KR20180069693A - Optical chip and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광학 칩 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 제조 과정에서 렌즈 보호층을 설치하는 광학 칩 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an optical chip and a manufacturing method thereof. More particularly, the present invention relates to an optical chip for mounting a lens protection layer in a manufacturing process, and a manufacturing method thereof.
감광 칩과 같은 광학 칩의 제조 과정에서, 빛을 모으는데 사용되는 렌즈는 종종 불가피한 요소로 인해 오염된다. 오염된 렌즈는 입자 결함이나 손상과 같은 결함을 초래할 수 있어, 렌즈의 광학 효과에 영향을 미칠 뿐만 아니라 심한 경우 광학 칩이 정상적으로 작동하지 못하게 하여 수율에도 영향을 미칠 수 있다.In the manufacture of optical chips, such as photosensitive chips, the lenses used to collect light are often contaminated by unavoidable factors. Contaminated lenses can cause defects such as particle defects or damage, which can affect the optical effects of the lens as well as affect yields in severe cases by preventing the optical chip from operating normally.
본 발명의 목적은 상기 문제점들의 해결이 가능한 광학 칩 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide an optical chip and a method of manufacturing the same that can solve the above problems.
일 양태에서, 광학 칩 제조 방법은, 복수의 광학 칩을 포함하는 웨이퍼를 제공하는 단계(이때 각각의 광학 칩은 복수의 화소를 포함하고, 각각의 화소는 렌즈를 포함함); 상기 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 렌즈 보호층을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼를 절단해 광학 칩을 분리하는 단계; 상기 분리된 광학 칩을 기판 상에 배치하는 단계; 및 상기 렌즈 보호층을 광학 칩의 화소의 렌즈로부터 제거하는 단계;를 포함한다.In one aspect, an optical chip manufacturing method includes providing a wafer comprising a plurality of optical chips, wherein each optical chip comprises a plurality of pixels, each pixel comprising a lens; Forming a lens protection layer on a lens of a pixel of the optical chip; Separating the optical chip by cutting the wafer; Disposing the separated optical chip on a substrate; And removing the lens protection layer from the lens of the pixel of the optical chip.
다른 양태에서, 광학 칩은 복수의 화소 및 복수의 렌즈 보호층을 포함한다. 상기 각각의 화소는 광학 부재를 포함하고, 렌즈는 상기 광학 부재 상에 설치된다. 상기 렌즈 보호층은 각각 렌즈 상에 설치된다.In another aspect, the optical chip includes a plurality of pixels and a plurality of lens protective layers. Each of the pixels includes an optical member, and a lens is provided on the optical member. Each of the lens protective layers is provided on a lens.
본 발명에 의해, 상기 문제점들의 해결이 가능한 광학 칩 및 그 제조 방법이 제공된다. According to the present invention, there is provided an optical chip and a manufacturing method thereof capable of solving the above problems.
첨부된 도면을 조합한 이하 상세한 설명을 통해, 본 발명의 각 방면에 대해 잘 이해할 수 있을 것이다. 업계 표준의 관례에 따라, 각종 구조는 비율에 맞춰 제작된 것이 아님에 유의해야 한다. 실제로, 서술의 명료성을 위해 각종 구조의 치수를 임의로 확대하거나 축소할 수 있다.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 일부 실시예에 따른 광학 부재의 제조 방법을 도시한 설명도이다.
동일 또는 유사한 부재를 나타내기 위해, 상기 도면 및 구체적인 실시방식 전체에 걸쳐 공통된 참조 번호를 사용하였다. 본 발명의 실시예는 첨부된 도면을 조합한 이하 구체적인 실시방식으로부터 더욱 명확해질 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be better understood from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be noted that, in accordance with industry standard practice, the various structures are not designed to scale. In practice, the dimensions of various structures can be arbitrarily enlarged or reduced for clarity of description.
1 to 11 are explanatory views showing a method of manufacturing an optical member according to some embodiments of the present invention.
To denote the same or similar elements, common reference numerals have been used throughout the drawings and specific embodiments. The embodiments of the present invention will become more apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.
별도의 규정이 없으면, "위", "아래", "위로", "왼쪽", "오른쪽", "아래로", "꼭대기부", "바닥부", "수직", "수평", "측부", "~보다 높다", "하부", "상부", "상방", "하방"과 같은 공간적 서술은 도면에 나타난 방향을 지시하는 것이다. 본문에서 사용된 공간적 서술은 단지 설명을 위한 것이며, 본문에 서술된 구조를 실제로 실시할 경우, 본 발명의 실시예의 장점이 배치로 인해 편차가 생기지 않는 조건 하에서 임의의 방향 또는 방식으로 공간에 배치할 수 있다.Unless otherwise specified, the terms "top," "bottom," "top," "left," "right," "down," "top," "bottom," " Quot; side, "" higher than "," lower ", " upper ", "upward "," downward " It should be understood that the spatial description used in the text is merely for the purpose of explanation and that, if practiced in the text, the advantages of embodiments of the present invention may be placed in a space in any direction or manner under conditions that do not cause variation due to placement .
본문에 사용된 바와 같이, "제 1" 및 "제 2"와 같은 용어는 각종 부재, 어셈블리, 영역, 층 및/또는 구간에 대해 서술하나, 이러한 부재, 어셈블리, 영역, 층 및/또는 구간이 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어는 단지 하나의 부재, 어셈블리, 영역, 층 또는 구간과 다른 부재, 어셈블리, 영역, 층 또는 구간을 구분하는 데에만 사용될 수 있다. 문맥상 별다른 명시가 없는 한, 본문에서 "제 1" 및 "제 2"와 같은 용어가 사용될 경우 순서가 있음을 암시하는 것이 아니다.As used herein, the terms "first" and "second" are used to describe various members, assemblies, regions, layers and / or sections, but such members, assemblies, regions, layers and / And should not be limited by these terms. These terms may only be used to distinguish one member, assembly, region, layer or section from another member, assembly, region, layer or section. It is not intended to imply that there is an order when the terms "first" and "second" are used in the text unless the context clearly dictates otherwise.
본 발명의 실시예는, 광학 칩의 렌즈를 덮는 렌즈 보호층을 우선 웨이퍼 상에 형성하는 방법을 통해 광학 칩의 렌즈를 효과적으로 보호하여, 후속 제조 공정에서 렌즈가 손상되거나 오염되어 결함이 생기는 것을 방지하고, 나아가 광학 칩의 수율을 높이는, 광학 칩 제조 방법을 제공한다. 일부 실시예에서, 제조 공정이 완료된 후 렌즈 보호층을 렌즈로부터 제거할 수 있다. 다른 일부 실시예에서는, 제조 공정이 완료된 후 렌즈 보호층을 렌즈 상에 보존할 수 있다.The embodiment of the present invention effectively protects the lens of the optical chip through the method of forming the lens protection layer covering the lens of the optical chip on the wafer in advance so as to prevent the lens from being damaged or contaminated in the subsequent manufacturing process And further increases the yield of the optical chip. In some embodiments, the lens protection layer can be removed from the lens after the fabrication process is complete. In some other embodiments, the lens protection layer may be preserved on the lens after the fabrication process is complete.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 일부 실시예에 따른 광학 부재의 제조 방법을 도시한 설명도이다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼(10)가 제공된다. 웨이퍼(10)는 복수의 광학 칩(12)을 포함하며, 이때 각각의 광학 칩(12)은 복수의 화소(14)를 포함하고, 각각의 화소(14)는 하나 이상의 렌즈(20)를 포함한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 상기 각각의 화소(14)는 하나 이상의 광학 부재(16)를 포함하고, 렌즈(20)는 광학 부재(16) 상에 설치된다. 일부 실시예에서, 광학 부재(16)는 CMOS 이미지 감지(CMOS image sensor, CIS) 칩, 전하 결합(CCD) 이미지 감지 부재, 포토 다이오드(photodiode)와 같은 감광 부재 또는 기타 유형의 감광 부재를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 광학 부재(16)는 발광 다이오드(LED) 칩과 같은 발광 부재 또는 기타 유형의 발광 부재를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 광학 칩(12)은 광학 부재(16)와 렌즈(20) 사이에 설치되는 컬러 필터(18)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터(18)는 적색 필터, 녹색 필터, 청색 필터 및 기타 컬러의 필터를 포함할 수 있다.1 to 11 are explanatory views showing a method of manufacturing an optical member according to some embodiments of the present invention. Referring to Figure 1, a
그런 다음, 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20) 상에 렌즈 보호층(22)을 형성한다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)을 형성하기 전에 먼저 렌즈(20)에 대해 세척 공정을 진행할 수 있다. 예를 들면, 탈 이온수 또는 화학 용매를 이용해 렌즈(20) 표면의 입자를 제거해 렌즈 보호층(22)과 렌즈(20)의 부착력을 증가시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 렌즈(20) 상에 렌즈 보호층(22)을 형성하는 방법은 아래에 개시된 바와 같을 수 있다.Then, the
도 2를 참조하면, 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20) 상에 친수성 액상 보호 재료를 형성한다. 일부 실시예에서, 친수성 액상 보호 재료는 실온에서 수용성을 가지며 가열 후 소수성으로 바뀔 수 있는 재료로 선택될 수 있어, 렌즈 보호층(22) 형성 과정에서 렌즈(20)가 쉽게 손상되지 않으며, 형성된 렌즈 보호층(22)에 쉽게 수분이 남지 않게 된다. 일부 실시예에서, 친수성 액상 보호 재료는 아래의 식(1)과 같은 화학 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 2, a hydrophilic liquid protective material is formed on the
여기에서 R1은 친수성 그룹(hydrophilic group)이고,Wherein R1 is a hydrophilic group,
R2 및 R3은 서로 중합 가능한 그룹(polymerization group)이며,R2 and R3 are a polymerizable group,
C는 열분해 그룹(cleavage group)이다.C is a cleavage group.
예를 들어, 친수성 액상 보호 재료는 폴리우레탄(polyurethane) 및 2-이소프로폭시에탄올(2-Isopropoxyethanol)의 혼합액을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 폴리우레탄의 중량%는 약 60% 내지 약 80%이고, 2-이소프로폭시에탄올의 중량%는 약 10% 내지 약 30%이며, 폴리우레탄 및 2-이소프로폭시에탄올의 중량%는 100% 이하이다. 일부 실시예에서, 친수성 액상 보호 재료는 적합한 첨가제를 포함할 수도 있다. 일부 실시예에서, 친수성 액상 보호 재료는 약 20℃ 내지 약 30℃의 온도 범위 내에서 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20) 상에 형성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 친수성 액상 상태 보호 재료의 형성 공정은 스핀-코팅(spin coating) 공정, 분무(spray coating) 공정, 침지(dipping) 공정 또는 기타 적합한 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 친수성 액상 보호 재료를 사용해 일정한 분당 회전 수(RPM) 범위 내에서 일정한 시간의 스핀-코팅 공정을 진행해, 웨이퍼(10) 상에 친수성 액상 보호 재료를 형성할 수 있다.For example, the hydrophilic liquid phase protective material may include, but is not limited to, a mixture of polyurethane and 2-isopropoxyethanol. In some embodiments, the weight percent of polyurethane is from about 60% to about 80%, the weight percent of 2-isopropoxyethanol is from about 10% to about 30%, the weight of polyurethane and 2-isopropoxyethanol % Is less than 100%. In some embodiments, the hydrophilic liquid protective material may comprise suitable additives. In some embodiments, the hydrophilic liquid protective material is formed on the
일부 실시예에서, 식(1)의 친수성 액상 보호 재료는 가열 후 R2 그룹 및 R3 그룹과의 중합 반응을 생성해 식(2)와 같은 중합체를 형성할 수 있으며, 여기에서 n은 중합도를 나타낸다.In some embodiments, the hydrophilic liquid protective material of formula (1) can form a polymer such as formula (2) by heating after heating to form a polymerization reaction with the R2 group and the R3 group, wherein n represents the degree of polymerization.
도 3을 참조하면, 친수성 액상 보호 재료는 베이킹 공정(24)을 거쳐 친수성 액상 보호 재료를 중합시켜, 렌즈 보호층(22)을 형성한다. 일부 실시예에서, 베이킹 공정(24)의 온도는 100℃ 미만이고, 일 실시예에서는 약 100℃ 내지 150℃이며, 베이킹 공정(24)의 시간은 10분 미만이고, 일 실시예에서는 약 1분 내지 약 3분이나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)의 두께는 10미크론 미만이고, 일 실시예에서는 약 0.5미크론 내지 약 5미크론이나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)은 투명한 보호층이다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)은 후속 공정에서 렌즈 보호층(22)을 받침판 상에 고정할 수 있도록 실질적으로 편평한 표면을 갖는다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)은 실질적으로 렌즈 보호층(22)의 윤곽을 따라 형성된 등각(conformal) 보호층이다.Referring to FIG. 3, the hydrophilic liquid protective material polymerizes the hydrophilic liquid protective material through the
도 4를 참조하면, 렌즈 보호층(22)의 표면을 제 1 받침판(26) 상에 고정시킨다. 일부 실시예에서, 제 1 받침판(26)은 테이프(tape) 또는 기타 연질/경질 받침판을 포함한다. 일부 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)를 얇게 만들 때(thinning) 웨이퍼(10)의 뒷면부터 웨이퍼(10)의 두께를 줄인다. 일부 실시예에서, 웨이퍼를 얇게 만드는 방법은 그라인더(28)를 이용해 그라인딩(grinding) 공정을 진행하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 4, the surface of the lens
도 6을 참조하면, 웨이퍼(10)의 뒷면을 제 2 받침판(30) 상에 고정시킨다. 일부 실시예에서, 제 2 받침판(30)은 테이프 또는 기타 연질/경질 받침판을 포함한다. 도 7을 참조하면, 제 1 받침판(26)을 렌즈 보호층(22)의 표면으로부터 제거한다. 도 8을 참조하면, 웨이퍼(10)를 절단해 복수의 광학 칩(12)을 분리시킨다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 절단 방법은 절삭 공구(32)를 이용해 절단 공정을 진행하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to Fig. 6, the back surface of the
도 9를 참조하면, 검측 결과가 정상인 광학 칩(12)을 제 2 받침판(30)으로부터 들어 올린다. 일부 실시예에서, 클램프(34)를 이용해 광학 칩(12)을 제 2 받침판(30)으로부터 들어 올릴 수 있다. 도 10을 참조하면, 이어서 광학 칩(12)을 기판(36) 상에 재배치한다.Referring to FIG. 9, the
일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)은 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20) 상에 보존될 수 있다. 일부 실시예에서, 도 11에 도시된 바와 같이, 렌즈 보호층(22)을 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20)로부터 제거할 수 있다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)을 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20)로부터 제거하는 단계는 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층(22)을 제거하는 단계를 포함한다. 일부 실시예에서, 상기 화학 세정 용액은 약알칼리성을 가진다. 일 실시예에서, 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층(22)을 제거하는 원리는 아래의 식(3)에 도시된 바와 같을 수 있다.In some embodiments, the
일부 실시예에서, 화학 세정 용액은 R4 그룹 및 R5 그룹을 포함하고, 약알칼리성의 조건에서 R4 그룹 및 R5 그룹은 쉽게 전하를 가질 수 있다. 여기에서, 음전하를 띠는 R4 그룹은 렌즈 보호층(22)의 열분해 그룹의 카르보닐기(carbonyl group)를 공격해 카르보닐기와 결합하고, 렌즈 보호층(22)의 음전하를 띠는 산소 원자는 양전하를 띠는 R5 그룹과 결합한다. 따라서, 렌즈 보호층(22)은 상기 식의 두 개의 수용성 생성물로 열분해되고, 화학 세정 용액에 용해되어 제거될 수 있다.In some embodiments, the chemical cleaning solution comprises an R4 group and a R5 group, and under weakly alkaline conditions the R4 group and the R5 group can be easily charged. Here, the R4 group which is negatively charged attacks the carbonyl group of the pyrolytic group of the lens
일부 실시예에서, 상기 화학 세정 용액은 다이메틸 술폭시드(dimethyl sulfoxide), 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(diethylene glycolmonobutyl ether) 및 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 중합체(polyoxyethylene polyoxypropylene polymer)의 혼합 용액을 포함한다. 일부 실시예에서, 다이메틸 술폭시드의 중량%는 약 60% 내지 약 80%이고, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르의 중량%는 약 10% 내지 약 30%이며, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 중합체의 중량%는 약 1% 내지 약 5%이고, 다이메틸 술폭시드, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 중합체의 중량%는 100% 이하이다. 일부 실시예에서, 화학 세정 용액은 적합한 첨가제를 포함할 수도 있다. 일부 실시예에서, 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층(22)을 제거하는 단계의 온도는 약 20℃ 내지 약 30℃이며, 제거 시간은 300초 미만이고, 일 실시예에서는 약 30초 내지 120초이나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 화학 세정 용액을 렌즈 보호층(22) 상에 분무해 렌즈 보호층(22)을 제거할 수 있다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)을 화학 세정 용액 안에 침지해 렌즈 보호층(22)을 제거할 수 있다. 일부 실시예에서, 화학 세정 용액은 양호한 습윤도(wettability)를 갖는다. 일부 실시예에서, 렌즈 보호층(22)을 광학 칩(12)의 화소(14)의 렌즈(20)로부터 제거하는 단계 이후, 웨이퍼(10)에 대해 세척 공정을 진행할 수 있다.In some embodiments, the chemical cleaning solution comprises a mixed solution of dimethyl sulfoxide, diethylene glycol monobutyl ether, and polyoxyethylene polyoxypropylene polymer. In some embodiments, the weight percent of dimethyl sulfoxide is about 60% to about 80%, the weight percentage of diethylene glycol monobutyl ether is about 10% to about 30%, the weight of the polyoxyethylene polyoxypropylene polymer % Is about 1% to about 5%, and the weight percent of dimethyl sulfoxide, diethylene glycol monobutyl ether, and polyoxyethylene polyoxypropylene polymer is 100% or less. In some embodiments, the chemical cleaning solution may comprise suitable additives. In some embodiments, the temperature of the step of removing the lens
본 발명의 실시예는, 광학 칩의 렌즈를 덮는 렌즈 보호층을 우선 웨이퍼 상에 형성하는 방법을 통해 광학 칩의 렌즈를 효과적으로 보호하여, 후속 제조 공정에서 렌즈가 손상되거나 오염되어 결함이 생기는 것을 방지하고, 나아가 광학 칩의 수율을 높이는 광학 칩 제조 방법을 제공한다. 렌즈 보호층은 실온에서는 수용성이며 가열 후에는 소수성인 재료로 제조될 수 있다. 렌즈 보호층은 화학 세척 용액을 이용해 쉽게 제거될 수 있으므로, 렌즈가 손상되지 않는다.The embodiment of the present invention effectively protects the lens of the optical chip through the method of forming the lens protection layer covering the lens of the optical chip on the wafer in advance so as to prevent the lens from being damaged or contaminated in the subsequent manufacturing process And further provides an optical chip manufacturing method for increasing the yield of the optical chip. The lens protective layer may be made of a material that is water-soluble at room temperature and hydrophobic after heating. The lens protection layer can be easily removed using a chemical cleaning solution, so that the lens is not damaged.
본문에 사용된 바와 같이, "대략", "기본적으로", "기본적" 및 "약"이라는 용어는 작은 변화에 대해 서술하고 고려하는데 사용된다. 사건 또는 상황과 조합해 사용할 때, 이 용어들은 사건 또는 상황이 명확하게 발생한 사례, 및 사건 또는 상황이 발생한 것과 매우 유사한 사례를 지칭한다. 예를 들어, 수치와 조합해 사용할 때 이 용어들은 수치의 ±10% 이하의 변화 범위를 지칭한다(예: ±5% 이하, ±4% 이하, ±3% 이하, ±2% 이하, ±1% 이하, ±0.5% 이하, ±0.1% 이하 또는 ±0.05% 이하의 변화 범위).As used herein, the terms "about", "essentially", "basic" and "about" are used to describe and consider small changes. When used in conjunction with an event or situation, these terms refer to instances where the event or circumstance is clearly evident, and an instance very similar to the occurrence of the event or circumstance. For example, when used in combination with numeric values, these terms refer to a range of variation of less than ± 10% of the value (eg ± 5% or less, ± 4% or less, ± 3% or less, ± 2% or less, ± 1 % Or less, ± 0.5% or less, ± 0.1% or less, or ± 0.05% or less).
본 발명의 특정 실시예를 참고해 본 발명에 대해 서술하고 설명했으나, 이러한 서술 및 설명은 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 당업자는 청구범위에서 확정한 본 발명의 실제 사상 및 범위를 벗어나지 않는 조건 하에서 각종 변경을 할 수 있으며 등가물로 대체할 수 있음을 이해해야 한다. 설명은 반드시 비율에 따라 제작할 필요는 없다. 제조 과정과 허용한도로 인해, 본 발명의 공정의 재현과 실제 장비 간에는 차이가 있을 수 있다. 또한, 특별히 설명하지 않은 본 발명의 기타 실시예가 있을 수 있다. 본 명세서 및 도면은 예시적인 것이며 한정적이지 않은 것으로 간주되어야 한다. 구체적 상황, 재료, 물질 조성, 방법 또는 과정을 본 발명의 목적, 사상 및 범위에 알맞도록 보정할 수 있다. 이러한 종류의 보정은 모두 여기에 첨부된 청구범위의 범위 내에 있는 것으로 간주된다. 본문에 개시된 방법은 구체적인 순서에 따라 실행된 구체적인 동작을 참고해 서술한 것이나, 본 발명의 교시를 벗어나지 않는 조건 하에서 이러한 동작을 조합, 재분할 또는 재순서화해 등가의 방법을 형성할 수 있음을 이해해야 한다. 그러므로, 본문에서 특별히 지시하지 않는 한, 동작의 순서 및 분단은 본 발명을 한정하는 것이 아니다.While the invention has been described and illustrated with reference to specific embodiments thereof, such description and description are not intended to limit the invention. It should be understood by those skilled in the art that various changes may be made and equivalents may be substituted without departing from the true spirit and scope of the invention as defined in the claims. Explanations do not necessarily have to be made in proportion. Due to the manufacturing process and tolerance limits, there may be differences between the reproduction of the process of the present invention and the actual equipment. There may also be other embodiments of the present invention that are not specifically described. The specification and drawings are to be regarded as illustrative and not restrictive. The specific situation, material, composition of matter, method or process may be modified to suit the purpose, spirit and scope of the present invention. All such calibrations are deemed to be within the scope of the claims appended hereto. It should be understood that the methods described in this specification are described with reference to specific acts performed in accordance with a specific order, but it is to be understood that such acts may be combined, re-divided or reordered to form equivalent methods without departing from the teachings of the present invention. Therefore, the order and division of operations are not intended to limit the invention, unless specifically indicated to the contrary.
Claims (20)
상기 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 렌즈 보호층을 형성하는 단계;
상기 웨이퍼를 절단해 광학 칩을 분리하는 단계;
상기 분리된 광학 칩을 기판 상에 배치하는 단계; 및
상기 렌즈 보호층을 광학 칩의 화소의 렌즈로부터 제거하는 단계;를 포함하는 광학 칩 제조 방법. Providing a wafer comprising a plurality of optical chips; Wherein each optical chip includes a plurality of pixels, each pixel including a lens,
Forming a lens protection layer on a lens of a pixel of the optical chip;
Separating the optical chip by cutting the wafer;
Disposing the separated optical chip on a substrate; And
And removing the lens protection layer from the lens of the pixel of the optical chip.
상기 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 렌즈 보호층을 형성하는 단계는,
상기 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 친수성 액상 보호 재료를 형성하는 단계; 및
상기 친수성 액상 보호 재료에 대해 베이킹 공정을 진행해, 친수성 액상 보호 재료를 중합시켜, 소수성을 갖는 렌즈 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 광학 칩 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein forming the lens protection layer on the lens of the pixel of the optical chip comprises:
Forming a hydrophilic liquid protective material on a lens of a pixel of the optical chip; And
And a step of baking the hydrophilic liquid protective material to polymerize the hydrophilic liquid protective material to form a lens protective layer having hydrophobicity.
상기 친수성 액상 보호 재료는 폴리우레탄(polyurethane) 및 2-이소프로폭시에탄올(2-Isopropoxyethanol)을 포함하는 광학 칩 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the hydrophilic liquid protective material comprises polyurethane and 2-isopropoxyethanol.
폴리우레탄의 중량%는 60% 내지 80%이며, 2-이소프로폭시에탄올의 중량%는 10% 내지 30%이고, 폴리우레탄과 2-이소프로폭시에탄올의 중량%는 100% 이하인 광학 칩 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the weight percentage of polyurethane is 60% to 80%, the weight percentage of 2-isopropoxy ethanol is 10% to 30%, and the weight percentage of polyurethane and 2-isopropoxy ethanol is 100% .
상기 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 친수성 액상 보호 재료를 형성하는 단계는 스핀-코팅 공정, 분무 공정 또는 침지 공정을 포함하는 광학 칩 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the step of forming the hydrophilic liquid protective material on the lens of the pixel of the optical chip includes a spin-coating process, a spraying process, or an immersion process.
상기 친수성 액상 보호 재료는 20℃ 내지 30℃의 온도 범위에서 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 형성되는 광학 칩 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the hydrophilic liquid protective material is formed on a lens of a pixel of an optical chip in a temperature range of 20 占 폚 to 30 占 폚.
상기 베이킹 공정의 온도는 100℃ 내지 150℃이고, 베이킹 공정의 시간은 10분 미만인 광학 칩 제조 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the temperature of the baking step is 100 占 폚 to 150 占 폚, and the time of the baking step is less than 10 minutes.
상기 렌즈 보호층을 광학 칩의 화소의 렌즈로부터 제거하는 단계는 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층을 제거하는 단계를 포함하는 광학 칩 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein removing the lens protection layer from the lens of the pixel of the optical chip comprises removing the lens protection layer using a chemical cleaning solution.
상기 화학 세정 용액은 약알칼리성을 갖는 광학 칩 제조 방법. 9. The method of claim 8,
Wherein the chemical cleaning solution has weak alkalinity.
상기 화학 세정 용액은 다이메틸 술폭시드(dimethyl sulfoxide), 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(diethylene glycol monobutyl ether) 및 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 중합체(polyoxyethylene polyoxypropylene polymer)를 포함하는 광학 칩 제조 방법. 9. The method of claim 8,
Wherein the chemical cleaning solution comprises dimethyl sulfoxide, diethylene glycol monobutyl ether, and polyoxyethylene polyoxypropylene polymer.
다이메틸 술폭시드의 중량%는 60% 내지 80%이며, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르의 중량%는 10% 내지 30%이고, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 중합체의 중량%는 1% 내지 5%이며, 다이메틸 술폭시드, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 중합체의 중량%는 100% 이하인, 광학 칩 제조 방법.11. The method of claim 10,
The weight percent of dimethyl sulfoxide is 60% to 80%, the weight percentage of diethylene glycol monobutyl ether is 10% to 30%, the weight percentage of polyoxyethylene polyoxypropylene polymer is 1% to 5% Wherein the weight percentage of dimethyl sulfoxide, diethylene glycol monobutyl ether and polyoxyethylene polyoxypropylene polymer is 100% or less.
상기 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층을 제거하는 단계는, 화학 세정 용액을 렌즈 보호층 상에 분무하는 단계 또는 렌즈 보호층을 화학 세정 용액 안에 침지하는 단계를 포함하는 광학 칩 제조 방법.10. The method of claim 9,
Wherein removing the lens protective layer using the chemical cleaning solution comprises spraying a chemical cleaning solution onto the lens protective layer or immersing the lens protective layer in a chemical cleaning solution.
상기 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층을 제거하는 단계의 온도는 20℃ 내지 30℃이며, 화학 세정 용액을 이용해 렌즈 보호층을 제거하는 단계의 시간은 30초 내지 120초인 광학 칩 제조 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the temperature of removing the lens protecting layer using the chemical cleaning solution is 20 to 30 占 폚 and the time of removing the lens protecting layer using the chemical cleaning solution is 30 to 120 seconds.
상기 렌즈 보호층을 광학 칩의 화소의 렌즈 상에 형성하는 단계 전과, 렌즈 보호층을 광학 칩의 화소의 렌즈로부터 제거하는 단계 후에, 웨이퍼에 대해 세정 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 광학 칩 제조 방법.The method according to claim 1,
Further comprising advancing a cleaning process on the wafer before the step of forming the lens protection layer on the lens of the pixel of the optical chip and after the step of removing the lens protection layer from the lens of the pixel of the optical chip, Way.
상기 렌즈 보호층의 두께는 10미크론 미만인 광학 칩 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the lens protective layer is less than 10 microns.
상기 광학 부재 상에 설치되는 렌즈; 및
상기 렌즈 상에 각각 설치되는 복수의 렌즈 보호층을 포함하는 광학 칩. A plurality of pixels including an optical member;
A lens provided on the optical member; And
And a plurality of lens protective layers respectively provided on the lens.
상기 광학 부재는 감광 부재를 포함하는 광학 칩. 17. The method of claim 16,
Wherein the optical member includes a photosensitive member.
상기 광학 부재와 상기 렌즈 사이에 설치되는 컬러 필터를 더 포함하는 광학 칩.17. The method of claim 16,
And a color filter provided between the optical member and the lens.
상기 렌즈 보호층의 두께는 10미크론 미만인 광학 칩. 17. The method of claim 16,
Wherein the thickness of the lens protective layer is less than 10 microns.
상기 렌즈 보호 층은 소수성을 갖는 광학 칩.17. The method of claim 16,
Wherein the lens protective layer is hydrophobic.
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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