3파장의 백색광을 구현할 수 있다.The color conversion unit 200 formed on one surface of the first substrate 100 converts at least a part of the blue light generated by the first blue light emitting unit 400 into light of a long wavelength, . In the color conversion section 200, a quantum dot material such as a red quantum dot or a green quantum dot is dispersed in the resin, or a red quantum dot and a green quantum dot are dispersed. That is, the quantum dot material receives the blue light generated by the first blue light emitting unit 400, converts the wavelength into light of a long wavelength with a relatively low energy, and emits the blue light again. In order to realize white light, light of a wavelength range other than blue light must be coupled. Therefore, the wavelength of light converted from the quantum dot material can be variously combined with an energy range lower than blue. For example, when the color conversion unit 200 is formed by dispersing a quantum dot material that converts blue to green or a quantum dot material that converts blue to red, the color conversion unit 200 passes between the quantum dot materials and is not converted in the color conversion unit 200 And the green light or the red light converted by the color conversion unit 200 are combined to realize two-wavelength white light. Alternatively, a color conversion unit 200 in which a quantum dot material for converting blue light into green light and a quantum dot material for converting blue light into red light are dispersed together, is passed through between the quantum dot materials, converted in the color conversion unit 200 And the green light and the red light converted by the color conversion unit 200 are combined to realize white light of three wavelengths.

색변환부(200)를 형성하는 방법은, 슬롯 다이 코팅(slot die coating)법, 바 코팅(bar coating)법, 스핀 코팅(spin coating)법, 딥 코팅(dip coating)법 등을 적용하여 직접 양자점 물질이 분산된 박막을 형성할 수 있다. 그리고 양자점 물질이 분산된 색변환 필름을 제1 기판(100)에 부착하여 형성할 수도 있다. The color converting unit 200 may be formed by a method such as a slot die coating method, a bar coating method, a spin coating method, a dip coating method, A thin film in which a quantum dot material is dispersed can be formed. Alternatively, the color conversion film may be formed by attaching a color conversion film on which the quantum dot material is dispersed to the first substrate 100.

제1 전극부(300)는 제1 기판(100)의 색변환부(200)가 형성된 일면이 아닌 타면에 형성되어 제1 청색 발광부(400)에 전기를 인가하는 전극으로서, 정공이 주입되는 애노드 전극이며, 빛이 제1 기판(100) 측으로 투과되어야 하므로 투명한 MD (Metal/Dielectric) 전극, 즉, 금속층(310), 제1 유전체층(320) 및 제2 유전체층(330)을 포함하는 다층 구조의 투명 전극으로 구성될 수 있다.The first electrode unit 300 is formed on the other surface of the first substrate 100 on which the color conversion unit 200 is formed and applies electric power to the first blue light emitting unit 400, Layer structure including a transparent MD (Metal / Dielectric) electrode, that is, a metal layer 310, a first dielectric layer 320, and a second dielectric layer 330 because the light needs to be transmitted to the first substrate 100 side. Of the transparent electrode.

금속층(310)은, 제1 기판(100)의 타면 또는 제2 유전체층(330) 상에 형성되고, 나노 단위의 두께로 형성되어 빛을 투과시킬 수 있는 금속 중에서 선택될 수 있으며, 은(Ag)을 사용하는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. 이때, 금속층(310)으로 Ag를 사용하는 경우에, 표면 플라즈몬 현상을 유도할 수 있어 색변환 효율 향상에 유리하다.The metal layer 310 may be formed on the other surface of the first substrate 100 or on the second dielectric layer 330 and may be formed of a metal having a thickness of nano units and capable of transmitting light, But it is not limited thereto. At this time, when Ag is used for the metal layer 310, the surface plasmon phenomenon can be induced, which is advantageous for improving the color conversion efficiency.

또한, 제1 유전체층(320)은, 금속층(310) 상에 형성되어 제1 청색 발광부(400)에 접하고, 전극의 투명도 및 면저항을 향상시킬 수 있으면서도 정공 주입에 적합한 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에 하나의 재료, 바람직하게는 WO3을 사용할 수 있다. 제1 유전체층(320)의 재질이 앞서 언급한 산화물 계열의 유전 물질로 제한되는 것은 아니며, 이외에 ITO 등의 금속 산화물, CuPc(Copper Phthalocyanine), TDATA(4,4',4"-tris(N,N-diphenyl-amino)triphenylamine), m-MTDATA(4,4'4"-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine), TDAPB(1,3,5-tris(4-diphenylaminophenyl)benzene), 2-TNATA(4,4',4"-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenylarninc))-triphenylamine), HATCN(hexaaza-triphenylene-hexanitrile) 등의 유기(Organic) 재료를 사용할 수도 있다.Further, the first dielectric layer 320, is formed on the metal layer 310 in contact with the first blue light emitting part 400, with all possible to improve the transparency and the surface resistance of the electrode MoO 3, suitable for the hole injection WO 3, Ni 2 O 3 and V 2 O 5 , preferably WO 3 , can be used. The dielectric material of the first dielectric layer 320 is not limited to the above-mentioned oxide-based dielectric material. In addition, a metal oxide such as ITO, copper phthalocyanine (CuPc), 4,4 ', 4 " 3-methylphenyl (phenyl) amino] triphenylamine), TDAPB (1,3,5-tris (4-diphenylaminophenyl) benzene), m- Organic materials such as 2-TNATA (4,4 ', 4 "-Tris (N- (2-naphthyl) -N-phenylarninc) -triphenylamine and HATCN (hexaaza-triphenylene- hexanitrile) .

이때, 제1 청색 발광부(400)에 인접한 제1 유전체층(320)의 두께를 변화시킴으로써 강 미소공진 특성을 조절할 수 있다. 미소공진 특성 또는 효과는 공진 향상 팩터(Cavity enhancement factor)에 직접적인 영향을 받는데, 공진 향상 팩터는 일반적으로 아래 수학식 1에 의하여 계산 가능하다.At this time, the thickness of the first dielectric layer 320 adjacent to the first blue light emitting part 400 may be varied to control the micro-resonance characteristics of the steel. The micro resonance characteristics or effects are directly affected by the resonance enhancement factor, and the resonance enhancement factor can be generally calculated by the following equation (1).

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서,

Figure pat00002
는 멀티플 빔 간섭 특성을 의미하는 Fabry-Perot 간섭효과를 나타내고,
Figure pat00003
는 투 빔(Two Beams) 간섭 효과를 나타내며, 하기의 수학식 2 및 수학식 3에 의하여 계산 가능하다.here,
Figure pat00002
Indicates a Fabry-Perot interference effect indicating multiple beam interference characteristics,
Figure pat00003
Represents a two-beam interference effect, and can be calculated by the following equations (2) and (3).

Figure pat00004
Figure pat00004

여기서, λ는 파장, R은 각 구성요소 내 물질, 예를 들면, Al, Ag 등 전극부를 구성하는 물질의 반사율, T는 각 구성요소 내 물질의 투과율을 의미하며, ΔΦ는 제2 전극부(500)와 제1 전극부(300) 내 물질 간에 반복해서 반사가 일어나는 경우의 위상 변화를 의미한다.Here, λ is a wavelength, R is a reflectance of a material constituting an electrode part such as Al or Ag, T is a transmittance of a material in each constituent element, 500) and the first electrode unit 300. In this case,

Figure pat00005
Figure pat00005

여기서,

Figure pat00006
는 빛이 제2 전극부(500) 내 물질, 예를 들면, Al에서 반사될 때 반사 전후의 위상차, θ는 제1 청색 발광부(400)의 광투과 각도,
Figure pat00007
는 청색 발광층(420)과 제2 전극부(500) 사이의 거리를 의미할 수 있다.here,
Figure pat00006
Is a phase difference before and after reflection when light is reflected by a material in the second electrode unit 500, for example, Al, and? Is a light transmission angle of the first blue light emitting unit 400,
Figure pat00007
May mean the distance between the blue light emitting layer 420 and the second electrode unit 500.

도 3은 상술한 수학식에 따라 ITO 투명 전극에 비교하여 DMD 투명 전극인 제1 전극부(400)의 공진 향상 팩터를 나타낸 그래프이다. 도 3에 의하면, ITO 투명 전극의 텅스텐 산화물(WO3) 층의 두께를 60nm, 80nm, 100nm, 120nm로 변화시킬 때와 비교하여 DMD 투명 전극의 텅스텐 산화물(WO3) 층인 제1 유전체층(320)의 두께를 60nm, 80nm, 100nm, 120nm로 변화시키는 경우에 공진 향상 팩터의 변화가 보다 더 뚜렷하게 나타남을 알 수 있다.3 is a graph showing resonance enhancement factors of the first electrode unit 400, which is a DMD transparent electrode, in comparison with the ITO transparent electrode according to the above-described equation. 3, the first dielectric layer 320, which is a tungsten oxide (WO 3 ) layer of the DMD transparent electrode, is formed in the same manner as in the case where the thickness of the tungsten oxide (WO 3 ) layer of the ITO transparent electrode is changed to 60 nm, 80 nm, 100 nm, It can be seen that the change of the resonance enhancement factor is more apparent when the thickness of the resonator is changed to 60 nm, 80 nm, 100 nm and 120 nm.

제1 유전체층(320)은, 상술한 공진 향상 팩터의 변화를 고려하여 1nm 이상 150nm 이하의 두께로 형성될 수 있는 바, 그 두께가 얇아지더라도 제1 청색 발광부(400)의 전류(I)-전압(V) 특성의 변화가 크지 않도록 상술한 바와 같은 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중 하나의 재료 또는 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA, HATCN 등의 유기(Organic) 재료를 사용하는 것이 바람직하다.The first dielectric layer 320 can be formed to have a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less in consideration of the change in the resonance enhancement factor described above. Even if the first dielectric layer 320 is thin, the current I of the first blue light- - Materials such as MoO 3 , WO 3 , Ni 2 O 3 and V 2 O 5 or CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA, HATCN It is preferable to use an organic material such as polyimide.

제2 유전체층(330)은, 제1 기판(100)의 타면 상에 형성되어 금속층(310)과 제1 기판(100)의 사이에 배치될 수 있으며, 앞서 언급한 제1 유전체층(320)에 사용되는 재료 중에 선택된 재료, 또는 이에 더하여 SiO₂ 및 SiNx가 사용될 수 있고, 제1 유전체층(320)과 동일한 재료 또는 상이한 재료가 사용될 수 있다. 이때, 제1 전극부(300)는, 제2 유전체층(330)이 부가됨에 따라 DMD 전극 구조가 될 수 있다.The second dielectric layer 330 may be formed on the other surface of the first substrate 100 and may be disposed between the metal layer 310 and the first substrate 100 and may be used for the first dielectric layer 320 Or SiO 2 and SiN x may be used, and the same or different materials as the first dielectric layer 320 may be used. At this time, the first electrode unit 300 may have a DMD electrode structure as the second dielectric layer 330 is added.

또한, 제1 유전체층(320) 또는 제2 유전체층(330)은, ITO 재질의 제1 투명 전극층 또는 제2 투명 전극층으로 각각 치환될 수 있다. 이때, 제1 투명 전극층은 상술한 공진 향상 팩터의 변화를 고려하여 1nm 이상 150nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The first dielectric layer 320 or the second dielectric layer 330 may be replaced with a first transparent electrode layer or a second transparent electrode layer made of ITO. At this time, the first transparent electrode layer may be formed to a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less considering the change of the above-described resonance enhancement factor.

MD 전극 또는 DMD 전극으로 구성된 제1 전극부(300)를 형성하는 방법은, 진공열증착법(thermal evaporation), 스퍼터링(Sputtering) 등으로 제1 기판(100) 상에 금속층(310) 및 제1 유전체층(320)을 순차적으로 적층, 또는, 제2 유전체층(330)과 금속층(310) 및 제1 유전체층(320)을 순차적으로 적층하는 방법이 가능하다.The method of forming the first electrode unit 300 composed of the MD electrode or the DMD electrode may include forming the metal layer 310 and the first dielectric layer 300 on the first substrate 100 by thermal evaporation or sputtering, The metal layer 310 and the first dielectric layer 320 may be sequentially stacked on the second dielectric layer 330, or the second dielectric layer 330, the metal layer 310, and the first dielectric layer 320 may be sequentially stacked.

제1 청색 발광부(400)는 제1 전극부(300) 위에 형성되어 청색광을 발광하는 OLED 소자이다. 제1 청색 발광부(400)는, 청색광을 발광하는 유기발광물질로 구성된 청색 발광층(Blue EMitting Layer, B-EML)(420)을 중심으로, 애노드(Anode) 전극인 제1 전극부(300) 측에 정공 전달층(Hole Transporting Layer, HTL)(410)이 형성되고, 제2 전극부(500)측에 전자 전달층(Electron Transporting Layer, ETL)(430)과 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)(440)이 순차로 적층된다. 이때, 제1 실시예는 제1 전극부(300)를 애노드 전극으로 구성하면서 MD 전극을 사용하였기 때문에 제1 유전체층(320)이 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)의 기능을 동시에 수행하여, 일반적인 OLED 소자와 달리 별도의 정공 주입층을 생략할 수 있다. 이와 같이, 제1 유전체층(320)이 정공 주입층의 기능을 수행하기 때문에, 제1 유전체층(320)은 정공 주입에 적합한 MoO3과 WO3 등을 적용하는 것이 바람직하다. 정공 전달층(410), 청색 발광층(420), 전자 전달층(430) 및 전자 주입층(440)의 구체적인 구성은 일반적인 청색광을 발광하는 OLED 소자에 적용되는 구성을 제한 없이 적용할 수 있으므로 자세한 설명은 생략한다.The first blue light emitting unit 400 is an OLED element formed on the first electrode unit 300 and emitting blue light. The first blue light emitting unit 400 includes a first electrode unit 300 which is an anode electrode and a blue emission layer 420 that is formed of an organic light emitting material that emits blue light, A hole transport layer (HTL) 410 is formed on the second electrode unit 500 and an electron transport layer (ETL) 430 and an electron injection layer (HTL) EIL) 440 are sequentially stacked. In this case, since the first electrode unit 300 is used as the anode electrode and the MD electrode is used as the first electrode unit 300, the first dielectric layer 320 simultaneously performs the function of the hole injection layer (HIL) Unlike a general OLED device, a separate hole injection layer can be omitted. Since the first dielectric layer 320 functions as a hole injection layer, it is preferable to apply MoO 3 , WO 3, or the like suitable for hole injection to the first dielectric layer 320. The specific structure of the hole transport layer 410, the blue light emitting layer 420, the electron transport layer 430, and the electron injection layer 440 can be applied to an OLED device that emits blue light in general. Is omitted.

제1 청색 발광부(400)를 형성하는 방법은, 정공 전달층(410), 청색 발광층(420), 전자 전달층(430) 및 전자 주입층(440)을 순차적으로 적층하여 수행되며, 일반적인 청색 OLED 소자를 형성하는 방법을 제한 없이 적용할 수 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.The first blue light emitting portion 400 is formed by sequentially laminating a hole transport layer 410, a blue light emitting layer 420, an electron transport layer 430, and an electron injection layer 440, The method of forming the OLED element can be applied without limitations, so a detailed description thereof will be omitted.

제2 전극부(500)는 제1 청색 발광부(400)의 전자 주입층(440)에 접하는 캐소드(Cathode) 전극이며, 제1 청색 발광부(400)에서 발생된 청색광이 제1 기판(100) 쪽으로 발산될 수 있도록 금속 재질, 바람직하게는 알루미늄(Al) 재질의 반사형 전극으로 구성된다.The second electrode unit 500 is a cathode electrode contacting the electron injection layer 440 of the first blue light emitting unit 400. The blue light generated from the first blue light emitting unit 400 is incident on the first substrate 100 And is made of a metal material, preferably an aluminum (Al) reflective electrode, so that it can be diverted toward the electrode.

도 4는 ITO 투명 전극에 의해 청색광이 변환되는 형태를 도시한 그래프이고, 도 5는 본 발명에 의한 OLED 조명 소자의 제1 전극부(300) 내 제1 유전체층(320)의 두께 변화에 대응하여 청색광이 변환되는 나타낸 그래프이며, 도 6은 본 발명에 의한 OLED 조명 소자의 색좌표 변화를 ITO 투명 전극을 적용한 OLED 조명 소자의 색좌표 변화에 비교하여 나타낸 그래프로서, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 OLED 조명 소자의 동작을 설명하면 다음과 같다.FIG. 4 is a graph showing a state in which blue light is converted by the ITO transparent electrode. FIG. 5 is a graph showing changes in the thickness of the first dielectric layer 320 in the first electrode unit 300 of the OLED lighting device according to the present invention FIG. 6 is a graph showing a color coordinate change of the OLED lighting device according to the present invention compared with a color coordinate change of an OLED lighting device to which an ITO transparent electrode is applied. Referring to FIGS. 2 to 6, The operation of the OLED lighting device of FIG.

도 4는 본 발명의 강 미소공진 구조의 비교예로서 약(Weak) 미소공진 구조를 갖는 OLED 소자를 가지고 실험한 결과로, DMD 구조 또는 MD 구조의 투명 전극 대신에 ITO 투명 전극을 적용한 후, ITO층과 정공 전달층 사이에 배치된 유전체층인 WO3층의 두께를 60nm, 80nm, 100nm 및 120nm로 변화시킬 때 나타나는 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 4의 하부 그래프는 양자점 색변환층 적용 전의 발광 스펙트럼으로, 파장(nm) 별 세기(a.u. intensity)를 도시하고 있으며, WO3층의 두께의 변화에도 불구하고 빛의 세기의 피크점이 크게 시프트되지 않는 것을 알 수 있다. 도 4의 상부 그래프는 양자점 색변환층 적용 후의 발광 스펙트럼으로, 파장(nm) 별 세기(a.u. intensity)를 도시하고 있으며, WO3층의 두께의 변화에도 불구하고 색변환 세기에 큰 변화가 없음을 알 수 있다.FIG. 4 is a graph showing the results of an experiment using an OLED device having a Weak micro-resonance structure as a comparative example of the micro-resonance structure of the present invention. The ITO transparent electrode was applied instead of the DMD structure or the MD structure, And the WO 3 layer, which is a dielectric layer disposed between the layer and the hole transporting layer, is changed to 60 nm, 80 nm, 100 nm, and 120 nm. A light emission spectrum before the lower graph of Figure 4 is a quantum dot color change layer applied, and shows the wavelength (nm) by intensity (au intensity), not in spite of changes in the thickness of the WO 3 layer was shifted largely point of the light intensity peak . The upper graph of FIG. 4 shows the emission spectrum after application of the quantum dot color conversion layer, showing the intensity (au intensity) by wavelength (nm), and there was no significant change in the color conversion intensity despite the change of the thickness of WO 3 layer Able to know.

도 5는 본 발명의 강 미소공진 구조를 갖는 OLED 소자에 대한 실험 결과로, 정공 전달층(410)과 금속층(310) 사이의 제1 유전체층(320)의 두께가 150nm 이하인 경우에 두께의 변화에 따라 제1 청색 발광부(400)의 발광 피크점이 크게 시프트됨을 확인할 수 있으며, 도 5는 그 일례로 금속층(310)을 Ag로 하고, 제1 유전체층(320) 및 제2 유전체층(330)을 WO3로 하며, 제1 유전체층(320)인 WO3층의 두께를 60nm, 80nm, 100nm 및 120nm로 다르게 조절하여 본 발명의 OLED 소자를 제조한 후에 광학 특성을 평가한 결과이다. 또한, 제1 유전체층(320)의 두께가 1nm 미만인 경우는 막의 품질 등에서 문제가 생길 수 있으므로 1nm 이상의 두께 범위로 형성하는 것이 바람직하다.FIG. 5 is a graph showing the results of an experiment on an OLED device having a strong micro-resonance structure according to the present invention. As a result, when the thickness of the first dielectric layer 320 between the hole transport layer 410 and the metal layer 310 is 150 nm or less, 5 shows a case where the metal layer 310 is made of Ag and the first dielectric layer 320 and the second dielectric layer 330 are formed of a metal such as WO 3 , and the thickness of the WO 3 layer as the first dielectric layer 320 was adjusted to 60 nm, 80 nm, 100 nm, and 120 nm, respectively, to evaluate the optical characteristics after manufacturing the OLED device of the present invention. In addition, when the thickness of the first dielectric layer 320 is less than 1 nm, problems may occur in the quality of the film and the like, and therefore, it is preferable to form the first dielectric layer 320 in a thickness range of 1 nm or more.

도 5의 하부 그래프는 양자점 색변환층 적용 전의 발광 스펙트럼으로, 파장(nm) 별 세기(a.u. intensity)를 도시하고 있으며, 제1 유전체층(320)인 WO3층의 두께가 변화함에 따라 빛의 세기의 피크점이 크게 시프트되는 것을 알 수 있다. 도 5의 상부 그래프는 양자점 색변환부(200) 적용 후의 발광 스펙트럼으로, 파장(nm) 별 세기(a.u. intensity)를 도시하고 있으며, 제1 유전체층(320)인 WO3층의 두께의 변화에 따라 색변환 세기도 큰 변화가 있음을 알 수 있다.The lower graph of FIG. 5 shows the emission intensity before the application of the quantum dot color conversion layer and shows au intensity by wavelength (nm). As the thickness of the WO 3 layer as the first dielectric layer 320 changes, It can be seen that the peak point of the peak is shifted greatly. The upper graph of FIG. 5 shows the emission intensity after application of the quantum dot color converter 200, and shows au intensity by wavelength (nm), and the intensity of au intensity according to the change of the thickness of the WO 3 layer as the first dielectric layer 320 It can be seen that there is a large change in the color conversion intensity.

도 6은 약 미소공진 구조를 갖는 OLED 소자를 가지고 실험한 결과로서, DMD 구조 또는 MD 구조의 투명 전극 대신에 ITO 투명 전극을 적용한 후, ITO층과 정공 전달층 사이에 배치된 유전체층인 WO3층의 두께를 60nm, 80nm, 100nm 및 120nm로 변화시킬 때 나타나는 색좌표(ITOW60, ITOW80, ITOW100, ITOW120)를 표시하고, 본 발명의 강 미소공진 구조를 갖는 OLED 소자를 가지고 실험한 결과로서, 금속층(310)을 Ag로 하고, 제1 유전체층(320) 및 제2 유전체층(330)을 WO3로 하며, 제1 유전체층(320)인 WO3층의 두께를 60nm, 80nm, 100nm 및 120nm로 변화시킬 때 나타나는 색좌표(WAW60, WAW80, WAW100, WAW120)를 함께 표시한다.6 is a graph illustrating the results of an experiment with an OLED device having a micro-resonance structure. As a result, ITO transparent electrodes were applied instead of a transparent electrode of a DMD structure or a MD structure, and a WO 3 layer (ITOW60, ITOW80, ITOW100, ITOW120) appearing when the thickness of the metal layer 310 (ITOW60, ITOW80, ITOW100, ITOW120) And the first dielectric layer 320 and the second dielectric layer 330 are referred to as WO 3 and the thickness of the WO 3 layer as the first dielectric layer 320 is changed to 60 nm, 80 nm, 100 nm, and 120 nm, The color coordinates (WAW60, WAW80, WAW100, WAW120) are displayed together.

도 6에 의하면, ITO 투명 전극을 적용한 OLED 소자는 WO3층의 두께에 크게 영향을 받지 않고 모든 샘플의 빛이 청색 영역에 머무르고 있으나, MD 투명 전극을 적용한 본 발명의 OLED 소자는 WO3층의 두께에 따라서 다양한 색좌표를 가지는 것을 알 수 있으며, 이에 따라 본 발명의 OLED 소자는 제1 유전체층(320)인 WO3층의 두께를 조절하여 다양한 색좌표의 조정이 가능하다. 따라서, 본 발명의 OLED 조명 소자에 의하면, 딥 블루(Deep Blue) 뿐 아니라 스카이 블루(Sky Blue) 광을 이용하여도 백색의 색좌표를 가지는 조명 소자를 제조할 수 있는 이점이 있다. 또한, 청색광을 변환하기 위한 색변환부(200, 1200) 내에 적색 양자점 및 녹색 양자점을 모두 포함시키지 않고 적색 양자점 또는 녹색 양자점을 포함시키는 것만으로도 제1 유전체층(320)의 두께 조절에 따라 백색광을 생성할 수 있다.Referring to Figure 6, the OLED element is applied to a transparent ITO electrode, the OLED device of the present invention significantly, but the light of all the samples without being affected by staying in the blue region, applying the MD transparent electrode to the thickness of the WO 3 layer is a WO 3 layer The OLED device according to the present invention can adjust various color coordinates by adjusting the thickness of the WO 3 layer as the first dielectric layer 320. Therefore, according to the OLED lighting device of the present invention, there is an advantage that an illumination device having a white color coordinate can be manufactured using not only Deep Blue but also Sky Blue light. In addition, by including the red quantum dot or the green quantum dot in the color conversion units 200 and 1200 for converting blue light without including both the red quantum dots and the green quantum dots, the white light can be obtained by adjusting the thickness of the first dielectric layer 320 Can be generated.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 의해 제조되고 제2 실시예에 의한 구조를 갖는 OLED 조명 소자의 구조를 도시한 모식도로서, 제1 실시예의 OLED 조명 소자가 하부 발광(Bottom emission) 방식의 OLED 소자인 반면 제2 실시예의 OLED 조명 소자는 상부 발광(Top emission) 방식이다. 이하 구조 및 제조 방법을 함께 설명한다.FIG. 7 is a schematic diagram showing the structure of an OLED lighting device manufactured by the fourth embodiment of the present invention and having a structure according to the second embodiment, wherein the OLED lighting device of the first embodiment is a bottom emission type While the OLED lighting device of the second embodiment is a top emission type. The structure and the manufacturing method will be described together.

제2 실시예의 OLED 조명 소자는, 제2 기판(1100), 색변환부(1200), 제3 전극부(1300), 제2 청색 발광부(1400), 제4 전극부(1500) 및 봉지층(1600)을 포함할 수 있으며, 이하에서는 구조와 함께 제조 방법을 설명한다. 또한, 제2 실시예는 제1 실시예와 비교하여 구성요소의 적층 순서 및 발광 방향만을 달리할 뿐 기본적인 구성은 유사하므로 제1 실시예의 구성요소와 유사한 범위 내에서 그 상세한 설명은 편의상 생략한다.The OLED lighting device of the second embodiment includes a second substrate 1100, a color conversion portion 1200, a third electrode portion 1300, a second blue light emitting portion 1400, a fourth electrode portion 1500, (1600), and the fabrication method together with the structure will be described below. The second embodiment differs from the first embodiment only in the stacking order and light emitting direction of the constituent elements, but the basic structure is similar to that of the first embodiment, and thus the detailed description thereof will be omitted for the sake of simplicity within the scope similar to the constituent elements of the first embodiment.

제2 실시예의 OLED 조명 소자는 위쪽으로 빛이 발산하는 구조이므로, 제2 기판(1100)은 투명한 재질일 수도 있으나 불투명한 기판을 사용할 수도 있다.Since the OLED lighting device of the second embodiment has a structure in which light is emitted upward, the second substrate 1100 may be a transparent material, but an opaque substrate may also be used.

제3 전극부(1300)는, 제2 기판(1100) 위에 형성되고, 제2 청색 발광부(1400)의 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)(1450)에 접하는 애노드 전극이며, 제2 청색 발광부(1400)에서 발생된 청색광이 색변환부(1200) 쪽으로 발산될 수 있도록 금속 재질, 바람직하게는 알루미늄(Al) 재질의 반사형 전극으로 구성된다.The third electrode unit 1300 is an anode electrode formed on the second substrate 1100 and in contact with a hole injection layer (HIL) 1450 of the second blue light emitting unit 1400, And a reflection type electrode made of a metal material, preferably aluminum (Al), so that the blue light generated in the light emitting portion 1400 can be diverted toward the color conversion portion 1200.

제2 청색 발광부(1400)는 제2 전극부(1500) 위에 형성되어 청색광을 발광하는 OLED 소자이다. 제2 청색 발광부(1400)는, 청색광을 발광하는 유기발광물질로 구성된 청색 발광층(B-EML)(1420)을 중심으로, 애노드(Anode) 전극인 제3 전극부(1300) 측에 정공 주입층(HIL)(1450)과 정공 전달층(HTL)(1410)이 형성되고, 제4 전극부(1500)측에 전자 전달층(ETL)(1430)과 전자 주입층(EIL)(1440)이 순차로 적층된다. 여기서, 정공 주입층(1450)은, 정공 주입에 적합한 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에 하나의 재료, 바람직하게는 WO3을 사용할 수 있다. The second blue light emitting portion 1400 is an OLED element formed on the second electrode portion 1500 to emit blue light. The second blue light emitting portion 1400 includes a blue light emitting layer (B-EML) 1420 composed of an organic luminescent material that emits blue light, and a hole injecting hole (not shown) on the third electrode portion 1300, which is an anode electrode, An electron transport layer (ETL) 1430 and an electron injection layer (EIL) 1440 are formed on the side of the fourth electrode unit 1500. The hole transport layer (HTL) Respectively. Here, as the hole injection layer 1450, one of MoO 3 , WO 3 , Ni 2 O 3 and V 2 O 5 suitable for hole injection, preferably WO 3 , may be used.

이때, 정공 전달층(1410), 청색 발광층(1420), 전자 전달층(1430) 및 전자 주입층(1440)의 구체적인 구성은 일반적인 청색광을 발광하는 OLED 소자에 적용되는 구성을 제한 없이 적용할 수 있으므로 자세한 설명은 생략한다.The specific structure of the hole transport layer 1410, the blue light emitting layer 1420, the electron transport layer 1430 and the electron injection layer 1440 can be applied to an OLED device emitting blue light in general without limitation A detailed description will be omitted.

제2 청색 발광부(1400)을 형성하는 방법은, 정공 주입층(1450), 정공 전달층(1410), 청색 발광층(1420), 전자 전달층(1430) 및 전자 주입층(1440)을 순차적으로 적층하여 수행되며, 일반적인 청색 OLED 소자를 형성하는 방법을 제한 없이 적용할 수 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.The second blue light emitting portion 1400 is formed by sequentially forming a hole injection layer 1450, a hole transport layer 1410, a blue light emitting layer 1420, an electron transport layer 1430, and an electron injection layer 1440 And the method of forming a general blue OLED device can be applied without limitations, so a detailed description thereof will be omitted.

이때, 제2 청색 발광부(1400) 내 정공 주입층(1450)의 두께를 변화시킴으로써 강 미소공진 특성을 조절할 수 있다. 미소공진 특성 또는 효과는 공진 향상 팩터에 직접적인 영향을 받는데, 공진 향상 팩터는 앞서 설명한 수학식들에 의하여 계산 가능하므로 편의상 상세한 설명은 생략한다.At this time, by changing the thickness of the hole injection layer 1450 in the second blue light emitting portion 1400, the micro-resonance characteristics of the steel can be controlled. The micro resonance characteristic or effect is directly affected by the resonance enhancement factor, and the resonance enhancement factor can be calculated by the above-described equations, so that detailed description is omitted for the sake of convenience.

정공 전달층(1410)과 제3 전극부(1300) 사이의 정공 주입층(1450)의 두께가 150nm 이하인 경우에 두께의 변화에 따라 제2 청색 발광부(1400)의 발광 피크점이 크게 시프트됨을 확인할 수 있으며, 그 일례로 정공 주입층(1450)인 WO3층의 두께를 60nm, 80nm, 100nm 및 120nm로 다르게 조절하여 본 발명의 OLED 소자를 제조한 후에 광학 특성을 평가하면, 도 5와 유사한 결과를 얻을 수 있다. 또한, 정공 주입층(1450)의 두께가 1nm 미만인 경우는 막의 품질 등에서 문제가 생길 수 있으므로 1nm 이상의 두께 범위로 형성하는 것이 바람직하다.When the thickness of the hole injection layer 1450 between the hole transport layer 1410 and the third electrode portion 1300 is 150 nm or less, it is confirmed that the emission peak point of the second blue light emitting portion 1400 is largely shifted As an example, when the optical characteristics are evaluated after the OLED device of the present invention is manufactured by adjusting the thickness of the WO 3 layer, which is the hole injection layer 1450, to 60 nm, 80 nm, 100 nm, and 120 nm, Can be obtained. In addition, when the thickness of the hole injection layer 1450 is less than 1 nm, a problem may occur in the quality of the film and the like.

정공 주입층(1450)은, 상술한 바와 같이 공진 향상 팩터의 변화를 고려하여 1nm 이상 150nm 이하의 두께로 형성될 수 있는 바, 그 두께가 얇아지더라도 제2 청색 발광부(1400)의 전류-전압 특성의 변화가 크지 않도록 상술한 바와 같은 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중 하나의 재료 또는 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA, HATCN 등의 유기(Organic) 재료를 사용하는 것이 바람직하다.The hole injection layer 1450 can be formed to a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less in consideration of the change of the resonance enhancement factor as described above. Even if the hole injection layer 1450 becomes thinner, the current- The material of one of MoO 3 , WO 3 , Ni 2 O 3 and V 2 O 5 as described above or an organic material such as CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN Organic material is preferably used.

제4 전극부(1500)는 제1 기판(100)의 제2 청색 발광부(1400) 위에 형성되어 제2 청색 발광부(1400)에 전기를 인가하는 전극으로서, 캐소드 전극이며, 빛이 색변환부(1200) 측으로 투과되어야 하므로 투명한 MD (Metal/Dielectric) 전극, 즉, 금속층(1510) 및 제3 유전체층(1520)을 포함하는 다층 구조의 투명 전극으로 구성될 수 있다.The fourth electrode unit 1500 is formed on the second blue light emitting unit 1400 of the first substrate 100 and applies electricity to the second blue light emitting unit 1400. The fourth electrode unit 1500 is a cathode electrode, Layered structure including a metal layer 1510 and a third dielectric layer 1520, since it must be transmitted to the side of the unit 1200. Therefore,

금속층(1510)은, 제2 청색 발광부(1400)의 전자 주입층(1440) 상에 형성되고, 나노 단위의 두께로 형성되어 빛을 투과시킬 수 있는 금속 중에서 선택될 수 있으며, 은(Ag)을 사용하는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The metal layer 1510 may be formed on the electron injection layer 1440 of the second blue light emitting portion 1400 and may be formed of a metal having a thickness of nano units and capable of transmitting light, But it is not limited thereto.

또한, 제3 유전체층(1520)은, 금속층(1510) 상에 형성되어 색변환부(1200) 또는 봉지층(1600)에 접하고, 전극의 투명도 및 면저항을 향상시킬 수 있는 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에 하나의 재료, 바람직하게는 WO3을 사용할 수 있다. 제3 유전체층(1520)의 재질이 앞서 언급한 산화물 계열의 유전 물질로 제한되는 것은 아니며, 이외에 ITO 등의 금속 산화물, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA, HATCN 등의 유기(Organic) 재료를 사용할 수도 있다.The third dielectric layer 1520 is formed on the metal layer 1510 and is in contact with the color conversion portion 1200 or the sealing layer 1600 and is made of MoO 3 , WO 3 , Ni 2 O 3 and V 2 O 5 , preferably WO 3 , can be used. The material of the third dielectric layer 1520 is not limited to the above-mentioned oxide-based dielectric material but may be a metal oxide such as ITO, an organic material such as CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA, ) Materials may also be used.

또한, 제3 유전체층(1520)은, ITO 재질의 제3 투명 전극층으로 치환될 수 있다.In addition, the third dielectric layer 1520 may be replaced with a third transparent electrode layer made of ITO.

봉지층(1600)은, 제3 유전체층(1520) 위에 형성되어, 색변환부(1200) 내 용매로 인하여 제3 유전체층(1520) 내 유기물질이 손상되는 것을 방지하는 보호 기능을 수행한다. 여기서, 봉지층(1600)은, 제3 유전체층(1520)이 무기 물질로 형성되는 등의 경우에 생략될 수 있다.The encapsulation layer 1600 is formed on the third dielectric layer 1520 and performs a protective function for preventing organic materials in the third dielectric layer 1520 from being damaged due to the solvent in the color conversion portion 1200. Here, the sealing layer 1600 may be omitted in the case where the third dielectric layer 1520 is formed of an inorganic material or the like.

봉지층(1600)은, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층한 형태의 구조일 수 있다. 이때, 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질, 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있으며, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 제2 청색 발광부(1400)에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있는 구조를 채택할 수 있다.The sealing layer 1600 may be a structure in which an organic layer and an inorganic layer are laminated in a multilayer structure. Here, the organic layer may be an acrylate-based material, and the inorganic layer may be one material selected from SiO2, SiNx, and Al2O3, and may be formed of an acrylate-based resin in a second blue light emitting portion 1400 A structure in which quantum dot materials for converting at least a part of the divergent blue light into light having a relatively long wavelength can be adopted.

색변환부(1200)는 제2 청색 발광부(1400)에서 생성된 청색광의 적어도 일부를 장파장의 빛으로 변환하여 발산한다. 색변환부(1200)는, 수지 내에 양자점 물질, 예를 들면, 적색 양자점 또는 녹색 양자점이 분산되어 있거나, 적색 양자점 및 녹색 양자점이 분산되어 있다. 즉, 양자점 물질은 제2 청색 발광부(1400)에서 생성된 청색광을 받아서 상대적으로 에너지가 낮은 장파장의 빛으로 파장을 변환하여 다시 발산하며, 청색광과 장파장으로 변환된 빛이 결합하여 발산된다. 이때, 백색광의 구현을 위해서는 청색광 이외의 파장 범위의 빛이 결합되어야 하므로, 양자점 물질에서 변환되는 빛의 파장은 청색보다 낮은 에너지 범위를 다양하게 조합할 수 있다. 예를 들면, 청색을 녹색으로 변환하는 양자점 물질 또는 청색을 적색으로 변환하는 양자점 물질을 분산시킨 색변환부(1200)를 형성하면, 양자점 물질의 사이를 통과하여 색변환부(1200)에서 변환되지 않은 청색광과 색변환부(1200)에서 변환된 녹색광 또는 적색광이 결합되어 2파장의 백색광을 구현할 수 있다. 다른 방법으로, 청색을 녹색으로 변환하는 양자점 물질과 청색을 적색으로 변환하는 양자점 물질을 함께 분산시킨 색변환부(1200)를 형성하면, 양자점 물질의 사이를 통과하여 색변환부(1200)에서 변환되지 않은 청색광과 색변환부(1200)에서 변환된 녹색광 및 적색광이 결합되어 3파장의 백색광을 구현할 수 있다.The color converting unit 1200 converts at least a part of the blue light generated by the second blue light emitting unit 1400 into light of a long wavelength and diverges it. The color converter 1200 includes a resin in which a quantum dot material, for example, a red quantum dot or a green quantum dot is dispersed, or a red quantum dot and a green quantum dot are dispersed. That is, the quantum dot material receives the blue light generated by the second blue light emitting portion 1400, converts the wavelength into light of a long wavelength having a relatively low energy, diverges again, and the blue light and the light converted into the long wavelength are combined and diverged. In order to realize white light, light of a wavelength range other than blue light must be coupled. Therefore, the wavelength of light converted from the quantum dot material can be variously combined with an energy range lower than blue. For example, when a color converter 1200 in which a quantum dot material for converting blue light into green light or a quantum dot material for converting blue light into red light is dispersed, the color converter 1200 passes through between the quantum dot materials and is not converted in the color converter 1200 And the green light or the red light converted by the color conversion unit 1200 is combined to realize white light of two wavelengths. Alternatively, when the color conversion portion 1200 in which the quantum dot material for converting blue to green and the quantum dot material for converting blue to red is dispersed, the color conversion portion 1200 passes through between the quantum dot materials, And the green light and the red light converted by the color conversion unit 1200 are combined to realize white light of three wavelengths.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Those skilled in the art will understand. Therefore, the scope of protection of the present invention should be construed not only in the specific embodiments but also in the scope of claims, and all technical ideas within the scope of the same shall be construed as being included in the scope of the present invention.

10: 적층형 백색 OLED
100: 제1 기판
200, 1200: 색변환부
300: 제1 전극부
400: 제1 청색 발광부
500: 제2 전극부
1100: 제2 기판
1300: 제3 전극부
1400: 제2 청색 발광부
1500: 제4 전극부
1600: 봉지층10: Stacked white OLED
100: first substrate
200, and 1200: color conversion unit
300: first electrode portion
400: first blue light emitting portion
500: second electrode portion
1100: second substrate
1300: third electrode part
1400: second blue light emitting portion
1500: fourth electrode portion
1600: sealing layer

Claims (58)

투명한 재질의 제1 기판;
상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부;
상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부;
상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및
상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며,
상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,
상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 제1 유전체층을 포함하는 MD(Metal/Dielectric) 전극인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
A first substrate of transparent material;
A color conversion unit formed on one surface of the first substrate;
A transparent first electrode portion formed on the other surface of the first substrate;
A first blue light emitting portion formed on the first electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light; And
And a second electrode part formed on the first blue light emitting part,
Wherein the color converter converts the blue light emitted from the first blue light emitting portion into a relatively long wavelength light,
Wherein the first electrode portion is an MD (Metal / Dielectric) electrode including a metal layer in contact with the first substrate and a first dielectric layer in contact with the first blue light emitting portion.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극부는, 상기 금속층 및 상기 제1 기판 사이에 제2 유전체층을 더 포함하는 OLED 조명 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode portion further comprises a second dielectric layer between the metal layer and the first substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 유전체층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하인 OLED 조명 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first dielectric layer has a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less.
청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the metal layer is an Ag material.
청구항 3에 있어서,
상기 제1 유전체층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자.
The method of claim 3,
Wherein the first dielectric layer is one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .
청구항 3에 있어서,
상기 제1 유전체층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료인 OLED 조명 소자.
The method of claim 3,
Wherein the first dielectric layer is an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.
청구항 2에 있어서,
상기 제2 유전체층은, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자.
The method of claim 2,
Wherein the second dielectric layer is a material selected from the group consisting of MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 , V 2 O 5 , SiO 2 and SiN x.
청구항 1에 있어서,
상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the quantum dot material dispersed in the color conversion portion is at least one of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.
투명한 재질의 제1 기판;
상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부;
상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부;
상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및
상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며,
상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,
상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 ITO 재질의 제1 투명 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
A first substrate of transparent material;
A color conversion unit formed on one surface of the first substrate;
A transparent first electrode portion formed on the other surface of the first substrate;
A first blue light emitting portion formed on the first electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light; And
And a second electrode part formed on the first blue light emitting part,
Wherein the color converter converts the blue light emitted from the first blue light emitting portion into a relatively long wavelength light,
Wherein the first electrode portion includes a metal layer in contact with the first substrate and a first transparent electrode layer made of ITO in contact with the first blue light emitting portion.
청구항 9에 있어서,
상기 제1 전극부는, 상기 금속층 및 상기 제1 기판 사이에 ITO 재질의 제2 투명 전극층을 더 포함하는 OLED 조명 소자.
The method of claim 9,
Wherein the first electrode portion further comprises a second transparent electrode layer made of ITO between the metal layer and the first substrate.
청구항 9에 있어서,
상기 제1 투명 전극층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하인 OLED 조명 소자.
The method of claim 9,
Wherein the first transparent electrode layer has a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less.
청구항 9에 있어서,
상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자.
The method of claim 9,
Wherein the metal layer is an Ag material.
청구항 9에 있어서,
상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.

The method of claim 9,
Wherein the quantum dot material dispersed in the color conversion portion is at least one of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.

제2 기판;
상기 제2 기판 위에 형성된 제3 전극부;
상기 제3 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부;
상기 제2 청색 발광부 위에 형성된 투명한 제4 전극부; 및
상기 제4 전극부 위에 형성된 색변환부를 포함하여 구성되며,
상기 색변환부는 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,
상기 제4 전극부는 상기 제2 청색 발광부에 접하는 금속층 및 상기 색변환부에 접하는 제3 유전체층을 포함하는 MD(Metal/Dielectric) 전극인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
A second substrate;
A third electrode part formed on the second substrate;
A second blue light emitting portion formed on the third electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light;
A transparent fourth electrode part formed on the second blue light emitting part; And
And a color conversion unit formed on the fourth electrode unit,
Wherein the color converter converts the blue light emitted from the second blue light emitting part into a quantum dot material for converting at least a part of the blue light into a relatively long wavelength light,
Wherein the fourth electrode portion is an MD (Metal / Dielectric) electrode including a metal layer in contact with the second blue light emitting portion and a third dielectric layer in contact with the color converting portion.
청구항 14에 있어서,
상기 색변환부 및 상기 제3 유전체층 사이에 상기 제3 유전체층 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 더 포함하고,
상기 봉지층은, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층한 구조인 OLED 조명 소자.
15. The method of claim 14,
And an encapsulation layer between the color conversion portion and the third dielectric layer to protect the organic material in the third dielectric layer,
The sealing layer is a structure in which an organic layer and an inorganic layer are laminated in a multilayer structure.
청구항 15에 있어서,
상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질인 OLED 조명 소자.
16. The method of claim 15,
Wherein the organic layer is an acrylate-based material.
청구항 15에 있어서,
상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있는 구조인 OLED 조명 소자.
16. The method of claim 15,
Wherein the organic layer is a structure in which a quantum dot material for converting at least a part of blue light emitted from the second blue light emitting portion into light having a relatively long wavelength is dispersed in an acrylate resin.
청구항 15에 있어서,
상기 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자.
16. The method of claim 15,
Wherein the inorganic layer is one material selected from SiO2, SiNx, and Al2O3.
청구항 14에 있어서,
상기 제2 청색 발광부는,
상기 제3 전극부 위에 형성된 정공 주입층;
상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 전달층;
상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층;
상기 청색 발광층 위에 형성된 전자 전달층; 및
상기 전자 전달층 위에 형성된 전자 주입층을 포함하고,
상기 정공 주입층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하인 OLED 조명 소자.
15. The method of claim 14,
Wherein the second blue light emitting portion comprises:
A hole injection layer formed on the third electrode portion;
A hole transport layer formed on the hole injection layer;
A blue light emitting layer formed on the hole transporting layer and including an organic light emitting material emitting blue light;
An electron transport layer formed on the blue light emitting layer; And
And an electron injection layer formed on the electron transport layer,
Wherein the hole injection layer has a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less.
청구항 14에 있어서,
상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자.
15. The method of claim 14,
Wherein the metal layer is an Ag material.
청구항 19에 있어서,
상기 정공 주입층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자.
The method of claim 19,
Wherein the hole injection layer is one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .
청구항 19에 있어서,
상기 정공 주입층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료인 OLED 조명 소자.
The method of claim 19,
Wherein the hole injection layer is an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.
청구항 14에 있어서,
상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
15. The method of claim 14,
Wherein the quantum dot material dispersed in the color conversion portion is at least one of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.
제2 기판;
상기 제2 기판 위에 형성된 제3 전극부;
상기 제3 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부;
상기 제2 청색 발광부 위에 형성된 투명한 제4 전극부; 및
상기 제4 전극부 위에 형성된 색변환부를 포함하여 구성되며,
상기 색변환부는 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,
상기 제4 전극부는 상기 제2 청색 발광부에 접하는 금속층 및 상기 색변환부에 접하는 ITO 재질의 제3 투명 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
A second substrate;
A third electrode part formed on the second substrate;
A second blue light emitting portion formed on the third electrode portion and including an organic light emitting material emitting blue light;
A transparent fourth electrode part formed on the second blue light emitting part; And
And a color conversion unit formed on the fourth electrode unit,
Wherein the color converter converts the blue light emitted from the second blue light emitting part into a quantum dot material for converting at least a part of the blue light into a relatively long wavelength light,
Wherein the fourth electrode part includes a metal layer in contact with the second blue light emitting part and a third transparent electrode layer in ITO material in contact with the color conversion part.
청구항 24에 있어서,
상기 제2 청색 발광부는,
상기 제3 전극부 위에 형성된 정공 주입층;
상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 전달층;
상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층;
상기 청색 발광층 위에 형성된 전자 전달층; 및
상기 전자 전달층 위에 형성된 전자 주입층을 포함하고,
상기 정공 주입층의 두께가 1nm 이상 150nm 이하인 OLED 조명 소자.
27. The method of claim 24,
Wherein the second blue light emitting portion comprises:
A hole injection layer formed on the third electrode portion;
A hole transport layer formed on the hole injection layer;
A blue light emitting layer formed on the hole transporting layer and including an organic light emitting material emitting blue light;
An electron transport layer formed on the blue light emitting layer; And
And an electron injection layer formed on the electron transport layer,
Wherein the hole injection layer has a thickness of 1 nm or more and 150 nm or less.
청구항 24에 있어서,
상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자.
27. The method of claim 24,
Wherein the metal layer is an Ag material.
청구항 25에 있어서,
상기 정공 주입층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자.
26. The method of claim 25,
Wherein the hole injection layer is one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .
청구항 25에 있어서,
상기 정공 주입층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료인 OLED 조명 소자.
26. The method of claim 25,
Wherein the hole injection layer is an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.
청구항 24에 있어서,
상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자.
27. The method of claim 24,
Wherein the quantum dot material dispersed in the color conversion portion is at least one of a quantum dot material for converting blue light into red light and a quantum dot material for converting blue light to green light.
투명한 재질인 제1 기판의 일면 상에 금속층 및 제1 유전체층을 순차적으로 적층하여 MD(Metal/Dielectric) 전극 구조의 제1 전극부를 형성하는 단계;
상기 제1 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부를 형성하는 단계;
상기 제1 청색 발광부 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 기판의 타면 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
Forming a first electrode portion of an MD (Metal / Dielectric) electrode structure by sequentially laminating a metal layer and a first dielectric layer on one surface of a first substrate of a transparent material;
Forming a first blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the first electrode portion;
Forming a second electrode portion on the first blue light emitting portion; And
And forming a color conversion part in which a quantum dot material for converting blue light into light having a relatively long wavelength is dispersed on the other surface of the first substrate.
청구항 30에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기판의 일면에 제1 유전체층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
32. The method of claim 30,
Wherein a first dielectric layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm on one surface of the first substrate in the step of forming the first electrode portion.
청구항 30에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
32. The method of claim 30,
Wherein the metal layer is made of an Ag material in the step of forming the first electrode part.
청구항 31에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 유전체층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
32. The method of claim 31,
Wherein the first dielectric layer is formed of one material selected from the group consisting of MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 and V 2 O 5 in the step of forming the first electrode part.
청구항 31에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 유전체층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
32. The method of claim 31,
Wherein the first dielectric layer is formed of an organic material selected from the group consisting of CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN. .
청구항 30에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 적층 전에 상기 제1 기판의 일면 상에 제2 유전체층을 적층하고,
상기 제2 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
32. The method of claim 30,
Forming a first electrode portion on the first substrate; laminating a second dielectric layer on one surface of the first substrate before the metal layer is laminated;
Wherein a material selected from the group consisting of MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 , V 2 O 5 , SiO 2 and SiN x is used in the process of forming the second dielectric layer.
청구항 30에 있어서,
상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
32. The method of claim 30,
Wherein at least one of the quantum dot material for converting blue light into red light and the quantum dot material for converting blue light into green light are dispersed in the step of forming the color conversion portion.
투명한 재질인 제1 기판의 일면 상에 금속층 및 ITO 재질의 제1 투명 전극층을 순차적으로 적층하여 제1 전극부를 형성하는 단계;
상기 제1 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부를 형성하는 단계;
상기 제1 청색 발광부 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 기판의 타면 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
Forming a first electrode part by sequentially laminating a metal layer and a first transparent electrode layer made of ITO on one surface of a first substrate which is a transparent material;
Forming a first blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the first electrode portion;
Forming a second electrode portion on the first blue light emitting portion; And
And forming a color conversion part in which a quantum dot material for converting blue light into light having a relatively long wavelength is dispersed on the other surface of the first substrate.
청구항 37에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기판의 일면에 상기 제1 투명 전극층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
37. The method of claim 37,
Wherein the first transparent electrode layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm on one surface of the first substrate in the step of forming the first electrode portion.
청구항 37에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
37. The method of claim 37,
Wherein the metal layer is made of an Ag material in the step of forming the first electrode part.
청구항 37에 있어서,
상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 적층 전에 상기 제1 기판의 일면 상에 제2 유전체층을 적층하고,
상기 제2 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
37. The method of claim 37,
Forming a first electrode portion on the first substrate; laminating a second dielectric layer on one surface of the first substrate before the metal layer is laminated;
Wherein a material selected from the group consisting of MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3 , V 2 O 5 , SiO 2 and SiN x is used in the process of forming the second dielectric layer.
청구항 37에 있어서,
상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
37. The method of claim 37,
Wherein at least one of the quantum dot material for converting blue light into red light and the quantum dot material for converting blue light into green light are dispersed in the step of forming the color conversion portion.
제2 기판의 일면 상에 제3 전극부를 형성하는 단계;
상기 제3 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부를 형성하는 단계;
상기 제2 청색 발광부 상에 금속층 및 제3 유전체층을 순차적으로 적층하여 MD(Metal/Dielectric) 전극 구조의 제4 전극부를 형성하는 단계;
상기 제4 전극부 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
Forming a third electrode portion on one surface of the second substrate;
Forming a second blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the third electrode portion;
Depositing a metal layer and a third dielectric layer sequentially on the second blue light emitting portion to form a fourth electrode portion having an MD (Metal / Dielectric) electrode structure;
And forming a color conversion unit on which the quantum dot material for converting blue light into light having a relatively long wavelength is dispersed on the fourth electrode unit.
청구항 42에 있어서,
상기 제2 청색 발광부를 형성하는 단계는,
상기 제3 전극부 위에 정공 주입층을 형성하는 단계;
상기 정공 주입층 위에 정공 전달층을 형성하는 단계;
상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층을 형성하는 단계;
상기 청색 발광층 위에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및
상기 전자 전달층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 정공 주입층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
43. The method of claim 42,
The forming of the second blue light emitting portion may include:
Forming a hole injection layer on the third electrode portion;
Forming a hole transport layer on the hole injection layer;
Forming a blue light emitting layer on the hole transport layer and including an organic light emitting material emitting blue light;
Forming an electron transport layer on the blue light emitting layer; And
And forming an electron injection layer on the electron transport layer,
Wherein the hole injection layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm.
청구항 42에 있어서,
상기 제4 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
43. The method of claim 42,
Wherein the metal layer is made of an Ag material in the step of forming the fourth electrode part.
청구항 43에 있어서,
상기 정공 주입층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
46. The method of claim 43,
Wherein the hole injection layer is formed of one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .
청구항 43에 있어서,
상기 정공 주입층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
46. The method of claim 43,
Wherein the hole injection layer is formed of an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.
청구항 42에 있어서,
상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
43. The method of claim 42,
Wherein at least one of the quantum dot material for converting blue light into red light and the quantum dot material for converting blue light into green light are dispersed in the step of forming the color conversion portion.
청구항 42에 있어서,
상기 제4 전극부를 형성하는 단계 이후 색변환부를 형성하는 단계 전에,
상기 제4 전극부 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
43. The method of claim 42,
Before forming the color conversion portion after forming the fourth electrode portion,
And forming a sealing layer for protecting the organic material in the fourth electrode portion.
청구항 48에 있어서,
상기 봉지층을 형성하는 단계는, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층하는 단계를 포함하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
49. The method of claim 48,
Wherein the step of forming the sealing layer comprises laminating an organic layer and an inorganic layer in a multi-layered structure.
청구항 49에 있어서,
상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질인 OLED 조명 소자의 제조 방법.
55. The method of claim 49,
Wherein the organic layer is an acrylate-based material.
청구항 49에 있어서,
상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질을 분산하여 형성하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
55. The method of claim 49,
Wherein the organic layer is formed by dispersing a quantum dot material which converts at least a part of blue light emitted from the second blue light emitting portion into light of a relatively long wavelength to an acrylate resin.
청구항 49에 있어서,
상기 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자의 제조 방법.
55. The method of claim 49,
Wherein the inorganic layer is one material selected from SiO2, SiNx, and Al2O3.
제2 기판의 일면 상에 제3 전극부를 형성하는 단계;
상기 제3 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부를 형성하는 단계;
상기 제2 청색 발광부 상에 금속층 및 ITO 재질의 제3 투명 전극층을 순차적으로 적층하여 제4 전극부를 형성하는 단계;
상기 제4 전극부 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
Forming a third electrode portion on one surface of the second substrate;
Forming a second blue light emitting portion including an organic light emitting material that emits blue light on the third electrode portion;
Forming a fourth electrode part by sequentially laminating a metal layer and a third transparent electrode layer made of ITO on the second blue light emitting part;
And forming a color conversion unit on which the quantum dot material for converting blue light into light having a relatively long wavelength is dispersed on the fourth electrode unit.
청구항 53에 있어서,
상기 제2 청색 발광부를 형성하는 단계는,
상기 제3 전극부 위에 정공 주입층을 형성하는 단계;
상기 정공 주입층 위에 정공 전달층을 형성하는 단계;
상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층을 형성하는 단계;
상기 청색 발광층 위에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및
상기 전자 전달층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 정공 주입층을 1nm 내지 150nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
54. The method of claim 53,
The forming of the second blue light emitting portion may include:
Forming a hole injection layer on the third electrode portion;
Forming a hole transport layer on the hole injection layer;
Forming a blue light emitting layer on the hole transport layer and including an organic light emitting material emitting blue light;
Forming an electron transport layer on the blue light emitting layer; And
And forming an electron injection layer on the electron transport layer,
Wherein the hole injection layer is formed to a thickness of 1 nm to 150 nm.
청구항 53에 있어서,
상기 제4 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
54. The method of claim 53,
Wherein the metal layer is made of an Ag material in the step of forming the fourth electrode part.
청구항 54에 있어서,
상기 정공 주입층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
55. The method of claim 54,
Wherein the hole injection layer is formed of one material selected from MoO 3, WO 3, Ni 2 O 3, and V 2 O 5 .
청구항 54에 있어서,
상기 정공 주입층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.
55. The method of claim 54,
Wherein the hole injection layer is formed of an organic material selected from CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA and HATCN.
청구항 53에 있어서,
상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법.54. The method of claim 53,
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